TW202329315A - 磨削裝置 - Google Patents

磨削裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202329315A
TW202329315A TW111150879A TW111150879A TW202329315A TW 202329315 A TW202329315 A TW 202329315A TW 111150879 A TW111150879 A TW 111150879A TW 111150879 A TW111150879 A TW 111150879A TW 202329315 A TW202329315 A TW 202329315A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
axis
grinding
robot
cassette
Prior art date
Application number
TW111150879A
Other languages
English (en)
Inventor
西川浩太郎
宮本弘樹
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202329315A publication Critical patent/TW202329315A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0069—Other grinding machines or devices with means for feeding the work-pieces to the grinding tool, e.g. turntables, transfer means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

[課題]在不導致裝置變大型的情形下，在磨削裝置內復原晶圓ID。 [解決手段]一種磨削裝置1，具備有實施晶圓ID的讀取及復原加工之ID形成單元110。並且，藉由讀取單元130讀取已藉由機器人155載置到暫置工作台154之磨削前的晶圓100的晶圓ID。此外，藉由雷射加工單元135讓晶圓ID在已藉由機器人155載置到暫置工作台154之磨削後的晶圓100上復原。為了實施由ID形成單元110所進行之讀取及復原加工，而使用有既有的構成即機器人155及暫置工作台154。從而，由於可以讓為了晶圓ID的復原而追加之構成變少，因此可以在不導致大型化的情形下，在磨削裝置1內將晶圓ID復原。

Description

磨削裝置
本發明是有關於一種磨削裝置。
在對正面形成有器件且背面具備晶圓ID之晶圓的背面進行磨削的情況下，在專利文獻1記載的技術中，是在晶圓的正面側形成晶圓ID，以免晶圓ID因為磨削而消失。又，在專利文獻2所揭示之技術中，是藉由雷射加工使因為磨削而消失之晶圓ID再現於磨削後之晶圓的背面。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2017-216274號公報 專利文獻2：日本特開2018-166177號公報
發明欲解決之課題
但是，在專利文獻2所記載之技術中，因為磨削裝置、雷射加工裝置、以及將晶圓從磨削裝置搬送至雷射加工裝置的搬送裝置會變得必要，所以導致裝置構成變大。
從而，本發明之目的在於使晶圓ID再現之裝置小型化。 用以解決課題之手段
本發明的磨削裝置(本磨削裝置)具備：工作夾台，保持在背面形成有晶圓ID之晶圓的正面側；及磨削機構，藉由磨削磨石來對該工作夾台所保持之晶圓的背面進行磨削，前述磨削裝置具備：讀取單元，在該工作夾台保持晶圓之前、或在對已保持在該工作夾台之晶圓進行磨削之前，讀取該晶圓ID；及雷射加工單元，將該讀取單元所讀取到的該晶圓ID在已磨削之晶圓的背面進行復原加工。 本磨削裝置亦可具備片匣載台、機器人及搬入機構，前述片匣載台用於載置以層架形式容置晶圓之片匣，前述機器人將晶圓從該片匣載台的該片匣取出，前述搬入機構將已藉由該機器人取出之晶圓搬送到該工作夾台， 該讀取單元亦可讀取該機器人正在保持中之晶圓、或該搬入機構正在保持中之晶圓的該晶圓ID。 本磨削裝置亦可具備用於暫置晶圓之暫置工作台，該讀取單元亦可讀取已暫置在該暫置工作台之晶圓的該晶圓ID。 本磨削裝置亦可具備對該磨削機構所磨削之晶圓進行洗淨之旋轉洗淨機構，該雷射加工單元亦可配置於該旋轉洗淨機構。 發明效果
本磨削裝置具備有讀取單元及雷射加工單元，且可以使用例如用於對工作夾台搬送或搬出晶圓之既有的搬送構件，來對讀取單元及雷射加工單元搬送晶圓。從而，可在不導致裝置的大型化的情形下，在本磨削裝置內復原晶圓ID。
用以實施發明之形態
如圖1所示，本實施形態之磨削裝置1是用於磨削作為被加工物之晶圓100的裝置。晶圓100是例如圓形的板狀工件，且具有正面101以及背面102。於晶圓100的正面101形成有未圖示之器件，且貼附有保護膠帶103。晶圓100的背面102成為施行磨削加工之被加工面。又，在背面102形成有未圖示之晶圓ID(刻印)。
磨削裝置1具有第1裝置基座10、及配置於第1裝置基座10的後方(+Y方向側)之第2裝置基座11。
在第1裝置基座10的正面側(-Y方向側)設置有第1片匣載台160以及第2片匣載台162。在第1片匣載台160載置有可容置加工前之晶圓100的第1片匣161。在第2片匣載台162載置有可容置加工後之晶圓100之第2片匣163。
第1片匣161以及第2片匣163在內部具備有複數個層架，且在各層架呈一片一片地容置晶圓100。亦即，第1片匣161以及第2片匣163以層架形式容置複數個晶圓100。
第1片匣161以及第2片匣163的開口(未圖示)是朝向+Y方向側。在這些開口的+Y方向側配設有機器人155。機器人155具備有保持晶圓100之保持構件150。機器人155會將加工後之晶圓100搬入(收納)到第2片匣163。又，機器人155從第1片匣161將加工前的晶圓100取出，並載置到暫置機構152的暫置工作台154。
暫置機構152是用於暫置從第1片匣161取出之晶圓100而使用，並設置在相鄰於機器人155之位置。暫置機構152具有用於暫置晶圓100之暫置工作台154、實施晶圓的對位之對位構件153、以及使暫置工作台154旋轉之旋轉機構151。
對位構件153具備有：複數個對位銷，在外側配置成包圍暫置工作台154；及滑件，使對位銷在暫置工作台154的徑方向上移動。在對位構件153中，是藉由對位銷於暫置工作台154的徑方向上朝向中央移動，而將連結複數個對位銷之圓縮小直徑。藉此，可將已載置在暫置工作台154之晶圓100對位(對中)於暫置工作台154的中心與晶圓100的中心一致之預定的位置。
在暫置機構152的+Y方向側設置有ID形成單元110。關於此ID形成單元110容後敘述。
又，在相鄰於暫置機構152的位置設置有搬入機構170。搬入機構170具備有吸引保持晶圓100之吸引墊171。搬入機構170將藉由機器人155取出且已暫置在暫置工作台154之晶圓100，藉由吸引墊171來吸引保持，並載置到工作夾台20的保持面22。如此，搬入機構170會將機器人155所保持之晶圓100搬送至工作夾台20。
在第2裝置基座11的上表面側設置有開口部13。並且，在開口部13內配置有工作夾台20，前述工作夾台20具備有保持晶圓100之保持面22。
工作夾台20具備有多孔構件21、及以多孔構件21的上表面露出的方式容置多孔構件21之框體23。多孔構件21的上表面是吸引保持晶圓100的保持面22。保持面22藉由已連通於吸引源(未圖示)，而吸引保持晶圓100的正面101側。亦即，工作夾台20是藉由保持面22來保持晶圓100的正面101側。又，框體23的上表面即框體面24形成為圍繞保持面22，且和保持面22成為同一平面(面齊平)。
工作夾台20可藉由設置於其下方之未圖示的工作台旋轉機構，而在已藉由保持面22保持晶圓100的狀態下，以通過保持面22的中心之旋轉軸作為中心來旋轉。
又，工作夾台20是藉由設置於第2裝置基座11內之未圖示的工作台移動機構而變得可在Y軸方向上移動。 在本實施形態中，工作夾台20是沿著Y軸方向在-Y方向側的工件載置位置與+Y方向側的磨削位置之間移動，前述工件載置位置是用於使晶圓100保持在保持面22之位置，前述磨削位置是已保持在保持面22之晶圓100被磨削之位置。
在工作夾台20的周圍設置有與工作夾台20一起沿著Y軸方向移動之蓋板39。又，在蓋板39連結有在Y軸方向上伸縮的蛇腹蓋12。
又，在第2裝置基座11的+Y方向側豎立設置有支柱15。在支柱15的前表面設置有磨削晶圓100之磨削機構70、以及磨削進給機構60。
磨削進給機構60使工作夾台20與磨削機構70的磨削磨石77在垂直於保持面22之Z軸方向(磨削進給方向)上相對地移動。在本實施形態中，磨削進給機構60構成為使磨削磨石77相對於工作夾台20在Z軸方向上移動。
磨削進給機構60具備有：平行於Z軸方向之一對Z軸導軌61、在此Z軸導軌61上滑動之Z軸移動工作台63、和Z軸導軌61平行的Z軸滾珠螺桿62、Z軸馬達64、用於偵測Z軸滾珠螺桿62的旋轉角度之Z軸編碼器65、以及安裝於Z軸移動工作台63之支持器66。支持器66支撐有磨削機構70。
Z軸移動工作台63是以可在Z軸導軌61上滑動的方式設置。在Z軸移動工作台63固定有未圖示之螺帽部。於此螺帽部螺合有Z軸滾珠螺桿62。Z軸馬達64是連結於Z軸滾珠螺桿62的一端部。
在磨削進給機構60，藉由Z軸馬達64使Z軸滾珠螺桿62旋轉，而讓Z軸移動工作台63沿著Z軸導軌61在Z軸方向上移動。藉此，已安裝於Z軸移動工作台63之支持器66、以及已支撐在支持器66之磨削機構70也和Z軸移動工作台63一起在Z軸方向上移動。
Z軸編碼器65藉由Z軸馬達64使Z軸滾珠螺桿62旋轉而被旋轉，且可以辨識Z軸滾珠螺桿62的旋轉角度。並且，Z軸編碼器65可以依據辨識結果來偵測在Z軸方向上移動之磨削機構70的磨削磨石77的高度位置。
磨削機構70是藉由磨削磨石77來磨削工作夾台20所保持之晶圓100的背面102。磨削機構70具備有：固定於支持器66之主軸殼體71、可旋轉地保持在主軸殼體71之主軸72、旋轉驅動主軸72之主軸馬達73、安裝於主軸72的下端之輪座74、及被輪座74所支撐之磨削輪75。
主軸殼體71以朝Z軸方向延伸的方式保持於支持器66。主軸72以和工作夾台20的保持面22正交的方式於Z軸方向上延伸，且可旋轉地被主軸殼體71所支撐。
主軸馬達73連結於主軸72的上端側。主軸72藉由此主軸馬達73，而以在Z軸方向上延伸之旋轉軸作為中心來旋轉。
輪座74形成為圓板狀，且固定於主軸72的下端(前端)。輪座74支撐有磨削輪75。
磨削輪75形成為外徑為和輪座74的外徑具有大致相同直徑。磨削輪75包含由金屬材料所形成之圓環狀的輪基台76。在輪基台76的下表面，涵蓋全周而固定有已配置排列成環狀之複數個磨削磨石77。磨削磨石77以以其中心為軸的方式藉由主軸馬達73和主軸72一起旋轉，且對已保持在工作夾台20之晶圓100的背面102進行磨削。
又，如圖1所示，在第2裝置基座11中的開口部13的側部配設有厚度測定器80。
厚度測定器80具有保持面高度規81以及上表面高度規82。保持面高度規81藉由接觸於和工作夾台20的保持面22為同一平面之框體23的框體面24，來測定保持面22的高度。上表面高度規82藉由接觸於已保持在保持面22之晶圓100的上表面即背面102，來測定晶圓100的上表面高度即背面102的高度。並且，厚度測定器80依據保持面高度規81的測定值與上表面高度規82的測定值之差分，來計算晶圓100的厚度。
再者，厚度測定器80的保持面高度規81以及上表面高度規82亦可為非接觸式的高度規。 例如，保持面高度規81以及上表面高度規82亦可構成為依據照射於框體23的框體面24以及晶圓100的背面102後之雷射光線(或聲波)的反射光(反射波)，來測定保持面22的高度以及晶圓100的背面102的高度。
磨削後的晶圓100可被搬出機構172搬出。搬出機構172具備有吸引保持晶圓100之吸引墊173。搬出機構172藉由吸引墊173來吸引保持已保持在工作夾台20之晶圓100，並搬送到單片式的旋轉洗淨機構156的旋轉工作台157。
旋轉洗淨機構156是對磨削機構70已磨削之晶圓100進行洗淨之旋轉洗淨單元。旋轉洗淨機構156具備有保持晶圓100之旋轉工作台157、以及朝向旋轉工作台157噴射洗淨水以及乾燥空氣之噴嘴158。
在旋轉洗淨機構156中，是讓保持有晶圓100之旋轉工作台157旋轉，並且朝向晶圓100噴射洗淨水，來讓晶圓100被旋轉洗淨。之後，對晶圓100噴附乾燥空氣，來將晶圓100乾燥。
已被旋轉洗淨機構156洗淨之晶圓100可藉由機器人155而從旋轉洗淨機構156搬出。
在此，說明上述之ID形成單元110的構成。 如圖2所示，ID形成單元110具有豎立設置在第2裝置基座11(參照圖1)之門型支柱111。
門型支柱111具備有箱體112以及X軸方向移動機構120，前述箱體112具備有讀取單元130以及雷射加工單元135，前述X軸方向移動機構120使箱體112沿著平行於暫置機構152的暫置工作台154(參照圖1)的X軸方向移動。
X軸方向移動機構120具備有：平行於X軸方向之一對X軸導軌121、在此X軸導軌121上滑動之X軸移動工作台123、和X軸導軌121平行的X軸滾珠螺桿122、X軸馬達124、以及用於偵測X軸滾珠螺桿122的旋轉角度之X軸編碼器125。
X軸移動工作台123是以可在X軸導軌121上滑動的方式設置，且保持有箱體112。又，X軸移動工作台123具有未圖示之螺帽部。於此螺帽部螺合有X軸滾珠螺桿122。X軸馬達124是連結於X軸滾珠螺桿122的一端部。
在X軸方向移動機構120中，藉由X軸馬達124使X軸滾珠螺桿122旋轉，而讓X軸移動工作台123沿著X軸導軌121在X軸方向上移動。藉此，已保持在X軸移動工作台123之箱體112也會和X軸移動工作台123一起在X軸方向上移動。
X軸編碼器125可以藉由X軸馬達124使X軸滾珠螺桿122旋轉而被旋轉，且辨識X軸滾珠螺桿122的旋轉角度。然後，X軸編碼器125可以依據辨識結果，來偵測在X軸方向上移動之箱體112的位置，亦即已保持在箱體112之讀取單元130的第1相機131以及雷射加工單元135的加工頭136在X軸方向上的位置。
已保持在箱體112之讀取單元130是為了在工作夾台20保持晶圓100之前、或在對已保持在工作夾台20之晶圓100進行磨削前，讀取晶圓ID而使用。
如圖3所示，讀取單元130具有：配置於箱體112的外部之圓柱形的第1相機131、設置於第1相機131的前端之環狀的照明132、以及支撐第1相機131之相機殼體133。
相機殼體133是在箱體112上設置成貫通於第1開口部134，前述第1開口部134設置在箱體112的-Y方向側之面。相機殼體133在-Y方向側的前端具備有第1相機131。又，相機殼體133中的+Y方向側的部分是安裝在後述之Y軸移動工作台143的上表面。
具有這樣的構成之讀取單元130構成為藉由第1相機131拍攝已載置在暫置機構152的暫置工作台154(參照圖1)之晶圓100的背面102，並讀取已形成於背面102之晶圓ID。再者，將所讀取到的晶圓ID記憶於箱體112內的圖2所示之記憶部8。
已和讀取單元130一起保持在箱體112之雷射加工單元135，是為了將讀取單元130讀取到之晶圓ID復原加工於已磨削之晶圓100的背面102而使用。 雷射加工單元135具有配置於箱體112的外部之加工頭136、以及支撐有加工頭136之雷射殼體部137。
雷射殼體部137設置於箱體112，且設置成貫通於已設置在箱體112的-Y方向側的面之第2開口部138。雷射殼體部137在-Y方向側的前端具備有加工頭136。又，雷射殼體部137中的+Y方向側的部分是安裝在Y軸移動工作台143的上表面。
又，如圖4所示，雷射加工單元135在其內部具有例如可拍攝晶圓100之第2相機187、振盪產生雷射光線300之雷射振盪器180、聚光器182、將雷射光線300導往聚光器182之二向分光鏡184、以及使聚光器182沿著上下方向升降之升降機構186。
在這些當中，例如雷射振盪器180是配置在雷射殼體部137，且第2相機187、二向分光鏡184、聚光器182以及升降機構186是配置在加工頭136。
在具有像這樣的構成之雷射加工單元135中，可以藉由以升降機構186調整聚光器182的Z軸方向的位置，來調整雷射光線300的聚光點的高度。並且，雷射加工單元135構成為藉由對已載置於暫置機構152的暫置工作台154上之晶圓100的背面102照射雷射光線，而在背面102形成晶圓ID。再者，從雷射加工單元135所照射之雷射光線300是例如對晶圓100具有吸收性之波長的雷射光線。
再者，如圖5所示，雷射加工單元135中的加工頭136亦可在射出雷射光線300之前端部139的附近具有流體噴射噴嘴191以及流體回收噴嘴193。
流體噴射噴嘴191已連接於流體源192。如藉由箭頭311所示，流體噴射噴嘴191會將從流體源192所供給之流體朝向晶圓100的背面102中的照射雷射光線300之部位即加工點310噴射。流體可為例如空氣、水、或是空氣與水的混合流體(雙流體)。 又，流體噴射噴嘴191亦可具備儲存部與超音波振動板，前述儲存部供水暫時地儲存，前述超音波振動板使超音波振動傳播至已儲存於貯存部之水。並且，流體亦可為傳播了超音波振動之超音波水。
流體回收噴嘴193已連接於吸引源194。流體回收噴嘴193藉由以吸引源194所賦與之吸引力，而如藉由箭頭312所示地從加工點310的附近吸引流體。
在具有像這樣的構成之加工頭136中，可以藉由從流體噴射噴嘴191所噴射之流體來將因為藉由雷射光線300所進行之加工而產生之加工屑從加工點310去除。此外，可以藉由流體回收噴嘴193將已從加工點310去除之加工屑和流體一起吸引並回收。從而，可從加工點310以及加工頭136的前端的附近良好地去除並回收加工屑。從而，可以抑制因為加工屑而污染晶圓100以及加工頭136之情形。
又，如圖3所示，在箱體112的內部具備有用於使讀取單元130以及雷射加工單元135沿著平行於暫置機構152的暫置工作台154(參照圖1)之Y軸方向移動之Y軸方向移動機構140。
Y軸方向移動機構140具備有平行於Y軸方向之一對Y軸導軌141、在此Y軸導軌141上滑動之Y軸移動工作台143、和Y軸導軌141平行的Y軸滾珠螺桿142、Y軸馬達144、以及用於偵測Y軸滾珠螺桿142的旋轉角度之Y軸編碼器145、以及保持這些的保持台146。
Y軸移動工作台143是設置成可在Y軸導軌141上滑動，且保持有相機殼體133以及雷射殼體部137。又，Y軸移動工作台143具有未圖示之螺帽部。於此螺帽部螺合有Y軸滾珠螺桿142。Y軸馬達144是連結於Y軸滾珠螺桿142的一端部。
在Y軸方向移動機構140中，是藉由以Y軸馬達144使Y軸滾珠螺桿142旋轉，而讓Y軸移動工作台143沿著Y軸導軌141在Y軸方向上移動。藉此，已保持於Y軸移動工作台143之相機殼體133及雷射殼體部137、以及已設置於這些的前端之第1相機131及加工頭136也會和Y軸移動工作台143一起在Y軸方向上移動。
Y軸編碼器145可以藉由Y軸馬達144使Y軸滾珠螺桿142旋轉而被旋轉，並辨識Y軸滾珠螺桿142的旋轉角度。並且，Y軸編碼器145可以依據辨識結果，來偵測在Y軸方向上移動之第1相機131以及加工頭136在Y軸方向上的位置。
又，如圖1所示，磨削裝置1具有用於磨削裝置1的控制之控制部7。控制部7具備有依照控制程式來進行運算處理之CPU、及記憶體等之記憶媒體等。控制部7會執行各種處理，並整合控制磨削裝置1的各構成要素。 例如，控制部7控制磨削裝置1的上述之各構件，來執行對晶圓100之磨削處理。
以下，針對藉由控制部7所控制之磨削裝置1中的晶圓100之磨削方法來說明。
[晶圓ID讀取步驟] 首先，控制部7藉由圖1所示之機器人155從第1片匣161將加工前的晶圓100取出，並以背面102成為向上的方式載置於暫置機構152的暫置工作台154，並將晶圓100對位到預定的位置。
之後，控制部7控制暫置機構152的旋轉機構151、以及ID形成單元110中的X軸方向移動機構120(參照圖2)以及Y軸方向移動機構140(參照圖3)，來將讀取單元130的第1相機131配置到已載置在暫置工作台154之晶圓100的已形成於背面102之晶圓ID的正上方。 再者，ID形成單元110亦可不具備X軸方向移動機構120(參照圖2)以及Y軸方向移動機構140(參照圖3)。例如，亦可藉旋轉機構151來使已藉由暫置機構152的對位構件153對位到預定的位置之晶圓100旋轉，而讓第1相機131配置在晶圓ID的正上方。
並且，讀取單元130一邊藉由照明132照射背面102，一邊藉由第1相機131拍攝已形成於背面102之晶圓ID。然後，讀取單元130從藉由拍攝所得到之圖像讀取晶圓100的晶圓ID，並記憶於記憶部8(參照圖2)。 如此，在此步驟中，讀取單元130會讀取已暫置在暫置工作台154之晶圓100的晶圓ID。
[保持步驟] 其次，控制部7控制未圖示之工作台移動機構，而將圖1所示之工作夾台20配置到-Y方向側的工件保持位置。然後，控制部7控制搬入機構170來保持暫置機構152上的晶圓100，並以背面102成為向上的方式來載置到工作夾台20的保持面22。 之後，控制部7控制工作台移動機構，將工作夾台20配置到成為磨削機構70的下方之+Y方向側的磨削位置。
[磨削步驟] 其次，控制部7使磨削機構70的磨削輪75以及工作夾台20旋轉，並且藉由磨削進給機構60將包含磨削磨石77之磨削機構70朝-Z方向磨削進給。藉此，旋轉之磨削輪75的磨削磨石77會接觸於已保持在旋轉之工作夾台20之晶圓100的背面102，而對此背面102進行磨削。
在此磨削步驟中，控制部7藉由厚度測定器80測定被磨削中之晶圓100的厚度。然後，控制部7會將由磨削磨石77所進行之磨削，實施到晶圓100的厚度成為事先設定之預定的厚度為止。再者，已形成於晶圓100的背面102之晶圓ID會因為此磨削而消失。
[洗淨步驟] 磨削步驟之後，控制部7將已保持在工作夾台20之晶圓100藉由搬出機構172來保持，並載置到旋轉洗淨機構156的旋轉工作台157。然後，控制部7會使用旋轉洗淨機構156來洗淨晶圓100。
[晶圓ID復原步驟] 在洗淨步驟之後，控制部7會使用機器人155將已洗淨之晶圓100從旋轉洗淨機構156取出，並再次以背面102成為向上的方式載置於暫置機構152的暫置工作台154，並將晶圓100對位到預定的位置。
之後，控制部7會控制暫置機構152的旋轉機構151、以及ID形成單元110中的X軸方向移動機構120(參照圖2)以及Y軸方向移動機構140(參照圖3)，將雷射加工單元135的加工頭136配置在已載置於暫置工作台154之晶圓100的背面102中的晶圓ID之形成位置的正上方。
其次，控制部7從記憶部8讀出已形成於晶圓100的背面102之晶圓ID。然後，控制部7依據已讀出之晶圓ID的標示，使用X軸方向移動機構120以及Y軸方向移動機構140來調整加工頭136的位置，藉此讓從加工頭136照射於晶圓100的背面102之雷射光線300的照射位置依照晶圓ID的標示來移動。藉此，控制部7可以藉由來自加工頭136之雷射光線300，讓晶圓ID在晶圓100的背面102復原。
之後，控制部7使用機器人155將晶圓100從暫置工作台154取出，並搬入第2片匣載台162上的第2片匣163。
如以上，在本實施形態中，磨削裝置1具備有實施晶圓ID的讀取以及復原加工之ID形成單元110。並且，藉由讀取單元130讀取已藉由機器人155載置到暫置工作台154之磨削前的晶圓100的晶圓ID。此外，藉由雷射加工單元135讓晶圓ID在已藉由機器人155載置到暫置工作台154之磨削後的晶圓100上復原。
如此，在本實施形態中，為了實施由ID形成單元110所進行之讀取以及復原加工，而使用有既有的構成即機器人155以及暫置工作台154。從而，由於可以減少為了晶圓ID的復原而追加之構成，因此可在不導致磨削裝置1的大型化的情形下，在磨削裝置1內將晶圓ID復原。
再者，在上述之實施形態中，是在晶圓ID讀取步驟中，讀取單元130讀取已暫置在暫置工作台154之晶圓100的晶圓ID。 有關於此，讀取單元130亦可讀取從第1片匣161取出且機器人155正在保持中的晶圓100的晶圓ID。
在此情況下，控制部7將已保持在機器人155的保持構件150之晶圓100以背面102成為向上的方式，配置在暫置工作台154的上方之ID形成單元110中的讀取單元130的第1相機131的下方。
然後，控制部7控制ID形成單元110的X軸方向移動機構120及Y軸方向移動機構140、以及機器人155，來將讀取單元130的第1相機131配置到已保持在機器人155之晶圓100的已形成於背面102之晶圓ID的正上方。並且，讀取單元130使用第1相機131來讀取晶圓100的晶圓ID，並記憶於記憶部8。
或者，讀取單元130亦可讀取已保持在搬入機構170之晶圓100的晶圓ID。 在此情況下，控制部7是在暫置機構152中的晶圓100的對位之後，藉由搬入機構170的吸引墊171來吸引保持晶圓100。並且，控制部7將已保持在吸引墊171之晶圓100配置於ID形成單元110中的讀取單元130的第1相機131的下方。
然後，控制部7控制ID形成單元110的X軸方向移動機構120及Y軸方向移動機構140、以及搬入機構170，來將讀取單元130的第1相機131配置到已保持在搬入機構170之晶圓100的已形成於背面102之晶圓ID的正上方。並且，讀取單元130使用第1相機131來讀取晶圓100的晶圓ID，並記憶於記憶部8。
又，在上述之實施形態中，是在設置於暫置機構152的+Y方向側之ID形成單元110具備有讀取晶圓100的晶圓ID之讀取單元130。有關於此，讀取單元130亦可以可讀取已保持在工作夾台20的保持面22之晶圓100的晶圓ID的方式，來配置在工作夾台20的附近。在此情況下，讀取單元130會在藉由磨削磨石77磨削已保持在工作夾台20之晶圓100之前，讀取晶圓100的晶圓ID。
又，在上述之實施形態中，是在設置於暫置機構152的+Y方向側之ID形成單元110具備有用於讓晶圓ID在晶圓100的背面102復原之雷射加工單元135。有關於此，雷射加工單元135亦可配置在旋轉洗淨機構156。
在此情況下，在洗淨步驟之後，控制部7藉由雷射光線300讓晶圓ID在已保持在旋轉工作台157之晶圓100的背面102復原。然後，控制部7在旋轉洗淨機構156中，再次將晶圓ID的復原後之晶圓100洗淨。 再者，亦可在機器人155的保持構件150正在保持中的晶圓100、或搬出機構172的吸引墊173正在保持中的晶圓100，讓晶圓ID復原。再者，在上述中，供復原晶圓ID之晶圓100的外周部分是從保持構件150或吸引墊173超出。
之後，控制部7使用機器人155將已洗淨之晶圓100從旋轉洗淨機構156取出，並搬入第2片匣載台162上的第2片匣163。
在此構成中，可以藉由旋轉洗淨機構156而容易地對晶圓ID的復原後之晶圓100進行洗淨。從而，可從晶圓100良好地去除在使用了雷射光線300之晶圓ID的復原時所產生之加工屑。
又，包含讀取單元130以及雷射加工單元135之ID形成單元110亦可配置在旋轉洗淨機構156的附近。
在此情況下，控制部7在晶圓ID讀取步驟中，是藉由機器人155從第1片匣161將加工前的晶圓100取出，並以背面102成為向上的方式來載置到旋轉洗淨機構156的旋轉工作台157。之後，控制部7在藉由ID形成單元110的讀取單元130讀取到旋轉工作台157上之晶圓100的晶圓ID後，藉由機器人155將晶圓100搬送至暫置機構152，來實施上述之保持步驟、磨削步驟及洗淨步驟。
然後，控制部7在洗淨步驟之後，藉由雷射加工單元135讓晶圓ID在已支撐於旋轉工作台157之晶圓100的背面102復原，並實施再次的洗淨。即使是此構成，也可從晶圓100良好地去除在晶圓ID的復原時所產生之加工屑。
又，雷射加工單元135亦可具有使用了檢流計反射鏡(galvanometer mirror)之光學系統。在此情況下，如圖6所示，雷射加工單元135具備振盪產生雷射光線301之振盪器201、使雷射光線301偏向之X軸檢流計反射鏡部205及Y軸檢流計反射鏡部210、改變雷射光線301的方向之方向轉換鏡215、以及fθ透鏡217。
再者，在此構成中，例如振盪器201、X軸檢流計反射鏡部205及Y軸檢流計反射鏡部210是配置在圖3所示之雷射加工單元135的雷射殼體部137，且方向轉換鏡215及fθ透鏡217是配置在雷射加工單元135的加工頭136。
X軸檢流計反射鏡部205包含有X軸鏡子206、及調整X軸鏡子206的旋動角度之X軸致動器207。在X軸檢流計反射鏡部205中，藉由X軸致動器207來調整X軸鏡子206的旋動角度，藉此使來自振盪器201之雷射光線301的光軸在X軸方向上偏向。
Y軸檢流計反射鏡部210包含Y軸鏡子211、及調整Y軸鏡子211的旋動角度之Y軸致動器212。在Y軸檢流計反射鏡部210中，藉由Y軸致動器212來調整Y軸鏡子211的旋動角度，藉此使來自X軸檢流計反射鏡部205之雷射光線301的光軸在Y軸方向上偏向。
方向轉換鏡215會將已因為X軸檢流計反射鏡部205以及Y軸檢流計反射鏡部210而偏向之雷射光線301朝向下方進行方向轉換。 fθ透鏡217將已藉由X軸檢流計反射鏡部205以及Y軸檢流計反射鏡部210而偏向之雷射光線301形成為聚光高度相等的平行的光線，而呈大致垂直地照射於晶圓100的背面102。
在具有像這樣的構成之雷射加工單元135中，可以調整X軸鏡子206及Y軸鏡子211的旋動角度，來調整藉由這些而反射之雷射光線301的偏向狀態，藉此將雷射光線301朝位於fθ透鏡217的下方之晶圓100的背面102的任意位置照射。
在使用像這樣的構成之雷射加工單元135的情況下，控制部7會在晶圓ID復原步驟中，控制暫置機構152的旋轉機構151、以及ID形成單元110中的X軸方向移動機構120(參照圖2)及Y軸方向移動機構140(參照圖3)，將雷射加工單元135的加工頭136配置在已載置於暫置工作台154之晶圓100的背面102中的晶圓ID之形成位置的正上方。
然後，控制部7從記憶部8讀出已形成於晶圓100的背面102之晶圓ID，並依據此晶圓ID的標示，使用X軸致動器207及Y軸致動器212來調整X軸鏡子206及Y軸鏡子211的旋動角度，藉此讓從加工頭136照射於晶圓100的背面102之雷射光線301的照射位置依照晶圓ID的標示來移動。藉此，控制部7可以藉由雷射光線301讓晶圓ID在晶圓100的背面102復原。 再者，雷射加工單元135亦可固定配置於暫置工作台154的上方，且僅藉由調整X軸鏡子206及Y軸鏡子211的旋動角度來使晶圓ID復原。 又，亦可在使用配置於旋轉工作台157的上方之雷射加工單元135來使晶圓ID復原時，使旋轉工作台157連續旋轉，並藉由編碼器來辨識旋轉工作台157的旋轉角度，來使晶圓ID復原。又，如上述，亦可對連續旋轉之晶圓100的上表面供給水而形成水層來使晶圓ID復原，而防止因雷射加工所造成之髒污附著到晶圓100之情形。 又，亦可將雷射加工單元135配置於工作夾台20的上方。
又，在本實施形態中，顯示有對圓形的晶圓100進行磨削的例子。有關於此，本實施形態中的晶圓的形狀並不受限於圓形，亦可為四角形等多角形。
又，在本實施形態中，是藉由讀取單元130的第1相機131對已載置在暫置機構152的暫置工作台154上之晶圓100的背面102進行拍攝，而讀取已形成於背面102之晶圓ID。有關於此，為了讀取晶圓100的背面102的晶圓ID，亦可使用圖4所示之雷射加工單元135的第2相機187。此第2相機187可以透過二向分光鏡184及聚光器182來對已載置在暫置工作台154之晶圓100的背面102進行拍攝。
1:磨削裝置 7:控制部 8:記憶部 10:第1裝置基座 11:第2裝置基座 12:蛇腹蓋 13:開口部 15:支柱 20:工作夾台 21:多孔構件 22:保持面 23:框體 24:框體面 39:蓋板 60:磨削進給機構 61:Z軸導軌 62:Z軸滾珠螺桿 63:Z軸移動工作台 64:Z軸馬達 65:Z軸編碼器 66:支持器 70:磨削機構 71:主軸殼體 72:主軸 73:主軸馬達 74:輪座 75:磨削輪 76:輪基台 77:磨削磨石 80:厚度測定器 81:保持面高度規 82:上表面高度規 100:晶圓 101:正面 102:背面 103:保護膠帶 110:ID形成單元 111:門型支柱 112:箱體 120:X軸方向移動機構 121:X軸導軌 122:X軸滾珠螺桿 123:X軸移動工作台 124:X軸馬達 125:X軸編碼器 130:讀取單元 131:第1相機 132:照明 133:相機殼體 134:第1開口部 135:雷射加工單元 136:加工頭 137:雷射殼體部 138:第2開口部 139:前端部 140:Y軸方向移動機構 141:Y軸導軌 142:Y軸滾珠螺桿 143:Y軸移動工作台 144:Y軸馬達 145:Y軸編碼器 146:保持台 150:保持構件 151:旋轉機構 152:暫置機構 153:對位構件 154:暫置工作台 155:機器人 156:旋轉洗淨機構 157:旋轉工作台 158:噴嘴 160:第1片匣載台 161:第1片匣 162:第2片匣載台 163:第2片匣 170:搬入機構 171,173:吸引墊 172:搬出機構 180:雷射振盪器 182:聚光器 184:二向分光鏡 186:升降機構 187:第2相機 191:流體噴射噴嘴 192:流體源 193:流體回收噴嘴 194:吸引源 201:振盪器 205:X軸檢流計反射鏡部 206:X軸鏡子 207:X軸致動器 210:Y軸檢流計反射鏡部 211:Y軸鏡子 212:Y軸致動器 215:方向轉換鏡 217:fθ透鏡 300,301:雷射光線 310:加工點 311,312:箭頭 +X,-X,Y,+Y,-Y,+Z,-Z:方向
圖1是顯示一實施形態之磨削裝置的構成的立體圖。 圖2是顯示ID形成單元的構成的立體圖。 圖3是顯示ID形成單元中的Y軸方向移動機構的構成的說明圖。 圖4是顯示雷射加工單元的構成例的說明圖。 圖5是顯示雷射加工單元中的加工頭的構成例的說明圖。 圖6是顯示雷射加工單元的其他的構成例的說明圖。
1:磨削裝置
7:控制部
10:第1裝置基座
11:第2裝置基座
12:蛇腹蓋
13:開口部
15:支柱
20:工作夾台
21:多孔構件
22:保持面
23:框體
24:框體面
39:蓋板
60:磨削進給機構
61:Z軸導軌
62:Z軸滾珠螺桿
63:Z軸移動工作台
64:Z軸馬達
65:Z軸編碼器
66:支持器
70:磨削機構
71:主軸殼體
72:主軸
73:主軸馬達
74:輪座
75:磨削輪
76:輪基台
77:磨削磨石
80:厚度測定器
81:保持面高度規
82:上表面高度規
100:晶圓
101:正面
102:背面
103:保護膠帶
110:ID形成單元
150:保持構件
151:旋轉機構
152:暫置機構
153:對位構件
154:暫置工作台
155:機器人
156:旋轉洗淨機構
157:旋轉工作台
158:噴嘴
160:第1片匣載台
161:第1片匣
162:第2片匣載台
163:第2片匣
170:搬入機構
171,173:吸引墊
172:搬出機構
+X,-X,+Y,-Y,+Z,-Z:方向

Claims (4)

  1. 一種磨削裝置，具備： 工作夾台，保持在背面形成有晶圓ID之晶圓的正面側；及 磨削機構，藉由磨削磨石來對該工作夾台所保持之晶圓的背面進行磨削， 前述磨削裝置具備： 讀取單元，在該工作夾台保持晶圓之前、或在對已保持在該工作夾台之晶圓進行磨削之前，讀取該晶圓ID；及 雷射加工單元，將該讀取單元所讀取到的該晶圓ID在已磨削之晶圓的背面進行復原加工。
  2. 如請求項1之磨削裝置，其具備片匣載台、機器人及搬入機構，前述片匣載台用於載置以層架形式容置晶圓之片匣，前述機器人將晶圓從該片匣載台的該片匣取出，前述搬入機構將已藉由該機器人取出之晶圓搬送到該工作夾台， 該讀取單元是讀取該機器人正在保持中之晶圓、或該搬入機構正在保持中之晶圓的該晶圓ID。
  3. 如請求項1之磨削裝置，其具備用於暫置晶圓之暫置工作台， 該讀取單元是讀取已暫置在該暫置工作台之晶圓的該晶圓ID。
  4. 如請求項1之磨削裝置，其具備對該磨削機構所磨削之晶圓進行洗淨之旋轉洗淨機構， 該雷射加工單元是配置於該旋轉洗淨機構。
TW111150879A 2022-01-13 2022-12-30 磨削裝置 TW202329315A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022003681A JP2023102926A (ja) 2022-01-13 2022-01-13 研削装置
JP2022-003681 2022-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202329315A true TW202329315A (zh) 2023-07-16

Family

ID=87087901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111150879A TW202329315A (zh) 2022-01-13 2022-12-30 磨削裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023102926A (zh)
KR (1) KR20230109552A (zh)
CN (1) CN116423318A (zh)
TW (1) TW202329315A (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6657020B2 (ja) 2016-05-30 2020-03-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6877207B2 (ja) 2017-03-28 2021-05-26 株式会社ディスコ ウエーハ加工システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN116423318A (zh) 2023-07-14
KR20230109552A (ko) 2023-07-20
JP2023102926A (ja) 2023-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI667099B (zh) Wafer inspection method and grinding and polishing device
JP6906859B2 (ja) 加工装置
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
JP2010186863A (ja) 位置合わせ機構、加工装置および位置合わせ方法
TWI741151B (zh) 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置
TWI744482B (zh) 晶圓的起伏檢測方法及磨削裝置
KR20190111764A (ko) 연삭 장치
WO2020184179A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5295720B2 (ja) 半導体ウエーハ加工装置
JP2012238658A (ja) ウエーハの面取り部除去装置
TW202329315A (zh) 磨削裝置
JP2005197578A (ja) 板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法
CN116230510A (zh) 晶片的制造方法和磨削装置
US11945074B2 (en) Processing apparatus
CN114734332A (zh) 磨削装置
KR20210092683A (ko) 가공 장치
TW202327779A (zh) 磨削裝置
JP2010005717A (ja) 加工装置
JP6774263B2 (ja) 切削装置
JP7324920B2 (ja) 貼り合わせウェーハのエッジトリミング加工方法、及びエッジトリミング加工装置
KR20230012980A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
TW202212052A (zh) 研磨裝置
TW202333216A (zh) 加工系統
JP2024000233A (ja) 研削装置
CN117954307A (zh) 贴合晶片的加工方法