TWI747964B - 動態調平處理加熱器升降機 - Google Patents

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葛列格 佛里曼
羅伯特伯內特 渥帕特
段安 阮
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Abstract

一種用於藉由將基板支撐件相對於處理腔室內的表面定向來改善處理腔室中的處理結果的方法和設備。該方法包括使基板支撐件的支撐表面相對於噴頭的輸出表面定向成第一方向，其中基板支撐表面的第一方向相對於輸出表面不共面，及將第一層的材料沉積在設置於支撐表面上的基板上，該支撐表面定向在第一方向上。

Description

動態調平處理加熱器升降機
本揭露案的實施例大體係關於處理在半導體處理腔室內的基板的設備與方法。
半導體處理系統被用以藉由沉積、蝕刻、圖案化、和處理薄膜和塗層來形成半導體裝置。傳統的半導體處理系統包含一或多個處理腔室，以及用於在它們之間移動基板的手段。基板可以由機器人臂轉移，機器人臂可以延伸以拾取基板、收回隨後再次延伸以將基板定位在處理腔室內的不同位置中。每個處理腔室通常具有底座或支撐基板以進行處理的一些等同的方式。
底座可以被配置以在處理期間向基板提供熱。基板可以在處理期間，由機械、壓力差、或靜電手段把持到底座。當在底座上時，可以在基板上實行一或多個處理，此可包括對在其上形成的膜沉積、蝕刻、和/或熱處理。
當在基板表面上實行的處理的均勻性得到改善時，大部分的半導體裝置形成處理得到改善。可影響沉積、蝕刻、或熱處理之均勻性的參數之一是在處理期間基板相對於處理腔室中存在的一個或多個腔室部件（例如噴頭）的位置。結果，處理系統通常被設計成在一或多個處理步驟期間提供基板相對於處理腔室中的一或多個腔室部件的平行、均勻和可再現的放置。
氧化物和氮化物化學氣相沉積處理各自相對於一或多個腔室部件（例如噴頭）具有對於底座的傾斜和位置之不同的均勻性反應。該等材料以交替的處理而沉積在相同的腔室中，該處理形成氧化物和氮化物膜層。為了確保最佳的處理結果，每一層需要一個相對於噴頭的獨立調節的底座傾斜和位置以獲得最佳的處理結果。目前，底座位置和方向只有對最敏感的沉積材料是手動調整的（傾斜），其他層的均勻性沒有最佳化。因此，需要用於將底座定位在處理腔室內的自動化多位置傾斜機構。
因此，本領域需要處理在半導體處理腔室內的基板的設備與方法。
本揭露案大體上提供了一種用於藉由將基板支撐件相對於處理腔室內的表面定向來改善處理腔室中的處理結果的方法和設備。
本文揭露的實施例包括一種在處理腔室中處理基板的方法，該方法包括使基板支撐件的基板支撐表面相對於噴頭的輸出表面定向成第一方向，其中基板支撐表面的第一方向相對於輸出表面不共面。該方法進一步包括將第一層的材料沉積在設置於基板支撐表面上的基板上，同時將基板支撐表面定向在第一方向上。
在另一實施例中，一種在處理腔室中處理基板支撐件的方法，該方法包括連續地改變基板支撐件的基板支撐表面相對於噴頭的輸出表面的方向，其中當方向連續地改變時，基板支撐表面的方向相對於輸出表面不共面。該方法進一步包括將第一層的材料沉積在設置於基板支撐表面上的基板上，其中基板支撐表面的方向是連續地改變。
在另一實施例中，一種基板支撐組件包括：支撐構件及承載板，該支撐構件支撐具有基板支撐表面的底座，該承載板附接到支撐構件。該基板支撐組件進一步包括一定位系統，該定位系統包括基底板和兩個或更多個伺服馬達組件，該兩個或更多個伺服馬達組件耦接至基底板和承載板，其中該等伺服馬達組件的每一者具有馬達和線性致動器。
第1圖描繪根據本文所提供的本揭露案的實施例，可用以實行半導體裝置處理步驟的一些部分的示例性腔室組件10。參考第1圖，腔室組件10可以包括處理腔室30和基板支撐組件130，用於在處理腔室30內提升和定位基板。基板支撐組件130通常包括底座108，底座108耦接到部分設置在處理腔室30內的支撐構件90。基板支撐組件130通常適於由兩個或更多個伺服馬達組件131和132以平行於延伸穿過腔室基底33中的腔室開口29的中心軸101的方向上垂直地移動。可彎曲的（flexible）密封構件92，例如波紋管組件，在基板支撐組件130和處理腔室30之間提供密封，並且允許腔室維持在期望的壓力，例如真空壓力。
處理腔室30包括外腔室壁32、下腔室基底33以及蓋體35，蓋體設置於處理腔室30的頂部且與基底33相對。基底33、蓋體35、和壁32在本文中也統稱為壁32。處理腔室30包括從蓋體35懸吊並且從蓋體35向下方突出往處理腔室30內的噴頭36。壁32中的狹縫閥開口38允許將例如基板或晶圓（未圖示）的物體引入到處理腔室30中。晶圓位於底座108的頂表面108A上，以備處理。氣體供應源70經由蓋體35內的開口71並經由噴頭36的開口181提供一種或多種處理氣體至處理區域37。在一個範例中，處理腔室30代表化學氣相沉積（CVD）腔室，但是本發明可應用於其他處理腔室和處理例如物理氣相沉積處理、蝕刻處理、以及需要在殼體內的支撐構件的移動的其他處理。
底座108和支撐構件90藉由夾具136耦接到承載板135。角旋轉耦接器，例如球體球形接頭137，將承載板135耦接到設置在處理腔室30下方的伺服馬達組件131和132。可彎曲的密封構件92固定至承載板135和基底33。伺服馬達組件131和132可以包括滾珠螺桿驅動的線性運動引導致動器，其用於以期望的位置解析度（例如小於0.001”的解析度）在期望的方向（例如，Z方向）上提供精確的線性行進。僅具有一個旋轉自由度的接頭（例如樞軸接頭139）將伺服馬達組件131和132連接到腔室底部33，並進一步將基板支撐組件130固定到腔室底部33。電線190和流體線路191經由支撐構件90配置並且附接到底座108內的部件，以向底座108內的該等部件提供冷卻劑和電力。通常，伺服馬達組件131和132連接到處理腔室30的底部，並且每個都包括驅動組件和編碼器組件，該驅動組件和編碼器組件用於判定與系統控制器199通訊的設備內的部件的位置。較佳地，伺服馬達組件131和132內的驅動組件包括伺服馬達138，但是在不脫離本文提供的本揭露案之範疇的情況下，可以使用其他的運動致動器組件。
在操作中，系統控制器199使伺服馬達138沿直線方向131A和132A驅動承載板135以將底座108定位在相對於噴頭36的期望的處理位置或是在處理區域37內相對於狹縫閥開口38的晶圓傳送位置。當伺服馬達組件131和132同時以相同的速度相對於Z軸，或是沿著中心軸101平行地驅動時，伺服馬達組件131和132可相對於噴頭36在高度平面（例如，平行於XY平面）上升高和降低底座108，使得噴頭36和底座108之間的距離110在頂表面108A上是相同的。
在處理期間，當系統控制器199發送訊號通知氣體供應源70將處理氣體輸送穿過噴頭36中的開口181並進入處理區域37時，沉積處理開始。如以下將進一步論述的，在參照第2圖，伺服馬達組件131和132也可以被獨立地控制，以靜態地或動態地操縱底座108相對於噴頭36的方向（例如，傾斜），以增加在基板上的處理均勻性。
控制器199可包括中央處理單元（CPU）199A，記憶體199B、和支援電路（或I/O）199C。CPU可以是在工業設置中用於控制各種處理和硬體（例如，圖案產生器、馬達、和其他硬體）並監控處理（例如，處理時間和基板位置或定位）的任何形式的電腦處理器中的一種。記憶體（未圖示）連接到CPU，並且可以是容易取得的記憶體中的一種或多種，例如隨機存取記憶體（RAM）、唯獨記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、或任何其他形式的本端或遠端數位儲存裝置。軟體指令、演算法和資料可被編碼並儲存在記憶體中以指示CPU。支援電路（未圖示）也以常規方式連接到CPU以支援處理器。支援電路可以包括傳統的快取、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路、子系統等。控制器可讀取程式（或電腦指令）判定哪些任務可在基板上實行。程式可以是可由控制器讀取的軟體，並且可以包括代碼以用於監控和控制，例如，處理時間和基板位置或定位。
參照至第2圖，為了適應底座的方向影響在基板的暴露表面上實行的處理的均勻性的處理步驟，系統控制器199可以使兩個或更多個伺服馬達組件131和132以不同的速度、以不同的方向和/或不同的垂直位置驅動，來操作承載板135相對於噴頭36的位置和/或方向，此可以導致支撐構件90和底座108圍繞樞軸點105相對於中心軸101傾斜。第2圖大體上描繪了底座108相對於噴頭36的修改位置，以便改善對於底座108到噴頭36的方向敏感的半導體製造處理的均勻性。圖示了底座108的傾斜軸線201相對於腔室開口29的中心軸101圍繞樞軸點105傾斜，此導致頂表面108A的相對外邊緣之間的相對於噴頭36的表面36A之較大距離210和較小距離211。球體球形接頭137用於在承載板135和伺服馬達組件131和132之間移動。由於伺服馬達組件131和132的不同運動所產生的力矩M使得支撐構件90以相對於中心軸101的方向樞轉，附接到基底33和伺服馬達組件131和132的樞軸接頭139彎曲。樞軸接頭139的彎曲允許耦接到承載板135的支撐構件90的旋轉和移位。在操作中，隨著伺服馬達組件將承載板135垂直地移動，例如，從離基底33距離206到離基底33距離207，樞軸點105亦將移動到相對於承載板135從距離206的位置移動的位置。以此種方式，底座108相對於中心軸101的位置和傾斜量可以針對每個單獨的處理步驟和膜層自動修改，以最佳化依照膜堆疊的每個沉積層的均勻性。應注意，第2圖所示的伺服馬達組件不需要處於相同平面（例如，不在XZ平面內），並且在一些情況下，三個或更多個伺服馬達組件可以相對於中心軸101以各種角方向分佈，如第3A圖所示。
現參照至第3A圖，在一個實施例中，基板支撐組件130包括三個伺服馬達組件131、132、和133，該等伺服馬達組件每個經由樞軸接頭139附接到基底板360並經由球體球形接頭137附接到承載板135。基底板360促進容易將基板支撐組件130安裝到處理腔室30的底部。底座108被安裝到支撐構件90，支撐構件90被定位成穿過基底板360的中心的腔室開口29。支撐構件90耦接到承載板135。可彎曲的（flexible）密封構件92安裝在處理腔室30的外部，並在基底板360和承載板135之間提供密封，並且允許處理腔室30維持在通常低於大氣壓力的壓力下。球體球形接頭137包括連接到線性致動器320的接頭殼體310，以及將軸承接頭連接到承載板135的軸承銷311。以下參照至第3B圖更詳細地論述球體球形接頭137。在一些實施例中，接頭殼體310附接到線性致動器320的滾珠螺桿（未圖示）部分。伺服馬達138驅動線性致動器320的滾珠螺桿部分，並且因此沿著線性致動器320中的引導元件在垂直方向上驅動球體球形接頭137和承載板135。使用相同的動態運動輪廓（例如，加速度、速度、運動長度）來驅動伺服馬達138將導致承載板135在空間中在其升高和降低時維持方向。然而，藉由使用不同的動態運動輪廓來驅動伺服馬達將允許操縱承載板135的取向，此可能導致支撐構件90和底座108的傾斜。樞軸接頭139附接到基底板360和伺服馬達組件131、132、和133，以允許樞軸接頭139隨著由伺服馬達組件131、132、和133的運動所產生的力矩M而彎曲（flex）。
在一個實施例中，參照第2圖和第3A圖，基板支撐組件130包括三個伺服馬達組件131、132、和133，其中當該等伺服馬達組件以連續振盪運動（例如來回運動）驅動時，引起傾斜軸201圍繞中心軸線101旋轉（precess），如運動A（第2A圖）所示。在操作中，系統控制器199使得伺服馬達組件131、132、和133使用不同的動態運動輪廓連續移動，以操縱承載板135和底座108的位置和/或方向，使得底座108的位置和/或方向將隨著它圍繞樞軸點105樞轉和/或沿著中心軸101移動時不斷地變化。在一個範例中，系統控制器199使得伺服馬達組件131、132、和133使用不同的動態運動輪廓連續移動，以操縱承載板135和底座108的方向，使得底座108的方向相對於噴頭36的表面36A和中心軸101隨著其圍繞樞軸點105樞轉而連續地變化。藉由連續地驅動伺服馬達，底座108和支撐構件90的方向將相對於靜止的參考框架（例如，X-Y-Z參考框架）在一或多個方向上連續地移動。已經發現，使傾斜軸201圍繞中心軸101旋轉（precess）一段時間的連續傾斜導致了對於沉積某些CVD沉積膜的改進的處理均勻性。
第3B圖是連接到線性致動器320並連接到承載板135的球體球形接頭137的側視截面圖，如第3A圖中的虛線3B-3B所示。如上面參照第3A圖所論述的，接頭殼體310連接到線性致動器320並且經由滾珠螺桿（未圖示）垂直移動。承載板135藉由在附接點135A處的銷311和軸承315連接到接頭殼體310。球體球形接頭137內的軸承315的目的在於允許圍繞附接點135A的三個自由度（俯仰（pitch）、偏轉（yaw）、和滾動（roll））。水平線352穿過銷311的中心軸，並且水平線351穿過夾具136的中心，並且用於第3A圖所示穿過樞軸點105的承載板135的配置。在一些實施例中，當水平線351和352共面時，由伺服馬達組件131、132、和133提供的運動所產生的樞軸點105將典型地在包含共面線351和352的水平面中對準，並在中心軸101上。在其他實施例中，當水平線351和352各自位於不同的水平面（例如，不同的X-Y平面）內時，或者在銷311的中心軸和夾具136的軸不共線時，樞軸點105將自包含線351的水平面偏移。在替代實施例中，配置在相對的支撐位置中的三個伺服馬達組件的組合完全約束了承載板135的運動，同時給予基板支撐組件130以4個自由度（升降（elevation），俯仰（pitch），偏轉（yaw）和滾動（roll））移動的靈活性。
第3C圖圖示承載板135的另一實施例，其中球體球形接頭137的銷311的配置相對於夾具136偏移。在此配置中，承載板135包括垂直壁375，垂直壁375將承載板135的夾持區域耦接到承載板135的球體球形接頭區域或附接點135A區域。與第3B圖所示的配置相比較，承載板135的此種配置將附接點135A定位於自夾具136成一定距離。在本實施例中，穿過銷311的中心點的水平線352沿著z軸比水平線351定位得更高，水平線351穿過承載板135的下部和支撐構件90附接到伺服馬達組件的線性致動器320的該處的位置的中心點。在此配置中，通常樞軸點105保持在與銷311的中心軸相同的平面上，並且由於樞軸點105是在線351上方的一距離，球體球形接頭沿著線性致動器行進較短的距離以達到當線351和352共面時傾斜軸201將需要的傾斜的相同的程度，如第3B圖所示。球體球形接頭的行進距離越短，導致移動的零件，包括伺服馬達、滾珠螺桿、和樞軸接頭上的磨損越小。如上面參照第2圖和第3A圖所論述的，在當在沉積處理期間伺服馬達被連續驅動提供底座108的連續旋轉傾斜一段時間時的一個實施例中此變得尤其重要。在一些實施例中，伺服馬達組件131、132、和133被連續地驅動，並且在沉積處理期間，基板支撐頂表面108A相對於噴頭36的輸出表面36A連續地改變一段時間。因此，在一些實施例中，可以藉由改變承載板135或接頭殼體310的配置來調整樞軸點105，使得銷311的位置相對於夾具136的中心在垂直方向上（例如Z方向）處於期望的距離。
第4圖圖示使用線性馬達430的基板支撐組件130的一個實施例，線性馬達430與成角度的塊體440A和440B以及球體球形接頭137結合而徑向地定向。球體球形接頭137連接到定位在承載板135的上外緣上的成角度的塊體440A。成角度的塊體440A的成角度的側邊465被定位成背向支撐構件90並且朝向線性馬達430的方向。線性馬達430連接到成角度的塊體440B。成角度的塊體440B的成角度的側邊465被定位為以一角度朝向支撐構件90和承載板135。線性軸承466定位在成角度的塊體440A和440B的成角度的側邊465之間。成角度的塊體440A、線性軸承466、和成角度的塊體440B的堆疊將水平安裝的線性馬達430的線性運動L沿垂直方向重新引導穿過成角度的塊體440A和440B及線性軸承466到球體球形接頭137和承載板135，導致支撐構件90的位置和/或方向的改變。
第5圖圖示使用線性馬達430的基板支撐組件130的一個實施例，該等線性馬達430與V形塊540和球形傳送接頭550結合在水平位置徑向地隔開。V形塊540具有沿著V形塊的成角度的面565的V形槽（未圖示）。V形塊540的成角度的面565定位為以一角度朝向支撐構件90、球形傳送接頭550和承載板135。球形傳送接頭550的球在V形塊的成角度側的表面上的V形槽（未圖示）中滾動或滑動。線性馬達430在水平方向L上驅動V形塊540。V形塊540在球形傳送接頭550上的定位將水平安裝的線性馬達430的線性運動L沿垂直方向重新引導穿過V形塊540到球形傳送接頭550和承載板135，導致支撐構件90的位置和/或方向的改變。
第6圖圖示使用伺服馬達組件131和132的基板支撐組件130的一個實施例，伺服馬達組件包括藉由鉸鏈接頭650連接到承載板135的滾珠螺桿。萬向接頭660將伺服馬達組件132安裝到基底板360。伺服馬達組件132在方向N上驅動滾珠螺桿，以改變承載板135的方向，導致支撐構件90圍繞傾斜軸201的位置和/或方向改變。
第7圖圖示使用伺服馬達組件131和132的基板支撐組件130的一個實施例，伺服馬達組件安裝到承載板135並且經由球體球形接頭137連接到基底板360。伺服馬達組件132以方向N驅動滾珠螺桿。球體球形接頭137允許滾珠螺桿抵靠線性軸承770和基底板360樞轉，導致支撐構件90圍繞傾斜軸201的位置和/或方向改變。
第8圖圖示用於改善沉積腔室內堆疊層的均勻性的一種方法800。在方塊810處，並且參照第1圖，晶圓被引導穿過處理腔室30的狹縫閥開口38並放置在底座108的頂表面108A上。在方塊820處，底座108以第一方向（底座108的頂表面108A相對於噴頭36的方向）定位在處理腔室30內，從而為特定的沉積處理提供整個晶圓上的改善的沉積均勻性。在方塊830處，使用期望的沉積處理將層沉積在晶圓上。在方塊840處，底座108以第二方向定位在處理腔室內；底座108的頂表面108A相對於噴頭36的方向被用以為待沉積的第二層提供整個晶圓上的改善的沉積均勻性。在方塊850處，將第二層沉積在均勻沉積的第一層上。方塊810至850隨後可以被重複任意次數以達到規定數量的均勻沉積層。在方塊860處，將基板從底座移除並從處理腔室30移除。
本領域技術人員亦將認可到，儘管以上已根據較佳實施例描述了本發明，但是本發明不限於此。上述發明的各種特徵和態樣可以單獨或聯合使用。此外，儘管本發明已經在特定的環境和用於特定的應用中的實施之上下文中進行描述，本領域技術人員將認可到其可用性不限於此，並且本發明可用於任何數量的環境和實施。
10‧‧‧腔室組件29‧‧‧腔室開口30‧‧‧處理腔室32‧‧‧外腔室壁33‧‧‧腔室基底35‧‧‧蓋體36‧‧‧噴頭37‧‧‧處理區域38‧‧‧狹縫閥開口70‧‧‧氣體供應源71‧‧‧開口90‧‧‧支撐構件92‧‧‧密封構件101‧‧‧中心軸105‧‧‧樞軸點108‧‧‧底座108A‧‧‧頂表面110‧‧‧距離130‧‧‧基板支撐組件131‧‧‧伺服馬達組件131A‧‧‧方向132‧‧‧伺服馬達組件132A‧‧‧方向133‧‧‧伺服馬達組件135‧‧‧承載板135A‧‧‧附接點136‧‧‧夾具136‧‧‧夾具137‧‧‧球體球形接頭138‧‧‧伺服馬達139‧‧‧樞軸接頭181‧‧‧開口190‧‧‧電線191‧‧‧流體線路199‧‧‧系統控制器199A‧‧‧CPU199B‧‧‧記憶體199C‧‧‧支援電路201‧‧‧軸線201‧‧‧傾斜軸210‧‧‧距離211‧‧‧距離310‧‧‧接頭殼體311‧‧‧軸承銷315‧‧‧軸承320‧‧‧線性致動器351‧‧‧水平線352‧‧‧水平線360‧‧‧基底板375‧‧‧垂直壁430‧‧‧線性馬達440A‧‧‧塊體440B‧‧‧塊體465‧‧‧側邊466‧‧‧直線軸承540‧‧‧V形塊550‧‧‧球形傳送接頭565‧‧‧面650‧‧‧鉸鏈接頭660‧‧‧萬向接頭770‧‧‧線性軸承800‧‧‧方法810-860‧‧‧方塊
第1圖是腔室組件的側視橫截面圖。
第2圖是腔室組件的側視橫截面圖。
第3A圖是基板支撐組件的等角視圖。
第3B圖是第3A圖中所示的承載板和截面接頭的中央部分的側視橫截面圖。
第3C圖是承載板和截面接頭的部分的一個實施例的側視橫截面圖。
第4圖是基板支撐組件的一個實施例的側視橫截面圖。
第5圖是基板支撐組件的一個實施例的側視橫截面圖。
第6圖是基板支撐組件的一個實施例的側視橫截面圖。
第7圖是基板支撐組件的一個實施例的側視橫截面圖。
第8圖是圖示用以達成本發明的處理的一個實施例的流程圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10‧‧‧腔室組件
29‧‧‧腔室開口
30‧‧‧處理腔室
32‧‧‧外腔室壁
33‧‧‧腔室基底
35‧‧‧蓋體
36‧‧‧噴頭
37‧‧‧處理區域
38‧‧‧狹縫閥開口
70‧‧‧氣體供應源
71‧‧‧開口
90‧‧‧支撐構件
92‧‧‧密封構件
101‧‧‧中心軸
105‧‧‧樞軸點
108‧‧‧底座
108A‧‧‧頂表面
110‧‧‧距離
130‧‧‧基板支撐組件
131‧‧‧伺服馬達組件
131A‧‧‧方向
132‧‧‧伺服馬達組件
132A‧‧‧方向
133‧‧‧伺服馬達組件
135‧‧‧承載板
135A‧‧‧連接點
136‧‧‧夾具
136‧‧‧夾具
137‧‧‧球體球形接頭
138‧‧‧伺服馬達
139‧‧‧樞軸接頭
181‧‧‧開口
190‧‧‧電線
191‧‧‧流體線路
199‧‧‧系統控制器
199A‧‧‧CPU
199B‧‧‧記憶體
199C‧‧‧支援電路

Claims (31)

  1. 一種在一處理腔室中處理一基板的方法，該方法包括以下步驟：使一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面定向成一第一方向，其中該基板支撐表面的該第一方向相對於該輸出表面不共面；以及當將該基板支撐表面定向在該第一方向上時，將一第一層的材料沉積在設置於該基板支撐表面上的一基板上；使該基板支撐表面相對於該輸出表面定向成一第二方向，其中該基板支撐表面的該第二方向相對於該輸出表面不平行；和當將該基板支撐表面定向在該第二方向上時，根據一第二沉積處理沉積一第二層的材料。
  2. 如請求項1所述之方法，其中使該基板支撐表面定向的步驟進一步包括使用兩個或更多個伺服馬達將該基板支撐件的該基板支撐表面相對於該噴頭定位在該第一方向。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該等伺服馬達是由一控制器獨立地控制。
  4. 如請求項3所述之方法，其中當定位該基板支撐表面時，該基板支撐件支撐表面相對於該腔室的 一中心軸圍繞一樞軸點移動，其中該樞軸點在一承載板下方。
  5. 如請求項2所述之方法，其中當定向該基板支撐表面時，該等伺服馬達的每一者的速度、方向、或垂直位置被調整。
  6. 一種在一處理腔室中處理一基板支撐件的方法，該方法包括以下步驟：連續地改變一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面的一方向，其中當該方向連續地改變時，該基板支撐表面的該方向相對於該輸出表面不共面，其中連續地改變該基板支撐表面的該方向的步驟進一步包括以下步驟：使用兩個或更多個伺服馬達連續地改變該基板支撐表面相對於該噴頭的該輸出表面的該方向；當將該基板支撐表面定向在一第一方向上時，將一第一層的材料沉積在設置於該基板支撐表面上的一基板上；以及當將該基板支撐表面定向在一第二方向上時，沉積該第一層的材料，其中該基板支撐表面的該方向是從該第一方向連續地改變至該第二方向。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該等伺服馬達是由一控制器獨立地控制。
  8. 如請求項7所述之方法，其中當連續地改變該基板支撐表面相對於一噴頭的該輸出表面的該方向時，該基板支撐件支撐表面相對於該腔室的一中心軸圍繞一樞軸點移動，且其中該樞軸點在一承載板下方。
  9. 如請求項6所述之方法，其中當連續地改變該基板支撐表面的一方向時，該等伺服馬達的每一者的速度、方向、或垂直位置被調整。
  10. 一種基板支撐組件，包括：一支撐構件，其支撐具有一基板支撐表面的一底座；一承載板，其附接到該支撐構件；以及一定位系統，包括：一基底板；以及兩個或更多個伺服馬達組件，該兩個或更多個伺服馬達組件中的每一者包括一馬達和一線性致動器，該等伺服馬達組件中的每一者具有耦接至該基底板的一第一端，其中該等線性致動器的每一者在不與該基板支撐表面平行的一方向上移動該承載板，其中該等線性致動器的每一者連接到該承載板，且其中該等線性致動器的每一者穿過一樞軸接頭連接到該基底板。
  11. 如請求項10所述的基板支撐組件，其中該支撐構件定位為穿過一腔室基底中的一開口，且該承載板位於該腔室基底中的該開口下方。
  12. 如請求項10所述的基板支撐組件，進一步包括：一可彎曲(flexible)的密封構件，該密封構件在該基底板和該承載板之間提供一密封，其中該可彎曲的密封構件密封該底座的該支撐構件周圍的一區域。
  13. 如請求項10所述的基板支撐組件，其中該等線性致動器的每一者穿過一球體球形接頭連接到該承載板。
  14. 如請求項10所述的基板支撐組件，其中該等線性致動器的每一者穿過一角旋轉耦接器連接到該承載板。
  15. 如請求項10所述的基板支撐組件，其中該等線性致動器的每一者穿過一接頭連接到該基底板，該接頭僅具有一旋轉自由度。
  16. 如請求項10所述的基板支撐組件，其中該等線性致動器的每一者配置成在基本上垂直該基板支撐表面的一方向上移動該承載板。
  17. 一種基板支撐組件，包括：一支撐構件，其支撐具有一基板支撐表面的一底 座；一承載板，其附接到該支撐構件，其中該承載板配置以樞轉；一定位系統，包括：一基底板；以及兩個或更多個伺服馬達組件，該兩個或更多個伺服馬達組件耦接至該基底板和該承載板，其中該等伺服馬達組件的每一者具有一馬達和一線性致動器；及一控制器，該控制器包括一演算法，該演算法使得該兩個或更多個馬達在該沉積處理期間連續地定向該底座一段時間。
  18. 如請求項17所述之基板支撐組件，其中每個線性致動器耦接到該承載板的一部分，並且配置成沿著一致動方向平移該承載板的該部分，該線性致動器將該基板支撐表面的位置相對於一噴頭的一輸出表面而定向，以及該控制器經配置以使得該兩個或更多個伺服馬達組件調整該底座的方向，使得該底座和噴頭的方向不共面。
  19. 一種基板支撐組件，包括：一支撐構件，其支撐具有一基板支撐表面的一底 座；一承載板，其附接到該支撐構件，其中該承載板配置以樞轉；以及一定位系統，包括：一基底板；以及兩個或更多個伺服馬達組件，該兩個或更多個伺服馬達組件耦接至該基底板和該承載板，其中該等伺服馬達組件的每一者具有一馬達和一線性致動器；及一非暫態電腦可讀取媒體具有指令儲存於其上，該等指令用於當被一處理器執行時，實行處理一基板的一方法，該方法包括以下步驟：使一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面定向成一第一方向，其中該基板支撐表面的該第一方向相對於該輸出表面不共面；以及將該基板支撐表面定向在該第一方向上時，將一第一層的材料沉積在設置於該基板支撐表面上的一基板上。
  20. 如請求項19所述之基板支撐組件，其中處理該基板的該方法進一步包括以下步驟：使該基板支撐表面相對於該輸出表面定向成一第二 方向，其中該基板支撐表面的該第二方向相對於該輸出表面不共面；和根據第二沉積處理沉積一第二層的材料。
  21. 如請求項19所述之基板支撐組件，其中使該基板支撐表面定向的步驟進一步包括使用該兩個或更多個伺服馬達將該基板支撐件的該基板支撐表面相對於該噴頭的該輸出表面定位在該第一方向。
  22. 如請求項19所述之基板支撐組件，其中使該基板支撐表面定向的步驟進一步包括獨立地控制該等伺服馬達。
  23. 如請求項21所述之基板支撐組件，其中當定位該基板支撐表面時，該基板支撐表面相對於該腔室的一中心軸圍繞一樞軸點移動，其中該樞軸點在一承載板下方
  24. 如請求項21所述之基板支撐組件，其中當定向該基板支撐表面時，該等伺服馬達的每一者的速度、方向、或垂直位置被調整。
  25. 一種基板支撐組件，包括：一支撐構件，其支撐具有一基板支撐表面的一底座；一承載板，其附接到該支撐構件，其中該承載板配置以樞轉；以及 一定位系統，包括：一基底板；以及兩個或更多個伺服馬達組件，該兩個或更多個伺服馬達組件耦接至該基底板和該承載板，其中該等伺服馬達組件的每一者具有一馬達和一線性致動器；及一非暫態電腦可讀取媒體具有指令儲存於其上，該等指令用於當被一處理器執行時，實行處理一基板的一方法，該方法包括以下步驟：連續地改變一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面的一方向，其中當該方向連續地改變時，該基板支撐表面的該方向相對於該輸出表面不共面；以及將一第一層的材料沉積在設置於該基板支撐表面上的一基板上，其中該基板支撐表面的該方向是連續地改變。
  26. 如請求項25所述之基板支撐組件，其中連續地改變該基板支撐表面的該方向的步驟進一步包括以下步驟：使用該兩個或更多個伺服馬達連續地改變該基板支撐表面相對於該噴頭的該輸出表面的該方向。
  27. 如請求項25所述之基板支撐組件，其中使 該基板支撐表面定向的步驟包括獨立地控制該等伺服馬達。
  28. 如請求項25所述之基板支撐組件，其中當連續地改變該基板支撐表面相對於該噴頭的該輸出表面的一方向時，該基板支撐件支撐表面相對於一腔室的一中心軸圍繞一樞軸點移動，且其中該樞軸點在一承載板下方。
  29. 如請求項25所述之基板支撐組件，其中當連續地改變該基板支撐表面的一方向時，該等伺服馬達的每一者的速度、方向、或垂直位置被調整。
  30. 一種在一處理腔室中處理一基板的方法，該方法包括以下步驟：使一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面定向成一第一方向，其中該基板支撐表面的該第一方向相對於該輸出表面不平行；以及當將該基板支撐表面定向在該第一方向上，將一第一層的材料沉積在設置於該基板支撐表面上的一基板上；使該基板支撐表面相對於該輸出表面定向成一第二方向，其中該基板支撐表面的該第二方向相對於該輸出表面不平行；以及當將該基板支撐表面定向在該第二方向上時，根據 一第二沉積處理沉積一第二層的材料，其中使該基板支撐表面定向的步驟進一步包括使用兩個或更多個伺服馬達將該基板支撐件的該基板支撐表面相對於該噴頭定位在該第一方向。
  31. 一種在一處理腔室中處理一基板的方法，該方法包括以下步驟：使一基板支撐件的一基板支撐表面相對於一噴頭的一輸出表面定向成一第一方向，其中該基板支撐表面的該第一方向相對於該輸出表面不平行；當將該基板支撐表面定向在該第一方向上時，處理一第一層的材料，該第一層的材料在設置於該基板支撐表面上的一基板上；使該基板支撐表面相對於該輸出表面定向成一第二方向，其中該基板支撐表面的該第二方向相對於該輸出表面不平行；及在該第二方向處理一第二層的材料。
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