JP5562424B2 - 2つの基板を位置合わせするための装置 - Google Patents

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Description

本発明は、請求項1に記載の、第1の基板の第1の接触面を第2の基板の第2の接触面と位置合わせするための装置、及び請求項10に記載の対応する方法に関する。
2つの基板、例えばウェハ、特に不透明なウェハの接触面を相互に配置及び位置合わせするために、様々な手順が知られている。
知られている手順の1つは、ある特定の視点に対してそれぞれ較正された2対の顕微鏡を使用するものである。位置合わせのために、まず下側のウェハを上側の顕微鏡の下に移動させ、その顕微鏡を下側のウェハに対して位置合わせし、位置を固定し、ウェハの2つの位置合わせキーを記憶する。次いで、下側の顕微鏡を用いて、上側のウェハを記憶された位置合わせキーに対して位置合わせする。次いで、下側のウェハをその元の位置に移動させ、ウェハを接触させる。上述の方法により、位置決めにおいて高い精度を得ることができる。しかしながら、このシステムは、両ウェハ上で相互に検知された2つの位置合わせキーの相対位置に基づいて機能するだけであり、したがって、顕微鏡の相互の較正及び位置合わせ時のウェハの移動によって、位置合わせに誤差が生じる可能性がある。さらに、ウェハ上の測定点の数が制限される。上述の方法は、特許文献1に記載されている。
他の手法は、2つの位置合わせキーを互いに対向して位置合わせするために、接触させるウェハ間に2対の顕微鏡を配置し、次いで顕微鏡を移動させて外し、最後にウェハを厳密に互いに上下するように移動させるものである。これに関連して、ウェハ相互の相対的な動き及び位置合わせキーの相対的な検知によって、対応する誤差が生じる可能性がある。
知られている位置合わせ技術の位置合わせ精度は、0.5μmの範囲内であり、例えばチップなど、ウェハ上に置かれ、相互に位置合わせすることができる構造体の配置、及びウェハ上の所与の位置又は公称位置からの起こり得るチップの偏位は、今までのところ考慮されていない。3D集積化への関心の高まりによって穿孔部の間隔及び大きさが減少しており、したがって、より正確な位置合わせには多くの要求が存在する。今まで可能であった調整精度がこうした偏位の10倍をはるかに超えていたため、位置合わせ構造体の公称位置からの偏位は今まで無視されてきた。偏位は一般に100nm未満である。
既存の手法の主な問題の1つは、構成要素の互いに対する移動の機械的な精度である。
他の問題は、光学系機器の、ウェハからの必要な作動距離に基づく光学的な検知の精度にある。典型的な位置合わせ装置(例えば特許文献1)では、作動距離は、基板用の保持装置を光学系機器の間で移動させることができるように十分大きくしなければならない。この距離の必要性によって、これら顕微鏡の使用可能な最大倍率、したがって、位置合わせキーに対して達成可能な最大の検知精度、及びその結果生じる位置合わせ精度が制限される。
ウェハ間での光学系機器の配置においては、光学系機器をウェハの接触面に対して垂直に位置合わせすることが別の態様であり、この態様は、ミクロン又はナノメートルの範囲の誤りが生じる。
米国特許第6,214,692号明細書
したがって、本発明の目的は、特にウェハの表面全体に関するより高い位置合わせ精度が得られ、かつ位置合わせ精度に関連して不良要因が最小限に抑えられるように、一般的な装置又は一般的な方法を改善することである。さらに、本発明の目的は、ウェハの位置合わせにおけるスループットを高めることである。
この目的は、請求項1及び10の特徴によって達成される。本発明の有利な展開は、従属請求項に示される。本発明の構成は、明細書、特許請求の範囲及び/又は図面に示される少なくとも2つの特徴の組み合わせもすべて含む。示される値の範囲については、示される範囲内にある値は境界値として開示され、任意の組み合わせとして請求され得る。
本発明の目的は、位置合わせされる2つの基板の位置合わせキーのX−Y位置を、基板の動きから独立した少なくとも1つのX−Y座標系において検知又は測定することが可能であり、したがって、第1の基板の位置合わせキーを、第2の基板の関連する位置合わせキーの相関によって対応する位置合わせ位置に位置合わせすることができる、装置及び方法を考案することである。この装置及び方法では、<0.25μm、特に<0.15μm、好ましくは<0.1μmの位置合わせ精度を実現することができる。
換言すれば、この装置は、特に専らX及びY方向における基板の移動を検知するための手段を利用可能とし、少なくとも1つの固定された、特に静止した参照点に対して参照され、したがって、少なくともX及びY方向における対応する位置合わせキーの厳密な位置合わせを可能にする。
これは特に、位置合わせキーのX−Y位置を検知するための検知手段に加えて、基板の位置、特に固定された基板を保持するプラットフォームの位置を検知するための別の位置検知手段が存在することによって可能になる。X及びY方向におけるプラットフォームの移動に対しては、位置検知手段は、レーザ干渉計及び/又はリニアモータとすることができる。
第1の基板上の位置合わせキーのX−Y位置が、割り当てられた第1のX−Y座標系に第1の検知手段によって伝えられ、また特に同時に、第2の基板上の位置合わせキーのX−Y位置が、割り当てられた、特に第1のX−Y座標系と同一の第2のX−Y座標系に第2の検知手段によって伝えられる。この検知位置では、特に第1の基板の位置の間接的な検知のために、第1の基板のX−Y位置が位置検知手段によって検知されるとともに、特に第2の基板の位置の間接的な検知のために、第2の基板のX−Y位置が、特に同時に位置検知手段によって検知される。
例えば位置合わせ又は位置決めのために基板のうちの1つの移動が必要である限り、移動は、例えばリニアモータによって達成可能な位置合わせ精度より少なくとも5倍、特に10倍、好ましくは50倍正確である、本質的に知られている駆動装置によって実施される。駆動手段は同時に、位置検知手段として用いることができる。このように基板のX−Y位置が認識される。位置決め時の誤差をさらに最小限に抑えるために、受け取り手段及び/又は固定された基板を保持するプラットフォームの位置が、少なくとも10倍、特に50倍、好ましくは100倍正確である位置検知手段、例えばレーザ干渉計によって検知可能であることがさらに好ましい。
それぞれの検知手段のそれぞれの受け取り手段もしくはプラットフォームに対する位置、又はそれぞれの受け取り手段もしくはプラットフォーム上での位置は固定されるか、あるいは少なくとも正確に、特に位置合わせ精度より少なくとも10倍、特に20倍、好ましくは50倍高い精度で測定することができる。
較正マークの検知にこれまで必要とされていた作動距離に基づくこの方法による位置合わせの結果の改善が不十分であったために、当業者が2つより多い位置合わせマークの使用を考えてこなかったことから、ここでは、2つより多い位置合わせキーを各基板上で測定できることが特に有利である。ウェハの位置合わせのために少なくとも3つの位置合わせキーを測定することは、特に本発明の任意の特徴の組み合わせとして、独立した発明思想と考えることができる。
さらに前述の構成によって、位置合わせキーとして基板上に配置された構造体、特にチップの使用が可能になり、その結果、これまで位置合わせに必要であった別個に適用される較正マークを省くことができる。本発明により、高い検知精度及び位置合わせキーの選択の柔軟性に基づいて、例えばリソグラフィによる既存のマーク、特に露光領域の角部に位置するステッパの位置合わせマークを使用することも可能になる。
さらに、本発明による装置及び本発明による方法は、位置合わせの結果の測定、及び計算された又は公称結果との比較によって、次の基板の組み合わせの較正又は位置合わせの最適化によって、適応性のあるもの又は自己学習式のものとすることができる。また、この特徴は、特に本発明の任意の特徴の組み合わせとして、独立した発明思想と考えることができる。
本発明の目的に対する座標の原点は、それぞれの座標系の任意の決められた点とすることができる。本発明の目的に対する基板は、非常に薄く、それに対して大面積の基板、特にウェハである。
接触面とは、互いに対応する、位置合わせして接触させる基板の表面であり、また接触面は必ずしも閉じた表面を形成せず、対応する構造体、特にチップ、又はトポグラフィーによって形成することもできる。
したがって、本発明の一般的な一実施形態において、装置は、
−第1の接触面に沿って配置された第1の位置合わせキーの第1のX−Y位置を、第1の検知手段によって、第1の基板の動きから独立した第1のX−Y座標系において第1のX−Y平面内で検知することができ、
−第1の位置合わせキーに対応し、かつ第2の接触面に沿って配置された第2の位置合わせキーの第2のX−Y位置を、第2の検知手段によって、第2の基板の動きから独立した第2のX−Y座標系において第1のX−Y平面に平行な第2のX−Y平面内で検知することができ、
−第1の接触面を、第1のX−Y位置に基づいて第1の位置合わせ位置に位置合わせすることができ、第2の接触面を、第2のX−Y位置に基づいて第2の位置合わせ位置に位置合わせすることができる、
という特徴を有する。
本発明による方法は、一般的な一実施形態において、
−第1の接触面を第1のX−Y平面内に、第2の接触面を第1のX−Y平面に対して平行な第2のX−Y平面内に配置するステップと、
−第1の接触面に沿って配置された第1の位置合わせキーのX−Y位置を、第1の基板の動きから独立した第1のX−Y座標系において、第1の検知手段によって検知し、第1の位置合わせキーに対応し、かつ第2の接触面に沿って配置された第2の位置合わせキーのX−Y位置を、第2の基板の動きから独立した第2のX−Y座標系において、第2の検知手段よって検知するステップと、
−第1の接触面を、第1のX−Y位置に基づいて判定された第1の位置合わせ位置に位置合わせし、第2の接触面を、第2のX−Y位置に基づいて判定され、第1の接触面に対向する第2の位置合わせ位置に位置合わせするステップと
を有する。
X−Y座標系におけるX−Y位置の計算を容易にするために、X、Y、Z平面、又はX、Y、Z方向は、有利にはそれぞれ互いに直交するように位置合わせされる。有利には、それらは同一の座標系、特にデカルト座標系であり、好ましくは同じスケーリングを有する。
本発明の有利な一構成では、2つより多い第1の位置合わせキーの第1のX−Y位置を検知し、対応する第2の位置合わせキーと位置合わせすることができるようになっている。複数の位置合わせキーの場合、とりわけそれぞれの位置合わせキーのX−Y位置が特に既知である場合には、位置合わせ精度がさらに高められ、互いに対するX−Y位置が既知である結果として、位置合わせは、特に各位置合わせキーの二次偏位の和である偏位全体が最小になるように行うことができるか、あるいは1つの対応する位置合わせ位置を、各基板について同時に計算することができる。
第1及び第2のX−Y位置の検知における第1及び第2のX−Y平面が、接触している間、第1及び第2の接触面の接触している平面と同一、特にさらには少なくともほぼ同一、好ましくは同一であることによって、Z方向の接触における欠陥感受性が最小限に抑えられるか、又は排除される。同一とは、最大20μm、特に10μm、好ましくは5μmの偏位として定義され、それは接触面の相互の平行度及び、それぞれのプラットフォームあるいは受け取り手段に対する平行度の起こり得る偏位にもあてはまる。
第1及び/又は第2のX−Y座標系が、有利には静止させた、及び/又は剛性を有する、かつ/又は固体である装置の基部に割り当てられる限り、これによって、周囲の影響から独立した信頼性のあるプロセスが可能になる。
各第1の位置合わせキーの、対応する第2の位置合わせキーに対するオフセットをX−Y方向で判定することができるため、接触時に個々の偏位を考慮に入れることが可能になる。こうして、生産スクラップがかなり最小限に抑えられるか、又は歩留まりが著しく高められ、それによって生産コストが低減され、生産速度が高められる。
他の利点は、本発明の一構成において、検知、及び/又は位置合わせ、及び/又は接触の間、第1及び/又は第2の検知手段を、特に機械的に、好ましくは基部上で固定することが可能であることに起因する。これは、割り当てられたX−Y座標系に対する検知手段の動きを排除することによって、他の誤差の原因が解消されるためである。
本発明による装置では、有利には、装置を、接触した基板の位置合わせを検査するための試験手段によって較正することができるように構成されている。試験手段は、位置合わせの質及び計算された位置合わせに対する違いに関して結論づけることを可能にする。したがって、装置を適応性のあるものにすること、及び自己較正式にすることが可能である。試験は外部の測定手段で行うことも可能であるが、装置内の試験手段は、起こり得る問題を早く検知することができ、かつ対応する測定を行うことができるという利点をもたらす。
試験のために、特に基板上に設けられ、基板の偏位について高精度の判定を可能にするIR透過性の試験マーキングを用いることが可能である。
本発明の有利な一実施形態における、第1の検知手段が単一の第1の位置合わせキー検知器によって形成され、及び/又は第2の検知手段が単一の第2の位置合わせキー検知器によって形成されるということは、誤差のさらなる最小化に寄与する。
接触面を互いに厳密に平行に位置合わせすることは、第1及び第2の接触面の平行な位置合わせのために設けられた、第1及び第2の距離測定手段、ならびに特に接触することなく基板をX−Y平面に対して横方向に移動させるように働くアクチュエータによって可能になる。さらに、距離測定手段を設けることによって、基板の反りの検知が可能になる。
位置合わせキーの厳密な位置情報を用いて基板を位置合わせすることにより、用途に特有の基準及び/又はパラメータを考慮した数学的なモデルを用いて、基板の個々の位置合わせを計算することが可能になる。位置合わせの最適化は、特に最大の歩留まりを得るように行うことができる。
本発明の他の利点、特徴及び細部は、好ましい例示的な実施形態に関する以下の記述から、また図面を用いて明らかになるであろう。
基板のローディング及び粗い位置合わせの後の、本発明による装置の上面図の模式図である。 図1の切断線A−Aによる模式的な断面図である。 ウェッジ誤差補償での装置の模式的な上面図である。 ウェッジ誤差補償ステップに対する詳細な模式図である。 ウェッジ誤差補償ステップの開始時における、図2aの切断線A−Aによる側面図の模式図である。 ウェッジ誤差補償ステップの終了時における、図2aの切断線A−Aによる側面図の模式図である。 位置合わせキー検知ステップにおける、本発明による装置の模式的な上面図である。 位置合わせキー検知に対する模式的な詳細図である。 基板の位置合わせにおける、本発明による装置の模式的な上面図である。 図4aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 基板の位置合わせにおける、本発明による装置の模式的な上面図である。 位置合わせ後の本発明による装置の模式的な上面図である。 図4dの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 位置合わせの検査ステップにおける、本発明による装置の模式的な上面図である。 図5aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 基板のローディング及び粗い位置合わせの後の、本発明による装置の一代替実施形態の上面図である。 図6aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 ウェッジ誤差補償ステップにおける、一代替実施形態の模式的な上面図である。 図7aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 ウェッジ誤差補償ステップにおける、本発明による実施形態の模式的な上面図である。 図7cの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 ウェッジ誤差補償ステップに対する詳細図である。 位置合わせキー検知における代替実施形態の模式的な上面図である。 位置合わせキー検知における代替実施形態の模式的な上面図である。 位置合わせキー検知の模式的な詳細図である。 基板の位置合わせにおける一代替実施形態の模式図である。 図9aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。 Z方向における接触後の代替実施形態の模式的な断面図である。 位置合わせの検査ステップにおける代替実施形態の模式的な上面図である。 図10aの切断線A−Aによる模式的な断面図である。
図1a及び1bは、第1のプラットフォーム10及び第2のプラットフォーム20がその上に、特に空気支持によって移動可能に設けられた基部9を示している。基部9は有利には、静止した、及び/又は固体の、及び/又は剛性を有する材料、特に御影石から形成される。第1及び第2のプラットフォーム10、20の移動は、特に専らX及びY方向において、駆動手段、特に基部9の外輪郭上に配置されたリニアモータによって行うことができる。第1及び第2のプラットフォーム10、20のそれぞれに、その独自の駆動ユニットが割り当てられる。
駆動力を誤差なく高精度で伝達するために、駆動ユニットは、それに割り当てられた第1又は第2のプラットフォーム10、20に、安定した非柔軟な方法で接続される。駆動ユニットは、<25nm、特に<15nm、好ましくは<5nmの最大偏位を有する。
第1の基板1、特にウェハは、第1のプラットフォーム10の上に、特に真空によって保持され、平らに固定される。
第2の基板2、特に同様にウェハは、第2のプラットフォーム20の上に保持及び固定することができる。
2つの基板1、2は、ローディングステップにおいて、示されていないローディング手段、特にロボットアームによって、2つのプラットフォーム10、20の上にロードされる。第1の基板1は、第2のプラットフォーム20に向かうのとは反対方向を向いた第2の基板2の第2の接触面2kの接触のために、第1のプラットフォームに向かうのとは反対方向を向いた第1の接触面1kを有する。
基板1、2はそれぞれ、適切な受け取り手段12、22、例えばチャックによってプラットフォーム10、20上に保持される。適切な固定手段、特に真空によって、基板1、2の一時的な固定が行われる。したがって、基板1、2は、プラットフォーム10、20に対して静止した状態になる。
受け取り手段12、22をZ方向に移動させるために、特にウェッジ(wedge)誤差をも補償するために、受け取り手段12の第1の基板に向かうのとは反対方向を向いた側に3つのアクチュエータ11が配置され、受け取り手段12の表面上に分散される。これは、受け取り手段22のZ方向の移動について、特に以下に記載されるウェッジ誤差補償ステップについて、アクチュエータ21にも同様にあてはまる。
基板1、2が受け取り手段12、22の上に配置されると、基板1、2が、受け取り手段12、22の上でX及びY方向あるいは回転方向に予め位置決めされて保持されるように、第1及び第2の顕微鏡1001、2001によって粗い位置合わせが行われる。
第1の接触面1kは第1のX−Y平面5を形成し、第2の接触面2kは第2のX−Y平面6を形成し、これらは、この実施形態では少なくとも位置合わせキー検知の際にほぼ同じ空間を占める。平面の最大偏位は、それらの平行度に関しても20μm未満、特に10μm、好ましくは5μmとすべきである。さらに第1のX−Y平面5及び第2のX−Y平面6は、特に前述の最大偏位では、基部9の支持面に対してそれぞれ平行になる。これによって、例えば基板の接触における基板1、2のZ方向の移動の誤差が最小限に抑えられるか、又は防止される。
第1のプラットフォーム10に割り当てられた第1の検知手段7は、顕微鏡1001、位置合わせキー検知器1000、距離測定手段1002及び試験検知器1003を備えている。試験検知器1003は、基板1及び2の接触後、本発明による装置の検査及び場合によっては自己較正に用いられる。
第2の検知手段8が第2のプラットフォーム20に割り当てられ、第2の基板2のための位置合わせ手段検知器2000、光学的検知手段2001及び距離測定手段2002を備えている。
基部9の周縁上又は外輪郭の領域内に、位置検知手段30、31、32、33、34、35、特にレーザ干渉計が配置され固定されており、これらは、第1のプラットフォーム10及び/又は第2のプラットフォーム20の位置の厳密な判定を意図されている。
位置検知手段30、31、32、33、34、35は、<25nm、特に<5nm、好ましくは<1nmの検知精度を有し、したがって、特にシステムを自己較正式にすることができるため、起こり得る位置検知の誤差が位置合わせ精度に影響を及ぼすことはほとんどない。
図2aから2dは、ウェッジ誤差補償手段によるウェッジ誤差補償のステップを示しており、そのステップは、基板1、2の事前の位置決めに続いて行われることが好ましい。第1の基板1の第1の接触面1kの垂直方向の位置を検知するには、起こり得るウェッジ誤差を検知して補償するために、図2aに示されるように第1のプラットフォーム10が距離検知器1002の下まで移動され、そこで第1の基板の表面全体に分散した複数の測定点(図2b参照)の距離が測定される。このプロセスは、第2の基板2及び対応する距離検知器2002に対しても同様である。
次いで、図2cに示される第1の基板用のアクチュエータ11、及び図2dに示される第2の基板2の平行な位置合わせのためのアクチュエータ21の対応する移動によって、ウェッジ誤差が補償される。次いで、接触面1k及び2kが平行になり、また同様にX−Y平面5及び6も平行とされ、単一の平面を形成することが好ましい(図2d参照)。平行度は前述の精度を有するべきである。
特にウェッジ誤差の補償に続いて、図3bに示される複数の第1の位置合わせキー3.1〜3.nが、第1及び第2のプラットフォーム10、20に割り当てられた、具体的には第1の位置合わせキー3.1〜3.nに対する第1のプラットフォーム10の第1のX−Y座標系、ならびに第2の位置合わせキー4.1〜4.nに対する第2のプラットフォーム20の第2のX−Y座標系におけるプラットフォームのX及びY座標に割り当てられた、位置合わせキー検知器1000、2000によって検知される。
第1のX−Y座標系は第1のプラットフォーム10、したがって、その上に固定された第1の基板1に割り当てられ、第2のX−Y座標系は、第2のプラットフォーム20、したがってその上に固定された第2の基板2に割り当てられ、その結果、X−Y座標系が基板1、2の動きから独立しているため、第1及び第2の基板1、2をそれぞれのX−Y座標系で移動させることによって、第1及び第2の位置合わせキー3.1〜3.n、4.1〜4.nのX−Y位置を検知することができる。有利には、その2つは同じスケーリングを有するデカルト座標系である。
位置合わせキー検知のステップの後、それに応じて、基部9に対して参照される第1及び第2の位置合わせキー3.1〜3.n、4.1〜4.nのX−Y位置が、装置内の絶対位置として認識され、プロセスの間、プラットフォーム10、20に対してはもはや変化しなくなる。
図4aから4eは、位置合わせキー3.1〜3.n及び4.1〜4.nの検知に続く厳密な位置合わせのステップを示し、図4eは、2つの基板1、2の接触のステップを示す。図4aから4dに示されるように、第1及び第2のプラットフォーム10、20はそれぞれ、予め決められた第1及び第2の位置合わせキー3.1〜3.n、4.1〜4.nのX−Y位置に基づいて計算された、それぞれの第1及び第2の位置合わせ位置に移動されるが、これは、第1及び第2のプラットフォーム10、20の既知のX−Y位置に基づいて可能になる。
位置合わせ位置の計算では、位置合わせキー3.1〜3.n及び4.1〜4.nの数学的な調節計算によって、1つの位置合わせ位置を、それぞれ対応する第1の位置合わせキー3.1〜3.nから、それぞれ対応する第2の位置合わせキー4.1〜4.nまでの実現可能な最小距離と共に一度に計算することができる。例えば、距離の和もしくは距離の自乗和を最小にすること、又は他の周知の数学モデルを用いることが可能である。特に位置合わせは、位置合わせ精度に応じてできるだけ高い歩留まりが可能になるように行うことができる。
基板1、2を図4dに示される位置に移動させる前に、2つの基板1、2の少なくとも一方、好ましくは基板2のZ方向への他方から離れるできるだけ小さな移動が、必要であり、この移動はアクチュエータ21、特にアクチュエータ21の均一な動きによって行われるに。図4cに示されるように、反対方向の同じ動きが接触のために行われるので、Z方向における基板の移動での起こり得る誤差が相殺される。これは、図3a及び3bに示される位置合わせキー3.1〜3.n、4.1〜4.nの検知によって、及び/又は第1及び第2のX−Y平面5、6、したがって、第1及び第2の接触面1k、2kが同じ平面内に位置するように行われる図2aから2dに示されるウェッジ誤差補償のステップによって可能になる。
図4eに示される接触の後、基板1及び2は、例えば周知のクランプ機構又は結合によって固定される。
基板1、2の接触及び固定に続いて、任意に、接触の質、すなわち基板1、2の互いに対する位置合わせが、試験検知器1003によって、好ましくは対応する試験キー又は位置合わせキー3.1〜3.n、4.1〜4.nの、第1の基板1及び第2の基板2に対する相対位置を検査する赤外測定の形で検査される。結果は予め計算された位置合わせと比較することができ、その比較に基づいて基板の対を場合によってはスクラップとみなすこと、及び/又は判定された情報に基づいて適切な再加工に供給することが可能である。さらに、補正又は較正される第1及び第2のX−Y座標系の関係によって、装置を自己学習式に実行することが可能である。
次いで、第1の基板1及び第2の基板2からなる接触及び固定された基板の対を、位置合わせ装置から、特に図示されていないローディング手段によってアンロードすることができる。
ウェッジ誤差補償手段は、一代替実施形態において、基板1、2の接触面1k、2kの均一性のマップが計算されるようにすることができる。同時に、又はそれに対する別法では、接触面1k、2kの均一性、特に平坦度が、受け取り手段12、22に設けられた可撓性のある表面によって、複数のアクチュエータ11、21による影響を受ける可能性がある。
本発明による装置の他の利点は、所定の基板の対を処理する間に、次に処理される基板の対に取りかかることができ、したがって、並列処理が可能になることにある。これによってスループットが著しく増加する。
図6aから10bは、前述の実施形態とは異なり、2つのプラットフォーム10’、20’の一方のみ、具体的に示されるケースでは、プラットフォーム10’が移動可能とされる一代替実施形態に関するものである。この実施形態の利点は、実施が簡単になること、床面積が小さくなること、及び生産コストが少なくなることにある。これは、前述の実施形態における移動に5つではなく3つの駆動モータ、具体的には、X方向の移動に1つ、Y方向の移動に1つ、及び回転に1つの駆動モータしか必要としないためである。前述の実施形態では、2つの駆動モータ、具体的には第2のプラットフォーム20のX方向の移動に1つ、及び第2のプラットフォーム20のY方向の移動に1つの駆動モータがさらに必要である。
それに応じて、前述の実施形態では、6つではなく3つの位置検知手段31’、33’及び35’だけが必要とされる。
方法の経過は前述の実施形態と同様であり、剛性を有する第2のプラットフォーム20’を有する代替実施形態では、第2のプラットフォーム20の移動は補償されるか、又は第2の検知手段8’、具体的には第1のプラットフォーム10’と共に位置合わせキー検知器2000’及び光学的検知手段2001’の移動によって置き換えられる。
図6aから10bに記載される個々の構成要素の機能が明示的に記載されない限り、機能は図1aから5bに示される前述の実施形態に従い、逆もまた同様である。
図6aでは、第1の基板1が第1のプラットフォーム10’の上に、第2の基板2が第2のプラットフォーム20’の上に、具体的には受け取り手段12、22の上に保持されている。第1及び第2の位置合わせキー3.1〜3.n及び4.1〜4.nの位置は、それに応じて低解像度の光学的検知手段1001’、2001’によって大まかに予め位置合わせされている。
位置合わせ手段検知器2000’、光学的検知手段2001’及び距離測定手段2002’からなる第2の検知手段8’は、第1のプラットフォーム10’上の決められた位置に固定して配置され、位置合わせキー検知器1000’、光学的検知手段1001’、距離測定手段1002’及び試験検知器1003’からなる第1の検知手段7’は、第2のプラットフォーム20’上に配置され、したがって、検知手段7’、8’はそれぞれ、その時点で測定される基板1、2の反対側に配置することができる。
図7aから7eに示されるウェッジ誤差の補正では、第1のプラットフォーム10’を、第2のプラットフォーム20’上に固定して配置された距離測定手段1002’まで移動させることによって、第1の接触面1kが図7eに示される様々な位置で移動及び測定される。次いで、第2の接触面2k上の測定点からの距離が、第1のプラットフォーム10’上に配置された距離測定手段2002’の移動によって測定される。
測定された分布に基づき、第1の接触面1k及び第2の接触面2kを、アクチュエータ11及び21の対応する移動によって互いに平行に位置合わせすることができる。
平行な第1及び第2のX−Y平面5、6の距離はわずかであるが、この実施形態では第1及び第2のX−Y平面5、6は同じ平面内にはない。
次いで、第1の基板の第1の位置合わせキー3.1〜3.n、具体的には第1のX−Y座標系におけるそれらの絶対位置が、第2のプラットフォーム20’に取り付けられた位置合わせキー検知器1000’によって検知される。図1aから5bに示される実施形態のように、検知された座標から、線形もしくは非線形の数学的な分布モデル、及び/又は対応するモデルパラメータが計算される。
次いで、第2の基板2の第2の位置合わせキー4.1〜4.nが、第1のプラットフォーム10’上に固定された位置合わせキー検知器2000’によって検知され、それらの座標が第2のX−Y座標系において検知される。検知された座標から、線形もしくは非線形の数学的な分布モデル及び/又はモデルパラメータが計算されるか、あるいはそれに応じて処理される。
第1のプラットフォーム10’の位置合わせ位置を計算し、それに応じてモデルパラメータ、又は第1及び第2の位置合わせキー3.1〜3.n及び4.1〜4.nの数学的な分布モデル、位置検知手段31’、33’及び35’、特にレーザ干渉計によって認識された位置、第1のプラットフォーム10’の第2のプラットフォーム20’に対する関係、ならびに位置合わせキー検知器1000’及び2000’のそれぞれのX−Y座標系における既知の位置から、基板1と基板2とを位置合わせすることができる。
位置合わせ後、基板1が基板2に接触するように、アクチュエータ11によってZ方向に移動される。
図10a及び図10bに従って、基板の対の位置合わせ及び接触の質が、第2のプラットフォーム20’に取り付けられた試験検知器1003’によって判定される。
位置合わせキー、特にチップの個々の位置に対して、特に接触面1k、2k全体に分散させた、前述の実施形態により、はるかに高い位置合わせ精度が実現され、したがって、<250nm、特に<150nm、好ましくは<70nmの位置合わせ精度を実現することが可能である。
1 第1の基板
1k 第1の接触面
2 第2の基板
2k 第2の接触面
3.1〜3.n 第1の位置合わせキー
4.1〜4.n 第2の位置合わせキー
5 第1のX−Y平面
6 第2のX−Y平面
7、7’ 第1の検知手段
8、8’ 第2の検知手段
9、9’ 基部
10、10’ 第1のプラットフォーム
11 アクチュエータ
12 受け取り手段
20、20’ 第2のプラットフォーム
21 アクチュエータ
22 受け取り手段
30 位置検知手段
31、31’ 位置検知手段
32 位置検知手段
33、33’ 位置検知手段
34 位置検知手段
35、35’ 位置検知手段
1000、1000’ 位置合わせキー検知器
2000、2000’ 位置合わせキー検知器
1001、1001’ 光学的検知手段
2001、2001’ 光学的検知手段
1002、1002’ 距離測定手段
2002、2002’ 距離測定手段
1003、1003’ 試験検知器

Claims (10)

  1. 第1のプラットフォーム(10)の上に保持することができる第1の基板(1)の第1の接触面(1k)を、第2のプラットフォーム(20)の上に保持することができる第2の基板(2)の第2の接触面(2k)と位置合わせするための装置であって、
    −前記第1の接触面(1k)に沿って配置された第1の位置合わせキー(3.1〜3.n)の第1のX−Y位置を、第1の検知手段(7、7’)によって、前記第1の基板(1)の動きから独立した第1のX−Y座標系において第1のX−Y平面(5)内で検知することができ、
    −前記第1の位置合わせキー(3.1〜3.n)に対応し、かつ前記第2の接触面(2k)に沿って配置された第2の位置合わせキー(4.1〜4.n)の第2のX−Y位置を、第2の検知手段(8、8’)によって、前記第2の基板(2)の動きから独立した第2のX−Y座標系において前記第1のX−Y平面(5)に平行な第2のX−Y平面(6)内で検知することができ、
    −前記第1の接触面(1k)を、前記第1のX−Y位置に基づいて第1の位置合わせ位置に位置合わせすることができ、前記第2の接触面(2k)を、前記第2のX−Y位置に基づいて第2の位置合わせ位置に位置合わせすることができる、
    ことを特徴とする装置。
  2. 2つより多い第1の位置合わせキー(3.1〜3.n)の第1のX−Y位置を検知し、対応する第2の位置合わせキー(4.1〜4.n)と位置合わせすることができる請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1及び第2のX−Y位置の検知における前記第1及び第2のX−Y平面(5、6)が、接触している間、前記第1及び第2の接触面(1k、2k)の接触する平面と同一である請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記第1及び/又は第2のX−Y座標系が、前記装置の基部(9)に割り当てられる請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。
  5. 検知、及び/又は位置合わせ、及び/又は接触の間、前記第1及び/又は第2の検知手段(7、7’、8、8)を、前記基部(9)上で固定することができる請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記装置を、前記接触した基板(1、2)の位置合わせを検査するための試験手段によって較正することができる請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記第1及び第2のX−Y座標系がデカルト座標系であり、及び/又は同じスケーリングを有する、及び/又は同一の空間を占める請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記第1の検知手段(7、7’)が、1つの第1の位置合わせキー検知器(1000、1000’)を有し、及び/又は前記第2の検知手段(8、8’)が、1つの第2の位置合わせキー検知器(2000、2000’)を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記第1及び第2の接触面(1k、2k)の部分的な位置合わせのために、第1及び第2の距離測定手段(1002、2002)、ならびに接触することなく前記基板(1、2)を前記X−Y平面(5、6)に対して横方向に移動させるように働くアクチュエータ(11、21)が存在する請求項1〜8のいずれか一項に記載の装置。
  10. 第1のプラットフォームの上に保持することができる第1の基板の第1の接触面を、第2のプラットフォームの上に保持することができる第2の基板の第2の接触面と位置合わせするための方法であって、
    −前記第1の接触面を第1のX−Y平面内に、前記第2の接触面を前記第1のX−Y平面に対して平行な第2のX−Y平面内に配置するステップと、
    −前記第1の接触面に沿って配置された第1の位置合わせキーのX−Y位置を、前記第1の基板の動きから独立した第1のX−Y座標系において第1の検知手段によって検知し、前記第1の位置合わせキーに対応するとともに前記第2の接触面に沿って配置された第2の位置合わせキーのX−Y位置を、前記第2の基板の動きから独立した第2のX−Y座標系において、第2の検知手段よって検知するステップと、
    −前記第1の接触面を、前記第1のX−Y位置に基づいて判定された第1の位置合わせ位置に位置合わせし、前記第2の接触面を、前記第2のX−Y位置に基づいて判定されるとともに前記第1の接触面の反対側にある第2の位置合わせ位置に位置合わせするステップと、
    を有する方法。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010007970A1 (de) * 2010-02-15 2011-08-18 Suss MicroTec Lithography GmbH, 85748 Verfahren und Vorrichtung zum aktiven Keilfehlerausgleich zwischen zwei im wesentlichen zueinander parallel positionierbaren Gegenständen
JP5707950B2 (ja) * 2011-01-13 2015-04-30 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法
TWI421972B (zh) * 2011-12-08 2014-01-01 Metal Ind Res & Dev Ct 無標記異空間基板組裝對位方法及系統
SG2014014070A (en) 2012-06-06 2014-06-27 Ev Group E Thallner Gmbh Device and method for determination of alignment errors
US9418882B2 (en) 2013-06-17 2016-08-16 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for aligning substrates
TW201520702A (zh) * 2013-11-19 2015-06-01 Huang Tian Xing 對準誤差補償方法、系統,及圖案化方法
CN105247670B (zh) * 2013-12-06 2018-06-12 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于对齐衬底的装置和方法
CN105023869B (zh) * 2014-04-25 2018-03-02 上海微电子装备(集团)股份有限公司 半自动对准机
EP3139834B1 (en) * 2014-05-05 2022-03-16 Caliber Imaging & Diagnostics, Inc. System and method for mapping the locations of captured confocal images of a lesion in skin tissue
SG11201603148VA (en) * 2014-12-18 2016-07-28 Ev Group E Thallner Gmbh Method for bonding substrates
DE112014007212A5 (de) * 2014-12-23 2017-08-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vorfixierung von Substraten
JP5971367B2 (ja) * 2015-03-04 2016-08-17 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法
DE102015108901A1 (de) * 2015-06-05 2016-12-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Ausrichten von Substraten vor dem Bonden
CN106933042B (zh) * 2015-12-30 2018-09-18 上海微电子装备(集团)股份有限公司 测量两激光干涉仪相交角度非正交性的方法
EP3734650B1 (de) * 2016-08-29 2023-09-27 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
DE102017105697A1 (de) 2017-03-16 2018-09-20 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ausrichtung zweier optischer Teilsysteme
WO2018171861A1 (de) 2017-03-20 2018-09-27 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur ausrichtung zweier substrate
TWI629475B (zh) 2017-04-18 2018-07-11 財團法人工業技術研究院 非接觸式雙平面定位方法與裝置
KR102409885B1 (ko) * 2018-10-11 2022-06-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 정렬 방법, 이러한 정렬 방법을 이용한 웨이퍼 본딩 방법, 및 이러한 정렬 방법을 수행하기 위한 장치
US20220223483A1 (en) * 2019-05-22 2022-07-14 Vuereal Inc. An alignment process for the transfer setup
CN114144868A (zh) 2019-08-23 2022-03-04 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于使基板对准的方法和装置
US20230018538A1 (en) * 2019-12-10 2023-01-19 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for aligning substrates
US20230207513A1 (en) * 2020-06-30 2023-06-29 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for the alignment of substrates
US11829077B2 (en) 2020-12-11 2023-11-28 Kla Corporation System and method for determining post bonding overlay
CN112908898B (zh) 2021-01-27 2022-09-02 长鑫存储技术有限公司 控片量测方法及量测装置
US11782411B2 (en) 2021-07-28 2023-10-10 Kla Corporation System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
JP3991300B2 (ja) * 2000-04-28 2007-10-17 株式会社Sumco 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
KR100800323B1 (ko) * 2001-12-06 2008-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 합착장치의 얼라인 검사장치
JP4681241B2 (ja) * 2004-02-16 2011-05-11 ボンドテック株式会社 アライメント方法、この方法を用いた接合方法、接合装置
KR20060027697A (ko) 2004-09-23 2006-03-28 삼성전자주식회사 복수개의 간섭계시스템을 이용한 웨이퍼 정렬 장치
US7442476B2 (en) * 2004-12-27 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Method and system for 3D alignment in wafer scale integration
US7371663B2 (en) * 2005-07-06 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three dimensional IC device and alignment methods of IC device substrates
US7433038B2 (en) * 2006-04-27 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Alignment of substrates for bonding
KR101367661B1 (ko) * 2006-08-25 2014-02-27 엘아이지에이디피 주식회사 척의 평행도 및 평편도 조절유닛을 가진 기판 합착장치
JP5018004B2 (ja) * 2006-10-11 2012-09-05 株式会社ニコン 顕微鏡、マーク検出方法、ウェハ接合装置、および、積層3次元半導体装置の製造方法
JP2008192840A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
CN105487351A (zh) * 2007-07-18 2016-04-13 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法、及元件制造方法
WO2009022457A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Nikon Corporation 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法
KR100890380B1 (ko) * 2007-12-07 2009-03-25 주식회사 에이디피엔지니어링 기판합착장치
JP5200522B2 (ja) * 2007-12-18 2013-06-05 株式会社ニコン 基板張り合わせ方法
KR100915697B1 (ko) * 2007-12-21 2009-09-04 주식회사 에이디피엔지니어링 기판간 정렬오차 보정방법
US7924159B2 (en) * 2008-01-30 2011-04-12 Axcelis Technologies Inc. Remote wafer presence detection with passive RFID
US8139219B2 (en) * 2008-04-02 2012-03-20 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer alignment

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