JP6407395B1 - 電磁波シールドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】埋め込み性に優れた電磁波シールドフィルムを提供する。
【解決手段】電磁波シールドフィルム１０１は、導電性接着剤層１１１と絶縁保護層１１２とを備えている。絶縁保護層１１２は、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率が８×１０⁴Ｐａ以上である。また、絶縁保護層１１２は１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率のいずれもが５×１０⁶Ｐａ以下である。また、導電性接着剤層１１１と絶縁保護層１１２との間に設けられた導電層をさらに備えている。
【選択図】図１

Description

本開示は、電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線基板に関する。

電磁波シールドフィルムは、プリント配線基板の表面に圧着されることにより、導電性接着剤層がプリント配線基板の表面を覆う絶縁フィルムに設けられた開口部に埋め込まれ、導電性接着剤層とプリント配線基板のグランドパターンとを導通させる。近年、電子機器の小型化が進むにつれて、導電性接着剤層を埋め込む開口部の大きさも縮小されている。このため、導電性接着剤層の埋め込み性を向上させることが求められており、導電性接着剤層の組成及び物性について種々の検討がなされている（例えば、特許文献１を参照。）。

ＷＯ２０１４／０１０５２４号 特開２０１７−９２４１７号公報

しかしながら、電磁波シールドフィルムにおいて、導電性接着剤層は絶縁保護層と積層されている。このため、絶縁保護層の物性も導電性接着剤層の埋め込み性に影響を与える。絶縁保護層の物性について、導電性接着剤層との密着性や、剥離フィルムの剥離性という観点からの検討は行われている（例えば、特許文献２を参照）。しかし、導電性接着剤層の埋め込み性という観点での検討は行われていない。

本開示の課題は、埋め込み性に優れた電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。

本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、絶縁保護層は、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率のいずれもが８×１０^４Ｐａ以上であり、損失弾性率のいずれもが６×１０⁴Ｐａ以上である。

電磁波シールドフィルムの一態様において、絶縁保護層は、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率のいずれもが５×１０⁶Ｐａ以下とすることができる。

電磁波シールドフィルムの一態様は、導電性接着剤層と絶縁保護層との間に設けられた導電層をさらに備えていてもよい。

本開示のシールドプリント配線基板の一態様は、グランド回路と、グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、本開示の電磁波シールドフィルムとを備え、導電性接着剤層は、開口部においてグランド回路と導通するように絶縁フィルムと接着されている。

本開示の絶縁保護層によれば、導電性接着剤層の埋め込み性が向上した電磁波シールドフィルムを実現できる。

一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを示す断面図である。 電磁波シールドフィルムの変形例を示す断面図である。 一実施形態に係るシールドプリント配線基板を示す断面図である。 電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する工程を示す断面図である。 埋め込み性の評価方法を示す平面図である。

本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、図１に示すように、絶縁保護層１１２と導電性接着剤層１１１とを有する。このような電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層１１１をシールドとして機能させることができる。なお、図２に示すように、絶縁保護層１１２と導電性接着剤層１１１の間にシールド層１１３を設けることもできる。シールド層１１３は、導電性であればよく、金属箔、金属蒸着フィルム及び導電性フィラーの層等とすることができる。

本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、図３に示すようにプリント配線基板１０２と組み合わせてシールドプリント配線基板１０３とすることができる。電磁波シールドフィルム１０１は、シールド層１１３を有するものであってもよい。

プリント配線基板１０２は、例えば、ベース部材１２２と、ベース部材１２２の上に設けられたグランド回路１２５を含むプリント回路を有している。ベース部材１２２の上には接着剤層１２３により絶縁フィルム１２１が接着されている。絶縁フィルム１２１にはグランド回路１２５を露出する開口部が設けられている。グランド回路１２５の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板１０２は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。

電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に接着する際には、図４に示すように、導電性接着剤層１１１が開口部１２８の上に位置するように、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２上に配置する。そして、所定の温度（例えば１２０℃）に加熱した２枚の加熱板（図示せず）により、電磁波シールドフィルム１０１とプリント配線基板１０２とを、上下方向から挟んで所定の圧力（例えば０．５ＭＰａ）で短時間（例えば５秒間）押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１はプリント配線基板１０２に仮止めされる。

続いて、２枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度（例えば、１７０℃）とし、所定の圧力（例えば３ＭＰａ）で所定時間（例えば３０分）加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層１１１が開口部１２８に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム１０１が必要とする強度及び導電性を実現することができる。

導電性接着剤層１１１が開口部１２８に十分に埋め込まれるようにするためには、絶縁保護層１１２の貯蔵弾性率及び損失弾性率が重要となる。具体的には、絶縁保護層１１２の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率のいずれもを８×１０^４Ｐａ以上、好ましくは１×１０^５Ｐａ以上とし、損失弾性率のいずれもを６×１０⁴Ｐａ以上、好ましくは７×１０^４Ｐａ以上とすることにより、導電性接着剤層１１１の埋め込み性が向上する。電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定する際のプレス温度以上で、リフロー温度以下の温度領域において、絶縁保護層１１２が適正な貯蔵弾性率及び損失弾性率を有していないと、絶縁保護層１１２がプレス圧を吸収し、下側の導電性接着剤層１１１に力が加わらなくなり、導電性接着剤層１１１が接続孔内へ押し込まれにくくなる。電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定する際に加える最高温度は１２０℃〜２００℃程度とし、リフロー温度は２４０℃〜２６０℃程度とすることができる。このため、絶縁保護層１１２の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率が重要となる。なお、貯蔵弾性率及び損失弾性率は、実施例に示す方法により測定することができる。

一方、プレス温度における絶縁保護層１１２の貯蔵弾性率及び損失弾性率が大きすぎると、電磁波シールドフィルム１０１が変形しにくくなり、導電性接着剤層１１１が接続孔内へ押し込まれにくくなる。このため、絶縁保護層１１２の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率のいずれもを５×１０⁶Ｐａ以下とすることが好ましく、３×１０⁶Ｐａ以下とすることがより好ましい。

絶縁保護層１１２だけでなく、導電性接着剤層１１１の貯蔵弾性率及び損失弾性率を制御することにより、導電性接着剤層１１１の埋め込み性がより向上する。具体的には、導電性接着剤層１１１の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率のいずれもを、好ましくは１×１０⁴Ｐａ以上、より好ましくは１×１０⁵Ｐａ以上、好ましくは５×１０⁶Ｐａ以下、より好ましくは３×１０⁶Ｐａ以下とする。

本実施形態において、絶縁保護層１１２は所定の貯蔵弾性率及び損失弾性率を示す、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等により形成することができる。また、貯蔵弾性率及び損失弾性率を所定の値とするために弾性率調整剤を添加することもできる。

熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、２種以上の材料から形成されていてもよい。

弾性率調整剤は、例えば有機塩、タルク、カーボンブラック及びシリカ等とすることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの方法により、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率を、所定の値に設定することが容易となる。

有機塩は特に限定されないが、ポリリン酸塩及びホスフィン酸金属塩等のリン酸塩が好ましく、ホスフィン酸金属塩がさらに好ましい。ホスフィン酸金属塩としては、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、及びカルシウム塩等を用いることができ、中でもアルミニウム塩が好ましい。ポリリン酸塩としては、メラミン塩、メチルアミン塩、エチルアミン塩、ジエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、エチレンジアミン塩、ピペラジン塩、ピリジン塩、トリアジン塩、及びアンモニウム塩等を用いることができ、中でもメラミン塩が好ましい。リン酸塩以外の有機塩として、メラミンシアヌレート、ピロリン酸メラミン、及びメタンスルホン酸メラム等を用いることができ、中でもメラミンシアヌレートが好ましい。

絶縁保護層１１２は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる２層以上の積層体であってもよい。この場合には、全ての層が、所定の貯蔵弾性率及び損失弾性率を満たすようにすればよい。

絶縁保護層１１２には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。

絶縁保護層１１２の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、そして好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下とすることができる。絶縁保護層１１２の厚さを１μｍ以上とすることにより導電性接着剤層１１１及びシールド層１１３を充分に保護することができる。絶縁保護層１１２の厚さを２０μｍ以下とすることにより、電磁波シールドフィルム１０１を薄くすることができる。

シールド層１１３を設ける場合、シールド層１１３は、金属箔、蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。

金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は２つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。

金属箔の厚さは、特に限定されないが、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。金属箔の厚さが０．５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板に１０ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。また、金属箔の厚さは１２μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、７μｍ以下がさらに好ましい。金属層の厚さが１２μｍ以下であると、良好な破断伸びを確保することができる。

蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、又はメタルオーガニック堆積（ＭＯＣＶＤ）法等を用いることができる。

蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましい。蒸着膜の厚さが０．０５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。また、蒸着膜の厚さは０．５μｍ未満が好ましく、０．３μｍ未満であることがより好ましい。蒸着膜の厚さが０．５μｍ未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。

導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層１１２の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層１１３を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。

本実施形態においてシールド層１１３の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から１２μｍ以下とすることが好ましい。

本実施形態において、導電性接着剤層１１１は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の少なくとも一方と、導電性フィラーとを含んでいる。

導電性接着剤層１１１が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、及びアクリル系樹脂組成物等を用いることができる。これらの組成物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

導電性接着剤層１１１が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、及びアルキッド系樹脂組成物等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第１の官能基を有する第１樹脂成分と、第１の官能基と反応する第２樹脂成分とを含む。第１の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第２の官能基は、第１の官能基に応じて選択すればよく、例えば第１官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第１樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第１樹脂成分が水酸基である場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。

熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第１の官能基と第２の官能基とを有する場合、硬化剤は、第１の官能基及び第２の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第１の官能基がエポキシ基であり、第２の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは１種を単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。

導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。

導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。

導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下である。

導電性接着剤層１１１の厚さは、埋め込み性の観点から、１μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。

本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、支持基材の上に、絶縁保護層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、絶縁保護層１１２を形成する。支持基材は例えばフィルム状とすることができる。支持基材は、特に限定されず、例えばポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリイミド系、又はポリフェニレンサルファイド系等の材料により形成することができる。支持基材と保護層用組成物との間に、離型剤層を設けてもよい。

絶縁保護層用組成物は、絶縁保護層用の樹脂組成物に溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進剤、及び着色剤等を加えることができる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよく、加えなくてもよい。支持基材に保護層用組成物を塗布する方法は、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等の、公知の技術を採用することができる。

次に、必要に応じて絶縁保護層１１２の上に、シールド層１１３を形成する。シールド層１１３の形成方法は、シールド層１１３の種類に応じて適宜選択することができる。電磁波シールドフィルム１０１がシールド層１１３を有さない構成である場合には、この工程を省略することができる。

次に、絶縁保護層１１２又はシールド層１１３の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、導電性接着剤層１１１を形成する。

導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤と溶剤とを含む。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。導電性接着剤層用組成物中における導電性接着剤の比率は、導電性接着剤層１１１の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。
シールド層１１３の上に導電性接着剤層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等を用いることができる。

なお、必要に応じて、導電性接着剤層１１１の表面に剥離基材（セパレートフィルム）を貼り合わせてもよい。剥離基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のベースフィルム上に、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、導電性接着剤層１１１が形成される側の表面に塗布されたものを使用することができる。なお、剥離基材の厚さは特に限定されるものではなく、適宜、使い易さを考慮して決定することができる。

以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。

＜電磁波シールドフィルムの作製＞
表面に剥離層を設けたＰＥＴフィルム（厚さ２５μｍ）の表面に、所定の絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、所定の厚さの絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に所定の導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、１００℃×３分の乾燥を行い電磁波シールドフィルムを作製した。

＜貯蔵弾性率及び損失弾性率の測定＞
各実施例及び比較例の絶縁保護層について動的粘弾性をレオメータ（ＭＣＲ３０２、Anton Paar 社製）により３０℃〜２００℃の範囲について測定し、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率（Ｅ''）及び損失弾性率（Ｇ''）を求めた。測定試料には、絶縁保護層用組成物を直径２５ｍｍ、厚さ１ｍｍのディスク状に成形したものを用いた。なお、導電性接着剤層についても同様にして、貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定した。

測定条件は以下のようにした。
プレート：Ｄ−ＰＰ２５／ＡＬ／Ｓ０７ 直径２５ｍｍ
振り角：０．１％
周波数：１Ｈｚ
測定範囲：３０〜２００℃
昇温スピード：６℃／ｍｉｎ

＜埋め込み性の評価＞
図５に示すように、試験用プリント配線基板１４０にプレス機を用いて温度：１７０℃、時間：３０分、圧力：２〜３ＭＰａの条件で、電磁波シールドフィルム１０１を接着し、シールドプリント配線基板を作製した。試験用プリント配線基板１４０は、ベースフィルム（図示せず）の上に設けられた互いに間隔をおいて平行に延びる２本の銅箔パターン１４１と、銅箔パターンを覆うポリイミドからなる絶縁層（厚さ：２５μｍ）１４２とを有しており、絶縁層１４２には、直径が１ｍｍのグランド接続部を模擬した開口部１４３を設けた。

電磁波シールドフィルムが２６５℃に１秒間さらされる疑似リフロー操作を５回行った後、試験用プリント配線板１４０に形成された２本の銅箔パターン１４１間の電気抵抗値を抵抗計１５１により測定し、銅箔パターン１４１と電磁波シールドフィルム１０１との接続抵抗値を測定し、開口部１４３への樹脂の埋め込み性を評価した。開口部１箇所あたりの接続抵抗値が０．３０Ω未満の場合を埋め込み性が良好（○）とし、０．３０Ω以上となった場合を埋め込み性が不良（×）とした。

（実施例１）
絶縁保護層用組成物及び導電性接着剤用組成物は、ゴム変性エポキシ樹脂により調製した。絶縁保護層の厚さは５μｍ、導電性接着剤層の厚さは１７μｍとした。

絶縁保護層の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ１×１０⁵Ｐａ、６×１０⁵Ｐａ、７×１０⁵Ｐａであり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における損失弾性率は、それぞれ１×１０⁵Ｐａ、８×１０⁴Ｐａ、７×１０⁴Ｐａであった。

導電性接着剤層の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ５×１０⁵Ｐａ、１×１０⁶Ｐａ、２×１０⁶Ｐａであり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における損失弾性率は、それぞれ３×１０⁵Ｐａ、２×１０⁵Ｐａ、３×１０⁵Ｐａであった。

得られた電磁波シールドフィルムの接続抵抗はリフロー前が０．０５０Ω／１穴であり、リフロー後が０．０６０Ω／１穴であり、リフロー前後共に埋め込み性は良好であった。

（実施例２）
絶縁保護層用組成物に、ウレタン変性エポキシ樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にした。

絶縁保護層の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ１×１０⁶Ｐａ、２×１０⁶Ｐａ、２×１０⁶Ｐａであり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における損失弾性率は、それぞれ２×１０⁵Ｐａ、２×１０⁵Ｐａ、２×１０⁵Ｐａであった。

得られた電磁波シールドフィルムの接続抵抗はリフロー前が０．０６１Ω／１穴であり、リフロー後が０．０８９Ω／１穴であり、リフロー前後共に埋め込み性は良好であった。

（実施例３）
絶縁保護層用組成物に、ウレタン変性エポキシ樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にした。

絶縁保護層の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ４×１０⁵Ｐａ、６×１０⁵Ｐａ、７×１０⁵Ｐａであり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における損失弾性率は、それぞれ１×１０⁵Ｐａ、１×１０⁵Ｐａ、１×１０⁵Ｐａであった。

得られた電磁波シールドフィルムの接続抵抗はリフロー前が０．０５２Ω／１穴であり、リフロー後が０．０７３Ω／１穴であり、リフロー前後共に埋め込み性は良好であった。

（比較例１）
絶縁保護層用樹脂組成物として、酸無水物変性ポリエステル樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にした。

絶縁保護層の１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ５×１０⁴Ｐａ、７×１０⁴Ｐａ、２×１０⁵Ｐａであり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における損失弾性率は、それぞれ４×１０⁴Ｐａ、４×１０⁴Ｐａ、５×１０⁴Ｐａであった。

得られた電磁波シールドフィルムの接続抵抗はリフロー前が０．３３Ω／１穴であり、リフロー後が０．６６Ω／１穴であり、リフロー前後共に埋め込み性は不良であった。

得られた電磁波シールドフィルムの埋め込み性は不良であった。

表１に各実施例及び比較例についてまとめて示す。

本開示の電磁波シールドフィルムは、埋め込み性に優れ、プリント配線基板用の電磁波シールドフィルム等として有用である。

１０１ 電磁波シールドフィルム
１０２ プリント配線基板
１０３ シールドプリント配線基板
１１１ 導電性接着剤層
１１２ 絶縁保護層
１１３ シールド層
１２１ 絶縁フィルム
１２２ ベース部材
１２３ 接着剤層
１２５ グランド回路
１２８ 開口部
１４０ 試験用プリント配線基板
１４１ 銅箔パターン
１４２ 絶縁層
１４３ 開口部
１５１ 抵抗計

Claims (3)

1. 導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、
   前記絶縁保護層は、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率のいずれもが８×１０⁴Ｐａ以上で、損失弾性率のいずれもが６×１０⁴Ｐａ以上であり、１２０℃、１７０℃及び２００℃における貯蔵弾性率及び損失弾性率のいずれもが５×１０ ⁶ Ｐａ以下である、電磁波シールドフィルム。
2. 前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に設けられた導電層をさらに備えている、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
3. グランド回路と、前記グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、
   請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルムとを備え、
   前記導電性接着剤層は、前記開口部において前記グランド回路と導通するように前記絶縁フィルムと接着されている、シールドプリント配線基板。
   

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