KR20180082967A - 레지스트 제거용 조성물 - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지 부분이나 이면에 부착된 포토레지스트를 효율적으로 제거할 수 있는 조성물을 제공한다.
[해결 수단] 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 계면 활성제와 용제를 포함하는 조성물이며, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유한다.
성분 (A): 하기 식 (a)로 표현되는 폴리글리세린 유도체
Figure pat00023

[식 중 n은 상기 반복 단위의 수를 나타내고, 2 내지 60의 정수이다. Ra는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기, 또는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다. 단, (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다]

Description

레지스트 제거용 조성물{COMPOSITION FOR REMOVING RESIST}
본 발명은 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지나 이면에 부착된 포토레지스트를 제거하는 용도로 사용하는 조성물에 관한 것이다. 본원은, 2017년 1월 11일에 일본에 출원한 일본 특허 출원 제2017-002539호의 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 장치(트랜지스터, 캐패시터, 메모리, 발광 소자, 태양 전지 등)나 전자 기기(각종 디스플레이 등)의 제조에서는, 기판 위에 소자나 회로를 형성하는 방법으로서, 하기 공정을 포함하는 포토리소그래피법이 이용된다.
[1] 기판 위에 포토레지스트를 도포하여, 레지스트 도막을 형성한다.
[2] 레지스트 도막에, 소자나 회로의 패턴을 묘화한 포토마스크를 개재시켜 광을 조사하여 회로 패턴을 베이킹한다.
[3] 현상액에 침지하여, 패턴 부분 이외의 부분의 레지스트 도막을 제거한다.
[4] 현상 후에 잔류한 레지스트 도막을 경화시켜 마스크를 형성한다.
[5] 얻어진 마스크를 이용하여, 기판을 에칭한다.
상기 [1] 공정에 있어서, 포토레지스트의 도포에는 주로 스핀 코터가 사용되는데, 스핀 코터를 사용하여 포토레지스트를 도포하면, 포토레지스트가 기판의 에지 부분에 있어서 융기되거나, 이면으로까지 주회되거나 하는 경우가 있다. 그리고, 융기 부분이나 주회 부분의 포토레지스트는, [2] 공정에 부치기 전에 제거해 두는 것이, 노광 장치의 오염이나, 노광 불량에 의한 수율의 저하를 억제하는 데 있어서 바람직하다.
포토레지스트를 제거하는 방법으로는, 포토레지스트에 대하여 높은 용해성을 갖는 용제를, 레지스트 도막 중 제거하는 것이 요망되는 부분에 분사하여 이것을 녹여, 기판 표면으로부터 제거하는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 상기 용제로서, 특허문헌 2에는 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 또는 3-에톡시프로피온산에틸을 사용하는 것이 기재되어 있다.
그러나, 상기 용제는 증발 속도가 느리기 때문에, 레지스트 도막 중 제거하면 안되는 부분에도 침투하기 쉽고, 그것에 의해 도막의 계면이 침식되어 유출되는 현상(=테일링 현상)이 발생하는 것이 문제였다. 기판을 고속 회전하면서 용제를 분사하는 경우에는 원심력의 작용에 의해 테일링 현상의 발생이 억제되는 경향이 있지만, 회전 속도가 느려, 원심력의 작용이 얻어지기 어려운 경우에 있어서 특히 문제였다.
일본 특허 공개 소63-69563호 공보 일본 특허 공개 평4-42523호 공보
따라서, 본 발명의 목적은, 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지 부분이나 이면에 부착된 포토레지스트를 효율적으로 제거할 수 있는 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지 부분이나 이면에 부착된 포토레지스트를, 테일링 현상의 발생을 억제하면서, 효율적으로 제거할 수 있는 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 하기 성분 (A)를 포함하는 조성물은, 효율적으로 포토레지스트를 제거할 수 있는 것을 알아내었다. 본 발명은 이들 지견에 기초하여 완성시킨 것이다.
즉, 본 발명은 계면 활성제와 용제를 포함하는 조성물이며, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유하는 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
성분 (A): 하기 식 (a)로 표시되는 폴리글리세린 유도체
Figure pat00001
[식 중 괄호 안에 표시되는 반복 단위는, 하기 식 (a-1) 및/또는 (a-2)
Figure pat00002
로 표시된다. n은 상기 반복 단위의 수를 나타내고, 2 내지 60의 정수이다. Ra는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기, 또는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다. 단, (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다]
본 발명은 또한, 상기 용제로서 하기 성분 (B)를 함유하는, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
성분 (B): 하기 식 (b)로 표시되는 화합물
Figure pat00003
(식 중 Rb는 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. s는 1 또는 2를 나타내고, t는 0 또는 1을 나타낸다. 또한, s가 2인 경우, 각 괄호 안에 표시되는 기는 동일해도 되고, 상이해도 된다)
본 발명은 또한, 성분 (B)가, 프로판올, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 프로필렌글리콜모노알킬에테르가 프로필렌글리콜모노 C1-5 알킬에테르이며, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르가 프로필렌글리콜 C1-5 알킬에테르아세테이트인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 용제로서 하기 성분 (C)를 함유하는, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
성분 (C): 아세트산알킬에스테르
본 발명은 또한, 성분 (C)에 있어서의 아세트산알킬에스테르가 아세트산 C1-4 알킬에스테르인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 성분 (A)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 1 내지 15중량부인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 함유량이 레지스트 제거용 조성물 전량의 60중량％ 이상이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 비(전자/후자; 중량비)가 5/95 내지 80/20인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은, 계면 활성제로서, 하기 성분 (D)를 더 포함하는, 상기 레지스트 제거용 조성물을 더 제공한다.
성분 (D): 불화아크릴 공중합체
본 발명은 또한, 성분 (D)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 0.001 내지 1중량부인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의한, 폴리스티렌 환산)이 3000 내지 10000인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체가, 하기 식 (d-1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위, 및 하기 식 (d-2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 중합체인, 상기 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
Figure pat00004
(식 중 Rd1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Rd2는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다. L은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Rd3은 수소 원자, 메틸기, 또는 불소 원자를 나타낸다. Rd4는 불소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 있어서의 수소 원자의 적어도 하나를 불소 원자로 치환한 기를 나타낸다. Rd5는 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, Rd6은 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다)
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 상기 성분 (A)를 함유하기 때문에, 포토레지스트에 대하여 높은 용해력을 갖는다. 또한, 용해한 포토레지스트가 재부착되는 것을 방지하는 효과도 갖는다. 그로 인해, 우수한 세정력을 발휘할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물이 용제로서 성분 (B)를 함유하는 경우, 성분 (B)는 증발 속도가 빠르기 때문에, 당해 조성물을 분사할 때에 원심력의 작용이 작아도, 혹은 원심력의 작용이 없어도, 레지스트 도막 중 제거하면 안되는 부분으로의 조성물의 침투를 억제할 수 있어, 테일링 현상의 발생을 억제하면서, 효율적으로 포토레지스트를 제거할 수 있다.
그리고, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물을 사용하면, 반도체 장치나 전자 기기의 제조에 있어서 수율의 저하를 억제할 수 있어, 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다.
[레지스트 제거용 조성물]
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지 부분이나 이면에 부착된 포토레지스트를 제거하는 용도로 사용하는 조성물이며, 계면 활성제와 용제를 포함하고, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유한다.
성분 (A): 식 (a)로 표시되는 폴리글리세린 유도체
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 용제로서 하기 성분 (B)를 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (B): 하기 식 (b)로 표시되는 화합물
Figure pat00005
(식 중 Rb는 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. s는 1 또는 2를 나타내고, t는 0 또는 1을 나타낸다. 또한, s가 2인 경우, 각 괄호 안에 표시되는 기는 동일해도 되고, 상이해도 된다)
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 또한, 용제로서 하기 성분 (C)를 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (C): 아세트산알킬에스테르
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 계면 활성제로서, 하기 성분 (D)를 더 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (D): 불화아크릴 공중합체
(성분 (A))
성분 (A)로서의 폴리글리세린 유도체는, 하기 식 (a)로 표시된다.
Figure pat00006
[식 중 괄호 안에 표시되는 반복 단위는, 하기 식 (a-1) 및/또는 (a-2)
Figure pat00007
로 표시된다. n은 상기 반복 단위의 수를 나타내고, 2 내지 60의 정수이다. Ra는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기, 또는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다. 단, (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다]
괄호 안에 표시되는 반복 단위가 식 (a-1)로 표시되는 반복 단위와 식 (a-2)로 표시되는 반복 단위를 모두 갖는 경우, 이들의 반복 단위의 결합 방법으로서는 특별히 제한이 없고, 예를 들어 블록 결합, 랜덤 결합, 교대 결합, 그래프트 결합 등 중 어느 것이어도 된다.
Ra에 있어서의 탄화수소기에는, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 및 탄소수 2 내지 18의 알카폴리에닐기, 탄소수 3 내지 18의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소기 및 이들 2 이상이 연결된 기가 포함된다.
상기 탄소수 1 내지 18의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 2-메틸-1-프로필, n-부틸, t-부틸, 3,3-디메틸-2-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, t-아밀, n-헥실, 2-에틸헥실, n-옥틸, 이소옥틸, n-데실, 4-데실, 이소데실, 도데실(n-라우릴), 이소도데실, n-헥실데실, 2-헥실데실, 테트라데실, 미리스틸, 이소미리스틸, 세틸, 이소세틸, 스테아릴, 이소스테아릴기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 8 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기가 바람직하다.
상기 탄소수 2 내지 18의 알케닐기로서는, 예를 들어 비닐, 알릴, 2-부테닐, 프로페닐, 헥세닐, 2-에틸헥세닐, 올레일기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기를 들 수 있다.
상기 탄소수 2 내지 18의 알카폴리에닐기로서는, 예를 들어 부타디에닐, 펜타디에닐, 헥사디에닐, 헵타디에닐, 옥타디에닐, 리놀레일, 리놀릴기 등의 알카디에닐기; 1,2,3-펜타트리에닐 등의 알카트리에닐기; 알카테트라에닐기를 들 수 있다.
상기 탄소수 3 내지 18의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들어 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 시클로도데실, 2-시클로헵테닐, 2-시클로헥세닐기 등의 포화 또는 불포화 지환식 탄화수소기(특히, 시클로알킬기, 시클로알케닐기)를 들 수 있다.
상기 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들어 페닐, 나프틸기 등을 들 수 있다.
상기 기의 2 이상이 연결된 기로서는, 예를 들어 벤질, 2-페닐에테닐, 1-시클로펜틸에틸, 1-시클로헥실에틸, 시클로헥실메틸, 2-시클로헥실에틸, 1-시클로헥실-1-메틸에틸기 등을 들 수 있다.
상기 탄소수 2 내지 24의 아실기로서는, 지방족 아실기 및 방향족 아실기를 들 수 있고, 지방족 아실기로서는, 예를 들어 아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 이소부티릴, 스테아로일, 올레오일기 등의 포화 또는 불포화 지방족 아실기를 들 수 있다. 방향족 아실기로서는, 예를 들어 벤조일, 톨루오일, 나프토일기 등을 들 수 있다.
Ra로서는, 그 중에서도, 수소 원자, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기(그 중에서도 탄소수 8 내지 18의 분지쇄상 알킬기, 특히 탄소수 8 내지 15의 분지쇄상 알킬기), 또는 지방족 아실기(특히, 탄소수 10 내지 18의 포화 지방족 아실기)가 바람직하다.
식 (a) 중 n은 상기 괄호 안에 표시되는 반복 단위의 수(중합도)를 나타낸다. n의 값은 2 내지 60의 정수이며, n의 값의 하한은, 바람직하게는 5, 보다 바람직하게는 10, 특히 바람직하게는 15, 가장 바람직하게는 18이다. n의 값의 상한은, 바람직하게는 50, 특히 바람직하게는 40, 가장 바람직하게는 30, 특히 바람직하게는 25이다. n의 값이 상기 범위인 폴리글리세린 유도체는, 성분 (B) 및 성분 (C)에 대한 용해성이 우수하고, 당해 폴리글리세린 유도체를 함유하는 레지스트 제거용 조성물은, 포토레지스트에 대하여 친화되기 쉬워, 우수한 용해력을 발휘할 수 있다. 한편, n의 값이 상기 범위를 벗어나는 폴리글리세린 유도체는, 친수성 혹은 친유성이 너무 낮아짐으로써, 성분 (B) 및 성분 (C)에 대하여 용해하기 어려워지기 때문에, 당해 폴리글리세린 유도체를 함유하는 레지스트 제거용 조성물은, 포토레지스트에 대한 용해력이 저하되는 경향이 있다.
상기 폴리글리세린 유도체의 중량 평균 분자량은, 예를 들어 200 내지 20000, 바람직하게는 600 내지 15000, 보다 바람직하게는 1000 내지 10000, 특히 바람직하게는 1500 내지 5000, 가장 바람직하게는 2000 내지 4500이다. 상기 범위의 중량 평균 분자량을 갖는 폴리글리세린 유도체는, 계면 활성 작용이 특히 우수하고, 포토레지스트에 대한 용해력이 한층 더 향상되는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 본 명세서 중의 중량 평균 분자량은, 겔·투과·크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 분자량이다.
상기 폴리글리세린 유도체는, 상기 식 (a)로 표시되고, 식 (a) 중의 (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다.
본 발명에 있어서는, 그 중에서도, (n+2)개의 Ra 중 예를 들어 25 내지 95％(바람직하게는 30 내지 90％, 특히 바람직하게는 40 내지 90％)가, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기인 화합물이 바람직하고, 특히, 식 (a) 중의 (n+2)개의 Ra 중 25 내지 95％(바람직하게는 30 내지 90％, 특히 바람직하게는 40 내지 90％)가 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기인 화합물 및 식 (a) 중의 (n+2)개의 Ra 중 25 내지 60％(바람직하게는 30 내지 55％, 특히 바람직하게는 40 내지 55％)가 탄소수 2 내지 24의 아실기인 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 바람직하다.
상기 폴리글리세린 유도체는 다양한 방법을 사용하여 제조할 수 있다. 폴리글리세린 유도체의 제조 방법을 하기에 예시하는데, 상기 폴리글리세린 유도체는 하기 방법에 의해 제조된 것에 한정되지 않는다.
(1) 글리세린 또는 폴리글리세린에 글리시딜에테르 유도체(예를 들어, 하기 식으로 표시되는 화합물: Ra는 상기에 동일)를 부가하는 방법
Figure pat00008
(2) 폴리글리세린에, 알킬할라이드(예를 들어, Ra1X: X는 할로겐 원자를 나타낸다. Ra1은 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기를 나타낸다), 카르복실산(예를 들어, Ra2OH: Ra2는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다), 또는 그의 유도체(예를 들어, 카르복실산 할라이드, 산 무수물 등)를 축합시키는 방법
상기 방법 (1)에 있어서, 부가 반응은 알칼리 촉매의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다. 알칼리 촉매로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 금속 나트륨, 수소화나트륨 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 방법 (1) 및 (2)에 있어서의 폴리글리세린으로서는, 예를 들어 상품명 「PGL 03P」(폴리(3) 글리세린), 「PGL 06」(폴리(6) 글리세린), 「PGL 10PSW」(폴리(10) 글리세린), 「PGL 20PW」(폴리(20) 글리세린), 「PGL XPW」(폴리(40) 글리세린)(이상, (주) 다이셀제) 등의 시판품을 적합하게 사용할 수 있다.
상기 폴리글리세린 유도체는 계면 활성 작용을 갖는 화합물이다. 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 당해 폴리글리세린 유도체를 함유하고, 이것이 포토레지스트의 계면 장력을 저하시키는 작용을 발휘하기 때문에, 포토레지스트에 대하여 친화되기 쉬워, 포토레지스트에 대하여 우수한 용해력을 발휘할 수 있으며, 또한 용해된 레지스트의 재부착을 방지하는 효과를 갖기 때문에, 포토레지스트를 효율적으로 제거할 수 있다.
(성분 (B))
성분 (B)는, 하기 식 (b)로 표시되는 화합물이다. 당해 화합물은, 포토레지스트에 대한 용해력이 우수하다. 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 성분 (B)를 1종 또는 2종 이상 함유하는 것이, 포토레지스트에 대하여 특히 우수한 용해력을 발휘할 수 있는 점에서 바람직하다.
Figure pat00009
(식 중 Rb는 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. s는 1 또는 2를 나타내고, t는 0 또는 1을 나타낸다. 또한, s가 2인 경우, 각 괄호 안에 표시되는 기는 동일해도 되고, 상이해도 된다)
Rb에 있어서의 탄화수소기에는, 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 및 이들 2 이상이 결합한 기가 포함된다.
상기 지방족 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기가 바람직한데, 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 데실, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 20(바람직하게는 1 내지 10, 특히 바람직하게는 1 내지 3) 정도의 알킬기; 비닐, 알릴, 1-부테닐기 등의 탄소수 2 내지 20(바람직하게는 2 내지 10, 특히 바람직하게는 2 내지 3) 정도의 알케닐기; 에티닐, 프로피닐기 등의 탄소수 2 내지 20(바람직하게는 2 내지 10, 특히 바람직하게는 2 내지 3) 정도의 알키닐기 등을 들 수 있다.
상기 지환식 탄화수소기로서는, 3 내지 20원의 지환식 탄화수소기가 바람직한데, 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸기 등의 3 내지 20원(바람직하게는 3 내지 15원, 특히 바람직하게는 5 내지 8원)의 시클로알킬기 등을 들 수 있다.
상기 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들어 페닐기 등의 탄소수 6 내지 14의 아릴기 등을 들 수 있다.
상기 기의 2 이상이 연결된 기로서는, 예를 들어 벤질기 등의 탄소수 7 내지 15의 아르알킬기 등을 들 수 있다.
상기 탄화수소기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 예를 들어 히드록실기, 치환 옥시기(예를 들어, C1-10 알콕시기, C6-14 아릴옥시기, C7-15 아르알킬옥시기, C1-10 아실옥시기 등) 등을 들 수 있다.
Rb에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기(예를 들어, 직쇄상 또는 분지쇄상 알킬기)가 바람직하고, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다.
상기 식 (b) 중의 괄호 안에 표시되는 (C3H6)은, 트리메틸렌기(-CH2CH2CH2-) 및 프로필렌기(-CH(CH3)CH2-) 중 무엇이든 된다.
상기 식 (b)로 표시되는 화합물에는, 프로판올, 프로판올의 에테르체, 프로판올의 에스테르체, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노 지방산 에스테르, 프로필렌글리콜디 지방산 에스테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르가 포함된다.
상기 프로판올로서는, 예를 들어 1-프로판올, 2-프로판올 등을 들 수 있다.
상기 프로판올의 에테르체로서는, 예를 들어 디프로필에테르, 디이소프로필에테르, 메틸프로필에테르, 메틸이소프로필에테르, 에틸프로필에테르, 에틸이소프로필에테르, 벤질이소프로필에테르, 에틸렌글리콜이소프로필에테르, 에틸렌글리콜프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등을 들 수 있다.
상기 프로판올의 에스테르체로서는, 예를 들어 아세트산프로필, 아세트산이소프로필 등을 들 수 있다.
상기 프로필렌글리콜로서는, 예를 들어 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜 등을 들 수 있다.
상기 식 (b)로 표시되는 화합물로서는, 그 중에서도, 프로판올, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 바람직하고, 특히, 포토레지스트에 대한 용해력이 특히 우수한 점에서, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 함유하는 것이 바람직하다.
상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노 C1-5 알킬에테르가 바람직하다.
상기 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르로서는, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜이소프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜이소부틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜 t-부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜 C1-5 알킬에테르아세테이트(=프로필렌글리콜 C1-5 알킬에테르아세트산에스테르)가 바람직하다.
성분 (B)의 비점(상압 하에서의)은, 예를 들어 250℃ 이하(예를 들어 120 내지 250℃)인 것이, 테일링 현상의 발생을 억제하는 효과가 얻어지는 점에서 바람직하고, 특히 바람직하게는 200℃ 이하, 가장 바람직하게는 160℃ 이하이다.
성분 (B)의 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의)는, 예를 들어 50cps 이하(예를 들어 0.1 내지 50cps), 바람직하게는 30cps 이하, 특히 바람직하게는 10cps 이하, 가장 바람직하게는 5cps 이하이다. 점도가 상기 범위이면, 도포성이 우수하다. 또한, 점도는, 레오미터(상품명 「Physica MCR301」, Anton Paar사제)를 사용하여 측정할 수 있다.
성분 (B)의 표면 장력(20℃에 있어서의)은, 예를 들어 50dyn/㎠ 이하(예를 들어 10 내지 50dyn/㎠), 바람직하게는 30dyn/㎠ 이하, 특히 바람직하게는 28dyn/㎠ 이하이다. 표면 장력이 상기 범위이면, 포토레지스트에 친화되기 쉬워, 포토레지스트를 빠르게 용해하여 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 표면 장력의 측정은, Wilhelmy법에 의한다.
(성분 (C))
성분 (C)로서의 아세트산알킬에스테르는, 상기 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 비교하여, 포토레지스트에 대한 용해성의 관점에서는 약간 떨어지지만, 증발 속도가 빠르다. 그로 인해, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물로서는, 용제로서 성분 (C)를 함유하는 것이 바람직하고, 특히, 상기 성분 (B)와 성분 (C)를 조합하여 사용하는 것이, 포토레지스트에 대하여 우수한 용해력을 발휘할 수 있으며, 또한 테일링 현상의 발생을 한층 낮게 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 아세트산알킬에스테르는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아세트산알킬에스테르는, 예를 들어 하기 식 (c)로 표시된다.
Figure pat00010
식 (c) 중 Rc1은 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20의 알킬기(예를 들어, 직쇄상 또는 분지쇄상 알킬기), 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. 즉, 아세트산알킬에스테르로서는, 아세트산 C1 -4 알킬에스테르가 바람직하다.
상기 아세트산알킬에스테르가 바람직한 예로서는, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산 t-부틸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸 및 아세트산 t-부틸로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이, 점도가 비교적 낮고, 증발 속도가 빠른 점에서 바람직하다.
상기 아세트산알킬에스테르의 비점(상압 하에서의)은, 예를 들어 250℃ 이하(예를 들어 110 내지 250℃)인 것이, 테일링 현상의 발생을 억제하는 효과가 우수한 점에서 바람직하고, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 160℃ 이하, 특히 바람직하게는 145℃ 이하, 가장 바람직하게는 140℃ 이하, 특히 바람직하게는 135℃ 이하이다.
상기 아세트산알킬에스테르의 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의)는, 예를 들어 50cps 이하(예를 들어, 0.01 내지 50cps), 바람직하게는 30cps 이하, 보다 바람직하게는 10cps 이하, 특히 바람직하게는 5cps 이하, 가장 바람직하게는 1cps 이하, 특히 바람직하게는 0.5cps 이하이다. 점도가 상기 범위이면, 도포성이 우수하다.
상기 아세트산알킬에스테르의 인화점(클로즈드 컵법에 의한)은, 예를 들어 5℃ 이상, 바람직하게는 10℃ 이상, 특히 바람직하게는 15℃ 이상, 특히 바람직하게는 20℃ 이상이다. 인화점이 상기 범위를 하회하면, 안전성에 문제가 있기 때문에 바람직하지 않다.
상기 아세트산알킬에스테르의 표면 장력(20℃에 있어서의)은, 예를 들어 50dyn/㎠ 이하(예를 들어 10 내지 50dyn/㎠), 바람직하게는 30dyn/㎠ 이하, 특히 바람직하게는 28dyn/㎠ 이하이다. 표면 장력이 상기 범위이면, 포토레지스트에 친화되기 쉬워, 포토레지스트를 빠르게 용해하여 제거하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서는, 특히, 아세트산부틸(비점: 126.1℃, 인화점: 23℃, 점도: 0.74cps, 표면 장력: 25dyn/㎠)을 사용하는 것이 바람직하다. 아세트산부틸은 표면 장력이 낮고, 포토레지스트에 대하여 우수한 용해력을 갖기 때문에, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물에 소량을 함유시킴으로써, 포토레지스트 제거 효과를 비약적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 증발 속도가 빠르기 때문에, 테일링 현상의 발생을 억제하는 효과도 갖는다. 또한, 아세트산부틸은 저독성이며(마우스 경구 투여에 의한 50％ 치사량(LD50): 7.0g/㎏), 또한 가수분해되기 쉬워, 환경에 대한 부하가 낮다.
(성분 (D))
성분 (D)로서의 불화아크릴 공중합체는, 계면 활성 작용을 갖는 화합물이다. 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 불화아크릴 공중합체를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 계면 활성제로서, 상기 성분 (A)와 함께 불화아크릴 공중합체를 함유하면, 포토레지스트의 계면 장력을 더욱 저하시킬 수 있어, 포토레지스트에 대한 친화 용이함을 한층 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))의 함유량을 저감시켜도, 포토레지스트에 대한 우수한 용해력을 유지할 수 있게 되어, 상기 성분 (B)의 함유량을 저감시킴으로써, 테일링 현상의 발생을 보다 한층 낮게 억제할 수 있다.
더욱 상세하게는, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물이 불화아크릴 공중합체를 함유하면, 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))를 함유하고, 또한 성분 (C)를 함유하는 경우에 있어서, 상기 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 함유량에서 차지하는 상기 성분 (B)의 비율을 저하시키고, 성분 (C)의 비율을 상승시킬 수 있다. 상기 성분 (B)는 성분 (C)에 비교하면 증발 속도가 느리기 때문에, 상기 성분 (B)의 비율을 저하시키고, 성분 (C)의 비율을 상승시킴으로써, 레지스트 제거용 조성물의 증발 속도를 빠르게 할 수 있어, 테일링 현상의 발생을 보다 한층 낮게 억제하는 것이 가능해진다.
따라서, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물이 불화아크릴 공중합체를 함유하면, 포토레지스트에 대한 우수한 용해력을 유지하면서, 테일링 현상의 발생을 보다 한층 낮게 억제하는 것이 가능해진다.
불화아크릴 공중합체로서는, 예를 들어 하기 식 (d-1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위, 및 하기 식 (d-2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 중합체를 들 수 있다.
Figure pat00011
(식 중 Rd1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Rd2는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다. L은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Rd3은 수소 원자, 메틸기, 또는 불소 원자를 나타낸다. Rd4는 불소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 있어서의 수소 원자의 적어도 하나를 불소 원자로 치환한 기를 나타낸다. Rd5는 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, Rd6은 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다)
상기 Rd2에 있어서의 탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 그 중에서도 에틸기 등의 탄소수 1 내지 10(특히 바람직하게는, 탄소수 1 내지 5)의 알킬기(예를 들어, 직쇄상 또는 분지쇄상 알킬기)가 바람직하다.
상기 Rd4에 있어서의 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 있어서의 수소 원자의 적어도 하나를 불소 원자로 치환한 기로서는, 예를 들어 2-(트리데카플루오로헥실)에틸기 등의, 2-(퍼플루오로 C5-15 알킬)에틸기가 바람직하다.
상기 Rd4는 불소 원자 이외에도 다른 치환기(예를 들어, 알콕시실릴기 등)를 갖고 있어도 된다.
상기 Rd6에 있어서의 할로겐 원자에는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자가 포함된다.
상기 L에 있어서의 연결기로서는, 예를 들어 카르보닐기(-CO-), 에테르 결합(-O-), 에스테르 결합(-COO-), 카르보네이트기(-O-CO-O-), 아미드기(-CONH-) 및 이들이 복수개 연결된 기 등을 들 수 있다.
상기 불화아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의한, 표준 폴리스티렌 환산)은, 예를 들어 3000 내지 10000인 것이, 성분 (B)나 성분 (C)에 대한 용해성의 관점에서 바람직하다.
상기 불화아크릴 공중합체 중 상기 식 (d-1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위, 및 상기 식 (d-2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 중합체는, 예를 들어 하기 식 (d-1-1)로 표시되는 적어도 1종의 단량체와 하기 식 (d-2-1)로 표시되는 적어도 1종의 단량체를 공중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 하기 식 중의 Rd1 내지 Rd6 및 L은 상기에 동일하다.
Figure pat00012
상기 불화아크릴 공중합체는 상기 단량체의 공중합체이면 되고, 블록 공중합체, 그래프트 공중합체, 랜덤 공중합체 중 무엇이든 된다.
상기 불화아크릴 공중합체로서는, 예를 들어 상품명 「메가페이스 R-08」(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제) 등의 시판품을 적합하게 사용할 수 있다.
(레지스트 제거용 조성물)
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 계면 활성제와 용제를 포함하는 조성물이며, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유한다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 용제로서 성분 (B) 및/또는 성분 (C)를 함유하는 것이 바람직하고, 특히 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 함께, 성분 (C)를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 계면 활성제로서 상기 성분 (A) 이외에도, 성분 (D)를 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (B)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 10 내지 90중량％이며, 증발 속도를 빠르게 할 수 있고, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물을 도포할 때에 원심력의 작용이 작아도, 혹은 원심력의 작용이 없어도, 테일링 현상의 발생을 보다 낮게 억제할 수 있는 점에서, 바람직하게는 10 내지 70중량％, 특히 바람직하게는 10 내지 55중량％, 가장 바람직하게는 10 내지 40중량％, 특히 바람직하게는 10 내지 30중량％이다.
성분 (C)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 5 내지 80중량％이며, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물을 도포할 때에 원심력의 작용이 작아도, 혹은 원심력의 작용이 없어도, 테일링 현상의 발생을 보다 낮게 억제할 수 있는 점에서, 바람직하게는 30 내지 80중량％, 특히 바람직하게는 40 내지 80중량％, 가장 바람직하게는 50 내지 80중량％, 특히 바람직하게는 60 내지 80중량％이다.
성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 성분 (C)의 합계 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 60중량％ 이상(60 내지 99중량％), 바람직하게는 70 내지 99중량％, 특히 바람직하게는 75 내지 98중량％, 가장 바람직하게는 80 내지 97중량％이다.
성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 성분 (C)의 함유량의 비(전자/후자; 중량비)는, 예를 들어 5/95 내지 80/20, 바람직하게는 5/95 내지 75/25, 특히 바람직하게는 10/90 내지 30/70, 가장 바람직하게는 10/90 내지 25/75이다.
성분 (A)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 1 내지 70중량％이며, 바람직하게는 1 내지 30중량％, 특히 바람직하게는 1 내지 20중량％, 가장 바람직하게는 1 내지 10중량％, 특히 바람직하게는 3 내지 10중량％이다.
성분 (A)의 함유량은, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물을 도포할 때에 원심력의 작용이 작아도, 혹은 원심력의 작용이 없어도, 테일링 현상의 발생을 보다 낮게 억제할 수 있는 점에서, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 예를 들어 1 내지 15중량부, 바람직하게는 1 내지 10중량부, 특히 바람직하게는 2 내지 8중량부이다.
성분 (D)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 0.001 내지 1중량％이며, 바람직하게는 0.005 내지 0.1중량％, 특히 바람직하게는 0.005 내지 0.05중량％이다.
또한, 성분 (D)의 함유량은, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 예를 들어 0.001 내지 1중량부, 바람직하게는 0.005 내지 0.1중량부, 특히 바람직하게는 0.005 내지 0.05중량부이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 상기 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C) 및 성분 (D) 이외에도, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 성분을 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은, 상기 성분 (B), 성분 (C) 이외의 용제나, 상기 성분 (A), 성분 (D) 이외의 계면 활성 작용을 갖는 화합물(예를 들어, 폴리에틸렌옥시드계 축합물 등)을 가질 수 있다.
특히 본 발명의 레지스트 제거용 조성물이, 용제로서 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))를 함유하는 경우, 다른 용제로서, 비점(상압 하에 있어서)이, 예를 들어 160℃ 이하(예를 들어 130 내지 160℃)인 케톤[예를 들어, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논 등, 특히 시클로헥사논 등의 환상 케톤]을 모두 함유하는 것이, 테일링 현상의 발생을 보다 한층 낮게 억제할 수 있는 점에서 바람직하다.
상기 케톤(특히 환상 케톤)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 예를 들어 20중량％ 이하(예를 들어 1 내지 20중량％)이며, 바람직하게는 15중량％ 이하(예를 들어 5 내지 15중량％)이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물 전량에 있어서의, 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 상기 케톤(특히 환상 케톤)의 합계 함유량은, 예를 들어 10 내지 90중량％, 바람직하게는 10 내지 70중량％, 특히 바람직하게는 10 내지 55중량％, 가장 바람직하게는 10 내지 40중량％, 특히 바람직하게는 10 내지 30중량％이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물 전량에 있어서의, 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B)), 성분 (C) 및 상기 케톤(특히 환상 케톤)의 합계 함유량은, 예를 들어 80중량％ 이상, 바람직하게는 85중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상이다. 합계 함유량의 상한은, 예를 들어 99중량％, 바람직하게는 97중량％이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물 전량에 있어서의, 성분 (B)(특히, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르를 적어도 포함하는 성분 (B))와 상기 케톤(특히 환상 케톤)의 합계 함유량과, 성분 (C)의 함유량의 비[(상기 성분 (B)+상기 케톤)/성분 (C); 중량비]는, 예를 들어 5/95 내지 80/20, 바람직하게는 5/95 내지 75/25, 특히 바람직하게는 10/90 내지 30/70, 가장 바람직하게는 10/90 내지 25/75이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물 전량에 있어서의, 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 성분 (D) 및 상기 케톤(특히 환상 케톤)의 합계 함유량은, 예를 들어 80중량％ 이상, 바람직하게는 85중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상, 특히 바람직하게는 95중량％이다. 또한, 합계 함유량의 상한은 100중량％이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 상기 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C) 및 필요에 따라 다른 성분[예를 들어, 성분 (D) 및 상기 케톤(특히 환상 케톤) 등]을 혼합함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물의 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의)는, 예를 들어 50cps 이하, 바람직하게 30cps 이하, 특히 바람직하게는 28cps 이하이다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물의 사용 방법으로서는, 예를 들어 포토레지스트를 도포기를 사용하여 기판에 도포한 후, 기판의 단부나 배면에 부착된 불필요한 포토레지스트에, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물을 도포하여 상기 포토레지스트를 녹임으로써, 불필요한 포토레지스트를 제거할 수 있다. 또한, 포토레지스트에는, g선용, i선용, KrF 엑시머 레이저용, 또는 ArF 엑시머 레이저용의 포지티브형 레지스트나 네거티브형 레지스트가 포함된다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물의 도포량은 사용하는 포토레지스트의 종류나, 막 두께에 따라 적절히 조절하는 것이 바람직하다. 적하 혹은 분사에 의해 레지스트 제거용 조성물을 공급하는 경우, 공급 속도는 예를 들어 5 내지 100mL/분의 범위 내가 바람직하다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
제조예 1(폴리글리세린 유도체 (A-1)의 제조)
반응 용기에 글리세린 90중량부 및 알칼리 촉매로서 48중량％ NaOH 수용액 1중량부를 투입하고, 거기에 2-에틸헥실글리시딜에테르 3540중량부(글리세린 1㏖에 대하여 19㏖이 되는 양)를, 반응 용기 내 온도를 100℃로 유지하면서, 12시간에 걸쳐 적하하고, 그 후, 1시간의 숙성을 행했다. 그 후, 85중량％인산 수용액을 첨가하여 반응을 정지하여, 폴리글리세린 유도체 (A-1)을 얻었다.
제조예 2(폴리글리세린 유도체 (A-2)의 제조)
글리세린 대신에 데카글리세린을 사용하고, 2-에틸헥실글리시딜에테르의 사용량을 데카글리세린 1㏖에 대하여 10㏖이 되는 양으로 변경한 것 이외는 제조예 1과 마찬가지로 하여, 폴리글리세린 유도체 (A-2)를 얻었다.
제조예 3(폴리글리세린 유도체 (A-3)의 제조)
반응 용기에 폴리(20) 글리세린 1500중량부, 라우르산 2000중량부(폴리(20) 글리세린 1㏖에 대하여 10㏖이 되는 양) 및 48중량％ 수산화나트륨 수용액 1중량부를 투입하고, 질소 기류 하에서, 상압에서, 반응 용기 내 온도를 200℃에 상승시키고, 10시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용기 내 온도가 상온이 될 때까지 냉각하여, 폴리글리세린 유도체 (A-3)을 얻었다.
제조예 4(폴리글리세린 유도체 (A-4)의 제조)
라우르산 대신에 이소스테아르산을 사용한 것 이외는 제조예 3과 마찬가지로 하여, 폴리글리세린 유도체 (A-4)를 얻었다.
제조예 5(시험편의 제조)
직경이 8인치인 산화규소 기판을 사용했다.
당해 기판을, 과산화수소를 함유하는 조와 황산을 함유하는 조에 각각 5분간씩 침지하여 세정하고, 그 후, 초순수로 헹궜다. 그 후, 기판을 회전 건조기(VERTEQ사 제품, 모델 SRD1800-6)를 사용하여 건조시켰다.
세정, 건조 후의 기판 위에, 회전 도포 장치(고려 반도체(주)제, 모델 EBR TRACK)를 사용하여 포토레지스트를 스핀 코팅했다.
상세하게는, 하기 포토레지스트 10mL을, 정지한 기판의 중앙에 적하하고, 그 후, 회전 도포 장치를 사용하여 500rpm으로 3초간 회전시켜 포토레지스트를 분산했다. 이어서, 회전 속도를 약 2000 내지 4000rpm 정도로 가속하여, 20 내지 30초간 회전시켜, 도막 두께를 하기 대로 조정하여 시험편(=표면에 레지스트 도막을 갖는 기판)을 얻었다.
(포토레지스트)
·g선 포지티브형 레지스트: 상품명 「DTFR-2000」, 도신 세미켐(주)제, 도막 두께 1.5㎛
·g선 네거티브형 레지스트: 상품명 「DNR-H100PL」, 도막 두께 4㎛
·유기 EL용 PI: 광 경화성 폴리이미드, 상품명 「DL-1003」, 도막 두께 1.5㎛
실시예 1 내지 15, 비교예 1 내지 10
하기 표 1에 기재된 처방(단위: 중량부)에 따라 각 성분을 혼합하여, 레지스트 제거용 조성물을 제조했다.
Figure pat00013
<성분 (A)>
·A-1: 글리세린 1㏖에 2-에틸헥실글리시딜에테르를 19㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 3800, 제조예 1에 의해 제조한 것을 사용했다
·A-2: 데카글리세린 1㏖에 2-에틸헥실글리시딜에테르를 10㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 2700, 제조예 2에 의해 제조한 것을 사용했다
·A-3: 폴리(20) 글리세린 1㏖에 라우르산 10몰이 에스테르 결합한 것, 중량 평균 분자량: 3500, 제조예 3에 의해 제조한 것을 사용했다
·A-4: 폴리(20) 글리세린 1㏖에 이소스테아르산 10몰이 에스테르 결합한 것, 중량 평균 분자량: 4200, 제조예 4에 의해 제조한 것을 사용했다
·PG-1: 라우릴알코올 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 4㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 480, 상품명 「PGLAL ML04」, (주) 다이셀제
·PG-2: 라우릴알코올 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 10㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 927
·PG-3: 라우릴알코올 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 6㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 630
·PG-4: 이소스테아릴알코올 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 10㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 1020
·PG-5: 글리세린 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 9㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 760, 상품명 「PGL 10PS」, (주) 다이셀제
·PG-6: 글리세린 1㏖에 2,3-에폭시-1-프로판올을 19㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 1500, 상품명 「PGL 20P」, (주) 다이셀제
·POA-1: 에틸렌글리콜 1㏖에 에틸렌옥시드를 48㏖ 부가 중합한 후, 프로필렌옥시드를 38㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 4400
·POA-2: 에틸렌글리콜 1㏖에 에틸렌옥시드를 32㏖ 부가 중합한 후, 프로필렌옥시드를 20㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 2600
·POA-3: 라우릴알코올 1㏖에 에틸렌옥시드를 10㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 630, 상품명 「EMALEX 710」, 니혼 에멀젼(주)제
·POA-4: 라우릴알코올 1㏖에 에틸렌옥시드를 20㏖ 부가 중합한 것, 중량 평균 분자량: 1100, 상품명 「EMALEX 720」, 니혼 에멀젼(주)제
<성분 (B)>
·PGMEA: 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 비점: 146℃, 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의): 1.1cps, 표면 장력: 26.7dyn/㎠
·MMPG: 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 비점: 121℃, 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의): 1.7cps, 표면 장력: 27.7dyn/㎠
·IPA: 2-프로판올, 비점: 82.4℃, 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의): 2.0cps, 표면 장력: 20.8dyn/㎠
<성분 (C)>
·n-BE: 아세트산부틸, 비점: 126.1℃, 인화점: 23℃, 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의): 0.74cps, 표면 장력: 25dyn/㎠
<성분 (D)>
·R-08: 불화아크릴 공중합체, 상품명 「메가페이스 R-08」, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제
<기타>
·CXN: 시클로헥사논, 비점: 155.65℃, 점도(25℃, 전단 속도 20(1/s)에 있어서의): 2.017cps, 표면 장력: 35.2dyn/㎠
<포토레지스트 제거성 평가>
제조예 5에서 얻어진 시험편을 사용하여, 에지 부분이 불필요한 포토레지스트를 제거하는 실험(edge bead Removing 실험: 이하, 「EBR 실험」이라고 칭하는 경우가 있다)을 행했다. EBR 실험에도, 상기 회전 도포기를 사용했다.
즉, 제조예 5에서 얻어진 시험편을 하기 표에 기재된 속도로 회전시킨 상태에서, EBR 노즐을 통하여, 실시예 및 비교예에서 얻어진 레지스트 제거용 조성물을 하기 표에 기재된 시간(7초 혹은 10초간) 분사했다. 각 레지스트 제거용 조성물은 압력계가 장비된 가압 용기로부터 공급되고, 이때의 가압 압력은 1.0㎏f이며, 레지스트 제거용 조성물의 유량은 10 내지 20mL/min으로 했다. 결과를 하기 표에 나타낸다.
Figure pat00014
평가 기준
◎: 테일링 현상이 발생하지 않아, 레지스트 도막의 단부면 전체가 샤프했다
○: 레지스트 도막의 단부면 전체의 80％ 이상 100％ 미만의 부분이 샤프했다
△: 레지스트 도막의 단부면 전체의 50％ 이상 80％ 미만의 부분이 샤프했다
×: 레지스트 도막의 단부면 전체 중 샤프한 부분은 50％ 미만이었다
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예에서 얻어진 레지스트 제거용 조성물은, 시험편의 회전 속도가 느려도(즉, 원심력의 작용이 작은 경우에서도), 테일링 현상의 발생을 억제하면서, 에지 부분의 포토레지스트를 효율적으로 제거할 수 있었다.
한편, 비교예에서 얻어진 레지스트 제거용 조성물은, 테일링 현상의 발생을 억제하는 효과가 떨어졌다. 특히, 시험편의 회전 속도가 느린 경우에, 테일링 현상의 발생을 억제할 수 없었다. 이것은, 반도체 장치나 전자 기기 등의 생산성을 저하시키는 요인이 된다.
이상의 마무리로서, 본 발명의 구성 및 그의 베리에이션을 이하에 부기해 둔다.
[1] 계면 활성제와 용제를 포함하는 조성물이며, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유하는 레지스트 제거용 조성물.
성분 (A): 하기 식 (a)로 표시되는 폴리글리세린 유도체
Figure pat00015
[식 중 괄호 안에 표시되는 반복 단위는, 하기 식 (a-1) 및/또는 (a-2)
Figure pat00016
로 표시된다. n은 상기 반복 단위의 수를 나타내고, 2 내지 60의 정수이다. Ra는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기, 또는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다. 단, (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다]
[2] 상기 용제로서 하기 성분 (B)를 함유하는, [1]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
성분 (B): 하기 식 (b)로 표시되는 화합물
Figure pat00017
(식 중 Rb는 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. s는 1 또는 2를 나타내고, t는 0 또는 1을 나타낸다. 또한, s가 2인 경우, 각 괄호 안에 표시되는 기는 동일해도 되고, 상이해도 된다)
[3] 성분 (B)가 프로판올, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인, [2]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[4] 프로필렌글리콜모노알킬에테르가 프로필렌글리콜모노 C1-5 알킬에테르이며, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르가 프로필렌글리콜 C1-5 알킬에테르아세테이트인, [3]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[5] 상기 용제로서 하기 성분 (C)를 함유하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
성분 (C): 아세트산알킬에스테르
[6] 성분 (C)에 있어서의 아세트산알킬에스테르가 아세트산 C1-4 알킬에스테르인, [5]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[7] 성분 (A)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우에는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 1 내지 15중량부인, [2] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[8] 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 함유량이 레지스트 제거용 조성물 전량의 60중량％ 이상이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 비(전자/후자; 중량비)가 5/95 내지 80/20인, [5] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[9] 계면 활성제로서, 하기 성분 (D)를 더 포함하는, [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
성분 (D): 불화아크릴 공중합체
[10] 성분 (D)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우에는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 0.001 내지 1중량부인, [9]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[11] 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의한, 폴리스티렌 환산)이 3000 내지 10000인, [9] 또는 [10]에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[12] 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체가, 하기 식 (d-1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위, 및 하기 식 (d-2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 중합체인, [9] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
Figure pat00018
(식 중 Rd1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Rd2는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다. L은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Rd3은 수소 원자, 메틸기, 또는 불소 원자를 나타낸다. Rd4는 불소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 있어서의 수소 원자의 적어도 하나를 불소 원자로 치환한 기를 나타낸다. Rd5는 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, Rd6은 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다)
[13] Ra에 있어서의 탄화수소기에는, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 및 탄소수 2 내지 18의 알카폴리에닐기, 탄소수 3 내지 18의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소기 및 이들의 2 이상이 연결된 기가 포함되고, 상기 탄소수 1 내지 18의 알킬기로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, 2-메틸-1-프로필, n-부틸, t-부틸, 3,3-디메틸-2-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, t-아밀, n-헥실, 2-에틸헥실, n-옥틸, 이소옥틸, n-데실, 4-데실, 이소데실, 도데실(n-라우릴), 이소도데실, n-헥실데실, 2-헥실데실, 테트라데실, 미리스틸, 이소미리스틸, 세틸, 이소세틸, 스테아릴, 이소스테아릴기를 들 수 있고, 상기 탄소수 2 내지 18의 알케닐기로서는, 비닐, 알릴, 2-부테닐, 프로페닐, 헥세닐, 2-에틸헥세닐, 올레일기를 들 수 있고, 상기 탄소수 2 내지 18의 알카폴리에닐기로서는, 부타디에닐, 펜타디에닐, 헥사디에닐, 헵타디에닐, 옥타디에닐, 리놀레일, 리놀릴기; 1,2,3-펜타트리에닐기; 알카테트라에닐기를 들 수 있고, 상기 탄소수 3 내지 18의 지환식 탄화수소기로서는, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 시클로도데실, 2-시클로헵테닐, 2-시클로헥세닐기(특히, 시클로알킬기, 시클로알케닐기)를 들 수 있고, 상기 탄소수 6 내지 18의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐, 나프틸기를 들 수 있고, 상기 기의 2 이상이 연결된 기로서는, 예를 들어 벤질, 2-페닐에테닐, 1-시클로펜틸에틸, 1-시클로헥실에틸, 시클로헥실메틸, 2-시클로헥실에틸, 1-시클로헥실-1-메틸에틸기를 들 수 있고, 상기 탄소수 2 내지 24의 아실기로서는, 아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 이소부티릴, 스테아로일, 올레오일기, 벤조일, 톨루오일, 나프토일기 등을 들 수 있는, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[14] 식 (a) 중 n의 값은 2 내지 60의 정수이며, n의 값의 하한은, 5, 10, 15, 또는 18이며, n의 값의 상한은, 50, 40, 30, 또는 25인, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[15] 상기 폴리글리세린 유도체의 중량 평균 분자량은, 200 내지 20000, 600 내지 15000, 1000 내지 10000, 1500 내지 5000, 또는 2000 내지 4500인, [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[16] (n+2)개의 Ra 중 25 내지 95％(바람직하게는 30 내지 90％, 특히 바람직하게는 40 내지 90％)가 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이며, 식 (a) 중의 (n+2)개의 Ra 중 25 내지 95％, 30 내지 90％, 40 내지 90％가 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기이며 및 식 (a) 중의 (n+2)개의 Ra 중 25 내지 60％, 30 내지 55％, 40 내지 55％가 탄소수 2 내지 24의 아실기인, [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[17] Rb에 있어서의 탄화수소기에는, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 데실, 도데실기; 비닐, 알릴, 1-부테닐기; 에티닐, 프로피닐; 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸기; 페닐기; 벤질기가 포함되는, [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[18] 식 (b)로 표시되는 화합물에는, 1-프로판올, 2-프로판올; 디프로필에테르, 디이소프로필에테르, 메틸프로필에테르, 메틸이소프로필에테르, 에틸프로필에테르, 에틸이소프로필에테르, 벤질이소프로필에테르, 에틸렌글리콜이소프로필에테르, 에틸렌글리콜프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르; 아세트산프로필, 아세트산이소프로필; 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜이소프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜이소부틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜 t-부틸에테르아세테이트가 포함되는, [1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[19] 상기 아세트산알킬에스테르에는, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산 t-부틸을 들 수 있는, [1] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[20] 성분 (B)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 10 내지 90중량％, 10 내지 70중량％, 10 내지 55중량％, 10 내지 40중량％, 또는 10 내지 30중량％인, [1] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[21] 성분 (C)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 5 내지 80중량％, 30 내지 80중량％, 40 내지 80중량％, 50 내지 80중량％, 또는 60 내지 80중량％인, [1] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[22] 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 60중량％ 이상, 60 내지 99중량％, 70 내지 99중량％, 75 내지 98중량％, 또는 80 내지 97중량％인, [1] 내지 [21] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[23] 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 비(전자/후자; 중량비)는 5/95 내지 80/20, 5/95 내지 75/25, 10/90 내지 30/70, 또는 10/90 내지 25/75인, [1] 내지 [22] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[24] 성분 (A)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 1 내지 70중량％, 1 내지 30중량％, 1 내지 20중량％, 1 내지 10중량％, 또는 3 내지 10중량％인, [1] 내지 [23] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[25] 성분 (A)의 함유량은, 성분 (B) 또는 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 100중량부에 대하여 1 내지 15중량부, 1 내지 10중량부, 또는 2 내지 8중량부인, [1] 내지 [24] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[26] 성분 (D)의 함유량은, 레지스트 제거용 조성물 전량의 0.001 내지 1중량％, 0.005 내지 0.1중량％, 또는 0.005 내지 0.05중량％인, [1] 내지 [25] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
[27] 성분 (D)의 함유량은, 성분 (B) 또는 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 100중량부에 대하여 0.001 내지 1중량부, 0.005 내지 0.1중량부, 또는 0.005 내지 0.05중량부인, [1] 내지 [26] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 제거용 조성물.
본 발명은 기판에 에칭 처리를 실시하여 소자나 회로 등을 형성할 때에 사용하는 마스크를 포토레지스트를 사용하여 제조하는 공정에 있어서, 기판의 에지 부분이나 이면에 부착된 포토레지스트를 효율적으로 제거할 수 있는 조성물을 제공한다.

Claims (12)

  1. 계면 활성제와 용제를 포함하는 조성물이며, 상기 계면 활성제로서 하기 성분 (A)를 적어도 함유하는, 레지스트 제거용 조성물.
    성분 (A): 하기 식 (a)로 표시되는 폴리글리세린 유도체
    Figure pat00019

    [식 중 괄호 안에 표시되는 반복 단위는, 하기 식 (a-1) 및/또는 (a-2)
    Figure pat00020

    로 표시된다. n은 상기 반복 단위의 수를 나타내고, 2 내지 60의 정수이다. Ra는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기, 또는 탄소수 2 내지 24의 아실기를 나타낸다. 단, (n+2)개의 Ra 중 적어도 2개는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기 및/또는 탄소수 2 내지 24의 아실기이다]
  2. 제1항에 있어서, 상기 용제로서 하기 성분 (B)를 함유하는, 레지스트 제거용 조성물.
    성분 (B): 하기 식 (b)로 표시되는 화합물
    Figure pat00021

    (식 중 Rb는 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. s는 1 또는 2를 나타내고, t는 0 또는 1을 나타낸다. 또한, s가 2인 경우, 각 괄호 안에 표시되는 기는 동일해도 되고, 상이해도 된다)
  3. 제2항에 있어서, 성분 (B)가, 프로판올, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인, 레지스트 제거용 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 프로필렌글리콜모노알킬에테르가 프로필렌글리콜모노 C1-5 알킬에테르이며, 프로필렌글리콜알킬에테르 지방산 에스테르가 프로필렌글리콜 C1-5 알킬에테르아세테이트인, 레지스트 제거용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용제로서 하기 성분 (C)를 함유하는, 레지스트 제거용 조성물.
    성분 (C): 아세트산알킬에스테르
  6. 제5항에 있어서, 성분 (C)에 있어서의 아세트산알킬에스테르가 아세트산 C1-4 알킬에스테르인, 레지스트 제거용 조성물.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 성분 (A)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 1 내지 15중량부인, 레지스트 제거용 조성물.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계 함유량이 레지스트 제거용 조성물 전량의 60중량％ 이상이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 비(전자/후자; 중량비)가 5/95 내지 80/20인, 레지스트 제거용 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 계면 활성제로서, 하기 성분 (D)를 더 포함하는, 레지스트 제거용 조성물.
    성분 (D): 불화아크릴 공중합체
  10. 제9항에 있어서, 성분 (D)의 함유량이, 성분 (B)(성분 (C)를 함유하는 경우는, 성분 (B)와 성분 (C)의 합계) 100중량부에 대하여 0.001 내지 1중량부인, 레지스트 제거용 조성물.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의한, 폴리스티렌 환산)이 3000 내지 10000인, 레지스트 제거용 조성물.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 성분 (D)에 있어서의 불화아크릴 공중합체가, 하기 식 (d-1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위, 및 하기 식 (d-2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 중합체인, 레지스트 제거용 조성물.
    Figure pat00022

    (식 중 Rd1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Rd2는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다. L은 단결합 또는 연결기를 나타내고, Rd3은 수소 원자, 메틸기, 또는 불소 원자를 나타낸다. Rd4는 불소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 있어서의 수소 원자의 적어도 하나를 불소 원자로 치환한 기를 나타낸다. Rd5는 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, Rd6은 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다)
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