TWI784252B - 線狀光源及面狀發光裝置 - Google Patents

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TWI784252B
TWI784252B TW109110602A TW109110602A TWI784252B TW I784252 B TWI784252 B TW I784252B TW 109110602 A TW109110602 A TW 109110602A TW 109110602 A TW109110602 A TW 109110602A TW I784252 B TWI784252 B TW I784252B
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Abstract

本發明之線狀光源具備：透光性基體，其具備具有長邊及短邊之長方形之第1主面、位於上述第1主面之相反側之第2主面、第1(長)側面及第2(短)側面；複數個發光裝置，其等具備發光元件、透光性構件及密封構件，且具備包含上述透光性構件之上表面的上表面；以及第1接合構件，其將上述透光性基體之上述第1主面與上述發光裝置之上述上表面接合；且於與上述透光性基體之上述第1側面正交之第1方向上，上述透光性基體之寬度與上述發光裝置之寬度相同。

Description

線狀光源及面狀發光裝置
本發明係關於一種線狀光源及面狀發光裝置。
作為液晶顯示裝置之背光源，已知有使用導光板、及使光自導光板之側面入射之光源之邊緣型之面狀發光裝置(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-036713號公報
期望薄型之邊緣型之面狀發光裝置。又，為了使液晶顯示裝置為窄邊緣，作為配置於導光板之側面之光源，期望自發光面起深度方向之寬度較小之光源。
因此，本發明之目的在於提供一種窄邊緣之面狀發光裝置、及深度方向之寬度較小之光源。
本發明之線狀光源具備以下構成。
一種線狀光源，其具備：透光性基體，其具備具有長邊及短邊之長方形之第1主面、位於上述第1主面之相反側之第2主面、與上述第1主面之長邊連續之第1側面、以及與上述第1主面之上述短邊連續之第2側面；複數個發光裝置，其等具備包括半導體積層體與電極之發光元件、配置於上述發光元件之發光面側且包含波長轉換構件之透光性構件、以及覆蓋上述發光元件之側面及上述透光性構件之側面之密封構件，且具備包含上述透光性構件之上表面且具有長邊與短邊的長方形之上表面、位於上述上表面之相反側且露出有上述電極之下表面、與上述上表面之長邊連續之長側面、以及與上述上表面之短邊連續之短側面；第1接合構件，其將上述透光性基體之上述第1主面與上述發光裝置之上述上表面接合；以及配線基板，其具備與上述發光裝置之上述電極電性連接之配線部；且於與上述透光性基體之上述第1側面正交之第1方向上，上述透光性基體之寬度與上述發光裝置之寬度相同；於與上述第2主面正交之第2方向上，上述發光裝置之寬度小於上述透光性基體之寬度，且大於上述配線基板之寬度。
藉此，可提供深度方向之寬度較小之線狀光源、及能夠實現窄邊緣 化之面狀發光裝置。
10,10A:透光性基體
11:第1主面
12:第2主面
12L:第2主面之長邊
12S:第2主面之短邊
13L:第1側面(長側面)
13S:第2側面(短側面)
14:凸部
15:凹部
20,20A:發光裝置
20U:上表面(光出射面)
20D:下表面(電極形成面)
20L:長側面
20S:短側面
21:發光元件
22:導光構件
23:透光性構件
24:密封構件
25:導電層
30:第1接合構件
40:配線基板
41:基材
42:配線部
43:貫通孔
50:第2接合構件
60:導電構件
70:光反射構件
80:吸嘴
81:雷射光源
82:雷射光
83:切斷刀
84:分注噴嘴
90:支持體
100,100A,100B,100C:線狀光源
211:半導體積層體
211U:發光面
211D:電極形成面
212:元件電極
231:第1透光性構件
232:第2透光性構件
1000:面狀發光裝置
1100:導光板
1110:第1平面
1120:第2平面
1130:光入射面(側面)
1200:光學片
圖1A係表示本發明之實施形態之線狀光源之一例之模式立體圖。
圖1B係表示實施形態之線狀光源之一例之模式立體圖。
圖1C係表示實施形態之線狀光源之一例之模式俯視圖。
圖1D係圖1C之ID-ID線上之模式剖視圖。
圖1E係圖1C之IE-IE線上之模式剖視圖。
圖2A係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2B係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2C係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2D係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2E係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2F係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖2G係表示線狀光源之製造步驟之一例之局部放大模式剖視圖。
圖3A係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之一例之模式立體圖。
圖3B係圖3A之IIIB-IIIB線上之模式剖視圖。
圖3C係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之一例之模式圖。
圖4A係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4B係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一 例之模式剖視圖。
圖4C係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4D係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4E係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4F係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4G係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖4H係表示實施形態之線狀光源所使用之發光裝置之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖5係表示本發明之實施形態之線狀光源之一例之模式剖視圖。
圖6A係表示本發明之實施形態之線狀光源之一例之模式剖視圖。
圖6B係表示圖6A所示之實施形態之線狀光源之製造步驟之一例之模式剖視圖。
圖7係表示本發明之實施形態之線狀光源之一例之模式剖視圖。
圖8A係表示本發明之實施形態之面狀發光裝置之一例之模式俯視圖及局部放大模式俯視圖。
圖8B係圖8A之VIIIB-VIIIB線上之模式剖視圖。
圖9係表示本發明之實施形態之面狀發光裝置之一例之模式剖視圖。
以下，基於圖式對本發明詳細地進行說明。再者，於以下之說明中，視需要使用表示特定之方向或位置之用語(例如，「上」、「下」及包含其等用語之其他用語)，但其等用語之使用係為了使參照圖式之發明之理解容易，並非利用其等用語之含義限制本發明之技術範圍。又，本發明中，所謂「正交」，只要未特別提及其他內容，則包含2條直線、邊、面等處於自90度±5度左右之範圍之情形。又，所謂長度、大小等「相同」，只要未特別提及其他內容，則包含各值處於±10%左右之範圍之情形。
又，複數個圖式中所示之相同符號之部分表示相同或同等之部分或構件。又，各構件例如於硬化之前後或切斷之前後等狀態或形狀等不同之情形時，亦使用相同名稱。
進而，以下所示之實施形態係例示用以使本發明之技術思想具體化之線狀光源及面狀發光裝置者，並不將本發明限定於以下。又，以下記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等只要無特定記載，則旨在進行例示而非將本發明之範圍僅限定於此。又，一實施形態、實施例中說明之內容亦可應用於其他實施形態、實施例。又，圖式表示之構件之大小或位置關係等存在為使說明明確而誇大之情況。
實施形態之線狀光源係可用作邊緣型之面狀發光裝置之光源之細長之線狀光源。線狀光源於組入至面狀發光裝置時，可使光自導光板之側面入射。可於1個面狀發光裝置中組入1個或複數個線狀光源。
線狀光源主要具備透光性基體、發光裝置及配線基板。透光性基體與發光裝置藉由第1接合構件而接合。發光裝置與配線基板藉由第2接合構件而接合。即，線狀光源自光出射面側起依次配置有透光性基體、第1接合構件、發光裝置、第2接合構件、配線基板。
透光性基體具備單一之透光性構件。
透光性基體具備具有長邊及短邊之第1主面、以及位於第1主面之相反側之第2主面。進而，透光性基體具備與光出射面之長邊連續之第1側面、及與光出射面之短邊連續之第2側面。第1主面係供來自發光裝置之光入射之光入射面，第2主面係向外部出射光之光出射面。
發光裝置主要具備發光元件、透光性構件及密封構件。發光裝置不具備硬質基板。發光元件具備半導體積層體與元件電極。透光性構件亦可藉由導光構件而與發光元件之發光面接合。密封構件覆蓋發光元件之側面及透光性構件之側面，使發光元件之元件電極之一部分露出。自密封構件露出之元件電極作為發光裝置之電極發揮功能。又，自密封構件露出之元件電極亦可由導電層覆蓋。導電層亦可同時延伸至密封構件之上。再者，有時亦將元件電極或導電層稱為發光裝置之電極。
發光裝置具備包含透光性構件之上表面的上表面、及為上表面之相反側且露出有導電層之下表面。上表面及下表面呈具有長邊與短邊之長方 形，且具備與上表面之長邊連續之一對長側面、及與上表面之短邊連續之短側面。
此處，將與透光性基體之第1側面正交之方向設為第1方向。線狀光源具備接合於發光裝置之光出射面之透光性基體，於第1方向上，透光性基體之寬度與發光裝置之寬度相同。
於第1方向上，透光性基體之寬度與發光裝置之寬度相同，藉此，可抑制第1方向上之線狀光源之寬度變大。又，藉由利用透光性基體支持複數個發光裝置，即便於發光裝置本身之強度較低之情形時，亦能夠使作為線狀光源之強度提高。
又，來自線狀光源內之複數個發光裝置之光入射至1個透光性基體內之後，以包含在其內部與自其他發光裝置出射之光混合後之光之混合光之形式出射至外部。即，自線狀光源出射之光於組入至面狀發光裝置之前成為混合光。因此，當組入至面狀發光裝置時，以預先混合後之光之形式自導光板之側面入射。藉此，與不具備透光性基體之線狀光源相比，出射光中亮度不均色不均較少。
線狀光源之光出射面係與面狀發光裝置之導光板之側面對向地配置。因此，藉由抑制第1方向上之線狀光源之寬度變大，而可抑制導光板之側面之長度、即導光板之厚度變大。藉此，可製成薄型之面狀發光裝置。
進而，藉由線狀光源具備透光性基體，無須利用配線基板確保線狀光源之機械強度。因此，例如可使用可撓性基板等較薄之配線基板。藉此，可減小線狀光源之自光出射面起深度方向(Z方向)之寬度。將此種面狀發光裝置組入至液晶顯示裝置時，可製成窄邊緣之液晶顯示裝置。
<實施形態1>
於圖1A~圖1E中表示實施形態1之線狀光源。圖1A及圖1B係本實施形態之線狀光源100之模式立體圖。圖1C係本實施形態之線狀光源100之模式俯視圖，圖1D表示圖1C之ID-ID線上之剖視圖，圖1E表示圖1C之IE-IE線上之剖視圖。
線狀光源100具備透光性基體10與複數個發光裝置20。進而，線狀光源100可具備配線基板40。透光性基體10與發光裝置20藉由第1接合構件30而接合。發光裝置20與配線基板40藉由第2接合構件50而接合。發光裝置20與配線基板40係利用導電構件60電性連接。
透光性基體10具有：長方形之第1主面11，其具有長邊11L及短邊11S；及第2主面12，其位於第1主面11之相反側。進而，透光性基體10具有與第1主面11之長邊11L連續之第1側面(長側面)13L、及與第1主面11之短邊11S連續之第2側面(短側面)13S。於與透光性基體10之第1側面13L正交之第1方向上，透光性基體10之寬度與發光裝置20之寬度相同。進而，於實施形態1中，發光裝置20與鄰接之發光裝置20相接。此外，如圖1D所示，於與第2主面12正交之第2方向(Z方向)上，發光裝置20之寬度小於透光性基體10之寬度，且大於配線基板40之寬度。
實施形態1之線狀光源100係於與透光性基體10之第1側面13L正交之第1方向上，透光性基體10之寬度與發光裝置20之寬度相同。藉由在光出射面側具備透光性基體10，可減小線狀光源100之自光出射面起深度方向(Z方向)之寬度。
進而，實施形態1之線狀光源100係以鄰接之發光裝置20彼此相接之方式配置，藉此，自線狀光源100之光出射面(透光性基體10之第2主面12)出射之光之強度容易變得均勻。進而，與使發光裝置20分開而配置之情形相比，能夠獲得較高之光輸出，並且能夠以更短之距離獲得均勻之發光，因此，可製成可實現更窄邊緣之液晶顯示裝置之面狀發光裝置。
再者，第1方向係與圖1A所示之X方向相同之方向。又，將與第1側面13L平行之方向且沿著透光性基體10之長度方向之方向(與第2側面13S正交之方向)設為第2方向或Y方向，將與第1主面11正交之方向稱為第3方向或Z方向。
線狀光源100中包含之複數個發光裝置20只要至少鄰接之2個發光裝置20彼此相接即可。例如，較佳為複數個發光裝置20之50%以上與鄰接之發光裝置20相接，更佳為所有發光裝置20與鄰接之發光裝置20相接。再者，較佳為鄰接之發光裝置20之對向之短側面20S中，至少上表面(光出射面)20U側之短側面20S之部分相接。
即，較佳為以於透光性基體10之第1主面(入射面)中發光裝置20之上 表面(光出射面)20U連續之方式配置。又，並非有意地相隔而於設計上以相接之方式配置者、且形成公差內之微小間隙者實質上包含於實施形態1。
又，於實施形態1中，可將使透光性基體10與發光裝置20接合之第1接合構件30以與複數個發光裝置20相接之方式連續地配置。即，並非針對每一個發光裝置20配置複數個第1接合構件30，可針對複數個發光裝置20設為1個第1接合構件30。藉此，可使線狀光源100之製造步驟中形成第1接合構件30之步驟簡化。進而，藉由亦具備將來自發光裝置20之光向透光性基體10導光之功能之第1接合構件30連續，可降低發光裝置20間之光之損失。第1接合構件30可設為能夠將至少2個發光裝置20接合之大小，較佳為設為能夠將所有發光裝置20接合之大小。
以下，對各構件詳細地進行敍述。再者，關於以下之構件，只要未特別提及其他內容，則係對各實施形態而言共通之構成。
(透光性基體)
透光性基體10係將來自發光裝置20之光導光，並使之向外部出射之構件。即，係構成線狀光源100之光出射面之構件。
又，透光性基體10係亦作為支持複數個發光裝置20之支持體發揮功能之構件。藉此，即便為不具備玻璃環氧樹脂或BT(Bismaleimide Triazine，雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂等具有剛性之基板之發光裝置20，亦可 藉由透光性基體10使線狀光源100之強度提高。
透光性基體10係第2方向(Y方向)之長度較發光裝置20之上表面(光出射面)20U之長度長之長條狀之構件。透光性基體10之長度可根據目的或用途、進而面狀發光裝置之大小等而適當選擇。
透光性基體10例如可設為大致長方體。詳細而言，如圖1A等所示，透光性基體10具備：長方形之第2主面12，其具有長邊12L及短邊12S；及長方形之第1主面11，其位於第2主面12之相反側。進而，透光性基體10具備與第2主面12之長邊12L連續之2個第1側面13L、及與第2主面12之短邊12S連續之2個第2側面13S。
透光性基體10之第1主面11係與發光裝置20之上表面(光出射面)20U接合之面。透光性基體10之第1主面11係如複數個發光裝置20可沿著第1主面11之長度方向即第2方向(Y方向)配置複數個之長度。例如，於發光裝置20之上表面(光出射面)20U呈1mm×0.3mm之長方形之情形時，透光性基體10之第1主面11可將短邊設為0.3mm且將長邊設為2mm~40cm(設想以1根線狀光源應對最大17英吋顯示器之情況，於超過17英吋之情形時藉由使用複數根來應對)。
透光性基體10之第2主面12係構成線狀光源100之光出射面之面。即，第2主面12係當組入至面狀發光裝置時，與導光板之側面(光入射面)對向地配置之面。
透光性基體10之第2主面12呈包含長邊12L及短邊12S之長方形。於透光性基體10呈長方體之情形時，第1主面11之長邊與第2主面12之長邊為相同長度，第1主面11之短邊與第2主面12之短邊為相同長度。又，透光性基體10之第2主面12之短邊12S之長度與發光裝置20之第1方向之長度大致相同。
透光性基體10之各面可分別設為平坦面。第1主面11與第2主面12較佳為平行。2個第1側面13L較佳為平行。又，2個第2側面13S亦可平行。第1主面11與第2主面12較佳為大致相同之大小，且較佳為大致相同之形狀。但，不限於此，第1主面11與第2主面12亦可為不同大小，亦可為不同形狀。
2個第1側面13L較佳為相同大小，且較佳為相同形狀。但，不限於此，2個第1側面13L亦可為不同大小，亦可為不同形狀。又，2個第2側面13S較佳為相同大小，且較佳為相同形狀。但，不限於此，2個第2側面13S亦可為不同大小，亦可為不同形狀。
透光性基體10較佳為使用能夠使自發光裝置20之發光元件21出射之光中之80%以上透過之透光性構件。特佳為僅由下述之透光性材料構成者。藉此，可使來自發光裝置20之光高效率地通過透光性基體10內並向外部出射。
透光性基體10較佳為使用折射率較發光裝置20之透光性構件23高者。藉此，可使來自發光裝置20之光高效率地入射至透光性基體10內。透光性基體10之折射率例如可設為1.4~1.7。
透光性基體10較佳為使用剛性較發光裝置20高之材料。藉此，即便發光裝置20為不具備硬質基板等剛性較高之基板之構造，亦可使線狀光源100之強度提高。進而，藉由具備剛性較高之透光性基體10，可減少發光裝置20之破損。透光性基體10之剛性例如彎曲彈性模數可設為1000~10000MPa。
進而，透光性基體10較佳為使用線膨脹係數為與發光裝置20之線膨脹係數接近之值之材料。透光性基體10之線膨脹係數例如可設為4~50×10ˆ5/℃。藉此，可減少線狀光源100之翹曲。
作為透光性基體10之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯等熱塑性樹脂、環氧樹脂、矽酮等熱固性樹脂等樹脂材料或玻璃等光學透明之材料。尤其是，熱塑性之樹脂材料可藉由射出成型而高效率地製造，因而較佳。其中，較佳為透明性較高且廉價之聚碳酸酯。
此種透光性基體10可使用模具等成型而準備，或者，亦可購買而準備。
(發光裝置)
發光裝置20係作為線狀光源100之光源發揮功能之構件。於圖3A、圖3B中表示發光裝置20之一例。發光裝置20具備發光元件21、透光性構件23及密封構件24。發光裝置20例如可設為如圖3A所示之大致長方體。詳細而言，發光裝置20具備：長方形之上表面20U，其具有長邊及短邊；及長方形之下表面20D，其位於上表面20U之相反側。
發光裝置20之上表面20U與下表面20D為大致相同之大小，且為大致相同之形狀。發光裝置20之上表面20U包含透光性構件23之上表面、及包圍該透光性構件23之周圍之密封構件24之上表面。發光裝置20之上表面20U亦為發光裝置20之光出射面。
發光裝置20之下表面20D包含電極(元件電極)212、及包圍該元件電極212之周圍之密封構件24。發光裝置20之下表面20D亦為發光裝置20之電極形成面。
發光裝置20具備與上表面20U之長邊連續之2個長側面20L、及與上表面20U之短邊連續之2個短側面20S。2個長側面20L為相同大小，且為相同形狀。2個短側面20S為相同大小，且為相同形狀。發光裝置20之長側面20L及短側面20S僅由密封構件24構成。
此種發光裝置20係於1個線狀光源100中配備有複數個。於圖1A等中例示具備3個發光裝置20之線狀光源100。各發光裝置20可分別為相同大小，亦可一部分或全部為不同大小。較佳為各發光裝置20為相同大小。各 發光裝置20可具備1個或2個發光元件21。各發光裝置20之發光色可相同，亦可不同。例如，發光裝置20之發光色可設為白色、藍色、綠色、紅色之任一種。又，亦可使用發出紫外線光之發光裝置20。
發光裝置20之發光元件21具備半導體積層體211與元件電極212。發光元件21可利用公知之半導體發光元件。例如，可使用發光二極體作為發光元件21。發光元件21主要具備提取發光之發光面211U、及與發光面211U為相反側之電極形成面211D。一對元件電極212係配置於發光元件21之同一面側。
發光元件21例如具備半導體積層體211，該半導體積層體211具備藍寶石等之透光性基板、及積層於透光性基板上之半導體層。再者，亦可為不具備透光性基板之半導體積層體211。半導體積層體211包含發光層、以及隔著發光層之n型半導體層及p型半導體層，於n型半導體層及p型半導體層分別電性連接作為元件電極212之n側電極及p側電極。
發光元件21可選擇出射任意波長之光之元件。例如，作為出射藍色、綠色之光之元件，例如可使用利用氮化物系半導體(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)之發光元件。可根據半導體層之材料及其混晶度選擇各種發光波長。使用之發光元件之組成、發光色、大小、個數等只要根據目的適當選擇即可。於發光裝置20具備波長轉換構件之情形時，發光元件21較佳為具備能夠出射可高效率地激發波長轉換構件之短波長之光的氮化物半導體(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)。
發光元件21之發光面211U較佳為於俯視下呈長方形。發光元件21之大小於俯視下，例如可設為長邊為200μm~2000μm、短邊為200μm×500μm且厚度為200μm~800μm。
發光裝置20之透光性構件23係構成發光裝置20之光出射面20U之構件，於發光裝置20之上表面20U中露出。透光性構件23可與發光元件21之發光面211U直接接合，或者，亦可介隔下述之導光構件22與發光元件21之發光面211U接合。
透光性構件23係至少使來自發光元件21之光透過之透光性，使自發光元件21出射之光之60%以上透過，較佳為使90%以上透過。作為透光性構件23之材料，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂等透光性之熱固性之樹脂材料等。透光性構件23之厚度例如為100μm~200μm。
透光性構件23除了包含上述透光性材料以外，還可包含使來自發光元件21之光轉換為不同波長之光之波長轉換構件。又，透光性構件23可由單一之層構成，或者，亦可為由複數個層積層而成之積層構造。例如，亦可使包含波長轉換構件之第1透光性構件231與實質上不含波長轉換構件之第2透光性構件232積層。圖3B所示之透光性構件23係例示如下積層構造之透光性構件23，其係於靠近發光元件21之側(下側)配置包含波長轉換構件之第1透光性構件231，並於其上積層實質上不含波長轉換構件之第2透光性構件232而成。
可於1個波長轉換構件中包含1種或複數種螢光體。作為螢光體，例如可列舉YAG(Yttrium Aluminium Garnet，釔鋁石榴石)系螢光體、β賽隆螢光體或KSF系螢光體等氟化物系螢光體等。複數種螢光體可混合使用，或者，亦可積層而使用。例如，可使用出射藍色系之光之發光元件21，且包含進行綠色系之發光之β賽隆螢光體與進行紅色系之發光之KSF系螢光體等氟化物系螢光體作為螢光體。藉由使用如此之2種螢光體，可擴大線狀光源100及使用其之面狀發光裝置之色再現範圍。又，螢光體亦可為量子點。
螢光體可於波長轉換構件之內部任意地配置。例如，螢光體可於波長轉換構件之內部大致均勻地分佈，亦可偏集存在於一部分。
包含波長轉換構件之第1透光性構件231亦可進而包含光擴散物質。作為光擴散物質，例如可列舉SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO等之微粒子。
導光構件22係將發光元件21與透光性構件23接合之構件。導光構件22係透光性，使自發光元件21出射之光之60%以上透過，較佳為使90%以上透過。因此，導光構件22可包含擴散構件等，亦可僅由不包含擴散構件等之透光性之樹脂材料構成。
導光構件22亦可被覆發光元件21之側面(連接發光面211U與電極形成面211D之面)。藉此，可將朝發光元件21之側面方向出射之光有效率地提 取至導光構件22內而提高線狀光源100之光提取效率。
作為導光構件22之材料，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂等透光性之熱固性之樹脂材料等。
發光裝置20之密封構件24係保護發光元件21之構件，覆蓋發光元件21之側面。密封構件24不覆蓋發光元件21之元件電極212之下表面。詳細而言，密封構件24係以覆蓋發光元件21之半導體積層體211之下表面與發光元件21之元件電極212之側面的方式配置。
密封構件24較佳為覆蓋透光性構件23之側面。進而，於具備使發光元件21與透光性構件23接合之導光構件22之情形時，密封構件24較佳為覆蓋導光構件22之側面。密封構件24較佳為以將發光元件21或導光構件22之側面與透光性構件23之側面一體地覆蓋之方式配置。但，根據製造方法，覆蓋發光元件21或導光構件22之側面之密封構件與覆蓋透光性構件23之側面之密封構件亦可為獨立個體。
密封構件24對於自發光元件21出射之光具有60%以上之反射率，較佳為具有90%以上之反射率。密封構件24之材料較佳為含有白色之顏料等之樹脂材料。特佳為含有氧化鈦之矽酮樹脂或環氧樹脂。
發光裝置亦可進而具備導電層。圖3B所示之發光裝置20不具備導電層，而元件電極212之下表面自密封構件24露出。即，元件電極212亦為 發光裝置20之電極。與此相對，於圖3C所示之發光裝置20A，雖然元件電極212之下表面自密封構件24露出，但未露出於外部，而由導電層25覆蓋。例如，於發光元件21之元件電極212為銅(Cu)之類之容易氧化之材料之情形時，藉由利用使用與其相比不易氧化之金屬材料之導電層25覆蓋，可抑制元件電極212之氧化。具備此種導電層25之發光裝置20A亦可用於線狀光源100及面狀發光裝置。
導電層25可設為僅覆蓋自密封構件24露出之元件電極212之大小。或者，可設為覆蓋元件電極212與密封構件24之兩者之大小。尤其是，為了與下述之配線基板電性連接，較佳為於密封構件24上亦形成導電層25。藉此，可增大能夠電性導通之區域之面積，因此，可使得容易導電。進而，可減小電阻。導電層25可於發光裝置20之下表面20D中到達至端部為止，亦可與端部分開。
此種導電層25之材料可為單一之層，亦可設為由複數個層積層而成之積層構造。作為導電層25之材料，例如可列舉Ti、Ni、Cu、Al、Ag、Au、Ru、Pt等。於設為積層構造之情形時，例如可設為按照Ti/Ni/Au之順序積層而成之積層構造。導電層25之厚度可設為0.01μm~3μm。此種導電層25可藉由濺鍍、蒸鍍、印刷、鍍覆、雷射轉印等形成。
(第1接合構件)
第1接合構件30係將透光性基體10與發光裝置20接合之透光性構件。第1接合構件30亦具備使自發光裝置20出射之光傳播至透光性基體10之功 能。
第1接合構件30係透光性，使自發光裝置20出射之光之60%以上透過，較佳為使90%以上透過。又，第1接合構件30較佳為具有與透光性基體10或發光裝置20之透光性構件23之材料相同程度之折射率之材料。例如，作為第1接合構件30之材料，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂、將該等混合而成之樹脂等透光性材料。
(配線基板)
配線基板40具備與外部電源連接之配線部42、及保持配線部42之絕緣性之基材41。配線部42例如可設置於基材41之一面或兩面。於基材41為積層構造之情形時，配線部42亦可以夾於基材41之間之方式設置。於圖1D所示之例中，例示於基材41之一面(僅下表面)具備配線部42之配線基板40。又，露出於外部之配線部42亦可將與外部電源電性連接之部分除外而利用與基材不同之絕緣性之保護構件等被覆。
配線基板40係使用第2接合構件50而接合於發光裝置20之下表面20D側。配線基板40可設為與透光性基體10之大小相同之大小。或者，配線基板40可大於透光性基體10之大小。例如，於使用可撓性基板作為配線基板40之情形時，例如，藉由使用在第2方向(Y方向)上較透光性基體10長之配線基板40，可使相較透光性基體10之端部進一步延出之部分(於俯視下與透光性基體10不重疊之部分)之配線基板40變形為所期望之形狀而與外部電源連接。如此，與透光性基體10不重疊之部分除了如上述般自透 光性基體10之端部沿第2方向延出以外，亦可自透光性基體10之第1側面13L側之任意位置延出。
作為配線基板40之基材41之材料，例如可使用樹脂。作為具體之材料，可列舉酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、BT樹脂、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、不飽和聚酯、玻璃環氧樹脂等複合材料等。
配線基板40之配線部42例如係設置於基材41上之導電箔(導體層)，與複數個發光裝置電性連接。配線部42之材料較佳為具有較高之導熱性。作為此種材料，例如可列舉銅等導電材料。又，配線部42可藉由鍍覆或導電性漿料之塗佈、印刷等而形成，配線部42之厚度例如為5~50μm左右。
(第2接合構件)
第2接合構件50係將配線基板40與發光裝置20接合之構件。作為第2接合構件50之材料，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂或將該等混合所得之樹脂等。
第2接合構件50可藉由印刷、噴霧、分注等而形成。又，第2接合構件50亦可作為接著層而預先設置於配線基板40之一面。
(導電構件)
導電構件60係用以將發光裝置20與配線基板40電性連接之構件。詳細而言，以與發光裝置20之電極(元件電極212或導電層25)及配線基板40與配線部42之兩者相接之方式配置。
可於發光裝置20之電極(於元件電極212或導電層25與配線基板40之配線部42對向地配置之情形時為電極(元件電極212或導電層25))與配線部42之間配置焊料或銀漿等而接合。
導電構件60可僅配置於貫通孔43之內部，亦可延出至貫通孔43之周圍之配線部42之表面而設置。圖1D所示之導電構件60中，設置於配線基板40之下表面之部分之寬度較貫通孔43內之寬度寬。
作為導電構件60之材料，例如可列舉Ag漿、Au漿、Pt漿、Pd漿、Cu漿、碳漿或其等之混合物等。
此種線狀光源可利用主要具備以下步驟之製造方法而獲得。
(1)準備透光性基體之步驟
(2)準備發光裝置之步驟
(3)於透光性基體上配置第1接合構件之步驟
(4)將發光裝置接合於第1接合構件上之步驟
(5)將配線基板接合於發光裝置上之步驟
一面參照圖式，一面對本實施形態之線狀光源100之製造方法之各步 驟進行說明。
(1)準備透光性基體之步驟
準備透光性基體10。透光性基體10例如可藉由以射出成型或轉注成形、熱轉印等成形而準備。或者，亦可購買而準備。透光性基體10可準備用於1個線狀光源100之大小之透光性基體10，或者，亦可準備具有相當於複數個線狀光源100之寬度或長度之大小之透光性基體10，於步驟內之任意階段切斷。於圖2A~圖2G中，列舉使用成為1個線狀光源100之大小之透光性基體10之情形為例進行說明。
(2)準備發光裝置之步驟
準備如圖3A、圖3B所示之發光裝置20。此種發光裝置20例如可藉由經過圖4A~圖4H所示之步驟之一部分或全部進行製造而準備。或者，發光裝置20亦可購買而準備。
首先，準備平板狀或片狀之支持體90。此處，準備能夠載置複數個發光元件21之大小之支持體90。於支持體90上，如圖4A所示，將發光元件21隔開固定之間隔而配置複數個。此時，使發光元件21之元件電極212與支持體90對向而配置。發光元件21較佳為使用接著劑固定於支持體90上。亦可準備預先具備接著劑之支持體90。
繼而，如圖4B所示，於發光元件21上配置導光構件22。作為導光構件22之配置方法，例如可列舉如圖4B所示使用分注噴嘴84噴出液狀之導 光構件22而配置於發光元件21上之方法。除此以外，亦可使用針轉印、印刷等方法。此處，圖示出僅於發光元件21之上表面配置有導光構件22之例，但亦可將導光構件22配置至發光元件21之側面。
繼而，如圖4C所示，於導光構件22上載置透光性構件23。此處，例示使用吸嘴80使預先形成之透光性構件23吸附而載置於發光元件21上之方法。又，作為透光性構件23，圖示出使用包含螢光體之第1透光性構件231與實質上不含螢光體之第2透光性構件232之積層構造之透光性構件23之例。於使用此種積層構造之透光性構件23之情形時，使第1透光性構件231朝向發光元件21側而載置透光性構件23。
導光構件22亦可藉由被發光元件21之上表面與透光性構件23夾住並自上方向按壓，而自發光元件21與透光性構件23之間於橫向上伸出。藉此，如圖4D所示，以覆蓋發光元件21之側面之方式形成導光構件22。
繼而，如圖4E所示，以填埋至發光元件21上之透光性構件23之上表面為止之方式形成密封構件24。作為密封構件24之形成方法，可列舉射出成型、轉注成形、壓縮成形、印刷、灌注、噴霧等。
繼而，如圖4F所示，將密封構件24之表面去除，使透光性構件23露出。此時，亦可將透光性構件23之一部分一起去除。此處，圖示出第2透光性構件232之一部被去除之例。再者，於形成密封構件24之步驟中，以不填埋透光性構件23之上表面之方式形成密封構件24之情形時，可省略 該步驟。作為密封構件24之去除方法，可列舉使用磨石之研磨或利用車刀之切削、噴砂等。
繼而，如圖4G所示，將鄰接之發光元件21之間之密封構件24使用切斷刀83切斷，藉此，可獲得如圖4H所示之經小片化之發光裝置20。
於如圖3C所示之具有導電層25之發光裝置20A之情形時，例如，於如圖4F所示使透光性構件23自密封構件24露出之步驟之後，進行如下步驟，即，於透光性構件23側貼附其他支持體並將元件電極212側之支持體90去除，形成導電層25。
(3)於透光性基體上配置第1接合構件之步驟
此處，返回至圖2B繼續說明。於所準備之透光性基體10上配置第1接合構件30。配置第1接合構件30之方法可列舉對液狀之第1接合構件30進行印刷、噴霧、灌注等。又，亦可貼附預先成形之黏著性之片材作為第1接合構件30。
(4)將發光裝置接合於第1接合構件上之步驟
繼而，如圖2C所示，將發光裝置20配置並接合於第1接合構件30上。此時，以第1接合構件30與發光裝置20之上表面(光出射面)20U對向之方式配置。又，亦可沿著透光性基體10之長側面13L配置高度較長側面13L高之導引構件來配置發光裝置20，使得容易將發光裝置20排列而配置。
(5)將配線基板接合於發光裝置上之步驟
繼而，準備配線基板40。於圖2D所示之例中，例示僅於基材41之一面具備配線部42之配線基板40。此處，表示準備不具備貫通孔之配線基板40且於不具備配線部42之側之面預先接合有第2接合構件50之例。
將所準備之配線基板40如圖2E所示經由第2接合構件50與發光裝置20接合。於該階段，發光裝置20之電極(元件電極212或導電層25)與配線基板40之配線部42未電性連接。
再者，作為配線基板40，可藉由購買等而準備預先形成有貫通孔之配線基板40。或者，亦可藉由購買等而準備不具有貫通孔之配線基板40之後形成貫通孔，藉此，準備具備貫通孔之配線基板40。
繼而，如圖2F所示，形成貫通配線基板40(配線部42與基材41)與第2接合構件50之貫通孔43。貫通孔43之位置係配置有發光裝置20之電極(元件電極212或導電層25)之位置。貫通孔43之形成方法例如可列舉雷射光照射、鑽孔等。圖2F表示照射來自雷射光源81之雷射光82而形成貫通孔43之例。再者，於使用預先具備貫通孔之配線基板40之情形時，於該階段形成貫通孔之步驟可省略。
繼而，如圖2G所示，於貫通孔43內配置導電構件60。導電構件60之配置方法可列舉印刷等。
以如上方式，可獲得線狀光源100。
<實施形態2>
於圖5中表示實施形態2之線狀光源。
於實施形態2之線狀光源100A中，亦於光出射面側具備透光性基體10。藉此，可減小線狀光源100A之自光出射面起深度方向(Z方向)之寬度。於與透光性基體10之第1側面正交之第1方向(X方向)上，透光性基體10之寬度與發光裝置20之寬度相同。線狀光源100A係於使用長方體狀之透光性基體10之方面與實施形態1之線狀光源100相同，於複數個發光裝置相互分開地配置之方面與實施形態1之線狀光源100不同。以下，主要以與實施形態1不同之方面為中心進行說明。
實施形態2之線狀光源100A藉由複數個發光裝置20分開地配置，可相較實施形態1所示之線狀光源100減少發光裝置20之數量。藉此，可使線狀光源100A低成本化。進而，藉由減少發光裝置20之數量，可使線狀光源100A輕量化。又，藉由與鄰接之發光裝置20分開而配置，例如可使得於因驅動時產生之熱導致透光性基體10伸縮之情形時發光裝置20不易變形或破損。
線狀光源100A中包含之複數個發光裝置20可使其全部等間隔地分開而配置，亦可使一部分或全部以不同之間隔分開而配置。較佳為以全部等 間隔地分開之方式配置發光裝置。
發光裝置20分開之距離可根據發光裝置20之大小或配光特性、透光性基體10之大小或者線狀光源100A所要求之亮度等而適當選擇。例如，關於圖5所示之線狀光源100A，表示以發光裝置20之寬度之10%左右之分開距離配置發光裝置20之例。不限於此，可以相對於發光裝置20之寬度為例如5%~200%之分開距離配置發光裝置20。再者，如與實施形態1接近之配置、即並非有意地設置分開距離而於製造步驟中將發光裝置20彼此相接地配置，其結果為介隔空氣層配置者包含於實施形態1。
於實施形態2中，發光裝置20分開，因此，透光性基體10之第1主面11中未配置發光裝置20之區域可配置空氣層或光反射構件70。較佳為於發光裝置20間之第1主面11上配置光反射構件70。藉此，即便於來自發光裝置20之光入射至透光性基體10之第1主面11之後，其光之一部分於第2主面12反射並朝第1主面11側導光之情形時，亦可抑制光自發光裝置20間之第1主面11洩漏。
此種光反射構件70較佳為以覆蓋於發光裝置20之間露出之透光性基體10之第1主面11之至少50%~100%之方式配置，更佳為覆蓋全部。又，較佳為發光裝置20之側面(與鄰接之發光裝置20對向)亦由光反射構件70覆蓋。於該情形時，較佳為覆蓋發光裝置20之側面之面積之50%~100%，更佳為進而覆蓋90%以上。藉此，即便於發光裝置20之密封構件24之厚度較薄之情形時，亦可抑制來自發光裝置20之光自密封構件24漏出。
進而，較佳為將光反射構件70如圖5所示以填埋發光裝置20之間之空間之整體之方式設置。藉此，可使配線基板40與光反射構件70接合，可穩定地配置配線基板40。
光反射構件70對於自發光裝置出射之光具有60%以上之反射率，較佳為具有90%以上之反射率。光反射構件70之材料較佳為含有白色之顏料等之樹脂材料。特佳為含有氧化鈦之矽酮樹脂。又，光反射構件70之材料亦可使用與發光裝置20之密封構件24之材料相同之材料。
於實施形態2中，發光裝置20分別分開而接合於透光性基體10，因此，第1接合構件30可針對每個發光裝置20分開而配置。或者，可以與分開配置之複數個發光裝置20接合之大小配置第1接合構件30。於圖5中，例示與3個發光裝置20連續之第1接合構件30。
<實施形態3>
於圖6A中表示實施形態3之線狀光源。於實施形態3之線狀光源100B中，亦於光出射面側具備透光性基體10A。藉此，可減小線狀光源100B之自光出射面起深度方向(Z方向)之寬度。於與透光性基體10A之第1側面正交之第1方向上，透光性基體10A之寬度與發光裝置20之寬度相同。線狀光源100B係於複數個發光裝置20相互分開地配置之方面與實施形態2相同，於在發光裝置20之間配置有透光性基體10A之一部分之方面與實施形態2之線狀光源100A不同。換言之，於實施形態3中，於如下方面不同， 即，透光性基體10A並非長方體，於發光裝置20之間配置有自接合有發光裝置20之第1主面11突出之凸部14。換言之，具備凸部14亦可謂為透光性基體10A如圖6B所示為具備將第1主面11作為底面之凹部15之形狀。以下，主要以與其他實施形態不同之方面為中心進行說明。
實施形態3之線狀光源100B中，透光性基體10A具備凸部14，且於其凸部14之間之第1主面11配置發光裝置20。換言之，於凹部15之底面即第1主面11配置發光裝置20。凸部14之間之凹部15係於2個第1側面開口。即，配置於凹部15內之發光裝置20之長側面係於凸部14之間露出於外部。發光裝置20之短側面係與凸部14之側面對向地配置。
配置發光裝置20之第1主面11由凸部14分斷，因此，容易辨識透光性基體10A之第1主面11中載置發光裝置20之位置，而容易進行發光裝置20之定位。圖6B係表示使用吸嘴80於透光性基體10A上配置發光裝置20之步驟之圖，由於如此配置凹部15之底面即第1主面11之各第1接合構件30，故亦不易產生發光裝置20之位置偏移。
又，透光性基體10A之凸部14位於發光裝置20之側方，發光裝置20成為夾於凸部14之間之構成。藉此，可使線狀光源100B之強度提高。又，不易產生對線狀光源100B自Z方向施加力之情形時於透光性基體10A與發光裝置20之間剝落等問題。
第1方向(X方向)上之凸部14之寬度可設為與第1主面11之寬度相同之 寬度或較第1主面11之寬度小之寬度。凸部14之寬度例如可設為第1主面11之寬度之10%~100%，較佳為與第1主面11之寬度相同之寬度。
第2方向(Y方向)上之各凸部14之寬度可分別全部相同，亦可一部分或全部不同。較佳為第2方向上之凸部14之寬度全部相同。
又，第1方向(X方向)上之各凸部14之寬度可設為自凸部14之下端至上端為相同寬度，即，凸部14之側面(作為第1側面之一部分之側面)相對於第1主面11垂直。或者，亦可使凸部14之上端之寬度小於下端之寬度。例如，凸部14之上端之寬度可設為下端之寬度之90%~100%。於該情形時，凸部14之側面(作為第1側面之一部分之側面)可具有階差，或者，亦可為傾斜面。將凸部14之側面設為傾斜面之情形時，可相對於第1主面11例如朝對向之側面側傾斜85度~90度。
凹部15之側面(凸部14之側面)可設為相對於第1主面11垂直。或者，亦可為凹部15之開口側之寬度大於成為凹部15之底面之第1主面11之第2方向上之寬度。於該情形時，凹部15之側面可具有階差，或者，亦可為傾斜面。將凹部15之側面設為傾斜面之情形時，可於發光元件之左右相對於第1主面11傾斜例如90度~135度。
第2方向(Y方向)上之凸部14之分開距離、即凹部15之寬度較佳為設為與1個發光裝置20之長側面相同之寬度。藉此，可位置精度較高地配置發光裝置20。再者，於凹部15之側面為階差面或傾斜面之情形時，凸部 14之寬度或凸部14之分開距離(凹部15之寬度)指凹部15之底面處之相隔距離或寬度。
透光性基體10A之凸部14之第3方向(Z方向)上之高度(凹部15之深度)例如可設為發光裝置20之高度之50%~100%，較佳為與發光裝置20之高度相同之高度。
於實施形態3中，第1方向上之凸部14之寬度或第2方向上之凸部14之寬度亦可與發光裝置20之寬度不同。於此種情形時，亦可以覆蓋凸部14之側面(凹部15之側面)與發光裝置20之間或第1主面11側之側面之方式形成光反射構件70。作為光反射構件70，可使用與實施形態2中所使用之光反射構件相同者。
進而，於凸部14之高度(凹部15之深度)低於發光裝置20之高度之情形時，亦可如圖7所示之線狀光源100C般，於凸部14之上表面配置光反射構件70，將發光裝置20之高度與光反射構件70之高度設為相同高度。藉此，容易配置配線基板40，且可使得不易產生斷線等，並且可抑制於配線基板40之光吸收，可製成光輸出較高之線狀光源100C。
<實施形態4>
於圖8A、圖8B中表示實施形態4之面狀發光裝置。實施形態之面狀發光裝置主要具備線狀光源與導光板。線狀光源可使用實施形態1~3所示之線狀光源100、100A、100B中之任一個或將若干個組合使用。藉由具 備於光出射面側具備透光性基體之線狀光源，可製成窄邊緣之面狀發光裝置。此處，對具備實施形態1之線狀光源100與導光板1100之面狀發光裝置1000進行說明。
線狀光源100係以能夠使光自作為導光板1100之側面之光入射面1130入射之方式配置。即，使線狀光源100之第2主面(光出射面)12與導光板1100之光入射面1130對向而配置。
導光板1100係透光性之板狀構件，具備成為面狀之光出射面之第1平面1110、及第1平面1110之相反側之第2平面1120。圖8A所示之導光板1100於俯視下呈大致四邊形。但，不限於此，導光板1100之俯視形狀亦可為三角形、五邊形等多邊形等，進而可設為如使一部分欠缺之形狀等。
導光板1100具備與第1平面1110及第2平面1120連續之側面。可將側面之一部分或全部設為光入射面1130。例如，於第1平面1110呈四邊形之情形時，具備4個側面，可將該等側面之1~4面設為光入射面。於圖8A所示之例中，將1個側面設為光入射面1130，以與該光入射面1130對向之方式配置線狀光源100。
導光板1100之光入射面1130係與線狀光源100之第2主面12對向地配置，此時，亦可如圖9所示，於中間隔著透光性之構件。作為此種構件，可使用包含螢光體之波長轉換片或包含光擴散劑之擴散片之類之光學片1200。於圖9所示之例中，線狀光源100C之發光裝置20A所使用之透光性 構件23係實質上不含螢光體之第1透光性構件231，且使用波長轉換片作為光學片1200。此種波長轉換片例如可包含量子點螢光體。光學片1200可貼附於線狀光源100C之第2主面12，或者，亦可貼附於導光板1100之光入射面1130。作為擴散片，可使用包含樹脂材料作為母材且包含Al2O3、SiO2、TiO2等光擴散物質者。
導光板1100可於其整面設為相同厚度。即，第1平面1110與第2平面1120可設為平行之面。或者，可設為第1平面1110與第2平面1120不平行之導光板、即厚度不同之導光板1100。又，亦可使用如下導光板，其具備1個光入射面1130，該光入射面1130側之厚度較厚，且光入射面1130之相反側之側面側之厚度較薄。
導光板1100之厚度較佳為設為與線狀光源100之第2主面12之厚度(X方向之寬度)相同之程度。例如，於線狀光源100之第2主面12之厚度為0.3mm之情形時，導光板1100之光入射面1130之厚度可設為0.28mm~0.32mm。
導光板1100之大小例如可設為一邊為2cm~40cm左右，較佳為3cm~15cm左右。導光板1100之平面形狀例如可設為大致矩形或大致圓形等。導光板1100可由單層形成，亦可由複數個透光性之層積層而形成。
作為導光板1100之材料，可使用丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯等熱塑性樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂等熱固性樹脂等樹脂材料或玻璃等光學透明之材料。尤其是，熱塑性樹脂材 料可藉由射出成型而高效率地製造，因而較佳。其中，較佳為透明性較高且廉價之聚碳酸酯。
10:透光性基體
11:第1主面
12:第2主面
12L:第2主面之長邊
12S:第2主面之短邊
13L:第1側面(長側面)
13S:第2側面(短側面)
20:發光裝置
20U:上表面(光出射面)
30:第1接合構件
40:配線基板
100:線狀光源

Claims (9)

  1. 一種線狀光源，其具備：透光性基體，其具備具有長邊及短邊之長方形之第1主面、位於上述第1主面之相反側之第2主面、與上述第1主面之長邊連續之第1側面、及與上述第1主面之上述短邊連續之第2側面；複數個發光裝置，其等具備包括半導體積層體與電極之發光元件、配置於上述發光元件之發光面側且包含波長轉換構件之透光性構件、及覆蓋上述發光元件之側面及上述透光性構件之側面之密封構件，且具備包含上述透光性構件之上表面且具有長邊與短邊的長方形之上表面、位於上述上表面之相反側且露出有上述電極之下表面、與上述上表面之長邊連續之長側面、及與上述上表面之短邊連續之短側面；第1接合構件，其將上述透光性基體之上述第1主面與上述發光裝置之上述上表面接合；以及配線基板，其具備與上述發光裝置之上述電極電性連接之配線部；且於與上述透光性基體之上述第1側面正交之第1方向上，上述透光性基體之寬度與上述發光裝置之寬度相同；於與上述第2主面正交之第2方向上，上述發光裝置之寬度小於上述透光性基體之寬度，且大於上述配線基板之寬度。
  2. 如請求項1之線狀光源，其具備：第2接合構件，其將上述配線基板與上述發光裝置之上述下表面接 合。
  3. 如請求項1之線狀光源，其中上述透光性基體為長方體，上述發光裝置為長方體，上述發光裝置之上表面進而包含密封構件之上表面，且上述透光性基體之第1主面中之短邊之寬度與上述發光裝置之上表面中之短邊之寬度相同。
  4. 如請求項2之線狀光源，其中上述透光性基體為長方體，上述發光裝置為長方體，上述發光裝置之上表面進而包含密封構件之上表面，且上述透光性基體之第1主面中之短邊之寬度與上述發光裝置之上表面中之短邊之寬度相同。
  5. 如請求項1至4中任一項之線狀光源，其中上述發光裝置與鄰接之發光裝置相接。
  6. 如請求項1至4中任一項之線狀光源，其中上述發光裝置與鄰接之發光裝置分開。
  7. 如請求項1至4中任一項之線狀光源，其中上述透光性基體之上述第1主面係於上述發光裝置之間具備凸部。
  8. 如請求項6之線狀光源，其中上述透光性基體之上述第1主面係於上述發光裝置之間具備凸部。
  9. 一種面狀發光裝置，其具備：如請求項1至8中任一項之線狀光源；及導光板，其具備第1平面、上述第1平面之相反側之第2平面、以及與上述第1平面及上述第2平面連續且與上述透光性基體之上述第2主面對向之側面。
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