TWI778136B - 薄膜、使用薄膜之轉印用途及含薄膜之積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明所提供的薄膜，係具有60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在27以下之低光澤層(A層)的薄膜；藉由上述60°光澤度(G60)與上述85°光澤度(G85)係滿足0.1≦(G85)/(G60)≦3的薄膜，當其使用為轉印薄膜時，可轉印不會因入射角度而有差異的均勻低光澤外觀。

Description

薄膜、使用薄膜之轉印用途及含薄膜之積層體
本發明係關於薄膜、使用薄膜之轉印用途及含薄膜之積層體。
近年隨智慧手機、平板的擴大使用而促進電路積體化，因而印刷電路板亦正朝高精度、高密度化演進。印刷電路板係在製造製程中，於絕緣基材(聚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂等)表面上設計電路，在以絕緣與保護電路作為目的下，被覆著屬於具接著層之耐熱樹脂薄膜的覆蓋層，並隔著離型膜利用壓合積層施行成形。此時，針對離型膜不僅要求與印刷電路板材料及加壓板間之離型性、形狀順應性、均勻成形性，尚亦要求能在被離型對象上轉印霧面外觀(低光澤外觀)特性(霧面外觀轉印性)。又，在電路基板表面上，利用加熱壓合，轉印例如：絕緣層、硬塗層、電磁波屏蔽層等機能層的轉印薄膜，針對具霧面外觀轉印性薄膜的需求亦正提高中。
習知一般具霧面外觀轉印性的離型膜、轉印薄膜，係有如：砂墊膜(sand mat)、化學氈(chemical mat)、塗佈氈等加工品，但相關因步驟增加所導致的成本增加、品質之課題等尚待改善。解決該等課題的方法，有提案：將大量粒子與樹脂一起擠出的方法，而製造混入粒子的薄膜(例如：專利文獻1、2)。又，就具高度霧面外觀的薄膜而言，有提案藉由在表面上利用塗佈而設置樹脂層的薄膜(例如專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2016-97522號公報
專利文獻2：日本專利特開2014-24341號公報
專利文獻3：日本專利特開2005-24942號公報
專利文獻1、2、3所記載的薄膜，雖能一定程度降低光澤度，但頗難達成近年所要求不會因入射角度而異的低光澤外觀。
本發明之課題在於解決上述習知技術之問題。即，提供：當使用為轉印薄膜時，能轉印不會因入射角度而異之均勻低光澤外觀的薄膜。
為解決上述課題，本發明的薄膜係具有下述構成。
(1)一種薄膜，係具有60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在27以下之低光澤層(A層)的薄膜；其中，上述A層係至少設置於單側之表層；上述60°光澤度(G60)與上述85°光澤度(G85)係滿足下述式(I)：0.1≦(G85)/(G60)≦3‧‧‧(I)
(2)如(1)所記載的薄膜，其中，上述低光澤層(A層)的60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在10以下。
(3)如(1)或(2)所記載的薄膜，其中，薄膜之20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動係20%以下。
(4)如(1)~(3)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層的單側係設有基材層。
(5)如(4)所記載的薄膜，其中，基材層、A層均係以聚酯樹脂為主成分。
(6)如(1)~(5)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層的厚度係超過3μm且為20μm以下。
(7)如(1)~(6)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層係含有粒子；上述粒子的平均粒徑係1.5μm以上且15μm以下，且其含量係若將A層全體設為100質量%，則為18質量%以上且在40質量%以下。
(8)如(1)~(6)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層係含有粒子；上述粒子的平均粒徑係3μm以上且15μm以下，且其含量係若將A層全體設為100質量%，則為18質量%以上且在40質量%以下。
(9)如(7)或(8)所記載的薄膜，其中，上述粒子的真圓度係0.995以下。
(10)如(7)或(8)所記載的薄膜，其中，上述粒子的真圓度係0.995以下，且龐大度達0.5以上。
(11)如(1)~(10)中任一項所記載的薄膜，其中，60°光澤度(G60)係未滿6。
(12)如(1)~(11)中任一項所記載的薄膜，其中，在長邊方向(MD)、寬度方向(TD)中，至少一方向的MIT彎曲斷裂次數係達7500 次以上。
(13)如(1)~(12)中任一項所記載的薄膜，其中，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)在100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率均係0.015%/℃以下。
(14)如(1)~(13)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層表面的中心線平均粗糙度(SRa)係超過1000nm且在3000nm以下。
(15)如(1)~(14)中任一項所記載的薄膜，其中，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率均係2%以下。
(16)如(1)~(15)中任一項所記載的薄膜，其中，利用下述方法所測定之經150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度係0mm以上且30mm以下。(測定方法)將薄膜朝任意一方向切取100mm，並朝與該方向正交之方向切取100mm大小而作為樣品。將該樣品在150℃熱風循環式烤箱中放置10分鐘施行熱處理後，放置於玻璃板上，測定四個角距玻璃板面於垂直方向上的浮起量，並將最大高度設為捲曲高度。
(17)如(1)~(16)中任一項所記載的薄膜，其中，上述A層表面的表面自由能係44mN/m以下。
(18)如(1)~(17)中任一項所記載的薄膜，其中，使用於轉印用途。
(19)一種積層體，其係在如(1)~(18)中任一項所記載的薄膜的A層表面上，積層著離型層而成。
本發明的薄膜係60°光澤度(G60)、85°光澤度(G85)均低至27以下，且差值控制於特定範圍內，因而不會受入射角度影響均能呈現優異的低光澤外觀，所以例如使用為轉印薄膜的情況， 對轉印對象物賦予低光澤外觀的轉印性優異。故，例如頗適用為在電路形成步驟中，霧面外觀轉印性優異的轉印用薄膜。又，亦頗適用於例如：建材、汽車零件、智慧手機等電子製品、家電製品等成形構件的裝飾用途，以及以對機能層賦予滑順性、脫氣性、光擴散性等機能性作為目的之表面形狀轉印用途。
L1‧‧‧最長長度
L2‧‧‧最長長度
圖1係龐大度求取方法示意圖。
本發明的薄膜係具有60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在27以下之低光澤層(A層)的薄膜，且為上述A層係至少設於單側表層上之薄膜。就從低光澤外觀的觀點，上述60°光澤度(G60)、85°光澤度(G85)均較佳為10以下、更佳係未滿6。低光澤層所使用的樹脂並無特別的限定，可使用例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚芳酯、聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚碸、聚醚碸、氟樹脂、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚、聚胺酯及環狀烯烴系樹脂等。其中，就從薄膜操作性、尺寸安定性、製造時的經濟性觀點，較佳係以聚酯為主成分。另外，本發明中所謂「主成分」係指相對於該層全體含有達50質量%以上。
本發明中所謂「聚酯」係主鏈中的主要鍵結為酯鍵的高分子總稱，通常藉由使二羧酸成分與二醇成分進行縮聚反應便可獲得。
此處所使用的二羧酸成分，係可舉例如：對酞酸、異酞酸、酞酸、2,6-萘二羧酸、二苯基二羧酸、二羧酸二苯碸、二苯氧基乙烷二羧酸、5-磺二羧酸鈉等芳香族二羧酸；草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸等脂肪族二羧酸；1,4-環己烷二羧酸等脂環族二羧酸、對羥苯甲酸等氧羧酸等等各成分。又，二羧酸酯衍生物成分係上述二羧酸化合物的酯化物，例如：對酞酸二甲酯、對酞酸二乙酯、對酞酸-2-羥乙基甲酯、2,6-萘二羧酸二甲酯、異酞酸二甲酯、己二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、二聚酸二甲酯等各成分。構成本發明樹脂薄膜的聚酯樹脂中，就從耐熱性、生產性的觀點，在總二羧酸成分中，對酞酸及/或萘二羧酸所佔的比例較佳係85莫耳%以上、更佳係90莫耳%以上。
再者，二醇成分係可舉例如：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚伸丁二醇、1,4-環己烷二甲醇、螺二醇、新戊二醇、雙酚A、雙酚S等各成分。其中，就從操作性的觀點，較佳係使用例如：乙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丙二醇、1,4-環己烷二甲醇、新戊二醇、二乙二醇等各成分。構成本發明樹脂薄膜的聚酯樹脂中，就從耐熱性、生產性的觀點，在總二醇成分中，乙二醇所佔的比例較佳係65莫耳%以上。該等二羧酸成分、二醇成分亦可併用2種以上。
本發明的薄膜較佳係在上述A層的單側設有基材層。藉由構成為在A層單側設有基材層的薄膜，便可輕易兼顧強度、低光澤性，故較佳。本發明的薄膜較佳係採用A層/基材層的雙層構成、A層/基材層/A層的三層構成等構成。本發明中，當在 雙面之表層上配置A層時，將較60°光澤度(G60)低之一面設為A1層，並將較60°光澤度(G60)高之一面設為A2層。
本發明的薄膜中，當在A層單側設有基材層時，構成基材層的樹脂係與低光澤層(A層)所使用的樹脂同樣，可使用例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚芳酯、聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚碸、聚醚碸、氟樹脂、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚、聚胺酯及環狀烯烴系樹脂等。其中，就從薄膜操作性、尺寸安定性、製造時的經濟性之觀點，較佳係以聚酯為主成分。
本發明的薄膜中，上述A層的厚度較佳係超過3μm且在20μm以下。藉由上述A層的厚度較3μm厚，A層中的粒子數便可變為充分多，俾能輕易地將60°光澤度、85°光澤度均控制降低至20以下。又，即便上述A層厚度較20μm厚，雖對光澤度的影響變小，但因為粒子數變得過多，因而會有導致生產性降低的情況。所以，A層的厚度較佳係設在20μm以下。A層的厚度更佳係3.5μm以上且15μm以下、特佳係4μm以上且10μm以下。
本發明的薄膜中，低光澤層(A層)較佳係含有粒子。A層所含有的粒子係可任意適用無機粒子或有機粒子，亦可併用無機粒子與有機粒子。此處，所使用的無機粒子及/或有機粒子並無特別的限定，例如可使用以無機粒子之二氧化矽、矽酸鋁、碳酸鈣、磷酸鈣、氧化鋁等；或以有機粒子之苯乙烯、聚矽氧、丙烯酸類、甲基丙烯酸類、聚酯類、二乙烯系化合物等為構成成分的粒子。其中，較佳係使用以例如：濕式及乾式二氧化矽、膠態二氧化矽、矽 酸鋁等無機粒子、以及苯乙烯、聚矽氧、丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、二乙烯苯等為構成成分的粒子。就從低光澤外觀、經濟性的觀點，更佳係使用二氧化矽、矽酸鋁。另外，該等外部添加粒子亦可併用二種以上。
相關本發明所使用的無機粒子、有機粒子，並未含有例如染料、無機顏料、有機顏料等以著色為目的之著色劑。具體而言，例如：氧化鐵紅、鉬紅、鎘紅、鉻橙(chrome orange)、鉬鉻紅、群青、普魯士藍、鈷藍、天藍(cerulean blue)等藍色顏料；氧化鉻、鉻綠、翡翠綠、鈷綠、鉛黃、鎘黃、黃色氧化鐵、鈦黃、錳紫、礦物紫(mineral violet)、二氧化鈦、硫酸鋇、鋅華、硫酸鋅、碳黑、黑色氧化鐵等無機顏料；縮合偶氮、酞菁、喹吖酮、二
Figure 107133645-A0101-12-0008-18
、異吲哚啉酮、喹啉黃、蒽醌系等有機顏料，均非隸屬於本發明的無機粒子與有機粒子。
本發明中，為能使低光澤層(A層)表面的60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均獲降低，因而上述A層中平均粒徑1.5μm以上且15μm以下的粒子，係將A層全體設為100質量%時，較佳為超過18質量%且在40質量%以下。就從低光澤表面化的觀點，A層中的粒子平均粒徑更佳係3μm以上且15μm以下、特佳係6μm以上且15μm以下。又，A層中的粒子濃度係若將A層全體設為100質量%時，較佳係18質量%以上且40質量%以下、更佳係超越22質量%且在40質量%以下。另外，本發明中所謂平均粒徑係指依D=ΣDi/N(Di：粒子的圓相當直徑、N：粒子個數)所示數量平均徑D。
再者，本發明中，為能實現不會因角度而異的低光澤 表面，上述60°光澤度(G60)與上述85°光澤度(G85)必須滿足下述式(I)：0.1≦(G85)/(G60)≦3‧‧‧(I)
滿足式(I)係表示60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)的差被控制於縮小至特定範圍，成為不會因觀看角度而異的均勻低光澤表面。就從均勻低光澤表面的觀點，更佳係滿足式(II)、特佳係滿足式(III)：0.1≦(G85)/(G60)≦2‧‧‧(II)
0.1≦(G85)/(G60)≦1.5‧‧‧(III)。
本發明中，將低光澤層(A層)的60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均設在27以下，且對滿足上述式(I)的方法並無特別的限定，可例如：所使用粒子係具多面體形狀粒子的方法、使用單分散型粒子的方法、使用具有多面體形狀且單分散型粒子的方法等。藉由使用具多面體形狀之粒子或單分散型粒子，便可對薄膜表面賦予不均勻的形狀，俾能輕易達成所有方向均呈低光澤化。本發明中所謂多面體形狀係指由複數平面包圍的立體。在平面數達三面以上之前提下，其餘並無特別的限制，就從薄膜表面不均勻形狀的觀點，更佳係四面體以上、特佳係四面體以上且八面體以下。又，本發明的多面體形狀較佳係表面由例如：三角形、四角形、五角形等各種多角形形成。本發明之薄膜中，在低光澤層(A層)中所含有粒子，利用後述測定方法所求取投影像的真圓度(4π×面積/周圍長2)較佳係在0.995以下。更佳係在0.990以下。另一方面，若真圓度過低，則當本發明薄膜係配向薄膜的情況，粒子方向會被整合於延伸方向，導致薄膜表面不易形成方向依存性低的形狀，因而真圓度較佳係0.800以上。又，本發明之薄膜中，在低光澤層(A層)中所 含有的粒子，依後述測定方法所求取的龐大度較佳係達0.5以上。當本發明之薄膜係配向薄膜的情況，便經由薄膜延伸步驟形成。此時，當屬於龐大度較小之粒子(針狀粒子、板狀粒子)的情況，粒子方向會被整合於延伸方向，導致薄膜表面不易形成方向依存性低的形狀。藉由在低光澤層(A層)中含有龐大度較大的粒子，即便是經由延伸步驟而形成的薄膜，仍可輕易地對薄膜表面賦予方向依存性低的形狀。龐大度更佳係0.6以上、特佳係0.7以上。另一方面，就從藉由對薄膜表面賦予不均勻形狀，而達成沒有角度依存性之低光澤化的觀點，龐大度較佳係0.9以下。又，本發明中所謂單分散型粒子係指幾乎沒有二次凝聚粒子，由一次粒子分散於聚合物中的粒子，薄膜利用穿透式電子顯微鏡觀察時，每0.01mm2視野內的二次凝聚粒子數在20個以下的粒子。
本發明為能形成不會因角度而異的低光澤表面、且兼顧霧面轉印性與薄膜強度，使厚度4μm以上且10μm以下之A層中，相對於A層全體100質量%，多面體形狀平均粒徑6μm以上且15μm以下的粒子，含有22質量%以上且40質量%以下之構成，便屬極佳態樣。
本發明的薄膜就從提升薄膜強度的觀點，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)中至少一方向的MIT彎曲斷裂次數較佳係達7500次以上。藉由MIT彎曲斷裂次數達7500次以上，當轉印後在剝離薄膜時便可抑制破裂、劈裂等情形發生。MIT彎曲次數較佳係長邊方向(MD)、寬度方向(TD)均達7500次以上。使長邊方向(MD)、寬度方向(TD)中至少一方向的MIT彎曲斷裂次數達7500次以上之方法，並無特別的限定，較佳係採用例如形成雙軸延伸聚酯薄膜的 情況，在熱處理前便依A層的結晶化溫度(Tcc)以上之溫度施行延伸的方法等。藉由採用該條件，藉由在熱處理前便利用使形成微細配向結晶的熱處理進行成長，便可降低被認為薄膜破裂與劈裂起點的層狀形成。
本發明的薄膜就從熱壓合等高溫加工時的品質提升觀點，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)在100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率，較佳係均在0.015%/℃以下。上述方向中，藉由將熱尺寸變化率設在0.015%/℃以下，便可抑制因高溫加工時的膨脹變形而產生起皺情形。熱尺寸變化率更佳係0.012%/℃以下、特佳係0.009%/℃以下。本發明中，將長邊方向(MD)、寬度方向(TD)在100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率設在0.015%/℃以下的方法並無特別的限定，例如形成雙軸延伸聚酯薄膜的情況，較佳係採取經熱處理後進行階段性降溫，於各階段鬆弛的方法等。
本發明的薄膜就從霧面外觀轉印性的觀點，A層表面的中心線平均粗糙度SRa較佳係超過1000nm、且在3000nm以下。若A層側的中心線平均粗糙度SRa在1000nm以下之情況時，會有霧面轉印性嫌不足的情況，又若大於3000nm時，會有薄膜強度降低的情況。就從霧面轉印性與薄膜強度的觀點，A層側的中心線平均粗糙度SRa更佳係1100nm以上且2500nm以下、特佳係1200nm以上且2000nm以下。本發明中，將A層側的中心線平均粗糙度SRa設為超過1000nm、且在3000nm以下的方法，並無特別的限制，較佳方法係可例如：調整A層中之粒子含量的方法、降低A層中所含有粒子之周邊空隙的方法。藉由降低粒子周邊空隙，便使表面輕易形成粒子形狀，能輕易將中心線平均粗糙度SRa控制為超過 1000nm且在3000nm以下的大小。降低A層中之粒子周邊空隙的方法，例如：當基材層與低光澤層(A層)均由聚酯形成，並形成雙軸延伸聚酯薄膜的情況，較佳係使用提高低光澤層(A層)之延伸性的方法；或者在後述延伸後的熱處理步驟中，藉由依高溫施行處理而降低空隙的方法等。低光澤層(A層)係為能提高延伸性，較佳為含有：共聚合聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丙二酯樹脂及/或其共聚物、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂及/或其共聚物。
本發明的薄膜就從薄膜尺寸安定性的觀點，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率較佳係均在2%以下。藉由將長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率控制於2%以下的較低值，便可抑制各種加工步驟中發生捲曲、起皺等情形。本發明為能更加提高尺寸安定性，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率更佳係1.8%以下、特佳係1.5%以下。
本發明的薄膜就從操作性觀點，經150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度較佳係0mm以上且30mm以下。本發明中所謂150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度，係將薄膜朝任意一方向切取100mm，並朝該方向的正交方向切取100mm大小，而成為樣品，該樣品在150℃熱風循環式烤箱中放置10分鐘而施行熱處理後，放置於玻璃板上，測定四個角距玻璃板面於垂直方向上的浮起量，計算出最大高度並設為捲曲高度。捲曲高度更佳係0mm以上且25mm以下、特佳係0mm以上且20mm以下。
本發明中，將長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率設在2%以下的方法，以及將經150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度設在0mm以上且30mm以下的方法，並無特別的限 定，可例如：調整經雙軸延伸後之薄膜熱處理條件的方法。藉由將處理溫度設為高溫，便產生配向緩和作用，而有降低熱收縮率的傾向，就從尺寸安定性、薄膜品質的觀點，經雙軸延伸後的熱處理溫度較佳係220℃~240℃、更佳係225℃~240℃、特佳係230℃~240℃。另外，薄膜的熱處理溫度利用微分式掃描熱量計(DSC)，在氮環境下，依20℃/分的升溫速度進行測定時，從DSC曲線因熱經歷造成的微小吸熱尖峰便可求得，本發明薄膜的微少吸熱尖峰溫度較佳係220~240℃。
再者，較佳之熱處理時間係可在5~60秒鐘內任意設定，就從尺寸安定性、薄膜品質、生產性的觀點，較佳係設為10~40秒、更佳係設為15~30秒。又，熱處理係藉由使長邊方向及/或寬度方向鬆弛，便可降低熱收縮率。施行熱處理而使鬆弛時，鬆弛率(鬆弛速率)較佳係1%以上，就從尺寸安定性、生產性的觀點，較佳係1%以上且10%以下、更佳係1%以上且5%以下。
再者，依2階段以上的條件施行熱處理之方法亦屬非常佳。經220℃~240℃高溫施行熱處理後，藉由一邊依較熱處理溫度低的低溫使朝長邊方向及/或寬度方向鬆弛，一邊施行熱處理，便可更加降低熱收縮率。此時第2階段的熱處理溫度較佳係120℃~未滿200℃、更佳係150℃~180℃。又，將依150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度設為0mm以上且30mm以下的方法，為使樹脂擠出時的冷卻滾筒上、與相對面樹脂的冷卻速度不會出現差值，較佳為亦採用例如在冷卻滾筒面的相對面側設置冷卻夾輥之方法。又，當本發明的薄膜係在基材層至少單面上設有上述A層的薄膜構成時，較佳係在基材層的雙面上設有A層的構成，當基材層的單面上 設有A層時，亦是較佳將基材層與A層的樹脂設為類似組成。
本發明之薄膜較佳係薄膜在20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動在20%以下。藉由降低拉伸斷裂強度的變動，便可提升薄膜操作性，並可抑制在薄膜搬送時、轉印剝離時，於強度較弱地方發生薄膜破裂情形。本發明薄膜在20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動，係針對將薄膜於任意位置處切取寬20cm×長30cm大小的樣品，朝長度方向二等分為15cm，再分別將長15cm樣品朝寬度方向切取寬1cm，形成長15cm×寬1cm的細方塊狀樣品計40條，利用拉伸試驗測定並計算斷裂強度。薄膜在20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動更佳係15%以下、特佳係0.1%以上且10%以下。
將本發明薄膜在20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動設在20%以下的方法，係可例如：提升A層中所含粒子分散性的方法。藉由提升粒子分散性、使粒子均勻存在於A層中，亦可降低拉伸斷裂強度變動。提升粒子分散性的方法並無特別的限定，例如在與構成A層的基質樹脂呈高相溶性之樹脂中使粒子混合，再將該粒子混合原料融合擠出於基質樹脂中，而形成A層的方法等。例如當基質樹脂係聚對苯二甲酸乙二酯的情況，混合用樹脂較佳係選用聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯等。
本發明薄膜就從轉印性的觀點，較佳為將A層表面的表面自由能設在44mN/m以下。藉由將表面自由能設在44mN/m以下，便可提升與轉印材料間之剝離性，便可輕易進行轉印、剝離，而提升轉印性。A層側的表面自由能更佳係40mN/m以下、特佳係35mN/m以下。另一方面，就從轉印材料的均勻塗佈性與加工中的 密接性之觀點，較佳係20mN/m以上。
將本發明的表面自由能設為前述範圍的方法，並無特別的限定，可例如使A層中含有例如：聚矽氧化合物、蠟化合物、氟系化合物等離型劑的方法等等。
本發明中，就從加熱時的耐熱性觀點，較佳為將A層設為含有三聚氰胺樹脂與離型劑的層(以下亦將含有離型劑的層，稱為「離型層」)。就從耐熱性、離型安定性的觀點，A層中的三聚氰胺樹脂含量較佳係50質量%以上。
三聚氰胺樹脂係可舉例如：三聚氰胺甲醛樹脂、甲基化三聚氰胺甲醛樹脂、丁基化三聚氰胺甲醛樹脂、醚化三聚氰胺甲醛樹脂、環氧改質三聚氰胺甲醛樹脂等三聚氰胺甲醛樹脂；脲三聚氰胺樹脂、丙烯酸-三聚氰胺樹脂等，較佳係三聚氰胺甲醛樹脂，就從具有適度離型性的觀點，更佳係使用甲基化三聚氰胺甲醛樹脂。又，本發明的A層，就從製膜性、延伸追蹤性的觀點，較佳係除黏結劑樹脂、離型劑之外，尚含有黏結劑樹脂。黏結劑樹脂特佳係使用聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺酯系樹脂，更佳係使用丙烯酸系樹脂。丙烯酸系樹脂係可舉例如：(甲基)丙烯酸烷酯的單聚物或共聚物、側鏈及/或主鏈末端具有硬化性官能基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，而硬化性官能基係可例如：羥基、羧基、環氧基、胺基等。其中，較佳係由丙烯酸單體、與側鏈及/或主鏈末端具硬化性官能基的丙烯酸酯，進行共聚合的丙烯酸單體共聚物。又，本發明A層中所含有的離型劑係可例如：氟化合物、長鏈烷基化合物及蠟化合物等。該等離型劑係可單獨使用、亦可使用複數種。
本發明可使用的氟化合物係化合物中含有氟原子的 化合物。例如含全氟烷基的化合物、含氟原子的烯烴化合物之聚合體、氟苯等芳香族氟化合物等等。將本發明的離型膜使用於成形同步轉印箔用途等情況，因為轉印時會施加高熱負荷，因而若考慮耐熱性、污染性，氟化合物較佳係高分子化合物。
所謂長鏈烷基化合物係指具有碳數6以上，較佳係8以上之直鏈或分支烷基的化合物。具體例並無特別的限定，可例如：含長鏈烷基之聚乙烯樹脂、含長鏈烷基之丙烯酸樹脂、含長鏈烷基之聚酯樹脂、含長鏈烷基之胺化合物、含長鏈烷基之醚化合物、含長鏈烷基之四級銨鹽等。若長鏈烷基化合物係高分子化合物，則在離型膜剝離時，可抑制源自A層的成分轉印至所貼合之對方基材表面，故較佳。
本發明可使用的蠟，係從天然蠟、合成蠟、由該等摻合的蠟中所選擇的蠟。天然蠟係有植物系蠟、動物系蠟、礦物系蠟、石油蠟。植物系蠟係可舉例如：堪地里拉蠟(candelilla wax)、巴西棕櫚蠟、米蠟、木蠟、荷荷芭油。動物系蠟係可舉例如：蜜蠟、羊毛脂、鯨臘。礦物系蠟係可舉例如：褐煤蠟、石蠟(ozokerite)、地蠟。石油蠟係可舉例如：石蠟(Paraffin wax)、微晶蠟、凡士林。合成蠟係可舉例如：合成烴、改質蠟、氫化蠟、脂肪酸、酸醯胺、胺、醯亞胺、酯、酮。合成烴比較有名者係可例如、費雪‧闕布希蠟[Fischer Tropsch wax，別名沙索蠟(sasol wax)]、聚乙烯蠟，此外尚亦包括屬於低分子量高分子(具體係黏度平均分子量500至20000的高分子)之以下的聚合物。即例如：聚丙烯、乙烯‧丙烯酸共聚物、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇與聚丙二醇的嵌段或接枝鍵結體。改質蠟係可舉例如：褐煤蠟衍生物、石蠟衍生物、微晶蠟衍生 物。此處所謂衍生物係指經精製、氧化、酯化、皂化等任一處理、或該等組合而獲得的化合物。氫化蠟係可例如：硬化篦麻油及硬化篦麻油衍生物。
藉由使該等離型劑均勻分散於A層的表面，便可將與在A層上積層、剝離的被離型層間之密接力、剝離力設在適當範圍內。若離型劑係使用長鏈烷基化合物，便可在廣範圍內調整剝離力，藉此點而言，較適合於本發明之用途。
其次，敘述關於本發明薄膜的具體製造方法之例，惟本發明不應解釋為僅侷限於該例而已。
本發明的薄膜係由基材層、低光澤層(A層)構成，當各層均使用聚酯樹脂的情況，分別將各樹脂供應給各自的擠出機並施行熔融擠出。此時，樹脂溫度較佳為控制於255℃~295℃。接著，通過過濾器、齒輪泵，分別施行異物除去、擠出量均整化，再從T型模頭呈片狀共擠出於冷卻滾筒上，便獲得積層片。此時，利用例如：使用經施加高電壓的電極，利用靜電使冷卻滾筒與樹脂密接的靜電施加法、或在澆鑄滾筒與所擠出聚合物片之間設置水膜的澆鑄法、或將澆鑄滾筒溫度設為聚酯樹脂之玻璃轉移點~(玻璃轉移點-20℃)而使所擠出聚合物黏著的方法、或複數組合該等方法的方法，使片狀聚合物密接於澆鑄滾筒，再冷卻固化。該等澆鑄法中，於使用聚酯的情況，就從生產性、平面性的觀點，較佳係施加靜電的方法；而就從加熱時抑制捲曲的觀點，較佳係採用在冷卻滾筒的相對面側設置冷卻夾輥之方法。本發明的薄膜就從耐熱性、尺寸安定性的觀點，較佳係雙軸配向薄膜。雙軸配向薄膜係利用例如：將未延伸薄膜朝長邊方向延伸後，再朝寬度方向延伸，或者朝寬度方向延 伸後，再朝長邊方向延伸的逐次雙軸延伸方法，或者薄膜的長邊方向、寬度方向幾乎同步施行延伸的同步雙軸延伸方法等施行延伸便可獲得。
該延伸方法時的延伸倍率係採用長邊方向2.8倍以上且3.4倍以下、更佳係2.9倍以上且3.3倍以下。又，延伸速度較佳係1,000%/分以上且200,000%/分以下。又，長邊方向的延伸溫度較佳係設為70℃以上且90℃以下。又，寬度方向的延伸倍率較佳係採用2.8倍以上且3.8倍以下、更佳係3倍以上且3.6倍以下。寬度方向的延伸速度較佳係1,000%/分以上且200,000%/分以下。又，寬度方向的延伸溫度較佳係設為70℃以上且180℃以下，但就從提升薄膜強度的觀點，更佳係A層的結晶化溫度以上之溫度。又，經雙軸延伸後再施行薄膜的熱處理。熱處理係藉由在烤箱中、經加熱的輥上等習知公知之任意方法便可實施。該熱處理係依120℃以上且聚酯之結晶熔解尖峰溫度以下的溫度實施，但就從降低A層中的粒子周邊空隙之觀點，且將150℃熱收縮率控制為2%以下的較低值之觀點，熱處理溫度較佳係設為220℃以上的高溫。又，就從將100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率設在0.015%/℃以下之觀點，較佳為經熱處理後一邊階段性降溫一邊施行鬆弛處理。更具體而言，依熱處理的最大溫度(Tmax)施行鬆弛速率0.5%以上的鬆弛熱處理，接著較佳為在Tmax-50℃以上且Tmax-5℃以下的溫度中，依1階段以上施行鬆弛速率0.5%以上的鬆弛熱處理。Tmax-50℃以上且Tmax-5℃以下的鬆弛熱處理，較佳為在Tmax-25℃以上且Tmax-5℃以下、及Tmax-50℃以上且未滿Tmax-25的各溫度範圍中，分別各實施1次以上。鬆弛熱處理係可朝長邊方向或寬度方向 中之任一方向實施，但當利用逐次雙軸延伸施行雙軸延伸時，就從生產性的觀點，較佳為在對第二軸的延伸方向施行延伸後，再連續施行鬆弛熱處理。
再者，本發明的薄膜為能確保安定的離型性，形成在薄膜的A層表面上設置離型層的積層體亦屬較佳態樣。設置離型層的方法並沒有特別的限定，可舉例有利用同軸施行塗佈的方法。利用薄膜製造製程內的同軸設置塗佈層之方法，較佳係在至少施行單軸延伸的薄膜上，利用金屬棒、凹版輥等，均勻塗佈使塗佈層組成物分散於水中的溶液，一邊施行延伸，一邊使塗劑乾燥的方法，此時離型層的厚度較佳係設為0.02μm以上且0.1μm以下。又，離型層中亦可添加各種添加劑，例如：抗氧化劑、耐熱安定劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、顏料、染料、有機或無機粒子、抗靜電劑、核劑等。
本發明的薄膜，因為60°光澤度(G60)、85°光澤度(G85)均低至20以下，且差值亦被控制於特定範圍內的較小值，因而呈現不會受入射角度影響的優異低光澤外觀，當使用為轉印薄膜的情況，低光澤外觀的轉印性優異。所以，頗適合在電路形成步驟中，使用為霧面外觀轉印性優異的轉印用薄膜。
[實施例] (1)聚酯之組成
將聚酯樹脂與薄膜溶解於六氟異丙醇(HFIP)中，使用1H-NMR與13C-NMR，便可針對各單體殘基成分、副產物二乙二醇進行含量的定量。積層薄膜的情況，配合積層厚度削取薄膜各層，而採集構成各層單體的成分，便可進行評價。另外，針對本發明的薄膜，從 薄膜製造時的混合比率進行計算，便可計算出組成。
(2)聚酯之固有黏度
聚酯樹脂與薄膜的固有黏度，係將聚酯溶解於鄰氯酚中，使用奧士華黏度計，依25℃進行測定。積層薄膜的情況，配合積層厚度削取薄膜各層，便可評價各層單體的固有黏度。
(3)薄膜厚度
使用度盤規，測定薄膜厚度。
(4)各層厚度
將薄膜包藏於環氧樹脂中，利用切片機切取薄膜截面。針對該截面利用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製TEM H7100)，依5000倍的倍率進行觀察，並求取各層的厚度。
(5)粒子之平均粒徑
從薄膜中利用電漿低溫灰化處理法(YAMATO SCIENTIFIC製PR-503型)除去樹脂，而使粒子露出。將其利用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製TEM H7100)進行觀察，並將粒子的影像(由粒子造成的光濃淡)連結於影像分析儀(Cambridge Instrument製QTM900)，改變觀察地方，依粒子數100個施行下述數值處理，並將所求得的數量平均徑D設為平均粒徑。
D=ΣDi/N
其中，Di係粒子的圓相當徑，N係粒子個數。
(6)粒子之形狀‧真圓度
依照與(5)同樣地觀察粒子的影像。又，真圓度係由下式計算，將粒子數100個的平均值設為本發明的真圓度。
真圓度=4π×面積/周長2
(7)粒子之形狀‧龐大度
利用切片機切取平行於薄膜長邊方向且垂直於薄膜厚度方向的薄膜截面，及平行於薄膜寬度方向且垂直於薄膜厚度方向的薄膜截面，依照(5)所記載的方法施行觀察。將截面粒子中，粒子端與端的最長長度設為L1，並將求取上述L1時連結粒子端與端的線段之垂直方向上，粒子端與端的最長長度設為L2(圖1)。龐大度係分別針對平行於薄膜長邊方向且垂直於薄膜厚度方向的薄膜截面，及平行於薄膜寬度方向且垂直於薄膜厚度方向的薄膜截面，求取L2/L1，並求取其100個的平均。
(8)粒子含量
將聚合物1g投入1N-KOH甲醇溶液200ml中，施行加熱回流而溶解聚合物。在已完成溶解的該溶液中添加200ml水，接著將該液體利用離心分離器使粒子沉澱，除去上清液。於粒子中更進一步添加水，重複2次施行洗淨、離心分離。使依此所獲得的粒子乾燥，量取質量，進而計算出粒子含量。
(9)光澤度
根據JIS-Z-8741(1997年)所規定的方法，使用SUGA TEST INSTRUMENTS製數位式變角光澤儀UGV-5D，分別依N=3測定60°鏡面光澤度與85°鏡面光澤度，並將平均值設為本發明的60°光澤度(G60)、85°光澤度(G85)。
(10)MIT彎曲次數
將聚酯薄膜切取為寬15mm、長100mm的細方塊狀而作為樣品。使用MIT耐折強度試驗機(MYS-TESTER(股)製)，分別測定薄膜長邊方向與寬度方向各3次，計算平均值。
‧前端：R0.38mm
‧彎曲角度：左右135°
‧彎曲速度：175往復/每分鐘
‧荷重：9.8N
(11)中心線平均粗糙度SRa
將經切取為長4.0cm×寬3.5cm尺寸物當作樣品，使用觸針法的高精細微細形狀測定器(三次元表面粗糙度計)，根據JIS B0601-1994，依下述條件測定薄膜的表面形態。
‧測定裝置：三次元微細形狀測定器(小坂研究所(股)製、ET-4000A型)
‧解析機器：三次元表面粗糙度解析系統(TDA-31型)
‧觸針：前端半徑0.5μmR、徑2μm、鑽石製
‧針壓：100μN
‧測定方向：薄膜長邊方向、薄膜寬度方向各測定1次後的平均
‧X測定長度：1.0mm
‧X饋進速度：0.1mm/s(測定速度)
‧Y饋進間距：5μm(測定間隔)
‧Y線數：81條(測定線條數)
‧Z倍率：20倍(縱倍率)
‧低點截取：0.20mm
‧高點截取：R+Wmm(粗糙度擷取值)未擷取R+W。
‧過濾器方式：高斯空間式
‧調平：有(傾斜校正)
‧基準面積：1mm2。
依上述條件施行測定，然後使用解析系統計算中心線平均粗糙度SRa。
(12)100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率
依長邊方向(MD)、寬度方向(TD)分別成為長度方向的方式，切取呈長50mm×寬4mm矩形而作為樣品，使用熱機械分析裝置(精工儀器製、TMA EXSTAR6000)，在下述條件下進行升溫，測定100℃至150℃的熱尺寸變化率。
測試長度：15mm、荷重：19.6mN、升溫速度：10℃/分、
測定溫度範圍：30~200℃
100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率(%)=[{150℃的薄膜長度(mm)-100℃的薄膜長度(mm)}/100℃的薄膜長度(mm)]×100
另外，測定係各薄膜均針對長邊方向與寬度方向各5個樣品實施，並利用平均值施行評價。
(13)150℃熱收縮率
依長邊方向(MD)、寬度方向(TD)分別成為長度方向的方式，切取呈長150mm×寬10mm矩形而作為樣品。在樣品上依100mm間隔描繪標線，垂吊3g之砝碼，放置於加熱至150℃的熱風烤箱內30分鐘而施行加熱處理。經熱處理後測定標線間距離，從加熱前後的標線間距離變化，依下式計算出熱收縮率。測定係各薄膜均針對長邊方向與寬度方向各5個樣品實施，並利用平均值施行評價。
熱收縮率(%)={(加熱處理前的標線間距離)-(加熱處理後的標線間距離)}/(加熱處理前的標線間距離)×100。
(14)經150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度
將薄膜朝任意一方向切取100mm，並朝該方向的正交方向切取100mm大小，而成為樣品。該樣品在150℃熱風循環式烤箱中放置10分鐘而施行熱處理後，放置於玻璃板上，測定四個角距玻璃板面於垂直方向上的浮起量，並將最大高度設為捲曲高度。
(15)薄膜在20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動
針對將薄膜從任意位置切取寬20cm×長30cm大小的樣品，朝長度方向二等分為15cm，再分別將長15cm樣品朝寬度方向切取寬1cm，製成長15cm×寬1cm的細方塊狀樣品計40條。針對該樣品使用拉伸試驗機(ORIENTEC製張力機UCT-100)，依初期拉伸夾具間距離50mm、拉伸速度300mm/分施行拉伸試驗，測定薄膜斷裂時的強度(拉伸斷裂強度)，並依下述求取變動。
拉伸斷裂強度變動(%)={(最大值-最小值)/平均值}×100
(16)表面自由能
測定液係使用水、乙二醇、甲醯胺及二碘甲烷等4種，使用接觸角計(協和界面科學(股)製CA-D型)，針對各液體的薄膜表面求取靜態接觸角(Static Angle)。針對各液體測定5次，再將平均接觸角(θ)與測定液(j)的表面張力等各數值分別代入下式，從由4個式子形成的聯立方程式求取γL、γ+、γ-。
(γLγjL)1/2+2(γ+γj-)1/2+2(γj+γ-)1/2=(1+cosθ)[γjL+2(γj+γj-)1/2]/2
但，γ=γL+2(γ+γ-)1/2
γj=γjL+2(γj+γj-)1/2
其中，γ、γL、γ+、γ-分別係表示薄膜表面的表面自由能、長距離間力項、路易士酸參數、路易士鹼參數，又，γj、γjL、γj+、γj-分別係表示所使用測定液的表面自由能、長距離間力項、路易士酸參數、路易士鹼參數。又，此處所使用各液體的表面張力係使用由Oss("fundamentals of Adhesion",L.H.Lee(Ed.),p153,Plenum ess,New York(1991).)提案的數值。
(17)剝離性
將薄膜切取為長100mm×寬100mm供使用。下述硬塗層形成用塗料組成物依乾燥後的厚度成為5μm方式控制流量，並使用狹縫模具式塗佈機施行塗佈，依100℃施行1分鐘乾燥而除去溶劑，獲得經積層著硬塗層的積層體。
所獲得薄膜/硬塗層積層體，使用上模溫度、下模溫度均加熱至溫度160℃的沖壓機，將厚度0.2mm鋁板/厚度0.125mm聚醯亞胺薄膜(東麗杜邦製KAPTON500H/V)/積層體/厚度0.125mm聚醯亞胺 薄膜(東麗杜邦製KAPTON500H/V)/厚度0.2mm鋁板的構成體，在1.5MPa條件下施行1小時加熱壓合。經加熱壓合後，取出積層體，使用高壓水銀燈，從積層體側照射300mJ/cm2紫外線，使硬塗層硬化而獲得樣品。該樣品針對薄膜、硬塗層界面實施剝離測試，並依以下基準施行剝離性評價。另外，當薄膜有設置離型層的情況，便從薄膜/離型層與硬塗層界面施行剝離測試。剝離測試施行5次，並依下述評價基準施行評價。
(硬塗層形成用塗料組成物)
將下述材料混合，使用甲乙酮進行稀釋，獲得固形份濃度40質量%的硬塗層形成用塗料組成物。
Figure 107133645-A0101-12-0026-1
(評價基準)
A：能毫無抵抗地剝離，(5次剝離測試均)沒有發生薄膜破裂情形。
B：剝離時雖有感受到反抗，但仍可剝離，(5次剝離 測試均)沒有發生薄膜破裂情形。
C：雖可剝離，但(5次剝離測試中有其中一次)在剝離時發生薄膜破裂情形。
D：(5次剝離測試中均)無法剝離。
(18)加熱壓合後的捲曲性
將依照與(17)同樣地施行加熱壓合後的積層體，放置於玻璃板上，測定四個角距玻璃板面於垂直方向上的浮起量，並將最大高度設為捲曲高度。
A：捲曲高度0mm以上且未滿10mm
B：捲曲高度10mm以上且未滿20mm
C：捲曲高度20mm以上且未滿30mm
D：捲曲高度達30mm以上。
(18)霧面外觀之轉印性、均勻美觀
針對依照(17)之方法所獲得硬塗層的剝離面側，測定光澤度，並針對平均值依照以下基準施行評價。
(霧面外觀之轉印性)
A：60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在10以下
B：60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)之其中一者在10以下，但另一者係大於10且在27以下
C：60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均係10以上且27以下
D：60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)中之至少其中一者大於27。
(霧面外觀均勻美觀)
A：0.1≦(G85)/(G60)≦1.5
B：1.5<(G85)/(G60)≦2
C：2.0<(G85)/(G60)≦3
D：0.1>(G85)/(G60)、或(G85)/(G60)>3
(19)轉印品質
針對依照(17)之方法所獲得之硬塗層的剝離面側，目視觀察外觀，並依以下基準施行評價。
A：沒有發現起皺
B：非歸屬於A，有發生2條以下的起皺
C：非歸屬於A、B，有發生5條以下的起皺
D：非歸屬於A、B、C。
(聚酯之製造)
提供進行製膜的聚酯樹脂，係依如下進行準備。
(聚酯A)
二羧酸成分之對酞酸成分100莫耳%、二醇成分之乙二醇成分100莫耳%的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(固有黏度0.75)。
(聚酯B)
依相對於二羧酸成分，由異酞酸20莫耳%進行共聚合的共聚合聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(固有黏度0.8)。
(聚酯C)
二羧酸成分之對酞酸成分100莫耳%、二醇成分之1,4-丁二醇成分100莫耳%的聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(固有黏度1.2)。
(聚酯D)
東麗杜邦公司製"HYTREL(註冊商標)"7247。
(粒子母料E)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑6μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料F)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料G)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑10μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料H)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧八面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料I)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑5μm‧球狀形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料J)
由聚酯A中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧球狀形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料K)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑6μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料L)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料M)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑10μm‧六面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料N)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧八面體形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料O)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑5μm‧球狀形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料P)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑7.5μm‧球狀形狀的矽酸鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(粒子母料Q)
由聚酯C中依粒子濃度30質量%含有平均粒徑6μm‧平均厚度0.10μm的氧化鋁粒子，所形成之聚對苯二甲酸乙二酯粒子母料(固有黏度0.7)。
(離型層形成用溶液(水分散體))
將以下所示交聯劑：黏結劑樹脂：離型劑：粒子，分別依質量比60：23：17進行混合，利用純水稀釋調整固形份成為1%質量比。
‧交聯劑：甲基化三聚氰胺/脲共聚合之交聯製樹脂(SANWA Chemical(股)製"NIKALAC"(註冊商標)「MW12LF」)
‧黏結劑樹脂I：丙烯酸單體共聚物(NIPPON CARBIDE製)
‧離型劑：在玻璃製反應容器中，放入屬於含全氟烷基之丙烯酸酯的CF3(CF2)nCH2CH2OCOCH=CH2(n=5~11，n之平均=9)80.0g、甲基丙烯酸乙醯乙醯氧基乙酯20.0g、十二烷基硫醇0.8g、經脫氧的純水354.7g、丙酮40.0g、C16H33N(CH3)3Cl：1.0g、及C8H17C6H4O(CH2CH2O)nH(n=8)3.0g，添加偶氮雙異丁脒二鹽酸鹽0.5g，於氮環境下進行攪拌狀態下，依60℃進行10小時共聚合反應而獲得的共聚物乳膠。
‧粒子：將平均粒徑170nm的二氧化矽粒子(日產化學工業(股)製"Snowtex"(註冊商標)MP2040)，利用純水稀釋成為固形份濃度40質量%而獲得的水分散體。
(實施例1)
依組成、積層比成為表中所示，分別將原料供應給擠出機，並將擠出機圓筒溫度設為270℃、短管溫度設為275℃、噴絲嘴溫度設為280℃，依樹脂溫度280℃，從T型模頭呈片狀吐出於經溫度控制為25℃的冷卻滾筒上。此時，使用直徑0.1mm鋼絲狀電極施加靜電，而密接於冷卻滾筒上，更在冷卻滾筒相對面側設置經溫度 控制為25℃的冷卻夾輥，而獲得未延伸片。其次，朝長邊方向依延伸溫度85℃施行3.1倍延伸，然後施行電暈放電處理，再使用金屬棒依濕式厚度成為13.5μm的方式塗佈離型層形成用溶液(水分散體)，接著利用拉幅式橫延伸機，朝寬度方向依延伸溫度100℃施行延伸倍率3.3倍延伸。然後，在拉幅機內，依235℃施行15秒鐘的熱處理，接著朝寬度方向一邊施行3.5%鬆弛，一邊依175℃施行10秒鐘的熱處理，便獲得薄膜厚度50μm之薄膜(低光澤層(A層)表面設為A1面，基材層側表面設為B面)。
(實施例2)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例3)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例4)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例5)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例6)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例7)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例8)
除將組成設為如表所示，朝寬度方向施行延伸後，一邊依225℃朝寬度方向施行1%鬆弛，一邊施行30秒熱處理之外，其餘均與實施例2同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例9)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例10)
除將組成設為如表所示，當利用擠出機朝冷卻滾筒上施行片材擠出時，於冷卻滾筒相對面側未設置冷卻夾輥情況下獲得未延伸片，朝單一方向延伸後，並未施行電暈放電處理、離型層塗佈之外，其餘均與實施例4同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例11)
除將組成設為如表所示，且設為A層/基材層/A層的3層構成之外，其餘均與實施例5同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例12)
除將組成設為如表所示，且設為A層/基材層/A層的3層構成之外，其餘均與實施例5同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例13)
除將組成設為如表所示，且設為A層/基材層/A層的3層構成之外，其餘均與實施例5同樣地獲得薄膜厚度38μm的薄膜。
(實施例14)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例15)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例16)
除朝長邊方向施行延伸後，並未施行電暈放電處理、離型層塗佈之外，其餘均與實施例5同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例17)
除將組成變更為如表所示，且將橫延伸溫度設為140℃之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例18)
除將組成變更為如表所示，且將橫延伸溫度設為140℃之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例19)
除將組成變更為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例20)
除將組成變更為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例21)
除將組成變更為如表所示，且經朝寬度方向施行延伸後，針對朝寬度方向的鬆弛熱處理分別依235℃施行2.0%、依210℃施行1.5%的條件各實施5秒鐘之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例22)
除將組成變更為如表所示，且經朝寬度方向施行延伸後，針對 朝寬度方向的鬆弛熱處理分別依235℃施行1.5%、依215℃施行1.0%、依200℃施行1.0%的條件各實施5秒鐘之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例23)
除將組成變更為如表所示，且經朝寬度方向施行延伸後，針對朝寬度方向的鬆弛熱處理依240℃施行3.5%實施15秒鐘之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例24)
除將組成變更為如表所示，且經朝寬度方向施行延伸後，針對朝寬度方向的鬆弛熱處理分別依235℃施行2.0%、依210℃施行1.5%的條件各實施5秒鐘之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(實施例25)
除將組成變更為如表所示，且經朝寬度方向施行延伸後，針對朝寬度方向的鬆弛熱處理分別依235℃施行1.5%、依215℃施行1.0%、依200℃施行1.0%的條件各實施5秒鐘之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例1)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例2)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例3)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例4)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例5)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例6)
除將組成設為如表所示，並將朝寬度方向的延伸倍率設為3.8倍之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
(比較例7)
除將組成設為如表所示之外，其餘均與實施例1同樣地獲得薄膜厚度50μm的薄膜。
Figure 107133645-A0101-12-0039-4
Figure 107133645-A0101-12-0040-6
Figure 107133645-A0101-12-0041-9
Figure 107133645-A0101-12-0042-11
Figure 107133645-A0101-12-0043-13
Figure 107133645-A0101-12-0044-15
Figure 107133645-A0101-12-0045-16
(產業上之可利用性)
本發明的薄膜係60°光澤度(G60)、85°光澤度(G85)均為27以下的較低值，且差值控制於特定範圍內的較小值，因而不會受入射角度影響均能優異的展示低光澤外觀，當使用為轉印薄膜時，低光澤外觀的轉印性優異。所以，例如在電路形成步驟中，頗適用為霧面外觀轉印性優異的轉印用薄膜。又，亦頗適用於例如：建材、汽車零件、智慧手機等電子製品、家電製品等成形構件的裝飾用途，以及以對機能層賦予滑順性、脫氣性、光擴散性等機能性作為目的之表面形狀轉印用途。

Claims (16)

  1. 一種薄膜，係具有60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在27以下之低光澤層(A層)，且為雙軸配向的薄膜；其中，上述A層係至少設置於單側表層；上述60°光澤度(G60)與上述85°光澤度(G85)係滿足下述式(I)；上述A層的單側係設有基材層，且基材層、A層均係以聚酯樹脂為主成分；0.1≦(G85)/(G60)≦3‧‧‧(I)。
  2. 如請求項1之薄膜，其中，上述低光澤層(A層)的60°光澤度(G60)與85°光澤度(G85)均在10以下。
  3. 如請求項1或2之薄膜，其中，薄膜之20cm×30cm範圍內的拉伸斷裂強度變動係20%以下。
  4. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層的厚度係超過3μm且為20μm以下。
  5. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層含有粒子，且上述粒子的真圓度係0.995以下。
  6. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層含有粒子，且上述粒子為無機粒子。
  7. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層含有粒子，且上述粒子的龐大度為0.5以上。
  8. 如請求項1或2之薄膜，其中，60°光澤度(G60)係未滿6。
  9. 如請求項1或2之薄膜，其中，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)中，至少一方向的MIT彎曲斷裂次數係7500次以上。
  10. 如請求項1或2之薄膜，其中，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)在100℃至150℃範圍內的熱尺寸變化率均係0.015%/℃以下。
  11. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層表面的中心線平均粗糙度(SRa)係超過1000nm且在3000nm以下。
  12. 如請求項1或2之薄膜，其中，長邊方向(MD)、寬度方向(TD)的150℃熱收縮率均係2%以下。
  13. 如請求項1或2之薄膜，其中，利用下述方法所測定之經150℃、10分鐘熱處理後的捲曲高度係0mm以上且30mm以下；(測定方法)將薄膜朝任意一方向切取100mm，並朝該方向的正交方向切取100mm大小，而成為樣品；該樣品在150℃熱風循環式烤箱中放置10分鐘而施行熱處理後，放置於玻璃板上，測定四個角距玻璃板面於垂直方向上的浮起量，並將最大高度設為捲曲高度。
  14. 如請求項1或2之薄膜，其中，上述A層表面的表面自由能係44mN/m以下。
  15. 一種轉印用途，其使用請求項1或2之薄膜。
  16. 一種積層體，其係在請求項1或2之薄膜的A層表面上，積層著離型層而成。
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