CN110199583B

CN110199583B - 电磁波屏蔽膜、屏蔽印制线路板及电子设备

Info

Publication number: CN110199583B
Application number: CN201880009007.6A
Authority: CN
Inventors: 上农宪治; 山内志朗; 白发润; 村川昭
Original assignee: Tuozda Wire Co ltd; DIC Corp
Current assignee: Tuozda Wire Co ltd; DIC Corp
Priority date: 2017-02-08
Filing date: 2018-02-07
Publication date: 2020-12-22
Anticipated expiration: 2038-02-07
Also published as: TW201836465A; KR20190116972A; JPWO2018147301A1; JP6404534B1; WO2018147301A1; CN110199583A; TWI761446B; KR102256655B1

Abstract

本发明目的在于提供一种有着足够的耐折性、且电磁波屏蔽特性足够高的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜含有导电性胶粘剂层、层压于所述导电性胶粘剂层之上的屏蔽层、层压于所述屏蔽层之上的绝缘层，其特征在于：在所述屏蔽层形成多个开口部，所述电磁波屏蔽膜在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线，用KEC法测定的所述电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。

Description

电磁波屏蔽膜、屏蔽印制线路板及电子设备

技术领域

本发明涉及电磁波屏蔽膜、屏蔽印制线路板及电子设备。

背景技术

以往人们例如通过在挠性印制线路板（FPC）等印制线路板上粘贴电磁波屏蔽膜来屏蔽来自外部的电磁波。

电磁波屏蔽膜通常由导电性胶粘剂层、由金属薄膜等制成的屏蔽层、绝缘层依次层压而成。屏蔽印制线路板是通过在该电磁波屏蔽膜与印制线路板重合的状态下进行热压，电磁波屏蔽膜通过胶粘剂层接合在印制线路板上制作而成。接合后，通过焊料再流焊在印制线路板上安装元件。另外，印制线路板成为由绝缘膜覆盖基膜上印制图形的结构。

在制造屏蔽印制线路板时，通过热压或焊料再流焊对屏蔽印制线路板进行加热的话，会从电磁波屏蔽膜的导电性胶粘剂层或印制线路板的绝缘膜等产生气体。另外，印制线路板的基膜是由聚酰亚胺等吸湿性高的树脂制成的情况下，通过加热有时会发生从基膜产生水蒸气的情况。从导电性胶粘剂层、绝缘膜、基膜产生的这些挥发性成分不能通过屏蔽层，因此会积存在屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。因此，在焊料再流焊工序进行急剧加热的话，屏蔽层与导电性胶粘剂层之间积存的挥发性成分有时会导致屏蔽层与导电性胶粘剂层之间的层间紧密接合性被破坏，屏蔽特性变差。

为解决该问题，专利文献1中记载了一种在屏蔽层（金属薄膜）上设置多个开口部，提高了透气性的电磁波屏蔽膜。

若在屏蔽层上设置多个开口部的话，即使产生了挥发性成分，挥发性成分也可通过开口部来通过屏蔽层。因此，能防止屏蔽层与导电性胶粘剂层之间积存挥发性成分，且能防止由于层间紧密接合性被破坏导致的屏蔽特性降低。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】国际公开第2014／192494号。

发明内容

【发明要解决的技术问题】

但是，专利文献1所记载的电磁波屏蔽膜由于在屏蔽层形成了开口部，因此屏蔽层的强度较弱。

因此，将专利文献1所记载的电磁波屏蔽膜用于挠性印制线路板的情况下，会产生以下问题。

即，挠性印制线路板在使用时会被反复弯折。用于此类挠性印制线路板的电磁波屏蔽膜及构成该电磁波屏蔽膜的屏蔽层也会被反复弯折。

如上所示，由于专利文献1所记载的电磁波屏蔽膜的屏蔽层强度较弱，若被反复弯折的话，则会有屏蔽层容易被破坏的问题。

另外，专利文献1所记载的电磁波屏蔽膜的屏蔽特性不能说足够高。

本发明是以上述问题为借鉴的产物，本发明的目的是提供一种有着足够的耐折性、且电磁波屏蔽特性足够高的电磁波屏蔽膜。

【解决技术问题的技术手段】

即，本发明的电磁波屏蔽膜包含导电性胶粘剂层、层压于所述导电性胶粘剂层之上的屏蔽层、层压于所述屏蔽层之上的绝缘层，其特征在于：所述屏蔽层形成多个开口部，在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线，用KEC法测定的所述电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。

本发明的电磁波屏蔽膜中，在屏蔽层形成有多个开口部。

因此，在使用本发明的电磁波屏蔽膜制造屏蔽印制线路板时的热压工序、焊料再流焊工序等中，即使屏蔽层与导电性胶粘剂层之间产生了挥发性成分，挥发性成分也能从屏蔽层的开口部通过。

所以，挥发性成分很难积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。因此，能够防止层间紧密接合性的破坏。因此，后述用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性较高。

另外，本发明的电磁波屏蔽膜在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线。

本发明的电磁波屏蔽膜在有如此高的耐折性的情况下，即使将本发明的电磁波屏蔽膜用于挠性印制线路板等时，也不易发生断线现象。

本发明的电磁波屏蔽膜在用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。即，其具有足够高的屏蔽特性。

另外，“KEC法”的含义如下。

图1是使用于KEC法的系统构成的示意图。

使用于KEC法的系统包含电磁波屏蔽效果测定装置80、频谱分析仪91、进行10dB衰减的衰减器92、进行3dB衰减的衰减器93、前置放大器94。

如图1所示，电磁波屏蔽效果测定装置80中，2个测定夹具83相向设置。使得在该测定夹具83之间夹持电磁波屏蔽膜（图1中，符号110所示）。在测定夹具83中，导入了TEM室（Transverse Electro Magnetic Cell）尺寸分配，形成了在其传送轴方向的垂直面内左右对称分割而成的结构。但是，为了防止插入电磁波屏蔽膜110而导致电路短路，相对于各测定夹具83而言留出间隙配置了平板形状的中心导体84。

KEC法中，首先，通过衰减器92将频谱分析仪91输出的信号输入至发送方的测定夹具83中。接下来，接收方的测定夹具83接收到信号并通过前置放大器94放大通过衰减器93的信号之后，再通过频谱分析仪91来测定信号水平。另外，频谱分析仪91以电磁波屏蔽膜110未设置于电磁波屏蔽效果测定装置80的状态为基准，输出将电磁波屏蔽膜110设置于电磁波屏蔽效果测定装置80情况下的衰减量。

本发明的电磁波屏蔽膜使用此类装置所测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。

本发明的电磁波屏蔽膜的优选方案为：所述电磁波屏蔽膜在下述层间剥离评估中不发生鼓胀开的现象。

层间剥离评估：电磁波屏蔽膜通过热压粘贴在印制线路板上，将得到的屏蔽印制线路板加热至265℃，随后冷却至室温，将此加热及冷却总共进行五次之后，目视观察所述电磁波屏蔽膜是否鼓胀开。

本发明的电磁波屏蔽膜若有上述特征的话，则屏蔽层与导电性胶粘剂层之间的层间紧密接合性不易被破坏。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述开口部的开口面积和开口间距满足下列公式（1）的关系。

y≦0.135x・・・（1）

（公式（1）中，y表示开口面积（μm²）的平方根、x表示开口间距（μm））。

开口部的开口面积与开口间距满足上述公式（1）的情况下，在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验的评估及用KEC法所测定的电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性良好。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述开口部的开口面积为70～71000μm²，且所述开口部的开口率为0.05～3.6％。

在屏蔽层形成的开口部的开口面积及开口率在此范围内的话，则耐折性足够，且能防止屏蔽层与导电性胶粘剂层之间积存挥发性成分。

若开口部的开口面积不足70μm²的话，开口部过窄，挥发性成分难以通过屏蔽层。结果会导致挥发性成分容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。因此，在使用该电磁波屏蔽膜制造屏蔽印制线路板的时候，屏蔽层与导电性胶粘剂层的层间紧密接合性就容易被破坏。结果会导致屏蔽特性降低。

若开口部的开口面积超过71000μm²的话，开口部过宽，屏蔽层变弱，耐折性降低。

若开口部的开口率不足0.05％的话，开口部的比例过小，挥发性成分不易通过屏蔽层。结果会导致挥发性成分容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。

若开口处的开口率超过3.6％的话，开口部的比例过大，屏蔽层变弱，耐折性降低。

另外，本说明书中，“开口率”是指针对于屏蔽层主面整体面积而言的多个开口部的总开口面积。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述开口部的开口间距为10～10000μm。

若开口部的开口间距不足10μm的话，整个屏蔽层中开口部的比例较大。结果会导致屏蔽层变弱，耐折性降低。

若开口部的开口间距超过10000μm的话，整个屏蔽层中开口部的比例较小。结果会导致挥发性成分难以通过屏蔽层，且容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。

另外，本说明书中，“开口部的开口间距”是指相邻且最近的开口部的重心之间的距离。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述屏蔽层的厚度为0.5μm以上。

若屏蔽层的厚度不足0.5μm的话，屏蔽层过薄，屏蔽特性会变差。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述屏蔽层含有铜层。

从导电性及经济性的观点来看，铜是一种适合做屏蔽层的材料。

本发明的电磁波屏蔽膜，优选技术方案为：所述屏蔽层还含有银层，所述银层配置在所述绝缘层一侧，所述铜层配置在所述导电性胶粘剂层一侧。

在绝缘层上涂上银膏并形成开口部来作为银层，在银层上镀铜，以此就能容易地制成含有上述结构的电磁波屏蔽膜。

本发明的电磁波屏蔽膜的优选技术方案为：所述电磁波屏蔽膜用于挠性印制线路板。

如上所述，本发明的电磁波屏蔽膜在制造屏蔽印制线路板时屏蔽层与导电性胶粘剂层之间不易积存挥发性成分。另外，本发明的电磁波屏蔽膜有足够的耐折性。因此，本发明的电磁波屏蔽膜即使用于挠性印制线路板被反复弯折都不易破损。

因此，本发明的电磁波屏蔽膜适合作为用于挠性印制线路板的电磁波屏蔽膜来使用。

本发明的屏蔽印制线路板包含：印制线路板，包括形成有印制电路的基础构件、设置于所述基础构件上并覆盖所述印制电路的绝缘膜；电磁波屏蔽膜，设置于所述印制线路板上；其特征在于：所述电磁波屏蔽膜为上述本发明的电磁波屏蔽膜。

另外，本发明的屏蔽印制线路板，优选技术方案为：所述印制线路板为挠性印制线路板。

本发明的屏蔽印制线路板包括有足够耐折性的本发明的电磁波屏蔽膜。因此，本发明的屏蔽印制线路板也具有足够的耐折性。

本发明的电子设备，其特征在于：所述电子设备组装有所述本发明的屏蔽印制线路板，且所述屏蔽印制线路板以弯折状态组装。

如上所述，本发明的屏蔽印制线路板具有足够的耐折性。因此，即使以弯折状态组装于电子设备也不易破损。因此，本发明的电子设备能够缩小用于配置屏蔽印制线路板的空间。

因此能使本发明的电子设备薄型化。

【发明效果】

本发明的电磁波屏蔽膜，在屏蔽层形成了多个开口部，在JISP8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线，在用KEC法测定的上述电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。

因此，本发明的屏蔽膜具有高耐折性及高屏蔽特性。

附图说明

【图1】图1是使用于KEC法的系统构成的示意图；

【图2】图2是本发明的电磁波屏蔽膜的一例的截面示意图；

【图3】图3（a）及（b）是使用未在屏蔽层形成开口部的电磁波屏蔽膜制造屏蔽印制线路板的情况的示意图；

【图4】图4（a）～（c）是构成本发明的电磁波屏蔽膜的屏蔽层中的开口部排列图形的一例的俯视示意图；

【图5】图5是屏蔽层包含铜层及银层的本发明的电磁波屏蔽膜的一例的截面示意图；

【图6】图6（a）～（c）是按顺序显示本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法的一例的工序示意图；

【图7】图7是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的绝缘层准备工序的一例的工序示意图；

【图8】图8是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的银膏印刷工序的一例的工序示意图；

【图9】图9是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的银膏印刷工序的一例的工序示意图；

【图10】图10是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的银膏印刷工序的一例的工序示意图；

【图11】图11（a）及（b）是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的镀铜工序的一例的工序示意图；

【图12】图12（a）及（b）是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的导电性胶粘剂层形成工序的一例的工序示意图；

【图13】图13是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估；

【图14】图14是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽特性评估；

【图15】图15是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估及电磁波屏蔽特性评估的综合评估；

【图16】图16是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的层间剥离评估；

【图17】图17是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估、电磁波屏蔽特性评估及层间剥离评估的综合评估。

具体实施方式

以下具体说明本发明的电磁波屏蔽膜。但是，本发明不限于以下实施方式，在不变更本发明主旨的范围内可进行适当变更后使用。

图2是本发明的电磁波屏蔽膜的一例的截面示意图。

如图2所示，电磁波屏蔽膜10包括导电性胶粘剂层20、层压于导电性胶粘剂层20上的屏蔽层30、层压于屏蔽层30上的绝缘层40。

另外，在屏蔽层30形成了多个开口部50。

（导电性胶粘剂层）

电磁波屏蔽膜10中，导电性胶粘剂层20有导电性且能作为胶粘剂起作用即可，可由任意材料制成。

比如，导电性胶粘剂层20可包含导电粒子及接合性树脂组合物。

导电粒子无特殊限制，金属微粒子、碳纳米管、碳纤维、金属纤维等皆可。

导电粒子为金属微粒子的情况下，金属微粒子无特殊限制，银粉、铜粉、镍粉、焊料粉、铝粉、在铜粉上实施镀银所得银包铜粉、高分子微粒子或玻璃微珠等由金属覆盖所得微粒子等皆可。

其中，从经济性的观点来看，优选能廉价入手的铜粉或者银包铜粉。

导电粒子的平均粒径无特殊限制，优选0.5～15.0μm。导电粒子的平均粒径为0.5μm以上的话，导电性胶粘剂层的导电性良好。导电粒子的平均粒径为15.0μm以下的话，能使导电性胶粘剂层变薄。

导电粒子的形状无特殊限制，能从球状、扁平状、鳞片状、树突状、棒状、纤维状等中适当选择。

接合性树脂组合物的材料无特殊限制，能使用苯乙烯类树脂组合物、醋酸乙烯酯类树脂组合物、聚酯类树脂组合物、聚乙烯类树脂组合物、聚丙烯类树脂组合物、酰亚胺类树脂组合物、酰胺类树脂组合物、丙烯酸类树脂组合物等热塑性树脂组合物，或苯酚类树脂组合物、环氧类树脂组合物、聚氨酯树脂组合物、三聚氰胺类树脂组合物、醇酸类树脂组合物等热固性树脂组合物等。

接合性树脂组合物的材料可以是上述中的单独1种材料，也可以是2种以上材料的组合。

导电性胶粘剂层20中，根据需要也可包含固化促进剂、增黏剂、抗氧化剂、颜料、染料、可塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、整平剂、填充剂、阻燃剂、黏度改进剂等。

导电性胶粘剂层20中的导电粒子的配混量无特殊限制，优选为15～80质量％，更优选为15～60质量％。

若在上述范围内，则会提高导电性胶粘剂层对印制线路板的接合性。

导电性胶粘剂层20的厚度无特殊限制，能根据需要适当进行设定，优选0.5～20.0μm。

导电性胶粘剂层的厚度不足0.5μm的情况下，不易获得良好的导电性。导电性胶粘剂层的厚度超过20.0μm的情况下，电磁波屏蔽膜整体的厚度则会变厚，从而不易操作。

另外，导电性胶粘剂层20优选具有各向异性导电性。

导电性胶粘剂层20若具有各向异性导电性的话，与具有各向同性导电性的情况相比，会提高在印制线路板的信号电路传输的高频信号的传递特性。

（绝缘层）

电磁波屏蔽膜10中，绝缘层40具有足够的绝缘性且能保护导电性胶粘剂层20及屏蔽层30即可，无特殊限制，例如，优选由热塑性树脂组合物、热固性树脂组合物、活性能量射线固化性组合物等制成。

上述热塑性树脂组合物无特殊限制，能列举出苯乙烯类树脂组合物、醋酸乙烯酯类树脂组合物、聚酯类树脂组合物、聚乙烯类树脂组合物、聚丙烯类树脂组合物、酰亚胺类树脂组合物、丙烯酸类树脂组合物等。

上述热固性树脂组合物无特殊限制，能列举出苯酚类树脂组合物、环氧类树脂组合物、聚氨酯类树脂组合物、三聚氰胺类树脂组合物、醇酸类树脂组合物等。

上述活性能量射线固化性组合物无特殊限制，例如能列举出分子中至少具有2个（甲基）丙烯酰氧基的聚合性化合物等。

绝缘层40可由1种材料单独制成，也可由2种以上的材料制成。

绝缘层40根据需要也可包含固化促进剂、增黏剂、抗氧化剂、颜料、染料、可塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、整平剂、填充剂、阻燃剂、黏度改进剂、防粘连剂等。

绝缘层40的厚度无特殊限制，能根据需要适当进行设定，优选1～15μm，更优选为3～10μm。

若绝缘层40的厚度不足1μm的话，会由于过薄而不易充分保护导电性胶粘剂层20及屏蔽层30。

若绝缘层40的厚度超过15μm的话，会由于过厚而使得电磁波屏蔽膜10不易弯折，另外，绝缘层40本身会变得容易破损。因此，难以应用于要求耐折性的构件中。

（屏蔽层）

对本发明的电磁波屏蔽膜的屏蔽层进行说明之前，使用附图说明使用未在屏蔽层形成开口部的电磁波屏蔽膜制造屏蔽印制线路板的情况。

图3（a）及（b）是使用未在屏蔽层形成开口部的电磁波屏蔽膜制造屏蔽印制线路板的情况的示意图。

如图3（a）所示，制造屏蔽印制线路板时，配置了电磁波屏蔽膜510的屏蔽印制线路板通过热压、焊料再流焊被加热。

通过该加热，会从电磁波屏蔽膜510的导电性胶粘剂层520、印制线路板的绝缘膜、基膜等产生挥发性成分560。

若在该状态下进行急剧加热的话，如图3（b）所示，屏蔽层530与导电性胶粘剂层520之间的层间紧密接合性有时会被屏蔽层530与导电性胶粘剂层520之间积存的挥发性成分560所破坏。

但是，图2所示的电磁波屏蔽膜10中，在屏蔽层30形成了多个开口部50。

因此，使用电磁波屏蔽膜10制造屏蔽印制线路板的时候，即使通过加热在屏蔽层30与导电性胶粘剂层20之间产生了挥发性成分，挥发性成分也能通过屏蔽层30的开口部50。

因此，挥发性成分很难积存于屏蔽层30与导电性胶粘剂层20之间。因此就能够防止层间紧密接合性的破坏。

因此，电磁波屏蔽膜10在上述层间剥离评估中不鼓胀开，能够使上述用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上。

另外，本发明的电磁波屏蔽膜中，本发明的电磁波屏蔽膜的优选技术方案为：所述电磁波屏蔽膜在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线，弯折次数达到2000次不会断线。

在本发明的电磁波屏蔽膜有如此高的耐折性的情况下，即使将本发明的电磁波屏蔽膜用于挠性印制线路板等时，也不易发生断线现象。

电磁波屏蔽膜10中，开口部50的开口面积优选为70～71000μm²，且开口部50的开口率优选为0.05～3.6％。

开口部50的开口面积更优选为70～32000μm²，进一步优选为70～10000μm²，再进一步优选为80～8000μm²。

另外，开口部50的开口率更优选为0.1～3.6％。

在屏蔽层30形成的开口部50的开口面积及开口率在此范围内的话，则耐折性足够，且能够防止屏蔽层30与导电性胶粘剂层20之间积存挥发性成分。

因此，用KEC法所测定的电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性良好。

若屏蔽层的开口部的开口面积不足70μm²的话，开口部过窄，挥发性成分难以通过屏蔽层。结果会导致挥发性成分容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。

若屏蔽层的开口部的开口面积超过71000μm²的话，开口部过宽，屏蔽层变弱，耐折性降低。

若屏蔽层的开口部的开口率不足0.05％的话，开口部的比例过小，挥发性成分不易通过屏蔽层。结果会导致挥发性成分容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。

若屏蔽层的开口部的开口率超过3.6％的话，开口部的比例过大，屏蔽层变弱，耐折性降低。

电磁波屏蔽膜10中，开口部50的形状无特殊限制，可为圆形、椭圆形、赛道（racetrack）形、三角形、四角形、五角形、六角形、八角形、星形等。

其中，从容易形成开口部50的角度来看优选为圆形。

另外，多个开口部50的形状可为单独1种形状，也可为多种形状的组合。

电磁波屏蔽膜10中，开口部50的开口间距优选为10～10000μm，更优选为25～2000μm，进一步优选为250～2000μm。

若开口部的开口间距超过10000μm的话，整个屏蔽层中开口部的比例较小。结果会导致挥发性成分难以通过屏蔽层，且容易积存于屏蔽层与导电性胶粘剂层之间。结果会导致屏蔽层与导电性胶粘剂层之间的层间紧密接合性容易被破坏，屏蔽特性也容易降低。

电磁波屏蔽膜10中，优选开口部50的开口面积与开口间距满足下列公式（1）的关系。

y≦0.135x・・・（1）

电磁波屏蔽膜10中，开口部的开口面积与开口间距满足上述公式（1）的情况下，所述电磁波屏蔽膜在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验的评估及用KEC法所测定的电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性良好。

电磁波屏蔽膜10中，开口部50的排列图形无特殊限制，例如，可为如下所示排列图形。

图4（a）～（c）是构成本发明的电磁波屏蔽膜的屏蔽层中的开口部的排列图形的一例的俯视示意图。

如图4（a）所示，开口部50的排列图形可以是在正三角形横竖连续排列的平面中各开口部50的中心位于正三角形顶点的排列图形。

另外，如图4（b）所示，开口部50的排列图形可以是在正方形横竖连续排列的平面中开口部50的中心位于正方形顶点的排列图形。

另外，如图4（c）所示，开口部50的排列图形可以是在正六角形横竖连续排列的平面中开口部50的中心位于正六角形顶点的排列图形。

电磁波屏蔽膜10中，优选屏蔽层30的厚度为0.5μm以上，更优选为1.0μm以上。另外，屏蔽层30的厚度优选为10μm以下。

若屏蔽层的厚度不足0.5μm的话，屏蔽层过薄，因此屏蔽特性较低。

另外，若屏蔽层30的厚度为1.0μm以上的话，在传输频率为0.01～10GHz的高频信号的信号传送系统中传递特性良好。

另外，未在屏蔽层形成开口部的情况下，若屏蔽层较厚的话，在制造屏蔽印制线路板时，容易产生对屏蔽层与导电性胶粘剂层之间的层间紧密接合性的破坏。尤其是，若屏蔽层30的厚度超过了1.0μm的话，会显著发生对层间紧密接合性的破坏。但是，电磁波屏蔽膜10中，由于在屏蔽层30形成了开口部50，因此能防止屏蔽层30与导电性胶粘剂层20之间的层间紧密接合性的破坏。

优选本发明的电磁波屏蔽膜用于传输频率为0.01～10GHz的信号的信号传送系统。

本发明的电磁波屏蔽膜中，屏蔽层具有电磁波屏蔽性即可，可由任意材料制成，例如，可由金属层制成。

屏蔽层可包含由金、银、铜、铝、镍、锡、钯、铬、钛、锌等材料制成的层，优选包含铜层。

另外，上述屏蔽层也可包含由上述金属的合金制成的层。

另外，屏蔽层可由多个金属层层压而成。

尤其是，屏蔽层优选包含铜层及银层。

使用附图来说明屏蔽层包含铜层及银层的情况。

图5是屏蔽层包含铜层及银层的本发明的电磁波屏蔽膜的一例的截面示意图。

图5所示的电磁波屏蔽膜110包含导电性胶粘剂层120、层压于导电性胶粘剂层120上的屏蔽层130、层压于屏蔽层130上的绝缘层140。

另外，屏蔽层130包含铜层132及银层131，银层131配置在绝缘层140一侧，铜层132配置在导电性胶粘剂层120一侧。

在绝缘层140涂上银膏并形成开口部150来作为银层，在银层上镀铜，以此就能容易地制成含有上述结构的电磁波屏蔽膜110。

（其他结构）

本发明的电磁波屏蔽膜中，可在绝缘层与屏蔽层之间形成增粘涂层。

增粘涂层的材料能列举出聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、以聚氨酯树脂为壳以丙烯酸树脂为核的核壳型复合树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、酰胺树脂、三聚氰胺树脂、苯酚树脂、尿素甲醛树脂、使聚异氰酸酯与苯酚等的链端封闭剂进行反应所得的封闭异氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等。

另外，本发明的电磁波屏蔽膜中，绝缘层一侧可设置支撑体膜，导电性胶粘剂层一侧可含有剥离膜。若电磁波屏蔽膜含有支撑体膜、剥离膜的话，在本发明的电磁波屏蔽膜的运输或制造使用本发明的电磁波屏蔽膜的屏蔽印制线路板等作业中，本发明的电磁波屏蔽膜会易于操作。

另外，在将本发明的电磁波屏蔽膜配置在屏蔽印制线路板等上时，这种支撑体膜和剥离膜会被撕下。

本发明的电磁波屏蔽膜可用于任何用途，只要以屏蔽电磁波为目的即可。

尤其是，本发明的电磁波屏蔽膜优选用于印制线路板，尤其优选用于挠性印制线路板。

如上含有本发明的电磁波屏蔽膜的屏蔽印制线路板为本发明的屏蔽印制线路板。

即，本发明的屏蔽印制线路板包含：印制线路板，包括形成有印制电路的基础构件、设置于上述基础构件上并覆盖上述印制电路的绝缘膜；电磁波屏蔽膜，设置于上述印制线路板上；其特征在于：上述电磁波屏蔽膜为上述本发明的电磁波屏蔽膜。

另外，上述印制线路板优选挠性印制线路板。

本发明的屏蔽印制线路板组装在电子设备中使用。

尤其是，将上述本发明的屏蔽印制线路板以弯折状态组装的电子设备为本发明的电子设备。

因此能使本发明的电子设备薄型化。

（电磁波屏蔽膜的制造方法）

接下来，说明本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法。另外，本发明的电磁波屏蔽膜不局限于下述所示方法制得的电磁波屏蔽膜。

首先，说明本发明的电磁波屏蔽膜的一例的电磁波屏蔽膜10的制造方法的一例。

制造电磁波屏蔽膜10的方法包括：（1）屏蔽层形成工序、（2）绝缘层形成工序及（3）导电性胶粘剂层形成工序。

以下使用附图详述各工序。

图6（a）～（c）是按顺序显示本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法的一例的工序示意图。

（1）屏蔽层形成工序

首先，如图6（a）所示，准备具有电磁波屏蔽性的片材35，在片材35形成开口部50制作屏蔽层30。

此时，优选技术方案为：在使得开口部50的开口面积与开口间距满足下列公式（1）的关系的情况下形成开口部。

y≦0.135x・・・（1）

开口部50能通过冲切、激光照射等形成。

另外，片材35由铜等可蚀刻材料制成的情况下，可在片材35的表面配置抗蚀物，该抗蚀物的图形使得开口部50得以形成，通过蚀刻形成开口部50。

另外，可将导电膏、作为镀覆催化剂发挥作用的膏印刷在片材35的表面上。在此印刷中，可通过印刷一定的图形来形成开口部50。

在印刷上述作为镀覆催化剂发挥作用的膏的情况下，优选技术方案为：印刷膏形成开口部50后，通过无电解镀覆法或电镀法形成金属膜，以此来形成屏蔽层。

上述作为镀覆催化剂发挥作用的膏能使用含有由镍、铜、铬、锌、金、银、铝、锡、钴、钯、铅、铂、镉及铑等构成的金属的流动性物。

（2）绝缘层形成工序

接下来，如图6（b）所示，将用作绝缘层的树脂组合物45涂覆在屏蔽层30的一面上，使其固化形成绝缘层40。

涂覆用作绝缘层的树脂组合物的方法有以往众所周知的涂覆方法，例如，凹版涂布方式、吻合涂布方式、狭缝式涂布方式、唇式涂布方式、逗号涂布方式、刮刀涂布方式、辊式涂布方式、刀式涂布方式、喷洒涂布方式、棒式涂布方式、旋转涂布方式、浸渍涂布方式等。

使用作绝缘层的树脂组合物固化的方法能够根据用作绝缘层的树脂组合物的种类来采用以往众所周知的多种方法。

（3）导电性胶粘剂层形成工序

接下来，如图6（c）所示，在屏蔽层30的形成绝缘层40的面的相反面上涂覆用作导电性胶粘剂层的组合物25来形成导电性胶粘剂层20。

涂覆用作导电性胶粘剂层的组合物25的方法有以往众所周知的涂覆方法，例如，凹版涂布方式、吻合涂布方式、狭缝式涂布方式、唇式涂布方式、逗号涂布方式、刮刀涂布方式、辊式涂布方式、刀式涂布方式、喷洒涂布方式、棒式涂布方式、旋转涂布方式、浸渍涂布方式等。

经过以上工序，能够制造本发明的电磁波屏蔽膜的一例，即电磁波屏蔽膜10。

接下来，对本发明的电磁波屏蔽膜的一例，即屏蔽层包含铜层及银层的电磁波屏蔽膜110的制造方法的一例进行说明。

制造电磁波屏蔽膜110的方法包含：（1）绝缘层准备工序、（2）银膏印刷工序、（3）镀铜工序及（4）导电性胶粘剂层形成工序。

以下使用图7～图12详述各工序。

（1）绝缘层准备工序

图7是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的绝缘层准备工序的一例的工序示意图。

首先，如图7所示，准备绝缘层140。

绝缘层140可以通过现有方法来准备。

（2）用作镀覆催化剂的、含有金属的流动性物的印刷工序（银膏印刷工序）

接下来，将银膏作为镀覆催化剂印刷在绝缘层的一侧的主面上。此时，在银膏上形成开口部。

银膏的印刷方法有：轮转凹版印刷等的凹版印刷和柔版印刷等的凸版印刷的方法、网印的方法、通过凹版或凸版、网印等形成图形后进行转印的胶版印刷的方法、不需要版的喷墨印刷的方法等。

以下对通过轮转凹版印刷来印刷银膏的方法进行说明。

图8～图10是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的银膏印刷工序的一例的工序示意图。

首先，如图8所示，准备在表面形成了多个柱状突起部72的辊状的版辊70。另外，未形成突起部72的版辊的表面为非突起部形成区域71。

接下来，如图9所示，使银膏133进入非突起部形成区域71。此时，突起部72的上侧面73不涂布银膏133。

然后，如图10所示，使绝缘层140经过压辊75与有银膏133的版辊70之间，在绝缘层140的一侧的主面上印刷银膏133。

在该印刷中，在突起部72所接触到的绝缘层140的部分不会印刷上银膏133，能作为开口部150。

印刷在绝缘层140上的银膏133成为银层131。

银膏133含有银粒子即可，另外也可含有分散剂、增粘剂、整平剂、消泡剂等各种添加剂。

银粒子的形状无特殊限制，能使用球状、薄片状、树枝状、针状、纤维状等任意形状的材料。

上述银粒子为粒子状的情况下，优选纳米尺寸的银粒子。具体来说，优选平均粒径在1～100nm范围的银粒子，更优选为平均粒径在1～50nm范围的银粒子。

另外，本说明书中“平均粒径”指的是，使用用于分散的溶剂稀释银粒子，通过动态光散射法所测定的体积平均值。

该测定中能使用Microtrac公司制造的“NanotracUPA－150”。

另外，通过印刷的银膏所形成的银层的厚度优选为5～200nm。

（3）镀铜工序

图11（a）及（b）是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的镀铜工序的一例的工序示意图。

接下来，如图11（a）及（b）所示，通过在银层131上镀铜来在银层131上形成铜层132。

镀铜方法无特殊限制，能使用现有的无电解镀覆、电镀。

通过无电解镀覆镀铜的情况下，镀液优选使用含有硫酸铜、还原剂和水介质、有机溶剂等溶剂的镀液。

通过电镀法镀铜的情况下，优选使用含有硫酸铜、硫酸、水介质的镀液，为实现所希望的铜的厚度，通过控制镀覆处理时间、电流密度、用于镀覆的添加剂的使用量等来进行调整。

所镀的铜的厚度优选0.1～10μm。

经过以上工序，能够形成包含银层131及铜层132的屏蔽层130。

（4）导电性胶粘剂层形成工序

图12（a）及（b）是本发明的电磁波屏蔽膜的制造方法中的导电性胶粘剂层形成工序的一例的工序示意图。另外，图12（a）及（b）是将图11（b）上下翻转并显示了随后的工序。

接下来，如图12（a）及（b）所示，在铜层132上涂覆用作导电性胶粘剂层的组合物125形成导电性胶粘剂层120。

涂覆用作导电性胶粘剂层的组合物125的方法有以往众所周知的涂覆方法，例如，凹版涂布方式、吻合涂布方式、狭缝式涂布方式、唇式涂布方式、逗号涂布方式、刮刀涂布方式、辊式涂布方式、刀式涂布方式、喷洒涂布方式、棒式涂布方式、旋转涂布方式、浸渍涂布方式等。

经过以上工序，能制造本发明的电磁波屏蔽膜的一例，即电磁波屏蔽膜110。

【实施例】

通过以下方法制造屏蔽层的开口部面积（开口部面积的平方根）为79μm²（8.89μm）、1963μm²（44.30μm）、4418μm²（66.47μm）、7854μm²（88.62μm）、12272μm²（110.78μm）、17671μm²（132.93μm）、31416μm²（177.25μm）、49087μm²（221.56μm）或70686μm²（265.87μm），开口间距为10μm、50μm、100μm、200μm、500μm、750μm、1000μm、1500μm、2000μm、3000μm、4000μm、5000μm、7500μm或10000μm的共126种电磁波屏蔽膜。

另外，屏蔽层的开口部的形状为圆形。

（调制例1：银膏的调制例）

在35质量份乙醇与65质量份离子交换水的混合溶剂里，使用聚乙烯亚胺化合物作为分散剂使平均粒径为30nm的银粒子分散，得到银浓度为15质量％的银膏。

（电磁波屏蔽膜的制造）

（1）绝缘层准备工序

准备由厚度为5μm的环氧树脂制成的绝缘层。

（2）银膏印刷工序

接下来，如图8～图10所示方法中，使用辊状的版辊，在绝缘层一侧的主面上印刷银膏并形成多个开口部，形成银层。

开口部的开口面积及开口间距的组合如上所示。

另外，使得银层的厚度为50nm。

银膏使用调制例1所制得的银膏。

另外，开口部的形状为圆形，开口部的排列图形为在正三角形横竖连续排列的平面中各开口部的中心位于正三角形顶点的排列图形。

（3）镀铜工序

接下来，将印刷银膏后的绝缘层在55℃条件下在无电解镀铜液（奥野制药株式会社制作的「ARGcopper」、pH12.5）中浸渍20分钟，在银层上形成无电解镀铜膜（厚度0.5μm）。

然后，将上述所得的无电解镀铜膜的表面设置为阴极，含磷铜设置为阳极，通过使用含硫酸铜的电镀液在电流密度为2.5A／dm²的条件下进行30分钟电镀来在银层上层压总厚度为1μm的镀铜层。电镀液使用硫酸铜70g／升、硫酸200g／升、氯离子50mg／升、TOP LUCINASF（奥野制药工业株式会社制造的光亮剂）5g／升的溶液。

（4）导电性胶粘剂层形成工序

在铜层上涂覆向含磷的环氧树脂添加20质量％银包铜粉所得导电性胶粘剂层，使厚度为15μm，制造电磁波屏蔽膜。

另外，涂覆方法使用唇式涂布方式。

（耐折性评估）

使用以下方法对各电磁波屏蔽膜进行评估。

将各电磁波屏蔽膜通过热压粘贴在厚度为50μm的聚酰亚胺膜的两面上，按纵×横＝130mm×15mm的尺寸进行剪裁并以此作为试验片，使用MIT耐折疲劳试验机（株式会社安田精机制作所制，No．307 MIT耐折试验机），根据JIS P8115：2001所规定的方法来测定耐折性。

试验条件为以下所示。

弯折夹钳前端R：0.38mm

弯折角度：±135°

弯折速度：175cpm

荷重：500gf

检查方法：通过内置电气通信装置感应屏蔽膜是否断线。

结果如图13所示。

图13是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估。

图13中，符号「○」表示耐折性评估中弯折次数达到600次不会发生断线的电磁波屏蔽膜。

图13中，符号「×」表示耐折性评估中弯折次数不足600次即发生断线的电磁波屏蔽膜。

如图13所示，设开口面积的平方根为y，开口间距为x的话，y与x的关系满足下列公式（1）的情况下，电磁波屏蔽膜的耐折性良好。

y≦0.135x・・・（1）。

（KEC法下的电磁波屏蔽特性的评估）

关于各电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽特性，使用由一般社团法人KEC关西电子工业振兴中心开发的电磁波屏蔽效果测定装置，在温度为25℃、相对湿度为30～50％的条件下，将各电磁波屏蔽膜裁断成15cm的正方形，进行在200MHz的电磁波屏蔽特性的测定来评估。

结果如图14所示。

图14是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽特性评估。

图14中，符号「○」表示用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上的电磁波屏蔽膜。

图14中，符号「×」表示用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性不足85dB的电磁波屏蔽膜。

如图14所示，设开口面积的平方根为y，开口间距为x的话，y与x的关系满足下列公式（2）的情况下，电磁波屏蔽膜的KEC法下的电磁波屏蔽特性的评估良好。

y≦0.38x・・・（2）。

（耐折性评估及KEC法下的电磁波屏蔽特性评估的综合评估）

图15是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估及电磁波屏蔽特性的综合评估。

图15中，符号「○」表示耐折性评估中弯折次数达到600次不会发生断线，且用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上的电磁波屏蔽膜。

图15中，符号「×」表示耐折性评估中弯折次数不足600次发生断线的电磁波屏蔽膜。

图15中符号「○」所表示的电磁波屏蔽膜为本发明的实施例的电磁波屏蔽膜，符号「×」所表示的电磁波屏蔽膜为本发明的比较例的电磁波屏蔽膜。

如图15所示，设开口面积的平方根为y，开口间距为x的话，y与x的关系满足下列公式（1）的关系的电磁波屏蔽膜为本发明的实施例的电磁波屏蔽膜。

y≦0.135x・・・（1）。

（层间剥离评估）

通过以下方法进行对电磁波屏蔽膜的层间剥离评估。

首先，各电磁波屏蔽膜通过热压粘贴在印制线路板上。

接下来，将该屏蔽印制线路板在23℃、63％RH的洁净室内放置7天后，在再流焊时的温度条件下暴露30秒评估是否发生层间剥离。另外，关于再流焊时的温度条件，设定为无铅焊料且设定最高265℃的温度曲线。另外，关于层间剥离的有无，将屏蔽印制线路板在大气回流焊中通过5次，目视观察是否发生鼓胀。

结果如图16所示。

图16是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的层间剥离评估。

图16中，符号「○」表示在层间剥离评估中未发生鼓胀的电磁波屏蔽膜。

图16中，符号「×」表示在层间剥离评估中发生鼓胀的电磁波屏蔽膜。

如图16所示，设开口面积的平方根为y，开口间距为x的话，y与x的关系满足下列公式（3）的情况下，电磁波屏蔽膜的层间剥离评估良好。

y≧0.02x＋3・・・（3）。

（耐折性评估、KEC法下的电磁波屏蔽特性评估及层间剥离评估的综合评估）

图17是设纵轴为开口面积的平方根、横轴为开口间距的电磁波屏蔽膜的散点图，该图表示电磁波屏蔽膜的耐折性评估、电磁波屏蔽特性评估及层间剥离评估的综合评估。

图17中，符号「◎」表示耐折性评估中弯折次数达到600次不会发生断线，用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上，且层间剥离评估中不鼓胀开的电磁波屏蔽膜。

图17中，符号「○」表示耐折性评估中弯折次数达到600次不会发生断线，用KEC法测定的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上，且层间剥离评估中发生鼓胀的电磁波屏蔽膜。

图17中，符号「×」表示耐折性评估中弯折次数不足600次即发生断线的电磁波屏蔽膜。

【编号说明】

10、110电磁波屏蔽膜

20、120导电性胶粘剂层

25、125用于导电性胶粘剂层的组合物

30、130屏蔽层

40、140绝缘层

45用于绝缘层的树脂组合物

50、150开口部

70版辊

71非突起部形成区域

72突起部

73突起部的上侧面

75压辊

80电磁波屏蔽效果测定装置

83测定夹具

84中心导体

91频谱分析仪

92、93衰减器

94前置放大器

131银层

132铜层

133银膏

Claims

1.一种电磁波屏蔽膜，所述电磁波屏蔽膜包含导电性胶粘剂层、层压于所述导电性胶粘剂层之上的屏蔽层、层压于所述屏蔽层之上的绝缘层；

其特征在于：在所述屏蔽层形成多个开口部；

所述电磁波屏蔽膜在JIS P8115：2001所规定的MIT耐折强度疲劳试验中弯折次数达到600次不会断线；

用KEC法测定的所述电磁波屏蔽膜的在200MHz的电磁波屏蔽特性为85dB以上；

所述开口部的开口面积与开口间距满足下列公式（1）的关系，

y≦0.135x・・・（1）

公式（1）中，y表示开口面积（μm²）的平方根、x表示开口间距（μm），

所述开口部的开口面积为70～71000μm²，所述开口部的开口率为0.05～3.6％，且所述开口部的开口间距为10～10000μm。

2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述电磁波屏蔽膜在下述层间剥离评估中不鼓胀开，

3.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为0.5μm以上。

4.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述屏蔽层包含铜层。

5.根据权利要求4所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述屏蔽层还含有银层；

所述银层配置于所述绝缘层一侧；

所述铜层配置于所述导电性胶粘剂层一侧。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述电磁波屏蔽膜用于挠性印制线路板。

7.一种屏蔽印制线路板，包含：印制线路板，包括形成有印制电路的基础构件、设置于所述基础构件上并覆盖所述印制电路的绝缘膜；

电磁波屏蔽膜，设置于所述印制线路板上；

其特征在于：所述电磁波屏蔽膜为权利要求1～6的任意一项所述的电磁波屏蔽膜。

8.根据权利要求7所述的屏蔽印制线路板，其特征在于：所述印制线路板为挠性印制线路板。

9.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备组装有权利要求7或8所述的屏蔽印制线路板，且所述屏蔽印制线路板以弯折状态组装。