JP2006162427A - Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置 - Google Patents

Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006162427A
JP2006162427A JP2004354191A JP2004354191A JP2006162427A JP 2006162427 A JP2006162427 A JP 2006162427A JP 2004354191 A JP2004354191 A JP 2004354191A JP 2004354191 A JP2004354191 A JP 2004354191A JP 2006162427 A JP2006162427 A JP 2006162427A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
led chip
image data
chip
irradiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004354191A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Motonaga
郁夫 元永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2004354191A priority Critical patent/JP2006162427A/ja
Publication of JP2006162427A publication Critical patent/JP2006162427A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

【課題】 凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップにおいて、外観検査の自動化を図ることが可能なLEDチップの検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】 凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップ1を所定位置に保持する工程と、前記LEDチップ1に、その裏面側より第1の光4bを照射し、前記LEDチップ1の表面側への透過光より第1の画像データを取得する工程と、前記第1の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、前記LEDチップ1に、その表面直上より第2の光5bを照射し、前記LEDチップ1表面からの正反射光より第2の画像データを取得する工程と、前記第2の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、前記LEDチップ1に、その斜め上部からの光を含む第3の光7bを照射し、前記LEDチップ1表面からの乱反射光より第3の画像データを取得する工程と、前記第3の画像データを演算処理し、良否判定をする工程を備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、特に凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップの検査方法及び検査装置に関する。
近年、LED等の光半導体素子の外観検査において、検査の自動化が種々検討されており、形成された素子に光を照射し、その反射光を画像処理する等の手法が用いられている(例えば特許文献1参照)。
図17に示すように、電極が形成・分離され、ステージ102上に載置されたチップ101に対して、上方の光源105aより同軸光105bを照射すると、チップ表面からの反射光105b’は、チップ表面と電極面の反射率が異なるため、上方のCCDカメラ108により異なる輝度として画像認識される。従って、チップ形状、位置を認識するとともに、電極形状、位置についても画像認識され、例えば、基準画像との差分を取るなどの演算処理を行うことにより、チップ、電極夫々の形状不良の抽出の自動化を図ることができる。
近年、LED等の光半導体素子において、光取り出し面に凹凸を形成して発光効率の向上を図ったものが開発されている。図18に示すような凹凸の形成された光取り出し面222側に電極223が形成されたLEDチップ201において、上述のように同軸光を照射して外観検査を行うと、電極表面は鏡面であるため正反射し、形状検出することが可能であるが、光取り出し面は光が乱反射するため、反射光を検出することができず、位置・形状の検出ができない、という問題があった。このとき、光量を上げると乱反射部分の位置・形状検出が可能となるが、今度は電極表面の反射光によりCCDカメラ側の感度が飽和し、ハレーションを起こすため、画像認識が困難となる。
特開2002−31604号公報
本発明は、凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップにおいて、外観検査の自動化を図ることが可能なLEDチップの検査方法及び検査装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップを所定位置に保持する工程と、前記LEDチップに、その裏面側より第1の光を照射し、前記LEDチップの表面側への透過光より第1の画像データを取得する工程と、前記第1の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、前記LEDチップに、その表面直上より第2の光を照射し、前記LEDチップ表面からの正反射光より第2の画像データを取得する工程と、前記第2の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、前記LEDチップに、その斜め上部からの光を含む第3の光を照射し、前記LEDチップ表面からの乱反射光より第3の画像データを取得する工程と、前記第3の画像データを演算処理し、良否判定をする工程を備えることを特徴とするLEDチップの検査方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップを所定位置に保持する保持手段と、前記LEDチップにその裏面側より第1の光を照射する第1の光源と、前記LEDチップにその表面直上より第2の光を照射する第2の光源と、前記LEDチップにその斜め上部からの光を含む第3の光を照射する第3の光源と、前記LEDチップの表面側上部で、第1の光の透過光による第1の画像データ、第2の光の正反射光による第2の画像データ、及び第3の光の乱反射光による第3の画像データを取得する手段と、夫々前記第1乃至第3の画像データを演算処理し、良否判定する手段を備えることを特徴とするLEDチップの検査装置が提供される。
本発明の一実施態様によれば、凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップにおいて、外観検査の自動化を図ることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態におけるLEDチップの検査装置を示す。図に示すように、凹凸状態の表面上に電極が形成された後、200μm□程度のチップにダイシングされ、フィルム(図示せず)上に分離された複数の被検査LEDチップ1を保持するステージ2に、被検査LEDチップ1を所定位置に移動させるための駆動制御手段3が接続されている。
そして、ステージ2の下方には、被検査LEDチップ1の裏面から光を照射するバックライト照明が設置されている。このバックライト照明は、ステージ2及びフィルムを透過可能な、例えば2個の波長650〜700nmの赤色LEDからなる光源4aと、光4bを伝達、照射する光ファイバー4dを備え、さらに、これを制御する制御手段4c、上下に駆動する駆動手段4eが設けられている。
また、ステージ2の上方には、被検査LEDチップ1の直上から光を照射する同軸落射照明が設置されている。この同軸落射照明は、例えば5個の緑色LEDからなる光源5aが、半透過鏡6を介して被検査LEDチップ1に光5bが照射されるように構成されており、制御手段5cと接続されている。
そして、ステージ2の斜め上方には、被検査LEDチップ1の斜め上方から光を照射するリング射光照明が設置されている。このリング射光照明は、図2に示すような例えば外径48mm、内径30mmのリング7d中に、例えば50〜70個の赤色LEDからなる光源7aが環状に配置され、光源7aから光7bがステージ2面の法線に対して60°程度で照射されるように構成されており、これらは制御手段7cと接続されている。
さらに、ステージ2上方には、これらの光源4a、5a、7aによる反射/透過光を、半透過鏡6を介して検知し、一視野(例えば16p)毎の画像データを取得するCCDカメラ8が設置されており、取得された画像データを処理、演算する画像処理・演算手段9と接続されている。
このような検査装置を用いて、被検査LEDチップ1をステージ2上の検査位置に保持し、LEDチップの外観検査を行なう。
図3にフローチャートを示すように、最初に、バックライト照明を用いて取得されるシルエット画像データによる外形検査を行う。先ず、ステージ2下方より、被検査LEDチップ1の裏面側に、制御手段4dにより制御された光源4aから、赤色光4bを、駆動手段4eにより所定の位置に設置された光ファイバー4cを介して照射する(ステップ1a)。次いで、CCDカメラ8において、ステージ2及びフィルムを透過した光4b’を検出し(ステップ1b)、シルエット画像(チップの外形)データを取得する。そして、図4に示すように、取得された画像データを二値化処理し(ステップ1c)、二値化画像データ11を取得し、チップの重心(不良除去位置)12を算出(ステップ1d)する。さらに、図5(a)に示すようなチップ外形(面積)の異常、図5(b)に示すようなチップ整列の乱れ(チップ間隔の不均一)等の欠陥部を抽出し(ステップ1e)、基準以上の欠陥部が抽出されたチップを不良チップとして検出する(ステップ1f)。
次に、同軸落射照明を用いて取得される正反射画像データによる電極部検査を行う。今度はステージ2直上より、制御手段5cにより制御された光源5aから、半透過鏡6を介して、緑色光5bを照射する(ステップ2a)。そして、CCDカメラ8において、光5bの正反射光5b’を検出し(ステップ2b)、図6に示すように、電極の形状データ(画像データ13)を取得する。取得された画像データ13を、図7に示すように、二値化、アフィン変換処理を行い(ステップ2c)、二値化画像データ14を得る。
一方、予め図8に示す基準画像データ15を登録し、これを異なる輝度(濃度)により二値化処理を行い、図9に示す収縮画像データ16、図10に示す膨張画像データ17の2つの基準二値化画像データを取得しておく。
そして、先ず図11に示すように、二値化画像データ14aと、二値化収縮画像データ16の差分を取ることにより、欠陥部18を抽出し、次に図12に示すように、二値化画像データ14bと、二値化膨張画像データ17との差分を取ることにより、欠陥部19を抽出する(ステップ2d)。さらに、図13に示すように、基準以上の欠陥部が抽出されたチップを不良チップとして検出する(ステップ2e)。ここで、図13(a)は電極重心ずれ、(b)は電極汚れ、(c)は電極キズ、(d)は電極欠損、(e)は電極剥れ、(f)は電極クワレ、(g)は電極荒れ、(h)はボイドによる欠陥である。
ここで、図14に示すように、これまで求められた二値化画像データ11、14の和となる演算データ20を取り、さらにこれを収縮処理することにより、チップ表面の電極部以外のエリア(検査エリア:黒色部分)21を設定する(ステップ3)。
次に、同軸落射照明及びリング射光照明用いて取得される乱反射画像データによる電極部以外のエリア検査を行う。今度はステージ2直上の光源5aからの緑色光5bに加えて、制御手段7cにより制御されたステージ2斜め上方の環状光源7aから、赤色光7bを、被検査LEDチップ1の表面側に照射する(ステップ4a)。次いで、CCDカメラ8において、光5b及び7bの乱反射光5b”、7b’を検出し(ステップ4b)、図15に示すように、先に得られた検査エリア21内における画像データ22を取得する。そして、画像データ22において、輝度(濃度)が、予め設定した基準範囲を外れた領域を、欠陥部として抽出する(ステップ4c)。さらに、図16に示すように、欠陥部が抽出されたチップを不良チップとして検出する(ステップ4d)。ここで、図16(a)は異物付着、(b)はペレット欠け、(c)は糊残り、(d)は金残り、(e)はボイドによる欠陥である。
さらに、これら外観検査に引き続き、検出された不良チップを除去する。このとき、外観検査により検出された不良チップは、外形検査において算出された重心12において、針状の抽出手段(図示せず)により押し上げられ、吸着手段(図示せず)により吸着・除去される(ステップ5)。
このようにして、凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップにおいて、凹凸状態のチップ表面と、鏡面状態の電極内部の外観検査を同時に行うことが可能となる。そして、これにより、検査処理能力が向上し、検査コストダウンを図ることができる。
また、外形検査によりチップ重心位置を正確に算出することが可能となるため、不良チップの除去の際、隣接するチップに影響を与えることなく、該当チップを抽出し、吸着・除去することが可能となる。
本実施形態において、光源4aにおいて、赤色LEDを用いたが、チップ形状を認識するために十分な光量が得られていれば特に限定されるものではなく、緑色LED、青色LED或いはこれらを混在して用いることも可能である。その場合、例えば赤色LEDを用いたときのチップ数を2とすると、緑色LEDでは4程度、青色LEDでは6程度というように、所定の光量が得られるように調整すれば良い。また、光源4aより光ファイバー4cを介して光4bが照射されているが、これは、被検査LEDチップ1の検査位置移動の際、下方に移動させることを可能にするためであり、光ファイバーを用いることに限定されるものではない。また、直接照射することも可能である。
また、光源5aにおいて、緑色LEDを用いたが、電極部の欠陥を確実に抽出するためには、発光波長500nm以下で単波長のものを用いることが好ましく、紫外領域を含んでいても良い。また、検査領域直上(ステージ2面の法線上)から照射する必要があるが、±5°程度までであれば傾斜していても良い。
また、光源7aにおいて、照射角度をステージ2面の法線に対して60°程度としたが、CCDカメラ8において、乱反射光を効率よく検出するためには、60°±15°とすることが好ましい。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の一態様におけるLED検査装置を示す図。 本発明の一態様におけるリング射光照明を示す図。 本発明の一態様におけるフローチャートを示す図。 本発明の一態様におけるシルエット画像(チップの外形)を示す図。 本発明の一態様における不良チップを示す図。 本発明の一態様における電極の形状を示す図。 本発明の一態様における電極の形状の二値化画像を示す図。 本発明の一態様における基準画像を示す図。 本発明の一態様における二値化収縮画像を示す図。 本発明の一態様における二値化膨張画像を示す図。 本発明の一態様において抽出された欠陥部を示す図。 本発明の一態様において抽出された欠陥部を示す図。 本発明の一態様における不良チップを示す図。 本発明の一態様において設定される検査エリアを示す図。 本発明の一態様における検査エリア内の画像を示す図。 本発明の一態様における不良チップを示す図。 従来のLEDチップの検査装置を示す図。 光取り出し面に凹凸を形成されたLEDチップを示す図。
符号の説明
1、101、201 LEDチップ 2、102 ステージ 3 駆動制御手段 4 バックライト照明 5、105 同軸落射照明 6 半透過鏡 7 リング射光照明 8、108 CCDカメラ 9 画像処理手段 13、22 画像データ 11、14 二値化画像データ 12 チップの重心(不良除去位置) 15 基準画像データ 16 二値化収縮画像データ 17 二値化膨張画像データ 18、19 欠陥部 20 演算データ 21 検査エリア 222 光取り出し面(凹凸) 223 電極

Claims (5)

  1. 凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップを所定位置に保持する工程と、
    前記LEDチップに、その裏面側より第1の光を照射し、前記LEDチップの表面側への透過光より第1の画像データを取得する工程と、
    前記第1の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、
    前記LEDチップに、その表面直上より第2の光を照射し、前記LEDチップ表面からの正反射光より第2の画像データを取得する工程と、
    前記第2の画像データを演算処理し、良否判定をする工程と、
    前記LEDチップに、その斜め上部からの光を含む第3の光を照射し、前記LEDチップ表面からの乱反射光より第3の画像データを取得する工程と、
    前記第3の画像データを演算処理し、良否判定をする工程を備えることを特徴とするLEDチップの検査方法。
  2. 夫々の前記良否判定により不良と判断されたLEDチップを除去する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDチップの検査方法。
  3. 前記第2の光は、波長500nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のLEDチップの検査方法。
  4. 凹凸状態の表面上に電極が形成されたLEDチップを所定位置に保持する保持手段と、
    前記LEDチップにその裏面側より第1の光を照射する第1の光源と、
    前記LEDチップにその表面直上より第2の光を照射する第2の光源と、
    前記LEDチップにその斜め上部からの光を含む第3の光を照射する第3の光源と、
    前記LEDチップの表面側上部で、第1の光の透過光による第1の画像データ、第2の光の正反射光による第2の画像データ、及び第3の光の乱反射光による第3の画像データを取得する手段と、
    夫々前記第1乃至第3の画像データを演算処理し、良否判定する手段を備えることを特徴とするLEDチップの検査装置。
  5. 前記良否判定により不良と判断されたLEDチップを除去する手段を備えることを特徴とする請求項4に記載のLEDチップの検査装置。
JP2004354191A 2004-12-07 2004-12-07 Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置 Pending JP2006162427A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004354191A JP2006162427A (ja) 2004-12-07 2004-12-07 Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004354191A JP2006162427A (ja) 2004-12-07 2004-12-07 Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006162427A true JP2006162427A (ja) 2006-06-22

Family

ID=36664619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004354191A Pending JP2006162427A (ja) 2004-12-07 2004-12-07 Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006162427A (ja)

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010008266A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Panasonic Corp 金属シートの検査方法および電池の製造方法
JP2010107254A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Panasonic Electric Works Co Ltd Ledチップ検査装置、ledチップ検査方法
WO2011030993A1 (ko) * 2009-09-14 2011-03-17 주식회사 탑 엔지니어링 양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치
CN102087226A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 三星Led株式会社 Led测试装置及其测试方法
EP2330406A1 (en) 2009-12-03 2011-06-08 Samsung LED Co., Ltd. LED testing apparatus and testing method thereof
CN102243186A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 久元电子股份有限公司 芯片外观检测方法
CN102279195A (zh) * 2011-04-18 2011-12-14 首雷光电科技(厦门)有限公司 一种led芯片外观目检方法
KR101101132B1 (ko) 2007-11-23 2012-01-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
JP2012013474A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Daiichi Jitsugyo Viswill Co Ltd チップled検査装置
JP2012052991A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Topcon Corp 検査装置
JP2012122824A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Ihi Corp 水中目視検査装置
JP2012208122A (ja) * 2011-03-28 2012-10-25 Samsung Led Co Ltd 発光素子検査装置およびその検査方法
JP2012208121A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Samsung Led Co Ltd 発光素子の検査装置及び方法
US8331649B2 (en) 2008-06-04 2012-12-11 Samsung Electronics Co., Ltd. LED testing apparatus and testing method thereof
JP2013024584A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Topcon Corp 検査装置
CN102944563A (zh) * 2012-09-28 2013-02-27 肇庆中导光电设备有限公司 具有透射及反射光源的照明装置、检测系统及其检测方法
JP2013228404A (ja) * 2013-06-28 2013-11-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 撮像装置
JP2013257246A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Daido Steel Co Ltd 物品の検査装置
WO2014007542A1 (ko) * 2012-07-06 2014-01-09 주식회사 미르기술 비접촉식 발광다이오드 검사장치와 이를 이용한 검사방법
CN103512491A (zh) * 2012-06-18 2014-01-15 三星泰科威株式会社 检测led的磷光体的位置的设备和方法以及安装透镜的方法
CN104132946A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 政美应用股份有限公司 Led圆片检测装置及其方法
JP2015523577A (ja) * 2012-07-25 2015-08-13 セラノス, インコーポレイテッド 生物学的サンプルの画像分析および測定
JP2016513255A (ja) * 2013-02-18 2016-05-12 セラノス, インコーポレイテッド 生物学的サンプルの画像分析および測定
US9784670B1 (en) 2014-01-22 2017-10-10 Theranos, Inc. Unified detection system for fluorometry, luminometry and spectrometry
US9989470B1 (en) 2013-06-19 2018-06-05 Theranos Ip Company, Llc Methods and devices for sample analysis
CN109342443A (zh) * 2018-11-16 2019-02-15 博众精工科技股份有限公司 视觉检测背光源及其视觉检测装置
CN109765236A (zh) * 2017-11-09 2019-05-17 阳程科技股份有限公司 光路检测装置及其检测方法
KR20190053360A (ko) * 2017-11-10 2019-05-20 삼성전자주식회사 Led 검사 장치 및 그 방법
JP2019117104A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社マイクロ・テクニカ 検査装置
CN110542393A (zh) * 2018-05-28 2019-12-06 阳程科技股份有限公司 板材的倾角测量装置及测量方法
JP2020046393A (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 東レエンジニアリング株式会社 チップ体の検査装置
US10768105B1 (en) 2016-07-29 2020-09-08 Labrador Diagnostics Llc Image analysis and measurement of biological samples
JP2022013913A (ja) * 2020-07-02 2022-01-18 由田新技股▲ふん▼有限公司 基板用の配線計測システム及びその方法
CN116626064A (zh) * 2023-06-02 2023-08-22 奈米科学仪器设备(上海)有限公司 一种基于多层多色环形光源的芯片外观检测装置及方法

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101132B1 (ko) 2007-11-23 2012-01-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
US8331649B2 (en) 2008-06-04 2012-12-11 Samsung Electronics Co., Ltd. LED testing apparatus and testing method thereof
JP2010008266A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Panasonic Corp 金属シートの検査方法および電池の製造方法
JP2010107254A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Panasonic Electric Works Co Ltd Ledチップ検査装置、ledチップ検査方法
WO2011030993A1 (ko) * 2009-09-14 2011-03-17 주식회사 탑 엔지니어링 양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치
EP2330406A1 (en) 2009-12-03 2011-06-08 Samsung LED Co., Ltd. LED testing apparatus and testing method thereof
CN102087226A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 三星Led株式会社 Led测试装置及其测试方法
CN102243186A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 久元电子股份有限公司 芯片外观检测方法
JP2012013474A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Daiichi Jitsugyo Viswill Co Ltd チップled検査装置
JP2012052991A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Topcon Corp 検査装置
JP2012122824A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Ihi Corp 水中目視検査装置
JP2012208122A (ja) * 2011-03-28 2012-10-25 Samsung Led Co Ltd 発光素子検査装置およびその検査方法
US8922643B2 (en) 2011-03-28 2014-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for inspecting light emitting diode and inspecting method using said apparatus
TWI494559B (zh) * 2011-03-28 2015-08-01 Samsung Electronics Co Ltd 用於檢查發光二極體之設備及使用該設備之檢查方法
JP2012208121A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Samsung Led Co Ltd 発光素子の検査装置及び方法
CN102279195A (zh) * 2011-04-18 2011-12-14 首雷光电科技(厦门)有限公司 一种led芯片外观目检方法
JP2013024584A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Topcon Corp 検査装置
JP2013257246A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Daido Steel Co Ltd 物品の検査装置
CN103512491A (zh) * 2012-06-18 2014-01-15 三星泰科威株式会社 检测led的磷光体的位置的设备和方法以及安装透镜的方法
CN107655407A (zh) * 2012-06-18 2018-02-02 韩华泰科株式会社 检测led的磷光体的位置的设备和方法以及安装透镜的方法
WO2014007542A1 (ko) * 2012-07-06 2014-01-09 주식회사 미르기술 비접촉식 발광다이오드 검사장치와 이를 이용한 검사방법
KR101350214B1 (ko) 2012-07-06 2014-01-16 주식회사 미르기술 비접촉식 발광다이오드 검사장치와 이를 이용한 검사방법
TWI509261B (zh) * 2012-07-06 2015-11-21 Mirtec Co Ltd 非接觸式發光二極體的檢測裝置和利用其的檢測方法
US11300564B2 (en) 2012-07-25 2022-04-12 Labrador Diagnostics Llc Image analysis and measurement of biological samples
JP2015523577A (ja) * 2012-07-25 2015-08-13 セラノス, インコーポレイテッド 生物学的サンプルの画像分析および測定
JP2021167840A (ja) * 2012-07-25 2021-10-21 ラブラドール ダイアグノスティクス エルエルシー 生物学的サンプルの画像分析および測定
JP2018031798A (ja) * 2012-07-25 2018-03-01 セラノス, インコーポレイテッドTheranos, Inc. 生物学的サンプルの画像分析および測定
JP2020020805A (ja) * 2012-07-25 2020-02-06 セラノス アイピー カンパニー エルエルシー 生物学的サンプルの画像分析および測定
US10345303B2 (en) 2012-07-25 2019-07-09 Theranos Ip Company, Llc Image analysis and measurement of biological samples
US10302643B2 (en) 2012-07-25 2019-05-28 Theranos Ip Company, Llc Image analysis and measurement of biological samples
US10823731B2 (en) 2012-07-25 2020-11-03 Labrador Diagnostics Llc Image analysis and measurement of biological samples
CN102944563B (zh) * 2012-09-28 2016-02-24 肇庆中导光电设备有限公司 具有透射及反射光源的照明装置、检测系统及其检测方法
CN102944563A (zh) * 2012-09-28 2013-02-27 肇庆中导光电设备有限公司 具有透射及反射光源的照明装置、检测系统及其检测方法
JP2016513255A (ja) * 2013-02-18 2016-05-12 セラノス, インコーポレイテッド 生物学的サンプルの画像分析および測定
CN104132946A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 政美应用股份有限公司 Led圆片检测装置及其方法
US11262308B2 (en) 2013-06-19 2022-03-01 Labrador Diagnostics Llc Methods and devices for sample analysis
US9989470B1 (en) 2013-06-19 2018-06-05 Theranos Ip Company, Llc Methods and devices for sample analysis
US10816475B2 (en) 2013-06-19 2020-10-27 Labrador Diagnostics Llc Methods and devices for sample analysis
US10466178B2 (en) 2013-06-19 2019-11-05 Theranos Ip Company, Llc Methods and devices for sample analysis
JP2013228404A (ja) * 2013-06-28 2013-11-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 撮像装置
US9784670B1 (en) 2014-01-22 2017-10-10 Theranos, Inc. Unified detection system for fluorometry, luminometry and spectrometry
US9835548B1 (en) 2014-01-22 2017-12-05 Theranos, Inc. Unified detection system for fluorometry, luminometry and spectrometry
US10845299B2 (en) 2014-01-22 2020-11-24 Labrador Diagnostics Llc Unified detection system for fluorometry, luminometry and spectrometry
US10768105B1 (en) 2016-07-29 2020-09-08 Labrador Diagnostics Llc Image analysis and measurement of biological samples
CN109765236A (zh) * 2017-11-09 2019-05-17 阳程科技股份有限公司 光路检测装置及其检测方法
KR20190053360A (ko) * 2017-11-10 2019-05-20 삼성전자주식회사 Led 검사 장치 및 그 방법
KR102525689B1 (ko) 2017-11-10 2023-04-25 삼성전자주식회사 Led 검사 장치 및 그 방법
JP2019117104A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社マイクロ・テクニカ 検査装置
CN110542393A (zh) * 2018-05-28 2019-12-06 阳程科技股份有限公司 板材的倾角测量装置及测量方法
JP2020046393A (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 東レエンジニアリング株式会社 チップ体の検査装置
CN109342443A (zh) * 2018-11-16 2019-02-15 博众精工科技股份有限公司 视觉检测背光源及其视觉检测装置
JP2022013913A (ja) * 2020-07-02 2022-01-18 由田新技股▲ふん▼有限公司 基板用の配線計測システム及びその方法
JP7266070B2 (ja) 2020-07-02 2023-04-27 由田新技股▲ふん▼有限公司 基板用の配線計測システム及びその方法
CN116626064A (zh) * 2023-06-02 2023-08-22 奈米科学仪器设备(上海)有限公司 一种基于多层多色环形光源的芯片外观检测装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006162427A (ja) Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置
TWI330253B (ja)
US8426223B2 (en) Wafer edge inspection
TWI617801B (zh) 晶圓檢查方法以及晶圓檢查裝置
TWI491871B (zh) 用於光學檢測的照明系統及使用其之檢測系統、檢測方法
JP4713279B2 (ja) 照明装置及びこれを備えた外観検査装置
JP2010107254A (ja) Ledチップ検査装置、ledチップ検査方法
KR101721965B1 (ko) 투명 기판의 외관 검사 장치 및 외관 검사 방법
JP5854531B2 (ja) プリント基板の検査装置
US10739278B2 (en) Contact lens defect inspection using UV illumination
WO2011086634A1 (ja) 液晶パネル検査方法及び装置
JP5830229B2 (ja) ウエハ欠陥検査装置
KR20150099956A (ko) 렌즈 검사 장치
JP2009036710A (ja) 検査装置
JPS6238348A (ja) 光学的表面欠陥検査方法
JP2006138830A (ja) 表面欠陥検査装置
JP2015094642A (ja) 探傷装置
KR101496993B1 (ko) 디스플레이 패널 검사방법
JP2003247953A (ja) 液晶パネル外観検査方法及び検査装置
KR100785308B1 (ko) 칩 엘이디 표면 검사 방법 및 장치
JP2009042093A (ja) 電子部品検査装置および電子部品検査方法
TW382061B (en) Carrier for substrate and defect inspection apparatus for substrate
KR20100053038A (ko) 웨이퍼 결함의 검사장치 및 검사방법
JP5868203B2 (ja) 検査装置
JP2003240732A (ja) 金めっき欠陥検査装置