TWI801347B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI801347B
TWI801347B TW106126506A TW106126506A TWI801347B TW I801347 B TWI801347 B TW I801347B TW 106126506 A TW106126506 A TW 106126506A TW 106126506 A TW106126506 A TW 106126506A TW I801347 B TWI801347 B TW I801347B
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加藤正紀
奈良圭
堀正和
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日商尼康股份有限公司
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Abstract

本發明係一種將長條之片狀基板於長條方向上搬送並對片狀基板實施既定之處理之基板處理裝置，且設置有：處理機構，其對片狀基板之長條方向之每一部分實施既定之處理；搬送機構，其一面對通過處理機構之片狀基板賦予既定之張力，一面將片狀基板按照既定速度於長條方向上搬送；卡留機構，其配置於片狀基板之搬送路徑中之既定位置，且能夠將片狀基板卡留於既定位置；以及控制裝置，其於暫時停止片狀基板之搬送之情形時，以使片狀基板之搬送速度降低之方式控制搬送機構，並且以於搬送速度成為既定值以下之時點將片狀基板卡留於既定位置之方式控制卡留機構。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種一面將軟性之長條之片狀基板於長條方向上搬送，一面對片狀基板實施既定之處理之基板處理裝置及基板處理方法。
於日本專利特開2009-146746號公報中，揭示有如下之卷對卷方式之製造系統，即，為了於帶狀之可撓性基材(可撓性之長條之塑膠膜)上形成電子裝置(有機EL顯示面板)，將捲成捲筒狀之可撓性基材拉出並沿長條方向搬送，並且利用沿長條方向排列之執行複數個形成步驟之各者之處理裝置對可撓性基材依次進行處理，然後捲取成捲筒狀。進一步，於日本專利特開2009-146746號公報中，揭示設置有用於各形成步驟(處理裝置)之間之可撓性基材之速度調整之累積器(accumulator)，而連續生產有機EL顯示面板。於此種卷對卷方式之生產線之情形時，為了將呈帶狀相連之長條之1片可撓性基材(軟性之長條之片狀基板)於長條方向上連續搬送，構成生產線之複數個處理裝置之各者理想為跨及連續搬送之可撓性基材之全長(捲筒長度)而持續正常地運轉。
然而，根據處理裝置，亦存在為了該裝置之性能維持、或製造之電子裝置之品質維持等，宜中斷片狀基板之處理動作，並進行處理裝置之調整作業(消耗品之補充動作或更新動作、清潔動作、校準動作等)之情形。又，於暫時性地中斷處理之處理裝置為圖案化裝置(印刷機、噴墨印表機、曝光裝置、轉印裝置、壓印裝置等)之情形時，若為了調整作業而停止片狀基板之搬送並將片狀基板自搬送輥等卸除或鬆開，則存在於處理重新開始後形成於片狀基板上之圖案區域之位置相對於調整作業前已經形成之圖案區域之位置較大地偏移之情況。
本發明之第1態樣係一種基板處理裝置，係將長條之片狀基板於長條方向上搬送，並對上述片狀基板實施既定之處理者，其具備：處理機構，對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，一面對通過上述處理機構之上述片狀基板賦予既定之張力，一面將上述片狀基板按照既定速度於上述長條方向上搬送；卡留機構，配置於上述片狀基板之搬送路徑中之既定位置，且能夠將上述片狀基板卡留於上述既定位置；以及控制裝置，於使上述片狀基板之搬送暫時停止之情形時，以使上述片狀基板之搬送速度降低之方式控制上述搬送機構，並且以於上述搬送速度為既定值以下之時點將上述片狀基板卡留於上述既定位置之方式控制上述卡留機構。
本發明之第2態樣係一種基板處理裝置，其係將長條之片狀基板於長條方向上搬送，並對上述片狀基板實施既定之處理者，其具備： 處理機構，其對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，其以上述片狀基板按照被控制之速度通過上述處理機構之方式，一面對上述片狀基板之搬送量進行計測，一面將上述片狀基板於上述長條方向上搬送；張力賦予機構，其對藉由上述搬送機構搬送之上述片狀基板賦予既定之張力；既定位置記憶部，其基於上述搬送機構中所計測之上述搬送量而記憶上述處理機構之上述既定之處理被暫時性地中斷之上述片狀基板上之既定位置、或上述既定之處理重新開始之既定位置；以及控制裝置，其以如下方式控制上述搬送機構，即，於暫時性地中斷上述既定之處理之情形時，將上述既定位置記憶至上述既定位置記憶部之後，利用抑制上述搬送機構中之上述片狀基板之滑動之產生之特性使上述片狀基板之搬送速度降低。
本發明之第3態樣係一種基板處理方法，其係一面將長條之片狀基板藉由搬送機構於長條方向上搬送，一面藉由處理機構對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施既定之處理者，其包括：搬送階段，其係於藉由上述處理機構實施上述既定之處理之期間，藉由上述搬送機構一面對上述片狀基板賦予既定之張力，一面將上述片狀基板按照既定速度於上述長條方向上搬送；卡留階段，其係以於使上述搬送機構之搬送動作暫時性地停止時，將上述片狀基板上之長條方向之指定部分對準於配置在上述片狀基板之搬送路徑中之既定位置之卡留機構之方式定位，並利用上述卡留機構卡留上述片狀基板之上述指定部分；以及張力緩和階段，其係於上述片狀基板之搬送方向上，於上述既定位置之上游側及下游側之至少一者，緩和賦予至上述片狀基板之上述既定之張力。
本發明之第4態樣係一種基板處理裝置，其係將長條之片狀基板於長條方向上搬送並對上述片狀基板實施既定之處理者，其具備：處理機構，其對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，其以使上述片狀基板按照既定之速度通過上述處理機構之方式，將上述片狀基板於上述長條方向上搬送；儲存裝置，其設置於上述片狀基板之搬送路徑中之上述處理機構之上游側及下游側中之至少一者，且能夠於對上述片狀基板賦予既定之張力之狀態下跨及既定之長度地儲存上述片狀基板；以及控制部，其係以如下方式控制上述儲存裝置，即，於為了中斷上述處理機構之上述既定之處理，而使由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送停止之情形時，緩和對儲存於上述儲存裝置之上述片狀基板賦予之上述既定之張力。
本發明之第5態樣係一種基板處理裝置，其係將長條之片狀基板於長條方向上搬送並對上述片狀基板實施既定之處理者，其具備：處理機構，其對上述片狀基板實施上述既定之處理；搬送機構，其以上述片狀基板於被賦予既定之張力之狀態下按照既定之搬送速度通過上述處理機構之方式，將上述片狀基板於上述長條方向上搬送；以及控制裝置，其管理上述處理機構及上述搬送機構之動作；且上述控制裝置具備：寬限判定部，其判定直至使由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送動作停止為止之時間性寬限、或直至使上述搬送動作停止為止能夠搬送之上述片狀基板之長度之寬限；以及張力指示部，其基於上述寬限判定部之判定結果而指示於藉由上述搬送機構使上述片狀基板之上述搬送速度逐漸降低之期間內對上述片狀基板賦予之上述張力。
10‧‧‧捲出/捲取部
11‧‧‧清潔器部
12、12'‧‧‧張力調整部
13‧‧‧階部
14‧‧‧電源單元
15‧‧‧雷射控制單元
16‧‧‧冷卻器單元
17‧‧‧空調單元
30A‧‧‧基板供給單元
30B‧‧‧基板回收單元
50‧‧‧主控制部
52‧‧‧描繪控制部
54‧‧‧描繪單元驅動部
56‧‧‧開關元件驅動部
58‧‧‧對準/載台控制部
60a‧‧‧光源部
60b‧‧‧受光部
200‧‧‧高階控制裝置
400‧‧‧時間軸帶
402‧‧‧標識
404‧‧‧框
405a‧‧‧縮小按鈕
405b‧‧‧放大按鈕
406‧‧‧條形圖(速度變動圖)
408‧‧‧條形圖(實際儲存長度圖)
410a、410b‧‧‧條形圖(進行圖)
500a、500b、503a、503b、NRa、NR1、NR2、NR2'‧‧‧軋輥
501a~501d‧‧‧固定輥
502a~502e‧‧‧張力滾輪
504‧‧‧支持構件
506a、506b‧‧‧支柱
508‧‧‧控制部
Acc1、Acc2‧‧‧線圖(儲存長度變化曲線圖)
AMn‧‧‧對準系統
AM11~AM14‧‧‧顯微鏡物鏡
AOM1~AOM6‧‧‧聲光偏向元件
AP1~AP3‧‧‧編號標記圖案
AXf‧‧‧光軸
AXg‧‧‧旋動軸
AXo‧‧‧旋轉中心線
BDU‧‧‧光束光路調整機構
BF1‧‧‧第1儲存裝置
BF2‧‧‧第2儲存裝置
BP1‧‧‧壓盤
BS1‧‧‧光分割構件(偏振分光鏡)
CB‧‧‧腔室
CP1、CP2‧‧‧開口部
CSP、DSP‧‧‧顯示監視器
CUR1、CUR2‧‧‧清潔輥
CYa、CYb‧‧‧柱面透鏡
Dh、Lsx、Lz‧‧‧間隔
Dmp‧‧‧阻尼器(光吸收體)
DR‧‧‧轉筒
DT1‧‧‧光電感測器
DVa、DVb、DVc‧‧‧驅動部
DV1‧‧‧旋轉驅動機構
ECn、EC1a、EC1b、EC2a、EC2b‧‧‧編碼器頭
EPC1、EPC2‧‧‧捲筒保持部
Eps1、Eps2‧‧‧邊緣感測器
EX‧‧‧曝光裝置
FR、FRa、FRb‧‧‧供給捲筒
FT‧‧‧f-θ透鏡
LA‧‧‧臂構件
LB1~LB6、LBa、LBb、Le1~Le6‧‧‧光束
LPC‧‧‧電腦
LSa、LSb‧‧‧雷射光源
Lu‧‧‧搬送長度(移動量)
Lw‧‧‧長度
M10、M11、M12、M13、M14、M15‧‧‧反射鏡
MK1~MK4‧‧‧對準標記
MTg1、MTg2、MTg3‧‧‧觸發標記
OSM‧‧‧光學調變構件
P‧‧‧片狀基板
PM‧‧‧旋轉多面鏡
Poc‧‧‧中間位置
PR1~PR5‧‧‧處理裝置
PR2A‧‧‧塗佈部
PR2B‧‧‧加熱乾燥部
PR4A‧‧‧顯影處理部
PR4B‧‧‧乾燥處理部
R1、R2、R3‧‧‧引導輥
R4‧‧‧輥
RCU‧‧‧控制支架
RM‧‧‧旋轉驅動馬達
RMD‧‧‧輸入裝置
RR‧‧‧回收捲筒
RT1~RT7‧‧‧張力輥
SCB‧‧‧捲軸
SDa、SDb‧‧‧標度圓盤
Sfg‧‧‧旋轉軸
Sft、X、Y、Z‧‧‧軸
SH‧‧‧可動擋板(快門)
SL1~SL6‧‧‧描繪線
SP‧‧‧聚焦光
SSa、SSb‧‧‧空白部
STP‧‧‧印模裝置
TPC‧‧‧搬送控制部
TSTP‧‧‧停止顯示
tt1~tt11‧‧‧時刻
U1~U6‧‧‧描繪單元
Vf‧‧‧搬送速度
Vpp2~Vpp4‧‧‧線圖(速度曲線圖)
Vw11~Vw14‧‧‧觀察區域
W、W1~W4、W1a~W6a、W1b~W6b、Wn、Wn-1‧‧‧曝光區域
Xfa、Xfb‧‧‧位置
XG‧‧‧距離
Xp0、Xp1‧‧‧位置資訊
Xp2‧‧‧完成位置
Xst‧‧‧停止預定位置
△Lga‧‧‧尺寸
△Lgb‧‧‧間隔尺寸
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之整體構成之圖。
圖2係表示圖1之基板處理裝置之裝置之詳細構成之圖。
圖3係表示設置於圖2之曝光裝置之片狀基板之支持裝置(轉筒)與描繪單元之配置關係之圖。
圖4係表示對支持於圖3之支持裝置(轉筒)之片狀基板上之聚焦光之描繪線及形成於片狀基板上之對準標記進行檢測之對準系統之顯微鏡物鏡之各配置之圖。
圖5係表示對圖2之曝光裝置進行控制之裝置之構成之方塊圖。
圖6係表示用於圖2之曝光裝置中之片狀基板之搬送之暫時停止之控制程式之流程圖之圖。
圖7係對形成於片狀基板上之圖案形成區域、標記、描繪線之配置關係進行說明之圖。
圖8係表示作為圖6中之步驟120內之次常式而併入、且用以推定片狀基板之搬送停止之條件或狀態之程式之流程圖之圖。
圖9係示意性地表示對片狀基板上之曝光區域藉由描繪線進行圖案描繪之中途之狀態之圖。
圖10係說明於圖7所示之片狀基板之情形時所推定之搬送停止時之預想停止狀況之圖。
圖11A係表示將片狀基板卡留之其他機構例之圖，且為於XZ面內觀 察轉筒與軋輥之配置之圖，圖11B係表示將片狀基板卡留之其他機構例之圖，且為於XY面內觀察轉筒與軋輥之配置之圖。
圖12係表示概略性地說明於暫時停止中曝光裝置執行之作業之序列之流程圖之圖。
圖13係對第2實施形態中之暫時停止時之片狀基板之狀態進行說明之圖，且為將片狀基板與XY面平行地展開而成者。
圖14係表示第3實施形態之裝置製造系統(處理系統、製造系統)之概略性構成之概略構成圖。
圖15係表示儲存裝置之構成之圖。
圖16係表示形成於片狀基板之觸發標記之圖。
圖17係表示描繪單元之概略性構成之立體圖。
圖18係表示第4實施形態之裝置製造系統(處理系統、製造系統)之概略性外觀構成之立體圖。
圖19係表示將構成圖18之裝置製造系統之各處理裝置之當前之運轉狀態、以及可預測之今後之運轉狀態之推移以圖形之方式顯示於高階控制裝置之操作畫面上之情形時之一例之圖。
對本發明之態樣之基板處理裝置及基板處理方法，揭示較佳之實施形態，一面參照隨附之圖式，一面於以下詳細地進行說明。再者，本發明之態樣並不受該等實施形態所限定，亦包含添加有多種變更或改良者。亦即，於以下所記載之構成要素中，包含實質上相同者、及業者可容 易地假定者，以下所記載之構成要素可適當組合。又，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行構成要素之各種省略、替換或變更。
[第1實施形態]
圖1表示卷對卷方式之基板處理裝置之整體性構成，利用圖1之處理裝置所進行之處理係於藉由腔室CB所包圍之曝光裝置EX內，將電子裝置用之圖案曝光至片狀基板P之表面之抗蝕劑層或感光性矽烷偶合劑層等感光層。於圖1中，正交座標系統XYZ之XY面係與供設置處理裝置之工廠之水平之地面平行，且Z軸向係設為相對於地面垂直之重力方向。
經塗佈感光層並進行預烤之片狀基板P係以捲於供給捲筒FR之狀態，安裝於自捲筒保持部(第1捲筒保持部)EPC1向-Y方向突出之旋轉軸。捲筒保持部EPC1係設置於捲出/捲取部10之-X側之側面，且以可整體上於±Y方向上微動之方式構成。自供給捲筒FR拉出之片狀基板P係經由安裝於捲出/捲取部10之邊緣感測器Eps1、具有與Y軸平行之旋轉軸之複數個輥、及進行張力賦予及張力計測之張力輥RT1，而進給至安裝於在+X方向上相鄰之清潔器部11之清潔輥CUR1。清潔輥CUR1由2根輥所構成，該2根輥被加工成外周面具有黏著性且藉由與片狀基板P之正面與背面之各者接觸並旋轉而將附著於片狀基板P之正面及背面之微粒子或異物去除。
已通過清潔器部11之片狀基板P係經由自張力調整部12之XZ面向-Y方向突出地設置之軋輥NR1、及張力輥RT2，通過於曝光裝置EX之腔室CB之側壁於Y方向上呈狹縫狀地延伸而形成之開口部CP1，被搬入至曝光裝置EX內。片狀基板P之形成有感光層之面於通過開口部 CP1時成為上側(+Z方向)。於曝光裝置EX內進行過曝光處理之片狀基板P係通過於開口部CP1之-Z側、且腔室CB之側壁於Y方向上呈狹縫狀地延伸而形成之開口部CP2而搬出。此時，片狀基板P之形成有感光層之面成為下側(-Z方向)。通過開口部CP2而搬出之片狀基板P係經由自張力調整部12之XZ面向-Y方向突出地設置之張力輥RT3及軋輥NR2，而進給至在-X方向上相鄰之清潔器部11之清潔輥CUR2。清潔輥CUR2係與清潔輥CUR1同樣地構成。
已通過清潔器部11之片狀基板P係經由安裝於捲出/捲取部10之與XZ面平行之側面之下段部之張力輥RT4、邊緣感測器Eps2、及具有與Y軸平行之旋轉軸之複數個輥，而由回收捲筒RR捲取。回收捲筒RR係安裝於捲筒保持部(第2捲筒保持部)EPC2之旋轉軸，該捲筒保持部(第2捲筒保持部)EPC2係設置於捲出/捲取部10之-X側之側面之下部且以可整體上於±Y方向上微動之方式構成。回收捲筒RR係以片狀基板P之感光層朝向外周面側之方式捲起片狀基板P。如以上般，捲筒保持部EPC1、EPC2之各旋轉軸、及設置於捲出/捲取部10、清潔器部11、張力調整部12之各者之各種輥均係旋轉中心軸被與Y軸平行地設定，而片狀基板P以其表面始終與Y軸平行之狀態於長條方向上搬送。
捲筒保持部EPC1具備對供給捲筒FR賦予既定之轉矩之馬達或齒輪箱(減速器)，該馬達係基於藉由張力輥RT1所計測之張力量，藉由搬送機構之控制單元而進行伺服控制。同樣地，捲筒保持部EPC2具有對回收捲筒RR賦予既定之轉矩之馬達或齒輪箱(減速器)，該馬達係基於藉由張力輥RT4所計測之張力量，藉由搬送機構之控制單元而進行伺服控 制。進一步，來自對片狀基板P之一端部(邊緣部)之Y方向之位移進行計測之邊緣感測器Eps1的計測資訊係被輸送至使捲筒保持部EPC1(及供給捲筒FR)向±Y方向移動之伺服馬達之驅動控制部，將通過邊緣感測器Eps1朝向曝光裝置EX之片狀基板P之Y方向之位置偏移始終抑制於既定之容許範圍內。同樣地，來自對片狀基板P之一端部(邊緣部)之Y方向之位移進行計測之邊緣感測器Eps2的計測資訊係被輸送至使捲筒保持部EPC2(及回收捲筒RR)向±Y方向移動之伺服馬達之驅動控制部，根據通過邊緣感測器Eps2之片狀基板P之Y方向之位置偏移使回收捲筒RR於Y方向上移動，藉此抑制片狀基板P之捲繞不均。
於構成圖1所示之搬送機構之捲出/捲取部10、清潔器部11、張力調整部12之各者之-Y方向側，於X方向上延伸地設置有設置於工廠地面之階部13。該階部13係以可供操作者登至其上進行調整作業或維護作業之方式，於Y方向上具有數十cm之寬度。又，於階部13之內部，鋪設有各種電氣配線、空調氣體用配管、冷卻液體用配管等。於階部13之+Y方向側，配置有如下構件等：電源單元14；雷射控制單元15，其控制產生曝光用光束之雷射光源；冷卻器單元16，其係用以為了冷卻雷射光源或調變器等發熱部而使冷卻液循環；以及空調單元17，其將經調溫之氣體供給至曝光裝置EX之腔室CB內。
於以上之構成中，藉由安裝於張力調整部12之軋輥NR1及張力輥RT2，對曝光裝置EX之上游側之片狀基板P，賦予於長條方向(搬送方向)上大致固定之張力。張力輥RT2具備張力計測部(感測器)，能以計測出之張力量達到所指示之值之方式，藉由伺服馬達而於圖1中向±Z方 向移動。軋輥NR1可藉由一面使2根平行之輥以固定之按壓力相面對，並於其間夾持片狀基板P，一面利用伺服馬達旋轉驅動一輥，而將於軋輥NR1之上游側及下游側賦予至片狀基板P之張力切斷。藉由軋輥NR1之一輥之利用伺服馬達之旋轉驅動，可主動地控制片狀基板P之搬送速度，例如，若將軋輥NR1之伺服馬達之旋轉伺服鎖定於停止狀態(速度零)，則可將片狀基板P卡止(卡留)於軋輥NR1之位置(既定位置)。
同樣地，藉由安裝於張力調整部12之軋輥NR2及張力輥RT3，對曝光裝置EX之下游側之片狀基板P，賦予於長條方向(搬送方向)上大致固定之張力。張力輥RT3具備張力計測部(感測器)，能以計測出之張力量達到所指示之值之方式，藉由伺服馬達而於圖1中向±Z方向移動。由於軋輥NR2係與軋輥NR1同樣地可由伺服馬達主動地旋轉控制，故而可將於軋輥NR2之上游側及下游側賦予至片狀基板P之張力切斷。藉由將軋輥NR2之伺服馬達之旋轉伺服鎖定於停止狀態(速度零)，而使片狀基板P被卡止(卡留)於軋輥NR2之位置(既定位置)。
進一步，於本實施形態中，藉由對旋轉驅動供給捲筒FR之伺服馬達、與旋轉驅動軋輥NR1之伺服馬達，根據利用張力輥RT1所計測之張力量進行同步控制，可於自供給捲筒FR至軋輥NR1為止之搬送路徑中，對片狀基板P賦予既定之張力。同樣地，藉由對旋轉驅動回收捲筒RR之伺服馬達、與旋轉驅動軋輥NR2之伺服馬達，根據利用張力輥RT4所計測之張力量進行同步控制，可於自軋輥NR2至回收捲筒RR為止之搬送路徑中，對片狀基板P賦予既定之張力。
接著，於本實施形態中處理之片狀基板P可使用例如樹脂 膜(塑膠)、由不鏽鋼等金屬或合金所構成之箔(foil)等。作為樹脂膜之材質，亦可使用例如包含聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂中之1種或2種以上者。又，片狀基板P之厚度或剛性(楊氏模數)只要為如於搬送時不會於片狀基板P產生因屈曲而引起之折痕或不可逆之皺褶般之範圍即可。於作為電子裝置，製作軟性之顯示面板、觸控面板、彩色濾光片、防電磁波濾波器、一次性感測器片等之情形時，可使用厚度為25μm~200μm左右之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等樹脂製片材。
又，片狀基板P亦可為於PET或PEN等樹脂製片材之一面或兩面積層金屬系物質、有機系物質、氧化物等之膜構造而成者。尤其是，於電子裝置之製造時，為了安裝(焊接)電子零件、或形成電晶體、電容器、感測器等之電極層，可使用將銅或鋁等金屬系物質之導電膜(層)以既定之厚度(例如，1μm~數十μm)積層於樹脂製片材而成者，片狀基板P亦可為積層有此種導電層者。進一步，片狀基板P亦可係為了將薄膜電晶體或電容器等之絕緣層或半導體層形成於片狀基板P上，而將成為絕緣層之有機系物質或成為半導體層之氧化物系物質積層於樹脂製片材而成者、或具有積層不同之物質之複數個層(例如導電層及半導體層)而成之多層構造者。
片狀基板P係為了可實質上無視例如因於對片狀基板P所實施之各種處理中受到之熱而引起之變形量，而理想為選定熱膨脹係數不顯著較大者。又，若於成為基底之樹脂製片材，混合例如氧化鈦、氧化鋅、 氧化鋁、氧化矽等無機填料，則亦可減小熱膨脹係數。又，片狀基板P可為利用浮式法等而製造之厚度100μm以下之可彎曲之極薄玻璃之單層體，亦可為於該極薄玻璃貼合上述樹脂膜、或者鋁或銅等之金屬層(箔)等而成之積層體。
接著，所謂片狀基板P之可撓性係指即便對片狀基板P施加自身重量程度之力亦不會剪斷或斷裂，而可使該片狀基板P彎曲之性質。又，因自身重量程度之力而彎曲之性質亦包含於可撓性。又，根據片狀基板P之材質、大小、厚度、成膜於片狀基板P上之層構造、及溫度、濕度等環境等，可撓性之程度變化。總之，於將片狀基板P準確地捲繞至設置於本實施形態之圖1之基板處理裝置(或曝光裝置EX)內之搬送路徑的各種搬送用輥、轉筒等搬送方向轉換用構件之情形時，只要可將片狀基板P不使其屈曲而留下折縫、或破損(產生破碎或破裂)地順利地搬送，則可謂可撓性之範圍。
圖2係表示圖1所示之曝光裝置EX之構成之圖，該曝光裝置EX係如下之直接成像型圖案描繪裝置，即，將來自雷射光源LSa、LSb之各者之曝光用光束分時地分配成6個光束LB1~LB6，並供給至6個描繪單元U1~U6之各者，且於描繪單元U1~U6之各者中將光束藉由旋轉多面鏡(polygon mirror)於片狀基板P上進行掃描。此種圖案描繪裝置例如揭示於國際公開第2015/166910號說明書，故而省略關於自雷射光源LSa、LSb至各描繪單元U1~U6為止之構成之詳細說明。
於本實施形態中，經由張力調整部12之軋輥NR1而搬入之片狀基板P係依序架設於引導輥R1、張力輥RT5、轉筒DR、張力輥RT6、 引導輥R2、R3，然後自曝光裝置EX搬出並到達至軋輥NR2。於圖1中，於軋輥NR1與曝光裝置EX之間設置有張力輥RT2，但於圖2中省略。同樣地，於圖1中，於軋輥NR2與曝光裝置EX之間設置有張力輥RT3，但於圖2中省略。
轉筒DR具有距與Y軸平行之中心線為固定半徑之圓筒狀之外周面，且以該外周面之+Z方向之約半周而密接支持片狀基板P。轉筒DR係作為於將圖案曝光至片狀基板P時對片狀基板P之表面以成為穩定之面(圓筒面)之方式進行支持之支持構件而發揮功能，並且亦作為藉由利用包含馬達等之旋轉驅動機構DV1所進行之旋轉驅動，而將片狀基板P之表面於長條方向按照被控制之速度精密地輸送之可動載台構件而發揮功能。轉筒DR之旋轉角度位置或外周面之圓周方向之移動量可藉由編碼器系統之編碼器頭(讀取頭)ECn而檢測。藉由編碼器頭ECn所計測之轉筒DR之旋轉角度位置(或外周面之圓周方向之移動量)之資訊被輸送至對描繪單元U1~U6之圖案描繪統一地進行控制之控制單元(詳細情況藉由圖5於下文敍述)內之對準/載台控制部58，對準/載台控制部58將控制轉筒DR之旋轉之驅動訊號輸送至旋轉驅動機構DV1。
圖3係對沿轉筒DR之外周面而被支持之片狀基板P、藉由來自描繪單元U1~U6之各者之光束Le1~Le6之掃描而形成之描繪線(掃描線)SL1~SL之配置、及各編碼器頭EC1a、EC1b、EC2a、EC2b之配置進行說明之圖。此種配置關係之說明係揭示於上述國際公開第2015/166910號說明書，進一步亦揭示於國際公開第2013/146184號說明書。編碼器頭EC1a、EC2a係以與標度圓盤SDa之外周面之標度部(格子狀之刻度線) 對向之方式配置，該標度圓盤SDa係與延伸設置之軸Sft之旋轉中心線AXo同軸地安裝於轉筒DR之-Y方向之端部側，編碼器頭EC1b、EC2b係以與標度圓盤SDb之外周面之標度部(格子狀之刻度線)對向之方式配置，該標度圓盤SDb係與旋轉中心線AXo同軸地安裝於轉筒DR之+Y方向之端部側。宜使標度圓盤SDa、SDb之外周面(標度面)之半徑與轉筒DR之外周面之半徑大致一致，但亦可存在最大不超過數mm左右之差。
如圖3所示，自旋轉中心線AXo觀察，轉筒DR之圓周方向上之奇數號描繪線SL1、SL3、SL5之方位、與標度圓盤SDa、SDb之圓周方向上之編碼器頭EC1a、EC1b之設置方位係為了減小計測時之阿貝誤差，而設定為儘可能一致。同樣地，自旋轉中心線AXo觀察，轉筒DR之圓周方向上之偶數號描繪線SL2、SL4、SL6之方位、與標度圓盤SDa、SDb之圓周方向上之編碼器頭EC2a、EC2b之設置方位係為了減小計測時之阿貝誤差，而設定為儘可能一致。奇數號描繪線SL1、SL3、SL5與偶數號描繪線SL2、SL4、SL6係於轉筒DR之圓周方向上以既定之角度隔開，藉由6條描繪線SL1~SL6之各者所描繪之圖案係於作為描繪光束LB1~LB6之各者之主掃描方向之片狀基板P上之Y方向(寬度方向)上拼接。由6條描繪線SL1~SL6包圍之區域為圖案描繪區域(描繪區域)，且將其圓周方向之中間設為中間位置Poc。再者，所謂使編碼器頭ECn之設置方位與對應之描繪線SLn之方位儘可能一致係指作為轉筒DR之外周面(或標度圓盤SD之標度面)上之圓周方向之距離，例如設定為數mm以內、較佳為1mm以內之差。
返回至圖2之說明，於曝光裝置EX之雷射光源LSa、LSb 之各者之光束射出口，設置有機械地遮蔽射出之光束之可動擋板(快門)SH。於本實施形態中，於奇數號描繪單元U1、U3、U5之各者，來自雷射光源LSa之光束藉由光束切換用光學調變構件OSM而分成3個光束LB1、LB3、LB5地使用，於偶數號描繪單元U2、U4、U6之各者，來自雷射光源LSb之光束藉由光束切換用光學調變構件OSM而分成3個光束LB2、LB4、LB6地使用。作為光學調變構件OSM，可使用聲光調變(偏向)元件等，關於其功能或動作，於上述國際公開第2015/166910號說明書中已詳細地說明。雷射光源LSa、LSb例如由產生振盪頻率為數百MHz之紫外線脈衝光束(波長360nm以下)之光纖放大器雷射光源(諧波轉換雷射光源)等構成，且與光學調變構件OSM一併安裝於配置在曝光裝置EX之腔室CB內之最上段之壓盤BP1。雷射光源LSa、LSb或光學調變構件OSM(及其驅動電路等)成為發熱源，因此於壓盤BP1之內部形成有供冷卻用流體(液體或氣體)流通之流路。因此，壓盤BP1係作為抑制因來自發熱源之熱而腔室CB內之溫度上升之散熱構件、或隔熱構件而發揮功能。並且，於腔室CB內之最上段之空間內，以既定之流量流通被控制了溫度及濕度之潔淨之空氣、例如除了高效率粒子空氣濾器(HEPA filter，High Efficiency Particulate Air filter)以外亦使用化學過濾器而將化學物質(有機物)等粒子去除後之空氣。
藉由光學調變構件OSM而分出之光束LB1~LB6之各者係經由配置於壓盤BP1之下方之光束光路調整機構BDU，而供給至描繪單元U1~U6之各者。光束光路調整機構BDU係以光束LB1~LB6之各者之偏心誤差及斜率誤差為容許範圍以下地準確地入射至對應之描繪單元U1~ U6之各者之方式對光束光路進行微調整者，且包含能對角度等進行微調整之複數個反射鏡、平行平板玻璃、稜鏡等。於光束光路調整機構BDU內，雖無法設置尤其是成為較大之熱源之構件，但為了抑制光束之波動等，於收容光束光路調整機構BDU之腔室CB之中段之空間內，亦以既定之流量流通被控制了溫度及濕度之潔淨之空氣。
於轉筒DR之周圍，於片狀基板P之搬送方向上，於描繪單元U1~U6之上游側，設置有經由顯微鏡物鏡而利用二維攝像元件(CMOS)拍攝並檢測形成於片狀基板P之對準標記等之對準系統AMn。由對準系統AMn拍攝所得之對準標記之圖像資訊被輸送至藉由圖5於下文敍述之對準/載台控制部58，且被用於描繪單元U1~U6之各者於片狀基板P上進行圖案描繪時之對位。
於以上之圖2之構成中，包含旋轉驅動軋輥NR1之馬達之驅動部DVa、及包含旋轉驅動軋輥NR2之馬達之驅動部DVb係基於來自搬送控制部TPC之指示資訊，進行旋轉開始或停止之控制、或旋轉速度之控制。進一步，搬送控制部TPC係輸入來自設置於張力輥RT5、RT6之測力器等之各檢測訊號，並計測於張力輥RT5與轉筒DR之間賦予至片狀基板P之張力量、及於轉筒DR與張力輥RT6之間賦予至片狀基板P之張力量，且以該等張力量成為所指定之值之方式，使張力輥RT5、RT6之各者之Z方向之位置移動、或調整向Z方向移動時之阻尼係數(黏性阻力)。於使片狀基板P之搬送暫時性地停止之情形時，可使藉由搬送控制部TPC而驅動控制之軋輥NR1或軋輥NR2作為卡留構件而發揮功能。搬送控制部TPC係與對圖1所示之處理裝置之全體之序列或操作統一地進行控制之主控制 部50(藉由圖5於下文敍述)連接。
接著，於並非如圖1之處理裝置般將供給捲筒FR與回收捲筒RR相對於曝光裝置EX設置於同一側(-X方向側)，而是使回收捲筒RR隔著曝光裝置EX而設置於供給捲筒FR之相反側(+X方向側)之情形時，如圖2所示，片狀基板P係經由轉筒DR、張力輥RT7、輥R4而進給至後續之張力調整部12'。於張力調整部12'中，設置有藉由接收來自搬送控制部TPC之指示資訊之驅動部DVc而旋轉驅動之軋輥NR2'。軋輥NR2'係與軋輥NR2同樣地發揮功能，張力輥RT7係與張力輥RT6同樣地具備藉由搬送控制部TPC而進行張力計測、或進行張力調整之功能。但是，有時於軋輥NR2'之後連接有下一步驟之處理裝置。作為下一步驟之處理裝置，例如有對曝光後之片狀基板P之抗蝕劑層進行加熱之後烘烤裝置、對曝光後之片狀基板P之抗蝕劑層進行顯影/清洗之顯影裝置、根據形成於片狀基板P之感光層之潛像而使電鍍核析出之無電解電鍍裝置、根據形成於片狀基板P之感光層之潛像而進行蝕刻之蝕刻裝置、或根據形成於片狀基板P之感光層之潛像之親液撥液性而選擇性地塗佈功能性油墨(含有金屬、半導體、絕緣體等之奈米粒子之油墨)之印刷裝置等。
進一步，於本實施形態中，於片狀基板P之搬送路徑中設置有將表示使曝光裝置EX之對片狀基板P之曝光處理暫時停止時之位置或狀態之資訊圖案(條碼等)刻印於片狀基板P之寬度方向之周圍之雷射打標機等印模裝置STP。印模裝置STP係於即將暫時性地中斷曝光處理之前或剛暫時性地中斷曝光處理之後，且於使被賦予至搬送中之片狀基板P之既定之張力降低之前，刻印資訊圖案。印模裝置STP亦可於可藉由對準系 統AMn檢測之位置，刻印具有與對準標記之形狀不同之特徵之指標圖案。該指標圖案可用作使對於片狀基板P之曝光處理重新開始時之再啟動位置。印模裝置STP亦與主控制部50(藉由圖5於下文敍述)連接，且配合暫時停止之時序，而控制指標圖案或資訊圖案之刻印。再者，若使用此種印模裝置STP，則如例如國際公開第2016/035842號說明書所揭示般，亦可將藉由複數個處理步驟之各者而實施於片狀基板P之處理之條件或狀態作為歷程而殘留於片狀基板P上。
圖4係將圖2所示之對準系統AMn之配置於XY面展開而表示之圖，於本實施形態中，4個顯微鏡物鏡AM11~AM14於Y方向上以既定之間隔配置。各顯微鏡物鏡AM11~AM14係如圖4所示般，檢測形成於片狀基板P之複數個對準標記(mark)MKm(MK1~MK4)。複數個對準標記MKm(MK1~MK4)例如分別為形成於200μm見方之範圍內之十字線狀之標記，且為用以將要描繪至片狀基板P之被處理面上之曝光區域W之既定之圖案與片狀基板P相對地進行對位(進行對準)的基準標記。複數個顯微鏡物鏡AM11~AM14係於藉由轉筒DR之外周面(圓周面)所支持之片狀基板P上，檢測複數個對準標記MKm(MK1~MK4)。複數個顯微鏡物鏡AM11~AM14係設置於較來自各描繪單元U1~U6之光束LBn(LB1~LB6)之聚焦光之於片狀基板P上之被照射區域(由描繪線SL1~SL6包圍之區域)更靠片狀基板P之搬送方向之上游側(-X方向側)。
對準系統AMn具有：光源，其經由各顯微鏡物鏡AM11~AM14而將對準用照明光投射至片狀基板P；以及CCD、CMOS等二維攝像元件，其於片狀基板P於搬送方向上移動之期間內，利用高速快門速度 拍攝片狀基板P之表面之包含對準標記MKm之局部區域(觀察區域)Vw11~Vw14之各者之放大像。由對準系統AMn之二維攝像元件拍攝所得之圖像資訊(圖像資料)係藉由對準/載台控制部58(使用圖5於下文敍述)而進行圖像解析，從而檢測片狀基板P上之對準標記MKm(MK1~MK4)之各位置(標記位置資訊)。再者，對準用照明光係相對於片狀基板P上之感光層基本不具有感度之波長區域之光、例如波長500~800nm左右之光。又，各觀察區域Vw11~Vw14之片狀基板P上之大小係根據對準標記MK1~MK4之大小或對準精度(位置計測精度)而設定，為100~500μm見方左右之大小。
複數個對準標記(mark)MK1~MK4係設置於各曝光區域W之周圍。對準標記MK1、MK4係於曝光區域W之片狀基板P之寬度方向(Y方向)之兩側，沿片狀基板P之長條方向以固定之間隔Dh形成有複數個。對準標記MK1形成於片狀基板P之寬度方向之-Y方向側，對準標記MK4形成於片狀基板P之寬度方向之+Y方向側。此種對準標記MK1、MK4係以於片狀基板P未受到較大之張力、或受到熱處理而變形之狀態下於片狀基板P之長條方向(X方向)上成為相同位置之方式配置。進一步，對準標記MK2、MK3係於對準標記MK1與對準標記MK4之間、且於曝光區域W之+X方向側與-X方向側之空白部沿片狀基板P之寬度方向(短尺寸方向)形成。對準標記MK2、MK3係形成於曝光區域W與曝光區域W之間。再者，對準標記MK1、MK4之長條方向之間隔Dh可根據片狀基板P之材質、厚度、剛性而設定為任意之值，但於為相對於張力之變形率較大之片狀基板之情形時宜設為5mm左右。又，亦可將對準標記MK1、 MK4之長條方向之間隔Dh不考慮片狀基板P之材質、厚度、剛性(楊氏模數)而始終以最窄之固定值(例如4mm)形成，且於片狀基板P之變形較大之情形時，於片狀基板P被進給之期間內針對每個間隔Dh檢測對準標記MK1、MK4，於片狀基板P之變形較小之情形時，每隔1個(間隔2Dh)、或每隔2個(間隔3Dh)地拉長間隔地檢測對準標記MK1、MK4。
進一步，排列於片狀基板P之-Y方向側之端部之對準標記MK1與空白部之對準標記MK2之Y方向之間隔、空白部之對準標記MK2與對準標記MK3之Y方向之間隔、及排列於片狀基板P之+Y方向側之端部之對準標記MK4與空白部之對準標記MK3之Y方向之間隔均設定得相同之距離。該等對準標記MKm(MK1~MK4)可於將第1層之圖案層形成於片狀基板P上時一起形成。例如，可於曝光第1層之圖案時，於被曝光圖案之曝光區域W之周圍亦一起曝光對準標記用圖案。再者，對準標記MKm亦可形成於曝光區域W內。例如，亦可於曝光區域W內、且沿曝光區域W之輪廓形成。又，亦可將形成於曝光區域W內之電子裝置之圖案中之既定位置之圖案部分、或既定形狀之部分用作對準標記MKm。
圖5係表示對本實施形態中之基板處理裝置(曝光裝置EX)統一地進行控制之裝置之概略構成之方塊圖。於主控制部(主電腦)50，連接有圖2所示之搬送控制部TPC及印模裝置STP，並且連接有描繪控制部52。進一步，於描繪控制部52，連接有對準/載台控制部58。於描繪控制部52之下，連接有描繪單元驅動部54、開關元件驅動部56、及雷射光源LSa、LSb。開關元件驅動部56係將構成光學調變構件OSM之6個聲光偏向元件AOM1~AOM6之各者，與6個描繪單元U1~U6之各者之旋轉 多面鏡(polygon mirror)PM之旋轉角度位置同步地，依次藉由高頻訊號而驅動，而將光束LBn(LB1~LB6)分時地供給至對應之描繪單元U1~U6之各者。來自雷射光源LSa之光束LBa依序串聯地通過與奇數號描繪單元U5、U3、U1之各者對應之聲光偏向元件AOM5、AOM3、AOM1。於圖5中，表示與奇數號描繪單元U5、U3、U1中之描繪單元U3對應之聲光偏向元件AOM3成為接通狀態(偏向狀態)，其他聲光偏向元件AOM1、AOM5成為斷開狀態(非偏向狀態)之情形。於奇數號聲光偏向元件AOM5、AOM3、AOM1均為斷開狀態(非偏向狀態)之情形時，於自雷射光源LSa產生光束LBa、或強度極低之洩漏光束時，阻尼器(光吸收體)Dmp吸收光束LBa或洩漏光束。
同樣地，來自雷射光源LSb之光束LBb依序串聯地通過與偶數號描繪單元U2、U4、U6之各者對應之聲光偏向元件AOM2、AOM4、AOM6。於圖5中，表示與偶數號描繪單元U2、U4、U6中之描繪單元U4對應之聲光偏向元件AOM4成為接通狀態(偏向狀態)，其他聲光偏向元件AOM2、AOM6成為斷開狀態(非偏向狀態)之情形。於偶數號聲光偏向元件AOM2、AOM4、AOM6均為斷開狀態(非偏向狀態)之情形時，於自雷射光源LSb產生光束LBb或洩漏光束時，藉由阻尼器(光吸收體)Dmp而吸收。
描繪單元驅動部54具有對使描繪單元U1~U6之各者之旋轉多面鏡PM旋轉之馬達之旋轉速度高精度地進行控制之多面鏡驅動電路。又，描繪單元U1~U6之各者具備原點感測器，該原點感測器係於旋轉多面鏡PM之各反射面即將將描繪用光束LBn投射至片狀基板P上之掃 描開始位置之前的時序產生原點訊號。多面鏡驅動電路係基於自描繪單元U1~U6之各者產生之原點訊號，以使描繪單元U1~U6之各者之旋轉多面鏡PM之旋轉速度精密地一致，並且旋轉多面鏡PM之旋轉角度相位成為既定之狀態之方式，控制旋轉多面鏡PM之馬達。所謂旋轉多面鏡PM之旋轉角度相位之設定，詳細而言揭示於國際公開第2015/166910號說明書，例如指設定為於奇數號描繪單元U1、U3、U5各自之旋轉多面鏡PM之旋轉中，僅描繪用光束LB1、LB3、LB5中之任1者於對應之描繪線SL1、SL3、SL5上進行掃描般之時序。同樣地指設定為於偶數號描繪單元U2、U4、U6各自之旋轉多面鏡PM之旋轉中，僅描繪用光束LB2、LB4、LB6中之任1者於對應之描繪線SL2、SL4、SL6上進行掃描般之時序。
與主控制部50連接之描繪控制部52具有：記憶部，其記憶描繪單元U1~U6之各者應於片狀基板P上描繪之圖案資訊(例如，將描繪區域細分化為二維像素圖且於各像素設定邏輯值「0」或「1」所得之點陣圖資料)；以及資料送出部，其對經由描繪單元驅動部54而獲取之來自描繪單元U1~U6之各者之原點訊號進行回覆，而將圖案資訊(點陣圖資料)轉換為位元串列之描繪資料，並送出至雷射光源LSa、LSb之各者。於將雷射光源LSa、LSb之各者設為光纖放大器雷射光源之情形時，將對時脈訊號之時脈脈衝進行回覆而於紅外波長區域脈衝發光之種光藉由光纖放大器放大之後，藉由波長轉換元件而轉換為紫外波長區域(例如355nm)之光束LBa、LBb。因此，如國際公開第2015/166910號說明書所揭示般，可藉由將入射至光纖放大器之種光之狀態，對與雷射光源LSa、LSb之時脈訊號同步地自資料送出部輸出之位元串列之描繪資料(邏輯值「0」或「1」) 進行回覆而切換，從而獲得根據描繪資料而調變了強度之描繪用光束LBn(LB1~LB6)。
進一步，描繪控制部52係對經由描繪單元驅動部54而獲得之來自描繪單元U1~U6之各者之原點訊號進行回覆，而對驅動聲光偏向元件AOM1~AOM6之各者之開關元件驅動部56輸出如下般之控制訊號，即，將奇數號聲光偏向元件AOM1、AOM3、AOM5中之任1者依序設為接通狀態，並且將偶數號聲光偏向元件AOM2、AOM4、AOM6中之任1者依序設為接通狀態。於圖5之情形時，例如來自雷射光源LSa之光束LBa僅藉由奇數號聲光偏向元件AOM3而偏向，並入射至對應之描繪單元U3，故而描繪用光束LB3藉由旋轉多面鏡PM而掃描，進行沿描繪線SL3之1條掃描線之程度之圖案描繪。此時，自描繪控制部52送出至雷射光源LSa之描繪資料成為基於應藉由描繪單元U3描繪之圖案資訊而生成者。同樣地，來自雷射光源LSb之光束LBb僅藉由偶數號聲光偏向元件AOM4而偏向，並入射至對應之描繪單元U4，故而描繪用光束LB4藉由旋轉多面鏡PM而掃描，而進行沿描繪線SL4之1條掃描線之程度之圖案描繪。此時，自描繪控制部52送出至雷射光源LSb之描繪資料成為基於應藉由描繪單元U4描繪之圖案資訊而生成者。
如此，於本實施形態中，自雷射光源LSa射出之光束LBa係於對描繪單元U1、U3、U5中之任1者應描繪之圖案資訊之描繪資料進行回覆而受到強度調變之狀態下，入射至對應之描繪單元Un。同樣地，自雷射光源LSb射出之光束LBb係於對描繪單元U2、U4、U6中之任1者應描繪之圖案資訊之描繪資料進行回覆而受到強度調變之狀態下，入射至對 應之描繪單元Un。由於描繪資料(位元串列)例如可設定為以來自雷射光源LSa、LSb之時脈訊號之1/2之頻率被送出(可對1個像素藉由2個脈衝之聚焦光進行描繪)，故而於將時脈訊號設為400MHz(與光束LBa、LBb之脈衝發光之頻率相同)之情形時，基於描繪資料之光束LBa、LBb之強度調變之頻率最大為200MHz。該頻率係較聲光調變(偏向)器(AOM)之光束之強度調變(光束偏向)之最高回覆頻率(大致50MHz)高很多。
對準/載台控制部58具備標記位置計測部，該標記位置計測部係基於來自藉由圖2、圖4所說明之對準系統AMn(包含對應於4個顯微鏡物鏡AM11~AM14之各者而設置之二維攝像元件)之圖像資訊，對片狀基板P上之對準標記MKm之放大像進行圖像解析，而計測各標記之位置或位置偏移量。進一步，對準/載台控制部58具備計數電路部，該計數電路部係基於來自檢測轉筒DR之旋轉角度位置之變化之編碼器頭ECn之計測資訊，計測片狀基板P之搬送方向(沿轉筒DR之外周面之圓周方向)上之移動量。對準/載台控制部58係以片狀基板P之移動速度與目標速度一致之方式，基於來自編碼器頭ECn之計測資訊或計數電路部之計測值而控制旋轉驅動機構DV1(參照圖2)。又，對準/載台控制部58係基於計數電路部之計測值及藉由標記位置計測部所計測之對準標記MKm之位置資訊，而既定出片狀基板P上之曝光區域W之X方向之描繪開始位置或描繪結束位置，並將該描繪開始位置或描繪結束位置之資訊(時序)輸送至描繪控制部52。
以上，藉由利用圖1~圖5所說明之本實施形態之處理裝置之構成，於自供給捲筒FR捲出並被搬入至曝光裝置EX之片狀基板P，於 圖4所示之曝光區域W之各者依次描繪(曝光)電子裝置用圖案，且自曝光裝置EX被搬出之片狀基板P藉由回收捲筒RR而捲取。若自供給捲筒FR至回收捲筒RR為止之片狀基板P之全體之搬送機構(參照圖1、圖2)之片狀基板P之搬送誤差、及曝光裝置EX內之各描繪單元Un中之旋轉多面鏡PM之驅動誤差、描繪線SL1~SL6之相對性之位置誤差及斜率誤差、描繪倍率誤差、連接誤差等為容許範圍內，則能以固定速度持續搬送片狀基板P，而將電子裝置用圖案持續反覆曝光至片狀基板P上。
然而，若使曝光裝置EX長時間地持續運轉，則或多或少可能產生經時性變動。尤其是，於如本實施形態之曝光裝置EX般掃描光束之聚焦光之直接成像方式之圖案描繪裝置之情形時，光束之強度變動、入射至描繪單元Un之光束之位置或入射角度之變動等有使描繪於片狀基板P上之圖案之品質明顯受損之虞。又，於因長時間之運轉而曝光裝置EX內之各部之溫度上升，尤其是於光束光路中之保持光學零件之金屬部分或殼體產生熱變形之情形時，通過自雷射光源LBa、LBb至片狀基板P為止之光路之光束之直徑較小，因此亦存在投射於片狀基板P上之聚焦光(例如直徑3μm)之位置以數微米級變動之情況。進一步，亦存在因金屬部分或殼體之熱變形，而圖4所示之對準系統AMn之各觀察區域Vw11~Vw14與描繪單元Un之各描繪線SL1~SL6之X方向(片狀基板P之長條方向)之間隔、所謂基線長度變動之情形。
因此，於本實施形態之基板處理裝置(曝光裝置EX)中，於在對片狀基板P進行曝光處理之期間內，產生光束強度之變動、光束之位置或入射角度之變動、或曝光裝置EX內之各部之溫度變化等之情形時、 或於自供給捲筒FR至回收捲筒RR為止之片狀基板P之搬送路徑中產生搬送誤差之情形時，將曝光裝置EX之曝光處理暫時性地中斷，並進行用以維持裝置之狀態之調整作業。為了該調整作業，於曝光裝置EX內或搬送機構(圖1)通過之片狀基板P之搬送動作被暫時性地停止。於圖1、圖2所示之處理裝置中，軋輥NR1、NR2(NR2')、及轉筒DR對片狀基板P賦予搬送推力，藉由使其等之驅動部DVa、DVb、DVc、旋轉驅動機構DV1之各馬達轉變為停止狀態，可停止片狀基板P之搬送。
圖6係對用於包含曝光裝置EX之處理裝置之暫時停止之概略性控制序列(控制程式之序列控制)進行說明之流程圖。雖然圖6之流程圖(控制序列)亦可藉由對處理裝置全體進行統一控制之電腦、或設置處理裝置之工廠之主電腦而執行，但此處設為於圖5之主控制部50內執行者而進行說明。圖6之控制序列係於曝光裝置EX之主控制部50或搬送機構之控制系統產生某些停止要求時，作為中斷處理而執行。對停止要求進行大致區分，存在：於裝置內發生無法立即恢復之異常(故障等)時所產生之緊急停止之要求，及如調整作業等般只要僅使裝置之運轉(片狀基板P之搬送)停止一定時間則能夠再運轉之暫時停止之要求。於圖1、圖2所示之處理裝置(包含曝光裝置EX)中，設置有感測關於片狀基板P之搬送之各種異常或誤差之監視器。該等監視器主要為於圖1、圖2所示之構成中，計測於片狀基板P之長條方向上被賦予之張力之張力輥RT1~RT7、及計測片狀基板P之端部(邊緣部)之寬度方向之位移之邊緣感測器Eps1、Eps2。
作為其他監視器，圖2、圖4所示之對準系統AMn(包含顯微鏡物鏡AM11~AM14)亦可用作於無法於預定之位置識別以固定間隔 Dh形成之標記MKm之情形時，感測片狀基板P之搬送中產生較大之誤差(異常)之感測器。進一步，於處理裝置內之各驅動部DVa、VDb、VDc、旋轉驅動機構DV1等驅動源(馬達)之控制電路中，組入有感測驅動狀態之異常(伺服回覆之不良、擺盪(hunting)或振動之產生、異常發熱等)之監視器或感測器。於曝光裝置EX內之各種驅動部(圖5中之描繪單元驅動部54、開關元件驅動部56)或雷射光源LSa、LSb中，亦設置有感測各功能之動作或狀態之感測器(光源監視器)。
又，雖未圖示，但設置有：皺褶產生監視器(例如，日本專利特開2002-211797號公報、日本專利特開2009-249159號公報)，其感測於捲繞於曝光裝置EX之轉筒DR之外周面之片狀基板P產生如於寬度方向之隨機之位置沿長條方向延伸般之縱皺褶；及蜿蜒感測感測器(例如，日本專利特開2001-233517號公報、日本專利特開2013-018557號公報)等，其感測於片狀基板P即將捲繞至轉筒DR之外周面之前產生之蜿蜒；從而可感測片狀基板P之搬送誤差或搬送不良。因此，主控制部50係逐次收集來自上述張力輥RT1~RT7、邊緣感測器Eps1、Eps2、對準系統AMn、各種驅動部之監視器或感測器、光源監視器、或皺褶產生監視器或蜿蜒感測感測器等之感測資訊，立即判定於搬送機構或曝光裝置EX中是否發生了異常。
接著，於圖6之控制序列之步驟100中，主控制部50基於處理裝置(曝光裝置EX及搬送機構)內之各處之感測器或監視器之感測資訊，而解析是否於片狀基板P之搬送狀態、或曝光裝置EX之運轉狀態產生了難以恢復之異常、或者是否短期內會達到難以恢復之異常，並於產生了 異常、或預測到短期內會產生異常之情形時，判斷為必須緊急停止。
〔緊急停止模式〕
若判斷為必須緊急停止，則主控制部50於下一步驟102中，判斷於使處理裝置(搬送機構及曝光裝置EX)之運轉完全停止為止是否存在時間性寬限(餘裕)，於存在寬限之情形時，執行考慮步驟120以後之再運轉時之應對之序列。於在步驟102內判定為無時間性寬限之情形時，主控制部50於下一步驟104中，判斷是否能夠藉由印模裝置STP(圖2)，將資訊圖案或條碼等印模(打入)至片狀基板P上。藉由印模裝置STP打入至片狀基板P上之資訊圖案或條碼等例如為關於曝光處理被中斷之曝光區域W之位址(自片狀基板P之開頭數起之曝光區域之編號)、或自片狀基板P之長條方向之起點位置至曝光處理中斷之位置為止之長度等者。作為打入至片狀基板P上之資訊圖案或條碼，亦可進一步附加表示緊急停止之因素(被判斷為異常之機構或功能)之編碼序號、判斷為緊急停止之日期時間等。
由於利用印模裝置STP所進行之資訊圖案或條碼等之打入花費相應之時間，故而主控制部50於步驟104中，考慮該時間而判斷是否能夠印模，若能夠，則於下一步驟106中啟動印模裝置STP而將資訊圖案或條碼等打入至片狀基板P。於在步驟104中，判斷為印模(打入)時間亦無之程度之緊急性之情形時，省略步驟106而執行步驟108之急停止模式之參數設定。
於急停止模式下，主要以不損傷片狀基板P地快速轉變為搬送停止狀態之方式，設定驅動部DVa、DVb、DVc、旋轉驅動機構DV1、及供給捲筒FR及回收捲筒RR之各旋轉驅動部之各者之控制參數(亦包含 控制時序)。由於在急停止之情形時，存在賦予至片狀基板P之張力(長條方向之張力)急遽地變動之情況，故而為了不對片狀基板P施加過度之張力，以藉由張力輥RT1~RT7而計測之張力量不自設定範圍偏離之方式對驅動部DVa、DVb、DVc、旋轉驅動機構DV1、供給捲筒FR及回收捲筒RR之各旋轉驅動部進行伺服控制。張力量之設定範圍係根據片狀基板P之材質、厚度、楊氏模數(剛性)、摩擦係數等而改變，但若使軋輥NR1、NR2或轉筒DR之旋轉速度急遽地變化，則由於張力伺服之回覆延遲，而於與軋輥NR1、NR2或轉筒DR接觸(密接)之片狀基板P之正面部分或背面部分產生滑動，而損傷片狀基板P。因此，於急停止模式之情形時，亦一面以儘可能不產生滑動之方式，使軋輥NR1、NR2之旋轉速度與轉筒DR之旋轉速度同步地降低，一面目標張力量亦以與該速度降低對應地變化之方式，亦設定張力控制之參數。
再者，於急停止模式時，若於使軋輥NR1、NR2或轉筒DR之旋轉速度降低之控制、與調整賦予至片狀基板P之張力量之控制之配合存在時間延遲等，則亦存在於引起賦予至片狀基板P之張力暫時地(瞬時地)極端降低之張力缺失之後，導致成為過度之張力狀態之情況。於此種情形時，於搬送輥或轉筒DR與片狀基板P之間產生較大之滑動，亦有損傷片狀基板P之虞。於急停止模式下，最低限度為必須藉由如不損傷片狀基板P般之搬送控制使片狀基板P之搬送停止。
其次，主控制部50於步驟110中，將被設定為急停止模式之各種控制參數設為指示值並送出至圖2中之搬送控制部TPC及圖5中之對準/載台控制部58。進一步，於步驟110中，主控制部50亦將表示運轉 之緊急停止之指示輸出至圖5中之描繪控制部52。對其進行回覆而描繪控制部52將是否為對片狀基板P上之曝光區域W進行曝光(描繪)中、或者是否為對1個曝光區域W之曝光(描繪)完成且等候對下一曝光區域W之曝光開始之旗標(flag)輸送至主控制部50。進一步，描繪控制部52輸出使向雷射光源LSa、LSb之描繪資料(位元串列)之送出中止，並且將圖2所示之可動擋板SH關閉之指示。緊急停止係於搬送機構或曝光裝置EX中之任一者產生重大之問題，且無法立即恢復時發動。尤其是於因機械性故障而緊急停止之情形時，必須進行零件更換作業及調整作業，故而至能再運轉為止之時間變得相當長。於在該時間之期間內，將片狀基板P設為保持架設於自供給捲筒FR至回收捲筒RR為止之搬送路徑中之狀態之情形時，有於與將片狀基板P之搬送方向彎折之多個輥之各者接觸之片狀基板P之部分，因殘留之張力而產生變形(折印)之虞。
因此，於利用圖1、圖2所說明之本實施形態之處理裝置中，設定為於藉由利用步驟110之執行而進行之緊急停止而使片狀基板P之搬送停止之後，於架設於自供給捲筒FR至回收捲筒RR為止之搬送路徑中之片狀基板P之所有部分，成為張力基本為零之狀態(無張力狀態)、或極小之狀態(低張力狀態)。具體而言，設定為於自供給捲筒FR至軋輥NR1(卡留位置)為止之搬送路徑、包含轉筒DR之自軋輥NR1(卡留位置)至軋輥NR2、或NR2'(卡留位置)為止之搬送路徑、及自軋輥NR2至回收捲筒RR為止之搬送路徑之各者中，成為作用於片狀基板P之張力基本為零之狀態(無張力狀態)、或低張力狀態。
此處，所謂低張力狀態係指作用有即便於架設於配置在搬送 路徑中之多個輥中直徑最小之輥之片狀基板P於假定之停止時間內持續停止之情形時，亦不會對形成於片狀基板P之圖案或薄膜(層構造)賦予傷痕或微裂縫等損傷之範圍之張力量(N/m)。又，所謂無張力狀態係指片狀基板P以與搬送路徑中之多個輥或轉筒DR基本為零之摩擦力架設。緊急停止之情形時之多數因素係某些嚴重之故障，由於該故障之解決多需要較長時間，故而於本實施形態中，於緊急停止時設為使片狀基板P於無張力狀態下停止。再者，於緊急停止及暫時停止中之任一者之情形時，均於片狀基板P停止之後，將於搬送路徑中被搬送至中途之片狀基板P藉由步驟110而設定為無張力狀態及低張力狀態中之任一者。
〔暫時停止模式〕
另一方面，於圖6之步驟100中，於判斷為產生了暫時停止之要求而並非緊急停止之情形時、或者於在步驟102中判斷為必須緊急停止，但至停止為止存在時間性寬限之情形時，主控制部50於執行步驟120~124之後，執行步驟110。步驟120~124包含用以於使處理裝置(曝光裝置EX)之處理動作僅中斷短時間之後，自片狀基板P上之處理中斷位置之接續起，使處理動作自動地於短時間內重新開始(再運轉)之準備序列(程式)。首先，於步驟120中，主控制部50確認於暫時停止要求情形時中斷處理動作(片狀基板P之搬送動作)之停止時間(自產生停止要求之時點至實際之搬送停止為止所需要之時間、或停止時刻)Tsq、使暫時停止狀態持續之停止持續時間Tcs、及產生停止要求之時點之片狀基板P上之處理位置Xpr，並藉由運算而求出使片狀基板P停止之停止預定位置Xst、及對片狀基板P賦予之張力值(張力量)Fn，並分別設定為目標值。再者，於在先前之步 驟102中，判斷為雖為緊急停止模式但至停止為止具有時間性寬限之情形時，於在步驟120中所確認之停止時間Tsq中，設定於步驟102之判定時所判明之寬限之時間。
於本實施形態之曝光裝置EX之情形時，根據致使暫時停止之因素而停止持續時間Tcs設定有若干個階段。例如，準備有以如下方式預先決定之粗略之停止持續時間Tcs作為預設值，即，於在為了描繪用聚焦光之強度調整而對雷射光源LSa、LSb內之設定進行微調整時進行虛設振盪(發光)之情形時為60秒左右，於無法藉由對準系統AMn準確地識別片狀基板P上之標記MK1~MK4時之標記檢測之再試動作(包含於將片狀基板反轉搬送既定距離之後重新於前進方向上搬送之動作)之情形時為120~180秒左右，又，於確認複數個描繪線SL1~SL6之連接精度之校準動作之情形時為300秒~500秒。又，如圖2所示般，於連接於後續之張力調整部12'之軋輥NR2'之後之下一步驟之處理裝置(後續步驟處理裝置)中，亦存在使片狀基板P之搬送暫時性地停止之情形。於該情形時，與後續步驟處理裝置之暫時停止配合，亦存在使曝光裝置EX內之片狀基板P之搬送暫時停止之情形。為此，宜預先設置如下般之雙向通訊功能，即，後續步驟處理裝置將表示停止片狀基板P之搬送之停止要求資訊或預想之停止持續時間之資訊等輸送至主控制部50，並且主控制部50亦將表示停止曝光裝置EX內之片狀基板P之搬送之停止要求資訊或預想之停止持續時間Tcs之資訊等輸送至後續步驟處理裝置。
如以上般，於根據曝光裝置EX內之狀況而使片狀基板P之搬送暫時停止之情形時，主控制部50於步驟120中，自與停止因素對應地 預先準備之預設值，選擇恰當者而設定為停止持續時間Tcs。於因後續步驟處理裝置側之狀況而暫時停止曝光裝置EX內之片狀基板P之搬送動作之情形時，主控制部50於步驟120中，參照自後續步驟處理裝置輸送而來之停止持續時間之資訊而設定停止持續時間Tcs、或基於自後續步驟處理裝置輸送而來之停止要求資訊而設定停止時間Tsq。
此處，參照圖7，對使具有藉由6條描繪線SL1~SL6而依次曝光之複數個曝光區域W1a~W6a…、W1b~W6b…之片狀基板P暫時停止之情形時之一例進行說明。圖7係將捲繞於轉筒DR之狀態之片狀基板P於長條方向上拉直成平面狀而表示之圖，為了方便起見，將片狀基板P之長條方向(搬送方向)設為X方向，將片狀基板P之短尺寸方向(寬度方向)設為Y方向，而且將與片狀基板P之表面正交之方向設為Z方向。於圖7中，曝光區域W1a~W6a、W1b~W6b之各者例如為形成移動終端之顯示面板用電子裝置之區域，且藉由以片狀基板P之寬度方向(Y方向)作為長邊之2個倒角而配置。曝光區域(圖案形成區域)W1a~W3a、W1b~W3b之各者已經藉由描繪線SL1~SL6而曝光。於圖7中，曝光區域W4a、W4b藉由奇數號描繪線SL1、SL3、SL5之各者如斜線部般曝光，偶數號描繪線SL2、SL4、SL6成為恰好開始曝光區域W4a、W4b之曝光之狀態。又，於片狀基板P上，如利用先前之圖4所說明般，形成有複數個對準用標記MK1、MK2、MK3、MK4。
又，於圖7中，於配置於片狀基板P之寬度方向之兩側之標記MK1、MK4之形成區域內，形成有將長條方向(X方向)之間隔設為距離XG(XG>Dh)之編號標記圖案AP1~AP3。編號標記圖案AP1~AP3 係以條碼等之形式刻印、或印刷有自片狀基板P之前端側起依序增加之序號者，且設定為能夠藉由對準系統AMn中之顯微鏡物鏡AM11、AM14之各者之觀察區域Vw11、Vw14檢測之位置及尺寸。再者，編號標記圖案AP1~AP3之檢測亦可藉由除了對準系統AMn以外而設置之專用編號檢測機構(條碼讀取器等)而進行。於該情形時，編號標記圖案AP1~AP3之尺寸無需收容於對準系統AMn之觀察區域Vw11、Vw14內，因此可設定為能夠藉由條碼讀取器等確實地讀取之大小。又，距離XG可設定為於曝光處理之管理上方便之任意之值，但於根據形成於片狀基板P上之作為1個電子裝置之形成區域之曝光區域Wna(W1a~W6a…)、Wnb(W1b~W6b…)之尺寸而決定之情形時，作為一例，可設定為該曝光區域Wna、Wnb於長條方向上排列數個~數十個之程度之距離。
如圖7般，於在藉由曝光裝置EX之描繪線SL1~SL6連續地執行圖案之描繪動作之中途產生暫時停止之要求之情形時，主控制部50於步驟120中，基於所設定之停止時間(至停止為止之時間性寬限)Tsq，沿例如圖8所示之流程圖設定使執行中之描繪動作(曝光處理)中斷並使片狀基板P之搬送停止之條件或狀態。執行圖8之流程圖之程式可作為圖6中之步驟120內之次常式而組入。
主控制部50於圖8之步驟130中，確認於片狀基板P上實際地正進行圖案描繪之處理位置Xpr。處理位置Xpr可藉由片狀基板P上之編號標記圖案AP1~AP3及對準用標記MKn(尤其是標記MK1、MK4)而既定出。於圖7之情形時，正進行圖案描繪之曝光區域W4a、W4b之處理位置Xpr被確認為編號標記圖案AP1與編號標記圖案AP2之間、且自編 號標記圖案AP1起向上游側(圖7中之-X方向)第2號~第4號標記MK1、MK4之間之區域。由於編號標記圖案AP1、與繼其之後之標記MK1、MK4已藉由配置於描繪範圍(包含描繪線SL1~SL6之矩形區域)之上游側之對準系統AMn或條碼讀取器等讀取並進行位置計測，故而於曝光裝置EX即將開始對曝光區域W4a、W4b之圖案描繪之前，片狀基板P上之處理位置Xpr亦已被既定出。
進一步，於步驟130中，考慮使片狀基板P之搬送暫時停止並使描繪動作僅中斷停止持續時間Tcs之後，再次開始片狀基板P之搬送並重新開始描繪動作之再啟動動作，將藉由圖3所示之編碼器頭ECna、ECnb及圖5所示之對準/載台控制部(控制部)58所計測之轉筒DR之外周面(片狀基板P)之圓周方向之精密之位置資訊(編碼器計測值)設為編號標記圖案AP1(AP2~AP3亦相同)或標記MK1、MK4之長條方向之位置資訊而記憶至對準/載台控制部58。即，於如圖3般片狀基板P密接地捲繞於轉筒DR之圓周方向之範圍內，可藉由編碼器計測值而唯一地既定出編號標記圖案AP1或標記MK1、MK4之長條方向之各者之位置。
於下一步驟132中，主控制部50判斷於現時點，描繪單元U1~U6中之任1者是否於執行對片狀基板P上之曝光區域Wna、Wnb之描繪動作中。於先前之圖7所例示之狀態下，由於正在藉由描繪單元U1~U6之各描繪線SL1~SL6對片狀基板P上之曝光區域W4a、W4b進行曝光中，故而主控制部50以「是(Yes)」脫離步驟132，並執行下一步驟134。於步驟134中，主控制部50對至現時點執行中之描繪動作(對曝光區域W4a、W4b之曝光動作)完成為止之時間進行推定運算，並作為完成預測 時間Tdw。如圖7(或圖4)所示，對片狀基板P上之曝光區域Wna、Wnb之描繪動作係藉由奇數號描繪線SL1、SL3、SL5先行開始，並藉由後行之偶數號描繪線SL2、SL4、SL6而完成。因此，基於預先已知之於片狀基板P之長條方向(X方向)上之曝光區域W4a、W4b之長度Lw(mm)、藉由後行之偶數號描繪線SL2、SL4、SL6而開始曝光區域W4a、W4b之描繪時之位置資訊Xp0(編碼器計測值)、藉由編碼器頭ECn、ECnb所計測之現時點之位置資訊Xp1(編碼器計測值)、及片狀基板P之搬送速度Vf(mm/S)，主控制部50對完成預測時間Tdw進行推定運算，並且對至對於曝光區域W4a、W4b之描繪動作完成為止之片狀基板P之距當前位置(Xp1)之搬送長度(移動量)Lu或完成位置Xp2(編碼器計測值)進行運算。
圖9係示意性地表示對曝光區域W4a(W4b)，藉由奇數號描繪線SL1(SL3、SL5)及偶數號描繪線SL2(SL4、SL6)進行圖案描繪之中途之狀態之圖，於曝光區域W4a之+X側之端部與描繪線SL2重疊之時點，藉由編碼器頭EC2a、EC2b所計測之編碼器計測值成為利用描繪線SL2所進行之描繪開始之位置資訊Xp0。若將圖8之步驟130~134之執行時設為現時點，則於現時點藉由編碼器頭EC2a、EC2b所計測之編碼器計測值成為位置資訊Xp1。主控制部50將直至描繪完成為止之片狀基板P之自現時點起之搬送長度(移動量)Lu藉由Lu=Lw-(Xp1-Xp0)之運算而算出，且推定與搬送長度Lu對應之利用編碼器頭EC2a、EC2b所得之編碼器計測值並作為完成位置Xp2。進一步，主控制部50藉由Tdw=Lu/Vf之運算而求出自現時點起至曝光區域W4a之-X側之端部與描繪線SL2重疊為止之完成預測時間Tdw。主控制部50於下一步驟136中，對完成預測時 間Tdw與停止時間(至停止為止之時間性寬限)Tsq進行比較，於Tsq>Tdw之情形時，於步驟138中即時減少停止時間Tsq之後，再次執行步驟130~136。步驟130~138之重複指令係每固定時間(例如1秒~數秒)重複執行，根據步驟132之判斷，跳出至另一步驟144。
接著，於步驟136中，對完成預測時間Tdw與停止時間Tsq之長短單純地進行了比較，於至使片狀基板P之搬送速度減小且使搬送動作完全停止為止之寬限時間為停止時間Tsq之情形時，只要預先求出使片狀基板P之搬送速度減速至零為止所需要之時間並作為減速時間Tva，根據(Tsq-Tva)>Tdw對長短進行比較即可。進一步，於步驟136之判定中，亦可進行於停止時間Tsq(或Tsq-Tva)內，對下一曝光區域W5a(W5b)之圖案描繪動作能否完成之判斷。如圖9所示，於將現時點曝光處理中之曝光區域W4a(W4b)與下一曝光區域W5a(W5b)之間之空白部之長條方向(X方向)之間隔設為Lz(mm)之情形時，自對曝光區域W4a(W4b)之描繪動作完成起，至對下一曝光區域W5a(W5b)之描繪動作完成為止之追加處理時間Tad可藉由Tad=(Lz+Lw)/Vf而唯一地求出。因此，於步驟136中，亦可設為判斷完成預測時間Tdw與追加處理時間Tad之和是否不超過停止時間Tsq(或Tsq-Tva)，於不超過之情形時，以「是」脫離步驟136，並進行至步驟138。
於考慮追加處理時間Tad之情形時，可於以「是」脫離步驟136並返回至步驟130之前，將完成位置Xp2再設定於下一曝光區域W5a(W5b)之-X方向之端部，因此主控制部50於下一重複指令執行中，使用將於步驟134中算出之搬送長度(移動量)Lu加上(Lz+Lw)所得之值， 而求出完成預測時間Tdw。如此，藉由考慮追加處理時間Tad，可使自產生暫時停止(或緊急停止)之要求起至開始使片狀基板P之搬送速度減速為止之期間內被曝光之曝光區域Wna、Wnb之個數於所設定之停止時間Tsq內為最大。
於在步驟136中，判斷為完成預測時間Tdw(或Tdw+Tad)超過停止時間Tsq(或Tsq-Tva)之情形時，主控制部50以「否(No)」脫離步驟136並執行步驟140。於步驟136中判斷為「否」之狀態係與對現時點正在進行曝光處理之曝光區域W4a、W4b之描繪動作完成之完成預測時間Tdw相比，所設定之停止時間Tsq較短之情形。即，其係指將對曝光區域W4a、W4b之描繪動作於中途中止，且使片狀基板P之搬送動作立即停止。因此，於該情形時，現時點正在進行曝光處理之曝光區域W4a、W4b係設為描繪不良並被登錄至主控制部50。曝光區域W4a、W4b之於片狀基板P上之絕對之位置(唯一之位置)係設為於先前之步驟130中藉由編號標記圖案AP1及標記MK1、MK4所既定出之處理位置Xpr而登錄。又，亦可設為將成為描繪不良之曝光區域W4a、W4b之處理位置Xpr之資訊輸送至利用先前之圖2所說明之印模裝置STP，並將該資訊印模(marking)至片狀基板P。
其次，主控制部50於步驟142中，於使片狀基板P之搬送停止時，將對於藉由圖2所示之搬送控制部TPC所控制之旋轉驅動機構DV1、驅動部DVa~DVc之各者之各種控制參數(伺服控制時之增益、回覆時常數、反饋量等)送出至搬送控制部TPC。並且，主控制部50將於自片狀基板P之搬送速度之減速開始至完全停止為止之期間內，於自供給捲 筒FR至回收捲筒RR為止之搬送路徑中對片狀基板P賦予之各部分之張力量Fn之設定值(指示值)、或與該設定值之速度變化對應之變化特性等送出至搬送控制部TPC。於使適於曝光裝置EX中之曝光處理(圖案描繪)之片狀基板P之初始搬送速度減速之情形時，重要的是不損傷片狀基板P。例如，於以初始搬送速度進給片狀基板P時，若於對自圖2中之軋輥NR1至軋輥NR2(或NR2')為止之片狀基板P賦予相對較大之張力量之狀態下，使轉筒DR之旋轉急遽地停止、或使軋輥NR1、NR2(或NR2')之旋轉急遽地停止，則有對片狀基板P瞬時地施加過度之張力、或片狀基板P被轉筒DR或軋輥NR1、NR2(或NR2')之外周面(接觸面)摩擦(進行滑動)之虞。因此，於使片狀基板P之搬送速度降低至零之期間內，搬送控制部TPC一面以藉由張力輥RT5、RT6(或RT7)之各者之測力器所計測之張力量成為設定值之方式進行監控，一面以轉筒DR之旋轉速度與軋輥NR1、NR2(或NR2')之各旋轉速度同步地且平滑地降低之方式，控制驅動部DV1、DVa、DVb(或DVc)。
作為圖6之步驟120內之處理而執行之圖8之程式主要以使曝光裝置EX之運轉於停止持續時間Tcs之期間內暫時性地中斷(片狀基板P亦搬送停止)之後，再次重新開始對片狀基板P之曝光處理作為前提。較佳為於使對被連續地搬送之片狀基板P之處理中斷之後，自片狀基板P上之中斷部分繼續以與中斷前相同之狀態、相同之精度重新開始處理。因此，於本實施形態中，於使片狀基板P之搬送停止時，以至少使捲繞於轉筒DR之片狀基板P於轉筒DR之外周面上不產生容許量以上之滑動之方式，調整轉筒DR之旋轉速度之減速率、及對轉筒DR之上游側及下游側之片狀基 板P所賦予之張力量。其調整量或範圍可根據片狀基板P之厚度或剛性(楊氏模數)、及片狀基板P與轉筒DR之外周面之間之摩擦等而設定。若於使片狀基板P之速度降低至零為止之期間內，於轉筒DR上片狀基板P於長條方向上大幅滑動，則於運轉重新開始時，於曝光裝置EX應描繪之最初之曝光區域Wna、Wnb之描繪開始位置、與藉由編碼器頭ECna、ECnb於運轉中斷前所計測之轉筒DR之外周面、即片狀基板P之搬送方向(長條方向)之位置之間產生較大之偏移，而難以對片狀基板P之曝光區域Wna、Wnb於精密地對位之狀態下開始圖案描繪。
尤其是，於在轉筒DR上片狀基板P於搬送方向上滑動地停止之情形時，於運轉重新開始時應藉由對準系統AMn檢測之標記MK1、MK4(或MK2、MK3)成為與本來之位置之標記不同者、或變得無法檢測。因此，於本實施形態中，理想為即便於使轉筒DR之旋轉速度自初始值降低至零為止之期間內，片狀基板P於轉筒DR之外周面上於長條方向上滑動，亦將該滑動之容許量抑制於圖4或圖7所示之標記MK1、MK4之搬送方向之間隔Dh以內。再者，片狀基板P是否於轉筒DR之外周面上滑動可藉由如下方法進行確認，即，於使片狀基板P之搬送速度降低之期間內，藉由對準系統AMn逐次持續感測標記MK1、MK4，並記憶標記MK1、MK4於觀察區域Vw11、Vw14內被依次感測時之利用編碼器頭ECna、ECnb所得之各計測值，解析其差量相對於間隔Dh以何種程度不同。若片狀基板P為樹脂製且厚度薄於100μm，則片狀基板P本身之因熱處理而引起之變形、或因受到濕式處理(油墨塗佈、液體浸漬等)後之水分含量之增加而引起之變形較大，故而標記MK1、MK4之搬送方向之間隔(pitch)Dh被 設定為數mm左右。
再者，若於使片狀基板P之搬送速度降低之期間內，於片狀基板P之搬送方向上持續賦予一些張力，則片狀基板P於轉筒DR上之滑動主要於搬送方向上產生，於與搬送方向正交之片狀基板P之寬度方向(Y方向)上基本不產生。然而，若搬送控制之參數設定不恰當而產生張力暫時性地銳減之張力遺失，則有於轉筒DR上片狀基板P亦於寬度方向上滑動之可能性。於本實施形態中，為了不產生此種寬度方向之滑動(橫向滑動)，以於使片狀基板P之搬送速度降低至零為止之期間內不產生張力遺失之方式設定搬送控制之參數。其原因在於，由於對準系統AMn之顯微鏡物鏡AM11~AM14之觀察區域Vw11~Vw14之大小為1mm見方以下，故而若產生毫米單位之橫向滑動，則於再運轉後對準系統AMn無法捕捉標記MK1~MK4。
進一步，於步驟142中，主控制部50基於在片狀基板P之搬送停止時設定之控制參數(尤其是速度之變化率)，決定片狀基板P停止之停止預定位置Xst。該停止預定位置Xst可設為藉由編碼器頭ECna、ECnb所計測之轉筒DR之外周面(片狀基板P)之搬送方向之位置(或距當前位置之移動量)而計算。再者，由於根據片狀基板P之特質(厚度或剛性等)，搬送系統之伺服控制亦存在自預定之狀態稍微變動之情況，故而於步驟142中決定之停止預定位置Xst亦存在與轉筒DR之旋轉實際地停止時之位置(編碼器計測值)稍微偏移之情況。
於以上之步驟130~142中，若於對判定以「是」脫離步驟136並重複進行重複指令之期間內，原本為圖案描繪中之曝光區域Wna、 Wnb(於圖7中為W4a、W4b)之曝光處理結束，則主控制部50將步驟132判斷為「否」，並執行步驟144。於步驟144中，使對於曝光已完成之曝光區域之後接續之曝光區域Wna、Wnb(於圖7中為W5a、W5b以後)之描繪動作中斷之訊號(描繪賦能)被從主控制部50送出至描繪控制部52(圖5)。此處，將於片狀基板P之搬送方向上位於上游側之奇數號描繪單元U1、U3、U5為描繪動作中之情形設為第1狀態，將奇數號描繪單元U1、U3、U5停止描繪動作、且偶數號描繪單元U2、U4、U6為描繪動作中之情形設為第2狀態，及將奇數號及偶數號之所有描繪單元U1~U6停止描繪動作之情形設為第3狀態。於第1狀態時，於步驟132中無條件地判斷為「是」，於成為第2狀態時，於步驟132中在將奇數號描繪單元U1、U3、U5之以後之描繪動作(光束被投射至片狀基板P之狀況)設為禁止狀態之後判斷為「是」，然後於變為第3狀態時，於步驟132中判斷為「否」。藉由以上，於執行步驟140時，變為對於片狀基板P上之圖案描繪中之曝光區域Wna、Wnb之描繪動作於中途結束之曝光不良，於執行步驟144時，對於圖案描繪中之曝光區域Wna、Wnb之描繪動作準確地完成。
主控制部50於執行步驟144之後，為了使片狀基板P之搬送動作停止，執行先前所說明之步驟142，而決定用以使片狀基板P之搬送停止之搬送系統之控制參數之設定、搬送速度之減速時之恰當之張力量Fn之設定、及停止預定位置Xst。
主控制部50於執行以上之圖8之程式之最後之步驟142之後，執行圖6之步驟122。步驟122係預先推定(確認)於使作為曝光裝置EX之處理動作停止並使片狀基板P之搬送停止之後，經過停止持續時間 Tcs之後再次開始片狀基板P之搬送動作並使利用曝光裝置EX所進行之處理動作重新開始之再運轉時之狀況者。於該步驟122中，主要基於在步驟120(圖8之步驟130~142)中設定或決定之各種條件、以及搬送系統之特性、片狀基板P之特性、或藉由對準系統AMn及編碼器頭ECna、ECnb迄今為止所獲得之標記MK1~MK4之各位置資訊等，而綜合地確認如自片狀基板P上之未曝光之曝光區域Wna、Wnb起正常地使圖案描繪動作重新開始般之片狀基板P之搬送控制之條件等。尤其是，理想為變為如下狀態，即，於再運轉時，形成於片狀基板P上之應重新曝光之曝光區域Wna、Wnb之周圍或附近之標記MK1~MK4之各位置係與轉筒DR之旋轉角度位置(藉由編碼器頭ECna、ECnb所計測之編碼器計測值)唯一地對應標註、即於停止持續時間Tcs之期間內片狀基板P之搬送方向上之位置於轉筒DR上不偏移地被維持，而於再運轉時可藉由對準系統AMn(顯微鏡物鏡AM11~AM14)立即進行標記MK1~MK4之位置計測。
圖10係對先前之圖7所示之片狀基板P中於步驟122中所推定之搬送停止時之預想停止狀況進行說明之圖。於圖10中，設為至圖7所示之曝光區域W4a、W4b為止被正常地進行曝光處理，自其後之曝光區域W5a、W5b起被禁止曝光處理，於進一步其下一個曝光區域W6a、W6b之中途設定停止預定位置Xst。停止預定位置Xst可對應於利用編碼器頭ECna、ECnb所得之編碼器計測值而求出，但此處設為藉由編碼器頭EC1a、EC2a之各者所計測之編碼器計測值之平均值。該平均值係對應於圖3所示之中間位置Poc。如圖2、圖3所示，片狀基板P係於轉筒DR之外周面上相對於中間位置Poc而於上游側及下游側之各者以環繞約1/4之程度捲繞。 將於中間位置Poc之上游側片狀基板P開始接觸於轉筒DR之外周面之位置設為Xfa，將於中間位置Poc之下游側片狀基板P自轉筒DR之外周面離開之位置設為Xfb。即，於片狀基板P之搬送剛停止之後，於位置Xfa~位置Xfb之間，片狀基板P以被賦予既定之張力之狀態支持於轉筒DR之外周面。此時，對準系統AMn之各觀察區域Vw11~Vw14係於片狀基板P上位於中間位置Poc與位置Xfa之間之大致中央。因此，位於較觀察區域Vw11~Vw14更靠下游側(圖10中之+X方向)之標記MK1~MK4之各者之位置資訊藉由對準系統AMn、編碼器頭ECna、ECnb、及對準/載台控制部58而計測，且藉由主控制部50而記憶。
對準用標記MK1~MK4係自片狀基板P之開頭部分起以固定之間隔設置有多個，因此主控制部50可記憶位於較觀察區域Vw11~Vw14更靠下游側之計測過之標記MK1~MK4之所有位置資訊，但亦可限制於停止後之再運轉時所必需之個數。例如，亦可限制於在停止預定位置Xst(或觀察區域Vw11~Vw14)之下游側被正常地進行曝光處理之曝光區域Wna、Wnb之1個或數個所隨附之標記MK1~MK4之各位置資訊、或存在於在停止預定位置Xst(或觀察區域Vw11~Vw14)之下游側且至位置Xfb為止之範圍內之標記MK1~MK4之各位置資訊並記憶。再者，於在停止預定位置Xst(或觀察區域Vw11~Vw14)之下游側應預先記憶之標記MK1~MK4所存在範圍內，存在編號標記圖案AP1、AP2等之情形時，主控制部50亦可記憶該編號標記圖案APn。
主控制部50基於如以上般獲得之再運轉時所必需之標記MK1~MK4之各位置資訊或編號標記圖案APn之資訊，於步驟122中設定 藉由再運轉而開始曝光處理之曝光區域Wna、Wnb。例如，於如圖10般至曝光區域W4a、W4b為止被正常地進行曝光處理並變為停止狀態之情形時，理想為自其下一個曝光區域W5a、W5b重新開始曝光處理。然而，於至曝光處理即將中止之前為止藉由對準系統AMn所檢測之標記MK1~MK4之位置計測精度觀察出降低傾向之情形時，有下一個曝光區域W5a、W5b所隨附之標記MK1~MK4受損、或變形之可能性，故而亦可設為跳過對於下一個曝光區域W5a、W5b之曝光處理，並自進一步其下一個曝光區域W6a、W6b重新開始曝光處理。跳過之曝光區域Wna、Wnb之個數並不限於1個，但為了提高生產性，曝光區域Wna、Wnb之跳過個數越少越佳。
進一步，主控制部50於步驟122中設定於再運轉開始時是將片狀基板P於前進方向(圖10中之+X方向)上開始搬送，還是於後退方向(圖10中之-X方向)上開始搬送。如圖10所示，停止預定位置Xst被設定於相對於被正常地進行曝光處理之曝光區域W4a、W4b位於上游側之下一個曝光區域W5a、W5b以後。因此，為了自下一個曝光區域W5a、W5b重新開始正常之曝光處理，必須於將片狀基板P自停止預定位置Xst以既定距離於後退方向上搬送之後，於前進方向上搬送。又，於從自被正常地進行曝光處理之曝光區域W4a、W4b起僅跳過既定個數後之曝光區域Wna、Wnb重新開始曝光處理之情形時、且為自片狀基板P之搬送速度達到目標速度起至開始曝光處理為止具有時間性餘裕之情形時，亦可自停止預定位置Xst開始於前進方向上搬送。
進一步，主控制部50於步驟122中，亦基於至再運轉為止 之停止持續時間Tcs之長短，進行針對是否對搬送停止中之片狀基板P持續施加既定之張力、於施加張力之情形時之張力量、是否將片狀基板P卡留於既定位置等之確認。例如，於在圖6之步驟100中判定為緊急停止之要求，且於步驟102中判定為無時間性寬限(立即停止運轉)之情形時，停止持續時間Tcs被設定得相當長、或不設定，因此主控制部50於步驟122中，判斷為於搬送停止後解放賦予至片狀基板P之張力。又，於停止持續時間Tcs短至不會因停止中之張力而對片狀基板P賦予輥等之捲繞慣性力(彎曲)之程度之情形時，設為施加既定之張力之狀態。進一步，於即便停止持續時間Tcs較長，亦不會使片狀基板P自搬送路徑中之輥或轉筒DR卸除且能夠恢復(再運轉)之狀況時，判斷為一面將片狀基板P卡留於既定位置，一面設為無張力狀態。此外，可根據至再運轉時為止之停止持續時間Tcs之長短、或有無將片狀基板P自搬送路徑卸除(拉出)之必要性等，事先確認於搬送停止中賦予至片狀基板P之張力之有無或卡留之有無。再者，於本實施形態之情形時，卡留片狀基板P之既定位置係設為圖2所示之軋輥NR1、NR2、NR2'中之任一者之位置。
其次，主控制部50執行圖6之步驟124。步驟124係基於在步驟120(圖8之步驟130~142)中設定之各種條件或狀態、及於步驟122中確認或設定之條件，而設定至面臨運轉停止之片狀基板P之搬送停止為止之搬送動作之序列或時序，並且以於停止片狀基板P之搬送之後，成為能夠再運轉之狀態之方式設定曝光裝置EX內之各部。進一步，於步驟124中，視需要與步驟106同樣地進行印模之打入設定。此處被打入之印模資訊例如為成為描繪不良之曝光區域Wna、Wnb之位置資訊(編號標記圖 案APn等)、或再運轉時被進行跳過處理之曝光區域Wna、Wnb之位置資訊、再運轉開始時之片狀基板P之搬送方向(是前進方向啟動還是後退方向啟動)之資訊等。若以上之步驟124中之各種設定完成，則主控制部50執行步驟110。於圖6之流程圖中，於在步驟108之後執行步驟110之情形時為緊急停止模式，於在步驟124之後執行步驟110之情形時，為能夠再運轉之狀態下之停止模式，因此亦存在被送出至各控制部或驅動部之複數個參數被設定為與緊急時之參數不同之值者。
若執行步驟110，則主控制部50係對圖5之描繪控制部52指示用於運轉中止之圖案描繪動作，並且經由對準/載台控制部58對轉筒DR之旋轉驅動機構DV1指示旋轉速度之降低。同時，主控制部50係對圖4之搬送控制部TPC以各驅動部DVa、DVb、DVc以恰當之速度降低之方式進行支持。搬送控制部TPC係根據片狀基板P之搬送速度(轉筒DR之旋轉速度、軋輥NR1、NR2、NR2'之各旋轉速度)之降低，而以於轉筒DR上片狀基板P不滑動之方式，逐漸調整張力輥RT5、RT6(RT7)之張力量。於曝光裝置EX正常地運轉之情形時，片狀基板P以通常時之搬送速度(例如，5mm/秒~20mm/秒之範圍之固定值)被進給，故而於捲繞於轉筒DR之片狀基板P之上游側或下游側，賦予如於該通常時之搬送速度下片狀基板P於轉筒DR上不產生滑動般之張力。然而，於使片狀基板P自通常時之搬送速度降低並停止之情形時，使轉筒DR之旋轉速度與軋輥NR1、NR2(NR2')之旋轉速度一面配合一面降低。於本實施形態中，為了使於該配合中不產生誤差或時序偏移，進一步亦參考張力輥RT5、RT6(RT7)之回覆延遲，於圖6之步驟124、110等中設定各種參數。
主控制部50係於轉筒DR及軋輥NR1、NR2(NR2')之各旋轉速度變為零之時點，判定為片狀基板P之搬送停止。若於使片狀基板P之搬送速度降低且到達至零之期間內片狀基板P於轉筒DR上不產生滑動，則如圖10等所說明般，片狀基板P於與包含描繪單元U1~U6之各者之描繪線SL1~SL6之描繪區域之位置(或轉筒DR之旋轉角度位置)之關係被唯一地既定之停止預定位置Xst停止。於片狀基板P在轉筒DR上不滑動而停止之情形時，主控制部50根據於圖6之步驟120中確認或設定之停止持續時間Tcs之長短，判斷是否調整賦予至片狀基板P之張力量、及於調整之情形時以何種程度進行調整等。即便於片狀基板P之搬送速度變為零之時點，亦對片狀基板P持續賦予有固定之張力。因此，如先前所說明般，於在停止持續時間Tcs之期間內持續施加該張力量之情形時，已經形成於片狀基板P上之電子裝置用層構造亦因與搬送路徑中之各種輥(R1、R2、R3、R4、RT5、RT6、RT7等)之接觸等而有受到損傷之可能性。
於對賦予至搬送剛停止之後之片狀基板P之張力量進行調整之情形時，為了使再運轉時之片狀基板P之搬送位置之管理變得容易，宜於將軋輥NR1、NR2(NR2')之旋轉設為停止狀態之狀態下，調整藉由張力輥RT5、RT6(RT7)而賦予之張力量。若不旋轉驅動軋輥NR1、NR2(NR2')而使其停止(伺服鎖定)，則變為片狀基板P於軋輥NR1之位置及軋輥NR2(NR2')之位置之兩者被卡留。因此，即便於在運轉停止中，例如將軋輥NR1至軋輥NR2(NR2')之間之片狀基板P設為無張力狀態之情形時，亦只要於再運轉開始時藉由張力輥RT5、RT6(RT7)賦予原來之張力量，便可使片狀基板P恢復至轉筒DR上之剛停止之後之原來之位置。 於本實施形態中，為了避免片狀基板P於轉筒DR上於短尺寸方向(寬度方向)上橫向偏移，設為於停止持續時間Tcs之期間內，持續賦予使片狀基板P始終持續接觸於轉筒DR之外周面之程度之張力量者。然而，亦可設為於轉筒DR之外周面之圓周方向之一部分設置真空(減壓)吸附用之複數個微小孔(或者微細之溝槽或多孔質構件)，並於片狀基板P之搬送速度變為零之時點藉由真空(減壓)吸附用之微小孔(或者溝槽或多孔質構件)而使片狀基板P之背面密接於轉筒DR之外周面。於該情形時，由於轉筒DR之旋轉停止，故而真空(減壓)吸附用之微小孔(或者溝槽或多孔質構件)作為將片狀基板P於搬送路徑中卡止之卡留構件而發揮功能。如此，於在轉筒DR之外周面之一部分真空(減壓)吸附片狀基板P之情形時，於轉筒DR之內部設置供給真空(減壓)之流路或管，且其連接於轉筒DR之外部之真空(減壓)源之配管機構成為必需。藉由如轉筒DR般之旋轉圓筒體抽吸支持片狀基板之構成表示於例如日本專利特開2004-026348號公報、日本專利特開2011-051782號公報。
此外，作為於停止之轉筒DR之外周面上卡留片狀基板P之機構，例如亦可如圖11A、圖11B所示般設置能夠於轉筒DR之周圍進退之軋輥NRa。圖11A係於XZ面內觀察轉筒DR與軋輥NRa之配置之圖，圖11B係於XY面內觀察轉筒DR與軋輥NRa之配置之圖。軋輥NRa係配置於較描繪線SL1~SL6所位於之描繪區域更靠下游側、且較片狀基板P自轉筒DR之外周面離開之位置靠上游側，且設置為能夠繞與Y軸平行之旋轉軸Sfg旋轉。軋輥NRa係如圖11B所示般以於片狀基板P之曝光區域W之外側與寬度方向之兩端部分接觸之方式，設定軸向(Y方向)之寬度。 對軋輥NRa進行軸支之旋轉軸Sfg係設置於繞旋動軸AXg擺動旋轉之臂構件LA之前端。旋動軸AXg係安裝於對轉筒DR之軸Sft進行軸支之本體框架，且藉由臂構件LA之擺動旋轉，而軋輥NRa之位置於將片狀基板P之端部分以既定壓力壓抵於轉筒DR之外周面之位置、與自轉筒DR之外周面離開之位置(圖11A中之虛線所示之位置)之間切換。
由於軋輥NRa係將片狀基板P壓抵並卡留於停止中之轉筒DR之外周面者，故而可設為如不會使片狀基板P之表面受損般之橡膠製、合成樹脂(塑膠、鐵氟龍(註冊商標)、乙烯樹脂等)製之輥，亦可為不具有圓筒面且無法旋轉之除輥以外之形狀、例如與轉筒DR之外周面具有相同曲率之短條狀之墊或單純之板狀之墊等夾壓構件(卡止構件)。作為夾壓構件，亦可使用毛氈材料。於藉由如圖11A、圖11B般之軋輥NRa、或除輥以外之夾壓構件將片狀基板P卡留於轉筒DR之情形時，亦可於該卡留位置將片狀基板P以於長條方向及短尺寸方向之2個方向上不產生位置偏移之方式進行卡止。如以上般，於設置有藉由真空(減壓)抽吸或軋輥NRa(或夾壓構件)，將片狀基板P卡留於轉筒DR之外周面之一部分之機構之情形時，由於其以後，轉筒DR以不旋轉之方式被伺服鎖定，故而亦可解放利用圖2所示之軋輥NR1、NR2、NR2'之片狀基板P之夾壓狀態。又，於未將片狀基板P卡留於轉筒DR上，而是由軋輥NR1、NR2(NR2')卡留之情形時，轉筒DR之上游側之軋輥NR1及下游側之軋輥NR2(NR2')中之任一者亦可解放片狀基板P之夾壓狀態而設為非卡留狀態。
如以上般，於在轉筒DR上片狀基板P不滑動而穩定地停止之情形時，轉筒DR之旋轉角度位置(編碼器計測值)與片狀基板P上之 標記MK1~MK4之各位置之相對性關係不變化，故而用以於經過停止持續時間Tcs之後重新開始對片狀基板P之圖案描繪處理之動作較為容易。然而，於至使片狀基板P之搬送速度降低並停止為止之期間、或停止持續時間Tcs之期間內，亦可能存在片狀基板P於轉筒DR上滑動之情形。片狀基板P之於長條方向上之滑動量理想為宜抑制於圖4或圖7(圖10)所示之對準用標記MK1、MK4之長條方向(搬送方向)之間隔Dh以內。進一步，假定片狀基板P於轉筒DR上滑動之情形，宜預先設置可定量地計測該滑動量之構成。為此，只要將直至即將使片狀基板P之搬送速度減速之前為止被正常地檢測之標記MK1~MK4之各位置，藉由圖5所示之對準/載台控制部58作為利用各編碼器頭ECn所得之編碼器計測值而預先記憶即可。
而且，於片狀基板P之搬送速度減速之期間內，亦只要利用對準系統AMn檢測標記MK1~MK4，並將所記憶之編碼器計測值設為基準(起點)，而依次確認是否標記MK1、MK4每搬送方向之間隔Dh地於對準系統AMn之觀察區域Vw11、Vw14內之相同之位置被檢測出即可。於片狀基板P之搬送停止前之最後檢測之標記MK1、MK4未於觀察區域Vw11、Vw14內之相同之位置被檢測出而偏移之情形時，主控制部50將該偏移量設為滑動量並記憶。根據所記憶之滑動量之大小，判斷於再運轉時是否必需利用對準系統AMn而進行之標記MK1~MK4之檢測動作。再者，於再運轉時，以片狀基板P成為既定之搬送速度之方式使搬送機構之驅動源(軋輥NR1、NR2或轉筒DR)加速，但此時亦以於轉筒DR上片狀基板P不滑動之方式，設定搬送控制之各種參數(速度之上升率及張力之變化量等)。當然，於使片狀基板P之搬送速度逐漸加速之期間內，亦有於轉筒 DR上片狀基板P滑動之可能性，故而與停止時之時同樣地，可藉由確認是否標記MK1、MK4之各者每間隔Dh地被位置檢測出，而定量地計測滑動量。
〔暫時停止中之作業及動作〕
以上，根據圖6、圖8之序列，於如圖10般之狀態下，片狀基板P之搬送停止且圖案描繪動作被中斷之後，主控制部50執行用於在暫時停止中進行之作業之動作。於本實施形態中，作為產生暫時停止之要求之主要因素，假定必須進行如下3種作業之情形，即，(1)再試動作，其係於利用對準系統AMn之標記MK1~MK4之位置檢測精度大幅降低時重新進行標記檢測動作；(2)校正作業，其係對關於曝光裝置EX內之尤其是描繪系統(雷射光源LSa、LSb至各描繪單元U1~U6)或對準系統AMn之漂移等進行校準；以及(3)維護作業，其係清潔附著於搬送路徑中之各種輥或轉筒DR之污物(異物)等。圖12表示於暫時停止中曝光裝置EX執行上述3種作業中之至少1種之情形時之概略性流程圖。基於圖12之流程圖之序列控制係設為藉由主控制部50而執行者，但亦可於工廠內之主電腦之管理下執行。又，圖12之流程圖亦為於暫時停止之前推定計算(模擬)關於暫時停止中之曝光裝置EX之每個停止因素之作業之動作者。再者，如圖12般之流程圖係於設置於曝光裝置EX之上游側之感光層之塗佈處理裝置、或設置於下游側之對於感光層之濕式處理裝置(顯影處理裝置等)設為可暫時停止處理之構成之情形時，針對該等塗佈處理裝置、濕式處理裝置之各者，亦可基於適當必需之作業因素而同樣地製作。
於圖12中，主控制部50係依步驟300、302、304之順序， 判定暫時停止期間內之作業為(1)再試動作、(2)校正作業、(3)維護作業中之哪一個。於設定有除了該3種作業以外之作業或動作之情形時，主控制部50於步驟306中對其進行判定，於既並非上述3種作業，亦並非其他作業時，主控制部50執行步驟308之誤差處理。通常，若要求向暫時停止模式之轉變，則設定必須進行該暫時停止之作業內容以及停止持續時間Tcs等，故而只要無任何設定錯誤，則絲毫不會自步驟306進行至步驟308之誤差處理。主控制部50亦於步驟300、302、304、306之各者中，判定是否無某些設定錯誤。例如於停止持續時間Tcs自與該作業之內容相稱之長度明顯脫離等之情形時，將步驟300、302、304、306之各者全部判斷為「否」，並執行步驟308。再者，於除了步驟306以外之作業中，例如亦包含待機動作，該待機動作係於連接於圖2所示之包含軋輥NR2'之張力調整部12'之後的後續步驟用處理裝置、或連接於曝光裝置EX之上游側之前步驟用處理裝置中之處理中產生延遲或滯留，至該狀況改善為止暫時性地停止曝光裝置EX之處理動作(圖案描繪及片狀基板P之搬送)。
於步驟308中，於當成為暫時停止之狀態時賦予至片狀基板P之張力量較大時，解放該張力(tension)、或解放利用軋輥NR1、NR2(NR2')、NRa等所進行之片狀基板P之卡留。藉由解放片狀基板P之張力或卡留，而變為不會損傷片狀基板P。於執行步驟308之情形時，由於已經成為難以進行自動之再運轉之狀況，故而主控制部50發出警報而請求操作員之輔助。
於步驟300中，若判定為再試動作，則主控制部50於步驟310中，實施對在片狀基板P之搬送停止前所檢測之片狀基板P上之若干個 標記MK1~MK4之各者再次進行計測之序列(動作)。於該情形時，以位於圖10所示之停止預定位置Xst之片狀基板P之部分返回至位置Xfa附近之方式，使轉筒DR以固定角度反旋轉。於使轉筒DR自停止之狀態反旋轉時，一面同步控制軋輥NR1、NR2(NR2')之旋轉驅動與轉筒DR之旋轉驅動，一面以於轉筒DR上片狀基板P不滑動之方式調整張力量，同時以低速(低加速度)將片狀基板P於後退方向上搬送。再者，主控制部50能夠於先前之圖6之步驟120中識別暫時停止之要求為再試動作以作為作業內容，故而於片狀基板P之搬送速度變為零之時點，不執行利用如先前之圖11所說明般之軋輥NRa(或夾壓構件)而進行之片狀基板P之卡留動作、或利用轉筒DR之外周面之真空(減壓)抽吸部等而進行之片狀基板P之卡留動作。於再試動作時，由於在向轉筒DR之前進方向之旋轉停止之後，立即進行向後退方向之旋轉，故而亦可設為保持於轉筒DR之上游側及下游側之各者賦予至片狀基板P之張力量較大之狀態，抑制轉筒DR之向後退方向之旋轉時之片狀基板P之滑動。關於如該再試動作般本來於一方向上被搬送之片狀基板P僅稍微於後退方向上返回並對對準用標記MK1~MK4進行再檢測/再計測之方法，例如揭示於日本專利特開2015-145971號公報、日本專利特開2016-095387號公報。
若於步驟300中判定為並非再試動作，則主控制部50於下一步驟302中，判定所要求之作業內容是否為校正作業(校準作業)，於並非校正作業之情形時，於下一步驟304中判定是否為維護作業。通常，必須暫時停止之作業係再試動作、校正作業、維護作業之3種，但於因其他因素而必須暫時停止之情形時，主控制部50於步驟306中判定是否為其他 作業(預先設定)。於在該步驟306中設定之其他作業中，例如亦包含單純之待機動作，該單純之待機動作係於曝光裝置EX之上游側或下游側之處理裝置中之片狀基板P之搬送速度(處理長度)產生較大之變動之情形時，以固定時間中斷曝光裝置EX之曝光處理。
若於步驟306中判定為亦並非預先設定之其他作業，則主控制部50執行步驟308之誤差處理。通常，由於用於暫時停止之因素或暫時停止中之作業內容已決定，故而不會執行步驟308，但考慮作業內容之類別指定遺漏之情形，預先設定步驟308之誤差處理。於步驟308之誤差處理中，由於作業內容不明，故而以解放施加於片狀基板P之張力，並且於進行有卡留動作之情形時亦解放該卡留之方式，控制各驅動部，與於緊急停止之模式下曝光裝置EX停止同樣地，轉變為不會再運轉之停止狀態。
〔再試動作〕
另一方面，若於以上之步驟300中判定為再試動作，則主控制部50於步驟310中，將用以對片狀基板P上之標記MK1~MK4進行再計測之指示送出至各驅動部或對準系統AMn等。於藉由標記MK1~MK4之再計測，能夠再次正常地進行描繪位置之設定之情形時，主控制部50判斷為能夠恢復，並執行用於恢復之準備動作(片狀基板P之向停止預定位置Xst、或自停止預定位置Xst以既定長度偏移之再開始位置之恢復動作等)，其後，執行步驟320。於步驟320中，以使片狀基板P再次於原來之狀態下搬送之方式，於搬送控制部TPC及描繪控制部52之各者設定用於再運轉之各種參數。於再運轉時之各種參數中，包含以於使片狀基板P自停止狀態逐漸加速至固定速度為止之期間內，片狀基板P於轉筒DR不引起滑動(微滑動 等)之方式，指示轉筒DR之旋轉速度之控制圖案、或對片狀基板P賦予之張力量之變化圖案等資訊。又，於步驟310中，於對片狀基板P上之標記MK1~MK4進行再計測，結果依然無法既定出標記位置、或無法確保標記位置之計測精度之情形時，主控制部50判斷為無法進行再試動作後之恢復，並執行步驟308之誤差處理。藉此，曝光裝置EX轉變為不會再運轉之停止狀態。
〔校正作業(校準)〕
又，若於步驟302中判定為校正作業，則主控制部50於步驟312中，以基於預先設定之校正內容進行各種計測處理或調整處理之方式，將指示送出至曝光裝置EX內之各部。於校正作業中，存在於使片狀基板P自轉筒DR之外周空間退避後之狀態下進行之作業、及即便不使片狀基板P退避亦能夠進行之作業，進一步亦存在為了校正而利用轉筒DR之作業。於使片狀基板P自轉筒DR之外周空間退避之情形時，主控制部50例如以如下方式設定，即，圖2所示之上游側之軋輥NR1及下游側之軋輥NR2(NR2')中之任一者繼續卡留狀態(旋轉停止狀態)，另一者以既定長度進給片狀基板P，而於軋輥NR1與軋輥NR2(NR2')之間片狀基板P大幅鬆弛(變為無張力狀態)。藉此，可將片狀基板P自轉筒DR之外周空間於Y方向(寬度方向)上偏移，可自描繪單元U1~U6與轉筒DR之間將片狀基板P拉出。被拉出之片狀基板P可使用適當之夾具構件，藉由手動而卡止於轉筒DR之側端側之裝置壁面等。
若使片狀基板P自轉筒DR與描繪單元U1~U6之間退避，則可藉由對準系統AMn檢測形成於轉筒DR之外周面之基準標記或基準圖 案，進一步可藉由設置於描繪單元U1~U6之各者之反射光監視器，利用轉筒DR之旋轉而計測描繪線SL1~SL6之相互之位置誤差、斜率誤差、連接誤差、或對準系統AMn之觀察區域(觀察視野)Vw11~Vw14之各者與描繪線SL1~SL6之相互之位置關係之誤差(基線誤差)等。如此，於轉筒DR之外周面形成基準標記或基準圖案，並使用其對曝光裝置EX進行校準(基於所計測之誤差之修正或調整)之一例係揭示於國際公開第2014/034161號說明書、或國際公開第2015/152217號說明書。
此外，作為於使片狀基板P退避之狀態下之校正作業，有如下作業：對自描繪單元U1~U6之各者射出之描繪光束LB1~LB6之各強度(光量)之絕對值或偏差進行計測並使描繪光束LB1~LB6之各強度一致之修正作業，對描繪光束LB1~LB6之以轉筒DR之外周面(形成基準圖案之面)作為基準之聚焦位置(聚光位置)之偏差進行計測並進行調整之作業，對描繪光束LB1~LB6之各者之聚焦光之尺寸(直徑)誤差或球面像差等進行計測並對描繪單元U1~U6內之光學構件等進行調整之作業，對藉由描繪線SL1~SL6之各者而描繪之圖案之於主掃描方向(圖3中之Y方向)上之描繪倍率之設定精度進行確認並進行調整之作業等。於該等作業時，亦可藉由使用設置於描繪單元U1~U6之各者之反射光監視器，感測來自轉筒DR之外周面之基準標記或基準圖案之反射光，而計測描繪光束LB1~LB6之強度(光量)之狀態、聚焦狀態、球面像差之狀態。又，亦可於轉筒DR之外周面形成數毫米直徑左右之小孔或凹處，並於此嵌入接收描繪光束LB1~LB6之各者之針孔板及光電元件等，基於來自光電元件之輸出訊號，而計測描繪光束LB1~LB6之強度(光量)之狀態、聚 焦狀態、球面像差之狀態等。
作為於將片狀基板P捲繞於轉筒DR之狀態下亦能夠進行之校正作業，可實施如下之光學調整作業，即，於在描繪單元U1~U6之各者之光束LB1~LB6之入射位置配置可動遮蔽板(快門)而阻止向描繪單元U1~U6之各者之光束LB1~LB6之入射之狀態、或在捲繞於轉筒DR之片狀基板P與描繪單元U1~U6之間插入有對於曝光用紫外線具有遮光性之保護片之狀態下，調整通過圖2所示之雷射光源LSa、LSb、光學調變構件OSM、及光束光路調整機構BDU之各者之光路的光束LB1~LB6之稍微之傾斜或橫向偏移等。為了此種光學調整，於自雷射光源LSa、LSb至光束光路調整機構BDU內(或描繪單元U1~U6內)之光路中之適當之位置，設置有對光束之斜率誤差或橫向偏移誤差進行計測之光束變動檢測系統(包含透鏡、反射鏡、光電元件、攝像元件等)。
於如本實施形態般利用聚焦光進行圖案描繪之曝光裝置EX中，描繪單元U1~U6之各者之聚焦光之掃描位置穩定較為重要，但於自雷射光源LSa、LSb至片狀基板P為止之光束光路中，亦存在易因溫度(或濕度)或大氣壓等環境之變化而受到影響之光學構件。因此，於曝光裝置EX內之光路中，以如即便存在環境變化亦可抑制光束變動般之光學設計(配置條件)配置光學零件、或組入修正系統。然而，亦可能存在如相對於環境變化之光束變動之量自容許範圍偏離般之情形。於此種情形時，使曝光裝置EX之運轉暫時性地停止，以光束變動之量返回至容許範圍內之方式，進行自雷射光源LSa、LSb至光束光路調整機構BDU內(或描繪單元U1~U6內)之光路中之光學零件或光電零件之機械性調整、或電性調整。 該調整作業雖可基於藉由光束變動檢測系統所計測之誤差資訊，針對在暫時停止之期間內能夠進行電性調整之部分自動地實施，但亦存在藉由手動而實施之情況。
於藉由以上之校正作業，而曝光裝置EX之各部再次返回至初始性能之情形時，主控制部50判斷為能夠恢復，並執行用於恢復之準備動作(片狀基板P之向停止預定位置Xst、或自停止預定位置Xst以既定長度偏移之再開始位置之恢復動作等)，其後，執行先前所說明之步驟320。又，於即便實施步驟312之校正作業亦無法使性能返回至原來之狀態，而於再運轉後之曝光處理中存在產生問題之可能性之情形時，主控制部50判斷為無法實現校正作業後之恢復，並執行步驟308之誤差處理。藉此，曝光裝置EX轉變為不會再運轉之停止狀態。又，根據校正作業之內容，亦存在於在步驟312中之校正作業結束之後，藉由對準系統AMn檢測片狀基板P上之標記MK1~MK4，而確認所觀察之各標記MK1~MK4之圖像資訊或位置資訊之情況。於在校正作業後必須進行片狀基板P上之標記MK1~MK4之檢測之情形時，主控制部50於步驟312之後執行步驟310。再者，即便於將片狀基板P自轉筒DR之外周面卸除之情形時，亦可於用於恢復之準備動作時，藉由將軋輥NR1、NR2(NR2')中之未進行夾壓之輥設為夾壓狀態並使其進行低速旋轉，而將片狀基板P再次捲繞至轉筒DR之外周面。此時，由於片狀基板P係於軋輥NR1、或軋輥NR2(NR2')之位置被卡留(卡止)，故而可使對準系統AMn之各觀察區域Vw11~Vw14、或描繪線SL1~SL6與片狀基板P上之位置恢復至剛暫時停止後之既定之位置關係。但是，由於難以使該位置關係以微米精度恢復，故而宜執行步驟310。
〔維護作業(保養)〕
接著，於步驟302中，於暫時停止之理由並非校正作業之情形時，主控制部50於下一步驟304中判斷暫時停止之理由是否為維護作業。於在步驟304中判定為維護作業之情形時，主控制部50於步驟314中基於維護作業之內容，將曝光裝置EX內之各部設定(準備)為適於維護作業之狀態。於多數情形時，維護作業係藉由手動(人手)而進行，故而主控制部50以變為能夠實現該手動作業之方式進行準備。維護作業之典型例係曝光裝置EX內之搬送系統中與片狀基板P接觸之構件(各種輥或轉筒DR)之清掃作業。尤其是，於如圖2所示之軋輥NR1、NR2(NR2')、輥R3、張力輥RT5、或圖1中所示之各種輥般與片狀基板P之形成有感光層之表面側接觸之輥，存在片狀基板P之寬度方向(Y方向)之端部之感光層以毫米級以下細微地剝離(粉碎)而成為異物並附著之情況。若該異物再附著於片狀基板P之表面，並被搬運至曝光裝置EX內之描繪線SL1~SL6之位置，則變為對描繪光束LB1~LB6之聚焦光進行遮光或減光、或者使其散射，而使圖案之描繪品質顯著劣化。進一步，若異物附著於片狀基板P上之對準用標記MK1~MK4上或其附近，則存在產生對準誤差(無法進行標記之檢測、計測精度之明顯降低)之情況。又，若此種異物附著於轉筒DR之外周面上之既定部分，則變為捲繞於該既定部分之上之片狀基板P根據異物之大小(厚度)而鼓起，於該既定部分，存在聚焦光之聚焦誤差增大，而使圖案之描繪品質變差之情況。
因此，必須經常對構成搬送系統之各種輥或轉筒DR之外周面進行清掃。雖對於清掃之時序或間隔並無特別之規定，但可根據塗佈於 片狀基板P之感光層之材質、厚度、密接性等而設定。於對作為感光層而塗佈有例如感光性矽烷偶合劑之片狀基板P持續進行曝光處理之情形時，感光層形成為與片狀基板P之表面化學性地緊密結合而成之自組裝單分子膜(SAM膜)，因此剝離之可能性較低。相對於此，以微米級之厚度塗佈液體之光阻劑並使其乾燥而成之感光層或乾膜之感光層(數μm以上之厚度)存在因片狀基板P之搬送中之與輥之接觸而成為微粉(異物)並剝離之可能性。因此，於對形成有成為微粉並剝離之可能性較高之感光層之片狀基板持續進行處理之情形時，清掃之頻率被設定為較高。清掃頻率可基於實際之裝置製造時之實驗規則而設定，但亦可將光學地檢查於一部分輥之外周面、或轉筒DR之外周面是否附著有成為問題之異物之異物檢查單元或表面檢查單元等檢查機構組入至曝光裝置EX內，並基於檢查機構之檢查結果，判斷是否需要清掃或清掃之時期。於該情形時，可基於檢查機構之檢查結果而產生(生成)暫時停止或緊急停止之要求訊號。
作為檢查於旋轉中之各種輥或轉筒DR之外周面是否附著有異物之檢查機構，例如可利用日本專利特開2015-184053號公報中所揭示之方法，作為檢查於利用輥之搬送中於片狀基板P上是否附著有異物之檢查機構，例如可利用日本專利特開2009-085869號公報中所揭示之方法。於異物附著之檢查或清掃作業時，如先前之校正作業時般，變為將片狀基板P自轉筒DR或各種輥卸除(鬆弛)，但由於片狀基板P被卡留(卡止)於軋輥NR1及軋輥NR2(NR2')中之任一者之位置，故而於校正作業完成後，可使片狀基板P於轉筒DR上恢復至剛暫時停止後之位置。
又，作為維護作業，雖並非特別頻繁地實施者，但存在用以 對曝光裝置EX內之各部進行調溫之水冷裝置、例如圖1所示之冷卻器單元16內之冷卻介質(冷卻液)之更換作業、濾光片更換作業、冷卻介質之溫度及流量之設定作業等。尤其是，圖2所示之雷射光源LSa、LSb或光學調變構件OSM之冷卻係為了使描繪用光束LB1~LB6之各聚焦光於片狀基板P上不變動(漂移)而穩定地進行掃描而較為重要。冷卻器單元16之維護作業所花費之時間係根據維護之內容而不同，可藉由在冷卻器單元16內之控制部(CPU)，設置將控制狀態、維護內容、維護所需之時間等狀態資訊通知至主控制部50之功能(LAN埠等)，而預先掌握維護作業所花費之大致之時間。作為其他維護作業，亦可能存在根據雷射光源LSa、LSb內之各種光學零件之特性降低或使用時間之零件更換之作業等。於在雷射光源LSa、LSb內設置有將使用中之光學零件更換為備用之光學零件之機構之情形時，零件更換係存在於使雷射光源LSa、LSb之振盪動作停止之後僅藉由單純之更換而完成者、及於更換後需要調整者。於更換後需要調整之光學零件之情形時，亦存在於在調整作業中經過了較長時間(例如30分鐘以上)時，使暫時停止之模式中止，並轉變為不會再運轉之停止狀態(步驟308)之情況。
於藉由以上之維護作業，曝光裝置EX之各部再次返回至初始之性能之情形時，主控制部50判斷為能夠恢復，並執行用於恢復之準備動作(片狀基板P之向停止預定位置Xst、或自停止預定位置Xst以既定長度偏移之再開始位置之恢復動作等)，其後，執行先前所說明之步驟320。又，於即便實施步驟314之維護作業亦無法使性能返回至原來之狀態，而於再運轉後之曝光處理中存在產生問題之可能性之情形時，主控制部50判 斷為無法實現維護作業後之恢復，並執行步驟308之誤差處理。藉此，曝光裝置EX轉變為不會再運轉之停止狀態。又，根據維護作業之內容，亦存在於步驟314中之維護作業結束之後，藉由對準系統AMn檢測片狀基板P上之標記MK1~MK4，而確認所觀察之各標記MK1~MK4之圖像資訊或位置資訊之情況。於在維護作業後必須進行片狀基板P上之標記MK1~MK4之檢測之情形時，主控制部50於步驟314之後執行步驟310。
〔其他作業〕
如先前所說明般，未必需要步驟306，但於設定有步驟306之情形時，若主控制部50判定為預先設定暫時停止中之作業之其他作業(亦包含曝光裝置EX之單純之暫時停止)，則執行步驟316。於步驟316中，執行於其他作業之後是否能夠恢復(再運轉)之判斷、及於能夠恢復之情形時之準備動作。於其他作業為曝光裝置EX之單純之暫時停止之情形時，由於判斷為上游側或下游側之處理裝置(鄰接處理裝置)之運轉暫時性地停止且片狀基板P之搬送處於停止狀態中，故而曝光裝置EX只要於鄰接處理裝置重新開始運轉之前以停止狀態待機即可。因此，於此種情形時，於步驟316中，基於例如鄰接處理裝置自停止狀態至再運轉為止之時間之長短，而判斷是否使曝光裝置EX恢復(再運轉)。為此，宜於鄰接處理裝置中設置發送包含至再運轉為止之時間或停止原因等資訊之狀態資訊之功能，並於曝光裝置EX之主控制部50中設置接收鄰接處理裝置之狀態資訊之功能。
於在步驟316中判斷為能夠恢復(再運轉)之情形時，主控制部50執行步驟320，於在其他作業之後必須進行片狀基板P上之標記MK1~MK4之位置計測之情形時，於步驟316之後執行步驟310。又，於 作為其他作業，曝光裝置EX於鄰接處理裝置之運轉重新開始之前單純地以停止狀態進行待機之情形時，於該待機時間達到例如30分鐘以上時、或待機時間不明時，於步驟316中判斷為無法恢復(再運轉)，主控制部50執行步驟308之誤差處理。
以上，根據圖12之序列，可判定曝光裝置EX能否自為了各種作業而暫時停止之狀況再運轉，並恰當地設定再運轉時之時之裝置內各部之控制狀態。進一步，於本實施形態中，於在各種作業後使曝光裝置EX自停止狀態恢復時，片狀基板P上之既定位置、與對準系統AMn之檢測位置(Vw11~Vw14)或描繪單元U1~U6之各者之曝光位置(SL1~SL6)之關係不會自即將停止之前之位置關係大幅偏移。因此，至恢復(再運轉)為止所需之時間可較短，可自片狀基板P之搬送剛暫時停止之後之狀態繼續進行準確地定位之圖案描繪(曝光)動作。
[第2實施形態]
圖13係對第2實施形態中之暫時停止時之片狀基板P之狀態進行說明之圖，且為將片狀基板P與XY面平行地展開所得者。於第2實施形態中，以片狀基板P之長條方向作為長邊之長方形之曝光區域W1~W4隔著空白部SSa、或空白部SSb而排列於片狀基板P上。曝光區域W1與曝光區域W2之間、曝光區域W2與曝光區域W3之間之空白部SSa被設定為例如數cm以下之較窄之間隔，曝光區域W3與曝光區域W4之間之空白部SSb被設定為例如數cm以上之較寬之間隔。較寬之間隔之空白部SSb係為了藉由作為卡留構件之軋輥NR1(亦可為NR2、NR2'、NRa中之任一者)卡留，而每複數個曝光區域Wn地設定於片狀基板P上。空白部SSb之X方向之 中心位置、與作為轉筒DR上之描繪線SL1~SL6之間之中心位置之中間位置Poc之X方向之間隔Lsx係可能根據圖2所示之張力輥RT5之Z方向之位置而稍微改變，但大致成為固定。因此，根據曝光區域Wn之X方向(長條方向)之長度，如圖13般，於片狀基板P之搬送停止且軋輥NR1將空白部SSb卡留時，描繪線SL1~SL6之描繪位置位於曝光區域W1上。
因此，於在片狀基板P上設定有如空白部SSb般之卡留區域之情形時，於產生暫時停止(或緊急停止)之要求時，主控制部50係以於空白部SSb被移動至軋輥NR1之位置時，停止片狀基板P之搬送之方式控制各驅動機構。但是，於圖13之情形時，於空白部SSb來到軋輥NR1之位置時，曝光區域W1為藉由描繪線SL1~SL6而進行圖案描繪之位置，因此於至運轉停止為止具有時間性餘裕時(除了緊急停止以外時)，於曝光區域W1之圖案描繪完成之後，使對於下一個曝光區域W2之描繪動作中止，並開始片狀基板P之搬送停止序列。因此，於如圖13般之情形時，於先前之第1實施形態中，於片狀基板P之搬送速度變為零之時點，軋輥NR1之位置變為自空白部SSb偏移之曝光區域W4上之可能性較高。因此，於本實施形態中，於片狀基板P上之曝光區域W1之圖案描繪完成之後，停止片狀基板P之前進方向之搬送，其後，於空白部SSb在軋輥NR1之位置停止之前將片狀基板P以低速於後退方向上搬送。
片狀基板P之前進方向之搬送停止時之軋輥NR1與片狀基板P上之位置之關係可基於圖13所示之間隔Lsx、及利用對轉筒DR之角度位置進行計測之編碼器頭ECn所得之計測值而既定出。進一步，可基於圖10所示之編號標記圖案APn之感測結果、及對準用標記MK1、MK4之 感測位置之結果，而既定出片狀基板P上之空白部SSb之搬送方向之位置。藉此，可於片狀基板P上之空白部SSb在軋輥NR1(或NR2、NR2'、NRa)之位置停止之狀態下轉變為卡留動作。由於在空白部SSb未形成曝光區域Wn，故而可跨及較長之時間地持續利用軋輥NR1等卡留構件之夾壓狀態。因此，即便於片狀基板P對抗軋輥NR1等卡留構件之卡留力(夾壓壓力)而滑動(摩擦)之情形時，亦可藉由較長地設定空白部SSb之搬送方向之尺寸，而降低使前後之曝光區域W3、W4受損之可能性。
[第3實施形態]
圖14係表示第3實施形態之裝置製造系統(處理系統、製造系統)之概略性構成之概略構成圖。圖14之裝置製造系統例如為製造作為電子裝置之軟性顯示器之一部分圖案層(薄膜電晶體之電極層、匯流排線配線層、絕緣層、透明電極層等中之1個層構造)之生產線(軟性顯示器生產線)。作為軟性顯示器，例如存在有機EL顯示器或液晶顯示器等。該裝置製造系統係如下之卷對卷方式，即，於對自供給捲筒FR送出之片狀基板P連續地實施各種處理之後，藉由回收捲筒RR捲取處理後之片狀基板P。於本實施形態中，表示自供給捲筒FR送出之片狀基板P至少經過處理裝置PR1、PR2、PR3、PR4、PR5，而捲取至回收捲筒RR為止之例。於圖14中為X方向、Y方向及Z方向正交之正交座標系統。X方向係於水平面內為片狀基板P之搬送方向，且為連結供給捲筒FR及回收捲筒RR之方向。Y方向係於水平面內為正交於X方向之方向，且為片狀基板P之寬度方向。Z方向係正交於X方向及Y方向之方向(鉛垂方向)。
該處理裝置PR1係一面將自供給捲筒FR搬送而來之片狀基 板P於沿長條方向之搬送方向(+X方向)上搬送，一面對片狀基板P進行電漿表面處理之表面處理裝置。藉由該處理裝置PR1，片狀基板P之表面被改質，而感光性功能層之黏著性提高。處理裝置PR2係一面將自處理裝置PR1搬送而來之片狀基板P於搬送方向(+X方向)上搬送，一面進行感光性功能層之成膜處理之成膜裝置(塗佈裝置)。處理裝置PR2係藉由在片狀基板P之表面選擇地或均勻地設置感光性功能液，而於片狀基板P之表面選擇地或均勻地形成感光性功能層(感光性薄膜、被覆層、被膜層)。又，處理裝置PR3包含一面將自處理裝置PR2進給而來之片狀基板P於搬送方向(+X方向)上搬送，一面進行曝光處理之曝光裝置EX。處理裝置PR3之曝光裝置EX係對片狀基板P之表面(感光面)照射與顯示面板用電路或配線等之圖案對應之光圖案。藉此，於感光性功能層形成與上述圖案對應之潛像(改質部)。處理裝置PR4係一面將自處理裝置PR3搬送而來之片狀基板P於搬送方向(+X方向)上搬送，一面進行濕式顯影處理之處理步驟之顯影裝置。藉此，於感光性功能層出現與潛像對應之圖案之抗蝕劑層等。處理裝置PR5係一面將自處理裝置PR4搬送而來之片狀基板P於搬送方向(+X方向)上搬送，一面以形成有圖案之感光性功能層作為遮罩而進行蝕刻處理之蝕刻裝置。藉此，於片狀基板P上出現電子裝置用配線或電極之導電材料、半導體材料、絕緣材料等之圖案。
於處理裝置PR2與處理裝置PR3之間，設置有能夠將片狀基板P跨及既定長度地儲存之第1儲存裝置BF1，於處理裝置PR3與處理裝置PR4之間，設置有能夠將片狀基板P跨及既定長度地儲存之第2儲存裝置BF2。因此，自處理裝置PR2進給而來之片狀基板P經由第1儲存裝 置BF1而搬入至處理裝置PR3之曝光裝置EX，處理裝置PR3將片狀基板P經由第2儲存裝置BF2而搬出至處理裝置PR4。處理裝置PR1~PR5係配置於製造工廠之設置面。該設置面可為設置基台上之面，亦可為地板。包含曝光裝置EX、第1儲存裝置BF1、及第2儲存裝置BF2之處理裝置PR3係於片狀基板P上形成電子裝置用圖案之圖案化裝置，亦可代替曝光裝置EX而使用精密之印刷裝置或噴墨印表機。於該情形時，前後之處理裝置PR2(成膜處理)、處理裝置PR4(顯影處理)、處理裝置PR5(蝕刻處理)可替換成實施其他處理步驟之裝置。
高階控制裝置200係控制裝置製造系統之各處理裝置PR1~PR5、第1儲存裝置BF1、第2儲存裝置BF2。該高階控制裝置200包含電腦、及記憶有程式之記憶媒體，藉由使該電腦執行記憶於記憶媒體之程式，而統一控制本實施形態之裝置製造系統。於高階控制裝置200中，亦可記憶如先前之圖6、圖8、圖12所說明般之執行曝光裝置EX之緊急時、或暫時停止中之作業(亦稱為附加作業)時之停止序列或再運轉時之序列之程式。再者，本實施形態之裝置製造系統雖設為具備5個處理裝置PR1~PR5，但只要為具備2個以上之處理裝置PR者即可。例如，作為本實施形態之裝置製造系統，亦可為具備處理裝置PR2、PR3、或處理裝置PR3、PR4之共計2個處理裝置PR者、或者具備處理裝置PR2~PR4之共計3個處理裝置PR者。
第1儲存裝置(儲存裝置)BF1及第2儲存裝置(儲存裝置)BF2例如如圖15般包括：片狀基板P之搬入側之軋輥500a、500b；搬出側之軋輥503a、503b；複數個固定輥501a~501d，其等於X方向上配置成一 行；複數個張力滾輪502a~502e；支持構件504，其將張力滾輪502a~502e於X方向上呈一行地支持，且沿支柱506a、506b於Z方向上上下移動；以及控制部508，其進行支持構件504之Z方向之位置計測及驅動。藉由控制部508所計測之支持構件504之Z方向之位置資訊係對應於儲存在儲存裝置BF1、BF2之各者之片狀基板P之長度(儲存長度)者，且不僅被輸送至圖14之高階控制裝置200，而且亦被輸送至圖5之主控制部50。因此，曝光裝置EX之主控制部50可掌握儲存於上游側之儲存裝置BF1及下游側之儲存裝置BF2之各者之片狀基板P之於現時點之實際儲存長度、或至儲存極限長度為止之片狀基板P之能夠儲存長度。
儲存裝置BF1、BF2係為了吸收通過曝光裝置EX之片狀基板P之搬送速度、與通過上游側之處理裝置PR2及下游側之處理裝置PR4之各者之片狀基板P之搬送速度之差而設置。於本實施形態中，於使曝光裝置EX之運轉暫時停止之序列之執行前，高階控制裝置200或主控制部50判定儲存裝置BF1、BF2之各者之於該時點之片狀基板P之實際儲存長度及能夠儲存長度。於圖14之生產線之情形時，片狀基板P依序通過儲存裝置BF1、曝光裝置EX、儲存裝置BF2，故而於即將使曝光裝置EX之運轉(片狀基板P之搬送)暫時性地停止之前之時點，較佳為預先將上游側之儲存裝置BF1設為基本未儲存片狀基板P之狀態(實際儲存長度≒最小儲存長度、能夠儲存長度≒儲存極限長度之狀態)，將下游側之儲存裝置BF2設為基本滿地儲存有片狀基板P之狀態(實際儲存長度≒儲存極限長度、能夠儲存長度≒零)。
如圖15般，若支持張力滾輪502a~502e之支持構件504位 於Z方向之最負側(最下方)，則固定輥501a~501d與張力滾輪502a~502e(藉由虛線表示)之Z方向之位置關係反轉，自搬入側之軋輥500a、500b至搬出側之軋輥503a、503b為止，變為能夠將片狀基板P於X方向上直線地搬送。片狀基板P自軋輥500a、500b至軋輥503a、503b為止被直線地搬送之狀態係實際儲存長度為最小儲存長度(或零)之狀態。又，若支持構件504位於Z方向之最正側(最上方)，則片狀基板P係以交替地繞掛於張力滾輪502a~502e與固定輥501a~501d之間之狀態，自軋輥500a、500b被搬送至軋輥503a、503b。於支持構件504位於最上方時，儲存於軋輥500a、500b與軋輥503a、503b之間之片狀基板P之長度為儲存極限長度。
因此，高階控制裝置200或主控制部50係於判斷能否進行曝光裝置EX之暫時停止時，基於藉由控制部508所計測之支持構件504之Z方向之位置而推定儲存裝置BF1、BF2之各者中之片狀基板P之實際儲存長度。進一步，於曝光裝置EX停止片狀基板P之搬送時，基於片狀基板P之自處理裝置PR2之搬出速度，推定至儲存裝置BF1之實際儲存長度達到儲存極限長度為止之時間△Tbf1，並基於片狀基板P之向處理裝置PR4之搬入速度，推定至儲存裝置BF2之實際儲存長度達到最小儲存長度為止之時間△Tbf2。於該2個時間△Tbf1、△Tbf2之任一者均較暫時停止之停止持續時間Tcs(利用圖6說明)長之情形時，高階控制裝置200或主控制部50判斷為能夠立即執行暫時停止之序列(圖6、圖8、圖12)。於時間△Tbf1、△Tbf2之至少一者較暫時停止之停止持續時間Tcs短之情形時，判斷為無法立即開始暫時停止之序列，高階控制裝置200判斷是否能夠進行儲存裝置BF1、BF2之各者中之實際儲存長度之調整。於如圖14般之卷對卷方式之 生產線中，通常設定為於處理裝置PR1~PR5之任一者中片狀基板P之搬送速度均相同，但根據處理裝置，存在能夠暫時性地提高或降低片狀基板P之搬送速度之情形。
於圖14之生產線之情形時，於能夠使通過曝光裝置EX之上游側之處理裝置PR2之片狀基板P之搬送速度自通常之規定速度暫時性地降低時，藉此，儲存裝置BF1之實際儲存長度逐漸變短，結果可延長時間△Tbf1。又，於能夠使通過下游側之處理裝置PR4之片狀基板P之搬送速度自規定速度暫時性地增加時，藉此，儲存裝置BF2之實際儲存長度逐漸變長，結果可延長時間△Tbf2。高階控制裝置200判定於處理裝置PR2及處理裝置PR4之各者中，此種搬送速度(時間△Tbf1、△Tbf2)之調整於作為至運轉停止為止之寬限時間之停止時間Tsq(利用圖6說明)之期間內是否能夠實現。於在停止時間Tsq內能夠實現搬送速度(時間△Tbf1、△Tbf2)之調整之情形時，高階控制裝置200指示處理裝置PR2及處理裝置PR4之兩者、或任一者中之片狀基板P之搬送速度之暫時性變更，且以處理裝置PR2或處理裝置PR4以被指示之搬送速度對片狀基板P實施既定之處理之方式，調整其他控制參數。於在停止時間Tsq內無法實現搬送速度(時間△Tbf1、△Tbf2)之調整之情形時，高階控制裝置200對主控制部50通知儲存裝置BF1、BF2中之儲存長度之調整無法實現，並且對生產線之所有處理裝置PR1~PR5輸送運轉中止之指示。這意味著為了曝光裝置EX之附加作業之實施，不得不使生產線全體停止。
然而，藉由在曝光裝置EX之上游側及下游側設置儲存裝置BF1、BF2，能夠格外地提高可使曝光裝置EX之運轉暫時停止之可能性， 藉此，可不使其他處理裝置PR1、PR2、PR4、PR5之運轉暫時停止地執行曝光裝置EX之附加作業(再試、校正作業、維護作業等)。作為一例，於將生產線中之片狀基板P之搬送速度之規定值設為10mm/秒之情形時，由於片狀基板P於1分鐘之期間內前進0.6m，故而為了確保約30分鐘左右之儲存長度，儲存裝置BF1、BF2只要以積存約18m之程度之片狀基板P之方式，設定張力滾輪502a~502e及固定輥501a~501d之回折次數、以及張力滾輪502a~502e與固定輥501a~501d之Z方向之最大隔開尺寸即可。若將張力滾輪502a~502e與固定輥501a~501d之Z方向之最大隔開尺寸設為1.8m左右，則片狀基板P之回折次數為10次左右。
以上，根據第3實施形態，即便於生產線中之曝光裝置EX(圖案化裝置)必須進行短時間之附加作業時，亦能夠不使其他處理裝置之運轉暫時停止地使曝光裝置EX(圖案化裝置)之運轉暫時停止。又，於第3實施形態中，亦與第1或第2實施形態同樣地，於使曝光裝置EX(圖案化裝置)再運轉時，能夠基本準確地再現片狀基板P上之位置與曝光位置(描繪線SL1~SL6)之相對性位置關係，因此可獲得能夠縮短自再運轉開始至穩定地處理片狀基板P為止之啟動時間、能夠減少停工時間等優點。
〔關於曝光裝置之變形例1〕
於以上之第1、第2、第3之各實施形態中，對使用藉由掃描光束之聚焦光而曝光圖案之直接成像方式之曝光裝置EX之情形時之構成進行了說明，但亦可為其他曝光方式之曝光裝置。例如亦可為利用紫外波長區域之照明光對形成於平面遮罩或圓筒遮罩之遮罩圖案進行照明，並將來自遮罩圖案之透過光或反射光以接近(近接)方式、或投影(projection)方式曝 光至片狀基板P上之裝置構成。又，亦可為使用呈矩陣狀地排列有複數個姿勢能夠變化之微小反射鏡之DMD(數位反射鏡裝置)或SLM(空間光調變器)、及微透鏡陣列，基於圖案之CAD資料，於基板上二維地描繪圖案之無遮罩曝光機。
〔關於曝光裝置之變形例2〕
由於在曝光裝置正常地運轉之情形時，於片狀基板P上基本不間斷地持續描繪或曝光圖案，故而曝光裝置內之光束光路或各光學零件、或各零件之設置部穩定於大致固定之溫度範圍(例如±0.5℃以內)之情形較多。然而，若使為運轉中之曝光裝置暫時停止，則可能成為曝光裝置內之熱源之構件或零件之動作狀態大幅改變，曝光裝置內之環境溫度之分佈亦大幅變化。因此，藉由可能成為熱源之構件或零件於再運轉時啟動，而環境溫度之分佈亦再次變化，藉此亦存在於剛再運轉後轉印於片狀基板P上之圖案之品質劣化之可能性。因此，於第1實施形態(圖2~圖5)中所說明之曝光裝置EX中，以即便於在暫時停止中使雷射光源LSa、LSb之振盪停止、或利用如圖2般設置於雷射光源LSa、LSb之光束之射出窗之正後之快門SH遮蔽光束之情形時，圖5所示之聲光偏向元件AOM1~AOM6亦於與運轉時大致相同之條件下被接通/斷開(On/Off)驅動之方式，藉由開關元件驅動部56而持續控制。進一步，以各描繪單元U1~U6內之多面鏡PM亦於與運轉時大致相同之條件(旋轉速度)下旋轉之方式持續控制。
〔關於曝光裝置之變形例3〕
又，由於圖5所示之阻尼器(光吸收體)Dmp係於曝光裝置EX對片狀基板P進行圖案描繪之期間內，於聲光偏向元件AOM1~AOM6為斷開 (Off)狀態之時序，吸收來自雷射光源LSa、LSb之光束LBa、LBb，故而可能成為熱源。因此，於在暫時停止時使來自雷射光源LSa、LSb之光束LBa、LBb之振盪停止、或利用快門SH遮蔽光束LBa、LBb之情形時，阻尼器Dmp之溫度大幅變化(降低)。因此，宜設置對阻尼器Dmp之溫度變化進行監控之溫度感測器、或用以將阻尼器Dmp之溫度保持於與運轉時之狀態相同之溫度之調溫機構。再者，為了抑制阻尼器Dmp之熱傳遞至周圍之光學零件或其設置部，亦宜於阻尼器Dmp之周圍設置隔熱構造(陶瓷之隔熱材料或主動之冷卻機構等)。此外，於存在當自連續地進行圖案描繪之運轉狀態轉變為中斷圖案描繪之非運轉狀態時、或其相反時，因描繪用光束之透過或反射而相對較快地溫度變化之光學構件之情形時，宜設置如可抑制該光學構件之溫度變化般之個別之調溫機構或散熱機構。
〔關於曝光裝置之變形例4〕
若曝光裝置EX之運轉停止(片狀基板P之搬送停止)，則利用對準系統AMn而進行之片狀基板P上之標記MK1~MK4之檢測動作亦被中止。對準系統AMn係對片狀基板P上之感光層照射非感光性之波長區域之對準用照明光，但於運轉停止中，使對準用照明光之照射中止，經由對準系統AMn之物鏡而檢測標記MK1~MK4之放大像之二維攝像元件(CCD、CMOS等)之拍攝動作亦設為停止狀態。如圖2所示，由於對準系統AMn設置於描繪單元U1、U3、U5與轉筒DR之間之較窄之空間內，故而藉由對準用照明光通過對準系統AMn，而對準系統AMn本身之溫度易較外部大氣溫度進一步上升。進一步，於二維攝像元件亦以大致固定之時間間隔持續進行拍攝動作(亦稱為圖像掃描動作、或快門動作)之情形時，二維 攝像元件之驅動電路或圖像訊號之放大電路等相對於外部大氣溫度而溫度大幅上升。因此，設為於曝光裝置EX為運轉停止狀態之期間內，對準系統AMn之對準用照明光持續照射片狀基板P(或轉筒DR)，亦可以如下方式進行控制，即，二維攝像元件於與運轉時之標記MK1~MK4之檢測時大致相同之間隔、相同之條件下持續進行拍攝動作(圖像掃描動作、快門動作)。藉此，即便於自運轉狀態轉變為非運轉狀態、或自非運轉狀態轉變為運轉狀態之情形時，亦可使對準系統AMn穩定於相對於外部大氣溫度上升大致固定量後之溫度。
又，由於在使對準用照明光持續通過對準系統AMn之情形時，對準用照明光被持續投射至運轉停止中之片狀基板P上之相同之位置，故而根據感光層之種類及投射持續時間(停止持續時間Tcs)，亦存在對感光層造成影響之情況。因此，亦可於對準系統AMn內之物鏡之正前或正後，設置遮蔽對準用照明光之可動擋板，並於藉由暫時停止、或緊急停止之序列而使片狀基板P之搬送停止時，將可動擋板插入至光路中，而阻止對準用照明光之向片狀基板P之投射。即便於該情形時，亦以如下方式進行控制，即，二維攝像元件係於與運轉時之標記MK1~MK4之檢測時大致相同之間隔、相同條件下持續進行拍攝動作(圖像掃描動作、快門動作)。
〔關於曝光裝置之變形例5〕
於對片狀基板P之複數個曝光區域Wn(Wna、Wnb)之曝光處理為重合曝光(二次曝光)之情形時，如圖7或圖10所示般，於片狀基板P上之各曝光區域Wn(Wna、Wnb)，形成於初次曝光時所描繪之標記MK1~MK4或編號標記圖案APn。因此，於再運轉時，藉由利用對準系統AMn等感測 該等標記MK1~MK4或編號標記圖案APn，而既定出於再運轉時最先應進行圖案描繪之曝光區域(照射區域)、及對於該曝光區域之描繪開始位置。尤其是，描繪開始位置係為了將重合精度抑制於容許誤差範圍內而較為重要。因此，於初次曝光時，例如如圖16所示般，將表示各曝光區域Wn(Wna、Wnb)之描繪開始位置(開頭位置)之觸發標記MTg1、MTg2、MTg3預先形成於片狀基板P上之可藉由對準系統AMn而檢測之位置、或可藉由描繪線SL1~SL6之至少1者而掃描之位置。
於圖16中，3個觸發標記MTg1、MTg2、MTg3係配置於在搬送方向(X方向)上相鄰之曝光區域Wn、Wn-1之間之空白部，且各觸發標記MTgn形成為上底邊及下底邊於搬送方向上排列之梯形。各觸發標記MTgn之上底邊與下底邊之搬送方向之尺寸△Lga係數十μm~數百μm左右，各觸發標記MTgn之上底邊與曝光區域Wn之開頭位置之搬送方向之間隔尺寸△Lgb被設定為數μm~數十μm左右。各觸發標記MTgn之下底邊之Y方向之尺寸被設定為數十μm左右。觸發標記MTg1係於Y方向上配置於與標記MK1大致相同之位置(能夠藉由對準系統之顯微鏡物鏡AM11檢測之位置)，觸發標記MTg3係於Y方向上配置於與標記MK4大致相同之位置(能夠藉由對準系統AM14檢測之位置)。觸發標記MTg2係於Y方向上配置於觸發標記MTg1與MTg3之中間位置，故而無法藉由對準系統AM12、AM13檢測。進一步，觸發標記MTg1係配置於能夠於描繪線SL1之Y方向之端部附近藉由聚焦光而掃描之位置，觸發標記MTg3係配置於能夠於描繪線SL6之Y方向之端部附近藉由聚焦光而掃描之位置。觸發標記MTg2係配置於能夠於描繪線SL3或SL4之Y方向之端部附近藉 由聚焦光而掃描之位置。
於在初次曝光之後經過製程(顯影處理、及蝕刻或電鍍處理)後之片狀基板P，多形成該等標記MK1~MK4、觸發標記MTg1~MTg3以作為金屬層。因此，若設為對曝光區域Wn進行剛再運轉後之最先之曝光者，則一面於以相對於對準系統之顯微鏡物鏡AM11~AM14之位置而空白部位於上游側之方式進給片狀基板P之後，將片狀基板P於前進方向上以固定速度搬送，一面記憶藉由對準系統之顯微鏡物鏡AM11檢測出觸發標記MTg1時之位置(利用圖3之編碼器頭ECn所計測之位置)、及藉由對準系統AM14檢測出觸發標記MTg3時之位置(利用圖3之編碼器頭ECn所計測之位置)。
其後，基於自對準系統AMn至奇數號描繪線SL1、SL3、SL5、或偶數號描繪線SL2、SL4、SL6為止之基線長度、及片狀基板P之進給量等，而推定觸發標記MTg1到達至描繪線SL1之位置。若觸發標記MTg1來到藉由描繪線SL1而掃描之位置，則藉由描繪單元U1，以跨及包含觸發標記MTg1之描繪線SL1中之Y方向之一部分地連續地掃描聚焦光之方式，描繪與實際圖案之描繪資料不同之虛設資料、且包含觸發標記MTg1之大小之矩形狀圖案(虛設圖案)。虛設圖案之片狀基板P上之位置、尤其是搬送方向(副掃描方向)之位置可藉由對轉筒DR之旋轉角度位置進行計測之編碼器系統(編碼器頭ECn、對準/載台控制部58內之計數)而精密地進行計測。於描繪虛設圖案時，若沿描繪線SL1於片狀基板P上進行掃描之聚焦光橫穿觸發標記MTg1(金屬層)，則產生根據觸發標記MTg1之周圍部分與觸發標記MTg1本身之反射率之差而強度變化之反射光(鏡 面反射光)。若於描繪單元U1內，設置檢測該反射光之光電感測器，則可構成以描繪用光束LB1之聚焦光作為計測探針之觸發標記MTg1之位置檢測系統(所謂對準感測器)。
圖17係表示能夠檢測來自片狀基板P(或轉筒DR之外周面)之反射光之描繪單元U1之概略性構成之立體圖。自光束光路調整機構BDU(參照圖2)落射之描繪用光束LB1係藉由反射鏡M10而呈直角地向X方向彎折，然後藉由反射鏡M11向Y方向彎折。於反射鏡M11反射之光束LB1係藉由光分割構件(偏振分光鏡)BS1而向X方向被反射，並藉由反射鏡M12而向Z方向被反射，且藉由反射鏡M13以於X方向上前進之方式被反射。來自反射鏡M13之光束LB1係以藉由柱面透鏡CYa而於Z方向上被收斂之狀態，經由反射鏡M14而投射至多面鏡PM之反射面。於多面鏡PM之反射面反射之光束LB1(掃描光束)通過f-θ透鏡FT，藉由反射鏡M15而向Z方向被反射，並通過柱面透鏡CYb以聚焦光SP之形式聚光於片狀基板P上。於此種構成中，藉由多面鏡PM之旋轉驅動馬達RM而聚焦光SP於Y方向進行主掃描，而形成描繪線SL1。為了於描繪線SL1上之任何位置，均為成為聚焦光SP之描繪光束LB1之主光線與片狀基板P之表面(轉筒DR之外周面)垂直，f-θ透鏡FT以成為遠心系統之方式設計。所謂遠心系統係指如自f-θ透鏡FT射出之描繪用光束LB1之主光線始終與f-θ透鏡FT之光軸AXf平行般之系統。再者，柱面透鏡CYa、CYb係作為對多面鏡PM之反射面之稍微之傾斜所造成之影響進行修正之面傾斜修正系統而發揮功能。又，於圖17中，光路中之適當地配置之複數個透鏡係省略圖示。
若聚焦光SP被投射至片狀基板P上，則以與片狀基板P之表面之反射率對應之強度產生鏡面反射光。該鏡面反射光係由於f-θ透鏡FT為遠心系統，故而經由柱面透鏡CYb、反射鏡M15、f-θ透鏡FT、多面鏡PM、反射鏡M14、柱面透鏡CYa、反射鏡M13、M12，而返回至光分割構件BS1。透過光分割構件BS1之鏡面反射係由光電感測器DT1接收。光電感測器DT1係由回覆性較高之PIN光電二極體等構成，且輸出與於聚焦光SP進行主掃描之期間內產生之鏡面反射光之強度變化對應之光電訊號。進一步，於描繪單元U1內，為了生成表示多面鏡PM之各反射面之角度變為既定角度之瞬間之原點訊號，而設置有：光源部60a，其朝向多面鏡PM之反射面投射計測光束；以及受光部60b，其接收於多面鏡PM之反射面反射之計測光束並輸出原點訊號。於多面鏡PM之旋轉速度已知之情形時，描繪線SL1上之聚焦光SP之掃描位置、即片狀基板P上之Y方向之位置可藉由以原點訊號(脈衝訊號)為基準之時間經過、例如雷射光源LSa、LSb之時脈訊號之時脈脈衝之計數值而掌握。再者，光電感測器DT1之受光面係藉由配置於光路中之未圖示之透鏡系統而設定為與片狀基板P之表面(聚焦光SP)光學地共軛之關係。
因此，將來自圖17之光電感測器DT1之光電訊號之波形變化，對雷射光源LSa、LSb之時脈訊號進行回覆地高速地進行數位取樣，並對該波形變化進行解析，藉此求出以呈矩形狀地描繪之虛設圖案之位置作為基準之觸發標記MTg1之相對性位置關係(副掃描方向與主掃描方向之位置誤差)。由於觸發標記MTg1係相對於應曝光之曝光區域Wn之開頭位置以已知之間隔尺寸△Lgb近前地形成，故而能夠基於所求出之相對性位置 關係，於曝光區域Wn之曝光即將開始之前進行用以使描繪用光束LB1之聚焦光SP之描繪開始位置精密地對準於曝光區域Wn之開頭位置之修正。
如以上般，藉由在其他描繪單元U2~U6中亦設置相同之光電感測器DT1，並設置檢測鏡面反射光之功能，而能夠對片狀基板P上之其他觸發標記MTg2、MTg3之位置藉由描繪用光束直接進行計測，而可於自曝光區域Wn之開頭位置起精密地對位之狀態下進行重合曝光。又，由於觸發標記MTg1~MTg3之各者之利用描繪用光束之位置計測能夠以圖16中之X方向及Y方向之二維實現，故而亦可求出描繪線SL1~SL6之圖案描繪之Y方向之位置與曝光區域Wn之Y方向之位置之相對性誤差，並以該誤差被修正之方式使圖案描繪位置於Y方向上微小地位移。
以上，設為為了以描繪用光束作為計測探針之片狀基板P(曝光區域Wn)之位置計測，而將專用之觸發標記MTg1~MTg3預先形成於片狀基板P上之既定位置者，但亦可代替觸發標記MTg1~MTg3，而使用對準用標記MK1~MK4。由於標記MK1~MK4亦藉由初次曝光後之製程而形成為金屬層，故而可藉由對設置於描繪單元U1~U6之各者之光電感測器DT1中之任一者之光電訊號進行監控，而於對於曝光區域Wn之圖案描繪動作即將開始之前，精密地既定出曝光區域Wn之開頭位置，且可持續進行維持良好之重合精度之曝光處理。
如圖16、圖17中所說明般，使用描繪用光束(曝光用光束)，於對於曝光區域Wn之曝光動作即將開始之前感測反射率與周圍不同之片狀基板P上之既定之圖案(或標記、或電路圖案中之既定圖案)之位置，求出相對性位置誤差並進行修正之曝光序列並不限於暫時停止後之再運轉 後之曝光動作，亦可於曝光裝置EX對片狀基板P正常地持續進行曝光動作之期間內實施。藉此，即便於與片狀基板P之相對較大之伸縮或變形對應地產生之曝光區域Wn之各者之形狀變形之傾向分別不同之情形時，亦能夠針對每個曝光區域Wn實現精密之重合曝光。
〔關於曝光裝置之變形例6〕
於先前之各實施形態中，設為於在暫時停止時使片狀基板P之搬送停止之情形時，亦使轉筒DR之旋轉停止者。然而，於使旋轉驅動轉筒DR之馬達等之驅動停止之情形時，曝光裝置EX之腔室CB(參照圖1、圖2)內之空調狀態變化，而於再運轉時亦有產生因溫度變化而引起之漂移之虞。因此，於本變形例中，設為保持將片狀基板P之搬送設為停止狀態之狀態，持續使轉筒DR於與運轉時相同之條件下旋轉。於圖2所示之構成中，於使片狀基板P之搬送停止時，例如於藉由上游側之軋輥NR1將片狀基板P卡留之後，使下游側之軋輥NR2(NR2')稍微反轉至張力輥RT5、RT6(RT7)之張力不作用於片狀基板P之狀態為止。藉此，片狀基板P係以鬆弛之狀態卡止於軋輥NR1與軋輥NR2(NR2')之間。其後，以使轉筒DR之外周面於鬆弛之片狀基板P之背面側滑動之方式，以與運轉時相同之速度旋轉驅動轉筒DR。
於該情形時，藉由片狀基板P之背面側與轉筒DR之外周面摩擦，而有片狀基板P受損、或產生塵埃(異物)之虞。於必須避免傷痕或塵埃之產生之情形時，可藉由在轉筒DR之外周面設置無數個微小之氣體噴出孔，將壓力氣體供給至轉筒DR之內部而自外周面之氣體噴出孔噴出氣體，使片狀基板P之背面自轉筒DR之外周面稍微浮起，而避免接觸。又， 亦可於在軋輥NR1與軋輥NR2(NR2')之間使片狀基板P為鬆弛之狀態之後，於轉筒DR之外周面與片狀基板P之間，於複數個部位插入直徑較小之輔助輥或剛性較高之單純之圓桿，並以使片狀基板P自轉筒DR之外周面於徑向上隔開之方式，使保持輥移動。
〔關於搬送裝置之變形例1〕
於如圖14所示之第3實施形態般，在曝光裝置EX之上游側或下游側設置有儲存裝置BF1、BF2之情形時，於曝光裝置EX之暫時停止之停止持續時間Tcs變長，且儲存裝置BF1、BF2內之片狀基板P之積存或清除達到極限之情形、或因處理裝置PR1~PR5中任一者之嚴重之故障而必須緊急停止之情形時，使生產線全體之運轉停止。於該情形時，於儲存裝置BF1、BF2內所積存之片狀基板P係保持在例如圖15所示之搬入側之軋輥500a、500b與搬出側之軋輥503a、503b之間被賦予既定之張力之狀態地變為搬送停止狀態。因此，於儲存裝置BF1之上游側之處理裝置PR2及下游側之曝光裝置EX之兩者為運轉停止時、或於儲存裝置BF2之下游側之處理裝置PR4及上游側之曝光裝置EX之兩者為運轉停止時，以不對儲存裝置BF1、BF2內之片狀基板P賦予張力之方式，解放作為各軋輥之固定輥501a、501b、503a、503b之夾壓、或使支持張力滾輪502a~502e之支持構件504向下方移動。
〔關於其他處理裝置之變形例1〕
於如圖14所示之第3實施形態般，曝光裝置EX與執行前後之處理步驟之複數個處理裝置直列式地組合且以卷對卷方式對片狀基板P進行處理之情形時，雖於圖14中省略圖示，但於如成膜處理裝置PR2、顯影處理裝 置PR4、蝕刻處理裝置PR5般之片狀基板P之濕式處理步驟之後，必需對片狀基板P進行清洗、及乾燥、加熱之步驟。於乾燥、加熱步驟中，存在根據用於乾燥之加熱區域之搬送路徑長度及片狀基板P之搬送速度，而設定乾燥(加熱)時間之情形。於基於緊急停止之要求而使生產線全體之運轉停止之情形、或使濕式處理裝置(PR2、PR4、PR5)中之任1者暫時停止之情形時，於隨附於濕式處理裝置之乾燥、加熱處理部中，亦使片狀基板P之搬送停止。於緊急停止之情形時，由於至嚴重之故障被解放且能夠再運轉為止之時間較長，故而於乾燥、加熱處理部收到緊急停止之要求之時點，使加熱用加熱器之驅動或調溫氣體之吹送停止，而使加熱區域降低至環境溫度。
另一方面，於濕式處理裝置暫時停止之情形、且該停止持續時間相對較短之情形時，對加熱用加熱器之驅動或調溫氣體之吹送進行調整，並使於正常運轉時所設定之加熱區域之目標溫度根據所預想之停止持續時間而降低。作為一例，於片狀基板P為PET膜之情形時，其玻璃轉移溫度為110℃左右，但為了避免較大之伸縮，作為加熱溫度宜抑制至100℃左右。然而，若因暫時停止而於加熱區域內跨及設定時間以上地使片狀基板P暴露於100℃之溫度下，則亦有片狀基板P大幅變形之可能性。因此，於片狀基板P之搬送暫時停止之停止持續時間較短時，使初始之目標溫度100℃降低至例如70℃左右，於停止持續時間變長時，使初始之目標溫度100℃降低至例如40℃左右。其原因在於，於停止持續時間較短之情形時，由於自片狀基板P之搬送停止起至再次開始搬送為止之時間較短，故而若使加熱區域之溫度大幅降低，則要花費用於使加熱區域再次返回至原來之 目標溫度之時間。
如此，根據所預想之暫時停止之停止持續時間而改變濕式處理後之乾燥、加熱處理部之溫度設定，藉此可自經過停止持續時間後之再運轉時，重新開始原來之溫度條件下之乾燥、加熱處理。而且，可抑制於暫時停止中對片狀基板P賦予熱性損傷。再者，亦可將於乾燥、加熱處理部之加熱區域設定之目標溫度，伴隨所預想之停止持續時間之經過而動態地變更。例如，亦可以如下方式連續地或階段性地使溫度變化，即，於剛暫時停止後將目標溫度暫時大幅降低之後，伴隨停止持續時間之經過而逐漸提高目標溫度，並於停止持續時間之結束時點，變為大致當初之目標溫度。以此方式，能夠一面抑制乾燥、加熱處理部中之消耗電力，一面以所預想之再運轉之時序重新開始準確之溫度設定下之處理，能夠抑制生產性之降低。
[第4實施形態]
圖18係表示第4實施形態之裝置製造系統(卷對卷方式之流水生產線)之概略性外觀之立體圖，以先前之圖14所說明之製造系統為基礎，於工廠之地面上於作為片狀基板P之搬送方向(長條方向)之X方向上排列成一行地設置基板供給單元30A、處理裝置PR1、PR2、PR3、及基板回收單元30B。由於處理裝置PR1、PR2、PR3之各者之內部之溫度或空調狀態(風量或濕度等狀態)被個別地設定之情形較多，故而處理裝置PR1、PR2、PR3分別收容於恰當之腔室內。
安裝於基板供給單元30A之2個供給捲筒FRa、FRb中之供給捲筒FRa送出片狀基板P，供給捲筒FRb係捲繞有供接合於來自供給 捲筒FRa之片狀基板P之終端附近之新的片狀基板P之備用供給捲筒。基板供給單元30A具備例如如國際公開第2013/175882號說明書所揭示般之片狀基板之切斷機構、及於2個片狀基板P中之一者接合另一片狀基板之前端部之接合機構。回收經過處理裝置PR1、PR2、PR3而處理之片狀基板P之基板回收單元30B係具備與基板供給單元30A同樣地構成之切斷機構及接合機構，且使基板供給單元30A於XY面內(工廠之地面上)繞與Z軸平行之軸線旋轉180度而配置者。雖於圖18中未圖示，但於基板回收單元30B中亦可安裝基板回收用之2個回收捲筒RRa、RRb。如此，安裝2個供給捲筒而添加片狀基板以使其連續供給之基板供給單元30A、與安裝2個回收捲筒而能夠連續地回收片狀基板之基板回收單元30B可藉由相同之機構實現之事實亦揭示於先前之國際公開第2013/175882號說明書。
自基板供給單元30A搬出之片狀基板P係於處理裝置PR1中，受到片狀基板P之表面之活化或清掃、靜電去除之處理之後，被進給至處理裝置(成膜處理裝置)PR2。處理裝置PR2係由以下構件所構成，即：模嘴塗佈機方式之塗佈部PR2A，其於片狀基板P之表面以均勻之厚度塗佈作為感光性功能層之光阻劑(液體)；以及加熱乾燥部PR2B，其自所塗佈之光阻劑使溶劑蒸發而使光阻劑硬化。加熱乾燥部PR2B亦具有對形成於片狀基板P上之光阻劑層進行預烤之功能，且具備如對片狀基板P跨及既定之時間地持續賦予較高之溫度(100℃以下)般之搬送路徑。自處理裝置PR2之加熱乾燥部PR2B搬出之片狀基板P係被進給至與圖14同樣地於搬送路徑之上游側及下游側之各者配置儲存裝置BF1、BF2之包含曝光裝置EX之處理裝置PR3。儲存裝置BF1例如如圖15所示般，具備複數個張 力滾輪502a~502e及複數個固定輥501a~501d，並且具備用以將藉由加熱乾燥部PR2B而加溫之片狀基板P冷卻至常溫(例如23℃)之調溫機構。該調溫機構可藉由如下等構成而實現，即，於覆蓋儲存裝置BF1之腔室內使被控制為常溫之調溫氣體以既定之流量吹送(循環)之構成、朝向固定輥501a~501d(或張力滾輪502a~502e)自噴嘴噴射被控制了溫度之調溫氣體之構成、或將搬入至儲存裝置BF1內之片狀基板P最先接觸之軋輥500a、500b控制為低於常溫之溫度之構成。
通過了儲存裝置BF1之片狀基板P(附有光阻劑)被搬入至曝光裝置EX，與電子裝置(顯示面板用電路、電子零件安裝用配線電路等)對應之圖案被曝光至光阻劑層。曝光裝置EX可由如圖2、圖17所示般之直接成像方式之圖案描繪裝置、使用平面遮罩或圓筒遮罩之近接方式或投影方式之曝光裝置、使用DMD或SLM等之無遮罩曝光機中之任一者構成。被進行曝光處理之片狀基板P通過下游側之儲存裝置BF2而進給至處理裝置PR4。於曝光後之片狀基板P上之光阻劑層，轉印有與受到紫外線之照射之部分及未照射之部分對應之圖案之潛像，但亦存在為了抑制該潛像之暈開而進行對片狀基板P進行加熱之後烘烤處理之情形。於該情形時，只要於收容儲存裝置BF2之腔室內設置電熱加熱器、紅外線光源、溫風噴射噴嘴等，對片狀基板P進行加熱即可。於本實施形態中，處理裝置PR4係由以下構件所構成，即：顯影處理部PR4A，其係於將片狀基板P浸漬於顯影液而使光阻劑層顯影之後，進行純水清洗；以及乾燥處理部PR4B，其係自藉由顯影處理、清洗處理而潤濕之片狀基板P使水分蒸發。於藉由處理裝置PR4之乾燥處理部PR4B而乾燥之片狀基板P之表面形成經圖案化之 抗蝕劑層，片狀基板P於基板回收單元30B中被捲取至回收捲筒(RRa、RRb中之任一者)。
於藉由圖18之裝置製造系統，在片狀基板P上以減除方式(減法方式)形成電極圖案或配線圖案等之情形時，於捲於供給捲筒FRa之片狀基板P之表面，形成以銅(Cu)、鋁(Al)、鋅(Zn)、氧化銦錫(ItO)等為材料之導電性薄膜(導電層)，並於處理裝置PR2中，於該導電層之上塗佈光阻劑層。雖於圖18中，設為藉由回收捲筒(RRa、或RRb)捲取藉由處理裝置PR4而進行顯影/乾燥處理之片狀基板P者，但理想為繼而使片狀基板P通過對導電層進行蝕刻處理之濕式之處理裝置PR5(參照圖14)，並於進行乾燥處理之後藉由回收捲筒捲取。
又，於藉由圖18之裝置製造系統，在片狀基板P上以加成方式(加法方式)形成電極圖案或配線圖案等之情形時，處理裝置PR2於片狀基板P之表面，作為感光性功能液，塗佈如例如國際公開第2016/163525號說明書中所揭示般之感光性電鍍還原劑(藉由紫外線之照射而保護基(氟基)脫離而如將金屬離子加以還原般之胺基露出之高分子材料)之溶液，並使其乾燥。處理裝置PR3(曝光裝置EX)進行對曝光量(光束強度)進行修正之程度之調整，並將與電子裝置之電極或配線之圖案對應之紫外線之曝光之光投射至片狀基板P之感光性功能層。處理裝置PR4係由以下構件所構成，即：第1電鍍處理部，其使片狀基板P之表面浸漬於無電解電鍍用電鍍液(例如，包含鈀離子)，而與電極或配線之圖案之形狀對應地使電鍍核(鈀)析出；第2電鍍處理部，其於電鍍核之上實施鎳磷(NiP)之無電解電鍍；清洗部，其藉由純水對片狀基板P進行清洗；以及乾燥部， 其對片狀基板P進行乾燥。於該情形時，於藉由基板回收單元30B之回收捲筒而捲取之片狀基板P之表面，形成NiP之金屬層之電極圖案或配線圖案。
於本實施形態中，為了管理圖18所示之裝置製造系統之全體之狀態、或處理裝置PR1~PR4、基板供給單元30A、基板回收單元30B之各者之狀態，而設置能夠於工廠之地面上藉由腳輪等而移動之控制支架RCU。控制支架RCU具備如下等構件：電腦(個人電腦等)LPC，其安裝有關於與工廠之主電腦之資料通訊之軟體、關於各個處理裝置PR1~PR4、基板供給單元30A、基板回收單元30B等之控制或通訊之軟體、關於裝置製造系統全體之運轉狀態之監視/管理之軟體等；輸入裝置RMD，其由輸入指令或資料等之鍵盤或交換機構成；以及用於各種資訊之顯示或輸入之觸控面板式顯示監視器DSP(例如32英吋之液晶或有機EL之面板)。各種通訊係藉由有線方式、無線方式中之至少一者而進行，宜設為如下構成：於各個處理裝置PR1~PR4、基板供給單元30A、基板回收單元30B(以下亦總稱為個別裝置PR1~PR4、30A、30B)之各者之性能之確認操作、保養作業、或調整作業(校準動作)時，將設置於個別裝置PR1~PR4、30A、30B之各者之腔室之正面(圖18之-Y方向側之面)的連接器中之任1者與控制支架RCU(電腦LPC)由作業者藉由手動而以有線方式連接，而進行各種通訊。其有助於減少成為保養作業或調整作業等重要之操作之對象的個別裝置PR1~PR4、30A、30B之選擇錯誤。
又，於個別裝置PR2~PR4、30A、30B之各者，亦可將用以顯示其本身之運轉狀態或動作條件等、或控制運轉狀態之觸控面板式顯 示監視器CSP設置於腔室之正面。藉此，即便於因工廠之主電腦、控制支架RCU之電腦LPC之故障、或通訊環境之故障等，而經由控制支架RCU之裝置製造系統之管理或控制下降之情形時，亦可藉由經由顯示監視器CSP而由作業者個別地控制個別裝置PR2~PR4、30A、30B之各者，而使裝置製造系統之運轉儘可能持續。
代替於個別裝置PR2~PR4、30A、30B之各者之腔室外壁，設置觸控面板式顯示監視器CSP，而設為如代替顯示監視器CSP可裝卸地設置可攜式輸入板終端機器(具有觸控面板式顯示監視器)般之構成，亦可設為將1台輸入板終端機器安裝於個別裝置PR2~PR4、30A、30B中之必須進行監視或操作之裝置之腔室外壁。於該情形時，輸入板終端機器自動識別安裝於個別裝置PR2~PR4、30A、30B中之哪一個，並與組入於被安裝輸入板終端機器之個別裝置之控制用電腦進行通訊而共享各種控制資訊，並且提取並記憶關於安裝輸入板終端機器之個別裝置之運轉狀態之資訊。又，輸入板終端機器係構成為亦能夠與控制支架RCU之電腦LPC進行通訊，亦可設為將電腦LPC設為主電腦，將輸入板終端機器設為從屬電腦，而進行安裝輸入板終端機器之個別裝置PR2~PR4、30A、30B中之任1者之控制、例如控制伴隨停止動作等之校正作業或維護作業(圖12之停止中之作業)等之動作。藉此，亦可由作業者一面於被進行校正作業或維護作業之個別裝置PR2~PR4、30A、30B中之任一者之腔室之前，經由確認用窗或打開之門而對內部進行確認，一面對輸入板終端機器進行操作。再者，輸入板終端機器一旦確立了與成為對象之個別裝置PR2~PR4、30A、30B中之任1者之通訊鏈路(連接)，則亦可自腔室外壁卸除而於身邊進行操作。
圖19係表示藉由用以對圖18之製造系統之全體之運轉狀態進行監視或管理之軟體，而顯示於圖18中之控制支架RCU之顯示監視器DSP、安裝於腔室外壁之顯示監視器CSP、或輸入板終端機器之顯示監視器之顯示畫面之一例。於圖19中，將橫軸設為時間，並將關於運轉中之處理裝置PR2~PR4、儲存裝置30A、30B之各者之於當前時刻之運轉狀況、較當前時刻更早前之運轉狀況(過去狀態)、及自當前時刻至此後之既定時間為止之可預想之運轉狀況的狀態資訊以圖形之方式於縱方向上排列地顯示。再者，雖於圖19之顯示畫面中未呈現，但藉由將畫面之右端之上下捲軸(scroll bar)SCB向上操作，於處理裝置PR2之上可同樣地顯示處理裝置PR1之狀態資訊。於畫面之上方，時間軸帶400以分鐘單位(或30秒單位)顯示，於時間軸帶400上顯示表示當前時刻之標識402。於畫面之左上端之框404內，亦以數值記載當前時刻。框404內之當前時刻被即時地更新顯示，並且處理裝置PR2~PR4、儲存裝置30A、30B之各者之狀態資訊亦被即時地更新並顯示。因此，於不將標識402之位置於時間軸帶400上於橫方向上拖曳之情形時，時間軸帶400所顯示之時間軸記載(時間標度)、及裝置PR2~PR4、30A、30B之各者之狀態資訊於畫面內向左方向即時地逐次位移。
又，若拖曳標識402而使其於時間軸帶400上滑動至最右端，則當前時刻變為最右端，時間軸帶400之時間軸記載(時間標度)、及裝置PR2~PR4、30A、30B之各者之狀態資訊全部設為過去狀態且即時地更新顯示。進一步，畫面之最下端之左右捲軸SCB於圖19中係靠近最右側，但若使左右捲軸SCB逐漸向左側滑動，則時間軸帶400之時間軸記載(時 間標度)、及裝置PR2~PR4、30A、30B之各者之狀態資訊於畫面內向左方向即時地位移，且顯示較當前時刻更以後之時間帶之可預想之狀態資訊。於畫面之左下端，顯示將時間軸(時間標度)縮小至1/2倍、1/4倍之縮小按鈕405a、及將時間軸(時間標度)放大至2倍、4倍之放大按鈕405b。作為處理裝置PR2~PR4之各者之狀態資訊，顯示與通過該處理裝置之片狀基板P之搬送速度對應之線圖(速度曲線圖)Vpp2、Vpp3、Vpp4(於彙總稱呼之情形時設為Vpp)、及表示處理裝置內之處理進行狀況之條形圖(進行圖)410a、410b(於彙總稱呼之情形時設為410)。進行圖410a係以例如較深之藍色表示當前時刻以前之狀況，進行圖410b係以例如較淺之淡藍色表示當前時刻以後之可預想之狀況，於因故障等而裝置運轉緊急停止之情形時變為例如紅色。
於與處理裝置PR2~PR4之各者對應之速度曲線圖Vpp2、Vpp3、Vpp4及進行圖410a、410b之左側，顯示能夠使於速度曲線圖Vpp2、Vpp3、Vpp4中當前時刻之片狀基板P之搬送速度之自基準值之增減一目了然之條形圖(速度變動圖)406。搬送速度之基準值(基準速度)係於圖18之製造系統中自供給捲筒FRa捲出且藉由回收捲筒RR捲取之期間內所設定之片狀基板P之標準搬送速度。於處理裝置PR1~PR4之中，片狀基板P之搬送速度設定得較低者係進行圖案化處理之處理裝置PR3(曝光裝置EX)。
雖亦根據曝光裝置之方式而不同，但作為一例，於如圖2~圖5所示般之聚焦掃描方式之直接成像曝光裝置之情形時，根據聚焦光之尺寸或解析度(圖案資料上之最小像素尺寸)、聚焦光之多重掃描次數等， 基準速度被設定為10~50mm/秒左右之範圍。於使用圓筒遮罩之近接(接近)方式、或投影(projection)方式之曝光裝置中，根據光源之倍率(照明光之照度)，作為基準速度被設定為20~100mm/秒左右之範圍。速度變動圖406係於通過處理裝置PR1~PR4之各者之片狀基板P之搬送速度為基準速度時使箭頭狀之標識顯示於上下方向之中間位置，於搬送速度較基準速度更增加時，使箭頭狀之標識顯示於較中間位置更靠上方。速度變動圖406中之速度變動之顯示範圍(%)可根據於處理裝置PR1~PR4之各者中能夠調整、或可指定之速度變化而設定，例如相對於基準速度變為±5%~±15%左右。
作為關於儲存裝置BF1、BF2之各者之狀態資訊，顯示表示可伴隨時間軸而於最小儲存長度(下限值)與最大儲存長度(上限值)之間變化之片狀基板P之儲存長度之狀態之線圖(儲存長度變化曲線圖)Acc1、Acc2。又，於儲存長度變化曲線圖Acc1、Acc2之各者之左側，顯示條形圖(實際儲存長度圖)408，該條形圖(實際儲存長度圖)408能夠以圖形之方式使儲存於儲存裝置BF1、BF2之各者之當前時刻之片狀基板P之實際儲存長度之於能夠儲存範圍內之比例一目了然。再者，於儲存長度變化曲線圖Acc1、Acc2之各者中，亦顯示表示能夠儲存範圍之一半之儲存長度之標準線。
於如以上般之顯示畫面中，此處以插入至表示處理裝置PR2、PR3、PR4之各者之處理進行狀況之進行圖410(410a、410b)及速度曲線圖Vpp(Vpp2、Vpp3、Vpp4)之方式，顯示表示裝置之暫時停止之期間之停止顯示TSTP。停止顯示TSTP係對例如利用圖6、圖12所說明之 裝置之運轉中斷或暫時停止之停止要求資訊進行回覆而生成，且以可預想計算之停止持續時間Tcs之時間長度顯示。藉由作業者視認該停止顯示TSTP、或儲存裝置BF1、BF2之儲存長度之狀況，可直觀地掌握不僅過去而且自當前時刻至以後之固定時間為止之將來之停止預想或片狀基板P之搬送狀況、即作為生產線之運轉狀況。
以下，針對具體之顯示例，參照圖19所示之顯示監視器DSP(或CSP)之畫面顯示進行說明。於圖19所示之自較當前時刻約12分鐘前之時刻(14時10分左右)起至當前時刻為止之期間內，根據速度曲線圖Vpp2及進行圖410a，可知處理裝置PR2一面以基準速度搬送片狀基板P，一面不停止地連續進行處理。同樣地，於該期間內，根據速度曲線圖Vpp3及進行圖410a，可知處理裝置PR3亦一面以基準速度搬送片狀基板P，一面不停止地連續進行處理。另一方面，關於承擔顯影乾燥步驟之處理裝置PR4，如速度曲線圖Vpp4及進行圖410a所示般，從自當前時刻大致10分鐘之前之時刻tt1(14時12分左右)起至時刻tt2(14時19分左右)為止之期間內插入顯示有停止顯示TSTP，可知將片狀基板P之搬送暫時停止(將搬送速度設定為零)且中斷處理。於圖19之情形時，處理裝置PR4之暫時停止(TSTP)之停止持續時間Tcs為約7分鐘。
處理裝置PR4於時刻tt1~tt2之期間內暫時停止係於較時刻tt1進一步以前被預測到。因此，設置於處理裝置PR3與處理裝置PR4之間之儲存裝置BF2係為了能夠於處理裝置PR4之停止期間(tt1~tt2)內確實地儲存自處理裝置PR3以基準速度送出之片狀基板P之長度量，而如儲存長度變化曲線圖Acc2所示般調整為於時刻tt1之時點儲存長度充分地降低 之狀態。又，處理裝置PR3之上游側之承擔塗佈乾燥步驟之處理裝置PR2係被預想到跨及自較當前時刻進一步約9分鐘後之時刻tt3(14時31分左右)至時刻tt4(14時34分左右)之間之約3分鐘，而如停止顯示TSTP般暫時停止。該情況係作為於自當前時刻起貼近之以後發生之事件，而於顯示監視器DSP(CSP)之顯示畫面之下部顯示為警告(Alert)。為了即便於處理裝置PR2之時刻tt3~tt4之停止期間內，亦使下游之處理裝置PR3之運轉持續，儲存裝置BF1係如儲存長度變化曲線圖Acc1所示般，於到達至時刻tt3之前被調整為於停止期間(tt3~tt4)內具有朝向處理裝置PR3將片狀基板P以基準速度送出之程度之儲存長度。
接著，若設為至時刻tt1為止通過處理裝置PR4之片狀基板P以基準速度被搬送者，則於時刻tt1~tt2之停止期間內，由於搬入至處理裝置PR4之片狀基板P之搬送速度為零，故而自處理裝置PR3以基準速度送出之片狀基板P以固定之時間比率之長度被逐次儲存至儲存裝置BF1。若於時刻tt2，處理裝置PR4再運轉且變為能夠搬送片狀基板P之狀態，則為了使儲存於儲存裝置BF2之片狀基板P減少至一半左右之儲存長度，處理裝置PR4對至時刻tt1為止之處理條件進行修正，於自時刻tt2至時刻tt5(14時39分左右)之期間內將片狀基板P一面以較基準速度更快之速度進給，一面執行顯影乾燥步驟。於該情形時，由於處理裝置PR4係藉由片狀基板P與顯影液之浸漬時間而管理顯影品質，且片狀基板P之搬送速度被設定為較基準速度更快，故而可藉由將作為處理條件之片狀基板P與顯影液之浸漬長度調整為稍長，而保持為與時刻tt1以前相同之顯影品質。如此，作為可對處理條件(顯影條件)簡單地進行調整且用以容易地保持顯影品 質之顯影處理部PR4A，例如可使用日本專利特開2016-075790號公報、日本專利特開2016-219744號公報所揭示之濕式處理裝置。若使用此處所揭示之濕式處理裝置，則不僅片狀基板P之搬送速度或與顯影液之接觸長度(浸漬長度)之調整變得容易，而且能夠降低顯影液之使用量，因此顯影液之溫度管理或濃度管理變得容易。
以此方式，處理裝置PR4係於時刻tt2~tt5之期間內，將片狀基板P一面以較基準速度更快之速度進給，一面實施顯影乾燥步驟，但伴隨於此，儲存於儲存裝置BF2之片狀基板P如儲存長度變化曲線圖Acc2所示般使儲存長度逐漸降低，於時刻tt5變為一半左右之儲存長度。若變為時刻tt5，則如速度曲線圖Vpp4所示般，處理裝置PR4使片狀基板P之搬送速度逐漸降低，於時刻tt6(14時45分左右)設定為基準速度。於此期間內，處理裝置PR4根據片狀基板P之搬送速度之降低而一面逐漸縮短片狀基板P與顯影液之浸漬長度，一面持續進行顯影乾燥步驟。
另一方面，於時刻tt2~tt5之間之時刻tt3~tt4內，承擔塗佈乾燥步驟之處理裝置PR2跨及約3分鐘地暫時停止。因此，儲存裝置BF1係於時刻tt3~tt4之期間內，將所儲存之片狀基板P以基準速度朝向處理裝置PR3送出，如儲存長度變化曲線圖Acc1所示般，儲存裝置BF1之儲存長度以由處理裝置PR2之時刻tt3~tt4之時間(停止持續時間Tcs)與基準速度之乘積所決定之片狀基板P之長度量逐漸減少。於時刻tt4以後，如速度圖Vpp2所示般，處理裝置PR2將片狀基板P再次以基準速度搬送。於時刻tt6以後，至時刻tt7(15時01分左右)為止，處理裝置PR2、PR3、PR4之各者一面將片狀基板P以基準速度搬送，一面逐漸執行各自之處理。 若變為時刻tt7，則開始為被預測(預定)為下一事件之處理裝置PR3之暫時停止所準備之準備動作。處理裝置PR3之暫時停止係作為處理裝置PR3之今後之進行圖410b中之自時刻tt9至時刻tt10(15時30分左右)之間之約5分鐘之暫時停止而藉由停止顯示TSTP顯示。於本實施形態中，設為於較當前時刻進一步以前之時點，產生表示處理裝置PR3必須進行約5分鐘之暫時停止之主旨之停止要求資訊，基於該停止要求資訊，並基於主電腦或圖18之控制支架RCU之電腦LPC等之模擬(使用與利用圖12所說明之曝光裝置中之基於暫時停止之作業因素之參數設定等相同之程式之預測計算)，而將開始該暫時停止之時序設定為時刻tt9。
再者，於在當前時刻，處理裝置PR3未產生停止要求資訊之情形時，時刻tt7以後之速度曲線圖Vpp2、Vpp3、Vpp4之各者被記載為繼而以基準速度推移，儲存裝置BF1、BF2之各者之儲存長度變化曲線圖Acc1、Acc2之各者被記載為保持時刻tt5之儲存長度之狀態推移。顯示監視器DSP(CSP)之如圖19般之畫面顯示例如被設定為於每1秒(或每數秒)之更新循環中大致即時地被更新。因此，較當前時刻更早之進行圖410b或速度曲線圖Vpp係根據基於接收到之停止要求資訊之模擬之結果，藉由更新循環而逐次覆寫。
若基於圖19所示之處理裝置PR2~PR4及儲存裝置BF1、BF2之各者之於時刻tt7之狀態資訊，則若於時刻tt9，處理裝置PR3之運轉(片狀基板P之搬送)暫時停止，則判斷為於處理裝置PR3之上游側之儲存裝置BF1中應儲存之片狀基板P之儲存長度超過能夠儲存極限(上限長度)，於自時刻tt7至時刻tt8(15時07分左右)為止之約6分鐘內，使 通過處理裝置PR2之片狀基板P之搬送速度自基準速度起逐漸降低。處理裝置PR2根據該搬送速度之降低而逐漸調整自模嘴塗佈機方式之塗佈頭供給之光阻劑之量、或塗佈頭與片狀基板P之間隔(間隙)，以光阻劑之塗佈厚度之變動被維持於容許範圍內之方式進行控制。藉此，儲存裝置BF1中之片狀基板P之儲存長度逐漸減少，於時刻tt9之時點成為接近於下限長度之儲存長度。
又，若於時刻tt9處理裝置PR3之運轉(片狀基板P之搬送)暫時停止，則判斷為於處理裝置PR3之下游側之儲存裝置BF2中儲存之片狀基板P之儲存長度小於能夠儲存之下限長度(最短長度)，於自時刻tt7至時刻tt8(15時07分左右)為止之約6分鐘內，使通過處理裝置PR4之片狀基板P之搬送速度自基準速度起逐漸降低。處理裝置PR4根據該搬送速度之降低而以使作為處理條件之片狀基板P與顯影液之於搬送方向上之接液長度(浸漬長度)逐漸縮短之方式進行調整，以維持固定之顯影品質之方式進行控制。藉此，儲存裝置BF2中之片狀基板P之儲存長度係自大致一半之狀態起逐漸增加，於時刻tt9之時點成為接近於上限長度之值。
如速度曲線圖Vpp3所示，處理裝置PR3中之片狀基板P之搬送速度於時刻tt9自基準速度變為零，且跨及至時刻tt10為止之約5分鐘而處理裝置PR3之運轉暫時停止，於此期間內，處理裝置PR2、PR4中之任一者均一面以較基準速度更慢之速度搬送片狀基板P，一面持續進行各自之處理。藉由處理裝置PR3之運轉停止，而儲存裝置BF1跨及對應於速度曲線圖Vpp2中之時刻tt9之片狀基板P之搬送速度與處理裝置PR3之停止持續時間Tcs之乘積之長度，儲存自處理裝置PR2進給而來之片狀基板 P。於圖19之例中，於時刻tt10，於儲存裝置BF1中，儲存片狀基板P至能夠儲存之最大長度之一半左右之長度為止。又，儲存裝置BF2係跨及對應於速度曲線圖Vpp4中之時刻tt9之片狀基板P之搬送速度與處理裝置PR3之停止持續時間Tcs之乘積之長度，將儲存至接近於上限長度之片狀基板P以較基準速度更慢之速度朝向處理裝置PR4送出。於圖19之例中，於時刻tt10，儲存裝置BF2送出片狀基板P直至變為能夠儲存之最大長度之一半左右之長度為止。
於時刻tt10，若處理裝置PR3之運轉被重新開始，片狀基板P再次開始以基準速度被搬送，則跨及自時刻tt10至時刻tt11(15時36分左右)之約6分鐘，處理裝置PR2、PR4之各者以使片狀基板P之搬送速度逐漸返回(提高)至基準速度之方式進行控制。因此，於時刻tt10~tt11之期間內，於儲存裝置BF1、BF2之各者，儲存相對於時刻tt10之時點之儲存長度稍長之片狀基板P。
如以上般，於本實施形態中，為了使處理裝置PR1~PR4、儲存裝置BF1、BF2之各者中之片狀基板P之處理狀態、搬送狀態、儲存狀態等以圖形之方式即時地顯示，可藉由利用主電腦或圖18之控制支架RCU之電腦LPC等之模擬而確認能夠實現作為可預想之將來事件之裝置運轉停止、或者對比運轉停止中之裝置與其他運轉中之裝置之狀況而直觀得確認生產線全體之運轉狀況。
再者，相對於當前時刻而作為將來之事件之處理裝置PR2或處理裝置PR3之停止顯示TSTP之開始時刻可藉由在如最快地轉變為暫時停止般之條件下之模擬而決定。因此，根據裝置，亦存在宜使暫時停止 之開始時刻較於畫面中藉由模擬結果而顯示之停止顯示TSTP更遲之情形。於此種情形時，作業者可藉由一面觸摸作為模擬結果而顯示之停止顯示TSTP一面向時間軸上之後方滑動、或利用滑鼠指標進行拖曳等操作，而於能夠設定之範圍內使停止顯示TSTP向後方偏移。又，於圖19中，於時刻tt6至時刻tt7之期間內，於任一處理裝置PR2~PR4中均將片狀基板P以基準速度搬送，且於任一儲存裝置BF1、BF2中片狀基板P之儲存長度均不增減而大致穩定。於此種情形時，為於時刻tt9之處理裝置PR3之運轉停止做準備，亦可不將其他處理裝置PR2、PR4之片狀基板P之搬送速度之變更(降低)時序設為時刻tt9之約25分鐘前之時刻tt7(當初之準備開始時刻)，而是提前至時刻tt6、tt5、tt4、或其等之間之時刻中之任一者。即，亦可有意圖地較長地設定自作為模擬後所獲得之當初之時間的圖19中之時刻tt7至時刻tt9(停止開始)之間之當初之準備時間之約25分鐘。於該設定時，將於顯示於顯示監視器DSP(CSP)之顯示畫面上之時刻tt7之位置顯示的虛線向左側(時間軸上之當前時刻之方向)拖曳。於如此使時刻tt7進行時間平移之情形時，主電腦或圖18之控制支架RCU之電腦LPC等對時刻tt7以後之狀態資訊再次進行模擬，並將其結果更新顯示於顯示監視器DSP(CSP)。又，並不限於如圖18般之具有4個處理裝置PR1~PR4及2個儲存裝置BF1、BF2之中規模或大規模之製造系統，於設置2個處理裝置及1個儲存裝置之最小之製造系統中，亦能夠藉由如圖19所示般之顯示監視器DSP(CSP)進行同樣之製造管理(搬送管理)。
以上，根據本實施形態，設置一種顯示監視器，該顯示監視器係作為對裝置製造系統進行監視或管理之控制裝置之介面裝置而設置， 該裝置製造系統具備使長條之片狀基板(P)於長條方向上依序通過並實施互不相同之處理之複數個處理裝置(PR1~PR4)、及於片狀基板之搬送方向上設置於複數個處理裝置之任一者之上游側或下游側且可能將片狀基板於長條方向上跨及既定之長度地儲存之儲存裝置，且於基於關於複數個處理裝置之各者中之片狀基板之搬送速度之資訊、及關於儲存裝置中之片狀基板之儲存長度之資訊，使複數個處理裝置中之至少1者暫時停止之情形時，將調整搬送速度時之片狀基板之速度變化之狀態及與速度變化對應之儲存長度之變化之狀態，與時間軸一併以圖形之方式顯示，藉此，可直觀地視認裝置製造系統之各個處理裝置之包含暫時停止狀態之運轉狀況、及片狀基板之搬送狀況，可謀求生產管理之效率化。再者，於將圖18所示之自基板供給單元30A至基板回收單元30B為止之一連串之製造系統設置於工廠內之複數個生產通道之各者之情形時，亦可藉由使圖18所示之可攜式控制支架RCU移動至各通道之附近，而自動識別該通道，並使與該通道之製造系統對應之狀態資訊等顯示於顯示監視器DSP上。
10‧‧‧捲出/捲取部
11‧‧‧清潔器部
12‧‧‧張力調整部
13‧‧‧階部
14‧‧‧電源單元
15‧‧‧雷射控制單元
16‧‧‧冷卻器單元
17‧‧‧空調單元
CB‧‧‧腔室
CP1、CP2‧‧‧開口部
CUR1、CUR2‧‧‧清潔輥
EPC1、EPC2‧‧‧捲筒保持部
Eps1、Eps2‧‧‧邊緣感測器
EX‧‧‧曝光裝置
FR‧‧‧供給捲筒
NR1、NR2‧‧‧軋輥
P‧‧‧片狀基板
RR‧‧‧回收捲筒
RT1~RT4‧‧‧張力輥
X、Y、Z‧‧‧軸

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其係一面將長條帶狀之片狀基板於長條方向上連續地搬送，一面對上述片狀基板實施既定之處理者，其特徵在於具備：處理機構，對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，一面對通過上述處理機構之上述片狀基板賦予前述長條方向之既定之張力，一面將上述片狀基板按照既定速度於上述長條方向上搬送；卡留機構，配置於上述片狀基板之搬送路徑中之既定位置，且能夠將上述片狀基板卡留於上述既定位置；以及控制裝置，於使上述片狀基板之搬送暫時停止之情形時，以使上述片狀基板之搬送速度降低之方式控制上述搬送機構，並且以於上述搬送速度成為既定值以下之時點將上述片狀基板卡留於上述既定位置之方式控制上述卡留機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述搬送機構具有調整對上述片狀基板賦予之上述張力之張力調整機構，上述控制裝置係以於上述片狀基板在上述既定位置被卡留之後，成為被賦予至上述片狀基板之上述張力緩和之狀態之方式控制上述張力調整機構。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中上述控制裝置係以於上述暫時停止持續既定之停止時間以上之情 形時，被賦予至上述片狀基板之上述張力得以緩和之方式控制上述張力調整機構。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中上述處理機構包含支持載台，該支持載台具有將被實施上述既定之處理之上述片狀基板之一部分呈平面狀或曲面狀地支持之支持面，上述卡留機構係設置於上述支持載台之上述支持面之一部分，且將上述片狀基板卡留於上述支持載台。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中上述支持載台係上述支持面具有距中心軸為固定半徑之圓筒面狀之外周面且能夠繞上述中心軸旋轉之轉筒。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中上述既定位置係於上述片狀基板之長條方向之搬送路徑上設定於上述處理機構之上游側及下游側中之至少一者。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中上述卡留機構係能夠將上述片狀基板之正面及背面之至少一部分可解放地夾持之夾持構件，上述夾持構件係於上述片狀基板之上述搬送速度成為既定值以下之大致零之時點，藉由上述控制裝置而自解放狀態切換為夾持狀態。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中上述卡留機構，係一面夾持上述片狀基板一面旋轉而將上述片狀基板於長條方向上搬送之軋輥，上述軋輥係於上述片狀基板之上述搬送速度成為既定值以下之大 致零之時點，藉由上述控制裝置而自能夠旋轉之狀態切換為無法旋轉之狀態。
  9. 一種基板處理裝置，係將長條之片狀基板於長條方向上搬送並對上述片狀基板實施既定之處理者，其特徵在於，具備：處理機構，對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，以上述片狀基板按照被控制之速度通過上述處理機構之方式，一面對上述片狀基板之搬送量進行計測一面將上述片狀基板於上述長條方向上搬送；張力賦予機構，對藉由上述搬送機構所搬送之上述片狀基板賦予既定之張力；既定位置記憶部，基於上述搬送機構中所計測之上述搬送量而記憶由上述處理機構進行之上述既定之處理被暫時性地中斷之上述片狀基板上之既定位置、或上述既定之處理重新開始之既定位置；以及控制裝置，以如下方式控制上述搬送機構，即，於暫時性地中斷上述既定之處理之情形時，將上述既定位置記憶至上述既定位置記憶部之後，利用抑制上述搬送機構中之上述片狀基板之滑動之產生之特性使上述片狀基板之搬送速度降低。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中上述控制裝置係以如下方式控制上述張力賦予機構，即，為了抑制上述搬送機構中之上述片狀基板之滑動之產生，相應於上述搬送速度之降低而調整對上述片狀基板賦予之上述張力。
  11. 一種基板處理方法，係一面藉由搬送機構將長條帶狀之片狀基板於長條方向上連續地搬送，一面藉由處理機構對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施既定之處理者，其特徵在於，包括：搬送階段，係於藉由上述處理機構實施上述既定之處理之期間內，藉由上述搬送機構一面對上述片狀基板賦予前述長條方向之既定之張力，一面將上述片狀基板按照既定速度於上述長條方向上搬送；卡留階段，於使由上述搬送機構進行之搬送動作暫時性地停止時，以使上述片狀基板上之長條方向之指定部分對準於配置在上述片狀基板之搬送路徑中之既定位置之卡留機構之方式進行定位，並利用上述卡留機構將上述片狀基板之上述指定部分卡留；以及張力緩和階段，於上述片狀基板之搬送方向上，上述既定位置之上游側及下游側之至少一者，緩和對上述片狀基板賦予之上述既定之張力。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中上述張力緩和階段係於利用上述卡留機構之上述片狀基板之卡留持續既定之卡留時間以上之情形時執行。
  13. 一種基板處理裝置，係一面將長條之片狀基板於長條方向上連續地搬送，一面對上述片狀基板實施既定之處理者，其特徵在於，具備：處理機構，對上述片狀基板之長條方向之每一部分實施上述既定之處理；搬送機構，以使上述片狀基板按照既定之速度通過上述處理機構之方式，將上述片狀基板於上述長條方向上搬送； 儲存裝置，設置於上述片狀基板之搬送路徑中之上述處理機構之上游側及下游側之至少一者，且能夠於對上述片狀基板賦予既定之張力之狀態下在既定之長度之範圍內儲存上述片狀基板；以及控制部，係以如下方式控制上述儲存裝置，即，於為了中斷由上述處理機構進行之上述既定之處理，而使由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送停止之情形時，緩和對儲存於上述儲存裝置之上述片狀基板賦予之上述既定之張力。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中上述儲存裝置具備：複數個張力滾輪，將上述片狀基板於上述長條方向上彎折數次地加以支持，並且為了上述片狀基板之儲存長度之調整而設為可動；以及張力調整機構，調整對架設於該複數個張力滾輪之各者之上述片狀基板賦予之張力；上述控制部係於由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送停止之後，控制上述張力調整機構，緩和對上述片狀基板賦予之上述既定之張力。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，進一步具備卡留機構，該卡留機構係設置於上述片狀基板搬入至上述儲存裝置之既定位置、或上述片狀基板自上述儲存裝置搬出之既定位置，且將上述片狀基板於上述既定位置暫時性地卡留，上述控制部係與由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送之停止同步地，控制上述卡留機構而將上述片狀基板卡留於上述既定位置。
  16. 一種基板處理裝置，其係將長條之片狀基板於長條方向上搬送並對上 述片狀基板實施既定之處理者，其特徵在於，具備：處理機構，對上述片狀基板實施上述既定之處理；搬送機構，以上述片狀基板於被賦予既定之張力之狀態下按照既定之搬送速度通過上述處理機構之方式，將上述片狀基板於上述長條方向上搬送；以及控制裝置，管理上述處理機構及上述搬送機構之動作；上述控制裝置具備：寬限判定部，判定使由上述搬送機構進行之上述片狀基板之搬送動作從上述既定之搬送速度減速至零而停止之時間性寬限、或使上述搬送動作從上述既定之搬送速度減速至零而停止之期間的能夠搬送之上述片狀基板之長度之寬限；以及張力指示部，基於上述寬限判定部之判定結果而指示於藉由上述搬送機構使上述片狀基板之上述搬送速度逐漸降低之期間內對上述片狀基板賦予之上述張力。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，上述搬送機構包含：轉筒，將上述片狀基板之長條方向之一部分捲繞至距既定之中心軸為固定半徑之圓筒狀之外周面，並繞上述中心軸旋轉而搬送上述片狀基板；第1張力調整部，於上述片狀基板之搬送方向上設置於上述轉筒之上游側，且調整進入至上述轉筒之上述片狀基板之張力；以及第2張力調整部，於上述片狀基板之搬送方向上設置於上述轉筒 之下游側，且調整自上述轉筒退出之上述片狀基板之張力。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022518991A (ja) * 2018-12-31 2022-03-18 ユルディズ アリフィオグル，ハビベ コーティング機械
WO2020144891A1 (ja) * 2019-01-08 2020-07-16 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7306025B2 (ja) * 2019-04-01 2023-07-11 セイコーエプソン株式会社 印刷装置及び印刷方法
JP2020187334A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法
JP7291577B2 (ja) * 2019-08-28 2023-06-15 芝浦メカトロニクス株式会社 移送装置および実装装置
DE102019128198B3 (de) * 2019-10-18 2021-02-25 Laser Imaging Systems Gmbh Vorrichtung zur Mustereinbringung mittels Strahlung an einem aufgewickelten Endlossubstrat
JP7304297B2 (ja) * 2020-01-17 2023-07-06 三菱重工機械システム株式会社 印刷装置および輪転印刷機並びに版交換方法
KR20220034947A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
CN112757770A (zh) * 2021-01-09 2021-05-07 南京闻煜智能科技有限公司 一种丝网印刷机
CN113281724A (zh) * 2021-05-11 2021-08-20 田斌 一种激光雷达及准直调试装置
TWI766697B (zh) * 2021-05-24 2022-06-01 聯毅科技股份有限公司 監控裝置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243160B1 (en) * 1998-09-28 2001-06-05 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Exposure device for a strip-like workpiece
TW201329646A (zh) * 2012-01-12 2013-07-16 尼康股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法、及圓筒狀光罩
CN103569699A (zh) * 2012-07-27 2014-02-12 亚智科技股份有限公司 基板传送装置
JP2016095387A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 株式会社ニコン パターン形成装置、搬送装置、およびパターン形成方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06227720A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Toppan Moore Co Ltd 連続用紙移送処理装置におけるテンション緩和装置
JP3363278B2 (ja) * 1995-01-26 2003-01-08 日本たばこ産業株式会社 帯状材の安定走行装置
JP3307295B2 (ja) * 1997-09-29 2002-07-24 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの搬送・位置決め方法および装置
JP2000246868A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Dainippon Printing Co Ltd 転写方法および転写装置
JP3672028B2 (ja) * 2002-05-14 2005-07-13 東レエンジニアリング株式会社 帯状ワークの露光装置
JP4270843B2 (ja) * 2002-10-23 2009-06-03 大日本印刷株式会社 カラーフィルターの製造方法
JP4409256B2 (ja) 2003-11-14 2010-02-03 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ製造装置、及びカラーフィルタ製造方法
JP2007230136A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Daisey Machinery Co Ltd サーマルヘッドによる印字方法及び印字装置
JP4790451B2 (ja) * 2006-03-08 2011-10-12 住友精密工業株式会社 基板処理装置
JP4763527B2 (ja) * 2006-06-22 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4712880B2 (ja) * 2009-03-19 2011-06-29 シャープ株式会社 シート材巻き出し装置及びシート材巻き出し方法
JP5226037B2 (ja) * 2010-06-04 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
CN103065998A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 东京毅力科创株式会社 处理台装置及使用该处理台装置的涂布处理装置
IN2014DN10546A (zh) * 2012-05-23 2015-08-21 Nikon Corp
CN106687867B (zh) * 2014-09-04 2019-08-02 株式会社尼康 处理系统及元件制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243160B1 (en) * 1998-09-28 2001-06-05 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Exposure device for a strip-like workpiece
TW201329646A (zh) * 2012-01-12 2013-07-16 尼康股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法、及圓筒狀光罩
CN103569699A (zh) * 2012-07-27 2014-02-12 亚智科技股份有限公司 基板传送装置
JP2016095387A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 株式会社ニコン パターン形成装置、搬送装置、およびパターン形成方法

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