TWI765011B

TWI765011B - 相位差板、多層相位差板、偏光板、影像顯示裝置及聚合性化合物

Info

Publication number: TWI765011B
Application number: TW107110447A
Authority: TW
Inventors: 齊藤昌和; 大里和弘; 相松將; 坂本圭
Original assignee: 日商日本瑞翁股份有限公司
Priority date: 2017-03-28
Filing date: 2018-03-27
Publication date: 2022-05-21
Also published as: US20200012026A1; WO2018180649A1; KR20190126085A; JPWO2018180649A1; CN110431454B; KR102557787B1; CN110431454A; US20220177419A1; TW201840830A; JP6962366B2

Abstract

在此揭露相位差板，以及包含其之多層相位差板、包含其之偏光板及包含其之影像顯示裝置。相位差板係包含已沿面內方向配向之液晶材料之層體的相位差板，前述相位差板在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足下述式（e1）及下述式（e2）：（Re(400)−Re(550)）／（Re(550)−Re(700)）＜2.90　　（e1）， Re(400)／Re(700)＞1.13　　（e2）。

Description

相位差板、多層相位差板、偏光板、影像顯示裝置及聚合性化合物

本發明係關於相位差板、具備此相位差板之多層相位差板、偏光板、影像顯示裝置及聚合性化合物。

作為液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等顯示裝置的構成要件，普遍進行使用相位差板。舉例而言，以將圓偏光轉換成直線偏光或將直線偏光轉換為圓偏光之目的，而普遍進行使用1／4波長板。作為構成此相位差板的材料之一，已知有液晶材料，已知例如使聚合性的液晶性化合物處於液晶狀態且在維持此液晶狀態的狀態下使其聚合而獲得的材料（例如專利文獻1及2）

『專利文獻』專利文獻1：日本專利公開第2014-206684號公報專利文獻2：日本專利公開第2006-268033號公報（對應公報：美國專利申請公開第2009/033835號說明書）。

然而，以往所使用的相位差板無法在寬廣波長範圍獲得均等的光學效果。

因此，本發明之目的在於提供可在寬廣波長範圍獲得均等光學效果的相位差板、多層相位差板及聚合性化合物。

本發明進一步之目的在於提供得在寬廣波長範圍顯現均等性能的偏光板及影像顯示裝置。

為了解決前述課題而進行研究的結果，本發明人發現藉由液晶材料形成的相位差板且具有特定的面內延遲者，得解決前述課題。本發明人尤其發現具有特定結構的液晶化合物得易於賦予此相位差板。本發明為基於此種見解而完成者。

亦即，本發明為如下所述。

（1）一種相位差板，其係包含已沿面內方向配向之液晶材料之層體的相位差板，前述相位差板在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足下述式（e1）及下述式（e2）：（Re(400)−Re(550)）／（Re(550)−Re(700)）＜2.90　　（e1）， Re(400)／Re(700)＞1.13　　（e2）。

［2］如記載於［1］的相位差板，前述面內延遲Re(λ)滿足下述式（e3）： Re(400)／Re(700)≧1.50　　（e3）。

［3］如記載於［1］或［2］的相位差板，前述液晶材料包含由下述式（1）所表示之液晶化合物的聚合物：『化1』

［式（I）中： Ar表示具有D作為取代基的2價芳烴環基或具有D作為取代基的2價芳雜環基； D表示具有選自由芳烴環及芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數1～67之有機基； Z¹ 及Z² 分別獨立為單鍵、－O－、－O－CH₂ －、－CH₂ －O－、－O－CH₂ －CH₂ 、－CH₂ －CH₂ －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR²¹ －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²¹ －、－CF₂ －O－、－O－CF₂ －、－CH₂ －CH₂ －、－CF₂ －CF₂ －、－O－CH₂ －CH₂ －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －、－CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －CH₂ －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH₃ )－、－C(CH₃ )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R²¹ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基； A¹ 與A² 及B¹ 與B² 分別獨立表示亦可具有取代基之環脂族基或亦可具有取代基之芳基； Y¹ ～Y⁴ 分別獨立表示單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－NR²² －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²² －、－O－C(＝O)－O－、－NR²² －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－NR²² －或－NR²² －C(＝O)－NR²³ －，R²² 及R²³ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基； G¹ 及G² 分別獨立為「碳數1～20之脂族烴基」及「碳數3～10之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基（－CH₂ －）已被取代成－O－或－C(＝O)－之基」中的任一有機基，G¹ 及G² 之前述有機基所包含的氫原子亦可取代成碳數1～5之烷基、碳數1～5之烷氧基或鹵原子； P¹ 及P² 分別獨立表示聚合性基，p及q分別獨立為0或1］。

［4］一種多層相位差板，其係具備相位差板P1及相位差板P2的多層相位差板，相位差板P1的面內遲相軸與相位差板P2的面內遲相軸為彼此正交；相位差板P2為如記載於［1］～［3］之任一項的相位差板；相位差板P1在波長λ nm的面內延遲ReP1(λ)及相位差板P2在波長λ nm的面內延遲ReP2(λ)滿足下述式（e4）及下述式（e5）： ReP1(550)＞ReP2(550)　　（e4）， ReP1(400)／ReP1(700)＜ReP2(400)／ReP2(700)　　（e5）。

［5］如記載於［4］的多層相位差板，前述ReP1(λ)滿足下述式（e6）： ReP1(400)／ReP1(700)＜1.10　　（e6）。

［6］如記載於［4］或［5］的多層相位差板，前述相位差板P1為含有含脂環結構聚合物之樹脂之薄膜的延伸物。

［7］如記載於［4］～［6］之任一項的多層相位差板，前述ReP1(λ)及前述ReP2(λ)滿足下述式（e7）： 90 nm＜ReP1(550)−ReP2(550)＜160 nm　　（e7）。

［8］如記載於［4］～［7］之任一項的多層相位差板，前述ReP1(λ)及前述ReP2(λ)滿足下述式（e8）及下述式（e9）： 180 nm≦ReP1(550)≦350 nm　　（e8）， 90 nm≦ReP2(550)≦160 nm　　（e9）。

［9］一種偏光板，其包含如記載於［4］～［8］之任一項的多層相位差板及直線偏光件。

［10］一種影像顯示裝置，其具備如記載於［9］的偏光板。

［11］一種聚合性化合物，其係由下述式（I）所表示之聚合性化合物，『化2』

［式（I）中： Ar表示具有D作為取代基的2價芳烴環基或具有D作為取代基的2價芳雜環基； D表示具有選自由芳烴環及芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數1～67之有機基； Z¹ 及Z² 分別獨立為單鍵、－O－、－O－CH₂ －、－CH₂ －O－、－O－CH₂ －CH₂ 、－CH₂ －CH₂ －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR²¹ －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²¹ －、－CF₂ －O－、－O－CF₂ －、－CH₂ －CH₂ －、－CF₂ －CF₂ －、－O－CH₂ －CH₂ －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －、－CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －CH₂ －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH₃ )－、－C(CH₃ )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R²¹ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基； A¹ 與A² 及B¹ 與B² 分別獨立表示亦可具有取代基之環脂族基或亦可具有取代基之芳基； Y¹ ～Y⁴ 分別獨立表示單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－NR²² －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²² －、－O－C(＝O)－O－、－NR²² －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－NR²² －或－NR²² －C(＝O)－NR²³ －，R²² 及R²³ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基； G¹ 及G² 分別獨立為「碳數1～20之脂族烴基」及「碳數3～10之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基（－CH₂ －）已被取代成－O－或－C(＝O)－之基」中的任一有機基，G¹ 及G² 之前述有機基所包含的氫原子亦可取代成碳數1～5之烷基、碳數1～5之烷氧基或鹵原子； P¹ 及P² 分別獨立表示聚合性基，p及q分別獨立為0或1］，已使該化合物沿面內方向配向的層體在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足式（e1）及式（e2）：（Re(400)−Re(550)）／（Re(550)−Re(700)）＜2.90　　（e1），Re(400)／Re(700)＞1.13　　（e2）。

［12］如記載於［11］的聚合性化合物，D所包含的π電子數為4～12。

［13］如記載於［11］或［12］的聚合性化合物，D為選自由亦可具有取代基之芳烴環基、亦可具有取代基之芳雜環基、由式－C(R^f )＝N－N(R^g )R^h 所表示之基、由式－C(R^f )＝N－N＝C(R^g1 )R^h 所表示之基及由式－C(R^f )＝N－N＝R^h1 所表示之基而成之群組之基，式中： R^f 表示氫原子或碳數1～6之烷基； R^g 及R^g1 表示氫原子或亦可具有取代基的碳數1～30之有機基； R^h 及R^h1 表示具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基。

根據本發明，提供可在寬廣波長範圍獲得均等光學效果的相位差板、多層相位差板及聚合性化合物；以及得在寬廣波長範圍顯現均等性能的偏光板及影像顯示裝置。

以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非為限定於以下所揭示之實施型態及示例物者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。

於以下說明中，所謂「長條狀」之薄膜，係指相對於幅寬具有5倍以上之長度之薄膜，以具有10倍或以上之長度為佳，具體係指具有收捲成輥狀以儲存或運輸程度之長度的薄膜。相對於薄膜之幅寬的長度之比例的上限並未特別受限，但得定為例如10,000倍以下。

於以下說明中，除非另有註明，否則薄膜之面內延遲Re為由Re＝（nx−ny）×d所表示之值。並且，除非另有註明，否則薄膜之厚度方向延遲Rth為由Rth＝［（nx＋ny）／2−nz］×d所表示之值。於此，nx表示「為垂直於薄膜之厚度方向之方向（面內方向）且賦予最大折射率」之方向的折射率。ny表示「為前述面內方向且正交於nx之方向」之方向的折射率。nz表示厚度方向的折射率。d表示薄膜的厚度。除非另有註明，否則量測波長為550 nm。惟在將組合多層相位差板者視為單一相位差板的情況下，nx為設定作為遲相軸方向之在面內方向的折射率，ny為與其正交之面內方向的折射率。面內延遲Re得依需求採用進行柯西擬合（Cauchy fitting）等處理而減少量測誤差之影響的值。

於以下說明中，除非另有規定，否則所謂構成要件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，在未損及本發明之效果的範圍內亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。

於以下說明中，除非另有註明，否則所謂「偏光板」及「波長板」不僅為剛直的組件，亦包含例如樹脂製之薄膜般具有可撓性的組件。

於以下說明中，除非另有註明，否則具備多層薄膜之組件中的各薄膜之光學軸（偏光件的穿透軸、相位差板的遲相軸等）所夾成的角度，表示自厚度方向觀看前述薄膜時的角度。

於以下說明中，除非另有註明，否則所謂的接合劑不僅為包含狹義的接合劑（照射能量射線後或加熱處理後，在23℃之剪切儲存彈性模數為1 MPa～500 MPa的接合劑），亦包含在23℃之剪切儲存彈性模數未達1 MPa的黏合劑。

於以下說明中，除非另有註明，否則所謂薄膜的遲相軸表示該薄膜之在面內的遲相軸。

［1.相位差板］

本發明之相位差板包含已沿面內方向配向之液晶材料的層體。

本申請案中，所謂「液晶材料」，為使包含液晶化合物（亦即，其本身或其與其他物質的混合物得呈現液晶相的化合物）之液晶組成物固化而成的材料。液晶材料通常得包含聚合性之液晶化合物的聚合物。

本申請案中，所謂「已沿面內方向配向」之液晶材料的層體，係在該層體中具有「液晶化合物之分子的整體或一部分為已沿該層體之面內的某方向配向之結構」的液晶材料。已沿面內方向配向的液晶材料，通常得藉由「形成液晶組成物之層體，使該液晶組成物中之液晶化合物配向，在維持該配向的狀態下使液晶組成物固化」而獲得。液晶材料的配向得定為單一方向，但不限於此。舉例而言，用以形成液晶材料之液晶化合物在1個分子中具有多個液晶元，在此些液晶元得沿各別方向配向的情況下，得獲得已在面內的2個以上方向配向的液晶材料。液晶材料的層體通常得定為由液晶材料而成的層體。

本發明的相位差板可僅由液晶材料的層體而成，亦可除了液晶材料的層體以外還包含其他層體。

液晶材料之層體的厚度並未特別受限，得定為顯現期望光學特性之任意厚度。液晶材料之層體的厚度通常得定為0.3～8 μm。

本發明之相位差板其在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足下述式（e1）及式（e2）。（Re(400)−Re(550)）／（Re(550)−Re(700)）＜2.90　　（e1） Re(400)／Re(700)＞1.13　　（e2）

由本發明人發現，藉由相位差板的面內延遲Re(λ)滿足式（e1），且藉由與其他相位差板組合而做成多層相位差板，可在寬廣波長範圍中獲得均等的光學效果。具體而言，在組合相位差板與其他相位差板而使用作為1／4波長板等多層波長板的情形中，可在可見光區域的寬廣範圍或在所有範圍獲得接近理想波長板的效果。更具體而言，1／4波長板以在可見光區域的所有波長下滿足Re(λ)＝λ／4的關係為理想。滿足上述式（e1）的相位差板可藉由與其他相位差板組合以做成多層相位差板，而易於獲得此種線性相關性。此外，還可藉由滿足上述式（e2），而在厚度為薄的相位差板實現在寬廣波長範圍的均等光學效果。

於以下說明中，有將關於某相位差板之式（e1）之左邊即「（Re(400)−Re(550)）／（Re(550)−Re(700)）」的值稱為該相位差板之線性指標的情形。本發明之相位差板的線性指標為2.90以下，以2.4以下為佳，以2.0以下為更佳。在線性指標正為1的情況下，得構成理想的多層相位差板。因此，線性指標的下限得定為例如1以上。

本發明之相位差板以滿足下述式（e3）為佳。 Re(400)／Re(700)≧1.50　　（e3）

藉由滿足式（e3），可在厚度為薄的多層相位差板實現在寬廣波長範圍的均等光學效果。因此，可薄化包含本發明之相位差板之偏光板及顯示裝置的厚度，且可減輕重量。Re(400)／Re(700)的值以1.50以上為佳，以1.70以上為較佳，以1.90以上為更佳。另一方面，Re(400)／Re(700)之值的上限並未特別受限，但得定為例如3.5以下。

［2.相位差板的製造方法］

本發明的相位差板得藉由使包含液晶化合物的液晶組成物固化而製造。更具體而言，相位差板的製造得藉由「形成液晶組成物之層體，使該液晶組成物中之液晶化合物配向，在維持該配向的狀態下使液晶組成物固化，形成液晶材料」而進行。

作為較佳例，液晶材料得包含由下述通式（I）所表示之液晶化合物的聚合物。亦即，作為用以製造本發明之相位差板之液晶化合物的較佳例，可列舉由下述通式（I）所表示之聚合性的液晶化合物。

『化3』

於此，在式（I）中，Ar係具有D作為取代基的2價芳烴環基或具有D作為取代基的2價芳雜環基。1個Ar中之D的數量通常為1個。構成Ar的芳烴環基及芳雜環基亦可具有除了D以外的取代基。

於此，D為具有選自由芳烴環及芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數1～67之有機基，且以碳數2～67之有機基為佳。亦即，D可為僅由芳環而成的基，亦可為具有芳環及芳環以外之結構之二者的有機基。

D可為芳烴環基，可為芳雜環基，亦可為此些以外的有機基。

於此，術語「芳烴環基」係指分子的某部分，包含芳烴環，並經由化學鍵而與分子剩餘的部分鍵結者，且此化學鍵為自該某部分的芳烴環直接往剩餘部分延長的化學鍵。舉例而言，烷苯基為芳烴環基。另一方面，苯烷基為具有芳烴環的有機基，但為芳烴環基以外的有機基。

同樣地，術語「芳雜環基」係指分子的某部分，包含芳雜環，並經由化學鍵而與分子剩餘的部分鍵結者，且此化學鍵為自該某部分的芳雜環直接往剩餘部分延長的化學鍵。

而且，作為構成Ar的2價芳烴環基之例，可列舉：1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸萘基、2,6-伸萘基、1,5-伸萘基、蒽基-9,10-二基、蒽基-1,4-二基及蒽基-2,6-二基等。

此些之中，作為2價芳烴環基，以1,4-伸苯基、1,4-伸萘基及2,6-伸萘基為佳，尤以1,4-伸苯基為佳。

並且，作為構成Ar之2價芳雜環基之例，可列舉：苯并噻唑-4,7-二基、1,2-苯并異噻唑-4,7-二基、苯并㗁唑-4,7-二基、吲哚-4,7-二基、苯并咪唑-4,7-二基、苯并吡唑-4,7-二基、1-苯并呋喃-4,7-二基、2-苯并呋喃-4,7-二基、苯[1,2-d:4,5-d’]二噻唑基-4,8-二基、苯[1,2-d:5,4-d’]二噻唑基-4,8-二基、苯并噻吩基-4,7-二基、1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基、苯[1,2-b:5,4-b’]二噻吩基-4,8-二基、苯[1,2-b:4,5-b’]二噻吩基-4,8-二基、苯[1,2-b:5,4-b’]二呋喃基-4,8-二基、苯[1,2-b:4,5-b’]二呋喃基-4,8-二基、苯[2,1-b:4,5-b’]二吡咯-4,8-二基、苯[1,2-b:5,4-b’]二吡咯-4,8-二基及苯[1,2-d:4,5-d’]二咪唑-4,8-二基等。

此些之中，作為2價芳雜環基之例，以苯并噻唑-4,7-二基、苯并㗁唑-4,7-二基、1-苯并呋喃-4,7-二基、2-苯并呋喃-4,7-二基、苯[1,2-d:4,5-d’]二噻唑基-4,8-二基、苯[1,2-d:5,4-d’]二噻唑基-4,8-二基、苯并噻吩基-4,7-二基、1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基、苯[1,2-b:5,4-b’]二噻吩基-4,8-二基、苯[1,2-b:4,5-b’]二噻吩基-4,8-二基、苯[1,2-b:5,4-b’]二呋喃基-4,8-二基及苯[1,2-b:4,5-b’]二呋喃基-4,8-二基為佳。

構成Ar之芳烴環基及芳雜環基亦可具有D以外的後述取代基R⁰ 。

並且，本說明書中，所謂「芳環」意指遵循休克耳（Hückel）規則之廣義的具有芳香性的環狀結構。亦即具有（4n＋2）個π電子的環狀共軛結構，以及由噻吩、呋喃、苯并噻唑等所代表之硫、氧、氮等雜原子的孤電子對參與於π電子系而顯示芳香性的環狀結構。

並且，前述Ar中所包含之π電子數通常為20以下，以8以上且12以下為佳。

並且，構成前述Ar之芳環所包含之π電子數於每個芳香環通常為20以下，以8以上且18以下為佳，尤以8以上且12以下為佳。在該芳環具有取代基且該取代基更包含芳環的情況下，所謂構成Ar之芳環所包含的「π電子數」，意指亦合併計算該取代基之芳環所包含之π電子數的總和π電子數。並且，在Ar中之芳環以外的環結構存在有π電子的情況下，計算有直接納入於環結構者，但不計算並未直接納入於環結構中的π電子（例如存在於原子鍵中的π電子等）。

作為構成D的芳烴環的具體例，可列舉：苯環、萘環、蒽環、菲環、芘環及茀環等。

此些之中，作為芳烴環，以苯環、萘環及蒽環為佳。

並且，作為構成D之芳雜環的具體例，可列舉：1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮環、1-苯并呋喃環、2-苯并呋喃環、吖啶環、異喹啉環、咪唑環、吲哚環、㗁二唑環、㗁唑環、㗁唑并吡𠯤環、㗁唑并吡啶環、㗁唑并嗒𠯤環、㗁唑并嘧啶環、喹唑啉環、喹㗁啉環、喹啉環、㖕啉環、噻二唑環、噻唑環、噻唑并吡𠯤環、噻唑并吡啶環、噻唑并嗒𠯤環、噻唑并嘧啶環、噻吩環、三𠯤環、三唑環、㖠啶環、吡𠯤環、吡唑環、哌喃酮環、哌喃環、吡啶環、嗒𠯤環、嘧啶環、吡咯環、啡啶環、呔𠯤環、呋喃環、苯[c]噻吩環、苯[b]噻吩環、苯并異㗁唑環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、苯并㗁二唑環、苯并㗁唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并三𠯤環、苯并三唑環及苯并吡唑環等。

此些之中，作為芳雜環，以「呋喃環、哌喃環、噻吩環、㗁唑環、㗁二唑環、噻唑環及噻二唑環等單環的芳雜環，以及苯并噻唑環、苯并㗁唑環、喹啉環、1-苯并呋喃環、2-苯并呋喃環、1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮環、苯[c]噻吩環、苯[b]噻吩環、噻唑并吡啶環、噻唑并吡𠯤環、苯并異㗁唑環、苯并㗁二唑環及苯并噻二唑環等稠環的芳雜環」為佳。

作為D的具體例並未特別受限，可列舉：（D-1）亦可具有取代基之芳烴環基；（D-2）亦可具有取代基之芳雜環基；（D-3）由式－C(R^f )＝N－N(R^g )R^h 所表示之基；（D-4）由式－C(R^f )＝N－N＝C(R^g1 )R^h 所表示之基；以及（D-5）由式－C(R^f )＝N－N＝R^h1 所表示之基。

上述式中，R^f 表示氫原子，或表示甲基、乙基、丙基及異丙基等碳數1～6之烷基。

並且，上述式中，R^g 及R^g1 分別獨立表示氫原子或亦可具有取代基的碳數1～30之有機基。於此，作為碳數1～30之有機基及其取代基之例，可列舉：與作為後述Ay之碳數1～30之有機基及其取代基的具體例而羅列的內容相同者。

再者，上述式中，R^h 表示具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基。作為R^h 的具體例，可列舉：與作為後述Ax之具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環之有機基的具體例而羅列的內容相同者。

上述式中，R^h1 表示具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基。作為R^h1 的具體例，可列舉：與作為後述Az之具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環之有機基的具體例而羅列的內容相同者。

作為在D為亦可具有取代基之芳烴環基（D-1）時之芳烴環基之例，可列舉：苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基及茀基等。

此些之中，作為芳烴環基，以苯基、萘基為佳，以苯基為更佳。

作為在D為亦可具有取代基之芳雜環基（D-2）時之芳雜環基之例，可列舉：鄰苯二甲醯亞胺基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、吖啶基、異喹啉基、咪唑基、吲哚啉基、呋呫基、㗁唑基、㗁唑并吡𠯤基、㗁唑并吡啶基、㗁唑并嗒𠯤基、㗁唑并嘧啶基、喹唑啉基、喹㗁啉基、喹啉基、㖕啉基、噻二唑基、噻唑基、噻唑并吡𠯤基、噻唑并吡啶基、噻唑并嗒𠯤基、噻唑并嘧啶基、噻吩基、三𠯤基、三唑基、㖠啶基、吡𠯤基、吡唑基、哌喃酮基、哌喃基、吡啶基、嗒𠯤基、嘧啶基、吡咯基、啡啶基、呔𠯤基、呋喃基、苯[c]噻吩基、苯[b]噻吩基、苯并異㗁唑基、苯并異噻唑基、苯并咪唑基、苯并㗁二唑基、苯并㗁唑基、苯并噻二唑基、苯并噻唑基、苯并三𠯤基、苯并三唑基及苯并吡唑基等。

此些之中，作為芳雜環基，以「呋喃基、哌喃基、噻吩基、㗁唑基、呋呫基、噻唑基及噻二唑基等單環的芳雜環基，以及苯并噻唑基、苯并㗁唑基、喹啉基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、鄰苯二甲醯亞胺基、苯[c]噻吩基、苯[b]噻吩基、噻唑并吡啶基、噻唑并吡𠯤基、苯并異㗁唑基、苯并㗁二唑基及苯并噻二唑基等稠環的芳雜環基」為佳。

作為（D-3）～（D-5）之構成要件之具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基之例，可列舉：二氫茚基、茚基、1,2,3,4-四氫萘基，以及1,4-二氫萘基、1,2-二氫萘基、1,3-苯并二氧𠷬基、1,4-苯并二氧𠮿基、2,3-二氫苯并呋喃基、1,3-二氫異苯并呋喃基、3,4-二氫-1H-2-苯并哌喃基、3,4-二氫-2H-1-苯并哌喃基、4H-1-苯并哌喃基、2H-1-苯并哌喃基、1H-2-苯并哌喃基、4-側氧基-4H-1-苯并哌喃基、4-𠳭酮基、二氫哌喃基、四氫哌喃基、二氫呋喃基，以及四氫呋喃基、1(3H)-異苯并呋喃酮基等。

此些之中，以二氫茚基、茚基、1,2,3,4-四氫萘基、1,4-二氫萘基、1,2-二氫萘基、1,3-苯并二氧𠷬基、1,4-苯并二氧𠮿基、3,4-二氫-1H-2-苯并哌喃基、3,4-二氫-2H-1-苯并哌喃基、4H-1-苯并哌喃基、2H-1-苯并哌喃基、1H-2-苯并哌喃基、4-側氧基-4H-1-苯并哌喃基、4-𠳭酮基、二氫哌喃基、四氫哌喃基、二氫呋喃基及四氫呋喃基為佳。

構成D的芳烴環及芳雜環（例如構成（D-1）的芳烴環、構成（D-2）的芳雜環，以及構成（D-3）～（D-5）的芳烴環及芳雜環）；作為D的芳烴環基及芳雜環基；以及作為D的具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之至少一個芳環的有機基，亦可具有取代基。取代基的數量在每一個環中可為一個，亦可為多個。在一個環具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。

作為此取代基，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－OCF₃ ；－C(＝O)－R^b1 ；－O－C(＝O)－R^b1 ；－C(＝O)－O－R^b1 ；－SO₂ R^a 等。

於此，R^b1 表示亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基或亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基。

並且，R^a 表示甲基、乙基等碳數1～12之烷基；或苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基等亦可具有碳數1～6之烷基或碳數1～6之烷氧基作為取代基的碳數6～20之芳烴環基。

此些之中，作為取代基，以鹵原子、氰基、硝基、碳數1～6之烷基、碳數1～6的烷氧基及碳數1～6的鹵化烷基為佳。

「作為在R^b1 為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中之碳數1～20之烷基及其取代基的具體例、作為在R^b1 為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中之碳數2～20之烯基及其取代基的具體例、作為在R^b1 為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中之碳數3～12之環烷基及其取代基的具體例，以及作為在R^b1 為亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基的情形中之碳數5～12之芳烴環基及其取代基的具體例」，可列舉：與分別後述之「作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中之碳數1～20之烷基及其取代基的具體例、作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中之碳數2～20之烯基及其取代基的具體例、作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中之碳數3～12之環烷基及其取代基的具體例，以及作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基的情形中之碳數5～12之芳烴環基及其取代基的具體例」而羅列的內容相同者。

而且，作為上述Ar之例，可列舉：經由式－C(R^f )＝N－N(R^g )R^h 所表示之基取代的伸苯基、經由式－C(R^f )＝N－N＝C(R^g1 )R^h 所表示之基取代的伸苯基、經由式－C(R^f )＝N－N＝R^h1 所表示之基取代的伸苯基、經由式－C(R^f )＝N－N(R^g )R^h 所表示之基取代的伸萘基、經由式－C(R^f )＝N－N＝C(R^g1 )R^h 所表示之基取代的伸萘基、經由式－C(R^f )＝N－N＝R^h1 所表示之基取代的伸萘基、經1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-(2-丁基)-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4,6-二甲基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經6-甲基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4,6,7-三甲基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4,5,6-三甲基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-甲基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-丙基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經7-丙基-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-氟-1-苯并呋喃-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-氟苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-硝苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-三氟甲苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-氰苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-甲磺醯基苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經噻吩-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經噻吩-3-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-甲基噻吩-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經5-氯噻吩-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經噻吩[3,2-b]噻吩-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經2-苯并噻唑基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-聯苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-丙基聯苯基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-噻唑基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經1-苯基乙烯-2-基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經4-吡啶基取代的苯并噻唑-4,7-二基、經2-呋喃基取代之苯并噻唑-4,7-二基、經萘[1,2-b]呋喃-2-基取代之苯并噻唑-4,7-二基、經5-甲氧基-2-苯并噻唑基取代之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基、經苯基取代之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基、經4-硝苯基取代之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基、及經2-噻唑基取代之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基等。於此，R^f 、R^g 、R^g1 、R^h 及R^h1 表示與前述相同的意義。

於此，作為Ar，以由下述式（IIa-1）～（IIa-7）、式（IIb-1）～（IIb-7）及式（IIc-1）～（IIc-7）之任一者所示的基為佳。

『化4』

在上述式（IIa-1）～（IIa-7）、式（IIb-1）～（IIb-7）及式（IIc-1）～（IIc-7）中： Ax表示具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基， Ay表示氫原子或亦可具有取代基的碳數1～30之有機基， Az表示具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基， Ax及Ax所具有的芳環亦可具有取代基， Q表示氫原子或碳數1～6之烷基。於此，作為Q的碳數1～6之烷基，可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基等。

並且，R⁰ 表示鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、二級丁基、三級丁基等碳數1～6之烷基；碳數2～6之烯基；碳數1～6之鹵化烷基；碳數2～12之N,N-二烷基胺基；碳數1～6之烷氧基；硝基；－C(＝O)－R^a1 ；－C(＝O)－O－R^a1 ；或－SO₂ R^a1 ，R^a1 表示碳數1～12之脂族烴基。在R⁰ 為多個的情況下，多個R⁰ 可彼此相同，亦可彼此相異。作為R⁰ ，就提升溶解性的觀點而言，以鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、硝基為佳。

再者，n1為0～3，n2為0～4，n3為0或1，n4為0～2。而且，以n1＝0，n2＝0，n3＝0，n4＝0為佳。

作為R^a1 之例的作為碳數1～12之脂族烴基的具體例，可列舉：甲基、乙基等碳數1～12之烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基等碳數2～12之烯基；以及丙炔基、丁炔基、戊炔基等碳數2～12之炔基等，以碳數1～12之烷基為佳。

作為Ar，以由下述式（iia-1）～（iia-21）、式（iib-1）～（iib-21）及式（iic-1）～（iic-21）表示的結構為更佳。下述式中，為了使鍵結狀態更為明確，而在為了方便記載Z¹ 與Z² 。式中，Z¹ 、Z² 、Ax、Ay、Az、Q、R⁰ 、n1、n2、n3、n4表示與前述相同的意義。其中，尤以式（iia-1）、（iia-2）、（iia-10）、（iia-12）、式（iib-1）、（iib-2）、（iib-10）、（iib-12）、式（iic-1）、（iic-2）、（iic-10）、（iic-12）為佳。

『化5』

『化6』

『化7』

『化8』

『化9』

『化10』

『化11』

『化12』

『化13』

Ax可為具有多個芳環者，亦可為具有芳烴環及芳雜環者。並且，在具有多個芳烴環及芳雜環的情況下，可分別相同，亦可分別相異。

作為Ax所具有的芳烴環之例，可列舉：苯環、萘環、蒽環、菲環、芘環及茀環等。此些之中，作為芳烴環，以苯環、萘環、蒽環為佳。

並且，作為Ax所具有的芳雜環之例，可列舉：1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮環、1-苯并呋喃環、2-苯并呋喃環、吖啶環、異喹啉環、咪唑環、吲哚環、㗁二唑環、㗁唑環、㗁唑并吡𠯤環、㗁唑并吡啶環、㗁唑并嗒𠯤環、㗁唑并嘧啶環、喹唑啉環、喹㗁啉環、喹啉環、㖕啉環、噻二唑環、噻唑環、噻唑并吡𠯤環、噻唑并吡啶環、噻唑并嗒𠯤環、噻唑并嘧啶環、噻吩環、三𠯤環、三唑環、㖠啶環、吡𠯤環、吡唑環、哌喃酮環、哌喃環、吡啶環、嗒𠯤環、嘧啶環、吡咯環、啡啶環、呔𠯤環、呋喃環、苯[c]噻吩環、苯[b]噻吩環、苯并異㗁唑環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、苯并㗁二唑環、苯并㗁唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并三𠯤環、苯并三唑環及苯并吡唑環等。

Ax所具有的芳環亦可具有取代基。作為此取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－OCF₃ ；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；以及－SO₂ R^a 等。於此，R^b 表示亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基或亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基。並且，R^a 表示與上述相同的意義。此些之中，作為Ax所具有之芳環的取代基，以鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基為佳。

Ax亦可具有選自上述取代基之多個取代基。在Ax具有多個取代基的情況下，取代基可相同，亦可相異。

作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中之碳數1～20之烷基之例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、1-甲基戊基、1-乙基戊基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基及正二十烷基等。亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的碳數以1～12為佳，以4～10為更佳。

作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中之碳數2～20之烯基之例，可列舉：乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十一烯基、十二烯基、十三烯基、十四烯基、十五烯基、十六烯基、十七烯基、十八烯基、十九烯基及二十烯基等。亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的碳數以2～12為佳。

在R^b 為具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中及為具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中，其取代基的數量可為一個，亦可為多個。在具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。作為該取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳數1～20之烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基等經碳數1～12之烷氧基取代的碳數1～12之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻唑-2-基硫基等碳數2～20之芳雜環基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3～8之環烷基；環戊氧基、環己氧基等碳數3～8之環烷氧基；四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧𠷬基、二氧𠮿基等碳數2～12之環醚基；苯氧基、萘氧基等碳數6～14之芳氧基；三氟甲基、五氟乙基、－CH₂ CF₃ 等經氟原子取代1個以上氫原子的碳數1～12之氟烷基；苯并呋喃基；苯并哌喃基；苯并二氧𠷬基；以及苯并二氧𠮿基等。此些之中，作為R^b 中之該取代基，以「氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳數1～20之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；呋喃基、噻吩基等碳數2～20之芳雜環基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3～8之環烷基；三氟甲基、五氟乙基、－CH₂ CF₃ 等經氟原子取代1個以上氫原子的碳數1～12之氟烷基」為佳。

作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中之碳數3～12之環烷基之例，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基及環辛基等。此些之中，以環戊基及環己基為佳。

在R^b 為具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中，其取代基的數量可為一個，亦可為多個。在具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。作為該取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；以及苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基等。其中，作為R^b 之碳數3～12之環烷基的取代基，以「氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；以及苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基」為佳。

作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基的情形中之碳數5～12之芳烴環基之例，可列舉：苯基、1-萘基、2-萘基等。此些之中，以苯基為佳。

在R^b 為具有取代基的碳數5～12之芳烴環基的情形中，其取代基的數量可為一個，亦可為多個。在具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。作為該取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳數1～20之烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基等經碳數1～12之烷氧基取代的碳數1～12之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基等碳數2～20之芳雜環基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3～8之環烷基；環戊氧基、環己氧基等碳數3～8之環烷氧基；四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧𠷬基、二氧𠮿基等碳數2～12之環醚基；苯氧基、萘氧基等碳數6～14之芳氧基；三氟甲基、五氟乙基、－CH₂ CF₃ 等經氟原子取代1個以上氫原子的碳數1～12之氟烷基；－OCF₃ ；苯并呋喃基；苯并哌喃基；苯并二氧𠷬基；苯并二氧𠮿基等。其中，作為碳數5～12之芳烴環基的取代基，以「選自氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳數1～20之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；呋喃基、噻吩基等碳數2～20之芳雜環基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3～8之環烷基；三氟甲基、五氟乙基、－CH₂ CF₃ 等經氟原子取代1個以上氫原子的碳數1～12之氟烷基；－OCF₃ 之1個以上的取代基」為佳。

於此，Ax所具有的芳環，可具有多個相同或相異的取代基，亦可相鄰的二個取代基可鍵結在一起而形成環。所形成之環可為單環，亦可為稠合多環，可為不飽和環，亦可為飽和環。

Ax所包含之碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環的「碳數」，意指未包含鍵結於環之取代基的碳原子，而是環本身的碳數。

作為Ax的具體例，可列舉以下之（Ax-1）～（Ax-5）。（Ax-1）具有1個以上碳數6～30之芳烴環的碳數6～40之烴環基；（Ax-2）具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數2～40之雜環基；（Ax-3）以碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基之1個以上取代的碳數1～12之烷基；（Ax-4）以碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基之1個以上取代的碳數2～12之烯基；以及（Ax-5）以碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基之1個以上取代的碳數2～12之炔基。

作為（Ax-1）中之芳烴環的具體例，可列舉：與作為Ax所具有之芳烴環的具體例而已羅列的內容相同者。作為（Ax-1）中之烴環基的具體例，可列舉：碳數6～30之芳烴環基（苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基及茀基等）、二氫茚基、茚基、1,2,3,4-四氫萘基，以及1,4-二氫萘基、1,2-二氫萘基等。

作為（Ax-2）中之芳烴環及芳雜環的具體例，可列舉：與作為Ax所具有之芳烴環及芳雜環的具體例而已羅列的內容相同者。作為（Ax-2）中之雜環基的具體例，可列舉：碳數2～30之芳雜環基（鄰苯二甲醯亞胺基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、吖啶基、異喹啉基、咪唑基、吲哚啉基、呋呫基、㗁唑基、㗁唑并吡𠯤基、㗁唑并吡啶基、㗁唑并嗒𠯤基、㗁唑并嘧啶基、喹唑啉基、喹㗁啉基、喹啉基、㖕啉基、噻二唑基、噻唑基、噻唑并吡𠯤基、噻唑并吡啶基、噻唑并嗒𠯤基、噻唑并嘧啶基、噻吩基、三𠯤基、三唑基、㖠啶基、吡𠯤基、吡唑基、哌喃酮基、哌喃基、吡啶基、嗒𠯤基、嘧啶基、吡咯基、啡啶基、呔𠯤基、呋喃基、苯[c]噻吩基、苯[b]噻吩基、苯并異㗁唑基、苯并異噻唑基、苯并咪唑基、苯并㗁唑基、苯并噻二唑基、苯并噻唑基、苯并三𠯤基、苯并三唑基、苯并吡唑基、二氫哌喃基、四氫哌喃基、二氫呋喃基及四氫呋喃基等）、2,3-二氫吲哚基、9,10-二氫吖啶基、1,2,3,4-四氫喹啉基、1,4-苯并二氧𠮿基、2,3-二氫苯并呋喃基、1,3-二氫異苯并呋喃基、3,4-二氫-1H-2-苯并哌喃基、3,4-二氫-2H-1-苯并哌喃基、4H-1-苯并哌喃基、2H-1-苯并哌喃基、1H-2-苯并哌喃基等。

作為（Ax-3）中之碳數1～12之烷基的具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基等。作為（Ax-3）中之碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基的具體例，可列舉：與作為（Ax-1）及（Ax-2）中之此些的具體例而已羅列的內容相同者。

作為（Ax-4）中之碳數2～12之烯基的具體例，可列舉：乙烯基、烯丙基等。作為（Ax-4）中之碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基的具體例，可列舉：與作為（Ax-1）及（Ax-2）中之此些的具體例而已羅列的內容相同者。

作為（Ax-5）中之碳數2～12之炔基的具體例，可列舉：乙炔基、丙炔基等。作為（Ax-5）中之碳數6～30之芳烴環基及碳數2～30之芳雜環基的具體例，可列舉：與作為（Ax-1）及（Ax-2）中之此些的具體例而已羅列的內容相同者。

以上已列舉的有機基進一步伴隨1個或多個取代基者，亦得包含於（Ax-1）～（Ax-5）之例。在具有多個取代基的情況下，多個取代基可彼此相同，亦可彼此相異。

作為此取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－OCF₃ ；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；－SO₂ R^a ；等。於此，R^b 及R^a 表示與前述相同的意義。

此些之中，作為（Ax-1）～（Ax-5）所具有的取代基，以「選自鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基之1個以上的取代基」為佳。

以下揭示Ax之較佳具體例。惟本發明並非為受以下揭示內容所限定者。下述式中，「－」表示與自環之任意位置伸出的N原子（亦即，式（IIa-1）～（IIa-7）及式（IIb-1）～（IIb-7）中與Ax鍵結的N原子）的原子鍵。

作為（Ax-1）中之烴環基的具體例，可列舉由下述式（1-1）～（1-20）所表示的基，以由式（1-9）～（1-20）等所表示的碳數6～30之芳烴環基為佳。

『化14』

『化15』

作為（Ax-2）中之雜環基的具體例，可列舉由下述式（2-1）～（2-51）所表示的基，以由式（2-12）～（2-51）等所表示的碳數2～30之芳雜環基為佳。

『化16』

『化17』

『化18』

［各式中，X表示－CH₂ －、－NR^c －、氧原子、硫原子、－SO－或－SO₂ －， Y及Z分別獨立表示－NR^c －、氧原子、硫原子、－SO－或－SO₂ －， E表示－NR^c －、氧原子或硫原子。於此，R^c 表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基。（惟在各式中，氧原子、硫原子、－SO－、－SO₂ －定為各自不鄰接者。）］

作為（Ax-3）中之烷基的具體例，可列舉由下述式（3-1）～（3-8）所表示的基。

『化19』

作為（Ax-4）中之烯基的具體例，可列舉由下述式（4-1）～（4-5）所表示的基。

『化20』

作為（Ax-5）中之炔基的具體例，可列舉由下述式（5-1）～（5-2）所表示的基。

『化21』

上述Ax之較佳具體例進一步於其環伴隨1個或多個取代基者，亦得包含於Ax之例。而且，在具有多個取代基的情況下，多個取代基可彼此相同，亦可彼此相異。作為此取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基、五氟乙基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－OCF₃ ；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；－SO₂ R^a ；等。

於此，R^b 及R^a 表示與前述相同的意義。此些之中，作為Ax所具有的取代基，以「鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基」為佳。

上述之中，Ax以碳數6～30之芳烴環基或碳數2～30之芳雜環基為佳。

並且，Ax以碳數6～20之芳烴環基或碳數4～20之芳雜環基為較佳，以由上述式（2-3）及式（2-13）、式（2-15）、式（2-30）所表示的基之任一者為進一步較佳。

如前所述，上述的環亦可具有1個或多個取代基。在具有多個取代基的情況下，多個取代基可彼此相同，亦可彼此相異。作為此取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基、五氟乙基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；－SO₂ R^a ；等。

於此，R^b 及R^a 表示與前述相同的意義。

此些之中，作為上述環所具有的取代基，以「鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基」為佳。

並且，作為Ax，以由下述式（III-1）～（III-7）所表示的基為更佳。

『化22』

於此，在式（III-1）～（III-7）中，R² ～R¹² 分別獨立表示氫原子、鹵原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之氟烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF₃ 或－C(＝O)－O－R^b ，R^b 表示亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基或亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基。其中，以「R² ～R¹² 全部為氫原子」或「R² ～R¹² 中之1個以上為亦可具有取代基的碳數1～6之烷氧基且其餘皆為氫原子」為佳。

而且，C－R² ～C－R⁵ 之彼此可全部皆為相同，亦可為相異，構成環之1個以上的C－R² ～C－R⁵ 亦可被取代成氮原子。

於此，作為由上述式（III）所表示的基之C－R² ～C－R⁵ 中的1個以上被取代為氮原子之基的具體例，可列舉由下述式（III-1-1）～（III-1-8）所表示的結構。惟C－R² ～C－R⁵ 中的1個以上被取代為氮原子之基，並非為受此些而限定者。

『化23』

［各式中，R² ～R⁵ 表示與前述相同的意義。］

作為在Ay為亦可具有取代基的碳數1～30之有機基的情形中之此有機基之例，並未特別受限，可列舉例如：亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數2～20之炔基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基、－SO₂ R^a 、－C(＝O)－R^b 、－CS－NH－R^b 、亦可具有取代基的碳數6～30之芳烴環基或亦可具有取代基的碳數2～30之芳雜環基。

於此，R^a 及R^b 表示與前述相同的意義。

作為在Ay為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中之碳數1～20之烷基的具體例、作為在Ay為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中之碳數2～20之烯基的具體例，以及作為在Ay為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中之碳數3～12之環烷基的具體例」，可列舉：與上述之「作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中之碳數1～20之烷基的具體例、作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中之碳數2～20之烯基的具體例，以及作為在R^b 為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中之碳數3～12之環烷基的具體例」而羅列的內容相同者。再者，在亦可具有取代基的碳數1～20之烷基中之碳數1～20之烷基的碳數以1～12為佳，在亦可具有取代基的碳數2～20之烯基中之碳數2～20之烯基的碳數以2～12為佳，在亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基中之碳數3～12之環烷基的碳數以3～10為佳。

作為在Ay為亦可具有取代基的碳數2～20之炔基的情形中之碳數2～20之炔基的具體例，可列舉：乙炔基、丙炔基、2-丙炔基（炔丙基）、丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、2-戊炔基、己炔基、5-己炔基、庚炔基、辛炔基、2-辛炔基、壬炔基、癸炔基、7-癸炔基等。

在Ay為亦可具有取代基的碳數1～20之烷基的情形中，為亦可具有取代基的碳數2～20之烯基的情形中，為亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基的情形中，以及為亦可具有取代基的碳數2～20之炔基的情形中，其取代基的數量可為一個，亦可為多個。在具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。作為該取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳數1～20之烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基等經碳數1～12之烷氧基取代的碳數1～12之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基等碳數2～20之芳雜環基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3～8之環烷基；環戊氧基、環己氧基等碳數3～8之環烷氧基；四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧𠷬基、二氧𠮿基等碳數2～12之環醚基；苯氧基、萘氧基等碳數6～14之芳氧基；三氟甲基、五氟乙基、－CH₂ CF₃ 等經氟原子取代1個以上氫原子的碳數1～12之氟烷基；苯并呋喃基；苯并哌喃基；苯并二氧𠷬基；苯并二氧𠮿基；－O－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；－SO₂ R^a ；－SR^b ；經－SR^b 取代的碳數1～12之烷氧基；羥基；等。於此，R^a 及R^b 表示與前述相同的意義。

作為「在Ay為亦可具有取代基的碳數6～30之芳烴環基的情形中及為亦可具有取代基的碳數2～30之芳雜環基的情形中」的芳烴環基、芳雜環基及取代基之例，可列舉：與作為Ax所具有之此些的具體例而已羅列的內容相同者。此些之例中在Ay具有取代基的情形中，其取代基的數量可為一個，亦可為多個。在具有多個取代基的情況下，此些可為相同，亦可為相異。此些例中之芳烴環基的碳數，以6～20為佳，以6～18為較佳，以6～12為更佳。此些例中之芳雜環基的碳數，以2～20為佳，以2～18為較佳。

上述之中，作為Ay，以「氫原子、亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數2～20之炔基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基、亦可具有取代基的碳數6～18之芳烴環基或亦可具有取代基的碳數2～18之芳雜環基」為佳。再者，作為Ay，以「氫原子、亦可具有取代基的碳數1～18之烷基、亦可具有取代基的碳數2～18之烯基、亦可具有取代基的碳數2～18之炔基、亦可具有取代基的碳數3～10之環烷基、亦可具有取代基的碳數6～12之芳烴環基或亦可具有取代基的碳數2～18之芳雜環基」為較佳。其中，作為Ay，尤以「亦可具有取代基的碳數1～18之烷基」為佳，其中尤以「亦可具有取代基的碳數2～12之烷基」為更佳。

作為Az之例，可列舉以下的（Az-6）～（Az-7）。（Az-6）具有1個以上碳數6～30之芳烴環的碳數6～40之烴環基；以及（Az-7）具有選自由碳數6～30之芳烴環及碳數2～30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數2～40之雜環基。

以下揭示Az之較佳具體例。惟本發明並非為受以下揭示內容所限定者。下述式中，「＝」表示與自環之任意位置伸出的N原子（亦即，式（IIc-1）～（IIc-7）中與Az鍵結的N原子）的原子鍵。

作為（Az-6）中之烴環基的具體例，可列舉由下述式（6-1）～（6-12）所表示的結構，以由式（6-1）、（6-3）～（6-4）、（6-7）～（6-12）等所表示的碳數6～30之芳烴環基為佳。

『化24』

『化25』

作為（Az-7）中之雜環基的具體例，可列舉由下述式（7-1）～（7-30）所表示的結構，以由式（7-1）～（7-11）等所表示的碳數2～30之芳雜環基為佳。

『化26』

上述Az之較佳具體例進一步於其環伴隨1個或多個取代基者，亦得包含於Az之例。而且，在具有多個取代基的情況下，多個取代基可彼此相同，亦可彼此相異。作為此取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6之烯基；三氟甲基等碳數1～6之鹵化烷基；二甲胺基等碳數2～12之N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6之烷氧基；硝基；苯基、萘基等碳數6～20之芳烴環基；－OCF₃ ；－C(＝O)－R^b ；－C(＝O)－O－R^b ；－SO₂ R^a ；等。於此，R^b 及R^a 表示與前述相同的意義。此些之中，作為Az所具有之上述環所具有的取代基，以「鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基」為佳。

上述之中，Az以「具有1個以上碳數6～30之芳烴環的碳數6～40之烴環基」或「具有1個以上碳數2～30之芳雜環的碳數2～40之雜環基」為佳。

而且，Az以具有1個以上碳數6～30之芳烴環的碳數6～40之烴環基為佳，以由上述式（6-1）、式（6-3）、式（6-4）、式（6-10）、式（7-1）～式（7-9）所表示的基之任一者為進一步較佳。

於此，R^b 及R^a 表示與前述相同的意義。

此些之中，作為上述的環所具有的取代基，以「鹵原子、氰基、碳數1～6之烷基及碳數1～6之烷氧基」為佳。

並且，作為Az，以由下述式（V-1）～（V-4）所表示的基為更佳。

『化27』

於此，在式（V-1）～（V-4）中，R² ～R⁵ 以及R²⁰ 、R³⁰ 、R⁴⁰ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 及R⁷⁰ 分別獨立表示氫原子、鹵原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之氟烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF₃ 或－C(＝O)－O－R^b ，R^b 表示亦可具有取代基的碳數1～20之烷基、亦可具有取代基的碳數2～20之烯基、亦可具有取代基的碳數3～12之環烷基或亦可具有取代基的碳數5～12之芳烴環基。其中，以「R² ～R¹¹ 全部為氫原子」或「R² ～R¹¹ 中之1個以上為亦可具有取代基的碳數1～6之烷氧基且其餘皆為氫原子」為佳。

並且，前述式（I）中，Z¹ 及Z² 分別獨立為單鍵、－O－、－O－CH₂ －、－CH₂ －O－、－O－CH₂ －CH₂ 、－CH₂ －CH₂ －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR²¹ －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²¹ －、－CF₂ －O－、－O－CF₂ －、－CH₂ －CH₂ －、－CF₂ －CF₂ －、－O－CH₂ －CH₂ －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －、－CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH₂ －CH₂ －、－CH₂ －CH₂ －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH₂ －CH₂ －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH₃ )－、－C(CH₃ )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R²¹ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基。

其中，Z¹ 及Z² 以分別獨立為－C(＝O)－O－或－O－C(＝O)－為佳。

並且，前述式（I）中，G¹ 及G² 分別獨立為「碳數1～20之脂族烴基」及「碳數3～20之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基（－CH₂ －）已被取代成－O－或－C(＝O)－之基」中的任一有機基，G¹ 及G² 之前述有機基所包含的氫原子，亦可由選自由碳數1～5之烷基、碳數1～5之烷氧基及鹵原子而成之群組之1個以上取代基所取代。亞甲基之由－O－或－C(＝O)－所致的取代，係以「直接與P1、P2、Y3及Y4之任一者連接之亞甲基以外之亞甲基的取代」為佳。舉例而言，碳數3之脂族烴基所包含的亞甲基（－CH₂ －）之一者已被取代成－O－之基，係以－CH₂ －O－CH₂ －為佳。在「碳數1～20之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基（－CH₂ －）已被取代成－O－或－C(＝O)－之基」中，－O－以不取代脂族烴基中之連續的亞甲基（亦即不形成－O－O－結構）為佳，－C(＝O)－以不取代脂族烴基中之連續的亞甲基（亦即不形成－C(＝O)－C(＝O)－結構）為佳。

於此，作為在G¹ 及G² 為碳數1～20之脂族烴基的情形中之其具體例，並無特別受限，可列舉：碳數1～20之伸烷基、碳數2～20之伸烯基及碳數2～20之伸炔基等鏈脂族烴基。上述之脂族烴基的碳數以3～12為佳，以4～10為較佳。

於此，作為G¹ 及G² 之例的有機基，以「亦可由氟原子取代的碳數1～20之伸烷基或亦可由氟原子取代的由－(CH₂ )_j －C(＝O)－O－(CH₂ )_k －所表示之基（式中j、k分別表示2～12的整數，以表示2～8的整數為佳）」為佳，以亦可由氟原子取代的碳數2～12之伸烷基為較佳，以無取代的碳數2～12之伸烷基為更佳，以由－(CH₂ )_l －所表示之基（式中l表示2～12的整數，以表示2～8的整數為佳）為尤佳。

並且，前述式（I）中，A¹ 、A² 、B¹ 及B² 分別獨立表示亦可具有取代基之環脂族基或亦可具有取代基之芳基，以亦可具有取代基的碳數5～20之環脂族基或亦可具有取代基的碳數2～20之芳基為佳。

作為環脂族基的具體例，可列舉：環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環庚烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等碳數5～20之環烷二基；十氫化萘-1,5-二基、十氫化萘-2,6-二基等碳數5～20之雙環烷二基等。其中，作為環脂族基，以亦可被取代的碳數5～20之環烷二基為佳，以環己烷二基為較佳，以由下述式（a）所表示的環己烷-1,4-二基為尤佳。作為環脂族基可為由式（a1）所表示的反式異構物，可為由式（a2）所表示的順式異構物，或亦可為順式異構物與反式異構物的混合物，但以由式（a1）所表示的反式異構物為較佳。

『化28』

（式中，R⁰ 及n2表示與前述相同的意義。）

作為芳基的具體例，可列舉：1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、1,4-伸萘基、1,5-伸萘基、2,6-伸萘基、4,4’-伸聯苯基等碳數6～20之芳烴環基；呋喃-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、吡啶-2,5-二基、吡𠯤-2,5-二基等碳數2～20之芳雜環基；等。其中，作為芳基，以碳數6～20之芳烴環基為佳，以伸苯基為更佳，以由下述式（b）所表示的1,4-伸苯基為尤佳。

『化29』

（式中，R⁰ 及n2表示與前述相同的意義。）

作為環脂族基及芳基的取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子等鹵原子；甲基、乙基等碳數1～6之烷基；甲氧基、異丙氧基等碳數1～5之烷氧基；硝基；氰基；等。前述環脂族基、碳數5～20之環脂族基、芳基、碳數2～20之芳基，亦可具有選自上述取代基之1個以上取代基。在具有多個取代基的情況下，各取代基可為相同，亦可為相異。

並且，前述式（I）中，Y¹ ～Y⁴ 分別獨立表示單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－NR²² －C(＝O)－、－C(＝O)－NR²² －、－O－C(＝O)－O－、－NR²² －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－NR²² －或－NR²² －C(＝O)－NR²³ －。於此，R²² 及R²³ 分別獨立表示氫原子或碳數1～6之烷基。

其中，Y¹ ～Y⁴ 以分別獨立為－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－或－O－C(＝O)－為佳。

在存在有多個Y¹ 、Y² 的情況下，可分別為相同，亦可分別為相異。

並且，前述式（I）中，P¹ 及P² 之一者表示氫原子或聚合性基，P¹ 及P² 之另一者表示聚合性基。於此，P¹ 及P² 以分別獨立表示聚合性基為佳。

於此，作為在P¹ 及P² 為聚合性基之情形中之該聚合性基之例，可示例：丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等由CH₂ ＝CR¹ －C(＝O)－O－所表示的基（R¹ 表示氫原子、甲基或氯原子）、乙烯基、乙烯基醚基、對二苯乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羧基、甲基羰基、羥基、醯胺基、碳數1～4之烷基胺基、胺基、環氧基、氧呾基、醛基、異氰酸酯基或硫異氰酸酯基等。其中，以如下式（IV）之由CH₂ ＝CR¹ －C(＝O)－O－所表示的基為佳，以CH₂ ＝CH－C(＝O)－O－（丙烯醯氧基）、CH₂ ＝C(CH₃ )－C(＝O)－O－（甲基丙烯醯氧基）為較佳，以丙烯醯氧基為更佳。在聚合性化合物（I）中存在2個R¹ 的情況下，此些可為相同，亦可為相異。再者，P¹ 及P² 亦可為相異，但係以相同的聚合性基為佳。

『化30』

（IV）

［式（IV）中，R¹ 表示氫原子、甲基或氯原子］

於此，式（I）中，p及q分別獨立為0～2，以分別獨立為0或1為佳。

作為由式（I）所表示之液晶化合物的較佳例，可列舉由下述式LC1～LC3所表示的化合物。

『化31』

LC1

LC2

LC3

由式（I）所表示的液晶化合物，得組合例如國際專利公開第2012/141245號、國際專利公開第2012/147904號、國際專利公開第2014/010325號、國際專利公開第2014/126113號等文獻所記載的合成方法與其他已知的合成方法而製備。

使用於本發明之相位差板之製造的液晶組成物，得藉由混合如上所述者等液晶化合物、光聚合起始劑、界面活性劑、有機溶劑及其他任意成分而製造。

光聚合起始劑得依液晶組成物中之聚合性化合物所具有之聚合性基的種類而適當選擇。舉例而言，得分別如下使用：聚合性基若為自由基聚合性之基則使用自由基聚合起始劑，若為陰離子聚合性之基則使用陰離子聚合起始劑，若為陽離子聚合性之基則使用陽離子聚合起始劑。

作為自由基聚合起始劑之例，可列舉光自由基起始劑，其係藉由光照射產生得起始聚合性化合物之聚合之活性種的化合物。

作為自由基聚合起始劑之例，可列舉：國際專利公開第2012/147904號所記載之苯乙酮系化合物、聯咪唑系化合物、三𠯤系化合物、O-醯基肟系化合物、鎓鹽系化合物、苯偶姻系化合物、二苯甲酮系化合物、α-二酮系化合物、多核醌系化合物、𠮿酮系化合物、重氮系化合物、亞胺磺酸鹽系化合物等。

作為前述陰離子聚合起始劑之例，可列舉：烷基鋰化合物；聯苯、萘、芘等單鋰鹽或單鈉鹽；二鋰鹽或三鋰鹽等多官能性起始劑；等。

並且，作為前述陽離子聚合起始劑之例，可列舉：硫酸、磷酸、過氯酸、三氟甲磺酸等質子酸；如三氟化硼、氯化鋁、四氯化鈦、四氯化錫之路易斯酸；芳香鎓鹽或併用芳香鎓鹽與還原劑的系統。

作為市售光聚合起始劑的具體例，可列舉：BASF公司製之商品名：Irgacure 907、商品名：Irgacure 184、商品名：Irgacure 369、商品名：Irgacure 651、商品名：Irgacure 819、商品名：Irgacure 907、商品名：Irgacure 379、商品名：Irgacure 379EG及商品名：Irgacure OXE02；ADEKA公司製之商品名：ADEKA OPTOMER N1919；等。

此些光聚合起始劑可單獨使用1種，亦可用任意比例組合2種以上使用。

光聚合起始劑的比例相對於聚合性化合物100重量份，以0.1重量份～10重量份為佳，以1.0重量份～7.0重量份為較佳。在使用2種以上之光聚合起始劑的情況下，以其總重量成為前述範圍內的方式使用即可。

作為界面活性劑並無特別限定，但以非離子系界面活性劑為佳。作為該非離子系界面活性劑，得使用市售品。舉例而言，得使用分子量為數千程度之寡聚物的非離子系界面活性劑。作為此些界面活性劑的具體例，可使用：OMNOVA公司PolyFox之「PF-151N」、「PF-636」、「PF-6320」、「PF-656」、「PF-6520」、「PF-3320」、「PF-651」、「PF-652」；NEOS公司FTERGENT之「FTX-209F」、「FTX-208G」、「FTX-204D」、「601AD」；清美化學公司SARFRON之「KH-40」、「S-420」；DIC公司之「MEGAFAC F-562」等。並且，界面活性劑可單獨使用1種，亦可用任意比例組合2種以上使用。界面活性劑的比例相對於聚合性化合物100重量份，以0.001重量份～10重量份為佳，以0.001重量份～0.1重量份為較佳。

作為有機溶劑之例，可列舉：環戊烷、環己烷等烴溶劑；環戊酮、環己酮、甲乙酮、丙酮、甲基異丁基酮等酮溶劑；乙酸丁酯、乙酸戊酯等乙酸酯溶劑；氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等鹵化烴溶劑；1,4-二氧𠮿、環戊基甲基醚、四氫呋喃、四氫哌喃、1,3-二氧𠷬、1,2-二甲氧基乙烷等醚溶劑；甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯等芳烴溶劑；及此些的混合物。溶劑的沸點就操作性優異的觀點而言，以60℃～250℃為佳，以60℃～150℃為較佳。溶劑的使用量相對於聚合性化合物100重量份，以100重量份～1000重量份為佳。

液晶組成物得更包含金屬、金屬錯合物、染料、顏料、螢光材料、燐光材料、調平劑、觸變劑、膠化劑、多醣類、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、抗氧化劑、離子交換樹脂、二氧化鈦等金屬氧化物等任意成分。此任意添加劑的比例相對於聚合性化合物100重量份，各自以0.1重量份～20重量份為佳。

液晶組成物之層體的形成，得藉由將液晶組成物塗布於支撐體的表面而進行。作為支撐體，得適當選擇具有得對於液晶化合物顯現配向限制力之表面的支撐體。舉例而言，得使用身為樹脂薄膜、玻璃板等基材，且「藉由於其表面的摩擦處理而賦予配向限制力者、藉由延伸處理而賦予配向限制力者、設置具有配向限制力之層體者」等各種支撐體。作為支撐體，亦可使用身為相位差板P1（後述），且具備具有配向限制力之表面者。塗布的操作，得藉由例如使用線棒的棒塗布法、使用凹版輥的凹版塗布法、使用塗布模具的模具塗布法、其他的簾塗法、擠製塗布法、輥塗法、旋塗法、浸塗法、噴塗法、滑塗法、印刷塗布法、間隙塗布法及浸漬法等而進行。液晶組成物之層體的厚度，得適當調整成可獲得具有期望厚度及光學特性之相位差板的厚度。

液晶組成物中之液晶化合物的配向，得藉由在經調節成適當溫度的環境下靜置液晶組成物之層體而進行。舉例而言，液晶組成物之層體得藉由「在65～110℃的環境下放置5秒鐘～2分鐘，之後進一步在室溫～45℃靜置5秒鐘～2小時」，而達成配向處理。

液晶組成物的固化方法並未特別受限，得適當選擇適合於所進行處理之液晶組成物的方法。舉例而言，作為液晶化合物及／或聚合起始劑，在包含得藉由紫外線的照射而起始聚合者的情況下，得藉由紫外線的照射使液晶化合物聚合，而達成固化。

［3.多層相位差板］

本發明之多層相位差板為具備相位差板P1及相位差板P2的多層相位差板，此些之中的相位差板P2為前述本發明的相位差板。

在本發明的多層相位差板中，相位差板P1的面內遲相軸與相位差板P2的面內遲相軸為彼此正交。藉此，多層相位差板的面內延遲被合成作為相位差板P1之相位差與相位差板P2之相位差的差。亦即，在多層相位差板Ps的遲相軸方向設定成為與相位差板P1相同的方向時，在波長λ之多層相位差板Ps的面內延遲RePs(λ)、相位差板P2的面內延遲ReP2(λ)與相位差板P1的面內延遲ReP1(λ)，具有RePs(λ)＝ReP1(λ)−ReP2(λ)的關係。

本發明的多層相位差板中，ReP1(λ)及ReP2(λ)滿足下述式（e4）及（e5）。 ReP1(550)＞ReP2(550)　　（e4） ReP1(400)／ReP1(700)＜ReP2(400)／ReP2(700)　　（e5）

藉由相位差板P1的面內遲相軸與相位差板P2的面內遲相軸為彼此正交，且ReP1(λ)及ReP2(λ)滿足式（e4）及（e5），多層相位差板得發揮作為「在與相位差板P1的面內遲相軸相同的方向上具有遲相軸之1／4波長板等波長板」的功能。再者，作為相位差板P2，藉由採用如上所述之本發明的相位差板，而得輕易構成具有與理想分散之偏差為少之波長分散的波長板。

本發明之多層相位差板以ReP1(λ)滿足下述式（e6）為佳。 ReP1(400)／ReP1(700)＜1.10　　（e6）

亦即，ReP1(400)／ReP1(700)之值未達1.10。ReP1(400)／ReP1(700)之值以1.08以下為佳，以1.06以下為較佳，另一方面以0.95以上為佳，以1.00以上為較佳。

藉由ReP1(λ)滿足式（e6），得輕易構成具有與理想分散之偏差為少之波長分散的波長板。尤其藉由採用滿足前述式（e2）者作為相位差板P2，且將此與滿足式（e6）之相位差板P1組合，得輕易構成具有與理想分散之偏差為少之波長分散的波長板。再者，滿足式（e6）之相位差板P1，得藉由使用含有含脂環結構聚合物之樹脂之薄膜的延伸物等已知的材料而輕易構成。

本發明之多層相位差板，以ReP1(λ)及ReP2(λ)滿足下述式（e7）為佳。 90 nm＜ReP1(550)−ReP2(550)＜160 nm　　（e7）

藉由滿足式（e7），得較佳構成本發明的多層相位差板作為1／4波長板。更具體而言，得將與相位差板P1之遲相軸方向相同的方向定為遲相軸，且得定為具有與理想分散之偏差為少之波長分散的1／4波長板。ReP1(550)−ReP2(550)之值係以超過90 nm為佳，以120 nm以上為較佳，且以未達160 nm為佳，以150 nm以下為較佳。

在滿足式（e7）的多層相位差板中，ReP1(λ)及ReP2(λ)，得分別藉由調整相位差板P1及相位差板P2之材料、厚度、延伸倍率等薄膜形成方法，而調整成期望的相位差。再者，多層相位差板的ReP1(λ)及ReP2(λ)，以滿足下述式（e8）及（e9）為佳。 180 nm≦ReP1(550)≦350 nm　　（e8） 90 nm≦ReP2(550)≦160 nm　　（e9）

在ReP1(550)及ReP2(550)滿足式（e8）及（e9）的情況下，相位差板P1得發揮作為1／2波長板的功能，相位差板P2得發揮作為1／4波長板的功能。而且，組合此些的多層相位差板得發揮作為具有與理想分散之偏差為少之波長分散之1／4波長板的功能。ReP1(550)之值係以180 nm以上為佳，以220 nm以上為較佳，且以350 nm以下為佳，以300 nm以下為較佳。ReP2(550)之值係以90 nm以上為佳，以120 nm以上為較佳，且以160 nm以下為佳，以150 nm以下為較佳。

［4.相位差板P1的材料］

構成相位差板P1的材料並未特別受限，得使用能利用於光學用途且滿足上述要件的任意材料。在較佳例中，相位差板P1為含有含脂環結構聚合物之樹脂之薄膜的延伸物。藉由延伸含有含脂環結構聚合物之樹脂的薄膜，可輕易獲得如上所述之相位差板P1，其結果可輕易製造本發明之多層相位差板。含有含脂環結構聚合物之樹脂的薄膜，得定為由含有含脂環結構聚合物之樹脂而成的薄膜。

含脂環結構聚合物為在重複單元中具有脂環結構的聚合物，通常為非晶質的聚合物。作為含脂環結構聚合物，得使用在主鏈中含有脂環結構的聚合物及在側鏈含有脂環結構的聚合物之任一者。

作為脂環結構之例，可列舉：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等的觀點而言，以環烷結構為佳。

構成1個脂環結構之重複單元的碳數並無特別限制，但以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為尤佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。

含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之重複單元的比例，得依使用目的而適當選擇，但以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由將具有脂環結構之重複單元定為如前述之多，可提高薄膜的耐熱性。

含脂環結構聚合物可列舉例如：（1）降𦯉烯聚合物、（2）單環的環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯基脂環烴聚合物，以及此些的氫化物等。此些之中，就透明性及成形性的觀點而言，以降𦯉烯聚合物為較佳。

作為降𦯉烯聚合物之例，可列舉：降𦯉烯單體的開環聚合物、降𦯉烯單體與能開環共聚之其他單體所形成的開環共聚物，以及此些的氫化物；降𦯉烯單體的加成聚合物、降𦯉烯單體與能開環共聚之其他單體所形成的加成共聚物等。此些之中，就透明性的觀點而言，以降𦯉烯單體之開環聚合物的氫化物為尤佳。

上述含脂環結構聚合物，可選自例如揭示於日本專利公開第2002-321302號公報等之公知的聚合物。

含脂環結構聚合物的重量平均分子量（Mw），係以10,000～100,000為佳，以25,000～80,000為較佳，以25,000～50,000為更佳。重量平均分子量在此種範圍時，適於取得薄膜之機械強度及成形加工性的高度平衡。前述重量平均分子量，得藉由使用環己烷（在樹脂不溶解的情況下為甲苯）作為溶劑之凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，以下簡稱為「GPC」）而以聚異戊二烯換算（溶劑為甲苯時為聚苯乙烯換算）之值量測。

含脂環結構聚合物的分子量分布（重量平均分子量（Mw）／數量平均分子量（Mn）），係以1以上為佳，以1.2以上為較佳，且以10以下為佳，以4以下為較佳，以3.5以下為尤佳。

含有含脂環結構聚合物之樹脂亦可僅由含脂環結構聚合物而成，但只要無明顯損害本發明的效果，則亦可包含任意摻合劑。作為任意成分之例，可列舉：紫外線吸收劑；無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紅外線吸收劑等穩定劑；滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料、顏料等著色劑；抗老化劑；等摻合劑。任意成分可單獨使用1種，亦可用任意比例組合2種以上使用。含有含脂環結構聚合物之樹脂中，含脂環結構聚合物的比例以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳。

作為含有含脂環結構聚合物之樹脂的合適具體例，得列舉日本瑞翁公司製之「ZEONOR」。

基材薄膜可為僅具備1層的單層薄膜，亦可為具備2層以上層體的多層薄膜。其中，基材薄膜係以在厚度方向上依序具備第一表面層、包含紫外線吸收劑的中間層及第二表面層的多層薄膜為佳。亦即，基材薄膜以在厚度方向上依序具備「由包含具有脂環結構之聚合物的熱塑性樹脂而成的第一表面層」、「由包含具有脂環結構之聚合物及紫外線吸收劑的熱塑性樹脂而成的中間層」與「由包含具有脂環結構之聚合物的熱塑性樹脂而成的第二表面層」為佳。在此種多層薄膜中，藉由第一表面層及第二表面層可抑制中間層所包含之紫外線吸收劑的滲出。並且，在使用此種多層薄膜的情況下，將本發明之多層相位差板納入於偏光板或影像顯示裝置時，可抑制相位差板P2或影像顯示裝置因紫外線導致劣化的情形。

為了有效抑制滲出，第一表面層及第二表面層以未包含紫外線吸收劑為佳。並且，第一表面層所包含的聚合物、中間層所包含的聚合物及第二表面層所包含的聚合物，可彼此相同，亦可彼此相異。因此，第一表面層所包含的熱塑性樹脂與第二表面層所包含的熱塑性樹脂亦可為相異，但就易於形成層體而言，以彼此相同為佳。通常，第一表面層及第二表面層除了未包含紫外線吸收劑以外，可藉由與中間層所包含之熱塑性樹脂相同的熱塑性樹脂形成。

作為紫外線吸收劑之例，可列舉：三𠯤系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑等有機紫外吸收劑。其中，就所謂在波長380 nm附近之紫外線吸收性能優異的要點上，以三𠯤系紫外線吸收劑為佳。並且，作為紫外線吸收劑，以分子量為400以上者為佳。

作為三𠯤系紫外線吸收劑之例，得較佳使用具有1,3,5-三𠯤環的化合物。作為三𠯤系紫外線吸收劑的具體例，可列舉：2-(4,6-二苯基-1,3,5-三𠯤-2-基)-5-[(己基)氧基]苯酚、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三𠯤等。並且，作為三𠯤系紫外線吸收劑的市售品，可列舉例如：「TINUVIN 1577」（CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製）等。

作為苯并三唑系紫外線吸收劑之例，可列舉：2,2’-亞甲基雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)苯酚]、2-[3,5-二(三級丁基)-2-羥基苯基]-5-氯苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-對甲酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯乙基)苯酚、2-苯并三唑-2-基-4,6-二(三級丁基)苯酚、2-[5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(三級丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二(三級丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫鄰苯二甲醯亞胺甲基)苯酚、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸甲酯／聚乙二醇300的反應生成物、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(直鏈及側鏈十二烷基)-4-甲基苯酚等。作為三唑系紫外線吸收劑的市售品，可列舉例如：「ADEKA STAB LA-31」（旭電化工業公司製）等。

紫外線吸收劑可單獨使用1種，亦可用任意比例組合2種以上使用。

在中間層所包含的熱塑性樹脂中，紫外線吸收劑的量以1重量%以上為佳，以3重量%以上為較佳，且以8重量%以下為佳，以6重量%以下為較佳。於此所謂紫外線吸收劑的量在使用2種以上紫外線吸收劑的情況下，表示此些紫外線吸收劑的總量。藉由將紫外線吸收劑的量定於前述範圍的下限以上，可有效抑制波長200 nm～370 nm的紫外線穿透，並且藉由定於上限以下，由於可抑制薄膜的偏黃色調，故可抑制色調的劣化。再者，藉由將紫外線吸收劑的量定為前述範圍，因並未含有大量的紫外線吸收劑，故可抑制熱塑性樹脂的耐熱性降低。

作為包含具脂環結構聚合物及紫外線吸收劑之熱塑性樹脂的製造方法，可列舉：以熔融擠製法製造基材薄膜時之前將紫外線吸收劑摻合於具脂環結構聚合物的方法；使用包含高濃度紫外線吸收劑之母料的方法；以熔融擠製法製造基材薄膜時將紫外線吸收劑摻合於具脂環結構聚合物的方法等。在此些方法中，藉由將紫外線吸收劑的量定為前述範圍，可充分提高紫外線吸收劑的分散性。

將含有含脂環結構聚合物之樹脂成形為薄膜形狀的方法並未特別受限，得採用擠製成形等已知的方法。在進行擠製成形的情況下，可連續成形長條狀的薄膜，因製造效率之要點而為佳。並且，延伸薄膜而做成延伸物的方法亦並未特別受限，作為延伸操作之例，可列舉：往長條狀薄膜之縱向方向的延伸、往幅寬方向的延伸、往傾斜方向的延伸，以及此些的組合。薄膜的厚度、延伸的倍率及延伸後之延伸物的厚度，得適當調整成可獲得期望相位差板P1的範圍。

熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度係以80℃以上為佳，以100℃以上為較佳，以120℃以上為更佳，且以250℃以下為佳，以180℃以下為較佳。藉由將熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度定於前述範圍的下限值以上，可提高在高溫環境下之基材薄膜的耐久性，並且藉由定於上限值以下，可輕易進行延伸處理。

再者，在基材薄膜具備第一表面層、中間層及第二表面層的情況下，中間層所包含之熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度TgA與第一表面層及第二表面層所包含之熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度TgB，以滿足TgB−TgA＜15℃的關係為佳。

基材薄膜在波長380 nm的光線穿透率以10%以下為佳，以5%以下為較佳，以1%以下為尤佳。並且，基材薄膜在波長280 nm～370 nm的光線穿透率以1.5%以下為佳，以1%以下為較佳。

於此之光線穿透率得依據JIS K 0115使用分光光度計量測。

［5.偏光板及影像顯示裝置］

本發明的偏光板包含前述本發明的多層相位差板及直線偏光件。並且，本發明的影像顯示裝置具備前述本發明的偏光板。本發明的偏光板得包含保護偏光件的保護薄膜及接合此些的接合層作為任意的構成要件。保護薄膜通常直接或經由接合層而設置於偏光件的雙面。惟亦可省略保護薄膜，且採用多層相位差板保護直線偏光件的結構來取代保護薄膜。本發明的偏光件藉由除了包含直線偏光件還包含多層相位差板，得作為可在寬廣波長範圍獲得均等光學效果之光學組件的構成要件使用。

［5.1.抗反射薄膜］

在較佳例中，本發明的偏光板得作為在影像顯示裝置中之抗反射薄膜使用。作為得適用成為抗反射薄膜的偏光板之例，可列舉「具有（相位差板P2）／（相位差板P1）／（直線偏光件）的層結構，直線偏光件的穿透軸與相位差板P1的遲向軸之間具有『40°～50°，較佳為44°～46°，典型為45°』的關係，多層相位差板發揮作為1／4波長板的功能」者。藉由將此種偏光板以直線偏光件側的面作為觀看側而設置在影像顯示裝置中之較構成畫素的元件更接近觀看側的位置，可抑制「自裝置外部入射之光線在裝置內部反射，往裝置外部發射而由觀察者觀看到」的情形。而且，藉由具備本發明的多層相位差板作為相位差板，可在寬廣波長範圍均等獲得此種抗反射效果。

在此種結構中，相位差板P1及P2的光學特性，得以在可見光區域之反射光的反射Y值成為最小的方式適當調整。舉例而言，若將可見光區域定為λ＝380 nm～780 nm，反射Y值得藉由下述式（e10）求得。

『數1』

在式（e10）中，S(λ)為入射光的分光分布，R(λ)為反射率的分光分布，y(λ)為色匹配函數的y值。在利用本發明之偏光板的抗反射薄膜中，在以此反射Y值成為最小的方式設計相位差板P1及P2的情況下，可將多層相位差板的面內延遲RePs(λ)與理想分散之差定為非常小者。

『實施例』

以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非為受限於以下所揭示之實施例者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。於以下的說明中，除非另有註明，否則表示量的「%」及「份」為重量基準。並且，於以下說明的操作，除非另有註明，否則在常溫及常壓的條件下進行。

（合成例1）LC1的合成

『化32』

LC1

步驟1：中間產物A的合成

『化33』

（A）

在具備溫度計之4口反應器中之氮氣流中，使2,5-二羥基苯甲醛20 g（144.8 mmol）、4-(6-丙烯醯基-己-1-基氧基)苯甲酸（DKSH公司製）105.8 g（362.0 mmol）及N,N-二甲胺基吡啶5.3 g（43.4 mmol）溶解於N-甲基吡咯酮200 ml。將1-乙基-3-(3-二甲胺基丙基)碳二亞胺鹽酸鹽（WSC）83.3 g（434.4 mmol）加入此溶液，在室溫下攪拌12小時。反應結束後，將反應液置入水1.5公升中，且以乙酸乙酯500 ml萃取。以無水硫酸鈉乾燥乙酸乙酯層。將硫酸鈉過濾分離後，以旋轉蒸發器減壓餾去乙酸乙酯，而獲得淡黃色固體。藉由矽膠管柱層析法（甲苯：乙酸乙酯＝9：1）精煉此淡黃色固體，而獲得75 g之呈白色固體且由上述式（A）所表示的中間產物A（產率：75.4%）。利用¹ H-NMR鑑定其結構。¹ H-NMR（400 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：10.20（s，1H），8.18-8.12（m，4H），7.78（d，1H，J＝2.8 Hz），7.52（dd，1H，J＝2.8 Hz，8.7 Hz），7.38（d，1H，J＝8.7 Hz），7.00-6.96（m，4H），6.40（dd，2H，J＝1.4 Hz，17.4 Hz），6.12（dd，2H，J＝10.6 Hz，17.4 Hz），5.82（dd，2H，J＝1.4 Hz，10.6 Hz），4.18（t，4H，J＝6.4 Hz），4.08-4.04（m，4H），1.88-1.81（m，4H），1.76-1.69（m，4H），1.58-1.42（m，8H）。

步驟2：中間產物B的合成

『化34』

（B）

在具備溫度計之3口反應器中之氮氣流中，添加肼的1水合物：11.16 g（222.9 mmol）及乙醇30 ml。將3-噻吩甲醛：5.0 g（44.58 mmol）及乙醇10 ml的混合溶液緩慢滴入於此溶液。滴入結束後，在室溫下攪拌3小時。反應結束後，添加飽和碳酸氫鈉水溶液300 ml及氯仿800 ml而予以清洗。再者，以飽和碳酸氫鈉水溶液200 ml清洗有機層2次。之後，收集有機層，以無水硫酸鈉使其乾燥，且將硫酸鈉過濾分離。以旋轉蒸發器自濾液蒸發去除溶劑之後，使所獲得的殘留物溶解於四氫呋喃（THF）30 ml。將己烷300 ml添加於此溶液，使固體析出，將析出的固體過濾分離。使所獲得的固體真空乾燥，而獲得4.1 g之呈淡黃色固體且由上述式（B）所表示的中間產物B（產率：73%）。¹ H-NMR（500 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：7.82（s，1H），7.39（dd，1H，J＝1.0 Hz，5.0 Hz），7.29-7.31（m，2H），5.41（br，2H）。

步驟3：LC1的合成

在具備溫度計之3口反應器中之氮氣流中，添加在前述步驟1合成的中間產物A：10.2 g（14.86 mmol）及THF 80 ml。將在前述步驟2合成的中間產物B：3.75 g（29.72 mmol）添加於此溶液。之後，在室溫下進行20小時反應。反應結束後，添加飽和碳酸氫鈉水溶液1公升及乙酸乙酯500 ml而予以萃取。再者，以飽和碳酸氫鈉水溶液300 ml清洗有機層之後，進一步以飽和食鹽水溶液100 ml清洗有機層。收集有機層，以無水硫酸鈉使其乾燥，且將硫酸鈉過濾分離。以旋轉蒸發器自濾液蒸發去除溶劑，而獲得黃色的油狀物。藉由矽膠管柱層析法（甲苯：乙酸乙酯＝95：5）精煉此黃色油狀物，而獲得5.8 g之呈淡黃色油狀物且由上述式LC1所表示的化合物LC1（產率：49.1%）。利用¹ H-NMR鑑定目標物的結構。

¹ H-NMR（500 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：8.75（s，1H），8.56（s，1H），8.15-8.20（m，4H），8.04（d，1H，J＝3.0 Hz），7.70（dd，1H，J＝1.0 Hz，3.0 Hz），7.55（dd，1H，J＝1.0 Hz，5.0 Hz），7.30-7.39（m，3H），6.98-7.01（m，4H），6.41（dd，2H，J＝1.5 Hz，17.5 Hz），6.13（dd，2H，J＝10.5 Hz，17.5 Hz），5.83（dd，2H，J＝1.5 Hz，10.5 Hz），4.192（t，2H，J＝6.5 Hz），4.191（t，2H，J＝6.5 Hz），4.08（t，2H，J＝6.0 Hz），4.07（t，2H，J＝6.5 Hz），1.83-1.89（m，4H），1.71-1.77（m，4H），1.45-1.57（m，8H）。

（合成例2）LC2的合成

『化35』

LC2

步驟1：中間產物C的合成

『化36』

（C）

在具備溫度計之3口反應器中之氮氣流中，添加肼的1水合物：5.68 g（113.5 mmol）及乙醇30 ml。將1-二氫茚酮：3.0 g（22.7 mmol）添加於此溶液，以60℃加熱6小時。反應結束後，將飽和碳酸氫鈉水溶液300 ml及氯仿600 ml添加於反應液而予以萃取。再者，以飽和碳酸氫鈉水溶液200 ml清洗有機層2次。之後，收集有機層，以無水硫酸鈉使其乾燥，且將硫酸鈉過濾分離。以旋轉蒸發器自濾液蒸發去除溶劑之後，使所獲得的殘留物溶解於四氫呋喃（THF）30 ml。將己烷300 ml添加於此溶液，使固體析出，將析出的固體過濾分離。使所獲得的固體真空乾燥，而獲得2.46 g之呈淡黃色固體且由上述式（C）所表示的中間產物C（產率：74%）。¹ H-NMR（500 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：7.64（d，1H，J＝7.5 Hz），7.23-7.31（m，3H），5.15（br，2H），3.11-3.13（m，2H），2.67-2.70（m，2H）。

步驟2：LC2的合成

在具備溫度計之3口反應器中之氮氣流中，添加在前述合成例之步驟1合成的中間產物A：5.2 g（7.57 mmol）、THF 50 ml及乙醇10 ml。將在前述步驟1合成的中間產物C：2.43 g（16.65 mmol）添加於此溶液。之後，以60℃進行3小時反應。反應結束後，添加飽和碳酸氫鈉水溶液1公升及乙酸乙酯300 ml而予以萃取。再者，以飽和碳酸氫鈉水溶液300 ml清洗有機層之後，進一步以飽和食鹽水溶液100 ml清洗有機層。收集有機層，以無水硫酸鈉使其乾燥，且將硫酸鈉過濾分離。以旋轉蒸發器自濾液蒸發去除溶劑，而獲得黃色的油狀物。藉由矽膠管柱層析法（甲苯：乙酸乙酯＝90：10）精煉此黃色油狀物，而獲得2.8 g之呈淡黃色固體且由上述式LC2所表示的化合物LC2（產率：45.4%）。利用¹ H-NMR鑑定目標物的結構。¹ H-NMR（500 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：8.65（s，1H），8.17-8.19（m，4H），8.04（d，1H，J＝3.0 Hz），7.84（d，1H，J＝8.0 Hz），7.41（td，1H，J＝1.0 Hz，7.5 Hz），7.34-7.36（m，2H），7.25-7.31（m，2H），6.99（dd，4H，J＝1.0 Hz，8.5 Hz），6.41（dd，2H，J＝1.0 Hz，17.5 Hz），6.13（dd，2H，J＝10.5 Hz，17.5 Hz），5.832（dd，1H，J＝1.0 Hz，10.5 Hz），5.831（dd，1H，J＝1.0 Hz，10.5 Hz），4.19（t，4H，J＝6.5 Hz），4.069（t，2H，J＝6.5 Hz），4.067（t，2H，J＝6.5 Hz），3.06（br，4H），1.86（tt，4H，J＝6.5 Hz，6.5 Hz），1.74（tt，4H，J＝7.0 Hz，7.0 Hz），1.45-1.60（m，8H）。

（合成例3）LC3的合成

『化37』

LC3

步驟1：中間產物D的合成

『化38』

（D）

在具備溫度計之3口反應器中之氮氣流中，添加2,5-二羥基苯甲醛10 g（72.4 mmol）及乙醇150 ml。將6-胺基-1,4-苯并二氧𠮿10.94 g（72.4 mmol）添加於其中，在室溫下攪拌2小時。反應結束後，過濾析出的固體，且以冷乙醇清洗。使所獲得的固體真空乾燥，而獲得13.5 g之呈淡黃色固體且由上述式（D）所表示的中間產物D（產率：68.7%）。利用¹ H-NMR鑑定目標物的結構。¹ H-NMR（400 MHz，DMSO-d6，TMS，δppm）：12.28（s，1H），9.02（s，1H），8.76（s，1H），6.96-6.98（1H，m），6.95（d，1H，J＝2.8 Hz），6.86-6.90（2H，m），6.80（dd，1H，J＝2.8 Hz，8.8 Hz），6.73（d，1H，J＝8.8 Hz），4.23（s，4H）。

步驟2：LC3的合成

在具備溫度計之4口反應器中之氮氣流中，使在前述步驟1合成的中間產物D：5.0 g（18.4 mmol）及4-(6-丙烯醯基-己-1-基氧基)苯甲酸（DKSH公司製）13.47 g（46.1 mmol）溶解於N-甲基吡咯酮100 ml。將1-乙基-3-(3-二甲胺基丙基)碳二亞胺鹽酸鹽（WSC）10.58 g（55.2 mmol）及N,N-二甲胺基吡啶1.12 g（9.2 mmol）加入此溶液，在室溫下攪拌12小時。反應結束後，將反應液置入水1公升中，且以乙酸乙酯500 ml萃取。以飽和食鹽水溶液200 ml清洗乙酸乙酯層。收集有機層，且以無水硫酸鈉乾燥。將硫酸鈉過濾分離之後，以旋轉蒸發器減壓餾去乙酸乙酯，而獲得淡黃色固體。藉由氧化鋁作為填料之管柱層析法（甲苯：乙酸乙酯＝9：1）精煉此淡黃色固體，而獲得3.8 g之呈淡黃色固體且由上述式LC3所表示的化合物LC3（產率：25.2%）。利用¹ H-NMR鑑定其結構。¹ H-NMR（500 MHz，CDCl₃ ，TMS，δ ppm）：8.56（s，1H），8.17（d，2H，J＝9.0 Hz），8.15（d，2H，J＝9.0 Hz），8.07（d，1H，J＝3.0 Hz），7.37（dd，1H，J＝3.0 Hz，8.5 Hz），7.30（d，1H，J＝8.5 Hz），6.99（d，2H，J＝7.5 Hz），6.97（d，2H，J＝7.5 Hz），6.81（d，1H，J＝8.5 Hz），6.72（d，1H，J＝2.5 Hz），6.69（dd，1H，J＝2.5 Hz，8.5 Hz），6.40（dd，2H，J＝1.5 Hz，17.5 Hz），6.13（2H，dd，J＝10.5 Hz，17.5 Hz），5.82（dd，2H，J＝1.5 Hz，10.5 Hz），4.22（s，4H），4.18（t，4H，J＝6.5 Hz），4.05（t，4H，J＝6.5 Hz），1.80-1.87（m，4H），1.69-1.76（m，4H），1.44-1.57（m，8H）。

〈相轉移溫度的量測〉

分別將化合物LC1～3以少量且固體的狀態直接夾在2枚附有經實施摩擦處理之聚醯亞胺配向膜的玻璃基板（E.H.C. Co., Ltd.製，商品名：配向處理玻璃基板）之間。使此基板承載於加熱板上，自40℃升溫至100℃之後，再降溫至40℃。以偏光顯微鏡（尼康公司製，ECLIPSE LV100POL型）觀察升溫、降溫時之組織結構的變化。

所量測之相轉移溫度如下述表1所示。

表1中，「C」表示Crystal，「N」表示Nematic，「I」表示Isotropic。於此，所謂Crystal表示試驗化合物處於固相，所謂Nematic表示試驗化合物處於向列型液晶相，所謂Isotropic表示試驗化合物處於各向同性液體相。

『表1』

［實施例1］

（1-1.液晶組成物的製備）

量秤下述所示的材料（1a）～（1e），置入遮光瓶而做成混合物。（1a）液晶化合物：在合成例1合成的化合物LC1（π電子數10）　21.0重量份（1b）界面活性劑：商品名「MEGAFAC F-562」（DIC公司製）之1重量%環戊酮溶液　6.3重量份（1c）聚合起始劑：商品名「N1919」（ADEKA公司製）　0.9重量份（1d）溶劑：1,3-二氧𠷬　46.8重量份（1e）溶劑：環戊酮　25.0重量份

『化39』

LC1

於遮光瓶中在60℃攪拌混合物1.0小時。攪拌結束後，將混合物靜置於室溫，藉此冷卻混合物。使冷卻至室溫的混合物通過0.45 μm的膜濾器。藉此製備液晶組成物。

（1-2.支撐體的準備）

準備日本瑞翁公司製之「ZEONOR FILM」作為支撐體。此支撐體為厚度47 μm的長條狀薄膜。構成薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）為126℃。此支撐體具有相位差，在波長550 nm的面內延遲Re為141 nm，面內的遲向軸方向相對於支撐體的幅寬方向為45°。

（1-3.相位差板P2）

在（1-2）獲得之支撐體的其中一面塗布在（1-1）獲得的液晶組成物。塗布以使用編號No. 03之線棒的棒塗布法進行。塗布後，將支撐體置入65℃的烘箱進行2分鐘的加熱處理。乾燥後，將支撐體放置於室溫1小時，使液晶組成物之層體中的液晶化合物配向。

隨後，將紫外線照射於液晶組成物的層體。紫外線照射定為使用H-燈泡（賀利氏公司製）且曝光量為150 mJ/cm² 以上的照射。藉此，使液晶組成物的層體固化而做成為相位差板P2，且獲得具有（支撐體）／（相位差板P2）之層結構的多層物（i）。所獲得的相位差板P2的膜厚為1.67 μm。

將所獲得之多層物之相位差板P2側的面經由接合劑貼合於玻璃基板，且剝離支撐體。藉此獲得（玻璃基板）／（接合劑層）／（相位差板P2）的多層物（ii）。

（1-4.相位差板P2的波長分散量測）

量測在（1-3）所獲得之多層物（ii）上之相位差板P2的面內延遲Re。量測在波長λ＝380 nm～780 nm之範圍中以5 nm的間隔進行。於量測中使用相位差計（Axometrics公司製）。所獲得的量測結果，雖具有被認為是由薄膜之干涉所致的量測值誤差，但大致上為表示遵循柯西分散式之波長分散者。

（1-5.柯西擬合、線性指標及Re(400)／Re(700)的計算）

根據（1-4）的量測結果，求取Re(450)／Re(550)、Re(550)／Re(550)及Re(650)／Re(550)之值，根據此些值進行柯西擬合。亦即，求取使藉由下述式所計算之X為最小的常數A、B及C之值。 X＝［Re(450)／Re(550)−Re(450)c／Re(550)c］² ＋［Re(550)／Re(550)−Re(550)c／Re(550)c］² ＋［Re(650)／Re(550)−Re(650)c／Re(550)c］²

上述式中，Re(450)／Re(550)、Re(550)／Re(550)及Re(650)／Re(550)為上述實測值，Re(450)c／Re(550)c、Re(550)c／Re(550)c及Re(650)／Re(550)c為根據Re(λ)c／Re(550)c＝A＋（B／λ² ）＋（C／λ⁴ ）之計算值所獲得的值。

依據柯西擬合之結果所獲得的常數A、B及C之值，以10 nm的間隔在380 nm～780 nm的範圍中計算波長λ與Re(λ)／Re(550)的關係。結果如表2所示。在本實施例中之以下的計算中，將藉由此柯西擬合而補正的值，定為相位差板P2在各波長λ的面內延遲ReP2(λ)。

再者，根據柯西擬合之結果所獲得的ReP2(400)／ReP2(550)、ReP2(550)／ReP2(550)及ReP2(700)／ReP2(550)之值，計算相位差板P2的線性指標及Re(400)／Re(700)之值。結果如表3所示。

（1-6.相位差板P1）

藉由雙軸擠製機混合經乾燥之包含具脂環結構聚合物的熱塑性樹脂（COP1）（日本瑞翁公司製，玻璃轉移溫度123℃）100份及苯并三唑系紫外線吸收劑（ADEKA公司製之「LA-31」）5.5份。隨後，將此混合物置入連接於擠製機之料斗，供給至單軸擠製機且熔融擠製，而獲得包含紫外線吸收劑的熱塑性樹脂（J1）。此熱塑性樹脂（J1）中之紫外線吸收劑的量為5.2重量%。

準備雙螺紋型之螺桿直徑50 mm的單軸擠製機（螺桿有效長度L與螺桿直徑D之比值L／D＝32），其具備篩目3 μm之葉盤形狀的聚合物過濾器。將前述熱塑性樹脂（J1）置入填裝此單軸擠製機的料斗。隨後，使此熱塑性樹脂（J1）熔融，在擠製機出口溫度為280℃且擠製機之齒輪泵的旋轉速為10 rpm的條件下，將已熔融的熱塑性樹脂（J1）供給至多歧管模具。此多歧管模具之模唇（dies lip）的算術表面粗糙度Ra為0.1 μm。

另外，除了已置入熱塑性樹脂（J1）的單軸擠製機之外，還另準備螺桿直徑50 mm的單軸擠製機（L／D＝32），其具備篩目3 μm之葉盤形狀的聚合物過濾器。將包含與用於熱塑性樹脂（J1）之製造相同之具脂環結構聚合物的熱塑性樹脂（COP1），置入填裝此單軸擠製機的料斗。隨後，使此熱塑性樹脂（COP1）熔融，在擠製機出口溫度為285℃且擠製機之齒輪泵的旋轉速為4 rpm的條件下，將已熔融的熱塑性樹脂（COP1）供給至前述多歧管模具。

在280℃，使熔融狀態的熱塑性樹脂（COP1）、包含紫外線吸收劑之熔融狀態的熱塑性樹脂（J1）及熔融狀態的熱塑性樹脂（COP1）分別自多歧管膜具排出，使其澆淋於溫度調整為150℃的冷卻輥，而獲得延伸前薄膜。排出樹脂時，氣隙量設定為50 mm。並且，採用邊緣釘扎（edge pinning）作為將所排出的樹脂澆淋於冷卻輥的方法。

所獲得之延伸前薄膜，為依序具備「由熱塑性樹脂（COP1）而成之厚度15 μm的樹脂層」、「由包含紫外線吸收劑之熱塑性樹脂（J1）而成之厚度40 μm的樹脂層」及「由熱塑性樹脂（COP1）而成之厚度15 μm的樹脂層」之3層結構的多層薄膜。並且，延伸前薄膜的幅寬為1400 mm，總厚度為70 μm。對於如此獲得的延伸前薄膜實施修整處理，其分別切除該延伸前薄膜之幅寬方向的兩端部50 mm，而使幅寬成為1300 mm。

在延伸溫度140℃且延伸速度20 m/min的條件下，沿相對於延伸前薄膜之縱向方向既非平行亦非垂直的傾斜方向，對於前述延伸前薄膜進行延伸，而獲得延伸薄膜作為基材薄膜。所獲得的延伸薄膜，為依序具備「由熱塑性樹脂（COP1）而成之厚度8 μm的第一表面層」、「由包含紫外線吸收劑之熱塑性樹脂（J1）而成之厚度31 μm的中間層」及「由熱塑性樹脂（COP1）而成之厚度8 μm的第二表面層」之3層結構的多層薄膜。並且，此延伸薄膜的幅寬為1330 mm，厚度為47 μm，遲向軸相對於延伸薄膜之縱向方向夾有45°的角度。

此延伸薄膜在量測波長550 nm的面內延遲為100 nm，在量測波長380 nm的光線穿透率為0.02%，折射率為1.53。

假設使用上述延伸薄膜作為相位差板P1的情況，對於此薄膜量測在各波長λ的面內延遲ReP1(λ)，進行柯西擬合，計算波長λ與ReP1(λ)／ReP1(550)的關係。其具體的方法定為與在（1-4）中對於相位差板P2所進行者相同的方法。結果如表2所示。在以下的計算中，將此值定為相位差板P1在各波長λ的面內延遲ReP1(λ)。

（1-7.模擬）

假設「使用（1-6）的相位差板P1與（1-4）的相位差板P2構成多層相位差板，將其與直線偏光件組合而構成抗反射薄膜」的情況，模擬該反射薄膜的性能。模擬的細節如下所述。

於理想鏡面反射的反射板上設置抗反射薄膜，計算入射於抗反射薄膜的光線自抗反射薄膜射出時的反射Y值。抗反射薄膜的層結構，自近反射板側依序定為（相位差板P2）／（相位差板P1）／（直線偏光件）。相位差板P2的遲相軸與相位差板P1的遲相軸定為彼此正交的方向。再者，相位差板P1之遲相軸與直線偏光件之吸收軸的夾角定為45°。

於上述結構中，相位差板P2與相位差板P1的組合得視為等同於單個相位差板Ps。在相位差板Ps的遲相軸方向設定成為與相位差板P1相同之方向的情況下，在波長λ之相位差板Ps的面內延遲RePs(λ)、相位差板P2的面內延遲ReP2(λ)與相位差板P1的面內延遲ReP1(λ)，具有RePs(λ)＝ReP1(λ)−ReP2(λ)的關係。

於上述結構中，在波長λ之反射光相對於入射光的比例R(λ)，於假設偏光板具有理想偏光作用時，可如下述式（e11）所述。

『數2』

（e11）

在式（e11）中，S(λ)為入射光的分光分布，在本模擬中，總波長定為1。

前提在於，以在可見光中心波長550 nm之相位差板Ps發揮作為理想1／4波長板之功能的方式，設定相位差板P1及相位差板P2的厚度。亦即，以RePs(550)＝137.5 nm為前提。在此前提中，針對相位差板P1及相位差板P2成為各種厚度的情況進行研究。亦即，滿足ReP1(550)−ReP2(550)＝137.5 nm的關係，設定各種ReP1(λ)及ReP2(λ)的組合，從此些之中求取反射光之反射Y值成為最小者。

反射Y值藉由下述（e12）近似計算。

『數3』

在式（e12）中，10n為λ之10 nm間隔的值（亦即n＝λ／10）。在各波長之RePs(λ)之值，可根據「表2所示之ReP1(λ)／ReP1(550)及ReP2(λ)／ReP2(550)之值」及「經設定之組合中之ReP1(550)及ReP2(550)之值」求得。函數y(λ)為波長λ與色匹配函數之y值所形成的函數，採用表2所示之值。上述計算之結果所獲得之反射Y值的最小值及賦予該最小值之ReP1(550)及ReP2(550)之值（ReP1(550)min及ReP2(550)min），如表3所示。

再者，在如上所述顯示反射Y值為最小值的情況下，依據下述式（e13）計算偏差指標，作為相位差板Ps之波長分散與顯示理想分散之假想相位差板Pi所形成的波長分散偏差指標。結果如表3所示。

『數4』

在式（e13）中，RePi(λ)為顯示理想分散的函數，為（RePi(λ)／RePi(550)）＝λ／550。

［實施例2］

（2-1.相位差板P2的波長分散量測）

除了使用在合成例2合成的化合物LC2（π電子數12）替代在合成例1合成的化合物LC1作為（1-a）的液晶化合物以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-4）相同的操作，獲得相位差板P2，量測面內延遲Re。

『化40』

LC2

（2-2.評價）

除了使用（2-1）的量測結果替代（1-4）的量測結果以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。

結果如表2及表3所示。

［實施例3］

（3-1.相位差板P2的波長分散量測）

除了使用在合成例3合成的化合物LC3（π電子數12）替代在合成例1合成的化合物LC1作為（1-a）的液晶化合物以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-4）相同的操作，獲得相位差板P2，量測面內延遲Re。

『化41』

LC3

（3-2.評價）

除了使用（3-1）的量測結果替代（1-4）的量測結果以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。

結果如表2及表3所示。

［比較例1］

根據日本專利公開第2014-206684號公報的實施4及6，獲得Re(450)／Re(550)＝1.18、Re(650)／Re(550)＝0.93者作為1／4波長板。在採用此1／4波長板作為相位差板P2的情況下進行柯西擬合及模擬。亦即，除了採用1.18、1.00及0.93之值作為Re(450)／Re(550)、Re(550)／Re(550)及Re(650)／Re(550)之值以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。結果如表2及表3所示。

［比較例2］

根據日本專利公開第2014-206684號公報的實施例1，獲得Re(450)／Re(550)＝1.10、Re(650)／Re(550)＝0.95者作為1／4波長板。在採用此1／4波長板作為相位差板P2的情況下進行柯西擬合及模擬。亦即，除了採用1.10、1.00及0.95之值作為Re(450)／Re(550)、Re(550)／Re(550)及Re(650)／Re(550)之值以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。結果如表2及表3所示。

［比較例3］

（C3-1.相位差板P2的波長分散量測）

除了使用由下述式LC4所表示的液晶化合物替代在合成例1合成的化合物LC1作為（1-a）的液晶化合物以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-4）相同的操作，獲得相位差板P2，量測面內延遲Re。

『化42』

LC4

（C3-2.評價）

除了使用（C3-1）的量測結果替代（1-4）的量測結果以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。結果如表2及表3所示。

［比較例4］

（C4-1.相位差板P2的波長分散量測）

除了「使用由下述式LC5所表示的液晶化合物替代在合成例1合成的化合物LC1作為（1-a）的液晶化合物，且將烘箱的溫度定於100℃」以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-4）相同的操作，獲得相位差板P2，量測面內延遲Re。

『化43』

LC5

（C4-2.評價）

除了使用（C4-1）的量測結果替代（1-4）的量測結果以外，其餘藉由與實施例1之（1-5）～（1-7）相同的程序，進行模擬等。結果如表2及表3所示。

『表2』

『表3』

由表3的結果明顯可知，在相位差板P2的線性指標低於2.90的實施例1～實施例3中，距離理想分散的偏差明顯為小，作為其結果，最小反射Y值亦明顯為小。再者，在ReP2(400)／ReP2(700)成為1.50以上的實施例1及實施例2中，成為最合適的ReP2(550)成為λ／4程度之小的值。此程度之相位差值的相位差板可薄化其厚度，可輕易製造且利於使用。

［實施例4］

在液晶顯示裝置中使用實施例1中所獲得的相位差板作為使太陽眼鏡可讀性提升之薄膜時的性能，藉由模擬進行評價。

在配戴偏光太陽眼鏡的使用者觀察液晶顯示裝置的情況下，根據液晶顯示裝置與太陽眼鏡所夾的角度，顯示畫面的觀看性有時會有所變化。所謂太陽眼鏡可讀性，意指此變化為少則使用者可在各種角度觀看到均質影像的顯示裝置性能。

模擬以使用SHINTECH公司製之模擬軟體LCD-Master，且設定如圖1所示之模型而進行。如圖1所示，模擬模型10包含液晶顯示裝置110及太陽眼鏡120，液晶顯示裝置110自觀看側依序具備相位差板110P1、相位差板110P2及面板111。在模型10中，太陽眼鏡120、相位差板110P1、相位差板110P2及面板111平行配置。

在模型10中，太陽眼鏡120為在箭號A120方向上具有吸收軸的理想偏光薄膜。

在模型10中，面板111定為市售的液晶顯示裝置（商品名「iPad Air」，蘋果公司製），將於其顯示面顯示白色時之光譜提供於模擬。面板111在其觀看側包含在箭號A111方向上具有吸收軸之直線偏光件，因此自面板111所發出的光線為直線偏光。虛線B110P1及B110P2分別為將箭號A111方向投影於相位差板110P1及相位差板110P2的方向。θP1為虛線B110P1與相位差板P1之遲相軸方向A110P1所夾的角度，θP2為虛線B110P2與相位差板P2之遲相軸方向A110P2所夾的角度。θP1定為45°，θP2定為135°。

在模擬中，假設使用者經由太陽眼鏡120觀察液晶顯示裝置110。觀察方向定為相對於液晶顯示裝置110之顯示面為極角0°的方向（由虛線B120所示的方向）。固定太陽眼鏡120，以虛線B120為軸旋轉液晶顯示裝置110，在使方位角（面板11之吸收軸A111與太陽眼鏡120之吸收軸所夾的角度）在0°～360°的範圍中每5°變化的情況下，分別計算自液晶顯示裝置110發出且穿透太陽眼鏡120之光線的L*、a*及b*。然後，計算在太陽眼鏡120不存在的情形中之自液晶顯示裝置110發出之光線的L0*、a0*及b0*。計算在各方位的ΔE*（＝√（（L*−L0*）² ＋（a*−a0*）² ＋（b*−b0*）² ）），算出所獲得的值之最大值與最小值的差分作為ΔE*(Max−Min)。

在RePs(550)＝137.5 nm的前提下，針對相位差板P1及相位差板P2成為各種厚度的情況進行研究。在此些之中，求取ΔE*(Max−Min)成為最小之情形中的ReP1(550)及ReP2(550)，以及求取在此情形中的ΔE*(Max−Min)。結果如表5所示。ΔE*(Max−Min)的值愈小，亮度變化及色調變化愈小，太陽眼鏡方位角依存特性愈少，因此表示太陽眼鏡可讀性愈高。

［實施例5］

（5-1.相位差板P2）

除了下述變更點以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-5）相同的操作，獲得相位差板P2，且獲得其線性指標、ReP2(400)／ReP2(700)及在各波長之Re(λ)／Re(550)之值。結果如表4及表5所示。．在（1-1）之液晶組成物的調整中，使用化合物LC1與化合物LC4的混合物替代化合物LC1作為（1a）的液晶化合物。化合物LC1與化合物LC4的重量比定為80：20。

（5-2.透過模擬之太陽眼鏡可讀性的評價）

對於使用在（5-1）獲得者替代在實施例1之（1-4）獲得者作為相位差板P2的情況，以與實施例4相同的方法進行模擬，算出ΔE*(Max−Min)。結果如表5所示。

［實施例6］

（6-1.相位差板P2）

除了下述變更點以外，其餘藉由與實施例1之（1-1）～（1-5）相同的操作，獲得相位差板P2，且獲得其線性指標、ReP2(400)／ReP2(700)及在各波長之Re(λ)／Re(550)之值。結果如表4及表5所示。．在（1-1）之液晶組成物的調整中，使用化合物LC1與化合物LC4的混合物替代化合物LC1作為（1a）的液晶化合物。化合物LC1與化合物LC4的重量比定為60：40。

（6-2.透過模擬之太陽眼鏡可讀性的評價）

對於使用在（6-1）獲得者替代在實施例1之（1-4）獲得者作為相位差板P2的情況，以與實施例4相同的方法進行模擬，算出ΔE*(Max−Min)。結果如表5所示。

［比較例5］

依據在比較例3所獲得的結果，對於使用在比較例（C3-1）獲得者替代在實施例1之（1-4）獲得者作為相位差板P2的情況，以與實施例4相同的方法進行模擬，算出ΔE*(Max−Min)。結果如表5所示。

『表4』

『表5』

由表5的結果明顯可知，在Re(400)／Re(700)的值高於1.13且相位差板P2的線性指標低於2.90的實施例4～實施例6中，可形成得構成太陽眼鏡可讀性為高之液晶顯示裝置的相位差板。

10‧‧‧模擬模型110‧‧‧液晶顯示裝置110P1‧‧‧相位差板110P2‧‧‧相位差板111‧‧‧面板120‧‧‧太陽眼鏡A111‧‧‧吸收軸A110P1‧‧‧遲相軸A110P2‧‧‧遲相軸A120‧‧‧吸收軸

圖1為繪示實施例中假設之模擬模型的分解立體圖。

10‧‧‧模擬模型

110‧‧‧液晶顯示裝置

110P1‧‧‧相位差板

110P2‧‧‧相位差板

111‧‧‧面板

120‧‧‧太陽眼鏡

A111‧‧‧吸收軸

A110P1‧‧‧遲相軸

A110P2‧‧‧遲相軸

A120‧‧‧吸收軸

Claims

一種相位差板，其係包含已沿面內方向配向之液晶材料之層體的相位差板，前述相位差板在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足下述式(e1)及下述式(e2)：(Re(400)-Re(550))/(Re(550)-Re(700))<2.90 (e1)，Re(400)/Re(700)>1.13 (e2)；前述液晶材料包含由下述式(1)所表示之液晶化合物的聚合物：
〔式(I)中：Ar表示具有D作為取代基的2價芳烴環基或具有D作為取代基的2價芳雜環基；D表示具有選自由芳烴環及芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數1至67之有機基；Z¹及Z²分別獨立為單鍵、-O-、-O-CH₂-、-CH₂-O-、-O-CH₂-CH₂、-CH₂-CH2-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-S-、-S-C(=O)-、-NR²¹-C(=O)-、-C(=O)-NR²¹-、-CF₂-O-、-O-CF₂-、-CH₂-CH₂-、-CF₂-CF₂-、-O-CH₂-CH₂-O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-、-CH₂-C(=O)-O-、-O -C(=O)-CH₂-、-CH₂-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH₂-、-CH₂-CH₂-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH₂-CH₂-、-CH₂-CH₂-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH₂-CH₂-、-CH=CH-、-N=CH-、-CH=N-、-N=C(CH₃)-、-C(CH₃)=N-、-N=N-或-C≡C-，R²¹分別獨立表示氫原子或碳數1至6之烷基；A¹與A²及B¹與B²分別獨立表示亦可具有取代基之環脂族基或亦可具有取代基之芳基；Y¹至Y⁴分別獨立表示單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR²²-C(=O)-、-C(=O)-NR²²-、-O-C(=O)-O-、-NR²²-C(=O)-O-、-O-C(=O)-NR²²-或-NR²²-C(=O)-NR²³-，R²²及R²³分別獨立表示氫原子或碳數1至6之烷基；G¹及G²分別獨立為碳數1至20之脂族烴基及碳數3至10之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基(-CH₂-)已被取代成-O-或-C(=O)-之基中的任一有機基，G¹及G²之前述有機基所包含的氫原子亦可取代成碳數1至5之烷基、碳數1至5之烷氧基或鹵原子；P¹及P²分別獨立表示聚合性基，p及q分別獨立為0或1〕。
如請求項1所述之相位差板，其中前述面內延遲Re(λ)滿足下述式(e3)：Re(400)/Re(700)≧1.50 (e3)。
一種多層相位差板，其係具備相位差板P1及相位差板P2的多層相位差板，相位差板P1的面內遲相軸與相位差板P2的面內遲相軸為彼此正交；相位差板P2為如請求項1或2之任一項所述之相位差板；相位差板P1在波長λ nm的面內延遲ReP1(λ)及相位差板P2在波長λ nm的面內延遲ReP2(λ)滿足下述式(e4)及下述式(e5)：ReP1(550)>ReP2(550) (e4)，ReP1(400)/ReP1(700)<ReP2(400)/ReP2(700) (e5)。
如請求項3所述之多層相位差板，其中前述ReP1(λ)滿足下述式(e6)：ReP1(400)/ReP1(700)<1.10 (e6)。
如請求項3或4所述之多層相位差板，其中前述相位差板P1為包含含脂環結構聚合物之樹脂之薄膜的延伸物。
如請求項3或4所述之多層相位差板，其中前述ReP1(λ)及前述ReP2(λ)滿足下述式(e7)：90nm<ReP1(550)-ReP2(550)<160nm (e7)。
如請求項3或4所述之多層相位差板，其中前述ReP1(λ)及前述ReP2(λ)滿足下述式(e8)及下述式(e9)：180nm≦ReP1(550)≦350nm (e8)，90nm≦ReP2(550)≦160nm (e9)。
一種偏光板，其包含如請求項3至7之任一項所述之多層相位差板及直線偏光件。
一種影像顯示裝置，其具備如請求項8所述之偏光板。
一種聚合性化合物，其係由下述式(I)所表示之聚合性化合物，
〔式(I)中：Ar表示具有D作為取代基的2價芳烴環基或具有D作為取代基的2價芳雜環基；D表示具有選自由芳烴環及芳雜環而成之群組之1個以上芳環的碳數1至67之有機基；Z¹及Z²分別獨立為單鍵、-O-、-O-CH₂-、-CH₂-O-、-O-CH₂-CH₂、-CH₂-CH₂-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-S-、-S-C(=O)-、-NR²¹-C(=O)-、-C(=O)-NR²¹-、-CF₂-O-、-O-CF₂-、-CH₂-CH₂-、-CF₂-CF₂-、-O-CH₂-CH₂-O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-、-CH₂-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH₂-、-CH₂-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH₂-、-CH₂-CH₂-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH₂-CH₂-、-CH₂ -CH₂-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH₂-CH₂-、-CH=CH-、-N=CH-、-CH=N-、-N=C(CH₃)-、-C(CH₃)=N-、-N=N-或-C≡C-，R²¹分別獨立表示氫原子或碳數1至6之烷基；A¹與A²及B¹與B²分別獨立表示亦可具有取代基之環脂族基或亦可具有取代基之芳基；Y¹至Y⁴分別獨立表示單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR²²-C(=O)-、-C(=O)-NR²²-、-O-C(=O)-O-、-NR²²-C(=O)-O-、-O-C(=O)-NR²²-或-NR²²-C(=O)-NR²³-，R²²及R²³分別獨立表示氫原子或碳數1至6之烷基；G¹及G²分別獨立為碳數1至20之脂族烴基及碳數3至20之脂族烴基所包含的1個以上亞甲基(-CH₂-)已被取代成-O-或-C(=O)-之基中的任一有機基，G¹及G²之前述有機基所包含的氫原子亦可取代成碳數1至5之烷基、碳數1至5之烷氧基或鹵原子；P¹及P²分別獨立表示聚合性基，p及q分別獨立為0或1〕，已使該化合物沿面內方向配向的層體在波長λ nm的面內延遲Re(λ)滿足式(e1)及式(e2)：(Re(400)-Re(550))/(Re(550)-Re(700))<2.90 (e1)，Re(400)/Re(700)>1.13 (e2)。
如請求項10所述之聚合性化合物，其中D所包含的π電子數為4至12。
如請求項10或11所述之聚合性化合物，其中D為選自由亦可具有取代基之芳烴環基、亦可具有取代基之芳雜環基、由式-C(R^f)=N-N(R^g)R^h所表示之基、由式-C(R^f)=N-N=C(R^g1)R^h所表示之基及由式-C(R^f)=N-N=R^h1所表示之基而成之群組之基，式中：R^f表示氫原子或碳數1至6之烷基；R^g及R^g1表示氫原子或亦可具有取代基的碳數1至30之有機基；R^h及R^h1表示具有選自由碳數6至30之芳烴環及碳數2至30之芳雜環而成之群組之1個以上芳環的有機基。