TWI753081B - 阻劑去除用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，為提供在使用光阻劑製造遮罩的步驟中，能將附著於基板之邊緣部分或背面之光阻劑效率良好地去除的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，而形成元件或電路等時所使用之遮罩。

本發明之解決手段，為一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，就前述界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)。

成分(A)：下述式(a)所表示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)

[式中，n表示前述重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]

Description

阻劑去除用組成物
本發明係關於在使用光阻劑製造遮罩的步驟中，將附著於基板之邊緣或背面之光阻劑去除之用途中所使用的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，而形成元件或電路等時所使用之遮罩。本申請案主張2017年1月11日於日本申請之特願2017-002539號的優先權，並於本文中引用其內容。
半導體裝置(電晶體、電容器、記憶體、發光元件、太陽能電池等)或電子機器(各種顯示器等)之製造中，就於基板上形成元件或電路的方法而言，可利用包含下述步驟之光微影法(photolithography)。
[1]在基板上塗布光阻劑，形成阻劑塗膜。
[2]以描繪元件或電路之圖案的光罩居間，對阻劑塗膜照射光，而燒製成電路圖案。
[3]浸漬於顯影液，將圖案部分以外之部分的阻劑塗膜去除。
[4]使顯影後所殘留之阻劑塗膜硬化，形成遮罩。
[5]利用所得到之遮罩，蝕刻基板。
在前述[1]步驟中，光阻劑之塗布主要使用旋 轉塗布器，然而若使用旋轉塗布器塗布光阻劑，一則光阻劑於基板之邊緣部分會凸起，再則會回流至背面。所以，凸起部分或回流部分之光阻劑，從抑制曝光裝置之污染，或因曝光不良造成的良率降低而言，以於付諸於[2]步驟之前去除為較佳。
就去除光阻劑之方法而言，已知有將對光阻劑具有高溶解性之溶劑，吹送至阻劑塗膜中期望去除之部分，使其溶解，而從基板表面去除的方法(例如，專利文獻1)。就前述溶劑而言，在專利文獻2中，記載使用3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲酯、或3-乙氧基丙酸乙酯。
然而，前述溶劑由於蒸發速度遲緩，亦容易浸透阻劑塗膜中不應去除之部分，因此，有產生塗膜界面被侵蝕而流出之現象(=拖尾(tailing)現象)的問題。在將基板以高速旋轉，同時吹送溶劑之情況，藉由離心力之作用雖有抑制拖尾現象之發生的傾向，然而在旋轉速度慢，難以得到離心力之作用的情況，特別有問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開昭63-69563號公報
[專利文獻2]日本特開平4-42523號公報
因此，本發明之目的，為提供在使用光阻劑 製造遮罩的步驟中，能將附著於基板之邊緣部分或背面之光阻劑效率良好地去除的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，而形成元件或電路等時所使用之遮罩。
本發明之其他目的，為提供在使用光阻劑製造遮罩的步驟中，能將附著於基板之邊緣部分或背面之光阻劑效率良好地去除，同時抑制拖尾現象之發生的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，形成元件或電路等時所使用之遮罩。
本發明人為解決上述課題，專心檢討之結果，發現包含下述成分(A)之組成物，可效率良好地將光阻劑去除。本發明係基於此等見識而完成者。
亦即，本發明提供一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就前述界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)
[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)
Figure 107100869-A0202-12-0003-1
Figure 107100869-A0202-12-0003-2
 表示；n表示前述重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]。
本發明又提供一種前述阻劑去除用組成物，其中就前述溶劑而言，含有下述成分(B)：成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)
(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所表示之基可相同，亦可相異)。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(B)為選自丙醇、丙二醇、丙二醇單烷基醚、及丙二醇烷基醚脂肪酸酯之至少1種化合物。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中丙二醇單烷基醚為丙二醇單C1-5烷基醚，丙二醇烷基醚脂肪酸酯為丙二醇C1-5烷基醚乙酸酯。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中就前述溶劑而言，含有下述成分(C)：成分(C)：乙酸烷酯。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(C)中之乙酸烷酯為乙酸C1-4烷酯。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(A)之含量，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為1~15 重量份。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(B)與成分(C)之合計含量，為阻劑去除用組成物全量之60重量%以上，且成分(B)與成分(C)之含量比(前者/後者；重量比)為5/95~80/20。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中就界面活性劑而言、進一步含下述成分(D)：成分(D)：氟化丙烯酸共聚物。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為0.001~1重量份。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(D)中氟化丙烯酸共聚物之重量平均分子量(藉由GPC測量並以聚苯乙烯換算)為3000~10000。
本發明又提供如前述阻劑去除用組成物，其中成分(D)中之氟化丙烯酸共聚物，為具有下述式(d-1)所示之至少1種重覆單元、及下述式(d-2)所示之至少1種重覆單元的聚合物。
Figure 107100869-A0202-12-0006-3
(式中，Rd1表示氫原子或甲基，Rd2表示碳數1~20之烷基；L表示單鍵或連結基；Rd3表示氫原子、甲基、或氟原子；Rd4表示氟原子、或碳數1~20之烷基中的至少1個氫原子被氟原子取代的基；Rd5表示氫原子或氟原子；Rd6表示氫原子或鹵素原子)。
本發明之阻劑去除用組成物由於含有上述成分(A)，對光阻劑具有高溶解力。又，亦具有防止溶解之光阻劑再附著的效果。因此，可發揮優良之洗淨力。
又，本發明之阻劑去除用組成物，在含有成分(B)作為溶劑之情況，由於成分(B)蒸發速度快，吹送該組成物時，即使離心力之作用小，或無離心力之作用，亦可抑制組成物對阻劑塗膜中不應去除之部分的滲透，並抑制拖尾現象之發生，同時能效率良好地將光阻劑去除。
於是，若使用本發明之阻劑去除用組成物，可抑制半導體裝置或電子機器之製造中產率之降低，使生產性大大地提高。
[實施發明之形態] [阻劑去除用組成物]
本發明之阻劑去除用組成物係在使用光阻劑製造遮罩的步驟中，將附著於基板之邊緣部分或背面之光阻劑去除之用途中所使用的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，形成元件或電路等時所使用之遮罩，該組成物包含界面活性劑及溶劑，就前述界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)。
成分(A)：式(a)所示之聚甘油衍生物。
本發明之阻劑去除用組成物，就溶劑而言，以含有下述成分(B)為較佳。
成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)
(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
本發明之阻劑去除用組成物，又，就溶劑而言，以含有下述成分(C)為較佳。
成分(C)：乙酸烷酯。
本發明之阻劑去除用組成物以進一步含有下述成分(D)作為界面活性劑為較佳。
成分(D)：氟化丙烯酸共聚物。
(成分(A))
作為成分(A)之聚甘油衍生物，以下述式(a)表示。
RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)
[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)
Figure 107100869-A0202-12-0008-4
Figure 107100869-A0202-12-0008-5
 表示；n表示前述重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]。
括弧內所示之重覆單元，在一起具有式(a-1)所示之重覆單元及式(a-2)所示之重覆單元的情況，就此等重覆單元之鍵結方法而言，無特別限制，例如，可為嵌段鍵結、無規鍵結、交互鍵結、接枝鍵結等之任一種。
Ra中之烴基，包含碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、及碳數2~18之鏈多烯基(alkapolyenyl)、碳數3~18之脂環式烴基、碳數6~18之芳香族烴基、及此等之2個以上連結而成之基。
就前述碳數1~18之烷基而言，例如，可列 舉甲基、乙基、正丙基、2-甲基-1-丙基、正丁基、三級丁基、3,3-二甲基-2-丁基、正戊基、異戊基、三級戊基、正己基、2-乙基己基、正辛基、異辛基、正癸基、4-癸基、異癸基、十二基(正月桂基)、異十二基、正己基癸基、2-己基癸基、十四基、肉豆蔻基、異肉豆蔻基、鯨蠟基、異鯨蠟基、硬脂基、異硬脂基等直鏈狀或分枝鏈狀的烷基。此等之中，以碳數8~18之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基為較佳。
就前述碳數2~18之烯基而言，例如，可列舉乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、丙烯基、己烯基、2-乙基己烯基、油基等直鏈狀或分枝鏈狀之烯基。
就前述碳數2~18之鏈多烯基而言，例如，可列舉丁二烯基、戊二烯基、己二烯基、庚二烯基、辛二烯基、亞麻仁基(linoleyl)、亞麻醯基(linolyl)等二烯基；1,2,3-戊三烯基等三烯基；四烯基。
就前述碳數3~18之脂環式烴基而言，例如，可列舉環丁基、環戊基、環己基、環辛基、環十二基、2-環庚烯基、2-環己烯基等飽和或不飽和脂環式烴基(尤其，環烷基、環烯基)。
就前述碳數6~18之芳香族烴基而言，例如，可列舉苯基、萘基等。
就前述基之2個以上連結而成之基而言，可列舉如苄基、2-苯基乙烯基、1-環戊基乙基、1-環己基乙基、環己基甲基、2-環己基乙基、1-環己基-1-甲基乙基等。
就前述碳數2~24之醯基而言，可列舉脂肪族醯基及芳香族醯基，就脂肪族醯基而言，例如，可列舉乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、硬脂醯基、油醯基等飽和或不飽和脂肪族醯基。就芳香族醯基而言，例如，可列舉苯甲醯基、甲苯甲醯基、萘甲醯基等。
就Ra而言，其中，以氫原子、直鏈狀或分枝鏈狀之烷基(更佳為碳數8~18之分枝鏈狀烷基，尤其碳數8~15之分枝鏈狀烷基)、或脂肪族醯基(尤其，碳數10~18之飽和脂肪族醯基)為較佳。
式(a)中，n表示前述括弧內所示之重覆單元之數(聚合度)。n之值為2~60之整數，n值之下限較佳為5，更佳為10，特佳為15，最佳為18。n值之上限，較佳為50，特佳為40，最佳為30，極佳為25。n之值為前述範圍的聚甘油衍生物，對成分(B)及成分(C)之溶解性優良，含有該聚甘油衍生物之阻劑去除用組成物，對光阻劑容易親和，可發揮優良之溶解力。另一方面，n之值超出前述範圍的聚甘油衍生物，由於親水性或親油性變得過低，對成分(B)及成分(C)溶解變得困難，含有該聚甘油衍生物之阻劑去除用組成物，有對光阻劑之溶解力降低的傾向。
前述聚甘油衍生物之重量平均分子量，為例如200~20000，較佳為600~15000，更佳為1000~10000，特佳為1500~5000，最佳為2000~4500。具有上述範圍之重量平均分子量的聚甘油衍生物，由於界面活性作用特別優良，對光阻劑之溶解力有更進一步提高 的傾向，故為較佳。再者，本說明書中之重量平均分子量，為藉由凝膠滲透層析(GPC)測定之標準聚苯乙烯換算的分子量。
前述聚甘油衍生物以上述式(a)表示，式(a)中之(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基。
在本發明中，其中(n+2)個Ra中，以例如25~95%(較佳為30~90%，特佳為40~90%)為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基的化合物為較佳，尤其，以選自式(a)中之(n+2)個Ra中，25~95%(較佳為30~90%，特佳為40~90%)為碳數1~18之烴基的化合物，及式(a)中之(n+2)個Ra中，25~60%(較佳為30~55%，特佳為40~55%)為碳數2~24之醯基之化合物中的至少1種化合物為特佳。
前述聚甘油衍生物可使用各種方法製造。將聚甘油衍生物之製造方法於下文中例示，然而前述聚甘油衍生物並不限定於依照下述方法製造。
(1)將縮水甘油基醚衍生物(例如，下式所示之化合物：Ra與前述相同)加成於甘油或聚甘油上之方法
Figure 107100869-A0202-12-0011-6
(2)使烷基鹵化物(例如，Ra1X：X表示鹵素原子；Ra1表示碳數1~18之烴基)、羧酸(例如，Ra2OH：Ra2表示碳數2~24之醯基)、或其衍生物(例如，羧酸鹵化物、 酸酐等)與聚甘油縮合的方法
在上述方法(1)中，加成反應以於鹼觸媒存在下進行為較佳。就鹼觸媒而言，例如，可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、金屬鈉、氫化鈉等。此等可單獨使用1種，或將2種以上組合而使用。
就上述方法(1)及(2)中之聚甘油而言，例如，可適當地使用商品名「PGL 03P」(聚(3)甘油)、「PGL 06」(聚(6)甘油)、「PGL 10PSW」(聚(10)甘油)、「PGL 20PW」(聚(20)甘油)、「PGL XPW」(聚(40)甘油)(以上，Daicel股份有限公司製)等市售品。
前述聚甘油衍生物為具有界面活性作用之化合物。本發明之阻劑去除用組成物，含有該聚甘油衍生物，由於其可發揮降低與光阻之界面張力的作用，對光阻容易親和，所以可對光阻劑發揮優良之溶解力，且具有防止溶解之阻劑之再附著的效果，能將光阻劑效率良好地去除。
(成分(B))
成分(B)為下述式(b)所示之化合物。該化合物對光阻劑之溶解力優良。從對光阻劑可發揮特別優良之溶解力的觀點而言，本發明之阻劑去除用組成物以含有1種或2種以上之成分(B)為較佳。
(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)
(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方 括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
Rb中之烴基，可包含脂肪族烴基、脂環式烴基、芳香族烴基、及此等之2個以上鍵結而成之基。
就前述脂肪族烴基而言，以碳數1~20之脂肪族烴基為較佳，例如，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、己基、癸基、十二基等之碳數約1~20(較佳為1~10，特佳為1~3)之烷基；乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等之碳數約2~20(較佳為2~10，特佳為2~3)之烯基；乙炔基、丙炔基等之碳數約2~20(較佳為2~10，特佳為2~3)之炔基等。
就前述脂環式烴基而言，以3~20員之脂環式烴基為較佳，例如，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基等3~20員(較佳為3~15員，特佳為5~8員)之環烷基等。
就前述芳香族烴基而言，可列舉如，苯基等碳數6~14之芳基等。
就前述基之2個以上連結而成之基而言，例如，可列舉苄基等碳數7~15之芳烷基等。
就前述烴基可具有之取代基而言，例如，可列舉羥基、經取代氧基(例如，C1-10烷氧基、C6-14芳基氧基、C7-15芳烷基氧基、C1-10醯基氧基等)等。
就Rb中之烷基而言，以碳數1~20之烷基(例如，直鏈狀或分枝鏈狀烷基)為較佳，特佳為碳數1~5之烷基。
上述式(b)中之括弧內所示的(C3H6)，可為三亞甲基(-CH2CH2CH2-)、及伸丙基(-CH(CH3)CH2-)之任一種。
上述式(b)所示之化合物中，可包含丙醇、丙醇之醚體、丙醇之酯體、丙二醇、丙二醇單烷基醚、丙二醇二烷基醚、丙二醇單脂肪酸酯、丙二醇二脂肪酸酯、及丙二醇烷基醚脂肪酸酯。
就前述丙醇而言，例如，可列舉1-丙醇、2-丙醇等。
就前述丙醇之醚體而言，例如，可列舉二丙基醚、二異丙基醚、甲基丙基醚、甲基異丙基醚、乙基丙基醚、乙基異丙基醚、苄基異丙基醚、乙二醇異丙基醚、乙二醇丙基醚、二丙二醇單丙基醚等。
就前述丙醇之酯體而言，例如，可列舉乙酸丙酯、乙酸異丙酯等。
就前述丙二醇而言，例如，可列舉1,2-丙二醇、1,3-丙二醇等。
就上述式(b)所示之化合物而言，其中以選自丙醇、丙二醇、丙二醇單烷基醚、及丙二醇烷基醚脂肪酸酯的至少1種化合物為較佳，尤其，從對光阻劑之溶解力特優的觀點而言，以至少含有丙二醇烷基醚脂肪酸酯為特佳。
就前述丙二醇單烷基醚而言，以丙二醇單甲基醚、丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚等丙二醇單C1-5烷基醚為較佳。
就前述丙二醇烷基醚脂肪酸酯而言，以丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇正丙基醚乙酸酯、丙二醇異丙基醚乙酸酯、丙二醇正丁基醚乙酸酯、丙二醇異丁基醚乙酸酯、及丙二醇三級丁基醚乙酸酯等丙二醇C1-5烷基醚乙酸酯(=丙二醇C1-5烷基醚乙酸酯)為較佳。
從得到抑制拖尾現象之發生之效果的觀點而言，成分(B)之沸點(常壓下)以係例如250℃以下(例如120~250℃)為較佳，特佳為200℃以下，最佳為160℃以下。
成分(B)之黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)為例如50cps以下(例如0.1~50cps)，較佳為30cps以下，特佳為10cps以下，最佳為5cps以下。若黏度於上述範圍，則塗布性優良。再者，黏度可使用流變儀(商品名「Physica MCR301」，Anton Paar公司製)測定。
成分(B)之表面張力(20℃時)為例如50dyn/cm2以下(例如10~50dyn/cm2)，較佳為30dyn/cm2以下，特佳為28dyn/cm2以下。若表面張力於上述範圍，則對光阻劑容易親和，變得能將光阻劑快速地溶解而去除。再者，表面張力之測定係依照Wilhelmy法。
(成分(C))
作為成分(C)之乙酸烷酯，與上述成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))比較，對光阻劑之溶解性之點略差，然而蒸發速度快。因此，就本發明 之阻劑去除用組成物而言，以含有成分(C)作為溶劑為較佳，尤其，將前述成分(B)及成分(C)組合而使用，從對光阻劑可發揮優良之溶解力，且抑制拖尾現象之發生至更低的觀點，為特佳。乙酸烷酯可1種單獨使用，或將2種以上組合而使用。
前述乙酸烷酯，例如，以下述式(c)表示。
CH3COO-Rc1 (c)
式(c)中、Rc1表示烷基，較佳為碳數1~20之烷基(例如，直鏈狀或分枝鏈狀烷基)，特佳為碳數1~4之烷基。亦即，就乙酸烷酯而言，以乙酸C1-4烷酯為較佳。
就前述乙酸烷酯之較佳例而言，可列舉乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸三級丁酯等。此等之中，以選自包含乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、及乙酸三級丁酯之群組的至少1種，從黏度比較低，蒸發速度快之點而言，為較佳。
從抑制拖尾現象之發生的效果優良之觀點而言，前述乙酸烷酯之沸點(常壓下)以例如250℃以下(例如110~250℃)為較佳，更佳為200℃以下，進一步更佳為160℃以下，特佳為145℃以下，最佳為140℃以下，極佳為135℃以下。
前述乙酸烷酯之黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)為例如50cps以下(例如，0.01~50cps)，較佳為30cps以下，更佳為10cps以下，特佳為5cps以下，最佳為1cps 以下，極佳為0.5cps以下。若黏度於上述範圍，則塗布性優良。
前述乙酸烷酯之閃點(依照閉杯(closed cup)法)為例如5℃以上，較佳為10℃以上，特佳為15℃以上，最佳為20℃以上。若閃點低於前述範圍，由於安全性有問題，故不佳。
前述乙酸烷酯之表面張力(20℃時)為例如50dyn/cm2以下(例如10~50dyn/cm2)，較佳為30dyn/cm2以下，特佳為28dyn/cm2以下。若表面張力於上述範圍，則對光阻劑容易親和，變得能將光阻劑快速地溶解而去除。
在本發明中，尤其以使用乙酸丁酯(沸點：126.1℃，閃點：23℃，黏度：0.74cps，表面張力：25dyn/cm2)為特佳。乙酸丁酯由於表面張力低，對光阻劑具有優良之溶解力，藉由使本發明之阻劑去除用組成物中含有少量乙酸丁酯，可使光阻劑去除效果大大地提高。又，由於蒸發速度快，亦具有抑制拖尾現象之發生的效果。再者，乙酸丁酯為低毒性(小鼠經口投與之50%致死量(LD50)：7.0g/kg)，且水解容易，對環境之負荷低。
(成分(D))
作為成分(D)之氟化丙烯酸共聚物為具有界面活性作用之化合物。本發明之阻劑去除用組成物，可含有1種或2種以上之氟化丙烯酸共聚物。
本發明之阻劑去除用組成物，若同時含有上 述成分(A)及氟化丙烯酸共聚物作為界面活性劑，可使與光阻劑之界面張力進一步降低，而更提高對光阻劑之親和度。因此，例如，即使將成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))之含量減低，仍能維持對光阻劑之優良溶解力，藉由將前述成分(B)之含量減低，可將拖尾現象之發生抑制得更低。
更詳細而言，若本發明之阻劑去除用組成物含有氟化丙烯酸共聚物，在含有成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))，進一步含有成分(C)之情況，可使前述成分(B)與成分(C)之合計含量中前述成分(B)所佔之比率降低，使成分(C)之比率上升。由於前述成分(B)與成分(C)相比，蒸發速度較為遲緩，藉由使前述成分(B)之比率降低，使成分(C)之比率上升，可加快阻劑去除用組成物之蒸發速度，變得能將拖尾現象之發生抑制得更低。
因此，若本發明之阻劑去除用組成物含有氟化丙烯酸共聚物，變得能維持對光阻劑之優良溶解力，同時能將拖尾現象之發生抑制得更低。
就氟化丙烯酸共聚物而言，例如，可列舉具有下述式(d-1)所示之至少1種重覆單元及下述式(d-2)所示之至少1種重覆單元的聚合物。
Figure 107100869-A0202-12-0019-7
(式中，Rd1表示氫原子或甲基，Rd2表示碳數1~20之烷基；L表示單鍵或連結基，Rd3表示氫原子、甲基、或氟原子；Rd4表示氟原子、或碳數1~20之烷基中的至少1個氫原子被氟原子取代的基；Rd5表示氫原子或氟原子，Rd6表示氫原子或鹵素原子)。
就前述Rd2中之碳數1~20之烷基而言，其中以乙基等碳數1~10(特佳為碳數1~5)之烷基(例如，直鏈狀或分枝鏈狀烷基)為較佳。
就將前述Rd4中之碳數1~20之烷基中氫原子的至少1個被氟原子取代之基而言，例如，以2-(十三氟己基)乙基等2-(全氟C5-15烷基)乙基為較佳。
前述Rd4除氟原子以外，可具有其他之取代基(例如，烷氧基矽烷基等)。
前述Rd6中之鹵素原子，包含氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。
就前述L中之連結基而言，例如，可列舉羰基(-CO-)、醚鍵(-O-)、酯鍵(-COO-)、碳酸酯基(-O-CO-O-)、醯胺基(-CONH-)、及此等複數個連結而成 之基等。
前述氟化丙烯酸共聚物之重量平均分子量(藉由GPC，並以標準聚苯乙烯換算)，為例如3000~10000，從對成分(B)或成分(C)之溶解性之點而言，為較佳。
前述氟化丙烯酸共聚物中，具有上述式(d-1)所示之至少1種重覆單元、及上述式(d-2)所示之至少1種重覆單元的聚合物，例如，可藉由將下述式(d-1-1)所示之至少1種單體及下述式(d-2-1)所示之至少1種單體共聚合而製造。再者，下述式中之Rd1~Rd6、及L與上述相同。
Figure 107100869-A0202-12-0020-8
Figure 107100869-A0202-12-0020-9
前述氟化丙烯酸共聚物只要為前述單體之共聚物即可，可為嵌段共聚物、接枝共聚物、無規共聚物之任一種。
就前述氟化丙烯酸共聚物而言，例如，可適當地使用商品名「Megaface R-08」(大日本油墨化學工業股份有限公司製)等市售品。
(阻劑去除用組成物)
本發明之阻劑去除用組成物，為含界面活性劑及溶劑之組成物，就前述界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)。
又，本發明之阻劑去除用組成物，就溶劑而言，以含有成分(B)及/或成分(C)為較佳，尤其，以含有成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))之外，同時含有成分(C)為較佳。
再者，本發明之阻劑去除用組成物，就界面活性劑而言，除含有上述成分(A)以外，以含有成分(D)為較佳。
成分(B)之含量，為阻劑去除用組成物全量之例如10~90重量%，可加快蒸發速度；從塗布本發明之阻劑去除用組成物時，即使離心力之作用小或無離心力之作用，仍能將拖尾現象之發生抑制至更低的觀點而言，較佳為10~70重量%，特佳為10~55重量%，最佳為10~40重量%，極佳為10~30重量%。
成分(C)之含量，為阻劑去除用組成物全量之例如5~80重量%，從塗布本發明之阻劑去除用組成物時，即使離心力之作用小或無離心力之作用，仍能將拖尾現象之發生抑制至更低的觀點而言，較佳為30~80重量%，特佳為40~80重量%，最佳為50~80重量%，極佳為60~80重量%。
成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))與成分(C)之合計含量，為阻劑去除用組成物全量之例如60重量%以上(60~99重量%)，較佳為70 ~99重量%，特佳為75~98重量%，最佳為80~97重量%。
成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))與成分(C)之含量之比(前者/後者；重量比)，為例如5/95~80/20，較佳為5/95~75/25，特佳為10/90~30/70，最佳為10/90~25/75。
成分(A)之含量，為阻劑去除用組成物全量之例如1~70重量%，較佳為1~30重量%，特佳為1~20重量%，最佳為1~10重量%，極佳為3~10重量%。
成分(A)之含量，從塗布本發明之阻劑去除用組成物時，即使離心力之作用小，或無離心力之作用，仍能能將拖尾現象之發生抑制至更低的觀點而言，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為例如1~15重量份，較佳為1~10重量份，特佳為2~8重量份。
成分(D)之含量，為阻劑去除用組成物全量之例如0.001~1重量%，較佳為0.005~0.1重量%，特佳為0.005~0.05重量%。
又，成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為例如0.001~1重量份，較佳為0.005~0.1重量份，特佳為0.005~0.05重量份。
本發明之阻劑去除用組成物，除上述成分(A)、成分(B)、成分(C)、及成分(D)以外，在無損於本發明之效果的範圍，亦可含有1種或2種以上其他成分。 例如，本發明之阻劑去除用組成物，可具有上述成分(B)、成分(C)以外之溶劑，或上述成分(A)、成分(D)以外之具有界面活性作用的化合物(例如，聚環氧乙烷系縮合物等)。
尤其，本發明之阻劑去除用組成物，在含有成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))作為溶劑之情況，同時含有沸點(常壓下)為例如160℃以下(例如130~160℃)之酮[例如，甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、環庚酮等，尤其環己酮等之環狀酮]作為其他溶劑，從能將拖尾現象之發生抑制至更低的觀點而言，為較佳。
前述酮(尤其環狀酮)之含量，為阻劑去除用組成物全量之例如20重量%以下(例如1~20重量%)，較佳為15重量%以下(例如5~15重量%)。
本發明之阻劑去除用組成物全量中之成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))及前述酮(尤其環狀酮)之合計含量，為例如10~90重量%，較佳為10~70重量%，特佳為10~55重量%，最佳為10~40重量%，極佳為10~30重量%。
本發明之阻劑去除用組成物全量中之成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))、成分(C)、及前述酮(尤其環狀酮)之合計含量，為例如80重量%以上，較佳為85重量%以上，特佳為90重量%以上。合計含量之上限，為例如99重量%，較佳為97重量%。
本發明之阻劑去除用組成物全量中之成分(B)(尤其，至少含丙二醇烷基醚脂肪酸酯之成分(B))及前述酮(尤其環狀酮)之合計含量，與成分(C)之含量之比[(前述成分(B)+前述酮)/成分(C)；重量比]，為例如5/95~80/20，較佳為5/95~75/25，特佳為10/90~30/70，最佳為10/90~25/75。
本發明之阻劑去除用組成物全量中之成分(A)、成分(B)、成分(C)、成分(D)、及前述酮(尤其環狀酮)之合計含量，為例如80重量%以上，較佳為85重量%以上，特佳為90重量%以上，最佳為95重量%。再者，合計含量之上限為100重量%。
本發明之阻劑去除用組成物，可藉由將上述成分(A)、成分(B)、成分(C)、及視需要添加之其他成分[例如，成分(D)、及前述酮(尤其環狀酮)等]混合而製備。
本發明之阻劑去除用組成物之黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)，為例如50cps以下，較佳為30cps以下，特佳為28cps以下。
就本發明之阻劑去除用組成物之使用方法而言，例如，將光阻劑使用塗布機塗布於基板後，附著於基板之邊部及背面之非必要的光阻劑，藉由塗布本發明之阻劑去除用組成物，可將前述光阻劑溶解，而去除非必要的光阻劑。再者，光阻劑包含g射線用、i射線用、KrF準分子雷射用、或ArF準分子雷射用之正型阻劑或負型阻劑。
本發明之阻劑去除用組成物之塗布量，以依 據所使用之光阻劑之種類或膜厚而適宜調節為較佳。在藉由滴入或噴射供給阻劑去除用組成物之情況，供給速度以在例如5~100mL/分鐘之範圍內為較佳。
[實施例]
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，然而本發明並不受此等實施例限定。
製備例1(聚甘油衍生物(A-1)之製備)
在反應容器中添加90重量份之甘油、及1重量份之為鹼觸媒的48重量%NaOH水溶液，在將反應容器內溫度維持100℃下，將3540重量份(相當於對1莫耳之甘油，成為19莫耳之量)之2-乙基己基縮水甘油基醚經12小時滴入其中，繼而進行1小時之熟成。然後，加入85重量%磷酸水溶液，使反應停止，得到聚甘油衍生物(A-1)。
製備例2(聚甘油衍生物(A-2)之製備)
除了使用十聚甘油(decaglycerol)代替甘油，並將2-乙基己基縮水甘油基醚之使用量變更為對於1莫耳之十聚甘油，成為10莫耳之量以外，以與製備例1同樣之方法，得到聚甘油衍生物(A-2)。
製備例3(聚甘油衍生物(A-3)之製備)
在反應容器中，添加1500重量份之聚(20)甘油、2000重量份(相對於1莫耳之聚(20)甘油，成為10莫耳之量) 之月桂酸、及1重量份之48重量%氫氧化鈉水溶液，於氮氣流下，常壓中，使反應容器內溫度上升至200℃，進行10小時反應。反應終了後，將反應容器內溫度冷卻至常溫，得到聚甘油衍生物(A-3)。
製備例4(聚甘油衍生物(A-4)之製備)
除了使用異硬脂酸代替月桂酸以外，依照與製備例3同樣之方法，得到聚甘油衍生物(A-4)。
製備例5(試驗片之製備)
使用直徑為8吋之氧化矽基板。
將該基板分別浸漬在含有過氧化氫之槽及含有硫酸之槽中各5分鐘，並洗淨，隨後用超純水洗滌。然後，將基板使用旋轉乾燥機(VERTEQ公司製品，型號SRD1800-6)乾燥。
使用旋轉塗布裝置(高麗半導體股份有限公司製，型號EBR TRACK)，將光阻劑旋轉塗布在洗淨、乾燥後之基板上。
詳細而言，將10mL之下述光阻劑，滴入靜止之基板的中央，然後，使用旋轉塗布裝置以500rpm旋轉3秒鐘，將光阻劑分散。繼而，將旋轉速度加速至約2000~4000rpm，旋轉20~30秒，以如下述之方法調整塗膜厚度，得到試驗片(=表面具有阻劑塗膜之基板)。
(光阻劑)
‧g射線正型阻劑：商品名「DTFR-2000」，Dongjin Semichem股份有限公司製，塗膜厚度1.5μm
‧g射線負型阻劑：商品名「DNR-H100PL」，塗膜厚度4μm
‧有機EL用PI：光硬化性聚醯亞胺，商品名「DL-1003」，塗膜厚度1.5μm
實施例1~15、比較例1~10
依據下述表1所記載之處方(單位：重量份)，將各成分混合，製備阻劑去除用組成物。
Figure 107100869-A0202-12-0028-10
<成分(A)>
‧A-1：使用將19莫耳之2-乙基己基縮水甘油基醚 加成聚合於1莫耳之甘油上而得者，其為重量平均分子量：3800，依照製備例1製造者
‧A-2：使用將10莫耳之2-乙基己基縮水甘油基醚加成聚合於1莫耳之十聚甘油上而得者，其為重量平均分子量：2700，依照製備例2製造者
‧A-3：使用將10莫耳之月桂酸酯鍵結於1莫耳之聚(20)甘油上而得者，其為重量平均分子量：3500，依照製備例3製造者
‧A-4：使用將10莫耳之異硬脂酸酯鍵結於1莫耳之聚(20)甘油上而得者，其為重量平均分子量：4200，依照製備例4製造者
‧PG-1：將4莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇加成聚合於1莫耳之月桂醇上而得者，重量平均分子量：480，商品名「PGLALML04」，Daicel股份有限公司製
‧PG-2：將10莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇加成聚合於1莫耳之月桂醇上而得者，重量平均分子量：927
‧PG-3：將6莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇加成聚合於1莫耳之月桂醇上而得者，重量平均分子量：630
‧PG-4：將10莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇加成聚合於1莫耳之異硬脂醇上而得者，重量平均分子量：1020
‧PG-5：將9莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇進行加成聚合於1莫耳之甘油上而得者，重量平均分子量：760，商品名「PGL 10PS」，Daicel股份有限公司製
‧PG-6：將19莫耳之2,3-環氧基-1-丙醇進行加成聚合於1莫耳之甘油上而得者，重量平均分子量：1500， 商品名「PGL 20P」，Daicel股份有限公司製
‧POA-1：將48莫耳之環氧乙烷進行加成聚合於1莫耳之乙二醇上後，加成聚合38莫耳之環氧丙烷而得者，重量平均分子量：4400
‧POA-2：將32莫耳之環氧乙烷加成聚合於1莫耳之乙二醇後，加成聚合20莫耳之環氧丙烷而得者，重量平均分子量：2600
‧POA-3：將10莫耳之環氧乙烷加成聚合於1莫耳之月桂醇上而得者，重量平均分子量：630，商品名「EMALEX 710」，日本乳液股份有限公司製
‧POA-4：將20莫耳之環氧乙烷加成聚合於1莫耳之月桂醇上而得者，重量平均分子量：1100，商品名「EMALEX 720」，日本乳液股份有限公司製
<成分(B)>
‧PGMEA：丙二醇甲基醚乙酸酯，沸點：146℃，黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)：1.1cps，表面張力：26.7dyn/cm2
‧MMPG：丙二醇單甲基醚，沸點：121℃，黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)：1.7cps，表面張力：27.7dyn/cm2
‧IPA：2-丙醇，沸點：82.4℃，黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)：2.0cps，表面張力：20.8dyn/cm2
<成分(C)>
‧n-BE：乙酸丁酯，沸點：126.1℃，閃點：23℃，黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)：0.74cps，表面張力：25dyn/cm2
<成分(D)>
‧R-08：氟化丙烯酸共聚物、商品名「Megaface R-08」，大日本油墨化學工業股份有限公司製
<其他>
‧CXN：環己酮，沸點：155.65℃，黏度(25℃，剪切速度20(1/s)時)：2.017cps，表面張力：35.2dyn/cm2
<光阻劑去除性評價>
使用製備例5所得到之試驗片，進行去除邊緣部分之非必要之光阻劑的實驗(edge bead Removing實驗：以下，有時稱為「EBR實驗」)。EBR實驗中，亦使用上述旋轉塗布器。
亦即，在使製備例5所得到之試驗片以下述表中記載之速度旋轉的狀態，通過EBR噴嘴，將實施例及比較例所得到之阻劑去除用組成物以下述表中記載之時間(7秒或10秒)噴射。各阻劑去除用組成物係由具備壓力計之加壓容器供給，此時之加壓壓力為1.0kgf，阻劑去除用組成物之流量調成10~20mL/分鐘。將結果示於下述表中。
Figure 107100869-A0202-12-0032-11
評價基準
◎：未發生拖尾現象，阻劑塗膜之端面整體均輪廓清晰
○：阻劑塗膜之端面整體之80%以上、小於100%之部分輪廓清晰
△：阻劑塗膜之端面整體之50%以上、小於80%之部分輪廓清晰
×：阻劑塗膜之端面整體中輪廓清晰的部分小於50%
如表2所示，實施例中所得到之阻劑去除用組成物，即使試驗片之旋轉速度遲緩(亦即，即使離心力之作用小的情況)，可抑制拖尾現象之發生，同時將邊緣部分之光阻劑效率良好地去除。
另一方面，比較例中所得到之阻劑去除用組成物，抑制拖尾現象之發生的效果差。尤其，在試驗片之旋轉速度遲緩的情況，無法抑制拖尾現象之發生。此係成為使半導體裝置或電子機器等之生產性降低的主要原因。
綜合以上之說明，將本發明之構成及其變異附記於以下。
[1]一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，就前述界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)
[式中，括弧內所示之重覆單元以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
Figure 107100869-A0202-12-0034-12
Figure 107100869-A0202-12-0034-13
 n表示前述重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]。
[2]如[1]記載之阻劑去除用組成物，其中就前述溶劑而言，含有下述成分(B)：成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)
(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2；t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
[3]如[2]記載之阻劑去除用組成物，其中成分(B)為選自丙醇、丙二醇、丙二醇單烷基醚、及丙二醇烷基醚脂肪酸酯之至少1種化合物。
[4]如[3]記載之阻劑去除用組成物，其中丙二醇單烷基醚為丙二醇單C1-5烷基醚，丙二醇烷基醚脂肪酸酯為丙二醇C1-5烷基醚乙酸酯。
[5]如[1]至[4]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中就前述溶劑而言，含有下述成分(C)：成分(C)：乙酸烷酯。
[6]如[5]記載之阻劑去除用組成物，其中成分(C)中之乙酸烷酯為乙酸C1-4烷酯。
[7]如[2]至[6]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(A)之含量，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為1~15重量份。
[8]如[5]至[7]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(B)與成分(C)之合計含量為阻劑去除用組成物全量之60重量%以上，且成分(B)與成分(C)之含量之比(前者/後者；重量比)為5/95~80/20。
[9]如[1]至[8]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中就界面活性劑而言，進一步含有下述成分(D)：成分(D)：氟化丙烯酸共聚物。
[10]如[9]記載之阻劑去除用組成物，其中成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)(在含有成分(C)之情況，為成分(B)與成分(C)之合計)，為0.001~1重量份。
[11]如[9]或[10]記載之阻劑去除用組成物，其中成分(D)中之氟化丙烯酸共聚物之重量平均分子量(藉由GPC，並以聚苯乙烯換算)為3000~10000。
[12]如[9]至[11]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(D)中之氟化丙烯酸共聚物，為具有下述式(d-1)所示之至少1種重覆單元及下述式(d-2)所示之至少 1種重覆單元的聚合物：
Figure 107100869-A0202-12-0036-14
(式中，Rd1表示氫原子或甲基；Rd2表示碳數1~20之烷基；L表示單鍵或連結基；Rd3表示氫原子、甲基、或氟原子；Rd4表示氟原子、或碳數1~20之烷基中的至少1個氫原子被氟原子取代之基；Rd5表示氫原子或氟原子；Rd6表示氫原子或鹵素原子)。
[13]如[1]至[12]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中Ra中之烴基包含碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、及碳數2~18之多烯基、碳數3~18之脂環式烴基、碳數6~18之芳香族烴基、及此等之2個以上連結而成之基；就前述碳數1~18之烷基而言，可列舉甲基、乙基、正丙基、2-甲基-1-丙基、正丁基、三級丁基、3,3-二甲基-2-丁基、正戊基、異戊基、三級戊基、正己基、2-乙基己基、正辛基、異辛基、正癸基、4-癸基、異癸基、十二基(正月桂基)、異十二基、正己基癸基、2-己基癸基、十四基、肉豆蔻基、異肉豆蔻基、鯨蠟基、異鯨蠟基、硬脂基、異硬脂基；就前述碳數2~18之烯基而言，可列舉乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、丙 烯基、己烯基、2-乙基己烯基、油基；就前述碳數2~18之多烯基而言，可列舉丁二烯基、戊二烯基、己二烯基、庚二烯基、辛二烯基、亞麻仁基、亞麻醯基；1,2,3-戊三烯基、四烯基；就前述碳數3~18之脂環式烴基而言，可列舉環丁基、環戊基、環己基、環辛基、環十二基、2-環庚烯基、2-環己烯基(尤其，環烷基、環烯基)；就前述碳數6~18之芳香族烴基而言，可列舉苯基、萘基；就前述基之2個以上連結而成之基而言，例如，可列舉苄基、2-苯基乙烯基、1-環戊基乙基、1-環己基乙基、環己基甲基、2-環己基乙基、1-環己基-1-甲基乙基；就前述碳數2~24之醯基而言，可列舉乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、硬脂醯基、油醯基、苯甲醯基、甲苯甲醯基、萘甲醯基等。
[14]如[1]至[13]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中式(a)中，n值為2~60之整數，n值之下限為5、10、15、或18，n值之上限為50、40、30、或25。
[15]如[1]至[14]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中前述聚甘油衍生物之重量平均分子量為200~20000、600~15000、1000~10000、1500~5000、或2000~4500。
[16]如[1]至[15]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中(n+2)個Ra中，25~95%(較佳為30~90%，特佳為40~90%)為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基，式(a)中之(n+2)個Ra中，25~95%、30~90%、40~90%為碳數1~18之烴基，及式(a)中之(n+2)個Ra中， 25~60%、30~55%、40~55%為碳數2~24之醯基。
[17]如[1]至[16]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中Rb中之烴基，包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、己基、癸基、十二基；乙烯基、烯丙基、1-丁烯基；乙炔基、丙炔基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基；苯基；苄基。
[18]如[1]至[17]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中式(b)所示之化合物包含1-丙醇、2-丙醇；二丙基醚、二異丙基醚、甲基丙基醚、甲基異丙基醚、乙基丙基醚、乙基異丙基醚、苄基異丙基醚、乙二醇異丙基醚、乙二醇丙基醚、二丙二醇單丙基醚；乙酸丙酯、乙酸異丙酯；1,2-丙二醇、1,3-丙二醇；丙二醇單甲基醚、丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚；丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇正丙基醚乙酸酯、丙二醇異丙基醚乙酸酯、丙二醇正丁基醚乙酸酯、丙二醇異丁基醚乙酸酯、及丙二醇三級丁基醚乙酸酯。
[19]如[1]至[18]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中前述乙酸烷酯，可列舉乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸三級丁酯。
[20]如[1]至[19]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(B)之含量為阻劑去除用組成物全量之10~90重量%、10~70重量%、10~55重量%、10~40重量%、或10~30重量%。
[21]如[1]至[20]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(C)之含量為阻劑去除用組成物全量之5~80重量%、30~80重量%、40~80重量%、50~80重量%、或60~80重量%。
[22]如[1]至[21]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(B)與成分(C)之合計含量為阻劑去除用組成物全量之60重量%以上、60~99重量%、70~99重量%、75~98重量%、或80~97重量%。
[23]如[1]至[22]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(B)與成分(C)之含量之比(前者/後者；重量比)為5/95~80/20、5/95~75/25、10/90~30/70、或10/90~25/75。
[24]如[1]至[23]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(A)之含量為阻劑去除用組成物全量之1~70重量%、1~30重量%、1~20重量%、1~10重量%、或3~10重量%。
[25]如[1]至[24]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(A)之含量，相對於100重量份之成分(B)或成分(B)與成分(C)之合計，為1~15重量份、1~10重量份、或2~8重量份。
[26]如[1]至[25]中任一項記載之阻劑去除用組成物，其中成分(D)之含量，為阻劑去除用組成物全量之0.001~1重量%、0.005~0.1重量%、或0.005~0.05重量%。
[27]如[1]至[26]中任一項記載之阻劑去除用組成 物，其中成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)或成分(B)與成分(C)之合計，為0.001~1重量份、0.005~0.1重量份、或0.005~0.05重量份。
[產業上之可利用性]
本發明係提供在使用光阻劑製造遮罩的步驟中，能將附著於基板之邊緣部分或背面之光阻劑效率良好地去除的組成物，該遮罩係對基板施行蝕刻處理，形成元件或電路等時所使用之遮罩。

Claims (19)

  1. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)：成分(A)：下述式(a’)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a’)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0043-1
    Figure 107100869-A0305-02-0043-2
     n表示該重覆單元之數，為10~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra之25~95%為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]。
  2. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)，就該溶劑而言，含有下述成分(C)：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0044-3
    Figure 107100869-A0305-02-0044-4
     n表示該重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]；成分(C)：乙酸烷酯。
  3. 如請求項2之阻劑去除用組成物，其中該成分(C)中之乙酸烷酯為乙酸C1-4烷酯。
  4. 如請求項1或2之阻劑去除用組成物，其中就該溶劑而言，含有下述成分(B)：成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
  5. 如請求項4之阻劑去除用組成物，其中成分(B)係選自丙醇、丙二醇、丙二醇單烷基醚、及丙二醇烷基醚脂肪酸酯中之至少1種化合物。
  6. 如請求項5之阻劑去除用組成物，其中丙二醇單烷基醚為丙二醇單C1-5烷基醚，丙二醇烷基醚脂肪酸酯為 丙二醇C1-5烷基醚乙酸酯。
  7. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)，就該溶劑而言，含有下述成分(B)：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0045-5
    Figure 107100869-A0305-02-0045-6
     n表示該重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]；成分(B)：下述式(b’)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b’)(式中，Rb表示可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示。或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
  8. 如請求項1或7之阻劑去除用組成物，其中就該溶劑而言，含有下述成分(C)： 成分(C)：乙酸烷酯。
  9. 如請求項8之阻劑去除用組成物，其中該成分(C)中之乙酸烷酯為乙酸C1-4烷酯。
  10. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)，就該溶劑而言，含有下述成分(B)，且成分(A)之含量，相對於100重量份之成分(B)，為1~15重量份：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0046-7
    Figure 107100869-A0305-02-0046-8
     n表示該重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]；成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基； s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
  11. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，至少含有下述成分(A)，就該溶劑而言，含有下述成分(B)及下述成分(C)，且成分(A)之含量，相對於100重量份之成分(B)與成分(C)之合計，為1~15重量份：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0047-9
    Figure 107100869-A0305-02-0047-10
     n表示該重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]；成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況， 方括弧內所示之基可相同，亦可相異)；成分(C)：乙酸烷酯。
  12. 如請求項11之阻劑去除用組成物，其中成分(B)與成分(C)之合計含量為阻劑去除用組成物全量之60重量%以上，且成分(B)與成分(C)之含量之比(前者/後者；重量比)為5/95~80/20。
  13. 一種阻劑去除用組成物，其為包含界面活性劑及溶劑之組成物，其中就該界面活性劑而言，含有下述成分(A)與下述成分(D)：成分(A)：下述式(a)所示之聚甘油衍生物RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra (a)[式中，括弧內所示之重覆單元，以下述式(a-1)及/或(a-2)表示
    Figure 107100869-A0305-02-0048-11
    Figure 107100869-A0305-02-0048-12
     n表示該重覆單元之數，為2~60之整數；Ra為相同或相異，表示氫原子、碳數1~18之烴基、或碳數2~24之醯基；但是，(n+2)個Ra中，至少2個為碳數1~18之烴基及/或碳數2~24之醯基]；成分(D)：氟化丙烯酸共聚物。
  14. 如請求項13之阻劑去除用組成物，其中就該溶劑而 言，含有下述成分(B)：成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)。
  15. 如請求項14之阻劑去除用組成物，其中成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)，為0.001~1重量份。
  16. 如請求項13之阻劑去除用組成物，其中就該溶劑而言，含有下述成分(B)與下述成分(C)：成分(B)：下述式(b)所示之化合物(H)2-s-(C3H6)-[O(CO)tRb]s (b)(式中，Rb表示氫原子、或可具有取代基之烴基；s表示1或2，t表示0或1；再者，在s為2之情況，方括弧內所示之基可相同，亦可相異)；成分(C)：乙酸烷酯。
  17. 如請求項16之阻劑去除用組成物，其中成分(D)之含量，相對於100重量份之成分(B)與成分(C)之合計，為0.001~1重量份。
  18. 如請求項13之阻劑去除用組成物，其中成分(D)中之氟化丙烯酸共聚物之重量平均分子量(藉由GPC，並以聚苯乙烯換算)為3000~10000。
  19. 如請求項13之阻劑去除用組成物，其中成分(D)中之氟化丙烯酸共聚物為具有下述式(d-1)所示之至少1種 重覆單元及下述式(d-2)所示之至少1種重覆單元的聚合物：
    Figure 107100869-A0305-02-0050-13
     (式中，Rd1表示氫原子或甲基；Rd2表示碳數1~20之烷基；L表示單鍵或連結基；Rd3表示氫原子、甲基、或氟原子；Rd4表示氟原子、或碳數1~20之烷基中的至少1個氫原子被氟原子取代之基；Rd5表示氫原子或氟原子；Rd6表示氫原子或鹵素原子)。
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