TW201841559A - 構件搭載基板、構件搭載基板的製造方法、積層體、電磁波遮蔽板以及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種具有生產性高，高品質且被覆性高的電磁波遮蔽層之構件搭載基板等。

本發明之構件搭載基板具備：基板(20)；構件(30)，搭載於基板(20)；及電磁波遮蔽層(1)，被覆前述基板(20)及前述構件(30)。電磁波遮蔽層(1)具有特定的馬氏硬度，具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層，且不包含非等向性導電層，將被覆構件(30)的上表面之電磁波遮蔽層(1)的厚度設為T1、將被覆構件(30)的側面之電磁波遮蔽層(1)的厚度設為T2時，將T1除以T2設為特定範圍，且設為特定的鱗片狀粒子的平均厚度，並將鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為特定範圍。

Description

構件搭載基板、構件搭載基板的製造方法、積層體、電磁波遮蔽板以及電子機器

本發明係關於一種具有電磁波遮蔽層之構件搭載基板及構件搭載基板的製造方法。另外，係關於一種適於形成前述構件搭載基板之電磁波遮蔽層之電磁波遮蔽板及具備電磁波遮蔽板之積層體、以及搭載有前述構件搭載基板之電子機器。

對於搭載有IC(Integrated Circuit；積體電路)晶片等電子構件之電子基板，為了防止因來自外部之磁場或電波所致之誤動作，另外，為了減少自電子基板內部產生之電訊號之無用輻射，通常設置有電磁波屏蔽結構。先前，IC晶片之屏蔽使用濺鍍法，但出於設備投資之問題等而謀求代替技術。

因此，提出有以下方法：於構成電子構件的外骨架之 模封樹脂上塗敷導電性膏而設置導電性屏蔽層之方法(專利文獻1)、或被覆電磁波屏蔽板之方法(專利文獻2至6)。

例如，專利文獻2中揭示有以下之電磁波屏蔽層的形成方法，亦即，以覆蓋設置於基板上之凸部之方式，藉由真空壓空成形法貼附由基材層與電磁波遮蔽層之積層體所構成之電磁波屏蔽用膜，之後剝離基材層。另外，專利文獻3中揭示有以下之電磁波屏蔽層的形成方法，亦即，以追隨於電子構件及露出之基板的表面之方式，對多層體進行加熱壓接，繼而填充於電子構件間且被覆電子構件。進而，專利文獻4中揭示有以下之構成，亦即，於覆蓋電子電路的露出面之部位設置附剝離膜之屏蔽膜，覆蓋電子電路的露出面以外的區域設置剝離了剝離膜之屏蔽膜。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特開2013-207213號公報。

專利文獻2：國際公開第2014/027673號。

專利文獻3：日本特開2015-162636號公報。

專利文獻4：國際公開第2015/046063號。

專利文獻5：國際公開第2015/186624號。

專利文獻6：日本特開2014-110263號公報。

為了遮蔽電磁波而有以下方法：於電子構件的表面濺鍍金屬箔之方法、嵌合金屬罐之方法、進行鍍覆處理之方法、如上述專利文獻1般塗佈導電性膏之方法等，但該等方法在通用性或處理步驟的繁雜性方面存在課題。另外，專利文獻2等之電磁波屏蔽用膜中，於電子構件之階差部分或凹凸部位容易產生電磁波遮蔽層之破裂，在電磁波屏蔽性的品質方面存在課題。另外，存在凹部的埋入性容易不足之問題，且在側面與接地部之連接性方面存在課題。

本發明係鑒於上述背景而完成，目的在於提供一種可提供生產性高、高品質且被覆性高的電磁波遮蔽層之電磁波遮蔽板及積層體、具有前述電磁波遮蔽層之構件搭載基板及構件搭載基板的製造方法、以及電子機器。

本發明者等人反復進行努力研究，結果發現於以下之態樣中可解決本發明之課題，從而完成本發明。

[1]：一種構件搭載基板的製造方法，包括：於基板搭載構件之步驟；將電磁波遮蔽板設置於搭載有前述構件之前述基板上之載置步驟；以及以前述電磁波遮蔽板追隨於前述基板的露出面之方式，藉由加熱壓接進行接合而獲得電磁波遮蔽層之步驟，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分；作為前述電磁波遮蔽板，係使用以下之板：該板的拉伸斷裂應變為50%至 1500%，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂、硬化性化合物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料；以將被覆前述構件的上表面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆前述構件的側面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T2時，T1除以T2成為1.1至10之方式進行被覆；將前述鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm；將前述電磁波遮蔽層中的前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為20%至50%。

[2]：如[1]所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述載置步驟係選自以下之(i)至(iii)之任一個：(i)將具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性基材之附脫模性基材之多層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附後，剝離前述脫模性基材，繼而於前述電磁波遮蔽板上載置柔軟性脫模板，進而於前述柔軟性脫模板上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件；(ii)將具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性發泡基材之附脫模性發泡基材之多層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附前述附脫模性發泡基材之多層體，繼而於前述脫模性發泡基材上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件；(iii)準備具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性基材之附脫模性基材之多層 體，繼而於前述電磁波遮蔽板中的未貼合前述脫模性基材的面上，經由黏著性樹脂層積層柔軟性脫模板，之後剝離前述脫模性基材，藉此獲得積層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附前述積層體，繼而於前述柔軟性脫模板上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件。

[3]：如[2]所記載之構件搭載基板的製造方法，其中將前述構件的高度設為H、將前述柔軟性脫模板或前述脫模性發泡基材與前述熱熔融性部件的合計厚度設為T3時，T3除以H為0.2以上。

[4]：如[2]或[3]所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述構件排列於前述基板上，將該構件間的寬度設為W、將前述柔軟性脫模板或前述脫模性發泡基材與前述熱熔融性部件的合計厚度設為T3時，T3除以W為0.1至6。

[5]：如[1]至[4]中任一項所記載之構件搭載基板的製造方法，其中於前述基板上形成複數個前述構件，遍佈複數個前述構件上及前述構件間而形成前述電磁波遮蔽層。

[6]：如[1]至[5]中任一項所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述電磁波遮蔽板於25℃至125℃下的線膨脹係數為100ppm/℃至700ppm/℃。

[7]：如[1]至[6]中任一項所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述導電性填料進而包含選自由樹枝狀粒子及球狀粒子所組成之群組中之粒子。

[8]：如[1]至[7]中任一項所記載之構件搭載基板的製造 方法，其中前述導電性填料為電磁波吸收填料。

[9]：一種構件搭載基板，具備：基板；構件，搭載於前述基板的至少一面；以及電磁波遮蔽層，被覆前述基板的露出面，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分；前述電磁波遮蔽層的馬氏硬度為3N/mm²至100N/mm²，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料；將被覆前述構件的上表面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆前述構件的側面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T2時，T1除以T2為1.1至10；前述鱗片狀粒子的平均厚度為0.05μm至2μm；前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積為20%至50%。

[10]：如[9]所記載之構件搭載基板，其中前述電磁波遮蔽層的20°表面光澤度為0.1%至20%。

[11]：如[9]或[10]所記載之構件搭載基板，其中前述鱗片狀粒子含有層含有相對於該鱗片狀粒子含有層整體的質量為50質量%至95質量%的前述導電性填料。

[12]：如[9]至[11]中任一項所記載之構件搭載基板，其中前述導電性填料為電磁波吸收填料。

[13]：如[9]至[12]中任一項所記載之構件搭載基板，其中前述導電性填料進而包含樹枝狀粒子及球狀粒子之至少任一個。

[14]：如[9]至[13]中任一項所記載之構件搭載基板，其中前述電磁波遮蔽層包含2層等向性導電層，且前述等向性導電層中的至少一層為前述鱗片狀粒子含有層。

[15]：一種電子機器，具備如[9]至[14]中任一項所記載之構件搭載基板。

[16]：一種電磁波遮蔽板，係用於構件搭載基板之電磁波遮蔽層的加熱壓接前的板，前述構件搭載基板具備：基板；構件，搭載於前述基板的至少一面；以及前述電磁波遮蔽層，被覆前述基板的露出面，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分；拉伸斷裂應變為50%至1500%；具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂、硬化性化合物及包含鱗片狀粒子之導電性填料；以160℃、2MPa進行20分鐘加熱硬化時的馬氏硬度為3N/mm²至100N/mm²；前述鱗片狀粒子的平均厚度為0.05μm至2μm；以160℃、2MPa進行20分鐘加熱硬化時的前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積為20%至50%。

[17]：如[16]所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂係選自聚胺甲酸乙酯樹脂、聚胺酸酯尿素樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂及聚醯胺樹脂中之樹脂。

[18]：如[16]或[17]所記載之電磁波遮蔽板，其中前述鱗片狀粒子的平均粒徑D50為2μm至100μm。

[19]：如[16]至[18]中任一項所記載之電磁波遮蔽板， 其中前述熱硬化性樹脂的酸值為3至20。

[20]：如[16]至[19]中任一項所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂中的反應性官能基包含羧基、羥基之至少任一個。

[21]：如[16]至[20]中任一項所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂的重量平均分子量為20,000至150,000。

[22]：如[16]至[21]中任一項所記載之電磁波遮蔽板，其線膨脹係數為100ppm/℃至700ppm/℃。

[23]：一種積層體，具備：如[16]至[22]中任一項所記載之電磁波遮蔽板；黏著性樹脂層，形成於前述電磁波遮蔽板上；以及柔軟性脫模板，形成於前述黏著性樹脂層上。

根據本發明，發揮以下之優異的效果，亦即，可提供一種可提供高品質且被覆性高的電磁波遮蔽層之電磁波遮蔽板及積層體、具有前述電磁波遮蔽層之構件搭載基板及構件搭載基板的製造方法、以及電子機器。

1‧‧‧電磁波遮蔽層

2‧‧‧電磁波遮蔽板

3‧‧‧脫模性基材

4‧‧‧附脫模性基材之多層體

5‧‧‧柔軟性脫模板

6‧‧‧熱熔融性部件

7‧‧‧脫模性發泡基材

8‧‧‧附脫模性發泡基材之多層體

9‧‧‧黏著性樹脂層

10‧‧‧積層體

11‧‧‧緩衝紙

20‧‧‧基板

21‧‧‧配線或電極

22‧‧‧接地圖案

23‧‧‧內部通孔

24‧‧‧焊料球

25‧‧‧半切割槽

30‧‧‧電子構件

31‧‧‧半導體晶片

32、51‧‧‧模封樹脂

33‧‧‧連接線

40‧‧‧壓製基板

50‧‧‧IC晶片

52‧‧‧保持基材

60‧‧‧保持基材固定治具

101~103‧‧‧構件搭載基板

H‧‧‧高度

T1、T2、T3‧‧‧厚度

W‧‧‧寬度

X、Y、Z‧‧‧方向

a、b、c‧‧‧接地端子

e‧‧‧面

圖1係顯示本實施形態之構件搭載基板的一例之示意性立體圖。

圖2係圖1之II-II切斷部剖面圖。

圖3係顯示本實施形態之構件搭載基板的另一例之示 意性剖面圖。

圖4係用以說明鱗片狀粒子含有層中的導電性填料的含量之測定區域之示意性俯視圖。

圖5係圖4之V-V切斷部剖面圖。

圖6係顯示本實施形態之附脫模性基材之多層體的一例之示意性剖面圖。

圖7係顯示本實施形態之積層體的一例之示意性剖面圖。

圖8係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖9係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟(載置步驟(i))剖面圖。

圖10係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟(載置步驟(ii))剖面圖。

圖11係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟中所使用之積層體之示意性剖面圖。

圖12係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟(載置步驟(iii))剖面圖。

圖13係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖14係本實施形態之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖15係本變形例之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖16係本變形例之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖17係本變形例之構件搭載基板的製造步驟剖面圖。

圖18係顯示本實施形態之構件搭載基板的另一例之示意性剖面圖。

圖19係顯示本實施例之構件搭載基板的另一例之示意性剖面圖。

圖20係顯示本實施例之構件搭載基板的另一例之示意性剖面圖。

圖21係實施例14之電磁波遮蔽板的切斷部剖面圖。

圖22係實施例14之電磁波遮蔽層的切斷部剖面圖。

以下，對應用本發明之實施形態的一例進行說明。再者，本說明書中所特定之數值係藉由實施形態或實施例中所揭示之方法而求出之值。另外，本說明書中所特定之數值「A至B」係指滿足數值A與大於數值A之值及數值B與小於數值B之值之範圍。另外，本說明書中之「板」，不僅為JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業標準)中所定義之「板」，亦包含「膜」。為了使說明明確，以下之記載及圖式適宜簡化。另外，同一要素部件於不同的實施形態中亦以同一符號表示。本說明書中所出現之各種成分只要無特別注釋，則分別獨立地可為單獨一種，亦可併用兩種以上。

<第1實施形態>

第1實施形態之構件搭載基板的製造方法包括以下之步驟。亦即，包括：於基板搭載構件之步驟；將電磁波遮蔽板設置於搭載有構件之基板上之載置步驟；以及以電磁波遮蔽板追隨於基板的露出面之方式，藉由加熱壓接進行接合而獲得電磁波遮蔽層之步驟，前述基板的露出面包含藉由搭載構件而形成之階差部的至少一部分。電磁波遮蔽板係使用以下之板，該板的拉伸斷裂應變為50%至1500%，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層板，前述鱗片狀粒子含有層含有熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂、硬化性化合物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料。另外，以將被覆構件的上表面之電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆構件的側面之電磁波遮蔽層的厚度設為T2時，T1除以T2成為1.1至10之方式進行被覆，將鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm。進而，將電磁波遮蔽層的鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為20%至50%。以下，對第1實施形態之構件搭載基板的製造方法進行詳細敘述。

[構件搭載基板]

圖1顯示第1實施形態之構件搭載基板之示意性立體圖，圖2顯示圖1之II-II切斷部剖面圖。構件搭載基板101具有基板20、作為構件的一例之電子構件30及電磁波遮蔽層1等。

基板20只要為可搭載電子構件30，且可耐受後述之加熱壓接步驟之基板即可，可任意地選擇。例如可列舉：於表面或內部形成有由銅箔等所構成之導電圖案之工件板(work board)、安裝模組基板、印刷配線板或藉由增層(buildup)法等形成之增層基板。另外，亦可使用膜或板狀的可撓性基板。前述導電圖案例如為用以與電子構件30電性連接之電極、配線圖案(未圖示)、用以與電磁波遮蔽層1電性連接之接地圖案22。於基板20內部，可任意地設置電極、配線圖案、通孔(未圖示)等。

電子構件30於圖1之例中於基板20上配置為5×4個陣列狀。並且，以被覆基板20及電子構件30的露出面之方式設置有電磁波遮蔽層1。亦即，電磁波遮蔽層1係以追隨於藉由電子構件30所形成之凹凸之方式被覆。藉由電磁波遮蔽層1，可遮蔽自內置於電子構件30及/或基板20之信號配線等產生之無用輻射，另外，可防止因來自外部之磁場或電波所致之誤動作。

電子構件30的個數、配置、形狀及種類為任意。亦可代替將電子構件30配置為陣列狀之態樣，而將電子構件30配置於任意的位置。於將構件搭載基板101單片化為單元模組之情形時，如圖2所示，亦可以自基板上表面沿基板的厚度方向劃分單元模組之方式設置半切割槽25。再 者，第1實施形態之構件搭載基板包括單片化為單元模組之前的基板、及單片化為單元模組之後的基板之兩者。亦即，除如圖1、2之搭載有複數個單元模組(電子構件30)之構件搭載基板101以外，亦包括如圖3之單片化為單元模組之後的構件搭載基板102。當然，亦包括不經過單片化步驟，於基板20上搭載1個電子構件30，並以電磁波遮蔽層被覆而成之構件搭載基板。亦即，第1實施形態之構件搭載基板包括於基板上搭載有至少1個電子構件，於藉由搭載電子構件而形成之階差部的至少一部分被覆電磁波遮蔽層而成之結構。

電子構件30包含藉由絕緣體將半導體積體電路等電子元件被覆成一體之構件整體。例如，有藉由密封材料(模封樹脂(molded resin)32)將形成有積體電路(未圖示)之半導體晶片31(參照圖3)進行模封成型之態樣。基板20與半導體晶片31經由該等之抵接區域，或者經由連接線(bonding wire)33、焊料球(未圖示)等，與形成於基板20之配線或電極21電性連接。電子構件除半導體晶片以外，亦可例示電感器、熱敏電阻、電容器及電阻等。

第1實施形態之電子構件30及基板20可廣泛地應用於公知的態樣。圖3之例中，半導體晶片31經由內部通孔23與基板20的背面之焊料球24連接。另外，於基板20內形成有接地圖案22，該接地圖案22用以與電磁波遮蔽 層1電性連接。另外，亦可於單片化後的構件搭載基板搭載複數個電子構件30。另外，於電子構件30內，可搭載單個或複數個電子元件等。

<電磁波遮蔽層>

電磁波遮蔽層1係藉由下述方式而獲得，亦即，於搭載有電子構件30之基板20上，載置後述之電磁波遮蔽板，並進行加熱壓接。電磁波遮蔽層1具有鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物或/及熱塑性樹脂、及包含鱗片狀粒子(薄片狀粒子)之導電性填料。並且，將被覆電子構件30的上表面之電磁波遮蔽層1的厚度設為T1、將被覆電子構件30的側面之電磁波遮蔽層1的厚度設為T2時，將T1除以T2設為1.1至10。將鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm之範圍，將鱗片狀粒子含有層的切斷部剖面中的導電性填料的佔有面積設為20%至50%。導電性填料的佔有面積較佳為25%至45%，更佳為30%至40%。藉由處於20%至50%之範圍，可提高刮痕試驗及接地連接性。導電性填料於鱗片狀粒子含有層中連續地接觸，顯示等向性導電性。

電磁波遮蔽層1之被覆區域包含藉由搭載電子構件30而形成之階差部(凹凸部)的至少一部分即可，無需被覆搭載有電子構件30的整個面。為了充分地發揮屏蔽效果，電 磁波遮蔽層1較佳為與於基板20的側面或上表面露出之接地圖案22或/及電子構件之連接用配線等接地圖案(未圖示)連接之構成。

若於電磁波遮蔽層中包含非等向性導電層，則有時尤其於角隅部中電磁波遮蔽層會產生破裂或裂紋，而於被覆性方面存在問題。另外，存在加熱壓接前的電磁波遮蔽板的拉伸斷裂應變降低之問題。對此，第1實施形態中，由於電磁波遮蔽層中不包含非等向性導電層，故而無前述問題。並且，由於鱗片狀粒子含有層為等向性導電層，故而可提供兼具屏蔽性及被覆性之電磁波遮蔽層。另外，可提高加熱硬化處理前的電磁波遮蔽板的拉伸斷裂應變。

電磁波遮蔽層設為單層或複層。於複層之情形時，較佳為將等向性導電層積層2層之態樣。作為較佳的複層的例子，可例示鱗片狀粒子含有層之積層體、鱗片狀粒子含有層與纖維狀(導線狀)導電層(等向性導電層)之積層體。另外，可例示鱗片狀粒子含有層與未分類為鱗片狀粒子含有層之作為等向性導電層發揮功能之導電性填料含有層(例如，混合有樹枝狀粒子及球狀粒子之導電性填料含有層、含有球狀粒子之導電性填料含有層、含有樹枝狀粒子之導電性填料含有層等)之積層體。於製成複層之情形時，就提高耐刮傷性之觀點而言，較佳為將表層側設為鱗片狀粒子含有層。亦較佳為製成作為等向性導電層發揮功能之電磁 波反射層與電磁波吸收層之積層體之態樣。另外，電磁波遮蔽層根據用途亦可具有絕緣層等保護層。

使用電磁波遮蔽層，該電磁波遮蔽層係將電磁波遮蔽層1的厚度之比T1除以T2設為前述範圍，且具有顯示前述之等向性導電性且切斷部剖面中的導電性填料的佔有面積設為前述範圍之鱗片狀粒子含有層，且不包含非等向性導電性，進而將鱗片狀粒子的平均厚度設為前述範圍，藉此可提供高品質且被覆性高的電磁波遮蔽層。另外，可提供膠帶密接性優異之電磁波遮蔽層。此處，膠帶密接性係後述之實施例中進行評價之特性，成為與電子構件之接著性之指標。

T1除以T2較佳為1.3至7，更佳為1.5至4，進而較佳為1.8至3.8。T1除以T2可藉由控制加熱壓製步驟時的構件的高度及槽的寬度之條件而調整。再者，於電子構件30的外表面為曲面形狀等而無法明確地定義上表面及側面之情形時，將與基板20於高度方向上相隔最遠之位置的電磁波遮蔽層1的厚度設為T1，與該T1的面方向所成角度最大之面方向的電磁波遮蔽層1的膜厚設為T2。其他條件係依據實施例中所記載之方法。

電磁波遮蔽層1的馬氏硬度較佳為3N/mm²至100N/mm²之範圍。藉由設為該範圍，耐刮傷性及膠帶密接 特性優異。就耐刮傷性之觀點而言，馬氏硬度較佳為5N/mm²以上，更佳為7N/mm²以上，進而較佳為10N/mm²以上。就膠帶密接之觀點而言，較佳為98N/mm²以下，更佳為90N/mm²以下，進而較佳為80N/mm²以下，尤佳為70N/mm²以下。馬氏硬度係取決於導電性填料及主要熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物的硬度。鱗片狀粒子有馬氏硬度變大之傾向，球狀、樹枝狀粒子有馬氏硬度變低之傾向。另外，若導電性填料量變多，則有馬氏硬度變大之傾向。

鱗片狀粒子的平均比表面積較佳為1.40m²/g至2.50m²/g，更佳為1.60m²/g至2.30m²/g，尤佳為1.80m²/g至1.90m²/g。另外，鱗片狀粒子的敲緊密度(tap density)較佳為0.50g/cm³至0.80g/cm³，更佳為0.60g/cm³至0.70g/cm³，尤佳為0.66g/cm³至0.69g/cm³。

包含鱗片狀粒子之導電性填料可例示：金屬填料、導電性陶瓷粒子及該等之混合物。金屬填料可例示：金、銀、銅、鎳等金屬粉、焊料等合金粉、銀塗層銅粉、金塗層銅粉、銀塗層鎳粉、金塗層鎳粉之核殼型粒子。就獲得優異的導電特性之觀點而言，較佳為含有銀之導電性填料。就成本之觀點而言，尤佳為銀塗層銅粉。銀塗層銅中的銀的含量較佳為6質量%至20質量%，更佳為8質量%至17質量%，進而較佳為10質量%至15質量%。於核殼型粒子之 情形時，塗層對核部之被覆率平均較佳為60%以上，更佳為70%以上，進而較佳為80%以上。核部亦可為非金屬，就導電性之觀點而言，較佳為導電性物質，更佳為金屬粒子。

作為導電性填料，亦可使用電磁波吸收填料。例如可列舉：鐵、Fe-Ni合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Si合金、Fe-Al合金、Fe-Cr-Si合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Si-Al合金等鐵合金、Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體、Mn-Mg鐵氧體、Cu-Zn鐵氧體、Mg-Mn-Sr鐵氧體、Ni-Zn鐵氧體等鐵氧體系物質以及碳填料等。碳填料可例示：由乙炔碳黑、高表面(超導電)碳黑、爐碳黑、碳黑、碳纖維、碳奈米奈米管所構成之粒子、石墨烯粒子、石墨粒子及碳奈米壁。

作為導電性填料，可僅使用鱗片狀粒子，亦可將鱗片狀粒子與其他形狀之粒子併用。所併用之粒子形狀並無特別限定，較佳為選自由樹枝(dendrite)狀粒子、纖維狀粒子、針狀粒子及球狀粒子所組成之群組中之粒子。所併用之粒子可單獨使用或混合使用。於併用之情形時，可例示：鱗片狀粒子及樹枝狀粒子之組合、鱗片狀粒子、樹枝狀粒子及球狀粒子之組合、鱗片狀粒子及球狀粒子之組合。該等之中，就提高電磁波遮蔽層之被覆性，且提高屏蔽性之觀點而言，更佳為單獨之鱗片狀粒子或鱗片狀粒子與樹枝狀粒子之組合。

鱗片狀粒子含有層中鱗片狀粒子與樹枝狀粒子混合之情形時的質量比較佳為9：1至1：9，更佳為8：2至2：8。藉由設為上述之混合質量比，接地連接性及階差追隨性進一步提高。鱗片狀粒子的平均粒徑D50較佳為2μm至100μm，更佳為2μm至80μm。進而較佳為3μm至50μm，尤佳為5μm至20μm。樹枝狀粒子的平均粒徑D50的較佳範圍亦同樣地，較佳為2μm至100μm，更佳為2μm至80μm。進而較佳為3μm至50μm，尤佳為5μm至20μm。藉由將鱗片狀粒子與樹枝狀粒子併用，可使表面光澤度最適宜，於電磁波遮蔽層直接印刷文字之情形時，可提高印字視認性。

另外，藉由併用樹枝狀粒子，可增多導電性填料彼此的接觸點，提高屏蔽特性。另外，藉由併用樹枝狀粒子，亦具有如下優點：由於可增加與黏合劑成分之接觸面積，故而可有效地提高拉伸斷裂應變，於使電磁波遮蔽板沿面方向延伸而追隨於電子構件時，可有效地抑制破裂或裂紋。亦較佳為使用微米尺寸之鱗片狀粒子與奈米尺寸之球狀粒子之混合系之態樣。再者，關於導電性填料，尤其是於粒子尺寸小之情形等，有時會因加熱壓接而熔融並與其他導電性填料熔融。

電磁波遮蔽層1的厚度可根據用途而適宜設計。於要 求薄型化之用途中，被覆電子構件的上表面之電磁波遮蔽層1的厚度T1較佳為1.1μm至75μm之範圍，更佳為1.5μm至65μm，尤佳為5μm至55μm。此時之被覆電子構件的側面之電磁波遮蔽層1的厚度T2較佳為1μm至68μm，更佳為1.1μm至59μm，尤佳為1.5μm至59μm。於高精度地屏蔽高頻雜訊之用途中，可將厚度T1設為例如75μm至200μm左右。

就提高印字於電磁波遮蔽層1的最表面之製品編號或批次編號的印字視認性之觀點而言，電磁波遮蔽層1的20°表面光澤度較佳為0.1%至20%之範圍。藉由設為該範圍，適度抑制光澤感，自各種角度均容易看到。藉由將20°表面光澤度設為該範圍，且將馬氏硬度設為3N/mm²至100N/mm²以上，可提供兼具印字視認性、耐刮傷性及接地連接性之優異的電磁波遮蔽層。20°表面光澤度的更佳的範圍為0.3%至15%，進而較佳的範圍為0.5%至10%。20°表面光澤度可藉由調整鱗片狀粒子的添加量而容易地控制。

關於鱗片狀粒子含有層中的導電性填料的含量，就獲得優異的電磁波遮蔽特性之觀點而言，較佳為相對於鱗片狀粒子含有層整體含有50質量%至95質量%。更佳為55質量%至90質量%，進而較佳為60質量%至85質量%，尤佳為65質量%至80質量%。

電磁波遮蔽層1中的容易產生破裂的部位係被覆電子構件30的邊緣部之部位。若於電子構件的邊緣部產生電磁波遮蔽層1的破裂，則會招致電磁波遮蔽效果降低，因此凹凸部的被覆性變得特別重要。於電磁波遮蔽層1的凹凸部中，導電性填料的含有率較佳為40質量%以上且95質量%以下。測定係設為測定以下區域所得之值，亦即，如圖4之電磁波遮蔽層之部分放大俯視圖、作為圖4之V-V切斷部剖面圖之圖5所示，自構成電子構件30的邊緣之上表面的邊的長邊方向的線，朝向電子構件30的表面內側至0.5mm之區域的上方所存在之電磁波遮蔽層，且自電子構件30的該邊的中央起長度方向70%之範圍。

於構件搭載基板101，亦可進而積層顯示耐擦傷性、水蒸氣阻隔性、氧阻隔性之膜等其他層，或強化磁場截止之膜等。

[電子機器]

第1實施形態之構件搭載基板例如可經由形成於基板20的背面之焊料球等而安裝於安裝基板，從而可搭載於電子機器。例如，第1實施形態之構件搭載基板可用於以電腦、平板終端、智慧型手機等為代表之各種電子機器。

[電磁波遮蔽板]

第1實施形態之電磁波遮蔽板係電磁波遮蔽層1的加 熱壓接前的板。亦即，藉由將電磁波遮蔽板進行加熱壓接而獲得電磁波遮蔽層1。電磁波遮蔽板於常溫、常壓下的拉伸斷裂應變為50%至1500%，具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層，該鱗片狀粒子含有層含有熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂與硬化性化合物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料。電磁波遮蔽板不包含非等向性導電層。電磁波遮蔽板於160℃、2MPa下進行20分鐘加熱硬化時的馬氏硬度為3N/mm²至100N/mm²之範圍，電磁波遮蔽板於160℃、2MPa下進行20分鐘加熱硬化時的前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積(A')設為20%至50%。所使用之鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm之範圍。再者，加熱壓接前的電磁波遮蔽板中的鱗片狀粒子的厚度與加熱壓接後的鱗片狀粒子的厚度實質上相同。另外，電磁波遮蔽板中的鱗片狀粒子含有層係硬化前的層。該硬化前的層包括於電磁波遮蔽板之階段，熱硬化性樹脂與硬化性化合物之一部分反應而處於B階段(半硬化之狀態)之層。

另外，電磁波遮蔽板中的鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的佔有面積(B)%(基準)，與由2片聚醯亞胺膜(Kapton 200EN)夾持且於160℃、2MPa下進行20分鐘加熱壓接之情形時的佔有面積(A')%之差((B)-(A'))較佳為設為1%至5%。更佳為2%至4%。再者，前述加熱壓接條件係用以求出佔有面積(A')及佔有面積之差((B)-(A')) 之條件，第1實施形態之加熱壓接條件並不限定於此。

將電磁波遮蔽板2的拉伸斷裂應變設為前述範圍，且具有前述之鱗片狀粒子含有層，且不包含非等向性導電層，具有將切斷部剖面中的導電性填料的佔有面積設為前述範圍之鱗片狀粒子含有層，進而將鱗片狀粒子的平均厚度設為前述範圍，藉此可提供以下電磁波遮蔽板，該電磁波遮蔽板可形成高品質且被覆性高，生產性優異的電磁波遮蔽層。

藉由將電磁波遮蔽板2的拉伸斷裂應變設為50%至1500%，可提高加熱壓接時的凹凸形狀追隨性，有效地防止因階差所致之電磁波遮蔽板2之斷裂，且使電磁波遮蔽板2於階差部分之延伸良好。另外，藉由使用鱗片狀粒子，可使導電性填料彼此之接觸良好，使電子構件等之階差處之電阻值良好。結果為，可使被覆性良好，提高屏蔽性。拉伸斷裂應變的更佳的範圍為100%至1400%，進而較佳的範圍為150%至1300%，尤佳的範圍為200%至1000%。

電磁波遮蔽板的較佳的層構成如於電磁波遮蔽層中所述。

加熱硬化前之熱硬化性樹脂係於電磁波遮蔽板中作為黏合劑發揮功能之樹脂。如圖6所示，電磁波遮蔽板2較 佳為在使用前以形成於脫模性基材3的一主面上之附脫模性基材之多層體4之形式存在。

電磁波遮蔽板2於25℃至150℃下的線膨脹係數較佳為設為100ppm/℃至700ppm/℃之範圍。藉由設為該範圍，可有效地防止階差處之龜裂，且可消除因熱收縮差所致之搭載後之基板中的翹曲之問題。更佳的範圍為125ppm/℃至650ppm/℃，進而較佳的範圍為150ppm/℃至600ppm/℃，尤佳的範圍為175ppm/℃至550ppm/℃。

熱硬化性樹脂可使用硬化性化合物反應型。進而，熱硬化性樹脂亦可自交聯。熱硬化性樹脂具有可與硬化性化合物反應之反應性官能基。

熱硬化性樹脂的較佳例有環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯胺、聚酯樹脂、聚醚酯、胺甲酸乙酯尿素系樹脂及聚醯亞胺。熱硬化性樹脂亦可具有可自交聯之官能基。例如，作為於回焊時的嚴酷的條件下使用之情形時之熱硬化性樹脂，較佳為包含環氧系樹脂、環氧酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、胺酸酯尿素系樹脂、及聚醯胺中之至少一者。另外，只要為可耐受加熱步驟之範圍，則可將熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂併用。

作為熱硬化性樹脂中的反應性官能基，有羧基、羥基、環氧基等。熱硬化性樹脂的酸值較佳為3至30。藉由將酸值設為前述範圍，可獲得耐邊緣部破損性提高之效果。酸值的更佳的範圍為4至20，進而較佳的範圍為5至10。

熱硬化性樹脂的重量平均分子量較佳為20,000至150,000。藉由設為20,000以上，可有效地提高耐刮傷性。另外，藉由設為150,000以下，可獲得階差追隨性提高之效果。

硬化性化合物具有可與熱硬化性樹脂中的反應性官能基交聯之官能基。硬化性化合物較佳為環氧化合物、含酸酐基之化合物、異氰酸酯化合物、聚碳二亞胺化合物、氮丙啶化合物、雙氰胺化合物、芳香族二胺化合物等胺化合物、苯酚酚醛清漆樹脂等酚化合物、有機金屬化合物等。硬化性化合物亦可為樹脂。該情形時，熱硬化性樹脂與硬化性化合物之區別係將含量多者視為熱硬化性樹脂，將含量少者視為硬化性化合物而加以區別。

硬化性化合物之結構、分子量可根據用途而適宜設計。就有效地提高拉伸斷裂應變之觀點而言，較佳為使用分子量不同之2種以上之硬化性化合物。例如，可將分子量為2,000至25,000之第一硬化性化合物與分子量為100至1,500之第二硬化性化合物組合。藉由使用第一硬化性化合物與第二硬化性化合物，可提高電磁波遮蔽板的拉伸 斷裂應變。就更有效地提高被覆性之觀點而言，第一硬化性化合物中的反應性官能基當量較佳為500至3000，第二硬化性化合物中的反應性官能基當量較佳為100至400。

硬化性化合物較佳為相對於熱硬化性樹脂100質量份含有1質量份至70質量份，更佳為3質量份至65質量份，進而較佳為3質量份至60質量份。於將第一硬化性化合物與第二硬化性化合物併用之情形時，較佳為相對於熱硬化性樹脂100質量份含有5質量份至50質量份之第一硬化性化合物，更佳為含有10質量份至40質量份，進而較佳為含有20質量份至30質量份。另一方面，較佳為相對於熱硬化性樹脂100質量份含有0質量份至40質量份之第二硬化性化合物，更佳為含有5質量份至30質量份，進而較佳為含有10質量份至20質量份。

前述環氧化合物只要具有環氧基，則並無特別限制，較佳為多官能之環氧化合物。就有效地提高拉伸斷裂應變之觀點而言，尤佳為設為2官能。於加熱壓接等中，藉由環氧化合物之環氧基與熱硬化性樹脂之羧基或羥基進行熱交聯，可獲得交聯結構。作為環氧化合物，亦較佳為於常溫、常壓下顯示液狀之環氧化合物。

作為前述環氧化合物，可列舉：乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、雙酚A-表氯醇型環氧樹脂、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲 胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N-二縮水甘油基苯胺、N,N-二縮水甘油基甲苯胺等。作為環氧化合物的較佳例，可列舉：DIC公司製造之EXA4850-150(環氧當量450、分子量900)、EPICLON830、840、850、860、1050、2050、3050、4050、7050、HM-091、101，Nagase ChemteX製造之DENACOLEX-211、212、252、711、721，三菱化學公司製造之JER828、806、807、1750，大賽璐化學工業公司製造之作為高分子脂環族主鏈環氧樹脂之EHPE3150等。

另外，可例示下述化合物。

前述異氰酸酯化合物例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異 氰酸酯、萘二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、聚亞甲基多苯基異氰酸酯等聚異氰酸酯化合物及該等聚異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等聚元醇化合物之加成物、該等聚異氰酸酯化合物之滴管體或異氰尿酸酯體、進而該等多異氰酸酯化合物與公知的聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等之加成物等。

前述聚碳二亞胺可列舉日清紡織公司製造之Carbodilite系列。其中，Carbodilite V-01、03、05、07、09與有機溶劑之相溶性優異，故而較佳。

前述氮丙啶化合物例如可列舉：2,2'-雙羥基甲基丁醇三[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、4,4'-雙(乙烯亞胺基羰基胺基)二苯基甲烷等。

作為樹脂，除上述以外，亦可使用黏著賦予樹脂或熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的較佳例可例示：聚酯、丙烯酸系樹脂、聚醚、胺甲酸乙酯系樹脂、苯乙烯彈性體、聚碳酸酯、丁二烯橡膠、聚醯胺、酯醯胺系樹脂、聚異戊二烯、及纖維素。作為黏著賦予樹脂，可例示：松脂系樹脂、萜烯系樹脂、脂環式系石油樹脂、及芳香族系石油樹脂等。另外，可使用導電性聚合物。作為導電性聚合物，可例示：聚二氧乙基噻吩、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺。

構成電磁波遮蔽板2之熱硬化性樹脂或/及熱塑性樹脂(以下，亦稱為黏合劑樹脂)的Tg較佳為-30℃至100℃，更佳為-10℃至80℃。黏合劑樹脂可使用1種，亦可併用多種。於使用多種之情形時，較佳為將混合前的Tg包含於上述範圍內之樹脂作為主成分(黏合劑樹脂中的60質量%以上的成分)。電磁波遮蔽板2的材料只要具有加熱壓接時追隨於電子構件30及露出之基板20的表面之柔軟性，且具有可發揮電磁波屏蔽性之導電特性即可，並無特別限定。

就提高屏蔽性及被覆性之觀點而言，亦可併用不同的平均粒徑D50。就有效地提高被覆性之觀點而言，作為較佳例，較佳為將平均粒徑D50為3μm至8μm之鱗片狀粒子(A)與平均粒徑D50為12μm至20μm之鱗片狀粒子(B)以(A)：(B)的質量比為20：80至80：20之範圍使用。

作為鱗片狀粒子的較佳例，可例示使樹枝狀粒子扁平化而成之粒子。例如，可例示以樹枝狀粒子之樹枝之形跡的至少一部分殘留之方式扁平化而成之粒子。此處，所謂樹脂之形跡，係指於經扁平化之粒子之外緣形成有殘留樹枝之形跡之突起或缺口之形狀。藉由使用該粒子，可延長經扁平化之面的外緣的周長。更佳為遍佈經扁平化之粒子之外緣之整體具有此種形狀之粒子。另外，可增大熱硬化性樹脂等成分與導電性填料之接觸面積。因此，可有效地 提高拉伸斷裂應變。另外，可有效地提高熱硬化處理後之被覆性。尤其可有效地抑制電子構件的角隅部(邊緣部)的破裂或裂紋。前文說明了使樹枝狀粒子扁平化之例子，但並不限定於此。

可較佳地使用由鱗片狀粒子中的經扁平化的面的外緣的周長根據下述數學式(1)求出之圓徑度係數為0.15以上且0.4以下之導電性填料。作為此種導電性填料，例如可例示國際公開WO2013/001351號所記載之粒子。

圓徑度係數=(面積×4 π)/(周長)² 數學式(1)

此處所謂之圓徑度係數係使用Mac-View Ver.4(Mountech公司)之解析軟體，讀取導電性填料之電子顯微鏡圖像(千倍至1萬倍左右)，於手動識別模式下選擇約20個導電性粒子。選擇葉片狀或鱗片狀之粒子時，抽選以下粒子，該粒子可確認粒子彼此不重疊之粒子形狀整體，且自觀察視點來看平面板成為垂直之角度。粒子基準資料係算出投影面積圓近似徑，分佈設定為體積分佈，算出圓徑度係數及圓形係數，並求出20個之平均值。上述數式(1)中，面積係將二維地投影時形成外周之線的內部的面積設為平板面，將該平板面二維地投影時導電性填料的外周長度設為周長。

藉由使用此種粒子，可使導電特性更優異，且實現薄膜化。進而，具有如下優點：由於熱硬化性樹脂、硬化性 化合物等與黏合劑成分之接觸面積變大，故而可有效地提高拉伸斷裂應變。另外，藉由使用核殼型之導電性填料，可實現成本降低。根據上述數學式(1)所求出之圓徑度係數之平均值更佳為0.15以上且未達0.3。

再者，使用滿足上述數學式(1)之粒子之情形時的平均粒徑D50係指藉由後述之實施例之方法所求出之值。此處，所謂粒子的體積平均粒徑，係表示於利用雷射繞射法測定之粒徑分佈中，自小徑側起計算所得之累積體積成為50%之粒徑。

亦可於鱗片狀粒子中混合奈米尺寸之導電性填料。藉由混合奈米尺寸之粒子，利用奈米粒子之熔點下降現象，於加熱壓接時形成金屬間鍵，具有提高屏蔽性之效果。

認為藉由使用鱗片狀粒子的外緣的周長較長的鱗片狀粒子，與黏合劑樹脂間之投錨效應發揮作用，而提高被覆性。鱗片狀粒子相對於黏合劑樹脂100質量份，較佳為100質量份至900質量份，更佳為150質量份至800質量份，進而較佳為180質量份至400質量份。樹枝狀粒子相對於黏合劑樹脂100質量份，較佳為0質量份至200質量份，更佳為70質量份至190質量份，進而較佳為90質量份至185質量份。

進而，構成電磁波遮蔽板之組成物中，亦可含有著色劑、阻燃劑、無機添加劑、潤滑劑、抗黏連劑等。

作為著色劑，例如可列舉：有機顏料、碳黑、群青、紅丹、鋅白、氧化鈦、石墨等。其中，藉由含有黑色系著色劑，而使屏蔽層的印字視認性提高。

作為阻燃劑，例如可列舉：含鹵素阻燃劑、含磷阻燃劑、含氮阻燃劑、無機阻燃劑等。

作為無機添加劑，例如可列舉：玻璃纖維、二氧化矽、滑石、陶瓷等。

作為潤滑劑，例如可列舉：脂肪酸酯、烴樹脂、石蠟、高級脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪族醇、金屬皂、改質聚矽氧等。

作為抗黏連劑，例如可列舉：碳酸鈣、二氧化矽、聚甲基倍半矽氧烷、矽酸鋁鹽等。

圖6所顯示之脫模性基材3係單面或雙面經脫模處理之基材，且為150℃下之拉伸斷裂應變未達50%之板。再者，脫模性基材的拉伸斷裂應變係藉由與後述之實施例中所說明之電磁波遮蔽板的拉伸斷裂應變相同的方法(其中，溫度設為150℃)所求出之值。脫模性基材3亦作為附脫模性基材之多層體4中的支持體發揮功能。例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、硬質聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龍、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、聚碳 酸酯樹脂、聚丙烯腈、聚丁烯、軟質聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚胺甲酸乙酯樹脂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯等塑膠板等、玻璃紙、道林紙、牛皮紙、塗層紙等紙類、各種不織布、合成紙、金屬箔、或組合該等而成之複合膜等。

將脫模性基材3與電磁波遮蔽板2積層而成之附脫模性基材之多層體4的形成方法並無特別限定，可列舉：將該等板進行層壓之方法、於脫模性基材3上塗敷電磁波遮蔽板2形成用組成物之方法、進行印刷之方法。脫模性基材3由於最終要剝離，故而較佳為脫模性優異的材料。作為較佳例，可例示具備醇酸、聚矽氧或氟之脫模層等之聚酯膜等。脫模性基材3的厚度例如為5μm至300μm左右，更佳為25μm至200μm左右。自附脫模性基材之多層體4剝離脫模性基材3之方法並無特別限定，可為機械亦可為手工。

[積層體]

第1實施形態之積層體10如圖7所示，具備電磁波遮蔽板2；黏著性樹脂層9，形成於電磁波遮蔽板2的一主面上；及柔軟性脫模板5，形成於黏著性樹脂層9上。亦可於電磁波遮蔽板2的另一主面上積層脫模性基材(未圖示)。

黏著性樹脂層9具有黏著性，擔負將柔軟性脫模板5 與電磁波遮蔽板2接合之作用。特徵在於：於熱壓製後發生硬化，自柔軟性脫模板5剝離，或者發生凝聚破壞。亦即，於構件搭載基板中，黏著性樹脂層9作為電磁波遮蔽層1之保護層發揮功能。黏著性樹脂層9可使用電磁波遮蔽板2中所說明之黏合劑樹脂及硬化性化合物。其中，黏合劑樹脂較佳為熱硬化性樹脂。就賦予黏著性之觀點而言，硬化性化合物較佳為液狀之環氧化合物。黏著性樹脂層9的厚度較佳為1μm至30μm，更佳為3μm至20μm。黏著性樹脂層9較佳為將黏合劑樹脂與液狀環氧化合物併用。黏合劑樹脂與液狀環氧化合物之比率(質量份)較佳為100：50至100：5。藉由相對於環氧樹脂100質量份添加5質量份以上之液狀環氧化合物，可對膜賦予良好的黏著性。於黏著性樹脂層9中，亦可添加增黏劑等黏著性賦予材料。

柔軟性脫模板5係150℃下之拉伸斷裂應變為50%以上，可伴隨電磁波遮蔽板2之加熱壓接時之軟化及變形而可撓性地使形狀變化之板，且該板具有脫模性。亦即，設為不與電磁波遮蔽板2接合，而於加熱壓接步驟後可自電磁波遮蔽板2剝離之層。再者，柔軟性脫模板的拉伸斷裂應變係藉由與後述之實施例中所說明之電磁波遮蔽板的拉伸斷裂應變相同的方法(其中，溫度設為150℃)所求出之值。另外，柔軟性脫模板5係指不包含後述之脫模性發泡基材之非發泡性的柔軟性的脫模板。

作為柔軟性脫模板5，較佳為聚乙烯、聚丙烯、聚醚碸、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二酯、環狀烯烴聚合物、聚矽氧。其中，進而較佳為聚丙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚矽氧。柔軟性脫模板可以單層使用亦可以複層使用。於設為複層之情形時，可積層相同或不同種類的板。

藉由將積層體10進行加熱壓接處理並使柔軟性脫模板5剝離，可簡便地提供第1實施形態之構件搭載基板。黏著性樹脂層9可較佳地用作絕緣性之保護層。積層體10可較佳地用以於凹凸結構體形成電磁波遮蔽層。尤其可較佳地用以形成上述實施形態之構件搭載基板101之電磁波遮蔽層1。

[構件搭載基板的製造方法]

第1實施形態之構件搭載基板包括：步驟(a)，於基板搭載構件；載置步驟，於搭載有構件之基板上設置電磁波遮蔽板；及步驟(b)，以電磁波遮蔽板追隨於基板的露出面之方式，藉由加熱壓接進行接合而獲得電磁波遮蔽層，前述基板的露出面包含藉由搭載構件而形成之階差部的至少一部分。以下，一面使用圖8至圖14，一面對第1實施形態之構件搭載基板的製造方法的一例進行說明。但是，本發明之構件搭載基板的製造方法並不限定於以下的製造方 法。

<步驟(a)>

首先，於基板20搭載電子構件30。圖8係藉由步驟(a)所獲得之第1實施形態之構件搭載基板的製造步驟階段的基板的一例。如該圖所示，於基板20上搭載半導體晶片(未圖示)，於形成有半導體晶片之基板20上藉由密封樹脂進行模封成形，以自電子構件間之上方到達至基板20內部之方式，將模封樹脂及基板20藉由切割等進行半切割。亦可為於預先經半切割之基板上將電子構件配置成陣列狀之方法。再者，所謂電子構件，係指於圖8之例中將半導體晶片進行模封成形而成之一體物，且係指藉由絕緣體保護之電子元件整體。半切割除到達至基板內部之態樣以外，亦有切割至基板面之態樣。另外，亦可將基板整體於該階段進行切割。該情形時，較佳為於附黏著膠帶之基體上載置基板以使之不會產生位置偏移。

進行模封成形之情形時之密封樹脂的材料並無特別限定，通常使用熱硬化性樹脂。密封樹脂的形成方法並無特別限定，可列舉：印刷、層壓、轉移成形、圧縮成形、澆鑄成形等。模封成形為任意，電子構件的搭載方法亦可任意地變更。

<步驟(b)>

於步驟(a)之後，將含有黏合劑樹脂及導電性填料之電磁波遮蔽板2設置於搭載有電子構件30之基板20上。作為步驟(b)的較佳例，可例示後述之載置步驟(i)至(iii)之任一方法。電磁波遮蔽板2於後述之加熱壓接後成為電磁波遮蔽層。

(載置步驟(i))

載置步驟(i)於至少使用不與上層接合之電磁波遮蔽板2之方面具有特徵。準備電磁波遮蔽板2與積層於電磁波遮蔽板2的一面之脫模性基材3之附脫模性基材之多層體4。電磁波遮蔽板的另一面亦可在使用之前一刻積層保護膜。另外，亦可使用捲筒狀之附脫模性基材之多層體4。將附脫模性基材之多層體4以電磁波遮蔽板2和基板20中之與電磁波遮蔽板2之接合區域對向配置之方式暫時貼附(參照圖9)。

所謂暫時貼附，係指以與電子構件30的至少一部分的上表面接觸之方式暫時接合，且電磁波遮蔽板2以B階段固定於被黏接體之狀態。作為剝離力，於90°剝離試驗中，對Kapton 200之剝離力較佳為1N/cm至5N/cm左右。作為暫時貼合於經切割之基板之方法，可例示以下方法：將附脫模性基材之電磁波遮蔽板載置於基板上，利用烙鐵等熱源輕輕地對整面或端部進行加熱壓接而暫時貼合，且將脫模性基材剝離。為了防止剝離脫模性基材時的隆起，較佳 為對整面進行加熱壓接。例如，可利用如硬質基板用之熱輥貼合機之類的裝置。由於脫模性基材的剝離面，亦即剝離脫模性基材後的電磁波遮蔽板面無黏性，故而於加熱壓接步驟中，不會被後述之柔軟性脫模板拉拽，而可提高階差追隨性。根據製造設備或基板20的尺寸等，可針對基板20之每個區域使用複數個附脫模性基材之多層體4，或者針對每個電子構件30使用附脫模性基材之多層體4，就製造步驟之簡化之觀點而言，較佳為對搭載於基板20上之複數個電子構件30整體使用1片電磁波遮蔽板2。

繼而，將脫模性基材3剝離(參照圖9)。之後，於電磁波遮蔽板2上載置柔軟性脫模板5，進而，於柔軟性脫模板5上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件6(參照圖9)。熱熔融性部件6之積層數可為一層亦可為多層。於圖9等之例中，表示積層3層之例子。於第1實施形態中，顯示進而積層2片緩衝紙11之例子。藉由使用緩衝紙11，可使壓製壓力均勻。

熱熔融性部件6係於加熱壓接時熔融之層，作為促進電磁波遮蔽板2對電子構件30之追隨性之緩衝材發揮功能。熱熔融性部件6只要為具有熱塑性之素材，則並無特別限定，較佳為於加熱時伸長率高的樹脂。作為較佳例，可例示：甲基戊烯聚合物膜、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂膜、聚烯烴系膜、氯乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、 PVA(Polyvinyl Alcohol；聚乙烯醇)膜。熱熔融性部件6的厚度取決於埋入槽的深度，通常為100μm至1mm左右。於將熱熔融性部件6積層複數個之情形時，較佳為將合計厚度設為該範圍。

較佳為於熱熔融性部件6上進而設置保護層，以於加熱壓接時使熱熔融性部件6不附著於壓製器具。

與第1實施形態之方法不同，於使用將電磁波遮蔽板2、柔軟性脫模板5及/或熱熔融性部件6接合而成之多層體之情形時，於後述之熱壓接步驟中，起因於電磁波遮蔽板2、柔軟性脫模板5及熱熔融性部件6之線膨脹係數差而容易於加熱壓接時之多層體產生翹曲或應變。結果為，於被覆步驟中，與電子構件之接合變得不充分，而容易產生破裂或裂紋(龜裂)。尤其是於構成電子構件之凹凸部之角隅部(邊緣部)，容易於電磁波遮蔽層產生破裂，或產生破損。

另一方面，根據(i)之製造方法，電磁波遮蔽板2、柔軟性脫模板5及熱熔融性部件6並未相互接合，而是重疊不同體之板而成。由於僅使電磁波遮蔽板2、柔軟性脫模板5及熱熔融性部件6相互重疊，而不使該等相互接合，故而於後述之步驟(c)之加熱壓接步驟中，可有效地防止因各板間之線膨脹係數差產生翹曲或應變等。結果為，可有 效地防止電磁波遮蔽層1之破裂或破損，實現優異的被覆性。尤其是，可有效地防止電子構件的角隅部中的電磁波遮蔽層1的破裂等，可形成屏蔽特性優異之電磁波遮蔽層。

(載置步驟(ii))

載置步驟(ii)於使用將電磁波遮蔽板與脫模性發泡基材積層而成之附脫模性發泡基之多層體之方面與上述之載置步驟(i)不同。所謂脫模性發泡基材，係指具有脫模性，且至少於與電磁波遮蔽板之接合面發泡(具有孔隙)之基材。更佳為整體發泡之脫模性發泡基材。脫模性發泡基材7係指基材具有孔隙，比重為0.3至1.2，25%壓縮應力(JISK 6767)為10kPa至140kPa之基材。電磁波遮蔽板2的另一面亦可在使用之前一刻積層保護膜。首先，準備附脫模性發泡基材之多層體8，該附脫模性發泡基材之多層體8係將電磁波遮蔽板2與積層於該電磁波遮蔽板2的一主面之脫模性發泡基材7積層而成。然後，將附脫模性發泡基材之多層體8以基板20與電磁波遮蔽板2對向配置之方式暫時貼附(參照圖10)。繼而，於脫模性發泡基材7上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件6(參照圖10)。以下，與上述之載置步驟(i)重複之說明適宜省略(以下相同)。

脫模性發泡基材的加熱壓接前的發泡密度的較佳的範圍為200kg/m³至600kg/m³，脫模性發泡基材的加熱壓接前的壓縮硬度的較佳的範圍為40kPa至140kPa。脫模性發泡 基材7的厚度根據槽W而適宜設計即可。例如，槽W為100mm至750mm時，厚度為50μm至1000μm左右。脫模性發泡基材7的材料可例示：發泡聚對苯二甲酸乙二酯膜、發泡聚乙烯膜、發泡矽膜、發泡聚苯乙烯膜、發泡聚丙烯膜、發泡橡膠板等。該等之中，更佳為發泡PET(Polyethylene terephthalate；聚對苯二甲酸乙二酯)、發泡胺基甲酸乙酯膜、發泡聚丙烯膜。脫模性發泡基材可藉由使脫模性發泡基材形成用組成物發泡且板化而獲得。此處，關於較佳的發泡倍率，於將發泡前的脫模性發泡基材形成用組成物的每100cc的質量設為M1、將發泡後的脫模性發泡基材形成用組成物的每100cc的質量設為M2時，M1除以M2為1.1至10。更佳為M1除以M2為2至7。

電磁波遮蔽板2與脫模性發泡基材7相互接合而成為附脫模性發泡基材之多層體8。另一方面，脫模性發泡基材7與載置於該脫模性發泡基材7上之熱熔融性部件6係重疊相互不接合之不同體之板。脫模性發泡基材7藉由內包氣泡而與未發泡之脫模性基材相比顯示優異的彈力性。因此，於後述之步驟(c)之加熱壓接步驟中，可促進電磁波遮蔽板2之延伸，且可吸收電磁波遮蔽板2與脫模性發泡基材7之間所產生之線膨脹係數差。結果為，可有效地抑制產生翹曲或應變，而使電磁波遮蔽層1的被覆性變得優異。尤其是，可有效地防止電子構件的角隅部中的電磁波遮蔽層1的破裂等，可形成屏蔽特性優異之電磁波遮蔽層。

(載置步驟(iii))

載置步驟(iii)於使用依序形成有電磁波遮蔽板2、黏著性樹脂層9、柔軟性脫模板5之積層體之方面與上述之載置步驟(i)、(ii)不同。黏著性賦予樹脂於常溫下顯示黏著性，於加熱壓接時顯示熱硬化性。

準備電磁波遮蔽板2與積層於電磁波遮蔽板2的一面之脫模性基材3之附脫模性基材之多層體4。然後，於附脫模性基材之多層體4中之電磁波遮蔽板2中的未貼合脫模性基材3的面上，經由黏著性樹脂層9積層柔軟性脫模板5(參照圖11)，之後將脫模性基材3剝離而獲得積層體10(參照圖7)。然後，以電磁波遮蔽板2和基板20中之與電磁波遮蔽板2之接合區域對向配置之方式，暫時貼附積層體10(參照圖12)。繼而，於柔軟性脫模板5上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件6(參照圖12)。柔軟性脫模板5與載置於該柔軟性脫模板5上之熱熔融性部件6係重疊相互不接合之不同體之板。積層體亦可在使用時之前捲取成捲筒狀。

藉此，於後述之步驟(c)之加熱壓接步驟中，可有效地防止積層體之翹曲之產生或應變。另外，電磁波遮蔽板2雖經由黏著性樹脂層9與柔軟性脫模板5接合，但藉由於該等之間使用黏著性樹脂層9，於後述之步驟(c)之加熱壓 接步驟中，可吸收電磁波遮蔽板2與柔軟性脫模板5之間所產生之線膨脹係數，可有效地抑制翹曲之產生。結果為，電磁波遮蔽層1的被覆性變得優異。尤其是，可有效地防止電子構件的角隅部中的電磁波遮蔽層1的破裂等，可形成屏蔽特性優異的電磁波遮蔽層。

(步驟(b)的較佳例)

於將電子構件30的高度設為H、將柔軟性脫模板5或脫模性發泡基材7與熱熔融性部件6的合計厚度設為T3(參照圖10)時，較佳為將T3除以H設為0.2以上。藉由設為該範圍，於後述之步驟(c)之加熱壓接步驟中可更有效地發揮基板凹凸形狀追隨特性。T3除以H的更佳的範圍為0.5以上，進而較佳的範圍為0.7以上。可進行熱壓製即可，T3除以H的上限值並無特別限定，就於熱壓製時不自側面熔融而污染裝置之觀點而言，較佳為設為7以下，更佳為6以下，進而較佳為5以下，尤佳為4以下。

將電子構件30排列於基板20上，將電子構件30間的寬度設為W、將柔軟性脫模板5或脫模性發泡基材7與熱熔融性部件6的合計厚度設為T3(參照圖10)時，T3除以W較佳為設為0.1至6。藉由設為該範圍，於後述之步驟(c)之加熱壓接步驟中，可更有效地發揮基板凹凸形狀追隨特性。T3除以W的更佳的範圍為0.2至5，進而較佳的範圍為0.5至4。再者，W之值無需固定，可根據部位而變更。 此情形時，亦較佳為T3除以W處於0.1至6之範圍。

<步驟(c)>

於步驟(b)後，將藉由步驟(b)所獲得之製造基板如圖13所示般夾持於一對壓製基板40間，並進行加熱壓接。電磁波遮蔽板2藉由按壓熱熔融性部件6等而以沿著設置於製造基板之半切割槽之方式延伸，追隨於電子構件30及基板20而被覆，形成電磁波遮蔽層。藉由釋放壓製基板40而獲得如圖14所示之製造基板。繼而，將被覆於較電磁波遮蔽層1更上層之層剝離。藉此，獲得具有被覆電子構件30之電磁波遮蔽層1之構件搭載基板101(參照圖1、2)。加熱壓接步驟的溫度及壓力可根據電子構件30的耐熱性、耐久性、製造設備或需求，於可確保電磁波遮蔽板2的被覆性之範圍內分別獨立地任意設定。作為壓力範圍，並無限定，較佳為0.1MPa至5.0MPa左右，更佳為0.5MPa至2.0MPa之範圍。再者，亦可根據需要於電磁波遮蔽層上設置保護層等。

加熱壓接步驟的加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為110℃以上，進而較佳為120℃以上。另外，作為上限值，依存於電子構件30的耐熱性，較佳為220℃，更佳為200℃，進而較佳為180℃。

加熱壓接時間可根據電子構件的耐熱性、用於電磁波 遮蔽板之黏合劑樹脂、及生產步驟等而設定。於使用熱硬化性樹脂作為黏合劑樹脂之情形時，較佳為1分鐘至2小時左右之範圍。再者，加熱壓接時間較佳為1分鐘至1小時左右。藉由該加熱壓接而使熱硬化性樹脂硬化。但是，熱硬化性樹脂只要可流動，則亦可於加熱壓接前完成部分硬化或實質上硬化。

電磁波遮蔽板2的加熱壓接前的厚度係設為可被覆於電子構件30的頂面及側面及基板20的露出面之厚度。可根據所使用之黏合劑樹脂的流動性或電子構件間的距離W的尺寸而變動，通常較佳為1μm至200μm左右，更佳為5μm至100μm左右，進而較佳為10μm至70μm左右。藉此，可使對密封樹脂之被覆性良好，並且可有效地發揮電磁波屏蔽性。

使用(i)至(iii)之任一者作為載置步驟，且使用作為緩衝材發揮功能之熱熔融性部件，自上方側進行加熱壓接，藉此可使熱熔融性部件6軟化而使電磁波遮蔽板2進行被覆，可被覆電子構件30的頂面及側面以及基板20的露出面。並且，形成於基板20內之接地圖案22與電磁波遮蔽層1電性連接。

於步驟(c)之後，使用切割刀片等，於與基板20中之構件搭載基板101之單個品之製品區域對應之位置沿著 XY方向進行切割。藉此，電子構件30由電磁波遮蔽層1被覆，且形成於基板20之接地圖案22與電磁波遮蔽層1電性連接，從而獲得經單片化之構件搭載基板。

根據第1實施形態之製造方法，使用拉伸斷裂應變為50%至1500%之電磁波遮蔽板，經過步驟(a)至步驟(c)而形成電磁波遮蔽層，所獲得之電磁波遮蔽層的切斷面中的鱗片狀填料的平均厚度為0.05μm至2μm，將鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為20%至50%，藉此可製造具有被覆性高的電磁波遮蔽層之構件搭載基板。另外，亦具有不需要濺鍍等設備投資之優點。於濺鍍裝置之情形時，對側面進行濺鍍時，必須變更底座的角度。另外，於藉由濺鍍而形成電磁波遮蔽層之情形時，為了抑制缺陷，必須根據電子構件的形狀或尺寸來找到最適的條件，而需要進行條件變更。根據第1實施形態，由於無需該等步驟，故而生產性優異。另外，由於使用拉伸斷裂應變為50%至1500%之電磁波遮蔽板，故而對電子構件之凹凸部之被覆性優異。另外，由於可將具有凹凸之複數個電子構件一起被覆，故而生產性優異。另外，由於無論構件的配置位置或形狀等如何均可形成電磁波遮蔽層，故而通用性高。亦容易根據製造基板的尺寸，而裁切為最適尺寸。另外，藉由使用第1實施形態之電磁波遮蔽板，可提供具有形狀追隨性優異的電磁波遮蔽層之構件搭載基板。

另外，由於將電磁波遮蔽板向基板的面方向按壓而使之壓接，故而電子構件的頂面的電磁波遮蔽層的平滑性優異。因此，將製品名或批次編號以噴墨方式或雷射標記方式印字時，可提供文字的視認性提高之高品質的構件搭載基板。另外，具有如下優點：藉由控制加熱壓接時的條件，容易控制厚度，亦容易薄型化。

<第2實施形態>

第2實施形態之構件搭載基板至少具有：基板；構件，搭載於基板的至少一面；及電磁波遮蔽層，被覆前述基板的露出面，前述基板的露出面包含藉由搭載構件而形成之階差部的至少一部分。該電磁波遮蔽層的馬氏硬度為3N/mm²至100N/mm²，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料。並且，將被覆構件的上表面之電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆構件的側面之電磁波遮蔽層的厚度設為T2時，將T1除以T2設為1.1至10。另外，前述鱗片狀粒子係將平均厚度設為0.05μm至2μm，鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為20%至50%。

如上所述，第2實施形態之電磁波遮蔽層係使用熱硬 化性樹脂與硬化性化合物之硬化物。以下，主要對與第1實施形態不同之部位進行說明，與第1實施形態共通之構成、製造方法等適宜省略說明。

[構件搭載基板]

作為第2實施形態之構件搭載基板的一例，可列舉第1實施形態中所說明之圖1、圖2。

第2實施形態之構件搭載基板具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層，該鱗片狀粒子含有層的馬氏硬度為3N/mm²至100N/mm²，含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物及包含鱗片狀粒子之導電性填料。

<電磁波遮蔽層>

電磁波遮蔽層1係藉由下述方式而獲得，亦即，於搭載有電子構件30之基板20上載置後述之電磁波遮蔽板，並進行加熱壓接。電磁波遮蔽層1具有鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物、及包含鱗片狀粒子(薄片狀粒子)之導電性填料。並且，將被覆電子構件30的上表面之電磁波遮蔽層1的厚度設為T1、將被覆電子構件30的側面之電磁波遮蔽層1的厚度設為T2時，T1除以T2為1.1至10，且將電磁波遮蔽層1的馬氏硬度設為3N/mm²至100N/mm²。將鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm之範圍，鱗片狀粒子含有層的切斷部剖面中的導電性 填料的佔有面積設為20%至50%。導電性填料的佔有面積較佳為25%至45%，更佳為30%至40%。藉由設為20%至50%之範圍，可提高刮痕試驗及接地連接性。導電性填料於鱗片狀粒子含有層中連續地接觸，顯示等向性導電性。再者，於後述之電磁波遮蔽板之階段中，有無等向性導電性均可。

較佳為相對於鱗片狀粒子含有層的厚度方向(鱗片狀粒子含有層的主面的法線方向)，鱗片狀粒子含有層內的鱗片狀粒子的厚度方向(鱗片狀粒子的主面的法線方向)大概一致之鱗片狀粒子於作為鱗片狀粒子含有層整體觀察時多。此處，所謂「多」，意指於作為鱗片狀粒子含有層整體觀察時，鱗片狀粒子含有層的厚度方向與鱗片狀粒子含有層內的鱗片狀粒子的厚度方向大概一致之鱗片狀粒子超過半數，所謂「大概一致」，係指與特定方向所成之角度為35°以內。亦即，包括相對於鱗片狀粒子含有層的厚度方向，鱗片狀粒子的厚度方向一致及相對於鱗片狀粒子含有層的厚度方向，鱗片狀粒子的厚度方向所成之角度為35°以內。鱗片狀粒子的配向性可藉由下述方式控制，亦即，控制熱壓製條件，或者變更樹脂的種類或塗敷方法，或者調整金屬填料之分散劑或調平劑之添加。

電磁波遮蔽層1之被覆區域包含藉由搭載電子構件30而形成之階差部(凹凸部)的至少一部分即可，無需被覆搭 載有電子構件30的整個面。為了充分地發揮屏蔽效果，電磁波遮蔽層1較佳為與於基板20的側面或上表面露出之接地圖案22或/及電子構件之連接用配線等接地圖案(未圖示)連接之構成。

電磁波遮蔽層設為單層或複層。於複層之情形時，較佳為將等向性導電層積層2層之態樣。作為較佳的複層的例子，可例示：鱗片狀粒子含有層之積層體、鱗片狀粒子含有層與纖維狀(導線狀)導電層(等向性導電層)之積層體。

使用電磁波遮蔽層，該電磁波遮蔽層係將電磁波遮蔽層1的厚度之比T1除以T2、馬氏硬度設為前述範圍，且具有顯示前述之等向性導電性且切斷部剖面中的導電性填料的佔有面積設為前述範圍之鱗片狀粒子含有層，且不包含非等向性導電性。進而，將鱗片狀粒子的平均厚度設為前述範圍。藉由該等，可提供高品質且被覆性高，耐刮傷性優異的電磁波遮蔽層。另外，可提供膠帶密接性優異之電磁波遮蔽層。此處，膠帶密接性係後述之實施例中進行評價之特性，成為與電子構件之接著性之指標。

就耐刮傷性之觀點而言，馬氏硬度較佳為5N/mm²以上，更佳為7N/mm²以上，進而較佳為10N/mm²以上。就膠帶密接之觀點而言，較佳為98N/mm²以下，更佳為90N/mm²以下，進而較佳為80N/mm²以下，尤佳為70N/mm²以下。

就提供針對擦傷或刮痕而電磁波遮蔽層不易破裂之構件搭載基板之觀點而言，電磁波遮蔽層1的由依據JIS K5600-5-4之鉛筆硬度試驗所得的鉛筆硬度(以下，亦簡稱為鉛筆硬度)較佳為7B以上。更佳為B以上。藉由將馬氏硬度設為3N/mm²至100N/mm²，T1除以T2設為1.1至10，且鉛筆硬度試驗設為7B以上，可獲得更優異的耐刮傷性及耐邊緣部破損性。7B以上的鉛筆硬度例如藉由組合鱗片狀粒子、熱硬化性樹脂及硬化性化合物而容易地獲得。

就獲得優異的電磁波遮蔽特性之觀點而言，鱗片狀粒子含有層中的導電性填料的含量較佳為相對於鱗片狀粒子含有層整體含有50質量%至95質量%。下限值更佳為55質量%，進而較佳為60質量%，尤佳為65質量%。

自先前以來，有於搬送單片化後的IC晶片之過程中接觸於搬送機等之電磁波遮蔽層容易產生損傷之問題。根據第2實施形態，可提供具有以下之電磁波遮蔽層之構件搭載基板，該電磁波遮蔽層的生產性高，高品質且被覆性高，進而耐刮傷性高。

[電子機器]

第2實施形態之構件搭載基板例如可如圖3所示般經由形成於基板20的背面之焊料球24等而安裝於安裝基 板，從而可搭載於電子機器。例如，第2實施形態之構件搭載基板可用於以電腦、平板終端、智慧型手機等為代表之各種電子機器。

[電磁波遮蔽板]

第2實施形態之電磁波遮蔽板係電磁波遮蔽層1的加熱壓接前的板。亦即，藉由將電磁波遮蔽板進行加熱壓接而獲得電磁波遮蔽層1。關於電磁波遮蔽板的特徵，與第1實施形態相同。

將電磁波遮蔽板2的拉伸斷裂應變設為前述範圍，且具有前述之鱗片狀粒子含有層，且不包含非等向性導電層，具有於預定條件下進行加熱壓接時的馬氏硬度及切斷部剖面中的導電性填料的佔有面積成為前述範圍之硬化前的鱗片狀粒子含有層，進而將鱗片狀粒子的平均厚度設為前述範圍，藉此可提供可形成以下之電磁波遮蔽層之電磁波遮蔽板，該電磁波遮蔽層為高品質且被覆性高，耐刮傷性優異。

熱硬化性樹脂的較佳例可列舉：聚胺甲酸乙酯樹脂、聚胺甲酸乙酯尿素樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、環氧系樹脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯醯胺樹脂、聚醚酯樹脂、及聚醯亞胺樹脂。另外，可例示與第1實施形態相同的樹脂。

構成電磁波遮蔽板2之熱硬化性樹脂的Tg較佳為-30℃至100℃，更佳為-10℃至80℃。黏合劑樹脂可使用1種，亦可併用多種。於使用多種之情形時，較佳為將混合前的Tg包含於上述範圍內之樹脂作為主成分(熱硬化性樹脂中的60質量%以上的成分)。電磁波遮蔽板2的材料只要具有於加熱壓接時追隨於電子構件30及露出的基板20的表面之柔軟性，且具有可發揮電磁波屏蔽性之導電特性即可，並無特別限定。

[積層體]

第2實施形態之積層體10與第1實施形態同樣地如圖7所示般具備：電磁波遮蔽板2；黏著性樹脂層9，形成於電磁波遮蔽板2的一主面上；及柔軟性脫模板5，形成於黏著性樹脂層9上。於電磁波遮蔽板2的另一主面上，亦可積層脫模性基材(未圖示)。

[構件搭載基板的製造方法]

第2實施形態之構件搭載基板的製造方法基本上與第1實施形態相同。再者，柔軟性脫模板5係指不包含後述之脫模性發泡基材之非發泡性的柔軟性的脫模板。

<變形例>

接下來，對本實施形態之構件搭載基板等的變形例進 行說明。但是，本發明並不限定於上述實施形態及變形例，只要符合本發明的主旨，則當然其他實施形態亦可屬於本發明之範疇。另外，各實施形態及變形例可相互適宜組合。

於上述實施形態中，作為構件的一例雖以電子構件為例進行了說明，但可對欲遮蔽電磁波之構件整體應用本發明。亦即，搭載於構件搭載基板之構件並不限定於電子構件。另外，構件的形狀並不限定於矩形狀，亦包括角部為R形狀之構件、構件的上表面與側面所成之角度為銳角之構件、鈍角之構件。另外，亦包括於上表面具有凹凸形狀之構件、電子構件的外表面成為球狀等曲面之情形。另外，於上述實施形態中，於基板20形成有半切割槽25(參照圖2)，但半切割槽25並非必需，亦可於平坦的基板載置電磁波遮蔽板而進行被覆。此外，本發明之構件搭載基板亦包括例如將基板20進行全切割而單片化之搭載有電子構件之構件搭載基板載置於另一保持基材等之情形。

亦可使用保持基材進行構件搭載基板之製造。圖15至圖17顯示使用保持基材製造構件搭載基板之方法的一例。首先，如該圖所示，於基板20上搭載IC晶片50等，之後使用模封樹脂51將IC晶片50一起密封。繼而，於基板20中的與IC晶片搭載面為相反側的主面貼附保持基材52，如圖16所示，為了將電子構件30單片化，自模封樹脂51的頂面切割至保持基材52的表面。藉此，基板20亦 與電子構件30一併切斷。

將所獲得之搭載有附保持基材52之電子構件30之基板20如圖17所示般收容於凹部形狀之保持基材固定治具60內。再者，亦可在切割前進行於保持基材固定治具60內的收容。然後，形成電磁波遮蔽層。例如，於電子構件30的頂面暫時貼附積層體10，依序重疊熱熔融性部件6及緩衝紙11，並進行加熱壓接。經過該等步驟而獲得構件搭載基板。

再者，切割亦可進行至保持基材52的內部來用於取代進行至保持基材52的表面之方法。另外，於保持基材52在加熱壓接時因熱所致之尺寸變動小為可忽視之程度時，亦可不使用保持基材固定治具60。作為保持基材52，可例示市售之切割膠帶、金屬基材膠帶及玻璃環氧系之基材。亦可較佳地使用該等素材之積層體。

藉由使用凹部形狀之保持基材固定治具60，即便於使用切割膠帶等容易因熱而軟化之保持基材之情形時，於熱壓製時，亦可藉由保持基材固定治具60的側壁部抑制保持基材的尺寸變動，從而可抑制附電子構件30之基板20之位置偏移。另外，藉由調整凹部形狀的保持基材固定治具60的高度，於熱壓製時，亦可有效地防止熱熔融性部件6之流出。保持基材固定治具60可由專用構件形成，亦可使 熱壓製機的底座成為凹部形狀而使用。

對於電磁波遮蔽層1，雖以將俯視基板20時露出的面全部被覆為例進行了說明，但只要被覆包含藉由搭載構件而形成之階差部的至少一部分之基板的露出面的必要部位即可，亦包括部分被覆之態樣、於被覆層的一部分設置有開口部等之態樣。另外，如圖18所示，亦可較佳地使用於基板20的兩主面形成構件之態樣。

《實施例》

以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於以下之實施例。另外，實施例中記為「份」時，表示「質量份」，記為「%」時，表示「質量%」。另外，本發明中所記載之值係藉由以下之方法而求出。

(1)試驗基板之製作

準備以下之基板，該基板係於由玻璃環氧化物所構成之基板上，呈陣列狀地搭載有經模封密封之電子構件。基板的厚度為0.3mm，模封密封厚度、亦即基板上表面至模封密封材料的頂面的高度(構件高度)H為0.4mm。之後，沿著作為構件彼此的間隙之槽進行半切割從而獲得試驗基板(參照圖19)。製成半切割槽深度為0.5mm(基板20的切割槽深度為0.1mm)、半切割槽寬度如實施例之表所示般變更為100μm至750μm之試驗基板。

以下，顯示實施例中所使用之材料。

導電性填料1：「核體使用銅且被覆層使用銀之鱗片狀粒子(平均粒徑D50=11.0μm、厚度1.1μm、圓形度係數=0.23)」(福田金屬箔粉工業公司製造)。

導電性填料2：「核體使用銅且被覆層使用銀之樹枝狀粒子(平均粒徑D50=9.0μm、圓形度係數=0.12)」(福田金屬箔粉工業公司製造)。

導電性填料3：「核體使用銅且被覆層使用銀之鱗片狀粒子(平均粒徑D50=6.0μm、厚度0.8μm、圓形度係數=0.19)」(福田金屬箔粉工業公司製造)。

導電性填料4：「核體使用銅且被覆層使用銀之鱗片狀粒子(平均粒徑D50=19.0μm、厚度1.0μm、圓形度係數=0.24)」(福田金屬箔粉工業公司製造)。

導電性填料5：Fe-Si-Cr系鱗片狀磁性粒子(平均粒徑D50：9.8μm、厚度0.5μm、圓形度係數0.43)。

導電性填料6：Fe-Co系鱗片狀磁性粒子(平均粒徑D50：13μm、厚度0.6μm、圓形度係數0.69)。

導電性填料7：Mn-Zn系鱗片狀磁性粒子(平均粒徑D50：15μm、厚度0.9μm、圓形度係數0.56)。

熱硬化性樹脂：胺甲酸乙酯尿素樹脂 酸值5[mgKOH/g](Toyochem公司製造)。

硬化性化合物1：環氧樹脂、「JER828」(雙酚A型環氧樹脂 環氧當量=189g/eq)三菱化學公司製造。

硬化性化合物2：環氧樹脂、「Denacol EX212」(2官能環氧樹脂 環氧當量=151g/eq)Nagase ChemteX公司製造。

硬化性化合物3：環氧樹脂、「Adeka Resin EPR-1415-1」(橡膠改質環氧樹脂 環氧當量=400g/eq)Adeka公司製造。

硬化性化合物4：環氧樹脂、「HP-4032D」(萘型環氧樹脂 環氧當量=140g/eq)DIC公司製造。

脫模性基材：表面塗佈有矽脫模劑之厚度為50μm之PET膜。

脫模性發泡基材A：表面塗佈有醇酸樹脂之厚度為50μm、發泡密度110kg/m³、比重1.1、25%壓縮應力0.09MPa之發泡PET膜。

脫模性發泡基材B：表面塗佈有醇酸樹脂之厚度為100μm、發泡密度240kg/m³、比重0.5、25%壓縮應力0.05MPa之發泡胺甲酸乙酯膜。

脫模性發泡基材C：表面塗佈有醇酸樹脂之厚度為100μm、發泡密度220kg/m³、比重0.6、25%壓縮應力0.04MPa之發泡聚丙烯膜。

柔軟性脫模板：「X-44B」(厚度50μm之單層TPX膜)三井化學東賽璐公司製造。

熱熔融性部件：厚度為80μm之軟質氯乙烯板。

<厚度測定>

為了測定電磁波遮蔽層的厚度T1、T2，藉由研磨法進行剖面修整，利用雷射顯微鏡對電磁波遮蔽層的剖面進行 圖像處理。然後，測定厚度T1、T2各自的區域中的厚度最厚的部位的膜厚。針對5個不同的經剖面修整之樣品進行同樣地測定，將測定值的平均值設為厚度T1、T2。

<鱗片狀粒子含有層中的導電性填料的佔有面積>

為了測定電磁波遮蔽層中的鱗片狀粒子含有層中的導電性填料的佔有面積，使用截面拋光儀(cross section polisher)(日本電子公司製造，SM-09010)，對電磁波遮蔽層進行切斷加工，獲得切斷面。針對所獲得之切斷面，使用雷射顯微鏡(Keyence公司製造，VK-X100)，獲取倍率為2000倍之放大畫面。針對所獲得之放大圖像，使用免費軟體之「GIMP2.6.11」讀取圖像資料，對厚度10μm、俯視100μm之鱗片狀粒子含有層中的切斷面進行範圍指定，自動調整閾值，將導電性微粒子轉換為白，將導電性微粒子以外的成分轉換為黑。之後，藉由於柱狀圖中選擇黑區域(0至254)而算出白色之像素數之百分比，亦即厚度10μm、俯視100μm中的導電性填料的佔有面積的比率。於不同的3個部位進行同樣的測定，將平均值設為導電性填料的佔有面積(A)(%)。切斷面之切出部位係於電子構件之圖20所示之e之位置進行。

形成電磁波遮蔽板之切斷面，求出加熱壓製前的鱗片狀粒子含有層的佔有面積(B)(%)(基準)。另外，將電磁波遮蔽板由2片聚醯亞胺膜(Kapton 200EN)夾持，求出於160 ℃、2MPa下進行20分鐘加熱壓接之情形時的佔有面積(A')%。測定方法設為與上述相同。並且，將佔有面積(B)(%)與佔有面積(A')(%)之差((B)-(A'))設為加熱壓製前後之差(%)。

<導電性填料的平均厚度>

基於利用電子顯微鏡將上述之切斷面圖像放大至千倍至5萬倍左右所得之圖像，對約10個至20個不同的粒子進行測定，使用測定值的平均值。

<馬氏硬度之測定>

馬氏硬度係依據ISO14577-1，利用Fischerscope H100C(Fischer Instruments公司製造)型硬度計進行測定。測定係針對電子構件30上的樣品的e面(參照圖20)，使用維氏壓頭(100 φ之頭端為球形之金剛石壓頭)，在25℃之恆溫室中於試驗力0.3N、試驗力之保持時間20秒、試驗力之附加所需時間5秒之條件下進行。針對同一硬化膜面，將隨機地重複測定10個部位所得之值的平均值設為馬氏硬度。再者，試驗力係根據電磁波遮蔽層的厚度進行調整。具體而言，以最大壓入深度成為電磁波遮蔽層的厚度的10分之1左右之方式調整試驗力。

<20°表面光澤度>

電磁波遮蔽層的表面的20°表面光澤度係依據JIS Z8741使用BYK.GARDNER公司之micro-TRI-gloss表面光 澤度計以20°之測定角度進行測定。

<鉛筆硬度試驗(刮痕試驗)>

電磁波遮蔽層的表面的鉛筆硬度係依據JIS K5600-5-4以荷重750g實施鉛筆硬度試驗。評價基準如以下所述。

++：B以上優異。

+：7B以上且未達B為良好的結果。

*：未達7B。

<拉伸斷裂應變之測定>

將藉由以下之方法求出之拉伸斷裂應變(%)設為拉伸斷裂應變。將電磁波遮蔽板切斷為寬度200mm×長度600mm之大小後，自電磁波遮蔽板剝離剝離性板而作為測定試樣。針對測定試樣，使用小型桌上試驗機EZ-TEST(島津製作所公司製造)，於溫度25℃、相對濕度50%之條件下實施拉伸試驗(試驗速度50mm/min)。根據所獲得之S-S曲線(應力應變(Stress-Strain)曲線)，算出電磁波遮蔽板的拉伸斷裂應變(%)。

<線膨脹係數>

本發明之線膨脹係數係使用藉由JIS-K7197所記載之塑膠之利用熱機械分析之線膨脹率試驗方法所測定之值。

<儲存彈性模數>

使用動態彈性模數測定裝置DVA-200(IT Meter & Control公司製造)，對電磁波屏蔽性板進行變形方式「拉伸」、頻率10Hz、升溫速度10℃/分鐘、測定溫度範圍25℃至300℃之條件下之測定，求出150℃下之儲存彈性模數。

<電磁波遮蔽層中的導電性填料的含量的測定>

將獲得測定值之以下區域之電磁波遮蔽層削去，該區域係如圖4、5所示，自上表面的邊緣部朝向電子構件30的表面內側為0.5mm之區域之上方所劃分之區域，且自電子構件30的該邊的中央起70%之範圍。藉由TG-DTA(Thermogravimetric-Differential Thermal Analysis；熱重-差熱分析)求出相對於削去之電磁波遮蔽層的總質量的該電磁波遮蔽層中的導電性填料的質量。

<平均粒徑D50>

平均粒徑係使用雷射繞射、散射法粒度分佈測定裝置LS13320(Beckman Coulter公司製造)，利用Tornado乾粉樣品模組，測定導電性複合微粒子而獲得之平均粒徑D50的數值，係粒徑累積分佈中的累積值為50%的粒徑。分佈係設為體積分佈，折射率之設定係設為1.6。只要為該粒徑即可，可為一次粒子亦可為二次粒子。

<酸值之測定>

精密地稱取黏合劑樹脂(熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂)約1g置於具栓錐形瓶中，添加甲苯/乙醇(體積比：甲苯/乙醇=2/1)混合液50mL進行溶解。向前述溶液中添加酚酞試液作為指示劑，保持30秒。之後，利用0.1mol/L醇性氫氧化鉀溶液進行滴定直至溶液呈現淡紅色。酸值係藉由下式求出。酸值係設為樹脂乾燥狀態的數值。

酸值(mgKOH/g)=(a×F×56.1×0.1)/S

S：試樣的採取量×(試樣之固形物成分/100)(g)。

a：0.1mol/L醇性氫氧化鉀溶液的滴定量(mL)。

F：0.1mol/L醇性氫氧化鉀溶液的效價。

<重量平均分子量(Mw)之測定>

Mw之測定係使用東曹公司製造之GPC(Gel Permeation Chromatography；凝膠滲透層析儀)「HPC-8020」。GPC係將溶解於溶劑(THF；四氫呋喃)之物質根據該物質的分子尺寸的差進行分離定量之液體層析儀。測定係串聯連接使用2根「LF-604」(昭和電工公司製造：迅速分析用GPC管柱：6mmID×150mm尺寸)作為管柱，於流量0.6mL/min、管柱溫度40℃之條件下進行，利用聚苯乙烯換算確定重量平均分子量(Mw)。

[實施例1](製法(i))

將100份的熱硬化性樹脂(固形物成分)、25份的環氧樹脂1、25份的環氧樹脂2、185份的導電性填料1、及185 份的導電性填料2添加至容器中，以不揮發成分濃度成為45質量%之方式添加甲苯：異丙醇(質量比2：1)之混合溶劑，以分散機攪拌10分鐘而獲得樹脂組成物。

使用刮刀將該樹脂組成物以乾燥厚度成為60μm之方式塗敷於脫模性基材。然後，於100℃下乾燥2分鐘，藉此獲得脫模性基材與電磁波遮蔽板積層而成之附脫模性基材之多層體。

將該附脫模性基材之多層體切割成10cm×10cm，載置於圖19所顯示之試驗基板而暫時貼附。之後，於剝離而去除了脫模性基材之面載置柔軟性脫模板，進而於該柔軟性脫模板之上重疊載置8片熱熔融性部件，藉此獲得熱壓製用之緩衝積層體。自前述緩衝積層體的上方，對基板面以2MPa、160℃之條件進行20分鐘熱壓製。熱壓製後，藉由移除柔軟性脫模板及熱熔融性部件而獲得被覆有電磁波遮蔽層之構件搭載基板。

[實施例2至實施例16、實施例19至實施例21、實施例25至實施例32及比較例1至比較例4]

將各成分及各成分的調配量(質量份)、電子構件的搭載間隔、T3的厚度如表1、2所顯示般變更，將載置步驟製程等如表2所顯示般變更，除此以外，以與實施例1相同的方式製作構件搭載基板。表1所顯示之樹脂的調配量係固形物成分質量。

[實施例17](製法(ii))

將100份的熱硬化性樹脂(固形物成分)、25份的環氧樹脂1、25份的環氧樹脂2、185份的導電性填料1、及185份的導電性填料2添加至容器中，以不揮發成分濃度成為45質量%之方式添加甲苯：異丙醇(質量比2：1)之混合溶劑，以分散機攪拌10分鐘而獲得樹脂組成物。

將該樹脂組成物以乾燥厚度成為60μm之方式使用刮刀塗敷於脫模性發泡基材A，藉由於100℃下乾燥2分鐘而獲得電磁波遮蔽板與脫模性發泡基材A之附脫模性發泡基材之多層體。

將該附脫模性泡基材之多層體切割成10cm×10cm，以電磁波遮蔽板之面與圖19所顯示之試驗基板(電子構件30的上表面)接觸之方式進行載置而暫時貼附。之後，於脫模性發泡基材A之上重疊載置8片熱熔融性部件。自前述緩衝積層體的上方，對基板面於2MPa、160℃之條件下進行20分鐘熱壓製。熱壓製後，移除脫模性發泡基材A及熱熔融性部件，藉此獲得被覆有電磁波遮蔽層之構件搭載基板。

[實施例22至實施例24](製法(ii))

除了將脫模性發泡基材A變更為脫模性基材、脫模性發泡基材B、脫模性發泡基材C之外，其他以與實施例17相同的方法獲得構件搭載基板。

[實施例18](製法(iii))

將100份的熱硬化性樹脂(固形物成分)、25份的環氧 樹脂1、25份的環氧樹脂2、185份的導電性填料1、及185份的導電性填料2添加至容器中，以不揮發成分濃度成為45質量%之方式，添加甲苯：異丙醇(質量比2：1)之混合溶劑，以分散機攪拌10分鐘而獲得樹脂組成物。

將該樹脂組成物以乾燥厚度成為60μm之方式使用刮刀塗敷於脫模性基材。然後，於100℃下乾燥2分鐘，藉此獲得於脫模性基材的一面上積層有電磁波遮蔽板之附脫模性基材之多層體。

另外，將100份的熱硬化性樹脂(固形物成分)、25份的環氧樹脂(jER828：三菱化學公司製造)、及1份的萜烯樹脂(YS Resin PX 1250：Yasuhara Chemical公司製造)添加至容器中，以不揮發成分濃度成為45質量%之方式，添加甲苯：異丙醇(質量比2：1)之混合溶劑，以分散機攪拌10分鐘而獲得黏著劑樹脂組成物。

繼而，於柔軟性脫模板的一面，以乾燥後的厚度成為10μm之方式利用刮刀塗敷黏著劑組成物，於100℃下乾燥2分鐘，藉此獲得一面形成有黏著性樹脂層之附黏著性樹脂層之柔軟性脫模板。

利用貼合機使前述附脫模性基材之多層體之電磁波遮蔽板面與前述附黏著性樹脂層之柔軟性脫模板之黏著性樹脂層貼合，藉由將電磁波遮蔽板側之脫模性基材剝離而獲得積層體。

將該積層體切割成10cm×10cm，以電磁波遮蔽板之面與試驗基板接觸之方式載置，進行暫時貼附。之後，於柔 軟性脫模板上重疊載置8片熱熔融性部件，藉此獲得熱壓製用之緩衝積層體。自前述緩衝積層體的上方對整個面於2MPa、160℃之條件下進行20分鐘熱壓製。熱壓製後，將柔軟性脫模板及熱熔融性部件移除，藉此獲得被覆有電磁波遮蔽層之構件搭載基板。

針對上述實施例及比較例，利用以下之測定方法及評價基準進行評價。

<電磁波遮蔽層的被覆前後的翹曲量評價>

將厚度125μm之聚醯亞胺膜(Du Pont-Toray公司製造之Kapton 500H)切割成11cm×11cm，將厚度為50μm之電磁波遮蔽板切割成10cm×10cm，對上述聚醯亞胺膜的中央部以160℃、2MPa進行熱壓製後，將端邊固定，測定該固定端邊相反的端邊的翹曲量。

++：翹曲量未達2mm為良好的結果。

+：翹曲量為2mm以上且未達5mm實用上無問題。

NG：翹曲量為5mm以上。

<階差追隨性評價>

針對實施例1至實施例32、比較例1至比較例4中所獲得之構件搭載基板，使用HIOKI公司製造之RM3544及針型引線探針，測定圖20之剖面圖所顯示之底部的接地端子a-b間的連接電阻值，藉此對階差追隨性進行評價。

評價基準如以下所述。

++：連接電阻值未達200mΩ。為良好的結果。

+：連接電阻值為200mΩ以上且未達1000mΩ。實用上無問題。

NG：連接電阻值為1000mΩ以上。

<耐邊緣部破損性>

藉由顯微鏡觀察圖20所顯示之構件搭載基板的邊緣部的破損而進行評價。觀察係對不同的4個部位的邊緣部進行評價。

評價基準係如以下所述。

++：無破損。為良好的結果。

+：一部分破損，電子構件露出，但實用上無問題。

NG：未達上述+之評價，或者於邊緣整體產生破損而電子構件全部露出。

<接地連接評價>

針對實施例1至實施例32、比較例1至比較例4中所獲得之構件搭載基板，使用HIOKI公司製造之RM3544及針型引線探針，測定圖20之剖面圖所顯示之底部的接地端子b-c間的連接電阻值，藉此對接地連接性進行評價。

評價基準係如以下所述。

++：連接電阻值未達200mΩ。為良好的結果。

+：連接電阻值為200mΩ以上且未達1000mΩ。實用 上無問題。

NG：連接電阻值為1000mΩ以上。

<膠帶密接性>

於所獲得之構件搭載基板的e面(參照圖20)，依據JISK5400使用十字切割導板，製成25個間隔為1mm之棋盤格。之後，使黏著膠帶牢固地壓接於棋盤格部，將膠帶的端部以45°之角度瞬間剝離，按照下述之基準判斷棋盤格之狀態。

++：任何晶格之格均未被剝離。

+：塗膜沿著切割線而部分剝離。剝離率為15%以上且未達35%。

NG：塗膜沿著切割線而部分或整面剝離。剝離率為35%以上。

<印字視認性>

於所獲得之構件搭載基板的e面(參照圖20)，使用白色油墨(東洋油墨公司製造)且利用網版印刷進行印字。印字尺寸係設為5點。於暗室內對印字部照射60W之LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈，自以水平面為基準為20°、45°、90°之角度，與印字隔開50cm之距離，以目視確認能否視認印字。再者，評價基準係如以下所述。

+++：20°、45°、90°全部可視認為非常良好的結果。

++：於45°、90°下可視認為良好的結果。

+：於90°下可視認實用上無問題。

NG：未達前述+評價，或者於所有角度下均無法視認。

圖21顯示實施例14之電磁波遮蔽板之切斷部剖面圖，圖22顯示實施例14之電磁波遮蔽層之切斷部剖面圖。

將實施例及比較例之構件搭載基板之評價結果顯示於表3、4。另外，電磁波遮蔽板的線膨脹係數、拉伸斷裂應變、儲存彈性模數顯示於表1。

T1/T2為0.9之比較例1中，接地連接性為實用範圍外。另外，T1/T2為12.0、馬氏硬度為2N/mm²之比較例2中，階差追隨性、耐邊緣部破損性為實用範圍外。另外，馬氏硬度為113N/mm²之比較例3中，階差追隨性為實用範圍外，接地連接性及膠帶密接性亦為實用範圍外。進而，導電性填料的佔有面積為19%之比較例4中，在耐邊緣部破損性、接地連接性、翹曲量等方面存在課題。另一方面，根據本實施例，在階差追隨性、耐邊緣部破損性、接地連接性、膠帶密接及印字視認性方面獲得優異的結果，進而刮痕試驗之結果亦良好。

(產業可利用性)

根據本發明之構件搭載基板，對凹凸結構之被覆性優異，故而亦適於內置於個人電腦、行動機器或數字相機等中的硬碟、纜線及印刷配線板等。另外，本發明之電磁波遮蔽板及積層體亦可應用於未搭載構件之凹凸形狀面。

Claims (23)

1. 一種構件搭載基板的製造方法，包括：於基板搭載構件之步驟；將電磁波遮蔽板設置於搭載有前述構件之前述基板上之載置步驟；以及以前述電磁波遮蔽板追隨於前述基板的露出面之方式，藉由加熱壓接進行接合而獲得電磁波遮蔽層之步驟，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分；作為前述電磁波遮蔽板，係使用以下之板：該板的拉伸斷裂應變為50%至1500%，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱塑性樹脂或/及熱硬化性樹脂、硬化性化合物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料；以將被覆前述構件的上表面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆前述構件的側面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T2時T1除以T2成為1.1至10之方式進行被覆；將前述鱗片狀粒子的平均厚度設為0.05μm至2μm；將前述電磁波遮蔽層中的前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積設為20%至50%。
2. 如請求項1所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述載置步驟係選自以下之(i)至(iii)之任一個：(i)將具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性基材之附脫模性基材之多層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附後，剝離前述脫模性基材，繼而於前述電磁波遮蔽板上載置柔軟性脫模板，進而於前述柔軟性脫模板上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件；(ii)將具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性發泡基材之附脫模性發泡基材之多層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附前述附脫模性發泡基材之多層體，繼而於前述脫模性發泡基材上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件；(iii)準備具備前述電磁波遮蔽板、及積層於該電磁波遮蔽板的一主面上之脫模性基材之附脫模性基材之多層體，繼而於前述電磁波遮蔽板中的未貼合前述脫模性基材的面上，經由黏著性樹脂層積層柔軟性脫模板，之後剝離前述脫模性基材，藉此獲得積層體，以前述基板與前述電磁波遮蔽板對向配置之方式暫時貼附前述積層體，繼而於前述柔軟性脫模板上至少載置藉由熱而軟化之熱熔融性部件。
3. 如請求項2所記載之構件搭載基板的製造方法，其中將前述構件的高度設為H、將前述柔軟性脫模板或前 述脫模性發泡基材與前述熱熔融性部件的合計厚度設為T3時，T3除以H為0.2以上。
4. 如請求項2或3所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述構件排列於前述基板上，將該構件間的寬度設為W、將前述柔軟性脫模板或前述脫模性發泡基材與前述熱熔融性部件的合計厚度設為T3時，T3除以W為0.1至6。
5. 如請求項1或2所記載之構件搭載基板的製造方法，其中於前述基板上形成複數個前述構件，遍佈複數個前述構件上及前述構件間而形成前述電磁波遮蔽層。
6. 如請求項1或2所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述電磁波遮蔽板於25℃至125℃下的線膨脹係數為100ppm/℃至700ppm/℃。
7. 如請求項1或2所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述導電性填料進而包含選自由樹枝狀粒子及球狀粒子所組成之群組中之粒子。
8. 如請求項1或2所記載之構件搭載基板的製造方法，其中前述導電性填料為電磁波吸收填料。
9. 一種構件搭載基板，具備：基板；構件，搭載於前述基板的至少一面；以及電磁波遮蔽層，被覆前述基板的露出面，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分； 前述電磁波遮蔽層的馬氏硬度為3N/mm ²至100N/mm ²，進而具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂與硬化性化合物之硬化物、及包含鱗片狀粒子之導電性填料；將被覆前述構件的上表面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T1、將被覆前述構件的側面之前述電磁波遮蔽層的厚度設為T2時，T1除以T2為1.1至10；前述鱗片狀粒子的平均厚度為0.05μm至2μm；前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積為20%至50%。
10. 如請求項9所記載之構件搭載基板，其中前述電磁波遮蔽層的20°表面光澤度為0.1%至20%。
11. 如請求項9或10所記載之構件搭載基板，其中前述鱗片狀粒子含有層含有相對於該鱗片狀粒子含有層整體的質量為50質量%至95質量%的前述導電性填料。
12. 如請求項9或10所記載之構件搭載基板，其中前述導電性填料為電磁波吸收填料。
13. 如請求項9或10所記載之構件搭載基板，其中前述導電性填料進而包含樹枝狀粒子及球狀粒子之至少任一個。
14. 如請求項9或10所記載之構件搭載基板，其中前述電磁波遮蔽層包含2層等向性導電層，且前述等向性導電層中的至少一層為前述鱗片狀粒子含有層。
15. 一種電子機器，具備如請求項9至14中任一項所記載之構件搭載基板。
16. 一種電磁波遮蔽板，係用於構件搭載基板之電磁波遮蔽層的加熱壓接前的板，前述構件搭載基板具備：基板；構件，搭載於前述基板的至少一面；以及前述電磁波遮蔽層，被覆前述基板的露出面，前述基板的露出面包含藉由搭載前述構件而形成之階差部的至少一部分；拉伸斷裂應變為50%至1500%；具有顯示等向性導電性之鱗片狀粒子含有層且不包含非等向性導電層，前述鱗片狀粒子含有層含有熱硬化性樹脂、硬化性化合物及包含鱗片狀粒子之導電性填料；以160℃、2MPa進行20分鐘加熱硬化時的馬氏硬度為3N/mm ²至100N/mm ²；前述鱗片狀粒子的平均厚度為0.05μm至2μm；以160℃、2MPa進行20分鐘加熱硬化時的前述鱗片狀粒子含有層的厚度方向的切斷部剖面中的前述導電性填料的佔有面積為20%至50%。
17. 如請求項16所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂係選自聚胺甲酸乙酯樹脂、聚胺酸酯尿素樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂及聚醯胺樹脂中之樹脂。
18. 如請求項16或17所記載之電磁波遮蔽板，其中前述鱗片狀粒子的平均粒徑D50為2μm至100μm。
19. 如請求項16或17所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂的酸值為3至20。
20. 如請求項16或17所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂中的反應性官能基包含羧基、羥基之至少任一個。
21. 如請求項16或17所記載之電磁波遮蔽板，其中前述熱硬化性樹脂的重量平均分子量為20,000至150,000。
22. 如請求項16或17所記載之電磁波遮蔽板，其中線膨脹係數為100ppm/℃至700ppm/℃。
23. 一種積層體，具備：如請求項16至22中任一項所記載之電磁波遮蔽板；黏著性樹脂層，形成於前述電磁波遮蔽板上；以及柔軟性脫模板，形成於前述黏著性樹脂層上。