JP2001141659A - 画像撮像装置及び欠陥検出装置 - Google Patents

画像撮像装置及び欠陥検出装置

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JP2001141659A JP32047299A JP32047299A JP2001141659A JP 2001141659 A JP2001141659 A JP 2001141659A JP 32047299 A JP32047299 A JP 32047299A JP 32047299 A JP32047299 A JP 32047299A JP 2001141659 A JP2001141659 A JP 2001141659A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】積層型電子写真感光体に対応した被検査面に存
在する不可視画像を含む濃度ムラ欠陥等を高感度で、か
つ光ダメージを与えないで撮像して検出する。 【解決手段】感光体1の表面に不可視光光源3から視感
度より外れた波長領域の光を照射し、感光体1からの拡
散反射近傍光を撮像手段4で受光して、感光体1の内部
欠陥の画像と表面欠陥の画像を高感度で撮像する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば積層型電
子写真感光体や表面に透明層を設けたり色素を表面に塗
布した各種製品の内部の欠陥と表面の欠陥を読み取る画
像撮像装置及び各種欠陥を検出する欠陥検出装置、特に
視感度を中心とした目視検査では輝度変化を検知しにく
い不可視領域に存在する欠陥の検出に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】例えばアルミ基体のベースに内部層と透
明表面層が積層された積層型電子写真感光体の製造ライ
ンにおける塗膜欠陥の検査は、一般に製造ライン中に設
けた検査ステーションで検査員による目視官能検査によ
り行なわれていた。この目視官能検査においては、年々
開発される異なる分光感度特性を持つ製品の外観欠陥を
検査員が見出さなければならないが、近年、デジタル化
に対応して開発された積層型電子写真感光体の吸光度の
ピーク波長領域が半導体レーザ発振波長である780n
m近傍にシフトしてきており、検査員のほぼ550nm
の視感度ピークを中心とする可視領域の反射光では目視
検査がしにくい製品も増えてきている。
【0003】このような難点を改善するために、被検査
面の塗膜欠陥を撮像素子を用いたフライングイメージ方
式で自動的に検出するようにした表面欠陥検査装置が、
例えば特開平8−5577号公報や特開平6−1943
18号公報,特開平6−207909号公報等に開示さ
れている。フライングイメージ方式は、被検査物の表面
を撮像カメラ等の画像入力装置で読み取って画像データ
を取得し、フィルタリングや2値化等の画像処理をして
被検査物の表面の情報から欠陥を検出する方法である。
【0004】特開平8−5577号公報に示された表面
欠陥検査装置は、光沢面を有する表面層と拡散層という
2種の光学的特異性を持つ層を積層し、拡散層には格子
線を設け、表面層には疑似欠陥である特記を設けた標板
を構成し、拡散層と表面層の欠陥受光状態に基づいてカ
メラの受光位置を補正して、感光体表面の欠陥を高いコ
ントラストで撮像するようにしている。特開平6−19
4318号公報に示された表面欠陥検査装置は、取得し
た画像データを複数個のデジタルフィルタに異なる縮小
率で入力して、各種サイズの表面欠陥を良好に検出する
ようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら可視領域
の照明光を用いた照明方法や偏光特性を利用したこれら
の表面欠陥装置では、可視領域に高吸光度である波長帯
域を有するアナログ用積層型電子写真感光体の場合は高
いコントラストで濃度ムラ欠陥を認識できるが、高吸光
度の波長帯域が不可視領域、特に内部層の高吸光度の波
長帯域が半導体レーザ光源の発振波長である近赤外線の
不可視領域にあるデジタル対応の積層型電子写真感光体
の場合は、内部層に存在する色ムラ欠陥等を高いS/N
比で認識する事が困難であった。
【0006】また、このような低コントラストの感光体
欠陥を視認するために、より光量の強い可視光を照射す
る方法が取られてきたが、光量の強い可視光を積層型電
子写真感光体に照射すると、特に電荷移動層が前露光疲
労を受け、電荷移動層のドナーが光ダメージを受けると
いう問題もあった。
【0007】この発明はかかる短所を改善し、半導体レ
ーザ光源用の積層型電子写真感光体に対応した被検査面
に存在する不可視画像を含む濃度ムラ欠陥等を高感度
で、かつ光ダメージを与えないで撮像して検出する画像
撮像装置及び欠陥検出装置を提供することを目的とする
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る画像撮像
装置は、不可視光光源と撮像手段と表示装置とを有し、
不可視光光源は視感度から外れた波長領域の光を被検査
物の表面に照射し、撮像手段は被検査物からの拡散反射
近傍光を受光して光電変換し、視感度から外れた不可視
欠陥画像信号を出力し、表示装置は撮像手段から出力し
た欠陥画像信号により欠陥画像を表示することを特徴と
する。
【0009】この発明に係る他の画像撮像装置は、不可
視光光源と撮像手段と表示装置とを有し、不可視光光源
は視感度から外れた波長領域の光をデジタル対応の積層
型電子写真感光体の表面に照射し、撮像手段は積層型電
子写真感光体からの拡散反射近傍光を受光して光電変換
し、視感度から外れた不可視欠陥画像信号を出力し、表
示装置は撮像手段から出力した欠陥画像信号により欠陥
画像を表示することを特徴とする。
【0010】積層型電子写真感光体を撮像するときに、
不可視光照明手段は不可視光として近赤外線を照射する
と良い。
【0011】また、不可視光照明手段から出射する光の
ピーク波長領域と、撮像手段の分光感度ピーク波長領域
を積層型電子写真感光体の内部層における高吸光度であ
る波長帯域と一致させることが望ましい。
【0012】さらに、撮像手段に1次元積算段数型CC
Dセンサを用いると良い。
【0013】この発明に係る欠陥検出装置は、上記いず
れかの画像撮像装置と、画像撮像装置で撮像した画像の
情報から欠陥の種類を判定する画像処理部とを有するこ
とを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】この発明の画像撮像装置は、アル
ミ基体のベースに内部層と透明表面層が積層されている
積層型電子写真感光体の欠陥を撮像して表示するもので
あり、不可視光光源と撮像手段と表示装置とを有する。
不可視光光源は視感度から外れた波長領域の不可視光、
例えば近赤外線を感光体の表面に照射する。撮像手段は
感光体から反射する拡散反射近傍光を受光して光電変換
し視感度から外れた不可視欠陥画像信号を出力するもの
であり、1次元積算段数型CCDカメラを有する。表示
装置5は撮像手段4から出力した欠陥画像信号により欠
陥画像を表示する。
【0015】この画像撮像装置で感光体の欠陥を撮像し
て表示するときは、感光体を例えばステッピングモータ
等を有する回転手段で軸心を中心にして回転しながら不
可視光光源から感光体の表面に近赤外線の不可視光を照
射する。感光体の透明表面層に入射した不可視光は透明
表面層の表面で反射と屈折をする。透明表面層の表面で
反射する光は、透明表面層の表面に欠陥がない場合には
正反射光として反射し、透明表面層の表面に欠陥がある
場合には散乱反射光として反射する。また、透明表面層
で屈折した光は内部層で拡散反射し、透明表面層を透過
し拡散反射光として出射する。このように不可視光光源
から感光体の表面に不可視光として近赤外線を照射する
ことにより、感光体のデジタル化に対応した吸光度のピ
ーク波長領域の半導体レーザ発振波長である近赤外線領
域シフトに対応でき、内部層で拡散反射した拡散反射光
は、吸光度が高い色ムラ欠陥部分では欠陥部分が暗くな
り、正常部とのコントラストが高くなる。この内部層で
拡散反射した拡散反射近傍光を撮像手段で受光する。
【0016】
【実施例】図1はこの発明の一実施例の構成図である。
図に示すように、被検査体、例えば積層型電子写真感光
体(以下、感光体という)1の欠陥を撮像して表示する
画像撮像装置2は不可視光光源3と撮像手段4と表示装
置5とを有する。感光体1は、図2の断面図に示すよう
に、アルミ基体のベース6に内部層7と透明表面層8が
積層されている。不可視光光源3は視感度から外れた波
長領域の不可視光、例えば近赤外線を感光体1の表面に
照射する。ここで視感度とは波長を変えて同一明るさに
見えるそれぞれの光の放射エネルギの逆数と定義されて
おり、そのピーク波長領域はおおよそ550nmであ
る。撮像手段4は感光体1から反射する拡散反射近傍光
を受光して光電変換し視感度から外れた不可視欠陥画像
信号を出力するものであり、撮像手段4は感光体1から
の拡散反射近傍光を受光する暗視野すなわち正常部が明
るく欠陥部が暗くなる領域の光量変化を検出する反射光
軸側に1次元積算段数型CCDカメラを有する。撮像手
段4は感光体1からの拡散反射近傍光を受光するため、
不可視光光源3と撮像手段4の光軸が感光体1の表面に
対してなす角度αはほぼ30度〜60度になっている。
表示装置5は撮像手段4から出力した欠陥画像信号によ
り欠陥画像を表示する。
【0017】上記のように構成した画像撮像装置2で感
光体1の欠陥を撮像して表示するときは、感光体1を例
えばステッピングモータ等を有する回転手段で軸心を中
心にして回転しながら不可視光光源3から感光体1の表
面に近赤外線の不可視光を照射する。このとき、塵埃等
による誤検出や過検出を防ぐため、回転する感光体1の
円周位置にイオナイザやエアーブロー,超音波等の除塵
機構を配置して塵埃等を除去する。感光体1の透明表面
層8に入射した不可視光9は、図2に示すように、透明
表面層8の表面で反射と屈折をする。透明表面層8の表
面で反射する光は、透明表面層8の表面に欠陥がない場
合には正反射光10として反射し、透明表面層8の表面
に欠陥がある場合には散乱反射光11として反射する。
また、透明表面層8で屈折した光は内部層7で拡散反射
し、透明表面層8を透過し拡散反射光12として出射す
る。
【0018】ここで不可視光光源3から感光体1の表面
に不可視光9として近赤外線を照射することにより、感
光体1のデジタル化に対応した吸光度のピーク波長領域
の半導体レーザ発振波長である近赤外線領域シフトに対
応できる。すなわち、感光体1において、正常面より色
の濃くなる濃度ムラは内部層7に多く付着する有色材料
に原因する場合が多い。この感光体1に光を照射したと
き内部層7で拡散反射した拡散反射光は、吸光度が高い
色ムラ欠陥部分では欠陥部分が暗くなり、正常部とのコ
ントラストが高くなる。最も濃度ムラ欠陥の画像コント
ラストの高くなる条件は、内部層7の高吸光度である波
長帯域と不可視光光源3から照射する光のピーク波長帯
域が一致していることである。デジタル対応の感光体1
の内部層7における吸光度のピーク波長領域は、図3の
分光吸収特性に示すように、半導体レーザ発振波長であ
る780nm近傍にある。この感光体1に従来から使用
されている螢光燈やハロゲンライト等からの視感度ピー
クがほぼ550nmの可視領域の光を照射しても濃度ム
ラ欠陥の画像コントラストは低下し、濃度ムラ欠陥を検
出できなくなる。そこで不可視光光源3から感光体1の
表面に半導体レーザ発振波長である780nm近傍にピ
ーク波長領域を有する近赤外線を不可視光9として照射
し、濃度ムラ欠陥の画像コントラストを高くする。ま
た、不可視光9に紫外線成分が有った場合は、その過大
な光エネルギのために感光体1に化学変化や燐光,蛍光
発生といった光ダメージを与えてしまうが、近赤外線を
用いることにより紫外線をカットすることができ、電荷
移動層に含まれる電子供与体(ドナー)の光ダメージを
抑えることができる。この不可視光光源3で近赤外線を
出射する方法としては、分光を用いる方法やフィルタを
用いる方法又は波長選択された発光光源を用いる方法の
何れの方法でも良い。
【0019】撮像手段4は感光体1の内部層7で拡散反
射した拡散反射光成分のうち入射点における法線近傍の
拡散反射近傍光を受光し、受光した光に含まれる情報か
ら不可視欠陥画像信号を出力する。この撮像手段4の1
次元積算段数型CCDカメラのCCDとしては、図4の
CCDの比感度特性に示すように、分光感度ピーク波長
領域が特に近赤外線領域(780nm以上)にピークが
あるものを選択して用い、分光感度ピーク波長領域を感
光体1の内部層7の高吸光度である波長帯域と一致させ
て、濃度ムラ欠陥の画像コントラストが低下しないよう
にしておく。このようにして感光体1の内部層7の情報
のS/Nを向上し、塗工ムラ等の電荷発生層における欠
陥を認識することができる。また、撮像手段4に1次元
積算段数型CCDセンサを用いることにより、従来型の
1次元CCDセンサと比べて積算段数分の露光時間を多
く素子に与えることができ、低コントラストの感光体1
でも照射光量を大きくすることなく、必要最低限の照射
エネルギで光ダメージを押さえながら濃度ムラ欠陥等を
高感度で撮像できる。すなわち、従来型の1次元CCD
センサのように、ある一点を撮像するCCD素子が1画
素のみで物体が通過する一瞬の電荷チャージで有るのに
対して、1次元積算段数型CCDセンサは同じ点に対す
る電荷チャ−ジを感光体1の回転に同期して積算段数分
引き渡しながら累積加算していく。また、撮像手段4と
して1次元積算段数型CCDセンサを用いることによ
り、電子走査により感光体1のドラム基体の長手方向で
ある主走査方向を高速走査することができ、ドラム基体
の全長方向に複数台の1次元積算段数型CCDセンサ、
例えば低光量下での高速スキャンが可能な市販の204
8画素の1次元積算段数型CCDセンサを2台を設置す
ることにより、空間分解能を向上させることもできる。
【0020】また、撮像手段4は感光体1の内部層7で
拡散反射した拡散反射光成分のうち入射点における法線
近傍の拡散反射近傍光を受光するために、不可視光光源
3と撮像手段4の光軸が感光体1の表面に対してなす角
度αをほぼ30度〜60度にして不可視光光源3と撮像
手段4を配置しておく。すなわち、感光体1の内部層7
の高吸光度波長領域に依存しない表面散乱光11や正反
射成分10を高い感度で撮る必要のない受光法(暗視野
法)で内部層7の拡散反射光12を多く受光するために
は、幾何学的には不可視光光源3からある入射角で光を
入射した感光体1の入射位置に対する法線方向に設けた
撮像手段4で受光すれば良い。しかしながら感光体1の
欠陥を検査する場合には、内部層7の欠陥だけでなく透
明表面層8の凸凹形状を含む欠陥による散乱反射光11
も検出する必要がある。この感光体1の内部層7の濃度
ムラと透明表面層8の凸凹欠陥を同時に検出するために
様々な調査を行った結果、特に不可視光光源3と撮像手
段4の光軸が感光体1の表面に対してなす角度αをほぼ
30度〜60度にして撮像手段41を感光体1の法線に
対して僅かに傾けて拡散反射近傍光を受光することによ
り、感光体1の内部層7の高吸光度波長領域に依存する
濃淡ムラ等の不可視欠陥をより高いコントラストで撮像
できるとともに透明表面層8の凸凹欠陥を同時に検出す
ることができる。
【0021】なお、撮像手段4を感光体1の入射位置に
対する法線方向に設けて感光体1の内部層7の高吸光度
波長領域に依存する濃淡ムラ等の不可視欠陥を撮像する
とともに、感光体1の入射位置からの正反射光の光路に
透明表面層8の凸凹欠陥を撮像する撮像手段を設けても
良い。
【0022】次ぎに上記のように構成した画像撮像装置
2で撮像した画像により感光体1の欠陥と欠陥の種類を
検出する欠陥検出装置について説明する。欠陥検出装置
20は、図5のブロック図に示すように、画像撮像装置
2と画像処理部21を有する。画像処理部21は、画像
撮像装置2の撮像手段4がアナログカメラの場合であれ
ばA/D変換部22と特異領域抽出部23と特徴量算出
部24及び欠陥判定部25を有する。撮像手段4として
アナログカメラを用いた際にA/D変換部22は画像撮
像装置2の撮像手段4で撮像した画像をA/D変換して
多値画像を形成する。特異領域抽出部23は形成された
多値画像の特異領域を抽出する。特徴量算出部24は抽
出された特異領域の特徴量を算出する。欠陥判定部25
は算出された特徴量から欠陥の種類を判定する。ここで
撮像手段4がデジタルカメラの場合は、デジタル8ビッ
ト等で出力が直接なされるため、A/D変換部22は不
要である。
【0023】上記のように構成した欠陥検出装置20で
画像撮像装置2の不可視光照明装置3から感光体1に近
赤外線を照射し、感光体1からの拡散反射近傍光を撮像
手段4で受光し、受光した光に含まれる情報から不可視
欠陥画像信号を表示装置5に出力して画像を表示すると
ともに画像処理部21に出力する。画像処理部21は送
られた画像信号を撮像手段4としてアナログカメラを用
いた場合はA/D変換して、例えば輝度情報をZ軸と
し、位置情報をX軸とY軸にした多値画像を形成し、表
示装置5に表示するとともに特異領域抽出部23に送
る。特異領域抽出部23は送られた多値画像の特異領域
である欠陥の候補領域を抽出して、特異領域の情報を特
徴量算出部24に送る。特徴量算出部24は送られた特
異領域の情報から例えばフラクタル解析により特徴量を
算出し、フラクタル次元で画像の濃度曲面の起伏等を表
わす。欠陥検出部25は算出された特異領域の特徴量か
ら欠陥の種類を判定し、欠陥の種類とその位置を表示装
置5に表示する。
【0024】このようにして感光体1の内部層7の高吸
光度波長領域に依存する濃淡ムラ等の不可視欠陥や透明
表面層8の凸凹欠陥を精度良く検出することができる。
したがって複写機やプリンタ用に使用する感光体1の品
質を高く維持することができ、良質な画像を形成するこ
とができる。
【0025】上記実施例はデジタル対応の感光体1の内
部層7の濃淡ムラ等の不可視欠陥や透明表面層8の凸凹
欠陥を検出する場合について説明したが、表面に透明層
を設けたり色素を表面に塗布した各種製品の内部の疵や
塗りムラ等の欠陥も同様にして検出することができる。
【0026】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、被検査
物の表面に視感度から外れた波長領域の光を照射し、被
検査物からの拡散反射近傍光を受光して画像を撮像する
ようにしたから、被検査物の内部欠陥の画像と表面欠陥
の画像を高感度で撮像することができる。
【0027】また、デジタル対応の積層型電子写真感光
体の表面に視感度から外れた波長領域の光を照射し、感
光体からの拡散反射近傍光を受光して画像を撮像するよ
うにしたから、検査員の視認し難いデジタル対応の積層
型電子写真感光体の内部有色層の濃度ムラ欠陥を高感度
で撮像することができる。
【0028】さらに、不可視光として近赤外線を照射す
ることにより、感光体のデジタル化に対応した吸光度の
ピーク波長領域の半導体レーザ発振波長である近赤外線
領域シフトに対応でき、感光体の内部有色層の濃度ムラ
欠陥の画像コントラストを高くすることができるととも
に紫外線による感光体の電荷移動層に含まれる電子供与
体(ドナー)の光ダメージを抑えることができる。
【0029】また、感光体に照射する不可視光のピーク
波長領域と、感光体からの拡散反射近傍光を受光する撮
像手段の分光感度ピーク波長領域を感光体の内部層にお
ける高吸光度である波長帯域と一致させることにより、
濃度ムラ欠陥の画像コントラストをより高め、感光体の
内部層の情報のS/Nを向上し、塗工ムラ等の電荷発生
層における欠陥画像を高感度で撮像することができる。
【0030】また、撮像手段に1次元積算段数型CCD
センサを用いることにより、従来型の1次元CCDセン
サと比べて積算段数分の露光時間を多く素子に与えるこ
とができ、低コントラストの感光体でも照射光量を大き
くすることなく、必要最低限の照射エネルギで光ダメー
ジを押さえながら濃度ムラ欠陥等を高感度で撮像でき
る。
【0031】さらに、画像撮像装置で撮像した画像を画
像処理して欠陥の種類を判定することにより、デジタル
対応の積層型電子写真感光体や表面に透明層を設けたり
色素を表面に塗布した各種製品の内部の疵や塗りムラ等
の欠陥を精度良く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例の画像撮像装置の構成図であ
る。
【図2】感光体の構成と入射光と反射光及び拡散反射光
を示す断面図である。
【図3】感光体の内部層の分光吸収特性図である。
【図4】撮像手段の比感度特性図である。
【図5】この発明の実施例の欠陥検出装置の構成を示す
ブロック図である。
【符号の説明】
1;感光体、2;画像撮像装置、3;不可視光光源、
4;撮像手段、5;表示装置、6;ベース、7;内部
層、8;透明表面層、20;欠陥検出装置、21;画像
処理部、22;A/D変換部、23;特異領域抽出部、
24;特徴量算出部、25;欠陥判定部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不可視光光源と撮像手段と表示装置とを
    有し、 不可視光光源は視感度から外れた波長領域の光を被検査
    物の表面に照射し、撮像手段は被検査物からの拡散反射
    近傍光を受光して光電変換し、視感度から外れた不可視
    欠陥画像信号を出力し、表示装置は撮像手段から出力し
    た欠陥画像信号により欠陥画像を表示することを特徴と
    する画像撮像装置。
  2. 【請求項2】 不可視光光源と撮像手段と表示装置とを
    有し、 不可視光光源は視感度から外れた波長領域の光をデジタ
    ル対応の積層型電子写真感光体の表面に照射し、撮像手
    段は積層型電子写真感光体からの拡散反射近傍光を受光
    して光電変換し、視感度から外れた不可視欠陥画像信号
    を出力し、表示装置は撮像手段から出力した欠陥画像信
    号により欠陥画像を表示することを特徴とする画像撮像
    装置。
  3. 【請求項3】 上記不可視光照明手段は不可視光として
    近赤外線を照射する請求項2記載の画像撮像装置。
  4. 【請求項4】 上記不可視光照明手段から出射する光の
    ピーク波長領域と、撮像手段の分光感度ピーク波長領域
    を積層型電子写真感光体の内部層における高吸光度であ
    る波長帯域と一致させる請求項2又は3記載の画像撮像
    装置。
  5. 【請求項5】 上記撮像手段に1次元積算段数型CCD
    センサを用いた請求項1乃至4のいずれかに記載の画像
    撮像装置。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載の画像
    撮像装置と、画像撮像装置で撮像した画像の情報から欠
    陥の種類を判定する画像処理部とを有することを特徴と
    する欠陥検出装置。
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