TWI807011B - 電磁波屏蔽片 - Google Patents

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Abstract

本發明的電磁波屏蔽片是用以形成組件搭載基板中所使用的電磁波屏蔽層的電磁波屏蔽片，組件搭載基板包括：基板、搭載於基板的單面或兩面的電子組件、以及將藉由電子組件的搭載而形成的階差部及基板的一部分加以被覆且包括電磁波反射層及/或電磁波吸收層的電磁波屏蔽層；並且電磁波屏蔽片包括電磁波反射層的熱壓前的導電層及/或電磁波吸收層的熱壓前的導電層，電磁波反射層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及導電性填料，電磁波吸收層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及電磁波吸收填料。將導電層的23℃下的楊氏模數設為10MPa~700MPa。

Description

電磁波屏蔽片
本發明是有關於一種電磁波屏蔽片，其適合於形成組件搭載基板的電磁波屏蔽層。
搭載有積體電路(Integrated Circuit，IC)晶片等電子組件的電子基板為了防止由來自外部的磁場或電波所引起的誤動作，另外，為了降低從電子基板內部產生的電訊號的無用輻射，通常設置電磁波屏蔽結構。先前，IC晶片的屏蔽中使用濺鍍製程，由於設備投資的問題等而要求代替技術。
因此，近年來提出有於形成電子組件的外骨架的成型樹脂(mold resin)上被覆電磁波屏蔽片的方法(專利文獻1~專利文獻3)
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/083875號
[專利文獻2]國際公開第2014/027673號
[專利文獻3]國際公開第2015/186624號
專利文獻1~專利文獻3中，揭示有藉由將電磁波屏蔽片進行熱壓而於電子組件的表面形成電磁波屏蔽層的技術。例如於專利文獻3中，對搭載有形成密封樹脂的電子組件的基板進行半切割(half dicing)，將電磁波屏蔽片熱壓於其凹凸面。此時藉由半切割而形成的凸部的邊緣為銳角，因此如圖16所示，若將電磁波屏蔽片進行熱壓，則於邊緣部，電磁波屏蔽片容易斷裂(例如圖16的A-1或A-2)。因此，存在不僅外觀惡化，而且導致電磁波屏蔽層的品質下降的問題(以下稱為邊緣被覆性)。另一方面，若為了抑制邊緣部的斷裂而提高電磁波屏蔽片的膜的硬度，則存在以下問題：如圖17所示，電磁波屏蔽片的凹部的埋入性惡化(即圖17的埋入性不良X1)，或如圖18所示，於槽部，電磁波屏蔽片斷裂(即圖18的槽內部膜的破裂X2)，例如無法與基板的槽部側面的接地部連接等(以下稱為接地連接性)。
此外，電子組件要求長期的耐候性，因此必須耐受壓力鍋試驗(pressure cooker test，PCT)耐性。但是，為了填埋電子組件間的槽而對電磁波屏蔽片賦予柔軟性後，亦存在非常難以賦予PCT耐性的問題。
本發明是鑒於所述背景而形成，目的在於提供一種可提供埋入性、接地連接性、邊緣被覆性及PCT耐性良好的電磁波屏蔽層的電磁波屏蔽片。
本發明者反覆進行銳意研究，結果發現於以下形態中可 解決本發明的課題，從而完成本發明。
[1]：一種電磁波屏蔽片，其是用以形成電子組件搭載基板中所使用的電磁波屏蔽層的熱壓前的電磁波屏蔽片，所述電子組件搭載基板包括：基板；電子組件，其搭載於所述基板的單面或兩面；以及電磁波屏蔽層，其將藉由所述電子組件的搭載而形成的階差部以及所述基板的至少一部分的露出面加以被覆，且包括電磁波反射層及電磁波吸收層中的至少一個層；並且所述電磁波屏蔽片包括所述電磁波反射層的熱壓前的導電層、及所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層中的至少一者，所述電磁波反射層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及導電性填料，所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及電磁波吸收填料，所述導電層的23℃下的楊氏模數為10MPa~700MPa。
[2]：如[1]所述的電磁波屏蔽片，其中所述導電層的80℃下的楊氏模數為5MPa~85MPa。
[3]：如[1]或[2]所述的電磁波屏蔽片，其中所述導電層的玻璃轉移溫度(Tg)為-15℃~30℃，將該導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度(Tg)為20℃~80℃。
[4]：如[1]~[3]中任一項所述的電磁波屏蔽片，其中所述導 電層的23℃下的楊氏模數與該導電層的80℃下的楊氏模數的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]為1.8~8.5。
[5]：如[1]~[4]中任一項所述的電磁波屏蔽片，其中所述導電層的硬化度為60%~99%。
依據本發明，可提供一種電磁波屏蔽片，其形成埋入性、接地連接性、邊緣被覆性及PCT耐性良好的電磁波屏蔽層。藉此可提供可靠性高的組件搭載基板、以及電子機器。
1:電磁波屏蔽層
2:導電層
3:增強層
4:脫模層
5:錨固層
6:緩衝性的構件
7:緩衝層
10:電磁波屏蔽片
20:基板
21:配線或電極
22:接地圖案
23:內通孔
24:焊球
25:半切槽
30:電子組件
31:半導體晶片
32:密封樹脂
33:接合線
40:壓製基板
101~102:組件搭載基板
(a):槽的寬度
(b):槽的深度
a、b:接地端子
圖1是表示本實施方式的電子組件搭載基板的一例的示意性立體圖。
圖2是圖1的II-II切斷部剖面圖。
圖3是表示本實施方式的電子組件搭載基板的另一例的示意性剖面圖。
圖4是表示本實施方式的積層體的一例的示意性剖面圖。
圖5是表示本實施方式的積層體的一例的示意性剖面圖。
圖6是表示本實施方式的積層體的一例的示意性剖面圖。
圖7是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖8是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖9是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖10是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖11是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖12是表示本實施例的電子組件搭載基板的另一例的示意性剖面圖。
圖13是本實施方式的電子組件搭載基板的製造步驟剖面圖。
圖14A是表示與埋入性有關的比較例1的組件搭載基板的剖面圖。
圖14B是表示與埋入性有關的實施例4的組件搭載基板的剖面圖。
圖15是表示本實施例的組件搭載基板的評價方法的示意性剖面圖。
圖16是表示利用先前的電磁波屏蔽片而形成電磁波屏蔽層的電子組件搭載基板的一例的示意性立體圖。
圖17是埋入性不良的一例。
圖18是埋入性不良的一例。
以下，對應用本發明的實施方式的一例進行說明。此外，本說明書中所確定的數值是利用實施方式或者實施例所揭示的方法來求出的值。另外，本說明書中所確定的數值「A~B」是指滿足數值A與大於數值A的值以及數值B與小於數值B的值的範圍。另外，本說明書的所謂「片」，不僅包含日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)中所定義的「片」，亦包含「膜」。為了使說明明確，以下的記載及圖式適當簡化。另外，同 一要素構件在不同實施方式中亦以同一符號來表示。本說明書中出現的各種成分只要未特別註釋，則可分別獨立地單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，本實施方式的導電性填料、電磁波吸收填料、以及無機填料的平均粒徑D50可藉由利用雷射繞射．散射法來測定而求出。
[組件搭載基板]
本實施方式的組件搭載基板包括：基板、搭載於所述基板的至少一個面的電子組件、以及將藉由所述電子組件的搭載而形成的階差部以及基板的露出面加以被覆的電磁波屏蔽層。電磁波屏蔽層用以將基板上的凹凸部加以被覆，且將電子組件的側面及頂面、與基板的露出的面的至少一部分加以被覆。電磁波屏蔽層更佳為將搭載有電子組件的一側的整個面加以被覆。
本實施方式的組件搭載基板的藉由搭載電子組件而形成的階差部的槽為網格狀，當將槽的寬度(a)(參照圖7)設為1時，槽的深度(b)(參照圖7)為1倍~7倍，於槽的寬度(a)為50μm~500μm的情況下，亦可藉由電磁波屏蔽層來均勻地被覆基板上的凹凸部，從而具有於槽中的埋入性良好的優異效果。
圖1示出本實施方式的組件搭載基板的示意性立體圖，圖2示出圖1的II-II切斷部剖面圖。組件搭載基板101包括基板20、電子組件30及電磁波屏蔽層1等。
於組件搭載基板101，亦可進而積層顯示出耐擦傷性、水蒸 氣阻隔性、氧阻隔性的膜等其他層，或強化磁場切割的膜等。
<基板與電子組件>
基板20若為可搭載電子組件30且可耐受後述熱壓步驟的基板即可，可任意選擇。例如可列舉：包含銅箔等的導電圖案形成於表面或內部的工作板(work board)、安裝模組基板、印刷配線板或者利用增層法等而形成的增層基板。另外，不僅是剛性基板，亦可使用膜或片狀的可撓性基板。所述導電圖案例如為：用以與電子組件30進行電性連接的電極．配線圖案(未圖示)、用以與電磁波屏蔽層1進行電性連接的接地圖案22。於基板20內部，亦可任意地設置電極．配線圖案、通孔(未圖示)等。
於圖1的示例中，電子組件30於基板20上配置為5×4個陣列狀。而且，以將基板20及電子組件30的露出面加以被覆的方式設置有電磁波屏蔽層1。即，電磁波屏蔽層1是以追隨由電子組件30所形成的階差部即凹凸的方式來被覆。
電子組件30的個數、配置、形狀及種類為任意。亦可代替將電子組件30配置為陣列狀的形態，而將電子組件30配置於任意位置。在將組件搭載基板101單片化為單元模組的情況下，亦可如圖2所示，為了從基板上表面，於基板的厚度方向上劃分單元模組，而設置作為半切割槽的半切槽25。此外，本實施方式的組件搭載基板包含單片化為單元模組之前的基板、以及單片化為單元模組之後的基板此兩者。即，除了如圖1、圖2般的搭載有多個單元模組(電子組件30)的組件搭載基板101以外，亦包含 如圖3般的單片化為單元模組之後的組件搭載基板102。當然，亦包含不經過單片化步驟，而於基板20上搭載一個電子組件30且由電磁波屏蔽層所被覆的組件搭載基板。即，本實施方式的組件搭載基板包括如下結構：於基板上搭載有至少一個電子組件，且於藉由搭載電子組件而形成的階差部的至少一部分被覆電磁波屏蔽層。
電子組件30包含半導體積體電路等電子元件由密封樹脂來一體地被覆的組件整體。例如有如下形態：形成有積體電路(未圖示)的半導體晶片31(參照圖3)藉由密封樹脂32而進行模具成形。基板20與半導體晶片31是與經由該些的抵接區域，或者經由接合線33、焊球(未圖示)等而形成於基板20的配線或電極21進行電性連接。電子組件除了半導體晶片以外，可例示電感器(inductor)、熱阻器(thermistor)、電容器(capacitor)及電阻等。
電子組件的階差部的邊緣較佳為R(半徑)為50μm以下。只要未進行特殊處理，則藉由半切割而形成的槽的邊緣部成為銳角，R成為50μm以下。為了減少電磁波屏蔽層的破裂，有使邊緣部的R進一步成為鈍角的方法，但工時增加，成本提高。與此相對，於使用本實施方式的電磁波屏蔽片的情況下，即便邊緣為銳角，亦具有顯著抑制電磁波屏蔽層的破裂，可均勻地形成被覆層的優異效果。此外，邊緣並非必須為銳角，對於90°、鈍角及R形狀的邊緣亦可應用本發明。
本實施方式的電子組件30及基板20可廣泛應用於公知的形態。圖3的示例中，半導體晶片31經由內通孔23而與基板20的背面的焊球24連接。另外，於基板20內形成有用以與電磁波屏蔽層1電性連接的接地圖案22。另外，亦可於單片化後的組件搭載基板搭載多個電子組件30。另外，可於電子組件30內搭載單個或多個電子元件等。
<電磁波屏蔽層>
電磁波屏蔽層是由至少包括導電層的本實施方式的電磁波屏蔽片所形成。藉由以電磁波屏蔽片的導電層側成為電子組件上的方式載置並進行熱壓，則導電層將電子組件的側面及頂面的至少一部分被覆，形成電磁波屏蔽層。
電磁波屏蔽層可含有導電性填料而用作電磁波反射層，亦可含有電波吸收填料而用作電磁波吸收層。
若使用圖2來對一例加以說明，則電磁波屏蔽層1是藉由於搭載有電子組件30的基板20上載置後述電磁波屏蔽片並進行熱壓而獲得。電磁波屏蔽層1是電磁波屏蔽片的導電層變形後硬化而成。導電層藉由含有黏合劑樹脂及導電性填料(電磁波反射填料)，賦予導電性，從而作為電磁波反射層來發揮功能。電磁波反射層中，導電性填料連續接觸，顯示出等向導電性。
另一方面，導電層藉由含有電磁波吸收填料來代替導電性填料，而作為電磁波吸收層來發揮功能。藉由設為電磁波反射層或電磁波吸收層，可屏蔽由電子組件30及/或基板20所內藏的訊號 配線等所產生的無用輻射，另外，可防止由來自外部的磁場或電波所引起的誤動作。將電磁波屏蔽層設為電磁波反射層、或者電磁波吸收層中的哪一者，可根據電子組件的種類或需要外部對策的雜訊來適當選擇。
電磁波屏蔽層的被覆區域較佳為將藉由搭載電子組件30而形成的階差部(凹凸部)的整個區域加以被覆。電磁波屏蔽層為了充分發揮屏蔽效果，較佳為與在基板20的側面或上表面所露出的接地圖案22或/及電子組件的連接用配線等接地圖案(未圖示)連接的結構。在所述與接地圖案的連接難以設計的情況下，亦可利用導電膠帶或導電性墊片等將電磁波屏蔽層、與組入組件搭載基板的基板或者組件搭載基板的框體等接地構件直接連接。
電磁波屏蔽層可為單層或雙層中的任一種。在雙層的情況下，較佳為積層兩層導電層的形態。較佳的雙層的例子可例示：將導電性填料的含量不同的導電層積層兩層的電磁波屏蔽片；將纖維狀(線狀)導電層與非纖維狀(非線狀)導電層積層兩層的電磁波屏蔽片。另外，可例示：例如將含有樹枝狀導電性填料的導電層、與含有薄片狀導電性填料的導電層積層而成的電磁波屏蔽片等，包括包含形狀彼此不同的導電性填料的導電層的電磁波屏蔽片。於設為雙層的情況下，就提高接地連接性的觀點而言，較佳為在與組件搭載基板接觸的一側配置導電性高的導電層。另外，將成為電磁波反射層的熱壓前的導電層、與成為電磁波吸收層的熱壓前的導電層積層而成的電磁波屏蔽片亦適合。
另一方面，若電磁波屏蔽層包含異向導電性的層，則存在與基板20的接地圖案22的連接可靠性惡化的傾向，因此較佳為不包含所述異向導電性的層。其原因在於，位於搭載有電子組件的基板的凹部的例如底部的接地、與異向導電性的層的導電性填料的接地概率下降。
電磁波屏蔽層的厚度可根據用途來適當設計。於要求薄型化的用途中，將電子組件的上表面及側面加以被覆的電磁波屏蔽層的厚度較佳為2μm~75μm的範圍，更佳為3μm~65μm，特佳為5μm~55μm。於高精度地屏蔽高頻雜訊的用途中，可將厚度設為例如15μm~200μm左右。
容易產生電磁波屏蔽層的破裂的場所為將電子組件30的邊緣部加以被覆的部位。若於電子組件的邊緣部產生電磁波屏蔽層的破裂，則導致電磁波屏蔽效果的下降，因此凹凸部的被覆性特別重要。
本實施方式的電磁波屏蔽層的邊緣被覆性非常優異。
電磁波吸收層可由除了黏合劑樹脂以外還包含電磁波吸收填料的電磁波吸收性的導電層來形成。
電磁波吸收層的被覆區域較佳為與電磁波反射層同樣地將藉由搭載電子組件30而形成的階差部(凹凸部)的整個區域加以被覆的形態。
[電磁波屏蔽片]
本實施方式的電磁波屏蔽片至少包括導電層。
藉由在搭載有電子組件的基板上載置電磁波屏蔽片，進行熱壓，則導電層埋入電子組件及基板的階差部，從而形成電磁波屏蔽層。若根據階差的高度或槽、基板的強度來適當設定熱壓時的壓力或溫度即可。
電磁波屏蔽片除了積層導電層以外，亦可為了提高操作性或進一步提高於階差部的埋入性而積層增強層及緩衝層。
該些層的積層方法並無特別限定，可列舉：將各層進行層壓的方法；將導電性樹脂組成物塗敷、印刷於緩衝層上的方法等。
圖4示出積層有緩衝層及增強層的電磁波屏蔽片的實施方式。圖4的電磁波屏蔽片10包括：導電層2、形成於導電層2的一主面上的緩衝層7、形成於緩衝層7上的增強層3。於導電層2的未積層有緩衝層7的其他主面上亦可積層脫模性基材(未圖示)。另外，增強層3與緩衝層7較佳為經由錨固層而積層。
另外，電磁波屏蔽片亦可設為緩衝層/導電層的積層結構。緩衝層及導電層可分別獨立地為單層，亦可為雙層。緩衝層/導電層的積層結構中，較佳為使導電層的面積小於緩衝層，且俯視時，以具有緩衝層的邊框區域的方式進行積層(將導電層於緩衝層上積層為島狀)。藉由如上所述，可有效防止於電磁波屏蔽片的熱壓時，導電層從緩衝層中滲出而附著於熱壓裝置等其他構件。
(導電層)
導電層是用以形成電磁波屏蔽層的層，至少含有黏合劑樹脂、以及導電性填料或電磁波吸收填料。
導電層的23℃下的楊氏模數為10MPa~700MPa。23℃下的楊氏模數更佳為30MPa~500MPa，尤佳為50MPa~300MPa。藉由將23℃下的楊氏模數設為10MPa~700MPa，可使埋入性與接地連接性以及邊緣被覆性良好。此外，PCT耐性亦良好。
此外，本實施方式的「23℃下的楊氏模數」可以如下方式來求出。
將於23℃、相對濕度50%下靜置24小時的導電層，於23℃、相對濕度50%的恆溫恆濕內進行測定。對於所述導電層，以拉伸速度為50mm/min及標線間為25mm的條件，利用拉伸試驗機來測定應力-應變曲線，將應變(延伸)為0.1%~0.3%的區域的線性迴歸(傾斜)作為23℃下的楊氏模數。
滿足如上所述的23℃下的楊氏模數的導電層例如可藉由如下方式來獲得：將至少含有作為黏合劑樹脂的熱硬化性樹脂、導電性填料或電磁波吸收填料的導電性樹脂組成物塗敷於剝離片上後，使其乾燥，於熱環境下老化而使其半硬化。此外，此處所謂的乾燥與熱環境下的老化可為同時，亦可不同。
進而，導電層的80℃下的楊氏模數較佳為5MPa~80MPa，更佳為9MPa~65MPa，尤佳為13MPa~60MPa。藉由將80℃下的楊氏模數設為5MPa~85MPa，則熱壓時的延伸變得良好，可使埋入性及接地連接性良好。
此外，本實施方式的「80℃下的楊氏模數」除了於80℃相對濕度50%的腔室內測定應力-應變曲線以外，可以與23℃下 的楊氏模數相同的方式進行測定而求出。
另外，[23℃下的楊氏模數]與[80℃下的楊氏模數]的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]較佳為1.8~8.5。更佳為3.2~8.5，尤佳為3.9~7.1。藉由將比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]設為1.8~8.5的範圍，可於將電磁波屏蔽片進行熱壓而形成電磁波屏蔽層時，有效提高對於組件搭載基板的埋入性、接地連接性、邊緣被覆性以及PCT耐性。
導電層於熱壓後作為電磁波屏蔽層而發揮功能。導電層可藉由對將黏合劑樹脂與導電性填料、或電磁波吸收填料混合而成的導電性樹脂組成物進行片化來獲得。
另外，導電層的硬化度較佳為60%~99%，更佳為65%~98%，尤佳為70%~97%。藉由將硬化度設為60%以上，導電層的斷裂強度增加，可進一步提高邊緣耐性。另一方面，藉由將硬化度設為99%以下，可使熱壓時的延伸良好，可進一步提高於槽中的埋入性。
此外，本實施方式的所謂「硬化度」可以如下方式來求出。
將100目的金屬絲網裁剪為寬度30mm、長度100mm，測定重量(W1)。繼而，將寬度10mm、長度80mm的導電層利用所述金屬絲網來包裹，作為試驗片，測定重量(W2)。使所製作的試驗片浸漬於溶劑中，於室溫下浸漬2小時後，將試驗片從溶劑中取出，於120℃下乾燥30分鐘後，測定重量(W3)。使用下述 計算式[I]，算出不溶解而殘留於金屬絲網上的導電層的含有比例來作為硬化度。
(W3-W1)/(W2-W1)×100[%] [I]
溶劑是於選自甲基乙基酮(以下稱為MEK(methyl ethyl ketone))、甲苯、異丙醇、氯仿中的單獨或者混合溶劑中，選定導電層的溶解度最高的溶劑。
另外，導電層的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-15℃~30℃，更佳為-10℃~25℃，尤佳為-5~20℃。藉由將導電層的玻璃轉移溫度(Tg)設為所述範圍，則於熱壓時導電層容易追隨凹凸，埋入性及接地連接性進一步提高。
另外，將導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為0℃~80℃，更佳為20℃~80℃，尤佳為25℃~65℃，特佳為30℃~55℃。藉由將使導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度(Tg)設為0℃以上，則所形成的電磁波屏蔽層的PCT耐性進一步提高，因此較佳。另外，藉由將使導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度(Tg)設為80℃以下，可減輕組件搭載基板的翹曲，從而提高良率。
導電層以及將導電層於180℃下加熱2小時後的層的Tg可利用動態黏彈性測定裝置來測定。
將導電層於180℃下加熱2小時後的25℃下的儲存模數較佳為0.5GPa~8GPa，更佳為1GPa~7GPa，尤佳為2GPa~6GPa。藉由設為所述範圍，所形成的電磁波屏蔽層的PCT耐性進 一步提高，且耐擦傷性亦提高，因此較佳。此外，本說明書中所謂的儲存模數是指使用動態黏彈性測定裝置DVA-200(IT計測控制公司製造)，對於測定試樣，以變形樣式「拉伸」、頻率10Hz、升溫速度10℃/min、測定溫度範圍-50℃~300℃的條件來測定的25℃下的儲存模數的值。
另外，導電層的-50℃~50℃下的線膨脹係數較佳為10ppm~300ppm，更佳為20ppm~250ppm，尤佳為30ppm~200ppm。另外，50℃~170℃下的線膨脹係數較佳為50ppm~500ppm，更佳為70ppm~400ppm，尤佳為80ppm~300ppm。藉此可有效防止發生電子組件的翹曲或應變。此外，本說明書中，線膨脹係數是使用利用線膨脹率試驗方法來測定的值，所述線膨脹率試驗方法是藉由JIS-K7197所記載的塑膠的熱機械分析來進行。
導電層的厚度設為可於電子組件的頂面及側面以及基板的露出面被覆的厚度。可根據所使用的黏合劑樹脂的流動性、或電子組件間的距離的尺寸而變動，通常較佳為12μm~90μm，更佳為18μm~80μm，尤佳為23μm~70μm。藉由將膜厚設為12μm以上，則埋入性、接地連接性及邊緣耐性提高。另一方面，藉由設為90μm以下，可提高操作性，並可達成電子機器的薄膜化。
<<黏合劑樹脂>>
對形成導電層的黏合劑樹脂進行說明。
黏合劑樹脂較佳為使用熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂可使用 硬化性化合物反應類型。進而，熱硬化性樹脂亦可自交聯。於使用熱硬化性樹脂的情況下，較佳為具有可與硬化性化合物進行反應的反應性官能基。
熱硬化性樹脂的較佳例可列舉：聚胺基甲酸酯樹脂(polyurethane resin)、聚胺基甲酸酯脲樹脂(polyurethane urea resin)、苯氧基樹脂(phenoxy resin)、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、環氧系樹脂、聚苯乙烯樹脂(polystyrene resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、聚醯胺醯亞胺樹脂(polyamide imide resin)、聚酯醯胺樹脂(polyester amide resin)、聚醚酯樹脂(polyether ester resin)、以及聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)。熱硬化性樹脂亦可具有可自交聯的官能基。例如，於回流焊時的嚴酷條件下使用的情況下的熱硬化性樹脂較佳為包含環氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、胺基甲酸酯脲系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及聚醯胺中的至少一種。另外，若為可耐受加熱步驟的範圍，則可將熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂併用。
熱硬化性樹脂的反應性官能基有：羧基、羥基、環氧基等。熱硬化性樹脂的酸值較佳為3mgKOH/g~30mgKOH/g。藉由將酸值設為所述範圍，而獲得邊緣被覆性提高的效果。酸值的更佳範圍為4mgKOH/g~20mgKOH/g，尤佳的範圍為5mgKOH/g~10mgKOH/g。
硬化性化合物具有可與熱硬化性樹脂的反應性官能基 進行交聯的官能基。硬化性化合物較佳為：環氧化合物、異氰酸酯(isocyanate)化合物、聚碳化二亞胺(polycarbodiimide)化合物、氮丙啶(aziridine)化合物、含酸酐基的化合物、二氰二胺(dicyandiamide)化合物、芳香族二胺化合物等胺化合物、苯酚酚醛清漆(phenol novolac)樹脂等酚化合物、有機金屬化合物等。硬化性化合物亦可為樹脂。於該情況下，熱硬化性樹脂與硬化性化合物的區別為，將含量多者設為熱硬化性樹脂，將含量少者設為硬化性化合物。
硬化性化合物的結構、分子量可根據用途來適當設計。
導電層的楊氏模數可藉由調整所述熱硬化性樹脂及硬化性化合物的調配量，或將不同種類加以組合來控制。例如可藉由設為聚胺基甲酸酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂的混合系、聚碳酸酯系樹脂與苯乙烯系樹脂的混合系、聚胺基甲酸酯系樹脂與苯氧基樹脂的混合系且變更其調配比率來控制楊氏模數。此外，將多種硬化性化合物混合且變更調配比率的方法亦對於楊氏模數的控制而言有效。
另外，亦可根據後述導電性填料的種類或添加量來控制導電層的楊氏模數。變更導電性填料的平均粒徑D50、布厄特(Brunauer-Emmett-Teller，BET)比表面積、振實密度、表面處理，亦對於楊氏模數的控制而言有效。
硬化性化合物相對於熱硬化性樹脂100質量份而較佳為包含1質量份~70質量份，更佳為3質量份~65質量份，尤佳為 3質量份~60質量份。
所述環氧化合物若具有環氧基，則並無特別限制，但較佳為多官能的環氧化合物。熱壓等中，可藉由環氧化合物的環氧基與熱硬化性樹脂的羧基或羥基進行熱交聯而獲得交聯結構。作為環氧化合物，於常溫．常壓下顯示液狀的環氧化合物亦較佳。
環氧化合物的環氧當量較佳為120g/eq~300g/eq的範圍，更佳為180g/eq~280g/eq的範圍，特佳為200g/eq~260g/eq的範圍。藉由將環氧化合物的環氧當量設為120g/eq~300g/eq的範圍，可調整導電層的半硬化物的交聯密度，有效提高邊緣被覆性。
黏合劑樹脂除了所述以外，亦可使用黏著賦予樹脂或熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的較佳例可列舉：聚烯烴系樹脂、乙烯基系樹脂、苯乙烯．丙烯酸系樹脂、二烯系樹脂、萜烯(terpene)系樹脂、石油系樹脂、纖維素(cellulose)系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氟系樹脂等。黏著賦予樹脂可例示：松香(rosin)系樹脂、萜烯系樹脂、脂環式系石油樹脂及芳香族系石油樹脂等。另外，可使用導電性聚合物。導電性聚合物可例示：聚乙烯二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene)、聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)。
<<導電性填料>>
導電性填料(電磁波反射填料)可例示金屬填料、導電性陶 瓷填料以及它們的混合物。金屬填料可例示：金、銀、銅、鎳等金屬粉，焊料等合金粉，塗銀的銅粉、塗金的銅粉、塗銀的鎳粉、塗金的鎳粉的核殼(core-shell)型填料。就獲得優異的導電特性的觀點而言，較佳為含有銀的導電性填料。就成本的觀點而言，特佳為塗銀的銅粉。塗銀的銅中的銀的含量，於導電性填料100質量%中較佳為6質量%~20質量%，更佳為8質量%~17質量%，尤佳為10質量%~15質量%。於核殼型填料的情況下，塗佈層相對於核部的被覆率於表面整體100質量%中，以平均計較佳為60質量%以上，更佳為70質量%以上，尤佳為80質量%以上。核部可為非金屬，但就導電性的觀點而言，較佳為導電性物質，更佳為金屬填料。
導電性填料的形狀較佳為薄片狀(鱗片狀)。另外，亦可將薄片狀與其他形狀的導電性填料併用。所併用的導電性填料的形狀並無特別限定，較佳為樹枝(枝晶(dendrite))狀、纖維狀、針狀或球狀的導電性填料。所併用的導電性填料可單獨或者混合而使用。於併用的情況下，可例示：薄片狀導電性填料及樹枝狀填料的組合、薄片狀導電性填料、樹枝狀導電性填料及球狀導電性填料的組合、薄片狀導電性填料及球狀導電性填料的組合。該些組合中，就提高電磁波屏蔽層的邊緣被覆性的觀點而言，更佳為薄片狀導電性填料單獨或者薄片狀導電性填料與樹枝狀導電性填料的組合。
薄片狀導電性填料的平均粒徑D50較佳為2μm~100 μm，更佳為2μm~80μm。尤佳為3μm~50μm，特佳為5μm~20μm。樹枝狀導電性填料的平均粒徑D50的較佳範圍亦同樣，較佳為2μm~100μm，更佳為2μm~80μm。尤佳為3μm~50μm，特佳為5μm~20μm。
就獲得優異的電磁波屏蔽特性的觀點而言，導電層的導電性填料的含量相對於導電層整體較佳為包含40質量%~95質量%。下限值更佳為45質量%，尤佳為50質量%，特佳為55質量%。
<<電磁波吸收填料>>
電磁波吸收填料例如可列舉：鐵、Fe-Ni合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Si合金、Fe-Al合金、Fe-Cr-Si合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Si-Al合金等鐵合金，以及碳填料等。碳填料可例示：包含乙炔黑(acetylene black)、科琴黑(Ketjen black)、爐黑(furnace black)、碳黑(carbon black)、碳纖維(carbon fiber)、碳奈米管(carbon nano tube)的填料，石墨烯(graphene)填料、石墨(graphite)填料以及碳奈米壁(carbon nanowall)。
電磁波吸收填料的形狀及平均粒徑D50的較佳例是與所述電磁波反射填料相同。
就獲得優異的電磁波吸收特性的觀點而言，用以形成電磁波吸收層的導電層的電磁波吸收填料的含量相對於含有電磁波吸收填料的導電層整體而較佳為包含5質量%~75質量%。下限值更佳為10質量%，尤佳為15質量%，特佳為20質量%。
另外，導電層可利用至少含有黏合劑樹脂與導電性填料 或電磁波吸收填料的導電性樹脂組成物來形成。導電性樹脂組成物亦可更包含著色劑、阻燃劑、無機添加劑、潤滑劑、抗結塊劑等。
阻燃劑例如可列舉：含鹵素的阻燃劑、含磷的阻燃劑、含氮的阻燃劑、無機阻燃劑等。
無機添加劑例如可列舉：玻璃纖維、二氧化矽(silica)、滑石(talc)、陶瓷等。
潤滑劑例如可列舉：脂肪酸酯、烴樹脂、石蠟(paraffin)、高級脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪族醇、金屬皂、改質矽酮等。
抗結塊劑例如可列舉：碳酸鈣、二氧化矽、聚甲基倍半矽氧烷(polymethyl silsesquioxane)、矽酸鋁鹽等。
塗敷導電性樹脂組成物的方法例如可使用：凹版塗佈(gravure coating)方式、吻合塗佈(kiss coating)方式、模塗佈(die coating)方式、唇式塗佈(lip coating)方式、刮刀式塗佈(comma coating)方式、刀片(blade)方式、輥塗佈(roll coating)方式、刀式塗佈(knife coating)方式、噴射塗佈(spray coating)方式、棒塗佈(bar coating)方式、旋轉塗佈(spin coating)方式、浸漬塗佈(dip coating)方式等。
(增強層)
增強層3用於賦予電磁波屏蔽片的操作性，並於熱壓時，用於將壓製的力傳遞至緩衝層7而將導電層2埋入被黏附體的階差部的槽。此外，熱壓後，成為將變形而陷入階差部(凹凸)的槽 的緩衝層7時的支持體，可大幅度提高剝離性。
增強層可自樹脂膜、金屬板等中適當選擇，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、硬質聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龍、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、乙烯．乙烯醇共聚物、聚碳酸酯、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)、聚丁烯、軟質聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚胺基甲酸酯樹脂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯等塑膠片等，透明紙(glassine paper)、道林紙(woodfree paper)、牛皮紙(kraft paper)、塗佈紙等紙類，各種不織布、合成紙、金屬箔，或將該些加以組合的複合膜等，其中，就操作性或成本的觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚苯硫醚中的任一者。進而，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯及聚醯亞胺。
增強層的厚度較佳為20μm以上，更佳為25μm以上，尤佳為38μm以上。藉由將增強層的厚度設為20μm以上，增強層的強度提高，因此埋入性、脫模性及操作性進一步提高。另外，增強層的厚度並無特別限制，於250μm以下的情況下，電磁波屏蔽片的脫模性及操作性提高，因此較佳。
(緩衝層)
緩衝層是於熱壓時熔融的層，作為促進導電層2的對藉由電子組件30的搭載而形成的階差部的追隨性的緩衝材而發揮功能。此外，是具有脫模性，不與導電層接合，於熱壓步驟後可從導電 層上剝離的層。
此外，於緩衝層包括脫模層的情況下，是指將具有緩衝性的構件、與脫模層合併的結構。
緩衝層可由至少包含熱塑性樹脂的熱塑性樹脂組成物而形成。另外，熱塑性樹脂組成物亦可除了熱塑性樹脂以外，還包含塑化劑或熱硬化劑、無機填料等。
熱塑性樹脂可列舉：聚烯烴系樹脂、接枝有酸的酸改質聚烯烴系樹脂、聚烯烴與不飽和酯的共聚合樹脂、乙烯基系樹脂、苯乙烯．丙烯酸系樹脂、二烯系樹脂、纖維素系樹脂、聚醯胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或者氟樹脂等。
該些樹脂中，較佳為聚烯烴系樹脂、接枝有酸的酸改質聚烯烴系樹脂、聚烯烴與不飽和酯的共聚合樹脂、乙烯基系樹脂。
熱塑性樹脂可單獨使用一種，或者可視需要以任意的比率混合兩種以上而使用。
聚烯烴系樹脂較佳為乙烯、丙烯、α-烯烴化合物等均聚物或者共聚物。具體而言，例如可列舉：低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯均聚物、聚丙烯共聚物等。
該些樹脂中，較佳為聚乙烯樹脂及聚丙烯樹脂，更佳為聚乙烯樹脂。
酸改質聚烯烴系樹脂較佳為接枝有順丁烯二酸或丙烯 酸、甲基丙烯酸、衣康酸等的聚烯烴樹脂。
該些樹脂中，較佳為順丁烯二酸改質聚烯烴樹脂。
聚烯烴與不飽和酯的共聚合樹脂中的不飽和酯可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯以及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。
該些樹脂中，較佳為包含作為聚烯烴的乙烯、作為不飽和酯的甲基丙烯酸縮水甘油酯的乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚樹脂。
乙烯基系樹脂較佳為藉由乙酸乙烯酯等乙烯酯的聚合而獲得的聚合物以及乙烯酯與乙烯等烯烴化合物的共聚物。具體而言，例如可列舉：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙酸乙烯酯共聚物、部分皂化聚乙烯醇等。
該些樹脂中，較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
苯乙烯．丙烯酸系樹脂較佳為：包含苯乙烯或(甲基)丙烯腈、丙烯醯胺類、順丁烯二醯亞胺類等的均聚物或共聚物。具體而言，例如可列舉：間規聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene)、聚丙烯腈、丙烯酸共聚物等。
二烯系樹脂較佳為：丁二烯或異戊二烯等共軛二烯化合物的均聚物或共聚物以及它們的氫化物。具體而言，例如可列舉：苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯．丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯‧丙烯-苯乙烯嵌段共聚 物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁烯．丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯．丁烯-苯乙烯嵌段共聚物與苯乙烯-乙烯．丁烯嵌段共聚物的混合物等。
纖維素系樹脂較佳為乙酸丁酸纖維素樹脂。聚碳酸酯樹脂較佳為雙酚A聚碳酸酯。
聚醯亞胺系樹脂較佳為：熱塑性聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺酸型聚醯亞胺樹脂。
緩衝層如圖5所示，於熱壓後容易將緩衝層與電磁波屏蔽層剝離，因此緩衝層7可設為除了包含緩衝性的構件6，還包含脫模層4的形態。脫模層4較佳為形成包含聚丙烯、聚甲基戊烯、環狀烯烴聚合物、矽酮、氟樹脂的層。其中，尤佳為聚丙烯、聚甲基戊烯、矽酮、氟樹脂。
除了所述形態以外，塗佈醇酸(alkyd)、矽酮等脫模劑的形態亦較佳。
脫模層的厚度較佳為0.001μm~70μm，更佳為0.01μm~50μm。
市售的緩衝層可使用三井東賽璐(Mitsui Chemicals Tohcello)公司製造的「CR1012」、「CR1012MT4」、「CR1031」、「CR1033」、「CR1040」、「CR2031MT4」等。該些市售的緩衝層成為將緩衝層的兩面作為脫模層而以聚甲基戊烯來夾入的層結構，本申請案中將該些的一體結構稱為緩衝層。藉由對其一者積層增強層，可將埋入性及基板破裂加以改進。
緩衝層的厚度較佳為50μm~300μm，更佳為75μm~250μm，尤佳為100μm~200μm。藉由設為50μm以上，可提高埋入性。藉由設為300μm以下，可使電磁波屏蔽片的操作性良好。此外，於包括脫模層的情況下，所述緩衝層的厚度為包含脫模層的值。
(錨固層)
增強層與緩衝層較佳為經由錨固層而積層的形態。
如圖6所示，緩衝層7可於增強層3與緩衝層7的界面包括錨固層5。錨固層5擔負將緩衝層7與增強層3接合的作用。熱壓時藉由固定於錨固層5，緩衝層7更確實地埋入凹凸。進而，熱壓後將緩衝層7剝離時，可抑制與增強層3的界面剝離，從而提高良率。
錨固層5若根據熱壓的溫度而不產生黏接性的下降及發泡即可，可使用黏著劑(感壓式黏接劑)及其以外的黏接劑。
黏著劑較佳為丙烯酸系黏著劑或者胺基甲酸酯系黏著劑。
黏著劑以外的黏接劑可使用：熱硬化性黏接劑、加壓硬化性黏接劑、水硬化性黏接劑。熱硬化性黏接劑可使用導電層2中所說明的熱硬化性樹脂以及硬化劑。
於對錨固層5使用黏著劑的情況下，如圖13所示，熱壓時以被覆緩衝層7的端部的方式，錨固層5的端部流動，抑制緩衝層7的於橫向上的流動。其結果為，促進緩衝層7擠入階差 部(凹凸)的槽，可形成導電層2亦均勻地埋入凹部的電磁波屏蔽層1。
錨固層5的厚度較佳為1μm~70μm，更佳為3μm~50μm。藉由將厚度設為所述範圍，抑制緩衝層7於橫向上的流動，且將壓製的壓力高效率地傳遞至緩衝層7，因此埋入性提高。
所述導電層、增強層及緩衝層的厚度的測定方法可利用接觸式的膜厚計以及藉由剖面觀察的計測等來測定。
(變形例1)
所述實施方式中，對使用導電層來作為電磁波屏蔽層的熱壓前的層的例子進行說明，但亦可代替導電層或者與導電層併用而使用磁性層。此處，本說明書中所謂的磁性層，是指藉由熱壓而作為電磁波吸收層來發揮功能的層，且是指作為電磁波吸收層，雖不顯示導電性但顯示磁性的層。於磁性層的階段未必需要顯示磁性，只要於熱壓後的電磁波吸收層中顯示磁性即可。另外，於磁性層不包含形成所述實施方式中所說明的具有導電性的電磁波反射層以及電磁波吸收層的層。即，形成兼具導電性及磁性此兩者的電磁波吸收層的層分類為導電層。除了未特別明確記載的情況，變形例1的電磁波屏蔽片可將所述實施方式的導電層直接與磁性層置換而應用。
磁性層是除了變更為電磁波吸收填料中的形成所述磁性層的填料以外，利用與導電層相同的組成、調配及製造方法而獲得。作為磁性層而求出的23℃下的楊氏模數是與導電層相同。 另外，磁性層的80℃下的楊氏模數、比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]、以及硬化度各自的適宜範圍(較佳範圍、更佳範圍及尤佳範圍)亦與導電層相同。進而，磁性層的玻璃轉移溫度(Tg)以及將磁性層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度(Tg)的適宜範圍(較佳範圍、更佳範圍及尤佳範圍)亦相同。另外，用以形成磁性層的電磁波吸收填料(磁性填料)的適宜的平均粒徑D50的適宜範圍是與所述實施方式中記載的導電性填料及電磁波吸收填料相同。另外，黏合劑樹脂可適宜應用與所述實施方式相同的樹脂。
用以形成磁性層的電磁波吸收填料可例示：包含碳材料的填料、或磁性氧化鐵。例如可例示：Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體、Mn-Mg鐵氧體、Cu-Zn鐵氧體、Mg-Mn-Sr鐵氧體、Ni-Zn鐵氧體等鐵氧體系物質等。亦可包含所述實施方式中所例示的導電性填料或電磁波吸收填料。
依據變形例1，可獲得與所述實施方式相同的效果。
[組件搭載基板的製造方法]
以下，使用圖7~圖11對本實施方式的組件搭載基板的製造方法的一例進行說明。但，本發明的製造方法並不限定於該方法。
組件搭載基板的製造方法包括：步驟(a)，於基板20搭載電子組件30；載置步驟(b)，於搭載有電子組件30的基板20上，設置包含增強層3、緩衝層7及導電層的電磁波屏蔽片10；步驟(c)，以導電層2追隨包含至少一部分的藉由搭載電子組件30而 形成的階差部的基板20的露出面的方式，藉由熱壓而接合，獲得電磁波屏蔽層1；然後步驟(d)，將緩衝層7與增強層3去除。
<步驟(a)>
步驟(a)是於基板搭載電子組件的步驟。
首先，於基板20搭載電子組件30。圖7是藉由步驟(a)而獲得的本實施方式的組件搭載基板的製造步驟階段的基板的一例。如該圖所示，於基板20上搭載半導體晶片(未圖示)，於形成有半導體晶片的基板20上，利用密封樹脂進行模具成形，以從電子組件間的上方到達基板20內部的方式，藉由切割等將成型樹脂及基板20進行半切。亦可為於預先半切的基板上將電子組件30配置為陣列狀的方法。此外，於圖8的示例中，所謂電子組件30是指將半導體晶片進行模具成形的一體物，是指由絕緣體所保護的電子元件整體。半切除了到達基板內部的形態以外，還有切割至基板面的形態。另外，亦可將基板整體於該階段進行切割。於該情況下，較佳為於帶有黏著膠帶的基體上載置基板且以不產生位置偏移的方式來放置。於該情況下，帶有黏著膠帶的基體產生由熱壓所引起的破裂或變形的問題。
就消除埋入性的不均的觀點而言，所述電子組件間的槽較佳為網格狀。
進行模具成形的情況下的密封樹脂的材料並無特別限定，但通常使用熱硬化性樹脂。密封樹脂的形成方法並無特別限定，可列舉：印刷、層壓、轉注成形(transfer molding)、壓縮、 澆鑄等。模具成形為任意，電子組件的搭載方法亦可任意變更。
<步驟(b)>
步驟(b)是於步驟(a)後，將以增強層、緩衝層及導電層的順序積層而成的電磁波屏蔽片，以將所述導電層相向配置的方式載置於搭載於基板的電子組件上的步驟。
如圖8所示，於步驟(a)後，於搭載於基板20上的電子組件30上設置電磁波屏蔽片10。電磁波屏蔽片10是以導電層2相向配置的方式，載置於與基板20及電子組件30的接合區域。載置後，亦可暫時貼附。
作為暫時黏貼的方法，將電磁波屏蔽片10載置於基板上，利用熨斗等熱源來輕輕地對整個面或端部進行熱壓而暫時黏貼。於對整個面進行熱壓的情況下，可利用剛性基板用的熱輥層壓機之類的裝置。亦可根據製造設備或基板20的尺寸等，而於基板20的每個區域使用多個電磁波屏蔽片10，或者對每個電子組件30使用電磁波屏蔽片10，但就製造步驟的簡化的觀點而言，較佳為對搭載於基板20上的多個電子組件30整體使用一片電磁波屏蔽片10。
<步驟(c)>
步驟(c)是於步驟(b)後，以導電層追隨藉由搭載電子組件而形成的階差部以及基板的露出面的方式，藉由熱壓而接合，獲得電磁波屏蔽層的步驟。
如圖9所示，將藉由步驟(b)而獲得的製造基板夾持 於一對壓製基板40間，進行熱壓。導電層2是藉由因緩衝層7的熔融而引起的擠壓，以沿著設置於製造基板的半切槽25的方式延伸，追隨電子組件30及基板20而被覆，形成電磁波屏蔽層1。藉由將壓製基板40釋放而獲得如圖10所示的製造基板。
熱壓步驟的溫度較佳為緩衝層7的熔融溫度以上且為小於增強層3的熔融溫度的溫度。藉由設為該溫度，而使緩衝層7熔融，並且可維持增強層3的強度。熱壓步驟的加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為110℃以上，尤佳為120℃以上。另外，上限值依存於電子組件30的耐熱性，較佳為220℃以下，更佳為200℃以下，尤佳為180℃以下。
熱壓步驟的壓力可根據電子組件30的耐久性、製造設備或者需求，而於可確保導電層2的被覆性的範圍內任意設定。壓力範圍並未限定，但較佳為0.5MPa~15.0MPa左右，更佳為1MPa~13.0MPa的範圍，尤佳為2MPa~10.0MPa的範圍。此外，亦可視需要於電磁波屏蔽層上設置保護層等。
熱壓時間可根據電子組件的耐熱性、導電層中使用的黏合劑樹脂、以及生產步驟等而設定。熱壓時間較佳為1分鐘~2小時左右的範圍。此外，熱壓時間更佳為1分鐘~1小時左右。於使用熱硬化性樹脂作為黏合劑樹脂的情況下，藉由該熱壓，熱硬化性樹脂硬化。但若熱硬化性樹脂可流動，則亦可於熱壓前部分性地硬化或者實質上硬化完畢。
熱壓裝置可使用擠壓式熱壓裝置、轉注模具裝置、壓縮 模具裝置、真空壓空成形裝置等。
此外，圖9中表示壓製的方向的箭頭為一例，並不限定為上下。
<步驟(d)>
步驟(d)是於步驟(c)後，將緩衝層及增強層去除的步驟。
繼而，將由電磁波屏蔽層1來被覆上層的緩衝層7及增強層3剝離。藉此，獲得包括將電子組件30加以被覆的電磁波屏蔽層1的組件搭載基板101(參照圖1、圖2、圖11)。
步驟(d)後，使用切割刀片等，於基板20的與組件搭載基板101的單品的製品區域對應的位置，於XY方向上切割(參照圖2)。藉此，獲得電子組件30由電磁波屏蔽層1所被覆的組件搭載基板。另外，獲得形成於基板20的接地圖案22與電磁波屏蔽層進行電性連接的組件搭載基板。
(變形例2)
所述實施方式中，已對在於基板搭載有電子組件的電子組件搭載基板上應用電磁波屏蔽片的製造方法的一例進行說明，但對於不具有基板的電子組件，亦可應用本實施方式的電磁波屏蔽片。變形例2的電磁波屏蔽片可使用與所述實施方式及變形例1相同的片。除了將基板變更為載置台以外，可利用與所述實施方式相同的方法，於電子組件被覆電磁波屏蔽層。變形例2的帶有電磁波屏蔽層的電子組件例如可利用以下方法來製造。
於載置台(包含載置基板或載置片)直接配置多個電子 組件，對於電子組件的露出面(電子組件未與載置台抵接的電子組件的頂面及側面等)，可藉由將本實施方式的電磁波屏蔽片進行熱壓而將電磁波屏蔽層總括地形成於多個電子組件。即，變形例2中，例如將圖1的示例中的基板20替換為載置台，利用與所述實施方式相同的方法，於載置台設置電子組件，將電磁波屏蔽片進行熱壓，視需要進行單片化，藉此獲得帶有電磁波屏蔽層的電子組件。依據該方法，可對於多個電子組件的露出面，總括地被覆電磁波屏蔽層。
電子組件例如可列舉如下的電子組件(例如方形扁平無引腳(Quad Flat No Leads，QFN)封裝體)：於在載置台的成為抵接面的底面露出的壓料墊(die pad)上配置IC晶片，形成在底面及側面露出的多個端子，整體由密封樹脂進行模具成型。藉由將電子組件側面的端子作為接地端子，將電子組件的頂面及側面由電磁波屏蔽層來被覆，可將接地端子與電磁波屏蔽層進行電性連接。
另外，代替於載置基板等載置台上直接配置電子組件的方法，亦可於載置台上配置或形成模具成形前的電子組件，對多個模具成形前的電子組件，利用密封樹脂來總括地形成密封樹脂層(成型樹脂層)。於該情況下，為了對該密封樹脂層劃分單元模組而形成半切槽。繼而，將所述實施方式或變形例1的電磁波屏蔽片，對具有該些半切槽的多個電子組件進行總括熱壓，而於電子組件的頂面及由半切槽所形成的電子組件的側面被覆電磁波屏 蔽層。然後，將屏蔽層及密封樹脂層切割而獲得單片化的帶有電磁波屏蔽層的電子組件。依據將密封樹脂層進行半切的方法，亦可對於不欲被覆電磁波屏蔽層的區域(例如形成有訊號電極的區域)的電子組件側面，不被覆電磁波屏蔽層，並且對於欲被覆電磁波屏蔽層的區域(例如形成有接地電極的區域)的電子組件側面，被覆電磁波屏蔽層。
所述電子組件的例子為一例，可對於多種形態應用本實施方式及變形例1的電磁波屏蔽片。依據變形例2的帶有電磁波屏蔽層的電子組件，對於不包括基板的電子組件，可提供埋入性、接地連接性、邊緣被覆性及PCT耐性良好的電磁波屏蔽層。
[電子機器]
本實施方式的組件搭載基板例如可經由形成於基板20的背面的焊球等而安裝於安裝基板，可搭載於電子機器。例如，本實施方式的組件搭載基板可用於以個人電腦、平板終端、智慧型手機、無人飛機(drone)等為代表的多種電子機器。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行更詳細的說明，但本發明並不限定於以下的實施例。另外，實施例中的「份」表示「質量份」，「%」表示「質量%」。另外，本實施例中記載的值是利用以下方法來求出。
(1)試驗基板的製作
準備於包含環氧玻璃的基板上，陣列狀地搭載有經模具密封 的電子組件的基板。基板的厚度為0.3mm，模具密封厚度、即從基板上表面至模具密封材的頂面為止的高度(組件高度)H為0.7mm。然後，沿著組件彼此的間隙即槽進行半切割，獲得試驗基板(參照圖12)。半切槽深度為0.8mm(基板20的切割槽深度為0.1mm)，半切槽寬度為0.2mm。
將試驗基板的示意性剖面圖示於圖12中。
以下，示出實施例中使用的材料。
黏合劑樹脂1：聚胺基甲酸酯系樹脂，酸值為10[mgKOH/g](東洋化學(Toyochem)公司製造)
黏合劑樹脂2：聚碳酸酯系樹脂，酸值為5[mgKOH/g](東洋化學公司製造)
黏合劑樹脂3：苯乙烯系樹脂，酸值為11[mgKOH/g](東洋化學公司製造)
黏合劑樹脂4：苯氧基系樹脂，酸值為15[mgKOH/g](東洋化學公司製造)
硬化性化合物1：環氧樹脂「丹納考爾(Denacol)EX830」(二官能環氧樹脂環氧當量=268g/eq)，長瀨化成(Nagase ChemteX)公司製造
硬化性化合物2：環氧樹脂「YX8000」(氫化雙酚環氧樹脂環氧當量=210g/eq)，三菱化學公司製造
硬化性化合物3：環氧樹脂「jER157S70」(雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂環氧當量=208g/eq)，三菱化學公司製造
硬化促進劑：氮丙啶化合物「卡密塔特(Chemitite)PZ-33」，(日本觸媒公司製造)
導電性填料1：包含銀的鱗片狀粒子(平均粒徑D50=6.0μm，厚度0.8μm)
電波吸收填料1：Fe-Si-Cr系鱗片狀磁性粒子(平均粒徑D50：9.8μm，厚度0.5μm)
電波吸收填料2：Fe-Co系鱗片狀磁性粒子(平均粒徑D50：13μm，厚度0.6μm)
電波吸收填料3：碳奈米管(CNT)粒子(平均粒徑D50：15μm，厚度0.9μm)
脫模性基材：於表面塗佈有矽酮脫模劑的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)膜
<23℃、80℃下的楊氏模數的測定>
依據後述實施例1~實施例29及比較例1、比較例2中記載的方法，將片A與片C貼合，於100℃的烘箱中老化表1~表4中記載的時間，藉此獲得積層體。然後，從積層體上剝離片C，最終剝離脫模性基材，獲得導電層。
將於23℃、相對濕度50%下靜置24小時的導電層，於23℃、相對濕度50%的恆溫恆濕內，以拉伸速度為50mm/min以及標線間為25mm的條件，利用拉伸試驗機「EZ試驗機」(島津製作所公司製造)，對所述導電層測定應力-應變曲線，將應變(延伸)為0.1%~0.3%的區域的線性迴歸(傾斜)作為23℃下的楊氏模 數。此外，另行準備腔室，於80℃的條件下，以與所述相同的方式來測定應力-應變曲線，藉此測定80℃下的楊氏模數。
<硬化度的測定>
利用與所述楊氏模數的測定所使用的樣品相同的方法來獲得導電層。
將100目的金屬絲網裁剪為寬度30mm、長度100mm，測定重量(W1)。繼而，將寬度10mm、長度80mm的導電層以所述金屬絲網來包裹，作為試驗片，測定重量(W2)。將所製作的試驗片浸漬於甲基乙基酮中，於室溫下浸漬1小時浸漬後，將試驗片從溶劑中取出，於100℃下乾燥30分鐘後，測定重量(W3)。使用下述計算式[I]，算出不溶解而殘留於金屬絲網上的導電層的含有比例來作為硬化度。此外，本實施例中確認到，選自甲基乙基酮、甲苯、異丙醇、氯仿中的單獨或者混合溶劑中，甲基乙基酮的導電層的溶解度最高。
(W3-W1)/(W2-W1)×100[%] 式[I]
<厚度測定>
電磁波屏蔽層的厚度是利用研磨法而使組件搭載基板的剖面露出，利用雷射顯微鏡來測定電子組件的上表面區域的厚度最厚的部位的膜厚。對於不同的組件搭載基板的剖面露出的樣品5個，以相同的方式進行測定，將其平均值作為厚度。
構成積層體的各層的厚度是使用接觸式膜厚計，對不同的5處測定膜厚，將其平均值作為厚度。
<導電性填料、電波吸收填料的厚度>
基於將測定電磁波屏蔽層的厚度的切斷面圖像以電子顯微鏡放大至千倍~5萬倍左右的圖像，測定不同的粒子約10個~20個，使用其平均值。
<平均粒徑D50>
平均粒徑D50是使用雷射繞射．散射法粒度分佈測定裝置LS13320(貝克曼．庫爾特(Beckman Coulter)公司製造)，利用龍捲風乾粉(tornado dry powder)樣品模組，對導電性填料、電波吸收填料、或無機填料進行測定而獲得的平均粒徑D50的數值，是粒徑累積分佈的累積值為50%的粒徑。分佈為體積分佈，將折射率設定為1.6。若為該粒徑即可，可為一次粒子，亦可為二次粒子。
<玻璃轉移溫度(Tg)>
使用動態黏彈性測定裝置DVA-200(IT計測控制公司製造)，對構成積層體的各層進行變形樣式為「拉伸」、頻率為10Hz、升溫速度為10℃/min、測定溫度範圍為-80℃~300℃的條件下的測定，求出玻璃轉移溫度(Tg)。
玻璃轉移溫度是分別求出導電層、及將導電層於180℃下加熱2小時而獲得的層的玻璃轉移溫度(Tg)。
<酸值的測定>
於帶塞的三角燒瓶中精密量取約1g的熱硬化性樹脂，添加甲苯/乙醇(容量比：甲苯/乙醇=2/1)混合液50mL加以溶解。於其中添加酚酞(phenolphthalein)試劑來作為指示劑，保持30 秒。然後，以0.1mol/L的醇性氫氧化鉀溶液來滴定至溶液呈現淡紅色為止。酸值是利用下式來求出。酸值設為樹脂的乾燥狀態的數值。
酸值(mgKOH/g)=(a×F×56.1×0.1)/S
S：試樣的採集量×(試樣的固體成分/100)(g)
a：0.1mol/L醇性氫氧化鉀溶液的滴定量(mL)
F：0.1mol/L醇性氫氧化鉀溶液的滴定度
[實施例1]
將70份的黏合劑樹脂1(固體成分)、30份的黏合劑樹脂2(固體成分)、30份的硬化性化合物1、15份的硬化性化合物2、1份的硬化促進劑1、320份的導電性填料1投入容器，以不揮發成分濃度成為45質量%的方式添加甲苯：異丙醇(質量比2：1)的混合溶劑，利用分散器(disperser)來攪拌10分鐘，藉此獲得導電性樹脂組成物。
以乾燥厚度成為50μm的方式，使用刮刀片，將該導電性樹脂組成物塗敷於脫模性基材。然後，於100℃下乾燥2分鐘，藉此獲得積層有脫模性基材及導電層的片A。
另外，於作為增強層的50μm的PET膜(「特多龍(Tetoron)G2」，帝人(Teijin)公司製造)，形成9μm的丙烯酸系黏著劑層(Tg為-40℃，東洋化學公司製造)來作為錨固層，利用黏著劑層面，與將作為緩衝層的熱熔融樹脂層的兩面由聚甲基戊烯來積層的三井東賽璐公司製造的「歐普蘭(Opulent)CR1012MT4(層厚 150μm)」的單面側貼合，藉此獲得片C。
繼而，利用輥層壓機，將片A的導電層的面與片C的緩衝層面貼合，於100℃的烘箱中老化6分鐘，藉此獲得積層體。
將所獲得的積層體切割為10cm×10cm，剝離脫模性基材，將導電層載置於試驗基板。然後，從積層體的增強層的上方，以5MPa、170℃的條件對基板面熱壓5分鐘。熱壓後，加以冷卻，將增強層與緩衝層同時剝離，進而於180℃下加熱2小時，藉此獲得形成有電磁波屏蔽層的電子組件搭載基板。
[實施例2~實施例27及比較例1~比較例2]
除了將導電層的23℃下的楊氏模數及其他各種物性、各成分與調配量(質量份)、試驗基板的電子組件的槽寬度、槽深度變更為如表3~表5所示以外，以與實施例1相同的方式，製作組件搭載基板。表3~表5中所示的黏合劑樹脂及硬化性化合物的調配量為固體成分質量。
基於以下的測定方法及評價基準，對所述實施例及比較例進行評價。
<埋入性評價>
將實施例1~實施例27、比較例1~比較例2中獲得的組件搭載基板，利用研磨法來形成沿著圖1的II-II線的圖2所示的剖面，利用電子顯微鏡，對半切槽25的電磁波屏蔽層的剖面觀察10處，藉此評價埋入性。圖14A以及圖14B分別為比較例1以及實施例4的組件搭載基板的剖面圖。
評價基準如以下所述。
+++：所有槽被填埋。是非常良好的結果。
++：9處槽被填埋。是良好的結果。
+：8處槽被填埋。實際使用上無問題。
NG：被填埋的槽為7處以下。無法實際使用。
<接地連接性>
對於實施例1~實施例27、比較例1~比較例2中獲得的組件搭載基板，使用日置(HIOKI)公司製造的RM3544及針型引線探針(lead probe)來測定圖15的剖面圖所示的底部的接地端子a-b間的連接電阻值，藉此評價接地連接性。
評價基準如以下所述。
+++：連接電阻值小於200mΩ。是非常良好的結果。
++：連接電阻值為200mΩ以上、且小於500mΩ。是良好的結果。
+：連接電阻值為500mΩ以上、且小於1000mΩ。實際使用上無問題。
NG：連接電阻值為1000mΩ以上。無法實際使用。
<邊緣被覆性>
利用顯微鏡來觀察圖15所示的組件搭載基板的邊緣部的破裂，進行評價。觀察是對不同的4處邊緣部進行評價。
評價基準如以下所述。
+++：無破裂。是非常良好的結果。
++：一部分電磁波屏蔽層透明。是良好的結果。
+：一部分破裂，電子組件露出。實際使用上無問題。
NG：邊緣整體產生破裂，電子組件的整個區域露出。無法實際使用。
<PCT耐性>
準備FR4(環氧玻璃基板)，將所述積層體切割為10cm×10cm，剝離脫模性基材，將導電層載置於FR4上。然後，從積層體的增強層的上方，以5MPa、160℃的條件對FR4面熱壓20分鐘。熱壓後，加以冷卻，將增強層與緩衝層同時剝離，藉此獲得形成有電磁波屏蔽層的試驗基板。繼而，對該試驗基板進行壓力鍋試驗(條件：130℃、85%RH、0.12MPa、96小時)。然後，對試驗基板的電磁波屏蔽層，依據JISK5400，使用交叉切割導件，製作100個間隔為1mm的網格。然後，使黏著膠帶(米其邦(Nichiban)的賽羅膠帶(Cellotape))(註冊商標)CT-18)強力壓接於網格部，將膠帶的端部以45°的角度一下子剝離，以下述基準來判斷網格的狀態。
+++：剝離率小於15%。
++：塗膜沿著切割的線而部分地剝離。剝離率為15%以上且小於20%。
+：塗膜沿著切割的線而部分地剝離。剝離率為20%以上且小於35%。
NG：塗膜沿著切割的線而部分或整面地剝離。剝離率為35% 以上。
將實施例及比較例的組件搭載基板的評價結果示於表1~表4中。
Figure 108113229-A0305-02-0046-1
Figure 108113229-A0305-02-0047-2
Figure 108113229-A0305-02-0048-3
Figure 108113229-A0305-02-0049-4
[附記]
本說明書亦揭示根據所述實施方式而掌握的以下所示的技術思想的發明。
(附記1)
一種電磁波屏蔽片，其是用以形成電子組件搭載基板中所使用的電磁波屏蔽層的熱壓前的電磁波屏蔽片，所述電子組件搭載基板包括：基板；電子組件，其搭載於所述基板的單面或兩面；以及電磁波屏蔽層，其將藉由搭載所述電子組件而形成的階差部以及所述基板的至少一部分的露出面加以被覆；並且所述電磁波屏蔽片至少包括含有黏合劑樹脂及電磁波吸收填料的磁性層，所述磁性層的23℃下的楊氏模數為10MPa~700MPa。
(附記2)
如附記1所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述磁性層的80℃下的楊氏模數為5MPa~85MPa。
(附記3)
如附記1或2所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述磁性層的玻璃轉移溫度為-15℃~30℃，且將所述磁性層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度為20℃~80℃。
(附記4)
如附記1~附記3中任一項所述的電磁波屏蔽片，其中所述磁性層的23℃下的楊氏模數與該導電層的80℃下的楊氏模數的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]為3.2~8.5。
(附記5)
如附記1~附記4中任一項所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述磁性層的硬化度為60%~99%。
(附記6)
一種電磁波屏蔽片，其是用以形成包括電磁波屏蔽層的電子組件被覆用的所述電磁波屏蔽層的熱壓前的電磁波屏蔽片，所述電磁波屏蔽層將包含藉由在載置台上配置多個電子組件而形成的階差部的至少一部分的露出面加以被覆，且包括電磁波反射層及電磁波吸收層中的至少一個層；並且所述電磁波屏蔽片包括所述電磁波反射層的熱壓前的導電層、以及所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層或磁性層中的至少一者，所述電磁波反射層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及導電性填料，所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層或磁性層包含黏合劑樹脂及電磁波吸收填料，且所述導電層的23℃下的楊氏模數為10MPa~700MPa，所述磁性層的23℃下的楊氏模數為10MPa~700MPa。
(附記7)
如附記6所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述導電層的80℃下的楊氏模數為5MPa~85MPa，且所述磁性層的80℃下的楊氏模數為5MPa~85MPa。
(附記8)
如附記6或附記7所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述導電層的玻璃轉移溫度為-15℃~30℃，將所述導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度為20℃~80℃，且所述磁性層的玻璃轉移溫度為-15℃~30℃，將所述磁性層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度為20℃~80℃。
(附記9)
如附記6~附記8中任一項所述的電磁波屏蔽片，其中所述導電層的23℃下的楊氏模數與該導電層的80℃下的楊氏模數的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]為3.2~8.5，且所述磁性層的23℃下的楊氏模數與該磁性層的80℃下的楊氏模數的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]為3.2~8.5。
(附記10)
如附記6~附記9中任一項所述的電磁波屏蔽片，其特徵在於，所述導電層的硬化度為60%~99%，所述磁性層的硬化度為60%~99%。
[產業上的可利用性]
本發明的電磁波屏蔽片由於對凹凸結構的被覆性及電磁波屏蔽性優異，故而適合作為對於搭載有電子組件的基板的電 磁波屏蔽用被覆片。另外，本發明的電磁波屏蔽片亦可應用於未搭載組件的凹凸形狀的部分。
1:電磁波屏蔽層
20:基板
101:組件搭載基板

Claims (5)

  1. 一種電磁波屏蔽片，其是用以形成電子組件搭載基板中所使用的電磁波屏蔽層的熱壓前的電磁波屏蔽片，所述電子組件搭載基板包括： 基板； 電子組件，其搭載於所述基板的單面或兩面；以及 電磁波屏蔽層，其將藉由搭載所述電子組件而形成的階差部以及所述基板的至少一部分的露出面加以被覆，且包括電磁波反射層及電磁波吸收層中的至少一個層；並且 所述電磁波屏蔽片包括所述電磁波反射層的熱壓前的導電層、以及所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層中的至少一者， 所述電磁波反射層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及導電性填料， 所述電磁波吸收層的熱壓前的導電層包含黏合劑樹脂及電磁波吸收填料， 所述導電層的23℃下的楊氏模數為10 MPa～700 MPa。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽片，其中 所述導電層的80℃下的楊氏模數為5 MPa～85 MPa。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波屏蔽片，其中 所述導電層的玻璃轉移溫度為-15℃～30℃，將所述導電層於180℃下加熱2小時後的玻璃轉移溫度為20℃～80℃。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波屏蔽片，其中 所述導電層的23℃下的楊氏模數與所述導電層的80℃下的楊氏模數的比[23℃下的楊氏模數]/[80℃下的楊氏模數]為1.8～8.5。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波屏蔽片，其中 所述導電層的硬化度為60%～99%。
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