JPH0683057A - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
- Publication number
- JPH0683057A JPH0683057A JP4230512A JP23051292A JPH0683057A JP H0683057 A JPH0683057 A JP H0683057A JP 4230512 A JP4230512 A JP 4230512A JP 23051292 A JP23051292 A JP 23051292A JP H0683057 A JPH0683057 A JP H0683057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist film
- film
- base resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト膜の膜減りを防止した高感度および
耐熱性のレジスト組成物を提供することをその目的とす
る。 【構成】 前記目的達成のため、本発明のレジスト組成
物は、置換基としてトリチルオキシ基を有するアリール
基を含むポリマーからなる基材樹脂１００重量部、およ
び光により酸を発生する酸発生剤１〜２０重量部を含む
ように構成する。
耐熱性のレジスト組成物を提供することをその目的とす
る。 【構成】 前記目的達成のため、本発明のレジスト組成
物は、置換基としてトリチルオキシ基を有するアリール
基を含むポリマーからなる基材樹脂１００重量部、およ
び光により酸を発生する酸発生剤１〜２０重量部を含む
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト組成物に関
し、更に詳しくはアルカリ水溶液に可溶な重合体の水酸
基の一部をトリチル（トリフェニルメチル）化してアル
カリ水溶液に不溶として、基材樹脂を含む化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。
し、更に詳しくはアルカリ水溶液に可溶な重合体の水酸
基の一部をトリチル（トリフェニルメチル）化してアル
カリ水溶液に不溶として、基材樹脂を含む化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化のためには、そ
れらのパターンを形成可能なレジスト材料が不可欠であ
る。従来の代表的なポジ型レジストとしては、フェノー
ルノボラック系の樹脂に感光剤としてナフトキノンジア
ジドを加えたもので、アルカリ水溶液による現像が可能
であるため低膨潤、高解像性の材料として、現在でも最
も一般的に用いられている。しかし半導体集積回路のよ
り微細化への対応、スループットの改善のためには、よ
り高性能なレジスト材料、すなわち高解像性、高感度な
レジスト材料を開発する必要があるのは言うまでもな
い。
れらのパターンを形成可能なレジスト材料が不可欠であ
る。従来の代表的なポジ型レジストとしては、フェノー
ルノボラック系の樹脂に感光剤としてナフトキノンジア
ジドを加えたもので、アルカリ水溶液による現像が可能
であるため低膨潤、高解像性の材料として、現在でも最
も一般的に用いられている。しかし半導体集積回路のよ
り微細化への対応、スループットの改善のためには、よ
り高性能なレジスト材料、すなわち高解像性、高感度な
レジスト材料を開発する必要があるのは言うまでもな
い。
【０００３】このような高解像性および高感度の二つの
条件を満たすものとして化学増幅系レジストが注目され
ている。化学増幅型レジストは、組成物中に光により酸
を発生する酸発生剤を含み、発生した酸が触媒的に作用
することを利用したレジストの総称である。化学増幅型
ポジ型レジストは、一般に酸により分解を受ける官能基
を基材樹脂側鎖または溶解抑止剤に持たせ、光官能性の
酸発生剤を感光剤として添加することで、露光により発
生した酸がこれらの分解を触媒し、アルカリ水溶液とな
るため、パターン形成が可能になる。酸発生剤から発生
した酸は、触媒として何度も反応に関与することができ
るため、露光量に対する反応の効率が極めて高くなる。
すなわち化学増幅が可能である。よって高感度化が実現
できる。
条件を満たすものとして化学増幅系レジストが注目され
ている。化学増幅型レジストは、組成物中に光により酸
を発生する酸発生剤を含み、発生した酸が触媒的に作用
することを利用したレジストの総称である。化学増幅型
ポジ型レジストは、一般に酸により分解を受ける官能基
を基材樹脂側鎖または溶解抑止剤に持たせ、光官能性の
酸発生剤を感光剤として添加することで、露光により発
生した酸がこれらの分解を触媒し、アルカリ水溶液とな
るため、パターン形成が可能になる。酸発生剤から発生
した酸は、触媒として何度も反応に関与することができ
るため、露光量に対する反応の効率が極めて高くなる。
すなわち化学増幅が可能である。よって高感度化が実現
できる。
【０００４】従来、酸により分解を受ける官能基として
は、水酸基に結合したｔ−ブトキシカルボニル基がある
が、熱に不安定なことや分解後にガス化するため膜減り
の原因となるなどの問題が生じていた。
は、水酸基に結合したｔ−ブトキシカルボニル基がある
が、熱に不安定なことや分解後にガス化するため膜減り
の原因となるなどの問題が生じていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の膜減りを
防止し、高い感度と耐熱性を有するレジスト組成物を提
供することをその目的とする。かかる目的を達成するた
め、本発明のレジスト組成物は、置換基としてトリチル
オキシ基を有するアリール基を含むポリマーからなる基
材樹脂１００重量部、および光により酸を発生する酸発
生剤１〜２０重量部を含んでなる。更に、本発明のレジ
ストパターンの形成方法は被加工物上に、前記のレジス
ト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、前記レジスト
膜を所定の光のパターンに露光してそのパターンに対応
する潜像をレジスト膜内に形成し、加熱し次いで前記露
光後のレジスト膜を有機溶剤からなる現像液で現像して
前記パターンに対応するレジストパターンを前記被加工
物上に形成することを含んでなる。すなわち、本発明の
レジスト組成物は、側鎖にフェノール性水酸基を有し、
アルカリ水溶液に可溶な重合体の水酸基の一部を、トリ
チル（トリフェニルメチル）化してアルカリ水溶液に不
溶としたものを基材樹脂とし、光官能性の酸発生剤を感
光剤として含むように構成される。
防止し、高い感度と耐熱性を有するレジスト組成物を提
供することをその目的とする。かかる目的を達成するた
め、本発明のレジスト組成物は、置換基としてトリチル
オキシ基を有するアリール基を含むポリマーからなる基
材樹脂１００重量部、および光により酸を発生する酸発
生剤１〜２０重量部を含んでなる。更に、本発明のレジ
ストパターンの形成方法は被加工物上に、前記のレジス
ト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、前記レジスト
膜を所定の光のパターンに露光してそのパターンに対応
する潜像をレジスト膜内に形成し、加熱し次いで前記露
光後のレジスト膜を有機溶剤からなる現像液で現像して
前記パターンに対応するレジストパターンを前記被加工
物上に形成することを含んでなる。すなわち、本発明の
レジスト組成物は、側鎖にフェノール性水酸基を有し、
アルカリ水溶液に可溶な重合体の水酸基の一部を、トリ
チル（トリフェニルメチル）化してアルカリ水溶液に不
溶としたものを基材樹脂とし、光官能性の酸発生剤を感
光剤として含むように構成される。
【０００６】原料のアルカリ水溶液に可溶な樹脂とし
て、例えばポリビニルフェノール、フェノールノボラッ
ククレゾールノボラック等の、いずれか一種が用いられ
る。このように、本発明のレジスト組成物を構成する基
材樹脂は、前記のアルカリ可溶樹脂の水酸基の一部をト
リチル化したものであり、トリチル化することにより膜
減りを防止して高解像度および耐熱性に秀れたレジスト
を得るものである。
て、例えばポリビニルフェノール、フェノールノボラッ
ククレゾールノボラック等の、いずれか一種が用いられ
る。このように、本発明のレジスト組成物を構成する基
材樹脂は、前記のアルカリ可溶樹脂の水酸基の一部をト
リチル化したものであり、トリチル化することにより膜
減りを防止して高解像度および耐熱性に秀れたレジスト
を得るものである。
【０００７】トリチル化の一般的手法は次の通りであ
る。水酸基のトリチル化は、トリエチルアミンなどの塩
基の存在化に、塩化トリチルを反応させることによって
行われる。反応はテトラヒドロフランなどの溶媒中で、
過剰の塩基を添加し、溶液を０℃に冷却しながら、塩化
トリチルをかきまぜながら加える。その後溶液を室温で
攪伴して反応は完了する。
る。水酸基のトリチル化は、トリエチルアミンなどの塩
基の存在化に、塩化トリチルを反応させることによって
行われる。反応はテトラヒドロフランなどの溶媒中で、
過剰の塩基を添加し、溶液を０℃に冷却しながら、塩化
トリチルをかきまぜながら加える。その後溶液を室温で
攪伴して反応は完了する。
【０００８】トリチル化の程度（量）について次の如く
言及できる。水酸基のトリチル化は、アルカリ水溶液に
可溶な樹脂を不溶化するに充分で、かつ感度の低下を招
かない程度が良い。すなわちトリチル基を必要以上に導
入するとトリチル基の吸収でレジストの透明性が低下す
ると、感度が低下し、さらに解像性の低下を招く。ポリ
ビニルフェノールを例にとれば、１０％のトリチル化を
行うと、アルカリ水溶液には不溶となる。トリチル化の
量をさらに増やしていくと、今度は感度が低下してしま
う。言い換えればトリチル化の量で感度の制御も可能で
ある。しかし現像時の膜減りを防ぐことなどを考慮する
と、トリチル化の量は２０〜４０％が適当である。
言及できる。水酸基のトリチル化は、アルカリ水溶液に
可溶な樹脂を不溶化するに充分で、かつ感度の低下を招
かない程度が良い。すなわちトリチル基を必要以上に導
入するとトリチル基の吸収でレジストの透明性が低下す
ると、感度が低下し、さらに解像性の低下を招く。ポリ
ビニルフェノールを例にとれば、１０％のトリチル化を
行うと、アルカリ水溶液には不溶となる。トリチル化の
量をさらに増やしていくと、今度は感度が低下してしま
う。言い換えればトリチル化の量で感度の制御も可能で
ある。しかし現像時の膜減りを防ぐことなどを考慮する
と、トリチル化の量は２０〜４０％が適当である。
【０００９】このようにトリチル化した基材樹脂とし
て、トリチルオキシスチレンおよびポリビニルフェノー
ルのコポリマー、トリチルオキシベンゼン核を含むフェ
ノールノボラック、又はトリチルオキシトルエン核を含
むクレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらの基
材樹脂が本発明では好ましく用いられる。本発明におけ
る酸発生剤は、化学増幅系レジスト組成物において通常
用いられる試剤であってよい。例えば、ジフェニルヨー
ドニウムヘキサフルオロアンチモネートベンゾイントシ
レート、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ
−トリアジン、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イ
ソシアヌレート等が好ましく用いられる。
て、トリチルオキシスチレンおよびポリビニルフェノー
ルのコポリマー、トリチルオキシベンゼン核を含むフェ
ノールノボラック、又はトリチルオキシトルエン核を含
むクレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらの基
材樹脂が本発明では好ましく用いられる。本発明におけ
る酸発生剤は、化学増幅系レジスト組成物において通常
用いられる試剤であってよい。例えば、ジフェニルヨー
ドニウムヘキサフルオロアンチモネートベンゾイントシ
レート、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ
−トリアジン、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イ
ソシアヌレート等が好ましく用いられる。
【００１０】酸発生剤の量については次のように言及で
きる。酸発生剤を増やすと感度は上昇する。しかしその
上昇はやがて飽和し酸発生剤を増やしても、感度はほと
んど変化せず、逆に酸発生剤の析出や解像性の低下など
が起こってしまう。酸発生剤の量としては１〜２０％の
範囲であり、さらに感度等を考慮すると５〜１０％程度
が最適である。
きる。酸発生剤を増やすと感度は上昇する。しかしその
上昇はやがて飽和し酸発生剤を増やしても、感度はほと
んど変化せず、逆に酸発生剤の析出や解像性の低下など
が起こってしまう。酸発生剤の量としては１〜２０％の
範囲であり、さらに感度等を考慮すると５〜１０％程度
が最適である。
【００１１】以下、更に実施例により本発明を説明する
が、本発明がこれらの実施例に限定されないことはもと
よりである。
が、本発明がこれらの実施例に限定されないことはもと
よりである。
【００１２】
合成例１：ポリビニルフェノールのトリチル化 １２ｇのポリビニルフェノールを５０mlのテトラヒドロ
フランに溶解した。これに４ｇのトリエチルアミンを加
え、溶液を０℃に冷却した。塩化トリチル５．６ｇを２
０mlのテトラヒドロフランに溶解し、滴下した。その後
反応溶液の温度を室温まで上昇させ、さらに６時間攪伴
した。反応溶液を約１／３量まで減圧濃縮し、大量の水
を加えることで目的のポリマーが沈澱するので濾過し、
減圧下で乾燥した。得られたポリマーをジオキサンに溶
解し、水を加えて再沈澱を行い精製した。トリチル化は
プロトンＮＭＲのポリビニルフェノール主鎖の２ppm 付
近のメチレンプロトンと、７〜８ppm の芳香族プロトン
の積分強度により求めた。導入されるトリチル基の量は
仕込み比に良く一致し、水酸基の２０％がトリチル化さ
れていることが確認された。
フランに溶解した。これに４ｇのトリエチルアミンを加
え、溶液を０℃に冷却した。塩化トリチル５．６ｇを２
０mlのテトラヒドロフランに溶解し、滴下した。その後
反応溶液の温度を室温まで上昇させ、さらに６時間攪伴
した。反応溶液を約１／３量まで減圧濃縮し、大量の水
を加えることで目的のポリマーが沈澱するので濾過し、
減圧下で乾燥した。得られたポリマーをジオキサンに溶
解し、水を加えて再沈澱を行い精製した。トリチル化は
プロトンＮＭＲのポリビニルフェノール主鎖の２ppm 付
近のメチレンプロトンと、７〜８ppm の芳香族プロトン
の積分強度により求めた。導入されるトリチル基の量は
仕込み比に良く一致し、水酸基の２０％がトリチル化さ
れていることが確認された。
【００１３】合成例２：クレゾールノボラックのトリチ
ル化 クレゾールノボラックのトリチル化は、ポリビニルフェ
ノールのトリチル化に準じて行った。１２．１ｇのｍ／
ｐクレゾールノボラックを５０mlのテトラヒドロフラン
に溶解した。これに４ｇのトリエチルアミンを加え、溶
液を０℃に冷却した。塩化トリチル５．６ｇを２０mlの
テトラヒドロフランに溶解し、滴下した。その後反応溶
液の温度を室温まで上昇させ、さらに６時間攪伴した。
反応溶液を約１／３量まで減圧濃縮し、大量の水を加え
ることで目的のポリマーが沈澱するので濾過し、減圧下
で乾燥した。得られたポリマーをジオキサンに溶解し、
水を加えて再沈澱を行い精製した。トリチル化はプロト
ンＮＭＲの１．２ppm 付近のメチルプロトンと、７〜８
ppm の芳香族プロトンの積分強度により求めた。導入さ
れるトリチル基の量は仕込み比に良く一致し、水酸基の
２０％がトリチル化されていることが確認された。
ル化 クレゾールノボラックのトリチル化は、ポリビニルフェ
ノールのトリチル化に準じて行った。１２．１ｇのｍ／
ｐクレゾールノボラックを５０mlのテトラヒドロフラン
に溶解した。これに４ｇのトリエチルアミンを加え、溶
液を０℃に冷却した。塩化トリチル５．６ｇを２０mlの
テトラヒドロフランに溶解し、滴下した。その後反応溶
液の温度を室温まで上昇させ、さらに６時間攪伴した。
反応溶液を約１／３量まで減圧濃縮し、大量の水を加え
ることで目的のポリマーが沈澱するので濾過し、減圧下
で乾燥した。得られたポリマーをジオキサンに溶解し、
水を加えて再沈澱を行い精製した。トリチル化はプロト
ンＮＭＲの１．２ppm 付近のメチルプロトンと、７〜８
ppm の芳香族プロトンの積分強度により求めた。導入さ
れるトリチル基の量は仕込み比に良く一致し、水酸基の
２０％がトリチル化されていることが確認された。
【００１４】実施例１ 側鎖の水酸基の約２０％をトリチル化した、分子量約５
０００のポリビニルフェノール（合成例１より）１００
部と酸発生剤としてジフェニルヨードニウムヘキサフル
オロアンチモネート５部を５００部の乳酸エチルに溶解
し、０．１μｍのフィルターを通してレジスト溶液とし
た。次にＳｉ基板上上記レジスト溶液を０．８μｍの膜
厚になるように回転塗布し、９０℃で１分間ベーキング
した。このようにして得られたレジスト膜に、マスクを
介してＤｅｅｐ−ＵＶの紫外線を照射し、その後１１０
℃で２分間ベークし、２．３８％テトラメチルアンモニ
ウム水溶液で浸漬、現像した。この結果露光部のみが溶
解し、０．３μｍのライン＆スペースパターンを解像可
能であり、またそれに要した露光量は約１５mJ／cm 2 で
あった。
０００のポリビニルフェノール（合成例１より）１００
部と酸発生剤としてジフェニルヨードニウムヘキサフル
オロアンチモネート５部を５００部の乳酸エチルに溶解
し、０．１μｍのフィルターを通してレジスト溶液とし
た。次にＳｉ基板上上記レジスト溶液を０．８μｍの膜
厚になるように回転塗布し、９０℃で１分間ベーキング
した。このようにして得られたレジスト膜に、マスクを
介してＤｅｅｐ−ＵＶの紫外線を照射し、その後１１０
℃で２分間ベークし、２．３８％テトラメチルアンモニ
ウム水溶液で浸漬、現像した。この結果露光部のみが溶
解し、０．３μｍのライン＆スペースパターンを解像可
能であり、またそれに要した露光量は約１５mJ／cm 2 で
あった。
【００１５】実施例２ 側鎖の水酸基の約２０％をトリチル化した、分子量約２
９００でｍ／ｐが１のクレゾールノボラック（合成例２
より）１００部と酸発生剤としてトリス（２，３−ジブ
ロモプロピル）イソシアヌレート５部を５００部の乳酸
エチルに溶解し、０．１μｍのフィルターを通してレジ
スト溶液とした。次にＳｉ基板上上記レジスト溶液を
０．８μｍの膜厚になるように回転塗布し、９０℃で１
分間ベーキングした。このようにして得られたレジスト
膜を、加速電圧３０kVの電子線を用いて露光した。その
後１１０℃で２分間ベークし、２．３８％テトラメチル
アンモニウム水溶液で浸漬、現像した。この結果露光部
のみが溶解し、０．１５μｍのライン＆スペースパター
ンを解像可能であり、またそれに要した露光量は約１０
μＣ／cm2 であった。
９００でｍ／ｐが１のクレゾールノボラック（合成例２
より）１００部と酸発生剤としてトリス（２，３−ジブ
ロモプロピル）イソシアヌレート５部を５００部の乳酸
エチルに溶解し、０．１μｍのフィルターを通してレジ
スト溶液とした。次にＳｉ基板上上記レジスト溶液を
０．８μｍの膜厚になるように回転塗布し、９０℃で１
分間ベーキングした。このようにして得られたレジスト
膜を、加速電圧３０kVの電子線を用いて露光した。その
後１１０℃で２分間ベークし、２．３８％テトラメチル
アンモニウム水溶液で浸漬、現像した。この結果露光部
のみが溶解し、０．１５μｍのライン＆スペースパター
ンを解像可能であり、またそれに要した露光量は約１０
μＣ／cm2 であった。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジスト
組成物は、側鎖にフェノール性水酸基を有し、アルカリ
水溶液に可溶な重合体の水酸基の一部を、トリチル（ト
リフェニルメチル）化してアルカリ水溶液に不溶したも
のを基材樹脂とし、光官能性の酸発生剤を感光剤として
含むよう構成したものであるから、膜減りを防止して、
紫外線、電子線に適用可能な解像性に優れ、従来型より
も耐熱性に優れた高感度なポジ型レジストを得る効果を
奏する。
組成物は、側鎖にフェノール性水酸基を有し、アルカリ
水溶液に可溶な重合体の水酸基の一部を、トリチル（ト
リフェニルメチル）化してアルカリ水溶液に不溶したも
のを基材樹脂とし、光官能性の酸発生剤を感光剤として
含むよう構成したものであるから、膜減りを防止して、
紫外線、電子線に適用可能な解像性に優れ、従来型より
も耐熱性に優れた高感度なポジ型レジストを得る効果を
奏する。
【００１７】ちなみに、従来、最も広く検討されている
ターシャリブトキシカルボニル基は、１１０℃付近で分
解を開始し、またその時にガス化して大きな膜減りを起
こすので、解像性の低下を招く。しかし、本発明の基材
樹脂中のトリチル基はこの温度領域では安定であり、プ
ロセス上の問題がないうえに、露光部でトリチル基が切
断されてもガス化が起こらず膜減りは極めて少ない。
ターシャリブトキシカルボニル基は、１１０℃付近で分
解を開始し、またその時にガス化して大きな膜減りを起
こすので、解像性の低下を招く。しかし、本発明の基材
樹脂中のトリチル基はこの温度領域では安定であり、プ
ロセス上の問題がないうえに、露光部でトリチル基が切
断されてもガス化が起こらず膜減りは極めて少ない。
Claims (3)
- 【請求項１】 置換基としてトリチルオキシ基を有する
アリール基を含むポリマーからなる基材樹脂１００重量
部、および光により酸を発生する酸発生剤１〜２０重量
部を含んでなるレジスト組成物。 - 【請求項２】 基材樹脂がトリチルオキシスチレンおよ
びポリビニルフェノールのコポリマー、トリチルオキシ
ベンゼン核を含むフェノールノボラック、又はトリチル
オキシトルエン核を含むクレゾールノボラック樹脂であ
る、請求項１のレジスト組成物。 - 【請求項３】 被加工物上に、請求項１に記載のレジス
ト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、 前記レジスト膜を所定の光のパターンに露光してそのパ
ターンに対応する潜像をレジスト膜内に形成し、加熱し
次いで前記露光後のレジスト膜を有機溶剤からなる現像
液で現像して前記パターンに対応するレジストパターン
を前記被加工物に形成することを含んでなるレジストパ
ターンの形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230512A JPH0683057A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230512A JPH0683057A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683057A true JPH0683057A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16908919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4230512A Withdrawn JPH0683057A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1229390A1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-08-07 | Toray Industries, Inc. | Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4230512A patent/JPH0683057A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1229390A1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-08-07 | Toray Industries, Inc. | Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same |
| EP1229390A4 (en) * | 2000-06-22 | 2004-06-02 | Toray Industries | POSITIVE RADIOSENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING STRUCTURES USING THE SAME |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100275019B1 (ko) | 단파장 광선용 네거티브형 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성법 | |
| US6040112A (en) | Photoresist composition | |
| US5204218A (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP2964733B2 (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH0252348A (ja) | 高エネルギー照射線硬化可能な組成物及び高エネルギー照射線記録法 | |
| KR19990044758A (ko) | 네가티브형 레지스트 재료, 이를 사용한 패턴 형성 방법,및 반도체 소자 제조 방법 | |
| US5645979A (en) | Heat-resistant photoresist composition and negative-type pattern formation method | |
| JPH06266110A (ja) | ポジ型レジスト材料 | |
| JPH0212153A (ja) | 酸分解可能の光化学的に酸形成する化合物を基礎とするポジ型の感放射線性混合物、ならびにレリーフパターンおよびレリーフ画像の製造法 | |
| JP2935306B2 (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPH06242607A (ja) | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成法 | |
| JPH0683057A (ja) | レジスト組成物 | |
| JPH0635195A (ja) | レジスト組成物 | |
| JP2975315B2 (ja) | ３成分系化学増幅型フォトレジスト組成物 | |
| JPH04158363A (ja) | パターン形成用レジスト材料 | |
| JP2849666B2 (ja) | 新規なレジスト材料 | |
| JPH0753499A (ja) | ビス‐［［（２‐ニトロ‐４，５‐ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］‐イソホロンジアミンおよびその利用方法 | |
| JP4300843B2 (ja) | レジスト用樹脂の製造方法 | |
| JPH03153256A (ja) | 放射線感応性混合物及びレリーフ構造又はレリーフパターンの製法 | |
| JPH06214391A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
| KR19990030195A (ko) | 감광성 수지조성물, 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 및 전자장치의 제조방법 | |
| JPH07146557A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH08234434A (ja) | 化学増幅型ネガティブレジスト | |
| JPH04128760A (ja) | ネガ型感光性組成物 | |
| JPH09127697A (ja) | 感光性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |