JP2018006536A - 部品搭載基板およびその製造方法、積層体、電磁波遮蔽シート並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性が高く、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を提供できる電磁波遮蔽シートおよび積層体、並びに前記電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】本発明の部品搭載基板１０１は、基板２０と、基板２０の少なくとも一方の面に搭載された部品３０と、部品３０の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層１とを備える。電磁波遮蔽層１は、バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、部品３０の上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ１，部品３０の側面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２を１．１〜１０とし、且つ、マルテンス硬さを３〜１００Ｎ／ｍｍ２以上とする。【選択図】図２

Description

本発明は、電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板およびその製造方法に関する。また、前記部品搭載基板に形成される電磁波遮蔽層の形成用に好適な電磁波遮蔽シートおよびそれを具備する積層体、並びに前記部品搭載基板が搭載された電子機器に関する。

ＩＣチップ等の電子部品を搭載した電子基板は、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するため、また、電子基板内部から発生する電気信号の不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。従来、ＩＣチップのシールドにはスパッタ工法が用いられてきたが、設備投資の問題等から代替技術が求められている。

そこで、電子部品の外骨格を構成するモールド樹脂上に導電性ペーストを塗工して導電性シールド層を設ける方法（特許文献１）や、電磁波シールドシートを被覆する方法（特許文献２〜４）が開示されている。

特許文献２は、基板上に設けられた凸部を覆うように、基材層と電磁波遮蔽層の積層体からなる電磁波シールド用フィルムを真空圧空成形法により貼付け、その後に基材層を剥離する電磁波シールド層の形成方法を開示する。

特許文献３は、電子部品および露出する基板の表面に追随するように多層体を加熱圧着し、電子部品間に充填しつつ電子部品を被覆する電磁波シールド層の形成方法を開示する。

特許文献４は、電子回路の露出面を覆う部位に剥離フィルム付きのシールドフィルムを設置し、電子回路の露出面を覆う以外の領域は、剥離フィルムを剥離したシールドフィルムを設置する構成を開示する。

特開２０１３−２０７２１３号公報 国際公開第２０１４／０２７６７３号（図３参照） 特開２０１５−１６２６３６号公報 国際公開第２０１５／０４６０６３号

電磁波を遮蔽するために電子部品の表面に金属箔をスパッタする方法、金属缶を嵌合する方法、めっき処理する方法、導電性ペーストを塗布する方法等があるが、これらは汎用性または処理工程の煩雑さにおいて課題がある。また、電磁波遮蔽層と剥離フィルム等の積層体を用いて加熱圧着する方法は、電子部品の段差部分や凹凸箇所において電磁波遮蔽層の割れが発生しやすく、電磁波シールド性の品質において課題がある。また、凹部の埋め込み性が不足しやすいため、側面のグランド部への接続性に課題がある。さらに、個片化したＩＣチップを搬送する過程で、搬送機等に接触し電磁波遮蔽層に傷がつく問題がある。

本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、生産性が高く、高品質で被覆性および耐スクラッチ性が高い電磁波遮蔽層を提供できる電磁波遮蔽シートおよび積層体、並びに前記電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板およびその製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。

本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
［１］： 基板と、
前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、
前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層とを備え、
前記電磁波遮蔽層は、
バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、
前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０であり、且つ
マルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である部品搭載基板。
［２］： 前記電磁波遮蔽層の２０°表面光沢度が、０．１〜２０％である［１］に記載の部品搭載基板。
［３］： 前記電磁波遮蔽層のＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠した鉛筆硬度試験が、Ｂ以上である［１］又は［２］に記載の部品搭載基板。
［４］： 前記電磁波遮蔽層は、前記導電性フィラーを５０〜９５質量％含む［１］〜［３］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［５］： 前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである［１］〜［４］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［６］： 前記導電性フィラーが、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および球状粒子からなる群から選択される、［１］〜［５］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［７］： 基板に部品を搭載する工程と、
接着性を有し、且つバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する電磁波遮蔽シートを前記部品が搭載された前記基板上に設置する載置工程と、
前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む前記基板の露出面に前記電磁波遮蔽シートが追随するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程とを備え、
前記電磁波遮蔽シートは、引張破断歪が５０〜１５００％である部品搭載基板の製造方法。
［８］： 前記載置工程は、以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかから選択される、［７］に記載の部品搭載基板の製造方法。
（ｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように仮貼付けし、続いて前記離型性基材を剥離し、前記電磁波遮蔽シート上に柔軟性離型シートを載置し、さらに、前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面に積層された離型性発泡基材との離型性発泡基材付多層体を、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように前記離型性発泡基材付多層体を仮貼付けし、続いて前記離型性発泡基材上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を用意し、続いて、前記電磁波遮蔽シートの前記離型性基材が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層を介して柔軟性離型シートを積層し、その後、前記離型性基材を剥離することにより積層体を得、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように前記積層体を仮貼付けし、続いて前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
［９］： 前記部品の高さをＨ、前記柔軟性離型シートまたは離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｈが０．２以上である［８］に記載の部品搭載基板の製造方法。
［１０］： 前記部品が前記基板上に配列され、当該部品間の幅をＷ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｗが０．１〜６である［８］又は［９］に記載の部品搭載基板の製造方法。
［１１］： 前記基板上には、前記部品が複数形成され、複数の前記部品上および前記部品間に亘って前記電磁波遮蔽層を形成する［７］〜［１０］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［１２］： 前記電磁波遮蔽シートの２５〜１２５℃での線膨張係数が、１００〜７００ｐｐｍ／℃である［７］〜［１１］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［１３］： 前記導電性フィラーが、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および球状粒子からなる群から選択される、［７］〜［１２］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［１４］： ［１］〜［６］のいずれか１項に記載の部品搭載基板を具備する電子機器。
［１５］： 基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前のシートであって、
バインダー樹脂と導電性フィラーを含み、引張破断歪が５０〜１５００％であって、
加熱圧着して得られる前記電磁波遮蔽層は、
前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲にあり、且つマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である電磁波遮蔽シート。
［１６］： 基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前の電磁波遮蔽シートと、
前記電磁波遮蔽シート上に形成された粘着性樹脂層と、
前記粘着性樹脂層上に形成された柔軟性離型シートとを備え、
前記電磁波遮蔽シートは、バインダー樹脂と導電性フィラーを含み、引張破断歪が５０〜１５００％であって、
前記電磁波遮蔽シートを加熱圧着して得られる前記電磁波遮蔽層は、
前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲にあり、且つマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である積層体。

本発明によれば、生産性が高く、高品質で被覆性および耐スクラッチ性が高い電磁波遮蔽層を提供できる電磁波遮蔽シートおよび積層体、並びに前記電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板およびその製造方法、並びに電子機器を提供できるという優れた効果を奏する。

本実施形態に係る部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。 図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。 電磁波遮蔽層の導電性フィラーの含有量の測定領域を説明するための模式的上面図。 図４のＶ−Ｖ切断部断面図。 本実施形態に係る離型性基材付多層体の模式的断面図。 本実施形態に係る積層体の模式的断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉ））断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉｉ））断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程に用いられる積層体の製造工程断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉｉｉ））断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。 本実施例に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。 本実施例に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。

以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、本明細書で特定する数値「Ａ〜Ｂ」とは、数値Ａと数値Ａより大きい値であって、且つ数値Ｂと数値Ｂより小さい値を満たす範囲を示す。また、本明細書における「シート」とは、ＪＩＳにおいて定義される「シート」のみならず、「フィルム」も含むものとする。説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。また、同一の要素部材は、異なる実施形態においても同一符号で示す。本明細書中に出てくる各種成分は特に注釈しない限り、それぞれ独立に一種単独でも二種以上を併用してもよい。

［部品搭載基板］
図１に本実施形態に係る部品搭載基板の模式的斜視図を、図２に図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図を示す。部品搭載基板１０１は、基板２０、部品の一例である電子部品３０および電磁波遮蔽層１等を有する。

基板２０は、電子部品３０を搭載可能であり、且つ後述する加熱圧着工程に耐え得る基板であればよく、任意に選択できる。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板またはビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が例示できる。前記導電パターンは、電子部品３０と電気的に接続するための電極・配線パターン、電磁波遮蔽層１と電気的に接続するためのグランドパターン２２等である。基板２０内部には、適宜、電極・配線パターンやビア等を形成できる。基板２０には、任意に、基板上面からハーフダイシング溝２５等を設けることができる。基板２０は、リジッド基板のみならず、フレキシブル基板であってもよい。

電子部品３０は、図１の例においては基板２０上に５×４個アレイ状に配置されている。そして、基板２０および電子部品３０の露出面を被覆するように電磁波遮蔽層１が設けられている。即ち、電子部品３０の配置により形成される凹凸に追随するように電磁波遮蔽層１が被覆されている。電磁波遮蔽層１により、電子部品３０若しくは基板２０に内蔵された信号配線等から発生する不要輻射を低減し、また、外部からの磁場や電波による誤動作を防止できる。

電子部品３０の個数および配置する位置は任意である。アレイ状に電子部品３０を配置する態様に代えて、電子部品３０を任意の位置に配置してもよい。通常、後述するダイシング工程等を経て単位モジュールに個片化される。

本実施形態に係る部品搭載基板１０１は、単位モジュールに個片化する前および単位モジュールに個片化した後の基板の両者を含む。即ち、図１、２の部品搭載基板１０１の他、図３のような個片化後の部品搭載基板１０２も含む。無論、個片化工程を経ずに、基板２０上に１つの電子部品３０を搭載し、電磁波遮蔽層で被覆した部品搭載基板も含まれる。

電子部品３０は、半導体集積回路等の電子素子が絶縁体により一体的に被覆された部品全般を含み、例えば、図３に示すような集積回路が形成された半導体チップ３１等がモールド樹脂３２等の封止材により封止せしめられている態様が例示できる。基板２０と半導体チップ３１は、これらの当接領域を介して、又はボンディングワイヤ３３、はんだボール（不図示）等を介して基板２０に形成された配線２１等と電気的に接続される。電子部品としては、半導体チップの他、インダクタ、サーミスタ、キャパシタ、抵抗等が例示できる。

電子部品３０内には、単数又は複数の電子素子等を搭載できる。本実施形態に係る電子部品３０および基板２０は、公知の態様に対して広く適用できる。図３の例においては、半導体チップ３１は、インナービア２３を介して基板２０の裏面のはんだボール２４に接続されている。また、基板２０内には、電磁波遮蔽層１と電気的に接続するためのグランドパターン２２が形成されている。

＜電磁波遮蔽層＞
電磁波遮蔽層１は、電子部品３０が搭載された基板２０に、後述する電磁波遮蔽シートを載置して加熱圧着することにより得られる。電磁波遮蔽シートを加熱圧着することによりシートの面方向に延伸して凹凸部を含む露出面が被覆される。電磁波遮蔽層１は、バインダー樹脂および導電性フィラーを含む。電磁波遮蔽層１の組成および好ましい種類等は、これを形成するための電磁波遮蔽シートの説明において詳述する。

なお、電磁波遮蔽層１の被覆領域は、電子部品３０の搭載により形成された段差部（凹凸部）の少なくとも一部を含んでいればよく、電子部品３０が搭載された面全体を被覆していることは必須ではない。電磁波遮蔽層１は、電磁波シールド性を高める観点から、導電特性に優れることが好ましい。また、基板２０の側面または上面に露出するグランドパターン２２または／および電子部品の接続用配線等のグランドパターン（不図示）に接続する構成を採用することが好ましい。電磁波遮蔽層１と導通を取りたくない電子部品３０の領域は、封止材等の絶縁体により構成する。

電磁波遮蔽層１の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途の場合には、上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みＴ１は、１〜７５μｍ程度が好ましく、１〜６５μｍ程度がより好ましく、特に好ましくは５〜５５μｍである。また、高周波ノイズを精度高くシールドする場合には、例えば、厚みＴ１を７５μｍ越えの厚膜とすることも可能である。厚膜の場合においても、通常２００μｍ以下で用いられる。電磁波遮蔽層１は、単層構成の他、複層構成としてもよい。電磁波遮蔽層１の厚みＴ２は、０．１〜６８μｍが好ましく、０．５〜５９μｍが好ましく、特に好ましくは０．９〜５９μｍである。複層とする場合、同一組成物からなる層を複数積層する態様、異なる組成物からなる層を複数積層する態様がある。

電子部品３０の上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みＴ１に対し，電子部品３０の側面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２を１．１〜１０とする。Ｔ１／Ｔ２をこの範囲とし、且つ後述するマルテンス硬さを３〜１００Ｎ／ｍｍ^２以上とすることにより、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を提供できる。Ｔ１／Ｔ２は１．３〜７であることが好ましく、１．５〜４であることがより好ましく、１．８〜３．８であることがさらに好ましい。なお、電子部品３０の外面が曲面形状で上面と側面が明確に定義できない場合には、基板２０から高さ方向に最も離間した位置の電磁波遮蔽層１の厚みをＴ１とし、そのＴ１の位置から最も離間した水平方向の位置の電磁波遮蔽層１の膜厚をＴ２とする。

電磁波遮蔽層１のマルテンス硬さは、３〜１００Ｎ／ｍｍ^２とする。マルテンス硬さを３〜１００Ｎ／ｍｍ^２とすることにより、耐スクラッチ性およびテープ密着特性に優れたものとなる。より好ましくは５Ｎ／ｍｍ^２以上であり、７Ｎ／ｍｍ^２以上がさらに好ましく、１０Ｎ／ｍｍ^２以上が特に好ましい。上限は９８Ｎ／ｍｍ^２以下が好ましい。耐スクラッチ性およびテープ密着の観点からは、９０Ｎ／ｍｍ^２以下がより好ましく、８０Ｎ／ｍｍ^２以下がさらに好ましく、７０Ｎ／ｍｍ^２以下が特に好ましい。導電性フィラーの形状、充填量、硬化後の樹脂の硬さ、添加剤等を設計することにより、マルテンス硬さを調整できる。例えば、フレーク状粒子はマルテンス硬さが大きくなる傾向にあり、球状、デンドライト状粒子はマルテンス硬さが低くなる傾向にある。また、導電性フィラー量が多くなるとマルテンス硬さは大きくなる傾向にある。また、硬化後の樹脂の硬さもマルテンス硬さに影響を与える。

電磁波遮蔽層１の２０°表面光沢度は、０．１〜２０％であることが好ましい。部品搭載基板においては、積層された電磁波遮蔽層の最表面に製品番号やロット番号を印字することが行われているが、表面光沢度を０．１〜２０％の範囲にすることにより、光沢感を適度に抑制し、様々な角度から見やすくなるため、印字視認性の高い電磁波遮蔽層を提供できる。２０°表面光沢度をこの範囲とし、且つマルテンス硬さを３〜１００Ｎ／ｍｍ^２以上とすることにより、印字視認特性とグランド接続性を兼ね備える優れた電磁波遮蔽層を提供できる。２０°表面光沢度は、０．３〜１５％がより好ましく、０．５〜１０％がさらに好ましい。

電磁波遮蔽層１のＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠した鉛筆硬度試験は、Ｂ以上であることが好ましい。Ｂ以上とすることにより、擦れやひっかきに対して電磁波遮蔽層が破れにくい部品搭載基板を提供できる。より好ましくは、ＨＢ以上である。また、Ｂ以上とし、且つマルテンス硬さを３〜１００Ｎ／ｍｍ^２、Ｔ１／Ｔ２を１．１〜１０とすることにより、耐スクラッチ性に優れ、且つエッジ部破れ耐性により優れた部品搭載基板を提供できる。

電磁波遮蔽層１における導電性フィラーの好ましい種類、形状等は、後述する電磁波遮蔽シートにおいて説明する。電磁波遮蔽層１における導電性フィラーの含有量は、電磁波遮蔽層全体に対し、５０質量％以上、９５質量％以下含むことが好ましい。この範囲とすることにより、優れた電磁波遮蔽特性が得られる。より好ましい範囲は５５〜９０質量％であり、さらに好ましくは６０〜８５質量％であり、特に好ましくは６５〜８０質量％である。電磁波遮蔽層１は、等方導電性であることが好ましい。

電磁波遮蔽層１において、割れが生じやすいのは電子部品３０のエッジ部である。エッジ部において電磁波遮蔽層１の割れが生じると電磁波遮蔽効果の低下は免れない。このため、電磁波遮蔽層１の凹凸部の被覆性が特に重要となる。電磁波遮蔽層１の凹凸部において、導電性フィラーの含有率が４０％以上、９５％以下であることが好ましい。測定は、図４の電磁波遮蔽層の部分拡大上面図、図４のＶ−Ｖ切断部断面図である図５に示すように、電子部品３０のエッジを構成する上面の辺の長手方向のラインから電子部品３０の表面内側に向かって０．５ｍｍまでの領域の上方に存在する電磁波遮蔽層であって、且つ電子部品３０の当該辺の中央から７０％の範囲を測定した値とする。

また、図４および図５において示す領域において、電子部品３０のエッジ部の長手方向１ｍｍ単位あたりの導電性フィラー量は、１個以上、２０個以下であることが好ましい。

部品搭載基板１０１には、耐擦傷性、水蒸気バリア性、酸素バリア性フィルム等の他の層や、磁界カットを強化するフィルム等がさらに積層されていてもよい。

電磁波遮蔽層１の電磁波シールド性を良好に保つためには、特に電子部品３０のコーナー部、即ち、電子部品３０の上面と側面の境界であるエッジ部の導電特性が特に重要となる。コーナー部において電磁波遮蔽層１の割れが生じて導電性フィラーの導通が確保されないと、電磁波シールド性の劣化に繋がる。本実施形態においては、マルテンス硬さおよび電磁波遮蔽層の厚みの比Ｔ１／Ｔ２を特定範囲とすることにより、電磁波遮蔽層１の割れを効果的に抑制できる。その結果、高品質で被覆性が高く、シールド特性に優れた部品搭載基板を提供できる。

［電子機器］
本実施形態に係る部品搭載基板は、例えば、基板２０の裏面に形成されたはんだボール等を介して実装基板に実装することができ、電子機器に搭載できる。例えば、本実施形態に係る部品搭載基板は、パソコン、ダブレット端末、スマートホン等をはじめとする種々の電子機器に用いることができる。

［電磁波遮蔽シート］
本実施形態に係る電磁波遮蔽シートは、本実施形態に係る電磁波遮蔽層の加熱圧着前のシートである。即ち、電磁波遮蔽シートを加熱圧着することにより電磁波遮蔽層が得られる。電磁波遮蔽シートは、バインダー樹脂と、導電性フィラーを少なくとも含有する組成物を用いて形成された層である。組成物には、適宜、硬化剤が用いられる。図６に示すように、電磁波遮蔽シート２は、使用前まで、離型性基材３の一主面上に形成された多層体としておくことが好ましい。電磁波遮蔽シート２は、マルテンス硬さおよびＴ１／Ｔ２が上述した範囲の電磁波遮蔽層１が得られればよく、単層でも複層でもよい。複層とする場合には、電磁波遮蔽層を２層以上積層する態様、電磁波遮蔽層と金属箔、電磁波遮蔽層と絶縁層等の積層構成が例示できる。

電磁波遮蔽シートは、常温・常圧における引張破断歪が５０〜１５００％の範囲にあるものを用いる。また、電磁波遮蔽シートを加熱圧着して得られる電磁波遮蔽層のマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２であり、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲になるものを用いる。電磁波遮蔽シート２の引張破断歪を５０〜１５００％とすることにより、加熱圧着時の凹凸形状追従性を高め、段差による電磁波遮蔽シート２の破断を効果的に防止し、且つ段差部分での導電層の伸びを良好にすることができる。また、導電性フィラーの接触を良好とし、段差における抵抗値を良好にすることができる。その結果、被覆性を良好にし、シールド性を高めることができる。引張破断歪のより好ましい範囲は１００〜１４００％であり、さらに好ましい範囲は１５０〜１３００％であり、特に好ましい範囲は２００〜１０００％である。

電磁波遮蔽シート２の２５〜１５０℃での線膨張係数は、１００〜７００ｐｐｍ／℃とすることが好ましい。この範囲とすることにより、段差でのクラックを効果的に防止し、且つ、収縮差による搭載後の基板における反りの問題を解消できる。より好ましい範囲は１２５〜６５０ｐｐｍ／℃であり、さらに好ましい範囲は１５０〜６００ｐｐｍ／℃であり、特に好ましい範囲は１７５〜５５０ｐｐｍ／℃である。

バインダー樹脂は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で特に限定されないが、後述する製造工程後に、リフロー工程等の高温加熱工程が無い用途においては熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂が好適に用いられる。一方、リフロー工程等の高温加熱工程がある場合には、熱硬化性樹脂が好適である。熱硬化性樹脂は、自己架橋性タイプおよび硬化性化合物反応タイプが使用できる。硬化性化合物反応タイプのバインダー樹脂としては、硬化性化合物と反応可能な反応性官能基が結合された熱硬化性樹脂が好適である。この場合には、硬化性化合物をバインダー樹脂と併用する。

前記熱硬化性樹脂の好適な例は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミド、ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル、ウレタンウレア系樹脂およびポリイミドがある。熱硬化性樹脂は、通常、自己架橋可能な官能基、または硬化性化合物と反応可能な官能基を有している。例えば、リフロー時における過酷な条件で使用する場合の熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、エポキシエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタンウレア系樹脂、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。

前記硬化性化合物反応タイプの硬化性樹脂に併用する硬化性化合物は、前記硬化性官能基と反応可能な官能基を複数有している。硬化性化合物は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド、芳香族ジアミン等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物等が好ましい。

前記硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１〜５０質量部含むことが好ましく、３〜３０質量部がより好ましく、３〜２０質量部がさらに好ましい。

前記熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。

バインダー樹脂として、粘着付与樹脂を用いてもよい。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂等が例示できる。また、バインダー樹脂として、導電性ポリマーを用いることができる。導電性ポリマーとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンが例示できる。バインダー樹脂は、複数の樹脂を混合して用いることができる。

電磁波遮蔽シート２を構成するバインダー樹脂のＴｇは、−３０〜１００℃が好ましく、−１０〜８０℃がより好ましい。バインダー樹脂は、１種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のＴｇが上記範囲に含まれているものを主成分とすることが好ましい。電磁波遮蔽シート２の材料は、加熱圧着時に電子部品３０および露出する基板２０の表面に追随する柔軟性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。

導電性フィラーは、導電特性を有し、電磁波シールド性を発揮できれば特に限定されないが、金属フィラー、導電性セラミックス粒子、カーボンフィラーおよびそれらの混合物が挙げられる。金属フィラーとしては、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉等がある。カーボンフィラーとしては、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなる粒子、グラフェン粒子、グラファイト粒子、カーボンナノウォール等が例示できる。銀を含有することにより、より優れた導電性が得られる。これらのうちでは、コストの観点から、銀コート銅粉が特に好ましい。金属粉に対するコート層の被覆率は、被覆層による平均被覆率を６０％以上とすることが好ましく、７０％以上とすることがより好ましく、８０％以上とすることがさらに好ましい。

また、導電性フィラーとして電磁波吸収フィラーを好適に用いることができる。電磁波吸収フィラーとしては、例えば偏平軟磁性フィラーを用いることができる。例えば、鉄、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｍｇフェライト、Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライト系物質などの電磁波吸収特性を有する材料を用いることができる。

導電性フィラーにおいて、核体を被覆する場合の被覆層は、核体の少なくとも一部を被覆していればよいが、より優れた導電特性を得るためには、被覆率が高い方が好ましい。導電特性を良好に保つ観点からは、被覆層による平均被覆率を６０％以上とすることが好ましく、７０％以上とすることがより好ましく、８０％以上とすることがさらに好ましい。

導電性フィラーの形状は、特に限定されないが、好ましくは鱗片状粒子、デンドライト（樹枝）状粒子、繊維状粒子、針状粒子および球状粒子からなる群から選択される粒子である。これらは、単独でも混合して用いてもよい。より好ましくは、デンドライト状粒子、鱗片状粒子、球状粒子からなる群から選択される粒子である。このうち、鱗片状粒子とデンドライト状粒子を混合して用いることがより好ましい。鱗片状粒子とデンドライト状粒子の混合質量比率は、９：１〜１：９が好ましく、８：２〜２：８がより好ましい。上記の混合質量比率とすることで、グランド接続性と段差追従性がより向上する。導電性フィラーの５０％平均粒子径は、２〜１００μｍが好ましく、５〜８０μｍがより好ましい。鱗片状粒子とデンドライト状粒子を併用することにより、表面光沢度を最適化し、電磁波遮蔽層に文字を直接印刷した場合に、印字視認性を高めることができる。マイクロサイズの鱗片状粒子とナノサイズの球状粒子の混合系を用いる態様も好適である。

また、下記数式（１）から求められる円径度係数が０．１５以上、０．４以下であり、且つ外縁形状に切れ込みおよび分岐葉の少なくとも一方が複数形成されている導電性微粒子、つまり、鱗片葉および分岐葉の少なくとも一方を複数有する葉状導電性微粒子も好適である。

ここでいう円径度係数は、Mac-View Ver.4（マウンテック社）の解析ソフトを用いて、導電性微粒子の電子顕微鏡画像（千倍〜１万倍程度）を読み込み、手動認識モードで導電性粒子を約２０個選択する。葉状や鱗片状の粒子を選択する際は、粒子同士が重なっていない粒子形状全体が確認できるものであって、観察視点から平面板が垂直になる角度のものを抽出して選択する。粒子基準データは、投影面積円相当径、分布は体積分布の設定として、円径度係数と円形係数を算出し、２０個の平均値を求める。上記数式（１）において面積は、二次元に投影した時の外周を形成する線の内部の面積を平板面とし、この平板面を二次元に投影したときの導電性微粒子の外周を周囲長の長さとする。

上記数式（１）から求められる円径度係数の平均値は、０．１５以上、０．３未満がより好ましい。このような粒子を用いる事により、導電特性に優れ、かつ、薄膜化が可能となる。また、コアシェル型の導電性微粒子を用いることによりコストダウンを図ることができる。

導電性フィラーの平均粒子径は、２〜１００μｍが好ましい。ナノサイズの粒子を混合してもよい。ナノサイズの粒子を混合することにより、ナノ粒子の融点降下現象を利用して、加熱圧着時に金属間結合を形成させ、シールド性を向上させる効果がある。

なお、上記数式（１）を満たす粒子を用いる場合の平均粒子径は、以下の方法により得られる値をいい、その他の粒子の平均粒子径は後述する実施例の方法により求めた値を言う。即ち、上記数（１）を満たす粒子の場合は、走査型電子顕微鏡の拡大画像（例えば千倍〜一万倍）から約１０〜２０個程度を平均した数値である。また、導電性フィラーが長さ方向と横方向で長さが大きく異なる場合（アスペクト比が１．５以上の場合）は、長さ方向で平均粒子径を算出する。ここで、粒子の体積平均粒子径とは、レーザー回折法で測定された粒子径分布において、小径側から計算した累積体積が５０％となる粒子径を表す。

さらに、電磁波遮蔽シートを構成する組成物には、着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。
ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。

離型性基材３は、片面あるいは両面に離型処理した基材であり、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートである。なお、離型性基材の引張破断歪は、後述する実施例で説明する電磁波遮蔽シートの引張破断歪と同様の方法（但し、温度は１５０℃とする）により求められる値である。離型性基材３は、離型性基材付多層体４における支持体としても機能する。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔や、これらを組み合わせた複合フィルムなどが挙げられる。

離型性基材３と電磁波遮蔽シート２の離型性基材付多層体４の形成方法は特に限定されないが、これらのシートをラミネートする方法、離型性基材３上に電磁波遮蔽シート２形成用組成物を塗工、印刷する方法が挙げられる。離型性基材３は、最終的には剥離するので、離型性の優れた材料が好ましい。好適な例としては、アルキッド、シリコーンまたはフッ素の離型層等を備えたポリエステルフィルム等が例示できる。離型性基材３の厚みは、例えば、５〜３００μｍ程度であり、２５〜２００μｍ程度がより好ましい。
離型性基材付多層体４から離型性基材３を剥離する方法は、特に限定されず、機械でも人手でもよい。

［積層体］
本実施形態に係る積層体は、本実施形態に係る電磁波遮蔽層を形成するために好適な積層体である。即ち、本実施形態に係る積層体は、その名称の如く多層体であり、電磁波遮蔽シートを具備する。この積層体を加熱圧着処理し、電磁波遮蔽シート以外の層、若しくは電磁波遮蔽シートと保護シート等を残存させて他の層を剥離させることにより、本実施形態の部品搭載基板を簡便に提供できる。

図７に示すように、係る積層体１０は、上述した電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２上に形成された粘着性樹脂層９と、粘着性樹脂層９上に形成された柔軟性離型シート５を備える。

粘着性樹脂層９は、タック性を有し、柔軟性離型シート５と電磁波遮蔽シート２を接合する役割を担う。熱プレス後に、柔軟性離型シート５から剥離することを特徴とする。即ち、部品搭載基板において電磁波遮蔽層１の上層に粘着性樹脂層９が保護層として機能する。粘着性樹脂層９は電磁波遮蔽シート２で説明したバインダー樹脂および硬化性化合物を使用することができる。この中でもバインダー樹脂は熱硬化性樹脂が好ましい。硬化性化合物はタック性を付与する観点から液状のエポキシ化合物が好ましい。液状エポキシ化合物はバインダー樹脂１００質量部に対して、５０〜３００質量部添加することが好ましい。上記の配合とすることで、熱プレス前においては、タック性を有し柔軟性離型シート５と電磁波遮蔽シート２を接合しているが、熱プレスによって硬化しタック性が失活するため、柔軟性離型シート５を容易に剥離することができる。粘着性樹脂層９の厚みは１〜３０μｍが好ましく３〜２０μｍがより好ましい。

柔軟性離型シート５は、１５０℃における引張破断歪が５０％以上で、柔軟性があって、且つ離型性があるシートである。つまり、電磁波遮蔽シート２と接合することなく、加熱圧着工程後に電磁波遮蔽シート２から剥離可能な層とする。柔軟性離型シート５は電磁波遮蔽シート２の加熱圧着時の軟化および変形に伴ってフレキシブルに形状を変形できるシートである。なお、柔軟性離型シートの引張破断歪は、後述する実施例で説明する電磁波遮蔽シートの引張破断歪と同様の方法（但し、温度は１５０℃とする）により求められる値である。

柔軟性離型シートとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、環状オレフィンポリマー、シリコーンが好ましい。この中でもポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、シリコーンがさらに好ましい。柔軟性離型シートは、単層で用いても複層で用いてもよい。複層とする場合、同一または異なる種類のシートを積層できる。

本実施形態に係る積層体は、凹凸構造体に電磁波遮蔽層を形成するために好適に用いられる。特に、上記実施形態に係る部品搭載基板の電磁波遮蔽層を形成するために好適に用いられる。

［部品搭載基板の製造方法］
次に、本実施形態に係る部品搭載基板の製造方法の一例について図６〜図１４を用いつつ説明する。但し、本発明の部品搭載基板の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではない。

＜工程（ａ）＞
まず、基板２０に電子部品３０を搭載する。図８は、工程（ａ）により得られる、本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程段階の基板の一例である。同図においては、基板２０上に半導体チップ（不図示）を搭載し、その後、半導体チップが形成されている基板２０上を封止樹脂によりモールド成形し、電子部品間の領域上から基板２０の内部まで到達するようモールド樹脂および基板２０をダイシング等によりハーフカットしている。予めハーフカットされた基板上に電子部品をアレイ状に配置する方法を採用してもよい。なお、電子部品とは、図８の例においては半導体チップをモールド成形した一体物をいい、絶縁体により保護された電子回路等の一体物をいうものとする。また、基板に対してハーフカットする工程は必須ではない。

モールド成形する場合の封止樹脂の材料は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が通常用いられる。封止樹脂の形成方法は特に限定されず、印刷、ラミネート、トランスファー成形、コンプレッション、注型等が挙げられる。基板２０に対するハーフカット、モールド成形は任意であり、また、電子部品の搭載方法も任意に変更できる。

［工程（ｂ）］
工程（ａ）の後、接着性を有し、且つバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する電磁波遮蔽シート２を電子部品３０が搭載された基板２０上に設置する。この工程は、後述する載置工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかから選択されることが好ましい。

（載置工程（ｉ））
電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一方の面に積層された離型性基材３との離型性基材付多層体４を用意する。そして、この離型性基材付多層体４を基板２０の電磁波遮蔽シート２との接合領域に電磁波遮蔽シート２が対向配置するように仮貼付けする（図９参照）。仮貼付けとは、電子部品３０の少なくとも一部の上面と接触するように仮接合するものであり、電磁波遮蔽シート２が加熱圧着時に位置ずれ防止の目的が達成できる程度でよい。従って、接触面全体が接合されている必要は無く、一部が接合されているのみでもよい。製造設備あるいは基板２０のサイズ等に応じて、基板２０の領域毎に複数の離型性基材付多層体４を用いたり、電子部品３０毎に離型性基材付多層体４を用いてもよいが、製造工程の簡略化の観点からは、基板２０上に搭載された複数の電子部品３０全体に１枚の電磁波遮蔽シート２を用いることが好ましい。

続いて離型性基材３を剥離する（図９参照）。その後、電磁波遮蔽シート２上に柔軟性離型シート５を載置し、さらに、柔軟性離型シート５上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図９参照）。熱溶融性部材６は１層でも複数層を積層してもよい。図９等の例においては３層積層した例を示している。本実施形態においては、さらに、クッション紙１１を２枚積層した例を示している。熱溶融性部材６が、電磁波遮蔽シートの加熱圧着工程においてクッションとしての役割を担い、ハーフカット溝に追従する電磁波遮蔽層１を得ることができる。

熱溶融性部材６は、加熱圧着時に溶融する層であり、電磁波遮蔽シート２の電子部品３０への追随性を促すクッション材として機能する。熱溶融性部材６は、熱可塑性を有する素材であれば特に限定されないが、加熱温度よりも低いガラス転移点（Ｔｇ）であることが好ましい。好適な例として、ポリオレフィン系フィルム、塩化ビニルフィルム、ＰＶＡフィルムが例示できる。溝の深さによるが通常、１００μｍ〜１ｍｍ程度である。熱溶融性部材６を複数積層する場合には、合計の厚みがこの範囲にあることが好ましい。

加熱圧着時にプレス器具に熱溶融性部材６が付着しないように、熱溶融性部材６の上にさらに保護層を設けることが好ましい。

電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６は、互いに接合されていない別のシートを重ねたものである。本実施形態の方法とは異なり、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および／または熱溶融性部材６を接合した多層体とした場合、後述する熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６の線膨張係数差に起因して加熱圧着時に多層体に反りが発生する。その結果、被覆する工程において歪が生じたり、接合が不充分になったりする。そして、電子部品の凹凸部を構成するコーナー部（エッジ部）において、電磁波遮蔽層に割れが発生したり、破れが発生したりすることがあった。一方、本実施形態に係る電磁波遮蔽層によれば、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６を互いに重ね合せるのみとし、これらを互いに接合していないので、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、各シート間の線膨張係数差による反り等の発生を効果的に防止できる。その結果、電磁波遮蔽層１の割れや破れを効果的に防止し、優れた被覆性を実現できる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（載置工程（ｉｉ））
電磁波遮蔽シート２と、前記電磁波遮蔽シート２の一方の面に積層された離型性発泡基材７との離型性発泡基材付多層体８を用意する。そして、この離型性発泡基材付多層体８を基板２０の電磁波遮蔽シート２との接合領域に電磁波遮蔽シート２が対向配置するように仮貼付けする（図１０参照）。続いて、離型性発泡基材７上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図１０参照）。以下、上述の載置工程（ｉ）と重複する説明は、適宜省略する。

離型性発泡基材７は、基材内部に空孔を有し、比重１．０〜１．４、２５％圧縮硬さ（ＪＩＳＫ６７６７）が１０〜１４０ｋＰａである基材をいう。離型性発泡基材７の厚みは、溝Ｗにより適宜設計すればよい。例えば、溝Ｗが１００〜７５０ｍｍのときは、厚みが５０〜１０００μｍ程度である。好適な材料としては、発泡ポリエチレンテレフタレートフィルム、発泡ポリエチレンフィルム、発泡シリコンフィルム、発泡ポリスチレンフィルム、発泡ポリプロピレンフィルム、発泡ゴムシート等が例示できる。

電磁波遮蔽シート２と離型性発泡基材７は、互いに接合された離型性発泡基材付多層体８である。一方、離型性発泡基材７とこの上に載置する熱溶融性部材６は、互いに接合されていない別のシートを重ねたものである。これにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、離型性発泡基材７と熱溶融性部材６間の線膨張係数差による反りの発生を効果的に防止できる。また、電磁波遮蔽シート２は、離型性発泡基材７と接合されているが、発泡基材を用いることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２と離型性発泡基材７の間に発生する線膨張係数を吸収し、反りの発生を効果的に抑制できる。その結果、電磁波遮蔽層１の被覆性が優れたものとなる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（載置工程（ｉｉｉ））
電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一方の面に積層された離型性基材３との離型性基材付多層体４を用意する。そして、離型性基材付多層体４における電磁波遮蔽シート２の離型性基材３が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層９を介して柔軟性離型シート５を積層し（図１１参照）、その後、離型性基材３を剥離し、積層体１０を得る（図７参照）。そして、基板２０の電磁波遮蔽シート２との接合領域に電磁波遮蔽シート２が対向配置するように積層体１０を仮貼付けする（図１２参照）。続いて柔軟性離型シート５上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図１２参照）。

電磁波遮蔽シート２と柔軟性離型シート５は、粘着性樹脂層９を介して接合された積層体１０である。そして、柔軟性離型シート５とこの上に載置する熱溶融性部材６は、互いに接合されていない別のシートを重ねたものである。これにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、柔軟性離型シート５と熱溶融性部材６間の線膨張係数差を粘着性樹脂層９が吸収し、これらの積層体の反りの発生を効果的に防止できる。また、電磁波遮蔽シート２は、柔軟性離型シート５と粘着性樹脂層９を介して接合されているが、これらの間に粘着性樹脂層９を用いることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２と柔軟性離型シート５の間に発生する線膨張係数を吸収し、反りの発生を効果的に抑制できる。その結果、電磁波遮蔽層１の被覆性が優れたものとなる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（工程（ｂ）の好適例）
電子部品３０の高さをＨ、柔軟性離型シート５または離型性発泡基材７と、熱溶融性部材６の合計の厚みをＴ３（図１０参照）としたときに、Ｔ３／Ｈを０．２以上とすることが好ましい。この範囲にすることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において基板凹凸形状追従特性をより効果的に発揮できる。Ｔ３／Ｈのより好ましい範囲は０．５以上であり、さらに好ましい範囲は０．７以上である。熱プレスできればよく、Ｔ３／Ｈの上限値は特にないが、熱プレス時に側面から溶融して装置を汚さない観点から、７以下とすることが好ましく６以下がより好ましく、さらに好ましくは５、特に好ましくは４である。

電子部品３０が基板２０上に配列され、電子部品３０間の幅をＷ、柔軟性離型シート５または離型性発泡基材７と、熱溶融性部材６との合計の厚みをＴ３（図１０参照）としたときに、Ｔ３／Ｗは０．１〜６とすることが好ましい。この範囲にすることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において基板凹凸形状追従特性をより効果的に発揮できる。Ｔ３／Ｗのより好ましい範囲は０．２〜５であり、さらに好ましい範囲は０．５〜４である。なお、Ｗの値は一定である必要は無く、場所により変更可能である。その場合もＴ３／Ｗが０．１〜６の範囲にあることが好ましい。

＜工程（ｃ）＞
工程（ｂ）後、工程（ｂ）により得られた製造基板を、図１３に示すように一対のプレス基板４０間に挟持し、加熱圧着する。電磁波遮蔽シート２は、熱溶融性部材６等の押圧により、製造基板に設けられたハーフカット溝に沿うように延伸され、電子部品３０および基板２０に電磁波遮蔽シート２が追従して被覆され、電磁波遮蔽層が形成される。プレス基板４０をリリースすることにより図１４に示すような製造基板が得られる。次いで、電磁波遮蔽層１より上層に被覆されている層を剥離する。これにより、電子部品３０を被覆する電磁波遮蔽層１を有する部品搭載基板１０１を得る（図１、２参照）。加熱圧着工程の温度および圧力は、電子部品３０の耐熱性、耐久性、製造設備あるいはニーズに応じて、電磁波遮蔽シート２の被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。圧力範囲としては限定されないが、０．１〜５．０ＭＰａ程度が好ましく、０．５〜２．０ＭＰａの範囲がより好ましい。なお、必要に応じて電磁波遮蔽層上に保護層等を設けてもよい。

加熱圧着工程の加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。また、上限値としては、電子部品３０の耐熱性に依存するが、２２０℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましく、１８０℃以下であることがさらに好ましい。

加熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、電磁波遮蔽シートに用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお加熱圧着時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。この加熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。ただし、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば加熱圧着前に部分的に硬化あるいは実質的に硬化が完了していてもよい。

電磁波遮蔽シート２の加熱圧着前の厚みは、電子部品３０の天面および側面および基板２０の露出面に被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、電子部品間の距離Ｗのサイズにより変動し得るが、通常、１〜２００μｍ程度が好ましく、５〜１００μｍ程度がより好ましく、１０〜７０μｍ程度がさらに好ましい。これにより、封止樹脂への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮することができる。

載置工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかとし、且つクッション材として機能する熱溶融性部材を用いて上方側から加熱圧着することにより、熱溶融性部材６が軟化して電磁波遮蔽シート２を被覆させ、電子部品３０の天面および側面並びに基板２０の露出面を被覆することができる。そして、基板２０内に形成されたグランドパターン２２が、電磁波遮蔽層１と電気的に接続される。

工程（ｃ）の後、ダイシングブレード等を用いて、基板２０における部品搭載基板１０１の個品の製品エリアに対応する位置でＸＹ方向にダイシングする。これにより、電子部品３０が電磁波遮蔽層１で被覆され、且つ基板２０に形成されたグランドパターン２２と電磁波遮蔽層１が電気的に接続された個変化された部品搭載基板が得られる。

本実施形態によれば、スパッタ等の設備投資も不要であるというメリットを有する。スパッタ装置の場合、側面をスパッタする場合、台座の角度を変更したりする必要があった。また、スパッタにより電磁波遮蔽層を形成する場合、欠陥を抑制するためには電子部品の形状やサイズにより最適な条件を見つけ、条件変更する必要があった。これに対し、本実施形態に係る電磁波遮蔽シートによれば、追随性に優れているので、電子部品の側面の被覆性に優れる。また、電磁波遮蔽シートを用いて一括して凹凸のある部品搭載基板を被覆できるので、製造工程の簡便化を図ることができる。また、部品の配置位置や形状等によらずに電磁波遮蔽層を形成できるので、汎用性が高い。製造基板のサイズに応じて、最適なサイズに裁断することも容易である。また、部品搭載基板の設計自由度を高めることができる。従って、生産性に優れる。また、本実施形態に係る電磁波遮蔽シートを用いることにより、形状追従性の優れた電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板を提供できる。

また、電磁波遮蔽シートを基板の面方向に押圧して圧着させているので、電子部品の天面の電磁波遮蔽層の平滑性に優れる。このため、製品名あるいはロット番号をインクジェット方式やレーザーマーキング方式で印字した際、文字の視認性が向上した高品質な部品搭載基板を提供できる。また、加熱圧着時の条件を制御することにより厚みを制御しやすく、薄型化も容易であるというメリットを有する。

＜変形例＞
次に、本発明に係る部品搭載基板等の変形例について説明する。但し、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、各実施形態および変形例は、互いに好適に組み合わせられる。

上記実施形態においては、部品の一例として電子部品を例として説明したが、電磁波から遮蔽したい部品全般に対して本発明を適用できる。即ち、部品搭載基板に搭載する部品は電子部品に限定されない。また、部品の形状は矩形状に限定されず、角部がＲ形状である部品、部品の上面と側面の成す角度が鋭角の部品、鈍角の部品も含む。また、上面に凹凸形状がある部品、電子部品の外面が球状等の曲面になっている場合も含む。また、上記実施形態においては、基板２０にハーフダイシング溝２５（図２参照）が形成されていたが、ハーフダイシング溝２５は必須ではなくフラットな基板に電磁波遮蔽シートを載置して被覆させてもよい。加えて、本発明の部品搭載基板には、例えば基板２０をオールダイシングして個片化した電子部品が搭載された部品搭載基板が別の保持基材等に載置されている場合も含む。

電磁波遮蔽層１は、基板２０の上面視において露出する面を全て被覆する例を説明したが、部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、基板の露出面の必要箇所を被覆していればよく、部分的に被覆する態様、被覆層の一部に開口部等を設けた態様も含む。また、図１５に示すように、基板２０の両主面に部品を形成する態様も好適に用いられる。

本実施形態に係る部品搭載基板によれば、凹凸構造に対する被覆性に優れることから、パーソナルコンピュータ、モバイル機器或いはデジタルカメラ等に内蔵されるハードディスク、ケーブルおよびプリント配線板等にも好適である。また、本発明の電磁波遮蔽シートおよび積層体は、部品を搭載していない凹凸形状面に対しても適用可能である。

≪実施例≫
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、実施例中の「部」とあるのは「質量部」を、「％」とあるのは「質量％」をそれぞれ表すものとする。

（１）試験基板の作製
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品をアレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．４ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た（図１６参照）。ハーフカット溝深さは０．５ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は実施例の表に示した通り１００〜７５０μｍに変更したものを作成した。

以下、実施例で使用した材料を示す。
導電性フィラー１：「核体に銅、被覆層に銀を使用した鱗片状粒子Ｄ５０平均粒子径＝ １１．０μｍ、円形度係数＝０．２３」（ 福田金属箔粉工業社製）
導電性フィラー２：「核体に銅、被覆層に銀を使用したデンドライト状粒子Ｄ５０平均粒子径＝ ９．０μｍ、円形度係数＝０．１２」（福田金属箔粉工業社製）
熱硬化性樹脂：ウレタンウレア樹脂 酸価５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
エポキシ樹脂１：「ＪＥＲ８２８」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 エポキシ当量＝１８９ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
エポキシ樹脂２：「デナコールＥＸ２１２」（２官能エポキシ樹脂 エポキシ当量＝１５１ｇ／ｅｑ）ナガセケムテックス社製
離型性基材：表面にシリコン離型剤をコーティングした厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム
離形性発泡基材：表面にアルキッド樹脂をコーティングした厚みが５０μｍの発泡ＰＥＴフィルム
柔軟性離形シート：「Ｘ−４４Ｂ」（厚み５０μｍの単層ＴＰＸフィルム）三井化学東セロ社製
熱溶融性部材：厚みが８０μｍの軟質塩化ビニルシート

［実施例１］（製法（i））
熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離型性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで離型性基材と電磁波遮蔽シートとが積層された離型性基材付多層体を得た。
係る離型性基材付多層体を１０×１０ｃｍにカットし、図１６に示す試験基板に載置し仮貼付けした。その後、離形性基材を剥離し、除去した面に柔軟性離形シートを載置し、さらにその上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置することで、熱プレス用のクッション積層体を得た。前記クッション積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１５０℃の条件で３０分熱プレスした。熱プレス後、柔軟性離形シートと熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。

［実施例２〜１６、１９〜２１および比較例１〜３］
各成分およびその配合量（質量部）、電子部品の搭載間隔、Ｔ３の厚み、または載置工程プロセス等を表１，２に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、部品搭載基板を作製した。表１、２に示す樹脂の配合量は固形分質量である。

［実施例１７］（製法（ii））
熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性発泡基材に塗工し、１００℃で２分間乾燥することで電磁波遮蔽シートと離形性発泡基材との離型性発泡基材付多層体を得た。
係る離型性泡基材付多層体を１０×１０ｃｍにカットし、電磁波遮蔽シートの面が図１６に示す試験基板（電子部品３０上面）に接するように載置し仮貼付けした。その後、離形性発泡基材の上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置した。前記クッション積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１５０℃の条件で３０分熱プレスした。熱プレス後、離形性発泡基材と熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。

［実施例１８］（製法（iii））
熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、離型性基材の一方の面上に電磁波遮蔽シートが積層された離型性基材付多層体を得た。
別途、柔軟性離形シートの一方の面に、乾燥後の厚みが１０μｍになるようドクターブレードで粘着剤組成物を塗工し、１００℃で２分乾燥することで粘着性樹脂層が一方に形成された粘着性樹脂層付き柔軟性離形シートを得た。
前記離型性基材付多層体の電磁波遮蔽シート面と前記粘着性樹脂層付き柔軟性離形シートの粘着性樹脂層をラミネーターで貼り合わせ、電磁波遮蔽シート側の離形性基材を剥離することにより積層体を得た。
係る積層体を１０×１０ｃｍにカットし、電磁波遮蔽シートの面が試験基板に接するように載置し、仮貼付けした。その後、柔軟性離型シート上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置することで、熱プレス用のクッション積層体を得た。前記クッション積層体を上方から面全体に対し２ＭＰａ、１５０℃の条件で３０分熱プレスした。熱プレス後、柔軟性離形シートと熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。

上記実施例および比較例について、以下の測定方法および評価基準にて評価した。
＜厚み測定＞
電磁波遮蔽層の厚みＴ１，Ｔ２を測定するために、研磨法によって断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電磁波遮蔽層の断面を画像処理した。そして、厚みＴ１，Ｔ２それぞれの領域における最も厚みのある箇所を測定した。異なる断面出しのサンプル５つにおいて同様に測定し、その平均値を厚みＴ１，Ｔ２とした。

＜マルテンス硬さの測定＞
マルテンス硬さは、ＩＳＯ１４５７７−１に準拠して以下のようにして測定した。フィッシャースコープＨ１００Ｃ（フィッシャー・インストルメンツ社製）型硬度計にて測定した。測定は、電子部品３０上のサンプルのｅ面（図１７参照）に対して、ビッカース圧子（１００φの先端が球形のダイアモンド圧子）を用い、２５℃の恒温室にて試験力０．３Ｎ、試験力の保持時間２０秒、試験力の付加所要時間５秒で行った。同一硬化膜面をランダムに１０箇所繰り返し測定して得た値を平均して、マルテンス硬さ値を求めた。なお、試験力は電磁波遮蔽層の厚みに応じて調整する。具体的には最大押し込み深さが電磁波遮蔽層の厚みの１０分の１程度になるように試験力を調整した。

＜２０°表面光沢度＞
電磁波遮蔽層の表面の２０°表面光沢度を、ＪＩＳ Ｚ８７４１やＩＳＯ２８１３に準じてＢＹＫ．ＧＡＲＤＮＥＲ社のｍｉｃｒｏ−ＴＲＩ−ｇｌｏｓｓ表面光沢度計を用いて２０°の測定角度で測定した。

＜ひっかき試験（鉛筆硬度試験）＞
電磁波遮蔽層の表面の鉛筆硬度をＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠して荷重７５０ｇにて鉛筆硬度試験を実施した。評価基準は以下の通りである。
+ + ： ＨＢ以上 良好な結果である。
+ ： Ｂ 実用上問題ない。
NG ： Ｂ未満 実用不可。

［電磁波遮蔽層の被覆前後の反り量評価］
厚み125μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製のカプトン500Ｈ）を１１ｃｍ×１１ｃｍにカットし、厚みが５０μｍの電磁波遮蔽シートを１０ｃｍ×１０ｃｍにカットし、上記ポリイミドフィルムの中央部に１５０℃２ＭＰａで熱プレスした後、端辺を固定し、その反対の端辺の反り量を測定した。
+ + ： 反り量が２ｍｍ未満 良好な結果である。
+ ： 反り量が２ｍｍ以上、５ｍｍ未満 実用上問題ない。
NG ： 反り量が５ｍｍ以上 実用不可。

＜引張破断歪の測定＞
以下の方法によって求めた引張破断歪（％）を引張破断歪とした。電磁波遮蔽シートを幅２００ｍｍ×長さ６００ｍｍの大きさに切断した後、電磁波遮蔽シートから剥離性シートを剥がして測定試料とした。測定試料について小型卓上試験機ＥＺ−ＴＥＳＴ（島津製作所社製）を用いて、温度２５℃、相対湿度５０％の条件下で引っ張り試験（試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）を実施した。得られたＳ−Ｓ曲線（Ｓｔｒｅｓｓ−Ｓｔｒａｉｎ曲線）から電磁波遮蔽シートの引張破断歪（％）を算出した。

＜線膨張係数＞
本発明の線膨張係数は、ＪＩＳ−Ｋ７１９７に記載のプラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法により測定された値を用いる。

＜電磁波遮蔽層における導電性フィラーの含有量の測定＞
図４，５に示すように、上面のエッジ部から電子部品３０の表面を内側に向かって０．５ｍｍの領域の上方に区画される領域にあって、且つ電子部品３０の当該辺の中央から７０％の範囲を測定した値とする電磁波遮蔽層を削り取った。削り取った電磁波遮蔽層の全質量に対する当該電磁波遮蔽層中の導電性フィラーの質量をＴＧ-ＤＴＡにより求めた。

＜平均粒子径＞
平均粒子径は、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ１３３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、導電性複合微粒子を測定して得たＤ５０平均粒子径の数値であり、粒子径累積分布における累積値が５０％の粒子径である。分布は体積分布、屈折率の設定は１．６とした。当該粒子径であればよく、一次粒子でも二次粒子でもよい。

＜段差追従性評価＞
実施例１〜１６、１９〜２１、比較例１〜３で得た、部品搭載基板を、図１７の断面図に示す底部のグランド端子ａ‐ｂ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定することにより、段差追従性を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：接続抵抗値が２００ｍΩ未満。良好な結果である。
+ ：接続抵抗値が２００ｍΩ以上、１０００ｍΩ未満。実用上問題ない。
NG：接続抵抗値が１０００ｍΩ以上。実用不可。

＜エッジ部破れ耐性＞
図１７に示す部品搭載基板のエッジ部の破れを顕微鏡によって観察し評価した。観察は異なる４カ所のエッジ部を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：破れ無し。良好な結果である。
+：一部破れ電子部品が露出しているが、実用上問題ない。
NG：上記＋の評価未満、若しくはエッジ全体で破れ発生し電子部品が全域露出。実用不可。

＜グランド接続評価＞
実施例１〜２１、比較例１〜３で得た、部品搭載基板を、図１７の断面図に示す底部のグランド端子ｂ‐ｃ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定することにより、グランド接続性を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：接続抵抗値が２００ｍΩ未満。良好な結果である。
+ ：接続抵抗値が２００ｍΩ以上、１０００ｍΩ未満。実用上問題ない。
NG ：接続抵抗値が１０００ｍΩ以上。実用不可。

＜テープ密着性＞
得られた部品搭載基板のｅ面（図１７参照）に、ＪＩＳＫ５４００に準じてクロスカットガイドを使用し、間隔が１ｍｍの碁盤目を２５個作成した。その後、碁盤目部に粘着テープを強く圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目の状態を下記の基準で判断した。
+ +：どの格子の目も剥がれない。
+：塗膜がカットの線に沿って部分的に剥がれている。剥がれ率１５％以上３５％未満。
NG：塗膜がカットの線に沿って部分的に若しくは全面的に剥がれている。剥がれ率３５％以上。

＜印字視認性＞
得られた部品搭載基板のｅ面（図１７参照）に、白色インキ（東洋インキ社製）を用いてスクリーン印刷で印字した。印字のサイズは５ポイントとした。暗室内にて印字部に６０ＷのＬＥＤライトを照射し、水平面を基準として２０°、４５°、９０°の角度から印字から５０ｃｍの距離
を開けて目視で印字が視認可能かを確認した。なお評価基準は以下の通りである。
+ + +：２０°、４５°、９０°すべて視認可能 非常に良好な結果である。
+ + ：４５°、９０°で視認可能 良好な結果である。
+ ：９０°で視認可能 実用上問題ない。
NG：すべての角度で視認不可能 実用不可。

実施例および比較例に係る部品搭載基板の評価結果を表１、２に示す。

表１、表２より、本実施形態に係る実施例１〜２１は、電磁波遮蔽層のマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２であり、且つ電磁波遮蔽層のＴ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲にすることにより、段差追従性、エッジ部破れ耐性、グランド接続性、テープ密着および印字視認性に優れ、さらに、ひっかき試験の結果が良好であり、さらに応力評価においても優れた評価結果となることがわかった。

１ 電磁波遮蔽層
２ 電磁波遮蔽シート
３ 離型性基材
４ 離型性基材付多層体
５ 柔軟性離型シート
６ 熱溶融性部材
７ 離型性発泡基材
８ 離型性発泡基材付多層体
９ 粘着性樹脂層
１０ 積層体
１１ クッション紙
２０ 基板
２１ 配線
２２ グランドパターン
２３ インナービア
２４ はんだボール
２５ ハーフダイシング溝
３０ 電子部品
３１ 半導体チップ
３２ モールド樹脂
３３ ボンディングワイヤ
４０ プレス基板
１０１〜１０３ 部品搭載基板

Claims (16)

1. 基板と、
   前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、
   前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層とを備え、
   前記電磁波遮蔽層は、
   バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、
   前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０であり、且つ
   マルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である部品搭載基板。
2. 前記電磁波遮蔽層の２０°表面光沢度が、０．１〜２０％である請求項１に記載の部品搭載基板。
3. 前記電磁波遮蔽層のＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠した鉛筆硬度試験が、Ｂ以上である請求項１又は２に記載の部品搭載基板。
4. 前記電磁波遮蔽層は、前記導電性フィラーを５０〜９５質量％含む請求項１〜３のいずれかに記載の部品搭載基板。
5. 前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである請求項１〜４のいずれかに記載の部品搭載基板。
6. 前記導電性フィラーが、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および球状粒子からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれかに記載の部品搭載基板。
7. 基板に部品を搭載する工程と、
   接着性を有し、且つバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する電磁波遮蔽シートを前記部品が搭載された前記基板上に設置する載置工程と、
   前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む前記基板の露出面に前記電磁波遮蔽シートが追随するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程とを備え、
   前記電磁波遮蔽シートは、引張破断歪が５０〜１５００％である部品搭載基板の製造方法。
8. 前記載置工程は、以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかから選択される、請求項７に記載の部品搭載基板の製造方法。
   （ｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように仮貼付けし、続いて前記離型性基材を剥離し、前記電磁波遮蔽シート上に柔軟性離型シートを載置し、さらに、前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
   （ｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面に積層された離型性発泡基材との離型性発泡基材付多層体を、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように前記離型性発泡基材付多層体を仮貼付けし、続いて前記離型性発泡基材上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
   （ｉｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一方の面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を用意し、続いて、前記電磁波遮蔽シートの前記離型性基材が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層を介して柔軟性離型シートを積層し、その後、前記離型性基材を剥離することにより積層体を得、前記基板の前記電磁波遮蔽シートとの接合領域に当該電磁波遮蔽シートが対向配置するように前記積層体を仮貼付けし、続いて前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
9. 前記部品の高さをＨ、前記柔軟性離型シートまたは離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｈが０．２以上である請求項８に記載の部品搭載基板の製造方法。
10. 前記部品が前記基板上に配列され、当該部品間の幅をＷ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｗが０．１〜６である請求項８又は９に記載の部品搭載基板の製造方法。
11. 前記基板上には、前記部品が複数形成され、複数の前記部品上および前記部品間に亘って前記電磁波遮蔽層を形成する請求項７〜１０のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
12. 前記電磁波遮蔽シートの２５〜１２５℃での線膨張係数が、１００〜７００ｐｐｍ／℃である請求項７〜１１のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
13. 前記導電性フィラーが、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および球状粒子からなる群から選択される、請求項７〜１２のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
14. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の部品搭載基板を具備する電子機器。
15. 基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前のシートであって、
    バインダー樹脂と導電性フィラーを含み、引張破断歪が５０〜１５００％であって、
    加熱圧着して得られる前記電磁波遮蔽層は、
    前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲にあり、且つマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である電磁波遮蔽シート。
16. 基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前の電磁波遮蔽シートと、
    前記電磁波遮蔽シート上に形成された粘着性樹脂層と、
    前記粘着性樹脂層上に形成された柔軟性離型シートを備え、
    前記電磁波遮蔽シートは、バインダー樹脂と導電性フィラーを含み、引張破断歪が５０〜１５００％であって、
    前記電磁波遮蔽シートを加熱圧着して得られる前記電磁波遮蔽層は、
    前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１〜１０の範囲にあり、且つマルテンス硬さが３〜１００Ｎ／ｍｍ^２である積層体。

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