TWI791890B - 晶圓的生成方法及雷射加工裝置 - Google Patents

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TWI791890B
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平田和也
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明的課題，係提供可生成Facet區域與非Facet區域之間沒有段差的晶圓之晶圓的生成方法。 解決手段是一種從SiC晶棒生成SiC晶圓之晶圓的生成方法，包含從SiC晶棒的上面檢測出Facet區域的Facet區域檢測工程、設定Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標的座標設定工程、及將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與從SiC晶棒的上面應生成之晶圓的厚度相當的深度，一邊將雷射光線照射至SiC晶棒一邊將SiC晶棒與聚光點往X軸方向相對地加工進送，於SiC晶棒的內部形成帶狀的剝離層的加工進送工程。於加工進送工程中，相對於將雷射光線照射至非Facet區域時之雷射光線的能量與聚光器的位置，使對Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使聚光器的位置上升。

Description

晶圓的生成方法及雷射加工裝置
本發明係關於從SiC晶棒生成SiC晶圓之晶圓的生成方法及於SiC晶棒形成剝離層的雷射加工裝置。
IC、LSI、LED等的裝置係於以Si(矽)或Al2O3(藍寶石)等作為素材之晶圓的表面層積功能層，藉由相互交叉之複數預定分割線區劃所形成。又，功率裝置、LED等係於以六方晶體單晶SiC(碳化矽)等作為素材之晶圓的表面層積功能層，藉由相互交叉之複數預定分割線區劃所形成。形成裝置的晶圓係藉由切削裝置、雷射加工裝置對預定分割線施以加工，分割成各個裝置晶片，被分割的各裝置晶片利用於手機或電腦等的電性機器。
形成裝置的晶圓係一般來說藉由利用線鋸薄薄地切斷成圓柱形狀的晶棒所生成。被切斷之晶圓的表面及背面係藉由研磨完工成鏡面(例如參照專利文獻1)。但是，以線鋸切斷晶棒，對所切斷之晶圓的表面及背面進行研磨的話，晶棒的大部分(70~80%)會被丟棄，有不經濟的問題。尤其於SiC晶棒中，硬度高而難以進行利用線鋸的切斷，需要相當的時間，故生產性差，並且晶棒的單價變 高，對於高效率生成晶圓具有其課題。
因此，本申請人係提案將對於六方晶體單晶SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點定位於SiC晶棒的內部，對SiC晶棒照射雷射光線，於預定切斷面形成剝離層，沿著形成剝離層的預定切斷面，從SiC晶棒剝離晶圓的技術(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-94221號公報
[專利文獻2]日本特開2016-111143號公報
但是，於SiC晶棒的內部，有存在被稱為Facet的結晶構造不同的區域之狀況，Facet區域相當於非Facet區域，折射率較高，並且能量的吸收率也較高，故藉由雷射光線的照射而形成於SiC晶棒的內部之剝離層的位置及完工狀態變得不均勻，有在Facet區域與非Facet區域之間，晶圓產生段差的問題。又，為了對從SiC晶棒生成的晶圓進行磨削以完工成所希望的厚度，預料Facet區域與非Facet區域之間的段差，必須厚厚地剝離應生成的晶圓，有無法謀求充分的效率化的問題。
因此，本發明的目的係提供可生成Facet區 域與非Facet區域之間沒有段差的晶圓之晶圓的生成方法及雷射加工裝置。
依據本發明的一特性，提供一種晶圓的生成方法，係從SiC晶棒生成SiC晶圓之晶圓的生成方法，其特徵為具備：平坦面形成工程，係對SiC晶棒的上面進行磨削以形成為平坦面；座標設定工程，係在實施該平坦面形成工程之後，從SiC晶棒的上面檢測出Facet區域，並且對於SiC晶棒的上面c面傾斜偏角，將與在該c面與該平坦面之間形成偏角的方向正交的方向設為X軸，將與該X軸正交的方向設為Y軸，設定Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標；加工進送工程，係實施該座標設定工程之後，將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，一邊從雷射加工裝置的聚光器，將雷射光線照射至SiC晶棒，一邊將SiC晶棒與該聚光點往該X軸方向相對地加工進送，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著該c面伸長之帶狀的剝離層；分度進送工程，係將SiC晶棒與該聚光點往該Y軸方向相對地分度進送，將該帶狀的剝離層並設於該Y軸方向；剝離工程，係實施該加工進送工程及該分度進送工程之後，從該剝離層剝離應生成的晶圓；於該加工進送工程中，依據以該座標設定工程所設定之該Facet區域與該非Facet區域之邊界的X座標Y座標，相對於 將雷射光線照射至該非Facet區域時之雷射光線的能量與該聚光器的位置，使對該Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使該聚光器的位置上升。
依據本發明的其他特性，提供一種雷射加工裝置，係於SiC晶棒形成剝離層的雷射加工裝置，其特徵為具備：保持台，係保持SiC晶棒；Facet區域檢測手段，係從被該保持台保持之SiC晶棒的上面檢測出Facet區域；座標設定手段，係對於SiC晶棒的上面c面傾斜偏角，將與在該c面與該上面之間形成偏角的方向正交的方向設為X軸，將與該X軸正交的方向設為Y軸，設定並記錄Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標；雷射光線照射單元，係包含將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，對SiC晶棒照射雷射光線，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著該c面伸長之剝離層的聚光器；X軸進送機構，係將保持單元與該聚光器往X軸方向相對地加工進送；Y軸進送機構，係將該保持台與該聚光器往Y軸方向相對地分度進送；及控制單元，係依據該Facet區域與該非Facet區域之邊界的X座標Y座標，相對於將雷射光線照射至該非Facet區域時之雷射光線的能量與該聚光器的位置，使對該Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使該聚光器的位置上升。
依據本發明之晶圓的生成方法，形成於Facet區域與非Facet區域之剝離層的位置及完工狀態變得均勻，可生成Facet區域與非Facet區域之間沒有段差的晶圓。
依據本發明的雷射加工裝置，在對SiC晶棒施加雷射加工時，可讓形成於Facet區域與非Facet區域之剝離層的位置及完工狀態變得均勻，可生成Facet區域與非Facet區域之間沒有段差的晶圓。
2:雷射加工裝置
4:保持單元
6:Facet區域檢測手段
8:座標設定手段
10:聚光器
12:雷射光線照射單元
14:X軸進送機構
16:Y軸進送機構
18:控制單元
20:基台
20a:導引軌道
22:X軸可動板
22a:導引軌道
24:Y軸可動板
26:保持台
28:攝像單元
30:框體
32:顯示單元
34:滾珠螺桿
36:馬達
38:滾珠螺桿
40:馬達
42:磨削單元
44:剝離機構
46:殼體
48:殼體移動手段
50:機器臂
52:主軸殼體
54:主軸
56:輪座
58:螺絲
60:磨削輪
62:磨削砥石
64:殼體
66:機器臂
68:馬達
70:吸附片
72:SiC晶棒
74:第一端面
76:第二端面
78:周面
80:垂線
82:第一定向平面
84:第二定向平面
86:Facet區域
88:非Facet區域
90:SiC分離成Si與C的部分
92:裂痕
94:剝離層
96:SiC晶圓
FP:聚光點
LB:脈衝雷射光線
[圖1]本發明實施型態之雷射加工裝置的立體圖。
[圖2](a)SiC晶棒的前視圖，(b)SiC晶棒的俯視圖。
[圖3]揭示實施平坦面形成工程之狀態的立體圖。
[圖4](a)於座標設定工程中所攝像之SiC晶棒的畫像的模式圖，(b)在座標設定手段中設定之Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標的表。
[圖5](a)揭示實施加工進送工程之狀態的立體圖，(b)揭示實施加工進送工程之狀態的剖面圖。
[圖6]揭示實施分度進送工程之狀態的立體圖。
[圖7]揭示實施剝離工程之狀態的立體圖。
以下，針對本發明之晶圓的生成方法及雷射 加工裝置的理想實施形態，一邊參照圖面一邊進行說明。
首先，參照圖1針對遵從本發明所構成之雷射加工裝置的實施形態進行說明。整體以符號2揭示的雷射加工裝置，係至少由保持SiC晶棒72的保持單元4、從SiC晶棒72的上面檢測出Facet區域的Facet區域檢測手段6、設定並記錄Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標的座標設定手段8、包含將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，對SiC晶棒照射雷射光線，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著該c面伸長之剝離層的聚光器10的雷射光線照射單元12、將保持單元4與聚光器10往X軸方向相對地加工進送的X軸進送機構14、將保持台4與聚光器10往Y軸方向相對地分度進送的Y軸進送機構16、及控制雷射加工裝置2的動作的控制單元18所構成。再者，X軸方向是圖1中以箭頭X所示的方向，Y軸方向是圖1中以箭頭Y所示的方向，且正交於X軸方向的方向。又，X軸方向及Y軸方向所規定的平面實質上水平。
保持單元4係包含可自由移動於X軸方向地搭載於基台20的X軸可動板22、可自由移動於Y軸方向地搭載於X軸可動板22的Y軸可動板24、可自由旋轉地搭載於Y軸可動板24的上面的保持台26、使保持台26旋轉的保持台用馬達(未圖示)。
Facet區域檢測手段6係具有從上面對被保持台4保持之SiC晶棒進行攝像的攝像單元28。如圖1所示， 攝像單元28係安裝於從基台20的上面往上方延伸，接著實質上水平延伸之框體30的前端下面。又，於框體30的上面，配置有顯示攝像單元28所攝像之畫像的顯示單元32。再者，Facet區域檢測手段6係具有對攝像單元28所攝像之SiC晶棒的畫像施加二值化處理等的畫像處理，讓Facet區域與非Facet區域的判別容易進行的畫像處理手段為佳。再者，Facet區域檢測手段6的攝像單元28係兼用於對SiC晶棒照射雷射光線時的校準中所用之攝像單元為佳。
座標設定手段8係電性連接於攝像單元28，依據攝像單元28所攝像之SiC晶棒的畫像，將對於SiC晶棒的上面c面傾斜偏角，與形成偏角之方向正交的方向設為X軸，將與X軸正交的方向設為Y軸，設定並記錄Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標。再者，座標設定手段8所用之X軸及Y軸係與圖1所示之上述的X軸方向及Y軸方向實質上相同。
雷射光線照射單元12的聚光器10係與攝像單元28在X軸方向隔開間隔，安裝於框體30的前端下面。又，雷射光線照射單元12係包含振盪對於SiC具有透射性之波長的脈衝雷射的雷射振盪器、調整從雷射振盪器射出之脈衝雷射光線的輸出的衰減器、使聚光器10升降以調整脈衝雷射光線的聚光點之上下方向位置的聚光點位置調整手段(任一皆未圖示)。聚光點位置調整手段可由連結於聚光器10，延伸於上下方向的滾珠螺桿，與使該滾珠螺桿旋轉的馬達所構成。然後，於雷射光線照射單元12中，將從 雷射振盪器射出，輸出被衰減器調整過的脈衝雷射光線，以聚光器10聚光，照射至被保持單元4保持的SiC晶棒。
X軸進送機構14係具有連接於X軸可動板22，延伸於X軸方向的滾珠螺桿34，與連結於滾珠螺桿34之一端部的馬達36。然後，X軸進送機構14係藉由滾珠螺桿34將馬達36的旋轉運動轉換成直線運動而傳達至X軸可動板22，沿著基台20上的導引軌道20a，使X軸可動板22對於聚光器10相對地於X軸方向中進退。
Y軸進送機構16係具有連接於Y軸可動板24，延伸於Y軸方向的滾珠螺桿38，與連結於滾珠螺桿38之一端部的馬達40。然後，Y軸進送機構16係藉由滾珠螺桿38將馬達40的旋轉運動轉換成直線運動而傳達至Y軸可動板24，沿著X軸可動板22上的導引軌道22a，使Y軸可動板24對於聚光器10相對地於Y軸方向中進退。
控制單元18係電性連接於座標設定手段8，依據以座標設定手段8所設定之Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標，相對於將雷射光線照射至非Facet區域時之雷射光線的能量與聚光器10的位置，使對該Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使聚光器10的位置上升。再者，控制單元18、Facet區域檢測手段6的畫像處理手段及座標設定手段8，係分別由個別的電腦構成亦可，由單一電腦構成亦可。
本實施形態的雷射加工裝置2係進而具備對被保持單元4保持之SiC晶棒的上面進行磨削的磨削單元 42，與從被保持單元4保持之SiC晶棒的剝離層剝離應生成的晶圓的剝離機構44。
磨削單元42係包含可自由移動於Y軸方向地安裝於框體30的側面的殼體46、使殼體46往Y軸方向移動的殼體移動手段48、從被殼體46可自由升降地支持的基端往Y軸方向延伸的機器臂50、使機器臂50升降的機器臂升降手段(未圖示)、及安裝於機器臂50的前端的主軸殼體52。
於主軸殼體52，延伸於上下方向的主軸54可自由旋轉地被支持，並且內藏使主軸54旋轉的主軸用馬達(未圖示)。參照圖3說明的話，於主軸54的下端固定圓板狀的輪座56，於輪座56的下面藉由螺絲58固定環狀的磨削輪60。於磨削輪60的下面的外周緣部，於圓周方向隔開間隔，固定配置成環狀的複數磨削砥石62。
如圖1所示，剝離機構44係包含配置於基台20上之導引軌道20a的尾端部的殼體64、從被殼體64可自由升降地支持的基端延伸於X軸方向的機器臂66、及使機器臂66升降的機器臂升降手段(未圖示)。於機械臂66的前端，附設有馬達68，於馬達68的下面，以延伸於上下方向的軸線為中心可自由旋轉地連結吸附片70。於吸附片70的下面形成複數吸附孔(未圖示)，吸附片70連接於吸引手段(未圖示)。又，於吸附片70，內藏有對於吸附片70的下面賦予超音波振動的超音波振動賦予手段(未圖示)。
於圖2揭示從SiC形成的SiC晶棒72。SiC晶棒 72係具有整體形成為圓柱形狀，圓形狀的第一端面74、與第一端面74相反側之圓形狀的第二端面76、位於第一端面74及第二端面76之間的周面78、從第一端面74到第二端面76的c軸(<0001>方向)、及與c軸正交之c面({0001}面)。
於SiC晶棒72中，c軸對於第一端面74的垂線80傾斜偏角α，在c面與第一端面74之間形成偏角α(例如α=1、3、6度)。圖2以箭頭A揭示形成偏角α的方向。又，於SiC晶棒72的周面78，形成表示結晶方位之矩形狀的第一定向平面82及第二定向平面84。第一定向平面82係平行於形成偏角α的方向A，第二定向平面84係正交於形成偏角α的方向A。如圖2(b)所示，從上方觀察，第二定向平面84的長度L2比第一定向平面82的長度L1還短(L2<L1)。
又，圖示的SiC晶棒72係主要從六方晶體單晶SiC形成，但是，局部存在結晶構造不同的Facet區域86。再者，以符號88揭示Facet區域86以外的非Facet區域。
接著，針對本發明之晶圓的生成方法的實施形態進行說明，在此針對使用上述之雷射加工裝置2的晶圓的生成方法進行說明。在本實施形態中，首先，透過適當的接著劑(例如環氧樹脂系接著劑)將SiC晶棒72固定於保持台26之上面。再者，於保持台26的上面形成複數吸引孔，於保持台26的上面生成吸引力，保持SiC晶棒72亦可。
將SiC晶棒72固定於保持台26之後，SiC晶棒 72的上面除了已經形成為平坦的狀況之外，實施對SiC晶棒72的上面進行磨削，以形成為平坦面的平坦面形成工程。
在平坦面形成工程中，首先，將保持台26定位於磨削單元42的下方。接下來，如圖3所示，從上方觀察，往逆時針方向以所定旋轉速度(例如300rpm)使保持台26旋轉。又，從上方觀察，往逆時針方向以所定旋轉速度(例如6000rpm)使主軸54旋轉。接下來，以機器臂升降手段使機器臂50下降，使磨削砥石62接觸SiC晶棒72的上面(在本實施形態中為第一端面74)。之後，以所定磨削進送速度(例如0.1μm/s)使機器臂50下降。藉此，對SiC晶棒72的上面進行磨削，可形成為不妨礙後述的剝離層形成工程之雷射光線的射入程度的平坦面。
在實施平坦面形成工程之後，實施從SiC晶棒72的上面檢測出Facet區域86，並且對於SiC晶棒72的上面c面傾斜偏角α，將與形成偏角α的方向A正交的方向設為X軸，將與X軸正交的方向設為Y軸，設定Facet區域86與非Facet區域88之邊界的X座標Y座標的座標設定工程。
在座標設定工程中，首先，將保持台26定位於攝像單元28的下方。接下來，以攝像單元28從上面對SiC晶棒72進行攝像，依據以攝像單元28攝像之SiC晶棒72的畫像，或者施加了二值化處理等的畫像處理之SiC晶棒72的畫像，檢測出Facet區域86。接下來，如圖4所示，將與形成偏角α的方向A正交的設為X軸，將與X軸正交的方 向設為Y軸，藉由座標設定手段8設定並記錄Facet區域86與非Facet區域88之邊界的複數個(例如從a點到x點為止的24點)的X座標Y座標，並且設定並記錄複數個SiC晶棒72的周緣的X座標Y座標。然後，依據Facet區域86與非Facet區域88之邊界的複數個X座標Y座標，與SiC晶棒72的周緣的X座標Y座標，設定並記錄Facet區域86與非Facet區域88的X座標Y座標。
實施座標設定工程之後，實施將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒72的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，一邊從雷射加工裝置2的聚光器10，將雷射光線照射至SiC晶棒72，一邊將SiC晶棒72與聚光點往該X軸方向相對地加工進送，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著c面伸長之帶狀的剝離層的加工進送工程。
在加工進送工程中，首先，藉由依據座標設定工程中以攝像單元28攝像之SiC晶棒72的畫像，使保持台26往X軸方向及Y軸方向移動，調整SiC晶棒72與聚光器10的XY平面之位置。
接下來，以聚光點位置調整手段使聚光器10升降，於非Facet區域88中，將聚光點FP(參照圖5(b))定位於與應從SiC晶棒72的上面生成之晶圓的厚度相當的深度。接下來，一邊使保持台26以所定進送速度移動於整合於與形成偏角α之方向A正交的方向的X軸方向，一邊從聚光器10將對於SiC具有透射性之波長的脈衝雷射光線LB照 射至SiC晶棒72。如此一來，如圖6所示，藉由脈衝雷射光線LB的照射，SiC分離成Si(矽)與C(碳)，接著，所照射之脈衝雷射光線LB被之前形成的C吸收，連鎖性地SiC分離成Si與C，並且從SiC分離成Si與C的部分90，裂痕92沿著c面等向性延伸之帶狀的剝離層94沿著X軸方向形成。
然後，於此種加工進送工程中，依據以座標設定工程所設定之Facet區域86與非Facet區域88的X座標Y座標，相對於將雷射光線LB照射至非Facet區域88時之雷射光線LB的能量與聚光器10的位置，使對Facet區域86照射雷射光線LB時之雷射光線LB的能量上升並且使聚光器10的位置上升之方式，以控制單元18控制雷射光線照射單元12。因為Facet區域86的折射率比非Facet區域88的折射率還高，利用如上述般進行控制，如圖5(b)所示，於Facet區域86與非Facet區域88中可使聚光點FP的深度成為實質上相同，也可使形成於Facet區域86與非Facet區域88之剝離層94的深度成為實質上均勻。又，Facet區域86相較於非Facet區域88，能量的吸收率也較高，藉由將照射至Facet區域86之脈衝雷射光線LB的能量，比照射至非Facet區域88之脈衝雷射光線LB的能量更加上升，可讓形成於Facet區域86與非Facet區域88之剝離層94的完成狀況變得更均勻。
此種加工進送工程係例如能以下的加工條件進行。再者，後述散焦係從將脈衝雷射光線LB的聚光點FP定位於SiC晶棒72的上面74的狀態，朝向SiC晶棒72的下 面76使聚光器10移動時的移動量。
(非Facet區域：折射率2.65)
脈衝雷射光線的波長：1064nm
平均輸出：7W
重複頻率：30kHz
脈衝寬度：3ns
進送速度：165mm/s
散焦：188μm
自SiC晶棒的上面起之剝離層的位置：500μm
(Facet區域：折射率2.79)
脈衝雷射光線的波長：1064nm
平均輸出：9.1W
重複頻率：30kHz
脈衝寬度：3ns
進送速度：165mm/s
散焦：179μm
自SiC晶棒的上面起之剝離層的位置：500μm
實施加工進送工程之後，實施將SiC晶棒72與聚光點FP往該Y軸方向相對地分度進送，將該帶狀的剝離層94並設於Y軸方向的分度進送工程。在本實施形態中，一邊以所定分度進送量Li(參照圖5(a)及圖6)，對於聚光點FP將SiC晶棒72往Y軸方向相對地分度進送，一邊重 複上述的加工進送工程。藉此，於SiC晶棒72的內部，可將延伸於X軸方向之帶狀的剝離層94並設於Y軸方向。又，藉由將分度進送量Li設為不超過裂痕92的寬度的範圍，使Y軸方向中鄰接之剝離層94的裂痕92彼此從上下方向觀察為重疊，可容易進行後述剝離工程之晶圓的剝離。
實施加工進送工程及分度進送工程，於SiC晶棒72生成複數剝離層94之後，實施從剝離層94剝離應生成的晶圓的剝離工程。在剝離工程中，首先，使保持台26移動於剝離機構44之吸附片70的下方。接下來，以機器臂升降手段讓機械臂66下降，如圖7所示般，使吸附片70的下面密接於SiC晶棒72的第一端面74。接下來，使吸引手段動作，將吸附片70的下面吸附於SiC晶棒72的第一端面74。接下來，使超音波振動賦予手段動作，對於吸附片70的下面賦予超音波振動，並且利用馬達68使吸附片70旋轉。藉此，可從剝離層94剝離應生成的SiC晶圓96。
再者，對於剝離SiC晶圓96的SiC晶棒72，實施上述之平坦面形成工程對剝離面進行平坦化之後，重複進行加工進送工程、分度進送工程及剝離工程，藉此可從SiC晶棒72生成複數SiC晶圓96。關於座標設定工程，由於Facet區域86從SiC晶棒72的上面到下面為止形成為柱狀，於厚度方向中如同日本的金太郎糖的形狀，只要在從SiC晶棒72生成最初的SiC晶圓96時實施即可，在生成第2張之後的SiC晶圓96時不實施亦可。
如上所述，在本實施形態中，形成於Facet 區域86與非Facet區域88之剝離層94的位置及完工狀態可變得均勻，可生成Facet區域86與非Facet區域88之間沒有段差的SiC晶圓96。所以，不需要預估Facet區域86與非Facet區域88之間的段差而厚厚地剝離SiC晶圓96，可謀求效率化。
10:聚光器
12:雷射光線照射單元
26:保持台
72:SiC晶棒
74:第一端面
76:第二端面
78:周面
82:第一定向平面
84:第二定向平面
86:Facet區域
88:非Facet區域
90:SiC分離成Si與C的部分
FP:聚光點
LB:脈衝雷射光線

Claims (2)

  1. 一種晶圓的生成方法，係從SiC晶棒生成SiC晶圓之晶圓的生成方法，其特徵為具備：平坦面形成工程，係對SiC晶棒的上面進行磨削以形成為平坦面；座標設定工程，係在實施該平坦面形成工程之後，從SiC晶棒的上面檢測出Facet區域，並且對於SiC晶棒的上面c面傾斜偏角，將與在該c面與該平坦面之間形成偏角的方向正交的方向設為X軸，將與該X軸正交的方向設為Y軸，設定Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標；加工進送工程，係實施該座標設定工程之後，將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，一邊從雷射加工裝置的聚光器，將雷射光線照射至SiC晶棒，一邊將SiC晶棒與該聚光點往該X軸方向相對地加工進送，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著該c面伸長之帶狀的剝離層；分度進送工程，係將SiC晶棒與該聚光點往該Y軸方向相對地分度進送，將該帶狀的剝離層並設於該Y軸方向；剝離工程，係實施該加工進送工程及該分度進送工程之後，從該剝離層剝離應生成的晶圓；於該加工進送工程中，依據以該座標設定工程所設定之該Facet區域與該非Facet區域之邊界的X座標Y座標，相 對於將雷射光線照射至該非Facet區域時之雷射光線的能量與該聚光器的位置，使對該Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使該聚光器的位置上升。
  2. 一種雷射加工裝置，係於SiC晶棒形成剝離層的雷射加工裝置，其特徵為具備：保持台，係保持SiC晶棒；Facet區域檢測手段，係從被該保持台保持之SiC晶棒的上面檢測出Facet區域；座標設定手段，係對於SiC晶棒的上面c面傾斜偏角，將與在該c面與該上面之間形成偏角的方向正交的方向設為X軸，將與該X軸正交的方向設為Y軸，設定並記錄Facet區域與非Facet區域之邊界的X座標Y座標；雷射光線照射單元，係包含將對於SiC具有透射性之波長的雷射光線的聚光點，定位於與應從SiC晶棒的上面生成之晶圓的厚度相當的深度，對SiC晶棒照射雷射光線，以形成將SiC分離成Si與C並且裂痕沿著該c面伸長之剝離層的聚光器；X軸進送機構，係將保持單元與該聚光器往X軸方向相對地加工進送；Y軸進送機構，係將該保持台與該聚光器往Y軸方向相對地分度進送；及控制單元，係依據該Facet區域與該非Facet區域之邊界的X座標Y座標，相對於將雷射光線照射至該非Facet區 域時之雷射光線的能量與該聚光器的位置，使對該Facet區域照射雷射光線時之雷射光線的能量上升並且使該聚光器的位置上升。
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US20140027787A1 (en) * 2011-05-16 2014-01-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Sic single crystal, sic wafer, and semiconductor device

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