TWI787157B - 異向性導電膜 - Google Patents

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TWI787157B TW105138620A TW105138620A TWI787157B TW I787157 B TWI787157 B TW I787157B TW 105138620 A TW105138620 A TW 105138620A TW 105138620 A TW105138620 A TW 105138620A TW I787157 B TWI787157 B TW I787157B
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篠原誠一郎
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日商迪睿合股份有限公司
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Abstract

本發明之具有導電粒子3以特定之分散狀態分散於絕緣接著劑2而成之導電粒子分散層4的異向性導電膜1A，其具備提示導電粒子3之分散狀態之不良部位P之位置資訊的不良部位提示手段(標記Q)。於將該異向性導電膜1A與電子零件100貼合之貼合方法中，基於自不良部位提示手段(標記Q)所取得之不良部位P之位置資訊，而將異向性導電膜1A之非不良部位貼合於異向性導電連接之電子零件之端子或端子列之存在區域。

Description

異向性導電膜
本發明係關於一種異向性導電膜、異向性導電膜之貼合方法、及異向性導電膜之貼合裝置。
異向性導電膜係於將IC晶片等電子零件構裝於基板時廣泛使用。近年來，於行動電話、筆記型電腦等小型電子機器中要求配線之高密度化，作為使異向性導電膜應對該高密度化之方法，對使導電粒子有規律地排列配置進行有各種研究。例如已知有如下技術等：藉由於延伸膜上鋪滿導電粒子，並對該膜進行雙軸延伸，而使導電粒子以單層排列配置(專利文獻1、2)；及藉由使導電粒子保持於基材，且使該導電粒子向黏著性之膜轉印而使導電粒子成為特定之排列(專利文獻3、4、5)。
專利文獻1：日本專利5147048號公報
專利文獻2：日本專利5147049號公報
專利文獻3：日本特開2007-165056
專利文獻4：日本特開2005-209454
專利文獻5：日本特開2004-335663
然而，即便使用專利文獻1、2、3、4、5等所記載之使導電粒子排列配置之技術而製造異向性導電膜，亦難以完全消除導電粒子之缺失或凝聚。另一方面，將異向性導電膜用於電子零件之連接時，導電粒子之缺失或凝聚成為導通不良或短路之原因。
相對於此，可考慮於異向性導電膜出貨前檢查導電粒子之分散狀態，廢棄有缺失或凝聚之異向性導電膜。然而，利用該方法，異向性導電膜之良率下降，從而異向性導電膜之製造成本增加。
因此，本發明之課題在於，即便在將相對於導電粒子之特定分散狀態而有缺失或凝聚之異向性導電膜用於電子零件之連接之情形時，亦不會引起導通不良或短路。
本發明人發現，於檢查異向性導電膜之導電粒子之分散狀態，相對於特定之格子排列、特定之並列配置、特定之粒子密度下之均勻分散等特定之分散狀態，發現有導電粒子之缺失或凝聚等分散狀態之不良之情形時，若預先得知該不良部位，且於使用異向性導電膜連接電子零件時可預先避開不良部位，則可解決上述課題，從而想到本發明。
即，本發明提供一種異向性導電膜，其係具有導電粒子以特定之分散狀態分散於絕緣接著劑而成之導電粒子分散層者，具備提示導電粒子之分散狀態之不良部位之位置資訊的不良部位提示手段。
尤其是作為不良部位之位置資訊之提示手段，本發明提供於異向性導電膜設有標記之態樣，或異向性導電膜具備將不良部位之位置資訊記錄於記錄媒體中之不良部位資訊保持手段之態樣。
又，本發明提供一種方法，係將上述異向性導電膜與電子零件貼合之貼合方法，基於自不良部位提示手段所取得之不良部位之位置資訊，而將異向性導電膜之非不良部位貼合於異向性導電連接之電子零件之端子或端子列之存在區域。
進而，本發明提供一種貼合裝置，係將上述之異向性導電膜與電子零件貼合者，且具有：位置對準手段，其基於自不良部位提示手段所取得之不良部位之位置資訊，以異向性導電膜之非不良部位與電子零件之端子連接之方式，將異向性導電膜與電子零件位置對準；及按壓手段，其將異向性導電膜與電子零件貼合。
由於本發明之異向性導電膜具備提示導電粒子之分散狀態之不良部位之位置資訊的不良部位提示手段，故若根據使用本發明之異向性導電膜的本發明之貼合方法及本發明之貼合裝置，則能夠基於自不良部位提示手段取得之不良部位之位置資訊，僅將異向性導電膜之非不良部位，即不包含異向性導電膜之不良部位之區域貼合於異向性導電連接之電子零件之端子或端子列之存在區域，僅將異向性導電膜之非不良部位用於電子零件之端子之連接。因此，可於不降低異向性導電膜之良率之情況下，提高使用有異向性導電膜之連接之可靠性。
1、1A、1B、1C、1D‧‧‧異向性導電膜
2‧‧‧絕緣接著劑
3‧‧‧導電粒子
4‧‧‧導電粒子分散層
5‧‧‧基材膜
6‧‧‧晶片之貼合位置
7‧‧‧晶片之貼合位置與異向性導電膜之側邊之間之區域
8‧‧‧晶片之非貼合區域
10‧‧‧標記檢測裝置
11‧‧‧去除之區域
12‧‧‧半切部
13‧‧‧膠帶
14‧‧‧邊緣部分
15‧‧‧邊緣檢測裝置
16‧‧‧熱壓接裝置
17a、17b‧‧‧半切部
18‧‧‧切斷線
20‧‧‧記憶卡
30‧‧‧運算裝置
31‧‧‧識別標記
32‧‧‧半切部形成手段
33‧‧‧膠帶之貼合手段
34‧‧‧邊緣檢測手段
35‧‧‧熱壓接裝置
36‧‧‧控制器
100‧‧‧電子零件
P、P1、P2‧‧‧不良部位
Q‧‧‧標記
a‧‧‧異向性導電膜之連接時之行進方向
L1‧‧‧異向性導電膜之長邊方向上之不良部位與標記中心之距離
L2‧‧‧異向性導電膜之短邊方向上之不良部位與標記中心之距離
L3‧‧‧貼合之基準位置與標記中心之距離
圖1係具有標記作為不良部位提示手段之實施例之異向性導電膜1A之示意性俯視圖。
圖2係具有標記作為不良部位提示手段之實施例之異向性導電膜1B之示意性俯視圖。
圖3係具有標記作為不良部位提示手段之實施例之異向性導電膜1C之示意性俯視圖。
圖4係具有標記作為不良部位提示手段之實施例之異向性導電膜1D之示意性俯視圖。
圖5A係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖5B係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖5C係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖5D係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖5E係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖5F係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖6A係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說 明圖。
圖6B係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖6C係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖7A係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖7B係將具有標記之異向性導電膜與電子零件貼合之方法之步驟說明圖。
圖8係記錄於不良部位資訊保持手段之不良部位之位置資訊之說明圖。
圖9係將具備不良部位資訊保持手段之異向性導電膜與電子零件貼合之貼合裝置之概略結構圖。
以下，參照圖式對本發明加以詳細說明。再者，各圖中，同一符號表示同一或同等之結構要素。
〈具有標記之異向性導電膜〉
圖1係FOG或COG中所使用之本發明之一實施例之異向性導電膜1A之示意性俯視圖。該異向性導電膜1A具有層結構，該層結構係導電粒子3以特定之分散狀態分散於絕緣接著劑2而成之導電粒子分散層4與基材膜5積層而成者。更具體而言，於導電粒子分散層4中，導電粒子3排列成正方格子，位於圖中虛線所示之格子線彼此之交點即格子點。
再者，於本發明中，所謂導電粒子以特定之分散狀態分散，係指導電粒子以特定之規律性存在即可。導電粒子不限於正方格子排列，亦可排列成長方格子、斜方格子、六方格子等。又，於格子點，不僅可配置單獨之粒子，亦能以特定數量之導電粒子成群之方式進行配置。導電粒子可按特定之粒子間距離並列排列，亦可維持特定之粒子間距離而隨機地分散。用於使導電粒子以特定之分散狀態分散之方法亦並無特別限制，例如，可為如專利文獻1、2所記載，利用雙軸延伸鋪滿導電粒子之膜的方法，亦可為如專利文獻3、4、5所記載，將保持於基材之導電粒子向膜轉印的方法，亦可為其他公知之使用轉印模具之方法。作為一例，可列舉日本特開2009-152160、日本特開2010-33793等。
關於導電粒子本身之結構或個數密度、及關於絕緣接著劑本身之組成，均無特別限制，可與公知之異向性導電膜相同。
即便欲製造導電粒子以特定之分散狀態分散之異向性導電膜，亦有實際所製造之異向性導電膜中存在導電粒子未成為特定之分散狀態之不良部位之情形。作為該不良部位，於有意圖地使導電粒子格子狀排列之情形時，可列舉：導電粒子於格子點上發生缺失之部位；導電粒子於格子點上或其以外之位置發生凝聚之部位；於不論有無格子狀排列均使導電粒子以特定之配置密度均勻地分散之異向性導電膜，或密度相對較高地配置有導電粒子之COG用異向性導電膜等中，導電粒子局部地密集或凝聚之部位；於導電粒子為金屬之情形時，可列舉由於磁性而發生凝聚之部位等。圖1中，作為不良部位之一例，顯示如下態樣：於有意圖地使導電粒子呈正方格子排列之異向性導電膜1A中，存在導電粒子3於格子點發生缺 失之不良部位P。
不良部位P可藉由組合使用攝像裝置與圖像解析處理系統(例如三谷商事(股份)，WinROOF等)，對異向性導電膜1A中之導電粒子之分散狀態進行檢查而發現，從而可特定出其位置。再者，關於攝像裝置，作為一例，可應用最大輸出像素數(H)×(V)為648×494，幀頻(frame rate)為30~60fps者。
本實施例之異向性導電膜1A之特徵在於，其具有標記Q作為提示不良部位P之不良部位提示手段。該標記Q係藉由自異向性導電膜1A之導電粒子分散層4側照射雷射光，而利用構成導電粒子分散層4之樹脂之表面狀態發生變化或改質(熱硬化)來形成之直徑0.3~1.0mm之照射痕跡。於異向性導電膜1A為了防止混入異物而於導電粒子分散層4上具有透明之防護膜之情形時，亦可介隔防護膜對導電粒子分散層4進行雷射光之照射。
形成此種照射痕跡之雷射光之照射條件雖亦取決於照射雷射光之異向性導電膜1A之表面之材質，但例如於以PET等熱硬化性樹脂形成之情形時，可使用YAG雷射、或YVO4雷射。作為一例，於在導電粒子分散層4上積層有由透明PET構成之防護膜之情形時，藉由自該防護膜上，以波長1064nm、輸出1.3~10W照射雷射光100~1000毫秒，可僅於形成導電粒子分散層4之樹脂形成標記Q。此種防護膜之厚度於實際使用方面可設為10~50μm。
標記Q亦可形成於基材膜5。自短時間內形成之方面而言，較佳為使形成導電粒子分散層4之硬化性樹脂改質而形成標記Q，自不對 用於異向性導電連接之樹脂施加不必要之能量之方面而言，較佳為形成於基材膜5。再者，於藉由雷射光之照射而於異向性導電膜1A形成標記Q之情形時，於使用有異向性導電膜1A之連接中，不會產生引起故障之異物之生成或飛散。
於本實施例之異向性導電膜1A中，於使用有該異向性導電膜1A之連接作業時，將較標記Q更上游之特定範圍設為不用於電子零件之連接之區域，自該方面而言，標記Q相較於不良部位P更設於連接作業時之異向性導電膜1A之行進方向a之下游。再者，於使用有異向性導電膜之連接步驟中發現標記Q之情形時，使位於其附近之不良部位P不用於連接即可，因此根據連接步驟中所使用之裝置結構，標記Q亦可相較於不良部位P更形成於異向性導電膜1A之行進方向a之上游。即，於異向性導電膜形成後，檢測出不良部位P並形成標記Q之步驟，可於異向性導電膜形成後之任一步驟中進行，標記Q可設於不良部位P之上游、下游之任一者。
異向性導電膜1A之長邊方向上之標記Q與不良部位P之距離L1自異向性導電膜之生產性、及減少由於存在不良部位P而不用於連接之異向性導電膜之方面而言，規定為特定之距離。即，若該距離L1過短，則於異向性導電膜之製造步驟中在形成標記Q後，必須減慢異向性導電膜之巻取速度，生產性下降，因此較佳為1mm以上，較佳為2mm以上，進而較佳為3mm以上。另一方面，若距離L1過長，則可用於異向性導電膜之連接之區域變得過於狹窄，故而欠佳。因此，距離L1較佳為設為各電子零件之連接所需要之異向性導電膜之長度之一半以下。因此，距離L1之較佳之長度根據所連接之電子零件之長度變化，但例如於用於COG之情形 時，較佳為使距離L1為15mm以下，更佳為10mm以下，進而較佳為5mm以下。
又，異向性導電膜1A之短邊方向(寬度方向)上之不良部位P與標記Q之中心之距離L2既可如圖示般設為零，或者，亦可不管不良部位P之位置，而均將標記Q設於異向性導電膜1A之長邊方向之側緣附近。於後者之情形時，於連接異向性導電膜與電子零件時可將檢測出標記Q之區域限定於異向性導電膜之側緣附近。又，於根據異向性導電膜之膜寬與電子零件之大小，而異向性導電膜之長邊方向之側緣附近本來就無法用於電子零件之連接之情形時，藉由將標記Q設於異向性導電膜之長邊方向之側緣附近，而可減少由於有標記Q而無法用於電子零件之連接之區域。
再者，標記Q之形成方法除了藉由雷射照射而以照射痕跡之形式形成以外，既可預先將藉由特定之波長之光照射而發生顯色或變色之物質分散於基材膜5，利用照射該波長之光而形成為有色部位，又，亦可藉由印刷而形成，亦可藉由密封之貼合而形成。
圖2所示之異向性導電膜1B係於上述之異向性導電膜1A中相對於在一個格子點凝聚有複數個導電粒子之不良部位P設置有標記Q者。於該情形時，關於異向性導電膜1B之長邊方向，將於不良部位P本來應該有導電粒子之格子點與標記Q之中心之距離設為特定之距離L1，關於異向性導電膜之短邊方向，將標記Q之形成位置設為異向性導電膜1B之長邊方向之側緣附近。
圖3係COG用之實施例之異向性導電膜1C之示意性俯視圖。於COG用之異向性導電膜1C中，較佳為於圖中虛線所示之電子零件 (晶片)之貼合位置6與異向性導電膜1C之側邊之間之區域7，形成與不良部位P對應之標記Q。藉由於該區域7有標記Q，可減少無法用於電子零件(晶片)之連接之區域。
又，亦可如圖4所示之COG用之實施例之異向性導電膜1D般，將與不良部位P對應之標記Q形成於週期性存在於異向性導電膜之長邊方向上之電子零件(晶片)之非貼合區域8。
〈具有標記之異向性導電膜之貼合方法〉
若將具有標記Q之異向性導電膜用於電子零件之連接，則可基於由標記Q所引導之不良部位之位置資訊，僅將異向性導電膜之非不良部位貼合於異向性導電連接之電子零件之端子或端子列之存在區域。本發明包含此種貼合方法。該貼合方法包含如下兩種態樣，即：僅將異向性導電膜之非不良部位貼合於電子零件之態樣；及不僅非不良部位，亦將不良部位P及標記Q貼合於電子零件，但使不良部位P及標記Q之貼合位置為不妨礙電子零件彼此之異向性導電連接之位置。於後者之態樣中，確認不良部位P及標記Q之貼合位置是否成為妨礙電子零件彼此之異向性導電連接之位置，當成為帶來妨礙之位置之情形時，進行異向性導電膜與電子零件之位置對準之調整、異向性導電膜之送出或回送之調整、貼合時所使用之熱壓頭之大小之調整等。以下，對前者之態樣(僅將異向性導電膜之非不良部位貼合於電子零件之態樣)詳細地進行說明。
(第1貼合方法)
圖5A~圖5F係此種貼合方法之一態樣，且係將異向性導電膜1例如與FPC、剛性基板、陶瓷基板、塑膠基板、玻璃基板等第1電子零件貼合之方 法之步驟說明圖。利用該貼合方法，如以下所說明般，自異向性導電膜1去除包含不良部位P之特定區域11，將剩餘之非不良部位與電子零件貼合。
再者，此處所使用之異向性導電膜1，作為一例設為具有導電粒子分散層4與基材膜5之積層結構，且標記Q設於自不良部位P向該膜之行進方向下游之特定距離。
首先，如圖5A所示般，將捲繞於捲盤之異向性導電膜1捲出，藉由使用有CCD等之標記檢測裝置10檢測出標記Q。作為標記檢測裝置10，可使用利用有CCD、或色度感測器、雷射者等，例如，亦可利用位置對準標記之檢測裝置。
其次，為了去除包含由標記Q所引導之不良部位P之特定區域，首先，於區劃該區域11之線上藉由半切部形成手段而形成半切部12。該半切部12較佳為以自異向性導電膜1之導電粒子分散層4側到達基材膜5之方式而形成(圖5B)。
其次，於包含不良部位P之應該去除之區域11上貼合膠帶13(圖5C)，將該膠帶13剝除，使區域11之導電粒子分散層4轉附於膠帶13(圖5D)。
如此去除區域11之導電粒子分散層4後，藉由使用有CCD等之邊緣檢測裝置15檢測出異向性導電膜1上所殘存之導電粒子分散層4之邊緣部分14(圖5E)，利用位置對準手段(未圖示)以邊緣14為基準，將異向性導電膜1與FPC、剛性基板、陶瓷基板、塑膠基板、玻璃基板等第1電子零件100位置對準，使用熱壓接裝置16作為按壓手段，將異向性導電膜1與第1電子零件100暫時壓接(圖5F)。
之後，利用常規方法，自與第1電子零件100暫時壓接之異向性導電膜1剝離去除基材膜5，與IC晶片、IC模組、FPC等第2電子零件重疊而進行正式壓接。又，亦可藉由同樣地貼合於IC晶片或IC模組並將該等堆疊，而將第2電子零件彼此異向性導電連接。
如此，即便為具有不良部位P之異向性導電膜1，亦可僅使用沒有不良部位P區域將電子零件連接。本發明亦包含貼合裝置，其基於如此般由標記Q所引導之不良部位P之位置資訊，僅將異向性導電膜之沒有不良部位P之區域與電子零件貼合。
(第2貼合方法)
作為基於由標記Q所引導之不良部位之位置資訊，僅將異向性導電膜之不包含不良部位P之區域貼合於電子零件之方法，亦可使包含不良部位之特定區域11直接殘存於基材膜5上，不將該區域11用於與電子零件之連接而將其排出。
例如，如圖6A所示，若從自捲盤捲出之異向性導電膜1檢測出標記Q，則自標記Q向相較於不良部位P更上游方向，於距標記中心特定距離L3之位置形成半切部17a，進而亦於相較於該半切部17a更上游，於區劃電子零件之貼合位置之位置形成半切部17b。其次，如圖6B所示般，藉由位置對準手段，以半切部17a、17b所夾之區域與電子零件100貼合之方式進行位置對準，且利用熱壓接裝置16進行暫時壓接。藉此，如圖6C所示般，與電子零件100貼合之導電粒子分散層4自基材膜5剝離，不良部位P直接殘留於基材膜5而被排出。
再者，於如此般，使不良部位P於殘存於基材膜5之狀態下 排出之情形時，亦可省略半切部17a、17b，將半切部17a之形成位置設定為於自該位置靠上游貼合電子零件的貼合位置之基準位置。
(第3貼合方法)
作為基於由標記Q所引導之不良部位之位置資訊，僅將不包含異向性導電膜之不良部位P之區域貼合於電子零件之方法，亦可將包含不良部位P之特定區域11自異向性導電膜切除，將剩餘之不包含不良部位之區域用於與電子零件之連接。
例如，如圖7A所示般，若從自捲盤捲出之異向性導電膜1檢測出標記Q，則自標記Q向相較於不良部位P更上游方向，於距標記中心特定距離L3之位置將異向性導電膜1切斷。圖中，符號18表示該切斷線。而且，將切除包含不良部位P之特定區域11後殘留之異向性導電膜1(圖7B)與電子零件位置對準而進行貼合。
〈具備記錄有不良部位資訊之記錄媒體之異向性導電膜〉
於本發明之異向性導電膜中，作為提示不良部位P之位置資訊之不良部位提示手段，亦可具備將不良部位之位置資訊記錄於記錄媒體之不良部位資訊保持手段，以代替上述之標記Q。此處，作為不良部位之位置資訊係設為如下者，即，例如設為如圖8所示般，將異向性導電膜1之特定位置設為以異向性導電膜之短邊方向及長邊方向為座標軸之xy座標系之原點O，以該xy座標表示不良部位P1、P2、…之位置。將該不良部位之位置資訊記錄於記憶卡20，使記憶卡20附帶於異向性導電膜1之製品。
於將異向性導電膜1與電子零件100貼合之貼合裝置中，基於自該記憶卡20讀出之不良部位資訊，進行上述之第1、第2或第3貼合 方法。
於本發明中，將不良部位之位置資訊記錄於記錄媒體的不良部位資訊保持手段，除了記憶卡20以外，可使用USB記憶體等公知之資訊記錄媒體等而構成。又，亦可將位置資訊記錄於小型之IC晶片，並將其以安裝於膜包裝袋或捲盤等之形式附帶於異向性導電膜，利用NFC等近距離無線通信技術讀出位置資訊。
又，如圖9所示般，亦可將於記錄媒體記錄有不良部位之位置資訊的不良部位資訊保持手段組裝至進行異向性導電膜之品質管理、製品管理等之管理用運算裝置30中。該情形時，例如預先於異向性導電膜1之製品外裝等設置能夠自運算裝置30取得不良部位資訊之識別標記31。該識別標記31可由文字、數字、符號或該等之組合等構成。亦可藉由二維碼(QR碼(註冊商標)、條形碼等)表示識別標記31。又，亦可基於異向性導電膜1之製品批號而自運算裝置30讀出不良部位資訊，另外藉由電子郵件等送達。
再者，亦可於預先記錄不良部位之位置資訊之運算裝置30中，寫入與使用該位置資訊在實際上使用電子零件時之連接之好壞相關之資訊。藉由將該資訊回傳至異向性導電膜之出貨地，可期待實現品質管理之提高及其對應之效率化之效果。
關於具有識別標記31之異向性導電膜1與電子零件100之貼合方法，例如，該貼合所使用之貼合裝置如圖9所示般，具有基於不良部位之位置資訊而於異向性導電膜形成半切部之半切部形成手段32，使包含不良部位P之特定區域轉附之膠帶之貼合手段33，去除包含不良部位P 之特定區域後之異向性導電膜1之邊緣檢測手段34，邊緣檢測後之異向性導電膜與電子零件之位置對準手段，將異向性導電膜貼合於電子零件之熱壓接裝置35，及控制該等之動作之控制器36，於控制器36與異向性導電膜之製品管理用之運算裝置30藉由通信線路進行連接之情形時，使識別標記31之資訊自控制器36發送至運算裝置30，使對應於該識別標記31之不良部位之位置資訊自運算裝置30發送至控制器36。藉此，控制器36可基於不良部位之位置資訊而將異向性導電膜1之非不良部位貼合於電子零件。
利用該方法，具備有識別標記31之異向性導電膜1的固有之不良部位之位置資訊由運算裝置30提供，因此亦能夠識別進行了製品管理之正規之異向性導電膜製品、與該異向性導電膜相似但不正規地製造之異向性導電膜製品。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明。
(1)異向性導電膜之製作
(1-1)於導電粒子之排列中具有缺失之異向性導電膜之製作
按照以下方式製作導電粒子排列為4方格子但於一部分格子點缺失導電粒子之異向性導電膜。
準備厚度2mm之鎳板，以4方格子圖案形成圓柱狀之凹部(內徑5μm，深度6μm)，製為轉印體母盤(相鄰凹部中心間之距離為8μm，凹部之密度為16000個/mm2)。然而，藉由有意圖地不於4方格子圖案之一部分格子點形成凹部，而於凹部之格子排列形成有缺陷。(設計值14400個/mm2)
於所獲得之轉印體母盤，將含有苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股份))60質量份、丙烯酸酯樹脂(M208，東亞合成(股份))29質量份、及光聚合起始劑(1RGACURE184，BASF Japan(股份))2質量份之光重合性樹脂組合物以乾燥厚度成為30μm之方式塗佈於PET膜上，於80℃乾燥5分鐘後，藉由利用高壓水銀燈照射1000mJ光而製作轉印體。
將轉印體自母盤剝離，以凸部成為外側之方式捲付於直徑20cm之不鏽鋼製之滾筒，一面使該滾筒旋轉，一面使含有環氧樹脂(jER828，三菱化學(股份))70質量份及苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股份))30質量份之微黏著劑組合物與含浸於不織布之黏著片材接觸，使微黏著劑組合物附著於凸部之頂面而形成厚度1μm之微黏著層，獲得轉印體。
於該轉印體之表面散佈平均粒徑4μm之導電粒子(鍍鎳樹脂粒子(AUL704，積水化學工業(股份)))後，藉由吹出鼓風而去除未附著於微黏著層之導電粒子。適宜地調整鼓風次數而有意圖地發生導電粒子之缺失。
藉由將附著有導電粒子之轉印體自其導電粒子附著面，相對於絕緣性接著基底層即厚度5μm之片狀之熱硬化型之絕緣性接著膜(由含有苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股份))60質量份、環氧樹脂(jER828，三菱化學(股份))40質量份、陽離子系硬化劑(Sl-60L，三新化學工業(股份))2質量份、及氧化矽微粒子(艾羅技RY200，日本艾羅技(股份))20質量份之絕緣性接著組合物所形成之膜)，以溫度50℃、壓力0.5MPa進行按壓，而使導電粒子轉印至絕緣性接著基底層。
於所獲得之絕緣性接著基底層之導電粒子轉附面，重疊作為透明之絕緣性接著覆蓋層的厚度15μm之片狀之其他絕緣性接著膜(由含有苯氧樹脂(YP-50，新日鐵住金化學(股份))60質量份、環氧樹脂(jER828，三菱化學(股份))40質量份、及陽離子系硬化劑(S1-60L，三新化學工業(股份))2質量份之絕緣性接著組合物而形成之膜)，並以溫度60℃、壓力2MPa進行積層。藉此，獲得異向性導電膜。
(1-2)於導電粒子之排列有導電粒子之凝聚之異向性導電膜之製作
藉由使轉印體母盤之凹部之深度為4.4μm，使凹部之內徑為4.8μm，使相鄰凹部中心間之距離為5.6μm，使凹部之密度增加至32000個/mm2，而製成易引起導電粒子之凝聚之轉印體母盤。然而，未有意圖地於凹部之格子排列形成缺陷。
除了使用該轉印體母盤且使鼓風次數較(1-1)更少以外，藉由反覆進行(1-1)而獲得異向性導電膜。
(2)標記之形成
自絕緣性接著覆蓋層側，藉由光學顯微鏡(MX50，Olympus(股份))觀察(1-1)、(1-2)所製作之異向性導電膜中之導電粒子之排列狀態，於(1-1)之異向性導電膜中，於全格子點之32%觀察到缺失，於(1-2)之異向性導電膜中，於全格子點之26%觀察到凝聚。於本實施例中，將於相鄰之10個以上之格子點不存在導電粒子的部位評價為「缺失」，將4個以上之導電粒子接觸而存在之部位評價為「凝聚」。
於觀察到缺失或凝聚之不良部位P之情形時，於異向性導電 膜形成包含雷射照射痕跡之標記來作為不良部位提示手段。
該雷射照射痕跡係藉由使用AMADA MIYACHI(股份)製造之雷射打標機(Laser Marker)(ML-7111A)向絕緣性接著覆蓋層照射雷射光而形成(照射條件：7W)。又，雷射照射痕跡之形成位置係設在：異向性導電膜之長邊方向之側緣部，且雷射照射痕跡之中心、與觀察到缺失或凝聚之不良部位P的異向性導電膜長邊方向之距離為2mm之位置。
照射痕跡之大小係直徑約為350μm。
藉由於距照射痕跡之中心之距離為300μm之位置，使用紅外分光光度計(日本分光(股份)製造，產品編號FT/1R-4100)，測量構裝前與構裝後之IR光譜，計算出環氧環之吸收波長之衰減量(%)或不飽和基之吸收波長之衰減量(%)，而求出絕緣性接著覆蓋層中之樹脂之反應率時，該反應率為40%，同樣地，求出於距照射痕跡之中心之距離為700μm之位置之反應率時，該反應率為0%。由此，若距照射痕跡之中心之距離為700μm以上，則可確認該異向性導電膜之貼合性能不下降，不妨礙連接性能。
(3)具有標記之異向性導電膜與電子零件之連接
分別使用(1)所製造之2種異向性導電膜，使用黑白相機模組(索尼(股份)製造，XC-HR50)及MACHINE VISION LENS((股份)Moritex製造，MML1-ST65)檢測標記，以避開標記所引導之不良部位P之方式將異向性導電膜與基板(設有配線寬度為15μm、配線間空間為15μm之配線之玻璃基板)貼合，進而於180℃、60MPa、5秒之條件，將該基板與晶片(具有大小15×100μm、高度15μm、凸塊間空間15μm之金凸塊之IC晶片)進行異向性導電連接。
(4)基板與電子零件之連接結構體之評價
對於(3)所獲得之2種連接結構體，以如下之方式評價(a)初期導通電阻、(b)導通可靠性、(c)短路發生率。
(a)初期導通電阻
使用電阻測定器(數位萬用表7565，橫河電機(股份))，測定連接結構體之初期導通電阻。若初期導通電阻為0.5Ω以下，則可評價為良好。2種連接結構體之初期導通電阻均為0.5Ω以下。
(b)導通可靠性
將用於初期導通電阻之測定之連接結構體投入至設定為溫度85℃、濕度85%之老化試驗器中，與初期導通電阻同樣方式，測定放置500小時後之導通電阻。該老化試驗後之導通電阻較理想為5Ω以下。2種連接結構體之老化試驗後之導通電阻均為5Ω以下，導通可靠性優異。
(c)短路發生率
關於與(3)同樣地所獲得之2種連接結構體，調查相鄰之配線間有無短路之發生。短路發生率較理想為50ppm以下。2種連接結構體之短路發生率均為50ppm以下。
藉由以上，確認到沒有發生由導電粒子之缺失所導致之導通不良、或由導電粒子之凝聚所導致之短路。
1A‧‧‧異向性導電膜
2‧‧‧絕緣接著劑
3‧‧‧導電粒子
4‧‧‧導電粒子分散層
5‧‧‧基材膜
P‧‧‧不良部位
Q‧‧‧標記
a‧‧‧異向性導電膜之連接時之行進方向
L1‧‧‧異向性導電膜之長邊方向上之不良部位與標記中心之距離
L2‧‧‧異向性導電膜之短邊方向上之不良部位與標記中心之距離

Claims (18)

  1. 一種異向性導電膜，其具有導電粒子以特定之格子排列、特定之並列配置或特定之粒子密度下之均勻分散之分散狀態分散於絕緣接著劑而成之導電粒子分散層，並且具備提示導電粒子之均勻分散之分散狀態之不良部位之位置資訊的不良部位提示手段，導電粒子之均勻分散之分散狀態之不良部位為於均勻分散之分散狀態中導電粒子缺失之部位及/或導電粒子凝聚之部位，於上述異向性導電膜設有標記來作為上述不良部位提示手段，且上述異向性導電膜具備不良部位資訊保持手段作為不良部位提示手段，上述不良部位資訊保持手段將不良部位之位置資訊記錄於記錄媒體。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述標記被設於距不良部位特定之距離。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，上述標記與不良部位於異向性導電膜之長邊方向之距離為5mm以內。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，上述標記被設於異向性導電膜之長邊方向之側緣附近。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，上述標記設於導電粒子分散層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其具有基材膜，且於該基材膜設有上述標記。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，上述標記係雷射 照射痕跡。
  8. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，異向性導電膜附帶有記錄有不良部位資訊之記錄媒體來作為不良部位資訊保持手段。
  9. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其具備異向性導電膜之管理用運算裝置作為不良部位資訊保持手段，能夠自該運算裝置取得不良部位資訊的識別標記被設於異向性導電膜。
  10. 一種貼合方法，係將申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜與電子零件貼合者，基於自不良部位提示手段所取得之不良部位之位置資訊，將異向性導電膜之非不良部位貼合於進行異向性導電連接之電子零件之端子或端子列之存在區域。
  11. 如申請專利範圍第10項之貼合方法，其中，於異向性導電膜具有基材膜之情形時，基於不良部位之位置資訊而自導電粒子分散層去除包含不良部位之特定區域，並將剩餘之非不良部位與電子零件貼合。
  12. 如申請專利範圍第10項之貼合方法，其中，基於不良部位之位置資訊而將包含不良部位之特定區域以排出之方式送出，並將剩餘之非不良部位與電子零件貼合。
  13. 如申請專利範圍第10項之貼合方法，其中，基於不良部位之位置資訊而將包含異向性導電膜之不良部位之特定區域切除，並將剩餘之非不良部位與電子零件貼合。
  14. 如申請專利範圍第10至13項中任一項之貼合方法，其中，藉由將識別標記之資訊發送至管理用運算裝置，而自管理用運算裝置取得不良部位資訊，並使用該不良部位資訊。
  15. 一種貼合裝置，係將申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜與電子零件貼合者，且具有：位置對準手段，其基於自不良部位提示手段所取得之不良部位之位置資訊，以異向性導電膜之非不良部位與電子零件之端子連接之方式，將異向性導電膜與電子零件位置對準；及按壓手段，其將異向性導電膜與電子零件貼合。
  16. 如申請專利範圍第15項之貼合裝置，其係用於申請專利範圍第1至7項中任一項之異向性導電膜的貼合裝置，且具有標記檢測裝置。
  17. 一種連接結構體，其係介隔申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜，將第1電子零件與第2電子零件異向性導電連接而成。
  18. 一種連接結構體之製造方法，其係介隔申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜，將第1電子零件與第2電子零件異向性導電連接。
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