TWI788954B - 基板處理方法 - Google Patents

基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI788954B
TWI788954B TW110130160A TW110130160A TWI788954B TW I788954 B TWI788954 B TW I788954B TW 110130160 A TW110130160 A TW 110130160A TW 110130160 A TW110130160 A TW 110130160A TW I788954 B TWI788954 B TW I788954B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pressure
chamber
reducing
substrate processing
processing method
Prior art date
Application number
TW110130160A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202217062A (zh
Inventor
李大成
權玹範
朴坰
Original Assignee
南韓商圓益Ｉｐｓ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商圓益Ｉｐｓ股份有限公司 filed Critical 南韓商圓益Ｉｐｓ股份有限公司
Publication of TW202217062A publication Critical patent/TW202217062A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI788954B publication Critical patent/TWI788954B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28185—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28202—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a nitrogen-containing ambient, e.g. nitride deposition, growth, oxynitridation, NH3 nitridation, N2O oxidation, thermal nitridation, RTN, plasma nitridation, RPN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H01L21/28562—Selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76855—After-treatment introducing at least one additional element into the layer
    • H01L21/76856—After-treatment introducing at least one additional element into the layer by treatment in plasmas or gaseous environments, e.g. nitriding a refractory metal liner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本發明涉及一種基板處理方法，更詳言之，涉及改善在基板上形成的薄膜的物理性質的基板處理方法。本發明的基板處理方法的實施例包括：將基板運進第一腔室內的步驟；第一增壓步驟，提高第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到高於常壓的第一高壓；第一降壓步驟，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到低於第一高壓且在常壓以上的第二高壓；第一增降壓反覆執行步驟，將第一增壓步驟及第一降壓步驟反覆執行預定次數；以及第二降壓步驟，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到低於常壓的第一低壓。

Description

基板處理方法
本發明涉及一種基板處理方法，更詳言之，涉及改善在基板上形成的薄膜的物理性質的基板處理方法。
通常，半導體元件通過沉積並蝕刻各種薄膜的過程製造而成。沉積薄膜的方法利用各種方法，諸如物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition,PVD)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)、原子層沉積法(Atomic Layer Deposition,ALD)等。然後，每種方法的製程溫度、製程壓力、所使用的氣體都不同，因此在許多情況下沉積的薄膜的物理性質不具備所需的物理性質。
為了改善該情況，一直利用在沉積薄膜之後利用後續處理改善薄膜的物理性質的方法。在後續處理一直利用各種方法，諸如熱處理、電漿處理等。
另一方面，在諸如3D NAND快閃記憶體裝置或者諸如DRAM電容器的具有高縱橫比(high aspect ratio)的半導體裝置要求優秀的臺階覆蓋性(step coverage)，因此在許多情況下利用低溫製程或者雜質含量高的前驅物(precursor)。然而，在該情況下，增加了在沉積的薄膜中的雜質含量或者更加難以形成具有所需物理性質(電阻率、組成比、密度等)的薄膜，因此一直要求在沉積薄膜之後利用後續處理可改善薄膜的物理性質的新的基板處理方法。
本發明是為了解決如上所述的以往的問題而提出的，目的在於提供一種能夠改善在基板上形成的薄膜的物理性質的基板處理方法。
用於解決上述的技術課題之本發明的基板處理方法的一實施例包括：將基板運進第一腔室內的步驟；第一增壓步驟，提高所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到高於常壓的第一高壓；第一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於所述第一高壓且在常壓以上的第二高壓；第一增降壓反覆執行步驟，將所述第一增壓步驟及所述第一降壓步驟反覆執行預定次數；以及第二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於常壓的第一低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第二高壓大於常壓的情況下，所述第二降壓步驟包括：第二-一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到常壓；以及第二-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第一低壓。在所述第二高壓為常壓的情況下，所述第二降壓步驟可包括第二-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第一低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第二降壓步驟可包括在所述第二-二降壓步驟之前的將常壓保持一預定時間的第一常壓保持步驟。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第一常壓保持步驟可供應吹掃氣體。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第二降壓步驟之後可包括將所述第一低壓保持一預定時間的第一低壓保持步驟。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第一增壓步驟與所述第一降壓步驟之間包括將所述第一高壓保持一預定時 間的第一高壓保持步驟；所述第一增降壓反覆執行步驟可將所述第一增壓步驟、所述第一高壓保持步驟及所述第一降壓步驟依序反覆執行數次。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第一增壓步驟在第一氣體環境下執行，在所述第二降壓步驟之後可包括：第二增壓步驟，在與所述第一氣體不同的第二氣體環境下提高所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到高於常壓的第三高壓；第三降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於所述第三高壓且在常壓以上的第四高壓；第二增降壓反覆執行步驟，將所述第二增壓步驟及所述第三降壓步驟反覆執行預定次數；以及第四降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於常壓的第二低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第一增壓步驟在第一氣體環境下執行，在所述第二降壓步驟之後可包括：從所述第一腔室運出所述基板的步驟；將所述基板運進第二腔室的步驟；在與所述第一氣體不同的第二氣體環境下提高所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到高於常壓的第三高壓；第三降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到低於所述第三高壓且在常壓以上的第四高壓；第二增降壓反覆執行步驟，將所述第二增壓步驟及所述第三降壓步驟反覆執行預定次數；以及第四降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到低於常壓的第二低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第四降壓步驟之後可包括將第二低壓保持一預定時間的第二低壓保持步驟。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第四高壓高於常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：第四-一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到常壓；以及第四-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第二低壓。在所述第四高壓為常壓的情況下，所述第四 降壓步驟可包括第四-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第二低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第四高壓高於常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：第四-一降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到常壓；以及第四-二降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到所述第二低壓。在所述第四高壓為常壓的情況下，所述第四降壓步驟可包括第四-二降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到所述第二低壓。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第四降壓步驟可包括在所述第四-二降壓步驟之前的將常壓保持一預定時間的第二常壓保持步驟。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第二常壓保持步驟可供應吹掃氣體。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述第二增壓步驟與所述第三降壓步驟之間包括將所述第三高壓保持一預定時間的第二高壓保持步驟。所述第二增降壓反覆執行步驟為將所述第二增壓步驟、所述第二高壓保持步驟及所述第三降壓步驟可依序反覆執行預定次數。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述第一氣體可以是包含氫(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)及氟(F)中的至少一種的氣體。
所述第二氣體可以是包含氫(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)及氟(F)中的至少一種的氣體。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，在所述基板上可形成有薄膜。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述薄膜可構成電晶體的閘極絕緣膜中的至少一部分。
在本發明的基板處理方法的一部分實施例中，所述薄膜 可包含金屬元素、Ⅳ族元素、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、氮(N)、氧(O)、硼(B)中的至少一種。
根據本發明，在形成薄膜之後增壓並急劇降壓，進而可清除薄膜內的雜質，並且可改善薄膜的特性。尤其是，本發明為在常壓以上的壓力反覆增壓和降壓的過程來清除薄膜內的雜質，進而大幅度縮短製程時間的同時還可提高電特性。另外，通過縮短製程時間來縮短熱處理時間，進而可減少熱預算(heat budget)。
另外，本發明的基板處理方法對3D半導體裝置或者具有高縱橫比的裝置也可進行均勻的處理，並且通過獨立的製程執行，因此可適用於廣泛的基板處理方法。
然後，本發明的基板處理方法為在形成薄膜之前執行，可改善基板表面特性，並且在形成薄膜時執行，也可改善薄膜的特性。
另外，本發明的基板處理方法有效清除雜質，進而相比於以往的高溫或者高能量的熱處理過程，通過相對更低的溫度及能量的熱處理過程可改善薄膜的特性，尤其是，通過將已降壓的低壓保持一預定時間，提高了清除雜質的效果。然後，在氮化膜的情況下，增加在含氮(N)的氣體環境下執行增壓/降壓的步驟，進而可增加薄膜內氮(N)含量，因此提高耐氧化性。
S100~S140:步驟
S150~S190:步驟
圖1顯示本發明的基板處理方法的一實施例的執行過程的流程圖；
圖2a及圖2b概略顯示本發明的薄膜處理方法的一實施例的第一腔室內部的壓力變化的圖；圖2a顯示在第二高壓大於常壓的情況下的壓力變化的圖；圖2b顯示在第二高壓為常壓的情況下的壓力變化的圖；
圖3至圖5是用於說明執行增壓步驟和降壓步驟時的模式圖；
圖6是顯示本發明的電特性的改善效果的圖，顯示熱處理前後的面電阻變化的圖；
圖7概略顯示以往的薄膜處理方法的第一腔室內部的壓力變化的圖；
圖8顯示本發明的基板處理方法的另一實施例的執行過程的流程圖；
圖9是用於說明在第一氣體環境下執行增壓步驟和降壓步驟之後在第二氣體環境下執行增壓步驟和降壓步驟時的模式圖；以及
圖10顯示本發明的基板處理方法的其他一實施例的執行過程的流程圖。
以下，參照附圖詳細說明本發明的實施例。本發明的實施例是為了給在本發明所屬技術領域中具有通常知識的人更加完整說明本發明而提供的，以下實施例可變形為各種形態，本發明的範圍不限於以下的實施例。反而，這些實施例是為了更加真實且完整地公開並且為了將本發明的思想完整的傳達給技術人員而提供的。
在附圖中，例如，根據製造技術及/或者公差(tolerance)可預測顯示的形狀的變形。從而，本發明的實施例不得限於在本說明書顯示的區域的特定形狀來解釋，而是應該包括例如製造引起的形狀變形。相同的元件符號始終是指相同的構成元素。更進一步地，在附圖中大致繪製了各種構成元素和區域。因此，本發明不限於在附圖所示的相對尺寸或者間距。
圖1顯示本發明的基板處理方法的一實施例的執行過程的流程圖。圖2a及圖2b概略顯示本發明的薄膜處理方法的一實施例的第一腔室內部的壓力變化的圖；圖2a顯示在第二高壓大於常壓的情況下的壓力變化的圖；圖2b顯示在第二高壓為常壓的情況下的壓力變化的圖。
參照圖1、圖2a及圖2b，本發明的基板處理方法的一實施例為，首先將基板運進第一腔室內(步驟S100)。基板可利用由矽、氧化矽、氮化矽、碳化矽、石墨、石墨烯、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物等構成的基板，沒有特別限制。第一腔室可利用能夠增壓/降壓的第一腔室，在 第一腔室配置有供氣工具、加熱工具、泵工具、高壓閥等。
基板可形成有薄膜，在基板上形成的薄膜可以是構成電晶體的閘極絕緣膜中的至少一部分的薄膜。另外，在基板上形成的薄膜可包含金屬元素、Ⅳ族元素、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、氮(N)、氧(O)、硼(B)中的至少一種，例如可以是由矽、氧化矽、氮化矽、金屬氧化物、金屬氮化物、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、三元化合物、四元化合物構成的薄膜。然後，對於形成薄膜的方法也沒有特別限制。可通過物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition,PVD)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)、原子層沉積法(Atomic Layer Deposition,ALD)等形成薄膜，對製程溫度或者製程壓力也沒有特別限制。
在基板上形成的薄膜可以是氮化物薄膜，可以是金屬氮化物薄膜。更具體地說，可以是氮化鈦(TiN)薄膜。為了形成金屬氮化物薄膜，可利用化學氣相沉積法或者原子層沉積法等，此時作為金屬前驅物可利用含鹵素的金屬前驅物，反應氣體可利用含氮的氣體。例如，可通過利用四氯化鈦(TiCl4)前驅物和氮(N2)或者氨(NH3)反應氣體的原子層沉積法形成氮化鈦(TiN)薄膜。
然後，提高第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到第一高壓(第一增壓步驟S110)。第一高壓為常壓以上的壓力，可以是1~30atm左右的壓力。第一增壓步驟S110可在第一氣體環境下執行，並且可在加熱第一腔室內部的狀態下執行。第一氣體可包含氫(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)及氟(F)中的至少一種，根據在基板上形成的薄膜的種類可選擇最佳的氣體。例如，第一氣體可利用還原性氣體，可利用含氫(H)的氣體。更具體地說，可利用氫(H2)氣。另外，為了執行用於氧化薄膜的氧化熱處理，可利用氧(O2)氣作為第一氣體。第一腔室內的溫度根據在基板上形成的薄膜的種類可選擇最佳的溫度。
然後，將第一腔室內的壓力以第一高壓保持一預定時間(第一高壓保持步驟S120)。第一高壓保持步驟S120可在第一氣體環境下執行，第一氣體可利用與在步驟S110中利用的氣體相同的氣體。
然後，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力 達到第二高壓(第一降壓步驟S130)。第二高壓為低於第一高壓且在常壓以上的壓力。第一降壓步驟S130是第一高壓降低至第二高壓的步驟，無需對第一腔室內進行抽氣，而是可只通過閥門的動作執行。
然後，在步驟S140中，確認是否反覆進行增壓/降壓處理(步驟S110~步驟S130)，將步驟S110至步驟S130作為一個循環週期，將該循環週期反覆執行數次。
然後，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到第一低壓(第二降壓步驟S150)。
此時，在第二高壓高於常壓的情況下，第二降壓步驟S150分為：第二-一降壓步驟S160，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到常壓；第一常壓保持步驟S170，將第一腔室內的壓力以常壓保持一預定時間；以及第二-二降壓步驟S180，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到第一低壓(參照圖2a)。然後，在第二高壓為常壓的情況下，第二降壓步驟S150分為：第一常壓保持步驟S170，將第一腔室內的壓力以常壓保持一預定時間；第二-二降壓步驟S180，降低第一腔室內的壓力，以使第一腔室內的壓力達到第一低壓(參照圖2b)。
第一常壓保持步驟S170可向第一腔室內供應吹掃氣體。吹掃氣體可利用惰性氣體，例如可利用氮(N2)氣。若在第一常壓保持步驟S170中向第一腔室內供應吹掃氣體，則可稀釋在第一增壓步驟S110和第一高壓保持步驟S120中供應的第一氣體，由於稀釋了第一氣體，因此提高整體製程的安全性，並可在第二-二降壓步驟S180中更加容易排放第一氣體。
第一低壓為常壓以下的壓力，可以是10~0.01Torr左右的壓力。第二-一降壓步驟S160為壓力降低至常壓的步驟，對第一腔室內不進行抽氣，而是只可通過閥門的動作執行。第二-二降壓步驟S180為壓力從常壓降低至第一低壓的步驟，可對第一腔室內進行抽氣來執行。
然後，將第一腔室內的壓力以第一低壓保持一預定時間(第一低壓保持步驟S190)。將第一腔室內的壓力以第一低壓保持一預定時間可根據薄膜的種類、薄膜形成方法等而改變，但是保持一分鐘以上 的低壓的壓力。
以往的增壓/降壓處理時，應反覆執行在增壓至常壓以上高壓之後降壓至常壓以下的低壓的處理方法，因此製程時間長，存在熱預算(Heat Budget)增加的問題。與此相反，本實施例的增壓/降壓處理是反覆執行增壓至常壓以上的第一高壓之後降壓至低於第一高壓且在常壓以上的第二高壓的處理，因此縮短整體製程時間，可減少熱預算。另外，可無需抽氣來執行降壓處理。
圖3至圖5是用於說明執行增壓步驟和降壓步驟時的模式圖。圖3至圖5是在通過利用四氯化鈦(TiCl4)前驅物和氮(N2)或者氨(NH3)反應氣體的原子層沉積法在基板上形成氮化鈦(TiN)薄膜之後在氫(H2)環境下執行第一增壓步驟S110及第一高壓保持步驟S120並執行第一降壓步驟S130的情況下將第一腔室內部和薄膜狀態模式化的圖。
圖3是在基板上形成氮化鈦(TiN)薄膜之後(as-dep.)將薄膜內的狀態模式化的圖，在形成氮化鈦(TiN)薄膜之後(as-dep.)在氮化鈦(TiN)薄膜內含有雜質，即氯(Cl)。在形成氮化鈦(TiN)薄膜之後在薄膜內可包含處於與鈦(Ti)鬆弛鍵合狀態的氯(Cl)、處於與鈦(Ti)緊密鍵合狀態的氯(Cl)、處於自由未鍵合狀態的氯(Cl)等。
圖4是在氫(H2)環境下執行第一增壓步驟S110和第一高壓保持步驟S120之後將薄膜內的狀態模式化的圖，若在氫(H2)環境下執行第一增壓步驟S110，則在與鈦(Ti)鬆弛鍵合狀態下分離的氯(Cl)和處於自由未鍵合狀態的氯(Cl)與氫(H)鍵合變為易於汽化的惰性狀態的氯化氫(HCl)。然後，也增加了處於與鈦(Ti)緊密鍵合狀態的氯(Cl)可被破壞鍵合的可能性。即，氫(H2)氣體與雜質，即氯(Cl)產生反應形成副產物，即氯化氫(HCl)。
圖5是在氫(H2)環境下執行第一增壓步驟S110和第一高壓保持步驟S120之後將執行第一降壓步驟S130時的執行過程的模式化的圖，若執行第一降壓步驟S130，則在增壓的狀態下急劇降壓，據此氯(Cl)雜質以氯化氫(HCl)的形式排放到薄膜外部。
步驟S110至步驟S190可在未形成薄膜的基板上執行。 即，在供應形成薄膜的原料氣體之前可在適當的氣體環境下執行步驟S120至步驟S190來處理基板，據此降低基板表面不完整性，以在後續形成薄膜時可改善薄膜的物理性質。
另外，步驟S110至步驟S190當然可在形成有薄膜的基板上執行以改善已形成的薄膜的物理性質，也可在基板上形成薄膜的途中執行步驟S110至步驟S190。即，對基板供應原料氣體來形成一部分薄膜之後停止形成薄膜的狀態下執行步驟S110至步驟S190來改善薄膜的物理性質，之後重新供應原料氣體來形成薄膜，反覆執行該過程，進而可改善形成的薄膜的物理性質。
在執行本實施例的基板處理方法的處理的情況下的薄膜的物理性質變化顯示在圖6。
圖6是在基板上形成氮化鈦(TiN)薄膜之後增壓/降壓處理前後的面電阻的變化的圖。
在圖6中，實施例1是將本實施例的一個循環週期(步驟S110~步驟S130)執行五次，並且熱預算是30分鐘。實施例2是將一個循環週期(步驟S110~步驟S130)執行三次，並且熱預算是20分鐘。比較例的情況是以往的增壓/降壓處理(增壓至常壓以上的壓力之後降壓至常壓以下的壓力)，具有如圖7所示的壓力變化，並且將在圖7所示的一個循環週期執行了三次，熱預算為30分鐘。
如圖6所示，比較執行相同的三個循環週期的情況(實施例2與比較例)，實施例2的情況下面電阻改善效果優秀(22.6% vs 20.5%)，並且實施例2表現出熱預算縮短了10分鐘。然後，比較具有相同的熱預算的情況(實施例1和比較例)，實施例1的情況表現出非常優秀的面電阻改善效果(23.7% vs 20.5%)。即，可以知道：相比於以往的增壓/降壓處理，本實施例的增壓/降壓處理具有優秀的面電阻改善效果的同時還可縮短熱預算。
圖8顯示本發明的基板處理方法的另一實施例的執行過程的流程圖。
參照圖8，本發明的基板處理方法的另一實施例為，首先 將基板運進第一腔室內(步驟S210)。在基板上可形成有薄膜，在基板上形成的薄膜可以是構成電晶體的閘極絕緣膜中的至少一部分的薄膜。另外，在基板上形成的薄膜可含有金屬元素、Ⅳ族元素、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、氮(N)、氧(O)、硼(B)中的至少一種，例如，可以是由矽、氧化矽、氮化矽、金屬氧化物、金屬氮化物、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、三元化合物、四元化合物構成的薄膜。步驟S210與在圖1顯示並說明的步驟S100相同，因此省略詳細說明。
然後，在第一氣體環境下執行圖1的步驟S110至步驟S190(步驟S220)。尤其是，在第一氣體環境下執行圖1的步驟S110及步驟S120。步驟S220與在圖1中顯示並說明的相同，因此省略詳細說明。
然後，在與第一氣體不同的第二氣體環境下執行圖1的步驟S110至步驟S190(步驟S230)。尤其是，在第二氣體環境下執行圖1的步驟S110及步驟S120。第二氣體可以是含有氫(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)及氟(F)中的至少一種的氣體。例如，為了氮化處理(Nitridation)，可供應含氮(N)的氣體，含氮(N)的氣體可利用氨、甲胺、二甲胺等。
對於步驟S230的情況，為了區別於步驟S220，步驟S230的步驟S110可用提高第一腔室內的壓力以達到第三高壓的第二增壓步驟表示；步驟S230的步驟S120可用將第三高壓保持一預定時間的第二高壓保持步驟表示；步驟S230的步驟S130可用降低第一腔室內的壓力以使第一腔室內的壓力達到低於第三高壓且在常壓以上的第四高壓的第三降壓步驟表示；步驟S230的步驟S160可用降低壓力以使第一腔室內的壓力達到常壓的第四-一降壓步驟表示；步驟S230的步驟S170可用將常壓保持一預定時間的第二常壓保持步驟表示；步驟S230的步驟S180可用降低第一腔室內的壓力以使第一腔室內的壓力達到第二低壓的第四-二降壓步驟表示；步驟S230的步驟S150用降低第一腔室內的壓力以達到低於常壓的第二低壓的第四降壓步驟表示；步驟S230的步驟S190可用將第二低壓保持一預定時間的第二低壓保持步驟表示。如此，可用不同的表達方式來區分步驟S230和步驟S220，但是改變並保持第一腔室內的壓力的過程與在圖1顯示並說明的相同。
然後，第一高壓和第三高壓可相同或者不同，保持第一高壓和第二高壓的時間也可相同或者不同。第二高壓和第四高壓可相同或者不同。另外，在步驟S220和步驟S230中保持常壓的時間也可相同或者不同。然後，第一低壓和第二低壓也可相同或者不同，保持第一低壓和第二低壓的時間也可相同或者不同。然後，在步驟S230中將常壓保持一預定時間的步驟的情況下，可將吹掃氣體供應於第一腔室內，而吹掃氣體可利用惰性氣體，即氮(N2)氣體。如此，若在將常壓保持一預定時間時供應吹掃氣體，則如上所述稀釋在增壓步驟中供應的第二氣體可進行排氣。
對於第一氣體和第二氣體根據在基板上形成的薄膜可選擇最佳的氣體。例如，在基板上形成的薄膜可以是氮化物薄膜，也可以是金屬氮化物薄膜。更具體地說，可以是氮化鈦(TiN)薄膜。為了形成金屬氮化物薄膜，可利用化學氣相沉積法或者原子層沉積法等，此時作為金屬前驅物可利用含有鹵素的金屬前驅物，反應氣體可利用含氮氣體。更具體地說，通過利用四氯化鈦(TiCl4)前驅物和氮(N2)或者氨(NH3)反應氣體的原子層沉積法可形成氮化鈦(TiN)薄膜。
如上所述，在基板上形成氮化物薄膜的情況下，第一氣體可利用還原性氣體，可利用含氫(H)氣體。更具體地說，可利用氫(H2)氣體。第二氣體可利用含氮(N)氣體，更具體地說可利用氨(NH3)氣體。
此時，在步驟S220中反覆步驟S110至步驟S130的次數多於在步驟S230中反覆步驟S110至步驟S130的次數。
圖9是用於說明在第一氣體環境下執行增壓步驟和降壓步驟之後在第二氣體環境下執行增壓步驟和降壓步驟時的模式圖。圖9是將通過利用四氯化鈦(TiCl4)前驅物和氮(N2)或者氨(NH3)反應氣體的原子層沉積法在基板上形成氮化鈦(TiN)薄膜並且在氫(H2)環境下執行增壓步驟和降壓步驟之後在氨(NH3)氣體環境下執行增壓步驟和降壓步驟之後的薄膜內的狀態模式化的圖。
參照圖9，若在氫(H2)氣體環境下對氮化鈦(TiN)薄膜執行增壓步驟和降壓步驟之後在氨(NH3)氣體環境下執行增壓步驟和降壓步 驟，則在清除氯(Cl)雜質的位置鍵合氮(N)，整體鍵合狀態也更加牢固。據此，在形成氮化鈦(TiN)薄膜之後(as-dep.)形成鈦(Ti)含量高的氮化鈦(TiN)薄膜，但是若執行步驟S220及步驟S230，則雜質被清除，組成比變為鈦(Ti)和氮(N)的組成比幾乎接近1：1的氮化鈦(TiN)薄膜。
即，在形成氮化鈦(TiN)薄膜之後(as-dep.)形成鈦(Ti)含量高且氯(Cl)雜質多的氮化鈦(TiN)薄膜，但是若在氫(H2)環境下執行步驟S220，則通過增壓步驟斷裂鈦(Ti)和氯(Cl)雜質的鍵合形成容易汽化的氯化氫(HCl)，並且通過降壓步驟向外界擴散(out-diffusion)氯化氫(HCl)，進而減少雜質，因此提高電特性。此時，與本實施例相同，若在執行降壓步驟時將減壓的低壓保持一預定時間，則提高氯(Cl)雜質清除效果。
然後，若在氨(NH3)環境下執行步驟S230，則通過增壓步驟在清除氯(Cl)雜質的位置鍵合氮(N)，增加鈦(Ti)和氮(N)的鍵合，並且通過降壓步驟更加減少殘留的雜質，因此提高耐氧化性。對於本實施例的情況，通過在氫(H2)環境下在步驟S220中將低壓保持一預定時間提高氯(Cl)雜質清除效果，因此通過氨(NH3)環境下的步驟S230更加增加鈦(Ti)和氮(N)的鍵合，從而組成比變為鈦(Ti)和氮(N)的組成比更加接近1：1的氮化鈦(TiN)薄膜，因此更加提高耐氧化性。
另外，在以往的電漿氮化處理(Nitridation)製程的情況下，在3D半導體裝置或者縱橫比高的半導體元件中在側壁或者底部未能實現很好的氮化，但是與此相反，本實施例的情況下，在3D半導體裝置或者縱橫比高的半導體元件中也可均勻的處理基板，並且不使用電漿，因此不存在電漿損傷的風險。
在圖8顯示並說明利用一個腔室在相互不同的氣體環境下執行增壓/降壓處理的方法。如此的基板處理方法可利用對多個基板可同時執行基板處理製程的批量基板處理裝置執行。另外，其他基板處理裝置也可利用一個腔室在相互不同的氣體環境下執行增壓/降壓處理。
然後，本發明包括利用相互不同的腔室執行在相互不同的氣體環境下執行的增壓/降壓處理的情況。
圖10顯示本發明的基板處理方法的其他一實施例的執行 過程的流程圖，顯示在第一腔室中在第一氣體環境下執行增壓/降壓處理以及在第二腔室中在第二氣體環境下執行增壓/降壓處理的實施例。據此，在本實施例的情況下，可利用具有多個腔室的基板處理裝置或者利用相互不同的基板處理裝置執行。例如，可利用具有多個腔室的集群式基板處理裝置執行。
參照圖10，本發明的基板處理方法的另一實施例為，首先將基板運進第一腔室內(步驟S310)。第一腔室可以是集群式單晶片基板處理裝置的製程腔室。在基板上可形成有薄膜，在基板上形成的薄膜可以是構成電晶體的閘極絕緣膜中的至少一部分的薄膜。另外，在基板上形成的薄膜可含有金屬元素、Ⅳ族元素、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、氮(N)、氧(O)、硼(B)中的至少一種，例如可以是由矽、氧化矽、氮化矽、金屬氧化物、金屬氮化物、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、三元化合物、四元化合物構成的薄膜。步驟S310與在圖1顯示並說明的步驟S100類似，因此省略詳細說明。
然後，在第一腔室中在第一氣體環境下執行圖1的步驟S110至步驟S190(步驟S320)。步驟S320與步驟S220相同，因此省略詳細說明。
然後，從第一腔室運出基板(步驟S330)。然後，將基板運進第二腔室(步驟S340)。在本實施例利用的基板處理裝置為具有一個腔室的多個基板處理裝置的情況下，在一個基板處理裝置執行步驟S320之後從該基板處理裝置的腔室運出基板(步驟S330)，將基板運進另一基板處理裝置的腔室內(步驟S340)。然後，在本實施例利用的基板處理裝置為具有多個腔室的集群式單晶片基板處理裝置的情況下，在第一腔室執行步驟S320之後利用基板運送模組從第一腔室運出基板(步驟S330)，將基板運進第二腔室內(步驟S340)。
然後，在第二腔室中在與第一氣體不同的第二氣體環境下執行圖1的步驟S110至步驟S190(步驟S350)。除了在第二腔室而非在第一腔室執行的這一點以外，步驟S350與步驟S230相同，因此省略詳細說明。
對於第一氣體和第二氣體，根據在基板上形成的薄膜可選擇最佳的氣體。例如，在基板上形成的薄膜可以是氮化物薄膜，可以是金屬氮化物薄膜。更具體地說，可以是氮化鈦(TiN)薄膜。為了形成金屬氮化物薄膜，可利用化學氣相沉積法或者原子層沉積法等，此時作為金屬前驅物可利用含鹵素的金屬前驅物，反應氣體可利用含氮的氣體。更具體地說，可通過利用四氯化鈦(TiCl4)前驅物和氮(N2)或者氨(NH3)反應氣體的原子層沉積法形成氮化鈦(TiN)薄膜。
如上所述，在基板上形成氮化物薄膜的情況下，在第一腔室中使用的第一氣體可利用還原性氣體，可利用含氫(H)氣體。更具體地說，可利用氫(H2)氣體。在第二腔室中使用的第二氣體可利用含氮(N)氣體，更具體地說可利用氨(NH3)氣體。
此時，在步驟S320中反覆步驟S110至步驟S130的次數多於在步驟S350中反覆步驟S110至步驟S130的次數。
如上所述，本發明可在相互不同的腔室執行在相互不同的氣體環境下執行的增壓/降壓處理，在這種情況下也可如上所述地有效清除雜質，因此提高電特性；在氮化膜的情況下，在氫(H2)氣體和氨(NH3)氣體環境下執行增壓/降壓處理，進而增加薄膜內氮(N)含量，因此可提高耐氧化性。
以上，顯示並說明了本發明的實施例，但是本發明不限於上述的特定實施例，而是在不超出在申請專利範圍請求保護的本發明的要點的情況下，在本發明所屬技術領域中具有通常知識的任何人當然可進行各種變形實施，如此的改變都在申請專利範圍的範圍內。
S100~S140:步驟
S150~S190:步驟

Claims (19)

  1. 一種基板處理方法，包括：
    將一基板運進一第一腔室內的步驟；
    一第一增壓步驟，提高所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到高於常壓的一第一高壓；
    一第一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於所述第一高壓且在常壓以上的一第二高壓；
    一第一增降壓反覆執行步驟，將所述第一增壓步驟及所述第一降壓步驟反覆執行預定次數；以及
    一第二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於常壓的一第一低壓。
  2. 如請求項1所述的基板處理方法，其中，在所述第二高壓大於常壓的情況下，所述第二降壓步驟包括：
    一第二-一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到常壓；以及
    一第二-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第一低壓，以及
    在所述第二高壓為常壓的情況下，所述第二降壓步驟包括：
    一第二-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第一低壓。
  3. 如請求項2所述的基板處理方法，其中，所述第二降壓步驟包括在所述第二-二降壓步驟之前的一第一常壓保持步驟，所述第一常壓保持步驟將常壓保持一預定時間。
  4. 如請求項3所述的基板處理方法，其中，所述第一常壓保持步驟供應一吹掃氣體。
  5. 如請求項1所述的基板處理方法，其中，在所述第二降壓步驟之後包括將所述第一低壓保持一預定時間的一第一低壓保持步驟。
  6. 如請求項1所述的基板處理方法，其中，在所述第一增壓步驟與所述第一降壓步驟之間包括將所述第一高壓保持一預定時間的一第一高壓保持步驟，以及
    所述第一增降壓反覆執行步驟將所述第一增壓步驟、所述第一高壓保持步驟及所述第一降壓步驟依序反覆執行數次。
  7. 如請求項1所述的基板處理方法，其中，所述第一增壓步驟在一第一氣體環境下執行，以及
    在所述第二降壓步驟之後包括：
    一第二增壓步驟，在與所述第一氣體不同的一第二氣體環境下提高所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到高於常壓的一第三高壓；
    一第三降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於所述第三高壓且在常壓以上的一第四高壓；
    一第二增降壓反覆執行步驟，將所述第二增壓步驟及所述第三降壓步驟反覆執行預定次數；以及
    一第四降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到低於常壓的一第二低壓。
  8. 如請求項1所述的基板處理方法，其中，所述第一增壓步驟在一第一氣體環境下執行，以及
    在所述第二降壓步驟之後包括：
    從所述第一腔室運出所述基板的步驟；
    將所述基板運進一第二腔室的步驟；
    一第二增壓步驟，在與所述第一氣體不同的一第二氣體環境下提高所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到高於常壓的一第三高壓；
    一第三降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到低於所述第三高壓且在常壓以上的一第四高壓；
    一第二增降壓反覆執行步驟，將所述第二增壓步驟及所述第三降壓步驟反覆執行預定次數；以及
    一第四降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到低於常壓的一第二低壓。
  9. 如請求項7或8所述的基板處理方法，其中，在所述第四降壓步驟之後包括將所述第二低壓保持一預定時間的一第二低壓保持步驟。
  10. 如請求項7所述的基板處理方法，其中，在所述第四高壓高於常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：
    一第四-一降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到常壓；以及
    一第四-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第二低壓，以及
    在所述第四高壓為常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：
    一第四-二降壓步驟，降低所述第一腔室內的壓力，以使所述第一腔室內的壓力達到所述第二低壓。
  11. 如請求項8所述的基板處理方法，其中，在所述第四高壓高於常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：
    一第四-一降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到常壓；以及
    一第四-二降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到所述第二低壓，以及
    在所述第四高壓為常壓的情況下，所述第四降壓步驟包括：
    一第四-二降壓步驟，降低所述第二腔室內的壓力，以使所述第二腔室內的壓力達到所述第二低壓。
  12. 如請求項10或11所述的基板處理方法，其中，所述第四降壓步驟包括在所述第四-二降壓步驟之前的一第二常壓保持步驟，所述第二常壓保持步驟將常壓保持一預定時間。
  13. 如請求項12所述的基板處理方法，其中，所述第二常壓保持步驟供應一吹掃氣體。
  14. 如請求項7或8所述的基板處理方法，其中，在所述第二增壓步驟與所述第三降壓步驟之間包括將所述第三高壓保持一預定時間的一第二高壓保持步驟，以及所述第二增降壓反覆執行步驟將所述第二增壓步驟、所述第二高壓保持步驟及所述第三降壓步驟依序反覆執行預定次數。
  15. 如請求項7或8所述的基板處理方法，其中，所述第一氣體為包含氫、氧、氮、氯及氟中的至少一種的氣體。
  16. 如請求項7或8所述的基板處理方法，其中，所述第二氣體為包含氫、氧、氮、氯及氟中的至少一種的氣體。
  17. 如請求項1至8中任一項所述的基板處理方法，其中，在所述基板上形成有一薄膜。
  18. 如請求項17所述的基板處理方法，其中，所述薄膜構成一電晶體的一閘極絕緣膜中的至少一部分。
  19. 如請求項17所述的基板處理方法，其中，所述薄膜包含金屬元素、Ⅳ族元素、Ⅲ-V化合物、Ⅱ-Ⅵ化合物、氮、氧、硼中的至少一種。
TW110130160A 2020-10-28 2021-08-16 基板處理方法 TWI788954B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200141611A KR20220056750A (ko) 2020-10-28 2020-10-28 기판 처리 방법
KR10-2020-0141611 2020-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202217062A TW202217062A (zh) 2022-05-01
TWI788954B true TWI788954B (zh) 2023-01-01

Family

ID=81258051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110130160A TWI788954B (zh) 2020-10-28 2021-08-16 基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12024777B2 (zh)
JP (1) JP7223815B2 (zh)
KR (1) KR20220056750A (zh)
CN (1) CN114496722A (zh)
TW (1) TWI788954B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220026713A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 주식회사 원익아이피에스 기판처리방법과, 그에 따른 기판처리장치 및 반도체 소자 제조방법
KR20220056750A (ko) 2020-10-28 2022-05-06 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 방법
KR20220137384A (ko) * 2021-04-02 2022-10-12 주식회사 원익아이피에스 기판처리방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190148178A1 (en) * 2017-11-11 2019-05-16 Micromaterials, LLC Gas delivery system for high pressure processing chamber

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0551295A (ja) * 1991-03-15 1993-03-02 Sumitomo Metal Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法
JP3590328B2 (ja) 2000-05-11 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
JP4094901B2 (ja) * 2002-07-10 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP2005235877A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 絶縁膜の平坦化装置及び平坦化方法
US20060223899A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Hillman Joseph T Removal of porogens and porogen residues using supercritical CO2
US20070187386A1 (en) 2006-02-10 2007-08-16 Poongsan Microtec Corporation Methods and apparatuses for high pressure gas annealing
JP6201130B2 (ja) * 2013-07-25 2017-09-27 株式会社ユーテック 結晶化方法及び加圧式ランプアニール装置
JP6652886B2 (ja) 2015-08-26 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP6665032B2 (ja) 2015-08-26 2020-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US10121683B2 (en) * 2015-08-26 2018-11-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light-irradiation heat treatment method and heat treatment apparatus
JP2017147263A (ja) 2016-02-15 2017-08-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
KR102540252B1 (ko) 2018-07-10 2023-06-07 주식회사 원익아이피에스 반도체 소자의 제조 방법
KR102349037B1 (ko) * 2018-09-17 2022-01-10 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 리액터의 가스 제어 장치
US11823907B2 (en) * 2019-10-16 2023-11-21 Wonik Ips Co., Ltd. Processing method for substrate
KR20220056750A (ko) 2020-10-28 2022-05-06 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190148178A1 (en) * 2017-11-11 2019-05-16 Micromaterials, LLC Gas delivery system for high pressure processing chamber

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022071819A (ja) 2022-05-16
JP7223815B2 (ja) 2023-02-16
US20220127725A1 (en) 2022-04-28
TW202217062A (zh) 2022-05-01
US12024777B2 (en) 2024-07-02
KR20220056750A (ko) 2022-05-06
CN114496722A (zh) 2022-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI788954B (zh) 基板處理方法
KR102280318B1 (ko) 주기적인 알루미늄 산질화물 퇴적
US7972977B2 (en) ALD of metal silicate films
TWI462156B (zh) 循環沈積薄膜之方法
KR100519798B1 (ko) 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법
KR101498960B1 (ko) 박막의 형성 방법 및 성막 장치
KR102489044B1 (ko) 균일하고 컨포멀한 하이브리드 티타늄 산화물 필름들을 위한 증착 방법들
JP7154159B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
TW201403710A (zh) 製造半導體裝置之方法、處理基板之方法、基板處理設備及非暫時性電腦可讀取記錄媒體
TW201812999A (zh) 使用沉積/蝕刻技術之無接縫溝道填充
JP4259247B2 (ja) 成膜方法
JP2020064924A (ja) 窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
KR102068879B1 (ko) TiN계막 및 그 형성 방법
CN110383425B (zh) 外延硅晶片的制造方法
KR102046163B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
JP7012563B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP2018056345A (ja) ハードマスクおよびその製造方法
KR20220036298A (ko) 기판 처리 방법
US6919102B2 (en) Method of stabilizing material layer
KR20220036297A (ko) 기판 처리 방법
WO2014112572A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR100551884B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
TWI749775B (zh) 氧化層去除方法及半導體加工設備
KR101334221B1 (ko) 다층금속박막 제조 방법 및 장치
CN116926495A (zh) 一种半导体设备及其基片处理方法