WO1998040389A1

WO1998040389A1 - Procede pour purifier le borate de tetrakis(fluoroaryle)/halogenure de magnesium, complexe borate de tetrakis(fluoroaryle)/ether, procede de preparation associe, et procede pour preparer leurs derives

Info

Publication number: WO1998040389A1
Application number: PCT/JP1998/000946
Authority: WO
Inventors: Hitoshi Mitsui; Tsunemasa Ueno; Ikuyo Ikeno; Naoko Yamamoto
Original assignee: Nippon Shokubai Co., Ltd.
Priority date: 1997-03-10
Filing date: 1998-03-09
Publication date: 1998-09-17
Also published as: DE69832646T2; IL126567A0; DE69832645T2; EP0913400A1; US6380435B2; EP1400525A1; US20010014739A1; ES2254854T3; EP1400525B1; DE69819656T2; US6215025B1; DE69832646D1; EP0913400B1; EP1400524A1; ES2254855T3; DE69832645D1; ES2206895T3; EP0913400A4; US20020107419A1; IL126567A

Description

明細書テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドの精製方法、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体およびその製造方法、並びに、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法技術分野

本発明は、 ①テトラキス（フツイ匕ァリ一ル）ボレー卜 - マグネシゥムノヽライドの精製方法に関するものである。また、本発明は、例えば、力チオン錯体重合反応に供されるメタ口セン触媒（重合触媒）の助触媒；シリコーンの光重合用触媒；光化学的活性化または電子ビーム照射による、官能性ポリマーまたはモノマーの重合に供されるカチォン重合開始剤；各種テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜誘導体を製造するための中間体；等として有用な、 ②テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体およびその製造方法、並びに、 ③テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法、に関するものである。さらに、本発明は、 ④該テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレ一ト誘導体を製造するための中間体として有用なテトラキス（フッ化ァリール）ボレ一卜誘導体 · エーテル錯体およびその製造方法、並びに、 ⑤テトラキス (フッ化ァリール）ボレー卜の製造方法、に関するものである。背景技術

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体は、例えば、カチオン錯体重合反応に供されるメタ口セン触媒（重合触媒）の活性を高める助触媒や、シリコーンの光重合用触媒等として有用な化合物である。また、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドは、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体として有用な化合物である。尚、メタ口セン触媒は、ポリオレフィン重合用触媒として、近年、特に注目されている。

例えば、特開平 6 — 2 4 7 9 8 0号公報には、プロモぺンタフルォ口ベンゼン力、らグリニャール（Gri gnard) 反応によって、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドの一種であるテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' マグネシウムブロマイドを製造する方法が開示されている。

また、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の一種であるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート誘導体を製造する方法として、例えば、特開平 6 — 2 4 7 9 8 1号公報には、有機リチウム化合物とハロゲン化ホウ素とを用いて、ペン夕フルォロベンゼンからテトラキス（ペンタフルオロフニル）ボレート ' リチウムを合成した後、該化合物と N， N—ジメチルァニリン ·塩酸塩とを反応させる方法が開示されている。

さらに、例えば、米国特許第 3 9 8 ， 2 3 6号には、テ卜ラキス（ぺン夕フルオロフェニル）ボレート . マグネシウムブロマイドと、 N， N ージメチルァニリン · 塩酸塩とを反応させて、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフニル）ボレー卜誘導体を製造する方法が開示されている。

し力、しながら、特開平 6 — 2 4 7 9 8 0号公報には、テトラキス（ぺン夕フソレオロフヱニル）ボレート · マグネシウムブロマイドと共に畐 IJ生されるハロゲン化マグネシウムを、反応系から分離 · 除去することに関しては、何ら関示がなされておらず、示唆する記載すらない。ハロゲン化マグネシウムを不純物として含むテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイドを用いて製造されたテ卜ラキス (ペン夕フルオロフェニル）ボレート誘導体を、例えばメタ口セン触媒の助触媒として用いると、該触媒の活性が著しく低下する。該公報に記載の方法は、ハロゲン化マグネシウムを不純物として含むテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' マグネシウムブロマイドの製造方法であり、従って、この方法によって得られるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート · マグネシウムブロマイドは、該テトラキス（ペンタフルォ口フエニル）ボレート誘導体を製造するための中間体として不適である。

尚、上記公報に記載の方法で得られたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイドに含まれるハロゲン化マグネシゥムを除去するために、例えば一般的なアルカリ処理をテ卜ラキス (ペン夕フルオロフェニル）ボレ一ト · マグネシウムブロマイドに施すと、水酸化マグネシウムが生成される。そして、該水酸化マグネシウムによつて処理後の溶液がゲル化するので、該溶液を濾過することができなくなる。つまり、一般的なアルカリ処理ではハロゲン化マグネシウムを除去することができないので、上記方法で得られたテ卜ラキス（ペン夕フルォ口フヱニル）ボレー卜 ' マグネシゥムプロマイドを単離すること、或いは、処理後に高純度のテトラキス（フッ化ァリ一ル）'ボレート化合物を得ることは困難である。

それゆえ、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート - マグネシウムハライドに含まれる例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離 . 除去することができる精製方法が切望されている。一方、特開平 6 — 2 4 7 9 8 1号公報に記載の方法においては、 1 ) 反応系の温度を一 6 5 °C以下に維持しなければならないので、特殊な設備が必要であると共に冷却に要する費用が嵩む； 2 ) 高価な有機リチウム化合物（ t 一ブチルリチウム）を用いなければならず、しかも、該化合物は水等との反応により発火するおそれがあるので、その取り扱いに危険を伴う； 3 ) 高価なハロゲン化ホウ素（三塩化ホウ素）を用いなければならず、しかも、該化合物はガス状であり、かつ腐食性を有するので、その取り扱いが困難である；という問題点を有している。従って、該公報に記載の方法は、工業的に実施するのが困難である。

また、米国特許第 3 9 8 ， 2 3 6号に記載の方法においては、目的物であるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜誘導体と共に水酸化マグネシゥムが副生されるため、反応後の溶液が水酸化マグネシゥムによってゲル化する。従って、該溶液からテ卜ラキス（ペン夕フルォ口フニニル）ボレー卜誘導体を分離（単離）することが困難であるので、上記誘導体を効率的に製造することができないという問題点を有している。

即ち、上記従来の製造方法では、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレ一ト誘導体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができないという問題点を有している。従って、該誘導体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができる方法が切望されている。

本発明の第一の目的は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシゥムハライドに含まれる例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離 . 除去することができる精製方法を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、例えばメタ口セン触媒の助触媒や、シリコーンの光重合用触媒等として有用なテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレ一ト誘導体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができる方法を提供することにある。

また、従来より、各種テトラキス（ペンタフルォ口フエニル）ボレー卜誘導体を製造するための中間体として有用なテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜を製造する方法が知られている。

例えば、 J. Organonieta l l ic. Chem. , 2, ( 1964) ρ245には、乾燥ペンタン中、一 7 8 °Cで臭化ぺンタフルォ口フエニルとブチルリチウムとを反応させて生成させたペンタフルオロフェニルリチウムと、卜リス（ぺンタフルォロフヱニル）ホウ素とを、乾燥べンタン中、一 7 8 °Cで反応させてテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' リチウムを得る方法が開示されている。

また、上記特開平 6 — 2 4 7 9 8 1号公報には、 N， N—ジメチルァ二リン ' 塩酸塩から N , N—ジメチルァニリニゥム ' テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを製造する方法に用いるテトラキス（ぺン夕フルオロフェニル）ボレート · リチゥムの調製方法として、以下のような方法が開示されている。

即ち、該公報には、先ず、乾燥ジェチルエーテル中、一 6 5 で、ぺン夕フルオロフェニルプロマイドと t 一ブチルリチウムとを反応させて、ペン夕フルオロフヱニルリチウムを生成させ、次いで、上記ペンタフルオロフェニルリチウムと三塩化ホウ素とを、乾燥べンタン中、一 6 5 °C 5 5てで反応させて、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . リチウムを調製する方法が開示されている。

しかしながら、 J . Organometal l ic. Chem. , 2 , ( 1964) ρ245に記載の方法は、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレー卜 ' リチウムの収率が低い（ 4 3 % ) という問題点を有している。また、特開平 6 — 2 4 7 9 8 1号公報に記載の方法においては、前記した問題点を有しているので、工業的に実施することが困難である。

一方、上記特開平 6 — 2 4 7 9 8 0号公報には、グリニヤール試薬であるペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドと三フツイ匕ホウ素 • ジェチルェ一テル錯体との反応により、テトラキス（ペン夕フルォロフヱニル）ボレー卜誘導体を得る方法が開示されている。

また、上記米国特許第 3 9 8 ， 2 3 6号には、グリニャール試薬であるペン夕フルオロフヱニルマグネシウムブロマイドと三フツイ匕ホウ素 ■ ジェチルェ一テル錯体との反応によりテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムブロマイドを得る方法、および、テトラキス（ペンタフノレオロフェニル）ボレート . マグネシウムブロマイドと Ν , Ν _ジメチルァニリン · 塩酸塩の水溶液との反応により、 Ν , Ν— ジメチルァニリニゥ„ム ' テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを得る方法、が開示されている。

しかしながら、特開平 6 — 2 4 7 9 8 0号公報の方法では、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムブロマイドと共に副生されたフッ化臭化マグネシゥム（M g B r F ) 等のハ口ゲン化マグネシゥムが、反応系から分離 · 除去されず、不純物として残る。そして、前記したように、ハロゲン化マグネシウムを不純物として含むテ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . マグネシウムブロマイドを用いて製造されたテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート誘導体を、例えばメ夕ロセン触媒の助触媒として用いると、該触媒の活性が著しく低下する。

さらに、米国特許第 3 9 8 ， 2 3 6号および特開平 6 — 2 4 7 9 8 0 号公報に記載の方法では、得られたテトラキス（ペン夕フルォ口フエ二ル）ボレート · マグネシゥムブロマイドが、グリニャール反応に由来する着色成分によつて着色する。このため、上記各方法により得たテトラキス（ペン夕フルオロフェニノレ）ボレート · マグネシウムブロマイドを用いてテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜誘導体を製造すると、上記着色成分がテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート誘導体に残留する（該誘導体が着色する）という問題点を有している。

尚、米国特許第 3 9 8 , 2 3 6号に記載のテ卜ラキス（ペンタフルォ口フェニル）ボレ― 卜誘導体の製造方法は、下記の問題点も有している。即ち、上記方法では、反応後の溶液が、副生した水酸化マグネシウムによってゲル化する。従って、該溶液を濾過することが困難であり、また、該溶液からテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート誘導体を単離することが困難である。また、上記方法では、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート誘導体を単離するためには、クロ口ホルム或いはジクロロエタン等の塩素系溶媒を用いて粗生成物を再結晶させる必要がある。

このように、上記従来の方法により得られたテトラキス（フツイ匕ァリ —ル）ボレート ' マグネシウムプロマイドは、副生塩および着色成分を不純物として含んでいるので、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体として不適である。このため、各種テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体として好適なテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体が切望されている。

本発明の第三の目的は、例えば、メタ口セン触媒の助触媒ゃカチオン重合開始剤、各種テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜誘導体を製造するための中間体等として好適な新規物質であるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体およびその製造方法を提供することにある。

その上、上記従来の有機リチウム化合物或いはグリ二ヤール試薬を用いて調製したテトラキス（フッ化ァリール）ボレートからテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造する方法は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体を高純度で、効率的かつ安価に製造することができないという問題点を有している。

本発明の第四の目的は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を高純度で、効率的かつ安価に製造することができるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法を提供することにある。また、本発明の第五の目的は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートを高純度で製造することができるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートの製造方法を提供することにある。さらに、本発明の第六の目的は、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体を製造するための中間体として有用であるだけでなく、カチ才ン錯体重合反応に供されるメタ口セン触媒（重合触媒）の助触媒としても有用な新規物質であるテトラキス（フッ化ァリール）ボレ— ト誘導体 . エーテル錯体およびその製造方法を提供することにある。その上、本発明の第七の目的は、上記のテトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜誘導体 ' エーテル錯体からテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を効率的かつ安価に製造することができるテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、上記第一および第二の目的を達成すベく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドの精製方法、並びに、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法について鋭意検討した。その結果、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート - マグネシゥムハライドを、例えば、カルボン酸アルカリ金属塩およびまたはカルボン酸アルカリ土類金属塩で処理することにより、該テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドに含まれる例えばハ口ゲン化マグネシゥム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離 · 除去することができることを見い出した。そして、上記の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物と、一価のカチォン種を発生する化合物とを反応させることにより、例えばメタ口セン触媒の助触媒や、シリコーンの光重合用触媒等として有用なテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができることを見い出して、本発明を完成させるに至つた。

即ち、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシゥムハライドの精製方法は、上記の目的を達成するために、一般式 ( 1 ) 1 o

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該1^】〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₈ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、 nは 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - マグネシウムハラィドを、 ①カルボン酸アルカリ金属塩およびまたはカルボン酸アル力リ土類金属塩で処理する；または、 ②酸で処理する；または、 ③酸で処理した後、アル力リ金属水酸化物およびまたはアル力リ土類金属水酸化物で処理する；または、 ④酸で処理した後、カルボン酸アルカリ金属塩およびノまたはカルボン酸アルカリ土類金属塩で処理する；ことを特徵としている。

上記の方法によれば、例えば、グリニャール（Grignard) 反応によつてテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドを製造する過程で副生される例えばフッ化臭化マグネシゥム等のハロゲン化マグネシゥムを、水溶性を有するマグネシゥム塩或いは不溶性のマグネシゥム塩の状態（つまり、水酸化マグネシウム以外の、塩の状態）に変換することができる。従って、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドに含まれる該塩を、例えば油水分離或いは濾過等の操作を行うことによって、効率的かつ簡単に分離 · 除去することができる。即ち、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' マグネシウムハライドに含まれる例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離 · 除去することができる。

尚、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドを、上記① · ③ ■ ④の精製方法で処理した場合には、テトラキス（フッィ匕ァリール）ボレートのアル力リ金属塩および Zまたはアル力リ土類金属塩が得られる。また、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' マグネシゥムハライドを、上記②の精製方法で処理した場合には、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートの水素化合物が得られる。

また、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法は、一般式（ 2 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , ~ R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R _t。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法に関するものであり、上記①〜④の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート化合物と、一価のカチォン種を発生する化合物とを反応させることを特徴としている。

上記の方法によれば、前記精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物、つまり、テトラキス（フツイヒアリール）ボレ — 卜のアルカリ金属塩、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートのアル力リ土類金属塩、並びに、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜の水素化合物から、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を、効率的かつ安価に製造することができる。該誘導体は、例えばハロゲン化マグネシゥム等の不純物を含んでいないので高純度であり、例えば力チォン錯体重合反応に供されるメタ口セン触媒の助触媒や、シリコーンの光重合用触媒等として好適に用いることができる。

また、本願発明者等は、上記第三の目的を達成すべく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体およびその製造方法について鋭意検討した。その結果、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートを特定のエーテル化合物と反応させることにより、各種テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体として好適な新規物質であるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体が、安価に、かつ、高収率、高純度で得られることを見い出した。

また、原料のテトラキス（フツイヒアリール）ボレートとして、ク"リニヤール反応に由来する着色成分、および、グリニャール反応により副生したフッ化臭化マグネシゥム（M g B r F ) 等の副生塩を含むテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドを用いた場合においても、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体が高純度の結晶として得られ、上記着色成分および副生塩を容易に分離 · 除去できることを見い出し、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明にかかるテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' ェテル錯体の製造方法は、一般式（ 4 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該尺 ₆ ~R】。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R !,、 R ₁₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハライドを表し、 nは 2または 3であり、 mは Mが水素原子、ァノレ力リ金属またはアル力リ土類金属ハライドである場合に 1、アル力リ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体の製造方法に関するものであり、一般式（ 5 )

(式中、 R i 〜R i。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜R _S のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R i。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、アル力リ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜を、一般式（ 6 )

R Ό— Y——0——R ( 6 )

11 12

(式中、 R 、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表す）で表されるェ一テル化合物と反応させることを特徴としている。

上記方法によれば、例えば、メタ口セン触媒の助触媒ゃカチオン重合開始剤、各種テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜誘導体を製造するための中間体等として好適な新規物質であるテトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜 · エーテル錯体を、安価に、かつ、高収率、高純度で製造することができる。

また、上記方法によれば、原料のテトラキス（フッ化ァリール）ボレ一トが不純物を含んでいても、不純物が除去された高純度のテトラキス (フツイ匕ァリール）ボレート · エーテル錯体が得られる。上記方法により得られたテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体は、高純度であるから、例えば、メタ口セン触媒の助触媒ゃカチオン重合開始剤、各種テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体等として好適である。

さらに、本願発明者等は、上記第四ないし第七の目的を達成すべく、鋭意検討した。その結果、特定のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - エーテル錯体と、一価のカチオン種を発生する化合物とを出発物質とすることにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を高純度で、効率的かつ安価に製造することができることを見い出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明にかかる前記一般式（ 2 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリ —ル）ボレート誘導体の製造方法は、上記の目的を達成するために、前記一般式（ 4 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体と、一価のカチオン種を発生する化合物とを出発物質とすることを特徴としている。

上記方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜と比較して容易に高純度に精製することができる前記一般式（ 4 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体を出発物質とするので、前記一般式（ 2 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレ一ト誘導体を高純度で、効率的かつ安価に製造することができる。

また、本発明にかかる前記一般式（ 5 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の製造方法は、上記の目的を達成するために、前記一般式（ 4 ) で表されるテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート · ェ一テル錯体から前記一般式（ 6 ) で表されるエーテル化合物を除去することを特徴としている。

上記方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートと比較して容易に高純度に精製することができる前記一般式（ 4 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体を用いるので、従来の有機リチウム化合物やグリニャ—ル試薬から直接的に製造する方法と比較して、高純度のテトラキス（フッ化ァリール）ボレートを製造することができる。

さらに、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 . エーテル錯体の製造方法は、一般式（ 7 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該11 ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R , 、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体の製造方法に関するものであり、前記一般式（ 4 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体と、一価の力チオン種を発生する化合物とを反応させることを特徴としている。

上記方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を製造するための中間体として有用な新規物質である前記一般式（ 7 ) で表されるテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体を製造することができる。

さらに、本発明にかかる前記一般式（ 2 ) で表されるテトラキス（フツイヒアリール）ボレート誘導体の製造方法は、上記の目的を達成するために、前記一般式（ 7 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレ一ト誘導体 ' エーテル錯体から前記一般式（ 6 ) で表されるエーテル化合物を除去することを特徴としている。

上記方法によれば、前記一般式（ 7 ) で表されるテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜誘導体 · エーテル錯体から前記一般式（ 2 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を効率的かつ安価に製造することができる。発明の開示

本発明にかかる前記一般式（ 1 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - マグネシウムハライドの精製方法は、 ①カルボン酸ァルカリ金属塩および/またはカルボン酸アル力リ土類金属塩で処理する方法； ②酸で処理する方法； ③酸で処理した後、アル力リ金属水酸化物およびノまたはアル力リ土類金属水酸化物で処理する方法； ④酸で処理した後、力ルポン酸アル力リ金属塩および/またはカルボン酸アル力リ土類金属塩で処理する方法：である。

また、本発明にかかる前記一般式（ 2 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法は、上記①〜④の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物と、一価のカチォン種を発生する化合物とを反応させる方法である。

該テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物とは、具体的には、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートのアルカリ金属塩、テ卜ラキス (フッ化ァリール）ボレー卜のアルカリ土類金属塩、並びに、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートの水素化合物を示す。テトラキス（フッィ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムハライド並びにテトラキス（フッィ匕ァリール）ボレート化合物は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の中間体として好適である。

本発明において処理されるべきテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 · マグネシゥムハライドは、式中、 R 1 〜R 。で示される置換基が、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基で構成され、かつ、該尺，〜R ₅ で示される置換基のうちの少なくとも一つがフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R i。で示される置換基のうちの少なくとも一つがフッ素原子であり、 Xで示される置換基が塩素原子、臭素原子またはョゥ素原子で構成され、 n力 2 または 3である化合物である。

上記の炭化水素基とは、具体的には、ァリール基、炭素数 1 〜 1 2の直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状のアルキル基、および、炭素数 2 ~ 1 2の直鎖状、枝分かれ鑌状、または環状のアルケニル基等を示す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる処理並びに反応に対して不活性な官能基をさらに有していてもよい。該官能基としては、具体的には、例えば、メトキシ基、メチルチオ基、 N , N —ジメチルァミノ基、 o — ァニス基、 p —ァニス基、卜リメチルシリル基、ジメチルー t —ブチルシリルォキシ基、トリフルォロメチル基等が挙げられる。

上記のアルコキシ基は、一般式（A )

一 0 R _a …… ( A ) (式中、 R _a は炭化水素基を表す）

で表され、式中、 R _a で示される炭化水素基とは、具体的には、例えば、ァリール基、炭素数 1 〜 1 2の直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状のアルキル基、および、炭素数 2 〜 1 2の直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状のアルケニル基等を示す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる処理並びに反応に対して不活性な官能基をさらに有していてもよい。前記一般式（A ) で表されるアルコキシ基としては、具体的には、例えば、メ卜キシ基、エトキシ基、 n —プロポキシ基、イソプロポキシ基、 n —ブトキシ基、イソブトキシ基、 sec—ブトキシ基、 t —ブトキシ基、シクロへキシルォキシ基、ァリルォキシ基、フエノキシ基等が挙げられる。

前記一般式（ 1 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート • マグネシウムノヽライドのうち、テトラキス（ペンタフルオロフェニル

) ボレート · マグネシウムブ口マイドが特に好ましい。

テ卜ラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜 ' マグネシウムハライドの製造方法は、特に限定されるものではない。テトラキス（フッ化ァリール ) ボレー卜 · マグネシウムハライドは、例えば、 i ) グリニャール（Gr ignard) 試薬であるフッ化ァリールマグネシウムハライドと、ハロゲン化ホウ素とをモル比 4 ： 1 で反応させる方法； i i) フッ化ァリールマグネシゥムハライドと、トリス（フッ化ァリール）ホウ素とをモル比 1 ： 1で反応させる方法；等により、容易に得ることができる。これら方法におけるグリニヤール反応の反応条件は、特に限定されるものではない, テトラキス（フツイヒアリール）ボレート ' マグネシウムハライドは、グリニャール反応を行う際に用いた溶媒に溶解した溶液の状態で得られる。該溶媒としては、具体的には、例えば、ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ァニソール等のエーテル系溶媒；ペンタン、へキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロべンタン、シクロへキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルェン等の芳香族炭化水素系溶媒；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これら溶媒は、混合溶媒として用いられていてもよい。尚、フッ化ァリールマグネシウムハライドとハロゲン化ホウ素とを反応させることによってテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムノヽライドが製造されている場合には、副生した例えばフッ化臭化マグネシゥム等のハロゲン化マグネシゥムが不純物として上記溶液に溶解している。

本発明にかかる上記① · ④の精製方法に用いられるカルボン酸アル力リ金属塩としては、具体的には、例えば、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリゥム、酢酸ナトリウム、酢酸力リウム、プロピオン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム等の、飽和脂肪族モノカルボン酸のアル力リ金属塩；シユウ酸一ナトリウム、シユウ酸ニナトリウム、シユウ酸一カリウム、シユウ酸二カリウム、マロン酸一ナトリウム、マロン酸ニナトリウム、マ口ン酸一力リウム、マロン酸ニ力リウム、コハク酸ーナトリウム、コハク酸ニナトリウム、コハク酸一カリウム、コハク酸二カリウム等の、飽和脂肪族ジカルボン酸のモノまたはジァルカリ金属塩；

ァクリノレ酸ナトリウム、ァクリル酸カリウム、メタクリノレ酸ナトリウム、メタクリル酸カリゥム等の、不飽和脂肪族モノ力ルポン酸のァルカリ金属塩；

マレイン酸一ナトリウム、マレイン酸ニナトリウム、マレイン酸一カリゥム、マレイン酸二カリウム、フマル酸一ナトリウム、フマル酸ニナトリウム、フマル酸一力リウム、フマル酸二力リゥム等の、不飽和脂肪族ジカルボン酸のモノまたはジァルカリ金属塩；

安息香酸ナトリウム、安息香酸力リゥム等の、芳香族モノ力ルポン酸のアルカリ金属塩；

フタル酸ーナトリウム、フ夕ル酸ニナトリウム、フタル酸ーカリウム、フ夕ル酸ニ力リウム、イソフタル酸一ナトリウム、イソフタル酸ニナ卜リウム、イソフタル酸一カリウム、イソフタル酸ニカリウム、テレフタル酸ーナトリウム、テレフ夕ル酸ニナトリウム、テレフタル酸一力リゥム、テレフタル酸二力リゥム等の、芳香族ジカルボン酸のモノまたはジアルカリ金属塩；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。尚、本発明においては、カルボン酸アルカリ金属塩に、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素力リウム等の炭酸塩も含まれることとする。

本発明にかかる上記① · ④の精製方法に用いられるカルボン酸アル力リ土類金属塩としては、具体的には、例えば、ギ酸カルシウム、ギ酸バリウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウム、プロピオン酸カルシウム、プ口ピオン酸バリゥム等の、飽和脂肪族モノ力ルポン酸のァルカリ土類金

^πα ；

シユウ酸カルシウム、シユウ酸バリウム、マロン酸カルシウム、マロン酸バリウム、コハク酸カルシウム、コハク酸バリウム等の、飽和脂肪族ジカルボン酸のアル力リ土類金属塩；

ァクリル酸カルシゥム、ァクリル酸バリウム、メタクリル酸カルシゥム、メタクリル酸バリゥム等の、不飽和脂肪族モノ力ルポン酸のアル力リ土類金属塩；

マレイン酸カルシウム、マレイン酸バリウム、フマル酸カルシウム、フマル酸バリゥム等の、不飽和脂肪族ジ力ルボン酸のアル力リ土類金属塩安息香酸カルシゥム、安息香酸バリゥム等の、芳香族モノ力ルポン酸のアルカリ土類金属塩；

フタル酸カルシウム、フタル酸バリウム、イソフタル酸カルシウム、ィソフタル酸バリウム、テレフタル酸カルシウム、テレフタル酸ノく'リウム等の、芳香族ジカルボン酸のアルカリ土類金属塩；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。尚、本発明においては、カルボン酸アルカリ土類金属塩に、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等の炭酸塩も含まれることとする。但し、本発明においては、カルボン酸アルカリ土類金属塩に力ルポン酸マグネシゥム塩は含まれないこととする。

これらカルボン酸アルカリ金属塩並びにカルボン酸アル力リ土類金属塩（以下、両者を総称する場合にはカルボン酸塩と記す）は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。上記例示の力ルポン酸塩のうち、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸力リウム、酢酸ナトリウム、コハク酸ニナトリウム、酢酸バリゥムがより好ましい。カルボン酸塩の使用量は、特に限定されるものではなく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドに対して 1 当量以上であればよい。また、カルボン酸アルカリ金属塩とカルボン酸アルカリ土類金属塩とを併用する場合における両者の割合は、特に限定されるものではない。

本発明にかかる上記② · ③ · ④の精製方法に用いられる酸としては、具体的には、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、炭酸等の無機酸；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸等の有機酸；が挙げられるが、特に限定されるものではない。

これら酸は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。上記例示の酸のうち、塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シユウ酸、マロン酸がより好ましい。酸の使用量は、特に限定されるものではなく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート - マグネシウムハライドを製造する際に用いた（反応系に仕込んだ）マグネシウムに対して 1 当量以上であればよい。また、無機酸と有機酸とを併用する場合における両者の割合は、特に限定されるものではない。

本発明にかかる上記③の精製方法に用いられるアルカリ金属水酸化物としては、具体的には、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。また、本発明にかかる上記③の精製方法に用いられるアルカリ土類金属水酸化物としては、具体的には、例えば、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等が挙げられる。但し、本発明においては、アルカリ土類金属水酸化物に水酸化マグネシウムは含まれないこととする。

これらアル力リ金属水酸化物並びにアル力リ土類金属水酸化物（以下、両者を総称する場合には水酸化物と記す）は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。水酸化物の使用量は、特に限定されるものではなく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート - マグネシゥムハライドに対して 1 当量以上であればよい。また、アルカリ金属水酸化物とアルカリ土類金属水酸化物とを併用する場合における両者の割合は、特に限定されるものではない。

テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドを力ルボン酸塩で処理する場合（①の精製方法）には、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドとカルボン酸塩とを混合 - 攪拌すればよい。テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシゥムハライドを酸で処理する場合（②の精製方法）には、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドと酸とを混合 · 攪拌すればよい。また、酸で処理した後、水酸化物で処理する場合（③の精製方法）には、酸を分離 · 除去した後、水酸化物を混合 · 攪拌すればよい。さらに、酸で処理した後、カルボン酸塩で処理する場合（④の精製方法）には、酸を分離 · 除去した後、カルボン酸塩を混合 · 攪拌すればよい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドの溶液と、上記カルボン酸塩や酸、水酸化物とを混合する方法は、特に限定されるものではない。カルボン酸塩、酸および水酸化物は、そのままの状態（固体または液体）でテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシゥムハライドの溶液と混合してもよく、或いは、必要に応じて溶液の状態で混合してもよい。

力ルポン酸塩や酸、水酸化物を溶液の状態とする場合において好適に用いられる溶媒としては、具体的には、例えば、水；ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ァニソール等のエーテル系溶媒；ペンタン、へキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シク口へキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸ェチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒；等が挙げられる力く、特に限定されるものではない。これら溶媒は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。

カルボン酸塩や酸、水酸化物を混合する方法、および、混合順序は、特に限定されるものではない。例えば、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート . マグネシウムハライドの溶液に、カルボン酸塩や酸、水酸化物を混合してもよく、または、力ルボン酸塩や酸、水酸化物に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドの溶液を混合してもよい。

テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレ一ト · マグネシウムハライドの溶液と、カルボン酸塩や酸、水酸化物とを混合 · 攪拌する際の温度並びに時間、即ち、処理条件は、特に限定されるものではない。本発明にかかる上記①〜④の精製方法においては、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート . マグネシウムハライドの溶液と、力ルポン酸塩や酸、水酸化物とを混合した後、室温で所定時間、攪拌することにより、テトラキス（フツイヒアリール）ボレート - マグネシゥムハライドを容易に処理することができる。また、酸で処理した後、水酸化物またはカルボン酸塩で処理する場合において、酸を分離 · 除去する方法は、特に限定されるものではない。酸は、例えば分液（油水分離）等の簡単な操作を行うことにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物の溶液と分離することができる。処理後、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物は、溶媒に溶解した溶液の状態で得られる。

尚、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物の溶液に力ルボン酸塩や酸、水酸化物が含まれている場合には、必要に応じて洗浄等を行つて、これらカルボン酸塩や酸、水酸化物を除去すればよい。また、力ルボン酸塩や酸、水酸化物、或いはこれらの溶液にテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物が含まれている場合には、必要に応じて抽出等を行って、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜化合物を回収すればよい。さらに、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物の溶液に水が含まれている場合には、必要に応じて無水硫酸マグネシウム等の乾燥剤を該溶液に添加して、除去（乾燥）すればよい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' マグネシウムハライドを、上記①〜④の精製方法で処理することにより、一般式（ 3 )

(式中、 R , 〜R！。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺】〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 M aは水素原子、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、 nは 2 または 3であり、 mは M aが水素原子またはアル力リ金属である場合に 1、アルカリ土類金属である場合に 2 である）で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物が得られる。即ち、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート - マグネシウムハライドをカルボン酸塩或いは水酸化物で処理した場合、つまり、上記① . ③ • ④の精製方法で処理した場合には、前記一般式（ 3 ) 中の M aがアル力リ金属またはアル力リ土類金属であるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートが得られる。上記のアルカリ金属としては、リチウム、ナトリゥム、カリウム等が挙げられる。上記のアルカリ土類金属としては、力ルシゥム、バリウム等が挙げられる。

一方、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドを酸で処理した場合、つまり、上記②の精製方法で処理した場合には、前記一般式（ 3 ) 中の M aが水素原子であるテ卜ラキス（フッィヒアリール）ボレートが得られる。

本発明にかかる上記①〜④の精製方法のうちの、どの方法を採用すベきかについては、例えば、得られるテ卜ラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート化合物が所望の形態（アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩または水素化合物）となるように、或いは、処理後に行われる分離操作、例えば分液等の操作がより一層容易となるように、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシゥムハライドの種類、溶媒の種類等を基準にして適宜選択すればよい。

本発明にかかる精製方法によれば、例えば、グリニャール反応によつてテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - マグネシウムハライドを製造する過程で副生されるハロゲン化マグネシゥムを、水溶性を有するマグネシゥム塩或いは不溶性のマグネシウム塩の状態（つまり、水酸化マグネシゥム以外の、塩の伏態）に変換することができる。従って、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドに含まれる該塩を、例えば分液或いは濾過等の操作を行うことによって、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物の溶液から効率的かつ簡単に分離 • 除去することができる。即ち、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - マグネシウムハライドに含まれる例えばハロゲン化マグネシゥム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離 ' 除去することができる。尚、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物の溶液から不純物を分離 ' 除去する方法は、特に限定されるものではない。

また、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムノヽライドが例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を含んでいない場合においても、上記の処理を施してテトラキス（フッ化ァリール）ボレートの水素化合物、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜のアルカリ金属塩、または、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートのアルカリ土類金属塩を得ることが好ましい。これにより、一価のカチオン種を発生する化合物との反応を速やかに、かつ収率良く進行させることができる。

以上のように、本発明にかかるテトラキス〔フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドの精製方法は、 ①カルボン酸塩で処理する方法； ②酸で処理する方法； ③酸で処理した後、水酸化物で処理する方法； ④酸で処理した後、カルボン酸塩で処理する方法；である。

これにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドに含まれる例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を、効率的かつ簡単に分離，除去することができる精製方法を提供することができる。また、例えば、該精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物と、一価のカチオン種を発生する化合物との反応を速やかに、かつ収率良く進行させることができる。テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜化合物は、必要に応じて溶媒を除去（留去）することによって、結晶として単離 · 精製することができる。

本発明にかかる一価のカチオン種を発生する化合物（以下、カチオン種発生化合物と記す）は、後述する反応溶媒中において一価のカチオン種を発生し、かつ、 ①テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物との反応性を有する化合物、或いは、 ②テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 . エーテル錯体またはテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜（ ②については後述する）との反応性を有する化合物、であればよい。

カチォン種発生化合物によつて発生される一価のカチォン種としては

、具体的には、例えば、 n —プチルアンモニゥム、ジメチルアンモニゥム、トリメチルアンモニゥム、トリェチルアンモニゥム、トリイソプロピルアンモニゥム、トリ一 n —プチルアンモニゥム、テ卜ラメチルアンモニゥム、テトラェチルアンモニゥム、テトラー n —ブチルアンモニゥム等のアンモニゥム陽イオン；

ァニリニゥム、 N —メチルァニリニゥム、 N， N —ジメチルァニリニゥム、 N， N —ジェチルァニリニゥム、 N , N —ジフエ二ルァニリニゥム、 N , N , N — 卜リメチルァ二リニゥム等のァニリニゥ厶陽イオン；ピリジニゥム、 N —メチルピリジニゥム、 N —べンジルピリジニゥ厶等のピリジニゥム陽イオン；

キノリニゥム、イソキノリニゥム等のキノリニゥム陽イオン；ジメチルフヱニルフォスフォニゥム、トリフエニルフォスフォニゥム、テトラェチルフォスフォニゥム、テ卜ラフェニルフォスフォニゥム等のフォスフォニゥム陽イオン；

トリメチルスルフォ二ゥム、トリフエニルスルフォニゥム等のスルフォ二ゥム陽イオン；

ジフエニノレョ一ドニゥム、ジー 4 ーメ卜キンフエ二ルョ一ドニゥム等のョードニゥム陽イオン；

トリフヱニルカルべ二ゥム、卜リー 4 ーメトキシフヱニルカルべニゥム等のカルべ二ゥム陽イオン；

アル力リ金属並びにアル力リ土類金属以外の金属の一価陽ィォン；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。

このうち、トリアルキルアンモニゥム陽イオン、テトラアルキルアンモニゥム陽イオン、ジアルキルァニリニゥム陽イオン、ァルキルピリジ二ゥム陽イオン、テトラアルキルフォスフォニゥム陽イオン、テ卜ラァリールフォスフォニゥム陽イオン、ジァリ一ルョ一ドニゥム陽イオンがより好ましい。尚、一価のカチオン種と対になるべきァニオン種は、特に限定されるものではない。

カチオン種発生化合物としては、具体的には、例えば、トリー _n —ブチルァミン ' 塩酸塩、 N , N ジメチルァニリン -塩酸塩、 N , N —ジメチルァニリン ' 硫酸塩、塩化テ卜ラメチルアンモニゥム等の第四アンモニゥム化合物；

ピリジン ' 塩酸塩、キノリン -塩酸塩、ヨウ化— N —メチルピリジン、ヨウ化— N—メチルキノリン等の含窒素芳香族複素環化合物；臭化テトラー n —ブチルフォスフォニゥム、臭化テトラフェニルフォスフォニゥム等の第四フォスフォニゥム化合物；

ヨウィヒ卜リメチルスルフォニゥム等のスルフォニゥム化合物；塩化ジフヱ二ルョ一ドニゥム等のョ一ドニゥム化合物；

トリチルクロライド等のカルべニゥム化合物；等が挙げられる。

例えば、 N , N —ジメチルァニリン ' 塩酸塩は、一価のカチオン種として N， N — ジメチルァニリニゥム陽イオンを発生する。尚、この場合のァニオン種は塩素イオンである。

カチオン種発生化合物の使用量は、特に限定されるものではなく、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物に対して、或いは、後述するテ卜ラキス（フツイ匕ァリール）ボレ一ト · エーテル錯体またはテトラキス（フッ化ァリール）ボレートに対して、 0 . 8 当量以上であればよい。

本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法においては、反応溶媒を用いる。上記の反応溶媒としては、具体的には、例えば、水；ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ァニソ一ル等のェ一テル系溶媒；ペンタン、へキサン、ヘプ夕ン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロへキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸ェチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコ一ル系溶媒；アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これら反応溶媒は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。

さらに、前記処理によつて得られたテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物の溶液を用いて反応させる場合には、反応溶媒（或いはその一部）として、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物が溶解している溶媒を用いることができる。従って、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法においては、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシウムハライドを処理した後、得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物の溶液から該化合物を単離しなくとも、該溶液を用いて、テトラキス（フッ化ァリール ) ボレート誘導体を製造することができる。テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物と、カチオン種発生化合物とを混合する方法としては、具体的には、例えば、反応溶媒にテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物およびカチオン種発生化合物を混合する方法；テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物の溶液に、カチオン種発生化合物またはその溶液を混合する方法；カチオン種発生化合物の溶液に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物またはその溶液を混合する方法；等が挙げられるが、特に限定されるものではない。テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物の溶液に、力チオン種発生化合物の溶液を混合する場合、並びに、カチオン種発生化合物の溶液に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜化合物の溶液を混合する場合には、添加する側の溶液を滴下することがより好ましい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物とカチオン種発生化合物との反応における、温度並びに時間、即ち、反応条件は、特に限定されるものではない。本発明にかかる製造方法においては、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物とカチオン種発生化合物とを反応溶媒に溶解させてなる反応液を、室温で所定時間、攪拌することにより、反応を容易に進行させることができる。従って、目的物であるテトラキス (フッ化ァリール）ボレート誘導体を簡単に得ることができる。

例えば、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物がテトラキス (フッ化ァリール）ボレートのアルカリ金属塩、またはテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜のアルカリ土類金属塩であり、カチオン種発生化合物が N， N -ジメチルァニリン · 塩酸塩である場合には、両者の反応によって、目的物である N , N - ジメチルァニリニゥム . テトラキス (フッ化ァリール）ボレー卜が得られると共に、塩化ナ卜リゥム等のァルカリ金属塩化物、または塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩化物が副生される。これらアルカリ金属塩化物またはアル力リ土類金属塩化物は、例えば分液 · 濾過 . 洗浄等の操作を行うことにより、 N , N —ジメチルァニリニゥム - テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートの溶液から簡単に分離 · 除去することができる。

また、例えば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物がテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の水素化合物であり、カチオン種発生化合物が N , N —ジメチルァニリン · 塩酸塩である場合には、両者の反応によって、目的物である N， N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜が得られると共に、塩酸が副生される。該塩酸は、例えば分液 · 洗浄等の操作を行うことにより、 N， N —ジメチルァ二リニゥム ' テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートカヽら簡単に分離 · 除去することができる。

つまり、テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜誘導体は、例えば分液や濾過等の簡単な操作を行った後、必要に応じて反応溶媒の除去（留去）等の簡単な操作を行うことにより、結晶として容易に単離 ' 精製することができる。

以上のように、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法は、前記の精製方法で得られるテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜化合物と、カチオン種発生化合物とを反応させる方法である。

上記の方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物、つまり、テトラキス（フツイヒアリール）ボレートのアルカリ金属塩、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートのアルカリ土類金属塩、並びに、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の水素化合物から、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を、効率的かつ安価に製造することができる。該誘導体は、例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物を含んでいないので高純度であり、例えばカチォン錯体重合反応に供されるメタ口セン触媒の助触媒や、シリコーンの光重合用触媒等として好適に用いることができる。

本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜 · エーテル錯体の製造方法は、前記一般式（ 5 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜を、前記一般式（ 6 ) で表されるエーテル化合物と反応させる方法である。これにより、本発明にかかる前記一般式（ 4 ) で表されるテトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜 - エーテル錯体が得られる。

上記方法に用いる前記一般式（ 5 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートは、式中、 R , 〜R uで示される置換基が、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基で構成され、かつ、該，〜R ₅ で示される置換基のうちの少なくとも一つがフッ素原子であり、該尺 ₆ 〜R i。で示される置換基のうちの少なくとも一つがフッ素原子であり、 Mで示される置換基が水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはアル力リ土類金属ハライドで構成され、 nが 2 または 3であり、が、 Mが水素原子、アルカリ金属またはアル力リ土類金属ハライドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である化合物である。上記のアルカリ土類金属ハライドとしては、具体的には、例えば、マグネシウムクロライド、マグネシゥムブロマイド、マグネシゥ厶ョーダィド等が挙げられる。つまり、前記一般式（ 5 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートは、前記一般式（ 3 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール ) ボレー卜化合物と、前記一般式（ 1 ) で表されるテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜 · マグネシウムハライドとを併せたものを示している。

前記一般式（ 5 ) で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートのうち、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' マグネシゥムブロマイド、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレート . リチゥム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム、およびテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウムが特に好ましい。尚、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートの製造方法は、前記記載の方法にのみ限定されるものではない。

本発明にかかる製造方法に用いる前記一般式（ 6 ) で表されるエーテル化合物は、式中、 R 、 R _{1 2}で示される置換基が、それぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基で構成され、 Y で示される置換基が炭化水素二価基で構成される化合物である。

上記炭化水素基としては、具体的には、例えば、アルキル基、ァリール基、シクロアルキル基、ベンジル基等が挙げられるが、炭素数 1 〜 1 0 のアルキル基、およびァリール基が特に好ましい。上記へテロ原子を含む置換基としては、具体的には、例えば、アルコキシ基、ァリ一ルォキシ基、シクロアルキルォキシ基、ァシルォキシ基等の酸素原子を含む置換基；ジアルキルアミノ基等の窒素原子を含む置換基；アルキルチオ基、ァリ —ルチオ基等の硫黄原子を含む置換基；等が挙げられる。 ' また、上記の炭化水素二価基としては、 2つの酸素原子を結合する炭素鎖の長さが炭素数 1 〜 6 のアルキレン基、即ち、置換基を有していてもよぃメチレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよい卜リメチレン基、置換基を有していてもよいテトラメチレン基、置換基を有していてもよいペンタメチレン基、置換基を有していてもよいへキサメチレン基からなる群より選ばれる 1 種の二価基が好ましい。さらに、これら二価基における置換基は、炭素数 1 〜 6 のアルキル基であることが好ましい。

前記一般式（ 6 ) で表されるエーテル化合物（以下、多官能エーテルと称する）の種類としては、 1 ， 2 —ジメトキシェタン、 1 , 2 — ジェトキシェタン、エチレングリコ一ノレジ一 n —プロピノレエ一テル、ェチレングリコールジイソプロピルエーテル、エチレングリコ一ルジー n —ブチルエーテル、エチレングリコールジイソブチルエーテル、エチレングリコ一ルジー sec —ブチルエーテル、エチレングリコールジー t ーブチルエーテル、エチレングリコ一ルジペンチルエーテル、エチレングリコールジネオペンチルェ一テル、エチレングリコ一ルジへキシルエーテル、エチレングリコ一ルジヘプチルエーテル、エチレングリコ一ノレジオクチルエーテル、エチレングリコールジノニルエーテル、エチレングリコールジデシルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル；エチレングリコ一ルジシクロプロピルエーテル、エチレングリコールジシクロブチルェ一テル、エチレングリコ一ルジシクロペンチルエーテル、エチレングリコールジシクロへキシルエーテル、エチレングリコールジヘプチルエーテル、エチレングリコールジシクロォクチルエーテル、エチレングリコールジシクロノ二ルェ一テル、エチレングリコールジシク口デシルエーテル等のエチレングリコ一ノレジシク口アルキルエーテノレエチレングリコールメチルェチルエーテル、エチレングリコールメチルィソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルブチルエーテル等の非対称エチレングリコールメチルアルキルエーテル；

ジエチレングリコールジメチルェ一テル、ジエチレングリコールジェチルエーテル、ジエチレングリコールジイソプロピルエーテル、ジェチレングリコーノレジブチルェ一テル、ジエチレングリコ一ルジペンチルェ一テル、ジエチレングリコールジへキシルエーテル、ジエチレングリコールジへプチルェ一テル、ジエチレングリコーノレジオクチルエーテル、ジエチレングリコールジノニルエーテル、ジエチレングリコールジデシルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル；

卜リエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジェチルエーテル、トリエチレングリコールジイソプ π ピルエーテル、卜リエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジぺンチルエーテル、トリエチレングリコ一ルジへキシルエーテル、トリエチレングリコールジヘプチルエーテル、トリエチレングリコールジォクチルエーテル、卜リエチレングリコールジノニルェ一テル、卜リエチレングリコールジデシルエーテル等の卜リエチレングリコールジアルキルエーテル；

ジエチレングリコールモノェチルエーテルァセテ一ト、ジエチレングリコールモノェチルエーテルメタクリレー卜等の、ァシルォキシ基を有するエチレングリコールジアルキルェ一テノレ；

エチレングリコールジー 2 —メチルチオェチルエーテル等の、アルキルチォ基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル；

エチレングリコールジー 2 — ジメチルアミノエチルエーテル等の、ジァルキルァミノ基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル；エチレングリコールジフエニルエーテル等のエチレングリコールジァリ —ノレエーテノレ；

ジエチレングリコールジフエ二ルエーテル等のジエチレングリコールジァリールエーテル；

トリエチレングリコールジフユ二ルェ一テル等のトリエチレングリコ一ノレジァリ一ノレエーテノレ；

エチレングリコールジベンジルエーテル；等が挙げられる。

多官能エーテルは、常温で液体であることが好ましいが、常温で固体であっても、加熱等により融解して液体にすればよい。上記例示の化合物のうち、例えば蒸留によつて高純度のテトラキス（フッ化ァリール）ボレートに容易に変換でき、また、工業的に入手が可能であり、安価であること力、ら、 1 , 2 —ジメトキシェタン、 1 ， 2 —ジエトキシェタン、および、ジエチレングリコールジメチルエーテルが特に好ましい。多官能エーテルの使用量は、特に限定されるものではないが、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜と多官能エーテルとがモル比 1 ： 1以上で錯体を形成することから、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜に対して等モル以上であることが好ましい。

本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体の製造方法において、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜と多官能エーテルとを反応させる方法は、特に限定されるものではないが、溶媒中でテトラキス（フッ化ァリール）ボレートと多官能ェ一テルとを混合する方法が好適である。

上記反応に用いる溶媒としては、一般に有機合成に使用される溶媒であれば使用可能であり、特に限定されるものではないが、脂肪族炭化水素系溶媒、脂環式炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等の有機溶媒、および、水が挙げられる。これら溶媒は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を混合して用いてもよい。

これら例示の溶媒のうち、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体の溶解度が比較的低い溶媒、即ち、ジェチルェ—テル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルェ一テル、ァニソ一ル等のエーテル系溶媒；ペンタン、へキサン、ヘプ夕ン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シク口ペンタン、シクロへキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸ェチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒；が特に好ましい。これら溶媒を用いることにより、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート · エーテル錯体を結晶として容易に析出させることができ、溶液からの分離が容易となる。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体の溶解度が高い溶媒、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール系溶媒、或いは、ァセトン、メチルェチルケ卜ン等のケトン系溶媒を用いた場合には、テトラキス（フツイ匕ァリ一ル）ボレート · エーテル錯体を形成させた後、そのままでは結晶が析出しないので、これら溶媒を留去すればよい。尚、ニトロメタンゃァセトニトリル等の極性溶媒は、多官能エーテルよりも配位力が強く、エーテル錯体の形成を阻害するので、好ましくない。

溶媒の使用量は、特に限定されるものではないが、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体のみを結晶として析出させて反応系外に取り出す場合には、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレー卜が溶媒に全て溶解する量であることが好ましい。これにより、着色成分や副生塩を含むテトラキス（フッ化ァリール）ボレートを用いて錯体を形成させたときに、着色成分や副生塩が反応系内に留まるため、濾過等の操作によって着色の無い高純度のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - エーテル錯体が得られる。

溶媒の使用量は、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートが全て溶解しない量の溶媒であってもよく、例えば、懸濁状態で反応を行っても錯体化を進行させることができる。この場合には、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートを、懸濁伏態で多官能エーテルと反応させ、その結果生成したテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体を、濾過等の方法で反応系外に取り出せばよい。取り出したテトラキス（フッ化ァリール）ボレ— ト · エーテル錯体が着色成分や副生塩等の不純物を含んでいる場合には、これら不純物を溶解する適当な溶媒（例えば、ェ —テル系溶媒）で洗浄することが好ましい。これにより、着色の無い高純度のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体が得られる。

尚、溶媒を使用せず、大過剰の多官能エーテル中でテトラキス（フッィ匕ァリール）ボレー卜と多官能エーテルとを反応させ、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体を形成させた後に、錯体を形成しなかった分の多官能エーテルを留去してもよい。この場合には、得られた生成物が着色成分や副生塩等の不純物を含んでいる場合には、これら不純物を溶解する適当な溶媒（例えば、エーテル系溶媒）で洗浄することが好ましい。また、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜と多官能エーテルとの混合の方法および順序は何ら制限されるものではない。混合方法としては、例えば、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートの溶液に多官能ェ一テルを加える方法；或いは、多官能エーテルにテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の溶液を加える方法；等が挙げられる。

反応温度は、特に限定されるものではないが、多官能エーテルの沸点以下であることが好ましく、さらに、溶媒を使用する場合には、該溶媒の沸点以下であることが好ましい。

また、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートと多官能エーテルとの反応は非常に速く、混合律速であるが、生成した錯体が成長して析出してくる迄の時間が必要である。従って、反応時間は、生成した錯体が成長して析出してくる迄の時間以上となるように、適宜設定すれば良い。さらに、反応圧力は、常圧、減圧、加圧の何れであってもよい。

上記の製造方法により、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' ェ —テル錯体が得られる。上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体は、着色成分や副生塩等の不純物を含んでいる場合には、これら不純物を溶解する適当な溶媒（例えば、エーテル系溶媒）で洗净することによって、容易に高純度に精製できるので、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の出発物質として優れている。

本発明にかかる前記一般式（ 2 ) で表されるテ卜ラキス（フッ化ァリ —ル）ボレート誘導体の製造方法は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート . エーテル錯体と、前記のカチォン種発生化合物とを出発物質とする方法である。また、上記の方法は、多官能エーテルを反応系外に除去する工程を含んでいる。上記の製造方法においては、テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜 ' ェ一テル錯体またはテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜と、カチオン種発生化合物とを前記例示の反応溶媒中で反応させる。

即ち、本発明にかかるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法としては、具体的には、テトラキス（フッ化ァリール）ボレ ― ト . エーテル錯体から多官能エーテルを除去して、テトラキス（フッィ匕ァリール）ボレートを得た後、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレートと、カチオン種発生化合物とを反応させる第 1 の製造方法と、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' ェ一テル錯体とカチォン種発生化合物とを反応させて、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート誘導体 • エーテル錯体を得た後、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 . エーテル錯体から多官能エーテルを除去する第 2 の製造方法と力ある。

上記第 1 の製造方法において、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 · エーテル錯体から多官能エーテルを除去する第 1 の工程は、反応容器中でテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体を加熱して、多官能エーテルを反応容器外へ留出させる方法によつて行うことが望ましい。

上記加熱温度は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体から多官能エーテルが除去される温度であればよく、特に限定されるものではないが、 4 0 °C以上であることがより好ましく、 4 0 °C〜 2 0 0 °Cの範囲内であることがさらに好ましい。また、加熱時間は、特に限定されるものではない。

多官能エーテルを反応容器外へ留出させるためには、反応容器内の温度を、反応容器内の圧力における多官能エーテルの沸点よりも高い温度にする必要がある。そのため、必要に応じて、反応容器内を減圧してもよい。これにより、比較的低温で多官能エーテルを留出させることができる。

また、上記第 1 の工程では、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - エーテル錯体を溶媒中に溶解させた溶液状態で用いてもよく、また、溶媒中に懸濁させた懸濁状態で用いてもよい。

尚、第 1 の製造方法において、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体から多官能エーテルを除去する第 1 の工程は、単独で実施すれば、つまり、第 2 の工程を実施しなければ、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の製造方法となる。上記方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレ一卜を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができる。

上記第 1 の製造方法において、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレートと、カチオン種発生化合物とを反応させる第 2の工程は、前記の反応溶媒中で行われる。

テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレートの溶液を用いて反応を行う場合には、反応溶媒（或いはその一部）として、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートが溶解している溶媒を用いることができる。従って、前記第 1 の工程で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートの溶液から該化合物を単離しなくとも、該溶液を用いて、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート誘導体を製造することができる。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレートと、カチオン種発生化合物とを混合する方法としては、具体的には、例えば、反応溶媒にテ卜ラキス (フッ化ァリール）ボレートおよびカチオン種発生化合物を混合する方法；テトラキス（フッ化ァリ —ル）ボレートの溶液に、カチ才ン種発生化合物またはその溶液を混合する方法；カチオン種発生化合物の溶液に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートまたはその溶液を混合する方法；等が挙げられる力く、特に限定されるものではない。テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートの溶液に、カチオン種発生化合物の溶液を混合する場合、並びに、カチオン種発生化合物の溶液に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜の溶液を混合する場合には、添加する側の溶液を滴下することがより好ましい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜とカチオン種発生化合物との反応における、反応温度並びに反応時間、即ち、反応条件は、特に限定されるものではない。本発明にかかる製造方法においては、テトラキス (フッ化ァリール）ボレー卜とカチォン種発生化合物とを反応溶媒に溶解させてなる反応液を、室温で所定時間、攪拌することにより、反応を容易に進行させることができる。従って、目的物であるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体を簡単に得ることができる。

例えば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜がテ卜ラキス（フッィ匕ァリール）ボレー卜のアルカリ金属塩、またはテトラキス（フッ化ァリール）ボレートのアルカリ土類金属塩であり、カチオン種発生化合物が N， N —ジメチルァニリン . 塩酸塩である場合には、両者の反応によつて、目的物である N， N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フッィ匕ァリール）ボレー卜が得られると共に、塩化ナトリウム等のアルカリ金属塩化物、または塩化カルシゥム等のアルカリ土類金属塩化物が副生される。これらアル力リ金属塩化物またはアル力リ土類金属塩化物は、例えば、分液 ' 濾過 ' 洗浄等の操作を行うことにより、 N， N —ジメチルァニリニゥム . テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜の溶液から簡単に分離 ' 除去することができる。また、反応溶媒が水の場合には、 N ， N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートを濾過し、水で洗浄することによって簡単に除去できる。

また、例えば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜がテトラキス (フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドであり、カチオン種発生化合物が N， N —ジメチルァニリン ' 塩酸塩である場合には、両者の反応によって、目的物である N , N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フツイヒアリール）ボレートが得られると共に、臭化塩化マグネシゥム等のマグネシウムハロゲン化物が副生される。

該マグネシウムハロゲン化物は、例えば分液、濾過、洗浄等の操作を行うことにより、 N , N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜から簡単に分離 · 除去することができる。具体的には、例えば、臭化塩化マグネシウムは、塩酸等の酸性水溶液で洗浄することによって、或いは、塩酸過剰の N , N —ジメチルァニリン ■ 塩酸塩を用いて反応を行った後に水で洗浄することによって、簡単に分離 · 除去することができる。

つまり、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体は、例えば分液や濾過等の簡単な操作を行った後、必要に応じて反応溶媒の除去（留去）等の簡単な操作を行うことにより、結晶として容易に単離 · 精製することができる。

上記第 2 の製造方法において、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレート，エーテル錯体と、カチォン種発生化合物とを反応させる第 1 の工程は、前記の反応溶媒中で行われる。

テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜 ' ェ一テル錯体と、カチオン種発生化合物とを混合する方法としては、具体的には、例えば、反応溶媒にテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体およびカチオン種発生化合物を混合する方法；テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレ一ト · エーテル錯体の溶液に、カチォン種発生化合物またはその溶液を混合する方法；カチォン種発生化合物の溶液に、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート · エーテル錯体またはその溶液を混合する方法；等が举げられるが、特に限定されるものではない。テトラキス（フッ化ァリ —ル）ボレート · エーテル錯体の溶液に、カチオン種発生化合物の溶液を混合する場合、並びに、カチオン種発生化合物の溶液に、テ卜ラキス (フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体の溶液を混合する場合には、添加する側の溶液を滴下することがより好ましい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体と力チオン種発生化合物との反応における、反応温度並びに反応時間、即ち、反応条件は、特に限定されるものではない。本発明にかかる製造方法においては、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体とカチオン種発生化合物とを反応溶媒に溶解または懸濁させてなる反応液を、沸点以下で所定時間、攪拌することにより、反応を容易に進行させることができる。従って、目的物であるテトラキス（フ 'ソ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体を簡単に得ることができる。

例えば、テトラキス（フツイヒアリール）ボレート - エーテル錯体がテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜 ' アルカリ金属塩 ' エーテル錯体、またはテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' アルカリ土類金属塩 - エーテル錯体であり、カチオン種発生化合物が N， N —ジメチルァニリン . 塩酸塩である場合には、両者の反応によつて、目的物である N , N — ジメチルァニリニゥム . テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体が得られると共に、塩化ナ卜リゥム等のアル力リ金属塩化物、または塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩化物が副生される。これらアルカリ金属塩化物またはアル力リ土類金属塩化物は、例えば、分液 ' 濾過 · 洗浄等の操作を行うことにより、 N， N —ジメチルァニリニゥム · テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' エーテル錯体の溶液から簡単に分離 · 除去することができる。具体的には、例えば、アル力リ金属塩化物は、水で洗浄することによって簡単に分離，除去することができる。

また、例えば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート . エーテル錯体がテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート . マグネシウムハライド - エーテル錯体であり、カチオン種発生化合物が N， N —ジメチルァニリン · 塩酸塩である場合には、両者の反応によって、目的物である N , N 一ジメチルァニリニゥム ■ テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート · ェ一テル錯体が得られると共に、臭化塩化マグネシゥム等のマグネシゥムハ口ゲン化物が副生される。

該マグネシウムハロゲン化物は、例えば分液、濾過、洗浄等の操作を行うことにより、 N， N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（フツイ匕ァリ一ル）ボレート ■ エーテル錯体から簡単に分離 · 除去することができる。具体的には、例えば、臭化塩化マグネシウムは、塩酸等の酸性水溶液で洗浄することによって、或いは、塩酸過剰の N， N —ジメチルァニリン · 塩酸塩を用いて反応を行った後に水で洗浄することによって、簡単に分離 ' 除去することができる。

つまり、テトラキス（フッ化ァリール）ボレ一卜誘導体 ' エーテル錯体は、例えば分液や濾過等の簡単な操作を行った後、必要に応じて反応溶媒の除去（留去）等の簡単な操作を行うことにより、結晶として容易に単離 . 精製することができる。

尚、第 2 の製造方法において、カチオン種発生化合物を反応させる第 1 の工程は、単独で実施すれば、つまり、第 2 の工程を実施しなければ、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 · エーテル錯体の製造方法となる。上記方法によれば、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体を製造するための中間体として有用なテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができる。

上記第 2 の製造方法において、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 · エーテル錯体から多官能エーテルを除去する第 2 の工程は、反応容器中でテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体を加熱して、多官能エーテルを反応容器外へ留出させる方法によつて行うことが望ましい。

上記加熱温度は、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 . ェ —テル錯体から多官能エーテルが除去される温度であればよく、特に限定されるものではないが、 4 0 °C以上であることがより好ましく、 4 0 °C〜 2 0 0 の範囲内であることがさらに好ましい。また、加熱時間は、特に限定されるものではない。

多官能エーテルを反応容器外へ留出させるためには、反応容器内の温度を、反応容器内の圧力における多官能エーテルの沸点よりも高い温度 i 9 にする必要がある。そのため、必要に応じて、反応容器内を減圧してもよい。これにより、比較的低温で多官能エーテルを留出させることがでさる。

また、上記第 2 の工程では、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 . エーテル錯体を、溶媒中に溶解させた溶液状態で用いてもよく、また、溶媒中に懸濁させた懸濁状態で用いてもよい。

テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体を溶液状態で用いる場合には、溶媒（或いはその一部）として、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜が溶解している溶媒を用いることができる。従って、前記第 1 の工程で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレ一卜誘導体 · エーテル錯体の溶液から該エーテル錯体を単離しなくとも、該溶液を用いて、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体を製造することができる。

尚、第 2の製造方法において、多官能エーテルを除去する第 2の工程は、単独で実施すれば、つまり、第 1 の工程を実施しなければ、テ卜ラキス（フツイヒアリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体から、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体を、高純度で、効率的かつ安価に製造することができるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法となる。

本発明のさらに他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって充分判るであろう。また、本発明の利益は、次の説明で明白になるであろう。発明を実施するための最良の形態以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。実施例中に示した N M R (核磁気共鳴）スペクトルデータは、 'H— NMRの場合にはテトラメチルシラン（TM S ) を標準物質として測定し、 ^{1 S} F— NMRの場合にはトリフルォロ酢酸を標準物質として測定した。そして、標準物質のシグナルを O p p mとした。

〔実施例 1 ：]

温度計、滴下ロー卜、攪拌機、および還流冷却器を備えた反応器に、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシウムノヽライドとしてのテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' マグネシウムブロマイド 0. 0 2 5 7 モルを含む、ジェチルェ一テルとトルエンとの混合溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。溶媒としての上記ジェチルエーテルとトルェンとの混合体積比は、 1 ： 1 とした。該混合溶液には、不純物として臭化フッ化マグネシゥム 0. 0 7 7 1 モルが含まれていた。一方、力ルボン酸塩としての炭酸ナトリウム水溶液 1 0 ◦ m I ( 0. 1 0 0モル）を、滴下口一トに仕込んだ。

次いで、上記の混合溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0 分間かけて滴下した後、同温度で 3 0分間攪拌した。即ち、本発明にかかる①の精製方法を実施した。攪拌終了後、溶液を吸引濾過することにより、析出物（炭酸マグネシウム）を除去した。

得られた濾液を有機層と水層とに分液した後、水層を酢酸ェチル 5 0 m 1 を用いて 2回抽出した。そして、上記の有機層に、抽出液である該酢酸ェチル（凡そ 1 0 0 m l ) を加えると共に、乾燥剤である無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。乾燥後、該有機層からジェチルエーテル、トルエンおよび酢酸ェチルを減圧下で留去した。これにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレ — 卜化合物としてのテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート - ナトリゥムを、茶色の結晶として得た。

上記結晶中のマグネシウム残存率を、蛍光 X線分析によって測定した。その結果、該結晶からマグネシウムは検出されなかった。従って、結晶には、例えばハロゲン化マグネシウム等の不純物は含まれていないことが判つた。

また、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . ナトリウムの収率を、 ^{1 9} F— N M Rを測定することにより求めた。即ち、 p — フルォロ卜ルェンを内部標準として用い、 ^{i a} F— N M Rを、所定の条件下で測定した。そして、得られた ' ⁹ F— N M Rのチヤ一卜から、 p — フルォ口トルエンのフッ素原子の積分値と、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート · ナトリゥムにおけるペン夕フルオロフェニル基のオルト位のフッ素原子の積分値とを求め、両積分値からテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウムの量を算出した。その結果、テトラキス（ペンタフルォ□フエ二ル）ボレー卜 ' ナトリウムの収率は 8 9 . 1 モル％であり、純度は 9 6 . 0 %であった。

〔実施例 2 〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー卜 ' マグネシウムプロマイド 0 . 0 2 5モルを含む、ジェチルエーテルとトルエンとの混合溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。上記ジェチルエーテルとトルエンとの混合体積比は、 1 ： 1 とした。一方、力ルボン酸塩としての酢酸ナトリウム水溶液 1 0 0 m 1 ( 0 . 1 0 0 モル ) を、滴下口一卜に仕込んだ。

次いで、上記の混合溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0 分間かけて滴下した後、同温度で 6 0分間攪拌した。即ち、本発明にかかる①の精製方法を実施した。攪拌終了後、得られた溶液を有機層と水層とに分液した後、水層を酢酸ェチル 5 0 m 1 を用いて 1回抽出した。そして、上記の有機層に、抽出液である該酢酸ェチルを加えると共に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からジェチルェ—テル、トルエンおよび酢酸ェチルを減圧下で留去した。これにより、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · ナトリウムを、褐色の結晶として得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' ナトリウムの収率は 9 2 . 1 モル％であり、純度は 9 7 . 4 %であつた。

〔実施例 3 〕

5 0 0 m l の分液ロートに、テ卜ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート - マグネシウムプロマイド 0 . 0 4 7 モルを含むジ— n —プチルエーテル溶液 1 6 0 m l (濃度 2 9 . 5 モル％) 、および、酸としての 1 N—塩酸 3 0 ◦ m I ( 0 . 3 0 0 モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液ロートを充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる②の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層から溶媒としてのジー n -プチルエーテルを減圧下で留去することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフ Iニル）ボレート · 水素化合物を得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' 水素化合物の収率は 8 9. 7 モル％であった。

〔実施例 4〕

3 0 0 m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . マグネシウムブロマイド 0. 0 1 8モルを含むトルエン溶液 4 7. 9 g (濃度 3 8. 7 モル％ ) 、および、 1 N—塩酸 1 6 0 m l ( 0. 1 6 0 モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液ロートを充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。

次に、攪拌機を備えた 2 0 0 m 1 の三角フラスコに、上記の有機層と、水酸化物としての 1 N—水酸化ナトリウム水溶液 3 0 m 1 ( 0. 0 3 0モル）とを仕込んだ後、該溶液を室温で 1 時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる③の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からトルエンを減圧下で留去することにより、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウムを結晶として得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペン夕フルォ口フエニル）ボレ一ト - ナトリウムの収率は 9 3. 5モル％であった。〔実施例 5〕

3 0 O m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイド 0. 0 1 7モルを含むトルエン溶液 4 5. 6 g (濃度 3 7 , 4モル％) 、および、酸としての 0. 5 N—硫酸 7 5 m l ( 0. 1 5 0モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液ロートを充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。

次に、攪拌機を備えた 2 0 0 m l の三角フラスコに、上記の有機層と、 1 N —水酸化ナ卜リウム水溶液 2 0 m l ( 0 . 0 2 0 モル）とを仕込んだ後、該溶液を室温で 1 時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる③の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からトルェンを-减圧下で留去することにより、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウムを結晶として得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペンタフルォ口フエニル）ボレート . ナトリウムの収率は 9 1 . 5 モル％であった。〔実施例 6〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、酸としてのシユウ酸水溶液 5 0 m l ( 0 . 1 0 0 モル）を仕込んだ。一方、テ卜ラキス（ペンタフルォ口フエニル）ボレート · マグネシウムプロマイド 0 . 0 2 5 モルを含むジー n —ブチルエーテル溶液 1 0 0 m 1 を、滴下口一トに仕込んだ。次いで、上記の水溶液を攪拌しながら、上記の溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、同温度で 6 0分間攪拌した。攪拌終了後、得られた溶液を有機層と水層とに分液した後、有機層をアル力リ金属水酸化物としての水酸化ナトリウム 1 0重量％水溶液を用いて洗浄した。次いで、洗浄後の該溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる③ の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からジー n —ブチルエーテルを減圧下で留去した。これにより、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . ナトリゥムを、結晶として得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 - ナトリウムの収率は 9 5 . 0 モル％であった。

〔実施例 7 〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイド 0 . 0 4 2モルを含む、ジェチルエーテルとジ— _n—ブチルエーテルとの混合溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。溶媒としての上記ジェチルェ一テルとジ— n ブチルエーテルとの混合体積比は、 1 ： 6 とした。一方、塩酸 1 0重量％水溶液 1 3 2 gを、滴下口一卜に仕込んだ。

次いで、上記の混合溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0 分間かけて滴下した後、同温度で 6 0分間攪拌した。攪拌終了後、得られた溶液を有機層と水層とに分液した。そして、上記の有機層を、カルボン酸塩としてのコハク酸ニナトリゥム 1 5重量％水溶液を用いて洗浄した。洗浄後、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる④の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からジェチルエーテルおよびジ n ブチルエーテルを減圧下で留去することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · ナトリウムを結晶として得た。実施例 1の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレ一ト ' ナトリゥムの収率は 9 7 . 9 モル％であった。

〔実施例 8 〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 - マグネシウムプロマイド 0 . 0 4 1 モルを含む、ジェチルエーテルとジ— n —ブチルエーテルとの混合溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。上記ジェチルエーテルとジ一 n —ブチルエーテルとの混合体積比は、 1 ： 6 とした。一方、塩酸 1 0重量％水溶液 1 3 2 gを、滴下口一トに仕込んだ。

次いで、上記の混合溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0 分間かけて滴下した後、同温度で 6 0分間攪拌した。攪拌終了後、得られた溶液を有機層と水層とに分液した。そして、上記の有機層を、炭酸ナト、リウム 1 0重量％水溶液を用いて洗浄した。洗浄後、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる④の精製方法を実施した。得られた有機層に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層からジェチルエーテルおよびジー n—プチルエーテルを減圧下で留去することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレート . ナトリゥムを結晶として得た。実施例 1 の方法と同様の方法で求めたテトラキス（ペンタフルォロフヱニル）ボレート ' ナトリゥ厶の収率は 9 5 . 6 モル％であった。

〔実施例 9 〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、実施例 1 にて得られたテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム 1 6 . 1 と、反応溶媒としての酢酸ェチル 1 0 0 m l とを仕込んだ。一方、カチオン種発生化合物としての N， N — ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液 1 0 0 m 1 ( 0 . 0 2 5 モル）を、滴下ロートに仕込んだ。

次いで、上記の溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、同温度で 1時間攪拌して反応させた。反応終了後、反応液を有機層と水層とに分液した後、水層を酢酸ェチル 5 0 m 1 を用いて 1回抽出した。そして、上記の有機層に、抽出液である該酢酸ェチルを加えると共に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層から酢酸ェチルを減圧下で留去することにより、黒色の結晶を得た。この結晶を、ジイソプロビルエーテル 5 O m 1 を用いて洗浄することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体としての薄茶色の N , N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートを得た。実施例 1 の方法と同様に、 p —フルォロトルエンを内部標準として用いた ^{1 9} F— N M Rを測定することによって求めた N , N —ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜の収率は 8 9 . 9 モル％であった。

〔実施例 1 0〕

実施例 1 の反応器と同様の反応器に、実施例にて得られたテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレ一ト · ナトリウム 1 6 . 6 g と、酢酸ェチル 1 0 O m l とを仕込んだ。一方、 N , N —ジメチルァニリン . 塩酸塩水溶液 1 0 0 m 1 ( 0 . 0 2 5 モル）を、滴下ロートに仕込んだ _c 次いで、上記の溶液を攪拌しながら、上記の水溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、同温度で 1時間攪拌して反応させた。反応終了後、反応液を有機層と水層とに分液した後、水層を酢酸ェチル 5 0 m 1 を用いて 1 回抽出した。そして、上記の有機層に、抽出液である該酢酸ェチルを加えると共に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

乾燥後、該有機層から酢酸ェチルを減圧下で留去することにより、褐色の結晶を得た。この結晶を、ジイソプロピルエーテル 5 0 m 1 を用いて洗浄することにより、薄灰色の N， N —ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペンタフルォロフヱニル）ボレートを得た。実施例 9 の方法と同様の方法で求めた N, N—ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートの収率は 8 3. 0 モル％であった。

〔実施例 1 1〕

5 0 O m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 · マグネシウムブロマイド 0. 0 2 1 モルを含むジー n—ブチルエーテル溶液 5 9. 8 g (濃度 3 5. 7 モル％) 、および、酸としての 1 N—ギ酸 2 5 0 m l ( 0. 2 5 0モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液口一卜を充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液し、該水層を抜き取った。その後、該有機層に水酸化物としての 2 N—水酸化リチウム水溶液 7 0 m 1 ( 0. 0 1 4モル）を混合して、充分に振遨した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる③の精製方法を実施した。そして、上記の有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

次に、温度計、滴下ロート、攪拌機、および還流冷却器を備えた 2 0 0 m l の四ッロフラスコに、上記の有機層を仕込んだ。一方、カチオン種発生化合物としての N, N— ジメチルァニリン 2. 8 4 g ( 0. 0 2 3モル）を、滴下ロートに仕込んだ。

次いで、上記の有機層を攪拌しながら、 N， N—ジメチルァニリンを室温で 1 5分間かけて滴下した後、同温度で 1 時間攪拌して反応させた。反応終了後、該有機層からジ - n—ブチルエーテルを減圧下で留去することにより、 N， N— ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペンタフルオロフュニル）ボレートを得た。実施例 9の方法と同様の方法で求めた N， N— ジメチルァニリニゥム ' テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜の収率は 9 1. 2モル％であった。

〔実施例 1 2〕

5 0 O m l の分液ロートに、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイド 0. 0 2 3モルを含むジー n -—プチルェ—テル溶液 8 0 m l (濃度 2 9. 5モル％) 、および、 1 N—塩酸 1 5 0 m l ( 0. 1 5 0モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液口一卜を充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液し、該水層を抜き取った。その後、該有機層に炭酸ナトリウム 1 0重量％水溶液 3 3. 0 m l ( 0. 0 3 1 モル）を混合して、充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる④の精製方法を実施した。そして、上記の有機層に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

次に、温度計、攪掸機、および還流冷却器を備えた 2 0 0 m 1 の四ッ口フラスコに、上記の有機層と、 N, N—ジメチルァニリン ' 塩酸塩 3 . 7 2 g ( 0. 0 2 4モル）とを仕込んだ。次いで、該有機層を室温で 1 時間攪拌して反応させた。反応終了後、該有機層からジー n—プチルエーテルを減圧下で留去することにより、 N， N—ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペンタフルォロフェニル）ボレ一トを得た。実施例 9 の方法と同様の方法で求めた N， N—ジメチルァニリニゥム - テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートの収率は 8 6. 7モル％であつた。

〔実施例 1 3〕

実施例 1 2 における炭酸ナトリウム 1 0重量％水溶液 3 3. 0 m 】の代わりにコハク酸ニナトリウム 2 0重量％水溶液 8 3. 0 m l ( 0. 0 3 1 モル）を仕込むと共に、 N， N—ジメチルァニリン ' 塩酸塩の使用量を 3. 7 2 g ( 0. 0 2 4モゾレ）力、ら 3. 9 9 g ( 0. 0 2 5 モノレ）に変更した以外は、同実施例の反応および操作と同様の反応および操作を行い、 N, N— ジメチルァニリニゥム - テトラキス（ペンタフノレォロフヱニル）ボレー卜を得た。実施例 9の方法と同様の方法で求めた N， N— ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 8 7. 3モル％であった。

〔実施例 1 4〕

5 0 0 m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' マグネシウムプロマイド 0. 0 1 6モルを含むジ— n —ブチルェ—テル溶液 5 0. 0 g、および、 1 N—塩酸 1 4 0 m 1 を仕込んだ。次いで、上記の分液ロートを充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる②の精製方法を実施した。そして、上記の有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

次に、温度計、滴下ロート、攪拌機、および還流冷却器を備えた 2 0 0 m l の四ッロフラスコに、上記の有機層を仕込んだ。一方、 N, N - ジメチルァニリン 2. 0 6 g ( 0. 0 1 7 モル）を、滴下口一トに仕込んだ。

次いで、上記の有機層を攪拌しながら、 N , N—ジメチルァニリンを室温で 1 0分間かけて滴下した後、同温度で 1時間攪拌して反応させた。反応終了後、該有機層からジ - n -ブチルエーテルを減圧下で留去することにより、 N， N— ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを得た。実施例 9の方法と同様の方法で求めた N ， N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 9 4 . 8 モル％であった。

〔実施例 1 5 〕

5 0 0 m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . マグネシウムブロマイド 0 . 0 2 1 モルを含むジー n —プチルエーテル溶液 1 3 0 . 6 g (濃度 1 5 . 8 モル％ ) 、および、酸としての 1 N -硫酸 1 8 0 m 1 ( 0 . 1 8 0 モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液ロートを充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる②の精製方法を実施した。そして、上記の有機層に、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。

次に、温度計、滴下ロート、攪拌機、および還流冷却器を備えた 2 0 0 m l の四ッロフラスコに、上記の有機層を仕込んだ。一方、 N ， N - ジメチルァニリン 2 . 7 4 g ( 0 . 0 2 7 モル）を、滴下ロートに仕込んだ。

次いで、上記の有機層を攪拌しながら、 N , N —ジメチルァニリンを室温で 1 5分間かけて滴下した後、同温度で 1時間攪拌して反応させた。反応終了後、該有機層からジー n -ブチルエーテルを減圧下で留去することにより、 N， N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペンタフルオロフニル）ボレー卜を得た。実施例 9の方法と同様の方法で求めた N， N _ ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 9 0 . 3 モル％であった。

〔実施例 1 6 〕

5 0 0 m l の分液ロートに、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムプロマイド 0 . 0 2 0 モルを含むジ— n — ブチルエーテル溶液 1 2 0 . 7 g (濃度 1 6 . 6 モル％) 、および、 2 N— ギ酸 9 0 m 1 ( 0 . 1 8 0 モル）を仕込んだ。次いで、上記の分液ロー卜を充分に振盪した後、静置することにより、溶液を有機層と水層とに分液した。即ち、本発明にかかる②の精製方法を実施した。 'そして、上記の有機層に、無水硫酸マグネシゥムを添加して乾燥させた。

次に、温度計、滴下ロート、攪拌機、および還流冷却器を備えた 2 0 0 m 1 の四ッロフラスコに、上記の有機層を仕込んだ。一方、 N , N— ジメチルァニリン 2 . 6 2 g ( 0 . 0 2 2 モル）を、滴下ロー卜に仕込んだ。

次いで、上記の有機層を攪拌しながら、 N， N —ジメチルァニリンを室温で 1 5分間かけて滴下した後、同温度で 1 時間攪拌して反応させた。反応終了後、該有機層からジ - n —ブチルエーテルを減圧下で留去することにより、 N , N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを得た。実施例 9 の方法と同様の方法で求めた N , N — ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフニニル）ボレートの収率は 8 9 . 6 モル％であった。

〔実施例 1 7〕

温度計、滴下ロート、還流冷却管および攪拌器を備えた反応容器に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜としてのテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー卜 · リチウム 0 . 0 4 5 モルを含むジ一 n —ブチルエーテル溶液 2 0 0 m 1 を仕込んだ。また、多官能エーテルとしての 1 ， 2 — ジメトキシェタン 0 . 4 5 モルを滴下ロートに仕込んだ。上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロート内の 1 ， 2 ージメトキシェタンを 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 3 0分間攪拌した。これにより、反応溶液から結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をィソプロピルエーテル 2 0 m 1 で洗浄した。

そして、このようにして得られた結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート - 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' リチウム ' 1 ， 2 ージメトキシェ夕ン錯体を、白色の結晶として得た。

得られたテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . リチウム · 1 ， 2 —ジメトキシエタン錯体の収率は、 ¹⁹F— NMR (核磁気共鳴 ) スぺクトルを測定することによって求めた。即ち、 p —フルォロトルェンを内部標準として用い、 ^{1 S} F— NMRを所定の条件下で測定した。そして、得られたチャートから、 p —フル才ロトルエンのフッ素原子の積分値と、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート - リチウム · 1 ， 2 —ジメトキシェ夕ン錯体におけるペン夕フルオロフェニル基のオルト位のフッ素原子の積分値との比を求め、該積分比からテトラキス (ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . リチウム . 1 ， 2 —ジメトキシエタン錯体の重量を算出した。

その結果、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 - リチウムに対するテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . リチウム • 1 ， 2 —ジメ卜キシエタン錯体の収率は 8 5. 2 モル％であり、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' リチウム ' 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体の純度は 9 9 %であった。

さらに、 p —フルォロトルエンを内部標準として用い、 H— NM R を所定の条件下で測定した。そして、得られたチヤ一卜から、 p フルォロトルエンのメチル基の積分値と、 1， 2 — ジメトキシェタンのメチル基の積分値との積分比を求め、該積分比から 1 ， 2 —ジメ卜キシエタンのモル量を算出した。

その結果、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 · リチウム ' 1 ， 2 — ジメトキシエタン錯体におけるテトラキス（ペン夕フルォロフヱニル）ボレート . リチウムと 1 ， 2 —ジメ卜キシェタンとのモル比は、 1 ： 2であった。

テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' リチウム ' 1 . 2 — ジメトキシェタン錯体は、融点測定、 I R (赤外吸収スぺク卜ル）、

^{1 S} F— N MR、 — NMR、および元素分析の各分析を行うことにより同定した。各分析により得られたデータは、

融点： 1 1 9て〜 1 2 0て

I R ( K B r , c m-¹) ： 2 9 4 7 , 1 6 4 2 , 1 5 1 5 , 1 4 6 4 ,

1 2 7 9 , 1 1 2 1 , 1 0 8 3 , 9 7 8 , 8 6 8

^{I 9} F - NMR ( C D C 1 ₃, (5 ) : — 5 6. 9， - 8 7. 1 , — 9 1. 1 ^ - NMR ( C D C 1 ₃, 5 ) ： 3. 1 ( 6 H, s ) ,

3. 5 7 ( 4 H， s )

兀分析： C F B L i 2 C ₄ H ,。 0₂ として

計算値（％)

水素 3 3 , 炭素； 4 4. 3 7 , フッ素； 4 3 8 7 分析値（％)

水素 2. 4 7，炭素； 4 4. 3 6 , フッ素： 4 3. 3 3 であった ₀ 〔実施例 1 8〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、ジェチルエーテルとジ— η —プチルエーテルとの混合溶媒（ジェチルエーテルとジ— n —プチルエーテルとの体積比は 1 ： 1 ) 中にテトラキス（フツイヒアリール）ボレートとしてのテ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム 0 . 0 2 1 モルが溶解している混合溶液 1 0 0 m l を仕込んだ。また、 1 ， 2 — ジメ卜キシェタン 0 . 9 0 0 モルを滴下ロー卜に仕込んだ。

上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロー卜内の 1 , 2 ージメトキシエタンを室温で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 3 0分間攪拌した。次いで、減圧下でジェチルェ一テルと過剰の 1 ， 2 —ジメ卜キシェタンとを反応容器から留去したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶を n —へキサン 1 0 O ni l で洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウム ' 1 ， 2 — ジメトキシエタン錯体を、黄白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' ナトリウムに対するテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' ナトリウム · 1 , 2 — ジメトキシェ夕ン錯体の収率は 9 5 . 7 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

また、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . ナトリウム • 1 ， 2 — ジメトキシェタン錯体におけるテ卜ラキス（ペン夕フル才ロフエニル）ボレー卜 ' ナトリウムと 1 ， 2 — ジメトキシェタンとのモル比は、 1 ： 3であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウム '

1 , 2 — ジメトキシエタン錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 5 9て〜 1 6 2 °C

I R ( K B r , c m-¹) ： 2 9 4 8 , 2 9 0 8 , 1 6 4 5 , 1 4 7 1 ,

1 2 7 8 , 1 1 2 8， 1 0 8 7 , 9 7 5 , 8 6 0

1⁹ F - N M R ( C D C 1 ₃ , ( ) : — 5 7 . 4，一 8 6 . 8 , — 9 1 . 2 ^ - N M R ( C D C l a, 5 ) ： 3. 3 5 ( 6 H , s ) ，

3. 5 3 ( 4 H , s )

元素分析： C ₂₄ F ₂。 B N a · 3 C ₄ H _{1 0} O _z として

計算値（％) ·

水素； 3 . 0 6，炭素： 4 3 . 7 3 , フッ素： 3 8 4 3 分析値（％) ·

水素： 3 . 0 3，炭素： 4 5 . 1 3，フッ素： 3 8 8 6 により同定した。

〔実施例 1 9〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（フッ化ァリール）ボレートとしてのテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' 力リウム 0 . 0 4 1 4 モルを含むジ一 n —ブチルエーテル溶液 2 0 0 m 1 を仕込んだ。また、 1 ， 2 — ジメ卜キシェタン 0. 9 0 0 モルを滴下ロートに仕込んだ。

上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下口一卜内の 1 ， 2 —ジメトキシェタンを室温で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 3 0分間攪拌した。次いで、反応溶液の温度を 1 1 0 °Cまで昇温して、過剰の 1 , 2 —ジメトキシェ夕ンを留去した後、室温まで冷却した。これにより、反応溶液から結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶を n —へキサン 1 0 0 m 1 で洗浄した。そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' カリウム . 1 ， 2 —ジメトキシエタン錯体を、黄白色の粉体として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート - カリウム ' 1 , 2 - ジメトキシエタン錯体の収率は 7 1. 5モル％であり、その純度は 9 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム · 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体におけるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレ — ト ' カリウムと 1 , 2 —ジメトキシェタンとのモル比は、 1 : 3であつた。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . カリウム ' 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 2 7 T；〜 1 3 0 °C

I R CK B r , c m-¹) : 2 9 4 4 , 2 9 0 6 , 1 6 4 5 , 1 5 1 5.

1 4 6 6 , 1 2 7 7 , 1 1 2 5 , 1 0 8 7 , 9 7 8 , 8 5 7 1⁹ F - NM R ( C D C l _a, (5 ) ： - 5 7. 2 , - 8 6. 7 , - 9 0. 9 — NMR ( C D C 1 ₃, 5 ) ： 3. 3 3 ( 6 H , s ) ，

3. 5 1 ( 4 Η , s )

元素分析： C ₂₄ F ₂。 B K ' 3 C ₄ H _{1 ()}〇 ₂ として

計算値（％) · 水素； 3 . 0 8，炭素； 4 4. 4 4，フッ素； 3 9 . 0 9 分析値（％) ·

水素； 3. 0 7 , 炭素： 4 4. 0 3 , フッ素： 3 7 . 9 8 により同定した。

〔実施例 2 0 〕

実施例 1 7 と同様の反応容器内で、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' リチウム 0 . 0 2 1 4 モルをイオン交換水 5 0 m 1 に懸瀚させ、得られた懸濁液を 5 0 °Cに加熱して、溶解させた。得られた溶液に、多官能エーテルとしての 1 , 2 —ジエトキシェタン 5 0 m l を加え、 1 0分間攪拌した後、反応混合液を有機層と水層とに分液した。さらに、水層を 1 , 2 —ジエトキシェタン 5 0 m l で抽出し、得られた有機層を、先に分液した有機層と合わせた。

合わせた有機層を、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒（ 1 , 2 —ジエトキシェタン）を留去した。これにより、テトラキス (フッ化ァリール）ボレート - 多官能エーテル錯体としてのテトラキス (ペン夕フルオロフヱニル）ボレート · リチウム ' 1 , 2 — ジエトキンエタン錯体を、茶色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレ一ト ' リチウム ' 1 , 2 — ジェ卜キシエタン錯体の収率は 9 1 . 1 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . リチウム . 1 , 2 — ジェトキシェタン錯体におけるテトラキス（ペン夕フルオロフ Iニル）ボレ一ト · リチウムと 1 ， 2 — ジエトキシェタンとのモル比は、 1 ： 3 であつた。尚、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' リチウム ' 1

， 2 —ジェ卜キシエタン錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 7 0 °C〜 1 7 2 °C

I R ( K B r , c m-¹) ： 2 9 8 6 , 2 9 4 1 , 1 6 4 5 , 1 5 1 6 ,

1 4 6 5 , 1 2 7 6 , 1 1 1 9 , 1 0 8 4 , 1 0 6 6 , 9 8 0

¹⁹ F - N M R (D M S O - d _B, 5 ) : - 5 6. 8， - 8 7. 3，

- 9 1 . 1

XH - NMR (D M S O - d _fi, (5 ) ：

1. 2 4 ( 6 11, t , J - 7. 2 H z ) ,

3. 6 6 ( 4 H , q , J = 7. 2 H z ) ,

3. 6 9 ( 4 H , s )

により同定した。

〔実施例 2 1〕

実施例 1 7 と同様の反応容器内で、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート - ナトリウム 0. 0 1 0モルをィォン交換水 5 0 m 1 に懸濁させた。得られた懸蜀液に、 1 , 2 —ジエトキシェタン 5 0 m 1 を加え、 1 0分間攪拌した後、反応混合液を有機層と水層とに分液した。さらに、水層を 1 , 2 —ジエトキシェタン 5 0 m 1 で抽出し、得られた有機層を、先に分液した有機層と合わせた。

合わせた有機層を、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去した。これにより、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . ナトリウム . 1 , 2 —ジェトキシェ夕ン錯体を、薄茶色の結晶として得た。実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレート ' ナトリウム ' 1 , 2 —ジェトキシェ夕ン錯体の収率は 9 4. 2 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム ' 1 , 2 — ジェトキシェ夕ン錯体におけるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウムと 1 , 2 —ジェ卜キシェタンとのモル比は、 1 ： 3であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' ナトリウム ' 1 ， 2 —ジエトキンエタン錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 6 7 °C〜 1 6 9。C

I R ( K B r , c m— ¹) ： 2 9 8 6 , 2 9 4 0 , 1 6 4 5 , 1 5 1 6 ,

1 4 6 5， 1 2 7 5 , 1 1 1 9 , 1 0 8 5 , 1 0 6 6， 9 8 0

^{1 S} F— NMR ( DM S O - d ₆, (5 ) 5 5. 5 , 8 4. 6 ,

— 8 9. 3

'H - NMR (DM S O d ₆₎ 5 ) ：

1. 1 3 ( 6 H t , J = 7 2 H z )

3. 4 5 ( 4 H q , J = 7 2 H z )

3. 4 9 ( 4 H s )

により同定した。

〔実施例 2 2〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレート ■ カリウム 0. 0 0 4モルを含むジー n—ブチルエーテル溶液 2 0 m l を仕込んだ。次いで、上記溶液に 1 ， 2 —ジェ卜キシェ夕ン 0. 0 2 0モルを加え、室温で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過することによって析出した結晶を集め、集めた結晶をジー n—ブチルエーテル 1 0 τη 1 で洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜 - 多官能エーテル錯体としてのテトラキス〔ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム · 1 , 2 —ジエトキシェ夕ン錯体を、白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム ' 1 ， 2 —ジェ卜キシェ夕ン錯体の収率は 7 0. 7 モル％であり、その純度は 9 9. 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム ' 1 ， 2 — ジェトキシエタン錯体におけるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート ' カリウムと 1， 2 —ジエトキシェタンとのモル比は、 1 : 3 であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' カリウム - 1 , 2 —ジエトキシエタン錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 1 3て〜 1 1 4 °C

I R ( K B r , c m—¹) ： 2 9 8 3 , 2 9 3 5 , 1 6 4 5 , 1 5 1 5 ,

1 6 4 , 1 2 7 6 , 1 0 8 5， 9 7 8

i⁹F _ NMR ( D M S 0 - d _β, (5 ) : - 5 6. 6 , — 8 5. 6 ，

- 9 0. 1

H - N MR (D M S O - d ₆, 5 ) ：

1. 1 1 ( 6 H , t , J = 7 2 H z )

3. 4 4 ( 4 H , q， J = 7 2 H z )

3. 4 5 ( 4 H， s ) により同定した。

〔実施例 2 3〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 · リチウム 0. 0 0 4モルを含むジ— η —ブチルエーテル溶液 2 O m l を仕込んだ。次いで、上記溶液に、多官能エーテルとしてのジエチレングリコールジメチルェ一テル 0. 0 1 6モルを加え、室温で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過することによって析出した結晶を集め、集めた結晶をジ— n —プチルエーテル 1 0 m 〗で洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレ一卜 ' 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . リチウム . ジエチレングリコールジメチルェ一テル錯体を、白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート，リチウム . ジエチレングリコールジメチルェ —テル錯体の収率は 8 5. 0モル％であり、その純度は 9 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート * リチウム - ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体におけるテトラキス（ペンタフノレオロフヱニル）ボレー卜 . リチウムとジエチレングリコーソレジメチルエーテルとのモル比は、 1 ： 2. 5であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . リチウム . ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体は、以下に示す各分析デ一夕融点： 1 9 3 °C〜 1 9 5 °C

I R ( K B r , c m— ¹) : 2 9 4 0 , 1 6 4 4 , 1 5 1 5 , 1 4 6 4 , 1 2 7 9 , 1 1 1 4， 1 0 8 4 , 9 7 9

F - NMR ( C D C l _a, 5 ) : — 5 6. 7 , — 8 7. 3 9 1 . 1 H - NMR ( C D C 1 ₃, (5 ) ： 3. 3 6 ( 6 H , s ) ，

3. 5 4〜 3， 5 6 ( 4 H , m) ,

3. 6 3〜 3. 6 5 ( 4 H , m )

により同定した。

〔実施例 2 4〕

実施例 1 7 の反応容器に、テトラキス（ペンタフルォロフヱニル）ボレ一卜 · ナトリウム 0. 0 0 5モルを含むジ— η—ブチルエーテル溶液 2 0 m 1 を仕込んだ。次いで、上記溶液にジエチレングリコールジメチルェ一テル 0. 0 1 6 モルを加え、室温で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過することによって析出した結晶を集め、さらに、集めた結晶をジ— n —ブチルエーテル 1 0 m 1 で洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート · 多官能エーテル錯体としてのテ卜ラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウム . ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体を、白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレー卜 · ナトリウム · ジエチレングリコ一ノレジメチルエーテル錯体の収率は 8 5. 4モル％であり、その純度は 9 9 %であつた。また、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 . ナトリウム - ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体におけるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' ナトリウムとジエチレングリコールジメチルェ一テルとのモル比は、 1 ： 3であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' ナトリウム - ジエチレングリコールジメチルェ一テル錯体は、以下に示す各分析デー夕

融点： 1 6 7。C〜 1 6 9 °C

I R ( K B r , c m-') : 2 9 4 1 , 1 6 4 4 , 1 5 1 4 , 1 4 6 1 ,

1 2 7 6 , 1 1 1 3 , 1 0 8 5， 9 7 7

1¹¹ F - N MR ( C D C 1 3 , (5 ) : — 5 6. 4 , 8 7. 3， 9 1. 3 'H - NMR ( C D C l a , (5 ) : 3. 3 8 ( 6 H, s ) ,

3. 3 8〜 3 , 5 7 ( 4 H， m) ，

3. 5 9〜 3. 6 1 ( 4 H , m)

により同定した。

〔実施例 2 5〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニノレ）ボレー卜 · カリウム 0. 0 0 5モルを含むジ一 n—ブチルエーテル溶液 2 0 m l を仕込んだ。次いで、上記溶液にジエチレングリコールジメチルエーテル 0. 0 1 6モルを加え、室温で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過することによって析出した結晶を集め、集めた結晶をジー n—プチルェ一テル 1 0 m 1 で洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' 多官能エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム ' ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体を、白色の結晶として得た。実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . カリウム · ジエチレングリコールジメチルェ一テル錯体の収率は 9 8. 5モル％であり、その純度は 9 9 %であった。また、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' カリウム ' ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体におけるテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' カリウムとジエチレングリコーノレジメチルエーテルとのモル比は、 1 ： 3であった。

尚、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 - カリウム ' ジェチレングリコールジメチルエーテル錯体は、以下に示す各分析デ一夕融点： 9 6 °C〜 9 7 C

I R ( K B r , c m-¹) : 2 9 4 0 , 2 9 0 6 , 1 6 4 5 , 1 5 1 4 ,

1 4 6 5 , 1 2 7 6 , 1 1 1 0 , 1 0 8 7 , 9 8 0

1⁹ F - N M R ( C D C 1 5 ) : - 5 6. 9 , 一 8 7. 1 , — 9 1. 1 'Η— NMR ( C D C し，（5 ) ： 3. 3 3 ( 6 H , s ) ,

3. 5 1〜 3 , 5 3 ( 4 H, πι) ，

3. 5 5〜 3. 5 8 ( 4 Η , m)

により同定した。

〔実施例 2 6〕

実施例 1 Ί と同様の反応容器に、ジェチルェ一テルとジ— n —ブチルエーテルとの混合溶媒（ジェチルェ一テルとジー n —ブチルエーテルとの体積比は 1 ： 1 ) 中にテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートとしてのテトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . マグネシウムプロマイド 0. 0 2 5 9モノレとフツイ匕臭化マグネシウム 0. 0 1 9 4モルとが溶解している混合溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。また、 1， 2 —ジメトキシェタン 0. 0 5 5 0 モルを滴下口一卜に仕込んだ。

上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下口— 卜内の 1 , 2 ージメトキシェタンを室温で 1 5分間かけて滴下した後、さらに、攪拌を続けながら反応容器の内容物を 1 4 0 °Cまで昇温して、ジェチルェ— テルと過剰の 1 ， 2 —ジメ卜キシェタンとを留去した。反応混合物を室温まで冷却して結晶を析出させた後、反応混合物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をジ _ n—プチルェ一テル 1 0 0 m 1 で洗浄した。

洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' 多官能エーテル錯体としてのテ卜ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート ' マグネシウムブロマイド ' 1， 2 —ジメトキシエタン錯体を、淡黄色の粉体として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' マグネシウムプロマイド - 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体の収率は 9 4. 5モル％であり、その純度は 9 9 %であつた。また、テトラキス（ペンタフノレオロフヱニル）ボレート . マグネシゥムブロマイド · 1 ， 2 —ジメトキシェタン錯体を蛍光 X線で分析したところ、マグネシウムは検出されず、フッ化臭化マグネシウムは完全に除去されていた。各分析により得られたデータは、

融点： 2 3 0て以上

I R ( K B r , c m-]) ： 2 9 5 3 , 1 6 3 1 , 1 5 1 6 , 1 4 6 5 ,

1 1 1 2 , 1 0 8 7 , 9 8 0

1⁹ F NMR ( C D C 1 ₃, <5 ) : 5 6. 6 , - 8 7. ϋ , 一 9 0. 1 XH - NMR ( C D C l a, δ ) : 3. 2 6 ( 6 H , s ) , 3 . 4 4 ( 4 H , s )

であった。

〔実施例 2 7〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テ卜ラキス（ペンタフルォ口フヱニル）ボレート · 水素化合物 0 . 0 4 0 モルを含むジー n —ブチルエーテル溶液 1 0 0 m l を仕込んだ。また、滴下口一卜に 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン 0 . 1 4 0 モルを仕込んだ。

上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロート内の 1 ， 2 ージメトキシェタンを室温で 1 5分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1 時間攪拌した。攪拌終了後、反応容器の内容物を/咸圧下で加熱して、ジー n —プチルェ一テルと、過剰の 1 ， 2 —ジメトキシェタンとを留去した。

その後、内容物を室温まで冷却することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート · 1 ， 2 — ジメトキシェタン錯体を淡茶色の油状物として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート · 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン錯体の収率は 9 0 . 0 モル％であり、その純度は 9 8 %であった。各分析により得られたデータは、

I⁹ F - N M R ( C Ό C \ ₃, δ ) 5 6 . 8 , - 8 7 9 1 3 1 Η - N M R ( C D C 1 5 ) 3 . 3 9 ( 6 H , s ) ,

3 . 6 0 ( 4 H， s ) 9 . 8 3 ( 1 H , b r )

であった。

〔実施例 2 8 ) T 8 実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレー卜 · ナトリウム（ 0 . 0 5 0 モル）を 3 2 . 4 3重量％の割合で含むジ η ブチルエーテル溶液 1 0 8 gを仕込んだ。また、滴下ロートに 1 , 2 —ジメトキシェタン 0 . 1 0 0 モルを仕込んだ。

上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロー卜内の 1 ， 2 ージメトキシェタンを 2 0 °Cで：！ 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をジー n プチルエーテル 1 8 gで洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . ナトリウム · 1 ， 2 ジメトキシエタン錯体を淡黄色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート - ナトリウム - 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン錯体の収率は 7 0 . 0モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 2 9〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テトラキス（ペンタフルォロフヱ二ル）ボレート ' ナトリウム（ 0 . 0 5 0 モル）を 3 2 . 4 3重量％の割合で含むジ n ブチルエーテル溶液 1 0 8 gを仕込んだ。また、滴下ロートに 1 ， 2 —ジメトキシェタン 0 . 1 5 0モルを仕込んだ。上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロー卜内の 1 ， 2 —ジメ卜キシェタンを 2 0 °Cで 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。

反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をジ一 n —ブチルエーテル 1 8 gで洗浄した。そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' ナトリウム ' 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン錯体を白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム - 1 , 2 — ジメトキシエタン錯体の収率は 8 5 . 8 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 3 0〕

実施例 1 7 と同様の反応容器に、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレー卜 . ナトリウム（ 0 . 0 2 8 モル）を 2 2 . 0重量％の割合で含むジ - n - ブチルエーテル溶液 9 O gを仕込んだ。また、滴下ロー卜に、 1 , 2 —ジメトキシェタン 0 . 0 9 8 モルを仕込んだ。上記反応容器の内容物を室温で攪拌しながら、滴下ロート内の 1 , 2 —ジメトキシェタンを 2 0てで 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温 ) で 1 0時間攪拌したところ、結晶が析出した。

反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をジ— n —ブチルエーテル 1 0 gで洗浄した。そして、洗浄後の結晶を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' ナトリウム ' 1 ， 2 —ジメトキシェタン錯体を白色の結晶として得た。

実施例 1 7 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . ナトリウム ' 1 , 2 —ジメトキシェタン錯体の反応収率は 9 5 . 3 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 3 1〕温度計、滴下ロート、蒸留装置および攪拌器を備えた反応容器に、テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' ェ一テル錯体としてのテ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' カリウム · 1 , 2 — ジメトキシェ夕ン錯体 0. 0 1 5 2モル、および、アセトンとィォン交換水との混合溶媒（混合体積比 1 : 1 ) 1 0 0 m l を仕込んだ。また、カチォン種発生化合物としての N, N— ジメチルァニリン ' 塩酸塩水溶液（N,

N—ジメチルァニリン - 塩酸塩の量は 0. 0 1 6 7 モル） 2 0 m 1 を滴下口一卜に仕込んだ。

次に、上記反応容器の内容物を攪拌しながら、 9 0 °Cで 3 0分間加熱し、 1 ， 2 —ジメトキシェタンとアセトンとを蒸留装置によって反応系外に留去した。これにより、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートとしてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' カリウムを水溶液の状態で得た。

続いて、滴下口一卜内の N, N—ジメチルァニリン ' 塩酸塩水溶液を同温度（ 9 0 °C) で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（ 9 0 て）で 3 0分間攪拌した。反応液を室温まで冷却して結晶を析出させた後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓（ケーキ）をイオン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体としての N , N— ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜を、白色の粉体として得た。

得られた N, N— ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルォロフヱニル）ボレートの収率は、 " F— NMR (核磁気共鳴）スぺクトルを測定することによって求めた。即ち、 P —フルォロトルエンを内部標準として用い、 ^{1 8} F _ N M Rを所定の条件下で測定した。そして、得られたチャート力、ら、 p —フルォロトルエンのフッ素原子の積分値と、 N , N — ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル ) ボレー卜におけるペン夕フルオロフェニル基のオルト位のフッ素原子の積分値との比を求め、該積分比から N , N —ジメチルァニリニゥム - テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜の重量を算出した。

その結果、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' 力リウム . 1 ， 2 —ジメ卜キシエタン錯体を基準とする N , N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 9 2 . 5 モル％であり、 N , N —ジメチルァニリニゥ厶，テトラキス（ぺン夕フルオロフェニル）ボレー卜の純度は 9 9 %であった。

〔実施例 3 2〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ノレ）ボレート ' カリウム · 1 ， 2 —ジメトキシェ夕ン錯体 0 . 0 4 4 6 モル、および、イオン交換水 2 0 0 gを仕込み、攪拌して懸濁液を得た ₍ 続いて、上記懸濁液を攪拌しながら加熱し、蒸留装置を通して 1 , 2 —ジメトキシェタンを留出させた後、内容物を 5 0 °Cに冷却した。これにより、テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート · カリウムを水溶液の状態で得た。次に、カチォン種発生化合物としての N， N —ジメチルァニリン硫酸塩水溶液（N， N —ジメチルァニリン硫酸塩の量は 0 . 0 6 0 モル） 8 0 m 1 を滴下口一トに仕込んだ。そして、上記の N， N —ジメチルァニリン硫酸塩水溶液を、上記のテトラキス（ペンタフルォロフヱニル）ボレー卜 · カリゥムの水溶液に、攪拌下、 5 0てで滴下した。反応液を室温まで冷却して結晶を析出させた後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をイオン交換水で洗浄した。

さらに、洗浄後の濾滓を減圧下で乾燥することにより、 N, N—ジメチルァ二リニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートを、白色の粉体として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル ) ボレートの収率は 9 0. 9モル％であり、その純度は 9 9 %であった〔実施例 3 3〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレート . エーテル錯体としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . ナトリウム . 2 ジメトキシェタン錯体 2. 2 9 ミリモル、および、ジ— n ブチルエーテル 4 0 m l を仕込み、攪拌して混合溶液を得た。また、 N， N ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液（N， N - ジメチルァニリン ' 塩酸塩の量は 3. 5 1 ミリモル） 1 0 m l を滴下口一トに仕込んだ。

次に、上記混合溶液を攪拌しながら、滴下ロート内の N， N ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液を室温で滴下した。滴下終了後、反応容器内の混合液を加熱し、蒸留装置を通して 1 , 2 —ジメトキシェ夕ンを留出させた。

続いて、反応液を室温まで冷却し、ジ— n ブチルエーテル層と水層とに分液した。得られたジー n ブチルエーテル層からジ n ブチルエーテル層を減圧下で留去したところ、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶を少量のジー n— プチルエーテルで洗浄した。

そして、洗浄後の結晶を、減圧下、 8 0 °Cで一晩かけて乾燥することにより、 N , N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルォロフニニル）ボレートを、白色の粉体として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ぺンタフルオロフェニル）ボレー卜の収率は 5 8 . 8 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 3 4〕

温度計、滴下口— ト、還流冷却管および攪拌器を備えた反応容器に、アセトンとィォン交換水との混合溶媒（混合体積比 1 ： 1 ) 中にテトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート · エーテル錯体としてのテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー卜 . リチウム . 1 , 2 —ジエトキシェ夕ン錯体 0 . 1 2 3 モルを溶解してなる溶液 3 0 0 m 1 を仕込んだ。また、 N， N —ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液（ N， N ジメチルァニリン · 塩酸塩の量は 0 . 1 3 5 モル） 1 0 0 m 1 を滴下ロートに仕込んだ。

次に、上記反応容器の内容物を攪拌しながら、滴下ロー卜内の N , N ージメチルァニリン · 塩酸塩水溶液を室温で 3 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 3 0分間攪拌した。これにより、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をイオン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フツイヒアリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体としての N， N —ジメチルァ二リニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . 1， 2 —ジェトキシェ夕ン錯体を、白色の粉体として得た。

実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N, N—ジメチルァニリ二ゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' 1 , 2 — ジエトキシエタン錯体の収率は 4 9. 8モル％であり、その純度は 9 9 % であった。

さらに、 p— フルォロトルエンを内部標準として用い、 'Η— NMR を所定の条件下で測定した。そして、得られたチャートから、 ρ—フルォロトルエンのメチル基の積分値と、 Ν, Ν— ジメチルァニリンのメチル基の積分値と、 1， 2 ジエトキシェタンのメチル基の積分値との積分比を求め、該積分比から Ν， Ν—ジメチルァニリンおよび 1， 2 - ジエトキシェタンの重量を算出した。 Ν， Ν— ジメチルァニリンおよび 1 ， 2 —ジエトキシェタンの重量から、 Ν, Ν—ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' 1 , 2 — ジエトキシエタン錯体における Ν， Ν—ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜と 1 , 2 — ジエトキシェタンとのモル上匕を算出したところ、該モル比は ] ： 1であった。

一方、前記の濾過により得られた濾液を'减圧下で濃縮することによつて、 Ν, Ν— ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' 1 , 2 —ジェトキシェ夕ン錯体を白色の結晶として回収したところ、回収された該錯体の収率は 4 5. 0モル％ (即ち、合計の収率は 9 4. 8モル％ ) であった。

Ν , Ν— ジメチルァニリニゥ厶 ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 · 1 , 2 —ジェトキシエタン錯体は、融点測定、 I R (赤外吸収スぺクトル）、 ¹⁹ F— NMR、および — NMRの各分析を行うことにより同定した。各分析により得られたデータは、

融点： 1 6 2て〜 1 6 3 °C

I R ( K B r ， c m -¹) ： 2 9 8 4 , 2 9 4 1 , 1 6 4 4 , 1 5 1 5 ,

1 4 6 5 , 1 2 7 7 , 1 1 1 2 , 1 0 6 9 , 9 8 0

f^l F - N M R ( C D C 1 (5 ) ： 5 6 . 8 , 8 7 . 1 ， — 9 1 0 1 H - N M R ( C D C 1 ₃，（5 ) ：

1 . 2 2 ( 6 H , t ， J 7 . 2 H z ) ,

3 2 2 ( 6 H , s ) ,

3 4 0 〜 3. 6 8 ( 8 H , m) ,

7 3 1 〜 7 . 3 3 ( 2 H， m) ，

7 5 6 〜 7. 5 9 ( 3 H , m)

であった。

〔実施例 3 5〕

実施例 3 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレート ' カリウム · 1 ， 2 —ジメトキシェ夕ン錯体 0 . 0 1 8 8 モルを仕込み、イオン交換水 5 0 m 1 に懸濁させた。また、 N， N —ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液（N , N —ジメチルァニリン · 塩酸塩の量は 0 . 0 2 0 7 モル） 2 0 m 1 を滴下ロートに仕込んだ。

次に、上記の懸濁液を攪拌しながら、滴下ロート内の N , N —ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液を室温で 3 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 3 0分間攪拌した。これにより、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をィォン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を減圧下で乾燥することにより、テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 ' エーテル錯体としての N, N— ジメチルァ二リニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 '

1 ， 2 — ジメトキシェ夕ン錯体を、白色の粉体として得た。

実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N, N— ジメチルァニリニゥ厶 ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · 1 ， 2 — ジメトキシェ夕ン錯体の収率は 9 3. 1 モル％であり、その純度は 9 9 % であった。

さらに、実施例 3 4 と同様の方法で算出したところ、 Ν， Ν— ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . 1 ， 2 — ジメトキシェタン錯体における Ν， Ν— ジメチルァニリニゥム - テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートと 1 ， 2 —ジメトキシェタンとのモル比は、 1 ： 1であった。

尚、 Ν, Ν— ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフエニル）ボレー卜 · 1 , 2 — ジメトキシェ夕ン錯体は、以下に示す各分析デ一夕

融点： 1 2 9 °C〜 1 3 1 °C

I R ( K B r , c m"¹) ： 2 9 5 2 , 2 9 0 8 , 1 6 4 6 , 1 5 1 7 ,

1 4 5 6 , 1 2 7 7 , 1 0 8 3， 9 7 8

1^,J F - NMR ( C D C 1 ₃, (5 ) : 5 6. 6， - 8 5. 5， — 9 0. 1 Ή - NMR ( C D C 1 ,, 5 ) : 3. 1 1 C 6 H , s ) .

3. 2 5 ( 6 H , s ) , 3. 4 2 ( H , s ) ，

7. 2 0〜 7. 5 0 ( 5 H , m)

により同定した。

〔実施例 3 6〕実施例 3 4 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレ一卜 - リチウム · 1 , 2 — ジメトキシエタン錯体 6 . 4 4 ミリモルを仕込むと共に、ァセトン 2 0 m 1 とィォン交換水 2 0 m 1 とを力 Π え、錯体を溶解した。また、 N , N ジメチルァニリン ' 塩酸塩水溶液 ( N , N ジメチルァニリン '塩酸塩の量は 7 . 0 8 ミリモル） 2 0 m 1 を滴下口一トに仕込んだ。

次に、上記反応容器の内容物を攪拌しながら、滴下ロート内の N , N ジメチルァニリン ·塩酸塩水溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1時間攪拌した。続いて、上記反応容器の内容物を、減圧下で 4 0てに加熱してアセトンを留去した後、イソプロピルエーテルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、該硫酸マグネシゥムを濾別した後、減圧下でイソプロピルエーテルを留去した。これにより、 N , N ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ■ 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン錯体を、淡黄色の油状物として得た。

実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . 1 ， 2 — ジメトキシェ夕ン錯体の収率は 8 2 . 8 モル％であり、その純度は 9 9 % であった。

〔実施例 3 7 〕

実施例 3 4 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレー卜 ' ナトリウム ' ジエチレングリコールジメチルェ一テル錯体 1 · 0 3 ミリモルを仕込むと共に、イオン交換水 1 0 m 】を加え、錯体を懸濁させた。また、 N， N —ジメチルァニリン . 塩酸塩水溶液（N ， N —ジメチルァニリン ' 塩酸塩の量は 1 . 2 3 ミリモル） 1 0 m l を滴下ロートに仕込んだ。

次に、上記反応容器の内容物を攪拌しながら、滴下ロー卜内の N , N ージメチルァニリン · 塩酸塩水溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1時間攪拌した。これにより、結晶が析出した。反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をイオン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を減圧下で乾燥することにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体としての N , N — ジメチルァ二リニゥム ■ テ卜ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ一ト ' ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体を、白色の粉体として得た c 実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N —ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜 ' ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体の収率は 8 9 . 3 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

さらに、実施例 3 4 と同様の方法で算出したところ、 N , N —ジメチルァニリニゥム - テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体における N , N —ジメチルァ二リニゥム ' テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレートとジェチレングリコールジメチルェ一テルとのモル比は、 1 ： 1 であった。

尚、 N , N —ジメチルァニリニゥム . テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート . ジエチレングリコ一ルジメチルェ一テル錯体は、以下に示す各分析データ

融点： 1 7 9 °C〜 1 8 0 °C I R (K B r , c m -') ： 2 9 4 0 , 2 9 0 4 , 1 6 4 4 , 1 5 1 5 ,

1 4 6 8 , 1 4 6 2 , 1 2 7 8 , 1 1 1 4 , 1 0 8 4 , 9 7 8

^{1 9} F - N M R ( C D C 1 ₃, (5 ) : — 5 6 . 8， - 8 7 . 1 ， — 9 1 . 0

' H — N M R ( C D C し， δ ) ： 3. 2 5 ( 6 H , s ) ,

3 . 3 8 ( 6 H， s ) , 3 . 4 1 〜 3 . 5 8 ( 4 H , m ) ,

3 . 5 9〜 3. 6 6 ( 4 H , m) ,

7 - 3 4 3 6 ( 2 H , m) ,

7 . 5 7 5 8 ( 3 H , m)

により同定した。

〔実施例 3 8〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' リチウム · 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体 6 . 4 4 ミリモルをァセトンに溶解してなるァセトン溶液 3 0 m 1 を仕込んだ。

上記反応容器の内容物を攪拌しながら 3 0分間加熱し、 1 ， 2 —ジメトキシェタンとアセトンとを蒸留装置によって反応系外に留去した。さらに、反応容器の内温が 1 0 0 °Cになるまで加熱した後、室温まで冷却した。

これにより、テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜としてのテトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート ' リチウムを淡黄色の油状物として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート · リチウムの収率は 9 5. 3 モル％であった。

〔実施例 3 9〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、実施例 3 5で得られた N， N—ジメチノレア二リニゥ厶 ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 '

1 ， 2 —ジメ卜キシェ夕ン錯体 5 . 3 4 ミリモルをアセトンとイオン交換水との混合溶媒（混合体積比 1 : 1 ) に溶解してなる溶液 4 0 m 1 を仕込んだ。

上記反応容器の内容物を攪拌しながら、反応容器の内温を 8 Q °Cまで上げ、 3 0分間、同温度 ( 8 0 °C) に保った後、同温度（ 8 0 °C) で減圧することにより、アセトンおよびイオン交換水と共に、 1 , 2 — ジメトキシェタンを反応系外に留去した。

これにより、 N， N—ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレートを、白色の粉体として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N—ジメチルァニリニゥム ' テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 9 3. 6 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 0 〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ル）ボレート - リチウム · 1 ， 2 ジメトキシェタン錯体 1 . 2 4 ミリモルをアセトンとイオン交換水との混合溶媒（混合体積比 1 ： 1 ) に溶解してなる溶液 2 0 m l を仕込んだ。また、 N， N—ジメチルァ二リン - 塩酸塩水溶液（N , N —ジメチルァニリン · 塩酸塩の量は 1 . 3 4 ミリモル） 1 0 m 1 を滴下ロートに仕込んだ。

上記反応容器の内容物を攪拌しながら、 N , N —ジメチルァニリン . 塩酸塩水溶液を室温で 1 0分間かけて滴下した後、さらに、同温度（室温）で 1 時間攪拌した。その後、反応容器の内温を 1 0 0 °Cまで昇温して、 3 0分間、同温度（ 1 0 0 °C ) に保ち、アセトンと 1 , 2 — ジメトキシエタンとを留去した。反応生成物をィソプロピルエーテル 2 0 m l で抽出した後、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。該硫酸マグネシゥムを濾別した後、減圧下でィソプロピルエーテルを留去した。

これにより、 N , N—ジメチルァニリニゥ厶 ' テトラキス（ペンタフルォロフヱニル）ボレートを、薄茶色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N, N—ジメチルァニリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 9 5. 6 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 1〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペンタフルォ□フエ二ル）ボレート ' カリウム · 1 ， 2 —ジメトキシェ夕ン錯体 0. 0 1 5 2 モルをァセ卜ンとイオン交換水との混合溶媒（混合体積比 1 : 1 ) に溶解してなる溶液 1 0 0 m 1 を仕込んだ。また、 N， N—ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液（N， N—ジメチルァニリン · 塩酸塩の量は 0. 0 1 6 7 モル） 2 0 m 1 を滴下ロートに仕込んだ。

上記反応容器の内容物を攪拌しながら、反応容器の内温を 9 0 °Cまで昇温し、同温度（ 9 0 °C) で 9 0分間攪拌して、アセトンと 1 , 2 —ジメトキシェタンとを留去した。

次に、 N， N—ジメチルァニリン · 塩酸塩水溶液を同温度（ 9 0 °C) で 3 0分間かけて滴下した。反応容器の内温を室温まで冷却して結晶を析出させた後、反応容器の内容物を吸引濾過して析出した結晶を集め、集めた結晶をィォン交換水 1 0 0 m l で洗'净した。

そして、洗浄後の結晶を 9 ϋ で減圧乾燥することにより、 Ν， Ν— ジメチルァニリニゥム . テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを、淡黄色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、 N , N — ジメチルァニリニゥ厶 ' テトラキス（ペンタフノレオロフヱニル）ボレー卜の収率は 9 4 . 0 モル％であり、その純度は 9 9 %であった o

〔実施例 4 2〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 ' ナトリウム · 1 , 2 —ジメトキシエタン錯体 0 . 0 1 0 3 モル、および、イオン交換水 5 0 m 1 を仕込み、攪拌して懸濁液を得た。

続いて、上記懸濁液を攪拌しながら加熱し、蒸留装置を通して 1 ， 2 ージメトキシエタンを留出させた。これにより、テトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレートとしてのテ卜ラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート，ナトリゥムを水溶液の状態で得た。

上記水溶液を 5 5 °Cまで冷却した後、反応容器の蒸留装置を還流冷却器に切り替えると共に、カチオン種発生化合物としての臭化テトラフエニルフォスフォニゥム 0 . 0 1 0 3 モルとアセトン 6 0 m 1 とを上記水溶液に加え、攪拌して懸濁液を得た。

上記懸濁液を攪拌しながら加熱し、 1 . 5時間かけて還流を行った。さらに、還流温度で、反応容器の還流冷却器を蒸留装置に切り替え、溶媒を 3 5 . 4 g留出させた。反応容器の内温を室温まで冷却して結晶を析出させた後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をイオン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を 8 0てで'减圧乾燥することにより、テトラフェニルフォスフォニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを、白色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、テトラフェニルフォスフォニゥム ' テトラキス（ペン夕フノレオ口フエニル）ボレー卜の収率は 9 6 . 3モル％であり、その純度は 9 9 % であった。

〔実施例 4 3〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テ卜ラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 . ナトリウ厶 · 1 , 2 —ジメトキシェ夕ン錯体 0 . 0 1 5 モル、および、イオン交換水 5 0 m 1 を仕込み、攪拌して懸濁液を得た c 続いて、上記懸濁液を攪拌しながら加熱し、蒸留装置を通して 1 , 2 —ジメトキシェ夕ンを留出させた。これにより、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレート · ナトリゥムを水溶液の状態で得た。

上記水溶液を室温まで冷却した後、カチオン種発生化合物としてのキノリン · 塩酸塩 0 . 0 1 6 モルを含む水溶液を上記水溶液に加え、 1 時間攪拌した。その後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をイオン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を 8 0 °Cで減圧乾燥することにより、キノリニゥ厶 - テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを、白色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、キノリニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 8 2 . 3 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 4〕

実施例 4 3 におけるキノリン · 塩酸塩の水溶液の代わりに、カチオン種発生化合物としてのヨウ化一 N —メチルピリジン 0 . 0 1 6 モルを含む水溶液を用いた以外は、同実施例の反応および操作と同様の反応および操作を行った。これにより、 N —メチルピリジニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートを、白色の結晶として得た。実施例

3 1 と同様の方法で分析したところ、 N —メチルピリジニゥム ■ テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 5 4 . 7 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 5〕

実施例 4 3 におけるキノリン，塩酸塩の水溶液の代わりに、カチオン種発生化合物としてのヨウィ匕トリメチルスルフォニゥム 0 . 0 1 6 モルを含む水溶液を用いた以外は、同実施例の反応および操作と同様の反応および操作を行った。これにより、卜リメチルスルフォ二ゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートを、白色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、トリメチルスルフォニゥム ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜の収率は 8 9 . 5 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 6〕

実施例 3 1 と同様の反応容器に、テトラキス（ペン夕フルオロフヱ二ノレ）ボレー卜 - ナトリウム . 1 ， 2 —ジメ卜キシェ夕ン錯体 0 . 0 1 7 モル、および、イオン交換水 5 0 m 1 を仕込み、攪拌して懸濁液を得た ( 続いて、上記懸濁液を攪拌しながら加熱し、蒸留装置を通して 1 , 2 —ジメトキシエタンを留出させた。これにより、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレー卜 · ナトリゥムを水溶液の状態で得た。

上記水溶液を室温まで冷却した後、カチォン種発生化合物としての塩ィ匕ジフヱニルョードニゥ厶 0 · 0 1 6モルを上記水溶液に加え、 3時間攪拌した。その後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をィォン交換水で洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を 8 0 てで'减圧乾燥することにより、ジフエ二ノレョードニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜を、白色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、ジフヱニルョ一ドニゥム . テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレー卜の収率は 9 2 . 3 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。

〔実施例 4 7 〕

実施例 4 6の操作と同様の操作を行うことにより、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー卜 ' ナトリウムを水溶液の状態で得た。上記水溶液を 1 0 0 °Cで'减圧乾固することにより、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート · ナトリウム 1 1 . 9 gを固体の状態で得た c 次に、上記固体を n —へキサン 2 0 0 m l に懸濁させた後、該懸濁液に、カチオン種発生化合物としてのトリチルクロライド 0 . 0 1 9 モルを加え、還流温度で 6時間攪拌した。上記懸濁液を室温まで冷却した後、反応容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓をジクロロメタンに溶解させた。

そして、濾滓に含まれる不溶物（沈殿物）を吸引濾過して除去した後、得られた濾液を減圧濃縮した。次いで、濃縮物に、結晶が析出するまで n —へキサンを添加した。 1 6時間静置した後、容器の内容物を吸引濾過し、得られた濾滓を n —へキサンで洗浄した。

そして、洗浄後の濾滓を 8 0 °Cで減圧乾燥することにより、トリチル ' テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートを、黄色の結晶として得た。実施例 3 1 と同様の方法で分析したところ、トリチル . テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレートの収率は 3 0 . 6 モル％であり、その純度は 9 9 %であった。尚、発明を実施するための最良の形態の項においてなした具体的な実施態様または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。産業上の利用可能性

本発明にかかる製造方法によって得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体、並びにテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体は、例えば、カチォン錯体重合反応に供されるメ夕口セン触媒（重合触媒）の助触媒；シリコーンの光重合用触媒：光化学的活性ィ匕または電子ビーム照射による、官能性ポリマーまたはモノマーの重合に供されるカチオン重合開始剤；各種テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート誘導体を製造するための中間体；等として有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 一般式（ 1 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R !。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート . マグネシウムハライドを、カルボン酸アルカリ金属塩およびまたはカルボン酸アルカリ土類金属塩で処理することを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 · マグネシウムハライドの精製方法。

2 . カルボン酸アルカリ金属塩が、飽和脂肪族モノカルボン酸のアル力リ金属塩、飽和脂肪族ジカルボン酸のモノまたはジァルカリ金属塩、不飽和脂肪族モノカルボン酸のアルカリ金属塩、不飽和脂肪族ジカルボン酸のモノまたはジアルカリ金属塩、芳香族モノカルボン酸のアル力リ金属塩、並びに、芳香族ジカルボン酸のモノまたはジアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属塩であることを特徴とする求項 1記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート . マグネシウムハライドの精製方法。

3 . カルボン酸アルカリ土類金属塩が、飽和脂肪族モノカルボン酸のアル力リ土類金属塩、飽和脂肪族ジカルボン酸のアル力リ土類金属塩、不飽和脂肪族モノカルボン酸のアル力リ土類金属塩、不飽和脂肪族ジカルポン酸のァルカリ土類金属塩、芳香族モノ力ルポン酸のァルカリ土類金属塩、並びに、芳香族ジカルボン酸のアルカリ土類金属塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属塩であることを特徴とする請求項 1 記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ■ マグネシウムハライドの精製方法。

4 . テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜 ' マグネシウムハライドが、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート · マグネシウムブ口マイドであることを特徵とする請求項 1記載のテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' マグネシゥムハライドの精製方法。

5 . 請求項 1記載の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール ) ボレート化合物と、一価のカチオン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする一般式（ 2 )

(式中、 R , 〜 R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

6 . 一価のカチオン種が、アン乇ニゥム陽イオン、ァニリニゥム陽ィオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥム陽イオン、フォスフォニゥム陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョードニゥム陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽ィオンであることを特徴とする請求項 5記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

7 . —価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥ厶化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョ一ドニゥ厶化合物、および、カルべニゥム化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 5記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法 _c

8 . —価のカチオン種を発生する化合物が、トリ — n —プチルァミン -塩酸塩、 N , N — ジメチルァニリン ' 塩酸塩、 N， N — ジメチルァニリン · 硫酸塩、キノリン ' 塩酸塩、ヨウ化一 N —メチルピリジン、臭化テトラフェニルフォスフォニゥ厶、ヨウィ匕卜リメチルスノレフォニゥム、塩化ジフエ二ルョードニゥム、および、卜リチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 5 記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

9 . 一般式（ 1 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 〜R !。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、 n は 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドを、酸で処理することを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシゥムハライドの精製方法。

1 0 . 酸が、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、炭酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シユウ酸、マロン酸、および、コハク酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸であることを特徴とする請求項 9記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 - マグネシゥムハライドの精製方法。

1 1 . テトラキス（フツイヒアリール）ボレー卜 . マグネシウムハライドが、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレート . マグネシウムブロマイドであることを特徴とする請求項 9記載のテトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート ' マグネシゥムハライドの精製方法。

1 2 . 請求項 9記載の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリ一ル）ボレート化合物と、一価のカチオン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする一般式（ 2 ) 1 o

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺！〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜 R】。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

1 3 . 一価のカチオン種が、アンモニゥム陽イオン、ァニリニゥム陽イオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥム陽イオン、フォスフォニゥ厶陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョ一ドニゥ厶陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽イオンであることを特徴とする請求項 1 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

1 4 . 一価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥ厶化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョードニゥム化合物、および、カルべニゥム化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徵とする請求項 1 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

1 5 . —価のカチオン種を発生する化合物が、トリー n—ブチルアミン · 塩酸塩、 N， N — ジメチルァニリン · 塩酸塩、 N , N — ジメチルァ二リン . 硫酸塩、キノリン ' 塩酸塩、ヨウ化— N —メチルピリジン、臭ィ匕テトラフェニルフォスフォニゥム、ヨウィ匕トリメチルスルフォニゥム、塩化ジフエ二ルョ一ドニゥム、および、卜リチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 1 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

1 6 . 一般式（ 1 )

(式中、 R ₁ 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺】〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、 n は 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート . マグネシウムハライドを、酸で処理した後、アルカリ金属水酸化物および/またはアル力リ土類金属水酸化物で処理することを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · マグネシゥムハラィドの精製方法。

1 7 . テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレート · マグネシウムノ、ライド力く、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . マグネシウムブロマイドであることを特徴とする請求項 1 6記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 . マグネシゥムハライドの精製方法。

1 8 . 請求項 1 6記載の精製方法で得られるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート化合物と、一価のカチオン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする一般式（ 2 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜 R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 〜 R !。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z ⁺ は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

1 9 . —価のカチオン種が、アンモニゥム陽イオン、ァニリニゥム陽イオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥ厶陽イオン、フォスフォニゥム陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョードニゥム陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽イオンであることを特徴とする請求項 1 8記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

2 0 . —価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥム化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョードニゥム化合物、および、カルべニゥム化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 1 8記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

2 1 . —価のカチオン種を発生する化合物が、トリ _ n—ブチルアミン ' 塩酸塩、 N， N — ジメチルァニリン ' 塩酸塩、 N， N — ジメチルァ二リン . 硫酸塩、キノリン '塩酸塩、ヨウ化— N —メチルピリジン、臭ィ匕テ卜ラフェニルフォスフォニゥム、ヨウィ匕トリメチルスルフォニゥム、塩化ジフエ二ルョ一ドニゥム、および、トリチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 1 8記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

2 2 . —般式（ 1 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺 , 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ ~ R，oのうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 · マグネシウムハラィドを、酸で処理した後、カルボン酸アル力リ金属塩およびノまたは力ルポン酸アルカリ土類金属塩で処理することを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' マグネシウムハライドの精製方法。

2 3 . テトラキス（フツイヒアリール）ボレート · マグネシウムハライドが、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート ' マグネシウムプロマイドであることを特徴とする請求項 2 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' マグネシウムハライドの精製方法。 .

2 4 . 請求項 2 2記載の精製方法で得られるテトラキス（フツイヒアリール）ボレート化合物と、一価のカチォン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする一般式（ 2 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

2 5 . —価のカチオン種が、アンモニゥム陽イオン、ァニリニゥム陽イオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥム陽イオン、フォスフォニゥム陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョードニゥム陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽イオンであることを特徴とする請求項 2 4記載のテトラキス（フッ化ァ 0 6 リール）ボレー卜誘導体の製造方法。

2 6. —価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥム化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョ— ドニゥム化合物、および、カルべニゥム化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 2 4記載のテトラキス（フッ化ァリ —ル）ボレート誘導体の製造方法。

2 7. —価のカチオン種を発生する化合物が、トリー n—ブチルアミン - 塩酸塩、 N, N— ジメチルァニリン ' 塩酸塩、 N, N— ジメチルァ二リン ' 硫酸塩、キノリン ' 塩酸塩、ヨウ化— N—メチルピリジン、臭ィ匕テトラフェニルフォスフォニゥム、ヨウィ匕トリメチルスルフォニゥム、塩化ジフエ二ルョードニゥム、および、トリチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徵とする請求項 2 記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

2 8. 一般式（ 4 )

(式中、 R ₃ 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R _{I D}のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R n、 R ₁₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、了ルカリ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されることを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体。

2 9 . 一般式（ 5 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R _s 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアル力リ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、アル力リ金属またはアル力リ土類金属ハライドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フツイヒアリール）ボレートを、一般式（ 6 )

R 0——Y— 0— R ( 6 )

11 12

(式中、 R n、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表す）で表されるエーテル化合物と反応させることを特徴とする一般式（ 4 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該1^ 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R i。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R H、 R！ ₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハラィドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、 7 ルカリ金属またはアルカリ土類金属ハライドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体の製造方法。

3 0 . テトラキス（フツイ匕ァリール）ボレートが、テトラキス（ペン夕フルオロフヱニル）ボレートの水素化合物、テトラキス（ペンタフルオロフヱニル）ボレート ' マグネシウムブロマイド、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレート . リチウム、テトラキス（ペン夕フルォ口フエニル）ボレー卜 . ナトリウム、または、テトラキス（ペン夕フルオロフェニル）ボレー卜 · カリウムであることを特徴とする請求項 2 9 記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体の製造方法。

3 1 . エーテル化合物が、エチレングリコ一ルジアルキルエーテル、エチレングリコールジシク口アルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル、および、エチレングリコールジァリールエーテルからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 2 9記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート · エーテル錯体の製造方法。

3 2 . —般式（ 4 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該？^ 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該尺 ₆ 〜R 。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R 、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、 Ύ ルカリ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体と、一価のカチォン種を発生する化合物とを出発物質とすることを特徴とする一般式（ 2 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z ⁺ は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）

3 3 . —価のカチオン種が、アンモニゥム陽イオン、ァニリニゥム陽イオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥ厶陽イオン、フォスフォニゥム陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョ一ドニゥム陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽イオンであることを特徴とする請求項 3 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

3. 4 . —価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥム化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョードニゥム化合物、および、カルべニゥム化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 3 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

3 5 . —価のカチオン種を発生する化合物が、卜リー n ブチルアミン · 塩酸塩、 N， N —ジメチルァニリン ' 塩酸塩、 N， N —ジメチルァ二リン ' 硫酸塩、キノリン ' 塩酸塩、ヨウィヒ - N —メチルピリジン、臭ィ匕テトラフェニルフォスフォニゥム、ヨウィ匕卜リメチノレスノレフォニゥム、塩化ジフエ二ルョードニゥム、および、トリチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 3 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。 3 6 . 一般式（ 6 )

R 0— Y— 0— R …… （ 6 )

11 12

(式中、 R u、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表す）で表されるエーテル化合物を反応系外に除去する工程を含むことを特徴とする請求項 3 2記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

3 7 . エーテル化合物が、エチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールジシク口アルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル、および、エチレングリコールジァリールエーテルからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 3 6記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体の製造方法。

3 8 . 上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレート ' エーテル錯体から上記エーテル化合物を除去して一般式（ 5 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜 R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアル力リ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、アル力リ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートを得た後、上記テ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレートと、上記の一価のカチオン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする請求項 3 6記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

3 9 . 上記テトラキス（フツイヒアリール）ボレート . エーテル錯体と、上記の一価のカチオン種を発生する化合物とを反応させて一般式（ 7 )

(式中、 R ，〜R！。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R _S のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R 、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 . エーテル错体を得た後、上記テトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 · ェ一テル錯体から上記エーテル化合物を除去することを特徴とする請求項 3 6記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体の製造方法。

4 0 . 一般式（ 4 )

(式中、〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該尺〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R u、 R , ₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハラィドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、ァルカリ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体から一般式（ 6 )

R 0— Y——0——R ( 6 )

11 12

(式中、 R ^、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表す）で表されるエーテル化合物を除去することを特徴とする一般式（ 5 )

(式中、 R 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアル力リ土類金属ハライドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、アルカリ金属またはアル力リ土類金属ハライドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレートの製造方法。

4 1 . —般式（ 4 )

(式中、 R】〜R !。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺 > 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1 ₆ 〜R !。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、い R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Mは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属ハラィドを表し、 nは 2 または 3であり、 mは Mが水素原子、ァルカリ金属またはアル力リ土類金属ハラィドである場合に 1 、アルカリ土類金属である場合に 2である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜 ' エーテル錯体と、一価のカチォン種を発生する化合物とを反応させることを特徴とする一般式（ 7 )

〔式中、〜R i。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該1 ₃ 〜R ₅ のうちの/」ノ、なくとも一つはフッ素原子であり、該 R _s 〜R !。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R 、 R _{1 2}はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 ' エーテル錯体の製造方法。

4 2 . —価のカチオン種が、アンモニゥ厶陽イオン、ァニリニゥ厶陽イオン、ピリジニゥム陽イオン、キノリニゥム陽イオン、フォスフォニゥム陽イオン、スルフォニゥム陽イオン、ョードニゥム陽イオン、および、カルべ二ゥム陽イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陽イオンであることを特徴とする請求項 4 1記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 . エーテル錯体の製造方法。

4 3 . 一価のカチオン種を発生する化合物が、第四アンモニゥム化合物、含窒素芳香族複素環化合物、第四フォスフォニゥム化合物、スルフォニゥム化合物、ョードニゥム化合物、および、カルべニゥ厶化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 4 1記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体の製造方法。

4 4 . 一価のカチオン種を発生する化合物が、トリ — n —ブチルアミン · 塩酸塩、 N， N— ジメチルァニリン ' 塩酸塩、 N , N —ジメチルァ二リン · 硫酸塩、キノリン - 塩酸塩、ヨウ化— N —メチルピリジン、臭ィ匕テトラフエ二ノレフォスフォニゥム、ヨウ化卜リメチルスルフォニゥム、塩化ジフヱ二ルョードニゥム、および、トリチルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項 4 1記載のテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体の製造方法。

4 5. 一般式（ 7 )

(式中、 R , 〜R！。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 R ₆ 〜： ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R n、 R ₁₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Z ⁺ は一価のカチオン種を表し、 nは 2または 3である）

で表されることを特徴とするテトラキス（フッ化ァリール）ボレート誘導体 · エーテル錯体。

4 6. 一般式（ 7 )

(式中、 R , 〜R ,。はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該 R , 〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該1¾ ₆ 〜R i。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 R H、 R ₁₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表し、 Z ⁺ は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3である）

で表されるテ卜ラキス（フッ化ァリール）ボレー卜誘導体 ' エーテル錯体から一般式（ 6 )

R -0——Y— 0——R ( 6 )

11 12

(式中、 R n、 R，₂はそれぞれ独立してヘテロ原子を含む置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 Yは炭化水素二価基を表す）で表されるエーテル化合物を除去することを特徴とする一般式（ 2 )

(式中、 R , 〜R _{ι η}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該尺，〜R ₅ のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、該 ₆ 〜R ,。のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、 Z + は一価のカチオン種を表し、 nは 2 または 3 である）