TWI801893B - 缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法 - Google Patents
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Abstract
實施方式提供一種可提高檢查對象物的缺陷的檢查精度的缺陷檢查裝置。實施方式的缺陷檢查裝置包括超音波探傷器、圖像獲取部、算出部以及校正部。超音波探傷器藉由朝向檢查對象物/模擬檢查對象物照射超音波而獲取檢查對象物/模擬檢查對象物的超音波圖像。圖像獲取部藉由朝向模擬檢查對象物的第一區域或檢查對象物的第二區域照射紅外線而獲取包含第一區域/第二區域的紅外線圖像。算出部算出用於校正超音波圖像中及紅外線圖像中的第一區域的座標相對於第一區域的設計座標的偏移的第一校正值，或者算出用於校正紅外線圖像中的第二區域的座標相對於第二區域的設計座標的偏移的第二校正值。校正部相對於檢查對象物的超音波圖像，利用算出的第一校正值/第二校正值進行座標校正。
Description
本申請案享有以日本專利申請案2020-153258號(申請日：2020年9月11日)為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
本實施方式是有關於一種缺陷檢查裝置。
正在基於藉由自超音波探傷器照射的超音波對晶圓進行掃描而得的超音波圖像來進行晶圓的空隙缺陷的檢查。但是，由於超音波圖像的座標自晶圓的設計座標偏移，難以提高檢查精度。
本發明所要解決的課題是提供一種可提高檢查對象物的缺陷的檢查精度的缺陷檢查裝置。
實施方式的缺陷檢查裝置包括超音波探傷器、圖像獲取部、算出部以及校正部。超音波探傷器朝向要進行缺陷的檢查的檢查對象物或模擬了檢查對象物的模擬檢查對象物照射超音波，接收由檢查對象物或模擬檢查對象物反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取檢查對象物或模擬檢查對象物的超音波圖像。圖像
獲取部朝向模擬檢查對象物的第一區域或檢查對象物的第二區域照射紅外線，接收在第一區域或第二區域反射或透射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含第一區域或第二區域的紅外線圖像。算出部算出用於校正超音波圖像中及紅外線圖像中的第一區域的座標相對於第一區域的設計座標的偏移的第一校正值，或者算出用於校正紅外線圖像中的第二區域的座標相對於第二區域的設計座標的偏移的第二校正值。校正部相對於檢查對象物的超音波圖像，利用算出的第一校正值或第二校正值進行座標校正。
1:缺陷檢查裝置
2:超音波探傷器
3:紅外線照相機
4:算出部
5:校正部
6:判定部
7:載台
8:供給裝置
21:致動器
22:噴嘴
31:光源
32:紅外線感測器
33:致動器
A:半導體結構/區域
B:共同缺陷/缺陷
F:乾燥流體
IR:紅外線
M:接觸介質
M1:基準空隙標記
M2:金屬膜標記
S1:基準貼合基板
S2:貼合基板
U:超音波
X、Y、Z:方向
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14:步驟
圖1是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的圖。
圖2是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的流程圖。
圖3是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖4是表示繼圖3之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖5是表示繼圖4之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖6是表示繼圖5之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖7A是表示由基於比較例的缺陷檢查裝置檢測出的共同缺陷的圖。
圖7B是表示由基於第一實施方式的缺陷檢查裝置檢測出的共同缺陷的圖。
圖8是表示基於第二實施方式的缺陷檢查裝置的圖。
圖9是表示基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的流程圖。
圖10是表示基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖11是表示繼圖10之後的、基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖12是表示繼圖11之後的、基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。
圖13是表示基於第四實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的流程圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。於圖1至圖13中，對相同或類似的結構附註相同的符號，並省略重覆的說明。
(第一實施方式)
圖1是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的圖。如圖
1所示，基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1包括超音波探傷器2、紅外線照相機3、算出部4、校正部5以及判定部6。
超音波探傷器2與模擬了將兩片半導體基板貼合而成的貼合基板的基準貼合基板S1相向配置。於圖1所示的例子中，超音波探傷器2與基準貼合基板S1的上表面相向配置。於對貼合基板的兩片半導體基板之間所形成的空隙缺陷進行檢查之前，超音波探傷器2朝向基準貼合基板S1照射超音波(圖1中的U)。再者，基準貼合基板S1載置於能夠使基準貼合基板S1於沿著其表面的X方向及Y方向上移動的載台7上。載台7由馬達等未圖示的驅動源驅動。
基準貼合基板S1與貼合基板同樣地是將兩片半導體基板貼合而成者，且於兩片半導體基板之間形成有模擬了空隙缺陷的基準空隙標記M1。基準空隙標記M1是於缺陷檢查裝置1中座標已知的標記。相對於基準空隙標記M1的周邊區域，基準空隙標記M1的超音波及紅外線的反射率不同。周邊區域可為由氧化膜或氮化膜形成的區域。
超音波探傷器2接收由基準貼合基板S1反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取包含基準空隙標記M1的超音波圖像的基準貼合基板S1的超音波圖像。超音波探傷器2藉由致動器21而能夠於Z方向上移動。超音波探傷器2亦可藉由致動器21而能夠於X方向及Y方向上移動。貼合基板設置有多個單片化前的相同圖案的半導體結構(晶片)。各半導體結構是藉由使用相同的標線
片(reticule)的光微影術而形成。半導體結構可為三維記憶體結構。該情況下，於構成貼合基板及基準貼合基板S1各者的兩片半導體基板中，其中一個半導體基板可為設置有三維結構的記憶體單元、配線及絕緣層等的基板，另一半導體基板可為設置有電晶體、配線及絕緣層等的基板。
紅外線照相機3自超音波探傷器2的相反側與基準貼合基板S1相向配置。於圖1所示的例子中，紅外線照相機3與基準貼合基板S1的下表面相向配置。紅外線照相機3具有光源31以及紅外線感測器32。紅外線照相機3藉由光源31，自與超音波探傷器2相反之側朝向基準貼合基板S1的基準空隙標記M1照射紅外線(圖1中的IR)。紅外線照相機3藉由紅外線感測器32，接收在基準空隙標記M1處反射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取基準空隙標記M1的紅外線圖像。紅外線照相機3藉由致動器33而能夠於Z方向上移動。紅外線照相機3亦可藉由致動器33而能夠於X方向及Y方向上移動。再者，紅外線感測器32可配置於隔著基準貼合基板S1與光源31相反之側。該情況下，紅外線感測器32接收透射了基準貼合基板S1的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取基準空隙標記M1的紅外線圖像。
算出部4算出第一校正值，所述第一校正值用於校正超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1的縮放分量的座標相對於基準空隙標記M1的設計座標的偏移。
於算出第一校正值之後，為了檢查貼合基板的兩片半導
體基板之間所形成的空隙缺陷，超音波探傷器2代替朝向基準貼合基板S1而朝向載台7上所載置的貼合基板照射超音波。對貼合基板照射超音波時，一邊驅動載台7使貼合基板移動，一邊於貼合基板的整個面上進行照射。超音波探傷器2接收由貼合基板反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取貼合基板的超音波圖像。校正部5相對於所獲取的貼合基板的超音波圖像，利用算出的第一校正值進行座標校正。
判定部6基於使用第一校正值進行了座標校正後的貼合基板的超音波圖像，判定是否存在作為貼合基板的空隙缺陷的、依存於標線片的圖案的各半導體結構中共同的缺陷(以下，亦稱為共同缺陷)。
算出部4、校正部5及判定部6可由電腦等硬體構成。亦可由軟體構成算出部4、校正部5及判定部6的一部分。
接下來，對如上所述般構成的基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例進行說明。圖2是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的流程圖。圖3是表示基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的圖。
首先，如圖3所示，於將形成有多個基準空隙標記M1的基準貼合基板S1載置於載台7上之後，超音波探傷器2自上方朝向基準空隙標記M1照射超音波，接收在基準空隙標記M1處反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取包含基準空隙標記M1的基準貼合基板S1的超音波圖像(圖2的步驟S1)。包含基準空隙標
記M1的基準貼合基板S1的超音波圖像的獲取是針對多個基準空隙標記M1的每一個來進行。另外，此時，紅外線照相機3自下方朝向基準空隙標記M1照射紅外線，接收在基準空隙標記M1處反射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含基準空隙標記M1的基準貼合基板S1的紅外線圖像(圖2的步驟S1)。包含基準空隙標記M1的基準貼合基板S1的紅外線圖像的獲取是針對多個基準空隙標記M1的每一個來進行。
於獲取超音波圖像及紅外線圖像之後，算出部4針對多個基準空隙標記M1的每一個，藉由圖像分析來判定超音波圖像中的基準空隙標記M1的座標與紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標是否一致(步驟S2)。
於超音波圖像中的基準空隙標記M1的座標與紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標一致的情況下(步驟S2：是(Yes))，校正部5於求出超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1的縮放分量的座標相對於預先獲取的基準空隙標記M1的設計座標的偏移之後，算出用於校正縮放分量的座標的偏移的臨時校正值(步驟S3)。臨時校正值是未考慮因後述的基準貼合基板S1的整面掃描而產生的、超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標相對於設計座標的偏移的校正值。臨時校正值可為與多個基準空隙標記M1的各個對應的臨時校正值的平均值。
圖4是表示繼圖3之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的圖。於算出臨時校正值之後，如圖4所示，
藉由驅動載台7以使超音波探傷器2及紅外線照相機3掃描基準貼合基板S1的整個面，算出部4獲取超音波圖像及紅外線圖像(圖2的步驟S4)。於圖4中，虛線的箭頭表示逐行掃描的基準貼合基板S1的掃描方向。
於藉由基準貼合基板S1的整面掃描獲取了超音波圖像及紅外線圖像之後，算出部4求出藉由整面掃描而獲取的超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標與利用臨時校正值進行了校正的基準空隙標記M1的座標的偏移，然後算出用於校正該偏移的縮放校正值(步驟S5)。縮放校正值是考慮了因基準貼合基板S1的整面掃描而產生的超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標相對於設計座標的偏移的校正值。
圖5是表示繼圖4之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的圖。於算出縮放校正值之後，如圖5所示，為了檢查貼合基板S2的兩片半導體基板之間所形成的空隙缺陷的有無，代替基準貼合基板S1而將貼合基板S2載置於載台7上。於貼合基板S2被載置於載台7上之後，驅動載台7以使超音波探傷器2掃描貼合基板S2的整個面，藉此，判定部6獲取貼合基板S2的超音波圖像(圖2的步驟S6)。於圖5中，虛線的箭頭表示逐行掃描的貼合基板S2的掃描方向。
圖6是表示繼圖5之後的、基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的圖。圖6示出了藉由貼合基板S2的整面掃描而獲取的超音波圖像。圖6中的多個矩形的區域A分別對應一個
半導體結構(即，一個鏡頭(1 shot))。於藉由全面掃描而獲取貼合基板S2的超音波圖像之後，校正部5相對於所獲取的貼合基板S2的超音波圖像，利用縮放校正值進行縮放分量的座標校正(圖2的步驟S7)。再者，圖6所示的多個箭頭表示貼合基板S2的超音波圖像的各點的縮放分量的座標自校正前的座標變化為校正後的座標。縮放分量的座標校正亦可相對於貼合基板S2的超音波圖像中的規定的多個代表座標來進行。該情況下，多個代表座標可為藉由圖像分析而於貼合基板S2的超音波圖像中檢測出的空隙的座標。
於貼合基板S2的超音波圖像進行了座標校正之後，判定部6基於座標校正後的超音波圖像，判定超音波圖像中是否存在共同缺陷(步驟S8)。
另一方面，於超音波圖像中的基準空隙標記M1的座標與紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標不一致的情況下(步驟S2：否(No))，超音波探傷器2的致動器21及紅外線照相機3的致動器33以預定的移動量使超音波探傷器2及紅外線照相機3於Z方向上移動(步驟S9)。然後，算出部4反覆判定超音波圖像中的基準空隙標記M1的座標與紅外線圖像中的基準空隙標記M1的座標是否一致(步驟S2)。
圖7A是表示由基於比較例的缺陷檢查裝置檢測出的共同缺陷的圖。圖7B是表示由基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1檢測出的共同缺陷的圖。對於超音波圖像中的空隙而言，存在缺
陷檢查裝置1中固有的縮放分量的座標的偏移。若不對縮放分量的座標的偏移進行校正，則如圖7A所示，即便於貼合基板S2中具有各半導體結構A中共同的共同缺陷B(空隙缺陷)，但由於縮放分量的座標的偏移，缺陷B出現於各個半導體結構A中的不同位置，因此會誤判定為缺陷B並非共有缺陷。與此相對，根據第一實施方式，利用基準貼合基板S1的超音波圖像及紅外線圖像來算出用於校正縮放分量的座標的偏移的縮放校正值，並利用算出的縮放校正值來進行貼合基板S2的超音波圖像的座標校正，藉此可校正縮放分量的座標的偏移。藉此，如圖7B所示，可使共同缺陷B位於各個半導體結構A中的相同位置，因此可正確地判定共同缺陷B的存在。
另外，縮放分量的座標的偏移是依存於缺陷檢查裝置1而非依存於各個貼合基板S2的偏移，因此，進行縮放校正值的一次算出之後，可將相同的縮放校正值應用作多個貼合基板S2中共同的校正值。
如上所述，根據第一實施方式，可提高貼合基板S2的缺陷的檢查精度。
(第二實施方式)
接下來，對向基準貼合基板S1供給接觸介質及乾燥流體的第二實施方式進行說明。圖8是表示基於第二實施方式的缺陷檢查裝置1的圖。
如圖8所示，基於第二實施方式的缺陷檢查裝置1包括
噴嘴22，所述噴嘴22以包圍超音波探傷器2的方式配置，且向基準貼合基板S1的上表面供給接觸介質(圖8中的M)。接觸介質是為了避免於超音波探傷器2與基準貼合基板S1之間形成妨礙超音波的傳播的空氣層而供給的液體。接觸介質可為水。接觸介質亦可被供給至貼合基板S2。
另外，如圖8所示，缺陷檢查裝置1於紅外線照相機3的周圍具有供給裝置8，所述供給裝置8向基準貼合基板S1的下表面供給乾燥流體(圖8中的F)。乾燥流體可為空氣或氮。乾燥流體亦可被供給至貼合基板S2。
根據第二實施方式，可藉由接觸介質提高超音波的傳播效率，同時可藉由乾燥流體防止因附著於基準貼合基板S1的下表面的接觸介質引起的紅外線的吸收。藉此，可進一步提高缺陷的檢查精度。
(第三實施方式)
接下來，對校正貼合基板的平移分量及旋轉分量的座標的偏移的第三實施方式進行說明。圖9是表示基於第三實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的流程圖。圖10是表示基於第三實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的圖。基於第三實施方式的缺陷檢查裝置1具有與第一實施方式類似的結構，因此使用與第一實施方式共同的符號進行說明。
首先，如圖10所示，於將形成有金屬膜標記M2的貼合基板S2載置於載台7上之後，超音波探傷器2自下方朝向金屬膜
標記M2照射紅外線，接收在金屬膜標記M2處反射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含金屬膜標記M2的貼合基板S2的紅外線圖像(圖9的步驟S10)。金屬膜標記M2是於缺陷檢查裝置1中座標已知的標記。相對於其周邊區域，金屬膜標記M2的紅外線的反射率不同。金屬膜標記M2例如可為Cu膜或W膜。周邊區域可為SiO或SiO2等氧化膜或者SiN等氮化膜。
於獲取紅外線圖像之後，算出部4藉由圖像分析求出紅外線圖像中的金屬膜標記M2的座標與金屬膜標記M2的設計座標的平移分量的偏移，然後算出用於校正平移分量的偏移的平移校正值(步驟S11)。
另外，算出部4藉由圖像分析求出紅外線圖像中的金屬膜標記M2的座標與金屬膜標記M2的設計座標的旋轉分量的偏移，然後算出用於校正旋轉分量的偏移的旋轉校正值(步驟S12)。再者，步驟S11與步驟S12可前後交換，或者亦可同時進行。
與圖5同樣地，驅動載台7以使超音波探傷器2掃描貼合基板S2的整個面，藉此判定部6獲取貼合基板S2的超音波圖像(步驟S6)。
圖11是表示繼圖10之後的、基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。於藉由全面掃描而獲取貼合基板S2的超音波圖像之後，如圖11所示，校正部5相對於所獲取的貼合基板S2的超音波圖像，利用平移校正值進行平移分量的座標校正(圖9的步驟S13)。再者，圖11所示的多個箭頭表示貼合基板S2的
超音波圖像的各點的平移分量的座標自校正前的座標變化為校正後的座標。平移分量的座標校正亦可相對於貼合基板S2的超音波圖像中的規定的多個代表座標來進行。該情況下，多個代表座標可為藉由圖像分析而於貼合基板S2的超音波圖像中檢測出的空隙的座標。
圖12是表示繼圖11之後的、基於第三實施方式的缺陷檢查裝置的動作例的圖。於進行了平移分量的座標校正之後，如圖12所示，校正部5相對於貼合基板S2的超音波圖像，利用旋轉校正值進行旋轉分量的座標校正(圖9的步驟S14)。再者，圖12所示的多個箭頭表示貼合基板S2的超音波圖像的各點的旋轉分量的座標自校正前的座標變化為校正後的座標。旋轉分量的座標校正亦可相對於貼合基板S2的超音波圖像中的規定的多個代表座標來進行。該情況下，多個代表座標可為藉由圖像分析而於貼合基板S2的超音波圖像中檢測出的空隙的座標。
於貼合基板S2的超音波圖像進行了座標校正之後，判定部6基於座標校正後的超音波圖像，判定超音波圖像中是否存在共同缺陷(步驟S8)。
此處，對於貼合基板S2，藉由缺口對準器(notch aligner)檢測貼合基板S2上所形成的缺口的位置，並以檢測出的缺口朝向規定的方位的方式調整旋轉方向的位置，然後藉由機器手臂載置於載台7上。此時，由於每個貼合基板S2的缺口的位置偏差，於貼合基板S2中產生旋轉分量的座標的偏移。另外，由於機器手臂
所引起的貼合基板S2向載台7上的搬送位置的偏差，於貼合基板S2中產生平移分量的座標的偏移。該些偏移是每個貼合基板S2中固有的偏移。若不對平移分量及旋轉分量的座標的偏移進行校正，則即便於貼合基板S2中具有共同缺陷，但由於平移分量及旋轉分量的座標的偏移，空隙缺陷出現於各個半導體結構A中的不同位置，因此會誤判定為並非共有缺陷。與此相對，根據第三實施方式，利用貼合基板S2的紅外線圖像來算出用於校正平移分量及旋轉分量的偏移的校正值，並利用算出的校正值來進行貼合基板S2的超音波圖像的座標校正，藉此可校正平移分量及旋轉分量的偏移。藉此，可使共同缺陷位於各個半導體結構A中的相同位置，因此可正確地判定共同缺陷的存在。
如上所述，根據第三實施方式，可提高貼合基板S2的缺陷的檢查精度。
(第四實施方式)
接下來，對校正貼合基板S2的縮放分量、平移分量及旋轉分量的座標的偏移的第四實施方式進行說明。圖13是表示基於第四實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的流程圖。
如圖13所示，基於第四實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例是基於第一實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例與基於第三實施方式的缺陷檢查裝置1的動作例的組合。
即，於第四實施方式中，基於基準貼合基板S1的超音波圖像中及紅外線圖像中的基準空隙標記M1算出縮放校正值，然後
基於貼合基板S2的紅外線圖像中的金屬膜標記M2算出平移校正值及旋轉校正值，並使用算出的縮放校正值、平移校正值及旋轉校正值進行貼合基板S2的超音波圖像的座標校正。然後，基於對縮放分量、平移分量及旋轉分量的座標進行了校正的超音波圖像，判定共同缺陷的有無。
根據第四實施方式，藉由對縮放分量、平移分量及旋轉分量的座標的偏移進行校正，可進一步提高貼合基板S2的缺陷的檢查精度。
以上，對若干實施方式進行了說明，但該些實施方式僅作為例子而提示，並不意圖限定發明的範圍。本說明書中所說明的新穎的裝置及方法可以其他各種形態來實施。另外，對於本說明書中所說明的裝置及方法的形態，可於不脫離發明的主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。隨附的申請專利範圍及其均等的範圍意圖包含落於發明的範圍及主旨內的此種形態及變形例。
1:缺陷檢查裝置
2:超音波探傷器
3:紅外線照相機
4:算出部
5:校正部
6:判定部
7:載台
21:致動器
31:光源
32:紅外線感測器
33:致動器
IR:紅外線
M1:基準空隙標記
S1:基準貼合基板
U:超音波
X、Y、Z:方向
Claims (19)
- 一種缺陷檢查裝置，包括：超音波探傷器，朝向要進行缺陷的檢查的檢查對象物或模擬了所述檢查對象物的模擬檢查對象物照射超音波，接收由所述檢查對象物或所述模擬檢查對象物反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取所述檢查對象物或所述模擬檢查對象物的超音波圖像；圖像獲取部，朝向所述模擬檢查對象物的第一區域或所述檢查對象物的第二區域照射紅外線，接收在所述第一區域或所述第二區域反射或者透射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含所述第一區域或所述第二區域的紅外線圖像；算出部，算出用於校正所述超音波圖像中及所述紅外線圖像中的所述第一區域的座標相對於所述第一區域的設計座標的偏移的第一校正值，或者算出用於校正所述紅外線圖像中的所述第二區域的座標相對於所述第二區域的設計座標的偏移的第二校正值；以及校正部，相對於所述檢查對象物的超音波圖像，利用算出的所述第一校正值或所述第二校正值進行座標校正。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述第一區域及所述第二區域具有與相對於各區域而言的周邊區域不同的反射率。
- 如請求項2所述的缺陷檢查裝置，其中，所述缺陷為空隙缺陷。
- 如請求項3所述的缺陷檢查裝置，其中，所述第一區域是模擬了所述空隙缺陷的空隙標記。
- 如請求項2所述的缺陷檢查裝置，其中，所述第二區域是由金屬膜形成的區域。
- 如請求項2所述的缺陷檢查裝置，其中，所述周邊區域是由氧化膜或氮化膜形成的區域。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述超音波圖像中及所述紅外線圖像中的所述第一區域的座標相對於所述第一區域的設計座標的偏移為縮放分量的偏移。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述紅外線圖像中的所述第二區域的座標相對於所述第二區域的設計座標的偏移包含平移分量的偏移。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述紅外線圖像中的所述第二區域的座標相對於所述第二區域的設計座標的偏移包含旋轉分量的偏移。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，更包括第一供給裝置，所述第一供給裝置向所述模擬檢查對象物的所述超音波探傷器側的表面供給接觸介質。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，更包括第二供給裝置，所述第二供給裝置向所述模擬檢查對象物的光源側的表面供給乾燥流體。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述檢 查對象物設置有多個相同的半導體結構，所述缺陷檢查裝置更包括：判定部，基於進行了所述座標校正的所述檢查對象物的超音波圖像，判定多個所述半導體結構中有無共同的缺陷。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述第一校正值為多個檢查對象物中共同的校正值。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述第二校正值為每個檢查對象物中固有的校正值。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述檢查對象物是將兩個半導體基板貼合而成的貼合基板。
- 如請求項1所述的缺陷檢查裝置，其中，所述圖像獲取部包括：光源，相對於所述檢查對象物或所述模擬檢查對象物而配置於與所述超音波探傷器相反之側，朝向所述第一區域或所述第二區域照射紅外線；以及紅外線感測器，獲取所述紅外線圖像。
- 一種缺陷檢查方法，包括：朝向模擬了要進行缺陷的檢查的檢查對象物的模擬檢查對象物的第一區域照射超音波，接收在所述第一區域反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取包含所述第一區域的超音波圖像；自與所述超音波相反之側朝向所述第一區域照射紅外線，接收在所述第一區域反射或透射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲 取包含所述第一區域的紅外線圖像；算出用於校正所述超音波圖像中及所述紅外線圖像中的第一區域的座標相對於所述第一區域的設計座標的偏移的第一校正值；朝向所述檢查對象物照射超音波，接收由所述檢查對象物反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取所述檢查對象物的超音波圖像；以及相對於所述檢查對象物的超音波圖像，利用算出的所述第一校正值進行座標校正。
- 如請求項17所述的缺陷檢查方法，更包括：於算出所述第一校正值之後，朝向所述檢查對象物的第二區域照射紅外線；接收在所述第二區域反射或透射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含所述第二區域的紅外線圖像；算出用於校正所述紅外線圖像中的第二區域的座標相對於所述第二區域的設計座標的偏移的第二校正值；以及相對於所述檢查對象物的超音波圖像，利用算出的所述第二校正值進行座標校正。
- 一種缺陷檢查方法，包括：朝向要進行缺陷的檢查的檢查對象物的第二區域照射紅外線；接收在所述第二區域反射或透射的紅外線並轉換為電訊號，藉此獲取包含所述第二區域的紅外線圖像； 算出用於校正所述紅外線圖像中的第二區域的座標相對於所述第二區域的設計座標的偏移的第二校正值；自與所述紅外線相反之側朝向所述檢查對象物照射超音波，接收由所述檢查對象物反射的超音波並轉換為電訊號，藉此獲取所述檢查對象物的超音波圖像；以及相對於所述檢查對象物的超音波圖像，利用算出的所述第二校正值進行座標校正。
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