TW201836465A - 電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器 - Google Patents
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Abstract
本發明目的在於提供一種具充分耐彎折性且電磁波屏蔽特性夠高之電磁波屏蔽膜。本發明之電磁波屏蔽膜係由導電性接著劑層、積層於前述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於前述屏蔽層上之絶緣層所構成者，其特徵在於：前述屏蔽層形成有多數開口部，該電磁波屏蔽膜於JIS P8115：2001所規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線，且以KEC法測得之上述電磁波屏蔽膜於200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。
Description
本發明有關一種電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器。
背景技術 迄今以來一直都在採行對諸如撓性印刷配線板(FPC)等印刷配線板貼附電磁波屏蔽膜以屏蔽來自外部之電磁波。
電磁波屏蔽膜通常具有依序積層導電性接著劑層、由金屬薄膜等構成之屏蔽層及絶緣層之結構。將此種電磁波屏蔽膜在疊合至印刷配線板之狀態下進行熱壓，藉此，電磁波屏蔽膜透過接著劑層接著至印刷配線板而製出屏蔽印刷配線板。於該接著後，利用迴焊在印刷配線板上安裝零件。此外，印刷配線板呈現基底膜上之印刷圖案受絕緣膜被覆之結構。
製造屏蔽印刷配線板時，若以熱壓及迴焊來加熱屏蔽印刷配線板，將會有氣體自電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層及印刷配線板之絶緣膜等產生。此外，印刷配線板之基底膜係以聚醯亞胺等高吸濕性樹脂形成時，有時會因加熱而自基底膜產生水蒸氣。由於產生自導電性接著劑層、絕緣膜或基底膜之此等揮發成分無法通過屏蔽層，將會蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。因此，若在迴焊步驟進行急遽加熱，會有屏蔽層與導電性接著劑層之層間密著因蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層間之揮發成分而受到破壞，致使屏蔽特性降低的情況。
為了解決此種問題，專利文獻1記載了一種在屏蔽層(金屬薄膜)設置多數開口部而使透氣性提升的電磁波屏蔽膜。 若在屏蔽層設置多數開口部，即使產生揮發成分，揮發成分仍可透過開口部而通過屏蔽層。因此，可防止揮發成分蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間，進而可防止層間密著受到破壞所致之屏蔽特性降低。 先行技術文献 專利文獻
[專利文獻1]國際公開2014/192494號
發明概要 發明欲解決之課題 然而，專利文獻1所載電磁波屏蔽膜因屏蔽層形成有開口部，屏蔽層之強度較弱。 因此，若將專利文獻1之電磁波屏蔽膜使用於撓性印刷配線板，將產生下述問題。 亦即，撓性印刷配線板在使用時將會被反覆彎折。用於此種撓性印刷配線板之電磁波屏蔽膜及構成該電磁波屏蔽膜之屏蔽層也會隨之反覆彎折。 如上所述，專利文獻1所載電磁波屏蔽膜因屏蔽層之強度較弱，而有一旦反覆彎折屏蔽層容易受到破壞之問題。 此外，專利文獻1所載電磁屏蔽膜也難謂屏蔽特性夠高。
本發明係鑑於上述問題而為者，本發明之目的即在於提供一種具有充分耐彎折性且屏蔽特性夠高之電磁波屏蔽膜。 用以解決課題之手段
亦即，本發明之電磁波屏蔽膜係由導電性接著劑層、積層於前述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於前述屏蔽層上之絶緣層所構成者，其特徵在於：前述屏蔽層形成有多數開口部；該電磁波屏蔽膜於JIS P8115：2001規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線，且以KEC法測得之前述電磁波屏蔽膜於200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。
本發明之電磁波屏蔽膜係於屏蔽層形成有多數開口部。 因此，使用本發明之電磁波屏蔽膜製造屏蔽印刷配線板時，即使熱壓步驟及迴焊步驟等中，屏蔽層與導電性接著劑層之間產生揮發成分，揮發成分仍可通過屏蔽層之開口部。 因此，屏蔽層與導電性接著劑層之間變得不易蓄積揮發成分。結果，可防止層間密著受到破壞。因此，後述以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性提高。
本發明之電磁波屏蔽膜於JIS P8115：2001規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線。 本發明之電磁波屏蔽膜具有如此高之耐彎折性時，即使將本發明之電磁波屏蔽膜用於撓性印刷配線板等，仍不易發生斷線。
本發明之電磁波屏蔽膜以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。亦即具有夠高之屏蔽特性。
另，「KEC法」意指下述方法。 圖1為示意圖，其示意性地顯示KEC法所用系統之結構。
KEC法所用系統係以電磁波屏蔽效果測定裝置80、析譜儀91、進行10dB衰減之衰減器92、進行3dB衰減之衰減器93與前置放大器94來構成。
如圖1所示，電磁波屏蔽效果測定裝置80中，2個測定夾具83呈對向設置。並且以電磁波屏蔽膜(圖1中以元件符號110表示)被挾持在該測定夾具83之間的方式來設置。測定夾具83已計入TEM室(Transverse Electro Magnetic Cell)之尺寸份量，呈現出在與其傳送軸方向垂直之面內分割成左右對稱之構造。但，為了防止因電磁波屏蔽膜110插入而形成短路，平板狀之中心導體84係與各測定夾具83之間隔著空隙配置。
KEC法係先將輸出自析譜儀91之信號經由衰減器92輸入至送信側之測定夾具83。接著，以受信側之測定夾具83接收後，將經由衰減器93而來之信號以前置放大器94增幅，之後以析譜儀91測定信號位準。另，析譜儀91係以未將電磁波屏蔽膜110設置在電磁波屏蔽效果測定裝置80之狀態為基準，輸出已將電磁波屏蔽膜110設置在電磁波屏蔽效果測定裝置80時之衰減量。
本發明之電磁波屏蔽膜之使用此種裝置測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。
本發明之電磁波屏蔽膜宜在下述層間剝離評價中不發生膨脹。 層間剝離評價：以熱壓將電磁波屏蔽膜貼附於印刷配線板上，將所得屏蔽印刷配線板加熱至265℃後冷卻至室溫，進行該加熱與冷卻合計5次後，以目測觀察前述電磁波屏蔽膜是否發生膨脹。 若本發明之電磁波屏蔽膜具有此種特徵，屏蔽層與導電性接著劑層間之層間密著不易受到破壞。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口面積與開口節距宜滿足下述式(1)之關係。 y≦0.135x・・・・・(1) (式(1)中，y表示開口面積(μm2
)之平方根，x表示開口節距(μm))。 開口部之開口面積與開口節距滿足上述式(1)時，於JIS P8115：2001所規定之MIT耐折疲勞試驗中之評價及以KEC法測得之電磁波屏蔽膜於200MHz下之電磁波屏蔽特性良好。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口面積宜為70~71000μm2
，且上述開口部之開口率宜為0.05~3.6%。 若形成於屏蔽層之開口部的開口面積及開口率在此範圍內，則耐彎折性充分且可防止揮發成分蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口面積小於70μm2
，則開口部過窄，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。因此，使用該電磁波屏蔽膜製造屏蔽印刷配線板時，屏蔽層與導電性接著劑層之層間密著變得容易受到破壞。結果，屏蔽特性降低。 若開口部之開口面積大於71000μm2
，則開口部過廣，屏蔽層變得脆弱而使得耐彎折性降低。 若開口部之開口率小於0.05%，則開口部之比率過低，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口率大於3.6%，則開口部之比率過高，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。 另，本說明書中，「開口率」意指：相對於屏蔽層主面全體面積之多數開口部總開口面積。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口節距宜為10~10000μm。 若開口部之開口節距小於10μm，屏蔽層整體之開口部比率增加。結果，屏蔽層變得脆弱，耐彎折性降低。 若開口部之開口節距大於10000μm，屏蔽層整體之開口部比率減少。結果，揮發成分變得難以通過屏蔽層，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 另，本說明書中，「開口部之開口節距」係指最相互鄰近之開口部彼此之重心間之距離。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層之厚度宜為0.5μm以上。 若屏蔽層之厚度小於0.5μm，因屏蔽層過薄，屏蔽特性將降低。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層宜包含銅層。 從導電性及經濟性之觀點來看，對於屏蔽層而言，銅為理想之材料。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層宜進一步包含銀層，上述銀層宜配置於上述絕緣層側，上述銅層宜配置於上述導電性接著劑層側。 此種結構之電磁波屏蔽膜可藉由在絕緣層上以形成開口部之方式塗佈銀膏製成銀層並對銀層鍍銅來輕易製作。
本發明之電磁波屏蔽膜宜供撓性印刷配線板之用。 本發明之電磁波屏蔽膜係如上述，製造屏蔽印刷配線板時，揮發成分不易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。此外，本發明之電磁波屏蔽膜具有充分之耐彎折性。因此，本發明之電磁波屏蔽膜即使用於撓性印刷配線板而被反覆彎折仍不易破損。 因此，本發明之電磁波屏蔽膜可適於用作撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜。
本發明之屏蔽印刷配線板具有：基底構件，其形成有印刷電路；印刷配線板，其具有以包覆上述印刷電路之方式設於上述基底構件上之絕緣膜；及，電磁波屏蔽膜，其設於上述印刷配線板上；該屏蔽印刷配線板之特徵在於：上述電磁波屏蔽膜為上述本發明之電磁波屏蔽膜。
此外，本發明之屏蔽印刷配線板中，上述印刷配線板宜為撓性印刷配線板。
本發明之屏蔽印刷配線板具有具充分耐彎折性之本發明電磁波屏蔽膜。因此，本發明之屏蔽印刷配線板也具有充分之耐彎折性。
本發明之電子機器特徵在於：組裝有上述本發明之屏蔽印刷配線板，且該屏蔽印刷配線板係於彎折狀態下組裝。
如上所述，本發明之屏蔽印刷配線板具有充分之耐彎折性。因此，即使在彎折狀態下組裝於電子機器也不易破損。因此，本發明之電子機器可窄化用以配置屏蔽印刷配線板之空間。 爰此，本發明之電子機器可製成薄型。 發明效果
本發明之電磁波屏蔽膜係於屏蔽層形成有多數開口部，且於JIS P8115：2001規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線，以KEC法測得之上述電磁波屏蔽膜在200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。 因此，本發明之電磁波屏蔽膜具有高耐彎折性及屏蔽特性。
用以實施發明之形態 以下，就本發明之電磁波屏蔽膜予以具體說明。然而，本發明並不限定於以下實施形態，可在不變更本發明要旨之範圍內作適度變更應用。
圖2為截面圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一例。 如圖2所示，電磁波屏蔽膜10係由導電性接著劑層20、積層於導電性接著劑層20上之屏蔽層30及積層於屏蔽層30上之絕緣層40所構成。 此外，屏蔽層30形成有多數開口部50。
(導電性接著劑層) 於電磁波屏蔽膜10中，導電性接著劑層20僅需具有導電性且可用作接著劑來發揮機能，無論由何種材料構成皆可。 舉例來說，導電性接著劑層20可由導電性粒子及接著性樹脂組成物構成。
導電性粒子並未特別受限，可為金屬微粒子、奈米碳管、碳纖維及金屬纖維等。
導電性粒子為金屬微粒子時，金屬微粒子並未特別受限，可為銀粉、銅粉、鎳粉、焊粉、鋁粉、對銅粉施予鍍銀而成之覆銀銅粉以及將高分子微粒子或玻璃珠等以金屬被覆而成之微粒子等。 從經濟性之觀點來看，其等之中以可廉價取得之銅粉或覆銀銅粉為宜。
導電性粒子之平均粒徑未特別受限，但宜為0.5~15.0μm。若導電性粒子之平均粒徑在0.5μm以上，導電性接著劑層之導電性良好。若導電性粒子之平均粒徑在15.0μm以下，則可薄化導電性接著劑層。
導電性粒子之形狀並未特別受限，可適當選自球狀、扁平狀、鱗片狀、樹枝狀、棒狀及纖維狀等。
接著性樹脂組成物之材料並未特別受限，可使用苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物及丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物，或者酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物及醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 接著性樹脂組成物之材料可為其等中之單一種類，也可為2種以上之組合。
導電性接著劑層20可視需要而含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調節劑等。
導電性接著劑層20中導電性粒子之摻合量並未特別受限，宜為15~80質量%，更宜為15~60質量%。 若為上述範圍，導電性接著劑層對印刷配線板之接著性將提升。
導電性接著劑層20之厚度並未特別受限，可視需要來適當設定，但宜為0.5~20.0μm。 若導電性接著劑層之厚度小於0.5μm，將變得不易獲得良好之導電性。若導電性接著劑層之厚度大於20.0μm，則電磁波屏蔽膜之整體厚度變厚而難以處置。
又，導電性接著劑層20宜具各向異性導電性。 若導電性接著劑層20具各向異性導電性，則相較於其具各向同性導電性時，印刷配線板以信號電路傳送之高頻信號的傳送特性將更提升。
(絶緣層) 於電磁波屏蔽膜10中，絕緣層40僅需具有充分之絕緣性且可保護導電性接著劑層20及屏蔽層30即可，並未特別受限，舉例來說，宜由熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物及活性能量線硬化性組成物等構成。 上述熱可塑性樹脂組成物並未特別受限，但可舉如苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物及丙烯酸系樹脂組成物等。
上述熱硬化性樹脂組成物並未特別受限，但可舉如酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物及醇酸系樹脂組成物等。
上述活性能量線硬化性組成物並未特別受限，但可舉例如分子中具至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。
絕緣層40可由單一種類材料構成，亦可由2種以上材料構成。
絕緣層40可視需要而含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗黏劑等。
絕緣層40之厚度並未特別受限，可視需要予以適當設定，但宜為1~15μm，更宜為3~10μm。 若絕緣層40之厚度小於1μm，將因過薄而變得無法充分保護導電性接著劑層20及屏蔽層30。 若絕緣層40之厚度大於15μm，則因過厚而使電磁波屏蔽膜10變得不易彎折，此外絕緣層40本身變得容易破損。因此而變得不易適用於有耐彎折性需求的構件。
(屏蔽層) 在說明本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽層之前，先就使用未在屏蔽層形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況，利用圖式予以說明。 圖3(a)及(b)為示意圖，其示意性地顯示：使用未於屏蔽層形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況。
如圖3(a)所示，製造屏蔽印刷配線板時，配置了電磁波屏蔽膜510之屏蔽印刷配線板會利用熱壓或迴焊來加熱。 因該加熱，會自電磁波屏蔽膜510之導電性接著劑層520、印刷配線板之絕緣膜及基底膜等產生揮發成分560。
一旦於此種狀態下進行急遽加熱，如圖3(b)所示，因蓄積於屏蔽層530與導電性接著劑層520之間的揮發成分560，屏蔽層530與導電性接著劑層520之層間密著有時會受到破壞。
然而，圖2所示之電磁波屏蔽膜10係於屏蔽層30形成有多數開口部50。 因此，使用電磁波屏蔽膜10製造屏蔽印刷配線板時，即使屏蔽層30與導電性接著劑層20之間因加熱而產生揮發成分，揮發成分仍可通過屏蔽層30之開口部50。 因此，揮發成分變得不易蓄積在屏蔽層30與導電性接著劑層20之間。結果，可防止層間密著受到破壞。
因此，電磁波屏蔽膜10可在上述層間剝離評價中不發生膨脹，且可使其藉由上述KEC法所測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性在85dB以上。
此外，在本發明之電磁波屏蔽膜中，本發明之電磁波屏蔽膜宜於JIS P8115：2001所規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線，且宜在彎折次數2000次下不發生斷線。 本發明之電磁波屏蔽膜具有如此高之耐彎折性時，即使將本發明之電磁波屏蔽膜用於撓性印刷配線板等，仍不易發生斷線。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之開口面積宜為70~71000μm2
，且開口部50之開口率宜為0.05~3.6%。 開口部50之開口面積宜為70~32000μm2
，且較宜為70~10000μm2
，更宜為80~8000μm2
。 此外，開口部50之開口率宜為0.1~3.6%。 若形成於屏蔽層30之開口部50之開口面積及開口率在此範圍內，則耐彎折性充分且可防止揮發成分蓄積在屏蔽層30與導電性接著劑層20之間。 又，以KEC法測得之電磁波屏蔽膜在200MHz下之電磁波屏蔽特性良好。
若屏蔽層開口部之開口面積小於70μm2
，開口部過窄，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若屏蔽層開口部之開口面積大於71000μm2
，則開口部過廣，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。
若屏蔽層開口部之開口率小於0.05%，開口部之比率過低，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若屏蔽層開口部之開口率大於3.6%，開口部之比率過大，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之形狀未特別受限，可為圓形、橢圓形、軌道形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形及星形等。 從開口部50之形成容易度來看，該等之中以圓形為宜。 此外，多數開口部50之形狀可為單一種類，亦可組合多數種類。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之開口節距宜為10~10000μm，且較宜為25~2000μm，更宜為250~2000μm。 若開口部之開口節距小於10μm，屏蔽層全體之開口部比率增加。結果，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。 若開口部之開口節距大於10000μm，屏蔽層全體之開口部比率降低。結果，揮發成分變得難以通過屏蔽層，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。結果，屏蔽層與導電性接著劑層之層間密著變得容易受到破壞，屏蔽特性亦容易降低。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之開口面積與開口節距宜滿足下述式(1)之關係。 y≦0.135x・・・・・(1) (式(1)中，y表示開口面積(μm2
)之平方根，x表示開口節距(μm))。
電磁波屏蔽膜10中，開口部之開口面積與開口節距滿足上述式(1)時，於JIS P8115：2001所規定之MIT耐折疲勞試驗中之評價及以KEC法測得之電磁波屏蔽膜在200MHz下之電磁波屏蔽特性良好。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之配列圖案並未特別受限，舉例來說可為下示配列圖案。
圖4(a)~(c)為俯視圖，其示意性地顯示：構成本發明電磁波屏蔽膜之屏蔽層中之開口部配列圖案之一例。
如圖4(a)所示，開口部50之配列圖案可為如下所述之配列圖案：在將正三角形縱橫連續排列而成之平面中，各開口部50之中心位在正三角形之頂點上。
此外，如圖4(b)所示，開口部50之配列圖案亦可為如下所述之配列圖案：在將正方形縱橫連續排列而成之平面中，開口部50之中心位在正方形之頂點上。
此外，如圖4(c)所示，開口部50之配列圖案也可為如下所述之配列圖案：在將正六邊形縱橫連續排列而成之平面中，開口部50之中心位在正六邊形之頂點上。
電磁波屏蔽膜10中，屏蔽層30之厚度宜為0.5μm以上，更宜為1.0μm以上。此外，屏蔽層30之厚度宜為10μm以下。 若屏蔽層之厚度小於0.5μm，因屏蔽層過薄，屏蔽特性降低。
此外，若屏蔽層30之厚度為1.0μm以上，則在傳送頻率為0.01~10GHz之高頻信號的信號傳達系統中，傳送特性變得良好。 另，屏蔽層未形成開口部時，若屏蔽層增厚，製造屏蔽印刷配線板時，屏蔽層與導電性接著劑層間之層間密著易生破壞。尤其，若屏蔽層30之厚度大於1.0μm，層間密著之破壞將顯著發生。然而，在電磁波屏蔽膜10中，因屏蔽層30形成有開口部50，可防止屏蔽層30與導電性接著劑層20間之層間密著受到破壞。
本發明之電磁波屏蔽膜宜用於傳送頻率為0.01~10GHz之信號的信號傳達系統。
本發明之電磁波屏蔽膜中，只要屏蔽層具有電磁波屏蔽性，無論由何種材料構成皆可，例如，也可由金屬層構成。
屏蔽層可包含由金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅等材料構成之層，且宜包含銅層。 從導電性及經濟性之觀點來看，對於屏蔽層而言銅為理想之材料。
另，上述屏蔽層亦可包含由上述金屬合金構成之層。
此外，屏蔽層可積層有多數金屬層而成。 屏蔽層尤宜包含銅層及銀層。
茲使用圖式，就屏蔽層包含銅層及銀層之情況予以說明。 圖5為截面圖，其示意性地顯示屏蔽層由銅層及銀層構成之本發明電磁波屏蔽膜之一例。
圖5所示的電磁波屏蔽膜110係由導電性接著劑層120、積層於導電性接著劑層120上之屏蔽層130及積層於屏蔽層130上之絕緣層140所構成。 此外，屏蔽層130係由銅層132及銀層131構成，銀層131配置於絕緣層140側，銅層132則配置於導電性接著劑層120側。
此種結構之電磁波屏蔽膜110可藉由在絕緣層140上以形成開口部150之方式塗佈銀膏製成銀層，再於銀層上鍍銅而輕易製出。
(其他結構) 本發明之電磁波屏蔽膜可在絕緣層與屏蔽層之間形成有錨定塗層。 錨定塗層之材料可舉如胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸樹脂、以胺甲酸乙酯樹脂為殼且以丙烯酸樹脂為核之核殼型複合樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、脲甲醛樹脂、使酚等封端劑與聚異氰酸酯反應而得之封端異氰酸酯、聚乙烯醇及聚乙烯吡咯啶酮等。
此外，本發明之電磁波屏蔽膜可於絕緣層側備有支持體膜，也可於導電性接著劑層側具有剝離性膜。若電磁波屏蔽膜具有支持體膜及剝離性膜，則在輸送本發明之電磁波屏蔽膜及使用本發明之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板等時的作業過程中，本發明之電磁波屏蔽膜將變得容易處置。 又，於屏蔽印刷配線板等上配置本發明之電磁波屏蔽膜時，此等支持體膜及剝離性膜將會被剝除。
只要是在阻斷電磁波之目的下，本發明之電磁波屏蔽膜可用在任何用途上。 本發明之電磁波屏蔽膜尤宜用於印刷配線板，特別是撓性印刷配線板。 本發明之電磁波屏蔽膜係如上述，於製造屏蔽印刷配線板時，揮發成分不易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。又，本發明之電磁波屏蔽膜具有充分之耐彎折性。因此，本發明之電磁波屏蔽膜即便用於撓性印刷配線板而被反覆彎折，仍不易破損。 因此，本發明之電磁波屏蔽膜可適於用作撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜。
如前述，具有本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板即為本發明之屏蔽印刷配線板。 亦即，本發明之屏蔽印刷配線板具有：基底構件，其形成有印刷電路；印刷配線板，其具有以包覆上述印刷電路之方式設於上述基底構件上之絕緣膜；及，電磁波屏蔽膜，其設於上述印刷配線板上；並且，該屏蔽印刷配線板之特徵在於：上述電磁波屏蔽膜為上述本發明之電磁波屏蔽膜。 此外，上述印刷配線板宜為撓性印刷配線板。 本發明之屏蔽印刷配線板具有具充分耐彎折性之本發明電磁波屏蔽膜。因此，本發明之屏蔽印刷配線板也具有充分之耐彎折性。
本發明之屏蔽印刷配線板係組裝於電子機器中作使用。 尤其是將上述本發明之屏蔽印刷配線板以彎折狀態組裝的電子機器，即是本發明之電子機器。 如上所述，本發明之屏蔽印刷配線板具充分之耐彎折性。因此，即使於彎折狀態下組裝於電子機器也不易破損。因此，本發明之電子機器可窄化用以配置屏蔽印刷配線板之空間。 因此，本發明之電子機器可製成薄型。
(電磁波屏蔽膜之製造方法) 其次，就本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法予以說明。另，本發明之電磁波屏蔽膜不限於以下述方法製得者。
首先，說明電磁波屏蔽膜10之製造方法之一例，該電磁波屏蔽膜10為本發明電磁波屏蔽膜之一例。 製造電磁波屏蔽膜10之方法包含(1)屏蔽層形成步驟、(2)絕緣層形成步驟及(3)導電性接著劑層形成步驟。
使用圖式將此等步驟詳述如下。 圖6(a)~(c)為步驟圖，其示意性地依序顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法之一例。
(1)屏蔽層形成步驟 首先，如圖6(a)所示，準備具電磁波屏蔽性之片材35，並於片材35上形成開口部50來製作屏蔽層30。
此時，宜以開口部50之開口面積與開口節距滿足下述式(1)之關係的方式來形成開口部。 y≦0.135x・・・・・(1) (式(1)中，y表示開口面積(μm2
)之平方根，x表示開口節距(μm))。
開口部50可藉衝孔及照射雷射等來形成。 此外，片材35由銅等可蝕刻材料構成時，也可在片材35表面上配置會形成開口部50之圖案的光阻，並以蝕刻來形成開口部50。 又，亦可於片材35表面印刷導電性膏或用作鍍敷催化劑來發揮機能之膏。於該印刷中，也能以預定圖案進行印刷，藉此形成開口部50。 印刷上述用作鍍敷催化劑來發揮機能之膏時，宜在印刷膏並形成開口部50後，以無電式鍍敷法或電鍍法來形成金屬膜並藉此形成屏蔽層。 上述用作鍍敷催化劑發揮機能之膏可使用含有由鎳、銅、鉻、鋅、金、銀、鋁、錫、鈷、鈀、鉛、鉑、鎘及銠等構成之金屬的流體。
(2)絶緣層形成步驟 接著，如圖6(b)所示，於屏蔽層30之一側面上塗佈絕緣層用樹脂組成物45，使其硬化而形成絕緣層40。 塗佈絕緣層用樹脂組成物之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈(kiss coating)式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈(comma coating)式、刮塗(blade coating)式、輥塗式、刮刀塗佈(knife coating)式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。 使絕緣層用樹脂組成物硬化之方法可因應絕緣層用樹脂組成物之種類，採用習用公知之各種方法。
(3)導電性接著劑層形成步驟 接著，如圖6(c)所示，在屏蔽層30之形成有絕緣層40之面的相反面上塗佈導電性接著劑層用組成物25，形成導電性接著劑層20。 塗佈導電性接著劑層用組成物25之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈式、刮塗式、輥塗式、刮刀塗佈式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。
經以上步驟，即可製造屬本發明電磁波屏蔽膜之一例的電磁波屏蔽膜10。
接著，說明製造屏蔽層係由銅層及銀層構成之電磁波屏蔽膜110之方法的一例，該電磁波屏蔽膜110為本發明電磁波屏蔽膜之一例。 製造電磁波屏蔽膜110之方法包含(1)絕緣層準備步驟、(2)銀膏印刷步驟、(3)鍍銅步驟及(4)導電性接著劑層形成步驟。
使用圖7~圖12，就該等步驟詳述如下。
(1)絶緣層準備步驟 圖7為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之絕緣層準備步驟之一例。 首先，如圖7所示，準備絕緣層140。 絕緣層140可利用習知方法來準備。
(2)含有金屬作為鍍敷催化劑之流體的印刷步驟(銀膏印刷步驟) 接著，於絕緣層之一側主面上印刷銀膏作為鍍敷催化劑。此時，以銀膏上會形成開口部的方式來進行。 印刷銀膏之方法可舉如：利用凹版印刷等凹版印刷及柔版印刷等凸版印刷之方法、利用網版印刷之方法、利用平板印刷(將經凹版或凸版、網版等形成圖案之物轉印來進行)之方法、利用無須印版之噴墨印刷之方法等。 以下，說明利用凹版印刷來印刷銀膏之方法。
圖8~圖10為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 首先，如圖8所示，準備表面形成有多數柱狀突起部72之滾筒狀印版滾筒70。另，未形成突起部72之印版滾筒表面為突起部非形成區域71。
接著，如圖9所示，使銀膏133覆上突起部非形成區域71。此時，以突起部72之上表面73上不塗佈銀膏133的方式來進行。
接著，如圖10所示，使絕緣層140通過壓印滾筒75與已覆上銀膏133之印版滾筒70之間，藉此在絕緣層140之一側主面上印刷銀膏133。 於該印刷中，絕緣層140中突起部72所接觸之部分不會印刷到銀膏133而可製成開口部150。 印刷於絕緣層140之銀膏133將會成為銀層131。
銀膏133只要含有銀粒子即可，也可含有其他分散劑、增稠劑、調平劑及消泡劑等各種添加劑。 銀粒子之形狀並未特別受限，可使用球狀、薄片狀、樹枝狀、針狀及纖維狀等任意形狀之材料。 上述銀粒子為粒子狀物時，宜為奈米尺寸之物。具體來說，以平均粒徑在1~100nm範圍內之銀粒子為宜，更宜為1~50nm範圍內之銀粒子。 另，於本說明書中，「平均粒徑」意指：以分散用溶劑稀釋銀粒子，藉動態光散射法測得之體積平均值。 該測定可使用MicrotracBEL Corp.製「Nanotrac UPA-150」。
此外，藉印刷銀膏所形成之銀層厚度宜為5~200nm。
(3)鍍銅步驟 圖11(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之鍍銅步驟之一例。 接著，如圖11(a)及(b)所示，在銀層131上鍍銅，藉此在銀層131上形成銅層132。 鍍銅方法並未特別受限，可利用習知之無電式鍍敷及電鍍。
以無電式鍍敷鍍銅時，鍍液宜使用含有硫酸銅、還原劑及水性介質、有機溶劑等溶劑之物。 以電鍍法鍍銅時，鍍液宜使用含有硫酸銅、硫酸及水性介質之物，且宜透過控制鍍敷處理時間、電流密度及鍍敷用添加劑之使用量等來進行調整以形成所欲之銅厚度。
鍍敷之銅厚度宜為0.1~10μm。
經上述步驟，可形成由銀層131及銅層132構成之屏蔽層130。
(4)導電性接著劑層形成步驟 圖12(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之導電性接著劑層形成步驟之一例。另，圖12(a)及(b)係將圖11(b)上下逆轉來圖示其後續之步驟。 接著，如圖12(a)及(b)所示，於銅層132上塗佈導電性接著劑層用組成物125而形成導電性接著劑層120。 塗佈導電性接著劑層用組成物125之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈式、刮塗式、輥塗式、刮刀塗佈式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。
經上述步驟即可製造電磁波屏蔽膜110，該電磁波屏蔽膜110為本發明電磁波屏蔽膜之一例。 實施例
以下述方法製出屏蔽層之開口部面積(開口部面積之平方根)為79μm2
(8.89μm)、1963μm2
(44.30μm)、4418μm2
(66.47μm)、7854μm2
(88.62μm)、12272μm2
(110.78μm)、17671μm2
(132.93μm)、31416μm2
(177.25μm)、49087μm2
(221.56μm)或70686μm2
(265.87μm)且開口節距為10μm、50μm、100μm、200μm、500μm、750μm、1000μm、1500μm、2000μm、3000μm、4000μm、5000μm、7500μm或10000μm之合計126種電磁波屏蔽膜。 另，屏蔽層之開口部形狀為圓形。
(調製例1：銀膏之調製例) 於乙醇35質量份與離子交換水65質量份之混合溶劑中，使用聚乙烯亞胺化合物作為分散劑，使平均粒徑30nm之銀粒子分散，藉此製得銀濃度為15質量%之銀膏。
(電磁波屏蔽膜之製造) (1)絶緣層準備步驟 準備厚度為5μm之由環氧樹脂構成之絕緣層。
(2)銀膏印刷步驟 接著，以圖8~圖10所示方法，使用滾筒狀之印版滾筒，於絕緣層之一側主面上，以會形成多數開口部的方式印刷銀膏而形成銀層。 開口部之開口面積與開口節距之組合係如上述。
另，令銀層厚度為50nm。 銀膏使用調製例1所得銀膏。 此外，開口部之形狀為圓形，且令開口部之配列圖案為下述配列圖案：於將正三角形縱橫連續排列而成之平面中，各開口部之中心位在正三角形之頂點上。
(3)鍍銅步驟 接著，於55℃下將印刷銀膏後之絕緣層浸漬於無電式銅鍍液(奥野製藥股份有限公司製「ARG Copper」、pH12.5)中20分鐘，而在銀層上形成無電解銅鍍膜(厚0.5μm)。 接著，將上述所得無電解銅鍍膜表面設置為陰極，將含磷銅設置為陽極，使用含硫酸銅之電鍍液並以電流密度2.5A/dm2
進行30分鐘電鍍，而在銀層上積層合計厚度為1μm之銅鍍層。電鍍液使用硫酸銅70g/公升、硫酸200g/公升、氯離子50mg/公升、Top Lucina SF(奥野製藥工業股份有限公司製，光澤劑)5g/公升之溶液。
(4)導電性接著劑層形成步驟 於銅層上塗佈在含磷環氧樹脂中添加了20質量%被覆Ag之Cu粉末的導電性接著劑層，使其厚度為15μm，製出電磁波屏蔽膜。 另，塗佈方法使用唇塗式。
(耐彎折性評價) 以下述方法評價各電磁波屏蔽膜。 以熱壓將各電磁波屏蔽膜貼附在50μm厚之聚醯亞胺膜兩面，裁切成長×寬＝130mm×15mm大小製成試驗片，再使用MIT耐折疲勞試驗機(安田精機製作所股份有限公司製，No.307 MIT形耐折度試驗機)，按JIS P8115：2001規定之方法測定各試驗片之耐彎折性。 試驗條件如下。 彎折夾鉗前端R：0.38mm 彎折角度：±135° 彎折速度：175cpm 負載：500gf 檢測方法：以內建通電裝置感測屏蔽膜之斷線
茲將結果示於圖13。 圖13為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根且橫軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價。 於圖13中，符號「○」表示：於耐彎折性評價中，在彎折次數600次下不發生斷線的電磁波屏蔽膜。 於圖13中，符號「×」表示：於耐彎折性評價中，在彎折次數小於600次下即發生斷線的電磁波屏蔽膜。 如圖13所示，令開口面積之平方根為y且開口節距為x時，若y與x之關係滿足下述式(1)，則電磁波屏蔽膜之耐彎折性良好。 y≦0.135x・・・・・(1)
(利用KEC法之電磁波屏蔽特性評價) 針對各電磁波屏蔽膜之電磁波屏蔽特性，使用一般社團法人KEC關西電子工業振興中心開發之電磁波屏蔽效果測定裝置，在溫度25℃、相對溼度30~50%之條件下，將各電磁波屏蔽膜裁切為邊長15cm之正方形，進行200MHz下之電磁波屏蔽特性測定並予以評價。 茲將結果示於圖14。 圖14為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根且横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之電磁波屏蔽特性之評價。 於圖14中，符號「○」表示：以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上的電磁波屏蔽膜。 於圖14中，符號「×」表示：以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性小於85dB的電磁波屏蔽膜。 如圖14所示，令開口面積之平方根為y且開口節距為x時，若y與x之關係滿足下述式(2)，則電磁波屏蔽膜之利用KEC法之電磁波屏蔽特性評價良好。 y≦0.38x・・・(2)
(耐彎折性評價與利用KEC法之電磁波屏蔽特性評價之綜合評價) 圖15為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根且横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價與電磁波屏蔽特性之綜合評價。 於圖15中，符號「○」表示：於耐彎折性評價中在彎折次數600次下不發生斷線且以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上的電磁波屏蔽膜。 於圖15中，符號「×」表示：於耐彎折性評價中在彎折次數小於600次下發生斷線的電磁波屏蔽膜。
於圖15中，符號「○」所示電磁波屏蔽膜為本發明實施例之電磁波屏蔽膜，符號「×」所示電磁波屏蔽膜為本發明比較例之電磁波屏蔽膜。 如圖15所示，若令開口面積之平方根為y且開口節距為x，y與x之關係滿足下述式(1)關係之電磁波屏蔽膜為本發明實施例之電磁波屏蔽膜。 y≦0.135x・・・・・(1)
(層間剝離評價) 以下述方法進行電磁波屏蔽膜之層間剝離評價。 首先，利用熱壓，將各電磁波屏蔽膜貼附在印刷配線板上。 接著，將該屏蔽印刷配線板放置於23℃、63%RH之無塵室中7天後，暴露於迴流時之溫度條件下30秒並評價層間剝離之有無。另，就迴流時之溫度條件而言，係預設無鉛焊接，設定最高265℃之溫度剖線。此外，層間剝離之有無係使屏蔽印刷配線板通過5次大氣迴流，然後以目測觀察有無膨脹。 茲將結果示於圖16。 圖16為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根且横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之層間剝離評價。 於圖16中，符號「○」表示：於層間剝離評價中不發生膨脹之電磁波屏蔽膜。 於圖16中，符號「×」表示：於層間剝離評價中發生膨脹之電磁波屏蔽膜。 如圖16所示，令開口面積之平方根為y且開口節距為x時，若y與x之關係滿足下述式(3)，則電磁波屏蔽膜之層間剝離評價良好。 y≧0.02x＋3・・・(3)
(耐彎折性評價、利用KEC法之電磁波屏蔽特性評價及層間剝離評價之綜合評價) 圖17為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根且横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價、電磁波屏蔽特性評價及層間剝離評價之綜合評價。 於圖17中，符號「◎」表示：於耐彎折性評價中在彎折次數600次下不發生斷線、以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上且於層間剝離評價中不發生膨脹的電磁波屏蔽膜。 於圖17中，符號「○」表示：於耐彎折性評價中在彎折次數600次下不發生斷線、以KEC法測得之200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上且於層間剝離評價中發生膨脹的電磁波屏蔽膜。 於圖17中，符號「×」表示：於耐彎折性評價中在彎折次數小於600次下即發生斷線的電磁波屏蔽膜。
10、110‧‧‧電磁波屏蔽膜
20、120‧‧‧導電性接著劑層
25、125‧‧‧導電性接著劑層用組成物
30、130‧‧‧屏蔽層
40、140‧‧‧絶緣層
45‧‧‧絶緣層用樹脂組成物
50、150‧‧‧開口部
70‧‧‧印版滾筒
71‧‧‧突起部非形成區域
72‧‧‧突起部
73‧‧‧突起部之上表面
75‧‧‧壓印滾筒
80‧‧‧電磁波屏蔽效果測定裝置
83‧‧‧測定夾具
84‧‧‧中心導體
91‧‧‧析譜儀
92、93‧‧‧衰減器
94‧‧‧前置放大器
131‧‧‧銀層
132‧‧‧銅層
133‧‧‧銀膏
圖1為示意圖，其示意性地顯示KEC法中使用之系統結構。 圖2為截面圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一例。 圖3(a)及(b)為示意圖，其示意性地顯示使用屏蔽層未形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況。 圖4(a)~(c)為俯視圖，其示意性地顯示構成本發明電磁波屏蔽膜之屏蔽層中之開口部配列圖案之一例。 圖5為截面圖，其示意性地顯示屏蔽層係由銅層及銀層構成之本發明電磁波屏蔽膜之一例。 圖6(a)~(c)為步驟圖，其示意性地依序顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法之一例。 圖7為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之絕緣層準備步驟之一例。 圖8為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖9為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖10為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖11(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之鍍銅步驟之一例。 圖12(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之導電性接著劑層形成步驟之一例。 圖13為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根、横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價。 圖14為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根、横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之電磁波屏蔽特性之評價。 圖15為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根、横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價與電磁波屏蔽特性評價之綜合評價。 圖16為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根、横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之層間剝離評價。 圖17為電磁波屏蔽膜之散佈圖，其令縱軸為開口面積之平方根、横軸為開口節距，顯示電磁波屏蔽膜之耐彎折性評價、電磁波屏蔽特性評價及層間剝離評價之綜合評價。
Claims (12)
- 一種電磁波屏蔽膜，係由導電性接著劑層、積層於前述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於前述屏蔽層上之絶緣層所構成者，其特徵在於： 前述屏蔽層形成有多數開口部； 該電磁波屏蔽膜於JIS P8115：2001所規定之MIT耐折疲勞試驗中，在彎折次數600次下不發生斷線，且以KEC法測得之前述電磁波屏蔽膜於200MHz下之電磁波屏蔽特性為85dB以上。
- 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其於下述層間剝離評價中不發生膨脹； 層間剝離評價：以熱壓將電磁波屏蔽膜貼附於印刷配線板上，將所得屏蔽印刷配線板加熱至265℃後冷卻至室溫，進行該加熱與冷卻合計5次後，以目測觀察前述電磁波屏蔽膜是否發生膨脹。
- 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述開口部之開口面積與開口節距滿足下述式(1)之關係： y≦0.135x・・・・・(1) (式(1)中，y表示開口面積(μm2 )之平方根，x表示開口節距(μm))。
- 如請求項1至3中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述開口部之開口面積為70~71000μm2 ，且前述開口部之開口率為0.05~3.6%。
- 如請求項1至4中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述開口部之開口節距為10~10000μm。
- 如請求項1至5中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層之厚度為0.5μm以上。
- 如請求項1至6中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層包含銅層。
- 如請求項7之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層更包含銀層，前述銀層配置於前述絶緣層側，且前述銅層配置於前述導電性接著劑層側。
- 如請求項1至8中任一項之電磁波屏蔽膜，其係供撓性印刷配線板之用。
- 一種屏蔽印刷配線板，具有： 基底構件，其形成有印刷電路； 印刷配線板，其具有以包覆前述印刷電路之方式設於前述基底構件上之絕緣膜；及 電磁波屏蔽膜，其設於前述印刷配線板上； 該屏蔽印刷配線板之特徵在於： 前述電磁波屏蔽膜為如請求項1至9中任一項之電磁波屏蔽膜。
- 如請求項10之屏蔽印刷配線板，其中前述印刷配線板為撓性印刷配線板。
- 一種電子機器，其特徵在於：組裝有如請求項10或11之屏蔽印刷配線板，且該屏蔽印刷配線板係於彎折狀態下組裝。
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