CN114166946B - 缺陷检查装置 - Google Patents
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Abstract
实施方式提供一种能够提高被检查物的缺陷的检查精度的缺陷检查装置。实施方式的缺陷检查装置包括超声波探伤探头、图像获取部、计算部以及校正部。超声波探伤探头向被检查物/模拟被检查物照射超声波,从而获取被检查物/模拟被检查物的超声波图像。图像获取部向模拟被检查物的第一区域或被检查物的第二区域照射红外线,从而获取包含第一区域/第二区域的红外图像。计算部计算用于对超声波图像中及红外图像中的第一区域的坐标相对于第一区域的设计坐标的偏离进行校正的第一校正值,或者,计算用于对红外图像中的第二区域的坐标相对于第二区域的设计坐标的偏离进行校正的第二校正值。校正部对被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值/第二校正值而实施的坐标校正。
Description
相关申请
本申请享受以2020-153258号日本发明专利申请(申请日:2020年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本实施方式涉及缺陷检查装置。
背景技术
人们目前基于用从超声波探伤探头照射的超声波对晶圆进行扫描而得到的超声波图像,检查晶圆的空洞缺陷。但是,因超声波图像的坐标从晶圆的设计坐标偏离,因此难以提高检查精度。
发明内容
本发明要解决的课题为,提供一种缺陷检查装置,其能够提高被检查物的缺陷的检查精度。
实施方式所涉及的缺陷检查装置具备超声波探伤探头、图像获取部、计算部以及校正部。超声波探伤探头向被进行缺陷检查的被检查物或者对被检查物进行了模拟的模拟被检查物照射超声波,接收被检查物或模拟被检查物反射的超声波并转换为电信号,从而获取被检查物或模拟被检查物的超声波图像。图像获取部向模拟被检查物的第一区域或被检查物的第二区域照射红外线,接收第一区域或第二区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含第一区域或第二区域的红外图像。计算部计算用于对超声波图像中以及红外图像中的第一区域的坐标相对于第一区域的设计坐标的偏离进行校正的第一校正值,或者,计算用于对红外图像中的第二区域的坐标相对于第二区域的设计坐标的偏离进行校正的第二校正值。校正部针对被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值或第二校正值而实施的坐标校正。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的图。
图2是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的流程图。
图3是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图4是接着图3的、示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图5是接着图4的、示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图6是接着图5的、示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图7A是示出由比较例所涉及的缺陷检查装置检测出的共通缺陷的图。
图7B是示出由第一实施方式所涉及的缺陷检查装置检测出的共通缺陷的图。
图8是示出第二实施方式所涉及的缺陷检查装置的图。
图9是示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的流程图。
图10是示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图11是接着图10的、示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图12是接着图11的、示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。
图13是示出第四实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的流程图。
具体实施方式
以下结合附图说明本发明的实施方式。在图1至图13中,对相同或类似的构成赋予相同的标记,省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的图。如图1所示,第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1具备超声波探伤探头2、红外照相机3、计算部4、校正部5、判断部6。
超声波探伤探头2与基准贴合基板S1相对地配置,所述基准贴合基板S1是对将两片半导体基板贴合而成的贴合基板进行了模拟的基板。在图1所示的例中,超声波探伤探头2与基准贴合基板S1的上表面相对地配置。在检查形成于贴合基板的两片半导体基板之间的空洞缺陷之前,超声波探伤探头2向基准贴合基板S1照射超声波(图1中的U)。此外,基准贴合基板S1被承载在能够使基准贴合基板S1在沿着其表面的X方向以及Y方向上移动的台7上。台7由电机等未图示的驱动源驱动。
基准贴合基板S1是与贴合基板同样地将两片半导体基板贴合而成的。在两片半导体基板之间,形成有对空洞缺陷进行了模拟的基准空洞标识M1。基准空洞标识M1是其坐标在缺陷检查装置1中已知的标识。基准空洞标识M1对超声波及红外线的反射率与基准空洞标识M1的周边区域不同。周边区域可以是由氧化膜、氮化膜形成的区域。
超声波探伤探头2接收基准贴合基板S1反射的超声波并转换为电信号,从而获取包含基准空洞标志M1的超声波图像的基准贴合基板S1的超声波图像。超声波探伤探头2在致动器21的作用下能够在Z方向上移动。超声波探伤探头2也可以是在致动器21的作用下在X方向及Y方向上也能够移动。贴合基板中,设有多个单片化之前的相同图案的半导体结构(芯片)。各半导体结构利用使用相同的中间掩模的光刻法而形成。半导体结构也可以是三维存储器结构。在该情况下,分别构成贴合基板和基准贴合基板S1的两片半导体基板中,也可以是,其中一片半导体基板是设有三维结构的存储单元、配线以及绝缘层等的基板,另一片半导体基板是设有晶体管、配线以及绝缘层等的基板。
红外照相机3从与超声波探伤探头2所在侧相反的一侧,与基准贴合基板S1相对地配置。在图1所示的例中,红外照相机3与基准贴合基板S1的下表面相对地配置。红外照相机3具有光源31和红外传感器32。红外照相机3通过光源从与超声波探伤探头2所在侧相反的一侧向基准贴合基板S1的基准空洞标识M1照射红外线(图1中的IR)。红外照相机3通过红外传感器32接收基准空洞标识M1反射的红外线并转换为电信号,从而获取基准空洞标识M1的红外图像。红外照相机3在致动器33的作用下能够在Z方向上移动。红外照相机3还可是在致动器33的作用下在X方向及Y方向上也能够移动。此外,红外传感器32也可以配置为,使基准贴合基板S1处于红外传感器32与光源31之间,红外传感器32位于与光源31所在侧相反的一侧。在此情况下,红外传感器32接收透射过基准贴合基板S1的红外线并转换为电信号,从而获取基准空洞标识M1的红外图像。
计算部4计算第一校正值,该第一校正值用于校正超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1的倍率分量的坐标相对于基准空洞标识M1的设计坐标的偏离。
第一校正值计算出后,为了检查形成于贴合基板的两片半导体基板之间的空洞缺陷,超声波探伤探头2向替代基准贴合基板S1而被承载在台7上的贴合基板照射超声波。一边驱动台7使贴合基板移动,一边向贴合基板的整个面进行超声波照射。超声波探伤探头2接收贴合基板反射的超声波并转换为电信号,从而获取贴合基板的超声波图像。校正部5对所获取的贴合基板的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值而实施的坐标校正。
判断部6基于使用第一校正值进行坐标校正后的贴合基板的超声波图像,判断是否存在作为贴合基板的空洞缺陷的、取决于中间掩模的图案的、在各个半导体结构之间共通的缺陷(以下亦称为“共通缺陷”)。
计算部4、校正部5及判断部6可以以计算机等硬件构成。也可以以软件构成计算部4、校正部5及判断部6的一部分。
接下来,就上述地构成的第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例进行说明。图2是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的流程图。图3是示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的图。
首先,如图3所示,形成有多个基准空洞标识M1的基准贴合基板S1被承载在台7上,在此基础上,超声波探伤探头2从上方向基准空洞标识M1照射超声波,接收基准空洞标识M1反射的超声波并转换为电信号,从而获取包含基准空洞标识M1的基准贴合基板S1的超声波图像(图2的步骤S1)。包含基准空洞标识M1的基准贴合基板S1的超声波图像的获取针对多个基准空洞标识M1中的每一个进行。另外,此时,红外相机3从下方向基准空洞标识M1照射红外线,接收基准空洞标识M1反射的红外线并转换为电信号,从而获取包含基准空洞标识M1的基准贴合基板S1的红外图像(图2的步骤S1)。包含基准空洞标识M1的基准贴合基板S1的红外图像的获取针对多个基准空洞标识M1中的每一个进行。
获取超声波图像及红外图像后,计算部4针对多个基准空洞标识M1中的每一个,通过图像解析,判断超声波图像中的基准空洞标识M1的坐标与红外图像中的基准空洞标识M1的坐标是否一致(步骤S2)。
超声波图像中的基准空洞标识M1的坐标与红外图像中的基准空洞标识M1的坐标一致的情况下(步骤S2为“是”),校正部5求出超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1的倍率分量的坐标相对于预先获取的基准空洞标识M1的设计坐标的偏离,在此基础上,计算出用于对倍率分量的坐标的偏离进行校正的预校正值(步骤S3)。预校正值是没有考虑由后述的基准贴合基板S1的整面扫描所产生的超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1的坐标相对于设计坐标的偏离的校正值。预校正值也可以是分别对应于多个基准空洞标识M1的各自的预校正值的平均值。
图4是接着图3的、示出第一实施方式所涉及的缺陷校正装置1的动作例的图。计算出预校正值后,如图4所示,驱动台7使超声波探伤探头2及红外照相机3对基准贴合基板S1的整个面进行扫描,从而计算部4获取超声波图像及红外图像(图2的步骤S4)。在图4中,虚线箭头表示被逐行扫描的基准贴合基板S1的扫描方向。
通过基准贴合基板S1的整面扫描而获取超声波图像及红外图像后,计算部4求出通过整面扫描而获取的超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1的坐标与使用预校正值进行了校正的基准空洞标识M1的坐标之间的偏离,在此基础上,计算出用于对该偏离进行校正的倍率校正值(步骤S5)。倍率校正值是考虑了由基准贴合基板S1的整面扫描所产生的超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1的坐标相对于设计坐标的偏离的校正值。
图5是接着图4的、示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的图。计算出倍率校正值后,如图5所示,为了检查有无形成在贴合基板S2的两片半导体基板之间的空洞缺陷,贴合基板S2替代基准贴合基板S1而被承载在台7上。在贴合基板S2被承载在台7上的基础上,驱动台7使超声波探伤探头2对贴合基板S2的整个面进行扫描,从而判断部6获取贴合基板S2的超声波图像(图2的步骤S6)。在图5中,虚线箭头表示被逐行扫描的贴合基板S2的扫描方向。
图6是接着图5的、示出第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的图。图6示出了通过贴合基板S2的整面扫描所获取到的超声波图像。图6中的多个矩形的区域A分别对应于1个半导体结构(即1个拍摄区<shot>)。获取了基于整面扫描的贴合基板S2的超声波图像后,校正部5对所获取的贴合基板S2的超声波图像进行基于倍率校正值而实施的倍率分量的坐标校正(图2的步骤S7)。此外,图6中所示的多个箭头示出了贴合基板S2的超声波图像的各点的倍率分量的坐标从校正前的坐标变化为校正后的坐标。倍率分量的坐标校正也可以针对贴合基板S2的超声波图像中的规定的多个代表坐标实施。在此情况下,多个代表坐标可以是通过图像解析而在贴合基板S2的超声波图像中检测出的空洞的坐标。
贴合基板S2的超声波图像被进行坐标校正后,判断部6基于进行了坐标校正的超声波图像,判断在超声波图像中是否存在共通缺陷(步骤S8)。
另一方面,超声波图像中的基准空洞标识M1的坐标与红外图像中的基准空洞标识M1的坐标不一致的情况下(步骤S2为“否”),超声波探伤探头2的致动器21及红外照相机3的致动器33使超声波探伤探头2及红外线照相机3以预先确定的移动量在Z方向上移动(步骤S9)。其后,计算部4重复进行超声波图像中的基准空洞标识M1的坐标与红外图像中的基准空洞标识M1的坐标是否一致的判断(步骤S2)。
图7A是示出由比较例所涉及的缺陷检查装置检测出的共通缺陷的图。图7B是示出由第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1检测出的共通缺陷的图。超声波图像中的空洞存在缺陷检查装置1所固有的倍率分量的坐标的偏离。假如不对倍率分量的坐标的偏离进行校正,则如图7A所示,即使在贴合基板S2中存在在各半导体结构A之间共通的共通缺陷B(空洞缺陷),也会由于倍率分量的坐标的偏离而在各个半导体结构A中的不同位置出现缺陷B,所以将误判为缺陷B并非共通缺陷。与此不同地,根据第一实施方式,利用基准贴合基板S1的超声波图像及红外图像计算出用于校正倍率分量的坐标的偏离的倍率校正值,以所计算出的倍率校正值进行贴合基板S2的超声波图像的坐标校正,从而能够对倍率分量的坐标的偏离进行校正。由此,如图7B所示,能够使共通缺陷B位于各个半导体结构A中的相同位置,所以能够准确判断共通缺陷B的存在。
此外,倍率分量的坐标的偏离是取决于缺陷检查装置1而非取决于各个贴合基板S2的偏离,因而,一旦计算出倍率校正值后,可以将相同的倍率校正值适用为对多个贴合基板S2通用的校正值。
如上所述,根据第一实施方式,能够提高贴合基板S2的缺陷的检查精度。
(第二实施方式)
接下来,就向基准贴合基板S1提供接触媒介及干燥流体的第二实施方式进行说明。图8是示出第二实施方式所涉及的缺陷检查装置1的图。
如图8所示,第二实施方式所涉及的缺陷检查装置1具备供给嘴22,供给嘴22以包围超声波探伤探头2的方式配置,向基准贴合基板S1的上表面供给接触媒介(图8中的M)。接触媒介是被供至超声波探伤探头2与基准贴合基板S1之间以使得妨碍超声波传播的空气层无法形成的液体。接触媒介可以为水。接触媒介也可以还被供给于贴合基板S2。
此外,如图8所示,缺陷检查装置1在红外照相机3的周围具有向基准贴合基板S1的下表面供给干燥流体(图8中的F)的供给装置8。干燥流体可以是空气、氮。干燥流体也可以还被供给于贴合基板S2。
根据第二实施方式,能够通过接触媒介提高超声波的传播效率,并通过干燥流体防止由附着在基准贴合基板S1的下表面的接触媒介导致的红外线的吸收。由此,能够进一步提高缺陷的检查精度。
(第三实施方式)
接下来,就对贴合基板的平移分量以及旋转分量的坐标的偏离进行校正的第三实施方式进行说明。图9是示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的流程图。图10是示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的图。第三实施方式所涉及的缺陷检查装置1具有与第一实施方式类似的构成,因此用与第一实施方式相同的标记进行说明。
首先,如图10所示,形成有金属膜标识M2的贴合基板S2被承载于台7上,在此基础上,超声波探伤探头2从下方向金属膜标识M2照射红外线,接收金属膜标识M2反射的红外线并转换为电信号,从而获取包含金属膜标识M2的贴合基板S2的红外图像(图9的步骤S10)。金属膜标识M2是其坐标在缺陷检查装置1中已知的标识。金属膜标识M2的红外线反射率与其周边区域不同。金属膜标识M2例如可以是铜(Cu)膜、钨(W)膜。周边区域可以是SiO、SiO2等氧化膜、或者SiN等氮化膜。
获取红外图像后,计算部4通过图像解析,求出红外图像中的金属膜标识M2的坐标与金属膜标识M2的设计坐标之间的平移分量的偏离,在此基础上,计算用于校正平移分量的偏离的平移校正值(步骤S11)。
此外,计算部4通过图像解析,求出红外图像中的金属膜标识M2的坐标与金属膜标识M2的设计坐标之间的旋转分量的偏离,在此基础上,计算用于校正旋转分量的偏离的旋转校正值(步骤S12)。另外,步骤S11与步骤S12可前后对调,或者也可同时进行。
与图5同样地,通过驱动台7,使超声波探伤探头2对贴合基板S2的整个面进行扫描,判断部6获取贴合基板S2的超声波图像(步骤S6)。
图11是接着图10的、示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。获取了基于整面扫描的贴合基板S2的超声波图像后,如图11所示,校正部5对所获取到的贴合基板S2的超声波图像进行基于平移校正值而实施的平移分量的坐标校正(图9的步骤S13)。另外,图11所示的多个箭头表示贴合基板S2的超声波图像的各点的平移分量的坐标从校正前的坐标变化为校正后的坐标。平移分量的坐标校正也可以对贴合基板S2的超声波图像中的规定的多个代表坐标进行。在此情况下,多个代表坐标可以是通过图像解析在贴合基板S2的超声波图像中检测出的空洞的坐标。
图12是接着图11的、示出第三实施方式所涉及的缺陷检查装置的动作例的图。进行平移分量的坐标校正后,如图12所示,校正部5对贴合基板S2的超声波图像进行基于旋转校正值而实施的旋转分量的坐标校正(图9的步骤S14)。另外,图12所示的多个箭头表示贴合基板S2的超声波图像的各点的旋转分量的坐标从校正前的坐标变化为校正后的坐标。旋转分量的坐标校正也可以对贴合基板S2的超声波图像中的规定的多个代表坐标进行。在此情况下,多个代表坐标可以是通过图像解析而在贴合基板S2的超声波图像中检测出的空洞的坐标。
贴合基板S2的超声波图像进行坐标校正后,判断部6基于进行了坐标校正的超声波图像,判断在超声波图像中是否存在共通缺陷(步骤S8)。
在此,通过凹部对准仪检测出形成于贴合基板S2的凹部的位置,调整旋转方向的位置以使得所检测出的凹部朝向规定的方位,在此基础上,用机械臂将贴合基板S2放置在台7上。此时,由于每个贴合基板2的凹部的位置的偏差,贴合基板S2会产生旋转分量的坐标的偏离。另外,由于机械臂将贴合基板S2运送到台7上的运送位置的误差,贴合基板S2会产生平移分量的坐标的偏离。这些偏离是根据每个贴合基板S2而分别固有的。如果不对平移分量及旋转分量的坐标的偏离进行校正,那么即使贴合基板S2上存在共通缺陷,也将由于平移分量及旋转分量的坐标的偏离而导致在各个半导体结构A中的不同位置出现空洞缺陷,因而误判为没有共通缺陷。与此不同地,根据第二实施方式,利用贴合基板S2的红外图像计算出用于校正平移分量及旋转分量的偏离的校正值,用所计算出的校正值进行贴合基板S2的超声波图像的坐标校正,由此能够对平移分量及旋转分量的偏离进行校正。从而,能够使共通缺陷位于各个半导体结构A中的相同位置,因此能够正确地判断共通缺陷的存在。
如上所述,根据第三实施方式,能够提高贴合基板S2的缺陷的检查精度。
(第四实施方式)
接下来就对贴合基板S2的倍率分量、平移分量及旋转分量的坐标的偏离进行校正的第四实施方式进行说明。图13是示出第四实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的流程图。
如图13所示,第四实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例是第一实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例与第三实施方式所涉及的缺陷检查装置1的动作例的结合。
即,在第四实施方式中,基于基准贴合基板S1的超声波图像中及红外图像中的基准空洞标识M1计算出倍率校正值后,基于贴合基板S2的红外图像中的金属膜标识M2计算出平移校正值及旋转校正值,用所计算出的倍率校正值、平移校正值及旋转校正值进行贴合基板S2的超声波图像的坐标校正。然后,基于倍率分量、平移分量及旋转分量的坐标被校正了的超声波图像,判断有无共通缺陷。
根据第四实施方式,通过对倍率分量、平移分量及旋转分量的坐标的偏离进行校正,能够进一步提高贴合基板S2的缺陷的检查精度。
以上说明了几种实施方式,但这些实施方式仅是作为示例而呈现,并非用于限定发明的范围。本说明书中所说明的新的装置及方法可以以其他各种方式实施。此外,对于本说明书中所说明的装置及方法的方式,可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。所附的专利权利要求书及与其等同的范围,意在将发明的范围和主旨所包括的这些方式及变形例包括在内。
标号的说明
1缺陷检查装置,2超声波探伤探头,3红外照相机,4计算部,5校正部。
Claims (13)
1.一种缺陷检查装置,其特征在于,
包括超声波探伤探头、图像获取部、计算部以及校正部,
所述超声波探伤探头向被进行缺陷检查的被检查物或对所述被检查物进行了模拟的模拟被检查物照射超声波,接收所述被检查物或所述模拟被检查物反射的超声波并转换为电信号,从而获取所述被检查物或所述模拟被检查物的超声波图像,
所述图像获取部向所述模拟被检查物的对空洞缺陷进行了模拟的空洞标识的区域即第一区域或所述被检查物的以金属膜形成的区域即第二区域照射红外线,接收所述第一区域或所述第二区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含所述第一区域或所述第二区域的红外图像,
所述计算部计算用于对所述超声波图像中及所述红外图像中的第一区域的坐标相对于所述第一区域的设计坐标的倍率分量的偏离进行校正的第一校正值,或者,计算用于对所述红外图像中的第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的平移分量的偏离和旋转分量的偏离进行校正的平移校正值及旋转校正值即第二校正值,
所述校正部对所述被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值或第二校正值而实施的坐标校正。
2.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第一区域及所述第二区域具有与各自区域的周边区域的反射率不同的反射率。
3.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述周边区域为以氧化膜或氮化膜形成的区域。
4.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,还具备向所述模拟被检查物的靠近所述超声波探伤探头侧的表面供给接触媒介的第一供给装置。
5.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,还具备向所述模拟被检查物的靠近光源侧的表面供给干燥流体的第二供给装置。
6.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,
所述被检查物中设有多个相同的半导体结构,
所述缺陷检查装置还具备判断部,所述判断部基于进行了所述坐标校正的所述被检查物的超声波图像,判断有无在多个所述半导体结构之间共通的缺陷。
7.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第一校正值为对多个被检查物通用的校正值。
8.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第二校正值是根据每个被检查物而分别固有的校正值。
9.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述被检查物为将两个半导体基板贴合而成的贴合基板。
10.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,
所述图像获取部具有光源及红外传感器,
相对于所述被检查物或所述模拟被检查物,所述光源配置在与所述超声波探伤探头所在侧相反的一侧,所述光源向所述第一区域或所述第二区域照射红外线,
所述红外传感器用于获取所述红外图像。
11.一种缺陷检查方法,其特征在于,包括:
向对被进行缺陷检查的被检查物进行了模拟的模拟被检查物的对空洞缺陷进行了模拟的空洞标识的区域即第一区域照射超声波,接收所述第一区域反射的超声波并转换为电信号,从而获取包含所述第一区域的超声波图像,
从与所述超声波相反的一侧向所述第一区域照射红外线,接收所述第一区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含所述第一区域的红外图像,
计算用于对所述超声波图像中及所述红外图像中的第一区域的坐标相对于所述第一区域的设计坐标的倍率分量的偏离进行校正的第一校正值,
向所述被检查物照射超声波,接收所述被检查物反射的超声波并转换为电信号,从而获得所述被检查物的超声波图像,
对所述被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值而实施的坐标校正。
12.一种缺陷检查方法,其特征在于,包括:
向被进行缺陷检查的被检查物的以金属膜形成的区域即第二区域照射红外线,
接收所述第二区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含所述第二区域的红外图像,
计算用于对所述红外图像中的第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的平移分量的偏离和旋转分量的偏离进行校正的平移校正值及旋转校正值即第二校正值,
从与所述红外线相反的一侧向所述被检查物照射超声波,接收所述被检查物反射的超声波并转换为电信号,从而获得所述被检查物的超声波图像,
对所述被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第二校正值而实施的坐标校正。
13.根据权利要求11所述的缺陷检查方法,其特征在于,还包括:
在计算出所述第一校正值后,向所述被检查物的第二区域照射红外线,
接收所述第二区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含所述第二区域的红外图像,
计算用于对所述红外图像中的第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的偏离进行校正的第二校正值,
对所述被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第二校正值而实施的坐标校正。
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