JP2024000949A - 導電性シート、電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】新規な電子部品及びその製造方法、及び、これらに用いる導電性シートを提供する。【解決手段】第１固定部材に対して、導電層被覆前の電子部品である被覆前電子部品を固定する第１固定段階と、凹部を有する第２固定部材に対して、導電性シートを固定する第２固定段階と、第２固定部材の凹部と被覆前電子部品が組み合うように、第１固定部材と第２固定部材とを閉じ合わせて被覆前電子部品に導電性シートを転写し、これにより被覆前電子部品の表面に導電層を形成する導電層形成段階と、を含む、導電層を備える電子部品の製造方法を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性シート、電子部品及びその製造方法に関する。

電磁波シールドが施された電子部品やその製造方法が知られている（例えば、特許文献１～３等）。
［特許文献１］特開２０１８－０１０９６４号公報
［特許文献２］特開２００９－１６７１５号公報
［特許文献３］ＷＯ２０１６／０５１７００

本発明の第１の態様においては、第１固定部材に対して、導電層被覆前の電子部品である被覆前電子部品を固定する第１固定段階と、凹部を有する第２固定部材に対して、導電性シートを固定する第２固定段階と、第２固定部材の凹部と被覆前電子部品が組み合うように、第１固定部材と第２固定部材とを閉じ合わせて被覆前電子部品に導電性シートを転写し、これにより被覆前電子部品の表面に導電層を形成する導電層形成段階と、を含む、導電層を備える電子部品の製造方法を提供する。

ここで、上記製造方法において、第２固定段階は、導電性シートと離型シートとを含む複合シートの離型シート側を第２固定部材に固定する段階であってよい。導電層形成段階は、離型シートから導電層シートを剥離させることにより、導電性シートを被覆前電子部品に転写させる段階であってよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、離型シートは、伸縮性基材を含んでよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、第１固定段階が、複数個の被覆前電子部品が仮固定されたキャリアを第１固定部材に固定する段階を含んでよい。また、上記製造方法のいずれかは、導電層形成段階の後に、複数個の被覆前電子部品をキャリアから分離して個片化する個片化段階を含んでよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、導電層被覆前の電子部品は、チップ部と、チップ部を搭載する中継基板とを含んでよい。また、中継基板は２層又は３層以上のグランド層を含んでよい。また、導電層形成段階において、導電性シートはグランド層のうち２層以上又は全層と接触するように、第１固定部材と第２固定部材が閉じ合わされてよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、第２固定部材は開口を有してよい。第２固定段階において、開口を介して吸引動作を行うことにより、導電性シートの固定を行ってよい。

ここで、上記製造方法のいずれかは、第１固定段階及び第２固定段階の後であって、導電層形成段階の前に、被覆前電子部品及び導電性シートが固定された空間を減圧する減圧段階を含んでよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、減圧される空間の真空度は、吸引動作による真空度よりも高い圧力値であってよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、減圧段階において、空間の真空度が４０００Ｐａ以下となるように減圧してよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、導電性シートは、バインダー樹脂及び導電性フィラーを含んでよい。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、導電層形成段階において、第１固定部材と第２固定部材とを閉じ合わせた後、第１固定部材と第２固定部材とを加熱しながら押圧を行うことにより、導電層を形成してよい。上記の導電層形成工程は加熱せず押圧のみでも良い。

ここで、上記製造方法のいずれかにおいて、押圧は１～３ＭＰａの圧力で行われてよい。

第２の態様においては、チップ部、及び、チップ部を搭載し、２層又は３層以上のグランド層を含む中継基板を有する被覆前電子部品と、被覆前電子部品の天面及び側面を覆う導電層と、を含む電子部品であって、導電層はグランド層のうち２層以上又は全層と接触している、電子部品を提供する。

上記の電子部品は、側面における導電層の側面厚さ（ＳＴ）と、天面における導電層の天面厚さ（ＴＴ）により計算されるＳＴ／ＴＴが０．５～１．０の範囲であってよい。

ここで、上記電子部品のいずれかにおいて、天面厚さ（ＴＴ）及び側面厚さ（ＳＴ）は、１０～５０μｍの範囲であってよい。

ここで、上記電子部品のいずれかにおいて、側面における導電層の側面厚さ（ＳＴ）と、天面と側面とが接続する角部における導電層の角部厚さ（ＣＴ）により計算されるＣＴ／ＴＴが０．５～１．５の範囲であってよい。

ここで、上記被覆前電子部品の側面および、前記側面に形成される導電層は、段差が形成されない平坦形状であってよい。

第３の態様においては、電子部品用の導電性シートであって、８０℃における破断伸度が２０～１０００％であり、８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、導電性シートを提供する。

上記導電性シートにおいて、１８０℃、２時間加熱後における、２５℃における破断伸度が１～２０％であり、２５℃における弾性率が８００ＭＰａ～１０ＧＰａであってよい。

ここで、上記導電性シートのいずれかにおいて、バインダー樹脂及び導電性フィラーを含んでよい。

第４の態様においては、上記第３の態様のいずれかの導電性シートと、離型シートと、を含む複合シートを提供する。

上記複合シートにおいて、離型シートの１１０℃における貯蔵弾性率が１０７～１０８Ｐａであり、離型シートの１１０℃における破断伸度が５００～３０００％であってよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴のすべてを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本実施形態における、電子部品１０の一例を示す。 本実施形態における、導電層４０の厚さの一例を示す。 本実施形態における電子部品１０の製造方法のフローの一例を示す。 キャリア６０を用いたＳ１００の一例を示す。 第１固定部材６２を用いたＳ１００の一例を示す。 本実施形態における複合シート５０の一例を示す。 本実施形態における複合シート５０の別の一例を示す。 第２固定部材７２を用いたＳ２００の一例を示す。 Ｓ４００の一例を示す。 Ｓ４００の離型シート５２の剥離後の一例を示す。 Ｓ５００の一例を示す。 Ｓ５００の一例を示す。 実施例及び参考例における試験用の被覆前電子部品１１を示す。 導電層４０の突出長（Ｓ１）の一例を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態における、電子部品１０の一例を示す。電子部品１０は、ＩＣチップ等のチップが基板に搭載された部品であり、良好な電磁波シールド性を有する。電子部品１０は、チップ部２０と、中継基板３０と、導電層４０とを備える。

チップ部２０は、ＩＣチップ等の集積回路によるチップを含んで良い。チップ部２０は、更にコンデンサ、インダクタンス、弾性波素子等の受動素子をさらに含んでもよい。チップ部２０は、チップ又は受動素子そのもの又は、チップ及び／又は受動素子を封止樹脂で封止、成形したものであってもよい。チップ部２０は、直方体形状、多角柱形状またはこれらに類似した形状を有してよい。

中継基板３０は、電子部品１０を搭載するマザーボードとチップ部２０とを電気的に中継する基板であってよい。中継基板３０は、いわゆるインターポーザとも呼ばれるものであってよい。中継基板３０は、導電パターン層３１、グランド層３２、及び、絶縁部３４を含んでよい。

導電パターン層３１は、銅、銀又はニッケル等の導電材料を含み、中継基板３０においてチップ／受動素子間の接続及び／又は中継回路等として機能する導電層であってよい。導電パターン層３１は、予め定められた平面形状にパターンニングされていてよい。中継基板３０には、２層又は３層以上の導電パターン層３１が設けられてよい。例えば、図１では導電パターン層３１Ａと導電パターン層３１Ｂの２層が設けられている。導電パターン層３１Ｂは、チップ部２０のチップや受動素子と電気的に接続されていてよい。

グランド層３２は、銅、銀又はニッケル等の導電材料を含み、中継基板３０においてグランド（接地）として機能する層であってよい。グランド層３２は、予め定められた平面形状にパターンニングされていてよい。中継基板３０には、２層以上のグランド層３２が設けられてよい。例えば、図１では絶縁部３４を挟みグランド層３２Ａとグランド層３２Ｂの２層が設けられている。

絶縁部３４は、中継基板３０において絶縁性を発揮する層／領域である。絶縁部３４は、支持基板、プリプレグ、及び／又は、絶縁樹脂層等であってよい。例えば、中継基板３０の中心部に位置する絶縁部３４Ａは、支持基板であってよい。支持基板は、ガラスクロス、セラミック基板またはガラスエポキシ基板等の絶縁基板を、単層又は多層に積層したものであってよい。例えば、絶縁部３４Ａ及びグランド層３２Ａ及びグランド層３２Ｂの外側に位置する絶縁部３４Ｂ及び絶縁部３４Ｃはプリプレグであってよい。例えば、絶縁部３４Ｄ及び絶縁部Ｅは、樹脂レジスト等の絶縁樹脂であってよい。

導電層４０は、銅、銀又はニッケル等の導電材料を含み、電子部品１０の電磁波シールド層として機能するものであってよく、他の機能を目的としたものでもよい。導電層４０は、（導電層４０を除く）電子部品１０の天面（図１における上側）及び側面（図１における左右側）を覆ってよい。導電層４０は、電子部品１０の天面の全面又は一部を覆ってよい。導電層４０は、電子部品１０の側面の全面又は一部を覆ってよい。

図２は、導電層４０の厚さを示す断面図の一例を示す。図２においてＴＴは電子部品１０の天面における導電層４０の厚さを示し、ＳＴは電子部品１０の側面における導電層４０の厚さを示し、ＣＴは電子部品１０の天面と側面とが接続する角部における導電層４０の角部厚さを示す。角部厚さＣＴは、チップ部２０の角部の頂点から測定して最も近く膜厚が薄い部分の導電層４０の厚さ、又は、チップ部２０の角部から４５％斜め上方へ向かう方向における導電層４０の厚さであってよい。これら導電層４０の厚さは、電子部品１０の切断断面を電子顕微鏡等により観察することにより特定してよい。

切断断面を得る方法として、カミソリのような鋭利な刃物で対象サンプルを切断する方法（ミクロトーム法）、カッター等で切り出した対象サンプルの断面を研磨紙によって整える方法、クロスセクションポリッシャー装置によりイオンビームを試料に照射して加工を行う方法（イオンミリング法）があり、種々の方法で断面を得ることが出来るが、これらの中でもイオンミリング法が最も好ましい。

導電層４０の天面における厚さ（ＴＴ）、側面における厚さ（ＳＴ）及び／又は角部厚さ（ＣＴ）は１０～５０μｍであってよく、特に２０～４０μｍが好ましい。天面の厚さ（ＴＴ）と側面部の厚さ（ＳＴ）が大きく乖離していないことが望ましい。例えば、側面厚さ（ＳＴ）と、天面厚さ（ＴＴ）により計算されるＳＴ／ＴＴが０．５～１．０、より好ましくは０．７～１．０、更に好ましくは０．９～１．０の範囲であることが望ましい。導電層４０の厚さが上記を満たすことで、加湿試験（例えば１３０℃８５％９６時間）等の負荷試験の後であっても接続抵抗値を低く抑え、高いシールド性を維持することができる。

側面厚さ（ＳＴ）と電子部品１０の天面と側面とが接続する角部における導電層４０の角部厚さ（ＣＴ）により計算されるＣＴ／ＴＴが０．５～１．５、より好ましくは０．７～１．３、更に好ましくは０．９～１．１の範囲であることが望ましい。導電層４０の厚さが上記を満たすことで、加湿試験（例えば１３０℃８５％９６時間）等の負荷試験の後であっても接続抵抗値の上昇率を低く抑え、高いシールド性を維持することができる。

導電層４０は、グランド層３２と電気的に接触する。これにより、導電層４０をグランド層３２を介して接地することができ、チップ部２０に含まれるチップや素子が外部機器から電磁波干渉を受けることを防ぐことができる。特に導電層４０はグランド層３２のうち２層以上又は全層と接触していてよい。この場合、導電層４０は、電子部品１０の側面の全面を覆ってよい。導電層４０が複数（望ましくは全て）のグランド層３２と接触していることで、加湿試験（例えば１３０℃８５％９６時間）等の負荷試験の後であっても接続抵抗値を低く抑え、高いシールド性を維持することができる。

電子部品１０の側面に形成される導電層４０は、段差が形成されない平坦形状であってよい。これにより、導電層４０がより確実かつ強固にグランド層３２と接続することができ、電子部品１０の実装をより容易に行うことができるようになる。

本実施形態の導電層４０によれば、電磁波（特に１０Ｍ～１０００ＭＨｚの周波数）に対して優れたシールド性を発揮し、例えば４０ｄＢ以上のシールド性能を発揮することができる。

電子部品１０は、必要に応じて他の構成を有してもよい。例えば、電子部品１０は、最下面側（図１の下側）に半田バンプ等の外部端子を有してもよい。

電子部品１０の全体の厚みは、任意の厚さであってよいが、１．０ｍｍ以上が好ましく、例えば１．２ｍｍ以上、２．０ｍｍ以上であってよい。特に後述する製造方法によれば、厚さ１．０ｍｍから２．０ｍｍ以上の高背の電子部品１０を製造することができる。

図３は、本実施形態における電子部品１０の製造方法のフローの一例を示す。電子部品１０は、Ｓ１００～Ｓ５００の少なくとも一部を実行することにより製造されてよい。

説明の便宜上Ｓ１００～Ｓ５００をこの順に説明するが、これらの処理は別の順番で実行されてよく、及び／又は、少なくとも一部が並列に実行されてもよい。

Ｓ１００において、第１固定段階が実行される。第１固定段階においては、第１固定部材６２に対して、導電層４０の被覆前の電子部品１０である被覆前電子部品１１を固定してよい。以下、図４～５を用いてＳ１００の一例を説明する。

図４は、キャリア６０を用いたＳ１００の一例を示す。第１固定段階は、被覆前電子部品１１が仮固定されたキャリア６０を第１固定部材６２に固定することにより行われてよい。すなわち、被覆前電子部品１１は、第１固定部材６２に固定する前に、まずキャリア６０に搭載されてよい。被覆前電子部品１１は、図１等で説明した電子部品１０であって、導電層４０が形成される前の状態のものを指す。被覆前電子部品１１の中継基板３０側がキャリア６０に搭載されてよい。

キャリア６０は、被覆前電子部品１１を搭載可能なフィルム、シート又は基板等であって、後述する減圧段階や加熱に耐えうるものであればよい。キャリア６０の表面には被覆前電子部品１１を接着するための接着層又は粘着層が形成されてよい。キャリア６０の表面には被覆前電子部品１１を後で剥離するための剥離層が形成されてもよい。例えば、キャリア６０は、ダイシングテープ等の微粘着フィルムであってよい。

また、キャリア６０の別の具体例として、接着層又は粘着層を兼ねる熱剥離層が形成された金属製板部材、接着層又は粘着層を兼ねる紫外線剥離層が形成されたガラス製板部材を挙げることができる。接着層又は粘着層を兼ねる熱剥離層が形成された金属製板部材は、加熱により金属製板部材から熱剥離層を剥離することができる。接着層又は粘着層を兼ねる紫外線剥離層が形成されたガラス製板部材は、レーザー等を用いた紫外線照射により金属製板部材から熱剥離層を剥離することができる。

被覆前電子部品１１は、キャリア６０上に単数又は複数配置されてよい。被覆前電子部品１１を複数配置する場合、後述する第２固定部材７２の凹部７６に対応する位置に配置する。例えば、被覆前電子部品１１は、キャリア６０上にＮ個×Ｍ個のアレイ状に配置されてよい。これにより後の個片化が容易になる。Ｎ、Ｍはそれぞれ２～２０程度であってよいし、これ以上の配置数であってもよい。

図５は、第１固定部材６２を用いたＳ１００の一例を示す。被覆前電子部品１１を搭載したキャリア６０を、第１固定部材６２に固定する。これにより、被覆前電子部品１１を第１固定部材６２に固定してよい。第１固定部材６２は、板状の部材であってよい。第１固定部材６２は、後述する減圧段階や加熱に耐えうるものが好ましく、例えば、金型等の金属板、セラミック板又は樹脂板等であってよい。

第１固定部材６２は、吸引により被覆前電子部品１１を固定してよい。例えば、第１固定部材６２の主面には、開口６４が設けられてよい。第１固定部材６２は、開口６４を介して吸引動作を行うことにより、キャリア６０を介して被覆前電子部品１１の固定を行ってよい。

第１固定部材６２は、他の方法により被覆前電子部品１１を固定してもよい。例えば、第１固定部材６２は、接／粘着剤、ネジ等の固定具、磁石、機械的保持機構（メカニカルチャック、メカニカルクランプ含む）等により被覆前電子部品１１を固定してもよい。ただし、高い位置精度を実現するには、吸引による固定が好ましい。

図５では、被覆前電子部品１１がキャリア６０を介して第１固定部材６２に間接的に固定される例を示した。これに代えて、被覆前電子部品１１はキャリア６０を介さずに、上記したものと同様の方法で第１固定部材６２に直接に固定されてもよい。

Ｓ２００において、第２固定段階が実行される。第２固定段階において、凹部７６を有する第２固定部材７２に対して、導電性シート５４を固定する。第２固定段階は、導電性シート５４を含む複合シート５０を第２固定部材７２に固定することにより行われてよい。

図６は、本実施形態における複合シート５０の一例を示す。図示するように複合シート５０は、離型シート５２と導電性シート５４とが張り合わされたものであってよい。

離型シート５２は、導電性シート５４を後に剥離できるように、離型性を有するものであればよく、樹脂フィルム等であってよい。離型シート５２は、特に伸縮性基材を含むことが好ましい。伸縮性を有することで、後に第２固定部材７２が第１固定部材６２に閉じ合わされる際に、離型シート５２が伸縮性を発揮して被覆前電子部品１１の形状に適合するように伸縮することができる。離型シート５２は、クッション性を有するものであってよい。例えば、離型シート５２は、熱可塑性樹脂で形成されていてよい。離型シート５２の表面には、離型性を向上させるための表面処理がされていてもよい。

離型シート５２の厚みは任意であってよいが、例えば５０～５５０μｍ、好ましくは５０～４００μｍ、より好ましくは１００～３５０μｍでよい。

離型シート５２の１１０℃における貯蔵弾性率が１０^７～１０^８Ｐａ、好ましくは１．１×１０^７～０．９×１０^８Ｐａ、より好ましくは１．２×１０^７～０．８×１０^８Ｐａであってよい。離型シート５２の１１０℃における破断伸度が５００～３０００％、好ましくは６００～２５００％、より好ましくは７００～２０００％であってよい。離型シート５２の貯蔵弾性率及び破断伸度が上記を満たすことにより、離型シート５２が伸縮性を発揮し、複合シート５０が破断せずに被覆前電子部品１１の形状に適合することができる。

貯蔵弾性率及び破断伸度が上記を満たす離型シート５２として、軟化点が低く（例え１５０℃以下）、かつ、耐熱温度が高いものであって（２００℃以上）、厚みが上記した範囲であることが望ましい。具体的には、離型シート５２として、熱可塑性のポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマーを用いることが好ましく、更に環状オレフィンポリマーが好ましく、特にポリメチルペンテンが好ましい。

導電性シート５４は、後に電子部品１０の導電層４０となるシート部材であり、電子部品１０を電磁波シールドする。導電性シート５４は、バインダー樹脂、架橋剤及び導電性フィラーを含んでよい。導電性シート５４は、更に他の添加剤を別途含んでもよい。

導電性シート５４は、８０℃における破断伸度が１０～１０００％、好ましくは１５～８００％、より好ましくは２０～６００％であってよい。導電性シート５４は、８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａ、好ましくは７～４００ＭＰａ、より好ましくは１０～３００％ＭＰａであってよい。導電性シート５４の破断伸度及び弾性率が上記を満たすことで、第２固定部材７２に複合シート５０（又は導電性シート５４）を加熱状態で固定する際に、第２固定部材７２の凹部７６の角部等において、導電性シート５４が離型シート５２から浮き上がることを防ぐことができる。

導電性シート５４は、１８０℃、２時間加熱後（以下、単に「加熱後」とも言う）における、２５℃における破断伸度が１～２０％、好ましくは５～１５％、より好ましくは１～１０％であってよい。導電性シート５４は、１８０℃、２時間加熱後における、２５℃における弾性率が８００ＭＰａ～１０ＧＰａ、好ましくは１ＧＰａ～８ＧＰａ、より好ましくは１．５ＧＰａ～６ＧＰａであってよい。導電性シート５４の加熱後の破断伸度及び弾性率が上記を満たすことで、後の個片化段階（Ｓ５００）で、導電性シート５４を電子部品１０の端部できれいに切断される。一方で、導電性シート５４の加熱後の破断伸度及び弾性率が上記を満たさない場合、個片化段階で、導電性シート５４がきれいに切断されず、伸びや剥がれが生じて、外観不良が生じ、グランド層３２との接続が悪化したり、ショートの原因になり得る。

バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アルキッド系樹脂、メラミン系樹脂、アクリレート系樹脂、シリコーン系樹脂、又は、これらの混合物等から選択される熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。導電性シート５４は、熱硬化性樹脂を未硬化状態又は半硬化状態（いわゆるＢステージ）で含んでいてよい。

バインダー樹脂は、更にポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ブタジエンゴム系樹脂、ポリアミド系樹脂、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン系樹脂及び／又はセルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂を含んでもよい。バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂に加えて／代えて紫外線硬化樹脂を含んでもよい。バインダー樹脂は必要に応じて架橋剤及び／又はモノマー成分等をさらに含んでもよい。

バインダー樹脂の重量平均分子量は５，０００～３００，０００であってよい。分子量が５，０００を下回ると破断伸度１０％及び／又は弾性率５ＭＰａを下回る可能性が高くなる。一方で分子量が３００，０００を超えると破断伸度１０００％及び／又は弾性率５００ＭＰａを上回る可能性が高くなる。

バインダー樹脂は架橋基を有してよい。例えば、バインダー樹脂は、ウレタン、ウレア、エステル、カーボネート、アミド、イミド及びエステルの１つ以上を骨格中に含んでよい。架橋基の量に応じて破断伸度が低下して弾性率が上昇する。バインダー樹脂の架橋基の活性水素価は、１～２００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。２００ｍｇＫＯＨ／ｇを上回ると、製品寿命が悪化する恐れが生じる。

架橋剤は、バインダー樹脂を架橋するために用いられる。加熱後の架橋が密になるほど加熱後の破断伸度が低くなり、加熱後の弾性率が高くなる傾向がある。加熱後の導電性シート５４の破断伸度及び弾性率を上記の範囲にするための架橋剤として、水酸基、フェノール、カルボン酸、アミン、エポキシ、イソシアネート及びアジリジンの１つ以上の構造を含むものが挙げられ、製品寿命と反応性の点からはエポキシ、フェノール、水酸基、カルボン酸を含むものが好ましい。

架橋剤は、２官能以上のものが好ましい。２官能以上のものを用いることで加熱後の架橋密度を高め、加熱後の低破断伸度および高弾性率を実現することができる。

架橋剤は、２５℃で液状であることが望ましい。また、架橋剤は、粘度が１０～２００，０００ｍＰａ・ｓを満たすことが望ましい。これらを満たすことにより、加熱前の導電性シート５４の破断伸度１０～１０００％及び弾性率５～５００ＭＰａをより実現しやすくなる。粘度が上記範囲外となると破断伸度が低下しすぎになりやすい。

架橋剤は、バインダー樹脂中の熱硬化性樹脂１００質量部に対して５～２００質量部の範囲で用いてよい。５質量部を下回ると、加熱後の破断伸度が２０％を下回り、弾性率が８００ＭＰａを下回る恐れがある。２００質量部を超えると、導電性シート５４の加熱前の破断伸度１０％及び弾性率５ＭＰａを下回る恐れが生じる。

導電性フィラーとしては、（１）金、銅、銀、ニッケル等の導電性金属の金属粉、（２）導電性金属の合金による合金粉、（３）銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型粒子が挙げられる。導電性フィラーの形状として、球状、楕円球状、鱗片状、デンドライド状、ブドウ状、及び／又は、針状の形状であってよい。導電性シート５４の破断伸度を１０～１０００％、弾性率を５～５００ＭＰａの範囲にする観点からは、鱗片状単独、鱗片状とデンドライド状の組み合わせ、又は、鱗片状と球状の組み合わせが望ましい。一例として、鱗片状：デンドライド状（又は球状）の導電性フィラーの比率が２５：７５～１００：０の範囲であることが望ましい。鱗片状のフィラーが一定量以上含まれると、伸長時の導電パスが安定して形成でき、良好な導電性・シールド性が発現できるメリットがある。

導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０は、１～５０μｍ、好ましくは２～１６μｍであってよい。導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折・散乱法により測定できる。

例えば、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ １３ ３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、各導電性微粒子を測定して得た数値であり、粒子の積算値が５０％である粒度の直径の平均粒径である。なお、屈折率の設定は１．６として測定する。

導電性フィラーの含有率は、導電性シート５４（固形分）中において２５～９０質量％、好ましくは３０～８０質量％であってよい。このような範囲とすることで、導電性シート５４の加熱前の破断伸度を１０～１０００％、弾性率を５～５００ＭＰａの範囲にし、更に良好な体積抵抗値が得られる。また、導電性フィラーの含有量が多くなるほど加熱後の低破断伸度および高弾性率を実現しやすくなる。

導電性シート５４の厚みは、所望の導電層４０の厚みに応じて適宜設定されてよい。例えば、導電性シート５４の厚みは１０～５０μｍであってよく、好ましくは２０～４０μｍであってよい。

導電性シート５４は、例えば導電性フィラーとバインダー樹脂を含有した導電性樹脂組成物を剥離性シート上に塗工・乾燥をすることで形成できる。または、導電性フィラーとバインダー樹脂を含有した導電性樹脂組成物を、例えばＴダイのような押出成形機により、シート状に押し出すことで形成できる。

塗工は、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式等の公知の塗工方法を使用できる。塗工の際、必要に応じて乾燥工程を設けてもよい。前記乾燥は、熱風乾燥機および赤外線ヒーター等公知の乾燥装置が使用できる。

複合シート５０は、上述した剥離性シート上の導電性シート５４を離型シート５２と張り合わせて製造してよい。又は、離型シート５２上に直接、導電性樹脂組成物を塗工、乾燥して導電性シート５４を形成してもよい。

図７は、本実施形態における複合シート５０の別の一例を示す。複合シート５０は、離型シート５２及び導電性シート５４に加えて機能性シート５６を更に有してもよい。

機能性シート５６は、複合シート５０に様々な機能を与える。機能性シート５６は、離型シート５２及び導電性シート５４の間に設けられていてよい。これにより、電子部品１０に転写された際に、機能性シート５６は、導電性シート５４の更に外側に配置されて様々な機能を発揮することができる。

例えば、機能性シート５６は、電磁波を吸収する電磁波吸収シートであってよい。電磁波吸収シートは、バインダー樹脂及び磁性フィラーを含んでよい。バインダー樹脂は、導電性シート５４に用いたものと同様のものを採用してよい。

磁性フィラーは、それぞれの磁性層に所望の比透磁率μ´を付与する。磁性フィラーは、金属系軟磁性材料及び／又はフェライト系物質等を含んでよい。金属系軟磁性材料は、結晶質金属磁性材料または非晶質金属磁性材料であってよい。結晶質金属磁性材料の一例としては、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＮｉ合金、ＦｅＳｉＡｌ合金、ＦｅＳｉＣｒ合金が挙げられる。フェライト系物質の一例としては、ＭｎＺｎフェライト、ＭｇＺｎフェライト、ＭｎＭｇフェライト、ＣｕＺｎフェライト、ＭｇＭｎＳｒフェライト、ＮｉＺｎフェライトが挙げられる。磁性フィラーは単独、または２種類以上を併用してよい。

磁性フィラーの含有率は、電磁波吸収シート１００質量％中、２０～９０質量％であることが好ましく、４０～９０質量％がより好ましく、６５～８５質量％が特に好ましい。上記範囲とすることで所望の比透磁率μ´とすることができ、低周波でのシールド性により優れる。

磁性フィラーの形状は、フレーク状が好ましい。フレーク状とすることで高い比透磁率μ´が得られるためである。磁性フィラーの平均粒径Ｄ５０は、２０～７０μｍが好ましく、２５～６５μｍがより好ましい。Ｄ５０が２０μｍ以上とすることでμ´を向上させることができ、７０μｍ以下とすることで、シート化が容易になる。磁性フィラーの平均粒子径Ｄ５０は、導電性フィラーと同様の方法で測定してよい。

例えば、機能性シート５６は、放熱を促進する放熱シートであってよい。放熱シートは、バインダー樹脂及び熱伝導性フィラーを含んでよい。バインダー樹脂は、導電性シート５４に用いたものと同様のもの又は他のものを採用してよいが、伸縮性の観点から特にポリウレタン系樹脂およびポリアミド系樹脂が好ましい。

熱伝導性フィラーは、金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物、炭酸金属塩、ケイ酸金属塩、水和金属化合物、結晶性シリカ、非結晶性シリカ、炭化ケイ素又はこれらの複合物等であってよい。金属酸化物として、例えば、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、および酸化マグネシウム等が挙げられる。金属窒化物として、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素等が挙げられる。金属水酸化物として、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウム等が挙げられる。炭酸金属塩として、炭酸カルシウムおよび炭酸マグネシウム等が挙げられる。ケイ酸金属塩として、ケイ酸カルシウム等が挙げられる。熱導電性フィラーとして、特にアルミナ、窒化アルミニウム、および窒化ホウ素等が好ましい。

熱伝導性フィラーは、放熱シート内において、一次粒子、一次粒子を造粒した造粒体、これらの凝集体、およびこれらの組合せの形態で存在してよい。熱伝導性フィラーの含有率は、放熱シート１００質量％中、２０～９０質量％であることが好ましい。

例えば、機能性シート５６は、電磁波シールド性を強化することができる金属バルク層であってよい。金属バルク層は、アルミニウム、銅、銀及び／又は金等の導電性金属自体の薄膜であってよい。金属バルク層は、ラミネートされた金属箔、金属蒸着膜、金属メッキ膜であってよい。

金属バルク層は、０．００１μｍ～１０μｍｍ、好ましくは０．３μｍ～５．０μｍの厚みであってよい。厚みが０．３μｍ以上あることで、配線回路基板から発生する電磁波ノイズの波長に対し、透過を抑制することができ、十分な高周波シールド性を発揮することができる。５．０μｍ以下であることにより、積層硬化物の損失正接を高めることができ、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。

機能性シート５６は、同一の機能の層及び／又は異なる機能の層が複数層積層されてもよい。例えば、機能性シート５６は、電磁波吸収シートと放熱シートを積層したものであってもよい。

図６及び図７では、導電性シート５４は離型シート５２等と同じ平面大きさである例を説明したがこれに限られない。例えば、離型シート５２は、導電性シート５４よりも大きく、離型シート５２の平面の一部のみの上に導電性シート５４が形成される形態であってもよい。これにより、導電性シート５４の材料を節約できる。

図８は、第２固定部材７２を用いたＳ２００の一例を示す。第２固定段階において、第２固定部材７２の主面に複合シート５０が固定される。

第２固定部材７２は、凹凸（すなわち凹部７６と凸部７８）を有してよい。第２固定部材７２の凹部７６は、後に第１固定部材６２と閉じ合わされる際に、被覆前電子部品１１と組み合う形状に形成されてよい。例えば、凹部７６はＮ個×Ｍ個のアレイ状に配置されてよい。

第２固定部材７２は、後述する減圧段階や加熱に耐えうるものが好ましく、例えば、金型、セラミック型又は樹脂型であってよい。第２固定部材７２は、板状の部材に凹部が彫り込まれたものであってよく、又は、板状の部材に凸部が別途搭載されたものであってよい。

ここで、凹部７６と凸部７８の間隔は適宜設定されてよいが、好ましくは凹部７６を離間する凸部７８は１ｍｍ以上の幅を有していることが望ましい。凸部７８の幅が１ｍｍ未満となると複合シート５０や導電性シート５４に局所的に力がかかり、これらに亀裂が入ったり破れたりするリスクが高まる。一方で、生産性の観点からは凸部７８の幅は５０ｍｍ以下、好ましくは２０ｍｍ以下、より好ましくは１０ｍｍ以下、更に好ましくは５ｍｍ以下であってよい。

複数の凸部７８の幅は、不均等でも均等であってよい。均等である場合には、複合シート５０、導電性シート５４及び／又は被覆前電子部品１１により均等に圧力が与えられるので、より好ましい。

凹部７６は、被覆前電子部品１１とほぼ同じ平面形状および平面寸法で形成されてよい。又は、凹部７６は、複合シート５０（又は導電性シート５４）の厚み分か又はそれ未満の大きさ分で、僅かに被覆前電子部品１１よりも大きい平面寸法で形成されてよい。これにより、導電性シート５４が被覆前電子部品１１の天面及び側面に密着することができる。例えば、凹部７６の平面形状は、１辺が０．５～１００ｍｍの長さを有する矩形又は多角形であってよい。

凹部７６は、被覆前電子部品１１とほぼ同じ断面形状および被覆前電子部品１１と同じ厚さの深さで形成されてよい。又は、凹部７６は、複合シート５０（又は導電性シート５４）の厚み分か又はそれ未満の大きさ分で、僅かに被覆前電子部品１１よりも大きい厚さの深さで形成されてよい。これにより、後に、被覆前電子部品１１のグランド層３２の全てが導電層４０に接することができる。例えば、凹部７６の深さは０．１～１０ｍｍであってよい。

凹部７６が、被覆前電子部品１１と対応する形状および寸法を有することにより、後に形成される導電層４０の天面厚さ（ＴＴ）、側面厚さ（ＳＴ）及び角部厚さ（ＣＴ）の比を、上記した所定の数値範囲にすることができる。

複合シート５０は、平坦なシート状であってよい。これに代えて、複合シート５０は、第２固定部材７２の凹凸に対応する凹凸が予め形成されていてもよい。

第２固定段階において、第２固定部材７２は、吸引により複合シート５０（及びこれに含まれる導電性シート５４）を固定してよい。例えば、第２固定部材７２は開口７４を有してよい。第２固定部材７２は、開口７４を介して吸引動作を行うことにより、複合シート５０（及びこれに含まれる導電性シート５４）を固定してよい。例えば、第２固定段階において、複合シート５０の離型シート５２側を第２固定部材７２の凹凸面に固定してよい。

開口７４は、第２固定部材７２の凹凸の位置に関係なくまんべんなく配置されてよいが、凹部７６のみに設けられるか、凸部７８よりも凹部７６に多く配置されてよい。例えば、開口７４は、少なくとも各凹部７６に１つずつ配置されてよい。開口７４は、凹部７６の底部、側面及び／又は底角部（特に底面が好ましい）、並びに／若しくは、凸部７８の天面、側面及び／又は凸角部に設けられてよい（特に天面が好ましい）。また、開口７４は、第２固定部材７２の主面平面において、最外周部に位置する凹部７６よりも外側の領域のみに複数配置されてもよい。

複合シート５０は、少なくとも凹部７６の底面に固定されてもよい。好ましくは、複合シート５０は、吸引動作により、第２固定部材７２の凸部７８及び凹部７６に隙間なく密着するように固定されてよい。これにより天面及び側面等で膜厚が均一な導電層４０を形成することができる。特に前述したように導電性シート５４の破断伸度及び／又は弾性率が所定の範囲を満たすことで、複合シート５０は凹部７６の凹角部から浮き上がるのを防ぐことができる。

第２固定部材７２は、他の方法により複合シート５０（又は導電性シート５４）を固定してもよい。例えば、第２固定部材７２は、接／粘着剤、ネジ等の固定具、磁石等により複合シート５０（又は導電性シート５４）を固定してもよい。

なお、Ｓ１００とＳ２００はこの順ではなく反対の順番で行われてもよい。または、Ｓ１００とＳ２００は並行して行われてもよい。

次にＳ３００において、減圧段階が実行される。減圧段階において、被覆前電子部品１１及び導電性シート５４が固定された空間を減圧する。例えば、第１固定部材６２、及び、第２固定部材７２を、真空チャンバ等において向き合うように配置して減圧を行ってよい。この際に第１固定部材６２に固定された被覆前電子部品１１と、第２固定部材７２に固定された導電性シート５４とが向き合う。

減圧段階における減圧は、第１固定部材６２及び第２固定部材７２が配置される空間の真空度が４０００Ｐａ以下、好ましくは２０００Ｐａ、より好ましくは１０００Ｐａ、更に好ましくは１００Ｐａ以下となるように実行されてよい。このように減圧することにより、第１固定部材６２と第２固定部材７２を閉じ合わせた際に、被覆前電子部品１１と導電性シート５４とを強固に密着させることができる。真空度は５０Ｐａ以上、好ましくは６０Ｐａ以上、より好ましくは７０Ｐａ以上、更に好ましくは９０Ｐａ以上であってよい。真空度をこれ以上高めても必要なポンプ性能やポンプ稼働時間が高まる一方で、被覆前電子部品１１と導電性シート５４との密着性にはあまり寄与しないからである。

第１固定部材６２及び第２固定部材７２で吸引動作を行いながら、減圧を行うことで、被覆前電子部品１１及び複合シート５０等をしっかり固定しながら、被覆前電子部品１１及び複合シート５０の露出した表面に付着した不要な水分、ガス等の付着物を除去しつつ両者を張り合わせることができる。なお、減圧段階で減圧される空間の真空度は、第１固定段階及び／又は第２固定段階で実行される吸引動作による真空度よりも高い圧力値であってよい。吸引動作の真空度よりも減圧段階の真空度が低くなると、第１固定段階及び／又は第２固定段階における固定が不十分になる恐れがあるためである。ここで、減圧段階による減圧によれば、被覆前電子部品１１と複合シート５０との間における不要物の混入を低減でき、導電層４０の剥離、電子部品１０の性能劣化を低減して、電子部品１０の高信頼性を実現することができる。

次にＳ４００において、導電層形成段階が実行される。導電層形成段階において、被覆前電子部品１１に導電性シート５４を転写し、これにより被覆前電子部品１１の表面に導電層４０を形成する。

図９は、Ｓ４００の一例を示す。図示するように、第２固定部材７２の凹部７６と被覆前電子部品１１が組み合うように、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを閉じ合わせる。閉じ合わせは、第１固定部材６２及び第２固定部材７２を対向させた後、少なくとも一方を他方に向けて移動させることにより行ってよい。閉じ合わせは、第２固定部材７２に固定される導電性シート５４が、被覆前電子部品１１のグランド層３２のうち２層以上又は全層と接触するように、行われてよい。閉じ合わせの際のクランプ速度は、０．１～５ｍｍ／ｓであってよい。ここで、クランプ速度とは、閉じ合わせの際に第１固定部材６２又は第２固定部材７２の少なくとも一方を他方に向けて移動させる速度であって、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを相対的に互いに近づく方向に移動させる際の速度と表現することもできる。

なお、図９では第１固定部材６２が上側、第２固定部材７２が下側になっているが、これに限られない。例えば、第１固定部材６２が下側、第２固定部材７２が上側でもよいし、第１固定部材６２及び第２固定部材７２の主面が縦方向や斜め方向を向いて配置されてもよい。第１固定部材６２が下側になる場合、被覆前電子部品１１の固定はしなくてもよい（すなわち第１固定段階は省略される）。

導電層形成段階において、次に、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを閉じ合わせた後、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを加熱する。これにより、被覆前電子部品１１に密着した導電性シート５４が硬化して、被覆前電子部品１１の天面及び側面に導電層４０が形成される。なお、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを予め加熱してから閉じ合わせてもよく、この場合、図３の第１固定段階Ｓ１００より前に第１固定部材６２と第２固定部材７２とが加熱された状態とされていてもよい。

加熱の際に押圧を行ってよい。例えば第１固定部材６２と第２固定部材７２とが閉じ合わさる向きに押圧を行ってよい。押圧は１～１０ＭＰａの圧力で行われてよい。これにより、被覆前電子部品１１により強固、確実に導電層４０を形成することができる。

加熱温度や硬化時間（キュアタイム）は、選択したバインダー樹脂等の条件により適宜設定できるが、例えば、１００～１８０℃において、９０～１８０秒であってよい。ここで、硬化時間（キュアタイム）は、閉じ合わせ（型締め）完了から、下記の剥離までの時間であってよい。上記に代えて、加熱を行わず常温や室温環境下で、押圧のみにより、閉じ合わせを行ってもよい。

図１０にＳ４００の離型シート５２の剥離後の一例を示す。加熱により導電層４０が形成された後、第２固定部材７２の吸引動作を中止し、第２固定部材７２から複合シート５０を分離してよい。その後、複合シート５０の離型シート５２から導電層４０（加熱前の導電層シート５４）を剥離させてよい。これにより、導電層４０（加熱前の導電層シート５４）が被覆前電子部品１１に転写されて、キャリア６０に搭載された電子部品１０が得られる。

Ｓ３００の減圧段階とＳ４００の導電層形成は、完全に別個の段階として行う必要はなく、少なくとも一部が並行して行われてよい。例えば、まず減圧段階で真空度が一定以上に達した後に、Ｓ４００の閉じ合わせ、加熱及び／又は押圧等を行い、その後、減圧を停止した（すなわち常圧に戻した）後、離型シート５２の剥離を行ってよい。この場合、減圧段階における真空時間は１～６０秒、好ましくは５～１０秒であってよい。

次にＳ５００において、個片化段階が実行される。個片化段階により個片化された電子部品１０が得られる。

図１１及び図１２に、Ｓ５００の一例を示す。まず、第１固定部材６２の吸引動作を中止し、第１固定部材６２から電子部品１０を搭載したキャリア６０を分離する。

個片化はキャリア６０から電子部品を個別にピッキングすることにより実行してよい。例えば、電子部品１０を搭載したキャリア６０から、電子部品１０を物理的に引き離すことにより個片化してもよい。一例として、図１１に示すように、電子部品１０をピック装置８４で掴み取るか、又は、吸引することで電子部品１０をピックすることにより個片化してもよい。この場合、電子部品１０を物理的にキャリア６０から引き離す際に、導電層４０が電子部品１０の端部で千切れることにより個片化が実行される。ピッキングする方法は、後述するダイシングする方法よりも工程を省略できる観点から望ましい。

より具体的には、電子部品１０を物理的に引き離す際には、キャリア６０に含まれるフィルム状の熱剥離層又は紫外線剥離層に電子部品１０が付着されたままの状態で、キャリア６０から電子部品１０と共に熱剥離層又は紫外線剥離層を剥離してよい。その後、熱剥離層又は紫外線剥離層側から電子部品１０を細い棒状の部材で電子部品１０を突き上げるか又は電子部品１０を掴むことにより、熱剥離層又は紫外線剥離層側から電子部品１０を剥離してよい。この際に、熱剥離層に対しては熱処理、紫外線剥離層に対しては紫外線照射が行われてよい。また、電子部品１０を物理的に引き離す際には、キャリア６０に電子部品１０が接着された状態で、電子部品１０の周囲の導電層４０を切断しておいてもよい。また、キャリア６０として粘着フィルムを用いることができる。この場合、例えば、第２固定部材７２のように凹凸を有する部材の凹部に電子部品１０を配置して、電子部品１０を吸引等により保持する。その後、電子部品１０から粘着フィルムを引き剥がすように剥離して、電子部品１０を個片化してもよい。

ピッキングする方法に変えて、ダイシングにより個片化を実行してもよい。例えば、図１２に示すように、キャリア６０ごと電子部品１０の平面輪郭に沿ったライン（図中の破線）で、ダイシングプレートによる切断を行い、個片化を行う。ダイシングによる切断は、電子部品１０が完全に分離するように行われてよい。その際にキャリア６０も完全に切断されてもよく、又はキャリア６０は部分的に切断されるのみであってもよい。

特に前述したように導電性シート５４の加熱後の破断伸度及び／又は弾性率が所定の範囲を満たすことで、導電層４０の切断面で伸びが剥がれの不良が生じることを防ぐことができる。

その後にキャリア６０を電子部品１０から剥離して、図１に示すような個片化された電子部品１０が得られる。キャリア６０に複数個の被覆前電子部品１１が搭載されていた場合、複数個の電子部品１０をキャリア６０から分離して個片化することができる。上記に代えて、キャリア６０を剥離してからダイシングによる切断を行ってもよい。

上記の本実施形態では、第１固定部材６２が、キャリア６０を介して被覆前電子部品１１を固定した。これに代えて、第１固定部材６２に、キャリア６０を介さず被覆前電子部品１１を直接固定してもよい。

上記の本実施形態では、第２固定部材７２が、複合シート５０を介して導電性シート５４を固定した。これに代えて、第２固定部材７２に、複合シート５０ではなく導電性シート５４のみを固定してもよい。

上記の本実施形態では、第１固定部材６２に被覆前電子部品１１を予め固定した上で、導電性シート５４との貼り合わせを行っているが別方法を採用してもよい。例えば、複合シート５０を固定した第２固定部材７２の凹部７６上に、（複合シート５０を介して）被覆前電子部品１１を配置し、その後に、第１固定部材６２と同様の板状部材で、第１固定部材６２と第２固定部材７２とを閉じ合わせ、上述したＳ３００～Ｓ５００（例えば、減圧、加熱押圧、個片化等）の全部又は一部と同様の処理を行ってもよい。

上記の例は一例であり、Ｓ１００～Ｓ５００のステップの一部は省略されてもよく、必要に応じて別のステップが追加されてもよい。例えば、Ｓ３００の減圧段階及び／又はＳ５００の個片化段階が省略されてもよい。

［実施例］
以下、本発明を実施例及び参考例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例及び参考例に限定されるものではない。

＜試験用の被覆前電子部品の作製＞
図１３に、実施例において試験用に用いる被覆前電子部品１１を示す。試験用の被覆前電子部品１１は中継基板３０を含み、中継基板３０は４層のグランド層（３２Ａ～３２Ｄ）及び絶縁部３４Ａ～Ｅを含む。各グランド層３２として１２μｍの銅箔を用いた。図１３には記載されていないが中継基板３０は別途導電パターン層３１を含む。

絶縁部３４Ａは、ガラスエポキシ樹脂からなる厚さ１００μｍのコアである。絶縁部３４Ｂ及び３４Ｃは、厚さ５０μｍの層間接着層である。絶縁部３４Ｄ及び３４Ｅは、厚さ２６μｍの層間接着層である。接続抵抗値測定部８２ａ、ｂの部分において後述する接続抵抗の測定を行った。

本実施例及び参考例において、アレイ状に配置した複数のＩＣチップ（チップ部２０）をモールド封止したものを用意した。封止された複数のＩＣチップを、後に複数の中継基板となる基板上に搭載したもの（「集合部品」とする）を用意した。集合部品を、ＩＣチップ同士の間隙である溝に添ってフルダイシングを行い、個片化した。これにより、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、高さ１ｍｍの試験用の被覆前電子部品１１を複数得た。試験用の被覆前電子部品１１における中継基板３０の厚みは０．３ｍｍ（図１３におけるＨ２）であり、チップ部２０のモールド封止厚、即ち中継基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）は０．７ｍｍであった（図１３におけるＨ１）。

以下、実施例及び参考例で使用した材料を示す。
バインダー樹脂１：ポリウレタン系樹脂 酸価１０［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）Ｍｗ＝１１０，０００
バインダー樹脂２：ポリカーボネート系樹脂 酸価５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）Ｍｗ＝９５，０００
バインダー樹脂３：スチレン系樹脂 酸価１１［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）Ｍｗ＝１２３，０００
バインダー樹脂４：フェノキシ系樹脂 酸価１５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）Ｍｗ＝１４０，０００
硬化性化合物１：エポキシ樹脂、「デナコールＥＸ８１０」（２官能エポキシ樹脂 エポキシ当量＝１１３ｇ／ｅｑ）ナガセケムテックス社製
硬化性化合物２：エポキシ樹脂、「ｊＥＲＹＸ８０３４」（水添ビスフェノールエポキシ樹脂 エポキシ当量＝２７０ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
硬化性化合物３：エポキシ樹脂、「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」（ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂 エポキシ当量＝２０８ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
硬化促進剤：アジリジン化合物、「ケミタイト ＰＺ－３３」（日本触媒社製）

導電性フィラー１：「銀からなる鱗片状粒子平均粒子径Ｄ５０＝６．０μｍ、厚み０．８μｍ」
導電性フィラー２：「１０％銀コートされた銅からなるデンドライド状粒子、Ｄ５０＝７．５μｍ」

離型性基材：表面にシリコーン離型剤をコーティングした厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム

離型シート１：耐熱離型フィルム オピュランＣＲ１０４０ １５０μｍ：三井東セロ社製）
離型シート２：耐熱離型フィルム オピュランＣＲ１０２０ＭＴ １５０μｍ：三井東セロ社製）

＜導電性シートの８０℃における破断伸度、弾性率の測定＞
２３℃、相対湿度５０％で２４時間静置した導電性シートを８０℃、相対湿度５０％の恒温湿室内において、前記導電性シートを引張り速度５０ｍｍ／分および標線間２５ｍｍの条件で引張試験機「ＥＺテスター」（島津製作所社製）により応力－ひずみ曲線を測定し、導電性シートが破断した際の伸び率を８０℃における破断伸度とし、ひずみ（伸び）が０．１～０．３％の領域の線形回帰（傾き）を８０℃における弾性率とした。

＜１８０℃、２時間加熱後における導電層の２５℃における破断伸度、弾性率の測定＞
導電性シートを１８０℃で２時間で加熱して導電層を得て、これを２５℃、相対湿度５０％で２４時間静置した。その後、導電層を２５℃、相対湿度５０％の恒温湿室内において、前記導電層を引張り速度５０ｍｍ／分および標線間２５ｍｍの条件で引張試験機「ＥＺテスター」（島津製作所社製）により応力－ひずみ曲線を測定し、シートが破断した際の伸び率を２５℃における破断伸度とし、ひずみ（伸び）が０．１～０．３％の領域の線形回帰（傾き）を２５℃における弾性率とした。

＜離型シートの１１０℃における破断伸度の測定＞
２３℃、相対湿度５０％で２４時間静置した離型シートを１１０℃、相対湿度５０％の恒温湿室内においた。その後、恒温湿室内で、離型シートを引張り速度５０ｍｍ／分および標線間２５ｍｍの条件で引張試験機「ＥＺテスター」（島津製作所社製）により応力－ひずみ曲線を測定し、シートが破断した際の伸び率を１１０℃における破断伸度とした。

＜離型シートの１１０℃における貯蔵弾性率の測定＞
２３℃、相対湿度５０％で２４時間静置した離型シートを１１０℃、相対湿度５０％の恒温湿室内においた。その後、恒温湿室内で、離型シートを動的粘弾性測装置ＤＶＡ－２００（アイティー計測制御社製）を用いて、変形様式「引張り」、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲－８０℃～３００℃の条件での測定を行った。この結果を１１０℃における貯蔵弾性率とした。

＜厚み測定＞
導電層の厚みは、研磨法によって電子部品の断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電子部品の天面、角部、側面の各領域における最も厚みのある箇所の膜厚を測定した。異なる電子部品の断面出しサンプル５つについて同様に測定し、その平均値を厚みとした。

導電性シートを含む複合シートを構成する各種シートの厚みは、接触式膜厚計を用いて異なる５ヶ所について膜厚を測定し、その平均値を厚みとした。

＜導電性フィラーの厚み＞
導電層の厚みを測定した切断面画像を、電子顕微鏡で千倍～５万倍程度に拡大した画像を元に異なる粒子の厚み（最も短辺となる方向における長さ）を約１０～２０個を測定し、その平均値を使用した。

＜平均粒子径Ｄ５０＞
平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ１３３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、導電性フィラー、磁性フィラー、または熱伝導性フィラーを測定して得た平均粒子径Ｄ５０の数値であり、粒子径累積分布における累積値が５０％の粒子径である。分布は体積分布、屈折率の設定は１．６とした。当該粒子径であればよく、一次粒子でも二次粒子でもよい。

＜酸価の測定＞
共栓付き三角フラスコ中に熱硬化性樹脂を約１ｇ精密に量り採り、トルエン／エタノール（容量比：トルエン／エタノール＝２／１）混合液５０ｍＬを加えて溶解する。これに、フェノールフタレイン試液を指示薬として加え、３０秒間保持する。その後、溶液が淡紅色を呈するまで０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液で滴定する。酸価は次式により求めた。酸価は樹脂の乾燥状態の数値とした。
酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（ａ×Ｆ×５６．１×０．１）／Ｓ
Ｓ：試料の採取量×（試料の固形分／１００）（ｇ）
ａ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の滴定量（ｍＬ）
Ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の力価

＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定＞
Ｍｗの測定は東ソ－社製ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）「ＨＰＣ－８０２０」を用いた。ＧＰＣは溶媒（ＴＨＦ；テトラヒドロフラン）に溶解した物質をその分子サイズの差によって分離定量する液体クロマトグラフィ－である。測定は、カラムに「ＬＦ－６０４」（昭和電工社製：迅速分析用ＧＰＣカラム：６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍサイズ）を直列に２本接続して用い、流量０．６ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で行い、重量平均分子量（Ｍｗ）の決定はポリスチレン換算で行った。

［実施例１］
バインダー樹脂１（固形分）７０質量部と、バインダー樹脂２（固形分）３０質量部と、硬化性化合物１を３０質量部と、硬化性化合物２を１５質量部と、硬化促進剤を１質量部と、導電性フィラー１を３２０質量部と、を容器に仕込んだ。その後、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで導電性樹脂組成物を得た。

この導電性樹脂組成物を乾燥厚みが５０μｍになるようにドクターブレードを使用して離型性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで離型性基材と導電性シートとが積層されたシートＡを得た。

離型シート１として、熱溶融樹脂層の両面をポリメチルペンテンで積層した三井東セロ社製「オピュランＣＲ１０４０（層厚１５０μｍ）」を用意した。次いでシートＡの導電性シートの面と離型シート１を９０℃、０．１ＭＰａ、１Ｍ／ｍｉｎの条件でロールラミネーターを使用して張り合わせることで、積層体を得た。

９５ｍｍ×２４０ｍｍのＳＵＳ板を第１固定部材として用い、ポリイミド両面テープをキャリアとして用いた。第１固定部材の片面にキャリアを介して、試験用の被覆前電子部品２０個を配置した。次いで上記で得られた積層体を３００ｍｍ×１４０ｍｍにカットし、離型性基材を剥離して、導電性シートと離型シートからなる複合シートを得た。複合シートを、第２固定部材である凹状の下金型に吸着し、載置した。その後、第１固定部材の試験チップ側と、第２固定部材の導電性シート側とを閉じ合わせた。

１２０℃、真空度２０００Ｐａの条件で第１固定部材及び第２固定部材を閉じ合わせたまま真空引きした。ここで第２固定部材側から第１固定部材に対し２ＭＰａ、クランプ速度０．５ｍｍ／ｓで１８０秒間熱プレスした。熱プレス後、離型シートを剥離し、導電性シートが形成された試験用の電子部品をキャリアごと１８０℃２時間加熱した。室温にまで冷却し、試験用の電子部品をピンセットでピックしてキャリアから剥離することで個片化し、導電層が形成された個片チップを電子部品として得た。

［実施例２～１４及び参考例１～２］
導電性シートの組成及び各物性、並びに、プレス条件等の電子部品の製造条件を表１のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして実施例２～１４及び参考例１～２を行い、個片化した電子部品を製造した。表１の組成は全て質量部単位であり、バインダー樹脂および硬化性化合物の組成は固形分中における質量部である。

上記実施例および参考例について、以下の測定方法および評価基準にて評価した。

＜ＰＣＴ試験後の接続抵抗値の上昇率＞
図１３に示す導電層４０が形成された個片化された電子部品１０を用いて、複数の接続抵抗値測定部８２ａ‐ｂ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定した。測定はプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を条件：１３０℃、８５％ＲＨ、０．１２ＭＰａ、９６時間で行い、ＰＣＴ試験前に対する試験後の接続抵抗値の上昇割合を評価した。

接続抵抗値の上昇割合の良否の判断基準は以下の通りである。
◎：上昇割合が１．１未満。非常に良好な結果である。
〇：上昇割合が１．１以上１．５未満。良好な結果である。
△：上昇割合が１．５以上～．２．０未満。実用上問題ない。
×：上昇割合が２．０以上。実用不可。

＜小片化後の導電層外観（ピック性）＞
同時に加工し得られた、導電層４０が形成された個片化された電子部品２０個の外観を顕微鏡で観察し、グランド層３１が露出しているものと、図１４のように導電層４０の端部が突出・残存し、突出長（Ｓ１）が２００μｍ以上残ってしまっているものを不良と判断した。

導電層外観の良否の判断基準は以下の通りである。
◎：不良個数が０個。非常に良好な結果である。
〇：不良個数が１又は２個。良好な結果である。
△：不良個数が３～５個。実用上問題ない。
×：不良個数が６個以上。実用不可。

このように本実施形態は、電子部品１０の新しい製造方法を提供する。特に上記製造方法によれば、被覆前電子部品１１の側面の深い部分（又は側面全体）にまで導電性シート５４を密着させるので、導電層４０を複数の電子部品１０のグランド層３２と接続させることができ、導電層４０の電磁波シール性を改善することができる。特に電子部品１０の厚みが大きい（高背）場合、従来の方法では側面の範囲に導電性シート５４を密着させることが困難であったが、本実施形態によればそのような困難を克服することができた。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先だって」等と明示しておらず、また、前の処理の結果生じたものを後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

以下に本実施形態に係る発明の例を項目として示す。
［項目１］
チップ部、及び、上記チップ部を搭載し、２層以上のグランド層を含む中継基板を有する被覆前電子部品と、
上記被覆前電子部品の天面及び側面、を覆う導電層と、
を含む電子部品であって、
上記導電層は上記グランド層のうち２層以上又は全層と接触しており、
上記電子部品の天面における上記導電層の天面厚さ（ＴＴ）、及び、上記電子部品の側面における上記導電層の側面厚さ（ＳＴ）は、１０～５０μｍの範囲である、
電子部品。
［項目２］
上記電子部品の側面における上記導電層の側面厚さ（ＳＴ）と、
上記電子部品の天面における上記導電層の天面厚さ（ＴＴ）により計算されるＳＴ／ＴＴが０．５～１．０の範囲である、
項目１に記載の電子部品。
［項目３］
上記電子部品の側面における上記導電層の側面厚さ（ＳＴ）と、
上記電子部品の天面と上記側面とが接続する角部における上記導電層の角部厚さ（ＣＴ）により計算されるＣＴ／ＴＴが０．５～１．５の範囲である、
項目１に記載の電子部品。
［項目４］
上記被覆前電子部品の側面は、段差が形成されない平坦形状である、
項目１から３のいずれか１項に記載の電子部品。
［項目５］
第１固定部材に対して、導電層被覆前の電子部品である被覆前電子部品を固定する第１固定段階と、
凹部を有する第２固定部材に対して、導電性シートを固定する第２固定段階と、
上記第２固定部材の凹部と上記被覆前電子部品が組み合うように、上記第１固定部材と上記第２固定部材とを閉じ合わせて上記被覆前電子部品に上記導電性シートを転写し、これにより上記被覆前電子部品の表面に導電層を形成する導電層形成段階と、
を含む、導電層を備える電子部品の製造方法。
［項目６］
上記第２固定段階が、上記導電性シートと離型シートとを含む複合シートの上記離型シート側を上記第２固定部材に固定する段階であり、
上記導電層形成段階が、上記離型シートから上記導電性シートを剥離させることにより、上記導電性シートを上記被覆前電子部品に転写させる段階である、
項目５に記載の製造方法。
［項目７］
上記離型シートは、伸縮性基材を含む、
項目６に記載の製造方法。
［項目８］
上記第１固定段階が、複数個の上記被覆前電子部品が仮固定されたキャリアを上記第１固定部材に固定する段階を含み、
上記導電層形成段階の後に、複数個の上記電子部品を上記キャリアから分離して個片化する個片化段階を含む、
項目５に記載の製造方法。
［項目９］
上記導電層被覆前の電子部品は、チップ部と、上記チップ部を搭載する中継基板とを含み、
上記中継基板は２層以上のグランド層を含み、
上記導電層形成段階において、導電性シートは上記グランド層のうち２層以上又は全層と接触するように、上記第１固定部材と上記第２固定部材が閉じ合わされる、
項目５に記載の製造方法。
［項目１０］
上記第２固定部材は開口を有し、
上記第２固定段階において、上記開口を介して吸引動作を行うことにより、上記導電性シートの固定を行う、
項目５に記載の製造方法。
［項目１１］
上記第１固定段階及び上記第２固定段階の後であって、上記導電層形成段階の前に、上記被覆前電子部品及び上記導電性シートが固定された空間を減圧する減圧段階を含む、
項目１０に記載の製造方法。
［項目１２］
減圧される上記空間の真空度は、上記吸引動作による真空度よりも高い圧力値である、
項目１１に記載の製造方法。
［項目１３］
上記減圧段階において、上記空間の真空度が４０００Ｐａ以下となるように減圧する、
項目１１に記載の製造方法。
［項目１４］
上記導電性シートは、
バインダー樹脂及び導電性フィラーを含み、
８０℃における破断伸度が１０～１０００％であり、
８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、
項目５から１３のいずれか１項に記載の製造方法。
［項目１５］
上記導電層形成段階において、上記第１固定部材と上記第２固定部材とを閉じ合わせた後、上記第１固定部材と上記第２固定部材とを加熱しながら押圧を行うことにより、上記導電層を形成する、
項目１４に記載の製造方法。
［項目１６］
チップ部と、上記チップ部を搭載し、２層以上のグランド層を含む中継基板とを有する
電子部品用の導電性シートであって、
８０℃における破断伸度が１０～１０００％であり、
８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、
導電性シート。
［項目１７］
１８０℃、２時間加熱後における、
２５℃における破断伸度が１～２０％であり、
２５℃における弾性率が８００ＭＰａ～１０ＧＰａである、
項目１６に記載の導電性シート。
［項目１８］
項目１６又は１７に記載の導電性シートと、
離型シートと、
を含む複合シート。
［項目１９］
上記離型シートの１１０℃における貯蔵弾性率が１０^７～１０^８Ｐａであり、
上記離型シートの１１０℃における破断伸度が５００～３０００％である、
項目１８に記載の複合シート。

１０ 電子部品
１１ 被覆前電子部品
２０ チップ部
３０ 中継基板
３１ 導電パターン層
３２ グランド層
３４ 絶縁部
４０ 導電層
５０ 複合シート
５２ 離型シート
５４ 導電性シート
５６ 機能性シート
６０ キャリア
６２ 第１固定部材
６４ 開口
７２ 第２固定部材
７４ 開口
７６ 凹部
７８ 凸部
８２ 接続抵抗値測定部
８４ ピック装置

Claims (15)

1. 第１固定部材に対して、導電層被覆前の電子部品である被覆前電子部品を固定する第１固定段階と、
   凹部を有する第２固定部材に対して、導電性シートを固定する第２固定段階と、
   前記第２固定部材の凹部と前記被覆前電子部品が組み合うように、前記第１固定部材と前記第２固定部材とを閉じ合わせて前記被覆前電子部品に前記導電性シートを転写し、これにより前記被覆前電子部品の表面に導電層を形成する導電層形成段階と、
   を含む、導電層を備える電子部品の製造方法。
2. 前記第２固定段階が、前記導電性シートと離型シートとを含む複合シートの前記離型シート側を前記第２固定部材に固定する段階であり、
   前記導電層形成段階が、前記離型シートから前記導電性シートを剥離させることにより、前記導電性シートを前記被覆前電子部品に転写させる段階である、
   請求項１に記載の製造方法。
3. 前記離型シートは、伸縮性基材を含む、
   請求項２に記載の製造方法。
4. 前記第１固定段階が、複数個の前記被覆前電子部品が仮固定されたキャリアを前記第１固定部材に固定する段階を含み、
   前記導電層形成段階の後に、複数個の前記電子部品を前記キャリアから分離して個片化する個片化段階を含む、
   請求項１に記載の製造方法。
5. 前記導電層被覆前の電子部品は、チップ部と、前記チップ部を搭載する中継基板とを含み、
   前記中継基板は２層以上のグランド層を含み、
   前記導電層形成段階において、導電性シートは前記グランド層のうち２層以上又は全層と接触するように、前記第１固定部材と前記第２固定部材が閉じ合わされる、
   請求項１に記載の製造方法。
6. 前記第２固定部材は開口を有し、
   前記第２固定段階において、前記開口を介して吸引動作を行うことにより、前記導電性シートの固定を行う、
   請求項１に記載の製造方法。
7. 前記第１固定段階及び前記第２固定段階の後であって、前記導電層形成段階の前に、前記被覆前電子部品及び前記導電性シートが固定された空間を減圧する減圧段階を含む、
   請求項６に記載の製造方法。
8. 減圧される前記空間の真空度は、前記吸引動作による真空度よりも高い圧力値である、
   請求項７に記載の製造方法。
9. 前記減圧段階において、前記空間の真空度が４０００Ｐａ以下となるように減圧する、
   請求項７に記載の製造方法。
10. 前記導電性シートは、
    バインダー樹脂及び導電性フィラーを含み、
    ８０℃における破断伸度が１０～１０００％であり、
    ８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の製造方法。
11. 前記導電層形成段階において、前記第１固定部材と前記第２固定部材とを閉じ合わせた後、前記第１固定部材と前記第２固定部材とを加熱しながら押圧を行うことにより、前記導電層を形成する、
    請求項１０に記載の製造方法。
12. 請求項１に記載の電子部品の製造方法に用いるための導電性シートであって、
    ８０℃における破断伸度が１０～１０００％であり、
    ８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、
    導電性シート。
13. １８０℃、２時間加熱後における、
    ２５℃における破断伸度が１～２０％であり、
    ２５℃における弾性率が８００ＭＰａ～１０ＧＰａである、
    請求項１２に記載の導電性シート。
14. 請求項２に記載の電子部品の製造方法に用いるための複合シートであって、
    ８０℃における破断伸度が１０～１０００％であり、８０℃における弾性率が５～５００ＭＰａである、導電性シートと、
    離型シートと、
    を含む複合シート。
15. 前記離型シートの１１０℃における貯蔵弾性率が１０^７～１０^８Ｐａであり、
    前記離型シートの１１０℃における破断伸度が５００～３０００％である、
    請求項１４に記載の複合シート。