TWI749872B - 陶瓷配線基板及陶瓷配線基板的製造方法 - Google Patents

陶瓷配線基板及陶瓷配線基板的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明旨在提供可使貫通絕緣層之貫通導體部的電阻低之陶瓷配線基板。 第1絕緣層110之第1周緣部112設於第1絕緣層110之第1貫通孔部111的周圍。第1絕緣層110之第1平板部113設於第1周緣部112之周圍，並呈具第1厚度T13之平板形狀。第1貫通導體部310設於第1貫通孔部111中。第1導體層210設於第1絕緣層110之第1面S1上，且連接於第1貫通導體部310。第2導體層220設於第1絕緣層110之第2面S2上，且連接於第1貫通導體部310。第1周緣部112在至少一剖面視圖，具有在從第1平板部113朝第1貫通孔部111之方向連續減小的厚度、大於第1平板部113之第1厚度T13的第1寬度W12。

Description

陶瓷配線基板及陶瓷配線基板的製造方法
本發明係有關於陶瓷配線基板及陶瓷配線基板的製造方法。
日本專利公開公報2016-25200號揭示了一種配線基板。配線基板包含包含由陶瓷燒結體構成並且相互疊層之複數的絕緣層之絕緣基板、設於該絕緣層之主面的配線導體、含有銀作為主成分且含有玻璃及氧化銅作為添加材並將該複數之絕緣層中至少一個絕緣層於厚度方向貫通的貫通導體。該玻璃不均地集中於該貫通導體中與該絕緣層之界面部分，並且在該界面部分，該玻璃之粒子分散於該銀之間。
根據上述公報，因貫通導體含有之玻璃不均地集中於貫通導體中與絕緣層之界面部分，在該界面部分，以粒子分散於銀之間，故貫通導體與絕緣層之接合強度比以往提高。此時，因氧化銅之存在，而抑制貫通導體之玻璃以較大之塊體從銀分離，而可以粒子分散。
日本專利公開公報2005-136266號揭示了一種陶瓷多層配線基板。在陶瓷多層配線基板，交互疊層有形成有由導電材構成之配線層的配線印刷用生胚片(第1絕緣層)、厚度異於配線印刷用生胚片且由陶瓷構成之絕緣用生胚片(第2絕緣層)。
在其製造方法，配線印刷用生胚片與絕緣用生胚片藉以刮刀法等形成片狀而形成。接著，以衝孔加工法於配線印刷用生胚片形成可填充導體膏之配線連結用貫通孔。然後，於配線印刷用生胚片之表面背面兩面形成配線用導體。具體而言，以網版印刷等將於高熔點金屬粉末添加混合有機溶劑及溶媒而得之導體膏塗佈於生胚片。另一方面，以衝孔加工法於厚度比配線印刷用生胚片薄的絕緣用生胚片形成用以電性連結上下之配線用導體的貫通孔，於該貫通孔填充連結用導體亦即導體膏。接著，藉將絕緣用生胚片夾於該配線印刷用生胚片之間來疊層，而產生陶瓷生疊層體。然後，藉由煅燒陶瓷生疊層體，而完成陶瓷多層配線基板。
根據上述公報，藉令絕緣用生胚片之厚度為15μm以下，即使不於貫通孔填充導電膏，於疊層生胚片時，用以設上下之配線用導體的導電體亦即導體膏仍流入至貫通孔。藉此，可以導體膏填充貫通孔而獲得上下層之連結。因此，可省略於絕緣用生胚片之貫通孔填充導電膏的製程而提高生產性。
[發明欲解決之問題]
根據上述日本專利公開公報2016-25200號之技術，貫通導體部含有玻璃及氧化銅。藉此，易抑制貫通導體部從絕緣層之剝離不良。然而，由於貫通導體部之導電率減少，故貫通導體部之電阻增高。
根據上述日本專利公開公報2005-136266號之技術，絕緣用生胚片之厚度為15μm以下時，藉用以於其上下設配線用導體之導體膏亦流入至貫通孔，可形成上下層之連結、即貫通導體部。此時，因貫通導體部之材料與上下層之配線用導體的材料相同，故只要導體膏於貫通孔內填充足夠，貫通導體部之導電率便高至與配線用導體之導電率相同程度。然而，實際上，有貫通孔中之導體膏流入不足的情形，貫通孔之孔徑越小，此問題越顯著。此時，可能發生電阻之增大或斷線。
本發明係為了解決如上問題而作成，其目的係提供可使貫通絕緣層之貫通導體部的電阻低之陶瓷配線基板。 [解決問題之手段]
一實施形態之陶瓷配線基板係具有要安裝電子零件之安裝面的陶瓷配線基板。陶瓷配線基板包含第1絕緣層、第1貫通導體部、第1導體層、及第2導體層。第1絕緣層具有第1面及第1面之反面的第2面。第1絕緣層包含第1貫通孔部、第1周緣部、及第1平板部。第1貫通孔部設於第1面與第2面之間。第1周緣部設於第1貫通孔部之周圍。第1平板部設於第1周緣部之周圍並呈具第1厚度之平板形狀。第1貫通導體部設於第1絕緣層之第1貫通孔部中。第1導體層設於第1絕緣層之第1面上，並連接於第1貫通導體部。第2導體層設於第1絕緣層之第2面上，並連接於第1貫通導體部。第1周緣部在至少一剖面視圖，具有在從第1平板部朝第1貫通孔部之方向連續減小之厚度、及大於第1平板部之第1厚度的第1寬度。
一實施形態之陶瓷配線基板的製造方法包含以下之製程。以印刷法形成第1絕緣膏層，該第1絕緣膏層具有第1面及第1面之反面的第2面，並包含設於第1面與第2面之間的第1貫通孔部。於第1絕緣膏層之第1貫通孔部中形成貫通導體膏部。煅燒第1絕緣膏層及貫通導體膏部。 [發明效果]
根據一實施形態之陶瓷配線基板，第1周緣部具有在從第1平板部朝第1貫通孔部之方向連續減小之厚度。在陶瓷配線基板之製造中，受到此厚度之減少引導，導體膏易流入至第1貫通孔部。再者，藉第1周緣部具有大於第1平板部之第1厚度的第1寬度，如上述導體膏易流入之區域可按第1絕緣層之厚度，確保夠大。藉此，可將導體膏在第1貫通孔部中於厚度方向全面充分填充。是故，可使第1貫通導體部之電阻低。
根據一實施形態之陶瓷配線基板的製造方法，包含第1貫通孔部之第1絕緣膏層以印刷法形成。藉使用印刷法，可易於第1貫通孔部之周圍形成具有在朝第1貫通孔部之方向連續減小的厚度之第1周緣部。於第1絕緣膏層之第1貫通孔部中形成貫通導體膏部之際，受到此厚度之減少引導，導體膏易流入至第1貫通孔部。再者，藉如前述使用印刷法，如上述導體膏易流入之第1周緣部可按第1絕緣膏層之厚度，確保夠大。藉此，可將導體膏在第1貫通孔部中於厚度方向全面充分填充。是故，可使藉第1貫通導體膏部之煅燒而形成的第1貫通導體部之電阻低。
此發明之目的、特徵、觀點、及優點藉以下之詳細說明及附加圖式，可更明白。
[用以實施發明之形態]
以下，依據圖式，就本發明之實施形態作說明。 ＜實施形態1＞ (結構)
圖1係概略地顯示具有實施形態1的陶瓷配線基板801之電子裝置900的結構之剖面圖。電子裝置900包含陶瓷配線基板801、電子零件902、蓋體907。陶瓷配線基板801具有安裝面MS及其上之空間CV。又，陶瓷配線基板801具有包圍該等之框部190。電子零件902藉由接合層901安裝於陶瓷配線基板801之安裝面MS上。蓋體907藉由接合層906接合於框部190，藉此，封閉空間CV。
圖2係概略地顯示圖1之陶瓷配線基板801的結構之剖面圖。陶瓷配線基板801包含基部PB、及框部190。基部PB具有要安裝電子零件902(圖1)之安裝面MS。基部PB具有第1絕緣層110、第1貫通導體部310、第1導體層210、第2導體層220。又，基部PB更具有疊層於第1絕緣層110之第2絕緣層120。再者，基部PB可具有第2貫通導體部320、第3導體層230。在本實施形態中，第1絕緣層110配置於安裝面MS與第2絕緣層120之間，具體而言，第1絕緣層110上之第2導體層220構成安裝面MS。
圖3係圖2之虛線部III的放大圖。第1絕緣層110具有第1面S1、第1面S1之反面的第2面S2。第1絕緣層110包含第1貫通孔部111、第1周緣部112、第1平板部113。第1貫通孔部111設於第1面S1與第2面S2之間。第1周緣部112設於第1貫通孔部111之周圍。第1平板部113設於第1周緣部112之周圍。第1平板部113呈具第1厚度T13之平板形狀。第1周緣部112在至少一剖面視圖(圖3)，具有在從第1平板部113朝第1貫通孔部111之方向連續減小的厚度、大於第1平板部113之第1厚度T13的第1寬度W12。
第1厚度T13以5μm以上、40μm以下為佳，以5μm以上、20μm以下為更佳。第1周緣部112可具有面向第1貫通孔部111且與厚度方向平行地延伸之平行內面。平行內面以在厚度方向具有小於第1厚度T13的5分之1的尺寸T11為佳。第1面S1及第2面S2以各在第1周緣部112上具有往第1貫通孔部111傾斜之面為佳。
第1貫通導體部310設於第1絕緣層110之第1貫通孔部111中。第1導體層210設於第1絕緣層110之第1面S1上，且連接於第1貫通導體部310。第2導體層220設於第1絕緣層110之第2面S2上，且連接於第1貫通導體部310。
圖4係圖2之虛線部IV的放大圖。第2絕緣層120具有第3面S3、第3面S3之反面的第4面S4。第2絕緣層120可具有第2貫通孔部121、第2周緣部122、第2平板部123。第2貫通孔部121設於第3面S3與第4面S4之間。第1貫通孔部111之寬度W11(圖3)小於第2貫通孔部121之寬度W21。第2周緣部122設於第2貫通孔部121之周圍。第2平板部123設於第2周緣部122之周圍，並呈具第2厚度T23之平板形狀。第2厚度T23大於第1厚度T13(圖3)，例如可大於40μm。是故，第2絕緣層120包含呈具大於第1厚度T13之第2厚度T23的平板形狀之第2平板部123。第2周緣部122在至少一剖面視圖(圖4)，具有在從第2平板部123朝第2貫通孔部121之方向連續減小的厚度、小於第2平板部123之第2厚度T23的第2寬度W22。
第2貫通導體部320設於第2絕緣層120之第2貫通孔部121中。第3導體層230設於第2絕緣層120之第4面S4上，且連接於第2貫通導體部320。第1導體層210設於第2絕緣層120之第3面S3上。第2貫通導體部320連接於第1導體層210。
第1絕緣層110與第2絕緣層120以具有相同組成為佳。又，第1絕緣層110與第2絕緣層120以具有同一燒結組織為佳。在此，燒結組織之同一性係指例如氣孔率及結晶粒徑各在實質上相同。又，第1貫通導體部310、第1導體層210、及第2導體層220以具有相同組成為佳。 (製造方法)
接著，參照圖5~圖16，就陶瓷配線基板801(圖2)之製造方法作說明。此外，在以下，為簡略化說明，而就製造一個陶瓷配線基板801之方法作說明，為提高製造效率，亦可將複數之陶瓷配線基板801舖滿於同一面內而構成多片式基板，一併製造。
參照圖5，以薄帶成形法形成絕緣膏帶120t。薄帶成形法係藉一面將漿料(具流動性之原料)放入刀片與帶式輸送機上之片的間隙，一面以一定速度搬送片而於片上成形薄帶的技術。
參照圖6與虛線部VII(圖6)之放大圖亦即圖7，將絕緣膏帶120t以預定大小切割。又，藉以衝孔法於絕緣膏帶120t形成貫通孔，而形成第2絕緣膏層120p。衝孔法以例如雷射加工或機械加工進行。特別是如圖7所示，從第3面S3至第4面S4呈單調之錐形的貫通孔可易以雷射加工形成。第2絕緣膏層120p藉由煅燒而形成為第2絕緣層120(圖2及圖4)，是故，具有對應第2絕緣層120之結構。此外，在本說明書中，「膏帶」及「膏層」係指從膏(漿料)形成，藉乾燥實質地失去流動性的未煅燒層、換言之為生胚片。
具體而言，第2絕緣膏層120p具有第3面S3、第3面S3之反面的第4面S4。第2絕緣膏層120p可具有第2貫通孔部121p、第2周緣部122p、第2平板部123p。第2貫通孔部121p如上述以衝孔法形成，設於第3面S3與第4面S4之間。此外，令第2貫通孔部121p之寬度最小的寬度為W21p。第2周緣部122p設於第2貫通孔部121p之周圍。第2平板部123p設於第2周緣部122p之周圍，並呈具第2厚度T23p之平板形狀。第2周緣部122p在至少一剖面視圖(圖7)，具有在從第2平板部123p朝第2貫通孔部121p之方向連續減小的厚度、小於第2平板部123p之第2厚度T23p的第2寬度W22p。
參照圖8，於第2絕緣膏層120p設第3導體膏層230p、貫通導體膏部320p、第1導體膏層210p。關於此製程，參照圖9~圖11，更詳細地說明。參照圖9，於第2絕緣膏層120p之第2貫通孔部121p中形成貫通導體膏部320p。此形成可以印刷法進行。參照圖10，於第2絕緣膏層120p之第4面S4上形成第3導體膏層230p。此形成可以印刷法進行。參照圖11，於第2絕緣膏層120p之第3面S3上形成第1導體膏層210p。此形成可以印刷法進行。此外，上述各製程之印刷法可藉於設有開口圖形之網版上塗佈導體膏而進行。
參照圖12、虛線部XIII(圖12)之放大圖亦即圖13，在設有第1導體膏層210p之第2絕緣膏層120p上，以印刷法形成第1絕緣膏層110p。具體而言，藉於設有開口圖形之網版上塗佈絕緣體膏而形成第1絕緣膏層110p。第1絕緣膏層110p藉由煅燒而形成為第1絕緣層110(圖2及圖3)，是故，具有對應第1絕緣層110之結構。
具體而言，第1絕緣膏層110p具有第1面S1、第1面S1之反面的第2面S2。第1絕緣膏層110p包含第1貫通孔部111p、第1周緣部112p、第1平板部113p。第1貫通孔部111p設於第1面S1與第2面S2之間。第1周緣部112p設於第1貫通孔部111p之周圍。第1平板部113p設於第1周緣部112p之周圍。第1平板部113p呈具第1厚度T13之平板形狀。第1周緣部112p在至少一剖面視圖(圖13)，具有在從第1平板部113p朝第1貫通孔部111p之方向連續減小的厚度、大於第1平板部113p之第1厚度T13p的第1寬度W12p。
第1貫通孔部111p之寬度W11p小於第2貫通孔部121p(圖7)之寬度W21p。又，第2厚度T23p(圖7)大於第1厚度T13p。是故，第2絕緣膏層120p(圖7)包含呈具大於第1厚度T13p之第2厚度T23p的平板形狀之第2平板部123p。
此外，如圖13所示，於印刷第1導體膏層210p時塗佈之導體膏亦可流入第1絕緣膏層110p之第1貫通孔部111p中。亦可於印刷第1絕緣膏層110p後，進行按壓第1絕緣膏層110p之製程，此時，特別容易發生前述流入。
參照圖14、虛線部XV(圖14)之放大圖亦即圖15，於第1絕緣膏層110p之第2面S2上塗佈導體膏。藉此，於第1絕緣膏層110p之第2面S2上形成第2導體膏層220p，且導體膏流入第1貫通孔部111p而到達第1導體膏層210p，藉此，於第1貫通孔部111p中形成貫通導體膏部310p。換言之，形成藉由煅燒而形成為基部PB(圖2)之未煅燒基部PBp。
如上述，在本實施形態中，形成貫通導體膏部310p之製程包含於第1絕緣膏層110p之第2面S2上塗布導體膏的製程。此外，變形例係亦可於塗佈導體膏以形成第1導體膏層210p之製程後，且於塗佈導體膏以形成第2導體膏層220p之製程前，另外進行塗佈導體膏以形成貫通導體膏部310p之製程。此時，製造方法複雜化，貫通導體膏部310p之材料可選擇異於第1導體膏層210p及第2導體膏層220p之材料。結果，第1貫通導體部310(圖2)之材料可選擇異於第1導體層210及第2導體層220之材料。
參照圖16，於未煅燒基部PBp上形成藉由煅燒而形成為框部190之未煅燒框部190p。具體而言，於未煅燒基部PBp上疊層呈預定形狀之生胚片作為未煅燒框部190p。圖16所示之構造體包含第1絕緣膏層110p及貫通導體膏部310p(圖15)。藉由煅燒此構造體，而獲得陶瓷配線基板801(圖2)。 (變形例)
圖17係顯示圖4之結構的變形例之陶瓷配線基板802的圖。陶瓷配線基板802之第2絕緣層120具有第2貫通孔部121V及第2周緣部122V取代陶瓷配線基板801(圖4)之第2貫通孔部121及第2周緣部122。第1貫通孔部111之寬度W11(圖3)小於第2貫通孔部121V之寬度W21V。第2周緣部122V在至少一剖面視圖(圖17)，具有在從第2平板部123朝第2貫通孔部121V之方向連續減小的厚度、小於第2平板部123之第2厚度T23的第2寬度W22V。
第2周緣部122V具有面向第2貫通孔部121V且與厚度方向平行地延伸之平行內面。平行內面在厚度方向具有大於第2厚度T23的5分之1的尺寸T21V。第3面S3及第4面S4各在第2周緣部122V上具有往第2貫通孔部121V傾斜之面。
上述變形例之結構藉以使用模具之機械加工取代雷射加工來進行第2絕緣層120之貫通孔的形成，可易獲得。 (比較例)
圖18係概略地顯示比較例之陶瓷配線基板800C的結構之剖面圖。陶瓷配線基板800C具有第1絕緣層110C取代第1絕緣層110(圖2)。第1絕緣層110C係使用薄帶成形法及衝孔法取代印刷法而形成。使用衝孔法時，形成於絕緣層之貫通孔周邊的形狀並非呈如圖3之形狀，而是易形成如圖7或圖17所示之形狀。結果，在貫通孔中之導體膏的流入易不足，貫通孔之孔徑越小，此問題越顯著。此時，易發生通過貫通孔之電性路徑的電阻之增大或斷線。
又，第2絕緣層120與第1絕緣層110C之疊層構造並非以使用印刷法之製程形成，而是以生胚片之疊層製程形成。此時，由於生胚片係藉乾燥而實質地失去流動性之未煅燒層，故比起以印刷法於第2絕緣層120上形成第1絕緣層110之情形，有易發生層間剝離之情形。 (效果)
根據本實施形態之陶瓷配線基板801(圖3)，第1絕緣層110之第1周緣部112具有在從第1平板部113朝第1貫通孔部111之方向連續減小的厚度。在陶瓷配線基板801之製造中，受到此厚度之減少引導，導體膏易流入至第1絕緣膏層110p(圖15)之第1貫通孔部111p。再者，藉第1周緣部112(圖3)具有大於第1平板部113之第1厚度T13的第1寬度W12，如上述促進導體膏之流入的區域可按第1絕緣層110之厚度(換言之，按第1絕緣膏層110p之厚度)，確保夠大。藉此，可將導體膏在第1絕緣膏層110p(圖15)之第1貫通孔部111p中於厚度方向全面充分填充。是故，可使第1貫通導體部310(圖3)之電阻低。
第2絕緣層120(圖2)包含呈具大於第1厚度T13(圖3)之第2厚度T23(圖4)的平板形狀之第2平板部123(圖4)。如此，藉第2絕緣層120具有較大之厚度，可以少層數確保陶瓷配線基板801之機械強度。
陶瓷配線基板801(圖2)之第1絕緣層110及第2絕緣層120以具有相同組成為佳。又，第1絕緣層110及第2絕緣層120以具有同一燒結組織為佳。藉此，可避免因材料之不同而形成絕緣可靠度局部弱之處。
第1絕緣層110(圖3)之第1貫通孔部111的寬度W11可小於第2絕緣層120(圖4)之第2貫通孔部121的寬度W21。即使第1貫通孔部111之寬度W11小，根據本實施形態，因前述理由，亦可將導體膏充分填充在第1絕緣膏層110p(圖15)之第1貫通孔部111p中。另一方面，第2絕緣層120(圖4)之第2周緣部122具有小於第2平板部123之第2厚度T23的第2寬度W22。此時，雖不太能獲得如上述促進導體膏之流入的效果，但由於第2貫通孔部121(圖4)的寬度W21較大(換言之，由於第2貫通孔部121p(圖9)之寬度W21p較大)，故較易在不大幅依賴上述效果下，充分填充導體膏。又，對應此種形狀之第2絕緣膏層120p(圖7)可易以使用衝孔法之貫通孔的形成獲得。使用衝孔法時，要被衝孔之母材藉使用薄帶成形法，可以高製造效率製作。
藉第1絕緣層110(圖2)配置於安裝面MS與第2絕緣層120之間，可於安裝面MS附近設使用第1絕緣層110之細微的配線構造。具體而言，第1絕緣層110上之第2導體層220(圖2)構成安裝面MS。此點在例如安裝面MS具有細微之電極構造時特別有利。
第1絕緣層110(圖3)之第1周緣部112的平行內面以在厚度方向具有小於第1厚度T13的5分之1的尺寸T11為佳。藉此，被平行內面包圍之部分的深度小。是故，在圖13及圖15之製程，易將導體膏充分填充在被平行內面包圍之部分中。是故，可使第1貫通導體部310(圖3)的電阻更低。
第1面S1及第2面S2(圖3)以各在第1周緣部112上具有往第1貫通孔部111傾斜之面為佳。藉此，可在第1面S1及第2面S2兩者促進在第1貫通孔部111p(圖15)中之導體膏的流入。是故，可將導體膏更充分地填充在第1貫通孔部111p中。故而，可使第1貫通導體部310(圖3)之電阻更低。
第1厚度T13(圖3)以5μm以上、40μm以下為佳，以5μm以上、20μm以下為較佳。藉第1厚度T13為5μm以上，可易確保第1絕緣層110之足夠的絕緣可靠度。又，藉第1厚度T13不過大，導體膏易充分流入至第1貫通孔部111p(圖15)中。再者，藉第1厚度T13不過大，可使厚度方向之陶瓷配線基板801的尺寸小。
第1貫通導體部310、第1導體層210、第2導體層220(圖3)以具有相同組成為佳。藉此，第1貫通導體部310之導電率高至與第2導體層220之導電率同程度。是故，易使第1貫通導體部310之電阻小。
根據本實施形態之陶瓷配線基板801的製造方法，以印刷法形成包含第1貫通孔部111p之第1絕緣膏層110p(圖13)。藉使用印刷法，可易於第1貫通孔部111p之周圍形成具有在朝第1貫通孔部111p之方向連續減小的厚度之第1周緣部112p。於第1絕緣膏層110p之第1貫通孔部111p中形成貫通導體膏部310p(圖15)之際，受到此厚度之減少引導，導體膏易流入至第1貫通孔部111p中。再者，如前述，藉使用印刷法，如上述促進導體膏之流入的第1周緣部112p可按第1絕緣膏層110p之厚度，確保夠大。藉此，可將導體膏在第1貫通孔部111p中於厚度方向全面充分填充。是故，可使藉貫通導體膏部310p(圖15)之煅燒而形成的第1貫通導體部310(圖3)之電阻低。
宜藉以塗佈導體膏之製程(圖15)，於第1絕緣膏層110p之第2面S2上形成第2導體膏層220p，且導體膏流入第1貫通孔部111p而到達第1導體膏層210p而形成貫通導體膏部310p。藉此，可使製造方法簡單化。再者，由於第1貫通導體部310(圖3)之材料與第1導體層210及第2導體層220之材料相同，故第1貫通導體部310之導電率高至與第1導體層210及第2導體層220之導電率同程度。
第1貫通孔部111p之寬度W11p(圖13)可小於第2貫通孔部121p之寬度W21p(圖9)，且第2貫通孔部121p可以衝孔法形成。即使第1貫通孔部111p之寬度W11p小，根據本實施形態，因前述理由，亦可將導體膏充分填充在第1絕緣膏層110p之第1貫通孔部111p中。另一方面，由於第2絕緣膏層120p(圖9)以衝孔法形成，故雖不易獲得促進導體膏之流入的形狀效果，但因第2貫通孔部121p之寬度W21p較大，而較易在不大幅依賴上述效果下，充分填充導體膏。又，使用衝孔法時，可衝孔之母材藉使用薄帶成形法，可以高製造效率製作。是故，藉適當地組合印刷法與衝孔法，可獲得上述電阻減低效果，並且可提高製造效率。
再者，藉以衝孔法形成第2絕緣膏層120p之第2貫通孔部121p，比起使用乾燥時之收縮大的印刷法之情形，可提高第2貫通孔部121p之尺寸精確度。之後，藉以印刷法於作為基座之第2絕緣膏層120p上形成第1絕緣膏層110p，也易確保第1絕緣膏層110p之第1貫通孔部111p的尺寸精確度。 ＜實施形態2＞
圖19係概略地顯示實施形態2的陶瓷配線基板803之結構的剖面圖。在本實施形態中，第2絕緣層120上之第3導體層230構成安裝面MS。此點於例如要求在安裝面MS周邊露出之絕緣層的強度時有利。又，藉第1絕緣層110配置於基板底面(安裝面MS之反面的面)與第2絕緣層120之間，可於基板底面附近設使用第1絕緣層110之細微配線構造。具體而言，第1絕緣層110配置於基板底面，此點於例如需於基板底面上配置細微的電極構造時特別有利。
此外，關於此以外之結構由於與上述實施形態1之結構大致相同，故對同一或對應之要件附上同一符號，而不重複其說明。 ＜實施形態3＞
圖20係概略地顯示實施形態3的陶瓷配線基板804之結構的剖面圖。在本實施形態中，除了陶瓷配線基板803(圖19)之結構，更包含絕緣層140、貫通導體部340、導體層240。絕緣層140具有接合於第1絕緣層110之第2面S2的第5面S5、第5面S5之反面的第6面S6。導體層240設於絕緣層140之第6面S6上。貫通導體部340連接第5面S5上之第2導體層220與第6面S6上的導體層240之間。絕緣層140以薄帶成形法及衝孔法形成。此外，關於此等以外之結構由於與上述實施形態2之結構大致相同，故對同一或對應之要件附上同一符號，而不重複其說明。
根據本實施形態，皆以薄帶成形法形成之第2絕緣層120及絕緣層140藉以印刷法形成之第1絕緣層110相互接合。此時，藉調整用於印刷法之膏中的有機成分，易確保必要之層間接著強度。藉此，可防止層間剝離。 ＜實施形態4＞
圖21係概略地顯示實施形態4的陶瓷配線基板805之結構的剖面圖。陶瓷配線基板805包含側面導體部270。側面導體部270設於第2絕緣層120之側面上。在本實施形態中，第1導體層210及第3導體層230各到達第2絕緣層120之側面。側面導體部270連接於第1導體層210及第3導體層230各層。在本實施形態之陶瓷配線基板805，與在陶瓷配線基板801(圖2：實施形態1)不同，第2絕緣層120可不具有設有第2貫通導體部320(圖2)之貫通孔。此外，關於此以外之結構由於與上述實施形態1之結構大致相同，故對同一或對應之要件附上同一符號，而不重複其說明。
根據本實施形態，陶瓷配線基板805具有設於第2絕緣層120之側面上且連接於第1導體層210及第3導體層230之側面導體部270。側面導體部270異於第2貫通導體部320(圖2)，可藉將導體膏塗佈至第2絕緣層120之側面而形成。第2絕緣層120之側面異於貫通孔之內面，為寬敞開放之區域，因而，上述塗佈製程可易進行。是故，即使第2絕緣層120之厚度大，亦可易形成電阻小之導體部。 ＜實施形態5＞
圖22係概略地顯示實施形態5的陶瓷配線基板806之結構的剖面圖。在陶瓷配線基板806，亦與上述各實施形態同樣地，構成具有安裝面MS之基部PB。框部190受到基部PB支持，具有面向基部PB之安裝面MS上的空間CV之內壁面SW。
在本實施形態，陶瓷配線基板806包含設於基部PB上之第3絕緣層130。第3絕緣層130具有支持框部190之支持面SS、面向基部PB之安裝面MS上的空間CV且從框部190之內壁面SW傾斜的內端面SE。藉設如此傾斜之內壁面SW，基部PB之上面(面向空間CV之面)與框部190的內壁面SW之間的角部之彎曲和緩。較佳為內端面SE係往基部PB凸起的彎曲面。
在陶瓷配線基板806之製造中，以煅燒形成為第3絕緣層130之部分以絕緣膏層的印刷形成。藉將作為框部190之構件按壓至所印刷之絕緣膏層上，絕緣膏層變形。藉此變形，可形成上述彎曲面。
此外，關於上述以外之結構由於與上述實施形態2(圖19)之結構大致相同，故對同一或對應之要件附上同一符號，而不重複其說明。又，於基部PB與框部190之間具有第3絕緣層130之結構不限實施形態2，亦可適用於其他實施形態。此外，在實施形態1(圖16)，於未煅燒基部PBp上疊層呈預定形狀之生胚片作為未煅燒框部190p之際，有第1絕緣膏層110p之一部分變形而形成前述彎曲面的情形。此時亦獲得與第3絕緣層130同樣之效果。
根據本實施形態，藉以第3絕緣層130設內壁面SW，基部PB之上面(面向空間CV之面)與框部190的內壁面SW之間的角部之彎曲和緩。藉此，可抑制從在空間CV之底部於基部PB與框部190之間構成的角產生裂痕。
此外，在上述各實施形態，詳述了具有框部190之陶瓷配線基板、即封裝，陶瓷配線基板亦可不具框部。
詳細地說明了此發明，上述說明在所有觀點為例示，此發明並不限於此。可理解未例示之無數的變形例在不脫離此發明之範圍下可設想到。
110:第1絕緣層 110C:第1絕緣層 110p:第1絕緣膏層 111:第1貫通孔部 111p:第1貫通孔部 112:第1周緣部 112p:第1周緣部 113:第1平板部 113p:第1平板部 120:第2絕緣層 120p:第2絕緣膏層 120t:絕緣膏帶 121:第2貫通孔部 121V:第2貫通孔部 121p:第2貫通孔部 122:第2周緣部 122V:第2周緣部 122p:第2周緣部 123:第2平板部 123p:第2平板部 130:第3絕緣層 140:絕緣層 190:框部 190p:未煅燒框部 210:第1導體層 210p:第1導體膏層 220:第2導體層 220p:第2導體膏層 230:第3導體層 230p:第3導體膏層 240:導體層 270:側面導體部 310:第1貫通導體部 310p:貫通導體膏部 320:第2貫通導體部 320p:貫通導體膏部 340:貫通導體部 800C:陶瓷配線基板 801:陶瓷配線基板 802:陶瓷配線基板 803:陶瓷配線基板 804:陶瓷配線基板 805:陶瓷配線基板 806:陶瓷配線基板 900:電子裝置 901:接合層 902:電子零件 906:接合層 907:蓋體 CV:空間 MS:安裝面 PB:基部 PBp:未煅燒基部 S1:第1面 S2:第2面 S3:第3面 S4:第4面 S5:第5面 S6:第6面 SE:內端面 SS:支持面 SW:內壁面 T11:尺寸 T13:第1厚度 T13p:第1厚度 T23:第2厚度 T23p:第2厚度 W11:寬度 W11p:寬度 W12:第1寬度 W12p:第1寬度 W21:寬度 W21V:寬度 W21p:寬度 W22:第2寬度 W22V:第2寬度 W22p:第2寬度
圖1係概略地顯示具有本發明之實施形態1的陶瓷配線基板之電子裝置的結構之剖面圖。 圖2係概略地顯示圖1之陶瓷配線基板的結構之剖面圖。 圖3係圖2之虛線部III的放大圖。 圖4係圖2之虛線部IV的放大圖。 圖5係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖6係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖7係圖6之虛線部VII的放大圖。 圖8係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖9係將圖8之製程的第1階段以對應圖7之視野概略地顯示之部分剖面圖。 圖10係將圖8之製程的第2階段以對應圖7之視野概略地顯示之部分剖面圖。 圖11係將圖8之製程的第3階段以對應圖7之視野概略地顯示之部分剖面圖。 圖12係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖13係圖12之虛線部XIII的放大圖。 圖14係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖15係圖14之虛線部XV的放大圖。 圖16係概略地顯示圖2之陶瓷配線基板的製造方法之一製程的部分剖面圖。 圖17係顯示圖4之結構的變形例之圖。 圖18係概略地顯示比較例之陶瓷配線基板的結構之剖面圖。 圖19係概略地顯示本發明之實施形態2的陶瓷配線基板之結構的剖面圖。 圖20係概略地顯示本發明之實施形態3的陶瓷配線基板之結構的剖面圖。 圖21係概略地顯示本發明之實施形態4的陶瓷配線基板之結構的剖面圖。 圖22係概略地顯示本發明之實施形態5的陶瓷配線基板之結構的剖面圖。
110:第1絕緣層
111:第1貫通孔部
112:第1周緣部
113:第1平板部
120:第2絕緣層
210:第1導體層
220:第2導體層
310:第1貫通導體部
801:陶瓷配線基板
S1:第1面
S2:第2面
S3:第3面
T11:尺寸
T13:第1厚度
W11:寬度
W12:第1寬度

Claims (15)

  1. 一種陶瓷配線基板，具有要安裝電子零件之安裝面，並包含：由陶瓷所構成的第1絕緣層，其具有第1面及該第1面之反面的第2面，並包含設於該第1面與該第2面之間的第1貫通孔部、設於該第1貫通孔部的周圍之第1周緣部、設於該第1周緣部之周圍並呈具有第1厚度之平板形狀的第1平板部；第1貫通導體部，設於該第1絕緣層之該第1貫通孔部中；第1導體層，設於該第1絕緣層之該第1面上，並連接於該第1貫通導體部；及第2導體層，設於該第1絕緣層之該第2面上，並連接於該第1貫通導體部；該第1周緣部，在至少一剖面視圖中，具有在從該第1平板部朝該第1貫通孔部之方向連續減小之厚度、及大於該第1平板部之該第1厚度的第1寬度。
  2. 如請求項1之陶瓷配線基板，更包含：第2絕緣層，疊層於該第1絕緣層；該第2絕緣層包含第2平板部，該第2平板部呈具有大於該第1厚度之第2厚度的平板形狀。
  3. 如請求項2之陶瓷配線基板，其中，該第1絕緣層與該第2絕緣層具有相同組成。
  4. 如請求項2或請求項3之陶瓷配線基板，其中， 該第2絕緣層包含第2貫通孔部、及設於該第2貫通孔部之周圍的第2周緣部，該第2平板部設於該第2周緣部之周圍，該第1貫通孔部之寬度小於該第2貫通孔部之寬度，該陶瓷配線基板更包含：第2貫通導體部，其設於該第2絕緣層之該第2貫通孔部中，並連接於該第1導體層；該第2周緣部，在至少一剖面視圖中，具有在從該第2平板部朝該第2貫通孔部之方向連續減小之厚度、及小於該第2平板部之該第2厚度的第2寬度。
  5. 如請求項2或請求項3之陶瓷配線基板，更包含：側面導體部，其設於該第2絕緣層之側面上，並連接於該第1導體層。
  6. 如請求項2或請求項3之陶瓷配線基板，其中，該第1絕緣層配置於該安裝面與該第2絕緣層之間。
  7. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中，該第1絕緣層上之該第2導體層構成該安裝面。
  8. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中，該第1絕緣層之該第1周緣部具有面向該第1貫通孔部且與厚度方向平行地延伸之平行內面，該平行內面在該厚度方向具有小於該第1厚度的5分之1的尺寸。
  9. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中， 該第1面及該第2面各自在該第1周緣部上具有往該第1貫通孔部傾斜之面。
  10. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中，該第1厚度為5μm以上、40μm以下。
  11. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中，該第1貫通導體部、該第1導體層及該第2導體層具有相同組成。
  12. 如請求項1至請求項3中任一項之陶瓷配線基板，其中，具有該安裝面之基部在該陶瓷配線基板構成，該陶瓷配線基板更包含：框部，其受到該基部支持，並具有面向該基部之該安裝面上的空間之內壁面；及第3絕緣層，設於該基部上，並具有支持該框部之支持面、與面向該基部之該安裝面上的空間並從該框部之該內壁面傾斜的內端面。
  13. 一種陶瓷配線基板的製造方法，包含下列製程：以印刷法形成第1絕緣膏層，該第1絕緣膏層具有第1面及該第1面之反面的第2面，並包含設於該第1面與該第2面之間的第1貫通孔部；於該第1絕緣膏層之該第1貫通孔部中形成貫通導體膏部；及煅燒該第1絕緣膏層與該貫通導體膏部；並且，藉由鍛燒該第1絕緣膏層，以形成由陶瓷所構成之絕緣層。
  14. 如請求項13之陶瓷配線基板的製造方法，更包含下列製程： 形成第2絕緣膏層；及於該第2絕緣膏層上形成第1導體膏層；形成該第1絕緣膏層之製程，係在設有該第1導體膏層之該第2絕緣膏層上進行，形成該貫通導體膏部之製程，包含於該第1絕緣膏層之該第2面上塗佈導體膏的製程，藉由塗布該導體膏之製程於該第1絕緣膏層之該第2面上形成第2導體膏層，且該導體膏流入該第1貫通孔部而到達該第1導體膏層，藉此，形成該貫通導體膏部。
  15. 如請求項14之陶瓷配線基板的製造方法，其中，該第2絕緣膏層具有第2貫通孔部，該第1貫通孔部之寬度小於該第2貫通孔部之寬度，形成該第2絕緣膏層之製程，包含以衝孔法形成該第2貫通孔部之製程。
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