KR101334221B1 - 다층금속박막 제조 방법 및 장치 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 174
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 174
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 203
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 103
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 67
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 56
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 26
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- ADDWXBZCQABCGO-UHFFFAOYSA-N titanium(iii) phosphide Chemical compound [Ti]#P ADDWXBZCQABCGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
별도의 열처리 공정을 생략할 수 있는 다층금속박막 제조 방법 및 장치에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법은 (a)제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 형성하는 단계; 및 (b)제2반응용기에 제2금속 전구체를 유입하여, 상기 제1금속막 상에 제2금속막을 형성하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 상기 제1금속막이 열처리되면서 상기 제2금속막이 형성되도록, 상기 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
다층금속박막, 열처리
Description
본 발명은 반도체 제조 공정에서 다층금속박막의 제조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 별도의 열처리 공정을 생략할 수 있는 다층금속박막 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.
다층금속박막의 대표적인 예로, Co/Ti/TiN을 들 수 있다. Co/Ti/TiN은 MOS 소자가 수십 nm 이하의 스케일로 미세화되면서 소스/드레인 영역과 게이트 간 접촉저항을 낮추기 위하여 많이 이용되고 있다. 이때, 코발트막(Co), 티타늄(Ti), 티타늄질화막(TiN)은 일반적으로 각기 다른 반응용기에서 형성되고, 코발트막(Co)의 증착 후에는 접촉 저항을 낮추기 위하여, 열처리 또는 플라즈마처리가 실시하여 코발트막 내에 포함된 탄소를 제거한다.
도 1은 종래의 Co/Ti/TiN을 제조하는 방법의 예를 도시한 것이다. 도 2는 도 1의 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있는 장치의 예(200)를 도시한 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래에는 제1반응용기(210)에서 CVD 방법으로 실리콘 기판 상에 코발트(Co)를 증착하여 코발트막을 형성하고(S110), 제2반응용 기(220)에서 열처리 또는 플라즈마처리를 실시하여 코발트막의 저항을 낮춘다(S120). 이후, 제3반응용기(230)에서 티타늄(Ti)을 증착하여 티타늄막을 형성하고(S130), 제4반응용기(240)에서 티타늄질화막(TiN)을 형성한다(S140).
그러나, 상기와 같은 방법은 제1반응용기(210)에서 CVD 방법으로 코발트막을 형성한 후에, 필요한 열처리 또는 플라즈마처리를 위한 별도의 제2반응용기(220)가 필요하다. 또한, 열처리 또는 플라즈마처리후 별도의 제3반응용기(230)로 웨이퍼를 이송할 시에 공기중의 노출로 인한 자연 산화막의 생성으로 인해 접촉 저항 증가의 원인이 될 수 있다. 또한, Co/Ti/TiN을 형성하기 위하여 4개의 반응용기가 필요하다. 이에 따라, Co/Ti/TiN의 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근에는 제2반응용기(220)에서 이루어지는 열처리 또는 플라즈마처리와 제3반응용기(230)에서 이루어지는 티타늄막의 형성이 하나의 반응용기에서 이루어지고 있다. 즉, 하나의 반응용기에서 코발트막의 열처리 등을 한 후, 티타늄막을 형성한다. 그러나, 이러한 방법은 코발트막의 열처리 등과 티타늄막의 형성이 별도로 진행되므로 Co/Ti/TiN을 형성하는데 여전히 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상부금속막의 증착온도를 하부금속막의 열처리 온도 영역에서 진행하여, 하부금속막의 별도의 열처리 과정을 생략할 수 있는 다층금속박막 제조 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 일실시예는 (a)제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 형성하는 단계; 및 (b)제2반응용기에 제2금속 전구체를 유입하여, 상기 제1금속막 상에 제2금속막을 형성하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 상기 제1금속막이 열처리되면서 상기 제2금속막이 형성되도록, 상기 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 다른 일실시예는 (a)제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 증착하는 단계; 및 (b)제2반응용기에 제2금속 전구체 및 질소 전구체를 유입하여, 상기 제1금속막 상에 질소비율이 5% ~ 35% 이내인 제2금속질화막 및 제2금속비율이 5% ~ 35% 이내인 제2금속질화막을 순차적으로 형성하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 상기 제1금속막이 열처리되면서 상기 제2금속질화막들이 형성되도록, 상기 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 일실시예는 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고, 상기 복수의 반응용기 중 다른 2개의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 티타늄막의 형성이 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 각각 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 다른 일실시예는 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고, 상기 복수의 반응용기 중 다른 2개의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 질소비율이 5% ~ 35% 이내인 티타늄질화막 및 티타늄비율이 5% ~ 35% 이내인 티타늄질화막의 형성이 순차적으로 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 각각 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 또다른 일실시예는 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고, 상기 복수의 반응용기 중 다른 하나의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 티타늄막의 형성이 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 이루어지고, 상기 복수의 반응용기 중 또다른 하나의 반응용기에서는 상기 티타늄막 상에 티타늄질화막의 형성이 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법 및 장치는 상부금속막의 증착온도를 하부금속막의 열처리 온도 영역에서 진행하여 하부금속막의 별도의 열처리 과정을 생략할 수 있으므로, 다층금속박막 제조의 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법 및 장치는 다층금속박막의 증착공정 진행에 필요한 반응용기의 수를 줄일 수 있으므로, 다층금속박막 제조의 생산성을 높일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도 록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 일실시예를 도시한 것이다.
도 3에 도시된 다층금속박막 제조 방법(300)은 제1금속막 형성 단계(S310), 제2금속막 형성 단계(S320)를 구비하여 이루어진다.
제1금속막 형성 단계(S310)에서는 제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 형성한다. 제2금속막 형성 단계(S320)에서는 제2반응용기에 제2금속 전구체를 유입하여, 제1금속막 상에 제2금속막을 형성한다.
이때, 제2금속막 형성 단계(S320)는 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어진다. 이는 제1금속막이 열처리되면서 제2금속막이 형성되도록 하기 위함이다. 제1금속막의 저항을 낮추기 위하여 종래에는 별도의 열처리 또는 플라즈마처리를 행하였다. 그러나, 본 발명에서는 제2금속막을 제1금속막의 열처리온도 범위에서 형성함으로써, 제2금속막의 형성과 제1금속막의 열처리를 동시에 진행할 수 있다. 따라서, 제1금속막의 별도의 열처리 시간을 줄일 수 있으므로, 전체적으로 다층금속박막의 제조 시간을 줄일 수 있다.
제2금속막의 형성 이후, 제2금속막의 표면처리를 위하여 제2금속막의 표면을 질화(Nitration)시키거나(S330-1), 제2금속막 상에 제2금속질화막을 더 형성(S330-2)할 수 있다.
제2금속막의 표면을 질화(S330-1)시키는 방법은 제2금속막이 형성되는 제2반 응용기에 NH3와 N2와 같은 질소성분을 포함하는 가스를 Ar, H2 등과 함께 유입함으로써 이루어질 수 있다. 일예로, 제2반응용기에 1SLM(Standard Litters per Minute) 이상의 Ar, 1SLM 이상의 NH3, 4SLM 이상의 H2 및 1 SLM 이하의 N2를 유입하고, 반응용기 내부에 1000W 이상의 파워를 인가하고, 반응용기 내부를 1torr 이상의 압력으로 유지하여 티타늄막 표면을 질화시킬 수 있다.
제2금속막 상에 제2금속질화막을 더 형성(S330-2)하는 방법은 제2반응용기 또는 별도의 제3반응용기에 제2금속 전구체 및 질소 전구체를 유입하여 제2금속질화물을 증착함으로써 이루어질 수 있다. 이 과정은 열 증착(Thermal Deposition) 방식에 의해 이루어지므로, 제2반응용기보다는 별도의 제3반응용기에서 이루어지는 것이 바람직하다.
만약, 제조하고자 하는 다층금속박막이 Co/Ti/TiN이라면, 도 3에 도시된 제조 방법(300)에 따라서 다음과 같은 과정으로 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있다.
먼저, 제1금속막 형성 단계(S310)에서는 제1반응용기에 코발트(Co) 전구체를 유입하여, 대략 100℃ ~ 200℃의 저온에서 기판 상에 코발트막을 형성한다. 제2금속막 형성 단계(S320)에서는 제2반응용기에 티타늄(Ti) 전구체를 유입하여 코발트막 상에 티타늄막을 형성한다. 이때, 코발트막의 열처리온도는 대략 500℃ 정도이므로, 제2반응용기에서 티타늄막의 형성 온도를 대략 450℃ ~ 550℃로 하면, 코발트막의 열처리와 동시에 코발트막 상에 티타늄막을 형성할 수 있다.
이후, 티타늄막의 표면을 질화시키거나, 티타늄질화막(TiN)을 더 형성하면, Co/Ti/TiN이 제조된다. 따라서, 코발트막의 별도의 열처리 공정을 생략하여도 원하는 Co/Ti/TiN을 얻을 수 있으므로, 별도의 코발트막의 열처리 공정에 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 4에 도시된 다층금속박막 제조 방법(400)은 제1금속막 형성 단계(S410) 및 제2금속질화막 형성 단계(S420)를 구비하여 이루어진다.
제1금속막 형성 단계(S410)에서는 제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 증착한다. 제2금속질화막 형성 단계(S420)에서는 제2반응용기에 제2금속 전구체 및 질소 전구체를 유입하여, 제1금속막 상에 질소비율이 5% ~ 35% 이내(이하, 제2금속 Rich라 한다)인 제2금속질화막 및 제2금속비율이 5% ~ 35% 이내(이하, N Rich라 한다)인 제2금속질화막을 순차적으로 형성한다. 이때, 제2금속질화막 형성 단계(S420)는 제1금속막이 열처리되면서 제2금속질화막들이 형성되도록, 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어진다.
제2금속질화막 형성 단계(S420)에서 먼저 증착되는 제2금속 Rich인 제2금속질화막은 제2금속막의 조성에 가깝게 하기 위하여 질소 비율을 상대적으로 낮게 한 것이다. 이러한 방법은 제2반응용기에서 제2금속막을 형성하고, 별도로 질화시키는 방법이나, 제2금속질화막을 형성하는 방법에 비하여 제2반응용기 내로 유입되는 전구체들의 유량을 조절함으로써 공정시간을 더욱 단축할 수 있는 장점이 있다.
만약, 제조하고자 하는 다층금속박막이 Co/Ti/TiN이라면, 도 4에 도시된 제조 방법(400)에 따라서 다음과 같은 과정으로 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있다.
제1금속막 형성 단계(S410)에서는 제1반응용기에 코발트 전구체를 유입하여, 100℃ ~ 200℃에서 기판 상에 코발트막을 증착한다. 제2금속질화막 형성 단계(S420)에서는 코발트막의 열처리온도 범위에 해당하는 대략 450℃ ~ 550℃에서 제2반응용기에 티타늄 전구체 및 질소 전구체를 유입하여, 코발트막 상에 티타늄막의 조성에 근접한 Ti Rich인 티타늄질화막 및 N Rich인 티타늄질화막을 순차적으로 형성한다.
도 3에 도시된 다층금속박막 제조 방법(300)에서, 제2반응용기에서 제2금속막이 형성되는 동안(S320) 제2반응용기에 플라즈마가 인가되어, 제2금속막이 형성되면서 제1금속막의 열처리가 이루어지는 것 외에 추가적으로 제1금속막의 플라즈마처리가 더 이루어질 수 있다. 마찬가지로, 도 4에 도시된 다층금속박막 제조 방법(400)에서, 제2반응용기에 제2금속질화막들이 순차적으로 형성되는 동안(S420) 플라즈마가 인가될 수 있다. 이때, 플라즈마는 H2, NH3와 같은 수소(H)를 포함하는 가스를 기반으로 하는 플라즈마일 수 있다. 플라즈마가 인가되는 경우, 제2금속막 또는 제2금속질화막이 형성되면서 하부의 제1금속막의 열처리가 이루어지는 것 외에 추가적으로 제1금속막의 플라즈마처리가 더 이루어짐으로써 제1금속막의 저항을 낮추는 효율을 높일 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 일실시예를 도시한 것으로, 구체적으로는 도 3에 기재된 다층금속박막 제조 방법(300)을 이용하여 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있는 장치를 도시한 것이다.
도 5에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(500)를 참조하면, 복수의 반응용기(510 ~ 540) 중 2개의 반응용기(510,520)를 코발트막 형성(도 3의 S310)을 위한 용도로, 다른 2개의 반응용기(530,540)를 티타늄막 형성(도 3의 S320)을 위한 용도로 이용할 수 있다. 또한 다른 2개의 반응용기(530,540)는 티타늄막 형성 후, 티타늄막 표면의 질화(도 3의 S330-1)를 위한 용도로도 이용할 수 있다.
도 5에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(500)를 이용하면, EFEM(Equipment Front End Module)으로부터 2장의 웨이퍼가 로드락(Loadlock) 챔버에 구비되는 웨이퍼 이송용 로봇을 통하여 코발트막 형성을 위한 2개의 반응용기(510,520)로 이송된다. 코발트막이 형성된 2개의 웨이퍼는 웨이퍼 이송용 로봇을 통하여 코발트막 열처리와 동시에 티타늄막 형성을 위한 다른 2개의 반응용기(530,540)로 이송되고, EFEM으로부터 다른 2장의 웨이퍼가 코발트막 형성을 위한 2개의 반응용기(510,520)로 이송된다.
따라서, 도 2에 도시된 다층금속박막 제조 장치(200)를 이용하였을 때에는 4개의 반응용기를 순차적으로 거쳐야 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있지만, 도 5에 도시된 다층금속박막 제조 장치(500)를 이용하였을 때는 2개의 반응용기만을 거치고도 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있으므로, Co/Ti/TiN의 제조 효율을 훨씬 높일 수 있다.
또한, 2개의 반응용기(510,520)에서 코발트막이 형성된 후, 진공상태에서 바로 티타늄막 등의 형성을 위한 다른 2개의 반응용기(530,540)로 웨이퍼가 이송될 수 있으므로, 공기 중에 코발트막이 노출되지 않는다. 따라서, 자연 산화막의 형성 등에 의한 코발트막의 비저항 증가를 막을 수 있으므로, 양질의 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 일실시예들을 도시한 것으로, 구체적으로는 도 3 및 도 4에 기재된 다층금속박막 제조 방법(300,400)을 이용하여 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있는 장치들을 도시한 것이다.
도 6에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(600)를 참조하면, 복수의 반응용기(610 ~ 640) 중 2개의 반응용기(610,620)를 코발트막 형성(도 3의 S310)을 위한 용도로, 다른 하나의 반응용기(630)를 티타늄막 형성(도 3의 S320)을 위한 용도로, 또다른 하나의 반응용기(640)를 티타늄질화막 형성(도 3의 S330-2)을 위한 용도로 이용할 수 있다. 또한, 도 7에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(700)를 참조하면, 복수의 반응용기(710 ~ 740) 중 2개의 반응용기(710,720)를 코발트막 형성(도 4의 S410)을 위한 용도로, 다른 2개의 반응용기(730,740)를 티타늄질화막 형성(도 4의 S420)을 위한 용도로 이용할 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(500,600)에서, 티타늄막이 형성되는 반응용기들(530,540,630)에는 티타늄막이 형성되는 동안 코발트막의 접촉저항을 낮추는 효율을 높이기 위하여 플라즈마가 인가되어, 티타늄막이 형성되면서 코발트막의 열처리가 이루어지는 것 외에 추가적으로 코발트막의 플라즈마처리가 더 이루어질 수 있다. 마찬가지로, 도 7에 도시된 Co/Ti/TiN 제조 장치(700)에서, 티타늄질화막이 형성되는 반응용기들(730,740)에 티타늄질화막들이 순차적으로 형성 되는 동안 플라즈마가 인가될 수 있다. 이때, 플라즈마는 H2, NH3와 같은 수소를 포함하는 가스를 기반으로 하는 플라즈마일 수 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 종래의 Co/Ti/TiN을 제조하는 방법의 예를 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 Co/Ti/TiN을 제조할 수 있는 반도체 제조 장치의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 일실시예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 방법의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 다층금속박막 제조 장치의 일실시예들을 도시한 것이다.
Claims (15)
- (a)제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 형성하는 단계; 및(b)제2반응용기에 제2금속 전구체를 유입하여, 상기 제1금속막 상에 제2금속막을 형성하는 단계를 구비하고,상기 (b)단계는 상기 제1금속막이 열처리되면서 상기 제2금속막이 형성되도록, 상기 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어지고,상기 (b)단계에서, 상기 제2반응용기 내에 플라즈마를 인가하여 상기 제1금속막의 플라즈마처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 제1항에 있어서,(c)상기 제2반응용기에서 상기 제2금속막의 표면을 질화(Nitration)시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 제1항에 있어서,(c)제3반응용기에 상기 제2금속 전구체 및 질소 전구체를 유입하여, 상기 제2금속막 상에 제2금속질화막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제1금속막은 코발트막이고,상기 제2금속막은 티타늄막인 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- (a)제1반응용기에 제1금속 전구체를 유입하여, 기판 상에 제1금속막을 증착하는 단계; 및(b)제2반응용기에 제2금속 전구체 및 질소 전구체를 유입하여, 상기 제1금속막 상에 질소비율이 5% ~ 35% 이내인 제2금속질화막 및 제2금속비율이 5% ~ 35% 이내인 제2금속질화막을 순차적으로 형성하는 단계를 구비하고,상기 (b)단계는 상기 제1금속막이 열처리되면서 상기 제2금속질화막들이 형성되도록, 상기 제1금속막의 열처리온도 범위에서 이루어지고,상기 (b)단계에서, 상기 제2반응용기 내에 플라즈마를 인가하여 상기 제1금속막의 플라즈마처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1금속막은 코발트막이고,상기 제2금속질화막은 티타늄질화막인 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 삭제
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 플라즈마는,수소를 포함하는 가스를 기반으로 하는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 수소를 포함하는 가스는,H2 또는 NH3인 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 방법.
- 복수의 반응용기가 배치되는 다층금속박막 제조 장치에 있어서,상기 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고,상기 복수의 반응용기 중 다른 2개의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 티타늄막의 형성이 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 각각 이루어지고,상기 다른 2개의 반응용기에 플라즈마가 인가되어 상기 코발트막의 플라즈마처리가 각각 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
- 제10항에 있어서,상기 다른 2개의 반응용기에서는 상기 티타늄막의 표면의 질화(Nitration)가 각각 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
- 복수의 반응용기가 배치되는 다층금속박막 제조 장치에 있어서,상기 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고,상기 복수의 반응용기 중 다른 2개의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 질소비율이 5% ~ 35% 이내인 티타늄질화막 및 티타늄비율이 5% ~ 35% 이내인 티타늄질화막의 형성이 순차적으로 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 각각 이루어지고,상기 다른 2개의 반응용기에 플라즈마가 인가되어 상기 코발트막의 플라즈마처리가 각각 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
- 제10항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 다른 2개의 반응용기에 인가되는 플라즈마는 수소를 포함하는 가스를 기반으로 하는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
- 복수의 반응용기가 배치되는 다층금속박막 제조 장치에 있어서,상기 복수의 반응용기 중 2개의 반응용기에서는 기판 상에 코발트막의 형성이 각각 이루어지고,상기 복수의 반응용기 중 다른 하나의 반응용기에서는 상기 코발트막 상에 티타늄막의 형성이 상기 코발트막의 열처리온도 범위에서 이루어지고,상기 티타늄막이 형성되는 반응용기에 플라즈마가 인가되어 상기 코발트막의 플라즈마처리가 이루어지며,상기 복수의 반응용기 중 또 다른 하나의 반응용기에서는 상기 티타늄막 상에 티타늄질화막의 형성이 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
- 제14항에 있어서,상기 티타늄막이 형성되는 반응용기에 인가되는 플라즈마는 수소를 포함하는 가스를 기반으로 하는 것을 특징으로 하는 다층금속박막 제조 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070089104A KR101334221B1 (ko) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 다층금속박막 제조 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070089104A KR101334221B1 (ko) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 다층금속박막 제조 방법 및 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090023955A KR20090023955A (ko) | 2009-03-06 |
| KR101334221B1 true KR101334221B1 (ko) | 2013-11-29 |
Family
ID=40693100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020070089104A KR101334221B1 (ko) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 다층금속박막 제조 방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101334221B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8980742B2 (en) | 2008-09-04 | 2015-03-17 | Wonik Ips Co., Ltd. | Method of manufacturing multi-level metal thin film and apparatus for manufacturing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20030023286A (ko) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | 한국전자통신연구원 | 선택적 질화 방식을 이용하여, 홀에 잘 매립된 금속배선층을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| US6740585B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-05-25 | Applied Materials, Inc. | Barrier formation using novel sputter deposition method with PVD, CVD, or ALD |
| KR20090002709A (ko) * | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 주식회사 아이피에스 | 웨이퍼 처리장치 |
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020070089104A patent/KR101334221B1/ko active IP Right Grant
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| KR20090002709A (ko) * | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 주식회사 아이피에스 | 웨이퍼 처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090023955A (ko) | 2009-03-06 |
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