TWI744482B - 晶圓的起伏檢測方法及磨削裝置 - Google Patents

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Abstract

當使用磨削裝置磨削晶圓的情形下，設計成不必從磨削裝置取出晶圓而以另一測定裝置進行起伏的測定，來防止加工所需的工程數增加。 　　晶圓的起伏的檢測方法，具備將晶圓(W)保持於保持台(400)之保持步驟、及令平坦的透明板(50)接觸被保持於保持台(400)的晶圓(W)之接觸步驟、及從透明板(50)側照射光之照射步驟，藉由於照射步驟中產生的干涉紋(R)來檢測晶圓(W)的起伏。

Description

晶圓的起伏檢測方法及磨削裝置
本發明有關檢測磨削前的晶圓的被磨削面之起伏或磨削後的晶圓的被磨削面之起伏之檢測方法、及能夠磨削晶圓且能夠檢測該起伏之磨削裝置。
矽晶圓等板狀的被加工物，在藉由磨削裝置(例如參照專利文獻1)被磨削而被薄化成規定的厚度後，藉由切削裝置等被分割而成為個別的元件晶片，被利用於各種電子機器等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2009-094247號公報
[發明所欲解決之問題]
當磨削中的加工條件不適當的情形下或是磨削裝置的各構成要素或磨削砥石有某些異常的情形下，可能會在磨削後的晶圓的被磨削面發生厚度不一致所造成之起伏(面的高低差所造成之形變)。又，為了檢測磨削後的晶圓的被磨削面或磨削前的晶圓的被磨削面之起伏，習知會暫且從磨削裝置將晶圓取出而搬送至另一測定裝置，藉由此測定裝置來進行晶圓之起伏的測定。因此，會有加工所需的工程數增加之問題。
故，當使用磨削裝置磨削晶圓的情形下，如何不必從磨削裝置取出晶圓而以另一測定裝置進行起伏的測定，來防止加工所需的工程數增加，為一待解問題。 [解決問題之技術手段]
用以解決上述待解問題之本發明，係一種晶圓的起伏的檢測方法，具備將晶圓保持於保持台之保持步驟、及令平坦的透明板接觸被保持於該保持台的晶圓之接觸步驟、及從該透明板側照射光之照射步驟，藉由於該照射步驟中產生的干涉紋來檢測晶圓的起伏。
此外，用以解決上述待解問題之本發明，為一種磨削裝置，係具備磨削手段、及保持晶圓之夾盤平台的磨削裝置，其特徵為，更具備：平坦的透明板；及保持該透明板之保持手段；及令該保持手段接近或遠離晶圓之移動手段；及從該透明板側照射光之照射手段；及拍攝因光的照射而產生的干涉紋之拍攝手段。 [發明之功效]
本發明之晶圓的起伏的檢測方法，具備將晶圓保持於保持台之保持步驟、及令平坦的透明板接觸被保持於保持台的晶圓之接觸步驟、及從透明板側照射光之照射步驟，能夠藉由於照射步驟中產生的干涉紋來檢測晶圓的起伏。又，本發明之晶圓的起伏的檢測方法無需將磨削裝置的裝置構成做得複雜而能夠在磨削裝置內實施，因此就不必為了晶圓的起伏之檢測而從磨削裝置將晶圓取出並搬送至另一測定裝置，因此能夠防止導致加工所需的工程數增加。
本發明之磨削裝置，具備平坦的透明板、及保持透明板之保持手段、及令保持手段接近或遠離晶圓之移動手段、及從透明板側照射光之照射手段、及拍攝因光的照射而產生的干涉紋之拍攝手段，藉此能夠在磨削裝置內進行晶圓的起伏之檢測。因此，就不必為了檢測晶圓的起伏而從磨削裝置將晶圓取出並搬送至另一測定裝置，能夠防止導致加工所需的工程數增加。又，能夠在磨削裝置內做晶圓的起伏之檢測，藉此便可迅速地察覺造成在晶圓的被磨削面產生超出容許值的起伏之因素即磨削裝置的各構成要素(例如磨削輪的旋轉軸等)及磨削砥石之異常、以及加工條件之異常。
圖1所示之磨削裝置3，為對藉由夾盤平台30而被吸引保持之晶圓W施以磨削加工之裝置。被施以磨削加工而被薄化之圖1所示之晶圓W，例如為由矽所構成之圓形狀的半導體晶圓，在晶圓W的表面Wa，於藉由分割預定線而被區隔成的格子狀的區域形成有多數個元件。表面Wa，例如藉由未圖示之保護膠帶而受到保護。晶圓W的背面Wb，成為被施以磨削加工之被磨削面。
磨削裝置3的基座3A上的前方(-Y方向側)，為藉由可搬送晶圓W之機械臂330來對夾盤平台30進行晶圓W的裝卸之區域。基座3A上的後方(+Y方向側)，為藉由對晶圓W施以粗磨削之粗磨削手段31或對晶圓W施以精磨削之精磨削手段32來進行被保持於夾盤平台30上的晶圓W的磨削之區域。
在基座3A的前方側，配設有收容磨削前的晶圓W之第一匣331及收容磨削完畢的晶圓W之第二匣332。在第一匣331及第二匣332的鄰近，配設有具有從第一匣331搬出磨削前的晶圓W，並且將磨削完畢的晶圓W搬入第二匣332之功能之機械臂330。
機械臂330，構成為在屈曲自如的臂部330a的先端設有保持晶圓W之保持部330b，在保持部330b的可動域，配設有將加工前的晶圓W對位至規定的位置之對位手段333及將磨削完畢的晶圓W予以洗淨之洗淨手段40。
在對位手段333的鄰近配設有第一搬送手段335，在洗淨手段40的鄰近配設有第二搬送手段336。第一搬送手段335，具有將被載置於對位手段333的磨削前的晶圓W搬送至圖1所示其中一個夾盤平台30之功能，第二搬送手段336，具有將被保持於其中一個夾盤平台30的磨削完畢的晶圓W搬送至洗淨手段40之功能。
在基座3A上的第一搬送手段335的後方側(+Y方向側)，配設有轉盤34，在轉盤34的上面，例如有3個夾盤平台30於圓周方向相距等間隔而配設。轉盤34繞Z軸方向的軸心旋轉，藉此其中一個夾盤平台30會被定位至第一搬送手段335或第二搬送手段336的鄰近。
外形為圓形狀的夾盤平台30，具備由多孔構件等所構成而吸附晶圓W之吸附部300、及支撐吸附部300之框體301。吸附部300連通至未圖示的吸引源，藉由吸引源吸引而產生出的吸引力，會傳達至吸附部300的露出面亦即吸附面300a，藉此夾盤平台30在吸附面300a上將晶圓W予以吸引保持。夾盤平台30，可在轉盤34上自轉。
在基座3A上的後方側，並排立設有柱架3B及柱架3C，在柱架3B的-Y方向側的側面，配設有將粗磨削手段31朝Z軸方向予以磨削饋送之第一磨削饋送手段35，在柱架3C的-Y方向側的側面，配設有將精磨削手段32朝Z軸方向予以磨削饋送之第二磨削饋送手段36。
第一磨削饋送手段35，由具有垂直方向的軸心之滾珠螺桿350、及和滾珠螺桿350平行地配設之一對的導軌351、及令滾珠螺桿350旋動之馬達352、及內部的螺帽和滾珠螺桿350螺合並且側部和導軌351滑接之升降部353所構成。又，隨著馬達352令滾珠螺桿350旋轉，升降部353受到導軌351導引而升降，伴隨此被支撐於升降部353之粗磨削手段31亦升降。
第二磨削饋送手段36，由具有垂直方向的軸心之滾珠螺桿360、及和滾珠螺桿360平行地配設之一對的導軌361、及令滾珠螺桿360旋動之馬達362、及內部的螺帽和滾珠螺桿360螺合並且側部和導軌361滑接之升降部363所構成。又，隨著馬達362令滾珠螺桿360旋轉，升降部363受到導軌361導引而升降，伴隨此被支撐於升降部363之精磨削手段32亦升降。
粗磨削手段31，具備軸方向為Z軸方向之旋轉軸310、及將旋轉軸310可旋轉地予以支撐之心軸外殼311、及將旋轉軸310旋轉驅動之馬達312、及可裝卸地連接至旋轉軸310的下端之磨削輪313。 　　在磨削輪313的底面，有略直方體形狀的複數個粗磨削砥石313a以環狀配設。粗磨削砥石313a，例如是鑽石砥粒等以適當的結合劑(binder)被固著而成形。粗磨削砥石313a，為用於粗磨削之砥石，為砥石中含有的砥粒相對較大之砥石。
例如，在旋轉軸310的內部，連通至磨削水供給源而成為磨削水的通道之未圖示之流路，是朝旋轉軸310的軸方向貫通形成，流路於磨削輪313的底面開口以便能夠朝向粗磨削砥石313a噴出磨削水。
精磨削手段32，是以具備精磨削砥石323a而可旋轉地裝配之磨削輪313，將粗磨削手段31所磨削而被薄化至最終厚度程度之晶圓W的被磨削面予以進一步磨削，能夠提高晶圓W的被磨削面的平坦性。精磨削砥石323a中含有的砥粒，為比粗磨削砥石313a中含有的砥粒還粒徑小之砥粒。精磨削手段32的精磨削砥石323a以外之構成，和粗磨削手段31之構成相同。
在各自鄰接於降下至加工位置的粗磨削手段31及精磨削手段32之位置，各自配設有測定晶圓W的厚度之一對的高度規38A與一對的高度規38B。一對的高度規38A與一對的高度規38B，係具備同一構造，因此僅針對一對的高度規38A說明。一對的高度規38A，具備夾盤平台30的吸附面300a的高度位置測定用之第1高度規381、及晶圓W的背面Wb的高度位置測定用之第2高度規382。第1高度規381檢測作為基準面之框體301的上面的高度位置，第2高度規382檢測晶圓W的被磨削面的高度位置，算出兩檢測值之差，藉此便能於磨削中隨時測定晶圓W的厚度。
以下，說明使用圖1所示磨削裝置3磨削晶圓W之情形。轉盤34朝從+Z軸方向看來逆時針方向自轉，夾盤平台30移動至第一搬送手段335的鄰近。機械臂330從第一匣331拉出一片晶圓W，令晶圓W移動至對位手段333。於對位手段333，晶圓W被定位至規定的位置後，第一搬送手段335將對位手段333上的晶圓W搬送至夾盤平台30的吸附面300a上。然而，藉由未圖示之吸引源而產生出的吸引力傳達至吸附面300a，藉此夾盤平台30會將背面Wb面向上側的狀態之晶圓W予以吸引保持。
轉盤34朝從+Z軸方向看來逆時針方向旋轉，藉此保持著晶圓W的夾盤平台30移動至粗磨削手段31的下方，做磨削輪313與晶圓W之對位。對位，例如是以下述方式進行，即，磨削輪313的旋轉中心相對於晶圓W的旋轉中心而言朝+Y方向錯開恰好規定的距離，使得粗磨削砥石313a的旋轉軌道通過晶圓W的旋轉中心。
隨著圖1所示之旋轉軸310被旋轉驅動，磨削輪313旋轉。此外，粗磨削手段31藉由第一磨削饋送手段35往-Z方向被饋送，旋轉的磨削輪313的粗磨削砥石313a抵接至晶圓W的背面Wb，藉此進行粗磨削加工。此外，隨著夾盤平台30旋轉，被保持於吸附面300a上的晶圓W亦旋轉，故晶圓W的背面Wb的全面會被磨削。此外，磨削水係對粗磨削砥石313a與晶圓W之接觸部位供給，接觸部位受到冷卻、洗淨。
藉由粗磨削而被磨削至最終厚度前一些之晶圓W，接下來被磨削至最終厚度。粗磨削手段31從晶圓W遠離後，轉盤34朝從+Z方向看來逆時針方向旋轉，藉此夾盤平台30移動至精磨削手段32的下方。如圖2所示，進行了精磨削手段32中具備的磨削輪313與晶圓W之對位後，精磨削手段32往-Z方向被饋送，旋轉的精磨削砥石323a抵接至晶圓W的背面Wb，此外，隨著夾盤平台30旋轉，被保持於吸附面300a上之晶圓W旋轉，晶圓W的背面Wb的全面被精磨削。此外，磨削水係對精磨削砥石323a與晶圓W之接觸部位供給，接觸部位受到冷卻、洗淨。
藉由精磨削而被磨削至最終厚度而提高了背面Wb的平坦性之晶圓W，藉由圖1所示之洗淨手段40受到洗淨。精磨削手段32從晶圓W遠離後，轉盤34朝從+Z方向看來逆時針方向自轉，藉此晶圓W移動至第二搬送手段336的鄰近。然後，第二搬送手段336，將夾盤平台30上的晶圓W搬送至洗淨手段40。
圖1、3所示之洗淨手段40，例如為枚葉式(single wafer type)的旋轉器洗淨裝置，具備將晶圓W予以吸引保持之保持台400、及形成於基座3A而將保持台400從側方予以包圍之容器部401、及配設於容器部401的內部而令保持台400旋轉之旋轉手段402、及對被保持於保持台400的晶圓W供給洗淨液之噴嘴403、及用來防止洗淨液的飛散之護罩404。
保持台400，例如其外形為圓形狀，具備由多孔構件等所構成而將晶圓W予以吸附保持之水平的保持面400a。保持面400a，連通至未圖示之吸引源，藉由吸引源的吸引而產生出的吸引力，會傳達至保持面400a。
容器部401的外形，例如形成為多角形狀，在容器部401的底形成有未圖示之排水口。在容器部401的內部的-X方向側的區域，形成有供令噴嘴403迴旋的迴旋手段等設置之台部401a。
如圖3所示，旋轉手段402，至少具備上端被固定於保持台400的底面側而可繞鉛直方向的軸心旋轉之心軸402a、及以馬達等所構成而連結至心軸402a的下端側之旋轉驅動源402b。旋轉驅動源402b令心軸402a旋轉，藉此被固定於心軸402a之保持台400亦旋轉。
連通至未圖示之洗淨液供給源而對晶圓W供給洗淨液之噴嘴403，具備朝向-Z方向側開口而噴射洗淨液之噴射口403a。噴嘴403，藉由可繞Z軸方向的軸心迴旋之臂部405而受到支撐，噴射口403a可從保持台400的上方移動至退避位置。
圖1、3所示之護罩404，具備將保持台400從上方覆蓋之上部護罩404a、及將保持台400從側方包圍之側部護罩404b、及和上部護罩404a一體地形成之托架護罩404c。側部護罩404b，於圖1中係下降而位於容器部401內，於圖3中係呈從容器部401內上昇之狀態。
作用成為可開關的閘門之側部護罩404b，位於容器部401的內側，呈服貼容器部401的側壁之形狀。此外，側部護罩404b，藉由空氣汽缸等而可相對於容器部401上下動。側部護罩404b，於將晶圓W裝卸至保持台400時係下降而被收納於容器部401內而成為開狀態，於洗淨晶圓W時係上昇而成為閉狀態，防止洗淨液等的飛散。
板狀的托架護罩404c，被固定於台部401a上的-X方向側端。 　　上部護罩404a，從+Z方向觀看的情形下具有和容器部401同一平面形狀，形成為從托架護罩404c的上端部朝向+X方向側水平地延伸。若側部護罩404b上昇而成為閉狀態，則上部護罩404a的周緣部的底面會成為和側部護罩404b的上端面接觸之狀態。
於精磨削後的晶圓W之洗淨中，首先，如圖1所示般側部護罩404b下降而被收容於容器部401內，被定位至退避位置。洗淨手段40，上部護罩404a與容器部401之Z軸方向的間隙被開放，可供吸引保持著晶圓W之第二搬送手段336的進入及退出。
藉由第二搬送手段336，晶圓W被搬送至保持台400的保持面400a上，晶圓W於背面Wb成為了上側之狀態下藉由保持台400被吸引保持。此外，第二搬送手段336從洗淨手段40內朝外部退避。接著，如圖3所示，側部護罩404b從容器部401內上昇，藉由上部護罩404a、側部護罩404b、托架護罩404c、及容器部401形成用來洗淨晶圓W之密閉空間。
如圖4所示，噴嘴403迴旋移動，噴射口403a成為面向被保持台400吸引保持的晶圓W的背面Wb之狀態。洗淨液從未圖示之洗淨液供給源供給至噴嘴403，洗淨液從噴射口403a噴射至晶圓W的背面Wb。此外，隨著旋轉手段402令保持台400旋轉，晶圓W亦旋轉，故晶圓W的背面Wb全面被洗淨。然後，洗淨液從晶圓W的背面Wb上朝容器部401內流下，逐漸被排水至外部。晶圓W的洗淨完成後，噴嘴403迴旋移動而從晶圓W的上方退避。
磨削裝置3，例如在圖3所示之洗淨手段40內，更具備平坦的透明板50、及保持透明板50之保持手段51、及令保持手段51接近或遠離晶圓W之移動手段52、及於本實施形態中從透明板50側照射光之照射手段53、及拍攝因光的照射而產生的干涉紋之拍攝手段54。
例如，配設於台部401a上的中央區域之移動手段52為空氣汽缸，具備在內部具備未圖示的活塞之汽缸520、及被插入至汽缸520而一端安裝有活塞之活塞桿521。活塞桿521的另一端，被固定至在保持台400的上方側水平延伸之臂狀的保持手段51的下面。空氣被供給至汽缸520(或排出)而汽缸520的內部壓力變化，藉此活塞桿521會朝Z軸方向移動，保持手段51會朝Z軸方向移動。保持手段51，亦可呈可繞Z軸方向的軸心迴旋。
例如外形形成為圓形板狀之透明板50，係被固定至保持手段51的先端的下面。透明板50的上面50a及下面50b，為具備高平坦性之平坦面，下面50b相對於保持台400的保持面400a而言呈平行的狀態。本實施形態中，作為透明板50，使用Edmund Optics Japan公司製之光學平板(製品名：TS OPTICAL FLAT MIRROR “ZERODUR”)。例如，保持手段51具備感壓感測器等，能夠感測透明板50下降而接觸到晶圓W時之從晶圓W對透明板50施加之正向力(normal force)，並將兩者之接觸通知給移動手段52。
拍攝手段54，例如為由捕捉來自被攝體的反射光之光學系統及輸出和反射光相對應的電子訊號之拍攝元件(CCD)等所構成之相機，藉由具備支撐拍攝手段54的臂部550之拍攝手段移動手段55，而可在保持台400上迴旋移動並且上下動。另，拍攝手段54，亦可並非可移動。
對拍攝手段54的拍攝區域照射光之照射手段53，例如由能夠發出一定波長(例如約589nm)的單色光之鈉燈等光源及限制鈉燈的光束之匯聚透鏡等所構成，係被固定至洗淨手段40的上部護罩404a的下面，其光軸相對於水平面而言呈垂直。照射手段53的構成及配設處並不限定於本實施形態中之例子。照射手段53的配設處，例如亦可為拍攝手段54的鄰近，例如臂部550的下面等。此外，照射手段53，亦可構成為將鈉燈等光源發出的光以半反射鏡予以反射而入射至透明板50。此外，照射手段53亦可構成為能夠照射一定波長的雷射光。
當晶圓W的磨削加工中的加工條件不適當的情形下或如在圖1所示之磨削裝置3的第二磨削饋送手段36或精磨削手段32的精磨削砥石323a有某些異常的情形下等，會因在磨削後的晶圓W的背面Wb發生厚度的不一致所造成之起伏，亦即面的高低差所造成之形變，而有晶圓W的背面Wb的平坦性變低之情形。鑑此，為了檢測磨削後的晶圓W的背面Wb的起伏，係實施本發明之起伏檢測方法。
(1)保持步驟 　　首先，如圖5所示，洗淨後的晶圓W，於被磨削面亦即背面Wb例如成為上側之狀態藉由保持台400被吸引保持。
(2)接觸步驟 　　位於保持台400的上方之透明板50，藉由移動手段52往-Z方向下降，透明板50的下面50b和晶圓W的背面Wb接觸。另，當晶圓W的背面Wb的起伏大的情形下等，透明板50的下面50b和晶圓W的背面Wb，會成為不是以面而是以數點或1點接觸之狀態。又，保持手段51的感壓感測器，感測透明板50和晶圓W之接觸而將該資訊通知給移動手段52，藉此透明板50的下降會停止。
(3)照射步驟 　　接下來，照射手段53從透明板50側照射單色光，藉由照射出的光會垂直入射至透明板50。另，較佳是藉由上部護罩404a、側部護罩404b、托架護罩404c、及容器部401來形成密閉空間，以免藉由照射手段53照射出的光以外之多餘的光從外部入射。當在磨削後的晶圓W的背面Wb發生厚度的不一致所造成之起伏的情形下，在接觸晶圓W之透明板50的下面50b與晶圓W的背面Wb之間，會產生微小的間隙。因此，由於存在於此微小的間隙之空氣層，在透明板50的下面50b反射的光和在晶圓W的背面Wb反射的光會干涉，而形成干涉紋(牛頓環)。
確定藉由單色光的照射而產生之干涉紋的對焦點、位置、及擴大率等，拍攝手段54以拍攝元件(CCD)捕捉干涉紋，例如形成涵括透明板50全體之拍攝圖像。另，拍攝手段54所形成的拍攝圖像，亦可為涵括透明板50的上面50a的一部分之圖像。 　　例如，在拍攝手段54，連接有檢測手段8，該檢測手段8係觀察、測定拍攝手段54所形成的拍攝圖像中拍到的干涉紋而檢測晶圓W的背面Wb的起伏，拍攝手段54將有關形成的拍攝圖像之資訊發送至檢測手段8。
檢測手段8，在圖6所示之具備規定的解析度的輸出畫面B上顯示拍到干涉紋R之拍攝圖像，由輸出畫面B上顯示的干涉紋R來檢測晶圓W的背面Wb的起伏。例如，干涉紋R的條數愈少而干涉紋R的形狀愈趨近圓，則晶圓W的背面Wb的平坦性高而起伏少。例如，干涉紋R為不等間隔而成為同心圓狀之處，能夠檢測在晶圓W的背面Wb有平緩的球面狀的起伏。此外，干涉紋R成為例如2組的雙曲線狀之處，能夠檢測在晶圓W的背面Wb有鞍型的起伏。
例如，檢測手段8，亦可設計成伴隨起伏之檢測而執行下記的式1，來算出晶圓W的背面Wb的面精度，亦即晶圓W的背面Wb的最高位置與最低位置之高低差。 　　(照射光的波長/2)×(干涉紋R的彎曲量/各干涉紋R間的間隔)＝面精度…(式1) 　　此外，例如亦可設計成在保持台400的底面側，配設調節保持台400的保持面400a的傾斜之傾斜調節機構，藉由此傾斜調節機構將以保持台400吸引保持之晶圓W的背面Wb相對於水平面而言予以傾斜，並且進行照射手段53所致之光照射及拍攝手段54所致之拍攝圖像形成，藉由檢測手段8監視輸出畫面B上顯示的干涉紋R的移動方向，藉此來判定晶圓W的背面Wb的起伏的凹凸。又，亦可設計成能夠算出晶圓W的厚度的不一致。另，作為將保持手段51做成能夠調節透明板50的傾斜之構成，亦可設計成能夠調節透明板50的下面50b的傾斜來監視干涉紋R的移動方向。
本發明之晶圓的起伏的檢測方法，具備將晶圓W保持於保持台400之保持步驟、及令平坦的透明板50接觸被保持於保持台400的晶圓W之接觸步驟、及從例如透明板50側照射光之照射步驟，能夠藉由於照射步驟中產生的干涉紋R來檢測晶圓W的起伏。又，本發明之晶圓的起伏的檢測方法無需將磨削裝置3的裝置構成做得複雜而能夠在磨削裝置3內實施，因此就不必為了晶圓W的起伏之檢測而從磨削裝置3將晶圓W取出並搬送至另一測定裝置，因此能夠防止導致加工所需的工程數增加。
此外，本發明之磨削裝置3，具備平坦的透明板50、及保持透明板50之保持手段51、及令保持手段51接近或遠離晶圓W之移動手段52、及從例如透明板50側照射光之照射手段53、及拍攝因光的照射而產生的干涉紋R之拍攝手段54，藉此能夠在磨削裝置3內進行晶圓W的起伏之檢測。因此，就不必為了檢測晶圓W的起伏而從磨削裝置3將晶圓W取出並搬送至另一測定裝置，能夠防止導致加工所需的工程數增加。又，能夠在磨削裝置3內做晶圓W的起伏之檢測，藉此便可迅速地察覺造成在晶圓W的被磨削面亦即背面Wb產生超出容許值的起伏之因素即磨削裝置3的各構成要素(例如精磨削手段32的旋轉軸310等)及精磨削砥石323a之異常、以及加工條件之異常。
另，本發明之磨削裝置3及本發明之晶圓的起伏檢測方法不限定於上述實施形態，此外，針對所附圖面中圖示之磨削裝置3的構成等亦不限定於此，在能夠發揮本發明功效之範圍內可適當變更。例如，透明板50、保持手段51、移動手段52、照射手段53、及拍攝手段54的配設處不限定於洗淨手段40內，例如亦可設計成在基座3A上的第二搬送手段336的鄰近配設透明板50、保持手段51、移動手段52、照射手段53、及拍攝手段54，而能夠對被保持於夾盤平台30之晶圓W實施本發明之起伏檢測方法。 　　此外，本發明之起伏檢測方法，亦可設計成於粗磨削手段31所致之晶圓W的粗磨削結束後實施。
W‧‧‧晶圓Wa‧‧‧晶圓的表面Wb‧‧‧晶圓的背面3‧‧‧磨削裝置3A‧‧‧基座3B、3C‧‧‧柱架30‧‧‧夾盤平台300‧‧‧吸附部300a‧‧‧吸附面301‧‧‧框體31‧‧‧粗磨削手段310‧‧‧旋轉軸311‧‧‧心軸外殼312‧‧‧馬達313‧‧‧磨削輪313a‧‧‧粗磨削砥石32‧‧‧精磨削手段323a‧‧‧精磨削砥石330‧‧‧機械臂330a‧‧‧臂部330b‧‧‧保持部331‧‧‧第一匣332‧‧‧第二匣333‧‧‧對位手段335‧‧‧第一搬送手段336‧‧‧第二搬送手段34‧‧‧轉盤35‧‧‧第一磨削饋送手段350‧‧‧滾珠螺桿351‧‧‧導軌352‧‧‧馬達353‧‧‧升降部36‧‧‧第二磨削饋送手段360‧‧‧滾珠螺桿361‧‧‧導軌362‧‧‧馬達363‧‧‧升降部38A、38B‧‧‧一對的高度規381‧‧‧第1高度規382‧‧‧第2高度規40‧‧‧洗淨手段400‧‧‧保持台400a‧‧‧保持面401‧‧‧容器部401a‧‧‧台部402‧‧‧旋轉手段402a‧‧‧心軸402b‧‧‧旋轉驅動源403‧‧‧噴嘴403a‧‧‧噴射口404‧‧‧護罩404a‧‧‧上部護罩404b‧‧‧側部護罩404c‧‧‧托架護罩50‧‧‧透明板51‧‧‧保持手段52‧‧‧移動手段520‧‧‧汽缸521‧‧‧活塞桿53‧‧‧照明手段54‧‧‧拍攝手段55‧‧‧拍攝手段移動手段8‧‧‧檢測手段B‧‧‧輸出畫面R‧‧‧干涉紋
[圖1] 研磨裝置之一例示意立體圖。 　　[圖2] 藉由精磨削手段進行晶圓的背面之精磨削的狀態示意截面圖。 　　[圖3] 洗淨手段的內部的一例示意立體圖。 　　[圖4] 正在藉由洗淨手段洗淨晶圓的背面的狀態示意截面圖。 　　[圖5] 於透明板和晶圓的背面接觸的狀態下拍攝藉由從透明板側照射光而產生之干涉紋的狀態示意截面圖。 　　[圖6] 顯示於輸出畫面上之拍到干涉紋的拍攝圖像的一例示意說明圖。
8‧‧‧檢測手段
40‧‧‧洗淨手段
50‧‧‧透明板
50a‧‧‧透明板50的上面
50b‧‧‧透明板50的下面
51‧‧‧保持手段
52‧‧‧移動手段
53‧‧‧照明手段
54‧‧‧拍攝手段
55‧‧‧拍攝手段移動手段
400‧‧‧保持台
400a‧‧‧保持面
401‧‧‧容器部
401a‧‧‧台部
402‧‧‧旋轉手段
402a‧‧‧心軸
402b‧‧‧旋轉驅動源
404‧‧‧護罩
404a‧‧‧上部護罩
404b‧‧‧側部護罩
404c‧‧‧托架護罩
520‧‧‧汽缸
521‧‧‧活塞桿
550‧‧‧臂部
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的表面
Wb‧‧‧晶圓的背面

Claims (3)

  1. 一種晶圓的起伏檢測方法，具備：將晶圓保持於保持台之保持步驟；及將被保持於該保持台的該晶圓洗淨之洗淨步驟；及於該洗淨步驟實施後，令平坦的透明板接觸被保持於該保持台之該晶圓之接觸步驟；及從該透明板側照射光之照射步驟；藉由於該照射步驟中產生的干涉紋來檢測該晶圓的起伏。
  2. 一種磨削裝置，係具備磨削手段、及保持晶圓之夾盤平台、及將該晶圓洗淨之洗淨手段的磨削裝置，其特徵為，該洗淨手段更具備：平坦的透明板；及保持該透明板之保持手段；及令該保持手段接近或遠離該晶圓之移動手段；及從該透明板側照射光之照射手段；及拍攝因該光的照射而產生的干涉紋之拍攝手段；在該洗淨手段內，以該拍攝手段拍攝對已洗淨的該晶圓藉由該照射手段從該透明板側照射該光而產生的干涉紋。
  3. 如請求項2記載之磨削裝置，其中，該洗淨手段具備護罩，該護罩防止洗淨液的飛散，並且當藉由該照射手段從該透明板側照射該光時，避免使藉由該照射手段照射的該光以外的多餘的光從該洗淨手段外部入射至 該洗淨手段內。
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