TW201931986A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

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梅村滋和
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日商拓自達電線股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於能夠實現嵌入性優異之電磁波屏蔽膜。
本發明之解決手段是：一種電磁波屏蔽膜，其具有導電性接著劑層與絕緣保護層。絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數為1×104Pa以上。

Description

電磁波屏蔽膜
發明領域
本揭示係關於電磁波屏蔽膜及屏蔽印刷配線基板。
發明背景
藉由將電磁波屏蔽膜壓接於印刷配線基板表面，使得導電性接著劑層被嵌入設在覆蓋印刷配線基板表面之絕緣膜的開口部中，而使導電性接著劑層與印刷配線基板之接地圖案行導通。近年來，隨著電子機器小型化的發展，用以嵌入導電性接著劑層之開口部的大小亦日漸縮小。因此，尋求使導電性接著劑層之嵌入性提升，並針對導電性接著劑層之組成及物性進行各種探討(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：WO2014/010524號
專利文獻2：日本專利特開2017-92417號公報
發明概要
發明欲解決之課題
然而，就電磁波屏蔽膜而言，導電性接著劑層係與絕緣保護層積層。因此，絕緣保護層之物性亦會對導電性接著劑層之嵌入性帶來影響。針對絕緣保護層之物性，進行有諸如從絕緣保護層與導電性接著劑層之密著性及剝離膜之剝離性之觀點所作之探討(例如參照專利文獻2)。但是，卻未進行以導電性接著劑層之嵌入性之觀點所作的探討。
本揭示之課題在於能夠實現嵌入性優異之電磁波屏蔽膜。
用以解決課題之手段
本揭示之電磁波屏蔽膜之一態樣具有導電性接著劑層與絕緣保護層，絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數皆為8×104 Pa以上，且損耗彈性模數皆為6×104 Pa以上。
於電磁波屏蔽膜之一態樣中，可設定絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數皆為5×106 Pa以下。
電磁波屏蔽膜之一態樣係可更具有設於導電性接著劑層與絕緣保護層之間的導電層。
本揭示之屏蔽印刷配線基板之一態樣，具有：印刷配線基板，其具有接地電路與絕緣膜，該絕緣膜具有露出接地電路之開口部；及本揭示之電磁波屏蔽膜；並且，導電性接著劑層係以於開口部導通接地電路之方式與絕緣膜接著。
發明效果
依據本揭示之絕緣保護層，可實現導電性接著劑層之嵌入性獲提升之電磁波屏蔽膜。
用以實施發明之形態
本實施形態之電磁波屏蔽膜101，如圖1所示，具有絕緣保護層112與導電性接著劑層111。像這樣的電磁波屏蔽膜可令導電性接著劑層111作為屏蔽發揮機能。另外，亦可如圖2所示，於絕緣保護層112與導電性接著劑層111之間設一屏蔽層113。屏蔽層113只要屬導電性即可，可令其為金屬箔、金屬蒸鍍膜及導電性填料的層等。
本實施形態之電磁波屏蔽膜101，可如圖3所示與印刷配線基板102組合而製成為屏蔽印刷配線基板103。且電磁波屏蔽膜101可為具有屏蔽層113的膜。
印刷配線基板102，舉例來說，具有基底構件122與印刷電路，該印刷電路係設於基底構件122上且包含接地電路125。於基底構件122上藉由接著劑層123接著有絕緣膜121。且於絕緣膜121設有露出接地電路125的開口部。可於接地電路125之露出部分設有金鍍敷層等表面層。另外，印刷配線基板102可為撓性基板亦可為剛性基板。
將電磁波屏蔽膜101接著於印刷配線基板102時，如圖4所示，係以使導電性接著劑層111位於開口部128上之方式將電磁波屏蔽膜101配置於印刷配線基板102上。然後，利用已加熱至預定溫度(譬如120℃)之2片加熱板(未作圖示)，從上下方夾住電磁波屏蔽膜101與印刷配線基板102並以預定壓力(譬如0.5MPa)行短時間(譬如5秒鐘)按壓。藉此，電磁波屏蔽膜101會被暫時固定於印刷配線基板102上。
繼而，將2片加熱板之溫度設為較前述暫時固定時更高溫之預定溫度(譬如170℃)，並以預定壓力(譬如3MPa)加壓預定時間(譬如30分鐘)。藉此，可將電磁波屏蔽膜101固定於印刷配線基板102上。在加壓之際，導電性接著劑層111會充分嵌入開口部128中，因而可實現電磁波屏蔽膜101所需之強度及導電性。
為了使導電性接著劑層111能充分嵌入開口部128中，絕緣保護層112之儲存彈性模數及損耗彈性模數即變得重要。具體來說，絕緣保護層112於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數皆設為8×104 Pa以上，且宜設為1×105 Pa以上；損耗彈性模數皆設為6×104 Pa以上，且宜設為7×104 Pa以上；藉此，導電性接著劑層111之嵌入性會提升。在將電磁波屏蔽膜101固定於印刷配線基板102時之加壓溫度以上且回焊溫度(reflow temperature)以下之溫度區域中，絕緣保護層112若未具有適當之儲存彈性模數及損耗彈性模數的話，絕緣保護層112便會吸收加壓壓力，導致無法對下方的導電性接著劑層111施力，從而導電性接著劑層111變得難以被壓入連接孔內。將電磁波屏蔽膜101固定於印刷配線基板102時所施加之最高溫度可設為120℃~200℃左右，回焊溫度可設為240℃~260℃左右。所以，絕緣保護層112於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數變得重要。另外，儲存彈性模數及損耗彈性模數可依實施例所示之方法作測定。
另一方面，絕緣保護層112於加壓溫度下之儲存彈性模數及損耗彈性模數過大的話，電磁波屏蔽膜101會變得難以變形，導致導電性接著劑層111難以被壓入連接孔內。因此，絕緣保護層112於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數宜皆設為5×106 Pa以下，較佳為設為3×106 Pa以下。
不僅只絕緣保護層112，藉由控制導電性接著劑層111之儲存彈性模數及損耗彈性模數，導電性接著劑層111之嵌入性會更加提升。具體來說，宜將導電性接著劑層111於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數皆設為1×104 Pa以上，較佳為設為1×105 Pa以上，且宜設為5×106 Pa以下，較佳為設為3×106 Pa以下。
於本實施形態中，絕緣保護層112可利用顯示預定之儲存彈性模數及損耗彈性模數的熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂或活性能量線硬化性樹脂等來形成。又，為了將儲存彈性模數及損耗彈性模數設為預定之值亦可添加彈性模數調節劑。
熱塑性樹脂雖然無特別限定，然可使用苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂或丙烯酸系樹脂等。作為熱硬化性樹脂雖然無特別限定，然可使用酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚醯胺系樹脂或醇酸系樹脂等。作為活性能量線硬化性樹脂雖然無特別限定，然而舉例來說，可使用分子中至少具有2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。保護層可藉由單獨之材料來形成，亦可由2種以上之材料來形成。
彈性模數調節劑可為例如有機鹽、滑石、碳黑及二氧化矽等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。依據該等方法會變得容易將於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數設定為預定之值。
有機鹽雖然無特別限定，然以多磷酸鹽及次磷酸金屬鹽(phosphinic acid metal salt)等磷酸鹽為佳，而以次磷酸金屬鹽更佳。作為次磷酸金屬鹽可使用鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽及鈣鹽等，其中又以鋁鹽為佳。作為多磷酸鹽可使用三聚氰胺鹽、甲胺鹽、乙胺鹽、二乙胺鹽、三乙胺鹽、乙二胺鹽、哌鹽、吡啶鹽、三鹽及銨鹽等，其中又以三聚氰胺鹽為佳。作為磷酸鹽以外的有機鹽，可使用三聚氰胺三聚氰酸鹽(melamine cyanurate)、三聚氰胺焦磷酸鹽及蜜白胺甲磺酸鹽等，其中又以三聚氰胺三聚氰酸鹽為佳。
絕緣保護層112可為材質或硬度或者彈性模數等物性相異之2層以上的積層體。此時，只要使所有的層滿足預定之儲存彈性模數及損耗彈性模數即可。
於絕緣保護層112中，可視需要含有硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗結塊劑等之至少一者。
絕緣保護層112之厚度無特別限定，可視需要適當地設定，宜設為1μm以上，較佳為4μm以上，而且宜設為20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下。藉由將絕緣保護層112之厚度設為1μm以上，可充分保護導電性接著劑層111及屏蔽層113。藉由將絕緣保護層112之厚度設為20μm以下，可薄化電磁波屏蔽膜101。
設置屏蔽層113時，屏蔽層113可藉由金屬箔、蒸鍍膜及導電性填料等來形成。
金屬箔雖無特別限定，然可令其為由鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅等中之任一者或是含兩者以上之合金構成的箔。
金屬箔之厚度雖無特別限定，然宜為0.5μm以上，較佳為1.0μm以上。金屬箔之厚度為0.5μm以上的話，於將10MHz~100GHz之高頻訊號傳送至屏蔽印刷配線基板時，可抑制高頻訊號之衰減量。又，金屬箔之厚度宜為12μm以下，較佳為10μm以下，更佳為7μm以下。金屬層之厚度為12μm以下的話，便可確保良好的斷裂伸度。
蒸鍍膜雖無特別限定，然可蒸鍍鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅等來形成。對於蒸鍍可使用電鍍法、無電鍍敷法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、化學氣相沉積(CVD)法或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法等。
蒸鍍膜之厚度雖無特別限定，然宜為0.05μm以上，較佳為0.1μm以上。蒸鍍膜之厚度為0.05μm以上的話，於屏蔽印刷配線基板中電磁波屏蔽膜屏蔽電磁波之特性便優異。又，蒸鍍膜之厚度宜小於0.5μm，較佳為小於0.3μm。蒸鍍膜之厚度小於0.5μm的話，電磁波屏蔽膜之抗撓性(flex resistance)便優異，而可抑制屏蔽層因設於印刷配線基板之高低差而遭受破壞的情形。
為導電性填料時，可藉由將摻合了導電性填料之溶劑塗佈於絕緣保護層112之表面並予以乾燥來形成屏蔽層113。導電性填料可使用金屬填料、被覆金屬樹脂填料、碳填料及該等之混合物。作為金屬填料可使用銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉及金包鎳粉等。該等金屬粉可利用電解法、霧化法及還原法來製作。金屬粉之形狀可列舉球狀、小片狀、纖維狀及樹枝狀等。
於本實施形態中屏蔽層113之厚度，雖然只要按照所需求之電磁屏蔽效應及反覆撓曲/滑動耐性來適當選擇即可，但在為金屬箔時，從確保斷裂伸度之觀點來看宜設為12μm以下。
於本實施形態中，導電性接著劑層111含有熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂中之至少一者及導電性填料。
導電性接著劑層111含有熱塑性樹脂時，作為熱塑性樹脂可使用例如苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物及丙烯酸系樹脂組成物等。該等組成物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
導電性接著劑層111含有熱硬化性樹脂時，作為熱硬化性樹脂可使用例如酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物及醇酸系樹脂組成物等。作為活性能量線硬化性樹脂組成物雖然並無特別限定，然而舉例來說，可使用分子中至少具有2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。該等組成物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
熱硬化性樹脂，舉例來說，包含具反應性第1官能基的第1樹脂成分及會與第1官能基反應的第2樹脂成分。第1官能基可令其為例如環氧基、醯胺基或羥基等。第2官能基僅需按照第1官能基來作選擇即可，譬如第1官能基為環氧基時，可令其為羥基、羧基、環氧基及胺基等。具體來說，比如令第1樹脂成分為環氧樹脂時，可使用環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等作為第2樹脂成分。而於該等之中又以羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂為佳。又，第1樹脂成分為羥基時，可使用環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等作為第2樹脂成分。而於該等之中又以羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂為佳。
熱硬化性樹脂亦可含有促進熱硬化反應之硬化劑。熱硬化性樹脂具有第1官能基與第2官能基時，硬化劑可按照第1官能基及第2官能基之種類來適當地作選擇。於第1官能基為環氧基且第2官能基為羥基時，可使用咪唑系硬化劑、酚系硬化劑及陽離子系硬化劑等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。此外，亦可含有消泡劑、抗氧化劑、黏度調節劑、稀釋劑、抗沉降劑、調平劑、耦合劑、著色劑及阻燃劑等作為任擇成分。
導電性填料雖無特別限定，然而舉例來說，可使用金屬填料、被覆金屬樹脂填料、碳填料及該等之混合物。作為金屬填料可列舉銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉及金包鎳粉等。該等金屬粉可利用電解法、霧化法或還原法等來製作。其中又以銀粉、銀包銅粉及銅粉中之任一者為佳。
從填料彼此接觸之觀點來看，導電性填料之平均粒子徑宜為1μm以上，較佳為3μm以上，並宜為50μm以下，較佳為40μm以下。導電性填料之形狀並無特別限定，可令其為球狀、小片狀、樹枝狀或纖維狀等。
導電性填料之含量可按照用途適當地作選擇，惟於總固體成分中宜為5質量%以上，較佳為10質量%以上，並宜為95質量%以下，較佳為90質量%以下。從嵌入性之觀點來看，則宜為70質量%以下，較佳為60質量%以下。又，於實現各向異性導電性時，則宜為40質量%以下，較佳為35質量%以下。
從嵌入性之觀點來看，導電性接著劑層111之厚度宜設為1μm~50μm。
本實施形態之電磁波屏蔽膜101，舉例來說可依以下方式形成。首先，於支撐基材上塗佈絕緣保護層用組成物，之後，予以加熱乾燥來去除溶劑以形成絕緣保護層112。支撐基材可製成為例如膜狀。支撐基材無特別限定，可利用例如聚烯烴系、聚酯系、聚醯亞胺系或聚伸苯硫系等材料來形成。亦可於支撐基材與保護層用組成物之間設脫模劑層。
絕緣保護層用組成物可於絕緣保護層用之樹脂組成物中適量添加溶劑及其他之摻混劑來調製。溶劑可令其為例如甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。作為其他摻混劑則可添加交聯劑、聚合用觸媒、硬化促進劑及著色劑等。其他之摻混劑只要視需要添加即可，亦可不添加。對支撐基材塗佈保護層用組成物之方法無特別限定，可採用唇模塗佈(lip coating)、缺角輪塗佈(comma coating)、凹版塗佈抑或狹縫式模塗佈等眾所周知之技術。
其次，視需要於絕緣保護層112上形成屏蔽層113。屏蔽層113之形成方法可按照屏蔽層113之種類適當地作選擇。於電磁波屏蔽膜101為不具屏蔽層113之結構時，則可省略此步驟。
接著，於絕緣保護層112或屏蔽層113上塗佈導電性接著劑層用組成物後，予以加熱乾燥來去除溶劑而形成導電性接著劑層111。
導電性接著劑層用組成物包含導電性接著劑與溶劑。溶劑可令其為例如甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。導電性接著劑層用組成物中之導電性接著劑之比率僅需按照導電性接著劑層111之厚度等來適當地作設定即可。
作為於屏蔽層113上塗佈導電性接著劑層用組成物之方法無特別限定，可使用唇模塗佈、缺角輪塗佈、凹版塗佈抑或狹縫式模塗佈等。
另外，亦可視需要於導電性接著劑層111之表面貼合剝離基材(分離膜)。剝離基材可使用下述者：於聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之基膜上，將矽系或非矽系之脫模劑塗佈在會形成導電性接著劑層111之側的表面而成者。另外，剝離基材之厚度無特別限定，可適當考量易用性來作決定。
實施例
以下，就本揭示之電磁波屏蔽膜使用實施例更詳細地進行說明。以下之實施例為示例，而非意圖限定本發明者。
＜電磁波屏蔽膜之製作＞
於表面設有剝離層之PET膜(厚度25μm)的表面，使用線棒塗佈預定之絕緣保護層用組成物並予以加熱乾燥，藉此形成預定厚度之絕緣保護層。其次，於絕緣保護層上利用線棒塗佈預定之導電性接著劑層用組成物後，進行100℃×3分之乾燥而製得電磁波屏蔽膜。
＜儲存彈性模數及損耗彈性模數之測定＞
針對各實施例及比較例之絕緣保護層，利用流變計(MCR302，Anton Paar公司製)就30℃~200℃之範圍測定動態黏彈性，並求出120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數(E”)及損耗彈性模數(G”)。對於測定試料係使用了將絕緣保護層用組成物成形成直徑25mm且厚度1mm的盤狀物。另外，針對導電性接著劑層亦以同樣方式予以測定儲存彈性模數及損耗彈性模數。
測定條件如以下所述。
受測板(plate)：D-PP25/AL/S07 直徑25mm
擺動角：0.1%
頻率：1Hz
測定範圍：30~200℃
升溫速率：6℃/min
＜嵌入性之評價＞
如圖5所示，使用壓機於溫度：170℃、時間：30分鐘、壓力：2~3MPa之條件下將電磁波屏蔽膜101接著於試驗用印刷配線基板140，而製得屏蔽印刷配線基板。試驗用印刷配線基板140具有：2條銅箔圖案141，其等係設於基底膜(未作圖示)上且彼此隔有間隔平行延伸；及絕緣層(厚度：25μm)142，其覆蓋銅箔圖案且由聚醯亞胺構成；且於絕緣層142設有一模擬直徑1mm之接地連接部的開口部143。
經進行5次將電磁波屏蔽膜曝於265℃下1秒鐘之模擬回焊操作後，利用電阻計151測定形成於試驗用印刷配線板140之2條銅箔圖案141間的電阻值，並測定銅箔圖案141與電磁波屏蔽膜101之連接電阻值，來評價對開口部143之樹脂嵌入性。將開口部每1處之連接電阻值小於0.30Ω時評定為嵌入性良好(○)，並將變成為0.30Ω以上時評定為嵌入性不良(×)。
(實施例1)
絕緣保護層用組成物及導電性接著劑用組成物係利用橡膠改質環氧樹脂來作調製。絕緣保護層之厚度係設為5μm，導電性接著劑層之厚度則設為17μm。
絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數分別為1×105 Pa、6×105 Pa及7×105 Pa，且於120℃、170℃及200℃下之損耗彈性模數分別為1×105 Pa、8×104 Pa及7×104 Pa。
導性電性接著劑層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數分別為5×105 Pa、1×106 Pa及2×106 Pa，且於120℃、170℃及200℃下之損耗彈性模數分別為3×105 Pa、2×105 Pa及3×105 Pa。
所得電磁波屏蔽膜之連接電阻於回焊前為0.050Ω/1孔，回焊後為0.060Ω/1孔，所以回焊前後皆嵌入性良好。
(實施例2)
除了對於絕緣保護層用組成物使用了胺甲酸乙酯改質環氧樹脂以外，其餘設定係與實施例1相同。
絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數分別為1×106 Pa、2×106 Pa及2×106 Pa，且於120℃、170℃及200℃下之損耗彈性模數分別為2×105 Pa、2×105 Pa及2×105 Pa。
所得電磁波屏蔽膜之連接電阻於回焊前為0.061Ω/1孔，回焊後為0.089Ω/1孔，所以回焊前後皆嵌入性良好。
(實施例3)
除了對於絕緣保護層用組成物使用了胺甲酸乙酯改質環氧樹脂以外，其餘設定係與實施例1相同。
絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數分別為4×105 Pa、6×105 Pa及7×105 Pa，且於120℃、170℃及200℃下之損耗彈性模數分別為1×105 Pa、1×105 Pa及1×105 Pa。
所得電磁波屏蔽膜之連接電阻於回焊前為0.052Ω/1孔，回焊後為0.073Ω/1孔，所以回焊前後皆嵌入性良好。
(比較例1)
除了使用酸酐改質聚酯樹脂作為絕緣保護層用樹脂組成物以外，其餘設定係與實施例1相同。
絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數分別為5×104 Pa、7×104 Pa及2×105 Pa，且於120℃、170℃及200℃下之損耗彈性模數分別為4×104 Pa、4×104 Pa及5×104 Pa。
所得電磁波屏蔽膜之連接電阻於回焊前為0.33Ω/1孔，回焊後為0.66Ω/1孔，所以回焊前後皆嵌入性不良。
所得電磁波屏蔽膜之嵌入性不良。
就各實施例及比較例予以彙整示於表1。
[表1]

產業上之可利用性
本揭示之電磁波屏蔽膜具有優異之嵌入性，從而作為印刷配線基板用之電磁波屏蔽膜等是有用的。
101‧‧‧電磁波屏蔽膜
102‧‧‧印刷配線基板
103‧‧‧屏蔽印刷配線基板
111‧‧‧導電性接著劑層
112‧‧‧絕緣保護層
113‧‧‧屏蔽層
121‧‧‧絕緣膜
122‧‧‧基底構件
123‧‧‧接著劑層
125‧‧‧接地電路
128‧‧‧開口部
140‧‧‧試驗用印刷配線基板
141‧‧‧銅箔圖案
142‧‧‧絕緣層
143‧‧‧開口部
151‧‧‧電阻計
圖1係顯示一實施形態之電磁波屏蔽膜的截面圖。
圖2係顯示電磁波屏蔽膜之變形例的截面圖。
圖3係顯示一實施形態之屏蔽印刷配線基板的截面圖。
圖4係顯示將電磁波屏蔽膜接著於印刷配線基板之步驟的截面圖。
圖5係顯示嵌入性之評價方法的平面圖。

Claims (4)

  1. 一種電磁波屏蔽膜，具有導電性接著劑層與絕緣保護層； 前述絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數皆為8×104 Pa以上，且損耗彈性模數皆為6×104 Pa以上。
  2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述絕緣保護層於120℃、170℃及200℃下之儲存彈性模數及損耗彈性模數皆為5×106 Pa以下。
  3. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其更具有設於前述導電性接著劑層與前述絕緣保護層之間的導電層。
  4. 一種屏蔽印刷配線基板，具有： 印刷配線基板，其具有接地電路與絕緣膜，該絕緣膜具有露出前述接地電路之開口部；及 如請求項1至3中任一項之電磁波屏蔽膜； 並且，前述導電性接著劑層係以於前述開口部導通前述接地電路之方式與前述絕緣膜接著。
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