TWI830887B - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電磁波屏蔽膜，其透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異。 本發明之電磁波屏蔽膜具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層，且前述電磁波屏蔽層具有：第1屏蔽層，其具有開口部；及第2屏蔽層，其形成為覆蓋前述第1屏蔽層之前述開口部。前述第1屏蔽層之厚度與前述第2屏蔽層之厚度的比[前者/後者]宜為3.0~300。

Description

電磁波屏蔽膜
發明領域 本發明是有關於一種電磁波屏蔽膜。
背景技術 從過去以來，在以智慧型手機或平板終端為首的行動設備等中，為了阻隔從內部產生的電磁波抑或從外部侵入的電磁波，會使用黏貼有電磁波屏蔽膜的撓性印刷配線板(FPC)。習知行動設備由於所使用電路之頻帶低，因此，即便運用在電磁波屏蔽膜中的屏蔽層為藉由蒸鍍或濺鍍等來形成的薄膜金屬層、抑或高度填充摻合有導電性填料的導電性糊層，電磁波之遮蔽性能亦充足。
然而，近年來持續發展行動設備之多機能化。舉例言之，網際網路之連接是理所當然的，且為了實現高精細、高畫質、3D化、高速化等，越發需要大容量之信號處理。故，為了處理此種大容量之信號，信號處理也要進一步地高速化，並要求能抑制信號線接收到的雜訊及信號之傳輸特性，對於能兼具優於現狀之屏蔽特性與傳輸特性且可因應高頻的撓性印刷配線板之期望提高。
運用在此種可因應高頻的撓性印刷配線板中的電磁波屏蔽膜，已知的是在積層狀態下具備層厚為0.5μm~12μm之金屬層與各向異性導電性接著劑層的屏蔽膜(參照專利文獻1)。
電磁波屏蔽膜例如具有依序積層有接著劑層、作為屏蔽層的金屬薄膜及絕緣層之構造。藉由在將該電磁波屏蔽膜疊合於撓性印刷配線板的狀態下加熱壓製，電磁波屏蔽膜可利用接著劑層接著於印刷配線板，製作出屏蔽印刷配線板。然後，藉由焊料回流，於屏蔽印刷配線板上安裝零件。
在此，若具備電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板於加熱壓製步驟或焊料回流步驟中加熱，則會從電磁波屏蔽膜之接著劑層或印刷配線板之絕緣膜等產生氣體。又，當印刷配線板之基底膜由聚醯亞胺等吸濕性高之樹脂形成時，會有因加熱而從基底膜產生水蒸氣之情形。從接著劑層、絕緣膜或基底膜產生的該等揮發成分(氣體)無法通過金屬薄膜，因此會積存於金屬薄膜與接著劑層間。故，若於焊料回流步驟中進行急遽之加熱，則會有金屬薄膜與接著劑層之層間密著因積存於金屬薄膜與接著劑層間的氣體而受到破壞之情形。
防止已產生的水蒸氣等氣體所致之膨脹的方法，已知的方法是使用形成有複數個開口部之屏蔽層(參照專利文獻2)。藉由使用該屏蔽層，氣體會通過開口部而釋放至外部，因此可防止膨脹的產生。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：國際公開第2013/077108號 專利文獻2：日本特開2004-095566號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，當習知可因應高頻的屏蔽膜上形成有複數個開口部時，會有例如1GHz以上的高頻率電磁波自開口部漏出之問題。
本發明是有鑑於上述而成，本發明之目的在提供一種透氣性優異、且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異的電磁波屏蔽膜。
用以解決課題之手段 本案發明人等為了達成上述目的精心探討的結果發現，若藉由具備以下構造的電磁波屏蔽膜，則透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異，即：該電磁波屏蔽膜具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層，且將上述電磁波屏蔽層作成2層結構，於其中一屏蔽層上形成開口部，並藉由另一屏蔽層來覆蓋上述開口部。本發明是根據該等見解而完成。
即，本發明提供一種電磁波屏蔽膜，其具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層，且上述電磁波屏蔽層具有：第1屏蔽層，其具有開口部；及第2屏蔽層，其形成為覆蓋上述第1屏蔽層之上述開口部。
本發明之電磁波屏蔽膜如上所述，於第1屏蔽層上形成有複數個開口部。藉由具有此種構造，在將零件安裝於使用了本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板上時，即使於加熱壓製步驟或焊料回流步驟等中在電磁波屏蔽層與導電性接著劑層間產生氣體，氣體亦可通過第1屏蔽層之開口部。故，氣體不易積存於第1屏蔽層與導電性接著劑層間。其結果，可防止層間密著受到破壞。
又，本發明之電磁波屏蔽膜如上所述，上述開口部經第2屏蔽層覆蓋。藉由具有此種構造，本發明之電磁波屏蔽膜可抑制高頻帶電磁波自開口部漏出，且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述第1屏蔽層之厚度與上述第2屏蔽層之厚度的比[前者/後者]宜為3.0~300。藉由令上述比為3.0以上，第1屏蔽層之厚度相對於第2屏蔽層之厚度而言夠厚，高頻帶電磁波之屏蔽性能更加優異。又，第2屏蔽層之厚度相對於第1屏蔽層之厚度而言夠薄，透氣性會更加優異。藉由令上述比為300以下，第2屏蔽層相對於第1屏蔽層而言具有一定程度之厚度，藉此可進一步地抑制高頻帶電磁波自開口部漏出。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述第1屏蔽層之厚度宜為0.5~10μm。藉由令上述厚度為0.5μm以上，則具有開口部的同時高頻帶電磁波之屏蔽性能會變得更加良好。另，即便上述厚度大於10μm，電磁波屏蔽性能亦幾乎不會提升，因此，藉由設為10μm以下，可將屏蔽性能發揮至最大限度並且抑制成本，又，可將具備本發明之電磁波屏蔽膜的製品縮小設計。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述導電性接著劑層之厚度宜為3~20μm。若上述厚度為3μm以上，則作為遮蔽於內部產生的高頻帶電磁波之屏蔽膜可發揮更充分之屏蔽性能。又，本發明之電磁波屏蔽膜即便是在上述厚度薄到20μm以下之情形時，作為遮蔽於內部產生的高頻帶電磁波之屏蔽膜亦可發揮充分之屏蔽性能。
本發明之電磁波屏蔽膜宜依序具有上述導電性接著劑層、上述第1屏蔽層及上述第2屏蔽層。此種構造的本發明之電磁波屏蔽膜其製造容易性優異。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口率宜為2.0~30%。藉由令上述開口率為2.0%以上，透氣性優異。又，即便是在上述開口率為2.0%以上之較高開口率時，藉由具有第2屏蔽層，亦可充分地維持高頻帶電磁波之屏蔽性能。藉由令上述開口率為30%以下，可更充分地維持高頻帶電磁波之屏蔽性能。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述第2屏蔽層宜鄰接上述第1屏蔽層而設置。具有此種構造的本發明之電磁波屏蔽膜其第1屏蔽層與第2屏蔽層可合併作為一個屏蔽層來發揮屏蔽性能，因此透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能會更加優異。
發明效果 本發明之電磁波屏蔽膜其透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異。故，本發明之電磁波屏蔽膜對低頻率電磁波之屏蔽性能必然優異，且對高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異，又可抑制加熱所致之膨脹。
用以實施發明之形態 [電磁波屏蔽膜] 本發明之電磁波屏蔽膜具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層。上述電磁波屏蔽層具有：第1屏蔽層，其具有開口部；及第2屏蔽層，其形成為覆蓋上述第1屏蔽層之前述開口部。
以下說明本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。圖1~3分別為截面示意圖，其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。
圖1所示本發明之電磁波屏蔽膜1具有：導電性接著劑層11；及電磁波屏蔽層12，其由第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b構成。更具體而言，本發明之電磁波屏蔽膜1係依序具有導電性接著劑層11、第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b。具有此種構造的本發明之電磁波屏蔽膜其製造容易性優異。
圖2所示本發明之電磁波屏蔽膜1係依序具有導電性接著劑層11、第2屏蔽層12b及第1屏蔽層12a。
圖3所示本發明之電磁波屏蔽膜1中，電磁波屏蔽層12係於第1屏蔽層12a之兩面形成有第2屏蔽層12b。
本發明之電磁波屏蔽膜如圖1~3所示，於電磁波屏蔽層中，第2屏蔽層宜鄰接第1屏蔽層而設置。當具有此種構造時，第1屏蔽層與第2屏蔽層可合併作為一個屏蔽層來發揮屏蔽性能，因此透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能會更加優異。
本發明之電磁波屏蔽膜如圖1~3所示，亦可於電磁波屏蔽層12之與導電性接著劑層11相反之一側具有絕緣層13。
本發明之電磁波屏蔽膜中，第2屏蔽層、導電性接著劑層、絕緣層等鄰接第1屏蔽層的層體之一部分在例如該鄰接之層體為薄層時等，亦可與已進一步地積層於該鄰接之層體上的層體之一部分一同滲入上述開口部。舉例言之，圖1~3所示本發明之電磁波屏蔽膜1中，第2屏蔽層12b滲入開口部121。另，圖1~3中第2屏蔽層12b等朝開口部121之滲入例如可起因於製造方法而產生。鄰接第1屏蔽層之層體滲入上述開口部與否，無論何者之情形，上述開口部皆可具有空洞。
(第1屏蔽層) 於第1屏蔽層12a上形成有複數個開口部121。藉此，在將零件安裝於使用了本發明之電磁波屏蔽膜1的屏蔽印刷配線板上時，即使於加熱壓製步驟或焊料回流步驟等中在電磁波屏蔽層12與導電性接著劑層11間產生氣體，氣體亦可通過第1屏蔽層12a之開口部121。故，氣體不易積存於第1屏蔽層12a與導電性接著劑層11間。其結果，可防止層間密著受到破壞。
上述開口部之形狀並無特殊限制，俯視形狀(即，從電磁波屏蔽膜上面來看的形狀)可列舉：圓形、橢圓形、軌道形、多角形(例如三角形、四角形、五角形、六角形、八角形等)、星形等。從開口部之形成容易度來看，其中又以圓形為佳。又，截面形狀(即，從電磁波屏蔽膜之截面正面來看的形狀)可列舉：矩形狀(正方形或長方形，圖1~3中為矩形狀)、研缽狀(梯形)等。複數個開口部可全部為相同形狀，亦可為二種以上的不同形狀。
上述開口部之排列圖案並無特殊限制，例如可列舉：格子狀、千鳥格紋狀、蜂巢結構狀等。
上述開口部之開口面積(各開口部之面積)並無特殊限制，惟宜為50~75000μm2 ，較佳為60~35000μm2 ，更佳為70~10000μm2 。若上述開口面積為50μm2 以上，則透氣性會變得更加良好。若上述開口面積為75000μm2 以下，則高頻帶電磁波之屏蔽性能會變得更加良好。
上述開口部之開口率並無特殊限制，惟宜為2.0~30%，較佳為3.6~15%，更佳為3.6~8%。若上述開口率為2.0%以上，則透氣性會變得更加良好。又，即便是在上述開口率為2.0%以上之較高開口率時，藉由具有第2屏蔽層，亦可充分地維持高頻帶電磁波之屏蔽性能。若上述開口率為30%以下，則可更充分地維持高頻帶電磁波之屏蔽性能。
從高頻帶電磁波之屏蔽性能優異之觀點來看，第1屏蔽層宜為金屬層。構成上述金屬層的金屬例如可列舉：金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅或該等之合金等。從高頻帶電磁波之屏蔽性能優異之觀點來看，其中又以銅層、銀層為佳，從經濟性之觀點來看，則以銅為佳。
從高頻帶電磁波之屏蔽性能優異之觀點來看，第1屏蔽層宜為金屬板或金屬箔。即，構成第1屏蔽層的層體宜為銅板(銅箔)、銀板(銀箔)。
第1屏蔽層可為單層、複層(例如施以金屬鍍敷的層體)中任一者。不過，於複層之情形時，上述開口部係以貫通複層的第1屏蔽層之方式設置在相同位置。
第1屏蔽層之厚度宜為0.5~10μm，較佳為1~6μm。若上述厚度為0.5μm以上，則具有開口部的同時高頻帶電磁波之屏蔽性能會變得更加良好。另，即便上述厚度大於10μm，電磁波屏蔽性能亦幾乎不會提升，因此，藉由設為10μm以下，可將屏蔽性能發揮至最大限度並且抑制成本，又，可將具備本發明之電磁波屏蔽膜的製品縮小設計。
(第2屏蔽層) 第2屏蔽層12b形成為覆蓋第1屏蔽層12a所具有的複數個開口部121。藉此，可抑制電磁波自開口部121漏出，雖然第1屏蔽層12a具備開口部121，但高頻帶電磁波之屏蔽性能卻優異。第2屏蔽層可為單層、複層中任一者。
從抑制高頻帶電磁波漏出之觀點來看，第2屏蔽層宜為金屬層。構成上述金屬層的金屬例如可列舉：金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅等。上述金屬可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
第2屏蔽層可為單一金屬層，亦可為合金層、施以金屬鍍敷的層體。從高頻帶電磁波之屏蔽性能優異之觀點來看，其中又以銅層、銀層為佳，較佳為銀層。
從容易以薄層形成且令透氣性更加良好之觀點來看，第2屏蔽層宜為金屬蒸鍍層或金屬濺鍍層，從經濟性優異之觀點來看，較佳為金屬蒸鍍層。即，構成第2屏蔽層的層體宜為銅蒸鍍層、銀蒸鍍層。
第2屏蔽層之厚度宜為0.05~1μm，較佳為0.1~0.5μm。若上述厚度為0.1μm以上，則高頻帶電磁波之屏蔽性能會變得更加良好。若上述厚度為0.5μm以下，則透氣性會變得更加良好。
第1屏蔽層之厚度與第2屏蔽層之厚度的比[前者/後者]宜為3.0~300，較佳為3.5~200，更佳為4.0~30，且6.5~30更佳。若上述比為3.0以上，則第1屏蔽層之厚度相對於第2屏蔽層之厚度而言夠厚，高頻帶電磁波之屏蔽性能更加優異。又，第2屏蔽層之厚度相對於第1屏蔽層之厚度而言夠薄，透氣性會更加優異。若上述比為600以下，則第2屏蔽層相對於第1屏蔽層而言具有一定程度之厚度，藉此可進一步地抑制高頻帶電磁波自開口部漏出。
(導電性接著劑層) 導電性接著劑層11具有例如用以將本發明之電磁波屏蔽膜接著於印刷配線板的接著性及導電性。導電性接著劑層宜與電磁波屏蔽層鄰接而形成。導電性接著劑層可為單層、複層中任一者。
上述導電性接著劑層宜含有黏結劑成分及導電性粒子。
上述黏結劑成分可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性能量線硬化性化合物等。上述黏結劑成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述熱塑性樹脂例如可列舉：聚苯乙烯系樹脂、醋酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂(例如聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂組成物等)、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等。上述熱塑性樹脂可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述熱硬化性樹脂例如可列舉：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂等。上述熱硬化性樹脂可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述環氧系樹脂例如可列舉：雙酚型環氧系樹脂、螺環型環氧系樹脂、萘型環氧系樹脂、聯苯型環氧系樹脂、萜烯型環氧系樹脂、環氧丙基醚型環氧系樹脂、環氧丙基胺型環氧系樹脂、酚醛清漆型環氧系樹脂等。
上述雙酚型環氧樹脂例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。上述環氧丙基醚型環氧樹脂例如可列舉：參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等。上述環氧丙基胺型環氧樹脂可舉例如四環氧丙基二胺基二苯甲烷等。上述酚醛清漆型環氧樹脂例如可列舉：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、α-萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。
活性能量線硬化性化合物並無特殊限制，可舉例如：分子中具有至少2個自由基反應性基(例如(甲基)丙烯醯基)的聚合性化合物等。上述活性能量線硬化性化合物可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
作為上述黏結劑成分，其中又以熱硬化性樹脂為佳。在此情形下，為了接著於印刷配線板而將本發明之電磁波屏蔽膜配置於印刷配線板上後，可藉由加壓及加熱使黏結劑成分硬化，與印刷配線板之接著性會變得良好。
當上述黏結劑成分含有熱硬化性樹脂時，構成上述黏結劑成分的成分亦可含有用以促進熱硬化反應的硬化劑。上述硬化劑可依照上述熱硬化性樹脂之種類適當地選擇。上述硬化劑可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述導電性接著劑層中黏結劑成分之含有比率並無特殊限制，相對於導電性接著劑層之總量100質量%宜為5~60質量%，較佳為10~50質量%，更佳為20~40質量%。若上述含有比率為5質量%以上，對印刷配線板之密著性會更加優異。若上述含有比率為60質量%以下，則可充分地含有導電性粒子。
上述導電性粒子例如可列舉：金屬粒子、金屬包樹脂粒子、金屬纖維、碳填料、碳奈米管等。上述導電性粒子可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
構成上述金屬粒子及上述金屬包樹脂粒子之包覆部的金屬例如可列舉：金、銀、銅、鎳、鋅等。上述金屬可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
具體而言，上述金屬粒子例如可列舉：銅粒子、銀粒子、鎳粒子、銀包銅粒子、金包銅粒子、銀包鎳粒子、金包鎳粒子、銀包合金粒子等。上述銀包合金粒子可舉例如：含銅的合金粒子(例如由銅、鎳及鋅之合金構成的銅合金粒子)被銀包覆的銀包銅合金粒子等。上述金屬粒子可藉由電解法、霧化法、還原法等來製作。
作為上述金屬粒子，其中又以銀粒子、銀包銅粒子、銀包銅合金粒子為佳。從導電性優異且可抑制金屬粒子之氧化及凝集並且降低金屬粒子之成本之觀點來看，尤其宜為銀包銅粒子、銀包銅合金粒子。
上述導電性粒子之形狀可列舉：球狀、小片狀(鱗片狀)、樹枝狀、纖維狀、不定形(多面體)等。
上述導電性粒子之中位直徑(D50)宜為1~50μm，較佳為3~40μm。若上述中位直徑為1μm以上，則導電性粒子之分散性良好且可抑制凝集，並且不易氧化。若上述平均粒徑為50μm以下，則導電性會變得良好。
上述導電性接著劑層可以視需要設為具有各向同性導電性或各向異性導電性之層體。其中，從提升藉由印刷配線板之信號電路傳輸的高頻信號之傳輸特性之觀點來看，上述導電性接著劑層宜具有各向異性導電性。
上述導電性接著劑層中導電性粒子之含有比率並無特殊限制，相對於導電性接著劑層之總量100質量%宜為2~95質量%，較佳為5~80質量%，更佳為10~70質量%。若上述含有比率為2質量%以上，則導電性會變得更加良好。若上述含有比率為95質量%以下，則可充分地含有黏結劑成分，對印刷配線板之密著性會變得更加良好。
上述導電性接著劑層亦可於無損本發明效果的範圍內含有上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉如公知或慣用接著劑層中所含成分。上述其他成分例如可列舉：消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂等。上述其他成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述導電性接著劑層之厚度宜為3~20μm，較佳為5~15μm。若上述厚度為3μm以上，則作為遮蔽於內部產生的高頻帶電磁波之屏蔽膜可發揮更充分之屏蔽性能。又，本發明之電磁波屏蔽膜即便是在上述厚度薄到20μm以下之情形時，作為遮蔽於內部產生的高頻帶電磁波之屏蔽膜亦可發揮充分之屏蔽性能。
(絕緣層) 絕緣層13形成於電磁波屏蔽層12之表面。絕緣層13具有絕緣性，在本發明之電磁波屏蔽膜1中具有保護導電性接著劑層11及電磁波屏蔽層12之機能。上述絕緣層可為單層、複層中任一者。
上述絕緣層宜含有黏結劑成分。上述黏結劑成分可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性能量線硬化性化合物等。上述熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及活性能量線硬化性化合物分別可列上述作為導電性接著劑層可含有的黏結劑成分所例示者。上述黏結劑成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述絕緣層亦可於無損本發明效果的範圍內含有上述黏結劑成分以外的其他成分。上述其他成分例如可列舉：消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂等。上述其他成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述絕緣層之厚度宜為1~15μm，較佳為3~10μm。若上述厚度為1μm以上，則可更充分地保護電磁波屏蔽層及導電性接著劑層。若上述厚度為15μm以下，則柔軟性優異，且經濟性上亦是有利的。
本發明之電磁波屏蔽膜亦可於絕緣層側及/或導電性接著劑層側具有分離件(剝離膜)。分離件係以能自本發明之電磁波屏蔽膜剝離之方式積層。分離件是用以被覆、保護絕緣層或導電性接著劑層之要素，在使用本發明之電磁波屏蔽膜時會被剝下。
上述分離件例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、經氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑塗佈表面的塑膠膜或紙類等。
上述分離件之厚度宜為10~200μm，較佳為15~150μm。若上述厚度為10μm以上，則保護性能會更加優異。若上述厚度為200μm以下，則使用時容易剝離分離件。
本發明之電磁波屏蔽膜亦可於絕緣層與電磁波屏蔽層間形成錨固塗佈層。當具有此種構造時，電磁波屏蔽層與絕緣層之密著性會變得更加良好。
形成上述錨固塗佈層的材料可列舉：胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、以胺甲酸乙酯系樹脂為殼且以丙烯酸系樹脂為核的核-殼型複合樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂、脲甲醛系樹脂、使苯酚等阻斷劑與聚異氰酸酯反應而得的封閉異氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。上述材料可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
本發明之電磁波屏蔽膜其透氣性優異，且高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異。故，本發明之電磁波屏蔽膜對低頻率電磁波之屏蔽性能必然優異，且對高頻帶(例如1GHz以上，尤其是5GHz以上)電磁波之屏蔽性能亦優異，又可抑制加熱所致之膨脹。
本發明之電磁波屏蔽膜利用KEC法測定之於0.1GHz下的電磁波屏蔽特性宜為85dB以上，較佳為90dB以上。上述於0.1GHz下的電磁波屏蔽特性之上限例如為100dB。
本發明之電磁波屏蔽膜利用KEC法測定之於1GHz下的電磁波屏蔽特性宜為80dB以上，較佳為82dB以上。上述於1GHz下的電磁波屏蔽特性之上限例如為100dB。
本發明之電磁波屏蔽膜利用根據ASTM D4935之同軸管法(溫度25℃、相對濕度30~50%)測定之於15GHz下的電磁波屏蔽特性宜為68dB以上，較佳為70dB以上，更佳為75dB以上，再更佳為80dB以上，尤宜為90dB以上。上述於15GHz下的電磁波屏蔽特性之上限例如為100dB。
本發明之電磁波屏蔽膜宜為印刷配線板用途，且以撓性印刷配線板(FPC)用途尤佳。本發明之電磁波屏蔽膜對低頻率電磁波之屏蔽性能必然優異，且對高頻帶電磁波之屏蔽性能亦優異，再者由於透氣性優異，因此可抑制加熱所致之膨脹。故，本發明之電磁波屏蔽膜適宜作為撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜使用。
(本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法) 說明本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法。
製作圖1所示本發明之電磁波屏蔽膜1時，首先，個別製作具有導電性接著劑層11、第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b的第1積層體與絕緣層13。然後，將個別製作的第1積層體與絕緣層13加以貼合(積層法)。
製作第1積層體時，例如可將用以形成導電性接著劑層11的接著劑組成物塗佈(塗覆)於分離膜等暫時基材或基材上，並且視需要去溶劑及/或局部硬化而形成導電性接著劑層11。
舉例言之，上述接著劑組成物除了上述導電性接著劑層中所含各成分外，更含有溶劑(溶媒)。溶劑例如可列舉：甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。接著劑組成物之固體成分濃度可依照欲形成的導電性接著劑層之厚度等適當地設定。
上述接著劑組成物之塗佈可使用公知塗佈法。舉例言之，可使用凹版輥式塗佈機、反向輥式塗佈機、接觸輥式塗佈機、模唇塗佈機、浸漬輥式塗佈機、棒式塗佈機、刀式塗佈機、噴霧塗佈機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機、狹縫式模具塗佈機等塗佈機。
其次，在已形成於分離件上的導電性接著劑層11表面，積層已預先設置有開口部121的第1屏蔽層12a。另，開口部121可藉由衝孔、雷射照射等公知或慣用方法於金屬板(或金屬層)上形成。又，當上述金屬板由銅等可蝕刻材料構成時，亦可於上述金屬板之表面配置像是可形成開口部121的圖案之抗蝕劑，並藉由蝕刻形成開口部121。此外，亦可於上述金屬板之表面，印刷導電性糊抑或具有作為鍍敷催化劑之機能的糊劑。關於該印刷，可藉由以預定圖案印刷來形成開口部121。當印刷上述具有作為鍍敷催化劑之機能的糊劑時，宜於印刷糊劑而形成開口部121後，利用無電鍍敷法或電鍍法來形成金屬膜，藉此形成第1屏蔽層12a。
其次，在已配置於導電性接著劑層11上的第1屏蔽層12a側形成第2屏蔽層12b。第2屏蔽層12b之形成宜利用蒸鍍法或濺鍍法來進行。上述蒸鍍法及濺鍍法可採用公知或慣用方法。依此，藉由利用蒸鍍法或濺鍍法於第1屏蔽層12a表面形成第2屏蔽層12b，可作成以第2屏蔽層12b之一部分滲入開口部121的狀態覆蓋開口部121之結構。
另一方面，製作絕緣層13時，例如可將用以形成絕緣層13的樹脂組成物塗佈(塗覆)於分離膜等暫時基材或基材上，並且視需要去溶劑及/或局部硬化而形成絕緣層13。
舉例言之，上述樹脂組成物除了上述絕緣層中所含各成分外，更含有溶劑(溶媒)。溶劑可舉如：上述作為接著劑組成物可含有的溶劑所例示者。上述樹脂組成物之固體成分濃度可依照欲形成的絕緣層之厚度等適當地設定。
上述樹脂組成物之塗佈可使用公知塗佈法。可舉例如：上述作為運用在塗佈接著劑組成物中的塗佈機所例示者。
接著，將分別製作的第1積層體之露出面(第2屏蔽層12b側)與絕緣層13加以貼合，製作出本發明之電磁波屏蔽膜1。另，於上述貼合後，在第1屏蔽層12a的開口部121中除了第2屏蔽層12b外，因貼合時之壓力，有時會構成有導電性接著劑層11或絕緣層13滲入的構造。
另，雖然已針對個別製作第1積層體與絕緣層然後貼合的製造方法進行說明，但不限於該製造方法。舉例言之，作為其他態樣，可舉一個別製作導電性接著劑層11與具有第1屏蔽層12a、第2屏蔽層12b及絕緣層13的第2積層體然後貼合的方法。
製作第2積層體時，依上述方式製作絕緣層13，接著，於絕緣層13上形成第2屏蔽層12b及第1屏蔽層12a。第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b之形成方法如上述。在此，若利用蒸鍍法或濺鍍法形成第2屏蔽層12b，然後於第2屏蔽層12b上配置第1屏蔽層12a，則可作成以第2屏蔽層12b之一部分未滲入開口部121的狀態覆蓋開口部121之結構。又，將所製得第2積層體之露出面(第1屏蔽層12a側)和以與上述第1積層體相同方式製成的導電性接著劑層11加以貼合，製作出本發明之電磁波屏蔽膜1。另，依此製成的本發明之電磁波屏蔽膜中，因貼合時之壓力，有時會構成有第2屏蔽層、導電性接著劑層及絕緣層中之一者以上滲入第1屏蔽層之開口部的構造。
又，圖2所示本發明之電磁波屏蔽膜1除了將第1屏蔽層12a與第2屏蔽層12b之位置關係設為相反外，可依與上述圖1所示本發明之電磁波屏蔽膜1之製造方法相同方式來製作。
舉例言之，製作圖2所示本發明之電磁波屏蔽膜1時，首先，個別製作導電性接著劑層11與具有第2屏蔽層12b、第1屏蔽層12a及絕緣層13的第3積層體。然後，將個別製作的導電性接著劑層11與第3積層體加以貼合(積層法)。導電性接著劑層11之製作方法如上述。
製作第3積層體時，依上述方式製作絕緣層13，接著，於絕緣層13上形成第1屏蔽層12a，再形成第2屏蔽層12b。第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b之形成方法如上述。在此，藉由利用蒸鍍法或濺鍍法於第1屏蔽層12a表面形成第2屏蔽層12b，可作成以第2屏蔽層12b之一部分滲入開口部121的狀態覆蓋開口部121之結構。又，將所製得第3積層體之露出面(第2屏蔽層12b側)與導電性接著劑層11加以貼合，製作出本發明之電磁波屏蔽膜1。另，依此製成的本發明之電磁波屏蔽膜中，於上述貼合後，在第1屏蔽層12a的開口部121中除了第2屏蔽層12b外，因貼合時之壓力，有時會構成有導電性接著劑層11或絕緣層13滲入的構造。
又，圖2所示本發明之電磁波屏蔽膜1之製造方法，在其他態樣上可舉下述方法：個別製作具有導電性接著劑層11、第2屏蔽層12b及第1屏蔽層12a的第4積層體與絕緣層13，然後加以貼合。絕緣層13之製作方法如上述。
製作第4積層體時，依上述方式製作導電性接著劑層11，接著，於導電性接著劑層11上形成第2屏蔽層12b，再形成第1屏蔽層12a。第1屏蔽層12a及第2屏蔽層12b之形成方法如上述。在此，若利用蒸鍍法或濺鍍法形成第2屏蔽層12b，然後於第2屏蔽層12b上配置第1屏蔽層12a，則可作成以第2屏蔽層12b之一部分未滲入開口部121的狀態覆蓋開口部121之結構。又，將所製得第4積層體之露出面(第1屏蔽層12a側)與絕緣層13加以貼合，製作出本發明之電磁波屏蔽膜1。另，依此製成的本發明之電磁波屏蔽膜中，於上述貼合後，在第1屏蔽層12a的開口部121中除了第2屏蔽層12b外，因貼合時之壓力，有時會構成有導電性接著劑層11或絕緣層13滲入的構造。
本發明之電磁波屏蔽膜，在上述積層法以外的其他態樣上，亦可藉由依序積層各層的方法來製造(直接塗佈法)。舉例言之，圖1所示本發明之電磁波屏蔽膜1可依下述方式製造：於上述第1積層體的第2屏蔽層12b表面，塗佈(塗覆)用以形成絕緣層13的樹脂組成物，並且視需要去溶劑及/或局部硬化而形成絕緣層13。圖2及圖3所示本發明之電磁波屏蔽膜1亦可同樣地來製造。
[印刷配線板] 圖4顯示具備本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一實施形態。圖4所示屏蔽印刷配線板2具備：印刷配線板20；電磁波屏蔽積層體1’，其積層於印刷配線板20上；導電性接著劑層30，其填充於設在電磁波屏蔽積層體1’的通孔14內；及補強板40，其利用導電性接著劑層30來接著。補強板40可取代成外部接地構件。另，電磁波屏蔽積層體1’係由本發明之電磁波屏蔽膜1形成者。具體而言，例如藉由將積層有本發明之電磁波屏蔽膜1的印刷配線板熱壓接，導電性接著劑層11會熱硬化或熔融、冷卻固化而形成電磁波屏蔽積層體1’。
印刷配線板20具有：基底構件21；電路圖案23，其局部設置於基底構件21之表面；絕緣保護層(覆蓋層)24，其覆蓋電路圖案23並進行絕緣保護；及接著劑層22，其覆蓋電路圖案23，且用以接著電路圖案23及基底構件21與絕緣保護層24。電路圖案23包含複數個信號電路。
電磁波屏蔽積層體1’係於印刷配線板20上、具體而言為印刷配線板20的絕緣保護層24上，以導電性接著劑層11’、第1屏蔽層12a、第2屏蔽層12b、絕緣層13之順序積層。電磁波屏蔽積層體1’具有在厚度方向上貫通(亦即印刷配線板20表面露出)的通孔14。藉由具有通孔14，導電性接著劑層30可利用加壓及加熱而流入通孔14內，而與導電性接著劑層11’電連接。通孔14之底部為印刷配線板20，具體而言為絕緣保護層24。即，通孔14係由絕緣層13側面、由第1屏蔽層12a與第2屏蔽層12b構成的電磁波屏蔽層側面、導電性接著劑層11’側面及印刷配線板20(尤其是絕緣保護層24)表面形成。
導電性接著劑層30配置於電磁波屏蔽積層體1’上，並填充通孔14，在通孔14中與導電性接著劑層11’電連接。補強板40係經由導電性接著劑層30而固定於印刷配線板20及電磁波屏蔽積層體1’上。
導電性接著劑層30並未抵接於電路圖案。在此情形下，形成導電性接著劑層30的接著劑流入通孔的高度低，因此可防止朝通孔內部之流入不足而導致氣泡混入。故，舉例言之，可抑制在回流步驟中界面剝離，且可獲得穩定的連接可靠性。
屏蔽印刷配線板2可藉由具備以下步驟的製造方法來製造：屏蔽膜積層步驟，係於印刷配線板20上積層本發明之電磁波屏蔽膜1；補強板積層步驟，係將具備電磁波結合膜的補強板40以電磁波結合膜與本發明之電磁波屏蔽膜1接觸之方式積層於通孔14上面；及熱壓接步驟，係利用熱壓接使電磁波結合膜流入通孔14內，由電磁波結合膜形成導電性接著劑層30而使電磁波屏蔽積層體1’中的導電性接著劑層11’與導電性接著劑層30抵接。另，利用上述熱壓接，導電性接著劑層11會熱硬化或熔融、冷卻固化而形成導電性接著劑層11’，從而由本發明之電磁波屏蔽膜1形成電磁波屏蔽積層體1’。
上述屏蔽膜積層步驟中，以絕緣保護層24與導電性接著劑層11接觸之方式，將本發明之電磁波屏蔽膜1積層於印刷配線板20上。另，通孔14可於本發明之電磁波屏蔽膜1之積層前及積層後任一時間形成。通孔14之形成例如利用雷射加工來進行。
上述補強板積層步驟中，貼合導電性結合膜與補強板40並切割成任何尺寸後，以堵塞通孔14之開口部之方式將導電性結合膜面配置於絕緣層13之表面。
又，上述熱壓接步驟中，藉由加壓及加熱，導電性結合膜會軟化而流動，且藉由加壓時的壓力而流入填充於通孔14內。然後，藉由利用後續的冷卻或熱聚合而硬化，形成導電性接著劑層30。如此一來，導電性結合膜就會藉由熱壓接產生流動而與導電性接著劑層11’抵接。
實施例 以下，根據實施例更詳細地說明本發明，惟本發明並非僅限於該等實施例。
實施例1 (1)絕緣層之形成 於屬於基材的分離膜上，塗佈由環氧樹脂構成的樹脂組成物且塗佈成厚度為5μm，以此備妥絕緣層。
(2)第2屏蔽層之形成 於上述所製得之絕緣層上，利用蒸鍍法形成厚度為0.1μm的銀層(第2屏蔽層)。
(3)第1屏蔽層之形成 於上述所製得之第2屏蔽層上，利用銀糊，以按開口率為2.0%來形成複數個各開口面積為1970μm2 的開口部之方式，形成鍍敷催化劑層。另，銀層之厚度為30nm。開口部之形狀為圓形，開口部之排列圖案作成像是構成千鳥格紋型的排列圖案。 其次，將印刷銀糊後之具備第2屏蔽層的絕緣層於55℃下浸漬於無電鍍銅液(pH12.5)中20分鐘，形成無電鍍銅膜(厚度0.5μm)。 接著，將上述所製得之無電鍍銅膜之表面設置於陰極，並將含磷銅設置於陽極，使用含硫酸銅的電鍍液，以電流密度2.5A/dm2 進行電鍍30分鐘，藉此，於絕緣層之第2屏蔽層上積層合計厚度為2.0μm的鍍銅層(第1屏蔽層)。上述電鍍液係使用硫酸銅70g/公升、硫酸200g/公升、氯離子50mg/公升、光澤劑5g/公升之溶液。
(4)導電性接著劑層之形成 於上述所製得之第1屏蔽層上，塗佈接著劑組成物且塗佈成厚度為15μm，該接著劑組成物係於含磷環氧樹脂中添加有Ag包Cu粉末20質量%者。塗佈方法使用模唇塗佈方式。又，於100℃下施行加熱處理30秒鐘，藉此使塗膜之溶劑成分揮發，而形成導電性接著劑層。 依上述方式，製作出由導電性接著劑層/第1屏蔽層/第2屏蔽層/絕緣層之構造構成的電磁波屏蔽膜。
實施例2~16 除了將第1屏蔽層之開口率、第2屏蔽層之材質及厚度變更為如表所示外，依與實施例1相同方式製作出電磁波屏蔽膜。
比較例1~3 除了未使用第2屏蔽層且將第1屏蔽層之開口率變更為如表所示外，依與實施例1相同方式製作出電磁波屏蔽膜。
(評價) 針對實施例及比較例中製得的各電磁波屏蔽膜，如下述般進行評價。評價結果記載於表中。
(1)回流膨脹 針對各實施例及比較例中製得的電磁波屏蔽膜，利用以下方法評價回流膨脹。 首先，利用熱壓將各電磁波屏蔽膜黏貼於印刷配線板上，製得屏蔽印刷配線板。接著，暴露於回流時的溫度條件下，然後進行室溫冷卻，這樣的過程反覆5次後，評價有無膨脹。另，回流時的溫度條件是假定為無鉛焊料，並設為預熱溫度180℃、預熱時間60秒，且於最高265℃之溫度下暴露10秒鐘來設定曲線。又，利用目視來觀察有無膨脹，並根據下述評價基準進行評價。 ○(良好)：屏蔽膜上完全未產生膨脹。 ×(不良)：屏蔽膜上產生膨脹。
(2)屏蔽性 針對各實施例及比較例中製得的電磁波屏蔽膜之電磁波屏蔽特性，在0.1GHz及1GHz之屏蔽特性方面使用KEC法，在15GHz之屏蔽特性方面則利用同軸管法進行測定。又，於表1中顯示測得之電磁波屏蔽特性。表中所示屏蔽性之單位為[dB]。
＜KEC法＞ 圖5為示意圖，其示意顯示KEC法中所用系統之構造。KEC法中所用系統係由電磁波屏蔽效果測定裝置51、頻譜分析儀52、進行10dB之衰減的衰減器53、進行3dB之衰減的衰減器54及前置放大器55所構成。如圖5所示，於電磁波屏蔽效果評價裝置51中，2個測定夾具61係相對向設置。各實施例及比較例中製得的電磁波屏蔽膜(圖5中以符號70表示)以被夾持於這2個測定夾具61間之方式來設置。測定夾具61採用TEM室(橫向電磁室，Transverse ElectroMagnetic Cell)之尺寸分配，並構成在與其傳輸軸方向垂直的面內左右對稱地分割之結構。不過，為了防止因電磁波屏蔽膜70之插入而形成短路，平板狀中心導體62係於與各測定夾具61間設置間隙而配置。KEC法首先係將自頻譜分析儀52輸出的信號經由衰減器53輸入至發送側之測定夾具61。然後，將已由接收側之測定夾具61接收且經過衰減器54的信號藉由前置放大器55擴大後，利用頻譜分析儀52測定信號位準。另，頻譜分析儀52係以未於電磁波屏蔽效果測定裝置51設置電磁波屏蔽膜70之狀態為基準，輸出已於電磁波屏蔽效果測定裝置51設置電磁波屏蔽膜70時的衰減量。使用此種裝置，於溫度25℃、相對濕度30~50%之條件下，將各實施例及比較例中製得的電磁波屏蔽膜裁切成15cm見方，進行於0.1GHz及1GHz下的電磁波屏蔽特性之測定及評價。
＜同軸管法＞ 根據ASTM D4935，於溫度25℃、相對溼度30~50%之條件下，使用KEYCOM公司之同軸管型屏蔽效果測定系統，測得15GHz之電磁波藉由各實施例及比較例中製得的電磁波屏蔽膜而衰減的衰減量。
[表1]
本發明之電磁波屏蔽膜(實施例)其透氣性優異，且不會產生回流膨脹。又，電磁波屏蔽性能亦優異。另一方面，當使用不具開口部之第1屏蔽層時(比較例1)及不具有用以覆蓋開口部之第2屏蔽層時(比較例2、3)，透氣性差且產生回流膨脹，或者是電磁波屏蔽性能差。
1:本發明之電磁波屏蔽膜 1’:電磁波屏蔽積層體 2:屏蔽印刷配線板 11,11’,30:導電性接著劑層 12:電磁波屏蔽層 12a:第1屏蔽層 12b:第2屏蔽層 13:絕緣層 14:通孔 20:印刷配線板 21:基底構件 22:接著劑層 23:電路圖案 24:絕緣保護層(覆蓋層) 40:補強板 51:電磁波屏蔽效果測定裝置 52:頻譜分析儀 53,54:衰減器 55:前置放大器 61:測定夾具 62:中心導體 70:電磁波屏蔽膜 121:開口部
圖1為截面示意圖，其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。 圖2為截面示意圖，其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之另一實施形態。 圖3為截面示意圖，其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之另一其他實施形態。 圖4為截面示意圖，其顯示使用了本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一實施形態。 圖5為示意圖，其示意顯示KEC法中所用系統之構造。
1:本發明之電磁波屏蔽膜
11:導電性接著劑層
12:電磁波屏蔽層
12a:第1屏蔽層
12b:第2屏蔽層
13:絕緣層
121:開口部

Claims (6)

  1. 一種電磁波屏蔽膜，具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層，且前述電磁波屏蔽層具有：第1屏蔽層，其具有開口部；及第2屏蔽層，其形成為覆蓋前述第1屏蔽層之前述開口部；前述第2屏蔽層為金屬層；並且，前述第2屏蔽層係鄰接前述第1屏蔽層而設置。
  2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述第1屏蔽層之厚度與前述第2屏蔽層之厚度的比[前者/後者]為3.0~300。
  3. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述第1屏蔽層之厚度為0.5~10μm。
  4. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性接著劑層之厚度為3~20μm。
  5. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其依序具有前述導電性接著劑層、前述第1屏蔽層及前述第2屏蔽層。
  6. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述開口部之開口率為2.0~30%。
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