TWI782209B

TWI782209B - 表面處理氮化鋁之製造方法、表面處理氮化鋁、樹脂組成物及硬化物

Info

Publication number: TWI782209B
Application number: TW108118776A
Authority: TW
Inventors: 山田岳史; 吾; 藤井飛鳥
Original assignee: 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司
Priority date: 2018-06-21
Filing date: 2019-05-30
Publication date: 2022-11-01
Also published as: TW202000585A; WO2019244531A1; CN112292346B; CN112292346A; JPWO2019244531A1

Abstract

本案發明係提供一種可製造放熱性、耐濕性及耐熱性優越之放熱性絕緣硬化物的表面處理氮化鋁之製造方法。其包括：a)使氮化鋁、與選自由下述一般式(1)(R¹、R²、R³及R⁴表示氫原子等；R⁵表示直鏈狀或分枝狀之烷基等)所示化合物等矽烷化合物進行反應，而獲得反應物的第一步驟；及b)將所得上述反應物依300~1,500℃進行加熱的第二步驟。

Description

表面處理氮化鋁之製造方法、表面處理氮化鋁、樹脂組成物及硬化物

本發明係關於表面處理氮化鋁之製造方法、表面處理氮化鋁、樹脂組成物及硬化物。

以LED照明等為代表之照材構件、以COB晶片及SMD晶片等為代表之電子構件、以及車載用等所使用之動力模組構件，係使用用於將構件內部所產生之熱釋出至外部的片材狀之放熱體。作為此種放熱體，基於放熱性高、成本低、加工容易等理由，而檢討使用屬於放熱性絕緣硬化物的樹脂片材。

例如專利文獻1揭示一種含有環氧樹脂、硬化促進劑、及經矽烷處理劑進行處理之氧化鋁的導熱材料。又，專利文獻2揭示一種含有被氧化矽膜被覆之氮化鋁、硬化促進劑、聯苯環氧樹脂、及溴化環氧樹脂的半導體密封用之樹脂組成物。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2017-008153號公報

[專利文獻2]日本專利特開平7-315813號公報

對於放熱性絕緣硬化物，係要求具有放熱性高、耐濕性高、及耐熱性高等性質。然而，放熱性絕緣硬化物之放熱性、與耐濕性及耐熱性間，一般具有取捨關係。而且，即使使用專利文獻1記載之導熱材料或專利文獻2記載之樹脂組成物，仍難以獲得具有所需放熱性、耐濕性及耐熱性的硬化物。

然而，本發明係為了解決上述問題而形成者，其課題在於提供一種可製造放熱性、耐濕性及耐熱性優越之放熱性絕緣硬化物的表面處理氮化鋁之製造方法。又，本發明之課題在於提供藉上述製造方法所製造之表面處理氮化鋁、使用此表面處理氮化鋁的樹脂組成物、以及此樹脂組成物之硬化物。

本案發明人等為了解決上述課題而潛心研究，結果發現，藉由使用具有特定構造之矽烷化合物對氮化鋁依既定步驟進行表面處理，可解決上述課題，遂完成本發明。

亦即，根據本發明係提供一種表面處理氮化鋁之製造方法，其包括： a)使氮化鋁、與選自由下述一般式(1)所示化合物及下述一般式(2)所示化合物所構成群之至少1種矽烷化合物進行反應，而獲得反應物的第一步驟；及b)將所得上述反應物依300~1,500℃進行加熱的第二步驟。

(上述一般式(1)中，R¹、R²、R³及R⁴分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R⁵表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，m及n分別獨立表示2~5之整數，α表示1~3之整數，β表示0~2之整數，α與β之和表示1~3之整數；)

(上述一般式(2)中，R⁶及R⁷分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R⁸及R⁹分別獨立表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，p及q分別獨立表示2~8之整數，γ表示1~3之整數。)

又，根據本發明，提供一種表面處理氮化鋁，其係藉上述製造方法所製造者。

再者，根據本發明，提供一種樹脂組成物，其含有熱硬化性樹脂及上述表面處理氮化鋁。

又，根據本發明，提供一種硬化物，其係將上述樹脂組成物硬化而成者。

根據本發明，可提供能製造放熱性、耐濕性及耐熱性優越之放熱性絕緣硬化物的表面處理氮化鋁之製造方法。又，根據本發明，可提供藉上述製造方法所製造之表面處理氮化鋁、使用此表面處理氮化鋁之樹脂組成物、及此樹脂組成物之硬化物。

以下詳細說明本發明之實施形態。本發明之表面處理氮化鋁之製造方法係包含：a)使氮化鋁、與選自由下述一般式(1)所示化合物及下述一般式(2)所示化合物所構成群之至少1種矽烷化合物進行反應，而獲得反應物的第一步驟；及b)將所得上述反應物依300~1,500℃進行加熱的第二步驟。

氮化鋁之種類並無特別限制，可使用周知一般之氮化鋁。作為氮化鋁之結晶構造，可舉例如六方晶、立方晶等。由於能量方面穩定，較佳係使用結晶構造為六方晶的氮化鋁。作為氮化鋁，可使用例如粒子狀之氮化鋁(氮化鋁粒子)。又，粒子係包括板狀粒子、球狀粒子、纖維狀粒子、鱗片狀粒子等。粒子狀之氮化鋁的平均粒徑較佳為0.5~100μm、更佳1~50μm。粒子之狀態較佳係一次粒子或屬於一次粒子之凝集體的二次粒子。本說明書中之「平均粒徑」係意指體積基準之粒徑分佈之50%累積值(D₅₀)。又，粒子之粒徑分佈可使用雷射繞射式之粒度分佈測定裝置進行測定。

第一步驟係使氮化鋁、與矽烷化合物反應而獲得反應物。矽烷化合物中之一者為下述一般式(1)所示化合物。

一般式(1)中，R¹、R²、R³及R⁴分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R⁵表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，m及n分別獨立表示2~5之整數，α表示1~3之整數，β表示0~2之整數，α與β之和表示1~3之整數。

作為碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等。由於與氮化鋁之反應性良好，R¹~R⁴較佳分別獨立為氫原子或甲基，更佳為氫原子。又，R⁵較佳為甲基或乙基。m及n較佳分別獨立為2或3、更佳為3。又，β較佳為0。

作為一般式(1)所示化合物之較佳具體例，可舉例如下式No.1~48所示化合物(化合物No.1~48)。又，下式No.1~48中，「Me」表示甲基，「Et」表示乙基，「iPr」表示異丙基。

第一步驟中所使用之、與氮化鋁進行反應的矽烷化合物中之另一者，係下述一般式(2)所示化合物。

一般式(2)中，R⁶及R⁷分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R⁸及R⁹分別獨立表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，p及q分別獨立表示2~8之整數，γ表示1~3之整數。

作為碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等。由於與氮化鋁之反應性良好，R⁶及R⁷較佳分別獨立為氫原子或甲基，更佳為氫原子。又，R⁸及R⁹較佳分別獨立為甲基或乙基。p及q較佳分別獨立為2或3。又，γ較佳為3。

作為一般式(2)所示化合物之較佳具體例，可舉例如下式No.49~68所示化合物(化合物No.49~68)。又，下式No.49~68中，「Me」表示甲基，「Et」表示乙基。

一般式(1)所示化合物可應用周知反應進行製造。例如可藉由：使鄰矽酸四烷基酯與醇與氨進行反應的方法；使(鹵化烷基)烷氧基矽烷與烷基胺進行反應的方法；等製造。更具體而言，可使用鄰矽酸四乙酯、2-丙醇及氨作為原料，藉由下式(3)所示反應，製造下式No.19所示化合物(化合物No.19)。

又，可使用(3-溴丙基)三乙氧基矽烷與甲基胺作為原料，藉由下式(4)所示反應，製造下式No.20所示化合物(化合物No.20)。

一般式(2)所示化合物，可應用周知方法進行製造。例如可藉由使(鹵化烷基)烷氧基矽烷與烷二胺進行反應的方法等進行製造。更具體而言，可使用3-氯丙基三甲氧基矽烷與乙二胺作為原料，藉下式(5)所示反應，製造下式No.49所示化合物(化合物No.49)。

與氮化鋁反應之矽烷化合物的量，係相對於氮化鋁1g，較佳為0.0001~0.1g、更佳0.0005~0.05g、特佳0.001~0.1g。若矽烷化合物之量過少，有所得表面處理氮化鋁之耐濕性及耐熱性稍微變低的情形。另一方面，若矽烷化合物之量過多，則有所得表面處理氮化鋁之放熱性稍微變低的情形。

藉由將氮化鋁與矽烷化合物浸漬於溶媒之方法(以下亦記載為「浸漬法」)、將矽烷化合物與溶媒之混合物朝氮化鋁進行噴霧的方法(以下亦記載為「噴霧法」)等，可使氮化鋁與矽烷化合物進行反應。反應溫度較佳為10~100℃、更佳20~90℃。

作為溶媒，可使用周知一般的有機溶媒或水。作為有機溶媒，可舉例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇等之醇類；醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸甲氧基乙酯等之醋酸酯類；四氫呋喃、四氫吡喃、乙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚、三乙二醇二甲基醚、二丁基醚、二

烷等之醚類；甲基乙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、乙基丁基酮、二丙基酮、二異丁基酮、甲基戊基酮、環己酮、甲基環己酮等之酮類；己烷、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、乙基環己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等之烴類；吡啶；二甲吡啶等。可考慮氮化鋁之分散性、或反應溫度與沸點或閃點間之關係等，單獨使用一種上述有機溶媒，亦可組合使用二種以上。

在藉由浸漬法使氮化鋁與矽烷化合物反應的情況，溶媒相對於氮化鋁的量，係相對於氮化鋁1g，較佳為0.1~1g、更佳0.2~0.5g。又，在藉由噴霧法使氮化鋁與矽烷化合物反應的情況，溶媒相對於氮化鋁的量係相對於氮化鋁1g，較佳為0.001~0.2g、更佳0.005~0.1g。

第二步驟係將第一步驟所得反應物依300~1,500℃、較佳400~700℃進行加熱。藉此，可得到目標之本發明之表面處理氮化鋁。若加熱溫度未滿300℃，則無法得到耐濕性及耐熱性優越的表面處理氮化鋁。另一方面，若加熱溫度超過1,500℃，則在能量成本方面不利。

加熱時間較佳設為0.1~20小時更佳0.5~5小時。若加熱時間未滿0.1小時，則有所得表面處理氮化鋁之耐濕性及耐熱性稍微變低之情形。另一方面，若加熱時間超過20小時，則在能量成本方面稍微不利。

較佳係於氧化性之環境對反應物進行加熱。作為氧化性之環氧，可舉例如空氣、氧、空氣與氧之混合氣體等之環境。又，加熱時之壓力設為0.01~0.5MPa左右。

對反應物進行加熱的方法並無特別限定，可考慮氮化鋁之形狀或生產效率等，適當選擇使用例如蒙孚爐、隧道窯、輥式爐等之方法。

本發明之樹脂組成物係含有熱硬化性樹脂、及藉上述製造方法所製造之表面處理氮化鋁。作為熱硬化性樹脂，可使用周知一般之熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂之具體例，可舉例如酚樹脂、氰酸酯樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、苯胍

樹脂、醇酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、乙烯基酯樹脂、二烯丙基對苯二甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、呋喃樹脂、酮樹脂、二甲苯樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。此等熱硬化性樹脂可使用單獨1種或組合2種以上。

在使用本發明之樹脂組成物作為導熱性材料形成用之原料時，較佳係使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂。作為環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、間苯二酚型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂、苯二酚型環氧樹脂、二羥萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、四甲基聯苯型環氧樹脂、

唑啶酮環型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、固形雙酚A型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚醛清漆型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯-酚加成反應型環氧樹脂、酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚-酚共縮酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚-甲酚共縮酚醛清漆型環氧樹脂、芳香族烴甲醛樹脂改質酚樹脂型環氧樹脂、聯苯改質酚醛清漆型環氧樹脂等。

樹脂組成物中之熱硬化性樹脂的含量，係相對於表面處理氮化鋁較佳為5~50質量%、更佳10~30質量%。若熱硬化性樹脂之含量未滿5質量%，則難以獲得熱硬化性樹脂之調配效果。另一方面，若熱硬化性樹脂之含量超過50質量%，則有將樹脂組成物硬化而得之硬化物的放熱性稍微降低之情形。

樹脂組成物中視需要亦可含有周知一般之氮化鋁。作為氮化鋁，較佳係其平均粒徑未滿5μm之氮化鋁粒子。氮化鋁之含量係相對於表面處理氮化鋁較佳設為未滿100質量%。若氮化鋁之平均粒徑為5μm以上、或氮化鋁含量為100質量%以上，則有將樹脂組成物硬化而得之硬化物的耐濕性及耐熱性稍微降低的情形。作為可含有之氮化鋁的市售物，可舉例如商品名「ANF-A-01-F」(Maruwa公司製)等。

樹脂組成物中視需要可含有硬化劑。作為硬化劑，可舉例如咪唑系硬化劑、胺系硬化劑、醯胺系硬化劑、酸酐系硬化劑、酚系硬化劑等。樹脂組成物中之硬化劑的含量係相對於表面處理氮化鋁較佳設為未滿5質量%。

樹脂組成物中視需要可含有各種添加物。作為添加物，可舉例如：天然蠟類、合成蠟類、及長鏈脂肪酸族酸之金屬鹽類等之可塑劑；酸醯胺類、酯類、及石蠟類等之脫模劑；腈橡膠、及丁二烯橡膠等之應力緩和劑；三氧化銻、五氧化銻、氧化錫、氫氧化錫、氧化鉬、硼酸鋅、甲基硼酸鋇、紅磷、氫氧化鋁、氫氧化鎂、及鋁酸鈣等無機難燃劑；四溴雙酚A、四溴酞酸酐、六溴苯、及溴化酚酚醛清漆等之溴系難燃劑；磷系難燃劑；矽烷系偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、及鋁系偶合劑等之偶合劑；染料及顏料等之著色劑。進而作為添加劑，可舉例如氧化穩定劑、光穩定劑、耐濕性提升劑、搖變賦予劑、稀釋劑、消泡劑、其他各種樹脂、黏著賦予劑、抗靜電劑、滑劑、及紫外線吸收劑等。

於樹脂組成物中亦可進一步含有醇類、醚類、縮醛類、酮類、酯類、醇酯類、酮醇類、醚醇類、酮醚類、酮酯類、酯醚類、及芳香族系溶劑等之有機溶媒等。

本發明之樹脂組成物係適合作為用於製造放熱性絕緣硬化物的材料。又，本發明之樹脂組成物可廣泛利用作為構成印刷佈線基板、半導體密封絕緣材、功率半導體、LED照明、LED背光、功率LED及太陽電池等之電氣‧電子領域的各種構造的樹脂材料。具體而言，可用於作為預浸體、密封劑、積層基板、塗佈性之接黏劑、接黏片材等之硬化性成分、或各種塗料的硬化性成分。

藉由使上述樹脂組成物硬化，可形成硬化物。亦即，本發明係硬化物係使上述樹脂組成物硬化而成的硬化物。例如，將上述樹脂組成物藉由進行加熱等而硬化，可得到硬化物。硬化物之形狀並無特別限定，可舉例如片材、薄膜、及板等形狀(以下亦將此等形狀整合記載為「片材狀」)。若使含有有機溶媒之樹脂組成物硬化，則有獲得含有有機溶媒之硬化物的情況，以及有機溶媒揮發而實質上未殘留(實質上不含有機溶媒)之硬化物的情形。本發明之硬化物係包括含有機溶媒之硬化物、與實質上不含有機溶媒之硬化物的兩者。

硬化物可藉由周知方法製造。例如，使將樹脂組成物塗佈於載體薄膜或金屬箔等支撐體上而形成的塗佈層硬化，可製造片材狀之硬化物。又，藉由將塗佈樹脂組成物所形成之塗佈層由支撐體轉印至基體後使其硬化，亦可製造片材狀之硬化物。作為基體，可舉例如矽晶圓或鋁晶圓等。基體之形狀可舉例如片材、薄膜及板等。

於製造片材狀之硬化物時，可使用塗佈裝置將樹脂組成物塗佈於支撐體上，亦可使用噴霧裝置將樹脂組成物噴霧塗佈至支撐體。作為塗佈裝置，可舉例如輥塗器、棒塗器、刀塗器、凹版塗佈器、模塗器、缺角輪塗佈器、幕塗器及網版印刷裝置等。又，亦可藉由刷毛塗佈將樹脂組成物塗佈於支撐體上。將樹脂組成物塗佈於支撐體上後，依常壓~10MPa之壓力下、10~300℃使其硬化0.5~10小時，可製造片材狀之硬化物。

作為支撐體，為了形成片材狀之硬化物，較佳係選擇使用操作容易者。於使用片材狀之硬化物時，係將片材狀之硬化物由支撐體剝離。因此，較佳係使用片材狀之硬化物之剝離容易的支撐體。作為支撐體，可使用載體薄膜。作為載體薄膜之材質，較佳係聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂；氟系樹脂；聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性的熱可塑性樹脂。

作為支撐體，亦可使用金屬箔。在使用金屬箔作為支撐體的情況，可於形成硬化物後剝離金屬箔，亦可對金屬箔進行蝕刻。作為金屬箔，較佳係銅、銅系合金、鋁、鋁系合金、鐵、鐵系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、鋅、鋅系合金、鎳、鎳系合金、錫、錫系合金等之金屬箔。又，亦可使用具載體箔之極薄金屬箔作為支撐體。

硬化物之形狀為片材狀時，片材狀之硬化物的厚度可視用途適當設定。片材狀之硬化物的厚度可設為例如20~150μm之範圍。

本發明之硬化物由於具有良好導熱性，可廣泛應用作為例如印刷佈線基板、半導體密封絕緣材、功率半導體、LED照明、LED背光、功率LED、太陽電池等之電氣‧電子領域之構件的樹脂基材。更具體而言，可使用於預浸體、密封劑、積層基板、塗佈性之接黏劑、接黏片材等。

[實施例]

以下藉由實施例及比較例詳細說明本發明，但本發明並不受限於此等。

<(A)成分>

作為(A)成分，係準備以下所示A-1。

A-1：氮化鋁填充材(商品名「ANF-S30」，MARUWA公司製，平均粒徑：約30μm)

<(B)成分>

作為(B)成分，係準備以下所示B-1~B-5。

B-1：化合物NO.19

B-2：化合物NO.20

B-3：化合物NO.49

B-4：比較例化合物1

B-5：比較例化合物2

比較例化合物1(B-4)及比較例化合物2(B-5)之構造如以下所示。

<(C)成分>

作為(C)成分(溶媒)，係準備以下所示C-1及C-2。

C-1：純水

C-2：乙醇

<表面處理氮化鋁之製造> (實施例1~5、比較例1~5)

依表1所示配方混合(A)成分及(C)成分-2，使用3輥磨器使其分散而調製分散液。於所調製之分散液中，滴下混合了(B)成分及(C)成分-1的混合液。依70℃攪拌3小時後，於微減壓條件下進行乾燥。接著，於大氣壓條件下及大氣環境下，使用蒙孚爐依表1所示溫度及時間進行加熱，得到實施例之表面處理氮化鋁1~5及比較例之表面處理氮化鋁1~5。

<表面處理氮化鋁之耐濕性及耐熱性的評價> (評價例1~5、比較評價例1~5)

將所製造之表面處理氮化鋁1g浸漬於85℃溫度10g中1小時後，使用水質計(商品名「MM-60R」，東亞DKK公司製)測定溫水之導電率。測定結果示於表2。對實施例之氮化鋁2~5及比較例之氮化鋁1~5亦同樣進行測定。又，所使用之溫水的導電率為2mS/m。

在表面處理氮化鋁之耐濕性及耐熱性較低時，由於屬於氮化鋁之分解物的氨容易溶出至溫水中，故溫水之導電率變高。亦即，於所測得之導電率較低時，意味著表面處理氮化鋁之耐濕性及耐熱性優越。如表2所示，可知評價例1~5係溫水之導電率低。又，使用化合物No.19及化合物No.20作為(B)成分的評價例1~4中，可知溫水之導電率更低。再者，將加熱溫度設為400~700℃ 的評價例1~3中，可知溫水之導電率特別低。另一方面，比較評價例1~5係溫水之導電率明顯較高。由以上結果可闡明，相較於比較例表面處理氮化鋁1~5，實施例表面處理氮化鋁1~5之耐熱性及耐熱性優越。

<(D)成分>

作為(D)成分，係準備以下實施例表面處理氮化鋁1~5及比較例表面處理氮化鋁1~5。

<(E)成分>

作為(E)成分，係準備以下所示E-1。

E-1：氮化鋁填充材(商品名「ANF-A-01-F」，MARUWA公司製，平均粒徑：約1μm)

<(F)成分>

作為(F)成分，係準備以下所示F-1及F-2。

F-1：聯苯基芳烷基型環氧樹脂(商品名「NC-3000H」，日本化藥公司製)

F-2：聯苯基芳烷基型酚樹脂(商品名「MEH-7851H」，明和化成工業公司製)

<(G)成分>

作為(G)成分，係準備以下所示G-1及G-2。

G-1：濕潤分散劑(商品名「BYK-W903」，BYK-Chemie JAPAN 公司製)

G-2：矽烷偶合劑(商品名「KBM-403」，信越化學工業公司製)

<樹脂組成物之製造> (實施例6~10、比較例6~10)

依表3所示配方混合(D)~(G)，使用珠磨器使其分散，製造實施例樹脂組成物1~5及比較例樹脂組成物1~5。表3中，(E)~(G)成分之量(質量份)係將(D)成分量設為100質量份所算出的量。

<導熱性片材之製造> [實施例11~15、比較例11~15]

將實施例6~10及比較例6~10所得之實施例樹脂組成物1~5及比較例樹脂組成物1~5，藉棒塗器法依成為100μm厚之方式分別塗佈於PET薄膜上後，以100℃加熱10分鐘使其乾燥。依190℃加熱90分鐘使其硬化後，剝離PET薄膜，製造屬於片材狀之導熱性硬化物的實施例硬化物1~5及比較例硬化物1~5。將所製造之硬化物與所使用之樹脂組成物的對應關係示於表4。

<導熱性片材之耐濕性及耐熱性的評價> (評價例6~10、比較評價例6~10)

將所製造之各硬化物於85℃、濕度85%環境下靜置，測定及算出靜置後之硬化物的質量增加率。靜置時間設為200、400、600、800及1,000小時。結果示於表5。

在質量增加率較低的情況、或於靜置時間600小時之後質量增加率不再變化的情況，意味著硬化物之耐濕性及耐熱性優越。如表5所示，可知評價例6~10係質量增加率低，且於靜置時間600小時之後質量增加率不再變化。另一方面，比較評價例6~10係質量增加率高，且於靜置時間600小時之後質量增加率仍持續增加。由以上結果可闡明，相較於比較例硬化物1~5，實施例硬化物1~5之耐濕性及耐熱性優越。

<導熱性片材之導熱性的評價> (評價例11~15、比較評價例11)

使用熱擴散率‧導熱率測定裝置(商品名「ai-Phase Mobile」，ai-Phase公司製)，藉周期加熱法，測定實施例硬化物1~5及比較例硬化物5之熱擴散率。結果示於表6。

如表6所示，實施例硬化物1~5之熱擴散率係較比較例硬化物5之熱擴散率高。又，可知使用化合物No.19及化合物No.20作為(B)成分之實施例硬化物1~4，係熱擴散率更高。再者，可知將加熱溫度設為400~700℃之實施例硬化物1~3係熱擴散率特別高。

如上述，放熱性絕緣硬化物之放熱性、耐濕性及耐熱性一般具有取捨關係。因此，耐濕性或耐熱性優越的放熱性絕緣硬化物一般係放熱性較低。相對於此，可知使用含有本發明之表面處理氮化鋁的樹脂組成物所製造的硬化物，係導熱性(放熱性)、耐濕性及耐熱性均優越的硬化物。

Claims

一種表面處理氮化鋁之製造方法，其包括：a)使氮化鋁、與選自由下述一般式(1)所示化合物及下述一般式(2)所示化合物所構成群之至少1種矽烷化合物進行反應，而獲得反應物的第一步驟；及b)將所得上述反應物依300~1,500℃進行加熱的第二步驟；
(上述一般式(1)中，R ¹、R ²、R ³及R ⁴分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R ⁵表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，m及n分別獨立表示2~5之整數，α表示1~3之整數，β表示0~2之整數，α與β之和表示1~3之整數；)
(上述一般式(2)中，R ⁶及R ⁷分別獨立表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，R ⁸及R ⁹分別獨立表示碳原子數1~5之直鏈狀或分枝狀之烷基，p及q分別獨立表示2~8之整數，γ表示1~3之整數)。
如請求項1之製造方法，其中，上述一般式(1)中，β為0。
如請求項1或2之製造方法，其中，上述一般式(1)中，n及m為3。
如請求項1或2之製造方法，其中，上述一般式(2)中，γ為3。
如請求項1或2之製造方法，其中，對上述反應物依400~700℃進行加熱。
一種表面處理氮化鋁，其係藉請求項1至5中任一項之製造方法所製造者。
一種樹脂組成物，其含有熱硬化性樹脂及請求項6之表面處理氮化鋁。
如請求項7之樹脂組成物，其係導熱性材料形成用原料。
一種硬化物，其係將請求項7或8之樹脂組成物硬化而成者。