TWI835904B - 覆金屬積層板、及覆金屬積層板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一種具有良好的板厚精度與良好的剝離強度之覆金屬積層板。覆金屬積層板係具備含有液晶聚合物之絕緣層及與絕緣層疊合之金屬箔者。金屬箔之與絕緣層疊合之面的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10µm以上且65µm以下，並且覆金屬積層板之板厚精度低於±20%，前述輪廓曲線要素的平均長度(RSm)係由自覆金屬積層板截面求得之粗度曲線算出。金屬箔自絕緣層剝離的剝離強度為0.8N/mm以上。

Description

覆金屬積層板、及覆金屬積層板之製造方法
本揭示涉及一種覆金屬積層板、及覆金屬積層板之製造方法。
發明背景
專利文獻1中揭示有一種撓性印刷配線板用積層板(覆金屬積層板)。該覆金屬積層板係在其製造時將絕緣薄膜與金屬箔疊合並進行熱壓成形。藉此使絕緣薄膜熔附於金屬箔，從而由絕緣薄膜所構成之絕緣層與金屬箔呈密著狀態。
但，在專利文獻1之情況下，為了提高絕緣層與金屬箔之密著強度(金屬箔自絕緣層剝離的剝離強度)，容易要求提高使金屬箔熔附至絕緣薄膜時的加熱溫度或加強加壓力。所以，最終產物之覆金屬積層板可能難以獲得良好的板厚精度。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-221694號公報
發明概要
本揭示目的在於提供一種具有良好的板厚精度與良好的剝離強度之覆金屬積層板、及覆金屬積層板之製造方法。
本揭示一態樣係一種覆金屬積層板，其具備含有液晶聚合物之絕緣層及與前述絕緣層疊合之金屬箔。前述金屬箔之與前述絕緣層疊合之面的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10μm以上且65μm以下，並且前述覆金屬積層板之板厚精度低於±20%，前述輪廓曲線要素的平均長度(RSm)係由自前述覆金屬積層板之截面求得之粗度曲線算出。前述金屬箔自前述絕緣層剝離的剝離強度為0.8N/mm以上。
本揭示一態樣之覆金屬積層板之製造方法係製造前述覆金屬積層板之方法。前述製造方法包含以雙帶式壓製方式熱壓積層物之步驟，該積層物包含含有前述液晶聚合物之絕緣薄膜及與前述絕緣薄膜疊合之前述金屬箔。
根據本揭示，可製得具有良好的板厚精度與良好的剝離強度之覆金屬積層板。
1:覆金屬積層板
2:絕緣薄膜
3:金屬箔
4:無端環帶
5、6:旋出機
7:雙帶式壓製裝置
8:捲取機
9:滾筒
10:熱壓裝置
21:絕緣層
23:空隙
a、b:長度
c:粗度曲線
圖1係顯示一實施形態之覆金屬積層板一例的概略截面圖。
圖2係顯示上述實施形態之覆金屬積層板一 部分的截面照片。
圖3為上述實施形態之覆金屬積層板之說明圖。
圖4係顯示比較例2之覆金屬積層板一部分的截面照片。
圖5為一實施形態之覆金屬積層板之製造方法的說明圖。
圖6為上述製造方法之說明圖。
用以實施發明之形態
以下說明用以實施本揭示之形態。
<覆金屬積層板>
首先，參照圖1~圖4說明一實施形態之覆金屬積層板1。
如圖1所示，覆金屬積層板1具備絕緣層21及金屬箔3。絕緣層21含有液晶聚合物。金屬箔3與絕緣層21呈疊合狀態。金屬箔3自絕緣層21剝離的剝離強度為0.8N/mm以上，覆金屬積層板1之板厚精度低於±20%。
板厚精度若低於20%，具體而言當覆金屬積層板1之平均厚度為T時，最大厚度小於T×1.20，且最小厚度大於T×0.8。藉此，覆金屬積層板1可獲得穩定的厚度，且由覆金屬積層板1製作的印刷配線板可獲得良好的高頻傳輸特性。覆金屬積層板1之板厚精度宜為±10%以下，即最大厚度小於T×1.10，且最小厚度大於T×0.9。
覆金屬積層板1之最大厚度及最小厚度例如可以下述方法獲得。首先，在覆金屬積層板1之任意10處測定各處之覆金屬積層板1之厚度。於是，10處厚度中之最大值及最小值分別會成為最大厚度及最小厚度。並從10處厚度算出平均值，藉此可獲得覆金屬積層板1之平均厚度。覆金屬積層板1之平均厚度宜為25μm以上且300μm以下。
又，金屬箔3之與絕緣層21疊合之面的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10μm以上且65μm以下。輪廓曲線要素之平均長度(RSm)可從在覆金屬積層板1之任意截面顯現的金屬箔3之與絕緣層21相接之面的形狀導出。該截面係和金屬箔3與絕緣層21疊合之方向平行，且和金屬箔3與絕緣層21疊合方向呈正交之方向的長度為10μm。
具體上，首先取得如圖2所示覆金屬積層板1之長度b為10μm的截面影像。並且，從在該截面顯現之金屬箔3之與絕緣層21相接之面的形狀求出如圖3之粗度曲線c。粗度曲線c是在圖2之截面中，例如將沿截面之假想直線朝金屬箔3之截面中之與絕緣層21相接之面進行垂直投影時，顯現在截面上的投影線，前述假想直線係平行於和金屬箔3與絕緣層21相對向之方向正交的方向。從該粗度曲線c依照JIS B 0601：2001算出輪廓曲線要素之平均長度(RSm)。另，圖3所示長度a與圖2之長度b同樣為10μm。
藉由輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10μm以上，絕緣層21與金屬箔3會變得容易密合，藉此絕緣層21與金屬箔3之密著性(剝離強度)容易增大。又，藉由輪廓曲線要素之平均長度(RSm)在65μm以下，便不易在絕緣層21與金屬箔3之間產生空隙。因此，不易因空隙造成密著性降低，且覆金屬積層板1容易獲得良好的板厚精度。而且，藉由輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10μm以上且65μm以下，由覆金屬積層板1製成的印刷配線板可易獲得良好的高頻傳輸特性。
在本實施形態之覆金屬積層板1中，從如圖3之粗度曲線c算出的十點平均粗度(Rzjis)宜為0.5μm以上且3μm以下。此時，絕緣層21與金屬箔3會變得更易密合，且絕緣層21與金屬箔3之間更不易產生空隙。因此，絕緣層21與金屬箔3之密著性(剝離強度)更容易增大。十點平均粗度(Rzjis)可按JIS B 0601：2001算出。
另，在覆金屬積層板1可獲得低尺寸變化率。該尺寸變化率係根據IPC-TM650 No.2.2.4之C法來算出。以上述方法獲得之尺寸變化率宜為±0.1%以下。所述低尺寸變化率係因為減輕了絕緣層21之內部應力所致。所以，於由覆金屬積層板1製成之印刷配線板(稱作第一配線板)積層具備絕緣層與導體配線之另一印刷配線板(稱作第二配線板)來製作多層印刷配線板時，不易在第一配線板之導體配線與第二配線板之導體配線之間產生偏移。藉此，於多層印刷配線板製作連接導體配線間之貫通孔時，貫通 孔與導體配線之間亦不易產生位置偏移。
在本實施形態中，金屬箔3只要是可利用在覆金屬積層板1的金屬製薄膜即可。金屬箔3例如為銅箔。又，金屬箔3之厚度例如為6μm以上且70μm以下。
金屬箔3為銅箔時，銅箔之例包含電解銅箔及軋延銅箔。
並且，絕緣層21如上述含有液晶聚合物。液晶聚合物之熔點宜為300℃以上且345℃以下。液晶聚合物之熔點例如可藉由示差掃描熱量測定法(Differential scanning calorimetry(DSC))測定後述之絕緣薄膜2的熔點來取得。
液晶聚合物之例包含：聚芳酯系液晶聚合物、全芳香族聚酯、半剛性芳香族聚酯、聚酯醯胺、以芳香族或脂肪族二羥基化合物為原料之共聚物、以芳香族或脂肪族二羧酸為原料之共聚物、以芳香族羥基羧酸為原料之共聚物、以芳香族二胺為原料之共聚物、及以芳香族羥基胺或芳香族胺基羧酸為原料之共聚物。液晶聚合物含有上述化合物中之至少1者。
絕緣層21亦可更含有填料等添加劑。另，絕緣層21亦可僅含有液晶聚合物。
又，在本實施形態之覆金屬積層板1中，如圖2所示之截面上所出現的金屬箔3與絕緣層21之間的空隙個數，宜在和金屬箔3與絕緣層21相對向之方向呈正交方向之每10μm長度為3個以下。此時，可提升絕緣層21與 金屬箔3之密合，從而可提升絕緣層21與金屬箔3之密著性(剝離強度)。出現在絕緣層21與金屬箔3之間的空隙個數愈少愈好，0個尤佳。另，空隙是位在如圖4之絕緣層21與金屬箔3之邊界上的空隙23。
本實施形態之覆金屬積層板1例如可以雙帶式壓製方式製造。
<覆金屬積層板之製造方法>
接下來，參照圖5及圖6說明一實施形態之覆金屬積層板1之製造方法。
本製造方法係製造覆金屬積層板1之方法。所以，本實施形態可參照覆金屬積層板1之說明。
本製造方法包含準備步驟及成形步驟。
準備步驟係準備絕緣薄膜2與金屬箔3之步驟。金屬箔3之與絕緣薄膜2疊合之面(以下稱作接觸面)依JIS B 0601：2001所規定的十點平均粗度(Rzjis)宜為0.5μm以上且3μm以下。藉由將具有所述十點平均粗度(Rzjis)之接觸面的金屬箔3用於製造覆金屬積層板1，可取得從如圖3之粗度曲線c算出的十點平均粗度(Rzjis)，該粗度曲線c係由覆金屬積層板1之截面中之金屬箔3之與絕緣層21相接之面的形狀求得。又，十點平均粗度(Rzjis)亦可為1.0μm以上且2.5μm以下。
接觸面之依JIS B 0601：2001中規定的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)宜為10μm以上且65μm以下，更宜為20μm以上且65μm以下。藉由將具有所述平均長度 (RSm)之接觸面的金屬箔3用於製造覆金屬積層板1，可取得從如圖3之粗度曲線c算出的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)，該粗度曲線c係由覆金屬積層板1之截面中之金屬箔3之與絕緣層21相接之面的形狀求得。
接觸面之粗度例如可藉由對金屬箔3之表面施行適當的粗化處理來調整。又，金屬箔3為電解銅箔時，亦可使製造電解銅箔時形成之電解銅箔的毛面具有如上述之粗度，並以該毛面作為接觸面。
絕緣薄膜2含有液晶聚合物。所述絕緣薄膜2之熔點宜為300℃以上且345℃以下。絕緣薄膜2之熔點例如可利用示差掃描熱量測定法(Differential scanning calorimetry(DSC))進行測定而取得。又，絕緣薄膜2之厚度可任意選擇，例如為12.5μm以上且200μm以下。
絕緣薄膜2可更含有填料等添加劑。另，絕緣薄膜2亦可僅含有液晶聚合物。絕緣薄膜2含有添加劑時，絕緣薄膜2之熔點與液晶聚合物(僅含有液晶聚合物之絕緣薄膜)之熔點宜相同。
又，準備步驟中，絕緣薄膜2及金屬箔3分別暫時被捲取而形成捲狀。然後，將捲狀之絕緣薄膜2設置於後述旋出機5，並將捲狀之金屬箔3設置於後述旋出機6。
本實施形態中，係於準備步驟後進行成形步驟。
成形步驟係由積層物形成覆金屬積層板之步驟，並且以如圖5之覆金屬積層板製造裝置(以下稱為製 造裝置)來進行，前述積層物包含絕緣薄膜2與疊合於絕緣薄膜2之金屬箔3。
製造裝置具備旋出絕緣薄膜2之旋出機5、旋出金屬箔3之旋出機6、捲取覆金屬積層板1之捲取機8、及位在旋出機5、6與捲取機8之間的雙帶式壓製裝置7。
雙帶式壓製裝置7具備一對無端環帶4、滾筒9及一對熱壓裝置10。一對無端環帶4係以於其間包夾上述積層物之狀態作上下配置。一對無端環帶4中，其中一無端環帶4是繞掛在二個滾筒9之間，另一無端環帶4是繞掛在二個滾筒9之間。一對熱壓裝置10係設置成於其間包夾無端環帶4、4與積層物。然後，熱壓裝置10係隔著無端環帶4將積層物熱壓。熱壓裝置10包含例如液壓盤。液壓盤係構成為藉由經加熱之液體的液壓隔著無端環帶4來熱壓積層物。
無端環帶4並無具體限定，例如為金屬製。
又，於上下相對向之一對滾筒9係以將積層物朝向捲取機8送出之方式進行旋轉。一對無端環帶4則是配合該旋轉來進行旋轉。
成形步驟中，旋出機5係將絕緣薄膜2保持為捲成捲狀之狀態，並將絕緣薄膜2連續供給至雙帶式壓製裝置7。旋出機6則係將金屬箔3保持為捲成捲狀之狀態，並將金屬箔3連續供給至雙帶式壓製裝置7。接著，於旋出機5、6與雙帶式壓製裝置7之間會形成包含絕緣薄膜2與疊合於絕緣薄膜2之金屬箔3的積層物，並以雙帶式壓製方式 熱壓該積層物。雙帶式壓製方式係以雙帶式壓製裝置7進行。
藉由於成形步驟採用雙帶式壓製方式，可隔著一對無端環帶4對積層物之加壓面整體施加均一的壓力。藉此，施加於絕緣薄膜2之壓力不易產生參差，故成形步驟後所獲得之覆金屬積層板1之絕緣層21不易產生內部應力。因此，覆金屬積層板1之尺寸變化率容易變低且穩定。
熱壓積層物時，例如積層物會隨著靠近雙帶式壓製裝置7而被加熱。接著，積層物在通過滾筒9時又進一步被加熱，並一邊通過熱壓裝置10一邊隔著無端環帶4被熱壓且加熱至最高加熱溫度。然後，經熱壓之積層物會通過滾筒9，隨著遠離熱壓裝置10而冷卻。
隔著無端環帶4藉由熱壓裝置10熱壓積層物時的最高加熱溫度，宜為比絕緣薄膜2之熔點低5℃之溫度以上、且比絕緣薄膜2之熔點高20℃之溫度以下。此時，所得覆金屬積層板1之絕緣層21與金屬箔3之間就不易產生空隙，可在絕緣層21與金屬箔3獲得高密著強度(剝離強度)。並且覆金屬積層板1還可獲得良好的板厚精度。藉由該板厚精度，覆金屬積層板1變得易獲得良好的高頻傳輸特性。且，最高加熱溫度維持之時間宜為20秒以上且120秒以下。此時，所得覆金屬積層板1之絕緣層21與金屬箔3之間就不易產生空隙，可在絕緣層21與金屬箔3獲得高密著性。並且覆金屬積層板1還可獲得良好的板厚精度。藉 由該板厚精度，覆金屬積層板1變得易獲得高頻傳輸特性。
熱壓積層物時的壓力宜為2MPa以上且5MPa以下。此時，所得覆金屬積層板1之絕緣層21與金屬箔3之間就不易產生空隙，可在絕緣層21與金屬箔3獲得高密著性。又，上述壓力可小於4.0MPa，亦可為3.5MPa以下。
此外，在成形步驟中，若對絕緣薄膜2施加不均一的壓力，所得覆金屬積層板1之板厚精度會降低，從而有高頻傳輸特性降低之傾向。爰此，藉由以雙帶式壓製裝置7進行熱壓，可對絕緣薄膜2施加均一的壓力。藉此，可提升覆金屬積層板1之板厚精度，而覆金屬積層板1可獲得良好的高頻傳輸特性。
在本實施形態中，從雙帶式壓製裝置7連續送出的覆金屬積層板1會被捲取機8捲取成捲狀。
以上述方式製得的覆金屬積層板1可利用於製造印刷配線板。例如，藉由對覆金屬積層板1所具有之金屬箔3施行任意的配線加工，可製造印刷配線板。藉由於該印刷配線板上進一步以適當手法追加絕緣層與導體配線，還可將印刷配線板多層化。
絕緣層之材料可與絕緣層21相同，或可與絕緣層21互異。
金屬層之材料可與金屬箔3相同，或可與金屬箔3互異。
<變形例>
在上述實施形態中，覆金屬積層板1為雙面覆金屬積層板，惟亦可為單面覆金屬積層板。製造單面覆金屬積層板時，係從2個旋出機6中之一旋出機6將剝離片與絕緣薄膜2疊合後供給至雙帶式壓製裝置7。剝離片只要具有可與絕緣層21脫模之脫模性，則任意片材皆可。剝離片例如可由可獲得脫模性與耐熱性兩者之聚醯亞胺樹脂及四氟乙烯樹脂等樹脂材料形成。
實施例
以下，藉由實施例具體說明本揭示。
[實施例及比較例]
各實施例及比較例是使用以下材料進行。
<金屬箔3>
‧金屬箔A：福田金屬箔粉工業公司製「TP4-S」(銅箔)。
‧金屬箔B：古河電工公司製「F2WS」(銅箔)。
<絕緣薄膜2>
‧絕緣薄膜A：股份有限公司Kuraray製「Vecstar CT-Z」
‧絕緣薄膜B：股份有限公司Kuraray製「Vecstar CT-Q」。
‧金屬箔C：三井金屬礦業製「3EC-VLP」(銅箔)。
‧金屬箔D：三井金屬礦業製「TQ-M7-VSP」 (銅箔)。
‧金屬箔E：JX金屬(股)製「BHFX-P92C-HA-V2」(銅箔)。
[實施例1]
使用具有圖5所示結構之覆金屬積層板製造裝置，將絕緣薄膜A夾在2片金屬箔A之粗面間來製作積層物，並以雙帶式壓製方式將該積層物熱壓，來製造覆金屬積層板。積層物於熱壓時之壓力為3.5MPa，最高加熱溫度為335℃，且最高加熱溫度維持之時間為30秒。
[實施例2]
除了使用金屬箔B來替代金屬箔A以外，以與實施例1同樣方法製造出覆金屬積層板1。
[實施例3]
使用絕緣薄膜B替代絕緣薄膜A，並在3.5MPa之壓力下使310℃之最高加熱溫度維持50秒來熱壓積層物，除此以外以與實施例1同樣方法製造出覆金屬積層板1。
[實施例4]
將絕緣薄膜B夾在2片金屬箔C之粗面間來製作積層物。接著，以雙帶式壓製方式在表1所示之條件下熱壓該積層物，而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[實施例5]
將絕緣薄膜B夾在2片金屬箔D之粗面間來 製作積層物。接著，以雙帶式壓製方式在表1所示之條件下熱壓該積層物，而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[實施例6]
將絕緣薄膜B夾在2片金屬箔E之粗面間來製作積層物。接著，以雙帶式壓製方式在表1所示之條件下熱壓該積層物，而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[比較例1]
將絕緣薄膜A夾在2片金屬箔A之粗面間來製作積層物。接著，在後述之表1所示條件下，將積層體在2個成形盤之間進行熱壓而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[比較例2]
將絕緣薄膜B夾在2片金屬箔B之粗面間來製作積層物。接著，在後述之表1所示條件下，將積層體在2個成形盤之間進行熱壓而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[比較例3]
將絕緣薄膜A夾在2片金屬箔A之粗面間來製作積層物。接著，在後述之表1所示條件下，將積層體在2個輥件之間進行熱壓而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[比較例4]
將絕緣薄膜B夾在2片金屬箔B之粗面間來製作積層物。接著，在後述之表1所示條件下，將積層體在2個輥件之間進行熱壓而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
[比較例5]
將絕緣薄膜A夾在2片金屬箔B之粗面間來製作積層物。接著，在後述之表1所示條件下，以雙帶式壓製方式熱壓積層體而製造出雙面覆金屬積層板(覆金屬積層板1)。
Figure 108138800-A0305-02-0018-1
<評估>
{剝離強度}
使用各實施例及比較例之覆金屬積層板1來製作試片(寬×長=10mm×150mm)。使用該試片並依照JIS C 6481測定金屬箔3自絕緣層21剝離的剝離強度。
{板厚精度}
以下述程序算出各實施例及比較例之覆金屬積層板1的板厚精度。首先，在覆金屬積層板1之任意10處測定各處之覆金屬積層板1之厚度。然後，算出10處之厚度的平均值，藉以獲得覆金屬積層板1之平均厚度。並且，將10處厚度中之最大值及最小值分別作為最大厚度及最小厚度。接著，算出最大厚度與平均厚度之差(d1)、及最小厚度與平均厚度之差(d2)。然後算出差(d1)相對於平均厚度之比值、與差(d2)相對於平均厚度之比值，而獲得覆金屬積層板1之板厚精度。
{尺寸變化(尺寸變化率)}
各實施例及比較例之覆金屬積層板1的尺寸變化率係依照IPC-TM650 No.2.2.4之C法算出。
{截面照片}
以掃描型電子顯微鏡拍攝實施例2之覆金屬積層板1之截面，而獲得圖2所示照片。另，以掃描型電子顯微鏡拍攝比較例2之覆金屬積層板1之截面，而獲得圖4所示照片。圖2及圖4所示之截面中，和金屬箔3與絕緣層21相對向之方向呈正交方向的長度b為10μm。由圖2之照 片中，絕緣層21與金屬箔3之間並無空隙。由圖4之照片中，絕緣層21與金屬箔3之間有10個空隙23。以上述方式，針對各實施例及比較例之覆金屬積層板1，計數其10處之截面上所形成的空隙數。然後，將各實施例及比較例中之空隙總數除以截面數(10處)，而獲得各覆金屬積層板1上所形成之空隙的平均個數。
{高頻傳輸特性}
首先，藉由於各實施例及比較例之覆金屬積層板1的兩面進一步形成厚度10μm的鍍層，而於覆金屬積層板1之兩面形成了由金屬箔3與鍍層所構成之金屬層。接著，對該金屬層中之其一金屬層施行蝕刻處理以製作訊號電路(微帶傳輸線)，並將另一金屬層作為接地電路。藉此製作出具備訊號電路與接地電路之試片。然後，於25℃、40%RH之下，藉由使用Agilent Technologies股份有限公司之E5071C的探針法來傳送高頻電訊號的同時，測定在訊號電路產生之電訊號的傳輸損失。接著，算出訊號電路之配線長度每100mm的傳輸損失作為高頻傳輸特性。於表1中，列出輸入至訊號電路之電訊號頻率為20GHz時的高頻傳輸特性。
<測定>
[金屬箔]
{粗面之十點平均粗度(Rzjis)}
測定製作覆金屬積層板1前之金屬箔3之接觸面依JIS B 0601：2001中規定的十點平均粗度(Rzjis)。
{輪廓曲線要素之平均長度(RSm)}
測定製作覆金屬積層板1前之金屬箔3之接觸面之依JIS B 0601：2001中規定的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)。
[覆金屬積層板]
{從自覆金屬積層板之截面求得之粗度曲線算出的十點平均粗度(Rzjis)}
從上述各實施例及比較例之截面照片製成如圖3之粗度曲線c。然後，依照JIS B 0601：2001，根據各實施例及比較例之粗度曲線c算出十點平均粗度(Rzjis)。
{輪廓曲線要素之平均長度(RSm)}
依照JIS B 0601：2001，根據各實施例及比較例之粗度曲線算出輪廓曲線要素之平均長度(RSm)。
1:覆金屬積層板
3:金屬箔
21:絕緣層

Claims (8)

  1. 一種覆金屬積層板，具備：含有液晶聚合物之絕緣層；及與前述絕緣層疊合之金屬箔；前述金屬箔之與前述絕緣層疊合之面的輪廓曲線要素之平均長度(RSm)為10μm以上且65μm以下，該輪廓曲線要素之平均長度係由自前述覆金屬積層板之截面求得之粗度曲線算出；前述覆金屬積層板之板厚精度低於±20%，前述金屬箔自前述絕緣層剝離的剝離強度為0.8N/mm以上。
  2. 如請求項1之覆金屬積層板，其中自前述粗度曲線算出之十點平均粗度(Rzjis)為0.5μm以上且3μm以下。
  3. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中前述截面上出現之前述金屬箔與前述絕緣層之間的空隙個數，在和前述金屬箔與前述絕緣層相對向之方向呈正交方向之每10μm長度為3個以下。
  4. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其板厚精度為±10%以下。
  5. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其依照IPC-TM650 No.2.2.4規定之尺寸變化率為±0.1%以下。
  6. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中前述液晶聚合物之熔點為300℃以上且345℃以下。
  7. 一種覆金屬積層板之製造方法，係製造如請求項1至6中任一項之覆金屬積層板的方法，該製造方法包含以雙帶式壓製方式熱壓積層物之步驟，該積層物包含絕緣薄膜及與該絕緣薄膜疊合之前述金屬箔，該絕緣薄膜含有前述液晶聚合物。
  8. 如請求項7之覆金屬積層板之製造方法，其中在熱壓前述積層物時之最高加熱溫度為比前述絕緣薄膜之熔點低5℃之溫度以上、且比前述熔點高20℃之溫度以下，並且，前述最高加熱溫度維持之時間為20秒以上且120秒以下。
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