WO2018147355A1

WO2018147355A1 - 部品搭載基板およびその製造方法、積層体、電磁波遮蔽シートおよび電子機器

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Publication number: WO2018147355A1
Application number: PCT/JP2018/004332
Authority: WO
Inventors: 和規松戸; 努早坂; 淳御子柴
Original assignee: 東洋インキＳｃホールディングス株式会社; トーヨーケム株式会社
Priority date: 2017-02-10
Filing date: 2018-02-08
Publication date: 2018-08-16

Abstract

生産性が高く、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板等を提供する。　本発明に係る部品搭載基板は、基板（２０）と、基板（２０）に搭載された部品（３０）と、これらを被覆する電磁波遮蔽層（１）とを備える。電磁波遮蔽層（１）は、マルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ２であり、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、部品（３０）の上面を被覆する電磁波遮蔽層（１）の厚みをＴ１，同側面を被覆する電磁波遮蔽層（１）の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０であり、鱗片状粒子の平均厚さが０．０５～２μｍであり、鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積が２０～５０％である。

Description

部品搭載基板およびその製造方法、積層体、電磁波遮蔽シートおよび電子機器

　本発明は、電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板およびその製造方法に関する。また、前記部品搭載基板の電磁波遮蔽層の形成に好適な電磁波遮蔽シートおよびそれを具備する積層体、並びに前記部品搭載基板が搭載された電子機器に関する。

　ＩＣチップ等の電子部品を搭載した電子基板は、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するため、また、電子基板内部から発生する電気信号の不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。従来、ＩＣチップのシールドにはスパッタ工法が用いられてきたが、設備投資の問題等から代替技術が求められている。

　そこで、電子部品の外骨格を構成するモールド樹脂上に導電性ペーストを塗工して導電性シールド層を設ける方法（特許文献１）や、電磁波シールドシートを被覆する方法（特許文献２～６）が提案されている。
　例えば、特許文献２には、基板上に設けられた凸部を覆うように、基材層と電磁波遮蔽層の積層体からなる電磁波シールド用フィルムを真空圧空成形法により貼付し、その後に基材層を剥離する電磁波シールド層の形成方法を開示されている。また、特許文献３には、電子部品および露出する基板の表面に追従するように多層体を加熱圧着し、電子部品間に充填しつつ電子部品を被覆する電磁波シールド層の形成方法が開示されている。更に、特許文献４には、電子回路の露出面を覆う部位に剥離フィルム付きのシールドフィルムを設置し、電子回路の露出面を覆う以外の領域は、剥離フィルムを剥離したシールドフィルムを設置する構成が開示されている。

特開２０１３－２０７２１３号公報国際公開第２０１４／０２７６７３号特開２０１５－１６２６３６号公報国際公開第２０１５／０４６０６３号国際公開第２０１５／１８６６２４号特開２０１４－１１０２６３号公報

　電磁波を遮蔽するために電子部品の表面に金属箔をスパッタする方法、金属缶を嵌合する方法、めっき処理する方法、上記特許文献１のように導電性ペーストを塗布する方法等があるが、これらは汎用性または処理工程の煩雑さにおいて課題がある。また、特許文献２等の電磁波シールド用フィルムにおいては、電子部品の段差部分や凹凸箇所において電磁波遮蔽層の割れが発生しやすく、電磁波シールド性の品質において課題がある。また、凹部の埋め込み性が不足しやすい問題、側面のグランド部への接続性に課題がある。

　本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、生産性が高く、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を提供できる電磁波遮蔽シートと積層体、前記電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板とその製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。

　本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
［１］：　基板に部品を搭載する工程と、電磁波遮蔽シートを前記部品が搭載された前記基板上に設置する載置工程と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む前記基板の露出面に前記電磁波遮蔽シートが追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程とを備え、
　前記電磁波遮蔽シートとして、引張破断歪が５０～１５００％であり、更に、熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂と硬化性化合物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まないシートを用い、
　前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０となるように被覆し、
　前記鱗片状粒子の平均厚さを０．０５～２μｍとし、
　前記電磁波遮蔽層の前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする部品搭載基板の製造方法。
［２］：　前記載置工程は、以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）のいずれかより選択される、［１］に記載の部品搭載基板の製造方法。
（ｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を、前記基板と前記電磁波遮蔽シートが対向配置するように仮貼付後、前記離型性基材を剥離し、続いて前記電磁波遮蔽シート上に柔軟性離型シートを載置し、更に前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性発泡基材とを備える離型性発泡基材付多層体を、前記基板と前記電磁波遮蔽シートとが対向配置するように前記離型性発泡基材付多層体を仮貼付し、続いて前記離型性発泡基材上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を用意し、続いて、前記電磁波遮蔽シートの前記離型性基材が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層を介して柔軟性離型シートを積層し、その後、前記離型性基材を剥離することにより積層体を得、前記基板と前記電磁波遮蔽シートとが対向配置するように前記積層体を仮貼付し、続いて前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
［３］：　前記部品の高さをＨ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｈが０．２以上である［２］に記載の部品搭載基板の製造方法。
［４］：　前記部品が前記基板上に配列され、当該部品間の幅をＷ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｗが０．１～６である［２］又は［３］に記載の部品搭載基板の製造方法。
［５］：　前記基板上には、前記部品が複数形成され、複数の前記部品上および前記部品間に亘って前記電磁波遮蔽層を形成する［１］～［４］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［６］：　前記電磁波遮蔽シートの２５～１２５℃での線膨張係数が、１００～７００ｐｐｍ／℃である［１］～［５］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［７］：　前記導電性フィラーが、更に樹枝状粒子および球状粒子からなる群から選択される粒子を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［８］：　前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである［１］～［７］のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
［９］：　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層とを備え、
　前記電磁波遮蔽層は、マルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、更に、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、
　前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０であり、
　前記鱗片状粒子は、平均厚さが０．０５～２μｍであり、
　前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積が２０～５０％である部品搭載基板。
［１０］：　前記電磁波遮蔽層の２０°表面光沢度が、０．１～２０％である［９］に記載の部品搭載基板。
［１１］：　前記鱗片状粒子含有層は、当該鱗片状粒子含有層全体の質量に対し、前記導電性フィラーを５０～９５質量％含む［９］又は［１０］に記載の部品搭載基板。
［１２］：　前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである［９］～［１１］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［１３］：　前記導電性フィラーが、更に樹枝状粒子および球状粒子の少なくともいずれかを含む、［９］～［１２］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［１４］：　前記電磁波遮蔽層は、等方導電層を２層含み、前記等方導電層の少なくとも一層は前記鱗片状粒子含有層である［９］～［１３］のいずれかに記載の部品搭載基板。
［１５］：　［９］～［１４］のいずれかに記載の部品搭載基板を具備する電子機器。
［１６］：　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前のシートであって、
　引張破断歪が５０～１５００％であり、
　熱硬化性樹脂、硬化性化合物および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、
　１６０℃、２ＭＰａで２０分、加熱硬化したときのマルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、
　前記鱗片状粒子の平均厚さが０．０５～２μｍであり、
　１６０℃、２ＭＰａで２０分、加熱硬化したときの前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積が２０～５０％である、電磁波遮蔽シート。
［１７］：　前記熱硬化性樹脂は、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂およびポリアミド樹脂から選択される樹脂である［１６］に記載の電磁波遮蔽シート。
［１８］：　前記鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は、２～１００μｍである［１６］又は［１７］に記載の電磁波遮蔽シート。
［１９］：　前記熱硬化性樹脂の酸価が、３～２０である［１６］～［１８］のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
［２０］：　前記熱硬化性樹脂の反応性官能基が、カルボキシル基、水酸基の少なくともいずれかを含む［１６］～［１９］のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
［２１］：　前記熱硬化性樹脂は、重量平均分子量が２０，０００～１５０，０００である［１６］～［２０］のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
［２２］：　線膨張係数が１００～７００ｐｐｍ／℃である［１６］～［２１］のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
［２３］：　［１６］～［２２］のいずれかに記載の電磁波遮蔽シートと、前記電磁波遮蔽シート上に形成された粘着性樹脂層と、前記粘着性樹脂層上に形成された柔軟性離型シートを備える積層体。

　本発明によれば、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を提供できる電磁波遮蔽シートと積層体、前記電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板とその製造方法、および電子機器を提供できるという優れた効果を奏する。

本実施形態に係る部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。図１のＩＩ－ＩＩ切断部断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。鱗片状粒子含有層の導電性フィラーの含有量の測定領域を説明するための模式的上面図。図４のＶ－Ｖ切断部断面図。本実施形態に係る離型性基材付多層体の一例を示す模式的断面図。本実施形態に係る積層体の一例を示す模式的断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉ））断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉｉ））断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程に用いられる積層体の模式的断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程（載置工程（ｉｉｉ））断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本変形例に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本変形例に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本変形例に係る部品搭載基板の製造工程断面図。本実施形態に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。本実施例に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。本実施例に係る部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。実施例１４に係る電磁波遮蔽シートの切断部断面図。実施例１４に係る電磁波遮蔽層の切断部断面図。

　以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、本明細書で特定する数値「Ａ～Ｂ」は、数値Ａと数値Ａより大きい値および数値Ｂと数値Ｂより小さい値を満たす範囲をいう。また、本明細書における「シート」とは、ＪＩＳにおいて定義される「シート」のみならず、「フィルム」も含むものとする。説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。また、同一の要素部材は、異なる実施形態においても同一符号で示す。本明細書中に出てくる各種成分は特に注釈しない限り、それぞれ独立に一種単独でも二種以上を併用してもよい。

＜第１実施形態＞
　第1実施形態に係る部品搭載基板の製造方法は、以下の工程を含む。即ち、基板に部品を搭載する工程と、電磁波遮蔽シートを部品が搭載された基板上に設置する載置工程と、部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む基板の露出面に電磁波遮蔽シートが追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程とを備える。電磁波遮蔽シートは、引張破断歪が５０～１５００％であり、更に、熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂と硬化性化合物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まないシートを用いる。また、部品の上面を被覆する電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，部品の側面を被覆する電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０となるように被覆し、鱗片状粒子の平均厚さを０．０５～２μｍとする。更に、電磁波遮蔽層の鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする。以下、第１実施形態に係る部品搭載基板の製造方法について詳述する。

［部品搭載基板］
　図１に第１実施形態に係る部品搭載基板の模式的斜視図を、図２に図１のＩＩ－ＩＩ切断部断面図を示す。部品搭載基板１０１は、基板２０、部品の一例である電子部品３０および電磁波遮蔽層１等を有する。

　基板２０は、電子部品３０を搭載可能であり、且つ後述する加熱圧着工程に耐え得る基板であればよく、任意に選択できる。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板またはビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が挙げられる。また、フィルムやシート状のフレキシブル基板を用いてもよい。前記導電パターンは、例えば、電子部品３０と電気的に接続するための電極・配線パターン（不図示）、電磁波遮蔽層１と電気的に接続するためのグランドパターン２２である。基板２０内部には、電極・配線パターン、ビア（不図示）等を任意に設けることができる。

　電子部品３０は、図１の例においては基板２０上に５×４個アレイ状に配置されている。そして、基板２０および電子部品３０の露出面を被覆するように電磁波遮蔽層１が設けられている。即ち、電磁波遮蔽層１は、電子部品３０により形成される凹凸に追従するように被覆されている。電磁波遮蔽層１により、電子部品３０および／または基板２０に内蔵された信号配線等から発生する不要輻射を遮蔽し、また、外部からの磁場や電波による誤動作を防止できる。

　電子部品３０の個数、配置、形状および種類は任意である。アレイ状に電子部品３０を配置する態様に代えて、電子部品３０を任意の位置に配置してもよい。部品搭載基板１０１を単位モジュールに個片化する場合、図２に示すように、基板上面から基板の厚み方向に単位モジュールを区画するようにハーフダイシング溝２５を設けてもよい。なお、第１実施形態に係る部品搭載基板は、単位モジュールに個片化する前の基板、および単位モジュールに個片化した後の基板の両方を含む。即ち、図１、２のような複数の単位モジュール（電子部品３０）が搭載された部品搭載基板１０１の他、図３のような単位モジュールに個片化した後の部品搭載基板１０２も含む。無論、個片化工程を経ずに、基板２０上に１つの電子部品３０を搭載し、電磁波遮蔽層で被覆した部品搭載基板も含まれる。即ち、第１実施形態に係る部品搭載基板は、基板上に少なくとも１つの電子部品が搭載されており、電子部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部に電磁波遮蔽層が被覆された構造を包括する。

　電子部品３０は、半導体集積回路等の電子素子が絶縁体により一体的に被覆された部品全般を含む。例えば、集積回路（不図示）が形成された半導体チップ３１（図３参照）が封止材（モールド樹脂３２）によりモールド成型されている態様がある。基板２０と半導体チップ３１は、これらの当接領域を介して、又はボンディングワイヤ３３、はんだボール（不図示）等を介して基板２０に形成された配線又は電極２１と電気的に接続される。電子部品は、半導体チップの他、インダクタ、サーミスタ、キャパシタおよび抵抗等が例示できる。

　第１実施形態に係る電子部品３０および基板２０は、公知の態様に対して広く適用できる。図３の例においては、半導体チップ３１は、インナービア２３を介して基板２０の裏面のはんだボール２４に接続されている。また、基板２０内には、電磁波遮蔽層１と電気的に接続するためのグランドパターン２２が形成されている。また、個片化後の部品搭載基板に、複数の電子部品３０が搭載されていてもよい。また、電子部品３０内には、単数又は複数の電子素子等を搭載できる。

＜電磁波遮蔽層＞
　電磁波遮蔽層１は、電子部品３０が搭載された基板２０上に、後述する電磁波遮蔽シートを載置して加熱圧着することにより得られる。電磁波遮蔽層１は、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物または／および熱可塑性樹脂と、鱗片状粒子（フレーク状粒子）を含む導電性フィラーを含有する鱗片状粒子含有層を有し、異方導電層を含まない。そして、電子部品３０の上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ１，電子部品３０の側面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２を１．１～１０とする。鱗片状粒子の平均厚さを０．０５～２μｍの範囲とし、鱗片状粒子含有層の切断部断面の導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする。導電性フィラーの専有面積は、好ましくは２５～４５％であり、より好ましくは３０～４０％である。２０～５０％の範囲にあることで、ひっかき試験およびグランド接続性を向上させることができる。導電性フィラーは、鱗片状粒子含有層において連続的に接触されており、等方導電性を示す。

　電磁波遮蔽層１の被覆領域は、電子部品３０の搭載により形成された段差部（凹凸部）の少なくとも一部を含んでいればよく、電子部品３０が搭載された面全体を被覆していることは必須ではない。電磁波遮蔽層１は、シールド効果を充分に発揮させるために、基板２０の側面または上面に露出するグランドパターン２２または／および電子部品の接続用配線等のグランドパターン（不図示）に接続する構成が好ましい。

　電磁波遮蔽層に異方導電層を含むと、特にコーナー部において電磁波遮蔽層に割れや罅が入る場合があり、被覆性において問題があった。また、加熱圧着前である電磁波遮蔽シートの引張破断歪が低くなるという問題があった。これに対し、第１実施形態においては電磁波遮蔽層に異方導電層を含まないので、前記問題がない。そして、鱗片状粒子含有層は等方導電層であるので、シールド性および被覆性を兼ね備えた電磁波遮蔽層を提供できる。また、加熱硬化処理前の電磁波遮蔽シートにおける引張破断歪を高めることができる。

　電磁波遮蔽層は、単層または複層とする。複層の場合、等方導電層を２層積層する態様が好ましい。好ましい複層の例として、鱗片状粒子含有層の積層体、鱗片状粒子含有層と繊維状（ワイヤー状）導電層（等方導電層）の積層体が例示できる。また、鱗片状粒子含有層と、鱗片状粒子含有層に分類されない等方導電層として機能する導電性フィラー含有層（例えば、樹枝状粒子と球状粒子が混合された導電性フィラー含有層、球状粒子を含む導電性フィラー含有層、樹枝状粒子を含む導電性フィラー含有層等）との積層体が例示できる。複層とする場合、耐スクラッチ性を高める観点から、表層側を鱗片状粒子含有層とすることが好ましい。等方導電層として機能する電磁波反射層と電磁波吸収層の積層体とする態様も好ましい。また、電磁波遮蔽層は、用途に応じて絶縁層等の保護層を有していてもよい。

　電磁波遮蔽層１の厚みの比Ｔ１／Ｔ２を前記範囲とし、且つ前述の等方導電性を示す切断部断面の導電性フィラーの専有面積を前述した範囲とする鱗片状粒子含有層を有し、異方導電性を含まない電磁波遮蔽層を用い、更に、鱗片状粒子の平均厚さを前述の範囲とすることにより、高品質で被覆性が高い電磁波遮蔽層を提供できる。また、テープ密着性に優れる電磁波遮蔽層を提供できる。ここでテープ密着性とは、後述する実施例において評価する特性であり、電子部品との接着性の指標となる。

　Ｔ１／Ｔ２は１．３～７が好ましく、１．５～４がより好ましく、１．８～３．８が更に好ましい。Ｔ１／Ｔ２は、加熱プレス工程の際の部品の高さおよび溝の幅の条件を制御することにより調整できる。なお、電子部品３０の外面が曲面形状などで上面と側面が明確に定義できない場合には、基板２０から高さ方向に最も離間した位置の電磁波遮蔽層１の厚みをＴ１とし、そのＴ１の面方向と最も角度のある面方向の電磁波遮蔽層１の膜厚をＴ２とする。その他の条件は、実施例に記載の方法に従う。

　電磁波遮蔽層１のマルテンス硬さは３～１００Ｎ／ｍｍ^２の範囲が好ましい。係る範囲にすることにより、耐スクラッチ性およびテープ密着特性に優れたものとなる。マルテンス硬さは、耐スクラッチ性の観点から、５Ｎ／ｍｍ^２以上が好ましく、７Ｎ／ｍｍ^２以上がより好ましく、１０Ｎ／ｍｍ^２以上が更に好ましい。テープ密着の観点からは、９８Ｎ／ｍｍ^２以下が好ましく、９０Ｎ／ｍｍ^２以下がより好ましく、８０Ｎ／ｍｍ^２以下が更に好ましく、７０Ｎ／ｍｍ^２以下が特に好ましい。マルテンス硬さは、導電性フィラーおよび主として熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂と硬化性化合物の硬化物の硬さによる。鱗片状粒子はマルテンス硬さが大きくなる傾向にあり、球状、樹枝状粒子はマルテンス硬さが低くなる傾向にある。また、導電性フィラー量が多くなるとマルテンス硬さは大きくなる傾向にある。

　鱗片状粒子の平均比表面積は、１．４０～２．５０ｍ^２／ｇが好ましく、１．６０～２．３０ｍ^２／ｇがより好ましく、特に好ましくは１．８０～１．９０ｍ^２／ｇである。また、鱗片状粒子のタップ密度は、０．５０～０．８０ｇ／ｃｍ^３が好ましく、０．６０～０．７０ｇ／ｃｍ^３がより好ましく、特に好ましくは０．６６～０．６９ｇ／ｃｍ^３である。

　鱗片状粒子を含む導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックス粒子およびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーは、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型粒子が例示できる。優れた導電特性を得る観点から、銀を含有する導電性フィラーが好ましい。コストの観点からは、銀コート銅粉が特に好ましい。銀コート銅における銀の含有量は、６～２０質量％が好ましく、より好ましくは８～１７質量％であり、更に好ましくは１０～１５質量％である。コアシェル型粒子の場合、コア部に対するコート層の被覆率は、平均で６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましい。コア部は非金属でもよいが、導電性の観点からは導電性物質が好ましく、金属粒子がより好ましい。

　導電性フィラーとして、電磁波吸収フィラーを用いてもよい。例えば、鉄、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｍｇフェライト、Ｃｕ－Ｚｎフェライト、Ｍｇ－Ｍｎ－Ｓｒフェライト、Ｎｉ－Ｚｎフェライト等のフェライト系物質並びに、カーボンフィラーなどが挙げられる。カーボンフィラーは、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなる粒子、グラフェン粒子、グラファイト粒子およびカーボンナノウォールが例示できる。

　導電性フィラーとして、専ら鱗片状粒子を用いてもよいが、鱗片状粒子と他の形状の粒子を併用してもよい。併用する粒子形状は特に限定されないが、樹枝（デンドライト）状粒子、繊維状粒子、針状粒子および球状粒子からなる群から選択される粒子が好ましい。併用する粒子は、単独または混合して用いられる。併用する場合、鱗片状粒子および樹枝状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子、樹枝状粒子および球状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子および球状粒子の組み合わせが例示できる。これらのうち、電磁波遮蔽層の被覆性を高め、且つシールド性を高める観点から、鱗片状粒子単独または鱗片状粒子と樹枝状粒子との組み合わせがより好ましい。

　鱗片状粒子含有層において鱗片状粒子と樹枝状粒子の混合する場合の質量比は、９：１～１：９が好ましく、８：２～２：８がより好ましい。上記の混合質量比とすることで、グランド接続性と段差追従性がより向上する。鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。樹枝状粒子の平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。鱗片状粒子と樹枝状粒子を併用することにより、表面光沢度を最適化し、電磁波遮蔽層に文字を直接印刷した場合に、印字視認性を高めることができる。

　また、樹枝状粒子を併用することによって、導電性フィラー同士の接触点を多くし、シールド特性を向上させることができる。また、樹枝状粒子の併用によって、バインダー成分との接触面積を増加させることができるので引張破断歪を効果的に向上させ、電磁波遮蔽シートを面方向に延伸させ、電子部品に追従させる際に、割れや罅を効果的に抑制できるというメリットも有する。マイクロサイズの鱗片状粒子とナノサイズの球状粒子の混合系を用いる態様も好適である。なお、導電性フィラーは、特に粒子サイズが小さい場合などにおいて、加熱圧着により溶融して他の導電性フィラーと溶融する場合がある。

　電磁波遮蔽層１の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途には、電子部品の上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みＴ１は、１．１～７５μｍの範囲が好ましく、１．５～６５μｍがより好ましく、５～５５μｍが特に好ましい。このときの電子部品の側面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みＴ２は、１～６８μｍが好ましく、１．１～５９μｍがより好ましく、特に好ましくは１．５～５９μｍである。高周波ノイズを精度高くシールドする用途には、厚みＴ１を、例えば７５～２００μｍ程度にすることができる。

　電磁波遮蔽層１の２０°表面光沢度は、電磁波遮蔽層１の最表面に印字した製品番号やロット番号の印字視認性を高める観点から、０．１～２０％の範囲が好ましい。係る範囲とすることにより、光沢感を適度に抑制し、様々な角度から見やすくなる。２０°表面光沢度をこの範囲とし、且つマルテンス硬さを３～１００Ｎ／ｍｍ^２以上にすることにより、印字視認性、耐スクラッチ性およびグランド接続性を兼ね備える優れた電磁波遮蔽層を提供できる。２０°表面光沢度のより好ましい範囲は０．３～１５％であり、更に好ましい範囲は０．５～１０％である。２０°表面光沢度は、鱗片状粒子の添加量を調整することにより容易に制御できる。

　鱗片状粒子含有層における導電性フィラーの含有量は、優れた電磁波遮蔽特性を得る観点から、鱗片状粒子含有層全体に対して５０～９５質量％含むことが好ましい。より好ましくは５５～９０質量％であり、さらに好ましくは６０～８５質量％であり、特に好ましくは６５～８０質量％である。　

　電磁波遮蔽層１の割れが生じやすい場所は、電子部品３０のエッジ部を被覆する箇所である。電子部品のエッジ部において電磁波遮蔽層１の割れが生じると、電磁波遮蔽効果の低下を招来するので、凹凸部の被覆性は特に重要となる。電磁波遮蔽層１の凹凸部において、導電性フィラーの含有率が４０質量％以上、９５質量％以下であることが好ましい。測定は、図４の電磁波遮蔽層の部分拡大上面図、図４のＶ－Ｖ切断部断面図である図５に示すように、電子部品３０のエッジを構成する上面の辺の長手方向のラインから電子部品３０の表面内側に向かって０．５ｍｍまでの領域の上方に存在する電磁波遮蔽層であって、且つ電子部品３０の当該辺の中央から長さ方向７０％の範囲を測定した値とする。

　部品搭載基板１０１には、耐擦傷性、水蒸気バリア性、酸素バリア性を示すフィルム等の他の層や、磁界カットを強化するフィルム等がさらに積層されていてもよい。

［電子機器］
　第１実施形態に係る部品搭載基板は、例えば、基板２０の裏面に形成されたはんだボール等を介して実装基板に実装することができ、電子機器に搭載できる。例えば、第１実施形態に係る部品搭載基板は、パソコン、ダブレット端末、スマートホン等をはじめとする種々の電子機器に用いることができる。

［電磁波遮蔽シート］
　第１実施形態に係る電磁波遮蔽シートは、電磁波遮蔽層１の加熱圧着前のシートである。即ち、電磁波遮蔽シートを加熱圧着することにより電磁波遮蔽層１が得られる。電磁波遮蔽シートは、常温・常圧における引張破断歪が５０～１５００％であり、熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂と硬化性化合物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有する。電磁波遮蔽シートは、異方導電層を含まない。電磁波遮蔽シートを１６０℃、２ＭＰａで２０分加熱硬化したときのマルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２の範囲であり、電磁波遮蔽シートを１６０℃、２ＭＰａで２０分加熱硬化したときの前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積（Ａ’）を２０～５０％とする。用いる鱗片状粒子の平均厚さは０．０５～２μｍの範囲とする。なお、加熱圧着前の電磁波遮蔽シートの鱗片状粒子の厚みと、加熱圧着後の鱗片状粒子の厚みは実質的に同一である。また、電磁波遮蔽シートの鱗片状粒子含有層は、硬化前の層である。この硬化前の層には、電磁波遮蔽シートの段階で、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の一部が反応してＢステージ（半硬化した状態）にある層を含むものとする。

　また、電磁波遮蔽シートの鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の専有面積（Ｂ）％（基準）と、２枚のポリイミドフィルム（カプトン２００ＥＮ）で挟持し、１６０℃、２ＭＰａで２０分間加熱圧着した場合の専有面積（Ａ’）％との差（（Ｂ）－（Ａ’））は１～５％とすることが好ましい。より好ましくは、２～４％である。なお、前記加熱圧着条件は、専有面積（Ａ’）および専有面積の差（（Ｂ）－（Ａ’））を求めるための条件であって、第１実施形態の加熱圧着条件はこれに限定されない。

　電磁波遮蔽シート２の引張破断歪を前記範囲とし、且つ前述の鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、切断部断面の導電性フィラーの専有面積を前述した範囲とする鱗片状粒子含有層を有し、更に鱗片状粒子の平均厚さを前述の範囲とすることにより、高品質で被覆性が高く、生産性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる電磁波遮蔽シートを提供できる。

　電磁波遮蔽シート２の引張破断歪を５０～１５００％とすることにより、加熱圧着時の凹凸形状追従性を高め、段差による電磁波遮蔽シート２の破断を効果的に防止し、且つ段差部分での電磁波遮蔽シート２の伸びを良好にすることができる。また、鱗片状粒子を用いることで、導電性フィラー同士の接触を良好とし、電子部品等の段差における抵抗値を良好にすることができる。その結果、被覆性を良好にし、シールド性を高めることができる。引張破断歪のより好ましい範囲は１００～１４００％であり、さらに好ましい範囲は１５０～１３００％であり、特に好ましい範囲は２００～１０００％である。

　電磁波遮蔽シートの好ましい層構成は、電磁波遮蔽層において述べたとおりである。

　加熱硬化前の熱硬化性樹脂は、電磁波遮蔽シートにおいてバインダーとして機能する樹脂である。図６に示すように、電磁波遮蔽シート２は、使用前まで、離型性基材３の一主面上に形成された離型性基材付多層体４としておくことが好ましい。

　電磁波遮蔽シート２の２５～１５０℃での線膨張係数は、１００～７００ｐｐｍ／℃の範囲とすることが好ましい。この範囲とすることにより、段差でのクラックを効果的に防止し、且つ熱収縮差による搭載後の基板における反りの問題を解消できる。より好ましい範囲は１２５～６５０ｐｐｍ／℃であり、さらに好ましい範囲は１５０～６００ｐｐｍ／℃であり、特に好ましい範囲は１７５～５５０ｐｐｍ／℃である。

　熱硬化性樹脂は、硬化性化合物反応タイプが使用できる。更に、熱硬化性樹脂が自己架橋してもよい。熱硬化性樹脂は、硬化性化合物と反応可能な反応性官能基を有する。

　熱硬化性樹脂の好適な例は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミド、ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル、ウレタンウレア系樹脂およびポリイミドがある。熱硬化性樹脂は、自己架橋可能な官能基を有していてもよい。例えば、リフロー時における過酷な条件で使用する場合の熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、エポキシエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタンウレア系樹脂、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。

　熱硬化性樹脂の反応性官能基としては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基等がある。熱硬化性樹脂の酸価は、３～３０であることが好ましい。酸価を前記範囲とすることにより、エッジ部破れ耐性が向上するという効果が得られる。酸価のより好ましい範囲は、４～２０であり、更に好ましい範囲は５～１０である。
　熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、２０，０００～１５０，０００であることが好ましい。２０，０００以上とすることにより、耐スクラッチ性を効果的に高めることができる。また、１５０，０００以下とすることにより段差追従性が向上するという効果が得られる。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している。硬化性化合物は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物等が好ましい。硬化性化合物は、樹脂であってもよい。この場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物として区別する。

　硬化性化合物の構造、分子量は用途に応じて適宜設計できる。引張破断歪を効果的に高める観点からは、分子量の異なる２種類以上の硬化性化合物を用いることが好ましい。例えば、分子量が２，０００～２５，０００の第一硬化性化合物と、分子量が１００～１，５００の第二硬化性化合物を組み合わせることができる。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を用いることにより、電磁波遮蔽シートの引張破断歪を高めることができる。被覆性をより効果的に高める観点から、第一硬化性化合物の反応性官能基当量が５００～３０００であることが好ましく、第二硬化性化合物の反応性官能基当量が１００～４００であることが好ましい。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１～７０質量部含むことが好ましく、３～６５質量部がより好ましく、３～６０質量部が更に好ましい。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を併用する場合には、第一硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して５～５０質量部含むことが好ましく、１０～４０質量部含むことがより好ましく、２０～３０質量部含むことが更に好ましい。一方、第二硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して０～４０質量部含むことが好ましく、５～３０質量部含むことがより好ましく、１０～２０質量部含むことが更に好ましい。

　前記エポキシ化合物は、エポキシ基を有していれば特に制限はないが、多官能のエポキシ化合物であることが好ましい。引張破断歪を効果的に高める観点からは２官能とすることが特に好ましい。加熱圧着等において、エポキシ化合物のエポキシ基が、熱硬化性樹脂のカルボキシル基や水酸基と熱架橋することにより、架橋構造を得ることができる。エポキシ化合物として、常温・常圧で液状を示すエポキシ化合物も好適である。
　前記エポキシ化合物としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ・エピクロロヒドリン型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジグリシジルトルイジン等が挙げられる。エポキシ化合物の好適な例として、ＤＩＣ社製のＥＸＡ４８５０－１５０（エポキシ当量４５０、分子量９００）、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０、８４０、８５０、８６０、１０５０、２０５０、３０５０、４０５０、７０５０、ＨＭ－０９１、１０１、ナガセケムテックス製デナコールＥＸ－２１１、２１２、２５２、７１１、７２１、三菱化学社製のＪＥＲ８２８、８０６、８０７、１７５０、ダイセル化学工業社製の高分子脂環族主鎖エポキシ樹脂であるＥＨＰＥ３１５０などが挙げられる。

　また、下記化合物が例示できる。

　前記イソシアネート化合物は、例えばトリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルイソシアネートなどのポリイソシアネート化合物およびこれらポリイソシアネート化合物とトリメチロールプロパン等のポリオール化合物とのアダクト体、これらポリイソシアネート化合物のビュレット体やイソシアヌレート体、更にはこれらポリイソシアネート化合物と公知のポリエーテルポリオールやポリエステルポリオール、アクリルポリオール、ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール等とのアダクト体等が挙げられる。

　前記ポリカルボジイミドは、日清紡績社製のカルボジライトシリーズが挙げられる。その中でもカルボジライトＶ－０１、０３、０５、０７、０９は、有機溶剤との相溶性に優れており好ましい。

　前記アジリジン化合物は、例えば、２，２’－ビスヒドロキシメチルブタノールトリス［３－（１－アジリジニル）プロピオネート］、４，４’－ビス（エチレンイミノカルボニルアミノ）ジフェニルメタン等が挙げられる。

　樹脂として、上記以外に粘着付与樹脂や熱可塑性樹脂を用いてもよい。熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂等が例示できる。また、導電性ポリマーを用いることができる。導電性ポリマーとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンが例示できる。

　電磁波遮蔽シート２を構成する熱硬化性樹脂または／および熱可塑性樹脂（以下、バインダー樹脂ともいう）のＴｇは、－３０～１００℃が好ましく、－１０～８０℃がより好ましい。バインダー樹脂は、１種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のＴｇが上記範囲に含まれているものを主成分（バインダー樹脂のうちの６０質量％以上の成分）とすることが好ましい。電磁波遮蔽シート２の材料は、加熱圧着時に電子部品３０および露出する基板２０の表面に追従する柔軟性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。

　シールド性および被覆性を向上させる観点から、異なる平均粒子径Ｄ５０を併用することもできる。被覆性を効果的に高める観点から、好ましい例として、平均粒子径Ｄ５０が３～８μｍの鱗片状粒子（Ａ）と、平均粒子径Ｄ５０が１２～２０μｍの鱗片状粒子（Ｂ）を（Ａ）：（Ｂ）の質量比で２０：８０～８０：２０の範囲で用いることが好ましい。

　鱗片状粒子の好ましい例として、樹枝状粒子を扁平化させた粒子を例示できる。例えば、樹枝状粒子の樹枝の形跡の少なくとも一部が残るように扁平化した粒子が例示できる。ここで、樹脂の形跡とは、扁平化された粒子の外縁に樹枝の形跡を残す突起または切れ込みが形成されている形状をいう。係る粒子を用いることにより、扁平化した面の外縁の周囲長を長くすることができる。扁平化された粒子の外縁の全体に亘ってこのような形状を有する粒子がより好ましい。また、熱硬化性樹脂等の成分と導電性フィラーとの接触面積を大きくすることができる。そのため、効果的に引張破断歪を高めることができる。また、熱硬化処理後の被覆性を効果的に高めることができる。特に電子部品のコーナー部（エッジ部）における割れや罅を効果的に抑制できる。樹枝状粒子を扁平化した例を説明したが、これに限定されない。

　鱗片状粒子の扁平化した面の外縁の周囲長が、下記数式（１）をから求められる円径度係数が０．１５以上、０．４以下である導電性フィラーを好適に用いることができる。このような導電性フィラーとしては、例えば、国際公開ＷＯ２０１３／００１３５１号に記載の粒子が例示できる。

　ここでいう円径度係数は、Mac-View Ver.4（マウンテック社）の解析ソフトを用いて、導電性フィラーの電子顕微鏡画像（千倍～１万倍程度）を読み込み、手動認識モードで導電性粒子を約２０個選択する。葉状や鱗片状の粒子を選択する際は、粒子同士が重なっていない粒子形状全体が確認できるものであって、観察視点から平面板が垂直になる角度のものを抽出して選択する。粒子基準データは、投影面積円相当径、分布は体積分布の設定として、円径度係数と円形係数を算出し、２０個の平均値を求める。上記数式（１）において面積は、二次元に投影した時の外周を形成する線の内部の面積を平板面とし、この平板面を二次元に投影したときの導電性フィラーの外周長さを周囲長とする。

　このような粒子を用いることにより、導電特性をより優れたものとし、且つ薄膜化が可能となる。更に、熱硬化性樹脂、硬化性化合物等のバインダー成分との接触面積が大きくなるので、引張破断歪を効果的に向上できるというメリットを有する。また、コアシェル型の導電性フィラーを用いることによりコストダウンを図ることができる。上記数式（１）から求められる円径度係数の平均値は、０．１５以上、０．３未満がより好ましい。

　なお、上記数式（１）を満たす粒子を用いる場合の平均粒子径Ｄ５０は、後述する実施例の方法により求めた値を言う。ここで、粒子の体積平均粒子径とは、レーザー回折法で測定された粒子径分布において、小径側から計算した累積体積が５０％となる粒子径を表す。

　鱗片状粒子に、ナノサイズの導電性フィラーを混合してもよい。ナノサイズの粒子を混合することにより、ナノ粒子の融点降下現象を利用して加熱圧着時に金属間結合を形成させ、シールド性を向上させる効果がある。

　鱗片状粒子の外縁の周囲長が長い鱗片状粒子を用いることにより、バインダー樹脂とのアンカー効果が働き、被覆性が高まると考えられる。鱗片状粒子はバインダー樹脂１００質量部に対して、１００～９００質量部が好ましく、１５０～８００質量部がより好ましく、１８０～４００質量部がさらに好ましい。樹枝状粒子はバインダー樹脂１００質量部に対して、０～２００質量部が好ましく、７０～１９０質量部がより好ましく、９０～１８５質量部がさらに好ましい。

　さらに、電磁波遮蔽シートを構成する組成物には、着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
　着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。この中でも黒色系の着色剤を含むことでシールド層の印字視認性が向上する。
　難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
　無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
　滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。
　ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。

　図６に示す離型性基材３は、片面あるいは両面に離型処理した基材であり、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートである。なお、離型性基材の引張破断歪は、後述する実施例で説明する電磁波遮蔽シートの引張破断歪と同様の方法（但し、温度は１５０℃とする）により求められる値である。離型性基材３は、離型性基材付多層体４における支持体としても機能する。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔や、これらを組み合わせた複合フィルムなどが挙げられる。

　離型性基材３と電磁波遮蔽シート２を積層した離型性基材付多層体４の形成方法は特に限定されないが、これらのシートをラミネートする方法、離型性基材３上に電磁波遮蔽シート２形成用組成物を塗工する方法、印刷する方法が挙げられる。離型性基材３は、最終的には剥離するので、離型性の優れた材料が好ましい。好適な例としては、アルキッド、シリコーンまたはフッ素の離型層等を備えたポリエステルフィルム等が例示できる。離型性基材３の厚みは、例えば５～３００μｍ程度であり、２５～２００μｍ程度がより好ましい。離型性基材付多層体４から離型性基材３を剥離する方法は、特に限定されず、機械でも人手でもよい。

［積層体］
　第１実施形態に係る積層体１０は、図７に示すように、電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一主面上に形成された粘着性樹脂層９と、粘着性樹脂層９上に形成された柔軟性離型シート５を備える。電磁波遮蔽シート２の他主面上には、離型性基材（不図示）を積層してもよい。

　粘着性樹脂層９は、タック性を有し、柔軟性離型シート５と電磁波遮蔽シート２を接合する役割を担う。熱プレス後に、硬化し、柔軟性離型シート５から剥離する、又は凝集破壊することを特徴とする。即ち、部品搭載基板において、粘着性樹脂層９が電磁波遮蔽層１の保護層として機能する。粘着性樹脂層９は電磁波遮蔽シート２で説明したバインダー樹脂および硬化性化合物を使用することができる。この中でもバインダー樹脂は熱硬化性樹脂が好ましい。硬化性化合物はタック性を付与する観点から液状のエポキシ化合物が好ましい。粘着性樹脂層９の厚みは１～３０μｍが好ましく３～２０μｍがより好ましい。粘着性樹脂層９は、バインダー樹脂と液状エポキシ化合物を併用することが好ましい。バインダー樹脂と液状エポキシ化合物の比率（質量部）は、１００：５０～１００：５が好ましい。液状エポキシ化合物をエポキシ樹脂１００質量部に対して５質量部以上加えることにより、膜に良好なタック性を付与できる。粘着性樹脂層９には、タッキファイヤー等の粘着性付与材が添加されていてもよい。

　柔軟性離型シート５は、１５０℃における引張破断歪が５０％以上で、電磁波遮蔽シート２の加熱圧着時の軟化および変形に伴ってフレキシブルに形状を変形できるシートであって、且つ離型性があるシートである。つまり、電磁波遮蔽シート２と接合することなく、加熱圧着工程後に電磁波遮蔽シート２から剥離可能な層とする。なお、柔軟性離型シートの引張破断歪は、後述する実施例で説明する電磁波遮蔽シートの引張破断歪と同様の方法（但し、温度は１５０℃とする）により求められる値である。また、柔軟性離型シート５は、後述する離型性発泡基材を含まない、非発泡性の柔軟性の離型シートをいう。

　柔軟性離型シート５としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、環状オレフィンポリマー、シリコーンが好ましい。この中でもポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、シリコーンがさらに好ましい。柔軟性離型シートは、単層で用いても複層で用いてもよい。複層とする場合、同一または異なる種類のシートを積層できる。

　積層体１０を加熱圧着処理し、柔軟性離型シート５を剥離させることにより、第１実施形態の部品搭載基板を簡便に提供できる。粘着性樹脂層９は、絶縁性の保護層として好適に用いられる。積層体１０は、凹凸構造体に電磁波遮蔽層を形成するために好適に用いられる。特に、上記実施形態に係る部品搭載基板１０１の電磁波遮蔽層１を形成するために好適に用いられる。

［部品搭載基板の製造方法］
　第１実施形態に係る部品搭載基板は、基板に部品を搭載する工程（ａ）と、部品が搭載された基板上に電磁波遮蔽シートを設置する載置工程と、部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む基板の露出面に電磁波遮蔽シートが追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程（ｂ）とを備える。以下、第１実施形態に係る部品搭載基板の製造方法の一例について図８～図１４を用いつつ説明する。但し、本発明の部品搭載基板の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではない。

＜工程（ａ）＞
　まず、基板２０に電子部品３０を搭載する。図８は、工程（ａ）により得られる、第１実施形態に係る部品搭載基板の製造工程段階の基板の一例である。同図に示すように、基板２０上に半導体チップ（不図示）を搭載し、半導体チップが形成されている基板２０上を封止樹脂によりモールド成形し、電子部品間の上方から基板２０内部まで到達するように、モールド樹脂および基板２０をダイシング等によりハーフカットする。予めハーフカットされた基板上に電子部品をアレイ状に配置する方法でもよい。なお、電子部品とは、図８の例においては半導体チップをモールド成形した一体物をいい、絶縁体により保護された電子素子全般をいう。ハーフカットは、基板内部まで到達させる態様の他、基板面までカットする態様がある。また、基板全体をこの段階でカットしてもよい。この場合には、粘着テープ付き基体上に基板を載置して位置ずれが生じないようにしておくことが好ましい。

　モールド成形する場合の封止樹脂の材料は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が通常用いられる。封止樹脂の形成方法は特に限定されず、印刷、ラミネート、トランスファー成形、コンプレッション、注型等が挙げられる。モールド成形は任意であり、電子部品の搭載方法も任意に変更できる。

＜工程（ｂ）＞
　工程（ａ）の後、バインダー樹脂および導電性フィラーを含有する電磁波遮蔽シート２を電子部品３０が搭載された基板２０上に設置する。工程（ｂ）の好適例として、後述する載置工程（ｉ）～（ｉｉｉ）のいずれかの方法が例示できる。電磁波遮蔽シート２は、後述する加熱圧着後に電磁波遮蔽層になる。

（載置工程（ｉ））
　載置工程（ｉ）は、少なくとも上層と接合されていない電磁波遮蔽シート２を用いる点に特徴を有する。電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一方の面に積層された離型性基材３との離型性基材付多層体４を用意する。電磁波遮蔽シートの他方面は、使用直前まで保護フィルムを積層しておいてもよい。また、ロール状の離型性基材付多層体４を用いてもよい。離型性基材付多層体４を基板２０の電磁波遮蔽シート２との接合領域に電磁波遮蔽シート２が対向配置するように仮貼付する（図９参照）。

　仮貼付とは、電子部品３０の少なくとも一部の上面と接触するように仮接合するものであり、電磁波遮蔽シート２がＢステージで被着体に固定されている状態をいう。剥離力としては、９０°ピール試験で、カプトン２００に対する剥離力が１～５Ｎ／ｃｍ程度が好ましい。ダイシングした基板に仮貼りする手法として、離型性基材付きの電磁波遮蔽シートを基板上に載せ、アイロン等の熱源で軽く全面または端部を加熱圧着して仮貼りし、離型性基材を剥がす方法が例示できる。離型性基材を剥がす際の浮きを防ぐためには、全面に加熱圧着することが好ましい。例えば、リジット基板用の熱ロールラミネーターのような装置が利用できる。離型性基材の剥離面、即ち、離型性基材を剥離した電磁波遮蔽シート面はタック性が無いので、加熱圧着工程において、後述する柔軟性離型シートに引っ張られずに、段差追従性を向上させることができる。製造設備あるいは基板２０のサイズ等に応じて、基板２０の領域毎に複数の離型性基材付多層体４を用いたり、電子部品３０毎に離型性基材付多層体４を用いてもよいが、製造工程の簡略化の観点からは、基板２０上に搭載された複数の電子部品３０全体に１枚の電磁波遮蔽シート２を用いることが好ましい。

　続いて離型性基材３を剥離する（図９参照）。その後、電磁波遮蔽シート２上に柔軟性離型シート５を載置し、さらに、柔軟性離型シート５上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図９参照）。熱溶融性部材６の積層数は１層でも複数でもよい。図９等の例においては３層積層した例を示している。第１実施形態においては、さらに、クッション紙１１を２枚積層した例を示している。クッション紙１１を用いることにより、プレス圧を均一にすることができる。

　熱溶融性部材６は、加熱圧着時に溶融する層であり、電磁波遮蔽シート２の電子部品３０への追従性を促すクッション材として機能する。熱溶融性部材６は、熱可塑性を有する素材であれば特に限定されないが、加熱時に伸び率の高い樹脂であることが好ましい。好適な例として、メチルペンテンポリマーフィルム、ポリブチレンテレフタレート樹脂フィルム、ポリオレフィン系フィルム、塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ＰＶＡフィルムが例示できる。熱溶融性部材６の厚みは、埋め込む溝の深さによるが通常、１００μｍ～１ｍｍ程度である。熱溶融性部材６を複数積層する場合には、合計の厚みをこの範囲とすることが好ましい。

　加熱圧着時にプレス器具に熱溶融性部材６が付着しないように、熱溶融性部材６の上にさらに保護層を設けることが好ましい。

　第１実施形態の方法とは異なり、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および／または熱溶融性部材６を接合した多層体を用いる場合、後述する熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６の線膨張係数差に起因して加熱圧着時の多層体に反りや歪が発生しやすい。その結果、被覆工程において、電子部品との接合が不充分になったり、割れや罅（クラック）が入りやすい。特に電子部品の凹凸部を構成するコーナー部（エッジ部）において、電磁波遮蔽層に割れが発生したり、破れが発生しやすい。

　一方、（ｉ）の製造方法によれば、電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６は、互いに接合されておらず、別体のシートを重ねたものである。電磁波遮蔽シート２、柔軟性離型シート５および熱溶融性部材６を互いに重ね合せるのみとし、これらを互いに接合していないので、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、各シート間の線膨張係数差による反りや歪等の発生を効果的に防止できる。その結果、電磁波遮蔽層１の割れや破れを効果的に防止し、優れた被覆性を実現できる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（載置工程（ｉｉ））
　載置工程（ｉｉ）は、電磁波遮蔽シートと離型性発泡基材とが積層された離型性発泡基付多層体を用いている点において、上述の載置工程（ｉ）と相違する。離型性発泡基材とは、離型性を有し、且つ少なくとも電磁波遮蔽シートとの接合面において発泡している（空孔を有する）基材である。全体に発泡している離型性発泡基材がより好ましい。離型性発泡基材７は、基材が空孔を有し、比重０．３～１．２、２５％圧縮応力（ＪＩＳＫ６７６７）が１０～１４０ｋＰａである基材をいう。電磁波遮蔽シート２の他方面は使用直前まで保護フィルムを積層しておいてもよい。まず、電磁波遮蔽シート２と、その一主面に積層された離型性発泡基材７とが積層された離型性発泡基材付多層体８を用意する。そして、離型性発泡基材付多層体８を、基板２０と電磁波遮蔽シート２とが対向配置するように仮貼付する（図１０参照）。続いて、離型性発泡基材７上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図１０参照）。以下、上述の載置工程（ｉ）と重複する説明は、適宜省略する（以下同様）。

　離型性発泡基材の加熱圧着前の発泡密度の好ましい範囲は２００～６００ｋｇ／ｍ^３であり、離型性発泡基材の加熱圧着前の圧縮硬さの好ましい範囲は４０～１４０ｋＰａである。離型性発泡基材７の厚みは、溝Ｗにより適宜設計すればよい。例えば、溝Ｗが１００～７５０ｍｍのときは、厚みが５０～１０００μｍ程度である。離型性発泡基材７の材料は、発泡ポリエチレンテレフタレートフィルム、発泡ポリエチレンフィルム、発泡シリコンフィルム、発泡ポリスチレンフィルム、発泡ポリプロピレンフィルム、発泡ゴムシート等が例示できる。これらのうち、発泡ＰＥＴ、発泡ウレタンフィルム、発泡ポリプロピレンフィルムがより好ましい。離型性発泡基材は、離型性発泡基材形成用組成物を発泡させ、且つシート化することにより得られる。ここで、好ましい発泡倍率は、発泡前の離型性発泡基材形成用組成物の１００ｃｃあたりの質量をＭ１、発泡後の離型性発泡基材形成用組成物の１００ｃｃあたりの質量をＭ２としたときに、Ｍ１／Ｍ２が１．１～１０である。より好ましくは、Ｍ１／Ｍ２が２～７である。

　電磁波遮蔽シート２と離型性発泡基材７は、互いに接合された離型性発泡基材付多層体８である。一方、離型性発泡基材７とこの上に載置する熱溶融性部材６は、互いに接合されていない別のシートを重ねたものである。離型性発泡基材７は、気泡を内包していることにより未発泡の離型性基材に比して優れた弾力性を示す。このため、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２の延伸を促し、また、電磁波遮蔽シート２と離型性発泡基材７の間に発生する線膨張係数差を吸収できる。その結果、反りや歪の発生を効果的に抑制し、電磁波遮蔽層１の被覆性が優れたものとなる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（載置工程（ｉｉｉ））
　載置工程（ｉｉｉ）は、電磁波遮蔽シート２、粘着性樹脂層９、柔軟性離型シート５がこの順に形成された積層体を用いる点において、上述の載置工程（ｉ）、（ｉｉ）と相違する。粘着性付与樹脂は、常温でタック性を示し、加熱圧着時には熱硬化性を示す。

　電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一方の面に積層された離型性基材３との離型性基材付多層体４を用意する。そして、離型性基材付多層体４における電磁波遮蔽シート２の離型性基材３が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層９を介して柔軟性離型シート５を積層し（図１１参照）、その後、離型性基材３を剥離し、積層体１０を得る（図７参照）。そして、基板２０の電磁波遮蔽シート２との接合領域に電磁波遮蔽シート２が対向配置するように積層体１０を仮貼付する（図１２参照）。続いて柔軟性離型シート５上に熱により軟化する熱溶融性部材６を少なくとも載置する（図１２参照）。柔軟性離型シート５とこの上に載置する熱溶融性部材６は、互いに接合されていない別のシートを重ねたものである。積層体は使用時までロール状に巻き取っておいてもよい。

　これにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、積層体の反りの発生や歪を効果的に防止できる。また、電磁波遮蔽シート２は、柔軟性離型シート５と粘着性樹脂層９を介して接合されているが、これらの間に粘着性樹脂層９を用いることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において、電磁波遮蔽シート２と柔軟性離型シート５の間に発生する線膨張係数を吸収し、反りの発生を効果的に抑制できる。その結果、電磁波遮蔽層１の被覆性が優れたものとなる。特に、電子部品のコーナー部における電磁波遮蔽層１の割れ等を効果的に防止し、シールド特性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる。

（工程（ｂ）の好適例）
　電子部品３０の高さをＨ、柔軟性離型シート５または離型性発泡基材７と、熱溶融性部材６の合計の厚みをＴ３（図１０参照）としたときに、Ｔ３／Ｈを０．２以上とすることが好ましい。この範囲にすることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において基板凹凸形状追従特性をより効果的に発揮できる。Ｔ３／Ｈのより好ましい範囲は０．５以上であり、さらに好ましい範囲は０．７以上である。熱プレスできればよく、Ｔ３／Ｈの上限値は特にないが、熱プレス時に側面から溶融して装置を汚さない観点から、７以下とすることが好ましく６以下がより好ましく、さらに好ましくは５以下、特に好ましくは４以下である。

　電子部品３０が基板２０上に配列され、電子部品３０間の幅をＷ、柔軟性離型シート５または離型性発泡基材７と、熱溶融性部材６との合計の厚みをＴ３（図１０参照）としたときに、Ｔ３／Ｗは０．１～６とすることが好ましい。この範囲にすることにより、後述する工程（ｃ）の加熱圧着工程において基板凹凸形状追従特性をより効果的に発揮できる。Ｔ３／Ｗのより好ましい範囲は０．２～５であり、さらに好ましい範囲は０．５～４である。なお、Ｗの値は一定である必要は無く、場所により変更可能である。その場合もＴ３／Ｗが０．１～６の範囲にあることが好ましい。

＜工程（ｃ）＞
　工程（ｂ）後、工程（ｂ）により得られた製造基板を、図１３に示すように一対のプレス基板４０間に挟持し、加熱圧着する。電磁波遮蔽シート２は、熱溶融性部材６等の押圧により、製造基板に設けられたハーフカット溝に沿うように延伸され、電子部品３０および基板２０に追従して被覆され、電磁波遮蔽層が形成される。プレス基板４０をリリースすることにより図１４に示すような製造基板が得られる。次いで、電磁波遮蔽層１より上層に被覆されている層を剥離する。これにより、電子部品３０を被覆する電磁波遮蔽層１を有する部品搭載基板１０１を得る（図１、２参照）。加熱圧着工程の温度および圧力は、電子部品３０の耐熱性、耐久性、製造設備あるいはニーズに応じて、電磁波遮蔽シート２の被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。圧力範囲としては限定されないが、０．１～５．０ＭＰａ程度が好ましく、０．５～２．０ＭＰａの範囲がより好ましい。なお、必要に応じて電磁波遮蔽層上に保護層等を設けてもよい。

　加熱圧着工程の加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。また、上限値としては、電子部品３０の耐熱性に依存するが、２２０℃であることが好ましく、２００℃であることがより好ましく、１８０℃であることがさらに好ましい。

　加熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、電磁波遮蔽シートに用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１分～２時間程度の範囲が好適である。なお加熱圧着時間は、１分～１時間程度がより好ましい。この加熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば加熱圧着前に部分的に硬化あるいは実質的に硬化が完了していてもよい。

　電磁波遮蔽シート２の加熱圧着前の厚みは、電子部品３０の天面および側面および基板２０の露出面に被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、電子部品間の距離Ｗのサイズにより変動し得るが、通常、１～２００μｍ程度が好ましく、５～１００μｍ程度がより好ましく、１０～７０μｍ程度がさらに好ましい。これにより、封止樹脂への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮することができる。

　載置工程として（ｉ）～（ｉｉｉ）のいずれかを用い、且つクッション材として機能する熱溶融性部材を用いて上方側から加熱圧着することにより、熱溶融性部材６が軟化して電磁波遮蔽シート２を被覆させ、電子部品３０の天面および側面並びに基板２０の露出面を被覆することができる。そして、基板２０内に形成されたグランドパターン２２が、電磁波遮蔽層１と電気的に接続される。

　工程（ｃ）の後、ダイシングブレード等を用いて、基板２０における部品搭載基板１０１の個品の製品エリアに対応する位置でＸＹ方向にダイシングする。これにより、電子部品３０が電磁波遮蔽層１で被覆され、且つ基板２０に形成されたグランドパターン２２と電磁波遮蔽層１が電気的に接続され、個片化された部品搭載基板が得られる。

　第１実施形態に係る製造方法によれば、引張破断歪が５０～１５００％の電磁波遮蔽シートを用いて工程（ａ）～工程（ｃ）を経て電磁波遮蔽層を形成し、得られる電磁波遮蔽層の切断面における鱗片状フィラーの平均厚さが０．０５～２μｍであり、鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とすることにより、被覆性の高い電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板を製造できる。また、スパッタ等の設備投資も不要であるというメリットを有する。スパッタ装置の場合、側面をスパッタする場合、台座の角度を変更したりする必要があった。また、スパッタにより電磁波遮蔽層を形成する場合、欠陥を抑制するためには電子部品の形状やサイズにより最適な条件を見つけ、条件変更する必要があった。第１実施形態によれば、これらの工程を必要としないので生産性に優れている。また、引張破断歪が５０～１５００％の電磁波遮蔽シートを用いているので、電子部品の凹凸部に対する被覆性に優れる。また、凹凸のある複数の電子部品を一括して被覆できるので、生産性に優れる。また、部品の配置位置や形状等によらずに電磁波遮蔽層を形成できるので、汎用性が高い。製造基板のサイズに応じて、最適なサイズに裁断することも容易である。また、第１実施形態に係る電磁波遮蔽シートを用いることにより、形状追従性の優れた電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板を提供できる。

　また、電磁波遮蔽シートを基板の面方向に押圧して圧着させているので、電子部品の天面の電磁波遮蔽層の平滑性に優れる。このため、製品名あるいはロット番号をインクジェット方式やレーザーマーキング方式で印字した際、文字の視認性が向上した高品質な部品搭載基板を提供できる。また、加熱圧着時の条件を制御することにより厚みを制御しやすく、薄型化も容易であるというメリットを有する。

＜第２実施形態＞
　第２実施形態に係る部品搭載基板は、基板と、基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層とを少なくとも有する。この電磁波遮蔽層は、マルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、更に、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まない。そして、部品の上面を被覆する電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，部品の側面を被覆する電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２を１．１～１０とする。また、前記鱗片状粒子は、平均厚さを０．０５～２μｍとし、鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする。

　第２実施形態に係る電磁波遮蔽層は、前述したように、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物を用いる。以下、主として第１実施形態と相違する箇所について説明し、第１実施形態と共通する構成・製造方法等は、適宜、説明を省略する。
［部品搭載基板］
　第２実施形態に係る部品搭載基板の一例として、第１実施形態で説明した図１、図２が挙げられる。

　第２実施形態に係る部品搭載基板は、マルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有している。

＜電磁波遮蔽層＞
　電磁波遮蔽層１は、電子部品３０が搭載された基板２０上に、後述する電磁波遮蔽シートを載置して加熱圧着することにより得られる。電磁波遮蔽層１は、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および鱗片状粒子（フレーク状粒子）を含む導電性フィラーを含有する鱗片状粒子含有層を有し、異方導電層を含まない。そして、電子部品３０の上面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ１，電子部品３０の側面を被覆する電磁波遮蔽層１の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０であり、且つ電磁波遮蔽層１のマルテンス硬さを３～１００Ｎ／ｍｍ^２とする。鱗片状粒子の平均厚さを０．０５～２μｍの範囲とし、鱗片状粒子含有層の切断部断面の導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする。導電性フィラーの専有面積は、好ましくは２５～４５％であり、より好ましくは３０～４０％である。２０～５０％の範囲にあることで、ひっかき試験およびグランド接続性を向上させることができる。導電性フィラーは、鱗片状粒子含有層において連続的に接触されており、等方導電性を示す。なお、後述する電磁波遮蔽シートの段階では、等方導電性の有無は問わない。

　鱗片状粒子含有層の厚み方向（鱗片状粒子含有層の主面の法線方向）に対し、鱗片状粒子含有層内の鱗片状粒子の厚み方向（鱗片状粒子の主面の法線方向）は、概ね一致する鱗片状粒子が鱗片状粒子含有層全体としてみたときに多いことが好ましい。ここで「多い」とは、鱗片状粒子含有層全体としてみたときに、鱗片状粒子含有層の厚み方向と鱗片状粒子含有層内の鱗片状粒子の厚み方向とが概ね一致する鱗片状粒子が半数越えの意であり、「概ね一致する」とは特定の方向との成す角度が３５°以内であるものを含むものとする。即ち、鱗片状粒子含有層の厚み方向に対し、鱗片状粒子の厚み方向が一致するもの、および鱗片状粒子含有層の厚み方向に対して鱗片状粒子の厚み方向の成す角度が３５°以内であるものを含む。鱗片状粒子の配向性は、熱プレス条件を制御したり、樹脂の種類や塗工方法を変更したり、金属フィラーの分散剤やレベリング剤の添加を調整したりすることにより制御できる。

　電磁波遮蔽層は、単層または複層とする。複層の場合、等方導電層を２層積層する態様が好ましい。好ましい複層の例として、鱗片状粒子含有層の積層体、鱗片状粒子含有層と繊維状（ワイヤー状）導電層（等方導電層）の積層体が例示できる。

　電磁波遮蔽層１の厚みの比Ｔ１／Ｔ２、マルテンス硬さを前記範囲とし、且つ前述の等方導電性を示す切断部断面の導電性フィラーの専有面積を前述した範囲とする鱗片状粒子含有層を有し、異方導電性を含まない電磁波遮蔽層を用いる。更に、鱗片状粒子の平均厚さを前述の範囲とする。これらにより、高品質で被覆性が高く、耐スクラッチ性に優れた電磁波遮蔽層を提供できる。また、テープ密着性に優れる電磁波遮蔽層を提供できる。ここでテープ密着性とは、後述する実施例において評価する特性であり、電子部品との接着性の指標となる。

　マルテンス硬さは、耐スクラッチ性の観点から、５Ｎ／ｍｍ^２以上が好ましく、７Ｎ／ｍｍ^２以上がより好ましく、１０Ｎ／ｍｍ^２以上が更に好ましい。テープ密着の観点からは、９８Ｎ／ｍｍ^２以下が好ましく、９０Ｎ／ｍｍ^２以下がより好ましく、８０Ｎ／ｍｍ^２以下が更に好ましく、７０Ｎ／ｍｍ^２以下が特に好ましい。

　電磁波遮蔽層１のＪＩＳ　Ｋ５６００－５－４に準拠した鉛筆硬度試験による鉛筆硬度（以下、単に鉛筆硬度ともいう）は、擦れやひっかきに対して電磁波遮蔽層が破れにくい部品搭載基板を提供する観点から、７Ｂ以上が好ましい。より好ましくはＢ以上である。マルテンス硬さを３～１００Ｎ／ｍｍ^２、Ｔ１／Ｔ２を１．１～１０とし、且つ鉛筆硬度試験を７Ｂ以上にすることにより、より優れた耐スクラッチ性およびエッジ部破れ耐性が得られる。７Ｂ以上の鉛筆硬度は、例えば、鱗片状粒子、熱硬化性樹脂および硬化性化合物を組み合わせることにより容易に得られる。

　鱗片状粒子含有層における導電性フィラーの含有量は、優れた電磁波遮蔽特性を得る観点から、鱗片状粒子含有層全体に対して５０～９５質量％含むことが好ましい。下限値はより好ましくは５５質量％であり、さらに好ましくは６０質量％であり、特に好ましくは６５質量％である。

　従来から、個片化後のＩＣチップを搬送する過程において搬送機等に接触し電磁波遮蔽層に傷がつきやすい問題がある。第２実施形態によれば、生産性が高く、高品質で被覆性が高く、更に、耐スクラッチ性が高い電磁波遮蔽層を有する部品搭載基板を提供することができる。

［電子機器］
　第２実施形態に係る部品搭載基板は、例えば、図３に示すように基板２０の裏面に形成されたはんだボール２４等を介して実装基板に実装することができ、電子機器に搭載できる。例えば、第２実施形態に係る部品搭載基板は、パソコン、ダブレット端末、スマートホン等をはじめとする種々の電子機器に用いることができる。

［電磁波遮蔽シート］
　第２実施形態に係る電磁波遮蔽シートは、電磁波遮蔽層１の加熱圧着前のシートである。即ち、電磁波遮蔽シートを加熱圧着することにより電磁波遮蔽層１が得られる。電磁波遮蔽シートの特徴については、第１実施形態と同様である。

　電磁波遮蔽シート２の引張破断歪を前記範囲とし、且つ前述の鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、所定の条件で加熱圧着したときのマルテンス硬さおよび切断部断面の導電性フィラーの専有面積を前述した範囲となる硬化前の鱗片状粒子含有層を有し、更に鱗片状粒子の平均厚さを前述の範囲とすることにより、高品質で被覆性が高く、耐スクラッチ性に優れた電磁波遮蔽層を形成できる電磁波遮蔽シートを提供できる。

　熱硬化性樹脂の好適な例は、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、およびポリイミド樹脂が挙げられる。また、第1実施形態と同様の樹脂が例示できる。

　電磁波遮蔽シート２を構成する熱硬化性樹脂のＴｇは、－３０～１００℃が好ましく、－１０～８０℃がより好ましい。バインダー樹脂は、１種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のＴｇが上記範囲に含まれているものを主成分（熱硬化性樹脂のうちの６０質量％以上の成分）とすることが好ましい。電磁波遮蔽シート２の材料は、加熱圧着時に電子部品３０および露出する基板２０の表面に追従する柔軟性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。

［積層体］
　第２実施形態に係る積層体１０は、第１実施形態と同様に図７に示すように、電磁波遮蔽シート２と、電磁波遮蔽シート２の一主面上に形成された粘着性樹脂層９と、粘着性樹脂層９上に形成された柔軟性離型シート５を備える。電磁波遮蔽シート２の他主面上には、離型性基材（不図示）を積層してもよい。

［部品搭載基板の製造方法］
　第２実施形態に係る部品搭載基板の製造方法は、基本的に第１実施形態と同様である。なお、柔軟性離型シート５は、後述する離型性発泡基材を含まない、非発泡性の柔軟性の離型シートをいう。

＜変形例＞
　次に、本実施形態に係る部品搭載基板等の変形例について説明する。但し、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、各実施形態および変形例は、互いに好適に組み合わせられる。

　上記実施形態においては、部品の一例として電子部品を例として説明したが、電磁波から遮蔽したい部品全般に対して本発明を適用できる。即ち、部品搭載基板に搭載する部品は電子部品に限定されない。また、部品の形状は矩形状に限定されず、角部がＲ形状である部品、部品の上面と側面の成す角度が鋭角の部品、鈍角の部品も含む。また、上面に凹凸形状がある部品、電子部品の外面が球状等の曲面になっている場合も含む。また、上記実施形態においては、基板２０にハーフダイシング溝２５（図２参照）が形成されていたが、ハーフダイシング溝２５は必須ではなくフラットな基板に電磁波遮蔽シートを載置して被覆させてもよい。加えて、本発明の部品搭載基板には、例えば基板２０をオールダイシングして個片化した電子部品が搭載された部品搭載基板が別の保持基材等に載置されている場合も含む。

　部品搭載基板の製造を、保持基材を用いて行ってもよい。図１５～１７に、保持基材を用いて部品搭載基板を製造する方法の一例を示す。まず、同図に示すように、基板２０上にＩＣチップ５０等を搭載し、その後、モールド樹脂５１を用いてＩＣチップ５０を一括封止する。次いで、基板２０のＩＣチップ搭載面とは反対側の主面に、保持基材５２を貼付し、図１６に示すように、電子部品３０を個片化するために、モールド樹脂５１の天面から保持基材５２の表面までダイシングカットする。これにより、基板２０も電子部品３０と合わせて切断される。

　得られた保持基材５２付き電子部品３０を搭載した基板２０を、図１７に示すように、凹部形状の保持基材固定治具６０内に収容する。なお、保持基材固定治具６０内への収容は、ダイシングカット前に行ってもよい。そして、電磁波遮蔽層を形成する。例えば、電子部品３０の天面に積層体１０を仮貼り付けし、熱溶融性部材６およびクッション紙１１を順に重ね、加熱圧着する。これらの工程を経て部品搭載基板が得られる。

　なお、ダイシングは保持基材５２の表面まで行う方法に代えて保持基材５２の内部まで行ってもよい。また、保持基材５２が加熱圧着時に熱よりサイズ変動が無視できる程小さいときには、保持基材固定治具６０を用いなくてもよい。保持基材５２としては、市販のダイシングテープ、金属基材テープおよびガラスエポキシ系の基材が例示できる。これらの素材の積層体も好適に用いられる。

　凹部形状の保持基材固定治具６０を用いることにより、ダイシングテープ等の熱により軟化しやすい保持基材を用いる場合であっても、熱プレス時に、保持基材固定治具６０の側壁部により保持基材のサイズの変動を抑制し、電子部品３０付き基板２０の位置ずれを抑制することができる。また、凹部形状の保持基材固定治具６０の高さを調整することにより、熱プレス時に、熱溶融性部材６の流出も効果的に防止できる。保持基材固定治具６０は専用の部品で形成してもよいし、熱プレス機の台座を凹部形状として用いてもよい。

　電磁波遮蔽層１は、基板２０の上面視において露出する面を全て被覆する例を説明したが、部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、基板の露出面の必要箇所を被覆していればよく、部分的に被覆する態様、被覆層の一部に開口部等を設けた態様も含む。また、図１８に示すように、基板２０の両主面に部品を形成する態様も好適に用いられる。

≪実施例≫
　以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、実施例中の「部」とあるのは「質量部」を、「％」とあるのは「質量％」をそれぞれ表すものとする。また、本発明に記載の値は、以下の方法により求めた。

（１）試験基板の作製
　ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品をアレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．４ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た（図１９参照）。ハーフカット溝深さは０．５ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は実施例の表に示した通り１００～７５０μｍに変更したものを作成した。

　以下、実施例で使用した材料を示す。
導電性フィラー１：「核体に銅、被覆層に銀を使用した鱗片状粒子平均粒子径Ｄ５０＝１１．０μｍ、厚み１．１μｍ、円形度係数＝０．２３」（福田金属箔粉工業社製）
導電性フィラー２：「核体に銅、被覆層に銀を使用した樹枝状粒子平均粒子径Ｄ５０＝９．０μｍ、円形度係数＝０．１２」（福田金属箔粉工業社製）
導電性フィラー３：「核体に銅、被覆層に銀を使用した鱗片状粒子平均粒子径Ｄ５０＝６．０μｍ、厚み０．８μｍ、円形度係数＝０．１９」（福田金属箔粉工業社製）
導電性フィラー４：「核体に銅、被覆層に銀を使用した鱗片状粒子平均粒子径Ｄ５０＝１９．０μｍ、厚み１．０μｍ、円形度係数＝０．２４」（福田金属箔粉工業社製）
導電性フィラー５：Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系鱗片状磁性粒子（平均粒子径Ｄ５０：９．８μｍ、厚み０．５μｍ、円形度係数０．４３）
導電性フィラー６：Ｆｅ－Ｃｏ系鱗片状磁性粒子（平均粒子径Ｄ５０：１３μｍ、厚み０．６μｍ、円形度係数０．６９）
導電性フィラー７：Ｍｎ－Ｚｎ系鱗片状磁性粒子（平均粒子径Ｄ５０：１５μｍ、厚み０．９μｍ、円形度係数０．５６）
熱硬化性樹脂：ウレタンウレア樹脂酸価５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
硬化性化合物１：エポキシ樹脂、「ＪＥＲ８２８」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂　エポキシ当量＝１８９ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
硬化性化合物２：エポキシ樹脂、「デナコールＥＸ２１２」（２官能エポキシ樹脂　エポキシ当量＝１５１ｇ／ｅｑ）ナガセケムテックス社製
硬化性化合物３：エポキシ樹脂、「アデカレジンＥＰＲ－１４１５－１」（ゴム変性エポキシ樹脂　エポキシ当量＝４００ｇ／ｅｑ）アデカ社製
硬化性化合物４：エポキシ樹脂、「ＨＰ－４０３２Ｄ」（ナフタレン型エポキシ樹脂　エポキシ当量＝１４０ｇ／ｅｑ）ＤＩＣ社製
離型性基材：表面にシリコン離型剤をコーティングした厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム
離形性発泡基材Ａ：表面にアルキッド樹脂をコーティングした厚みが５０μｍ発泡密度１１０ｋｇ／ｍ^３、比重１．１、２５％圧縮応力０．０９ＭＰａの発泡ＰＥＴフィルム
離形性発泡基材Ｂ：表面にアルキッド樹脂をコーティングした厚みが１００μｍ、発泡密度２４０ｋｇ／ｍ^３、比重０．５、２５％圧縮応力０．０５ＭＰａの発泡ウレタンフィルム
離形性発泡基材Ｃ：表面にアルキッド樹脂をコーティングした厚みが１００μｍ、発泡密度２２０ｋｇ／ｍ^３、比重０．６、２５％圧縮応力０．０４ＭＰａの発泡ポリプロピレンフィルム
柔軟性離型シート：「Ｘ－４４Ｂ」（厚み５０μｍの単層ＴＰＸフィルム）三井化学東セロ社製
熱溶融性部材：厚みが８０μｍの軟質塩化ビニルシート

＜厚み測定＞
　電磁波遮蔽層の厚みＴ１，Ｔ２を測定するために、研磨法によって断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電磁波遮蔽層の断面を画像処理した。そして、厚みＴ１，Ｔ２其々の領域における最も厚みのある箇所の膜厚を測定した。異なる断面出しのサンプル５つについて同様に測定し、その平均値を厚みＴ１，Ｔ２とした。

＜鱗片状粒子含有層の導電性フィラーの専有面積＞
　電磁波遮蔽層の鱗片状粒子含有層中の導電性フィラーの専有面積を測定するために、クロスセクションポリッシャー（日本電子社製、ＳＭ－０９０１０）を用いて電磁波遮蔽層を切断加工して、切断面を得た。得られた切断面をレーザーマイクロスコープ（キーエンス社製、ＶＫ－Ｘ１００）を使用し、倍率が２０００倍の拡大画面を取得した。得られた拡大画像についてフリーソフトの「ＧＩＭＰ２．６．１１」を使用し画像データを読み込み、厚み１０μｍ、上面視１００μｍの鱗片状粒子含有層における切断面を範囲指定し、しきい値を自動調整して導電性微粒子を白、導電性微粒子以外の成分を黒に変換した。その後ヒストグラムで黒領域（０～２５４）を選択することで白色のピクセル数のパーセンテージ即ち厚み１０μｍ、上面視１００μｍにおける導電性フィラーの専有面積の割合を算出した。同様の測定を異なる３箇所で行い、平均値を導電性フィラーの専有面積（Ａ）（％）とした。切断面の切り出し箇所は、電子部品の図２０に示すｅの位置で行った。

　電磁波遮蔽シートの切断面を形成し、加熱プレス前の鱗片状粒子含有層の専有面積（Ｂ）（％）（基準）を求めた。また、電磁波遮蔽シートを２枚のポリイミドフィルム（カプトン２００ＥＮ）で挟持し、１６０℃、２ＭＰａで２０分間加熱圧着した場合の専有面積（Ａ’）％を求めた。測定方法は上記と同様とした。そして、専有面積（Ｂ）（％）と専有面積（Ａ’）（％）の差（（Ｂ）－（Ａ’））を加熱プレス前後の差（％）とした。

＜導電性フィラーの平均厚さ＞
　上記の切断面画像を、電子顕微鏡で千倍～５万倍程度に拡大した画像を元に異なる粒子を約１０～２０個を測定し、その平均値を使用した。
＜マルテンス硬さの測定＞
　マルテンス硬さは、ＩＳＯ１４５７７－１に準拠して、フィッシャースコープＨ１００Ｃ（フィッシャー・インストルメンツ社製）型硬度計にて測定した。測定は、電子部品３０上のサンプルのｅ面（図２０参照）に対して、ビッカース圧子（１００φの先端が球形のダイアモンド圧子）を用い、２５℃の恒温室にて試験力０．３Ｎ、試験力の保持時間２０秒、試験力の付加所要時間５秒の条件で行った。同一硬化膜面をランダムに１０箇所繰り返し測定して得た値の平均値をマルテンス硬さとした。なお、試験力は電磁波遮蔽層の厚みに応じて調整する。具体的には最大押し込み深さが電磁波遮蔽層の厚みの１０分の１程度になるように試験力を調整した。

＜２０°表面光沢度＞
　電磁波遮蔽層の表面の２０°表面光沢度を、ＪＩＳ　Ｚ８７４１に準じてＢＹＫ．ＧＡＲＤＮＥＲ社のｍｉｃｒｏ－ＴＲＩ－ｇｌｏｓｓ表面光沢度計を用いて２０°の測定角度で測定した。

＜鉛筆硬度試験（ひっかき試験）＞
　電磁波遮蔽層の表面の鉛筆硬度をＪＩＳ　Ｋ５６００－５－４に準拠して荷重７５０ｇにて鉛筆硬度試験を実施した。評価基準は以下の通りである。
+ +　　：　Ｂ以上　優れている。
+　　　：　７Ｂ以上Ｂ未満　良好な結果である。
＊　　　:　７Ｂ未満。

＜引張破断歪の測定＞
　以下の方法によって求めた引張破断歪（％）を引張破断歪とした。電磁波遮蔽シートを幅２００ｍｍ×長さ６００ｍｍの大きさに切断した後、電磁波遮蔽シートから剥離性シートを剥がして測定試料とした。測定試料について小型卓上試験機ＥＺ－ＴＥＳＴ（島津製作所社製）を用いて、温度２５℃、相対湿度５０％の条件下で引っ張り試験（試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）を実施した。得られたＳ－Ｓ曲線（Ｓｔｒｅｓｓ－Ｓｔｒａｉｎ曲線）から電磁波遮蔽シートの引張破断歪（％）を算出した。

＜線膨張係数＞
　本発明の線膨張係数は、ＪＩＳ－Ｋ７１９７に記載のプラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法により測定された値を用いる。

＜貯蔵弾性率＞
　動的弾性率測定装置ＤＶＡ－２００（アイティー計測制御社製）を用いて、電磁波シールド性シートに対して変形様式「引張り」、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲２５℃～３００℃の条件での測定を行い、１５０℃における貯蔵弾性率を求めた。

＜電磁波遮蔽層における導電性フィラーの含有量の測定＞
　図４，５に示すように、上面のエッジ部から電子部品３０の表面を内側に向かって０．５ｍｍの領域の上方に区画される領域にあって、且つ電子部品３０の当該辺の中央から７０％の範囲を測定した値とする電磁波遮蔽層を削り取った。削り取った電磁波遮蔽層の全質量に対する当該電磁波遮蔽層中の導電性フィラーの質量をＴＧ-ＤＴＡにより求めた。

＜平均粒子径Ｄ５０＞
　平均粒子径は、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ１３３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、導電性複合微粒子を測定して得た平均粒子径Ｄ５０の数値であり、粒子径累積分布における累積値が５０％の粒子径である。分布は体積分布、屈折率の設定は１．６とした。当該粒子径であればよく、一次粒子でも二次粒子でもよい。

＜酸価の測定＞
　共栓付き三角フラスコ中にバインダー樹脂（熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂）を約１ｇ精密に量り採り、トルエン／エタノール（容量比：トルエン／エタノール＝２／１）混合液５０ｍＬを加えて溶解する。これに、フェノールフタレイン試液を指示薬として加え、３０秒間保持する。その後、溶液が淡紅色を呈するまで０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液で滴定する。酸価は次式により求めた。酸価は樹脂の乾燥状態の数値とした。
酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（ａ×Ｆ×５６．１×０．１）／Ｓ
Ｓ：試料の採取量×（試料の固形分／１００）（ｇ）
ａ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の滴定量（ｍＬ）
Ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の力価

＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定＞
　Ｍｗの測定は東ソ－社製ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）「ＨＰＣ－８０２０」を用いた。ＧＰＣは溶媒（ＴＨＦ；テトラヒドロフラン）に溶解した物質をその分子サイズの差によって分離定量する液体クロマトグラフィ－である。測定は、カラムに「ＬＦ－６０４」（昭和電工社製：迅速分析用ＧＰＣカラム：６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍサイズ）を直列に２本接続して用い、流量０．６ｍL／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で行い、重量平均分子量（Ｍｗ）の決定はポリスチレン換算で行った。

［実施例１］（製法（ｉ））
　熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
　この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離型性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで離型性基材と電磁波遮蔽シートとが積層された離型性基材付多層体を得た。
　係る離型性基材付多層体を１０×１０ｃｍにカットし、図１９に示す試験基板に載置し仮貼付した。その後、離形性基材を剥離し、除去した面に柔軟性離型シートを載置し、さらにその上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置することで、熱プレス用のクッション積層体を得た。前記クッション積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１６０℃の条件で２０分熱プレスした。熱プレス後、柔軟性離型シートと熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。

［実施例２～１６、１９～２１、２５～３２および比較例１～４］
　各成分およびその配合量（質量部）、電子部品の搭載間隔、Ｔ３の厚みを表１、２に、載置工程プロセス等を表２に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、部品搭載基板を作製した。表１に示す樹脂の配合量は固形分質量である。

［実施例１７］（製法（ｉｉ））
　熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
　この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性発泡基材Ａに塗工し、１００℃で２分間乾燥することで電磁波遮蔽シートと離形性発泡基材Ａとの離型性発泡基材付多層体を得た。
　係る離型性泡基材付多層体を１０×１０ｃｍにカットし、電磁波遮蔽シートの面が図１９に示す試験基板（電子部品３０上面）に接するように載置し仮貼付した。その後、離形性発泡基材Ａの上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置した。前記クッション積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１６０℃の条件で２０分熱プレスした。熱プレス後、離形性発泡基材Ａと熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。
［実施例２２～２４］（製法（ii））
　離形性発泡基材Ａを離型性基材、離形性発泡基材Ｂ、離形性発泡基材Ｃに変えた以外は実施例１７と同様の方法で部品搭載基板を得た。

［実施例１８］（製法（iii））
　熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂１を２５部と、エポキシ樹脂２を２５部と、導電性フィラー１を１８５部と、導電性フィラー２を１８５部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで樹脂組成物を得た。
　この樹脂組成物を乾燥厚みが６０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、離型性基材の一方の面上に電磁波遮蔽シートが積層された離型性基材付多層体を得た。
　別途、熱硬化性樹脂（固形分）１００部と、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８：三菱化学社製）を２５部と、テルペン樹脂（ＹＳレジンＰＸ１２５０：ヤスハラケミカル社製）を1部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで粘着剤樹脂組成物を得た。
　次いで、柔軟性離型シートの一方の面に、乾燥後の厚みが１０μｍになるようドクターブレードで粘着剤組成物を塗工し、１００℃で２分乾燥することで粘着性樹脂層が一方に形成された粘着性樹脂層付き柔軟性離型シートを得た。
　前記離型性基材付多層体の電磁波遮蔽シート面と前記粘着性樹脂層付き柔軟性離型シートの粘着性樹脂層をラミネーターで貼り合わせ、電磁波遮蔽シート側の離形性基材を剥離することにより積層体を得た。
　係る積層体を１０×１０ｃｍにカットし、電磁波遮蔽シートの面が試験基板に接するように載置し、仮貼付した。その後、柔軟性離型シート上に熱溶融性部材を８枚重ねて載置することで、熱プレス用のクッション積層体を得た。前記クッション積層体を上方から面全体に対し２ＭＰａ、１６０℃の条件で２０分熱プレスした。熱プレス後、柔軟性離型シートと熱溶融性部材を取り除くことで、電磁波遮蔽層が被覆された部品搭載基板を得た。

　上記実施例および比較例について、以下の測定方法および評価基準にて評価した。

＜電磁波遮蔽層の被覆前後の反り量評価＞
　厚み１２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製のカプトン５００Ｈ）を１１ｃｍ×１１ｃｍにカットし、厚みが５０μｍの電磁波遮蔽シートを１０ｃｍ×１０ｃｍにカットし、上記ポリイミドフィルムの中央部に１６０℃、２ＭＰａで熱プレスした後、端辺を固定し、その反対の端辺の反り量を測定した。
+ +　：　反り量が２ｍｍ未満　良好な結果である。
+　　：　反り量が２ｍｍ以上、５ｍｍ未満　実用上問題ない。
NG　：　反り量が５ｍｍ以上。

＜段差追従性評価＞
　実施例１～３２、比較例１～４で得た部品搭載基板を、図２０の断面図に示す底部のグランド端子ａ‐ｂ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定することにより、段差追従性を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：接続抵抗値が２００ｍΩ未満。良好な結果である。
+ ：接続抵抗値が２００ｍΩ以上、１０００ｍΩ未満。実用上問題ない。
NG：接続抵抗値が１０００ｍΩ以上。

＜エッジ部破れ耐性＞
　図２０に示す部品搭載基板のエッジ部の破れを顕微鏡によって観察し評価した。観察は異なる４カ所のエッジ部を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：破れ無し。良好な結果である。
+：一部破れ、電子部品が露出しているが、実用上問題ない。
NG：上記＋の評価未満、若しくはエッジ全体で破れ発生し電子部品が全域露出。

＜グランド接続評価＞
　実施例１～３２、比較例１～４で得た、部品搭載基板を、図２０の断面図に示す底部のグランド端子ｂ‐ｃ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定することにより、グランド接続性を評価した。
評価基準は以下の通りである。
+ +：接続抵抗値が２００ｍΩ未満。良好な結果である。
+　：接続抵抗値が２００ｍΩ以上、１０００ｍΩ未満。実用上問題ない。
NG　：接続抵抗値が１０００ｍΩ以上。

＜テープ密着性＞
　得られた部品搭載基板のｅ面（図２０参照）に、ＪＩＳＫ５４００に準じてクロスカットガイドを使用し、間隔が１ｍｍの碁盤目を２５個作成した。その後、碁盤目部に粘着テープを強く圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目の状態を下記の基準で判断した。
+ +：どの格子の目も剥がれない。
+：塗膜がカットの線に沿って部分的に剥がれている。剥がれ率１５％以上３５％未満。
NG：塗膜がカットの線に沿って部分的に若しくは全面的に剥がれている。剥がれ率３５％以上。

＜印字視認性＞
　得られた部品搭載基板のｅ面（図２０参照）に、白色インキ（東洋インキ社製）を用いてスクリーン印刷で印字した。印字のサイズは５ポイントとした。暗室内にて印字部に６０ＷのＬＥＤライトを照射し、水平面を基準として２０°、４５°、９０°の角度から印字から、５０ｃｍの距離を開けて目視で印字が視認可能かを確認した。なお評価基準は以下の通りである。
+ + +：２０°、４５°、９０°すべて視認可能非常に良好な結果である。
+ +　：４５°、９０°で視認可能良好な結果である。
+　　：９０°で視認可能実用上問題ない。
NG　：前記＋評価未満、若しくはすべての角度で視認不可能。

　図２１に実施例１４の電磁波遮蔽シートの切断部断面図を、図２２に実施例１４の電磁波遮蔽層の切断部断面図を示す。

　実施例および比較例に係る部品搭載基板の評価結果を表３、４に示す。また、電磁波遮蔽シートの線膨張係数、引張破断歪、貯蔵弾性率を表１に示す。

　Ｔ１／Ｔ２が０．９の比較例１は、グランド接続性が実用範囲外であった。また、Ｔ１／Ｔ２が１２．０、マルテンス硬さが２Ｎ／ｍｍ^２の比較例２は、段差追従性、エッジ部割れ耐性が実用範囲外であった。また、マルテンス硬さが１１３Ｎ／ｍｍ^２の比較例３は、段差追従性が実用範囲外であり、グランド接続性およびテープ密着性も実用範囲外であった。更に、導電性フィラーの専有面積が１９％の比較例４は、エッジ部破れ耐性、グランド接続性、反り量等において課題があった。一方、本実施例によれば、段差追従性、エッジ部破れ耐性、グランド接続性、テープ密着および印字視認性において優れた結果が得られ、更にひっかき試験の結果も良好であった。

　この出願は、２０１７年２月１０日に出願された日本出願の特願２０１７－０２３６５４および日本出願の特願２０１７－０２３６５５、並びに２０１７年８月２２日に出願された日本出願の特願２０１７―１５９７４４を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

　本発明に係る部品搭載基板によれば、凹凸構造に対する被覆性に優れることから、パーソナルコンピュータ、モバイル機器或いはデジタルカメラ等に内蔵されるハードディスク、ケーブルおよびプリント配線板等にも好適である。また、本発明の電磁波遮蔽シートおよび積層体は、部品を搭載していない凹凸形状面に対しても適用可能である。

１　　　電磁波遮蔽層
２　　　電磁波遮蔽シート
３　　　離型性基材
４　　　離型性基材付多層体
５　　　柔軟性離型シート
６　　　熱溶融性部材
７　　　離型性発泡基材
８　　　離型性発泡基材付多層体
９　　　粘着性樹脂層
１０　　積層体
１１　　クッション紙
２０　　基板
２１　　配線または電極
２２　　グランドパターン
２３　　インナービア
２４　　はんだボール
２５　　ハーフダイシング溝
３０　　電子部品
３１　　半導体チップ
３２　　モールド樹脂
３３　　ボンディングワイヤ
４０　　プレス基板
５０　　ＩＣチップ
５１　　モールド樹脂
５２　　保持基材
６０　　保持基材固定治具
１０１～１０３　部品搭載基板

Claims

　基板に部品を搭載する工程と、
　電磁波遮蔽シートを前記部品が搭載された前記基板上に設置する載置工程と、
　前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む前記基板の露出面に前記電磁波遮蔽シートが追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波遮蔽層を得る工程とを備え、
　前記電磁波遮蔽シートとして、
　引張破断歪が５０～１５００％であり、更に、熱可塑性樹脂または／および熱硬化性樹脂と硬化性化合物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まないシートを用い、
　前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０となるように被覆し、
　前記鱗片状粒子の平均厚さを０．０５～２μｍとし、
　前記電磁波遮蔽層の前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積を２０～５０％とする部品搭載基板の製造方法。
　前記載置工程は、以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）のいずれかより選択される、請求項１に記載の部品搭載基板の製造方法。
（ｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を、前記基板と前記電磁波遮蔽シートが対向配置するように仮貼付後、前記離型性基材を剥離し、続いて前記電磁波遮蔽シート上に柔軟性離型シートを載置し、更に前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性発泡基材とを備える離型性発泡基材付多層体を、前記基板と前記電磁波遮蔽シートとが対向配置するように前記離型性発泡基材付多層体を仮貼付し、続いて前記離型性発泡基材上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
（ｉｉｉ）前記電磁波遮蔽シートと、当該電磁波遮蔽シートの一主面上に積層された離型性基材とを備える離型性基材付多層体を用意し、続いて、前記電磁波遮蔽シートの前記離型性基材が貼り合されていない面上に粘着性樹脂層を介して柔軟性離型シートを積層し、その後、前記離型性基材を剥離することにより積層体を得、前記基板と前記電磁波遮蔽シートとが対向配置するように前記積層体を仮貼付し、続いて前記柔軟性離型シート上に熱により軟化する熱溶融性部材を少なくとも載置する。
　前記部品の高さをＨ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｈが０．２以上である請求項２に記載の部品搭載基板の製造方法。
　前記部品が前記基板上に配列され、当該部品間の幅をＷ、前記柔軟性離型シートまたは前記離型性発泡基材と、前記熱溶融性部材との合計の厚みをＴ３としたときに、Ｔ３／Ｗが０．１～６である請求項２又は３に記載の部品搭載基板の製造方法。
　前記基板上には、前記部品が複数形成され、複数の前記部品上および前記部品間に亘って前記電磁波遮蔽層を形成する請求項１～４のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
　前記電磁波遮蔽シートの２５～１２５℃での線膨張係数が、１００～７００ｐｐｍ／℃である請求項１～５のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
　前記導電性フィラーが、更に樹枝状粒子および球状粒子からなる群から選択される粒子を含む、請求項１～６のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
　前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである請求項１～７のいずれかに記載の部品搭載基板の製造方法。
　基板と、
　前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、
　前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層とを備え、
　前記電磁波遮蔽層は、
　マルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、更に、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、
　前記部品の上面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ１，前記部品の側面を被覆する前記電磁波遮蔽層の厚みをＴ２としたときに、Ｔ１／Ｔ２が１．１～１０であり、
　前記鱗片状粒子は、平均厚さが０．０５～２μｍであり、
　前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積が２０～５０％である部品搭載基板。
　前記電磁波遮蔽層の２０°表面光沢度が、０．１～２０％である請求項９に記載の部品搭載基板。
　前記鱗片状粒子含有層は、当該鱗片状粒子含有層全体の質量に対し、前記導電性フィラーを５０～９５質量％含む請求項９又は１０に記載の部品搭載基板。
　前記導電性フィラーが、電磁波吸収フィラーである請求項９～１１のいずれかに記載の部品搭載基板。
　前記導電性フィラーが、更に樹枝状粒子および球状粒子の少なくともいずれかを含む、請求項９～１２のいずれかに記載の部品搭載基板。
　前記電磁波遮蔽層は、等方導電層を２層含み、前記等方導電層の少なくとも一層は、前記鱗片状粒子含有層である請求項９～１３のいずれかに記載の部品搭載基板。
　請求項９～１４のいずれかに記載の部品搭載基板を具備する電子機器。
　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された部品と、前記部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む、前記基板の露出面を被覆する電磁波遮蔽層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波遮蔽層の加熱圧着前のシートであって、
　引張破断歪が５０～１５００％であり、
　熱硬化性樹脂、硬化性化合物および鱗片状粒子を含む導電性フィラーを含有する等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有し、且つ異方導電層を含まず、
　１６０℃、２ＭＰａで２０分、加熱硬化したときのマルテンス硬さが３～１００Ｎ／ｍｍ^２であり、
　前記鱗片状粒子の平均厚さが０．０５～２μｍであり、
　１６０℃、２ＭＰａで２０分、加熱硬化したときの前記鱗片状粒子含有層の厚み方向の切断部断面の前記導電性フィラーの専有面積が２０～５０％である、電磁波遮蔽シート。
　前記熱硬化性樹脂は、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂およびポリアミド樹脂から選択される樹脂である請求項１６に記載の電磁波遮蔽シート。
　前記鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は、２～１００μｍである請求項１６又は１７に記載の電磁波遮蔽シート。
　前記熱硬化性樹脂の酸価が、３～２０である請求項１６～１８のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
　前記熱硬化性樹脂の反応性官能基が、カルボキシル基、水酸基の少なくともいずれかを含む請求項１６～１９のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
　前記熱硬化性樹脂は、重量平均分子量が２０，０００～１５０，０００である請求項１６～２０のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
　線膨張係数が１００～７００ｐｐｍ／℃である請求項１６～２１のいずれかに記載の電磁波遮蔽シート。
　請求項１６～２２のいずれかに記載の電磁波遮蔽シートと、
　前記電磁波遮蔽シート上に形成された粘着性樹脂層と、
　前記粘着性樹脂層上に形成された柔軟性離型シートを備える積層体。