TW202415715A

TW202415715A - 導電性接著劑層

Info

Publication number: TW202415715A
Application number: TW112124216A
Authority: TW
Inventors: 春名裕介
Original assignee: 日商拓自達電線股份有限公司
Priority date: 2022-09-30
Filing date: 2023-06-29
Publication date: 2024-04-16

Abstract

本發明提供一種導電性接著劑層，其即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍可對於各種被接著體發揮充分的密著強度。導電性接著劑層1包含黏結劑成分11及熔點170℃以下的金屬粒子A(12a)，且於表面露出金屬粒子A(12a)。宜進一步包含可與金屬粒子A(12a)合金化的金屬粒子B(12b)，且宜進一步包含焊料粒子C(12c)。又，金屬粒子A(12a)宜為真球狀。

Description

導電性接著劑層

本發明係關於導電性接著劑層。

背景技術以往，於電子零件的連接用途上會使用到導電性接著劑層，作為這樣的導電性接著劑層，舉例而言，為了取代高溫焊料且發揮連接安定性，已知一種使低熔點金屬粒子與高熔點金屬粒子合金化而成的導電性接著劑層(專利文獻1)。先行技術文獻專利文獻

[專利文獻1]日本特開2008-108625號公報

發明概要發明欲解決之課題然而，以往的導電性接著劑層在低溫下(例如170~190℃)、短時間的加壓接合加工條件下密著強度不充分，特別是使用金屬板或Ni-Au鍍敷物作為被接著體時有密著強度不充分的問題。

本發明係用以解決這種問題，其目的在於提供一種導電性接著劑層，該導電性接著劑層即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍會對於各種被接著體具有充分的密著強度。用以解決課題之手段

本發明人為了解決上述課題鑽研努力的結果發現，若導電性接著劑層包含熔點170℃以下的金屬粒子A，且上述金屬粒子A露出於導電性接著劑層表面，則即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍會對於各種被接著體發揮高密著強度。本發明係基於這樣的見解而完成。

即，本發明提供一種導電性接著劑層，其包含黏結劑成分及熔點170℃以下的金屬粒子A，且於表面露出上述金屬粒子A。

藉由如上所述地包含黏結劑成分及熔點170℃以下的金屬粒子A且其露出於導電性接著劑層表面，便可在即使是低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍能對於各種被接著體發揮高密著強度。

上述導電性接著劑層中除了上述金屬粒子A，宜進一步包含可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B。藉由包含可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B，可提高導電性接著劑層的電傳導性、密著強度。

又，導電性接著劑層中除了上述金屬粒子A，宜進一步包含焊料粒子C。藉由包含焊料粒子C，可提高厚度方向的電傳導性。

上述金屬粒子A宜為真球狀。藉由金屬粒子為真球狀，則容易露出於導電性接著劑層表面，而容易發揮密著強度。

上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B宜為樹枝狀或小片狀。可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B為樹枝狀或小片狀，就容易發揮密著強度。

又，上述焊料粒子C宜為真球狀。藉由焊料粒子C為真球狀，便可使厚度方向的電傳導性安定化而無不均。

又，上述金屬粒子A之中值粒徑(D50)宜大於上述導電性接著劑層之膜厚。藉由金屬粒子A之中值粒徑(D50)大於導電性接著劑層之膜厚，便容易發揮低溫、短時間的加壓接合加工條件下的密著強度。

又，上述導電性接著劑層之厚度宜為1~50μm。發明效果

本發明之導電性接著劑層即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍可對於各種被接著體發揮充分的密著強度。特別是被接著體為金屬板或Ni-Au鍍敷物時，即使這種情況下亦可發揮充分的密著強度。

用以實施發明之形態 [導電性接著劑層] 本發明之導電性接著劑層至少包含黏結劑成分及熔點170℃以下的金屬粒子A，且於導電性接著劑層表面露出上述金屬粒子A。再者，本案說明書中，將熔點170℃以下的金屬粒子稱為「金屬粒子A」。又，本發明中於導電性接著劑層表面「露出」意指上述金屬粒子A之中值粒徑(D50)或後述的粒子厚度大於上述導電性接著劑層厚度之態樣。又，導電性接著劑層可以覆蓋上述金屬粒子A、也可以不覆蓋上述金屬粒子A。

上述導電性接著劑層可以是各向異性導電性接著劑層、也可以是各向同性導電性接著劑層。舉例而言，在後述的導電性接著劑層中主要是金屬粒子A擔當導電性的情況下為各向異性導電性接著劑層，在均衡地調配上述金屬粒子A與其他導電性粒子(例如後述的可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B)的情況下則為各向同性導電性接著劑層。

又，上述導電性接著劑層宜含有後述的可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B及焊料粒子C。透過除了金屬粒子A還含有可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B及焊料粒子C，就更容易達成即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下仍可對於各種被接著體發揮密著強度。

圖1中顯示本發明之導電性接著劑層之一實施形態。導電性接著劑層1包含黏結劑成分11、金屬粒子A(12a)、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B(12b)及焊料粒子C(12c)。金屬粒子A(12a)露出於接著劑層的表面，且該接著劑層是由黏結劑成分11構成。

(金屬粒子A) 上述金屬粒子A的熔點為170℃以下，宜為160℃以下，較佳為150℃以下。又，熔點的下限沒有特別的限制，例如宜為130℃以上。藉由金屬粒子A的熔點在上述範圍內，便可在即使是低溫、短時間的加壓接合加工條件下，仍容易對於各種被接著體發揮充分的密著強度。關於上述金屬粒子A可僅使用一種，亦可使用二種以上。

上述金屬粒子A宜為含有錫(熔點：232℃)及鉍(熔點：271℃)之合金，除錫及鉍之外，若可使熔點為130℃~170℃，則亦可含有其他金屬。又，在上述金屬粒子A中錫:鉍之質量比率宜為30:70~80:20，較佳為35:65~60:40，尤宜為40:60~45:55。藉由錫:鉍為上述質量比率，便容易將上述熔點金屬粒子A的熔點調整至130℃~170℃之範圍內。

上述金屬粒子A之中值粒徑(D50)宜大於上述導電性接著劑層之厚度，宜相較於上述導電性接著劑層之厚度為70~500%，較佳為100~400%，尤宜為150~300%。藉由金屬粒子A之中值粒徑(D50)為導電性接著劑層厚度的70%以上，就容易存在金屬粒子A之最大粒徑大於導電性接著劑層厚度的金屬粒子A，結果金屬粒子A會露出於導電性接著劑層表面，而在密著於被接著體時，金屬粒子A會適度地熔解，從而即使在低溫條件下仍可發揮密著強度。又，藉由金屬粒子A之中值粒徑(D50)為導電性接著劑層厚度的100%以上，金屬粒子A之中值粒徑(D50)就會大於導電性接著劑層之厚度而更容易於表面露出。若金屬粒子A之中值粒徑(D50)為導電性接著劑層厚度的500%以下，則對於被接著體之密著強度會更優異。

又，相對於上述導電性接著劑層之厚度，上述金屬粒子A之針對厚度方向之粒徑(粒子厚度)宜大於上述導電性接著劑層之厚度，且宜相對於導電性接著劑層之厚度為100~400%，較佳為150~300%。藉由上述粒子厚度大於導電性接著劑層之厚度，則金屬粒子A更易於表面露出。

上述金屬粒子A之中值粒徑(D50)宜為3~150μm，較佳為5~100μm，尤宜為10~75μm。藉由金屬粒子A之中值粒徑(D50)在上述範圍內，便容易使其露出於導電性接著劑層的表面。

又，上述金屬粒子A之形狀可列舉：球狀(真球狀、橢圓球狀等)、小片狀(鱗片狀、扁平狀)、樹枝狀(枝晶狀)、纖維狀、不規則形狀(多面體)等。其中，由容易使其露出於導電性接著劑層表面之觀點而言，宜為球狀，尤宜為真球狀。

相對於黏結劑成分100質量份，上述金屬粒子A之含量宜為50~500質量份，較佳為60~400質量份，尤宜為70~300質量份，且尤宜為80~200質量份。藉由金屬粒子A之含量在上述範圍內，便會包含足量的金屬粒子A，且易露出於導電性接著劑層表面而容易發揮密著強度。

(可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B) 本發明之導電性接著劑層亦可包含上述金屬粒子A以外的其他金屬粒子。其中又以含有可與金屬粒子A合金化的金屬粒子作為上述其他金屬粒子為佳。再者，本案說明書中，將可與金屬粒子A合金化的金屬粒子稱為「可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B或金屬粒子B」。關於上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B可僅使用一種，亦可使用二種以上。

關於可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B，例如可列舉金屬粒子、金屬被覆金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子、金屬皮膜石墨粒子、金屬皮膜合金粒子、樹脂被膜金屬粒子、金屬纖維等。

關於可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B，可列舉銅粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆銅合金粒子、鎳粒子、銀被覆鎳粒子、銀被覆石墨粒子、銅被覆石墨粒子、樹脂被膜銀粒子、樹脂被膜銅粒子、樹脂被膜鎳粒子等。其中，由可與金屬粒子A合金化而提高導電性接著劑層的電傳導性，且在低溫、短時間的加壓接合加工條件下會發揮充分的密著強度之觀點而言，宜為含銅之金屬粒子，尤宜為銅粒子、銀被覆銅粒子。

上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B之形狀可列舉：球狀(真球狀、橢圓球狀等)、小片狀(鱗片狀、扁平狀)、樹枝狀(枝晶狀)、纖維狀、不規則形狀(多面體)等。其中，又以小片狀、樹枝狀為佳。藉由使可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B之形狀為小片狀、樹枝狀，則容易形成上述金屬粒子B彼此重疊之姿勢，從而金屬粒子B彼此接觸會增加，平面方向之導電性會提升。在該平面方向之導電性提升與金屬粒子A所帶來厚度方向之導電性的相輔相成下，導電性接著劑層全體之導電性會提高(電性穩定)，且可使被接著體彼此之連接穩定性更加提升。又，藉由上述金屬粒子A熔融、合金化而與上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B在導電性接著劑層內連接，便可發揮密著強度。

上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B之中值粒徑(D50)宜比上述金屬粒子A小，具體而言宜為0.5~25μm，較佳為3~10μm。若上述中值粒徑(D50)為0.5μm以上，則更加發揮各向同性導電性。又，可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B的分散性良好而可抑制凝集。若上述中值粒徑(D50)為25μm以下，則導電性接著劑層對於被接著體之密著強度會更優異。

上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B之含量宜比上述金屬粒子A少，相對於黏結劑成分100質量份，宜為30~300質量份，較佳為40~250質量份，尤宜為50~200質量份，且尤宜為60~150質量份。可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B之含量在上述範圍內，便容易發揮密著強度。

(焊料粒子C) 本發明之導電性接著劑層中除了上述金屬粒子A、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B，宜進一步含有焊料粒子C作為上述其他金屬粒子。再者，本案說明書中，將焊料粒子稱為「焊料粒子C」。關於上述焊料粒子C可僅使用一種，亦可使用二種以上。

上述焊料粒子C宜至少包含錫作為構成金屬。相對於焊料粒子C之總量100質量%，焊料粒子C中之錫之含有比率宜為80質量%以上、較佳為85質量%以上、更佳為90質量%以上、尤宜為94質量%以上。推測焊料粒子C中之錫在熱壓接合時，會與具有導電性之被接著體(接地電路或接地側補強構件等)在界面形成合金。因此，若焊料粒子C包含80質量%以上(尤其是90質量%以上)的錫，在回焊步驟等中經受高溫時，被接著體彼此之連接穩定性仍可維持。上述含有比率宜為99.9質量%以下、較佳為99.6質量%以下。若上述含有比率為99.9質量%以下，焊料粒子C則具有某程度的硬度而於高溫環境下經受高壓力時，焊料粒子C不會被過度壓縮，便容易確保被接著體彼此的導通。

又，關於上述焊料粒子C之構成金屬，亦可包含錫以外的其他金屬。關於上述其他金屬，可列舉：金、銀、銅、鉑、鎳、鋅、鉛、鈀、鉍、銻、銦等。由連接穩定性更優異之觀點而言，上述焊料粒子C宜包含金、銀、銅、鉑、鎳、鈀等比錫更硬的金屬作為上述其他金屬。上述其他金屬分別可僅包含一種，亦可包含二種以上。

又，關於焊料粒子C之形狀，可列舉：球狀(真球狀、橢圓球狀等)、小片狀(鱗片狀、扁平狀)、樹枝狀(枝晶狀)、纖維狀、不規則形狀(多面體)等。其中，由連接電阻之觀點而言，宜為球狀，尤宜為真球狀。

上述焊料粒子C之中值粒徑(D50)宜比上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B大，宜為3~150μm，較佳為5~100μm，更佳為10~75μm。若上述中值粒徑(D50)為1μm以上，則可更加發揮焊料粒子C所帶來厚度方向之導電性。又，金屬粒子的分散性良好而可抑制凝集。若上述中值粒徑(D50)為90μm以下，則導電性接著劑層對被接著體之密著強度更優異。

上述焊料粒子C之含量宜比上述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B多，相對於黏結劑成分100質量份，宜為50~500質量份，較佳為60~400質量份，尤宜為70~300質量份，且尤宜為80~200質量份。透過焊料粒子C之含量在上述範圍內，就容易達成即使在低溫、短時間的加壓接合加工條件下仍可發揮密著強度。

又，上述導電性接著劑層亦可含有金屬粒子A、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B、焊料粒子C以外的其他金屬粒子。在導電性接著劑層中使用的金屬粒子之總量100質量%之中，上述金屬粒子A、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B、焊料粒子C的合計量宜為90質量%以上，較佳為100質量%。藉由金屬粒子A、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B、焊料粒子C的合計量在上述範圍內，便容易發揮密著強度。

相對於黏結劑成分100質量份，金屬粒子之總含量宜為100~1000質量份，較佳為120~700質量份，尤宜為150~400質量份。藉由金屬粒子之總含量相對於黏結劑成分100質量份為80質量份以上，便容易發揮導電性，且藉由金屬粒子之總含量相對於黏結劑成分100質量份為1000質量份以下，便容易發揮充分的密著強度。

(黏結劑成分) 關於上述黏結劑成分，可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型化合物等。關於上述熱塑性樹脂，例如可列舉：聚苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂(例如聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂組成物等)、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用二種以上。

關於上述熱硬化型樹脂，可列舉具有熱硬化性之樹脂(熱硬化性樹脂)及使上述熱硬化性樹脂硬化而獲得之樹脂兩者。關於上述熱硬化性樹脂，例如可列舉：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂等。上述熱硬化型樹脂可僅使用一種，亦可使用二種以上。

關於上述環氧系樹脂，例如可列舉：雙酚型環氧系樹脂、螺環型環氧系樹脂、萘型環氧系樹脂、聯苯型環氧系樹脂、萜烯型環氧系樹脂、環氧丙基醚型環氧系樹脂、環氧丙基胺型環氧系樹脂、酚醛清漆型環氧系樹脂等。

關於上述雙酚型環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。關於上述環氧丙基醚型環氧樹脂，例如可列舉：參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等。關於上述環氧丙基胺型環氧樹脂，可舉例如：四環氧丙基二胺基二苯基甲烷等。關於上述酚醛清漆型環氧樹脂，例如可列舉：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、α-萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。

上述活性能量線硬化型化合物，可列舉藉由照射活性能量線可硬化之化合物(活性能量線硬化性化合物)及使上述活性能量線硬化性化合物硬化而獲得之化合物兩者。關於活性能量線硬化性化合物，並無特別限定，但可舉例如：於分子中具有1個以上(宜為2個以上)自由基反應性基(例如(甲基)丙烯醯基)之聚合性化合物等。上述活性能量線硬化型化合物可僅使用一種，亦可使用二種以上。

關於上述黏結劑成分，其中又以熱硬化型樹脂為佳。在此情況下，將導電性接著劑層配置於印刷配線板、抑或已實施電磁波屏蔽措施的屏蔽印刷配線板等被接著體上，之後可藉由加壓及加熱而使黏結劑成分硬化，而黏貼部分之接著性會變良好。例如，令黏結劑成分為熱硬化性樹脂時，熱壓接合後之黏結劑成分即會成為上述熱硬化性樹脂硬化後的熱硬化型樹脂。

在上述黏結劑成分包含熱硬化型樹脂的情況下，關於構成上述黏結劑成分之成分，亦可包含用以促進熱硬化反應的硬化劑。上述硬化劑可因應上述熱硬化性樹脂之種類適宜選擇。上述硬化劑可僅使用一種，亦可使用二種以上。

上述導電性接著劑層中之黏結劑成分之含有比率相對於接著劑之總量100質量%宜為15~95質量%、較佳為20~90質量%、更佳為30~80質量%。若上述含有比率為15質量%以上，對被接著體之密著性更良好。若上述含有比率為95質量%以下，則可充分地調配金屬粒子A而密著強度及導電性會更優異。

於無損本發明目標效果之範圍內，上述導電性接著劑層亦可含有上述各成分以外的其他成分。關於上述其他成分，可列舉公知或慣用的接著劑可含成分。關於上述其他成分，例如可列舉：硬化促進劑、塑化劑、阻燃劑、消泡劑、黏度調整劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、偶合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂、抗結塊劑等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用二種以上。

上述導電性接著劑層之厚度宜為3~50μm、較佳為5~30μm。若上述厚度為3μm以上，對被接著體之密著強度就更加良好。若上述厚度為50μm以下，可抑制成本，且可輕薄設計具備上述導電性接著劑層之製品。再者，導電性接著劑層之厚度為未露出金屬粒子A之區域的厚度。又，上述導電性接著劑層之壓製加工後的厚度亦宜在上述範圍內。

針對上述導電性接著劑層，藉由常溫下、拉伸速度50mm/分、剝離角度90°之條件下的剝離試驗來求算其對金屬板或Ni-Au鍍敷物的密著強度(剝離力)，該密著強度(剝離力)並無特別限定，但宜為7.3N/cm以上、較佳為8.0N/cm以上、更佳為9.0N/cm以上、尤宜為10.0N/cm以上。若上述密著強度為7.3N/cm以上，則上述導電性接著劑層對於被接著體的密著性會更優異。為了不讓上述Ni-Au鍍敷物在剝離試驗時破裂，亦可使用塑膠膜等來補強。上述剝離試驗之具體方法例如如後述實施例所記載。

上述導電性接著劑層亦可於至少一面積層有分離膜。即，上述導電性接著劑層亦可以積層體之形式提供，該積層體具備分離膜、及形成於該分離膜之脫模面的上述導電性接著劑層。上述分離膜於使用時會被剝離。

上述導電性接著劑層可藉由公知或慣用之製造方法來製造。例如可列舉：於分離膜等暫時基材或基材上，塗佈(塗敷)用以形成導電性接著劑層之接著劑組成物，並視需要去除溶媒及/或使一部分硬化而形成。

上述接著劑組成物例如除了上述導電性接著劑層所包含的各成分外，還包含溶劑(溶媒)。關於溶劑，例如可列舉：甲苯、丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。接著劑組成物之固體成分濃度可因應形成的導電性接著劑層之厚度等適宜設定。

於塗佈上述接著劑組成物時，亦可使用公知之塗佈法。例如可使用：凹版輥塗佈機、逆輥塗佈機、接觸輥塗佈機、模唇塗佈機、浸漬輥塗佈機、棒塗佈機、刮刀塗佈機、噴塗機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機、狹縫式模具塗佈機等塗佈機。

如上述地製作而成的導電性接著劑層可在低溫、短時間的加壓接合加工條件下，對於各種被接著體發揮充分的密著強度，特別是當被接著體即使是金屬板或Ni-Au鍍敷物時，亦可發揮充分的密著強度，故可適合使用在印刷配線板之孔填充用途或可用作阻劑油墨(resist ink)。

(附補強構件之印刷配線板) 圖2係顯示一將上述導電性接著劑層應用於附補強構件之印刷配線板的例子。如圖2所示，附補強構件之印刷配線板之一實施形態、即附補強構件之印刷配線板(X)具備：印刷配線板(3)、設置於印刷配線板(3)上之導電性接著劑層(1’)、及設置於導電性接著劑層(1’)上且具有導電性之補強構件(2)。

印刷配線板(3)具有：基底構件(31)；電路圖案(32)，其係局部性設置於基底構件(31)之表面；絕緣保護層(33)，其係覆蓋電路圖案(32)進行絕緣保護；以及接著劑(34)，其係覆蓋電路圖案(32)且用以將電路圖案(32)及基底構件(31)與絕緣保護層(33)進行接著。電路圖案(32)包含複數個信號電路(32a)及接地電路(32b)。於接地電路(32b)上之接著劑(34)及絕緣保護層(33)形成有開口部(通孔)(3a)，所述開口部(通孔)(3a)係於厚度方向上貫通接著劑(34)及絕緣保護層(33)。

導電性接著劑(1’)係以覆蓋封閉開口部(3a)之方式接著於印刷配線板(3)之絕緣保護層(33)表面，且黏結劑成分(11’)填充開口部(3a)。導電性接著劑層(1’)由金屬粒子A(12a)、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B(12b)、焊料粒子C(12c)及黏結劑成分(11’)形成。導電性接著劑層(1’)具有接著劑層之厚度較厚的厚膜部與接著劑層之厚度較薄的薄膜部。厚膜部係與填充開口部(3a)之部分一致，薄膜部則和位於絕緣保護層(33)與補強構件(2)之間的部分一致。厚膜部中之金屬粒子A(12a)及焊料粒子C(12c)位於補強構件(2)與接地電路(32b)之間，宜使補強構件(2)與接地電路(32b)接觸導通。又，於導電性接著劑(1’)表面露出之金屬粒子A(12a)密著於接地電路(32b)及補強構件(2)之表面。此外，藉由包含可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B(12b)、焊料粒子C(12c)，則接地構件(32b)與補強構件(2)導通，補強構件(2)將作為外部連接導電層發揮作用，且補強構件(2)表面與外部接地構件電性連接。

導電性接著劑層(1’)例如可藉如下方式獲得：將用以形成導電性接著劑層(1’)之流動前或硬化前的導電性接著劑層(1)視需要貼合於補強構件(2)之表面，之後再貼合於印刷配線板(3)之絕緣保護層(33)上，然後利用加熱使黏結劑成分(11)流動或硬化以進行熱壓接合，藉此，使金屬粒子A(12a)、焊料粒子C(12c)的一部分被夾在補強構件(2)與絕緣保護層(33)之間而產生壓縮變形，同時，使黏結劑成分(接著劑成分)(11)接著於絕緣保護層(33)，並且使黏結劑成分(11)流動而使黏結劑成分(11)、金屬粒子A(12a)、可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B(12b)及焊料粒子C(12c)填充於開口部(3a)內，並視需要進行硬化而形成黏結劑成分(11’)。

印刷配線板(3)係形成為可在其安裝部位連接電子零件(4)，該安裝部位係設在印刷配線板(3)之相對於補強構件(2)的相反面。補強構件(2)與用以連接電子零件(4)之安裝部位呈對向配置。藉此，補強構件(2)對於電子零件(4)之安裝部位進行了補強。具有導電性之補強構件(2)經由導電性接著劑層(1’)而與印刷配線板(3)中之接地電路(32b)電性連接。藉此，補強構件(2)會保持與接地電路(32)相同電位，故對於電子零件(4)之安裝部位屏蔽了來自外部的電磁波等雜訊。

[實施例] 以下，基於實施例對本發明之一實施形態更詳細地進行說明。再者，表1中所示各成分之含量單位為「質量份」。

實施例1 為使固體成分量成為20質量%，於有機溶媒(甲苯)中調配100質量份之雙酚A型環氧系樹脂(商品名「jER1256」、三菱化學股份有限公司製)、及111質量份之金屬粒子A(Sn-Bi合金金屬粒子、Sn:Bi=42:58、熔點138℃、平均粒徑35μm、真球狀)，進行攪拌混合後，調製出接著劑組成物。將已獲得之接著劑組成物塗布於表面經脫模處理之PET膜的脫模處理面，藉由加熱來去除溶媒，以形成厚度20μm且表面露出金屬粒子A的導電性接著劑層。

實施例2~7及比較例1~3 除了如表1所示地變更導電性接著劑層中之金屬粒子之種類、形狀、調配量等以外，以與實施例1相同方式製作出導電性接著劑層。又，表中各成分的詳細說明如下。

可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B：銀被覆銅粒子、中值粒徑(D50) 5μm 焊料粒子C：Sn96.5-Ag3.0-Cu0.5金屬粒子(Sn:Ag:Cu=96.5:3.0:0.5)、熔點217℃、中值粒徑(D50) 35μm

[評價] 應用上述實施例與比較例所使用的各金屬粒子及所製作的導電性接著劑層來進行以下評價。

(1)中值粒徑(D50) 使用流動式粒子影像分析裝置(商品名「FPIA-3000」、Sysmex公司製)測定金屬粒子之中值粒徑(D50)。具體而言，使用10倍的物鏡，以明視野的光學系統，於LPF測定模式下以經調整為4000~20000個/μl之濃度的金屬粒子分散液來測量。上述金屬粒子分散液以下述方式來調製：於已調整成0.2質量%之六偏磷酸鈉水溶液中添加0.1~0.5ml之界面活性劑，並添加0.1±0.01g作為測定試料的金屬粒子。藉由超音波分散器，將已分散有金屬粒子的懸浮液進行1~3分鐘的分散處理，以供測定。將測定所得的金屬粒子之中值粒徑(D50)顯示於表1。

(2)密著強度使用加壓機並於溫度：120℃、時間：5秒、壓力：0.5MPa之條件下，將實施例及比較例所製作的導電性接著劑層與SUS製金屬補強板(厚度：200μm)進行加熱加壓，進而於150℃下加熱1小時後，剝離PET膜，製作出附導電性接著劑層之金屬補強板。其次，對於積層膜，其具備由聚醯亞胺構成之基底基板、形成於基底基板表面上之銅箔、形成於銅箔表面之Ni-Au鍍敷層，以加壓機並於溫度：170℃、時間：60秒、壓力：2MPa下，使前述積層膜的Ni-Au鍍敷層與附導電性接著劑層之金屬補強板進行接著後，進一步以加壓機於溫度：170℃、時間：180秒、壓力：2MPa之條件下進行加壓接合，製作出附金屬補強板之積層膜。然後，將附金屬補強板之積層膜以雙面黏著片固定於測定台，於常溫下利用拉伸試驗機(商品名「AGS-X50S」、島津製作所公司製)以拉伸速度50mm/分、剝離角度90°將積層膜從導電性接著劑層剝離，測定破斷時之剝離強度的最大值。

(3)壓製加工後的導電性接著劑層厚度使用數位測微計(商品名「PMU-150-50MX」、Mitutoyo公司製)測定如上所述地進行壓製加工而成的導電性接著劑層之厚度。

[表1]

已確認實施例1~7之導電性接著劑層中具有大於層厚度之粒子厚度且熔點170℃以下的金屬粒子A於層表面露出，藉此即使被接著體為Ni-Au鍍敷物且在低溫、短時間的加壓接合加工條件下仍會發揮良好的密著強度。另一方面，已確認在未含有金屬粒子A的情況下(比較例1、3)或金屬粒子A之粒子厚度小於導電性接著劑層之厚度的情況下，在低溫、短時間的加壓接合加工條件下對Ni-Au鍍敷物則無法發揮充分的密著強度(比較例2)。

以下揭示本發明之變化。 [附記1]一種導電性接著劑層，包含黏結劑成分及熔點170℃以下的金屬粒子A，且於表面露出前述金屬粒子A。 [附記2]如附記1之導電性接著劑層，其進一步包含可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B。 [附記3]如附記1或2之導電性接著劑層，其進一步包含焊料粒子C。 [附記4]如附記1至3中任一項之導電性接著劑層，其中前述金屬粒子A為真球狀。 [附記5]如附記2至4中任一項之導電性接著劑層，其中前述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B為樹枝狀或小片狀。 [附記6]如附記3至5中任一項之導電性接著劑層，其中前述焊料粒子C為真球狀。 [附記7]如附記1至6中任一項之導電性接著劑層，其中前述金屬粒子A之中值粒徑(D50)大於前述導電性接著劑層之膜厚。 [附記8]如附記1至7中任一項之導電性接著劑層，其厚度為1~50μm。

X:附補強構件之印刷配線板 1,1’:導電性接著劑層 11,11’:黏結劑成分 12a:金屬粒子A 12b:可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B 12c:焊料粒子C 2:補強構件 3:印刷配線板 3a:開口部 31:基底構件 32:電路圖案 32a:信號電路 32b:接地電路 33:絕緣保護層 34:接著劑 4:電子零件

圖1係顯示本發明之導電性接著劑層之一實施形態的剖面圖。圖2係顯示附補強構件之印刷配線板之一實施形態的剖面圖，該附補強構件之印刷配線板中應用了本發明之導電性接著劑層。

1:導電性接著劑層

11:黏結劑成分

12a:金屬粒子A

12b:可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B

12c:焊料粒子C

Claims

一種導電性接著劑層，包含黏結劑成分及熔點170℃以下的金屬粒子A，且於表面露出前述金屬粒子A。
如請求項1之導電性接著劑層，其進一步包含可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B。
如請求項1或2之導電性接著劑層，其進一步包含焊料粒子C。
如請求項1或2之導電性接著劑層，其中前述金屬粒子A為真球狀。
如請求項2之導電性接著劑層，其中前述可與金屬粒子A合金化的金屬粒子B為樹枝狀或小片狀。
如請求項3之導電性接著劑層，其中前述焊料粒子C為真球狀。
如請求項1或2之導電性接著劑層，其中前述金屬粒子A之中值粒徑(D50)大於前述導電性接著劑層之膜厚。
如請求項1或2之導電性接著劑層，其厚度為1~50μm。