JP2019216156A - 電磁波シールドシート、部品搭載基板、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】埋め込み性、グランド接続性、エッジ被覆性、およびＰＣＴ耐性が良好な電磁波シールド層を提供できる電磁波シールドシート、並びに前記電磁波シールド層を有する部品搭載基板、並びに電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の一部を被覆する電磁波シールド層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波シールド層を形成するための電磁波シールドシートであって、前記電磁波シールドシートは少なくとも導電層を有し、前記導電層は、バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、かつ導電層の２３℃におけるヤング率が１０〜７００ＭＰａであることを特徴とする電磁波シールドシートにより解決される。【選択図】図１

Description

本発明は、電磁波シールド層を有する部品搭載基板に関する。また、前記部品搭載基板の電磁波シールド層の形成に好適な電磁波シールドシート、並びに前記部品搭載基板が搭載された電子機器に関する。

ＩＣチップ等の電子部品を搭載した電子基板は、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するため、また、電子基板内部から発生する電気信号の不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。従来、ＩＣチップのシールドにはスパッタ工法が用いられてきたが、設備投資の問題等から代替技術が求められている。

そこで、近年電子部品の外骨格を構成するモールド樹脂上に、電磁波シールドシートを被覆する方法（特許文献１〜３）が提案されている。

国際公開第２０１４／０８３８７５号 国際公開第２０１４／０２７６７３号 国際公開第２０１５／１８６６２４号

特許文献１〜３には、電磁波シールドシートを熱プレスすることによって電子部品の表面に電磁波シールド層を形成する技術が開示されている。例えば特許文献３における電子部品は、封止樹脂を形成後ハーフダイシングを行い、その凹凸面に電磁波シールドシートを熱プレスするものである。このときハーフダイシングにより形成される凸部のエッジは鋭角であるため、図１４に示すように、電磁波シールドシートを熱プレスすると、エッジ部において（例えば図１４のＡ−１やＡ−２）、電磁波シールドシートが破断しやすいため、外観が悪化するだけでなく、電磁波シールド層の品質が低下してしまう（（以下、エッジ被覆性））。一方、エッジ部の破断を抑制するために、電磁波シールドシートの膜の硬度を向上すると、図１５（Ａ）に示すように電磁波シールドシートの凹部の埋め込み性が悪化したり、図１５（Ｂ）に示すように溝部で電磁波シールドシートが破断し、溝部側面のグランド部と接続できない、といった問題があった（以下、グランド接続性）。
加えて、電子部品は長期的な耐候性が求められることから、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ耐性）に耐えることが必須とされているが、溝に埋まるよう電磁波シールドシートに柔軟性を付与した上で、ＰＣＴ耐性を付与することは非常に困難であった。

本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、埋め込み性、グランド接続性、エッジ被覆性、およびＰＣＴ耐性が良好な電磁波シールド層を提供できる電磁波シールドシート、並びに前記電磁波シールド層を有する部品搭載基板、並びに電子機器を提供することを目的とする。

本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の一部を被覆する電磁波シールド層と、を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波シールド層を形成するための電磁波シールドシートであって、前記電磁波シールドシートは少なくとも導電層を有し、前記導電層は、バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、かつ導電層の２３℃におけるヤング率が１０〜７００ＭＰａであることを特徴とする電磁波シールドシートにより解決される。

本発明によれば、埋め込み性、グランド接続性、エッジ被覆性およびＰＣＴ耐性が良好な電磁波シールド層を形成する電磁波シールドシートを提供できる。これにより誤作動がなく信頼性の高い部品搭載基板、および電子機器を提供できる。

本実施形態に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。 図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。 本実施形態に係る積層体の一例を示す模式的断面図。 本実施形態に係る積層体の一例を示す模式的断面図。 本実施形態に係る積層体の一例を示す模式的断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 本実施例に係る電子部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。 本実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程断面図。 従来の積層体により電磁波シールド層を形成した電子部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。 埋め込み性不良の一例。 埋め込み性に関する比較例および実施例の一例を示す部品搭載基板の断面図。 本実施例に係る部品搭載基板の評価方法を示す模式的断面図。

以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、本明細書で特定する数値「Ａ〜Ｂ」は、数値Ａと数値Ａより大きい値および数値Ｂと数値Ｂより小さい値を満たす範囲をいう。また、本明細書における「シート」とは、ＪＩＳにおいて定義される「シート」のみならず、「フィルム」も含むものとする。説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。また、同一の要素部材は、異なる実施形態においても同一符号で示す。本明細書中に出てくる各種成分は特に注釈しない限り、それぞれ独立に一種単独でも二種以上を併用してもよい。

また、本発明における「Ｍｗ」はゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によって求めたポリスチレン換算の重量平均分子量であり、導電性フィラー、電磁波吸収フィラー、および無機フィラーの平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折・散乱法により測定することにより求めることができる。

［部品搭載基板］
本発明の部品搭載基板は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面を被覆する電磁波シールド層と、を備える。電磁波シールド層は、基板上の凹凸部を被覆するためのものであって、電子部品の側面および天面と、基板の露出した面との少なくとも一部を被覆する。電磁波シールド層は全面を被覆することがより好ましい。
本発明の部品搭載基板は、電子部品の搭載により形成された段差部の溝が碁盤目状であり、溝の幅（ａ）を１としたときに、溝の深さ（ｂ）が１〜６倍であり、溝の幅（ａ）は、５０〜５００μｍである場合にも、基板上の凹凸部を均一に電磁波シールド層により被覆することが可能であり、溝への埋め込み性が良好である、という優れた効果を有している。

図１に本実施形態に係る部品搭載基板の模式的斜視図を、図２に図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図を示す。部品搭載基板１０１は、基板２０、電子部品３０および電磁波シールド層１等を有する。
部品搭載基板１０１には、耐擦傷性、水蒸気バリア性、酸素バリア性を示すフィルム等の他の層や、磁界カットを強化するフィルム等がさらに積層されていてもよい。

＜基板と電子部品＞
基板２０は、電子部品３０を搭載可能であり、且つ後述する熱プレス工程に耐え得る基板であればよく、任意に選択できる。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板またはビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が挙げられる。また、リジッド基板のみならず、フィルムやシート状のフレキシブル基板を用いてもよい。前記導電パターンは、例えば、電子部品３０と電気的に接続するための電極・配線パターン（不図示）、電磁波シールド層１が導体であり、電気的に接続するためのグランドパターン２２である。基板２０内部には、電極・配線パターン、ビア（不図示）等を任意に設けることができる。

電子部品３０は、図１の例においては基板２０上に５×４個アレイ状に配置されている。そして、基板２０および電子部品３０の露出面を被覆するように電磁波シールド層１が設けられている。即ち、電磁波シールド層１は、電子部品３０により形成される段差部である凹凸に追従するように被覆されている。

電子部品３０の個数、配置、形状および種類は任意である。アレイ状に電子部品３０を配置する態様に代えて、電子部品３０を任意の位置に配置してもよい。部品搭載基板１０１を単位モジュールに個片化する場合、図２に示すように、基板上面から基板の厚み方向に単位モジュールを区画するようにハーフダイシング溝２５を設けてもよい。なお、本実施形態に係る部品搭載基板は、単位モジュールに個片化する前の基板、および単位モジュールに個片化した後の基板の両方を含む。即ち、図１、２のような複数の単位モジュール（電子部品３０）が搭載された部品搭載基板１０１の他、図３のような単位モジュールに個片化した後の部品搭載基板１０２も含む。無論、個片化工程を経ずに、基板２０上に１つの電子部品３０を搭載し、電磁波シールド層で被覆した部品搭載基板も含まれる。即ち、本実施形態に係る部品搭載基板は、基板上に少なくとも１つの電子部品が搭載されており、電子部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部に電磁波シールド層が被覆された構造を包括する。

電子部品３０は、半導体集積回路等の電子素子が封止樹脂により一体的に被覆された部品全般を含む。例えば、集積回路（不図示）が形成された半導体チップ３１（図３参照）が封止樹脂３２によりモールド成型されている態様がある。基板２０と半導体チップ３１は、これらの当接領域を介して、又はボンディングワイヤ３３、はんだボール（不図示）等を介して基板２０に形成された配線又は電極２１と電気的に接続される。電子部品は、半導体チップの他、インダクタ、サーミスタ、キャパシタおよび抵抗等が例示できる。

電子部品の段差部におけるエッジはＲが５０μｍ以下であることが好ましい。特別に処理を行わない限りハーフダイシングによって形成された溝のエッジ部は鋭角となりＲが５０μｍ以下となる。電磁波シールド層の割れを低減する為にエッジ部のＲをより鈍角にする手段はあるものの、工数が増えコストが高くなってしまう。これに対し、本発明の電磁波シールドシートを用いる場合、エッジが鋭角であっても電磁波シールド層が割れることなく均一に被覆層を形成できることができる、という優れた効果を有する。

本実施形態に係る電子部品３０および基板２０は、公知の態様に対して広く適用できる。図３の例においては、半導体チップ３１は、インナービア２３を介して基板２０の裏面のはんだボール２４に接続されている。また、基板２０内には、電磁波シールド層１が電磁波シールド層である場合に、この電磁波シールド層と電気的に接続するためのグランドパターン２２が形成されている。また、個片化後の部品搭載基板に、複数の電子部品３０が搭載されていてもよい。また、電子部品３０内には、単数又は複数の電子素子等を搭載できる。

＜電磁波シールド層＞
電磁波シールド層は、少なくとも導電層を有する本発明の電磁波シールドシートにより形成される。電磁波シールドシートの導電層を電子部品上に配置し、熱プレスすることで、導電層が電子部品の側面および天面を少なくとも一部被覆し、電磁波シールド層を形成する。
電磁波シールド層は、導電性フィラーを含有し、電磁波反射層として用いることも、電波吸収フィラーを含有し、電磁波吸収層として用いることもできる。

図２を用いて一例を説明すると、電磁波シールド層１は、電子部品３０が搭載された基板２０上に、後述する電磁波シールドシートを載置して熱プレスすることにより得られる。電磁波シールド層１は、電磁波シールドシートの導電層が変形後、硬化したものであって、導電層はバインダー樹脂および導電性フィラーを含有させ導電性を付与することで電磁波反射層として機能する。電磁波反射層において導電性フィラーは連続的に接触されており、等方導電性を示す。なお、後述する電磁波シールドシートの段階では、等方導電性であっても、異方導電性であってもよい。
一方、導電層は、導電性フィラーの代わりに電磁波吸収フィラーを含有させることで電磁波吸収層として機能する。電磁波反射層や電磁波吸収層とすることにより、電子部品３０および／または基板２０に内蔵された信号配線等から発生する不要輻射を遮蔽し、また、外部からの磁場や電波による誤動作を防止できる。電磁波シールド層を電磁波反射層、または電磁波吸収層のどちらとするかは、電子部品の種類や外部の対策が必要なノイズによって適宜選択できる。

電磁波シールド層の被覆領域は、電子部品３０の搭載により形成された段差部（凹凸部）の全域を被覆していることが好ましい。電磁波シールド層はシールド効果を充分に発揮させるために、基板２０の側面または上面に露出するグランドパターン２２または／および電子部品の接続用配線等のグランドパターン（不図示）に接続する構成が好ましい。

電磁波シールド層は、単層または複層のいずれであってもよい。複層の場合、導電層を２層積層する態様が好ましい。好ましい複層の例として、導電性フィラーの含有量の異なる導電層を２層積層した電磁波シールドシート、繊維状（ワイヤー状）導電層と、導電層の電磁波シールドシートが例示できる。また、互いに形状が異なる導電フィラーを含む導電層の電磁波シールドシート（例えば樹枝状の導電性フィラーを含有する導電層と、フレーク状の導電性フィラーを含有する導電層との電磁波シールドシート）が例示できる。複層とする場合、グランド接続性を高める観点から、部品搭載基板に接する側に導電性が高い導電層を配置することが好ましい。また電磁波反射層と、電磁波吸収層を積層してなる電磁波シールドシートとする態様も好ましい。

一方で電磁波シールド層に異方導電性の層を含むと、基板２０のグランドパターン２２への接続信頼性が悪化する傾向があるため含まないことが好ましい。これは、凹部の底部に位置するグランドと、異方導電性層の導電フィラーの接地確率が低下するためである。

電磁波シールド層の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途には、電子部品の上面および側面を被覆する電磁波シールド層の厚みは、２〜７５μｍの範囲が好ましく、３〜６５μｍがより好ましく、５〜５５μｍが特に好ましい。高周波ノイズを精度高くシールドする用途には、厚みを、例えば１５〜２００μｍ程度にすることができる。

電磁波シールド層の割れが生じやすい場所は、電子部品３０のエッジ部を被覆する箇所である。電子部品のエッジ部において電磁波シールド層の割れが生じると、電磁波遮蔽効果の低下を招来するので、凹凸部の被覆性は特に重要となる。
本発明の電磁波シールド層は、エッジ被覆性が非常に優れている。

電磁波シールド層を電磁波吸収層として用いる場合、電磁波吸収層は、バインダー樹脂に加えて電磁波吸収フィラーを含む電磁波吸収性導電層から形成することができる。
電磁波吸収層の被覆領域は、電磁波シールド層と同様に電子部品３０の搭載により形成された段差部（凹凸部）の全域を被覆していることが好ましい。

［電磁波シールドシート］
本発明の電磁波シールドシートは少なくとも導電層を有する。

導電層は電子部品が搭載された基板上に載置し、熱プレスすることによって導電層が電子部品および基板の段差部に埋め込まれ、電磁波シールド層を形成する。段差の高さや溝、基板の強度により熱プレス時の圧力や温度を適宜設定すればよい。

電磁波シールドシートは、導電層に加え、ハンドリング性の向上や段差部への埋め込み性をより向上するため補強層およびクッション層が積層されていてもよい。
これらの層の積層方法は特に限定されないが、各層をラミネートする方法、クッション層上に導電性樹脂組成物を塗工、印刷する方法等が挙げられる。

図４にクッション層および補強層を積層した実施形態を示す。図４の電磁波シールドシートは、導電層２と、導電層２の一主面上に形成されたクッション層７と、クッション層７上に形成された補強層３を備える形態である。導電層２の他主面上には、離型性基材（不図示）を積層してもよい。
また、補強層とクッション層は、アンカー層を介して積層されてなることが好ましい。

（導電層）
導電層は、電磁波シールド層を形成するための層であり、少なくともバインダー樹脂と、導電性フィラー、または電磁波吸収フィラーとを含有する。
また、導電層の２３℃におけるヤング率は、１０〜７００ＭＰａである。２３℃におけるヤング率は３０〜５００ＭＰａがより好ましく、５０〜３００ＭＰａがさらに好ましい。２３℃におけるヤング率を１０〜７００ＭＰａとすることで埋め込み性とグランド接続性およびエッジ被覆性を良好なものとすることができる。加えて、ＰＣＴ耐性も良好となる。

尚、本発明における「２３℃におけるヤング率」とは以下のようにして求めることができる。
２３℃、相対湿度５０％で２４時間静置した導電層を、２３℃、相対湿度５０％の恒温湿室内で測定を行う。前記導電層を引張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎおよび標線間２５ｍｍの条件で引張試験機により応力−ひずみ曲線を測定し、ひずみ（伸び）が０．１〜０．３％の領域の線形回帰（傾き）を２３℃におけるヤング率とする。

このような２３℃におけるヤング率を満足する導電層は、例えば少なくともバインダー樹脂として熱硬化性樹脂と導電性フィラー、または電磁波吸収フィラーとを含有する導電性樹脂組成物を剥離シート上に塗工した後、乾燥させ熱環境下でエージングして半硬化させることにより得ることができる。

さらに導電層は、８０℃におけるヤング率が５〜８０ＭＰａが好ましく、９〜６５ＭＰａがより好ましく、１３〜６０ＭＰａがさらに好ましい。８０℃におけるヤング率を５〜８５ＭＰａとすることで熱プレス時の伸びが良好となり埋め込み性とグランド接続性を良好なものとすることができる。

尚、本発明における「８０℃におけるヤング率」は８０℃相対湿度５０％のチャンバー内で応力−ひずみ曲線を測定する以外は２３℃におけるヤング率と同様に測定して求めることができる。

導電層は、熱プレス後に電磁波シールド層として機能する。導電層は、バインダー樹脂と導電性フィラー、または電磁波吸収フィラーとを混合した導電性樹脂組成物をシート化することで得ることができる。

また、導電層は、硬化度が６０〜９９％であることが好ましく、６５〜９８％がより好ましく、７０〜９７％がさらに好ましい。硬化度を６０％以上とすることで導電層の破断強度が増しエッジ耐性をより向上できる。一方硬化度を９９％以下とすることで熱プレス時の伸びを良好にし、溝への埋め込み性をより向上することができる。

尚、本発明における「硬化度」とは以下のようにして求めることができる。
１００メッシュの金網を幅３０ｍｍ、長さ１００ｍｍに裁断し、重量（Ｗ１）を測定する。続いて、幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍの導電層を前述の金網で包み、試験片とし、重量（Ｗ２）を測定する。作製した試験片を溶剤中に浸漬させ室温で２時間振後、試験片を溶剤から取り出し、１２０℃で３０分間乾燥した後、重量（Ｗ３）を測定する。下記計算式［Ｉ］を用いて溶解せずに金網に残った導電層の含有割合を硬化度として算出する。
（Ｗ３−Ｗ１）／（Ｗ２−Ｗ１）×１００［％］［Ｉ］
溶剤は、メチルエチルケトン（以下、ＭＥＫ）トルエン、イソプロピルアルコール、クロロホルムから選択される、単独または混合溶剤の中で最も導電層の溶解度が高いものを選定する。

また、加熱前の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−１５〜３０℃が好ましく、−１０〜２５℃がより好ましく、−５〜２０℃がさらに好ましい。加熱前の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）を上記範囲とすることで、加熱時に導電層が凹凸に追従しやすくなり埋め込み性およびグランド接続性がより向上する。

また、１８０℃２時間加熱後の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）は、０〜８０℃が好ましく、２０〜８０℃がより好ましく、２５〜６５℃がさらに好ましく、３０〜５５℃が特に好ましい。加熱後の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）を０℃以上とすることで、形成した電磁波シールド層のＰＣＴ耐性がより向上するために好ましい。また加熱後の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）を８０℃以下とすることで、部品搭載基板の反りを軽減し歩留まりを向上することができる。
導電層のＴｇは、動的粘弾性測装置により測定することができる。

導電層の厚みは、電子部品の天面および側面および基板の露出面に被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、電子部品間の距離のサイズにより変動し得るが、通常、１２〜９０μｍが好ましく、１８〜８０μｍがより好ましく、２３〜７０μｍがさらに好ましい。膜厚を１２μｍ以上とすることで、埋め込み性、グランド接続性、およびエッジ耐性が向上する。一方、９０μｍ以下とすることでハンドリング性を向上するとともに電子機器の薄膜化を達成できる。

≪バインダー樹脂≫
導電層を形成するバインダー樹脂について説明する。
バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂は、硬化性化合物反応タイプが使用できる。更に、熱硬化性樹脂が自己架橋してもよい。熱硬化性樹脂を用いる場合、硬化性化合物と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。

熱硬化性樹脂の好適な例は、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、およびポリイミド樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂は、自己架橋可能な官能基を有していてもよい。例えば、リフロー時における過酷な条件で使用する場合の熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタンウレア系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。

熱硬化性樹脂の反応性官能基としては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基等がある。熱硬化性樹脂の酸価は、３〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。酸価を前記範囲とすることにより、エッジ被覆性が向上するという効果が得られる。酸価のより好ましい範囲は、４〜２０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、更に好ましい範囲は５〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇである。

硬化性化合物は、熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している。硬化性化合物は、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、酸無水物基含有化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物等が好ましい。硬化性化合物は、樹脂であってもよい。この場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物として区別する。

硬化性化合物の構造、分子量は用途に応じて適宜設計できる。

導電層のヤング率は、上述した熱硬化性樹脂および硬化性化合物の配合量を調整したり、異なる種類を組み合わせることで制御することができる。例えばポリウレタン系樹脂とポリカーボネート系樹脂の混合系、ポリカーボネート系樹脂とスチレン系樹脂の混合系、ポリウレタン系樹脂とフェノキシ樹脂の混合系とし、その配合比率を変更することでヤング率を制御できる。加えて、複数の硬化性化合物を混合し配合比率を変更する点もヤング率の制御に有効である。

硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１〜７０質量部含むことが好ましく、３〜６５質量部がより好ましく、３〜６０質量部が更に好ましい。

前記エポキシ化合物は、エポキシ基を有していれば特に制限はないが、多官能のエポキシ化合物であることが好ましい。熱プレス等において、エポキシ化合物のエポキシ基が、熱硬化性樹脂のカルボキシル基や水酸基と熱架橋することにより、架橋構造を得ることができる。エポキシ化合物として、常温・常圧で液状を示すエポキシ化合物も好適である。

バインダー樹脂として、上記以外に粘着付与樹脂や熱可塑性樹脂を用いてもよい。熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、スチレン・アクリル系樹脂、ジエン系樹脂、テルペン系樹脂、石油系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂等が例示できる。また、導電性ポリマーを用いることができる。導電性ポリマーとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンが例示できる。

≪導電性フィラー≫
導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックスフィラーおよびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーは、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型フィラーが例示できる。優れた導電特性を得る観点から、銀を含有する導電性フィラーが好ましい。コストの観点からは、銀コート銅粉が特に好ましい。銀コート銅における銀の含有量は、導電性フィラー１００質量％中、６〜２０質量％が好ましく、より好ましくは８〜１７質量％であり、更に好ましくは１０〜１５質量％である。コアシェル型フィラーの場合、コア部に対するコート層の被覆率は、表面全体１００質量％中、平均で６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。コア部は非金属でもよいが、導電性の観点からは導電性物質が好ましく、金属フィラーがより好ましい。

導電性フィラーの形状は、フレーク状（鱗片状）が好ましい。またフレーク状と他の形状の導電性フィラーを併用してもよい。併用する導電性フィラーの形状は、特に限定されないが、樹枝（デンドライト）状、繊維状、針状または球状の導電性フィラーが好ましい。併用する導電性フィラーは、単独または混合して用いられる。併用する場合、フレーク状導電性フィラーおよび樹枝状フィラーの組み合わせ、フレーク状導電性フィラー、樹枝状導電性フィラーおよび球状導電性フィラーの組み合わせ、フレーク状導電性フィラーおよび球状導電性フィラーの組み合わせが例示できる。これらのうち、電磁波シールド層のエッジ被覆性を高める観点から、フレーク状導電性フィラー単独またはフレーク状導電性フィラーと樹枝状導電性フィラーとの組み合わせがより好ましい。

フレーク状導電性フィラーの平均粒子径Ｄ_５０は２〜１００μｍが好ましく、２〜８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３〜５０μｍであり、特に好ましくは５〜２０μｍである。樹枝状導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２〜１００μｍが好ましく、２〜８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３〜５０μｍであり、特に好ましくは５〜２０μｍである。

導電層における導電性フィラーの含有量は、優れた電磁波シールド特性を得る観点から、導電層全体に対して４０〜９５質量％含むことが好ましい。下限値はより好ましくは４５質量％であり、さらに好ましくは５０質量％であり、特に好ましくは５５質量％である。

≪電磁波吸収フィラー≫
電磁波吸収フィラーとして、例えば、鉄、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｍｇフェライト、Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライト系物質並びに、カーボンフィラーなどが挙げられる。カーボンフィラーは、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなるフィラー、グラフェンフィラー、グラファイトフィラーおよびカーボンナノウォールが例示できる。

電磁波吸収導電層における電磁波吸収フィラーの含有量は、優れた電磁波吸収特性を得る観点から、電磁波吸収導電層全体に対して５〜７５質量％含むことが好ましい。下限値はより好ましくは１０質量％であり、さらに好ましくは１５質量％であり、特に好ましくは２０質量％である。

また、導電層は、少なくともバインダー樹脂と、導電性フィラー、または電磁波吸収フィラーとを含有する導電性樹脂組成物により形成することができる。導電性樹脂組成物は、さらに着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。
ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。

導電性樹脂組成物を塗工する方法としては、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピコート方式、ディップコート方式等を使用することができる。

（補強層）
補強層３は、電磁波シールドシートのハンドリング性を付与すると共に、熱プレス時はプレスの力をクッション層７に伝えて導電層２を被着体の段差部の溝に埋め込むために用いられる。加えて、熱プレス後、変形して段差部（凹凸）の溝に食い込んだクッション層７を剥離する際の支持体となり剥離性を大幅に向上させる。

補強層は、樹脂フィルム、金属板等から適宜選択でき、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔や、これらを組み合わせた複合フィルムなどが挙げられるが、この中でも、ハンドリング性やコストの観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイドの何れかであることが好ましい。さらにポリエチレンテレフタレートおよびポリイミドがより好ましい。

補強層の厚みは、２０μｍ以上が好ましく、２５μｍ以上がより好ましく、３８μｍ以上がさらに好ましい。補強層の厚みを２０μｍ以上にすることで、補強層の強度が向上するため埋め込み性、離形性およびハンドリング性がより向上する。また、補強層の厚みは、特に制限はないが、２５０μｍ以下である場合、電磁波シールドシートの離形性およびハンドリング性が向上するため好ましい。

（クッション層）
クッション層は、熱プレス時に溶融する層であり、導電層２の電子部品３０の搭載により形成された段差部への追従性を促すクッション材として機能する。加えて、離型性があり導電層と接合することなく、熱プレス工程後に導電層から剥離可能な層である。
なお、クッション層が、離型層を有する場合には、クッション性を有する部材と、離型層とをあわせた構成を指す。

クッション層は、少なくとも熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物により形成することができる。また、熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂に加えて、可塑剤や熱硬化剤、無機フィラー等を含んでいてもよい。

熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、酸をグラフトさせた酸変性ポリオレフィン系樹脂、ポリオレフィンと不飽和エステルとの共重合樹脂、ビニル系樹脂、スチレン・アクリル系樹脂、ジエン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。
これらの中でも、ポリオレフィン系樹脂、酸をグラフトさせた酸変性ポリオレフィン系樹脂、ポリオレフィンと不飽和エステルとの共重合樹脂、ビニル系樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂は、１種を単独で、または必要に応じて任意の比率で２種以上混合して用いることができる。

ポリオレフィン系樹脂は、エチレン、プロピレン、α−オレフィン化合物などのホモポリマーまたはコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレンホモポリマー、ポリプロピレンコポリマー等が挙げられる。
これらの中でもポリエチレン樹脂およびポリプロピレン樹脂が好ましく、より好ましくは、ポリエチレン樹脂である。

酸変性ポリオレフィン系樹脂は、マレイン酸やアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等がグラフトされたポリオレフィン樹脂が好ましい。
これらの中でも、マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂が好ましい。

ポリオレフィンと不飽和エステルとの共重合樹脂における不飽和エステルとしてはアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソオクチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸イソブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチルおよびメタクリル酸グリシジルなどが挙げられる。
これらの中でもポリオレフィンとしてエチレン、不飽和エステルとしてメタクリル酸グリシジルからなる、エチレン−メタクリル酸グリシジル共重合樹脂が好ましい。

ビニル系樹脂は、酢酸ビニルなどのビニルエステルの重合により得られるポリマーおよびビニルエステルとエチレンなどのオレフィン化合物とのコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−プロピオン酸ビニル共重合体、部分ケン化ポリビニルアルコール等が挙げられる。
これらの中でもエチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。

スチレン・アクリル系樹脂は、スチレンや（メタ）アクリロニトリル、アクリルアミド類、マレイミド類などからなるホモポリマーまたはコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアクリロニトリル、アクリルコポリマー等が挙げられる。

ジエン系樹脂は、ブタジエンやイソプレン等の共役ジエン化合物のホモポリマーまたはコポリマーおよびそれらの水素添加物が好ましい。具体的には、例えば、スチレン−ブタジエンゴム、スチレン−イソプレンブロックコポリマー、スチレン−エチレン・ブチレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−エチレン・プロピレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−ブチレン・ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−エチレン・ブチレン−スチレンブロックコポリマーとスチレン−エチレン・ブチレンブロックコポリマーとの混合物等が挙げられる。

セルロース系樹脂は、セルロースアセテートブチレート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、ビスフェノールＡポリカーボネートが好ましい。

ポリイミド系樹脂は、熱可塑性ポリイミド、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミック酸型ポリイミド樹脂が好ましい。

クッション層は図５に示すように、熱プレス後クッション層と電磁波シールド層との剥離を容易にするため、クッション層７は、クッション性の部材６に加え、離形層４を含む形態とすることができる。離形層４としては、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、フッ素樹脂からなる層を形成することが好ましい。この中でもポリプロピレン、ポリメチルペンテン、シリコーン、フッ素樹脂がさらに好ましい。
上記形態の他、アルキッド、シリコーンの等の離型剤をコーティングする形態も好ましい。

離形層の厚みは０．００１〜７０μｍが好ましく、０．０１〜５０μｍがより好ましい。

市販のクッション層としては、三井東セロ社製「ＣＲ１０１２」、「ＣＲ１０１２ＭＴ４」、「ＣＲ１０３１」、「ＣＲ１０３３」、「ＣＲ１０４０」、「ＣＲ２０３１ＭＴ４」等を用いることができる。これら市販のクッション層はクッション層の両面を離形層としてポリメチルペンテンで挟み込んだ層構成となっており本願ではこれらの一体構成をクッション層と呼ぶ。この一方に補強層を積層することで埋め込み性および基板割れを良化することができる。

クッション層の厚みは、５０〜３００μｍが好ましく、７５〜２５０μｍがより好ましく、１００〜２００μｍがさらに好ましい。５０μｍ以上とすることで埋め込み性を向上できる。３００μｍ以下とすることで電磁波シールドシートのハンドリング性を良好なものとすることができる。なお上記厚みは、離形層を有する場合、離形層を含んだ値である。

（アンカー層）
補強層とクッション層は、アンカー層を介して積層されてなることが好ましい。
クッション層７は図６に示すように、補強層３とクッション層７との界面にアンカー層５を有することができる。アンカー層５は、クッション層７と補強層３を接合する役割を担う。熱プレス時にアンカー層５に固定されることでクッション層７はより確実に凹凸に埋め込まれる。さらに熱プレス後にクッション層７を剥離する際、補強層３との界面剥離を抑制し歩留まりを高めることができる。

アンカー層５は、熱プレスの温度によって接着性の低下や発泡が起こらないものであれば粘着剤（感圧式接着剤）およびそれ以外の接着剤を用いることができる。

粘着剤は、アクリル系粘着剤またはウレタン系粘着剤が好ましい。

粘着剤以外の接着剤として、熱硬化性接着剤、加圧硬化性接着剤、水硬化性接着剤を用いることができる。熱硬化性接着剤は導電層２で説明した熱硬化性樹脂並びに硬化剤を用いることができる。

アンカー層５に粘着剤を用いる場合、図１３に示すように、熱プレス時にクッション層７の端部を被覆するようにアンカー層５の端部が流動し、クッション層７の横方向への流動を抑制する。その結果、クッション層７の段差部（凹凸）の溝への押し込みを促し、導電層２が凹部にも均一に埋め込まれた電磁波シールド層１を形成することができる。

アンカー層５の厚みは１〜７０μｍが好ましく３〜５０μｍがより好ましい。厚みを上記範囲にすることでクッション層７の横方向への流動を抑制し、且つプレスの圧力を効率的にクッション層７に伝えるため埋め込み性が向上する。

上述した導電層、補強層およびクッション層の厚みの測定方法は、接触式の膜厚計および、断面観察による計測などで測定することができる。

［部品搭載基板の製造方法］
以下、本実施形態に係る部品搭載基板の製造方法の一例について図７〜図１１を用いて説明する。但し、これに限定されるものではない。
部品搭載基板の製造方法としては、基板２０に電子部品３０を搭載する工程（ａ）と、電子部品３０が搭載された基板２０上に、補強層３、クッション層７および導電層からなる電磁波シールドシート１０を設置する載置工程（ｂ）と、電子部品３０の搭載により形成された段差部の少なくとも一部を含む基板２０の露出面に導電層２が追従するように、熱プレスによって接合して電磁波シールド層１を得る工程（ｃ）と、その後、クッション層７と補強層３を取り除く工程（ｄ）を備える。

＜工程（ａ）＞
工程（ａ）は、基板に電子部品を搭載する工程である。

まず、基板２０に電子部品３０を搭載する。図７は、工程（ａ）により得られる、本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程段階の基板の一例である。同図に示すように、基板２０上に半導体チップ（不図示）を搭載し、半導体チップが形成されている基板２０上を封止樹脂によりモールド成形し、電子部品間の上方から基板２０内部まで到達するように、モールド樹脂および基板２０をダイシング等によりハーフカットする。予めハーフカットされた基板上に電子部品３０をアレイ状に配置する方法でもよい。なお、電子部品３０とは、図８の例においては半導体チップをモールド成形した一体物をいい、絶縁体により保護された電子素子全般をいう。ハーフカットは、基板内部まで到達させる態様の他、基板面までカットする態様がある。また、基板全体をこの段階でカットしてもよい。この場合には、粘着テープ付き基体上に基板を載置して位置ずれが生じないようにしておくことが好ましい。この場合、粘着テープ付き基体について熱プレスによる割れや変形の問題が発生する。

前記電子部品間の溝は埋め込み性のムラを解消する観点から、碁盤目状であることが好ましい。

モールド成形する場合の封止樹脂の材料は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が通常用いられる。封止樹脂の形成方法は特に限定されず、印刷、ラミネート、トランスファー成形、コンプレッション、注型等が挙げられる。モールド成形は任意であり、電子部品の搭載方法も任意に変更できる。

＜工程（ｂ）＞
工程（ｂ）は、工程（ａ）の後、補強層、クッション層および導電層の順で積層されてなる電磁波シールドシートを、電子部品が搭載された基板上に前記導電層を対向配置するように載置する工程である。

図８に示すように、工程（ａ）の後、電磁波シールドシート１０を電子部品３０が搭載された基板２０上に設置する。電磁波シールドシート１０は基板２０および電子部品３０との接合領域に導電層２が対向配置するように載置する。載置後、仮貼付してもよい。

仮貼りする手法として、電磁波シールドシート１０を基板上に載せ、アイロン等の熱源で軽く全面または端部を熱プレスして仮貼りする。全面に熱プレスする場合、リジット基板用の熱ロールラミネーターのような装置が利用できる。製造設備あるいは基板２０のサイズ等に応じて、基板２０の領域毎に複数の電磁波シールドシート１０を用いたり、電子部品３０毎に電磁波シールドシート１０を用いてもよいが、製造工程の簡略化の観点からは、基板２０上に搭載された複数の電子部品３０全体に１枚の電磁波シールドシート１０を用いることが好ましい。

＜工程（ｃ）＞
工程（ｃ）は、工程（ｂ）後、電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面に導電層が追従するように、熱プレスによって接合して電磁波シールド層を得る工程である。

図９に示すように、工程（ｂ）により得られた製造基板を、一対のプレス基板４０間に挟持し、熱プレスする。導電層２は、クッション層７の溶融による押圧により、製造基板に設けられたハーフカット溝２５に沿うように延伸され、電子部品３０および基板２０に追従して被覆され、電磁波シールド層１が形成される。プレス基板４０をリリースすることにより図１０に示すような製造基板が得られる。

熱プレス工程の温度はクッション層７の溶融温度以上かつ、補強層３の溶融温度未満の温度であることが好ましい。この温度とすることで、クッション層７を溶融させつつ、補強層３の強度が維持できる。熱プレス工程の加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。また、上限値としては、電子部品３０の耐熱性に依存するが、２２０℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましく、１８０℃以下であることがさらに好ましい。

熱プレス工程の圧力は、電子部品３０の耐久性、製造設備あるいはニーズに応じて、導電層２の被覆性が確保できる範囲において任意に設定できる。圧力範囲としては限定されないが、０．５〜１５．０ＭＰａ程度が好ましく、１〜１３．０ＭＰａの範囲がより好ましく、２〜１０．０ＭＰａの範囲がさらに好ましい。なお、必要に応じて電磁波シールド層上に保護層等を設けてもよい。

熱プレス時間は、電子部品の耐熱性、導電層に用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。熱プレス時間は１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお熱プレス時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合は、この熱プレスにより熱硬化性樹脂が硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば熱プレス前に部分的に硬化あるいは実質的に硬化が完了していてもよい。

熱プレス装置は、押圧式熱プレス装置、トランスファーモールド装置、コンプレッションモールド装置、真空圧空成形装置等を使用できる。

なお、図９にプレスの方向を示す矢印は一例であって、上下に限るものではない。

＜工程（ｄ）＞
工程（ｄ）は、工程（ｃ）後、クッション層と補強層を取り除く工程である。

次いで、電磁波シールド層１より上層に被覆されているクッション層７および補強層３を剥離する。これにより、電子部品３０を被覆する電磁波シールド層１を有する部品搭載基板１０１を得る（図１、２、１１参照）。

工程（ｄ）の後、ダイシングブレード等を用いて、基板２０における部品搭載基板１０１の個品の製品エリアに対応する位置でＸＹ方向にダイシングする。これにより、電子部品３０が電磁波シールド層１で被覆された部品搭載基板が得られる。電磁波シールド層１が電磁波シールド層の場合、基板２０に形成されたグランドパターン２２と電磁波シールド層が電気的に接続された部品搭載基板が得られる。

［電子機器］
本実施形態に係る部品搭載基板は、例えば、基板２０の裏面に形成されたはんだボール等を介して実装基板に実装することができ、電子機器に搭載できる。例えば、本実施形態に係る部品搭載基板は、パソコン、ダブレット端末、スマートフォン、ドローン等をはじめとする種々の電子機器に用いることができる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、実施例中の「部」とあるのは「質量部」を、「％」とあるのは「質量％」をそれぞれ表すものとする。また、本発明に記載の値は、以下の方法により求めた。

（１）試験基板の作製
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品をアレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た（図１２参照）。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は０．２ｍｍを作製した。
試験基板の模式的断面図を図１２に示す。

以下、実施例で使用した材料を示す。
バインダー樹脂１：ポリウレタン系樹脂 酸価１０［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
バインダー樹脂２：ポリカーボネート系樹脂 酸価５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
バインダー樹脂３：スチレン系樹脂 酸価１１［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
バインダー樹脂４：フェノキシ系樹脂 酸価１５［ｍｇＫＯＨ／ｇ］（トーヨーケム社製）
硬化性化合物１：エポキシ樹脂、「デナコールＥＸ８３０」（２官能エポキシ樹脂 エポキシ当量＝２６８ｇ／ｅｑ）ナガセケムテックス社製
硬化性化合物２：エポキシ樹脂、「ＹＸ８０００」（水添ビスフェノールエポキシ樹脂 エポキシ当量＝２１０ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
硬化性化合物３：エポキシ樹脂、「ｊＥＲ１５７Ｓ７０」（ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂 エポキシ当量＝２０８ｇ／ｅｑ）三菱化学社製
硬化促進剤：アジリジン化合物、「ケミタイト ＰＺ−３３」（日本触媒社製）

導電性フィラー１：「銀からなる鱗片状粒子平均粒子径Ｄ５０＝６．０μｍ、厚み０．８μｍ」
電波吸収フィラー１：Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系鱗片状磁性粒子（平均粒子径Ｄ５０：９．８μｍ、厚み０．５μｍ）
電波吸収フィラー２：Ｆｅ−Ｃｏ系鱗片状磁性粒子（平均粒子径Ｄ５０：１３μｍ、厚み０．６μｍ）
電波吸収フィラー３：カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）粒子（平均粒子径Ｄ５０：１５μｍ、厚み０．９μｍ）

離型性基材：表面にシリコーン離型剤をコーティングした厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム

＜２３℃および８０℃におけるヤング率の測定＞
２３℃、相対湿度５０％で２４時間静置した導電層を２３℃、相対湿度５０％の恒温湿室内において、前記導電層を引張り速度５０ｍｍ／分および標線間２５ｍｍの条件で引張試験機「ＥＺテスター」（島津製作所社製）により応力−ひずみ曲線を測定し、ひずみ（伸び）が０．１〜０．３％の領域の線形回帰（傾き）を２３℃におけるヤング率とした。なお別途チャンバーを用意し８０℃の条件で上記と同様にして応力−ひずみ曲線を測定することで８０℃におけるヤング率を測定した。

＜硬化度の測定＞
１００メッシュの金網を幅３０ｍｍ、長さ１００ｍｍに裁断し、重量（Ｗ１）を測定する。続いて、幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍの導電層を前述の金網で包み、試験片とし、重量（Ｗ２）を測定する。作製した試験片をメチルエチルケトンに浸漬させ室温で１時間振後、試験片を溶剤から取り出し、１００℃で３０分間乾燥した後、重量（Ｗ３）を測定する。下記計算式［Ｉ］を用いて溶解せずに金網に残った導電層の含有割合を硬化度として算出する。
（Ｗ３−Ｗ１）／（Ｗ２−Ｗ１）×１００［％］［Ｉ］

＜厚み測定＞
電磁波シールド層の厚みは、研磨法によって部品搭載基板の断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電子部品の上面領域における最も厚みのある箇所の膜厚を測定した。異なる部品搭載基板の断面出しのサンプル５つについて同様に測定し、その平均値を厚みとした。

積層体を構成する各層の厚みは、接触式膜厚計を用いて異なる５ヶ所について膜厚を測定し、その平均値を厚みとした。

＜導電性フィラー、電波吸収フィラーの厚み＞
電磁波シールド層の厚みを測定した切断面画像を、電子顕微鏡で千倍〜５万倍程度に拡大した画像を元に異なる粒子を約１０〜２０個を測定し、その平均値を使用した。

＜平均粒子径Ｄ_５０＞
平均粒子径Ｄ_５０は、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ１３３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、導電性フィラー、電波吸収フィラー、または無機フィラーを測定して得た平均粒子径Ｄ_５０の数値であり、粒子径累積分布における累積値が５０％の粒子径である。分布は体積分布、屈折率の設定は１．６とした。当該粒子径であればよく、一次粒子でも二次粒子でもよい。

＜貯蔵弾性率とガラス転移温度（Ｔｇ）＞
動的粘弾性測装置ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用いて、積層体を構成する各層に対して変形様式「引張り」、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲−８０℃〜３００℃の条件での測定を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。
ガラス転移温度は、加熱前の導電層と、１８０℃２時間加熱した後の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）をそれぞれ求めた。

＜酸価の測定＞
共栓付き三角フラスコ中に熱硬化性樹脂を約１ｇ精密に量り採り、トルエン／エタノール（容量比：トルエン／エタノール＝２／１）混合液５０ｍＬを加えて溶解する。これに、フェノールフタレイン試液を指示薬として加え、３０秒間保持する。その後、溶液が淡紅色を呈するまで０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液で滴定する。酸価は次式により求めた。酸価は樹脂の乾燥状態の数値とした。
酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（ａ×Ｆ×５６．１×０．１）／Ｓ
Ｓ：試料の採取量×（試料の固形分／１００）（ｇ）
ａ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の滴定量（ｍＬ）
Ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌアルコール性水酸化カリウム溶液の力価

＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定＞
Ｍｗの測定は東ソ−社製ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）「ＨＰＣ−８０２０」を用いた。ＧＰＣは溶媒（ＴＨＦ；テトラヒドロフラン）に溶解した物質をその分子サイズの差によって分離定量する液体クロマトグラフィ−である。測定は、カラムに「ＬＦ−６０４」（昭和電工社製：迅速分析用ＧＰＣカラム：６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍサイズ）を直列に２本接続して用い、流量０．６ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で行い、重量平均分子量（Ｍｗ）の決定はポリスチレン換算で行った。

［実施例１］
バインダー樹脂１（固形分）７０部と、バインダー樹脂２（固形分）３０部と、硬化性化合物１を３０部と、硬化性化合物２を１５部と、硬化促進剤１を1部と、導電性フィラー１を３２０部と、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで導電性樹脂組成物を得た。
この導電性樹脂組成物を乾燥厚みが５０μｍになるようにドクターブレードを使用して離型性基材に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで離型性基材と導電層とが積層されたシートＡを得た。
別途、補強層である５０μｍＰＥＴフィルム（「テトロンＧ２」テイジン社製）に、アンカー層として９μｍのアクリル系粘着剤層（Ｔｇが−４０℃、トーヨーケム社製）を形成し、クッション層として熱溶融樹脂層の両面をポリメチルペンテンで積層された三井東セロ社製「オピュランＣＲ１０１２ＭＴ４（層厚１５０μｍ）」の片面側とを粘着剤層面で張り合わせることでシートＣを得た。
次いでシートＡの導電層の面とシートＣのクッション層面をロールラミネーターで張り合わせ、１００℃のオーブンで６分間エージングすることで、積層体を得た。

得られた積層体を１０ｃｍ×１０ｃｍにカットし、離形性基材を剥離して、導電層を試験基板に載置した。その後、積層体の補強層の上方から基板面に対し５ＭＰａ、１７０℃の条件で５分熱プレスした。熱プレス後、冷却し、補強層とクッション層を同時に剥離すしさらに１８０℃２時間加熱することで、電磁波シールド層が形成された電子部品搭載基板を得た。

［実施例２〜２７および比較例１〜２］
導電層の２３℃におけるヤング率およびその他の諸物性、各成分と配合量（質量部）、試験基板の電子部品の溝幅、溝深さ、を表３〜５に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、部品搭載基板を作製した。表３〜５に示すバインダー樹脂および硬化性化合物の配合量は固形分質量である。

上記実施例および比較例について、以下の測定方法および評価基準にて評価した。

＜埋め込み性評価＞
実施例１〜２７、比較例１〜２で得た部品搭載基板を、研磨法によって図１のII−II線に沿う図２に示す断面を形成し、ハーフダイシング溝２５の電磁波シールド層の断面を１０か所電子顕微鏡で観察することにより、埋め込み性を評価した。
評価基準は以下の通りである。

◎：すべての溝が埋め込まれている。非常に良好な結果である。
〇：９か所の溝が埋め込まれている。良好な結果である。
△：８か所の溝が埋め込まれている。実用上問題ない。
×：埋め込まれている溝が７か所以下。実用不可。

＜グランド接続性＞
実施例１〜２７、比較例１〜２で得た部品搭載基板を、図１７の断面図に示す底部のグランド端子ａ‐ｂ間の接続抵抗値をＨＩＯＫＩ社製ＲＭ３５４４とピン型リードプローブを用いて測定することにより、グランド接続性を評価した。
評価基準は以下の通りである。

◎：接続抵抗値が２００ｍΩ未満。非常に良好な結果である。
〇：接続抵抗値が２００ｍΩ以上、５００ｍΩ未満。良好な結果である。
△：接続抵抗値が５００ｍΩ以上、１０００ｍΩ未満。実用上問題ない。
×：接続抵抗値が１０００ｍΩ以上。実用不可。

＜エッジ被覆性＞
図１７に示す部品搭載基板のエッジ部の破れを顕微鏡によって観察し評価した。観察は異なる４カ所のエッジ部を評価した。
評価基準は以下の通りである。

◎：破れ無し。非常に良好な結果である。
〇：一部電磁波シールド層が透けている。良好な結果である。
△：一部破れ、電子部品が露出している。実用上問題ない。
×：エッジ全体で破れ発生し電子部品が全域露出。実用不可。

＜ＰＣＴ耐性＞
ＦＲ４（ガラスエポキシ基板）を用意し、上記の積層体を１０ｃｍ×１０ｃｍにカットし、離形性基材を剥離して、導電層をＦＲ４上に載置した。その後、積層体の補強層の上方からＦＲ４面に対し５ＭＰａ、１６０℃の条件で２０分熱プレスした。熱プレス後、冷却し、補強層とクッション層を同時に剥離することで、電磁波シールド層が形成された試験基板を得た。次いでこの試験基板に対してプレッシャークッカーテスト（条件：１３０℃、８５％ＲＨ、０．１２ＭＰａ、９６時間）を行った。その後、試験基板の電磁波シールド層に、ＪＩＳＫ５４００に準じてクロスカットガイドを使用し、間隔が１ｍｍの碁盤目を１００個作成した。その後、碁盤目部に粘着テープを強く圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目の状態を下記の基準で判断した。

◎：剥がれ率１５％未満。
〇：塗膜がカットの線に沿って部分的に剥がれている。剥がれ率１５％以上２０％未満。
△：塗膜がカットの線に沿って部分的に剥がれている。剥がれ率２０％以上３５％未満。
×：塗膜がカットの線に沿って部分的に若しくは全面的に剥がれている。剥がれ率３５％以上。

実施例および比較例に係る部品搭載基板の評価結果を表１〜４に示す。

１ 電磁波シールド層
２ 導電層
３ 補強層
４ 離形層
５ アンカー層
６ クッション性の部材
７ クッション層
１０ 積層体
２０ 基板
２１ 配線または電極
２２ グランドパターン
２３ インナービア
２４ はんだボール
２５ ハーフダイシング溝
３０ 電子部品
３１ 半導体チップ
３２ モールド樹脂
３３ ボンディングワイヤ
４０ プレス基板
１０１〜１０２ 部品搭載基板

［実施例２〜２７および比較例１〜２］
導電層の２３℃におけるヤング率およびその他の諸物性、各成分と配合量（質量部）、試験基板の電子部品の溝幅、溝深さ、を表３〜５に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、部品搭載基板を作製した。表３〜５に示すバインダー樹脂および硬化性化 合物の配合量は固形分質量である。
ただし、実施例９および１６は参考例である。

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、
   前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の一部を被覆する電磁波シールド層と、
   を備える部品搭載基板に用いられる前記電磁波シールド層を形成するための電磁波シールドシートであって、
   前記電磁波シールドシートは少なくとも導電層を有し、
   前記導電層は、バインダー樹脂および導電性フィラーを含み、
   かつ導電層の２３℃におけるヤング率が１０〜７００ＭＰａであることを特徴とする電磁波シールドシート。
2. 前記導電層の硬化度は、６０〜９９％であることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールドフィルム。
3. 加熱前の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）は−１５℃〜３０℃であり、１８０℃２時間加熱した後の導電層のガラス転移温度（Ｔｇ）は２０〜８０℃であることを特徴とする請求項１または２記載の電磁波シールドシート。
4. 請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールドシートにより形成されてなる電磁波シールド層を有する部品搭載基板。
5. 請求項４に記載の部品搭載基板を具備する電子機器。