TWI742229B - 鍍覆裝置、鍍覆方法、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法 - Google Patents

鍍覆裝置、鍍覆方法、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法 Download PDF

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Abstract

為了能夠檢測一基板架的原因而導致的電阻異常，提供一種用於測定基板架的電阻的電阻測定模組，所述基板架具有用於向被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的該電阻的檢查用基板，所述基板架構成為在固持檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的該檢查用基板接觸的一檢查探測器；以及用於對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述探測器之間流動的電流的一電阻值進行測定的一電阻測定器。根據該電阻測定模組，能夠測定該基板架的電阻，能夠檢測該基板架的該電接點或一電路徑的異常。

Description

鍍覆裝置、鍍覆方法、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法
本申請涉及一種鍍覆裝置、鍍覆方法、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法。
公知的是利用基板架固持半導體晶片等基板，並將基板浸漬在鍍覆槽內的鍍覆液中的鍍覆裝置。如圖18所示，基板架具有：與基板W的周緣部接觸的多個內部接點100；分別連接於這些內部接點100的多個外部接點101。將多個內部接點100與多個外部接點101連接起來的配線104配置於基板架的內部。在將基板架配置在鍍覆槽內的規定位置時，外部接點101與連接於電源105的供電端子103接觸。電流通過外部接點101以及內部接點100流向基板W，在鍍覆液的存在下，在基板W的表面形成金屬膜。
在某內部接點100與基板W之間的電阻(以下，簡單稱作內部接點100的電阻)極高或者極低的情況下，流向多個內部接點100的電流不均勻，會在基板面內的膜厚的均勻性方面產生問題。在此，有在將鍍覆物件物即基板固持在基板架的狀態下，對相對於從基板架的內部接點向基板流動的電流的電阻值進行測定，從而進行基板以及基板架的檢查的技術(例如專利文獻1、2)。
專利文獻1：日本特開2015-200017號公報。
專利文獻2：日本特開2005-146399號公報。
在專利文獻1中，在鍍覆物件物即基板固持於基板架的狀態下，測定相對於從基板架的一個電接點通過基板而向基板架的其他電接點流動的電流的電阻。將電阻在容許範圍內時判斷為正常狀態，將電阻不在容許範圍內時判斷為在基板或基板架產生異常。電阻異常主要有兩個原因。一是基板側的原因。例如在基板的表面未均勻形成導電層(籽晶層)的情況，或者在基板塗布抗蝕劑時產生的雜質殘留在基板上情況，基板的表面氧化的情況等時會產生電阻的異常。另一個是基板架側的原因。在基板架的內部接點變形的情況，或者抗蝕劑等異物附著在基板架的內部接點的情況，或者鍍覆液附著於基板架的內部接點的情況等時會產生電阻的異常。但是，在專利文獻1公開的方法中，在電阻產生異常的情況下，不能判斷其原因在基板還是在基板架。例如在基板架有異常，基板本身沒有異常時，通過更換基板架，能夠進行正常的鍍覆處理。另外，在基板有異常，基板架沒有異常的情況下，如果更換基板，其他基板就能夠正常地進行鍍覆處理。但是，對於如上所述的判斷，需要瞭解電阻的異常的原因在基板側還是在基板架側。
在此，本申請的一個目的在於，能夠檢測由在基板架產生的原因所導致的電阻的異常。另外，本申請的一個目的在於，能夠檢測由在基板產生的原因所導致電阻的異常。
(方式1)根據方式1，提供一種用於測定一基板架的一電阻的一電阻測定模組，所述基板架具有用於向一被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的電阻的一檢查用基板，所述基板架構成為在固持檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的該檢查用基板接觸的一檢查探測器；以及用於對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述檢查探測器之間流動的電流的一電阻值進行測定的一電阻測定器。根據方式1的電阻測定模組，能夠測定該基板架的該電阻，能夠檢測該基板架的該電接點或一電路徑的異常。
(方式2)根據方式2，在方式1的電阻測定模組中，所述電阻測定模組具有一檢查用基板，該檢查用基板具有電絕緣的多個區域。
(方式3)根據方式3，在方式2的電阻測定模組中，所述電阻測定器構成為所述檢查探測器能夠與所述檢查用基板的所述多個區域接觸。
(方式4)根據方式4，在方式3的電阻測定模組中，所述電阻測定器的所述檢查探測器構成為能夠向所述檢查用基板的一面內方向移動。
(方式5)根據方式5，在方式3的電阻測定模組中，所述電阻測定器具有一支承部件，所述檢查探測器安裝於所述支承部件，所述支承部件構成為能夠以與所述檢查用基板的該面垂直的一軸為中心旋轉。
(方式6)根據方式6，在方式3至方式5中任一項所述的 電阻測定模組中，所述電阻測定器具有多個檢查探測器，所述多個檢查探測器構成為能夠與所述檢查用基板的所述多個區域分別接觸。
(方式7)根據方式7，提供一種基板架，該基板架具有：用於一支承基板的一基板支承部；用於向該被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點；以及配置在所述基板支承部之上的一導電板；在該基板架未固持基板的狀態下，所述電接點、所述導電板構成為能夠接觸。根據方式7，能夠測定該基板架的電阻，能夠檢測該基板架的電接點或一電路徑的異常。另外，能夠不使用該檢查用基板而檢測基板架的電接點或該電路徑的異常。
(方式8)根據方式8，在方式7的基板架中，具有：用於向被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的多個電接點；配置在所述基板支承部之上的多個導電板；在該基板架未固持基板的狀態下，所述多個電接點與所述多個導電板構成為能夠分別接觸。
(方式9)根據方式9，提供一種檢查基板架的方法，該方法具有：使一檢查用基板固持於所述基板架的步驟；使用於向固持於所述基板架的基板供給電流的、能夠與該基板接觸的電接點與所述檢查用基板接觸的步驟；使該檢查探測器與所述檢查用基板接觸的步驟；對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述探測器之間流動的電流的一電阻值進行測定的步驟。根據方式9的方法，能夠測定該基板架的該電阻，能夠檢測該基板架的該電接點或該電路徑的異常。
(方式10)根據方式10，在方式9的方法中，具有基於測定的該電阻值而判斷該基板架能否使用的步驟。
(方式11)根據方式11，提供一種檢查基板架的方法，在該方法中，所述基板架具有：用於一支承基板的一基板支承部；用於向被固持基板供給電流的、能夠與一基板接觸的一電接點；以及配置在所述基板支承部之上的導電板；在基板架未固持基板的狀態下，所述電接點、所述導電板構成為能夠接觸，所述方法具有：使所述電接點與所述導電板接觸的步驟；使檢查探測器與所述導電板接觸的步驟；對經由所述導電板而在所述電接點與所述探測器之間流動的電流的電阻值進行測定的步驟。根據方式11，能夠測定基板架的電阻，能夠檢測基板架的電接點或電路徑的異常。另外，能夠不使用檢查用基板而檢測基板架的電接點或電路徑的異常。
(方式12)根據方式12，在方式11的方法中，具有基於測定的電阻值而判斷基板架能否使用的步驟。
(方式13)根據方式13，提供一種鍍覆處理方法，在該方法中，具有：準備一基板架、一導電部件以及一電阻測定模組的步驟，所述基板架具有能夠與被固持鍍覆物件即該基板接觸的多個電接點，所述導電部件具有與所述多個電接點的數量相同數量的彼此電絕緣的通電區域，所述電阻測定模組具有一探測器；在所述基板架未固持鍍覆物件的該基板的狀態下，使所述多個電接點分別與所述多個通電區域分別接觸的步驟；使所述探測器與所述多個通電區域分別接觸，來測定在所述電接點與所述探測器之間流動的電流的一電阻值的步驟；基於測定的該電阻值而判斷該基板架能否使用的步驟；使該鍍覆物件即咳基板固持於被判定為能使用的該基板架的步驟；以及使該固持鍍覆物件的該基板的該基板架浸漬在鍍覆液來進行電解鍍覆的步驟。根據方式13的方法，能夠測定該基板架的 該電阻，能夠檢測該基板架的該電接點或該電路徑的異常。導電部件可以是該檢查用基板或者也可以是設於該基板架的該導電板。
(方式14)根據方式14，提供一種電腦可讀取的記錄介質，記錄有如下的程式：在由用於控制一鍍覆處理裝置的動作的一控制裝置執行時，所述控制裝置控制所述鍍覆處理裝置執行方式13所記載的鍍覆處理方法。該記錄介質能夠是任意的記錄介質，例如CD，DVD，硬碟，快閃記憶體等非易失性的記錄介質。
(方式15)根據方式15，提供一種程式，使在包含電腦的控制裝置中執行方式13所記載的方法。
(方式16)根據方式16，提供一種鍍覆處理裝置的維護方法，該維護方法具有：將一鍍覆裝置切換為一基板架的檢查用的維護模式的步驟；按照以下的(1)~(4)的順序進行的步驟：(1)使一基板架配置在一電阻測定模組來測定一基板架的一電阻，(2)將所測定的該電阻傳遞到該控制裝置，並在該控制裝置進行判斷測定的該基板架的該電阻是否在規定的範圍內的檢查，(3)將檢查完成的該基板架配置在一存放裝置，(4)對該鍍覆裝置內的未檢查的該基板架繼續進行上述(1)~(3)的處理，直至檢查終止；以及對通過檢查而判斷為該電阻未在規定的範圍內的該基板架進行維護的步驟。根據方式16的維護方法，能夠對在該鍍覆處理裝置使用的全部基板架進行檢查。
(方式17)根據方式17，提供一種鍍覆裝置，該鍍覆裝置具有：對作為一鍍覆對象物的一基板的一邊緣部的一導電層的電阻進行測定的一電阻測定器；以及用於固持基板的一基板架；在利用所述基板架固持基板之前，所述電阻測定器對該基板的該電阻進行 測定。根據方式17的該鍍覆裝置，通過在剛要開始鍍覆處理時對該基板的該邊緣部的該導電層的該電阻進行測定，能夠發現該基板的不良。由於經過一段時間，有時在該基板的該邊緣部的該導電層形成一氧化膜，或者附著有從抗蝕劑揮發的一有機物，因此通過在剛要開始鍍覆處理時判定該基板的狀態，能夠進行良好的鍍覆處理。
(方式18)根據方式18，在方式17的鍍覆裝置中，所述電阻測定器構成為對該基板的該邊緣部的該導電層的多個位置的電阻進行測定。
(方式19)根據方式19，在方式17或方式18的鍍覆裝置中，所述電阻測定器具有探針，該探針構成為與基板的邊緣部的導電層接觸。
(方式20)根據方式20，在方式19的鍍覆裝置中，所述探針構成為能夠沿基板的周向移動。根據方式20，通過不使基板移動或旋轉而使探針移動，能夠測定基板的邊緣部的多個區域的電阻。
(方式21)根據方式21，在方式17至方式20中任一項所述的方式的鍍覆裝置中，還具有用於使該基板的朝向與規定的方向一致的定位器，所述電阻測定器構成為對配置於所述定位器的該基板的該電阻進行測定。根據方式21，能夠使用該定位器的旋轉機構來測定該基板的多個區域的電阻。另外，由於不需要用於測定該基板的電阻的專用的位置，因此能夠防止鍍覆裝置的設置面積增大。
(方式22)根據方式22，在方式17至方式20中任一項所述的鍍覆裝置中，還具有用於將該基板固定於所述基板架的一固定單元，所述電阻測定器構成為對配置於所述固定單元的該基板的該 電阻進行測定。根據方式22，由於不需要用於測定該基板的該電阻的專用的位置，因此能夠防止鍍覆裝置的設置面積增大。
(方式23)根據方式23，在方式17至方式22中任一項所述的鍍覆裝置中，還具有接收由所述電阻測定器測定的一電阻值的該控制裝置，所述控制裝置構成為基於所接收的所述電阻值來判斷該基板的狀態。根據方式23，能夠利用控制裝置自動地判定該基板的良否。
(方式24)根據方式24，在方式17至方式23中任一項所述的鍍覆裝置中，還具有用於清洗該基板的一邊緣部的一邊緣部清洗裝置。根據方式24，通過對基於該基板的該邊緣部的該電阻的該測定值而判斷為不良的該基板的該邊緣部進行清洗，能夠除去形成於該基板的該邊緣部的一氧化膜、附著的異物，從而使該基板成為良好的狀態。
(方式25)根據方式25，提供一種電腦程式，使在具有：對一鍍覆物件物即該基板的一邊緣部的一導電層的一電阻進行測定的一電阻測定器；用於固持該基板的一基板架；以及具有一電腦的一控制裝置的一鍍覆裝置中執行以下步驟：在將該基板架固持於該鍍覆對象物即該基板之前，對所述基板的該邊緣部的該導電層的該電阻進行測定的步驟；以及基於測定的該基板的該電阻來判斷所述基板的狀態的步驟。
(方式26)根據方式26，在方式25的電腦程式中，測定該電阻的步驟具有對所述基板的該邊緣部的該導電層的多個位置的該電阻進行測定的步驟。
(方式27)根據方式27，在方式25或方式26的電腦程式 中，還執行對該基板的該邊緣部進行清洗的一步驟。根據方式11，通過對基於該基板的該邊緣部的該電阻的該測定值而判斷為不良的該基板的該邊緣部進行清洗，能夠除去形成於該基板的該邊緣部的一氧化膜、附著的異物，從而使該基板成為良好的狀態。
(方式28)根據方式28，在方式25至方式27中任一項所述的方式的電腦程式中，還執行在鍍覆處理後，對鍍覆處理後的該基板的該邊緣部的該導電層的該電阻進行測定的一步驟。根據方式28，通過在鍍覆處理的前後測定該基板的該邊緣部的該導電層的該電阻，能夠檢測在鍍覆處理中是否在該基板架產生了洩漏。
(方式29)根據方式29，提供一種電腦可讀取的非暫時性的記錄介質，該記錄介質記錄方式25至方式28中任一項所述的方式的電腦程式。
(方式30)根據方式30，提供一種鍍覆方法，該鍍覆方法具有：在將一鍍覆對象物即該基板固持於該基板架之前，對所述基板的一邊緣部的一導電層的一電阻進行測定的步驟；以及基於測定的該基板的該電阻來判斷所述基板的狀態的步驟。根據方式30，通過在剛要開始鍍覆處理時測定該基板的該邊緣部的該導電層的該電阻，能夠發現該基板的不良。由於經過一段時間，有時在該基板的該邊緣部的該導電層形成一氧化膜，或者附著有從抗蝕劑揮發的一有機物，因此通過在剛要開始鍍覆處理時判定該基板的狀態，能夠進行良好的鍍覆處理。
(方式31)根據方式31，提供一種鍍覆裝置，該鍍覆裝置具有：對作為鍍覆對象物的基板的邊緣部的導電層的電阻進行測定的第一電阻測定器；以及用於固持基板的基板架；所述第一電阻測定 器構成為在利用所述基板架固持基板之前對基板的電阻進行測定，所述鍍覆裝置還具有用於測定基板架的電阻的架電阻測定模組，所述基板架具有用於向被固持基板供給電流的、能夠與基板接觸的電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的電阻的檢查用基板，所述基板架構成為在固持檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述架電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的檢查用基板接觸的檢查探測器；以及用於對經由檢查用基板而在所述電接點與所述檢查探測器之間流動的電流的電阻值進行測定的第二電阻測定器。
10:鍍覆槽
20:旋轉沖洗乾燥器
27:箭頭線
28:箭頭線
40:定位器
60:基板架
61:基部
62:密封架
63:鉸鏈
64:壓環
64a:突條部
65:第一固持部件
66:第二固持部件
67:夾具
68:固持面
69:把手
70:密封部件
71:外部接點
73:電接點
75:導電板
102:單元
120:固定單元
124:存放裝置
126:預濕槽
128:預浸槽
130a:第一清洗槽
130b:第二清洗槽
132:噴吹槽
134:鍍覆槽
140:基板架搬運裝置
142:第一輸送裝置
144:第二輸送裝置
170A:裝載/卸載部
170B:處理部
200:電阻測定模組
202:測定槽
204:架固定部
206:電阻測定器
208:檢查探測器
210:支承部件
212:輪輻
214:軸
216:電動機
218:移動機構
220:切換開關
500:控制裝置
10-2:鍍覆槽
20-2:旋轉沖洗乾燥器
40-2:定位器
41-2:基部
43-2:定位器光源
44-2:光檢測器
45-2:邊緣部清洗裝置
46-2:光
60-2:基板架
61-2:基部
62-2:密封架
63-2:鉸鏈
64-2:壓環
64a-2:突條部
65-2:第一固持部件
66-2:第二固持部件
67-2:夾具
68-2:固持面
69-2:把手
70-2:密封部件
70a-2:唇部
70b-2:唇部
71-2:支承體
72-2:電接點
72b-2:腳部
73-2:導電體
120-2:固定單元
122-2:基板搬運裝置
124-2:存放裝置
126-2:預濕槽
128-2:預浸槽
130a-2:第一清洗槽
130b-2:第二清洗槽
132-2:噴吹槽
134-2:鍍覆槽
140-2:基板架搬運裝置
142-2:第一輸送裝置
144-2:第二輸送裝置
170A-2:裝載/卸載部
170B-2:處理部
200-2:電阻測定器
202-2:電阻測定頭
204-2:探針
206-2:支承軸部件
208-2:伸長部件
500-2:控制裝置
W:基板
WT:檢查用基板
S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116、S118、S200、S202、S204、S206、S208、S210、S212、S300、S302、S304、S306、S308、S310、S400、S402、S404、S406:步驟
S102-2、S104-2、S106-2、S108-2、S110-2、S112-2、S114-2、S116-2、S200-2、S202-2、S204-2、S206-2、S208-2、S210-2、S212-2、S214-2、S216-2:步驟
圖1是一實施例的鍍覆裝置的整體配置圖。
圖2是在圖1所示的鍍覆裝置中使用的、一實施例的基板架的立體圖。
圖3是表示圖2所示的基板架的電接點的剖視圖。
圖4是概略表示一實施例的電阻測定模組的前視圖。
圖5是圖4所示的電阻測定模組的側視圖。
圖6是表示一實施例的檢查用基板的圖。
圖7是表示一實施例的檢查探測器的移動機構的示意圖。
圖8是表示一實施例的檢查探測器的示意圖。
圖9是表示一實施例的、對固持檢查用基板的基板架的電阻進行測定時的狀態的剖視圖。
圖10是概略表示一實施例的基板架的俯視圖。
圖11是表示圖10所示的基板架的電接點的剖視圖。
圖12是表示在圖10所示的基板架中，第二固持部件66關閉 並測定電阻時的狀態的剖視圖。
圖13是表示在圖10所示的基板架中，固持鍍覆物件物即基板的狀態的剖視圖。
圖14是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。
圖15是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。
圖16是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。
圖17是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。
圖18是表示基板架的電路的示意圖。
圖19是一實施例的鍍覆裝置的整體配置圖。
圖20是在圖19所示的鍍覆裝置中使用的基板架的立體圖。
圖21是表示圖20所示的基板架的電接點的剖視圖。
圖22是概略表示一實施例的電阻測定器的側視圖。
圖23是概略表示圖22所示的電阻測定器的俯視圖。
圖24是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖25是表示作為一例，將厚度不同的銅作為籽晶層的基板的電阻的實測值的圖表。
圖26是表示一實施例的具有邊緣部清洗裝置的定位器的示意俯視圖。
圖27是圖26所示的箭頭線27-27的定位器的示意剖視圖。
圖28是圖26所示的箭頭線28-28的定位器的示意剖視圖。
圖29是表示一實施例的鍍覆方法的流程圖。
圖30是表示一實施例的鍍覆方法的流程圖。
圖31是表示基板架的電路的示意圖。
圖32A是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖32B是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖32C是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖32D是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖33是圖32A~圖32D的電阻測定器的示意側視圖。
圖34A是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖34B是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖35是圖34A、圖34B的電阻測定器的示意側視圖。
圖36A是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖36B是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖36C是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖36D是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖37是圖36A~圖36D的電阻測定器的示意側視圖。
圖38A是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖38B是概略表示一實施例的電阻測定器的俯視圖。
圖39是圖38A、圖38B的電阻測定器的示意側視圖。
以下，參照附圖對本發明的鍍覆裝置、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法的實施例進行說明。在附圖中，對相同或類似的要素標注相同或類似的附圖標記，在各實施例的說明中，省略對於相同或類似的要素的重複說明。另外，各實施例所表示的特徵只要不彼此矛盾，則能夠適用於其他實施例。
圖1是一實施例的鍍覆裝置的整體配置圖。如圖1所示，該鍍覆裝置大體分為：在基板架60裝載基板或從基板架60卸載基 板的裝載/卸載部170A、對基板進行處理的處理部170B。
在裝載/卸載部170A設有3台前開式晶圓盒(Front-Opening Unified Pod：FOUP)102；使基板的取向平面(定向平面)或者凹口等位置與規定的方向一致的定位器40；使鍍覆處理後的基板高速旋轉而乾燥的旋轉沖洗乾燥器20。前開式晶圓盒102將半導體晶片等多個基板多層地收納。在旋轉沖洗乾燥器20的附近設置有固定單元120，該固定單元120載置基板架60而進行基板的裝卸。在這些單元102、40、20、120的中央配置有由在這些單元間搬運基板的搬運用自動裝置構成的基板搬運裝置122。
固定單元120構成為能夠載置兩個基板架60。在固定單元120，在一方的基板架60與基板搬運裝置122之間進行了基板的交接後，在另一方的基板架60與基板搬運裝置122之間進行基板的交接。
鍍覆裝置的處理部170B具有：後述電阻測定模組200、存放裝置124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、噴吹槽132、第二清洗槽130b、鍍覆槽10。電阻測定模組200具體後述，是測定基板架60的電阻的模組。在存放裝置124中，進行基板架60的保管以及暫時放置。在預濕槽126中，基板浸漬在純水中。在預浸槽128中，將形成在基板的表面的籽晶層等導電層的表面所具有的氧化膜蝕刻除去。在第一清洗槽130a中，預浸後的基板與基板架60一起被清洗液(純水等)清洗。在噴吹槽132中，進行清洗後的基板的除液。在第二清洗槽130b中，鍍覆後的基板與基板架60一起被清洗液清洗。電阻測定模組200、存放裝置124、 預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、噴吹槽132、第二清洗槽130b以及鍍覆槽10按照此順序配置。
例如，鍍覆槽10具有多個鍍覆槽134，鍍覆槽134具有溢流槽。各鍍覆槽134在內部收納有一個基板，使基板浸漬在固持於內部的鍍覆液中。在鍍覆槽134中，通過在基板與陽極之間施加電壓，而在基板表面進行銅鍍覆等鍍覆。此外，例如，在TSV(Through Silicon Via：矽通孔)鍍覆的情況下，也可以在鍍覆前的基板的凹部形成阻擋層以及/或粘著層(例如，Ta、Ti、TiW、TiN、TaN、Ru、Co、Ni、W等)以及籽晶層(Cu、Ru、Ni、Co等)。
鍍覆裝置具有位於這些各設備的側方，在這些各設備之間將基板架60與基板一起搬運的，例如採用線性馬達方式的基板架搬運裝置140。該基板架搬運裝置140具有第一輸送裝置142、第二輸送裝置144。第一輸送裝置142構成為在電阻測定模組200、固定單元120、存放裝置124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a以及噴吹槽132之間搬運基板。第二輸送裝置144構成為在第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、噴吹槽132以及鍍覆槽10之間搬運基板。在其他實施例中，鍍覆裝置也可以僅具有第一輸送裝置142以及第二輸送裝置144中的任一方，任一輸送裝置在電阻測定模組200、固定單元120、存放裝置124、預濕槽126、預浸槽128、第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、噴吹槽132以及鍍覆槽10之間搬運基板。
鍍覆裝置具有用於控制鍍覆裝置的整體的動作的控制裝置500。另外，控制裝置500構成為控制後述電阻測定模組200的動作。控制裝置500能夠由例如具有輸入輸出裝置、顯示裝置、存 儲裝置等的常用電腦或專用電腦等構成，能夠是安裝了用於控制鍍覆裝置的動作的程式的設備。另外，控制裝置500能夠使鍍覆裝置在鍍覆處理模式、維護模式中進行動作。鍍覆處理模式是進行基板的鍍覆處理的模式，維護模式能夠是用於進行鍍覆裝置的維護，例如基板架的維護的模式。
圖2是圖1所示的鍍覆裝置所使用的基板架60的立體圖。如圖2所示，基板架60具有：例如聚氯乙烯制的矩形平板狀的第一固持部件65；經由鉸鏈63開閉自如地安裝在該第一固持部件65的第二固持部件66。在基板架60的第一固持部件65的大致中央部設置有用於固持基板的固持面68。另外，在第一固持部件65的固持面68的外側，沿固持面68的圓周，等間隔地設置有倒L形的夾具67，該夾具67具有向內側突出的突出部。
在基板架60的第一固持部件65的端部，連結有搬運或者懸掛支承基板架60時的作為支承部的一對大致T形的把手69。在圖1所示的存放裝置124內，通過將把手69掛在存放裝置124的周壁上表面，使基板架60被垂直地懸掛支承。另外，利用第一輸送裝置142或第二輸送裝置144把持該懸掛支承的基板架60的把手69來搬運基板架60。此外，在電阻測定模組200、預濕槽126、預浸槽128、清洗槽130a，130b、噴吹槽132以及鍍覆槽10內，基板架60也經由把手69懸掛支承於其周壁。
另外，在把手69設置有用於與外部的電力供給部連接的外部接點71(參照圖4)。該外部接點71經由多個配線與設於固持面68的外周的多個電接點73(參照圖3)電連接。
第二固持部件66具有固定於鉸鏈63的基部61；固定於 基部61的環狀的密封架62。在第二固持部件66的密封架62，旋轉自如地安裝有用於將密封架62向第一固持部件65按壓固定的壓環64。壓環64在其外周部具有向外側突出的多個突條部64a。突條部64a的上表面與夾具67的內側突出部的下表面具有沿著旋轉方向向彼此相反方向傾斜的錐面。
在固持基板時，首先，在打開第二固持部件66的狀態下，將基板載置於第一固持部件65的固持面68，關閉第二固持部件66。接下來，使壓環64向順時針方向旋轉，使壓環64的突條部64a滑入夾具67的內側突出部的內部(下側)。由此，經由分別設於壓環64、夾具67的錐面，使第一固持部件65與第二固持部件66彼此緊固而鎖定，基板被固持。在解除基板的固持時，在第一固持部件65與第二固持部件66被鎖定的狀態下，使壓環64向逆時針旋轉。由此，壓環64的突條部64a從倒L形的夾具67脫離，基板的固持被解除。
圖3是表示圖2所示的基板架60的電接點的剖視圖。如圖3所示，在第一固持部件65的固持面68載置有基板W。在固持面68與第一固持部件65之間配置有多個(圖示中一個)電接點73，該電接點73與從設於圖2所示的把手69的外部接點71延伸的多個配線連接。電接點73以在將基板W載置到第一固持部件65的固持面68上時，該電接點73的端部與基板W的表面接觸的方式多個配置於基板W的圓周外側。此外，在基板W的表面形成有導電層(籽晶層)，在基板W固持於基板架60時，通過使電接點73與基板W的表面的導電膜接觸，而能夠使電流向基板W。
在密封架62的、與第一固持部件65相對的面(圖中下 表面)安裝有在利用基板架60固持基板W時壓接於基板W的表面外周部的密封部件70。另外，在利用基板架60固持基板W時，密封架62的端部如圖3所示地壓接於第一固持部件65。
在被密封部件70以及密封架62夾持的內部，電接點73沿著基板W的圓周配置多個。在圖2所示的第一固持部件65與第二固持部件66被鎖定時，如圖3所示，密封架62被向第一固持部件65按壓，密封部件70被向基板W的表面按壓。由此，基板W的邊緣部以及電接點73被從基板W的被鍍覆面分離，在使固持基板W的基板架60浸漬於鍍覆液而進行鍍覆處理時，電接點73以及基板的邊緣部不與鍍覆液接觸。
為了實現面內均勻性好的鍍覆，需要電流向基板架60的多個電接點73均勻地流動。但是，在某電接點73的電阻大時，向該電接點73流動的電流減少，流經其周圍的電接點73的電流值上升，其結果是，鍍覆不均勻。電接點73的電阻由於電接點73附著有異物、氧化物，或者由於鍍覆液的洩漏而在電接點73附著鍍覆液，或者由於電接點73的變形、安裝不良而使電接點73不能以足夠的接觸面積與基板W的籽晶層接觸，或者由於電接點73的塗覆材料的剝離，而在大多數情況下變得比正常狀態的電阻大。
因此，本發明的鍍覆裝置具有用於測定基板架60的電接點73的電阻的電阻測定模組200。圖4是概略表示一實施例的電阻測定模組200的前視圖。圖5是圖4所示的電阻測定模組200的側視圖。如圖4所示，電阻測定模組200具有基板架60的電阻測定用的測定槽202。在測定槽202的底部設置有用於固定基板架60的架固定部204。架固定部204能夠是供基板架60插入的凹部。 此外，圖4表示將基板架60配置在測定槽202的途中的階段，圖5表示基板架60配置在測定槽202，基板架60固定於架固定部204的狀態。在基板架60被設置在測定槽202時，設於基板架60的把手69的外部接點71與電阻測定器206的一端連接。
在電阻測定模組200中，為了測定基板架60的電阻值，在基板架60固持電阻測定用的檢查用基板WT。圖6是表示檢查用基板WT的圖。檢查用基板WT與作為鍍覆對象的基板W為相同尺寸。另外，在檢查用基板WT的表面形成有導電層(籽晶層)，或者檢查用基板WT構成為具有導電性。需要說明的是，圖6所示檢查用基板WT沿圓周方向電分離為多個區域。檢查用基板WT的區域的數量能夠與基板架60的電接點73的數量相同。在圖6的示例中，檢查用基板WT分割為12個區域。由於檢查用基板WT的各區域分別電絕緣，因此電流能夠從基板架60的各個電接點73向檢查用基板WT的各區域獨立地流動。
如圖4、圖5所示，電阻測定模組200具有電阻測定器206。電阻測定器206可以是通常的數位萬用表。另外，電阻測定模組200具有能夠與固持於基板架60的檢查用基板WT接觸的檢查探測器208。檢查探測器208與電阻測定器206連接。如圖5所示，在將固持檢查用基板WT的基板架60配置在測定槽202的狀態下，使檢查探測器208與檢查用基板WT的各區域接觸，由此，能夠測定基板架60的電阻。通過使檢查探測器208與檢查用基板WT的各區域接觸，能夠測定從基板架60的各自的電接點73以及各電接點73到各外部接點71的配線的電阻。通過預先測定檢查用基板WT的各區域的電阻值，其結果是，能夠測定基板架60的電阻。如上 所述，在基板架60的電接點73有異物的附著、變形等異常時，電接點73的電阻增大。因此，通過測定基板架60的電阻，能夠檢測基板架60的異常的有無。
在一實施例中，電阻測定模組200的檢查探測器208構成為能夠沿著檢查用基板WT的面內方向，特別是檢查用基板WT的周向移動。另外，檢查探測器208構成為能夠向與檢查用基板WT的面垂直的方向移動。圖7是表示一實施例的檢查探測器208的移動機構的示意圖。如圖7所示，檢查探測器208安裝於環狀的支承部件210。在圖7的實施例中，檢查探測器208為一個。檢查探測器208以頂端朝向檢查用基板WT的方式安裝於支承部件210。支承部件210經由輪輻212安裝於中央的軸214。軸214與電動機216連接，能夠利用電動機216旋轉。因此，檢查探測器208能夠沿檢查用基板WT的周向移動。另外，電動機216以及軸214與氣壓式或者液壓式的移動機構218連接，從而使支承部件210以及檢查探測器208能夠沿與檢查用基板WT的面垂直的方向移動。
圖8是表示一實施例的檢查探測器208的示意圖。如圖8所示，檢查探測器208安裝於環狀的支承部件210。在圖8的實施例中，檢查探測器208等間隔地設置有12個，與檢查用基板WT的分割區域的數量以及基板架60的電接點73的數量對應。在圖8所示的實施例中，12個各檢查探測器208經由切換開關220與電阻測定器206連接。在圖8中雖未圖示，在圖8的實施例中與圖7的實施例同樣地，具有使支承部件210沿著與檢查用基板WT的面垂直的方向移動的移動機構218。在圖8的實施例的電阻測定模組200中，能夠使12個各檢查探測器208同時與檢查用基板WT的各 區域同時接觸。利用切換開關220，能夠一邊切換配線的連接一邊測定基板架60的各電接點73的電阻。此外，在圖8的實施例中，與圖7的實施例同樣地，也可以具有使固持檢查探測器208的支承部件210旋轉的機構。
圖9是表示測定固持檢查用基板WT的基板架60的電阻時的狀態的剖視圖。如圖9所示，電流從外部接點71向電接點73以及導電板75流動，能夠經由檢查探測器208而利用電阻測定器206測定電阻。
作為一實施例，基板架60與上述實施例不同，能夠構成為不使用檢查用基板WT而能夠測定基板架60的電接點73的電阻。圖10是概略表示一實施例的基板架60的俯視圖。在圖10中，主要表示基板架60的第一固持部件65，第二固持部件66省略表示。圖11是表示圖10所示的基板架60的電接點的剖視圖。圖11表示具有密封架62的第二固持部件66打開的狀態。圖12是表示在圖10所示的基板架60中，第二固持部件66關閉，而測定電阻時的狀態的剖視圖。圖13是表示在圖10所示的基板架60中，固持鍍覆物件物即基板W的狀態的剖視圖。
圖10~圖13所示的基板架60基本是與圖2、圖3所示的基板架60同樣的結構。但是，圖10~圖13所示的基板架60與圖2、圖3所示的基板架60不同，在固持面68之上設有導電板75。如圖12所示，在沒有基板W的狀態且具有密封架62的第二固持部件66關閉的狀態下，電接點73配置在與導電板75接觸的位置。另外，如圖10所示，導電板75設有12個，能夠分別電獨立地與12個電接點73接觸。此外，本實施例的基板架具有12個電接點， 但只要能夠相對於基板整面實際均勻地供電地配置多個即可，不限於12個。電接點的數量與導電板的數量彼此相同。在測定基板架60的電阻時，如圖12所示，在沒有基板W的狀態且使第二固持部件66關閉的狀態下，使檢查探測器208與導電板75接觸。在該狀態下，電流從外部接點71向電接點73以及導電板75流動，能夠經由檢查探測器208而利用電阻測定器206測定電阻。檢查探測器208及其支承結構以及移動機構能夠與圖4、圖5、圖7、圖8所示的實施例相同。利用圖10~圖13的基板架60，能夠不使用檢查用基板WT而測定基板架60的電阻。此外，導電板也可以不是多個，也可以整體地或局部地在一個導電板上彼此電絕緣，並且，也可以成為具有與電接點的數量相同的多個區域的導電板。
圖14是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。圖14表示在進行基板W的鍍覆處理前進行基板架60的檢查的情況下的檢查方法。圖14所示的檢查方法能夠使用上述實施例的鍍覆裝置、基板架、檢查用基板、電阻測定模組來進行。
首先，在開始鍍覆物件物即基板W的鍍覆之前，將檢查用基板WT配置在定位器40。檢查用基板WT向定位器40的配置能夠利用基板搬運裝置122進行。利用定位器40使檢查用基板WT與規定的朝向一致(S100)。接著，在固定單元120，使檢查用基板WT固持於基板架60(S102)。接著，將固持檢查用基板WT的基板架60配置在電阻測定模組200(S104)。更具體而言，利用第一輸送裝置142，以使基板架60固定於架固定部204的方式配置在測定槽202。接著，在電阻測定模組200測定基板架60的電阻(S106)。更具體而言，使檢查探測器208與檢查用基板WT接觸，測定從基 板架60的外部接點71通過基板架60的內部的配線、電接點73到檢查用基板WT的電路徑的電阻。電阻被關於基板架60的各電接點73進行測定。換言之，使檢查探測器208分別與檢查用基板WT的各分割區域接觸來測定基板架60的電阻。如圖7所示，電阻測定模組200也可以使用具有一個檢查探測器208的結構，或，如圖8所示，也可以使用具有多個檢查探測器208的結構。測定的電阻被向控制裝置500傳遞。接著，在控制裝置500，判斷測定的基板架60的電阻是否在規定的範圍內(S108)。在一實施例中，規定的範圍能夠預先測定正常的基板架60的電阻，並基於實際測定的正常電阻值確定。例如能夠將距離正常的基板架60的各電接點73的電阻的平均值20%以內的範圍設定為規定的範圍。作為判斷的一例，在各電接點73的所有電阻值為規定的範圍內的情況下，能夠判斷為正常的基板架60。另外，也可以在各電接點73的電阻值的偏差為10%以內時判斷為正常的基板架60。例如，偏差能夠根據最大值與最小值的差或者距離平均值的最大偏離來判斷。另外，較佳越是以更高電流密度進行鍍覆的情況，各電接點73的電阻值的偏差越小。此外，在測定各電接點73的電阻值時，也可以對同一電接點73的電阻值進行多次測定，將平均值作為該各電接點73的電阻值。在S108中，在基板架60的電阻不在規定的範圍的情況下，從基板架60卸下檢查用基板WT(S110)。另外，此時，控制裝置500也可以通過警報器、警告顯示等，向使用者告知在基板架60發生異常。電阻不在規定範圍的基板架60是有異常的基板架，因此在鍍覆處理時不能使用，因此使基板架60返回存放裝置124(S112)。不合格的基板架60也可以存儲在控制裝置500中，以不在之後的 鍍覆處理中使用。對於不合格的基板架60，也可以離線進行清洗處理等維護。在S112之後，使檢查用基板WT被固持在新的基板架60(S102)，進行同樣的檢查。在S108，在基板架60的電阻為規定的範圍的情況下，將檢查用基板WT從基板架60卸下(S114)，使鍍覆對象即基板W固持於同基板架60(S116)。然後，在將基板W固持在基板架60的狀態下進行後續的鍍覆處理(S118)。
這樣，在進行基板W的鍍覆處理前，能夠進行所使用的基板架60的檢查。因此，能夠防止由於基板架60的不良而導致的鍍覆處理的缺陷。另外，對於不合格的基板架60，能夠離線進行維護，因此鍍覆處理本身能夠繼續進行。
圖15是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。圖15表示不進行基板W的鍍覆處理，而將鍍覆裝置切換為維護模式，並僅進行同基板架60的檢查的情況的流程。圖15所示的檢查方法能夠使用上述實施例的鍍覆裝置、基板架、檢查用基板、電阻測定模組進行。
首先，在控制裝置500中，將鍍覆裝置切換為基板架60的檢查用的維護模式。將檢查用基板WT配置在定位器40，使檢查用基板WT與規定的方向一致(S200)。接著，在固定單元120，使檢查用基板WT固持於基板架60(S202)。接著，將固持檢查用基板WT的基板架60配置在電阻測定模組200(S204)。更具體而言，利用第一輸送裝置142，使基板架60固定於架固定部204地配置在測定槽202。接著，在電阻測定模組200測定基板架60的電阻(S206)。更具體而言，使檢查探測器208與檢查用基板WT接觸，測定從基板架60的外部接點71通過基板架60的內部的配線、電 接點73到檢查用基板WT的電路徑的電阻。電阻關於基板架60的各電接點73進行測定。換言之，使檢查探測器208分別與檢查用基板WT的各分割區域接觸來測定基板架60的電阻。如圖7所示，電阻測定模組200可以使用具有一個檢查探測器208的結構，或如圖8所示，也可以使用具有多個檢查探測器208的結構。測定的電阻被向控制裝置500傳遞。接著，在控制裝置500，判斷測定的基板架60的電阻是否在規定的範圍內(S208)。在一實施例中，規定的範圍能夠預先測定正常的基板架60的電阻，並基於實際測定的正常電阻值來確定。例如能夠將距離正常的基板架60的各電接點73的電阻的平均值20%以內的範圍設定為規定的範圍。作為判斷的一例，在各電接點73的所有電阻值為規定的範圍內的情況下，能夠判斷為正常的基板架60。另外，也可以在各電接點73的電阻值的偏差為10%以內時判斷為正常的基板架60。例如，偏差能夠根據最大值與最小值的差或者距離平均值的最大偏離來判斷。另外，較佳越是以更高電流密度進行鍍覆的情況，各電接點73的電阻值的偏差越小。另外，在測定各電接點73的電阻值時，也可以對同一電接點73的電阻值進行多次測定，將平均值作為該各電接點73的電阻值。在控制裝置500中，存儲S208的檢查結果。在S208，在基板架60的電阻不在規定的範圍的情況下，控制裝置500也可以通過警報器、警告顯示等，向使用者告知在基板架60發生異常。在S208的判斷結束時，將檢查用基板WT從基板架60卸下(S210)，將檢查完成的基板架60配置到存放裝置124(S212)。然後，使檢查用基板WT固持於下一個基板架60，重複同樣的檢查。如果所有的基板架60的檢查終止，則使鍍覆裝置的維護模式終止。
在該檢查方法中，能夠進行鍍覆裝置內的所有基板架60的檢查。對於在檢查中有異常的基板架60，能夠個別地進行清洗處理等維護。例如僅將在檢查中沒有異常的基板架60留在鍍覆裝置中，進行鍍覆處理，而對於發現異常的基板架60，能夠離線進行維護。
圖16是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。圖16表示在進行基板W的鍍覆處理前進行基板架60的檢查的情況下的檢查方法。另外，圖16表示不使用檢查用基板WT，而進行例如圖10~圖13所示的基板架60的檢查的流程。
首先，在開始鍍覆物件物即基板W的鍍覆前，將基板架60配置在電阻測定模組200(S300)。更具體而言，利用第一輸送裝置142，將基板架60固定在架固定部204地配置於測定槽202。接著，在電阻測定模組200中測定基板架60的電阻(S302)。更具體而言，使檢查探測器208與基板架60的導電板75接觸，測定從基板架60的外部接點71通過基板架60的內部的配線、電接點73到導電板75的電路徑的電阻。電阻關於基板架60的各電接點73進行測定。電阻測定模組200如圖7所示，可以使用具有一個檢查探測器208的結構，或如圖8所示，也可以使用具有多個檢查探測器208的結構。所測定的電阻被傳遞到控制裝置500。接著，在控制裝置500中，判斷測定的基板架60的電阻是否在規定的範圍內(S304)。在一實施例中，規定的範圍能夠預先測定正常的基板架60的電阻，並基於實際測定的正常電阻值確定。例如能夠將距離正常的基板架60的各電接點73的電阻的平均值20%以內的範圍設定為規定的範圍。作為判斷的一例，在各電接點73的所有電阻值 為規定的範圍內的情況下，能夠判斷為正常的基板架60。另外，也可以在各電接點73的電阻值的偏差為10%以內時判斷為正常的基板架60。例如，偏差能夠根據最大值與最小值的差或者距離平均值的最大偏離來判斷。另外，較佳越是以更高電流密度進行鍍覆的情況，各電接點73的電阻值的偏差越小。另外，在測定各電接點73的電阻值時，也可以對同一電接點73的電阻值進行多次測定，將平均值作為該各電接點73的電阻值。在S304，在基板架60的電阻不在規定的範圍的情況下，判斷為發生異常的基板架，不能在鍍覆處理中使用，因此使基板架60返回存放裝置124(S306)。另外，此時，控制裝置500也可以通過警報器、警告顯示等，向使用者告知在基板架60發生異常。不合格的基板架60也可以儲存於控制裝置500，以不在之後的鍍覆處理中使用。對於不合格的基板架60，也可以離線進行清洗處理等維護。在S306之後，將新的基板架60配置在電阻測定模組200，進行同樣的檢查。在S304中，在基板架60的電阻為規定的範圍的情況下，使鍍覆對象即基板W固持於同基板架60(S308)。然後，在將基板W固持於基板架60的狀態下進行後續的鍍覆處理(S310)。
這樣，在進行基板W的鍍覆處理之前，能夠進行使用的基板架60的檢查。因此，能夠防止由於基板架60的不良導致的鍍覆處理的缺陷。另外，對於不合格的基板架60，能夠離線進行維護，因此鍍覆處理本身能夠繼續進行。另外，由於不使用檢查用基板WT，因此不需要用於固持/釋放檢查用基板WT的時間。
圖17是表示一實施例的基板架的檢查方法的流程圖。圖17表示不進行基板W的鍍覆處理，而將鍍覆裝置切換為維護模式， 僅進行同基板架60的檢查的情況的流程。另外，圖17表示不使用檢查用基板WT，而進行例如圖10~圖13所示的基板架60的檢查的流程。
首先，在控制裝置500中，將鍍覆裝置切換為基板架60的檢查用的維護模式。首先，將基板架60配置到電阻測定模組200(S400)。更具體而言，利用第一輸送裝置142，以使基板架60固定在架固定部204的方式配置在測定槽202。接著，在電阻測定模組200測定基板架60的電阻(S402)。更具體而言，使檢查探測器208與基板架60的導電板75接觸，測定從基板架60的外部接點71通過基板架60的內部的配線、電接點73到導電板75的電路徑的電阻。電阻關於基板架60的各電接點73進行測定。電阻測定模組200如圖7所示，可以使用具有一個檢查探測器208的結構，或如圖8所示，也可以使用具有多個檢查探測器208的結構。所測定的電阻被傳遞到控制裝置500。接著，在控制裝置500中，判斷測定的基板架60的電阻是否在規定的範圍內(S404)。在一實施例中，規定的範圍能夠預先測定正常的基板架60的電阻，並基於實際測定的正常電阻值確定。例如能夠將距離正常的基板架60的各電接點73的電阻的平均值20%以內的範圍設定為規定的範圍。作為判斷的一例，在各電接點73的所有電阻值為規定的範圍內的情況下，能夠判斷為正常的基板架60。另外，也可以在各電接點73的電阻值的偏差為10%以內時判斷為正常的基板架60。例如，偏差能夠根據最大值與最小值的差或者距離平均值的最大偏離來判斷。另外，較佳越是以更高電流密度進行鍍覆的情況，各電接點73的電阻值的偏差越小。另外，在測定各電接點73的電阻值時， 也可以對同一電接點73的電阻值進行多次測定，將平均值作為該各電接點73的電阻值。在控制裝置500中，存儲S404的檢查結果。在S404，在基板架60的電阻不在規定的範圍的情況下，控制裝置500也可以通過警報器、警告顯示等，向使用者告知在基板架60發生異常。在S404的判斷結束時，將檢查完成的基板架60配置在存放裝置124(S406)。然後，對於下一個基板架60，重複進行同樣的檢查。如果所有的基板架60的檢查終止，則使鍍覆裝置的維護模式終止。
在該檢查方法中，能夠進行鍍覆裝置內的所有基板架60的檢查。對於在檢查中有異常的基板架60，能夠個別地進行清洗處理等維護。例如僅將在檢查中沒有異常的基板架60留在鍍覆裝置中，進行鍍覆處理，而對於發現異常的基板架60，能夠離線進行維護。另外，由於不使用檢查用基板WT，因此不需要用於固持/釋放檢查用基板WT的時間。
以下，參照附圖對在本發明的鍍覆裝置以及鍍覆裝置中使用的基板架的實施例進行說明。在附圖中，對相同或類似的要素標注相同或類似的附圖標記，在各實施例的說明中，有時會省略相同或類似的要素的重複說明。另外，各實施例所表示的特徵只要不彼此矛盾，則能夠適用於其他實施例。
圖19是一實施例的鍍覆裝置的整體配置圖。如圖19所示，該鍍覆裝置大體分為：將基板裝載在基板架60-2，或從基板架60-2卸載基板的裝載/卸載部170A-2；對基板進行處理的處理部170B-2。
在裝載/卸載部170A-2設有3台前開式晶圓盒 (Front-Opening Unified Pod：FOUP)102-2；使基板的取向平面(定向平面)或者凹口等位置與規定的方向一致的定位器40-2；使鍍覆處理後的基板高速旋轉而乾燥的旋轉沖洗乾燥器20-2。前開式晶圓盒102-2將半導體晶片等多個基板多層地收納。在旋轉沖洗乾燥器20-2的附近設置有載置基板架60-2來進行基板的裝卸的固定單元120-2。在這些單元102-2、40-2、20-2、120-2的中央配置有在這些單元間搬運基板的搬運用自動裝置構成的基板搬運裝置122。
固定單元120-2構成為能夠載置兩個基板架60-2。在固定單元120-2，在一方的基板架60-2與基板搬運裝置122之間進行了基板的交接後，在另一方的基板架60-2與基板搬運裝置122之間進行基板的交接。
鍍覆裝置的處理部170B-2具有：存放裝置124-2、預濕槽126-2、預浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、噴吹槽132-2、第二清洗槽130b-2、鍍覆槽10-2。在存放裝置124-2中，進行基板架60-2的保管以及暫時放置。在預濕槽126-2中，基板浸漬在純水中。在預浸槽128-2中，將形成在基板的表面的籽晶層等導電層的表面所具有的氧化膜蝕刻除去。在第一清洗槽130a-2中，預浸後的基板與基板架60-2一起被清洗液(純水等)清洗。在噴吹槽132-2中，進行清洗後的基板的除液。在第二清洗槽130b-2中，鍍覆後的基板與基板架60-2一起被清洗液清洗。存放裝置124-2、預濕槽126-2、預浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、噴吹槽132-2、第二清洗槽130b-2以及鍍覆槽10-2按照此順序配置。
例如，鍍覆槽10-2具有多個鍍覆槽134-2，鍍覆槽134-2 具有溢流槽。各鍍覆槽134-2在內部收納有一個基板，使基板浸漬在固持於內部的鍍覆液中。在鍍覆槽134-2中，通過在基板與陽極之間施加電壓，而在基板表面進行銅鍍覆等鍍覆。
鍍覆裝置具有位於這些各設備的側方，在這些各設備之間將基板架60-2與基板一起搬運的、例如採用線性馬達方式的基板架搬運裝置140-2。該基板架搬運裝置140-2具有第一輸送裝置142-2、第二輸送裝置144-2。第一輸送裝置142-2構成為在固定單元120-2、存放裝置124-2、預濕槽126-2、預浸槽128-2、第一清洗槽130a-2以及噴吹槽132-2之間搬運基板。第二輸送裝置144-2構成為在第一清洗槽130a-2、第二清洗槽130b-2、噴吹槽132-2以及鍍覆槽10-2之間搬運基板。在其他實施例中，鍍覆裝置也可以僅具有第一輸送裝置142-2以及第二輸送裝置144-2中的任一方，任一輸送裝置在固定單元120-2、存放裝置124-2、預濕槽126-2、預浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、第二清洗槽130b-2、噴吹槽132-2以及鍍覆槽10-2之間搬運基板。
圖20是圖19所示的鍍覆裝置所使用的基板架60-2的立體圖。如圖20所示，基板架60-2具有：例如聚氯乙烯制的矩形平板狀的第一固持部件65-2；經由鉸鏈63-2開閉自如地安裝在該第一固持部件65-2的第二固持部件66-2。在基板架60-2的第一固持部件65-2的大致中央部設置有用於固持基板的固持面68-2。另外，在第一固持部件65-2的固持面68-2的外側，沿固持面68-2的圓周，等間隔地設置有倒L形的夾具67-2，該夾具67-2具有向內側突出的突出部。
在基板架60-2的第一固持部件65-2的端部，連結有搬 運或者懸掛支承基板架60-2時的作為支承部的一對大致T形的把手69-2。在圖19所示的存放裝置124-2內，通過將把手69-2掛在存放裝置124-2的周壁上表面，使基板架60-2被垂直地懸掛支承。另外，利用第一輸送裝置142-2或第二輸送裝置144-2把持該懸掛支承的基板架60-2的把手69-2來搬運基板架60-2。此外，在預濕槽126-2、預浸槽128-2、清洗槽130a-2，130b-2、噴吹槽132-2以及鍍覆槽10-2內，基板架60-2也經由把手69-2懸掛支承於其周壁。
另外，在把手69-2設置有用於與外部的電力供給部連接的未圖示的外部接點。該外部接點經由多個配線與設於固持面68-2的外周的多個導電體73-2(參照圖21)電連接。
第二固持部件66-2具有固定於鉸鏈63-2的基部61-2；固定於基部61-2的環狀的密封架62-2。在第二固持部件66-2的密封架62-2，旋轉自如地安裝有用於將密封架62-2向第一固持部件65-2按壓固定的壓環64-2。壓環64-2在其外周部具有向外側突出的多個突條部64a-2。突條部64a-2的上表面與夾具67-2的內側突出部的下表面具有沿著旋轉方向向彼此相反方向傾斜的錐面。
在固持基板時，首先，在打開第二固持部件66-2的狀態下，將基板載置於第一固持部件65-2的固持面68-2，關閉第二固持部件66-2。接下來，使壓環64-2向順時針方向旋轉，使壓環64-2的突條部64a-2滑入夾具67-2的內側突出部的內部(下側)。由此，經由分別設於壓環64-2、夾具67-2的錐面，使第一固持部件65-2與第二固持部件66-2彼此緊固而鎖定，基板被固持。在解除基板 的固持時，在第一固持部件65-2與第二固持部件66-2被鎖定的狀態下，使壓環64-2向逆時針旋轉。由此，壓環64-2的突條部64a-2從倒L形的夾具67-2脫離，基板的固持被解除。
圖21是表示圖20所示的基板架60-2的電接點的剖視圖。如圖21所示，在第一固持部件65-2的固持面68-2載置有基板W。在固持面68-2與第一固持部件65-2之間配置有多個(圖示中一個)導電體73-2，該導電體73-2與從設於圖20所示的把手69-2的外部接點延伸的多個配線連接。導電體73-2以在將基板W載置到第一固持部件65-2的固持面68-2上時，該導電體73-2的端部在基板W的側方，在第一固持部件65-2的表面具有彈簧特性的狀態下露出的方式多個配置於基板W的圓周外側。
在密封架62-2的、與第一固持部件65-2相對的面(圖中下表面)安裝有在利用基板架60-2固持基板W時壓接於基板W的表面外周部以及第一固持部件65-2的密封部件70-2。密封部件70-2具有：密封基板W的表面的唇部70a-2、密封第一固持部件65-2的表面的唇部70b-2。
在被密封部件70-2的一對唇部70a-2、70b-2夾持的內部安裝有支承體71-2。構成為能夠從導電體73-2向支承體71-2供電的電接點72-2利用例如螺栓等固定，並沿著基板W的圓周配置多個。電接點72-2具有：向固持面68-2的內側延伸的電接點端部72a-2、構成為能夠從導電體73-2供電的腳部72b-2。
在圖20所示的第一固持部件65-2與第二固持部件66-2被鎖定時，如圖21所示，密封部件70-2的內周面側的短的唇部70a-2向基板W的表面按壓，外周面側的長的唇部70b-2向第一固 持部件65-2的表面按壓。由此，唇部70a-2以及唇部70b-2之間被確實地密封，基板W被固持。
在被密封部件70-2密封的區域，即被密封部件70-2的一對唇部70a-2、70b-2夾持的區域，導電體73-2與電接點72-2的腳部72b-2電連接，並且電接點端部72a-2與基板W的邊緣部上的籽晶層接觸。由此，在一邊利用密封部件70-2密封一邊利用基板架60-2固持基板W的狀態下，能夠經由電接點72-2向基板W供電。
如上所述，在形成有籽晶層的基板W，預先形成抗蝕劑圖案。基板W在被搬運到圖19所示的鍍覆裝置之前，進行UV的照射等，除去基板表面上的抗蝕劑殘渣(灰化處理)並且進行抗蝕劑表面的親水化處理(除渣(
Figure 107102217-A0305-02-0036-1
)處理)。進行了灰化處理以及除渣處理的基板W在之後被搬運到鍍覆裝置，被基板架60-2固持。在此，在基板W的未塗佈有抗蝕劑的邊缘部上的籽晶層，由於在灰化處理以及除渣處理之後經過時間，因此有時會形成氧化膜，或者附着從抗蝕劑揮發的有機物。由於如圖21所示那样，電接點72-2與基板W的邊缘部上接觸，因此在基板W的邊缘部上的籽晶層形成氧化膜，或者附著有機物時，有時在基板架60-2的多個電接點72-2彼此的接觸電阻中產生偏差，使鍍覆膜厚的均勻性惡化。
在一實施例中，鍍覆裝置具有測定基板W的邊緣部的籽晶層的電阻的電阻測定器200-2。此外，在本說明書中，基板W的邊緣部為能夠與電接點72-2接觸的區域，或在利用基板架60-2固持基板W時，比密封部件70-2接觸的部分更靠近基板W的周緣部側的區域。例如，在本實施例中，為比圖21所示的密封部件70-2 的唇部70a-2所抵接的部分更靠近外周側的區域，從基板W的外周緣部朝向基板中心約5mm的範圍內，更較佳為約2mm的範圍內。圖22是概略表示一實施例的電阻測定器200-2的側視圖。圖23是概略表示圖22所示的電阻測定器200-2的俯視圖。在一實施例中，電阻測定器200-2能夠配置在定位器40-2或固定單元120-2。或者，電阻測定器200-2也可以設置在鍍覆裝置內的專用的電阻測定部位。電阻測定器200-2具有電阻測定頭202-2。電阻測定頭202-2能夠是具有與測定物件即基板W大致相同的直徑，或者比基板W的直徑大的直徑的圓板狀的構造物。電阻測定頭202-2構成為能夠利用未圖示的移動機構沿與基板W的面的垂直方向移動。另外，作為一實施例，電阻測定頭202-2也可以構成為能夠沿著電阻測定頭202-2的中心軸以及基板W的中心軸旋轉。
如圖22，23所示，電阻測定器200-2具有配置在電阻測定頭202-2的下表面，即與基板W相對的面的探針204-2。在電阻測定頭202-2沿著基板W的方向移動時，探針204-2在電阻測定頭202-2上配置在探針204-2與基板W的邊緣部接觸的位置。在圖23的實施例中，表示了四個探針204-2，探針204-2的數量能夠任意設定，至少將一個探針204-2設於電阻測定頭202-2上。在一實施例中，探針204-2能夠是具有利用四探針法實現電阻測定的探測器的結構。
在一實施例中，電阻測定器200-2能夠測定基板W的邊緣部的多個位置的電阻。當在定位器40-2配置有電阻測定器200-2時，由於定位器40-2具有旋轉機構，因此能夠使配置在定位器40-2上方的基板W旋轉，使探針204-2與基板W的邊緣部的多個位置接 觸，從而在各個位置測定電阻。在設置有多個探針204-2的情況下，也可以使多個探針204-2同時與基板W的不同位置接觸，而同時測定基板W的多個位置的電阻。在將電阻測定器200-2配置在定位器40-2的情況下，電阻測定頭202-2也可以不具有旋轉機構。另外，在電阻測定器200-2設於固定單元120-2的情況下，使電阻測定頭202-2適當旋轉，能夠測定基板W的多個位置的電阻。另外，在設置有多個探針204-2的情況下，也可以使多個探針204-2同時與基板W的不同位置接觸，而同時測定基板W的多個位置的電阻。在設置多個探針204-2的情況下，也可以沒有電阻測定頭202-2的旋轉機構。
圖24是概略表示一實施例的電阻測定器200-2的俯視圖。在圖24的實施例中，電阻測定頭202-2具有一個探針204-2。圖24的實施例中的電阻測定頭202-2利用未圖示的移動機構，能夠沿基板W的半徑方向或者周向移動，另外，能夠沿與基板W的面垂直的方向移動。在電阻測定器200-2配置在定位器40-2的情況下，利用定位器40-2使基板W旋轉，由此，能夠測定基板W的多個邊緣部的電阻。
圖32A~圖32D是概略表示一實施例的電阻測定器200-2的俯視圖。在圖32A~圖32D的實施例中，基板W為多邊形的基板，並是大致長方體的形狀的基板。另外，在圖32A~圖32D中，為了圖示的明確化，僅圖示基板W、電阻測定器200-2，其他結構省略。圖33是圖32A~圖32D的電阻測定器200-2的示意側視圖。如圖33所示，電阻測定器200-2具有支承軸部件206-2。支承軸部件206-2構成為能夠利用電動機等旋轉。另外，支承軸部件206-2構 成為能夠沿與基板W的表面平行的兩個正交方向(圖32A~圖32D中的上下左右方向)直線移動。此外，支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面垂直的方向(圖33中的上下方向)移動。伸長部件208-2從支承軸部件206-2向與基板W的表面平行的方向延伸。伸長部件208-2構成為能夠沿與基板W的表面平行的方向伸縮。在伸長部件208-2安裝有電阻測定頭202-2。在電阻測定頭202-2安裝有探針204-2。探針204-2能夠是具有例如通過四探針法實現電阻測定的探測器的結構。探針204-2通過與基板W的邊緣部接觸，而能夠測定基板W的邊緣部的電阻。
為了測定基板W的邊緣部的電阻，電阻測定頭202-2向探針204-2與基板W的邊緣部接觸的位置移動。在圖32A所示的狀態下，支承軸部件206-2能夠沿基板W的邊緣部的方向移動。因此，能夠測定基板W的一個邊緣部的任意位置的電阻。在圖32A所示的狀態下，若測定了基板W的一個邊緣部的電阻，則使支承軸部件206-2旋轉90度並適當變更伸長部件208-2的長度，由此，如圖32B所示，能夠使探針204-2的位置與下一個邊緣部一致。在如圖32B所示的狀態下，通過使支承軸部件206-2沿基板W的邊緣部移動，能夠測定基板W的邊緣部的任意位置的電阻。另外，使支承軸部件206-2旋轉90度，能夠測定基板W的下一個邊緣部的電阻(圖32C)，另外，使支承軸部件206-2再旋轉90度，能夠測定基板W的下一個邊緣部的電阻(圖32D)。這樣，圖32A~圖32D以及圖33所示的實施例的電阻測定器200-2能夠測定多邊形基板的邊緣部的電阻。該電阻測定器200-2能夠配置在定位器40-2或固定單元120-2。或者，電阻測定器200-2也可以設於鍍覆裝置內的專用 的電阻測定部位。圖32A~圖32D以及圖33所示的實施例的電阻測定器200-2在電阻測定器200-2具有移動機構，因此也可以不具有用於使基板W移動的機構。
圖34A、圖34B是概略表示一實施例的電阻測定器200-2的俯視圖。在圖34A、圖34B的實施例中，基板W為多邊形的基板，並是大致長方體的形狀的基板。另外，在圖34A、圖34B中，為了圖示的明確化，僅圖示基板W、電阻測定器200-2，其他結構省略。圖35是圖34A、圖34B的電阻測定器200-2的示意側視圖。如圖35所示，電阻測定器200-2具有支承軸部件206-2。支承軸部件206-2構成為能夠利用電動機等旋轉。另外，支承軸部件206-2構成為能夠在與基板W的表面平行的兩個正交方向(圖34A、圖34B中的上下左右方向)直線移動。另外，支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面垂直的方向(圖35中的上下方向)移動。兩個伸長部件208-2從支承軸部件206-2沿與基板W的表面平行的方向向相反方向延伸。各個伸長部件208-2構成為能夠沿與基板W的表面平行的方向伸縮。在各個伸長部件208-2分別安裝有電阻測定頭202-2。在電阻測定頭202-2安裝有探針204-2。探針204-2能夠是具有例如通過四探針法實現電阻測定的探測器的結構。探針204-2通過與基板W的邊緣部接觸，而能夠測定基板W的邊緣部的電阻。
為了測定基板W的邊緣部的電阻，電阻測定頭202-2向各個探針204-2與基板W的邊緣部接觸的位置移動。在圖34A所示的狀態下，支承軸部件206-2能夠沿基板W的邊緣部的方向移動。因此，能夠同時測定基板W的兩個邊緣部的任意位置的電阻。在圖 34A所示的狀態下，在測定基板W的兩個邊緣部的電阻時，通過使支承軸部件206-2旋轉90度，並適當變更伸長部件208-2的長度，如圖34B所示，能夠使探針204-2的位置與下一個邊緣部一致。在圖34B所示的狀態下，通過使支承軸部件206-2沿著基板W的邊緣部移動，能夠測定基板W的邊緣部的任意位置的電阻。這樣，由於圖34A、圖34B以及圖35所示實施例的電阻測定器200-2具有兩個電阻測定頭202-2，因此能夠同時測定多邊形基板的兩個邊緣部的電阻。該電阻測定器200-2能夠配置在定位器40-2或固定單元120-2。或者，也可以將電阻測定器200-2設於鍍覆裝置內的專用的電阻測定部位。圖34A、圖34B以及圖35所示實施例的電阻測定器200-2在電阻測定器200-2具有移動機構，因此也可以沒有用於使基板W移動的機構。
圖36A~圖36D是概略表示一實施例的電阻測定器200-2的俯視圖。在圖36A~圖36D的實施例中，基板W為多邊形的基板，並是大致長方體的形狀的基板。另外，在圖36A~圖36D中，為了圖示的明確化，僅圖示基板W、電阻測定器200-2，其他結構省略。圖37是圖36A~圖36D的電阻測定器200-2的示意側視圖。如圖37所示，電阻測定器200-2具有支承軸部件206-2。支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面平行的方向(圖36A~圖36D中的左右方向)直線移動。另外，支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面垂直的方向(圖37中的上下方向)移動。伸長部件208-2從支承軸部件206-2向與基板W的表面平行的方向延伸。伸長部件208-2構成為能夠在與基板W的表面平行的方向上伸縮。在伸長部件208-2安裝有電阻測定頭202-2。在電阻測定頭202-2 安裝有探針204-2。探針204-2能夠是具有例如通過四探針法實現電阻測定的探測器結構。探針204-2通過與基板W的邊緣部接觸，而能夠測定基板W的邊緣部的電阻。在圖37所示的實施例中，在固持基板W的機構(例如定位器40-2或固定單元120-2等)具有旋轉機構，能夠使基板W旋轉。
為了測定基板W的邊緣部的電阻，向探針204-2與基板W的邊緣部接觸的位置調整伸長部件208-2的長度。在圖36A所示的狀態下，支承軸部件206-2能夠沿基板W的邊緣部的方向移動。因此，能夠測定基板W的一個邊緣部的任意位置的電阻。在圖36A所示的狀態下，在測定基板W的一個邊緣部的電阻時，通過使支承軸部件206-2旋轉90度，並適當變更伸長部件208-2的長度，如圖36B所示，能夠使接觸銷204-2的位置與下一個邊緣部一致。在如圖36B所示的狀態下，通過使支承軸部件206-2沿基板W的邊緣部移動，能夠測定基板W的邊緣部的任意位置的電阻。另外，使支承軸部件206-2旋轉90度，能夠測定基板W的下一個邊緣部的電阻(圖36C)，另外，使支承軸部件206-2再旋轉90度，能夠測定基板W的下一個邊緣部的電阻(圖36D)。這樣，圖36A~圖36D以及圖37所示的實施例的電阻測定器200-2能夠測定多邊形基板的邊緣部的電阻。該電阻測定器200-2能夠配置在定位器40-2或固定單元120-2。或者，電阻測定器200-2也可以設於鍍覆裝置內的專用的電阻測定部位。在如圖36A~圖36D以及圖37所示的實施例中，由於在基板W側具有旋轉機構，因此在電阻測定器200-2也可以不設置旋轉機構。
圖38A、圖38B是概略表示一實施例的電阻測定器200-2 的俯視圖。在圖38A、圖38B的實施例中，基板W為多邊形的基板，並是大致長方體的形狀的基板。另外，在圖38A、圖38B中，為了圖示的明確化，僅圖示基板W、電阻測定器200-2，其他結構省略。圖39是圖38A、圖38B的電阻測定器200-2的示意側視圖。如圖39所示，電阻測定器200-2具有支承軸部件206-2。另外，支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面平行的方向(圖34A、圖34B的左右方向)直線移動。另外，支承軸部件206-2構成為能夠沿與基板W的表面垂直的方向(圖39的上下方向)移動。兩個伸長部件208-2從支承軸部件206-2沿與基板W的表面平行的方向向相反方向延伸。各個伸長部件208-2構成為能夠沿與基板W的表面平行的方向伸縮。在各個伸長部件208-2分別安裝有電阻測定頭202-2。在電阻測定頭202-2安裝有探針204-2。探針204-2能夠是具有例如通過四探針法實現電阻測定的探測器結構。探針204-2通過與基板W的邊緣部接觸，而能夠測定基板W的邊緣部的電阻。在圖39所示的實施例中，在固持基板W的機構(例如定位器40-2或固定單元120-2等)上設置有旋轉機構，能夠使基板W旋轉。
為了測定基板W的邊緣部的電阻，電阻測定頭202-2向各個探針204-2與基板W的邊緣部接觸的位置移動。在圖38A所示的狀態下，支承軸部件206-2能夠沿基板W的邊緣部的方向移動。因此，能夠同時測定基板W的兩個邊緣部的任意位置的電阻。在圖38A所示的狀態下，在測定基板W的兩個邊緣部的電阻時，通過使基板W旋轉90度，並適當變更伸長部件208-2的長度，如圖38B所示，能夠使探針204-2的位置與下一個邊緣部一致。在圖38B所示的狀態下，通過使支承軸部件206-2沿基板W的邊緣部移動，能 夠測定基板W的邊緣部的任意位置的電阻。這樣，圖38A、圖38B以及圖39所示的實施方的電阻測定器200-2具有兩個電阻測定頭202-2，因此能夠同時測定多邊形基板的兩個邊緣部的電阻。該電阻測定器200-2能夠配置在定位器40-2或固定單元120-2。或者，也可以將電阻測定器200-2設於鍍覆裝置內的專用的電阻測定部位。在圖38A，圖38B以及圖39所示的實施例中，由於在基板W側具有旋轉機構，因此在電阻測定器200-2也可以不具有旋轉機構。
電阻測定器200-2與控制裝置500-2(參照圖19、圖22)連接。利用電阻測定器200-2測定的基板W的邊緣部的電阻值傳遞到控制裝置500-2。在控制裝置500-2，判斷傳遞的基板W的邊緣部的電阻值是否在規定的範圍內。作為一實施例，規定的範圍能夠是例如根據形成在基板W上的籽晶層的厚度等理論算出的值。或者，也可以根據預先測定形成籽晶層的作為基準的標準基板的電阻值的實際測定值來確定規定的範圍。在該情況下，標準基板也可以是籽晶層的厚度不同的多個標準基板。電阻值的規定的範圍保存在控制裝置500-2。圖25是表示作為一例，將厚度不同的銅作為籽晶層的基板的電阻的實際測定值的圖表。
在利用電阻測定器200-2測定基板W的多個區域的邊緣部的電阻值的情況下，在各區域的電阻值都在規定的範圍內的情況下，判斷為能夠進行鍍覆處理的基板。另外，也可以將各區域的電阻值的偏差在規定的範圍內作為能夠進行鍍覆處理的判斷基準。例如也可以在各區域的電阻值的偏差為+15%到-15%的範圍內時判斷為能夠進行鍍覆的基板。例如，電阻值的偏差能夠根據最大值與最 小值的差，或者距離平均值的最大偏離來判斷。另外，在測定基板W的邊緣部的電阻值時，也可以對同一區域的電阻值進行多次測定，將平均值作為該區域的電阻值。
在一實施例中，鍍覆裝置能夠具有邊緣部清洗裝置45-2。作為一例，邊緣部清洗裝置45-2能夠是用於使形成在基板W的邊緣部上的籽晶層的有機物脫離(除去)的結構。作為一實施例，邊緣部清洗裝置45-2能夠設於定位器40-2。或者，也可以在鍍覆裝置內設置用於邊緣部清洗裝置45-2的專用的部位。
圖26是具有邊緣部清洗裝置45-2的定位器40-2的示意俯視圖。圖27是圖26所示的箭頭線27-27的定位器40-2的示意剖視圖，圖28是圖26所示的箭頭線28-28的定位器40-2的示意剖視圖。如圖26至圖28所示，定位器40-2具有基部41-2、旋轉台42-2、定位器光源43-2、光檢測器44-2、邊緣部清洗裝置45-2。
旋轉台42-2構成為吸附基板W的背面，使基板W沿周向旋轉。此外，旋轉台42-2通過靜電吸附式或真空吸附式來吸附基板W。定位器光源43-2構成為向利用旋轉台42-2旋轉的基板W的邊緣部附近照射光46-2。通過使基板W旋轉，在基板W的凹口移動到照射有來自定位器光源43-2的光46-2的位置時，光46-2通過凹口到達光檢測器44。在光檢測器44-2檢測到光46-2時，定位器40-2能夠識別到基板W的凹口位於定位器光源43-2的正下方，從而能夠校正基板W的朝向。
邊緣部清洗裝置45-2是UV照射裝置或等離子體放射裝置。在本實施例中，構成為能夠從基板W的上方向基板W的邊緣部局部地使用UV或等離子體。邊緣部清洗裝置45-2能夠對固持於基 板架60-2之前的基板W的邊緣部局部地使用UV或等離子體。換言之，基板W的除了邊緣部以外的區域不暴露在UV或等離子體中。通過利用旋轉台42-2使基板W旋轉，能夠遍及基板W的邊緣部全周而高效地使用UV或等離子體。在向附著於基板W的邊緣部的有機物照射UV或等離子體時，有機物被分解而生成揮發性物質，從而將成為揮發性物質的有機物揮發除去。UV照射裝置的UV照射源或等離子體放射裝置的等離子體放射口與基板W的距離較佳為約1mm以上約10mm以下。在該距離不足1mm時，基板與UV照射源或等離子體放射裝置的等離子體放射口可能物理接觸。另外，在該距離超過10mm時，可能不能局部地照射UV或等離子體。為了使基板與UV照射源或等離子體放射裝置的等離子體放射口更確實地不進行物理接觸，另外為了能夠局部地照射，更較佳該距離為約2mm以上約5mm以下。
在邊緣部清洗裝置45-2為UV照射裝置的情況下，作為UV光源，例如，能夠採用高壓水銀燈、低壓水銀燈、紫外線燈或能夠發出UV區域的光的鐳射光源等。由於高壓水銀燈、低壓水銀燈以及紫外線燈具有使光發散的傾向，因此在採用這些光源的情況下，較佳將光源設於基板W的附近，或者使用光學系統而僅對邊緣部照射UV。在邊緣部清洗裝置45-2為等離子體放射裝置的情況下，能夠採用例如大氣遠端等離子體裝置等。
另外，定位器40-2在基板W的邊緣部也可以具有：從邊緣部的上方，將紫外區域(200nm到380nm)的光，例如具有365nm的波長的光作為激發光而相對於基板W的邊緣部照射，並通過觀察來自邊緣部的反射光來測定吸光度的感測器(分光光度計)，或者 用於照射螢光區域的光而顯示其反射光的強度的感測器(螢光反射膜厚計)。
該感測器(未圖示)也可以設於邊緣部清洗裝置45-2，也可以在定位器40-2另外設置。本實施例的鍍覆裝置的控制裝置500-2根據由該感測器測定的吸光度或螢光強度的值是否是比預先設定的閾值大的值而能夠判定判定邊緣部的污染物質(包括有機物以及氧化膜)是否被充分除去。或者，也可以利用前述電阻測定器200-2測定基板W的邊緣部的電阻，從而判斷邊緣部的污染物質是否被充分除去。例如，在判斷為邊緣部的污染物質未被充分除去的情況下，邊緣部清洗裝置45-2也可以重複實施對基板W的邊緣部局部地放射UV或等離子體的工序。另外，在判定為邊緣部的污染物質被充分除去的情況下，作為完成了有機物的脫離的基板，基板W通過基板搬運裝置122-2而被搬運到固定單元120-2，並在此繼續進行一系列的鍍覆處理。這樣，在鍍覆處理前判定在基板W的邊緣部是否存在污染物質，然後，對在邊緣部不殘存污染物質的基板進行鍍覆處理，從而能夠更確實地防止由基板架60-2具有的電接點的接觸電阻的偏差所導致的基板W的鍍覆膜厚的面內均勻性的惡化等。
邊緣部清洗裝置45-2能夠是與上述實施例不同的結構。例如邊緣部清洗裝置45-2也可以構成為一邊使基板W旋轉一邊供給用於除去形成在基板W的邊緣部的氧化膜的藥液。或者，邊緣部清洗裝置45-2能夠構成為一邊使基板W旋轉，一邊使海綿等與基板W的邊緣部接觸，從而物理地除去形成在基板W的邊緣部的有機物、氧化膜等異物。
圖29是表示一實施例的鍍覆方法的流程圖。作為一實施例，本鍍覆方法能夠使用上述鍍覆裝置來執行。首先，使進行鍍覆處理的基板W利用裝載/卸載部170A-2收入鍍覆裝置內(S102-2)。基板W通過基板搬運裝置122-2而被向定位器40-2搬運，利用定位器40-2使基板的朝向與規定的方向一致(S104-2)。接著，測定基板W的邊緣部的籽晶層的電阻(S106-2)。電阻的測定能夠利用上述電阻測定器200-2進行。判斷測定的電阻是否在規定的範圍內(S108-2)。該判斷例如通過控制裝置500-2進行。在電阻不在規定的範圍內的情況下，認為不能進行均勻的鍍覆，因此使基板W返回前開式晶圓盒102-2。此外，電阻的測定(S106-2~S110-2)也可以在利用定位器40-2使基板的朝向一致(S104-2)前進行。在電阻為規定的範圍內的情況下，使基板W固持於基板架60-2(S112-2)。在使基板W固持於基板架60-2時，進行電流是否從基板架60-2的電接點向基板W流動的導通檢查(S114-2)。此外，導通檢查也可以省略。然後，在使基板W固持在基板架60-2的狀態下，進行後續的鍍覆處理(S116-2)。
利用該鍍覆方法，通過測定基板W的邊緣部的導電層即籽晶層的電阻，能夠檢測基板W的異常，能夠避免不必要的鍍覆處理。在上述專利文獻1的技術中，不能進行電阻的異常是基板側的原因還是基板架側的原因的判斷，而在本發明的鍍覆方法中，能夠檢測基板側的原因導致的電阻的異常。此外，導電層即籽晶層能夠是含有包括Cu(銅)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)以及鈀(Pd)中的至少一種的金屬的層。
圖30是表示一實施例的鍍覆方法的流程圖。作為一實施 例，本鍍覆方法能夠使用上述鍍覆裝置執行。首先，使進行鍍覆處理的基板W利用裝載/卸載部170A-2收入鍍覆裝置內(S202-2)。基板W通過基板搬運裝置122-2而被定位器40-2搬運，利用定位器40-2使基板的朝向與規定的方向一致(S204-2)。接著，測定基板W的邊緣部的籽晶層的電阻(S206-2)。電阻的測定能夠利用上述電阻測定器200-2進行。判斷測定的電阻是否在規定的範圍內(S208-2)。該判斷例如利用控制裝置500-2進行。在電阻不在規定的範圍內的情況下，考慮是在基板的表面未均勻形成導電層(籽晶層)的情況，或者在基板凸部抗蝕劑時產生的雜質殘留在基板上的情況、基板的表面氧化的情況等。因此，進行基板W的邊緣部的清洗(S210-2)。基板W的邊緣部的清洗例如能夠利用上述邊緣部清洗裝置45-2進行。在進行了基板W的邊緣部的清洗之後，再次利用定位器40-2使基板W的朝向一致(S204-2)，以及進行基板W的邊緣部的電阻的測定和判斷(S206-2、S208-2)。此外，電阻的測定(S106-2~S110-2)也可以在利用定位器40-2使基板的朝向一致(S104-2)前進行。在電阻在規定的範圍內的情況下，使基板W固持於基板架60-2(S212-2)。在使基板W固持與基板架60-2時，進行電流是否從基板架60-2的電接點向基板W流動的導通檢查(S214-2)。此外，導通檢查也可以省略。然後，在基板W固持於基板架60-2的狀態下，進行後續的鍍覆處理(S216-2)。此外，即便進行了基板W的邊緣部的清洗，在基板W的邊緣部的電阻不在規定的範圍的情況下，也可以使基板W返回前開式晶圓盒102-2，而不對該基板W進行鍍覆處理。
利用該鍍覆方法，在基板的邊緣部有異常的情況下，通 過清洗基板的邊緣部，使基板的邊緣部成為適當的狀態，而成為能夠進行適當的鍍覆處理的狀態。通過測定基板W的邊緣部的導電層即籽晶層的電阻，能夠檢測基板側的異常，因此能夠進行這樣處理。
作為一實施例，電阻測定器200-2能夠作為基板架60-2的洩漏檢測機構使用。如與圖21一起說明的那樣，在基板W固持於基板架60-2時，基板W的邊緣部利用密封部件70-2從基板W的被鍍覆面隔離。因此，在恰當地進行密封的狀態下，在鍍覆處理時，鍍覆液不與基板W的邊緣部接觸。但是，在不恰當地進行密封的情況下，在鍍覆處理中，鍍覆液有時會浸入基板W的邊緣部的區域。在鍍覆液附著於基板W的邊緣部分時，考慮基板W的邊緣部的電阻增大。在此，如上所述，在將基板W固持於基板架60-2之前測定基板W的邊緣部的電阻，並且在鍍覆處理後(S116-2、S216-2之後)測定基板W的邊緣部的電阻，能夠檢測在基板架60-2是否發生洩漏。在鍍覆處理的前後，如果基板W的邊緣部的電阻增大，則可能在基板架60-2發生洩漏。
上述鍍覆方法以及基板架的洩漏檢測方法也可以利用電腦程式實施。該程式也可以記錄在電腦(例如控制裝置500-2)可讀的非暫時性的記錄介質。非暫時性的記錄介質例如也可以是存儲裝置。非暫時性的記錄介質例如也可以是CD-ROM、DVD-ROM等。
以上，基於幾個示例對本發明的實施例進行了說明，上述發明的實施例僅是為了容易理解本發明，而不限定本發明。對本發明而言，在不脫離其要旨的範圍內能夠進行變更、改良，並且本發明當然包括其等同物。另外，在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍或能夠達到效果的至少一部分的範圍內，能夠對申請專利範 圍的範圍以及說明書所記載的各結構要素進行任意的組合或省略。
62:密封架
65:第一保持部件
68:保持面
70:密封部件
73:電接點
208:檢查探測器
210:支承部件
WT:檢查用基板

Claims (15)

  1. 一種電阻測定模組，所述電阻測定模組用於測定一基板架的電阻，其中，所述基板架具有用於向一被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的電阻的一檢查用基板，所述基板架構成為在固持本身電阻為已知的檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的該檢查用基板接觸的一檢查探測器；以及用於對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述檢查探測器之間流動的電流的一電阻值進行測定的一電阻測定器，所述電阻測定器構成為所述檢查探測器能夠與所述檢查用基板的多個區域中的每一個接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電阻測定模組，其中該檢查用基板具有電絕緣的多個區域。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電阻測定模組，其中，所述電阻測定器的所述檢查探測器構成為能夠向所述檢查用基板的一面內方向移動。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電阻測定模組，其中， 所述電阻測定器具有一支承部件，所述檢查探測器安裝於所述支承部件，所述支承部件構成為能夠以與所述檢查用基板的該平面垂直的一軸為中心旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電阻測定模組，其中，所述電阻測定器具有多個檢查探測器，所述多個檢查探測器構成為能夠與所述檢查用基板的所述多個區域分別接觸。
  6. 一種基板架，具有：用於一支承基板的一基板支承部；用於向被該固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點；以及配置在所述基板支承部之上的一導電板；在該基板架未固持基板的狀態下，所述電接點、所述導電板構成為能夠彼此接觸，且在該基板架有固持基板的狀態下，所述電接點、所述導電板構成為不能彼此接觸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板架，其中，具有：用於向被該固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的多個電接點；配置在所述基板支承部之上的多個導電板；在該基板架未固持基板的狀態下，所述多個電接點與所述多個 導電板構成為能夠分別地彼此接觸。
  8. 一種鍍覆裝置，具有：對作為鍍覆對象物的一基板的一邊緣部的一導電層的電阻進行測定的一電阻測定器；以及用於固持該基板的一基板架；所述電阻測定器具有一探針，該探針構成為與該基板的該邊緣部的該導電層接觸，該探針包括一探測器，該探測器係利用四探針法對該基板的該邊緣部的電阻進行測定，且在利用所述基板架固持該基板之前，所述電阻測定器對該基板的該邊緣部的電阻進行測定。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，所述電阻測定器構成為對該基板的該邊緣部的該導電層的多個位置的電阻進行測定。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，所述探針構成為能夠沿該基板的周向移動。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，還具有用於使該基板的朝向與規定的方向一致的一定位器，所述電阻測定器構成為對配置於所述定位器的該基板的電阻進行測定。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，還具有用於將該基板固定於所述基板架的一固定單元，所述電阻測定器構成為對配置於所述固定單元的該基板的電阻進行測定。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，還具有接收由所述電阻測定器測定的一電阻值的一控制裝置，所述控制裝置構成為基於所接收的所述電阻值來判斷該基板的狀態。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之鍍覆裝置，其中，還具有用於清洗該基板的該邊緣部的一邊緣部清洗裝置。
  15. 一種鍍覆裝置，具有：對作為一鍍覆對象物的一基板的一邊緣部的一導電層的電阻進行測定的一第一電阻測定器；以及用於固持該基板的一基板架；所述第一電阻測定器具有一探針，該探針構成為與該基板的該邊緣部的該導電層接觸，該探針包括一探測器，該探測器係利用四探針法對該基板的該邊緣部的電阻進行測定，且所述第一電阻測定器構成為在利用所述基板架固持該基板之前對該基板的該邊緣部的電阻進行測定，所述鍍覆裝置還具有用於測定該基板架的該電阻的一架電阻測定模組， 所述基板架具有用於向一被固持基板供給電流的、能夠與基板接觸的一電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的電阻的一檢查用基板，所述基板架構成為在固持檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述架電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的該檢查用基板接觸的一檢查探測器；以及用於對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述檢查探測器之間流動的電流的電阻值進行測定的一第二電阻測定器。
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