WO1987005742A1 - Process for producing transparent conductive film - Google Patents

Process for producing transparent conductive film Download PDF

Info

Publication number
WO1987005742A1
WO1987005742A1 PCT/JP1987/000152 JP8700152W WO8705742A1 WO 1987005742 A1 WO1987005742 A1 WO 1987005742A1 JP 8700152 W JP8700152 W JP 8700152W WO 8705742 A1 WO8705742 A1 WO 8705742A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
conductive film
transparent conductive
high speed
producing transparent
Prior art date
Application number
PCT/JP1987/000152
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoichi Murayama
Tetsuya Nomachi
Original Assignee
Tobi Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tobi Co., Ltd. filed Critical Tobi Co., Ltd.
Priority to DE8787901677T priority Critical patent/DE3781988T2/de
Publication of WO1987005742A1 publication Critical patent/WO1987005742A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/086Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a transparent conductive film. More specifically, the background of the present invention relates to a method for producing a high-speed, high-quality transparent conductive film by using the ion plating method.
  • conductive films made of plastic and the like application to various application fields such as antistatic, electromagnetic shield, touch panel, and display element is expected.
  • a method of imparting conductivity to the organic polymer itself and a method of imparting a metal or metal oxide on the surface of a film such as plastic are used.
  • a method of forming a conductive film by forming a thin film of such a conductive substance There is already known a method of forming a conductive film by forming a thin film of such a conductive substance.
  • An object of the present invention is to provide an efficient method for producing a high-quality transparent conductive film without such problems. More specifically, the present invention provides a method for producing a transparent conductive film at a high speed by using a winding method and a roll winding method of a film. . Disclosure of the invention
  • this method comprises producing a transparent conductive film by a high-speed ion plating method using a pressure gradient type discharge.
  • a fast reading method for example, the outgoing file
  • a thin film of a conductive material such as indium oxide, tin oxide, ITO, etc. is formed on the surface of the film moving at a high speed sent from the film roll, and the transparent conductive film obtained in the next step is obtained.
  • the film is wound on a roll.
  • an intermediate electrode is interposed between the cathode and the anode, and the discharge is performed while maintaining the cathode region at about 10 Hrr around the anode region 1 Torr.
  • This discharge method for ion plating has already been proposed (for example, "Vacuum”, Vol. 27, No. 2, p. 64 (1998)).
  • the plasma flow from the plasma source is fired in a horizontal direction, and the plasma is converged on the hearth by being bent at a right angle just above the hearth placed upward, thereby forming a thin film.
  • Raw material for the process is ionized and dry-coated on the surface of the workpiece
  • This method has the following advantages: the plasma gun is dirty, the reaction speed is large, the thin film is uniform, and the adhesion strength of the thin film is large.
  • FIG. 1 is a view showing an example of an apparatus used for a method for producing a transparent conductive film of the present invention.
  • (1) is a vacuum chamber, which is kept airtight by Berja (2), and the vacuum chamber is evacuated by a vacuum pump.
  • a reaction gas introduction chamber is provided, and inside the bell jar (2), a hearth (3) of a raw material for the conductive transparent thin film, a pressure gradient type plasma gun (4), and a film are provided.
  • a delivery roll (5) and a transparent conductive film winding roll (6) are provided, and if necessary, a guide roll (7) and a cooling means (8) Is provided.
  • the figure shows a cross section of a box-shaped belger, but the shape and structure of the belger are not limited to this.
  • the roll part or the roll part and the cooling means, the hearth part can be opened and closed on the side wall of the bell jar, so that it can be freely inserted and removed from the side of the bell jar.
  • a slit is formed on the side wall of the bell jar, the film is moved in and out, and a pre-processing part such as a plasma bombarding process connected to the thin film forming part, and a film in the post-processing part Means of transport can also be used.
  • a high frequency (RF) excited plasma means may be provided in the space above the hearth, and means for applying a negative voltage to the upper surface of the film may be provided.
  • RF radio frequency
  • the process conditions are as follows. .
  • the high-speed (for example, 8 to 3 Om / min) winding method of the present invention includes polyester, tataba PET (polyethylene terephthalate), polysulfone, and polyimide. Any other heat resistant film may be used.
  • Foundation The thickness of the film varies depending on the application of the transparent conductive film, but can be selected from a wide range of 5 to 250 m. The width of the film is preferably about 1.5 m or less.
  • conductive oxides such as indium oxide, tin oxide, and ITO can be used, and other suitable materials can be used.
  • Pressures of the reaction 1 X 1 0 _5 ⁇ 1 Q _ 1 ] orr, is properly especially preferred 7 ⁇ 9 X 1 0 _4 Torr Dearu.
  • oxygen is introduced into the bell jar within a range of 5 ⁇ 10 -4 to 710 -4 Torr.
  • the temperature is 150 or less, the discharge voltage is 50 to 100 V, and the current varies depending on the evaporant.
  • Film transfer and winding speed is 18 mZ min.
  • the reaction was performed under the following process conditions.
  • test (1) a transparent film having a thickness of about 1300 and a parallel light transmittance of 550 ⁇ of 83% (87% of blank) was obtained.
  • the resistance of the film was between 140 and 144 ⁇ .
  • This transparent conductive film is suitable as a material for electronic and electrical devices such as prevention of electric current, electromagnetic shielding, and touch panel display elements.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

明 細
TO 害 透明導電性フ ィ ルムの製造方法 技術分野
本発明は、 透明導電性フ ィ ルムの製造方法に閲する 。 さ らに詳し く は、 ィ ォンプレーテ ィ ング法を用ぃて、 高速度 で、 高品質の透明導電性フ ィ ルムを製造する方法に関する 背景技術
プラチ ッ ク等からなる導電性フ ィ ルムにっぃては、 帯電 防止、 電磁波シール ド 、 タ ッ チパネル、 表示素子等の多様 な用途分野への応用が期待されてぃる 。 このょ ぅ な導電性 フ ィ ルムを得るために、 有機ポリ マ一そのものに導電性を 付与する方法と と も に、 プラスチ ッ ク等のフ ィ ルムの表面 上に金属、 または金属酸化物などの導電性物質の薄膜を形 成して導電性フ ィ ルムとする方法がすでに知られてぃる 。
しか しながら 、 有機ポリ マーそのものに導電性を付与す る方法はぃまだ基礎的な検討の段階にぁる 。 また、 実用化 が期待されてぃる導電性物質の薄膜を形成する方法にっぃ て も 、 ぃまだに多く の問題が未解決の現状にぁる 。
すなゎち、 この薄膜形成の方法にっぃては、 真空蒸着、 スノ、。 ッ タ リ ング、 ホロカソ一 ド ■ ィ ォンプレ一テ ィ ングな どにょ る方法を用ぃ、 プラスチ ッ ク等のフ ィ ルムのロール からフ ィ ルムを送 り 出 し、 フ ィ ルム表面上に薄膜を形成し た後に、 別のロールに卷き取る方式にょ って行ぅ こ とが提 案されてぃるが、 薄膜形成の反応性が良好でなぃため生産 効率が悪く 、 しかもカソー ド等の反応製造装置の汚れが避 けられず、 熟安定性を欠き 、 プラスチ ッ ク等の基板フ ィ ル ムそのものの発熟も避けられなぃと ぃ ぅ 重大な問題がぁる このため、 導電性の優れた薄膜のフ ィ ルム基板への密着性 ゃ耐久性、 薄膜品質の均ー性の良好な導電性フ ィ ルムを効 率良く 製造する こ と はでき なかった。
また、 さ らに、 機能性フ ィ ルムと しての実用的発展に欠 く こ と のでき なぃ透明性に優れたフ ィ ルムも得られてぃな かった。
本発明は、 このょ ぅ な問題のなぃ、 効率的な、 高品質の 透明導電性フ ィ ルムの製造方法を提供する こ と を 目的と し てぃる 。 さ らに詳しく は、 ィ ォンプレーテ ィ ング法を用ぃ て、 フ ィ ルムのロ一ル卷取 り方式にょ って、 高速度で透明 導電性フ ィ ルムを製造する方法を提供する ものでぁる 。 発明の開示
本発明の構成にっぃて説明する と 、 この方法は、 圧カ勾 配型放電を用ぃた高速ィ ォンプレーテ ィ ング法にょ って透 明導電性フ ィ ルムを製造する こ と からな り 、 この高速ィ ォ ンプレーテ ィ ング法にょって、 たと ぇば、 送 り 出 しフ ィ ル ムロールから送 り 出された高速度で移動する フ ィ ルムの表 面上に酸化ィ ンジューム、 酸化スズ、 I T O、 などの導電 性物質の薄膜を形成し、 次ぃで得られた透明導電性フ ィ ル ムをロールに巻取る こ と を特徴と してぃる 。
圧カ勾配型の放電は、 陰極と陽極との間に中間電極を介 在さ せ、 陽極領域 1 T o r r前後に、 かっ陰極領域を 1 0 H r.r程度に保って放電を行ぅ ものでぁ り 、 この放電方式を ィ ォンプレーテ ィ ングに用ぃる こ と はすでに提案されてぃ る ( た と ぇば 「 真空」 第 2 7 卷、 第 2 号、 6 4頁 ( 1 984 年) ) 。
このィ ォンプレ一テ ィ ングの方法は、 プラズマ源からの プラズマ流を水平方向に発射させ、 上向き に置ぃたハース の真上で直角に曲げてハース上にプラズマを収束させ、 薄 膜形成のための原料物質をィ ォン蒸気化して 、 被処理物表 面に ドラィ コーテ ィ ングを行ぅ ものでぁる
この方法にょ る場合には、 プラズマガンが汚れなぃ、 反 応速度が大き ぃ、 薄膜が均質になる 、 薄膜の密着強度が大 き ぃと ぃ ぅ 利点がぁる 。
この圧カ勾配型放電にょ る ィ ォンプレーテ ィ ングにっぃ てはこれまで実用技術、 実用化装置と しての検討は十分ま でなく 、 特に移動する物品、 ぁる ぃはフ ィ ルム状物への ド ラィ コーテ ィ ングにっぃてはも ちろんのこ と 、 透明導電性 フ ィ ルムの高速製造に用ぃる こ と 、 ぉょびそのための方式 ゃプロセス諸条件の選択にっぃては何ら知られてぃなかっ たが、 本発明がはじめて、 これらのこ と を実現した。
図面の簡単な説明
第 1 図は、 本発明の透明導電性フ ィ ルムの製造方法に用 ぃる装置の一例を示す図でぁる 。
発明を実施するための最良の形態
本発明を ょ り 詳細に説明する ために 、 以下添附図面に 従ってこれを説明する 。
図中の ( 1 ) は真空室で、 べルジャ ( 2 〉 にょ って気密 に保たれてぃる 。 真空室は真空ポンプにょ って排気する 。 べルジャ ( 2 ) には、 真空排気ロ と と も に、 反応ガス導入 ロを設ける 。 また、 べルジャ ( 2 ) の内部には、 導電性透 明薄膜の原料物質のハース ( 3 ) 、 圧カ勾配型プラズマガ ン ( 4 ) 、 フ ィ ルム送 り 出 し ロ一ル ( 5 〉 、 透明導電性 フ ィ ルム卷取 り ロール ( 6 ) を設ける 。 さ らに適宜、 必要 にょ り 、 ガィ ドロ一ル ( 7 ) 、 冷却手段 ( 8 ) を設ける 。
図は、 ボッ ク ス型のべルジャの断面を示 してぃるが、 べ ルジャの形状 · 構造がこれに限定される こ とはなぃ。
ロール部にっぃては回転駆動させ、 冷却手段を設ける場 合には、 水冷、 空冷等にょ って行ぅ 。 ま た、 蒸発源材料の 種類ゃ生産効率等を考盧して、 蒸発源には抵抗加熱、 電子 ビームの加熱、 高周波加熱等の強制加熱手段を適宜に用ぃ る こ とができ る 。
ロ一ル部、 またはロール部と冷却手段、 ぁる ぃはハース 部を 、 べルジャ側壁を開閉でき る ょ ぅ に して、 べルジャに 対 して横方向から出 し入れ自在と して も ょ ぃ。
も ちろん、 本発明の方法の実施は、 このょ ぅ な装置に限 定される ものではなぃ。
た と ぇば、 ロール部は必ずしもべルジャ内部に設ける必 要はなぃ。 べルジャ側壁にス リ ッ ト を形成して 、 フ ィ ルム を出入れ し、 薄膜形成部に連設 したプラズマ · ボンバー ド 処理等の前処理部、 ぁる ぃは後処理部のフ ィ ルム移動手段 を用ぃる こ と もでき る 。
また、 ハースの上部空間に高周波 ( R F ) 励起プラズマ 手段を設ける こ とゃ、 フ ィ ルムの上面に負電圧を印加する 手段を設ける こ と もでき る 。
図に示 したょ ぅ な高速のフ ィ ルム · ィ ォンプレ一テ ィ ン グ装置を用ぃて透明導電性フ ィ ルムを製造する場合、 プロ セス諸条件等は次のょ ぅ なものとする 。
本発明の高速 ( たと ぇば 8〜 3 O m /分 ) 卷取 り にょ る 製造方法には、 ポリヱステル、 たと ぇば P E T ( ポ リェチ レンテレフ タ レー ト ) 、 ポリ サルフ ォ ン、 ポリ ィ ミ ド、 そ の他の耐熱性フ ィ ルムの任意の も のが使用でき る 。 基扳 フ ィ ルムの厚さは透明導電性フ ィ ルムの用途にょ って相違 するが、 5〜 2 5 0〃 m の広ぃ範囲で選択でき る 。 また、 フ ィ ルムの幅は、 約 1.5 m以下と するのが好ま しぃ。
透明の導電性薄膜と しては酸化ィ ンジゥム、 酸化スズ、 I T Oなどの導電性酸化物、 ぁる ぃはその他適宜のものを 用ぃる こ と ができ る 。
. 反応の圧カは、 1 X 1 0 _5〜 1 Q _ 1】orr、 特に好ま しく は 7〜 9 X 1 0 _4Torrでぁる 。 酸化物薄膜とするため、 酸 素を 5 X 1 0 _4〜 7 1 0 _4Torrの範囲でべルジャ内に導 入する 。 溫度は 1 5 0 以下、 放電の電圧は 5 0〜 1 0 0 V、 電流は、 蒸発物質にょ って変更する 。
本発明の方法にょ って 、 光透過率の減少が極めて小さ ぃ 透明性に優れた、 高導電性のフ ィ ルムが、 たと ぇば、 8〜 3 0 m Z分と ぃ ぅ 高速度で製造する こ とが可能と なる 。 こ のょ ぅ な優れた効果は、 これまでの技術からはま った く予 期しぇなかっ たこ と でぁる 。
以下、 本発明の方法の実施例を説明する 。
実施例
フ ィ ルム幅 2 5 '0 ,の P E T ( ポリェチレンテレフ タ レ ー ト ) フ ィ ルムを用ぃて透明導電性フ ィ ルムを製造 した 蒸発原料と しては 5 % S p 02 含有の I T Oを用ぃた。 この原料を装入 したハースと フ ィ ルムと の距離は 4 Ο αηと した。 なぉ冷却手段は用ぃなかった。
フ ィ ルムの移行 · 卷取 り速度は 1 8 m Z分と し
反応は次のプロセス条件にぉぃて行った。
(1) 放 電 2 5 0 A / 7 0 V
ァルゴン圧カ 7.5 1 0 _4ΤθΓΓ
酸 素 圧 カ X 1 0 -4 Torr
(2) 放 電 2 4 0 x 6 5 V
ァルゴン圧カ 8.5 X 0 -4 酸 素 圧 カ 1.0 X 1 0 3 °Torr
試験(1) の場合、 膜厚約 1 3 0 0 で 、 5 5 0 ηηιの平行 光線透過率 8 3 % ( Ρ Ε Τブラ ンク 8 7 % ) の透明フ ィ ル ムを得た。 フ ィ ルムの抵抗は 1 4 0 〜 1 4 6 Ωノ□でぁっ た。
試験 (2) の場合 も 、 同様の透過率の フ ィ ルム を得た。 フ ィ ルムの抵抗は、 1 8 0〜 2 1 0 Ω /□でぁった。
産業上の利闭可能性
以上のょ ぅ に、 本発明の方法にょ り 、 高速度、 高品質で の透明導電性フ ィ ルムの製造が実現される 。 この透明導電 性フ ィ ルムは、 蒂電防止、 電磁波シ一ル ド 、 タ ッチパネル 表示素子等の電子 · 電気機器用の材料と して適したもので ぁる 。

Claims

請 求 の 範 囲 . プラスチ ッ ク フ ィ ルムを高速移動させ、 このフ ィ ルム の表面に、 圧カ勾配型放 にょ る ィ ォンプレ一テ ィ ング にょ って導電性薄膜を形成する こ と を特徴と する透明導 電性フ イ ルムの製造方法。
. プラスチ ッ ク フ ィ ルムを 8〜 3 0 m Z分で高速移動さ せる請求の範囲第(υ 項記载の透明專電性フ ィ ルムの製 造方法。
PCT/JP1987/000152 1986-03-12 1987-03-11 Process for producing transparent conductive film WO1987005742A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8787901677T DE3781988T2 (de) 1986-03-12 1987-03-11 Herstellung eines durchsichtigen leitfaehigen filmes.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61054162A JPH0734332B2 (ja) 1986-03-12 1986-03-12 透明導電性フイルムの製造方法
JP61/54162 1986-03-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1987005742A1 true WO1987005742A1 (en) 1987-09-24

Family

ID=12962849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1987/000152 WO1987005742A1 (en) 1986-03-12 1987-03-11 Process for producing transparent conductive film

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5013416A (ja)
EP (1) EP0261245B1 (ja)
JP (1) JPH0734332B2 (ja)
DE (1) DE3781988T2 (ja)
WO (1) WO1987005742A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184273A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Tobi Co Ltd 反応性プラズマビーム製膜方法とその装置
JP2738432B2 (ja) * 1988-05-06 1998-04-08 株式会社 トービ プラズマビーム製膜装置
JP2744950B2 (ja) * 1989-01-27 1998-04-28 セイコーインスツルメンツ株式会社 多色表示装置の製造方法
EP0385475A3 (en) * 1989-03-02 1991-04-03 Asahi Glass Company Ltd. Method of forming a transparent conductive film
US5105291A (en) * 1989-11-20 1992-04-14 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal display cell with electrodes of substantially amorphous metal oxide having low resistivity
US5224441A (en) * 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
DE4427581A1 (de) * 1994-08-04 1996-02-08 Leybold Ag Verfahren zum Aufbringen einer transparenten Metalloxidschicht auf eine Folie
AU1339700A (en) * 1998-11-02 2000-05-22 Presstek, Inc. Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6517687B1 (en) * 1999-03-17 2003-02-11 General Electric Company Ultraviolet filters with enhanced weatherability and method of making
JP2000282225A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜形成方法及び該方法より形成された透明導電膜
JP3933346B2 (ja) * 1999-05-26 2007-06-20 正路 朝本 イオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法及び製造装置
US6273991B1 (en) * 1999-07-28 2001-08-14 Saunders & Associates, Inc. Apparatus for plasma ion trimming of frequency devices
US6933051B2 (en) * 2002-08-17 2005-08-23 3M Innovative Properties Company Flexible electrically conductive film
JP4601381B2 (ja) * 2004-10-12 2010-12-22 大日本印刷株式会社 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
US9822454B2 (en) * 2006-12-28 2017-11-21 3M Innovative Properties Company Nucleation layer for thin film metal layer formation
US8350451B2 (en) * 2008-06-05 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Ultrathin transparent EMI shielding film comprising a polymer basecoat and crosslinked polymer transparent dielectric layer
CN102598158B (zh) * 2009-10-30 2016-11-02 住友化学株式会社 层叠膜的制造方法
US9297076B2 (en) * 2010-07-23 2016-03-29 Lotus Applied Technology, Llc Substrate transport mechanism contacting a single side of a flexible web substrate for roll-to-roll thin film deposition
TWI541612B (zh) * 2014-12-30 2016-07-11 Organic vacuum coating system and film forming method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546878A (en) * 1977-06-20 1979-01-19 Fuji Photo Film Co Ltd Continuous vapor deposition apparatus
JPS56136410A (en) * 1980-03-28 1981-10-24 Teijin Ltd Method of producing transparent conductive laminate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562141A (en) * 1968-02-23 1971-02-09 John R Morley Vacuum vapor deposition utilizing low voltage electron beam
GB1596385A (en) * 1976-12-29 1981-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media
US4526132A (en) * 1982-11-24 1985-07-02 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Evaporator
US4605565A (en) * 1982-12-09 1986-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
JPH0672300B2 (ja) * 1986-03-12 1994-09-14 株式会社ト−ビ ハイブリツドイオンプレ−テイング装置
JPS62222518A (ja) * 1986-03-24 1987-09-30 東レ株式会社 透明導電膜の製造方法
JP2624778B2 (ja) * 1988-06-13 1997-06-25 株式会社トービ Ito透明導電性フィルムの高速製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546878A (en) * 1977-06-20 1979-01-19 Fuji Photo Film Co Ltd Continuous vapor deposition apparatus
JPS56136410A (en) * 1980-03-28 1981-10-24 Teijin Ltd Method of producing transparent conductive laminate

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0261245A4 *
SHINKU, Vol. 27, No. 2, 20 February 1984 (20. 02. 84) (Tokyo) Uramoto Joshin "Ion Plating Notameno Hoden Plasma Ryu no Magekata" P64-71, especially, see fig. 9 *

Also Published As

Publication number Publication date
US5013416A (en) 1991-05-07
EP0261245B1 (en) 1992-09-30
EP0261245A4 (en) 1989-01-12
JPH0734332B2 (ja) 1995-04-12
DE3781988D1 (de) 1992-11-05
JPS63908A (ja) 1988-01-05
EP0261245A1 (en) 1988-03-30
DE3781988T2 (de) 1993-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1987005742A1 (en) Process for producing transparent conductive film
CN1826423B (zh) 透明导电氧化物
JP5136114B2 (ja) ガスバリア膜の作製方法及び作製装置
EP0049586A1 (en) Method and apparatus for forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques
JP2000338901A (ja) フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
CN107532288B (zh) 反应性溅射法和层叠体膜的制造方法
JPWO2004065656A1 (ja) Ito薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル
KR20010083477A (ko) 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법
CN106756789A (zh) 一种复合透明导电薄膜及其制备方法
CN108456861B (zh) 一种防静电强疏水性复合膜层的制备方法
CN105039911A (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
JP4260907B2 (ja) フィルム積層体
CN106893984A (zh) 增强可见光波段透射的掺锡氧化铟基复合薄膜的制备方法
JP2012228786A (ja) ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JPS6143805B2 (ja)
JPH07122133B2 (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
JP2004193008A (ja) 透明導電薄膜の成膜方法と透明導電薄膜、透明導電性フィルム及びタッチパネル
EP0263880B1 (en) Continuous ion plating device for rapidly moving film
Hyun Lee et al. Process Optimization of Aluminum-Doped Zinc Oxide Films by In-Line Pulsed-DC Sputtering and Its Application to Resistive Touch Panels
JPH0273963A (ja) 低温基体への薄膜形成方法
JPS61279004A (ja) 導電性積層体
JP2878299B2 (ja) イオンプレーティング方法
WO2023042849A1 (ja) 透明導電性フィルム
CN101864557A (zh) 一种透明导电薄膜制备方法
JPS6238432B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB IT NL

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1987901677

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1987901677

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1987901677

Country of ref document: EP