JP6833557B2 - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents

Description

本発明は、めっき装置及びめっき方法に関する。

従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。

電解めっき法で基板にめっきをするには、予め、シード層が形成された半導体ウェハ等の基板にレジストパターンを形成しておく。続いて、レジストパターンが形成された基板に紫外光（以下、ＵＶ又はＵｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔという）の照射等を行い、基板表面上のレジスト残渣を除去し（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）を行う。

アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板は、めっき装置に搬送され、基板ホルダに保持される。基板ホルダは、基板に給電するための電気接点を有する。基板ホルダの電気接点は、基板ホルダに基板が保持されたときにレジストが塗布されていない基板のエッジ部上のシード層に接触するように構成される。このような基板ホルダは、例えば特許文献１に開示されている。基板ホルダに保持された基板はめっき液に浸漬され、アノードと基板との間に電圧が印加されることにより、基板表面にめっき膜が形成される。

特開２００２−３６３７９４号公報

従来のめっき方法においては、アッシング処理及びディスカム処理が行われた後、直ちにめっき処理が行われるわけではない。即ち、アッシング処理及びディスカム処理が行われてから所定の時間が経過した後に、基板が基板ホルダに保持される。このとき、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、基板のエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがある。基板の電気接点が接触することになる基板のエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したりすると、基板ホルダの電気接点の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化するという問題がある。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、基板のエッジ部に形成される酸化膜及び基板のエッジ部に付着する有機物の少なくともいずれか１つを原因とするめっき膜厚の均一性の悪化を防止することである。

本発明の一形態によれば、基板にめっきを行うめっき装置が提供される。このめっき装置は、前記基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去するエッジ部洗浄装置と、めっき液を収容し、基板とアノードとを該めっき液に
浸漬させた状態で該基板と該アノード間に電圧を印加してめっきを行うためのめっき槽と、を有する。

この一形態によれば、基板ホルダにセットされる前に、基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。したがって、基板のエッジ部以外の表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つによる基板ホルダの電気接点の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

本発明の一形態において、前記エッジ部洗浄装置は、前記基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離する有機物脱離装置を含み、前記有機物脱離装置は、回転する前記基板のエッジ部にＵＶを照射するＵＶ照射装置又は回転する前記基板のエッジ部にプラズマを放射するプラズマ放射装置を含む。

一般的に、めっきされる基板上にはレジストが塗布されており、このレジストにＵＶ又はプラズマを放射すると、レジストが変性し、ダメージを受ける恐れがある。この一形態によれば、基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射することができる。これにより、基板のエッジ部以外の表面、即ち基板上のレジストが塗布されている部分にはＵＶ又はプラズマを放射することがないので、基板上のレジストにダメージを与えることなく、基板のエッジ部の有機物を脱離させることができる。

本発明の一形態において、めっき装置は、前記基板を回転させて前記基板の向きを整列するアライナを有し、前記有機物脱離装置は、前記アライナに設けられる。

この一形態によれば、有機物脱離装置がアライナに設けられるので、アライナにより基板を回転させつつ、ＵＶ照射装置又はプラズマ照射装置で基板のエッジ部を処理することができる。したがって、有機物脱離装置に基板を回転させる機構を設ける必要がないので、コストを低減することができる。また、有機物脱離装置をアライナに設けることで、めっき装置全体のフットプリントを低減することもできる。

本発明の一形態において、前記ＵＶ照射装置又は前記プラズマ放射装置は、前記基板の上方から該基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用できる位置に配置される。

本発明の一形態において、前記エッジ部洗浄装置は、前記基板のエッジ部に存在する酸化膜を局所的に除去する酸化膜除去装置を含み、前記酸化膜除去装置は、回転する前記基板のエッジ部に薬液を供給する薬液ノズルを備えた薬液洗浄装置を含む。

一般的に、めっきされる基板上にはシード層が形成されており、このシード層に薬液が付着したまま放置すると、シード層が溶ける虞がある。このため、めっきされる基板のエッジ以外の部分、即ち、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液が付着した場合、薬液が残らないように十分な洗浄が必要になる。この一形態によれば、基板のエッジ部に局所的に薬液を供給することができる。これにより、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液を付着させることなく、基板のエッジ部に形成された酸化膜を除去することができる。したがって、基板の全面に薬液を付着させた場合に比べて、基板の洗浄時間を大幅に短縮することができる。

本発明の一形態において、前記薬液は、３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の希硫酸又は２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のクエン酸を含む。

薬液で基板のエッジ部の酸化膜を除去する際に、基板のエッジ部上のシード層が溶けないようにする必要がある。この一形態によれば、基板のエッジ部上のシード層を溶かすことなく、酸化膜を除去することができる。なお、希硫酸が３ｗｔ％未満又はクエン酸が２ｗｔ％未満であると、酸濃度が低すぎて、酸化膜を適切に除去することができない虞がある。また、希硫酸が１５ｗｔ％超又はクエン酸が２０ｗｔ％超であると、酸濃度が高すぎて、基板のエッジ部上のシード層を溶かしてしまう虞がある。

本発明の一形態において、めっき装置は、前記基板を回転させて、乾燥させるように構成されるスピンリンスドライヤを有し、前記酸化膜除去装置は、前記スピンリンスドライヤに設けられる。

この一形態によれば、酸化膜除去装置がスピンリンスドライヤに設けられるので、スピンリンスドライヤにより基板を回転させつつ、薬液洗浄装置で基板のエッジ部を処理することができる。また、スピンリンスドライヤは、一般的に、基板上の液体が飛散することを防止するカバーを有しているので、薬液洗浄装置が供給する薬液がスピンリンスドライヤの外部に飛散することも防止することができる。したがって、酸化膜除去装置に基板を回転させる機構及び薬液の飛散を防止するカバーを設ける必要がないので、コストを低減することができる。また、酸化膜除去装置をスピンリンスドライヤに設けることで、めっき装置全体のフットプリントを低減することもできる。

本発明の一形態において、前記薬液洗浄装置は、前記基板の上方から該基板のエッジ部に局所的に薬液を供給できる位置に配置される。

本発明の一形態において、めっき装置は、前記基板のエッジ部に存在するパーティクルを除去するスポンジ洗浄装置を有する。

この一形態によれば、基板ホルダの電気接点と基板のエッジ部上のシード層との間にパーティクルが挟み込まれることを防止することができ、パーティクルに起因する接触抵抗の悪化を抑制することができる。

本発明の一形態において、めっき装置は、前記エッジ部に存在した有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つが局所的に除去された基板の前記エッジ部に光を照射するとともに、反射する光の強度又は吸光度を測定するように構成されたセンサを備える。

この一形態によれば、反射する光の強度又は吸光度を測定することで、エッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去した基板に対して、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判定することができる。これにより、基板のエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダが有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

本発明の一形態によれば、基板にめっきを行うめっき方法が提供される。このめっき方法は、前記基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去する除去工程と、前記基板を基板ホルダに保持する工程と、前記基板ホルダに保持された前記基板にめっき処理を行う工程と、を有する。

この一形態によれば、基板ホルダにセットされる前に、基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。したがって、基板のエッジ部以外の表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基
板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つによる基板ホルダの電気接点の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

本発明の一形態において、めっき方法は、レジストパターンを前記基板に形成する工程と、前記レジストパターンをアッシングするアッシング工程と、を有し、前記除去工程は、前記アッシング工程の後に実行される。

この一形態によれば、アッシング工程の後に除去工程が行われるので、アッシング工程の後に所定時間が経過して、基板のエッジ部への有機物付着、及び酸化膜の形成の少なくともいずれか１つが生じたとしても、除去工程により基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。

本発明の一形態において、前記除去工程は、前記基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を含む。

一般的に、めっきされる基板上にはレジストが塗布されており、このレジストにＵＶ又はプラズマを放射すると、レジストが変性し、ダメージを受ける恐れがある。この一形態によれば、基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射することができる。これにより、基板のエッジ部以外の表面、即ち基板上のレジストが塗布されている部分にはＵＶ又はプラズマを放射することがないので、基板上のレジストにダメージを与えることなく、基板のエッジ部の有機物を脱離させることができる。

本発明の一形態において、前記除去工程は、前記基板のエッジ部に局所的に薬液を供給する工程を含む。

一般的に、めっきされる基板上にはシード層が形成されており、このシード層に薬液が付着したまま放置すると、シード層が溶ける虞がある。このため、めっきされる基板のエッジ以外の部分、即ち、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液が付着した場合、薬液が残らないように十分な洗浄が必要になる。この一形態によれば、基板のエッジ部に局所的に薬液を供給することができる。これにより、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液を付着させることなく、基板のエッジ部に形成された酸化膜を除去することができる。したがって、基板の全面に薬液を付着させた場合に比べて、基板の洗浄時間を大幅に短縮することができる。

本発明の一形態において、前記薬液は、３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の希硫酸又は２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のクエン酸を含む。

薬液で基板のエッジ部の酸化膜を除去する際に、基板のエッジ部上のシード層が溶けないようにする必要がある。この一形態によれば、基板のエッジ部上のシード層を溶かすことなく、酸化膜を除去することができる。なお、希硫酸が３ｗｔ％未満又はクエン酸が２ｗｔ％未満であると、酸濃度が低すぎて、酸化膜を適切に除去することができない虞がある。また、希硫酸が１５ｗｔ％超又はクエン酸が２０ｗｔ％超であると、酸濃度が高すぎて、基板のエッジ部上のシード層を溶かしてしまう虞がある。

本発明の一形態において、めっき方法は、回転する前記基板のエッジ部にスポンジヘッドを接触させて、パーティクルを除去する工程を有する。

この一形態によれば、基板ホルダの電気接点と基板のエッジ部上のシード層との間にパーティクルが挟み込まれることを防止することができ、パーティクルに起因する接触抵抗
の悪化を抑制することができる。

本発明の一形態において、前記除去工程は、前記基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離した後、前記酸化膜を局所的に除去する工程を含む。

基板のエッジ部においては、酸化膜上に有機物が付着し得る。したがって、有機物を脱離する前に酸化膜を除去した場合、有機物が付着した部分の酸化膜が除去され難い。この一形態によれば、有機物を脱離した後に酸化膜を除去するので、効果的に有機物及び酸化膜を除去することができる。

本発明の一形態において、前記除去工程は、前記基板の周縁部から基板中心に向かって２ｍｍの範囲内に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去する工程を含む。

一般的に、基板ホルダの電気接点は、基板の周縁部から２ｍｍの範囲内のエッジ部と接触する。したがって、この一形態によれば、基板ホルダの電気接点が接触する基板上の部分に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。

本発明の一形態において、前記除去工程は、前記基板が基板ホルダにより保持される際にシール部材でシールされる領域に隣接する、基板周縁部までの領域に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去する工程を含む。

本発明の一形態において、めっき方法は、前記エッジ部に存在した有機物又は酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去した基板の前記エッジ部に光を照射して、反射する光の強度又は吸光度を測定する工程を有する。

この一形態によれば、反射する光の強度又は吸光度を測定することで、エッジ部に存在する有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つを局所的に除去した基板に対して、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判定することができる。これにより、基板のエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダが有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

本発明の一形態によれば、基板にめっきを行うめっき装置が提供される。このめっき装置は、基板ホルダに保持された前記基板に電圧を印加してめっきを行うためのめっき槽と、前記基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜及びパーティクルの少なくともいずれか１つを局所的に除去するエッジ部洗浄装置と、を有する。

この一形態によれば、基板ホルダにセットされる前に、基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルの少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。したがって、基板のエッジ部以外の表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルの少なくともいずれか１つによる基板ホルダの電気接点の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

本発明の一形態によれば、基板にめっきを行うめっき方法が提供される。このめっき方法は、基板ホルダに保持される前の前記基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜及びパーティクルの少なくともいずれか１つを局所的に除去する除去工程と、前記基板を基板ホ
ルダに保持する工程と、前記基板ホルダに保持された前記基板にめっき処理を行う工程と、を有する。

この一形態によれば、基板ホルダにセットされる前に、基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルの少なくともいずれか１つを局所的に除去することができる。したがって、基板のエッジ部以外の表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板のエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルの少なくともいずれか１つによる基板ホルダの電気接点の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記エッジ部洗浄装置は、前記基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離する有機物脱離装置を含み、前記有機物脱離装置は、前記基板のエッジ部にＵＶを照射するＵＶ照射装置又は前記基板のエッジ部にプラズマを放射するプラズマ放射装置を含む。

一般的に、めっきされる基板上にはレジストが塗布されており、このレジストにＵＶ又はプラズマを放射すると、レジストが変性し、ダメージを受ける恐れがある。この一形態によれば、基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射することができる。これにより、基板のエッジ部以外の表面、即ち基板上のレジストが塗布されている部分にはＵＶ又はプラズマを放射することがないので、基板上のレジストにダメージを与えることなく、基板のエッジ部の有機物を脱離させることができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記エッジ部洗浄装置は、前記基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用するように構成されたヘッド部と、前記ヘッド部を水平方向に移動させるアクチュエータを有する。

この一形態によれば、ヘッド部が水平方向に移動可能であるので、例えば矩形状の基板であっても、エッジ部に沿ってヘッド部を移動させることで、エッジ部の洗浄を行うことができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記アクチュエータは、第１方向に前記ヘッド部を移動させる第１アクチュエータと、前記第１方向と直交する第２方向に前記ヘッド部を移動させる第２アクチュエータと、を有する。

この一形態によれば、ヘッド部を第１方向と第２方向とに移動させることができる。このため、エッジ部に沿ってヘッド部を移動させるだけでなく、エッジ部の延びる方向と直交する方向にヘッド部を位置合わせすることができる。したがって、例えば基板が長辺と短辺を有する矩形基板である場合でも、長辺のエッジ部と、短辺のエッジ部との両方にヘッド部を位置合わせすることができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記エッジ部洗浄装置は、前記ヘッド部及び前記アクチュエータを制御する制御部を有し、前記アクチュエータは、前記基板のエッジ部に沿って前記ヘッド部を移動させるように構成され、前記制御部は、前記ヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射と前記アクチュエータによる前記基板のエッジ部に沿った前記ヘッド部の移動とを同時に行うように、前記ヘッド部及び前記アクチュエータを制御する。

この一形態によれば、矩形基板のエッジ部に沿ってヘッド部を移動させつつＵＶ又はプラズマを放射することができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記エッジ部洗浄装置は、前記ヘッド部を旋回
させる旋回機構を有し、前記制御部は、前記旋回機構による前記ヘッド部の旋回時には前記ヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を停止させるように、前記ヘッド部及び前記旋回機構を制御する。

この一形態によれば、ヘッド部が旋回できるので、矩形基板の４辺のエッジ部上にヘッド部を容易に移動させることができる。また、ヘッド部が旋回している間はヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を行わないので、矩形基板上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

本発明の一形態のめっき装置によれば、前記エッジ部洗浄装置は、前記基板を回転させる回転機構と、前記ヘッド部、前記回転機構、及び前記アクチュエータを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記回転機構による前記基板の回転時には前記ヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を停止させるように、前記ヘッド部及び前記回転機構を制御する。

この一形態によれば、基板を回転させることができるので、ヘッド部の下方に矩形基板の４辺のエッジ部を容易に移動させることができる。また、基板が回転している間はヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を行わないので、矩形基板上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

本発明の一形態のめっき方法によれば、前記除去工程は、ＵＶ又はプラズマを放射するヘッド部を矩形の前記基板のエッジ部に沿って移動させながらＵＶ又はプラズマを放射する工程を有する。

この一形態によれば、矩形基板のエッジ部に沿ってヘッド部を移動させつつＵＶ又はプラズマを放射することができる。

本発明の一形態のめっき方法によれば、前記除去工程は、前記ヘッド部を水平方向に移動させて、前記矩形の基板のエッジ部に前記ヘッド部を位置合わせする工程を有する。

この一形態によれば、例えば基板が長辺と短辺を有する矩形基板である場合でも、長辺のエッジ部と、短辺のエッジ部との両方にヘッド部を位置合わせすることができる。

本発明の一形態のめっき方法によれば、前記除去工程は、前記矩形の基板のエッジ部の一つにＵＶ又はプラズマを放射した後、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させながら前記ヘッド部を旋回させる工程を有する。

この一形態によれば、ヘッド部が旋回できるので、矩形基板の４辺のエッジ部上にヘッド部を容易に移動させることができる。また、ヘッド部が旋回している間はヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を行わないので、矩形基板上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

本発明の一形態のめっき方法によれば、前記除去工程は、前記矩形の基板のエッジ部の一つにＵＶ又はプラズマを放射した後、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させながら前記矩形の基板を回転させる工程を有する。

この一形態によれば、基板を回転させることができるので、ヘッド部の下方に矩形基板の４辺のエッジ部を容易に移動させることができる。また、基板が回転している間はヘッド部によるＵＶ又はプラズマの放射を行わないので、矩形基板上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

本発明によれば、基板のエッジ部に形成される酸化膜及び基板のエッジ部に付着する有機物の少なくともいずれかを原因とするめっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

第１実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。 図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダの斜視図である。 図２に示した基板ホルダの電気接点を示す断面図である。 図１に示したアライナの概略上面図である。 図４に示す矢視５−５におけるアライナの概略断面図である。 図４に示す矢視６−６におけるアライナの概略断面図である。 第１実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 第１実施形態に係る他の例のめっき装置の全体配置図である。 第２実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。 酸化膜除去装置を備えたスピンリンスドライヤを示す概略図である。 第２実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 第３実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。 第３実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 第４実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。 スポンジ洗浄装置の概略側面図である。 第４実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 第５実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。 スポンジ薬液洗浄装置の概略側面図である。 第５実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 第６実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。 第６実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。 フィキシングユニットに設けられる有機物脱離装置の一例の概略側面図である。 図２２に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２２に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２２に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２２に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２２に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 フィキシングユニットに設けられる有機物脱離装置の他の一例の概略側面図である。 図２４に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２４に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２４に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２４に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２４に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 フィキシングユニットに設けられる有機物脱離装置の他の一例の概略側面図である。 図２６に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２６に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２６に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 フィキシングユニットに設けられる有機物脱離装置の他の一例の概略側面図である。 図２８に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２８に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。 図２８に示した有機物脱離装置で矩形基板のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置の平面図である。

＜第１実施形態＞
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、第１実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、基板ホルダ６０に基板をロードし、又は基板ホルダ６０から基板をアンロードするロード／アンロード部１７０Ａと、基板を処理する処理部１７０Ｂとに大きく分けられる。

ロード／アンロード部１７０Ａには、３台のフープ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）１０２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ４０と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ２０とが設けられる。フープ１０２は、半導体ウェハ等の複数の基板を多段に収納する。スピンリンスドライヤ２０の近くには、基板ホルダ６０を載置して基板の着脱を行うフィキシングユニット１２０が設けられている。これらのユニット１０２，４０，２０，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。後述するように、第１実施形態に係るアライナ４０は、基板ホルダ６０にセットされる前の基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離する有機物脱離装置（図４及び図６等参照）を有する。

フィキシングユニット１２０は、２個の基板ホルダ６０を載置可能に構成される。フィキシングユニット１２０においては、一方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われた後、他方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。

めっき装置の処理部１７０Ｂは、ストッカ１２４と、プリウェット槽１２６と、プリソーク槽１２８と、第１洗浄槽１３０ａと、ブロー槽１３２と、第２洗浄槽１３０ｂと、めっき槽１０と、を有する。ストッカ１２４では、基板ホルダ６０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽１２６では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽１２８で
は、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面にある酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽１３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽１３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽１３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液で洗浄される。ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、ブロー槽１３２、第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっき槽１０は、この順に配置されている。

めっき槽１０は、例えば、オーバーフロー槽を備えた複数のめっきセル１３４を有する。各めっきセル１３４は、内部に一つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させる。めっきセル１３４において基板とアノードとの間に電圧を印加することにより、基板表面に銅めっき等のめっきが行われる。

めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ６０を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、第１トランスポータ１４２と、第２トランスポータ１４４を有している。第１トランスポータ１４２は、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送するように構成される。第２トランスポータ１４４は、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０との間で基板を搬送するように構成される。他の実施形態では、めっき装置は、第１トランスポータ１４２及び第２トランスポータ１４４のいずれか一方のみを備えるようにし、いずれかのトランスポータが、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０の間で基板を搬送するようにしてもよい。

図２は図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダ６０の斜視図である。基板ホルダ６０は、図２に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材６５と、この第１保持部材６５にヒンジ６３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材６６とを有している。基板ホルダ６０の第１保持部材６５の略中央部には、基板を保持するための保持面６８が設けられている。また、第１保持部材６５の保持面６８の外側には、保持面６８の円周に沿って、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ６７が等間隔に設けられている。

基板ホルダ６０の第１保持部材６５の端部には、基板ホルダ６０を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド６９が連結されている。図１に示したストッカ１２４内において、ストッカ１２４の周壁上面にハンド６９を引っ掛けることで、基板ホルダ６０が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ６０のハンド６９を第１トランスポータ１４２又は第２トランスポータ１４４で把持して基板ホルダ６０が搬送される。なお、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、洗浄槽１３０ａ，１３０ｂ、ブロー槽１３２及びめっき槽１０内においても、基板ホルダ６０は、ハンド６９を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。

また、ハンド６９には、外部の電力供給部に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面６８の外周に設けられた複数の導電体７３（図３参照）と電気的に接続されている。

第２保持部材６６は、ヒンジ６３に固定された基部６１と、基部６１に固定されたリング状のシールホルダ６２とを備えている。第２保持部材６６のシールホルダ６２には、シールホルダ６２を第１保持部材６５に押し付けて固定するための押えリング６４が回転自在に装着されている。押えリング６４は、その外周部において外方に突出する複数の突条
部６４ａを有している。突条部６４ａの上面とクランパ６７の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。

基板を保持するときは、まず、第２保持部材６６を開いた状態で、第１保持部材６５の保持面６８に基板を載置し、第２保持部材６６を閉じる。続いて、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突条部６４ａをクランパ６７の内方突出部の内部（下側）に滑り込ませる。これにより、押えリング６４とクランパ６７にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第１保持部材６５と第２保持部材６６とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。基板の保持を解除するときは、第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされた状態において、押えリング６４を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング６４の突条部６４ａが逆Ｌ字状のクランパ６７から外されて、基板の保持が解除される。

図３は、図２に示した基板ホルダ６０の電気接点を示す断面図である。図３に示すように、第１保持部材６５の保持面６８には基板Ｗが載置されている。保持面６８と第１保持部材６５との間には、図２に示したハンド６９に設けられた外部接点から延びる複数の配線に接続された複数の（図示では１つの）導電体７３が配置されている。導電体７３は、第１保持部材６５の保持面６８上に基板Ｗを載置した際、この導電体７３の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材６５の表面にばね特性を有した状態で露出するように基板Ｗの円周外側に複数配置されている。

シールホルダ６２の、第１保持部材６５と対向する面（図中下面）には、基板ホルダ６０で基板Ｗを保持したときに基板Ｗの表面外周部及び第１保持部材６５に圧接されるシール部材７０が取付けられている。シール部材７０は、基板Ｗの表面をシールするリップ部７０ａと、第１保持部材６５の表面をシールするリップ部７０ｂとを有する。

シール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた内部には、支持体７１が取付けられる。支持体７１には導電体７３から給電可能に構成された電気接点７２が、例えばねじ等で固定され、基板Ｗの円周に沿って複数配置されている。電気接点７２は、保持面６８の内側へ向かって延びる電気接点端部７２ａと、導電体７３から給電可能に構成された脚部７２ｂとを有している。

図２に示した第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされると、図３に示すように、シール部材７０の内周面側の短いリップ部７０ａが基板Ｗの表面に、外周面側の長いリップ部７０ｂが第１保持部材６５の表面にそれぞれ押圧される。これにより、リップ部７０ａ及びリップ部７０ｂ間が確実にシールされるとともに、基板Ｗが保持される。

シール部材７０でシールされた領域、即ちシール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた領域において、導電体７３が電気接点７２の脚部７２ｂに電気的に接続され、且つ電気接点端部７２ａが基板Ｗのエッジ部上のシード層に接触する。これにより、基板Ｗをシール部材７０でシールしつつ基板ホルダ６０で保持した状態で、電気接点７２を介して基板Ｗに給電することができる。

上述したように、シード層が形成された基板Ｗには、予めレジストパターンが形成される。基板Ｗは、図１に示しためっき装置に搬送される前に、ＵＶの照射等が行われて、基板表面上のレジスト残渣が除去され（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）が行われる。アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、その後めっき装置に搬送され、基板ホルダ６０に保持される。ここで、基板Ｗのレジストが塗布されていないエッジ部上のシード層には、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したり
することがある。図３に示すように電気接点７２は基板Ｗのエッジ部上に接触するので、基板Ｗのエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したりすると、基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化するという問題がある。

そこで、本実施形態では、図１に示したアライナ４０に有機物脱離装置を設け、基板Ｗのエッジ部上のシード層に形成される有機物を脱離（除去）する。なお、本明細書において、基板Ｗのエッジ部とは、電気接点７２が接触し得る領域、又は基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、シール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域をいう。例えば、本実施形態においては、図３に示したシール部材７０のリップ部７０ａが当接する部分よりも外周側の領域をいい、基板Ｗの外周縁部から基板中心に向かって約５ｍｍの範囲内、より好ましくは、約２ｍｍの範囲内をいう。

図４は、図１に示したアライナ４０の概略上面図である。図５は、図４に示す矢視５−５におけるアライナ４０の概略断面図であり、図６は、図４に示す矢視６−６におけるアライナ４０の概略断面図である。図４ないし６に示すように、アライナ４０は、ベース４１と、回転ステージ４２と、アライナ光源４３と、光検出器４４と、有機物脱離装置４５（エッジ部洗浄装置の一例に相当する）と、を有する。

回転ステージ４２は、基板Ｗの裏面を吸着するように構成され、基板Ｗを周方向に回転させる。なお、回転ステージ４２は、静電吸着式又は真空吸着式で基板Ｗを吸着する。アライナ光源４３は、回転ステージ４２によって回転される基板Ｗのエッジ部付近に光４６を照射するように構成される。基板Ｗが回転することにより、基板Ｗのノッチがアライナ光源４３からの光４６が照射される位置に移動したとき、光４６はノッチを通過して光検出器４４に到達する。光検出器４４が光４６を検出したとき、アライナ４０は、基板Ｗのノッチがアライナ光源４３の直下に位置することを認識することができ、基板Ｗの向きを整列させることができる。

有機物脱離装置４５は、ＵＶ照射装置又はプラズマ放射装置である。本実施形態では、基板Ｗの上方から、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用できるように構成されている。有機物脱離装置４５は、基板ホルダ６０に保持される前の基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用することができる。言い換えれば、基板Ｗのエッジ部以外の領域は、ＵＶ又はプラズマに曝されない。回転ステージ４２によって基板Ｗを回転することにより、基板Ｗのエッジ部全周に亘ってＵＶ又はプラズマを効率的に適用することができる。基板Ｗのエッジ部に付着した有機物にＵＶ又はプラズマを照射すると、有機物が分解されて揮発性物質が生成され、揮発性物質となった有機物は揮発して除去される。ＵＶ照射装置のＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口と基板Ｗとの距離は、約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離が１ｍｍ未満であると、基板とＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離を１０ｍｍ超とすると、局所的にＵＶ又はプラズマを照射できない可能性がある。基板とＵＶ照射源又はプラズマ放射装置のプラズマ放射口とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に照射できるようにするためには、この距離を約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下とすることがより好ましい。

有機物脱離装置４５がＵＶ照射装置である場合において、ＵＶ光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ブラックライト、又はＵＶ領域の光を放射可能なレーザー光源等を採用することができる。高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、及びブラックライトは光が発散する傾向を有するので、これらの光源を採用する場合は、光源を基板Ｗの近傍に設置するか、光学系を用いてエッジ部のみにＵＶを照射するようにすることが好ましい。有機物脱離装置４５がプラズマ放射装置である場合は、例えば大気リモートプラズ
マ装置等を採用することができる。

アライナ４０は、さらに、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍの波長を有する光を励起光として基板Ｗのエッジ部に対して照射し、エッジ部からの反射光を見ることで、吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を備えてもよい。

このセンサ（不図示）は、有機物脱離装置４５に設けても良いし、アライナ４０に別途設けても良い。本実施形態に係るめっき装置の制御部は、このセンサにより測定された吸光度又は蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成されている。例えば、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていないと判定された場合は、有機物脱離装置４５は、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を繰り返し実施してもよい。また、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていると判定された場合には、有機物の脱離が完了したものとして、基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送されて、これに続く一連のめっき処理が実施される。このように、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることで、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

図７は、第１実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。本めっき方法では、まず、図１に示しためっき装置に基板Ｗを搬送する前に、基板Ｗにレジストパターンを形成する（ステップＳ６０１）。続いて、レジストパターンが形成された基板ＷにＵＶの照射を行い、基板Ｗ表面上のレジスト残渣を除去し（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）を行う（ステップＳ６０２）。ステップＳ６０１及びステップＳ６０２の処理は、図１に示しためっき装置以外の任意の装置において行われる。

続いて、基板Ｗを収容したフープ１０２から、基板搬送装置１２２によって、基板Ｗがアライナ４０へ搬送される。アライナ４０において、基板Ｗのエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ６０３）。具体的には、アライナ４０において、有機物脱離装置４５により基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマが適用され、有機物が脱離される。なお、この時基板Ｗの向きがアライナ４０によって整列される。

図７に示すフローには記載されていないが、アライナ４０にセンサ（不図示）を設けた場合には、基板Ｗのエッジ部に存在した有機物及び酸化膜の少なくともいずれか１つにＵＶ又はプラズマを適用して局所的に除去した後に、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）の有無を確認することができる。具体的には、まず、アライナ４０に配置された基板Ｗの表面の上方にセンサ（分光光度計又は蛍光反射膜厚計）を位置させる。アライナ４０により基板Ｗを回転又は静止させた状態で、センサを基板中心部からエッジ部へ（又はエッジ部から基板中心部へ）走査させながら、センサから基板Ｗの表面に向かって紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍの波長の光を励起光として照射し、吸光度または蛍光強度を測定する。

基板表面には、ＵＶ又はプラズマ処理が行われたエッジ部と、ＵＶ又はプラズマ処理が行われていない被めっき面とが存在し、シード層は、基板表面の全域（被めっき面とエッジ部）に形成されている。そして、被めっき面とエッジ部にセンサを走査させることで、被めっき面とエッジ部の両方の吸光度又は蛍光強度を測定することができる。めっき装置の制御部は、例えば、この被めっき面とエッジ部の両方の吸光度を比較し、例えば被めっ
き面の吸光度に対するエッジ部の吸光度の比の値が予め設定した閾値（例えば５０％以下）より大きいか否かにより、エッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができる。上記比の値が閾値より大きい場合は、エッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）は十分に除去されていないと判定できる。また、上記比の値が閾値より大きくない場合はエッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）は十分に除去されていると判定できる。蛍光強度を測定する場合も、同様に所定の閾値と測定値とを比較することで、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判定することができる。

この判定に基づき、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていないと判定された場合は、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を繰り返し実施してもよい。また、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていると判定された場合は、有機物の脱離が完了したものとして、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、一連のめっき処理が実施される。このように、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることで、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

エッジ部の洗浄が行われた基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ６０４）。このとき、基板Ｗのエッジ部の有機物は脱離されているので、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された基板Ｗのエッジ部と接触する。これにより、有機物の付着に起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。

基板ホルダ６０に保持された基板Ｗは、基板ホルダ搬送装置１４０により、まずプリウェット槽１２６に搬送され、プリウェット槽１２６に収容された純水に基板Ｗが浸漬される（ステップＳ６０５）。続いて、基板Ｗは、プリソーク槽１２８に搬送され、基板Ｗの表面が酸洗浄される（ステップＳ６０６）。具体的には、プリソーク槽１２８に収容された硫酸や硝酸等の薬液に基板Ｗが浸漬され、基板の表面に形成されたシード層の表面の酸化膜がエッチング除去される。

図７に示すフローには記載されていないが、酸洗浄された基板Ｗは、その後第１洗浄槽１３０ａに収容された純水に浸漬されて、基板Ｗ表面に付着した薬液が洗浄されてもよい。続いて、基板Ｗは、めっき槽１０のいずれかのめっきセル１３４に浸漬されて、めっき処理が行われる（ステップＳ６０７）。表面にめっき膜が形成された基板Ｗには、ＱＤＲ（Ｑｕｉｃｋ Ｄａｍｐ Ｒｉｎｓｅ）処理が行われる（ステップＳ６０８）。具体的には、基板Ｗは、第２洗浄槽１３０ｂに収容された純水に浸漬されて、基板Ｗ表面に付着しためっき液が洗浄される。

続いて、基板ホルダ６０に保持された基板Ｗはフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０から基板Ｗが取り外される。基板搬送装置１２２は、フィキシングユニット１２０から基板Ｗを受け取り、スピンリンスドライヤ２０に基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、スピンリンスドライヤ２０において、表面の洗浄及び乾燥が行われる（ステップＳ６０９）。

以上で説明したように、本実施形態によれば、基板ホルダ６０にセットされる前に、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物を局所的に除去することができる。したがって、基板Ｗの表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物に起因する基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗のバラつきを抑制し、
めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

また、本実施形態によれば、基板Ｗのエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射することができる。これにより、基板Ｗのエッジ部以外の表面、即ち基板Ｗ上のレジストが塗布されている部分にはＵＶ又はプラズマを放射することがないので、レジストにダメージを与えることなく、基板Ｗのエッジ部の有機物を脱離させることができる。

また、本実施形態によれば、有機物脱離装置４５がアライナ４０に設けられるので、アライナ４０により基板を回転させつつ、ＵＶ照射装置又はプラズマ照射装置で基板Ｗのエッジ部を処理することができる。したがって、有機物脱離装置４５に基板を回転させる機構を設ける必要がないので、コストを低減することができる。また、有機物脱離装置４５をアライナ４０に設けることで、めっき装置全体のフットプリントを低減することもできる。

なお、有機物脱離装置４５をアライナ４０とは別にめっき装置に設けてもよい。図８は、第１実施形態に係る他の例のめっき装置の全体配置図である。図８に示すように、有機物脱離装置４５は、アライナ４０とは別に、ロード／アンロード部１７０Ａ内に設けられる。この場合、アライナ４０は、図４ないし図６に示した構成から有機物脱離装置４５を除いた構成を有する。一方、有機物脱離装置４５は、基板Ｗを回転させるための図４ないし６に示した回転ステージ４２と同様の機構を有する必要がある。図８に示すめっき装置によれば、有機物脱離装置４５がアライナ４０とは別に設けられるので、複数の基板Ｗに対して有機物脱離装置４５の処理とアライナ４０との処理をそれぞれ別々に行うことができる。そこで、有機物脱離処理に時間を要していることによって、処理全体のスループットが有機物脱離処理の処理時間で決められているような場合には、図１に示すめっき装置に比べてスループットを向上させることができる。なお、有機物脱離装置４５は、スピンリンスドライヤ２０に設けることもできる。この場合であっても、スピンリンスドライヤ２０に、吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を設けてもよい（不図示）。その場合、エッジ部の洗浄中又は洗浄後の基板Ｗのエッジ部の上方にセンサを位置させる。そして、基板Ｗを回転させ、このセンサから基板Ｗのエッジ部に光を照射して、基板Ｗから反射する光をセンサの受光部にて受光し、この反射光の蛍光強度又は吸光度を測定する。これにより、基板Ｗのエッジ部における汚染物質（有機物及び酸化膜の少なくとも１つ）が十分に除去されたか否かを判定するようにしてもよい。このようにすることで、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理を行う前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。なお、基板Ｗのエッジ部の洗浄中に基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているか否かを判定するようにした場合には、洗浄の終点を、このセンサの判定結果に基づいて決定することもできる。

＜第２実施形態＞
図９は、第２実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。第２実施形態は、第１実施形態の図１に示しためっき装置と比べて、スピンリンスドライヤ２０及びアライナ４０の構成が異なる。その他の構成は第１実施形態と同様であるので、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

第２実施形態においては、アライナ４０は、第１実施形態で説明した有機物脱離装置４５を備えていない。また、スピンリンスドライヤ２０は、基板ホルダ６０にセットされる前の基板のエッジ部に存在する酸化膜を局所的に除去する酸化膜除去装置を有する。

図１０は、酸化膜除去装置を備えたスピンリンスドライヤ２０を示す概略図である。図示のように、スピンリンスドライヤ２０は、回転ステージ２１と、基板チャック２２と、ＤＩＷノズル２３と、酸化膜除去装置２４（エッジ部洗浄装置の一例に相当する）と、を有する。基板チャック２２は、基板Ｗの外周部を把持するように構成される。回転ステージ２１は、基板チャック２２を回転するように構成され、基板チャック２２が回転することにより、把持された基板Ｗを周方向に回転する。ＤＩＷノズル２３は、基板Ｗの略中央部にＤＩＷ（Ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を供給するように構成される。基板Ｗに供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転により遠心力を受けて、基板Ｗの外周部に向かって流れる。スピンリンスドライヤ２０は、図示されていないが、基板ＷのＤＩＷが外部に飛散することを防止するために、基板Ｗの周囲を覆うカバーを有する。

酸化膜除去装置２４は、基板に薬液２８を供給する薬液供給装置であり、薬液２８を供給するように構成された薬液ノズル２５と、薬液ノズル２５に接続されたアーム２６と、アーム２６を旋回するように構成された回転軸２７とを有する。薬液ノズル２５の先端と基板Ｗとの距離は、約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離が１ｍｍ未満であると、基板と薬液ノズル２５とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離を１０ｍｍ超とすると、局所的に薬液を供給できない可能性がある。基板と薬液ノズル２５とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に薬液を供給できるようにするためには、薬液ノズル２５の先端と基板との距離を約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下とすることがより好ましい。

酸化膜除去装置２４で基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜を局所的に除去するためには、まず、酸化膜除去装置２４は、基板Ｗの直径に応じてアーム２６を旋回し、薬液ノズル２５を基板Ｗのエッジ部の上方に位置させる。薬液ノズル２５が基板Ｗのエッジ部の上方に位置した状態で、回転する基板Ｗの略中央部にＤＩＷノズル２３からＤＩＷを供給するとともに、回転する基板Ｗのエッジ部に薬液２８を噴出する。薬液２８は基板Ｗのエッジ部に供給されるとともに、基板Ｗの回転により遠心力を受けて基板Ｗの外周部に向かって流れる。これにより、酸化膜除去装置２４は、基板Ｗのエッジ部に局所的に薬液２８を供給することができる。言い換えれば、実質的に基板Ｗのエッジ部以外の領域は、薬液２８に曝されない。回転ステージ２１が基板Ｗを回転することにより、基板Ｗのエッジ部全周に亘って薬液２８を効率的に供給することができる。基板Ｗのエッジ部に形成された酸化膜に薬液２８が供給されると、酸化膜は薬液２８により溶解し、除去される。所定時間薬液２８を供給した後、薬液２８の供給は停止され、ＤＩＷの供給が継続される。これにより、基板Ｗのエッジ部に供給された薬液２８が洗い流される。ここで、基板Ｗのエッジ部とは、前述したように電気接点７２が接触しうる領域、又は基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、基板Ｗがシール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域である。ただし、薬液を基板に対してスポット的に供給する際に、一部の薬液が飛散し得ることをあらかじめ想定して、レジストパターンに悪影響を与えにくい薬液成分・濃度としたうえで、基板Ｗのエッジ部の周辺部にある酸化膜を薬液２８により溶解し、除去するように構成することもできる。

薬液２８としては、例えば希硫酸、クエン酸等の、基板Ｗ上のシード層にダメージを与え難い酸が採用され得る。本実施形態では、薬液２８は、３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の希硫酸又は２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のクエン酸であることが好ましい。希硫酸が３ｗｔ％未満又はクエン酸が２ｗｔ％未満であると、酸濃度が低すぎて、酸化膜を適切に除去することができない虞がある。また、希硫酸が１５ｗｔ％超又はクエン酸が２０ｗｔ％超であると、酸濃度が高すぎて、基板のエッジ部上のシード層を溶かしてしまう虞がある。

図１１は、第２実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。第２実施形態に係る
めっき方法は、一部を除いて図７に示しためっき方法と多くの点で一致する。したがって、図７のめっき方法と同一の部分の説明は一部省略する。

ステップＳ６０２でアッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、図９に示しためっき装置に搬送される。続いて、基板Ｗを収容したフープ１０２から、基板搬送装置１２２によって、基板Ｗがスピンリンスドライヤ２０へ搬送される。スピンリンスドライヤ２０において、基板Ｗはエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ７０１）。具体的には、スピンリンスドライヤ２０において、基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜が酸化膜除去装置２４により除去される。

さらに、本実施形態においても、基板のエッジ部の状態を測定するために、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍを励起光として照射し、エッジ部の吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）をスピンリンスドライヤ２０に設けてもよい（不図示）。その場合、エッジ部の洗浄中又は洗浄後の基板Ｗのエッジ部の上方にセンサを位置させる。そして、基板Ｗを回転させ、このセンサから基板Ｗのエッジ部に光を照射して、基板Ｗから反射する光をセンサの受光部にて受光し、この反射光の蛍光強度又は吸光度を測定する。これにより基板Ｗのエッジ部における酸化膜が十分に除去されたか否かを判定し、エッジ部の状態を検査するようにしてもよい。このようにすることで、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理を行う前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

エッジ部の洗浄（場合によっては洗浄及び検査）が行われた基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ６０４）。このとき、基板Ｗのエッジ部の酸化膜は除去されているので、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された基板Ｗのエッジ部と接触する。これにより、酸化膜に起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。基板ホルダ６０にセットされた基板Ｗは、後段のステップＳ６０５〜ステップＳ６０９において、処理される。

以上で説明したように、第２実施形態によれば、基板ホルダ６０にセットされる前に、基板のエッジ部に存在する酸化膜を局所的に除去することができる。したがって、基板Ｗの表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜に起因する基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

また、第２実施形態によれば、酸化膜除去装置２４がスピンリンスドライヤ２０に設けられるので、スピンリンスドライヤ２０により基板を回転させつつ、薬液２８で基板Ｗのエッジ部を処理することができる。したがって、酸化膜除去装置２４に基板を回転させる機構及び薬液２８の飛散を防止する機構を設ける必要がないので、コストを低減することができる。また、スピンリンスドライヤ２０は、基板Ｗ上の液体が飛散することを防止するカバーを有しているので、薬液ノズル２５が供給する薬液２８がスピンリンスドライヤ２０の外部に飛散することも防止することができる。さらに、酸化膜除去装置２４をスピンリンスドライヤ２０に設けることで、めっき装置全体のフットプリントを低減することもできる。

めっきされる基板Ｗ上にはシード層が形成されており、このシード層に薬液２８が付着
したまま放置すると、シード層が溶ける虞がある。このため、めっきされる基板Ｗのエッジ以外の部分、例えば、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液２８が付着した場合、薬液２８が残らないように十分な洗浄が必要になる。第２実施形態によれば、基板Ｗのエッジ部に局所的に薬液２８を供給することができる。これにより、レジストパターンの開口から露出されるシード層に薬液２８を付着させることなく、基板のエッジ部に形成された酸化膜を除去することができる。したがって、基板Ｗの全面に薬液２８を付着させた場合に比べて、基板Ｗの洗浄時間を大幅に短縮することができる。

＜第３実施形態＞
図１２は、第３実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。第３実施形態に係るめっき装置は、第１実施形態における図８に示しためっき装置におけるスピンリンスドライヤ２０を、第２実施形態に係る図１０に示したスピンリンスドライヤ２０に置換した構成を有する。その他の構成は第１実施形態の図８に示しためっき装置と同様であるので、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図１２に示すめっき装置は、図１０に示した酸化膜除去装置２４を備えたスピンリンスドライヤ２０と、有機物脱離装置４５とを有する。このため、本めっき装置は、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物及び酸化膜の両方を、局所的に除去することができる。

図１３は、第３実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。第３実施形態に係るめっき方法は、図７に示しためっき方法に、図１１に示したステップＳ７０１を組み合わせた方法である。即ち、図１３に示すように、ステップＳ６０２でアッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、図１１に示しためっき装置に搬送される。続いて、基板Ｗを収容したフープ１０２から、基板搬送装置１２２によって、基板Ｗがアライナ４０へ搬送される。アライナ４０において、基板Ｗはエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ６０３）。具体的には、アライナ４０において、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物が有機物脱離装置４５により脱離される。なお、この時基板Ｗの向きがアライナ４０によって整列される。なお、ここでのエッジ部とは、基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、シール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域であって、例えば、基板Ｗの外周縁部から基板中心に向かって約５ｍｍの範囲内、より好ましくは約２ｍｍの範囲内をいう。

さらに、本実施形態においても、アライナ４０に、基板のエッジ部の状態を測定するために、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍを励起光として照射し、エッジ部の吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を設けてもよい（不図示）。めっき装置の制御部は、このセンサにより測定された吸光度または蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成されている。その場合、エッジ部の洗浄中又は洗浄後の基板Ｗのエッジ部の上方にセンサを位置させる。そして、基板Ｗを回転させ、このセンサから基板Ｗのエッジ部に光を照射して、基板Ｗから反射する光をセンサの受光部にて受光し、この反射光の蛍光強度又は吸光度を測定する。これにより、基板Ｗのエッジ部における汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されたか否かを判定し、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにしてもよい。このようにすることで、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理を行う前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を防止できる。さらに、基板Ｗのエッジ部の洗浄中に基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定する
ようにした場合には、洗浄の終点を、このセンサの判定結果に基づいて決定することもできる。さらに、もともとエッジ部に異常がある基板Ｗの有無も、センサの測定結果に基づいて判定できる。

エッジ部の有機物が脱離された基板Ｗは続いて、基板搬送装置１２２によって、スピンリンスドライヤ２０へ搬送される。スピンリンスドライヤ２０において、基板Ｗはエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ７０１）。具体的には、スピンリンスドライヤ２０において、基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜が酸化膜除去装置２４により脱離される。なお、ここでのエッジ部とは、基板ホルダにより基板が保持される際、シール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域をいい、例えば基板Ｗが３００ｍｍウェハの場合には基板Ｗの外周縁部から基板中心に向かって約５ｍｍの範囲内、より好ましくは約２ｍｍの範囲内をいうが、薬液の成分・濃度をレジストパターンに悪影響を与えにくい成分・濃度としたうえで、エッジ部周辺に存在する酸化膜をあわせて除去することもできる。

エッジ部の洗浄が行われた基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ６０４）。このとき、基板Ｗのエッジ部の有機物及び酸化膜は除去されているので、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された基板Ｗのエッジ部と接触する。これにより、有機物及び酸化膜に起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。基板ホルダ６０にセットされた基板Ｗは、後段のステップＳ６０５〜ステップＳ６０９において、処理される。

以上で説明したように、第３実施形態によれば、基板ホルダ６０にセットされる前に、基板のエッジ部に存在する有機物及び酸化膜を局所的に除去することができる。したがって、基板Ｗの表面に形成されたレジストパターンに悪影響を与えることなく、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物及び酸化膜に起因する基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

基板Ｗのエッジ部においては、酸化膜上に有機物が付着し得る。したがって、有機物を脱離する前に酸化膜を除去した場合、有機物が付着した部分の酸化膜が除去され難い。第３実施形態によれば、有機物を脱離した後に酸化膜を除去するので、効果的に有機物及び酸化膜を除去することができる。ただし、一実施形態では、エッジ部の薬液洗浄（ステップＳ７０１）の後に有機物脱離処理（ステップＳ６０３）を行ってもよい。

＜第４実施形態＞
図１４は、第４実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。第４実施形態のめっき装置は、第１実施形態に係る図１のめっき装置と比べて、スポンジ洗浄装置８０を有する点と、有機物脱離装置４５を備えない点とが異なる。その他の構成は第１実施形態と同様であるので、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図１４に示すめっき装置のアライナ４０は、第１実施形態において説明した有機物脱離装置４５を備えない。スポンジ洗浄装置８０は、ロード／アンロード部１７０Ａ内に設けられ、基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクルを局所的に除去する。

図１５は、スポンジ洗浄装置８０の概略側面図である。図示のように、スポンジ洗浄装置８０は、回転ステージ８１と、ＤＩＷノズル８３と、スポンジ洗浄部８４（エッジ部洗浄装置の一例に相当する）と、カバー８８を有する。回転ステージ８１は、基板Ｗの裏面を吸着するように構成され、基板Ｗを周方向に回転させる。なお、回転ステージ８１は、
静電吸着式又は真空吸着式で基板Ｗを吸着する。ＤＩＷノズル８３は、基板Ｗの略中央部にＤＩＷを供給するように構成される。基板Ｗに供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転により遠心力を受けて、基板Ｗの外周部に向かって流れる。カバー８８は、基板Ｗの周囲を覆い、基板ＷのＤＩＷが外部に飛散することを防止する。

スポンジ洗浄部８４は、基板Ｗのエッジ部を物理的に洗浄するスポンジヘッド８５と、スポンジヘッド８５に接続されたアーム８６と、アーム８６を旋回するように構成された回転軸８７とを有する。スポンジヘッド８５は、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から成り、鉛直軸を中心に回転可能に構成される。また、回転軸８７は、軸方向に伸縮自在に構成される。

スポンジ洗浄部８４で基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクルを局所的に除去するためには、まず、スポンジ洗浄装置８０が基板Ｗの直径に応じてアーム８６を旋回し、スポンジヘッド８５を基板Ｗのエッジ部の上方に位置させる。スポンジヘッド８５が基板Ｗのエッジ部の上方に位置した状態で、回転軸８７が軸方向下方に収縮し、スポンジヘッド８５を基板Ｗのエッジ部に当接させる。スポンジ洗浄部８４は、スポンジヘッド８５が回転する基板Ｗのエッジ部に当接した状態で、スポンジヘッド８５を回転させる。このとき、ＤＩＷノズル８３により、基板ＷにＤＩＷが供給される。これにより、スポンジ洗浄装置８０は、基板Ｗのエッジ部のパーティクルを局所的に除去することができる。また、スポンジ洗浄装置８０にセンサ（不図示）を設け、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにしてもよい。

図１６は、第４実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。第４実施形態に係るめっき方法は、第１実施形態に係る図７に示しためっき方法におけるステップＳ６０３に代えて、ステップＳ８０１を有する。図７のめっき方法と同一の部分の説明は一部省略する。

図１６に示すフローにおいて、ステップＳ６０２でアッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、図１４に示しためっき装置に搬送される。続いて、基板Ｗを収容したフープ１０２から、基板搬送装置１２２によって、基板Ｗがスポンジ洗浄装置８０へ搬送される。スポンジ洗浄装置８０において、基板Ｗはエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ８０１）。具体的には、スポンジ洗浄装置８０において、基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクルがスポンジ洗浄部８４により除去される。

本実施形態においても、スポンジ洗浄装置８０に、基板のエッジ部の状態を測定するために、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍを励起光として照射し、エッジ部の吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を設けてもよい（不図示）。めっき装置の制御部は、このセンサにより測定された吸光度又は蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成されている。スポンジ洗浄装置８０にセンサを設けた場合、エッジ部の洗浄中又は洗浄後の基板Ｗのエッジ部の上方にセンサを位置させる。そして、基板Ｗを回転させ、基板Ｗのエッジ部におけるパーティクルの有無を判定し、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにしてもよい。このようにすることで、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理を行う前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を防止できる。さらに、基板Ｗのエッジ部の洗浄中に基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定す
るようにした場合には、洗浄の終点を、このセンサの判定結果に基づいて決定することもできる。さらに、もともとエッジ部に異常がある基板Ｗの有無も、センサの測定結果に基づいて判定できる。

エッジ部の洗浄が行われた基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ６０４）。このとき、基板Ｗのエッジ部のパーティクルは除去されているので、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された基板Ｗのエッジ部と接触する。これにより、パーティクルに起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。基板ホルダ６０にセットされた基板Ｗは、後段のステップＳ６０５〜ステップＳ６０９において、処理される。

以上で説明したように、第４実施形態によれば、基板ホルダ６０にセットされる前に、基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクルを局所的に除去することができる。したがって、基板ホルダ６０の電気接点と基板Ｗのエッジ部上のシード層との間にパーティクルが挟み込まれることを防止することができ、パーティクルに起因する接触抵抗の悪化を抑制することができる。

＜第５実施形態＞
図１７は、第５実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。第５実施形態のめっき装置は、第１実施形態に係る図１のめっき装置と比べて、スポンジ薬液洗浄装置９０を有する点が異なる。その他の構成は第１実施形態と同様であるので、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図１７に示すスポンジ薬液洗浄装置９０は、ロード／アンロード部１７０Ａ内に設けられ、基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜及びパーティクルを局所的に除去する。また、図１７には示していないが、スポンジ薬液洗浄装置９０においても、基板Ｗのエッジ部上方に位置する付近にセンサ（不図示）を設け、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにしてもよい。この場合、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍを励起光として照射し、エッジ部の吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）を設けてもよい（不図示）。めっき装置の制御部は、このセンサにより測定された吸光度または蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成されている

図１８は、スポンジ薬液洗浄装置９０の概略側面図である。図示のように、スポンジ薬液洗浄装置９０は、回転ステージ９１と、ＤＩＷノズル９３と、スポンジ洗浄部８４と、酸化膜除去装置９４（エッジ部洗浄装置の一例に相当する）と、カバー９８を有する。回転ステージ９１は、基板Ｗの裏面を吸着するように構成され、基板Ｗを周方向に回転させる。なお、回転ステージ９１は、静電吸着式又は真空吸着式で基板Ｗを吸着する。

酸化膜除去装置９４は、基板に薬液を供給する薬液供給装置であり、薬液を供給するように構成された薬液ノズル９５と、薬液ノズル９５に接続されたアーム９６と、アーム９６を旋回するように構成された回転軸９７とを有する。薬液ノズル９５の先端と基板Ｗとの距離は、約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離が１ｍｍ未満であると、基板と薬液ノズル９５とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離を１０ｍｍ超とすると、局所的に薬液を供給できない可能性がある。基板と薬液ノズル９５とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に薬液を供給できるようにするためには、薬液ノズル９５の先端と基板との距離を約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下とすること
がより好ましい。

スポンジ薬液洗浄装置９０で基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜を局所的に除去するためには、まず、酸化膜除去装置９４は、基板Ｗの直径に応じてアーム９６を旋回し、薬液ノズル９５を基板Ｗのエッジ部の上方に位置させる。薬液ノズル９５が基板Ｗのエッジ部の上方に位置した状態で、回転する基板Ｗの略中央部にＤＩＷノズル９３からＤＩＷを供給するとともに、回転する基板Ｗのエッジ部に薬液を噴出する。薬液は基板Ｗのエッジ部に供給されるとともに、基板Ｗの回転により遠心力を受けて基板Ｗの外周部に向かって流れる。これにより、酸化膜除去装置９４は、基板Ｗのエッジ部に局所的に薬液を供給することができる。言い換えれば、実質的に基板Ｗのエッジ部以外の領域は、薬液に曝されない。回転ステージ９１が基板Ｗを回転することにより、基板Ｗのエッジ部全周に亘って薬液を効率的に供給することができる。基板Ｗのエッジ部に形成された酸化膜に薬液が供給されると、酸化膜は薬液により溶解し、除去される。所定時間薬液を供給した後、薬液の供給は停止され、ＤＩＷの供給が継続される。これにより、基板Ｗのエッジ部に供給された薬液が洗い流される。ここで、基板Ｗのエッジ部とは、前述したように電気接点７２が接触しうる領域、又は基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、基板Ｗがシール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域である。ただし、薬液を基板に対してスポット的に供給する際に、一部の薬液が飛散しうることをあらかじめ想定して、レジストパターンに悪影響を与えにくい薬液成分・濃度としたうえで、基板Ｗのエッジ部の周辺部にある酸化膜を薬液２８により溶解し、除去するように構成することもできる。

また、スポンジ薬液洗浄装置９０は、酸化膜除去装置９４により基板Ｗのエッジ部の酸化膜を除去しつつ、スポンジ洗浄部８４によって基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクルを局所的に除去することができる。なお、本実施形態においても、基板のエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを測定するために、基板Ｗのエッジ部に、エッジ部の上方から紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍを励起光として照射し、エッジ部の吸光度を測定するように構成されたセンサ（分光光度計）、又は蛍光領域の光を照射してその反射光の強度をモニタするためのセンサ（蛍光反射膜厚計）をスポンジ薬液洗浄装置９０に設けてもよい（不図示）。めっき装置の制御部は、このセンサにより測定された吸光度又は蛍光強度の値が、予め設定した閾値よりも大きい値か否かによって、エッジ部の汚染物質（有機物及び酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができるように構成されている。その場合、エッジ部の洗浄中又は洗浄後の基板Ｗのエッジ部の上方にセンサを位置させた状態で基板Ｗを回転させ、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定できる。このようにすることで、基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理を行う前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない基板についてめっき処理を行うようにすることができるので、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する基板Ｗのめっき膜厚の面内均一性の悪化等を防止できる。さらに、基板Ｗのエッジ部の洗浄中に基板Ｗのエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにした場合には、洗浄の終点を、このセンサの判定結果に基づいて決定することもできる。さらに、もともとエッジ部に異常がある基板Ｗの有無も、センサの測定結果に基づいて判定できる。

図１９は、第５実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。第５実施形態に係るめっき方法は、第１実施形態に係る図７に示しためっき方法に加えて、ステップＳ９０１を有する。図７のめっき方法と同一の部分の説明は一部省略する。

ステップＳ６０３において、アライナ４０が有する有機物脱離装置４５（図４ないし図６参照）が、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物を脱離する。続いて、基板搬送装置１２２によって、基板Ｗがスポンジ薬液洗浄装置９０へ搬送される。スポンジ薬液洗浄装置９０において、基板Ｗはエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ９０１）。具体的には、ス
ポンジ薬液洗浄装置９０において、基板Ｗのエッジ部に存在するパーティクル及び酸化膜が除去される。また、図１９には示されていないが、エッジ部の洗浄が行われた基板Ｗのエッジ部における有機物、酸化膜、パーティクル等の有無を判定するために、エッジ部に汚染物質が存在しているかいないかを判定するようにしてもよい。

エッジ部の洗浄が行われた基板Ｗは、基板搬送装置１２２によってフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ６０４）。このとき、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された基板Ｗのエッジ部と接触する。これにより、パーティクルに起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。基板ホルダ６０にセットされた基板Ｗは、後段のステップＳ６０５〜ステップＳ６０９において、処理される。

以上で説明したように、第５実施形態によれば、基板ホルダ６０にセットされる前に、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルを局所的に除去することができる。したがって、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物、酸化膜、及びパーティクルに起因する基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗のバラつきを抑制し、めっき膜厚の均一性の悪化を防止することができる。

＜第６実施形態＞
図２０は、第６実施形態にかかるめっき装置の全体配置図である。第６実施形態のめっき装置は、第１実施形態から第５実施形態のめっき装置と比べて、矩形（角形）基板にめっきを行うように構成されている点が大きく異なる。以下の説明において、第１実施形態のめっき装置と同様の構成については詳細な説明を省略する。

第６実施形態のめっき装置は、フープ１０２と、フィキシングユニット１２０と、基板搬送装置１２２とを有する。後述するように、第６実施形態に係るフィキシングユニット１２０は、基板ホルダ６０にセットされる前の矩形基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離する有機物脱離装置を有する。第６実施形態のめっき装置では、矩形基板を保持することができる基板ホルダ６０が使用される。フィキシングユニット１２０は、有機物脱離装置で、矩形基板のエッジ部に存在する有機物を局所的に脱離した後、基板ホルダ６０に矩形基板を保持させるように構成される。

めっき装置は、さらに、ストッカ１２４と、プリウェット槽１２６と、活性化槽１２９と、ブロー槽１３２と、めっき槽１０と、を有する。活性化槽１２９では、プリウェット後の基板の表面を酸等で洗浄して活性化させる。ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、活性化槽１２９、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０は、この順に配置されている。また、めっき装置は、めっき処理された矩形基板を洗浄及び乾燥するための洗浄乾燥装置１３５を有する。

図２１は、第６実施形態に係るめっき方法を示すフロー図である。本めっき方法では、まず、図２０に示しためっき装置に矩形基板を搬送する前に、矩形基板にレジストパターンを形成する（ステップＳ２１０１）。続いて、レジストパターンが形成された矩形基板にＵＶの照射を行い、矩形基板表面上のレジスト残渣を除去し（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）を行う（ステップＳ２１０２）。ステップＳ２１０１及びステップＳ２１０２の処理は、図２０に示しためっき装置以外の任意の装置において行われる。

続いて、矩形基板を収容したフープ１０２から、基板搬送装置１２２によって、矩形基板がフィキシングユニット１２０へ搬送される。フィキシングユニット１２０において、矩形基板のエッジ部の洗浄が行われる（ステップＳ２１０３）。具体的には、フィキシン
グユニット１２０において、有機物脱離装置により矩形基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマが適用され、有機物が脱離される。

図２１に示すフローには記載されていないが、フィキシングユニット１２０にセンサ（不図示）を設けた場合には、矩形基板のエッジ部に存在する有機物にＵＶ又はプラズマを適用して局所的に除去した後に、エッジ部の汚染物質（有機物を含む）の有無を確認することができる。具体的には、まず、フィキシングユニット１２０に供えられた有機物脱離装置に配置された矩形基板の表面の上方にセンサ（分光光度計又は蛍光反射膜厚計）を位置させる。センサを矩形基板中心部からエッジ部へ（又はエッジ部から基板中心部へ）走査させながら、センサから矩形基板の表面に向かって紫外領域（２００ｎｍから３８０ｎｍ）の光、例えば３６５ｎｍの波長の光を励起光として照射し、吸光度または蛍光強度を測定する。

矩形基板表面には、ＵＶ又はプラズマ処理が行われたエッジ部と、ＵＶ又はプラズマ処理が行われていない被めっき面とが存在し、シード層は、矩形基板表面の全域（被めっき面とエッジ部）に形成されている。そして、被めっき面とエッジ部にセンサを走査させることで、被めっき面とエッジ部の両方の吸光度又は蛍光強度を測定することができる。めっき装置の図示しない制御部は、例えば、この被めっき面とエッジ部の両方の吸光度を比較し、例えば被めっき面の吸光度に対するエッジ部の吸光度の比の値が予め設定した閾値（例えば５０％以下）より大きいか否かにより、エッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）が十分に除去されているか否かを判定することができる。上記比の値が閾値より大きい場合は、エッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）は十分に除去されていないと判定できる。また、上記比の値が閾値より大きくない場合はエッジ部の汚染物質（有機物および酸化膜を含む）は十分に除去されていると判定できる。蛍光強度を測定する場合も、同様に所定の閾値と測定値とを比較することで、エッジ部の汚染物質が十分に除去されているか否かを判定することができる。

この判定に基づき、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていないと判定された場合は、矩形基板のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を繰り返し実施してもよい。また、エッジ部の汚染物質が十分に除去されていると判定された場合は、有機物の脱離が完了したものとして、基板ホルダ搬送装置１４０によって各処理槽に搬送され、一連のめっき処理が実施される。このように、矩形基板のエッジ部に汚染物質が存在しているかいないかをめっき処理前に判定し、その後、エッジ部に汚染物質が残存していない矩形基板についてめっき処理を行うようにすることで、基板ホルダ６０が有する電気接点の接触抵抗のばらつきに起因する矩形基板のめっき膜厚の面内均一性の悪化等を、より確実に防止できる。

エッジ部の洗浄が行われた矩形基板は、フィキシングユニット１２０により基板ホルダ６０にセットされる（ステップＳ２１０４）。このとき、矩形基板のエッジ部の有機物は脱離されているので、基板ホルダ６０の電気接点は、洗浄された矩形基板のエッジ部と接触する。これにより、有機物の付着に起因する基板ホルダ６０の電気接点の接触抵抗のバラつきを低減することができる。

基板ホルダ６０に保持された矩形基板は、基板ホルダ搬送装置１４０により、まずプリウェット槽１２６に搬送され、プリウェット槽１２６に収容された純水に基板Ｗが浸漬される（ステップＳ２１０５）。続いて、矩形基板は、活性化槽１２９に搬送され、基板Ｗの表面が活性化される（ステップＳ２１０６）。

矩形基板は、めっき槽１０のいずれかのめっきセル１３４に浸漬されて、めっき処理が行われる（ステップＳ２１０７）。表面にめっき膜が形成された矩形基板は、ブロー槽１
３２においてブロー乾燥される（ステップＳ２１０８）。続いて、基板ホルダ６０に保持された矩形基板はフィキシングユニット１２０に搬送され、基板ホルダ６０から矩形基板が取り外される。基板搬送装置１２２は、フィキシングユニット１２０から矩形基板を受け取り、洗浄乾燥装置１３５に矩形基板を搬送する。矩形基板は、洗浄乾燥装置１３５において、表面の洗浄及び乾燥が行われる（ステップＳ２１０９）。

次に、図２１に示したステップＳ２１０３における処理について詳細に説明する。図２２は、フィキシングユニット１２０に設けられる有機物脱離装置５０の一例の概略側面図である。有機物脱離装置５０は、ＵＶ照射装置又はプラズマ放射装置を構成する。図２２に示すように、有機物脱離装置５０は、基板支持台５５（回転機構の一例に相当する）と、第１アクチュエータ５３（アクチュエータの一例に相当する）と、第２アクチュエータ５２（アクチュエータの一例に相当する）と、ヘッド部５１と、制御部５４と、を有する。基板支持台５５は、矩形基板Ｓ１の裏面を吸着するように構成され、矩形基板Ｓ１を周方向に回転させる。なお、基板支持台５５は、静電吸着式又は真空吸着式で矩形基板Ｓ１を吸着する。

ヘッド部５１は、基板支持台５５に配置された矩形基板Ｓ１の上方から矩形基板Ｓ１のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用できるように構成される。即ち、ヘッド部５１がＵＶを照射するように構成される場合は、有機物脱離装置５０はＵＶ照射装置を構成し、ヘッド部５１がプラズマを放射するように構成される場合は、有機物脱離装置５０はプラズマ照射装置を構成する。有機物脱離装置５０は、基板ホルダ６０に保持される前の矩形基板Ｓ１のエッジ部に局所的にＵＶ又はプラズマを適用することができる。言い換えれば、矩形基板Ｓ１のエッジ部以外の領域は、ＵＶ又はプラズマに曝されない。

第１アクチュエータ５３及び第２アクチュエータ５２は、ヘッド部５１を水平方向に移動させることができる。具体的には、第１アクチュエータ５３は、ヘッド部５１を水平方向であり且つ直線方向の第１方向に移動させることができ、第２アクチュエータ５２は、第１方向と直交する第２方向に移動させることができる。図示の例では、第１アクチュエータ５３により、矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿ってヘッド部５１を移動させることができ、第２アクチュエータ５２により、矩形基板Ｓ１の端部からＵＶ又はプラズマの適用位置までの距離ｄ２を調節することができる。本実施形態においては、基板ホルダ６０のシール部材７０のリップ部７０ａが当接する部分よりも外周側の領域にＵＶ又はプラズマが適用されるように、距離ｄ２は、約５ｍｍ以下、より好ましくは約２ｍｍ以下となるようにヘッド部５１の位置が調整される。なお、本実施形態において第１方向又は第２方向とは、一方向ではなく、例えばＸ軸のプラス方向及びマイナス方向のような双方向を意味する。

また、ヘッド部５１は、図示しない昇降機構により、鉛直方向に移動可能に構成される。ヘッド部５１のＵＶ照射源又はプラズマ放射口と矩形基板Ｓ１との距離ｄ１は、約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離が１ｍｍ未満であると、矩形基板Ｓ１とＵＶ照射源又はプラズマ放射口とが物理的に接触する可能性がある。また、この距離ｄ１を１０ｍｍ超とすると、局所的にＵＶ又はプラズマを照射できない可能性がある。矩形基板とＵＶ照射源又はプラズマ放射口とをより確実に物理的に接触させることなく、また、局所的に照射できるようにするためには、この距離ｄ１を約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下とすることがより好ましい。

有機物脱離装置５０は、さらに、ヘッド部５１、第１アクチュエータ５３、及び第２アクチュエータ、及び図示しない昇降機構を制御するための制御部５４を有する。また、有機物脱離装置５０は、ヘッド部５１が放射するＵＶ又はプラズマが矩形基板Ｓ１の中央側に拡散しないように、図２２に示すように、ヘッド部５１の矩形基板Ｓ１の中央側にＵＶ
又はプラズマを遮蔽するためのマスク５７を有してもよい。

図２３Ａから図２３Ｅは、図２２に示した有機物脱離装置５０で矩形基板Ｓ１のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置５０の平面図である。図２３Ａに示すように、まず、有機物脱離装置５０は、図示しない昇降機構により、ヘッド部５１の鉛直方向の位置合わせをし、第２アクチュエータ５２により、ヘッド部５１の位置を矩形基板Ｓ１の４つのエッジ部のうちの一つに位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０の制御部５４は、ヘッド部５１及び第１アクチュエータ５３を制御して、ヘッド部５１からＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿ってヘッド部５１を移動させて、エッジ部の一つを洗浄する。

エッジ部の一つが洗浄されると、有機物脱離装置５０は、基板支持台５５（図２２参照）を回転させて、図２３Ｂに示すように矩形基板Ｓ１を９０度回転させる。このとき、制御部５４は、ヘッド部５１からのＵＶ又はプラズマの放射を停止させてから、基板支持台５５を回転させるように、ヘッド部５１及び基板支持台５５を制御する。言い換えれば、ヘッド部５１からのＵＶ又はプラズマの放射と基板支持台５５による矩形基板Ｓ１の回転とが同時に行われないように、ヘッド部５１及び基板支持台５５を制御する。これにより、矩形基板Ｓ１上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

図２３Ｂに示すように、有機物脱離装置５０は、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させたまま、第２アクチュエータ５２により、ヘッド部５１を矩形基板Ｓ１のエッジ部に位置合わせする。本実施形態では、第２アクチュエータ５２を有するので、図２３Ａから図２３Ｅに示すように矩形基板Ｓ１が長辺と短辺を有する場合であっても、ヘッド部５１を矩形基板Ｓ１のエッジ部に位置合わせすることができる。

続いて、有機物脱離装置５０は、ヘッド部５１からＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿ってヘッド部５１を移動させて、エッジ部の他の一つを洗浄する。同様に、図２３Ｃ及び図２３Ｄに示すように、有機物脱離装置５０は、エッジ部の一つを洗浄するごとに、矩形基板Ｓ１を９０度回転させ、各エッジ部を洗浄する。

矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部の洗浄が終了すると、有機物脱離装置５０は、さらに矩形基板Ｓ１を９０度回転させて、矩形基板Ｓ１を図２３Ａと同一の位置（ホームポジション）に戻す（図２３Ｅ）。以上のように、矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部が洗浄される。図２２から図２３Ｅに示す有機物脱離装置５０においては、一組の第１アクチュエータ５３、第２アクチュエータ５２、及びヘッド部５１を有するものとしているが、これらを複数組有してもよい。その場合は、エッジ部の洗浄に要する時間を低減させることができる。

図２４は、フィキシングユニット１２０に設けられる有機物脱離装置５０の他の一例の概略側面図である。図２４に示す有機物脱離装置５０では、図２２に示した有機物脱離装置５０と異なり、基板支持台５５が回転しないように構成される。その代り、図２４に示す有機物脱離装置５０は、ヘッド部５１、第１アクチュエータ５３、及び第２アクチュエータ５２を旋回させる旋回軸５６を有する。旋回軸５６は、その中心軸が矩形基板Ｓ１の略中心を通過するように位置決めされる。ヘッド部５１、第１アクチュエータ５３、及び第２アクチュエータ５２は、図２４に示すようにヘッド部５１が矩形基板Ｓ１のエッジ部の上方に位置することができるように、直接的又は間接的に旋回軸５６に接続される。制御部５４は、ヘッド部５１、第１アクチュエータ５３、及び第２アクチュエータ５２に加えて、旋回軸５６の駆動も制御する。

図２５Ａから図２５Ｅは、図２４に示した有機物脱離装置５０で矩形基板Ｓ１のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置５０の平面図である。図２５Ａに示すように、まず、有機物脱離装置５０は、図示しない昇降機構により、ヘッド部５１の鉛直方向の位置合わせをし、旋回軸５６及び第２アクチュエータ５２により、ヘッド部５１の位置を矩形基板Ｓ１の４つのエッジ部のうちの一つに位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０の制御部５４は、ヘッド部５１及び第１アクチュエータ５３を制御して、ヘッド部５１からＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿ってヘッド部５１を移動させて、エッジ部の一つを洗浄する。

エッジ部の一つが洗浄されると、有機物脱離装置５０は、旋回軸５６を回転させて、図２５Ｂに示すようにヘッド部５１を９０度旋回させる。このとき、制御部５４は、ヘッド部５１からのＵＶ又はプラズマの放射を停止させてから、ヘッド部５１を旋回させるように、ヘッド部５１及び旋回軸５６を制御する。言い換えれば、ヘッド部５１からのＵＶ又はプラズマの放射と旋回軸５６によるヘッド部５１の旋回とが同時に行われないように、ヘッド部５１及び旋回軸５６を制御する。これにより、矩形基板Ｓ１上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

図２５Ｂに示すように、有機物脱離装置５０は、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させたまま、第２アクチュエータ５２により、ヘッド部５１を矩形基板Ｓ１のエッジ部に位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０は、ヘッド部５１からＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿ってヘッド部５１を移動させて、エッジ部の他の一つを洗浄する。同様に、図２５Ｃ及び図２５Ｄに示すように、有機物脱離装置５０は、エッジ部の一つを洗浄するごとに、旋回軸５６を中心にヘッド部５１を９０度旋回させ、各エッジ部を洗浄する。

矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部の洗浄が終了すると、有機物脱離装置５０は、さらにヘッド部５１を９０度旋回させて、ヘッド部を図２５Ａと同一の位置（ホームポジション）に戻す（図２５Ｅ）。以上のように、矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部が洗浄される。図２４から図２５Ｅに示す有機物脱離装置５０においては、一組の旋回軸５６、第１アクチュエータ５３、第２アクチュエータ５２、及びヘッド部５１を有するものとしているが、これらを複数組有してもよい。その場合は、エッジ部の洗浄に要する時間を低減させることができる。

図２６は、フィキシングユニット１２０に設けられる有機物脱離装置５０の他の一例の概略側面図である。図２６に示す有機物脱離装置５０では、図２２に示した有機物脱離装置５０と異なり、ヘッド部が２つ設けられる。即ち、有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａと、第２ヘッド部５１ｂと、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂに対応する２つの第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂを有する。図２６に示すように、第１ヘッド部５１ａと第２ヘッド部５１ｂは、第１アクチュエータ５３を挟んで互いに対向する位置に設けられる。したがって、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部は、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより互いに同一方向に往復動することができる。

図２７Ａから図２７Ｃは、図２６に示した有機物脱離装置５０で矩形基板Ｓ１のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置５０の平面図である。図２７Ａに示すように、まず、有機物脱離装置５０は、図示しない昇降機構により、ヘッド部５１の鉛直方向の位置合わせをし、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂの位置を矩形基板Ｓ１の４つのエッジ部のうちの対向する二つに位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０の制御部５４は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂ並びに第１アクチュエータ５３を制御して、第１ヘッド部５１ａ及
び第２ヘッド部５１ｂからＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿って第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを移動させて、対向する二つのエッジ部を洗浄する。

対向する二つのエッジ部が洗浄されると、有機物脱離装置５０は、基板支持台５５（図２６参照）を回転させて、図２７Ｂに示すように矩形基板Ｓ１を９０度回転させる。このとき、制御部５４は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂからのＵＶ又はプラズマの放射を停止させてから、基板支持台５５を回転させるように、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂ並びに基板支持台５５を制御する。これにより、矩形基板Ｓ１上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

図２７Ｂに示すように、有機物脱離装置５０は、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させたまま、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを矩形基板Ｓ１の対向する二つのエッジ部に位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂからＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿って第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを移動させて、対向する二つのエッジ部を洗浄する。

矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部の洗浄が終了すると、有機物脱離装置５０は、さらに矩形基板Ｓ１を２７０度回転させて、矩形基板Ｓ１を図２７Ａと同一の位置（ホームポジション）に戻す（図２７Ｃ）。以上のように、矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部が洗浄される。図２６及び図２７Ａ−２７Ｃに示す有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを有する。このため、図２２及び図２３Ａ−２３Ｅに示した有機物脱離装置５０に比べて、ＵＶ又はプラズマを矩形基板Ｓ１に照射する時間、及び矩形基板Ｓ１を回転させる時間を低減させることができる。また、図２６から図２７Ｃに示す有機物脱離装置５０においては、一組の第１アクチュエータ５３、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂ、第１ヘッド部５１ａ、及び第２ヘッド部５１ｂを有するものとしているが、これらを複数組有してもよい。その場合は、エッジ部の洗浄に要する時間を低減させることができる。

図２８は、フィキシングユニット１２０に設けられる有機物脱離装置５０の他の一例の概略側面図である。図２８に示す有機物脱離装置５０では、図２４に示した有機物脱離装置５０と異なり、ヘッド部が２つ設けられる。即ち、有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａと、第２ヘッド部５１ｂと、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂに対応する２つの第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂを有する。図２８に示すように、第１ヘッド部５１ａと第２ヘッド部５１ｂは、第１アクチュエータ５３を挟んで互いに対向する位置に設けられる。したがって、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂは、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより互いに同一方向に往復動することができる。

図２９Ａから図２９Ｃは、図２８に示した有機物脱離装置５０で矩形基板Ｓ１のエッジ部の有機物を脱離するプロセスを示す有機物脱離装置５０の平面図である。図２９Ａに示すように、まず、有機物脱離装置５０は、図示しない昇降機構により、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂの鉛直方向の位置合わせをし、旋回軸５６及び第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂの位置を矩形基板Ｓ１の対向する二つのエッジ部に位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０の制御部５４は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂ並びに第１アクチュエータ５３を制御して、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂからＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿って第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを移動させて、エッジ部の一つを洗浄する。

対向する二つのエッジ部が洗浄されると、有機物脱離装置５０は、旋回軸５６を回転させて、図２９Ｂに示すように第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを９０度旋回させる。このとき、制御部５４は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂからのＵＶ又はプラズマの放射を停止させてから第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを旋回させるように、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂ及び旋回軸５６を制御する。これにより、矩形基板Ｓ１上の意図しない領域にＵＶ又はプラズマが放射されることを防止することができる。

図２９Ｂに示すように、有機物脱離装置５０は、ＵＶ又はプラズマの放射を停止させたまま、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂにより、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを矩形基板Ｓ１のエッジ部に位置合わせする。続いて、有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂからＵＶ又はプラズマを放射しながら、第１アクチュエータ５３により矩形基板Ｓ１のエッジ部に沿って第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを移動させて、対向する二つのエッジ部を洗浄する。

矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部の洗浄が終了すると、有機物脱離装置５０は、さらに第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを２７０度旋回させて、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを図２９Ａと同一の位置（ホームポジション）に戻す（図２９Ｃ）。以上のように、矩形基板Ｓ１の４辺のエッジ部が洗浄される。図２８及び図２９Ａ−２９Ｃに示す有機物脱離装置５０は、第１ヘッド部５１ａ及び第２ヘッド部５１ｂを有する。このため、図２４及び図２５Ａ−２５Ｅに示した有機物脱離装置５０に比べて、ＵＶ又はプラズマを矩形基板Ｓ１に照射する時間、及びヘッド部を回転させる時間を低減させることができる。また、図２８から図２９Ｃに示す有機物脱離装置５０においては、一組の旋回軸５６、第１アクチュエータ５３、第２アクチュエータ５２ａ，５２ｂ、第１ヘッド部５１ａ、及び第２ヘッド部５１ｂを有するものとしているが、これらを複数組有してもよい。その場合は、エッジ部の洗浄に要する時間を低減させることができる。

以上で説明した第６実施形態の有機物脱離装置５０がＵＶ照射装置である場合において、ＵＶ光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ブラックライト、又はＵＶ領域の光を放射可能なレーザー光源等を採用することができる。高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、及びブラックライトは光が発散する傾向を有するので、これらの光源を採用する場合は、光源を基板Ｗの近傍に設置するか、光学系を用いてエッジ部のみにＵＶを照射するようにすることが好ましい。有機物脱離装置５０がプラズマ放射装置である場合は、例えば大気リモートプラズマ装置等を採用することができる。

第６実施形態において、有機物脱離装置５０は、フィキシングユニット１２０に設けられるものとして説明したが、これに限らず、他のユニットに設けられてもよいし、別途独立した装置としてめっき装置内に設けられてもよい。また、有機物脱離装置５０は、矩形基板の４辺のエッジ部を洗浄するものとしたが、例えば対向する２辺のエッジ部のみを洗浄するようにしてもよい。その場合、矩形基板Ｓ１の回転回数又はヘッド部５１の旋回回数を減少させることができる。また、図２２に示したマスク５７は、図２４から図２９Ｃに示した他の有機物脱離装置５０においても採用することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。例えば、図１ないし図１９において説明した、基板Ｗのエッジ部を洗浄する有機物脱離装置４５、酸化膜除去装置２４、
及びスポンジ洗浄装置８０は、任意に組み合わせることができる。

１０ めっき槽
２０ スピンリンスドライヤ
２４，９４ 酸化膜除去装置
２５ 薬液ノズル
２８ 薬液
４０ アライナ
４５ 有機物脱離装置
５０ 有機物脱離装置
５１ ヘッド部
５１ａ 第１ヘッド部
５１ｂ 第２ヘッド部
５２，５２ａ，５２ｂ 第２アクチュエータ
５３ 第１アクチュエータ
５４ 制御部
５５ 基板支持台
５６ 旋回軸
６０ 基板ホルダ
８０ スポンジ洗浄装置
８４ スポンジ洗浄部

Claims (10)

1. 基板にめっきを行うめっき装置であって、
   前記基板が基板ホルダにより保持される際にシール部材でシールされる領域に隣接する、基板周縁部までのエッジ領域に存在する有機物を局所的に脱離する有機物脱離装置と、
   めっき液を収容し、基板とアノードとを該めっき液に浸漬させた状態で該基板と該アノード間に電圧を印加してめっきを行うためのめっき槽と、を有し、
   前記有機物脱離装置は、回転する前記基板の前記エッジ領域にＵＶを照射するＵＶ照射装置又は回転する前記基板の前記エッジ領域にプラズマを放射するプラズマ放射装置を含む、めっき装置。
2. 請求項１に記載されためっき装置において、
   前記基板を回転させて前記基板の向きを整列するアライナを有し、
   前記有機物脱離装置は、前記アライナに設けられる、めっき装置。
3. 請求項１に記載されためっき装置において、
   前記ＵＶ照射装置又は前記プラズマ放射装置は、前記基板の上方から該基板の前記エッジ領域に局所的にＵＶ又はプラズマを適用できる位置に配置された、めっき装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載されためっき装置において、
   前記基板の前記エッジ領域に存在するパーティクルを除去するスポンジ洗浄装置を有する、めっき装置。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載されためっき装置において、
   前記エッジ領域に存在した有機物が局所的に除去された基板の前記エッジ領域に光を照射するとともに、反射する光の強度又は吸光度を測定するように構成されたセンサを備えた、めっき装置。
6. 基板にめっきを行うめっき方法であって、
   前記基板が基板ホルダにより保持される際にシール部材でシールされる領域に隣接する、基板周縁部までのエッジ領域に存在する有機物を局所的に除去する除去工程と、
   前記基板を基板ホルダに保持する工程と、
   前記基板ホルダに保持された前記基板にめっき処理を行う工程と、を有し、
   前記除去工程は、回転する前記基板の前記エッジ領域に局所的にＵＶ又はプラズマを放射する工程を含む、めっき方法。
7. 請求項６に記載されためっき方法において、
   レジストパターンを前記基板に形成する工程と、
   前記レジストパターンをアッシングするアッシング工程と、を有し、
   前記除去工程は、前記アッシング工程の後に実行される、めっき方法。
8. 請求項６又は７に記載されためっき方法において、
   回転する前記基板のエッジ部にスポンジヘッドを接触させて、パーティクルを除去する工程を有する、めっき方法。
9. 請求項６ないし８のいずれか一項に記載されためっき方法において、
   前記除去工程は、前記基板の周縁部から基板中心に向かって２ｍｍの範囲内に存在する有機物を局所的に除去する工程を含む、めっき方法。
10. 請求項６ないし９のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記エッジ領域に存在した有機物を局所的に除去した基板の前記エッジ領域に光を照射して、反射する光の強度又は吸光度を測定する工程を有する、めっき方法。

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