TW202133695A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供一種電磁波屏蔽膜,其在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。
本發明之電磁波屏蔽膜,依序積層有導電性接著劑層、屏蔽層及絕緣層,且導電性接著劑層之根據ISO14577-1之馬氏硬度相對於絕緣層之根據ISO14577-1之馬氏硬度的比[導電性接著劑層/絕緣層]在0.3以上。
Description
發明領域
本發明是有關於一種電磁波屏蔽膜。更詳而言之,本發明是有關於一種使用在印刷配線板的電磁波屏蔽膜。
背景技術
在行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等電子機器中,印刷配線板廣泛用來將電路組入機構中。也還會利用在像是印刷頭般的可動部與控制部之連接。於該等電子機器中,必須要有電磁波屏蔽措施,於裝置內所使用之印刷配線板,亦開始使用施以電磁波屏蔽措施的屏蔽印刷配線板。
一般的屏蔽印刷配線板通常會由基體膜與電磁波屏蔽膜(以下,有時僅稱作「屏蔽膜」)構成,前述基體膜是在基底膜上依序設置有印刷電路與絕緣膜,前述電磁波屏蔽膜則由接著劑層、積層於上述接著劑層的屏蔽層及積層於上述接著劑層的絕緣層構成,且電磁波屏蔽膜是以上述接著劑層與上述基體膜相接而積層於上述基體膜上。
於印刷電路中含有接地電路,接地電路與電子機器之框體電連接來取得接地。為了將接地電路與電子機器之框體電連接,必須事先在絕緣膜及屏蔽膜之一部分開孔。這在設計印刷電路上會成為妨礙自由度的主要原因。
專利文獻1中揭示有一種屏蔽膜,其係於分隔膜之單面上塗佈、形成絕緣層(覆蓋膜),且於上述絕緣層之表面設置由金屬薄膜層與接著劑層構成的屏蔽層,並具有接地構件,該接地構件形成為於一端側具有被按壓在上述絕緣層並穿過上述絕緣層而與上述屏蔽層連接的突起或導電性填料(連接部),另一端側則露出而可與其附近之接地部連接。
在製作專利文獻1所記載的屏蔽膜時,接地構件會被按壓至絕緣層上以使接地構件之突起或導電性填料貫穿絕緣層。藉此,接地構件與屏蔽層會電連接,因此接地構件可配置在屏蔽膜的任何位置上。若使用此種接地構件來製造屏蔽印刷配線板,則可於任何位置上將接地電路與電子機器之框體電連接。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-95566號公報
發明概要
發明欲解決之課題
然而,有時接地構件之突起並未充分地貫穿絕緣層,無法與屏蔽膜之屏蔽層充分地接觸。又,即便接地構件之突起或導電性填料(以下僅稱作「突起」)已充分地貫穿絕緣層,此時接地構件之突起也會與屏蔽層一同壓入位於屏蔽層背面側的導電性接著劑層而使其變形,導電性接著劑層中的導電性填料被突起推開,導電性填料會移動而有自電路脫離之情形。在該等情況下,電阻值會上升,並且有接地構件、屏蔽膜與印刷配線板之電路之連接受損的問題。
本發明是有鑑於上述而成,本發明之目的在提供一種電磁波屏蔽膜,其在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。
用以解決課題之手段
本案發明人等為了達成上述目的精心探討,結果發現,藉由界定出屏蔽膜中絕緣層與導電性接著劑層之用以顯示微小區域硬度之指標即馬氏硬度的關係性,在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。本發明便是根據該等見解而完成。
即,本發明提供一種電磁波屏蔽膜,其依序積層有導電性接著劑層、屏蔽層及絕緣層,且上述導電性接著劑層之根據ISO14577-1之馬氏硬度相對於上述絕緣層之根據ISO14577-1之馬氏硬度的比[導電性接著劑層/絕緣層]在0.3以上。
上述電磁波屏蔽膜中,上述所謂馬氏硬度的比在0.3以上,是表示相對於絕緣層,導電性接著劑層之馬氏硬度較大。接地構件之突起被按壓以貫穿絕緣層時,壓力會從突起對已積層的絕緣層、屏蔽層及導電性接著劑層局部施加。此時,藉由令絕緣層之馬氏硬度較低,上述壓力會局部施加於絕緣層,接地構件之突起可輕易地貫穿絕緣層。然後,接地構件之突起貫穿絕緣層而接觸屏蔽層後,藉由令位於屏蔽層背面側的導電性接著劑層之馬氏硬度較高,即便是有透過屏蔽層而局部施加的壓力,導電性接著劑層仍不易因此而變形,導電性接著劑層中的導電性粒子與屏蔽層抑或導電性粒子與印刷配線板之接觸不易受損。因此,具有上述結構的電磁波屏蔽膜,其已貫穿絕緣層的接地構件之突起可穩定地與屏蔽層接觸,在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。
上述絕緣層之根據ISO14577-1之馬氏硬度宜為3~150N/mm2
。具有此種構造的電磁波屏蔽膜,其絕緣層之局部硬度會變得適當,因此,接地構件之突起可輕易地貫穿絕緣層。
上述導電性接著劑層之根據ISO14577-1之馬氏硬度宜為20~200N/mm2
。具有此種結構的電磁波屏蔽膜,其導電性接著劑層之局部硬度會變得適當,因此,接地構件之突起壓入屏蔽層時,導電性接著劑層不易變形,或者即便變形,亦可輕易地回復原狀,導電性接著劑層中的導電性粒子與屏蔽層抑或導電性粒子與印刷配線板之接觸不易受損。
發明效果
本發明之電磁波屏蔽膜,其在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。
用以實施發明之形態
[電磁波屏蔽膜]
本發明之電磁波屏蔽膜具備:導電性接著劑層;屏蔽層,為用以阻隔電磁波之層體;及絕緣層。
以下說明本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。圖1為截面示意圖,其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。
圖1所示之屏蔽膜1具有導電性接著劑層11、形成於導電性接著劑層11表面的屏蔽層12及形成於屏蔽層12表面的絕緣層13。即,屏蔽膜1中,導電性接著劑層11、屏蔽層12及絕緣層13是依此順序積層。另,導電性接著劑層11與屏蔽層12、屏蔽層12與絕緣層13亦可未以接觸之方式積層。即,於導電性接著劑層與屏蔽層間抑或屏蔽層與絕緣層間,亦可設置至少一層任意層。
上述導電性接著劑層之馬氏硬度相對於上述絕緣層之馬氏硬度的比[導電性接著劑層/絕緣層]在0.3以上,以0.5以上為佳,較佳為0.6以上,更佳為1.0以上。上述馬氏硬度是根據ISO14577-1測得之值。
本發明之電磁波屏蔽膜中,上述所謂馬氏硬度的比在0.3以上,是表示相對於絕緣層,導電性接著劑層之馬氏硬度較大。接地構件之突起被按壓成貫穿絕緣層時,壓力會從突起對已積層的絕緣層、屏蔽層及導電性接著劑層局部施加。此時,藉由令絕緣層之馬氏硬度較低,上述壓力會局部施加於絕緣層,接地構件之突起可輕易地貫穿絕緣層。然後,接地構件之突起已貫穿絕緣層而與屏蔽層接觸時,藉由令位於屏蔽層背面側的導電性接著劑層之馬氏硬度較高,即便是有透過屏蔽層而局部施加的壓力,導電性接著劑層仍不易因此而變形,導電性接著劑層中的導電性粒子與屏蔽層抑或導電性粒子與印刷配線板之接觸不易受損。因此,具有上述結構的電磁波屏蔽膜,其已貫穿絕緣層的接地構件之突起可穩定地與屏蔽層接觸,在將接地構件配置於電磁波屏蔽膜上時,可輕易地在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。
上述馬氏硬度的比[導電性接著劑層/絕緣層]例如在50.0以下,以10.0以下為佳,較佳為5.0以下,更佳為3.0以下,尤佳為2.0以下。
(導電性接著劑層)
導電性接著劑層11例如具有用以將本發明之電磁波屏蔽膜接著於印刷配線板的接著性與導電性。上述導電性接著劑層宜與電磁波屏蔽層鄰接而形成。上述導電性接著劑層可為單層、複層中任一者。
上述導電性接著劑層宜含有黏結劑成分及導電性粒子。
上述黏結劑成分可舉例:熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型化合物等。上述黏結劑成分可以僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述熱塑性樹脂例如可列舉:聚苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂(例如聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂組成物等)、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述熱硬化型樹脂可舉例:具有熱硬化性的樹脂(熱硬化性樹脂)以及令上述熱硬化性樹脂硬化而得的樹脂兩者。上述熱硬化性樹脂例如可列舉:酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂等。上述熱硬化型樹脂可以僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述環氧系樹脂例如可列舉:雙酚型環氧系樹脂、螺環型環氧系樹脂、萘型環氧系樹脂、聯苯型環氧系樹脂、萜烯型環氧系樹脂、環氧丙基醚型環氧系樹脂、環氧丙基胺型環氧系樹脂、酚醛清漆型環氧系樹脂等。
上述雙酚型環氧樹脂例如可列舉:雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。上述環氧丙基醚型環氧樹脂例如可列舉:參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等。上述環氧丙基胺型環氧樹脂例如可舉例:四環氧丙基二胺基二苯甲烷等。上述酚醛清漆型環氧樹脂例如可列舉:甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、α-萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。
上述環氧系樹脂,亦可為具有(甲基)丙烯醯基的環氧樹脂(丙烯酸改質環氧樹脂)等除了環氧基外更含有具自反應性之改質部的環氧樹脂(改質環氧樹脂)。當使用此種改質環氧樹脂時,可輕易地利用交聯,將導電性接著劑層之馬氏硬度設定在適當範圍。
上述活性能量線硬化型化合物可列舉:可利用活性能量線照射而硬化的化合物(活性能量線硬化性化合物)以及令上述活性能量線硬化性化合物硬化而得的化合物兩者。活性能量線硬化性化合物並無特殊限制,例如可舉例:分子中具有1個以上(較佳為2個以上)之自由基反應性基(例如(甲基)丙烯醯基)的聚合性化合物等。上述活性能量線硬化型化合物可僅使用一種,亦可使用二種以上。
其中,上述黏結劑成分又以熱硬化型樹脂為佳。在此情形下,為了接著於印刷配線板而將本發明之電磁波屏蔽膜配置於印刷配線板上後,可利用加壓及加熱使黏結劑成分硬化,與印刷配線板之接著性會變得良好。
當上述黏結劑成分含有熱硬化型樹脂時,構成上述黏結劑成分的成分亦可含有用以促進熱硬化反應的硬化劑。上述硬化劑可依照上述熱硬化性樹脂之種類適當地選擇。上述硬化劑可以僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述導電性接著劑層中黏結劑成分之含有比例並無特殊限制,相對於導電性接著劑層之總量100質量%,宜為5~60質量%,較佳為10~50質量%,更佳為20~45質量%。若上述含有比例在5質量%以上,對印刷配線板之密著性會更加優異。若上述含有比例在60質量%以下,則可含有足量的導電性粒子。
上述導電性粒子例如可列舉:金屬粒子、金屬包樹脂粒子、金屬纖維、碳填料、碳奈米管等。上述導電性粒子可僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述金屬粒子及構成上述金屬包樹脂粒子之包覆部的金屬例如可列舉:金、銀、銅、鎳、鋅等。上述金屬可僅使用一種,亦可使用二種以上。
具體而言,上述金屬粒子例如可列舉:銅粒子、銀粒子、鎳粒子、銀包銅粒子、金包銅粒子、銀包鎳粒子、金包鎳粒子、銀包合金粒子等。上述銀包合金粒子例如可列舉:含銅的合金粒子(例如由銅、鎳與鋅之合金構成的銅合金粒子)已由銀所包覆的銀包銅合金粒子等。上述金屬粒子可利用電解法、霧化法、還原法等來製作。
其中,上述金屬粒子又以銀粒子、銀包銅粒子、銀包銅合金粒子為佳。從導電性優異、抑制金屬粒子氧化及凝集且可降低金屬粒子成本之觀點來看,尤以銀包銅粒子、銀包銅合金粒子為佳。
上述導電性粒子之形狀可舉例:球狀、小片狀(鱗片狀)、樹枝狀、纖維狀、不定形(多面體)等。
上述導電性粒子之中位直徑(D50)宜為1~50μm,更佳為3~40μm。若上述中位直徑在1μm以上,則導電性粒子之分散性良好而可抑制凝集,並且不易氧化。若上述平均粒徑在50μm以下,導電性會變得良好。上述中位直徑可從以體積為基準的粒度分布測得。
上述導電性接著劑層可視需要設為具有各向同性導電性或各向異性導電性之層體。其中,從提升印刷配線板之信號電路傳輸高頻信號的傳輸特性之觀點來看,上述導電性接著劑層宜具有各向異性導電性。
上述導電性接著劑層中導電性粒子之含有比例並無特殊限制,相對於導電性接著劑層之總量100質量%,宜為2~80質量%,較佳為5~60質量%,更佳為10~40質量%。若上述含有比例在2質量%以上,導電性會變得更加良好。若上述含有比例在80質量%以下,則可含有足量的黏結劑成分,對印刷配線板之密著性會變得更加良好。
上述導電性接著劑層宜含有導電性粒子以外的填料(填充劑)。藉由摻合填料,可調節導電性接著劑層之馬氏硬度。上述填料可僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述填料可使用無機填料或有機填料。從提高導電性接著劑層之馬氏硬度之觀點來看,宜為無機填料抑或由交聯性樹脂粒子構成的有機填料、有機磷系化合物。無機填料例如可列舉:二氧化矽、氧化硼、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯等金屬氧化物;紅磷等磷化合物;碳化矽、碳化硼、碳化鈦等金屬碳化物;氮化鋁、氮化硼、氮化鈦等金屬氮化物;氫氧化鎂、氫氧化鋁等金屬氫氧化物;碳酸鈣、碳酸鎂等碳酸鹽等。交聯性樹脂粒子可使用:聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴;聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂;丙烯酸酯與二乙烯苯之共聚合樹脂、聚對苯二甲酸烷二酯、聚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、酚甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、苯并胍胺甲醛樹脂、脲甲醛樹脂等。有機磷系化合物可舉例:磷酸酯、次磷酸金屬鹽等磷系化合物等。當有機填料為磷酸酯、次磷酸金屬鹽等磷系化合物時,亦兼具作為阻燃劑之機能,因此可控制馬氏硬度同時還賦予阻燃性。
從可輕易控制導電性接著劑層之馬氏硬度之觀點來看,上述填料之中位直徑(D50)宜為0.01~100μm,更佳為1~20μm。上述中位直徑可從以體積為基準的粒度分布測得。
上述導電性接著劑層中上述填料之含有比例並無特殊限制,相對於導電性接著劑層之總量100質量%,宜為1~70質量%,較佳為10~60質量%,更佳為35~50質量%。若上述含有比例在上述範圍內,則可維持導電性以及與印刷配線板之密著性並同時可輕易將馬氏硬度調節在適當範圍。
在無損本發明效果的範圍內,上述導電性接著劑層亦可含有上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉例公知或慣用之接著劑層中可含成分。上述其他成分例如可列舉:非相當於上述填料的阻燃劑、阻燃助劑、消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂等。上述其他成分可僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述導電性接著劑層之馬氏硬度宜為20~200N/mm2
,較佳為30~180N/mm2
,更佳為50~170N/mm2
。若上述馬氏硬度在上述範圍內,導電性接著劑層之局部硬度會變得適當,因此,接地構件之突起壓入屏蔽層時,導電性接著劑層不易變形,或者即便變形,亦可輕易地回復原狀,導電性接著劑層與屏蔽層抑或導電性粒子與印刷配線板之接觸不易受損。又,若上述馬氏硬度在200N/mm2
以下,與印刷配線板之密著性會變得良好。上述導電性接著劑層之馬氏硬度是根據ISO14577-1測得之值,且是於構成屏蔽層側之表面進行測定。
上述導電性接著劑層之厚度宜為3~20μm,更佳為5~15μm。若上述厚度在3μm以上,則以用於遮蔽內部所產生的高頻帶電磁波之屏蔽膜而言可發揮更充分之屏蔽性能。若上述厚度在20μm以下,則屏蔽膜之柔軟性優異。
(屏蔽層)
屏蔽層12形成於導電性接著劑層11之表面。上述屏蔽層可使用具電磁波屏蔽性的公知或慣用屏蔽層。其中,上述屏蔽層又以含有金屬層為佳。上述屏蔽層可為單層、複層中任一者。
構成上述金屬層的金屬例如可列舉:金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅或該等之合金等。上述金屬層宜為金屬板或金屬箔。即,上述金屬層宜為銅板(銅箔)、銀板(銀箔)。
上述屏蔽層之厚度宜為0.01~10μm。若上述厚度在0.01μm以上,則可獲得更充分之屏蔽性能。若上述厚度在10μm以下,撓曲性會變得更加良好。
(絕緣層)
絕緣層13形成於屏蔽層12之表面。絕緣層13具有絕緣性,在本發明之電磁波屏蔽膜1中具有保護導電性接著劑層11及屏蔽層12之機能。上述絕緣層可為單層、複層中任一者。
上述絕緣層宜含有黏結劑成分。上述黏結劑成分可舉例:熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型化合物等。上述熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂及活性能量線硬化型化合物分別可舉例:上述已例示作為導電性接著劑層可含有的黏結劑成分。上述黏結劑成分可僅使用一種,亦可使用二種以上。其中,上述黏結劑成分又以含有熱硬化型樹脂及活性能量線硬化型化合物為佳。
在無損本發明效果的範圍內,上述絕緣層亦可含有上述黏結劑成分以外的其他成分。上述其他成分例如可列舉:阻燃劑、阻燃助劑、消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂等。上述其他成分可以僅使用一種,亦可使用二種以上。
上述絕緣層之馬氏硬度宜為3~200N/mm2
,較佳為30~150N/mm2
,更佳為50~140N/mm2
,尤佳為70~130N/mm2
。若上述馬氏硬度在上述範圍內,絕緣層之局部硬度會變得適當,因此,接地構件之突起可輕易地貫穿絕緣層。若上述馬氏硬度在3N/mm2
以上,則絕緣層表面會堅硬得恰到好處,因此,容易將接地構件之突起插入保護層。若上述馬氏硬度在200N/mm2
以下,則絕緣層表面會柔軟得恰到好處,因此,接地構件之突起可輕易地貫穿絕緣層。上述絕緣層之馬氏硬度,例如可藉由構成上述絕緣層的熱硬化性成分之硬化度或硬化劑之種類、抑或黏結劑成分之種類等設計進行調節。上述絕緣層之馬氏硬度是根據ISO14577-1測得之值,且是於絕緣層中與屏蔽層側為相反側之表面進行測定。
上述絕緣層之厚度宜為1~15μm,更佳為3~10μm。若上述厚度在1μm以上,則可更充分地保護屏蔽層及導電性接著劑層。若上述厚度在15μm以下,則柔軟性優異,且經濟上亦是有利的。
本發明之電磁波屏蔽膜亦可具有上述各層以外的其他層。上述其他層例如可列舉:設置於上述絕緣層與上述屏蔽層間的錨固塗佈層。當具有上述錨固塗佈層時,上述絕緣層與上述屏蔽層之密著性會變得更加良好。
形成上述錨固塗佈層的材料可列舉:胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、以胺甲酸乙酯系樹脂為殼且以丙烯酸系樹脂為核的核-殼型複合樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂、脲甲醛系樹脂、使苯酚等封端劑與聚異氰酸酯反應而得的封端異氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。上述材料可僅使用一種,亦可使用二種以上。
本發明之電磁波屏蔽膜亦可於絕緣層側及/或導電性接著劑層側具有分隔件(剝離膜)。分隔件是以能從本發明之電磁波屏蔽膜剝離之方式積層。分隔件是用以被覆、保護上述絕緣層或上述導電性接著劑層之要素,在使用本發明之電磁波屏蔽膜時會被剝除。
上述分隔件例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、經氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑行表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
上述分隔件之厚度宜為10~200μm,更佳為15~150μm。若上述厚度在10μm以上,保護性能會更加優異。若上述厚度在200μm以下,使用時容易剝離分隔件。
本發明之電磁波屏蔽膜宜為印刷配線板用途,且以撓性印刷配線板(FPC)用途尤佳。本發明之電磁波屏蔽膜可良好使用作為撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜。
[屏蔽印刷配線板]
圖2中顯示具備本發明電磁波屏蔽膜即屏蔽膜1的屏蔽膜印刷配線板之一實施形態。圖2所示之屏蔽印刷配線板X具有印刷配線板2、屏蔽膜1及接地構件3。然後,於設置於印刷配線板2下面的安裝部位連接有電子零件4。又,屏蔽膜1設置於印刷配線板2上,且甚至配置到與電子零件4所連接之安裝部位呈相對向之區域。藉此,利用屏蔽膜1,遮蔽了來自相對於電子零件4安裝部位為外部之電磁波等雜訊。
接地構件3設置於屏蔽膜1上,與電子零件4所連接之安裝部位相對向配置。圖2中,接地構件3由導電性基材31及導電性接著劑32構成,並藉由導電性接著劑32之接著劑3a,貼附在屏蔽膜1之絕緣層13上。導電性接著劑32中所含導電性粒子3b,自導電性接著劑32中所含接著劑3a突出。然後,已透過導電性接著劑32接著的導電性基材31是與導電性粒子3b接觸。另一方面,自導電性接著劑32之下面突出的導電性粒子3b,作為接地構件3所具備之突起,穿破屏蔽膜1之絕緣層13而與其下面的屏蔽層12接觸。藉此,透過導電性接著劑32之導電性粒子3b,導電性基材31與屏蔽膜1之屏蔽層12會成為導通狀態,可使具導電性之接地構件3與屏蔽層12同電位。故,可使具導電性之接地構件3具有屏蔽效果。然後,藉由令接地構件3與屏蔽層12接觸,接地構件3可至少具有以下作用之雙重機能:補強電子零件4之安裝部位之作用,以及遮蔽來自相對於電子零件4安裝部位的外部之電磁波等雜訊之作用。
另,接地構件3之突起貫穿屏蔽膜1之絕緣層13而與屏蔽層12接觸的狀態,並不限於如圖2般導電性接著劑32之導電性粒子3b作為突起而作用的態樣。舉例言之,可舉例以下態樣:接地構件是金屬箔等導電性基材31彎折而構成,而且未透過導電性接著劑32即積層於絕緣層13上,上述導電性基材31之凸折部作為接地部之突起而作用,貫穿絕緣層13而與屏蔽層12接觸。再者,作為其他態樣,可舉例以下態樣:接地構件由金屬箔等導電層形成,且於該導電層之一面上,以一體方式或非一體方式設置有金屬等導電性突起,而且未透過導電性接著劑32即積層於絕緣層13上,上述導電性突起作為接地部之突起而作用,貫穿絕緣層13而與屏蔽層12接觸。上述導電性突起之形狀可舉例:圓柱或角柱等柱狀、圓錐或角錐等錐狀。
印刷配線板2具有:基底構件21;電路圖案23,其局部設置於基底構件21之表面;絕緣保護層(覆蓋層)24,其覆蓋並絕緣保護電路圖案23;及接著劑層22,其覆蓋電路圖案23,且用以將電路圖案23及基底構件21來與絕緣保護層24接著。電路圖案23包含複數個信號電路23a及接地電路23b。於接地電路23b上的接著劑層22及絕緣保護層24,基於確保與屏蔽膜1之導電性接著劑層11之導通之目的,而形成有通孔25。
圖2所示之屏蔽印刷配線板X可在將接地構件3設置於屏蔽膜1上後,藉由進行加熱壓製來製作。上述加熱壓製一般是在溫度150~190℃、壓力1~3MPa、時間1~60分之條件下進行。另,為了促進硬化,有時也會在加熱壓製後於150~190℃下進行後固化30~90分鐘。
實施例
以下,根據實施例更詳細地說明本發明,惟本發明並非僅限於該等實施例。另,表中記載的摻合量為各成分之相對摻合量,只要未特別標記,是以「質量份」來表示。
實施例1
(1)絕緣層之形成
於基材即分隔膜其脫模處理面上,以表1所示比例調製出由丙烯酸改質環氧樹脂及丙烯酸系樹脂構成的樹脂組成物,將上述樹脂組成物塗佈成所形成之絕緣層厚度成為3μm,於100℃下加熱處理120秒,形成絕緣層。
(2)屏蔽層之形成
於上述所製得的絕緣層上,利用蒸鍍法形成厚度為0.1μm之銀層。
(3)導電性接著劑層及電磁波屏蔽膜之形成
於含有磷系阻燃劑及丙烯酸改質環氧樹脂之組成物中添加銀包銅粉末,使導電性接著劑層中的含有比例成為20質量%,調製出接著劑組成物。然後,於上述所製得的屏蔽層上,將上述接著劑組成物塗佈成厚度成為15μm,形成塗膜。塗佈方法使用模唇塗佈方式。然後,於100℃下施以加熱處理30秒,藉此使上述塗膜之溶劑成分揮發,形成導電性接著劑層。
依上述進行,製作出由導電性接著劑層/屏蔽層/絕緣層之結構所構成的電磁波屏蔽膜。
實施例2~7
除了如表1所示變更構成絕緣層及導電性接著劑層之成分外,與實施例1同樣來進行,製作出電磁波屏蔽膜。
(評價)
針對實施例及比較例中製得的各電磁波屏蔽膜,進行評價如下。評價結果記載於表1中。
(1)絕緣層之馬氏硬度
針對實施例及比較例中分別製得的各電磁波屏蔽膜,切出1mm見方之試驗試樣,並剝離絕緣層上的分隔件,針對絕緣層表面,使用動態微小硬度計(商品名「DUH-211」,島津製作所股份有限公司製造),在以下條件下進行馬氏硬度之測定。
壓頭形狀:三角錐(115°)
測定方法:單一壓入測定
測定溫度:23℃
載重:0.10mN
負載速度:0.0060mN/s
負載保持時間:2s
卸載保持時間:0s
(2)導電性接著劑層之馬氏硬度
針對實施例及比較例中分別製作的各導電性接著劑層,與絕緣層之馬氏硬度同樣進行,測得馬氏硬度。
(3)連接電阻值
i)接地構件之製作
於環氧樹脂組成物中添加銀包鎳粉末(平均粒徑28μm),使導電性接著劑層中的含有比例達35質量%,調製出接著劑組成物。然後,於厚度0.2mm的SUS片上,將上述接著劑組成物塗佈成所形成之導電性接著劑層厚度為30μm。然後,於100℃下施以加熱處理30秒,使塗膜之溶劑成分揮發,而形成導電性接著劑層。依上述進行,製作出由SUS片/導電性接著劑層構成的接地構件。
ii)連接電阻值測定
針對實施例及比較例中分別製得的各電磁波屏蔽膜,將上述所製得的接地構件切出10mm見方之試驗試樣,以10mm間隔設置於絕緣層表面,利用加熱壓製使其接合,製作出測定用試樣。上述加熱壓製是在溫度170℃、壓力3MPa、時間30分之條件下進行,然後,於150℃下進行後固化30分鐘。然後,鄰接的接地構件間之連接電阻值則透過電磁波屏蔽膜之屏蔽層來測定。
本發明之電磁波屏蔽膜(實施例),其鄰接的接地構件間之連接電阻值低,判斷為可在接地構件與屏蔽層間發揮優異之導電性。另一方面,當導電性接著劑層之馬氏硬度相對於絕緣層之馬氏硬度的比小於0.3時(比較例1),鄰接的接地構件間之連接電阻值會超過測定極限。
1:電磁波屏蔽膜
2:印刷配線板
3:接地構件
3a:接著劑
3b:導電性粒子
4:電子零件
11:導電性接著劑層
12:屏蔽層
13:絕緣層
21:基底構件
22:接著劑層
23:電路圖案
23a:信號電路
23b:接地電路
24:絕緣保護層(覆蓋層)
25:通孔
31:導電性基材
32:導電性接著劑
X:屏蔽印刷配線板
圖1為截面示意圖,其顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。
圖2為截面示意圖,其顯示使用了本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一實施形態。
1:電磁波屏蔽膜
11:導電性接著劑層
12:屏蔽層
13:絕緣層
Claims (3)
- 一種電磁波屏蔽膜,其依序積層有導電性接著劑層、屏蔽層及絕緣層, 且前述導電性接著劑層之根據ISO14577-1之馬氏硬度相對於前述絕緣層之根據ISO14577-1之馬氏硬度的比[導電性接著劑層/絕緣層]在0.3以上。
- 如請求項1之電磁波屏蔽膜,其中前述絕緣層之根據ISO14577-1之馬氏硬度為3~150N/mm2 。
- 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜,其中前述導電性接著劑層之根據ISO14577-1之馬氏硬度為20~200N/mm2 。
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