TWI735547B - 鍍覆裝置及鍍覆方法 - Google Patents

Abstract

本發明在於防止因「形成於基板之邊緣部的氧化膜及/或附著於基板之邊緣部的有機物」而導致鍍覆膜厚的均勻性變差。本發明提供一種對基板進行鍍覆的鍍覆裝置。該鍍覆裝置具有：鍍覆槽，對設於基板載具之該基板施加電壓以進行鍍覆；及邊緣部洗淨裝置，局部去除設於該基板載具之前即存在於該基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法

本發明係關於鍍覆裝置及鍍覆方法。

以往，在設於半導體晶圓等表面的微細配線用溝槽、孔洞、或光阻開口部中形成配線，或於半導體晶圓等的表面形成與封裝之電極等電性連接的凸塊(突起狀電極)。作為形成該配線及凸塊的方法，例如，電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、焊球凸塊法等已為人所知，但隨著半導體晶片的I/O數增加、間距細化，逐漸大量使用可微細化且性能較穩定的電解鍍覆法。

以電解鍍覆法對基板進行鍍覆，係預先在形成有種子層的半導體晶圓等基板上形成光阻圖案。接著，對於形成有光阻圖案的基板照射紫外光(以下稱為UV或Ultra Violet)等，以去除基板表面上的光阻殘渣(灰化處理)，並且進行光阻表面的親水化處理(去渣處理)。

經灰化處理及去渣處理的基板，被運送至鍍覆裝置，並保持於基板載具。基板載具，具有用以對基板供電的電性接點。基板載具的電性接點係構成「於基板保持於基板載具時與未塗布光阻之基板之邊緣部上的種子層接觸」的態樣。這樣的基板載具，例如揭示於專利文獻1中。藉由將被保持於基板載具的基板浸漬於鍍覆液中，並且在陽極與基板之間施加電壓，可在基板表面形成鍍覆膜。

先前技術文獻

專利文獻

[專利文獻1]特開2002-363794號公報

以往的鍍覆方法中，在進行灰化處理及去渣處理之後，並非直接進行鍍覆處理。亦即，係在進行灰化處理及去渣處理之後經過既定的時間，基板才被保持於基板載具。此時，因為在灰化處理及去渣處理後經過一段時間，故在基板邊緣部上的種子層上，具有「形成氧化膜」或是「從光阻揮發的有機物附著於其上」的情形。若在成為基板與電性接點接觸的基板邊緣部上的種子層上形成氧化膜或是附著有機物，則基板載具之電性接點的接觸電阻產生不均，而具有鍍覆膜厚的均勻性變差的問題。

本發明係鑒於上述問題所完成者，其目的之一係防止鍍覆膜厚的均勻性變差；該鍍覆膜厚之均勻性變差的原因，「形成於基板之邊緣部之氧化膜」及「附著於基板之邊緣部之有機物」的至少任一者。

根據本發明的一形態，提供一種對基板進行鍍覆的鍍覆裝置。該鍍覆裝置包含：邊緣部洗淨裝置，局部地去除存在於該基板之邊緣部之有機物及氧化膜的至少一者；鍍覆槽，用以收納鍍覆液，在使基板與陽極浸漬於該鍍覆液的狀態下，對該基板與該陽極間施加電壓以進行鍍覆。

根據此一形態，可在基板設於基板載具之前，局部地去除存在基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一種。因此，不會對形成於基板 之邊緣部以外之表面的光阻圖案造成不良的影響，並且抑制存在於基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者造成基板載具之電性接點的接觸電阻不均，而可防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

本發明之一形態中，該邊緣部洗淨裝置包含使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離的有機物脫離裝置，而該有機物脫離裝置包含對於旋轉的該基板之邊緣部照射UV的UV照射裝置或對於旋轉的該基板之邊緣部放射電漿的電漿放射裝置。

一般而言，欲進行鍍覆的基板上塗有光阻，若對該光阻放射UV或電漿，可能導致光阻變質而受到損傷。根據此一形態，可局部對基板之邊緣部放射UV或電漿。藉此，不會對於基板之邊緣部以外的表面、即基板上塗有光阻的部分放射UV或電漿，故可在不對基板上的光阻造成損傷的情況下，使基板之邊緣部的有機物脫離。

本發明之一形態中，鍍覆裝置具有使該基板旋轉以將該基板方向整齊排列的對準器，而該有機物脫離裝置則設於該對準器。

根據此一形態，因為有機物脫離裝置設於對準器，故藉由對準器使基板旋轉，可以UV照射裝置或電漿照射裝置對基板之邊緣部進行處理。因此，有機物脫離裝置中無須設置使基板旋轉的機構，故可降低成本。另外，藉由將有機物脫離裝置設於對準器，可降低鍍覆裝置整體的占地面積。

本發明之一形態中，該UV照射裝置或該電漿放射裝置，係配置於可從該基板上方對該基板之邊緣部局部施用UV或電漿的位置。

本發明之一形態中，該邊緣部洗淨裝置包含氧化膜去除裝 置，其局部去除存在於該基板之邊緣部之氧化膜；該氧化膜去除裝置包含藥液洗淨裝置，其具備對旋轉的該基板之邊緣部供給藥液的藥液噴嘴。

一般而言，欲鍍覆的基板上形成有種子層，若在該種子層上附著藥液的狀態下放置，則具有種子層溶解的疑慮。因此，欲鍍覆之基板的邊緣以外的部分、即從光阻圖案之開口露出的種子層附著有藥液的情況下，為了避免藥液殘留，而必須充分地洗淨。根據此一形態，可對基板之邊緣部局部供給藥液。藉此，藥液不會附著於從光阻圖案之開口露出的種子層，而可去除形成於基板之邊緣部的氧化膜。因此，相較於藥液附著於基板整個面上的情況，可大幅縮短基板的洗淨時間。

本發明之一形態中，該藥液包含3wt%以上15wt%以下的稀硫酸或2wt%以上20wt%以下的檸檬酸。

在以藥液去除基板之邊緣部之氧化膜時，必須避免基板之邊緣部上的種子層溶解。根據此一形態，可在不溶解基板之邊緣部上之種子層的情況下，去除氧化膜。又，若稀硫酸未滿3wt%或檸檬酸未滿2wt%，則酸濃度過低，而具有無法適當去除氧化膜的疑慮。另外，若稀硫酸超過15wt%或檸檬酸超過20wt%，則酸濃度過高，而具有基板之邊緣部上之種子層溶解的疑慮。

本發明之一形態中，鍍覆裝置具有旋轉潤濕乾燥裝置，其構成使該基板旋轉、乾燥的態樣；該氧化膜去除裝置設於該旋轉潤濕乾燥裝置。

根據此一形態，因為氧化膜去除裝置設於旋轉潤濕乾燥裝置，故可一邊藉由旋轉潤濕乾燥裝置使基板旋轉，一邊以藥液洗淨裝置對 基板之邊緣部進行處理。另外，旋轉潤濕乾燥裝置一般具有防止基板上之液體飛散的罩蓋，故可防止藥液洗淨裝置所供給的藥液飛散至旋轉潤濕乾燥裝置的外部。因此，氧化膜去除裝置中無須設置使基板旋轉的機構及防止藥液飛散的罩蓋，故可減低成本。另外，藉由將氧化膜去除裝置設於旋轉潤濕乾燥裝置，可降低鍍覆裝置整體的占地面積。

本發明之一形態中，該藥液洗淨裝置係配置於可從該基板上方對該基板邊緣部局部供給藥液的位置。

本發明之一形態中，鍍覆裝置具有海綿洗淨裝置，用以去除存在於該基板之邊緣部的粒子。

根據此一形態，可防止基板載具的電性接點與基板之邊緣部上的種子層之間夾入粒子，進而可抑制因粒子導致接觸電阻變差的情況。

本發明之一形態中，鍍覆裝置具備感測器，其係構成下述態樣：對於存在該邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者經局部去除的基板的該邊緣部照射光線的同時，測定反射之光強度或吸光度。

根據此一形態，藉由測定反射之光強度或吸光度，可判定存在邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者經局部去除的基板，其邊緣部之汙染物質是否已充分去除。藉此，可在鍍覆處理前判定基板之邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部不存在汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可更確實防止「基板載具所具有之電性接點的接觸電阻不均導致基板W鍍覆膜厚之平面均勻性變差等」。

根據本發明之一形態，可提供對基板進行鍍覆的鍍覆方法。該鍍覆方法包含：去除步驟，局部去除存在於該基板之邊緣部的有機物及 氧化膜的至少一者；保持步驟，將該基板保持於基板載具；及鍍覆處理步驟，對保持於該基板載具的該基板進行鍍覆處理。

根據此一形態，可在設於基板載具之前，局部去除存在於基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者。因此，不會對形成於基板之邊緣部以外之表面的光阻圖案造成不良影響，而可抑制存在於基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者所造成的基板載具之電性接點的接觸電阻不均，進而可防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

本發明之一形態中，鍍覆方法具有：光阻圖案形成步驟，在該基板上形成光阻圖案；及灰化步驟，將該光阻圖案灰化；該去除步驟，係在該灰化步驟之後進行。

根據此一形態，因為係在灰化步驟之後進行去除步驟，故即使在灰化步驟之後經過既定時間而導致有機物附著及氧化膜的至少一者形成於基板之邊緣部，亦可經由去除步驟局部去除存在於基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者。

本發明之一形態中，該去除步驟包含局部放射步驟，對該基板之邊緣部局部放射UV或電漿。

一般而言，欲鍍覆的基板上塗有光阻，若對該光阻放射UV或電漿，則可能導致光阻變質、受到損傷。根據此一形態可對基板之邊緣部局部放射UV或電漿。藉此，不會對基板之邊緣部以外的表面、即基板上塗有光阻的部分放射UV或電漿，因此可以在不對基板上的光阻造成損傷的情況下，使基板之邊緣部的有機物脫離。

本發明之一形態中，該去除步驟包含藥液供給步驟，其對該 基板邊緣部局部供給藥液。

一般而言，欲鍍覆的基板上形成有種子層，若在該種子層附著藥液的狀態下放置，則具有種子層溶解的疑慮。因此，欲鍍覆之基板邊緣以外的部分、即從光阻圖案之開口露出的種子層附著藥液的情況，為了避免藥液殘留而必須充分洗淨。根據此一形態，可對基板之邊緣部局部供給藥液。藉此，可在不使藥液附著於從光阻圖案之開口露出的種子層的情況下，去除形成於基板之邊緣部的氧化膜。因此，相較於藥液附著於基板的整個面的情況，可大幅縮短基板的洗淨時間。

本發明之一形態中，該藥液包含3wt%以上15wt%以下的稀硫酸或2wt%以上20wt%以下的檸檬酸。

以藥液去除基板之邊緣部之氧化膜時，必須避免基板之邊緣部上的種子層溶解。根據此一形態，可在不溶解基板之邊緣部上之種子層的情況下去除氧化膜。又，若稀硫酸未滿3wt%或檸檬酸未滿2wt%，則酸濃度太低，而具有無法適當去除氧化膜的疑慮。另外，若稀硫酸超過15wt%或檸檬酸超過20wt%，則酸濃度太高，而具有溶解基板之邊緣部上之種子層的疑慮。

本發明之一形態中，鍍覆方法具有粒子去除步驟，其係使旋轉的該基板之邊緣部接觸海綿頭以去除粒子。

根據此一形態，可防止基板載具的電性接點與基板之邊緣部上之種子層之間夾入粒子，進而可抑制因粒子導致接觸電阻變差的情形。

本發明之一形態中，該去除步驟包含局部去除步驟，其係在使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離之後，局部去除該氧化膜。

基板之邊緣部中，有機物附著於氧化膜上。因此，在使有機物脫離之前去除氧化膜的情況下，難以去除有機物附著部分的氧化膜。根據此一形態，因為係在使有機物脫離之後去除氧化膜，故可有效地去除有機物及氧化膜。

本發明之一形態中，該去除步驟包含局部去除步驟，其係局部去除存在於從該基板之邊緣部往基板中心2mm之範圍內的有機物及氧化膜的至少一者。

一般而言，基板載具的電性接點，係與從基板的周緣部往內2mm之範圍內的邊緣部接觸。因此，根據此一形態，可局部去除存在於基板上「與基板載具之電性接點接觸」這一部分的有機物及氧化膜的至少一者。

本發明之一形態中，該去除步驟包含局部去除步驟，其在該基板被保持於基板載具時，局部去除與以密封構件所密封之區域鄰接的、至基板周緣部為止的區域上所存在的有機物及氧化膜的至少一者。

本發明之一形態中，鍍覆方法具有測定步驟，其係對於存在於該邊緣部的有機物或氧化膜的至少一者經局部去除之基板的該邊緣部照射光線，並且測定反射的光強度或吸光度。

根據此一形態，藉由測定反射之光強度或吸光度，可判定存在邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者經局部去除的基板，其邊緣部的汙染物質是否已充分去除。藉此，可在鍍覆處理前判定基板之邊緣部是否存在汙染物質，之後對邊緣部未殘留汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可更確實防止「基板載具所具有之電性接點的接觸電阻不均引起基板W之鍍覆 膜厚的平面均勻性變差等」。

根據本發明之一形態，可提供對基板進行鍍覆的鍍覆裝置。該鍍覆裝置包含：鍍覆槽，其對於保持於基板載具的該基板施加電壓以進行鍍覆；邊緣部洗淨裝置，其局部去除存在於該基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者。

根據此一形態，可在設置於基板載具之前，局部去除存在於基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者。因此，可在不對形成於基板之邊緣部以外之表面的光阻圖案造成不良影響的情況下，抑制存在於基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者造成基板載具之電性接點的接觸電阻不均，進而可防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

根據本發明之一形態，可提供對基板進行鍍覆的鍍覆方法。該鍍覆方法包含：去除步驟，局部去除保持於基板載具之前即存在於該基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者；保持步驟，將該基板保持於基板載具；及鍍覆處理步驟，對保持於該基板載具的該基板進行鍍覆處理。

根據此一形態，可在設置於基板載具之前，局部去除存在於基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者。因此，可在不對形成於基板之邊緣部以外之表面的光阻圖案造成不良影響的情況下，抑制存在於基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者造成基板載具之電性接點的接觸電阻不均，進而可防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該邊緣部洗淨裝置包含有機物脫離裝置，其使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離；該有機物 脫離裝置包含對該基板邊緣部照射UV的UV照射裝置或對該基板邊緣部放射電漿的電漿放射裝置。

一般而言，欲鍍覆的基板上塗有光阻，若對該光阻放射UV或電漿，則可能導致光阻變質、受到損傷。根據此一形態，可對基板之邊緣部局部放射UV或電漿。藉此，不會對基板之邊緣部以外的表面、即基板上塗有光阻的部分放射UV或電漿，故可在不對基板上的光阻造成損傷的情況下，使基板之邊緣部的有機物脫離。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該邊緣部洗淨裝置具有：頭部，其構成對該基板邊緣部局部施用UV或電漿的態樣；及致動器，其使該頭部在水平方向上移動。

根據此一形態，因為頭部可在水平方向上移動，故即使是例如矩形的基板，亦可使頭部沿著邊緣部移動，以進行邊緣部的洗淨。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該致動器具有：第1致動器，其使該頭部在第1方向上移動；及第2致動器，其使該頭部在與該第1方向垂直的第2方向上部移動。

根據此一形態，可使頭部在第1方向與第2方向上移動。因此，不僅可使頭部沿著邊緣部移動，亦可將頭部定位在與邊緣部的延伸方向垂直的方向上。因此，例如基板為具有長邊與短邊的矩形基板的情況，可將頭部雙方面定位於長邊的邊緣部、短邊的邊緣部。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該邊緣部洗淨裝置具有控制部，其控制該頭部及該致動器；該致動器構成使該頭部沿著該基板邊緣部移動的態樣；該控制部係以同時進行「以該頭部放射UV或電漿」及「以 該致動器使該頭部沿著該基板之邊緣部移動」的方式控制該頭部及該致動器。

根據此一形態，可一邊使頭部沿著矩形基板之邊緣部移動，一邊放射UV或電漿。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該邊緣部洗淨裝置具有使該頭部旋轉的旋轉機構；該控制部係以「該旋轉機構使該頭部旋轉時，使該頭部停止放射UV或電漿」的方式控制該頭部及該旋轉機構。

根據此一形態，因為頭部可旋轉，故可使頭部輕易地在矩形基板4邊的邊緣部上移動。另外，因為頭部旋轉的期間，頭部不會進行UV或電漿的放射，故可防止對矩形基板上未預期的區域放射UV或電漿。

根據本發明之一形態的鍍覆裝置，該邊緣部洗淨裝置具有：旋轉機構，使該基板旋轉；及控制部，控制該頭部、該旋轉機構及該致動器；該控制部係以「該旋轉機構使該基板旋轉時，使該頭部停止放射UV或電漿」的方式控制該頭部及該旋轉機構。

根據此一形態，因為可使基板旋轉，故可輕易地使矩形基板4邊的邊緣部移動至頭部的下方。另外，在基板旋轉的期間，頭部不會進行UV或電漿的放射，故可防止對矩形基板上未預期的區域放射UV或電漿。

根據本發明之一形態的鍍覆方法，該去除步驟具有放射步驟，其一邊使放射UV或電漿的頭部沿著矩形的該基板之邊緣部移動，一邊放射UV或電漿。

根據此一形態，可一邊使頭部沿著矩形基板之邊緣部移動，一邊放射UV或電漿。

根據本發明之一形態的鍍覆方法，該去除步驟具有定位步驟，其使該頭部在水平方向上移動，以將該頭部定位於該矩形基板的邊緣部。

根據此一形態，例如，即使基板係具有長邊與短邊的矩形基板的情況，亦可雙方面地將頭部定位於長邊的邊緣部、短邊的邊緣部。

根據本發明之一形態的鍍覆方法，該去除步驟具有「在對該矩形基板的邊緣部之一放射UV或電漿之後，一方面停止UV或電漿的放射，一方面使該頭部旋轉」的步驟。

根據此一形態，因為頭部可旋轉，故可輕易地使頭部在矩形基板4邊的邊緣部上移動。另外，因為在頭部旋轉的期間，頭部不會進行UV或電漿的放射，故可防止對矩形基板上未預期的區域放射UV或電漿。

根據本發明之一形態的鍍覆方法，該去除步驟具有「在對該矩形的基板之邊緣部之一放射UV或電漿之後，一方面停止UV或電漿的放射，一方面使該矩形基板旋轉」的步驟。

根據此一形態，因為可使基板旋轉，故可輕易地使矩形基板4邊的邊緣部移動至頭部的下方。另外，因為在基板旋轉的期間，頭部不會放射UV或電漿，故可防止對矩形基板上未預期的區域放射UV或電漿。

根據本發明，可防止因為形成於基板之邊緣部之氧化膜及附著於基板之邊緣部的有機物的至少任一者而導致鍍覆膜厚的均勻性變差。

5‧‧‧箭號

6‧‧‧箭號

10‧‧‧鍍覆槽

20‧‧‧旋轉潤濕乾燥裝置

21‧‧‧旋轉載台

22‧‧‧基板夾具

23‧‧‧DIW噴嘴

24‧‧‧氧化膜去除裝置

25‧‧‧藥液噴嘴

26‧‧‧手臂

27‧‧‧旋轉軸

28‧‧‧藥液

40‧‧‧對準器

41‧‧‧基座

43‧‧‧對準器光源

44‧‧‧光檢測器

45‧‧‧有機物脫離裝置

46‧‧‧光線

50‧‧‧有機物脫離裝置

51‧‧‧頭部

51a‧‧‧第1頭部

51b‧‧‧第2頭部

52、52a、52b‧‧‧第2致動器

53‧‧‧第1致動器

54‧‧‧控制部

55‧‧‧基板支持台

56‧‧‧旋轉軸

57‧‧‧遮罩

60‧‧‧基板載具

61‧‧‧基部

62‧‧‧密封載具

63‧‧‧鉸件

64‧‧‧壓環

64a‧‧‧突條部

65‧‧‧第1保持構件

66‧‧‧第2保持構件

67‧‧‧夾具

68‧‧‧保持面

69‧‧‧把手

70‧‧‧密封構件

70a‧‧‧凸緣部

70b‧‧‧凸緣部

71‧‧‧支持體

72‧‧‧電性接點

72a‧‧‧電性接點端部

72b‧‧‧腳部

73‧‧‧導電體

80‧‧‧海綿洗淨裝置

81‧‧‧旋轉載台

83‧‧‧DIW噴嘴

84‧‧‧海綿洗淨部

85‧‧‧海綿頭

86‧‧‧手臂

87‧‧‧旋轉軸

88‧‧‧罩蓋

90‧‧‧海綿藥液洗淨裝置

91‧‧‧旋轉載台

93‧‧‧DIW噴嘴

94‧‧‧氧化膜去除裝置

95‧‧‧藥液噴嘴

96‧‧‧手臂

97‧‧‧旋轉軸

98‧‧‧罩蓋

102‧‧‧晶圓匣盒

120‧‧‧固定單元

122‧‧‧基板運送裝置

124‧‧‧儲存區

126‧‧‧預濕槽

128‧‧‧預浸槽

129‧‧‧活化槽

130a‧‧‧第1洗淨槽

130b‧‧‧第2洗淨槽

132‧‧‧吹淨槽

134‧‧‧鍍覆組

140‧‧‧基板載具運送裝置

142‧‧‧第1傳送器

144‧‧‧第2傳送器

170A‧‧‧裝載/卸載部

170B‧‧‧處理部

d1、d2‧‧‧距離

S601~S609、S701、S801、S901、S2101~S2109‧‧‧步驟

W‧‧‧基板

S1‧‧‧矩形基板

第一圖係第1實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第二圖係第一圖所示之鍍覆裝置中所使用的基板載具的立體圖。

第三圖係顯示第二圖所示之基板載具的電性接點的剖面圖。

第四圖係第一圖所示之對準器的概略頂面圖。

第五圖係第四圖所示之箭號5-5中的對準器的概略剖面圖。

第六圖係第四圖所示之箭號6-6中的對準器的概略剖面圖。

第七圖係顯示第1實施形態之鍍覆方法的流程圖。

第八圖係第1實施形態之另一例的鍍覆裝置的整體配置圖。

第九圖係第2實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第十圖係顯示具備氧化膜去除裝置之旋轉潤濕乾燥裝置的概略圖。

第十一圖係顯示第2實施形態之鍍覆方法的流程圖。

第十二圖係第3實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第十三圖係顯示第3實施形態之鍍覆方法流程圖。

第十四圖係第4實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第十五圖係海綿洗淨裝置的概略側視圖。

第十六圖係顯示第4實施形態之鍍覆方法的流程圖。

第十七圖係第5實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第十八圖係海綿藥液洗淨裝置的概略側視圖。

第十九圖係顯示第5實施形態之鍍覆方法的流程圖。

第二十圖係第6實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。

第二十一圖係顯示第6實施形態之鍍覆方法的流程圖。

第二十二圖係設於固定單元的有機物脫離裝置之一例的概略側視圖。

第二十三A圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基 板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十三B圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十三C圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十三D圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十三E圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十四圖係設於固定單元的有機物脫離裝置的另一例的概略側視圖。

第二十五A圖係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十五B圖係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十五C圖係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十五D圖係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十五E圖係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十六圖係設於固定單元的有機物脫離裝置的另一例的概略側視 圖。

第二十七A圖係顯示第二十六圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十七B圖係顯示第二十六圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十七C圖係顯示第二十六圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十八圖係設於固定單元的有機物脫離裝置的他的一例的概略側視圖。

第二十九A圖係顯示第二十八圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十九B圖係顯示第二十八圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

第二十九C圖係顯示第二十八圖所示之有機物脫離裝置中，使矩形基板之邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置的俯視圖。

<第1實施形態>

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。以下所說明的圖式中，對於相同或相當的構成元素賦予相同的符號，並省略重複的說明。

第一圖係第1實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。如第一圖所示，該鍍覆裝置大致可區分為：裝載/卸載部170A，將基板裝載於基板載具60、或從基板載具60卸載基板；及處理部170B，對基板進行處理。

裝載/卸載部170A中設有：對準器40，其將3個晶圓匣盒(Front-Opening Unified Pod：FOUP)102、基板的定向平面(orientation flat)及缺口等的位置定位於既定方向；及旋轉潤濕乾燥裝置20，其使鍍覆處理後的基板高速旋轉以使其乾燥。晶圓匣盒102，多段地收納半導體晶圓等的複數基板。旋轉潤濕乾燥裝置20的附近設有固定單元120，其載置基板載具60，並進行基板的裝卸。該等單元102、40、20、120的中央，配置有基板運送裝置122，其係由在該等單元間運送基板的運送用機械裝置所構成。如後所述，第1實施形態之對準器40，具備有機物脫離裝置，其局部去除在設於基板載具60之前即存在於基板邊緣部的有機物(參照第四圖及第六圖等)。

固定單元120，構成可載置2個基板載具60的態樣。固定單元120中，在於一邊的基板載具60與基板運送裝置122之間進行基板的傳遞之後，可在另一邊的基板載具60與基板運送裝置122之間進行基板的傳遞。

鍍覆裝置的處理部170B具有：儲存區124；預濕槽126；預浸槽128；第1洗淨槽130a；吹淨槽132；第2洗淨槽130b；及鍍覆槽10。儲存區124中，進行基板載具60的保管及暫時預置。預濕槽126中，使基板浸漬純水。預浸槽128中，蝕刻去除形成於基板表面之種子層等的導電層表面上的氧化膜。第1洗淨槽130a中，以洗淨液(純水等)同時洗淨預浸後的基板與基板載具60。吹淨槽132中，對洗淨後的基板進行排水。第2洗淨槽130b中，以洗淨液同時洗淨鍍覆後的基板與基板載具60。儲存區124、預濕槽126、預浸槽128、第1洗淨槽130a、吹淨槽132、第2洗淨槽130b及鍍覆槽10係依此順序配置。

鍍覆槽10，具有例如，具備溢流槽的複數鍍覆組134。各鍍 覆組134，內部收納一個基板，並使基板浸漬於內部所保持的鍍覆液中。鍍覆組134中，藉由在基板與陽極之間施加電壓，可對基板表面進行銅鍍覆等的鍍覆。

鍍覆裝置具有基板載具運送裝置140，其位於該等的各機器的側方，在該等的各機器之間連同基板一起運送基板載具60，其係採用例如線性馬達式。該基板載具運送裝置140具有第1傳送器142及第2傳送器144。第1傳送器142，係構成在固定單元120、儲存區124、預濕槽126、預浸槽128、第1洗淨槽130a及吹淨槽132之間運送基板的態樣。第2傳送器144，構成在第1洗淨槽130a、第2洗淨槽130b、吹淨槽132及鍍覆槽10之間運送基板的態樣。另一實施形態中，鍍覆裝置亦可僅具備第1傳送器142及第2傳送器144的任一方，而任一方的傳送器，在固定單元120、儲存區124、預濕槽126、預浸槽128、第1洗淨槽130a、第2洗淨槽130b、吹淨槽132及鍍覆槽10之間運送基板。

第二圖係第一圖所示之鍍覆裝置中所使用的基板載具60的立體圖。基板載具60，如第二圖所示，例如具有：氯化乙烯製的矩形平板狀的第1保持構件65；及第2保持構件66，其透過鉸件63，以自由開合的方式安裝於該第1保持構件65。基板載具60的第1保持構件65的略中央部，設有用以保持基板的保持面68。另外，第1保持構件65的保持面68的外側，沿著保持面68的圓周，等間隔地設有倒L字型的夾具67，其具有往內突出的突出部。

基板載具60的第1保持構件65的端部與一對略T字狀的把手69連結，其在運送或是向下懸吊基板載具60時成為支持部。第一圖所示之 儲存區124內，儲存區124的內壁頂面掛有把手69，藉此可垂直地向下懸吊基板載具60。另外，藉由第1傳送器142或第2傳送器144載持該以懸吊方式被支持之基板載具60的把手69，可運送基板載具60。又，在預濕槽126、預浸槽128、洗淨槽130a、130b、吹淨槽132及鍍覆槽10內中，亦透過把手69，在該等的內壁上以向下懸吊的方式支持基板載具60。

另外，把手69上設有圖中未顯示的外部接點，用以與外部的電力供給部連接。該外部接點，透過複數的配線，與設於保持面68外周的複數導電體73(參照第三圖)電性連接。

第2保持構件66具備：基部61，其固定於鉸件63；環狀的密封載具62，其固定於基部61。壓環64以自由旋轉的方式安裝於第2保持構件66的密封載具62上，其用以將密封載具62壓附於第1保持構件65以將其固定。壓環64，其外周部具有向外突出的複數的突條部64a。突條部64a的頂面與夾具67的向內突出部的底面，具有沿著旋轉方向互相逆向傾斜的楔形面。

在保持基板時，首先，在第2保持構件66開啟的狀態下，將基板載置於第1保持構件65的保持面68，接著關閉第2保持構件66。接著，順時針旋轉壓環64，使壓環64的突條部64a滑入夾具67的向內突出部的內部(下側)。藉此，透過分別設於壓環64與夾具67的楔形面，第1保持構件65與第2保持構件66緊密結合而互相鎖住，而可保持基板。在解除基板的保持時，於第1保持構件65與第2保持構件66被鎖住的狀態下，逆時針旋轉壓環64。藉此，壓環64的突條部64a從倒L字型的夾具67退出，以解除基板的保持。

第三圖係顯示第二圖所示之基板載具60的電性接點的剖面 圖。如第三圖所示，第1保持構件65的保持面68上載置有基板W。保持面68與第1保持構件65之間，配置有複數的(圖中為1個)導電體73，其與從設於第二圖所示之把手69的外部接點延伸出來的複數配線連接。導電體73中，在將基板W載置於第1保持構件65的保持面68上時，該導電體73的端部複數地配置於基板W的圓周外側，而形成在基板W的側方，以具有彈性的狀態露出於第1保持構件65之表面的態樣。

密封載具62中，與第1保持構件65相對的面(圖中下方的面)上，安裝有密封構件70，其在基板W保持於基板載具60時，壓接於基板W的表面外周部及第1保持構件65。密封構件70具有：凸緣部70a，其密封基板W的表面；及凸緣部70b，其密封第1保持構件65的表面。

密封構件70的一對凸緣部70a、70b所夾住的內部，安裝有支持體71。支持體71上，沿著基板W的圓周複數地配置有例如以螺絲固定的電性接點72，其構成可從導電體73供電的態樣。電性接點72具有：電性接點端部72a，其朝向保持面68的內側延伸；腳部72b，其構成可從導電體73供電的態樣。

若第二圖所示之第1保持構件65與第2保持構件66被鎖住，如第三圖所示，密封構件70的內周面側的短凸緣部70a被按壓於基板W的表面，而外周面側的長凸緣部70b則被按壓於第1保持構件65的表面。藉此，可在確實地將凸緣部70a及凸緣部70b之間密封的狀態下保持基板W。

被密封構件70所密封的區域、即密封構件70的一對凸緣部70a、70b所夾住的區域中，導電體73與電性接點72的腳部72b電性連接，且電性接點端部72a與基板W的邊緣部上之種子層接觸。藉此，可在一邊以密 封構件70密封基板W、一邊以基板載具60保持的狀態下，透過電性接點72對基板W供電。

如上所述，形成有種子層的基板W上，預先形成有光阻圖案。基板W，在被運送至第一圖所示之鍍覆裝置之前，已進行過UV的照射等，並且去除基板表面上的光阻殘渣(灰化處理)，且已進行光阻表面的親水化處理(去渣處理)。已進行灰化處理及去渣處理的基板W，接著被運送至鍍覆裝置，而被保持於基板載具60。此處，因為在灰化處理及去渣處理後經過一段時間，故在基板W未塗布光阻的邊緣部上之種子層上具有形成氧化膜或是附著有從光阻揮發之有機物的情況。第三圖所示的電性接點72，因為與基板W的邊緣部接觸，故若基板W的邊緣部上之種子層形成氧化膜或是附著有機物，則基板載具60的電性接點72的接觸電阻產生不均，而具有鍍覆膜厚的均勻性變差的問題。

於是，本實施形態中，第一圖所示之對準器40上設置有機物脫離裝置，其使形成於基板W的邊緣部上之種子層上的有機物脫離(去除)。又，本說明書中，基板W的邊緣部，係指可與電性接點72接觸的區域，或以基板載具60保持基板W時，相較於與密封構件70接觸之部分，成為基板W之周緣部側的區域。例如，本實施形態中係指相較於與第三圖所示之密封構件70的凸緣部70a抵接之部分成為外周側的區域，從基板W的外周緣部往基板中心約5mm的範圍內，更佳為約2mm的範圍內。

第四圖係第一圖所示之對準器40的概略俯視圖。第五圖係第四圖所示之箭號5-5中的對準器40的概略剖面圖，第六圖係第四圖所示之箭號6-6中的對準器40的概略剖面圖。如第四圖至6所示，對準器40具有基座 41、旋轉載台42、對準器光源43、光檢測器44、有機物脫離裝置45(相當於邊緣部洗淨裝置的一例)。

旋轉載台42，構成吸附基板W背面的態樣，使基板W在圓周方向上旋轉。又，旋轉載台42，係以靜電吸附式或真空吸附式吸附基板W。對準器光源43，構成對於以旋轉載台42旋轉之基板W的邊緣部附近照射光線46的態樣。藉由基板W旋轉，在基板W的缺口移動至被來自對準器光源43之光線46照射的位置時，光線46通過缺口到達光檢測器44。光檢測器44在檢測出光線46時，對準器40可辨識基板W的缺口位於對準器光源43的正下方，而可整齊排列基板W的方向。

有機物脫離裝置45可為UV照射裝置或電漿放射裝置。本實施形態係構成從基板W的上方對基板W的邊緣部局部施用UV或電漿的態樣。有機物脫離裝置45，可對保持於基板載具60之前的基板W的邊緣部局部施用UV或電漿。換言之，基板W的邊緣部以外的區域，未曝露於UV或電漿。藉由旋轉載台42使基板W旋轉，藉此可有效率地對基板W的整個邊緣部施用UV或電漿。若對附著於基板W之邊緣部的有機物照射UV或電漿，有機物分解而產生揮發性物質，而成為揮發性物質的有機物則以揮發的方式被去除。UV照射裝置的UV照射源或電漿放射裝置的電漿放射口與基板W的距離，較佳為約1mm以上約10mm以下。該距離若未滿1mm，則基板與UV照射源或電漿放射裝置的電漿放射口可能物理性地接觸。另外，若該距離超過10mm，則可能無法局部地照射UV或電漿。為了更確實地避免基板與UV照射源或電漿放射裝置的電漿放射口物理性接觸，並且可進行局部照射，更佳係使該距離為約2mm以上約5mm以下。

有機物脫離裝置45為UV照射裝置的情況中，作為UV光源，可採用例如，高壓水銀燈、低壓水銀燈、黑光燈或是可放射UV區域光線的雷射光源等。因為高壓水銀燈、低壓水銀燈及黑光燈具有光發散的傾向，故採用該等光源的情況，較佳係將光源設於基板W的附近，或使用光學系統僅對邊緣部照射UV。有機物脫離裝置45為電漿放射裝置的情況，可使用例如大氣遙控電漿裝置等。

對準器40，亦可更具備構成下述態樣的感測器(分光光度計)：於基板W的邊緣部，從邊緣部的上方對於基板W之邊緣部照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如具有365nm之波長的光線以作為激發光，並觀察從邊緣部反射的光線，藉此測定吸光度；或是亦可具備照射螢光區域之光線以監測該反射光之強度的感測器(螢光反射膜厚計)。

該感測器(圖中未顯示)，亦可設於有機物脫離裝置45，亦可另外設於對準器40。本實施形態之鍍覆裝置的控制部構成下述態樣：藉由以該感測器測定的吸光度或螢光強度的值是否大於預先設定的閾值，來判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分被去除。例如，判定邊緣部的汙染物質未充分被去除的情況下，有機物脫離裝置45亦可重複實施對基板W的邊緣部局部放射UV或電漿步驟。另外，判定邊緣部的汙染物質已充分被去除的情況下，則視為有機物的脫離結束，基板W被基板運送裝置122運送至固定單元120，接著實施一連串的鍍覆處理。如此，可在鍍覆處理前判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，藉此可更確實防止基板載具60所具有之電性接點的接觸電阻不均引起基板W之鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。

第七圖係顯示第1實施形態之鍍覆方法的流程圖。本鍍覆方法中，首先，在將基板W運送至第一圖所示之鍍覆裝置之前，於基板W上形成光阻圖案(步驟S601)。接著，對形成有光阻圖案的基板W進行UV的照射，去除基板W表面上的光阻殘渣(灰化處理)，並且進行光阻表面的親水化處理(去渣處理)(步驟S602)。步驟S601及步驟S602的處理，係在第一圖所示之鍍覆裝置以外的任意裝置中進行。

接著，藉由基板運送裝置122，基板W從收納基板W的晶圓匣盒102被運送往對準器40。對準器40中，進行基板W之邊緣部的洗淨(步驟S603)。具體而言，對準器40中，藉由有機物脫離裝置45，對基板W的邊緣部局部施用UV或電漿，使有機物脫離。又，此時藉由對準器40將基板W的方向整齊排列。

第七圖所示之流程中雖未記載，但對準器40設有感測器(圖中未顯示)的情況，藉由對於存在於基板W邊緣部之有機物及氧化膜的至少一者施用UV或電漿以進行局部去除之後，可確認邊緣部是否具有汙染物質(包含有機物及氧化膜)。具體而言，首先使感測器(分光光度計或螢光反射膜厚計)位於配置於對準器40之基板W的表面上方。在以對準器40使基板W旋轉或靜止的狀態下，一邊使感測器從基板中心部往邊緣部(或從邊緣部往基板中心部)掃描，一邊從感測器朝向基板W表面照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm的波長的光線以作為激發光，以測定吸光度或螢光強度。

基板表面上，存在有經UV或電漿處理的邊緣部以及未經UV或電漿處理的被鍍覆面，而種子層則形成於基板的整個表面(被鍍覆面與邊 緣部)。接著，藉由使感測器掃描被鍍覆面與邊緣部，可雙方面測定被鍍覆面與邊緣部的吸光度或螢光強度。鍍覆裝置的控制部，例如，比較該被鍍覆面與邊緣部雙方的吸光度，並且判斷例如邊緣部的吸光度相對於被鍍覆面之吸光度的比值是否大於預先設定的閾值(例如50%以下)，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分去除。上述比值大於閾值的情況，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)並未充分被去除。另外，上述比值未大於閾值的情況下，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)已充分被去除。測定螢光強度的情況，亦可相同地藉由比較既定的閾值與測定值，來判定邊緣部的汙染物質是否已充分被去除。

根據該判定，判定邊緣部的汙染物質未充分被去除的情況，亦可重複實施對基板W的邊緣部局部放射UV或電漿的步驟。另外，判定邊緣部的汙染物質已充分被去除的情況，則視為有機物的脫離結束，藉由基板運送裝置122將其運送至固定單元120，以實施一連串的鍍覆處理。如此，在鍍覆處理前判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，藉此可更確實防止基板載具60所具有之電性接點的接觸電阻不均引起基板W之鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。

已進行邊緣部洗淨的基板W，藉由基板運送裝置122，被運送至固定單元120，而設置於基板載具60(步驟S604)。此時，因為基板W的邊緣部的有機物已經脫離，故基板載具60的電性接點與經洗淨的基板W的邊緣部接觸。藉此，可減少因有機物之附著所引起的基板載具60之電性接點的接觸電阻不均。

保持於基板載具60的基板W，藉由基板載具運送裝置140， 首先被運送至預濕槽126，而基板W被浸漬於預濕槽126中所收納的純水(步驟S605)。接著，基板W被運送至預浸槽128，而基板W的表面被酸洗淨(步驟S606)。具體而言，基板W被浸漬於預浸槽128中所收納的硫酸及硝酸等的藥液，而以蝕刻去除形成於基板表面上之種子層表面的氧化膜。

第七圖所示之流程雖未記載，但經酸洗淨的基板W，之後浸漬於第1洗淨槽130a中所收納的純水，如此亦可洗淨基板W表面上所附著的藥液。接著，基板W被浸漬於鍍覆槽10的任一鍍覆組134，以進行鍍覆處理(步驟S607)。表面形成有鍍覆膜的基板W上，進行QDR(Quick Damp Rinse)處理(步驟S608)。具體而言，基板W被浸漬於第2洗淨槽130b中所收納的純水，以洗淨基板W表面上所附著的鍍覆液。

接著，基板載具60中所保持的基板W，被運送至固定單元120，而基板W從基板載具60中被取出。基板運送裝置122，從固定單元120接收基板W，而將基板W運送至旋轉潤濕乾燥裝置20。基板W在旋轉潤濕乾燥裝置20中進行表面的洗淨及乾燥(步驟S609)。

如以上所說明，根據本實施形態，可在設至於基板載具60之前，局部去除存在基板W邊緣部的有機物。因此，可在不對形成於基板W表面上的光阻圖案造成不良影響的情況下，抑制因存在基板W之邊緣部的有機物造成基板載具60的電性接點72的接觸電阻不均，進而防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

另外，根據本實施形態，可對基板W的邊緣部局部放射UV或電漿。藉此，因為不會對於基板W的邊緣部以外的表面、即基板W上的未塗布光阻的部分放射UV或電漿，故可在不對光阻造成損傷的情況下，使基 板W的邊緣部的有機物脫離。

另外，根據本實施形態，因為有機物脫離裝置45設於對準器40，故可一邊藉由對準器40使基板旋轉，一邊以UV照射裝置或電漿照射裝置對基板W的邊緣部進行處理。因此，因為無須在有機物脫離裝置45中設置使基板旋轉的機構，故可降低成本。另外，藉由使有機物脫離裝置45設於對準器40，可降低鍍覆裝置整體的占地面積。

又，亦可將有機物脫離裝置45與對準器40分開設置，而設於鍍覆裝置。第八圖係第1實施形態之另一例的鍍覆裝置的整體配置圖。如第八圖所示，有機物脫離裝置45係與對準器40分開設置，其係設於裝載/卸載部170A內。此情況下，對準器40具有從第四圖至第六圖所示之構成去除有機物脫離裝置45的構成。另一方面，有機物脫離裝置45，必須具有與用以使基板W旋轉之第四圖至第六圖所示之旋轉載台42相同的機構。根據第八圖所示之鍍覆裝置，因為有機物脫離裝置45係與對準器40分開設置，故可對於複數的基板W分別進行有機物脫離裝置45的處理以及對準器40的處理。於是，因為有機物脫離處理需要時間，故處理整體的產量取決於有機物脫離處理的處理時間，這樣的情況下，相較於第一圖所示之鍍覆裝置，可提升產量。又，有機物脫離裝置45，亦可設於旋轉潤濕乾燥裝置20。即使在這樣的情況下，亦可在旋轉潤濕乾燥裝置20設置構成測定吸光度之態樣的感測器(分光光度計)，或是設置照射螢光區域之光線以監測其反射光強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。此情況下，使感測器位於邊緣部洗淨中或洗淨後的基板W的邊緣部的上方。接著，使基板W旋轉，從該感測器對基板W的邊緣部照射光線，而感測器的受光部接受來自基板W的反射 光，以測定該反射光的螢光強度或吸光度。藉此，亦可判定基板W的邊緣部中的汙染物質(有機物及氧化膜的至少一者)是否已被充分去除。藉此，可在進行鍍覆處理之前，判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後可針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，而可更確實防止基板載具60所具有之電性接點的接觸電阻不均引起基板W的鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。又，欲在基板W的邊緣部的洗淨中，判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質的情況中，可根據該感測器的判定結果來決定洗淨的終點。

<第2實施形態>

第九圖係第2實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。第2實施形態中，相較於第1實施形態的第一圖所示之鍍覆裝置，旋轉潤濕乾燥裝置20及對準器40的構成有所不同。其他的構成與第1實施形態相同，故針對於第1實施形態相同的構成賦予同一符號並省略說明。

第2實施形態中，對準器40，未具備第1實施形態中所說明的有機物脫離裝置45。另外，旋轉潤濕乾燥裝置20具有氧化膜去除裝置，其局部去除在設於基板載具60前即存在於基板之邊緣部的氧化膜。

第十圖係顯示具備氧化膜去除裝置之旋轉潤濕乾燥裝置20的概略圖。如圖所示，旋轉潤濕乾燥裝置20，具有旋轉載台21、基板夾具22、DIW噴嘴23、氧化膜去除裝置24(相當於邊緣部洗淨裝置的一例)。基板夾具22，構成載持基板W之外周部的態樣。旋轉載台21構成使基板夾具22旋轉的態樣，藉由基板夾具22旋轉，可使被載持的基板W在圓周方向上旋轉。DIW噴嘴23，構成對於基板W的略中央部供給DIW(De-ionized Water)的態樣。經供給至基板W的DIW，因為基板W的旋轉而受到離心力，進而朝 向基板W的外周部流動。旋轉潤濕乾燥裝置20中，圖中雖未顯示，但為了防止基板W的DIW飛散至外部，其具有覆蓋基板W周圍的罩蓋。

氧化膜去除裝置24具有：藥液噴嘴25，其係對基板供給藥液28的藥液供給裝置，構成供給藥液28的態樣；手臂26，與藥液噴嘴25連接；及旋轉軸27，構成使手臂26旋轉的態樣。藥液噴嘴25的前端與基板W的距離，較佳為約1mm以上約10mm以下。該距離若未滿1mm，則基板與藥液噴嘴25可能發生物理性接觸。另外，若該距離超過10mm，則可能無法局部供給藥液。為了更確實地避免基板與藥液噴嘴25物理性接觸，並且為了可局部供給藥液，較佳係使藥液噴嘴25的前端與基板的距離為約2mm以上約5mm以下。

為了以氧化膜去除裝置24局部去除存在基板W邊緣部的氧化膜，首先，氧化膜去除裝置24，使手臂26對應基板W的直徑旋轉，而使藥液噴嘴25位於基板W之邊緣部的上方。於藥液噴嘴25位於基板W之邊緣部的上方的狀態下，可從DIW噴嘴23對旋轉的基板W的略中央部供給DIW，同時對旋轉的基板W的邊緣部噴出藥液28。藥液28，在供給至基板W之邊緣部的同時，因為基板W的旋轉受到離心力而朝向基板W的外周部流動。藉此，氧化膜去除裝置24，可對基板W的邊緣部供給局部藥液28。換言之，實際上基板W的邊緣部以外的區域並未曝露於藥液28之中。旋轉載台21使基板W旋轉，藉此，可將藥液28有效率地供給至基板W之邊緣部的整個圓周。若對形成於基板W邊緣部氧化膜供給藥液28，則氧化膜被藥液28溶解而被去除。在以既定時間供給藥液28之後，停止供給藥液28，繼續供給DIW。藉此，可洗掉先前供給至基板W邊緣部的藥液28。此處，基板W的邊 緣部，係指上述與電性接點72接觸的區域，或在基板W被保持於基板載具60時，係相較於基板W與密封構件70接觸之部分，成為基板W之周緣部側的區域。然而，在對基板點狀供給藥液時，預先假設一部分的藥液會飛散，故使用不易對光阻圖案產生不良影響的藥液成分、濃度，除此之外，亦可以「藉由藥液28溶解、去除位於基板W邊緣部之周邊部的氧化膜」的方式所構成。

作為藥液28，可使用例如稀硫酸、檸檬酸等不容易對基板W上的種子層造成損傷的酸。本實施形態中，藥液28較佳為3wt%以上15wt%以下的稀硫酸或2wt%以上20wt%以下的檸檬酸。稀硫酸若未滿3wt%或是檸檬酸若未滿2wt%，則酸濃度太低，而具有無法適當去除氧化膜的疑慮。另外，若稀硫酸超過15wt%或檸檬酸超過20wt%，則酸濃度過高，而具有「溶解基板之邊緣部上的種子層」的疑慮。

第十一圖係顯示第2實施形態之鍍覆方法的流程圖。第2實施形態之鍍覆方法，除了一部分以外，大多數的點與第七圖所示之鍍覆方法一致。因此，部分省略與第七圖之鍍覆方法相同部分的說明。

在步驟S602中進行灰化處理及去渣處理的基板W，被運送至如第九圖所示之鍍覆裝置。接著，藉由基板運送裝置122，基板W從收納基板W的晶圓匣盒102被運送至旋轉潤濕乾燥裝置20。旋轉潤濕乾燥裝置20中，對基板W進行邊緣部的洗淨(步驟S701)。具體而言，旋轉潤濕乾燥裝置20中，藉由氧化膜去除裝置24去除存在基板W邊緣部的氧化膜。

更進一步，本實施形態中，為了測定基板之邊緣部的狀態，亦可在旋轉潤濕乾燥裝置20中設置構成下述態樣的感測器(分光光度計)：對 於基板W的邊緣部，從邊緣部的上方照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm，以作為激發光，進而測定邊緣部的吸光度；或是設置用以照射螢光區域之光線以監測其反射光強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。此情況下，使感測器在邊緣部的洗淨中或洗淨後位於基板W之邊緣部的上方。接著使基板W旋轉，並且從該感測器對基板W的邊緣部照射光線，再以感測器的受光部接收來自基板W的反射光線，以測定該反射光的螢光強度或吸光度。藉此，可判定基板W之邊緣部中的氧化膜是否已被充分去除，亦可檢查邊緣部的狀態。藉此可在進行鍍覆處理之前，判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可更確實防止基板載具60所具有之電性接點的接觸電阻不均引起基板W之鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。

已進行邊緣部的洗淨(視情況進行洗淨及檢査)的基板W，被基板運送裝置122運送至固定單元120，而設置於基板載具60(步驟S604)。此時，因為基板W的邊緣部的氧化膜已被去除，故基板載具60的電性接點與經洗淨之基板W的邊緣部接觸。藉此，可降低因氧化膜所引起的基板載具60之電性接點的接觸電阻不均。設於基板載具60的基板W，在後段的步驟S605~步驟S609中進行處理。

如以上所說明，根據第2實施形態，在設置於基板載具60之前，可局部去除存在於基板之邊緣部的氧化膜。因此，可在不對形成於基板W表面之光阻圖案造成不良影響的情況下，抑制存在基板W邊緣部的氧化膜引起基板載具60的電性接點72的接觸電阻不均，進而可防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

另外，根據第2實施形態，因為氧化膜去除裝置24設於旋轉潤濕乾燥裝置20，可一邊藉由旋轉潤濕乾燥裝置20使基板旋轉，一邊以藥液28對基板W邊緣部進行處理。因此，不需要在氧化膜去除裝置24中設置使基板旋轉的機構及防止藥液28飛散的機構，故可降低成本。另外，旋轉潤濕乾燥裝置20，因為具有防止基板W上的液體飛散的罩蓋，故可防止藥液噴嘴25所供給之藥液28飛散至旋轉潤濕乾燥裝置20的外部。更進一步，藉由將氧化膜去除裝置24設於旋轉潤濕乾燥裝置20，可降低鍍覆裝置整體的占地面積。

欲鍍覆之基板W上形成有種子層，若在該種子層附著有藥液28的狀態下放置，則具有種子層溶解的疑慮。因此，欲鍍覆之基板W的邊緣以外的部分，例如，從光阻圖案之開口露出的種子層附著有藥液28的情況，為了不殘留藥液28，必須充分洗淨。根據第2實施形態，可對基板W的邊緣部局部供給藥液28。藉此，可在從光阻圖案之開口露出的種子層未附著有藥液28的情況下，去除形成於基板之邊緣部的氧化膜。因此，相較於使基板W的整個面附著藥液28的情況，可大幅縮短基板W的洗淨時間。

<第3實施形態>

第十二圖係第3實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。第3實施形態之鍍覆裝置具有下述構成：將第1實施形態中的第八圖所示之鍍覆裝置中的旋轉潤濕乾燥裝置20替換成第2實施形態之第十圖所示之旋轉潤濕乾燥裝置20。其他的構成與第1實施形態的第八圖所示之鍍覆裝置相同，故針對與第1實施形態相同的構成賦予同一符號並省略其說明。

第十二圖所示之鍍覆裝置具有：旋轉潤濕乾燥裝置20，其具 備第十圖所示之氧化膜去除裝置24；及有機物脫離裝置45。因此，本鍍覆裝置可局部去除存在基板W邊緣部的有機物及氧化膜兩者。

第十三圖係顯示第3實施形態之鍍覆方法的流程圖。第3實施形態之鍍覆方法，係將第十一圖所示之步驟S701組合至第七圖所示之鍍覆方法的方法。亦即，如第十三圖所示，在步驟S602進行灰化處理及去渣處理的基板W，被運送至第十一圖所示之鍍覆裝置。接著，基板W從收納基板W的晶圓匣盒102被基板運送裝置122運送至對準器40。對準器40中，對基板W進行邊緣部的洗淨(步驟S603)。具體而言，對準器40中，藉由有機物脫離裝置45使存在基板W邊緣部的有機物脫離。又，此時基板W的方向經由對準器40整齊排列。又，此處的邊緣部，係指基板W被保持於基板載具60時，相對於與密封構件70接觸之部分，成為基板W之周緣部側的區域，例如，從基板W的外周緣部朝向基板中心約5mm的範圍內，更佳為約2mm的範圍內。

更進一步，本實施形態中為了測定基板邊緣部的狀態，亦可在對準器40中設置構成下述態樣的感測器(分光光度計)：於基板W的邊緣部，從邊緣部的上方照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm，以作為激發光，進而測定邊緣部的吸光度；或是設置照射螢光區域之光線以監測該反射光之強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。鍍覆裝置的控制部構成下述態樣：藉由該感測器所測定之吸光度或螢光強度的值是否大於預先設定的閾值，可判定邊緣部的汙染物質是否(包含有機物及氧化膜)已充分被去除。此情況下，在邊緣部的洗淨中或洗淨後，使感測器位於基板W的邊緣部上方。接著，使基板W旋轉，從該感測器對基板W的邊緣部照 射光線，並且以感測器的受光部接收來自基板W的反射光線，以測定該反射光的螢光強度或吸光度。藉此可判定基板W的邊緣部中的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已被充分去除，亦可判定邊緣部是否存在汙染物質。藉此可在進行鍍覆處理之前，判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可防止基板載具60所具有的電性接點之接觸電阻的不均引起基板W的鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。更進一步，欲在基板W之邊緣部的洗淨中，判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質的情況，可根據該感測器的判定結果來決定洗淨的終點。更進一步，亦可根據感測器的測定結果，判定是否具有原來邊緣部即異常的基板W。

邊緣部的有機物已脫離的基板W，接著被基板運送裝置122運送至旋轉潤濕乾燥裝置20。旋轉潤濕乾燥裝置20中，對基板W進行邊緣部的洗淨(步驟S701)。具體而言，旋轉潤濕乾燥裝置20中，藉由氧化膜去除裝置24使存在基板W邊緣部的氧化膜脫離。又，此處的邊緣部，係指基板被保持於基板載具時，相對於與密封構件70接觸之部分，成為基板W的周緣部側的區域，例如基板W為300mm之晶圓的情況，係指從基板W的外周緣部朝向基板中心約5mm的範圍內，更佳為約2mm的範圍內；除了使藥液的成分、濃度為不容易對光阻圖案造成不良影響的成分、濃度以外，亦可配合去除存在於邊緣部周邊的氧化膜。

邊緣部經洗淨的基板W，被基板運送裝置122運送至固定單元120，而被設置於基板載具60(步驟S604)。此時，基板W之邊緣部的有機物及氧化膜已被去除，基板載具60的電性接點與經洗淨的基板W的邊緣部 接觸。藉此可降低有機物及氧化膜引起基板載具60的電性接點的接觸電阻不均。設置於基板載具60的基板W，於後段的步驟S605~步驟S609中進行處理。

如以上所說明，根據第3實施形態，在設置於基板載具60前，可局部去除存在於基板之邊緣部的有機物及氧化膜。因此，可在不對形成於基板W表面的光阻圖案造成不良影響的情況下，抑制存在基板W邊緣部的有機物及氧化膜引起基板載具60之電性接點72的接觸電阻不均，進而防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

於基板W的邊緣部中，氧化膜上附著有機物。因此，在使有機物脫離之前去除氧化膜的情況，難以去除有機物附著部分的氧化膜。根據第3實施形態，因為係在使有機物脫離後去除氧化膜，故可有效地去除有機物及氧化膜。然而，一實施形態中，亦可以藥液洗淨邊緣部(步驟S701)之後進行有機物脫離處理(步驟S603)。

<第4實施形態>

第十四圖係第4實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。第4實施形態的鍍覆裝置中，「具有海綿洗淨裝置80」此點以及「不具備有機物脫離裝置45」此點，與第1實施形態之第一圖的鍍覆裝置有所不同。其他的構成與第1實施形態相同，故針對與第1實施形態相同的構成，賦予同一符號而省略其說明。

第十四圖所示之鍍覆裝置的對準器40中，不具備第1實施形態中所說明的有機物脫離裝置45。海綿洗淨裝置80設於裝載/卸載部170A內，用以局部去除存在基板W邊緣部的粒子。

第十五圖係海綿洗淨裝置80的概略側視圖。如圖所示，海綿洗淨裝置80具有：旋轉載台81、DIW噴嘴83、海綿洗淨部84(相當於邊緣部洗淨裝置的一例)及罩蓋88。旋轉載台81，構成吸附基板W之背面的態樣，使基板W在圓周方向上旋轉。又，旋轉載台81，係以靜電吸附式或真空吸附式吸附基板W。DIW噴嘴83，構成對基板W的略中央部供給DIW的態樣。供給至基板W的DIW，因為基板W的旋轉而受到離心力，進而往基板W的外周部流動。罩蓋88覆蓋基板W的周圍，可防止基板W的DIW飛散至外部。

海綿洗淨部84具有：海綿頭85，物理性地洗淨基板W的邊緣部；手臂86，與海綿頭85連接；旋轉軸87，構成使手臂86旋轉的態樣。海綿頭85，例如係由PVA(聚乙烯醇)所構成，其係構成可以垂直軸為中心旋轉的態樣。另外，旋轉軸87係以可在軸向上自由伸縮的方式構成。

為了以海綿洗淨部84局部去除存在基板W邊緣部的粒子，首先，海綿洗淨裝置80使手臂86對應基板W的直徑旋轉，使海綿頭85位於基板W的邊緣部的上方。海綿頭85位於基板W之邊緣部上方的狀態下，旋轉軸87往軸向下方收縮，而使海綿頭85抵接於基板W的邊緣部。海綿洗淨部84，在海綿頭85與旋轉之基板W的邊緣部抵接的狀態下，使海綿頭85旋轉。此時，藉由DIW噴嘴83對基板W供給DIW。藉此，海綿洗淨裝置80可局部去除基板W的邊緣部的粒子。另外，海綿洗淨裝置80中設有感測器(圖中未顯示)，亦可判定邊緣部是否存在汙染物質。

第十六圖係顯示第4實施形態之鍍覆方法的流程圖。第4實施形態之鍍覆方法具有步驟S801，以代替第1實施形態之第七圖所示之鍍覆方法中的步驟S603。以下部分省略與第七圖之鍍覆方法相同部分的說明。

第十六圖所示之流程中，在步驟S602進行灰化處理及去渣處理的基板W，被運送至第十四圖所示之鍍覆裝置。接著，基板W從收納基板W的晶圓匣盒102被基板運送裝置122運送至海綿洗淨裝置80。海綿洗淨裝置80中，對基板W進行邊緣部的洗淨(步驟S801)。具體而言，海綿洗淨裝置80中，藉由海綿洗淨部84去除存在基板W邊緣部的粒子。

本實施形態中，為了測定基板之邊緣部的狀態，亦可在海綿洗淨裝置80中設置構成下述態樣的感測器(分光光度計)：於基板W的邊緣部，從邊緣部的上方照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm以作為激發光，進而測定邊緣部的吸光度；或是設置照射螢光區域的光線以監測其反射光強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。鍍覆裝置的控制部構成下述態樣：可藉由該感測器所測定之吸光度或螢光強度的值是否大於預先設定的閾值，判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分被去除。海綿洗淨裝置80中設有感測器的情況，在邊緣部的洗淨中或洗淨後，使感測器位於基板W的邊緣部的上方。接著，使基板W旋轉，判定基板W的邊緣部中有無粒子，亦可判定邊緣部是否存在汙染物質。藉此，可在進行鍍覆處理之前判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可防止基板載具60所具有的電性接點之接觸電阻的不均引起基板W之鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。更進一步，欲在基板W邊緣部的洗淨中判定基板W之邊緣部是否尚存在汙染物質的情況，可根據該感測器的判定結果決定洗淨的終點。更進一步，亦可根據感測器的測定結果，判定是否具有原本邊緣部即異常的基板W。

邊緣部經洗淨的基板W被基板運送裝置122運送至固定單元 120，而設置於基板載具60(步驟S604)。此時，基板W的邊緣部的粒子已被去除，基板載具60的電性接點與經洗淨的基板W的邊緣部接觸。藉此可降低粒子引起基板載具60的電性接點的接觸電阻不均。設置於基板載具60的基板W在後段的步驟S605~步驟S609中進行處理。

如以上所說明，可根據第4實施形態，於設置於基板載具60之前，局部去除存在基板W邊緣部的粒子。因此，可防止基板載具60的電性接點與基板W之邊緣部上的種子層之間夾入粒子，而可抑制粒子引起接觸電阻變差。

<第5實施形態>

第十七圖係第5實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。第5實施形態的鍍覆裝置具有海綿藥液洗淨裝置90，此點與第1實施形態之第一圖的鍍覆裝置有所不同。其他構成與第1實施形態相同，故針對與第1實施形態相同的構成，賦予同一符號並省略其說明。

第十七圖所示之海綿藥液洗淨裝置90，設於裝載/卸載部170A內，用以局部去除存在基板W邊緣部的氧化膜及粒子。另外，第十七圖中雖未顯示，但海綿藥液洗淨裝置90中，亦可在位於基板W的邊緣部上方附近設置感測器(圖中未顯示)，以判定邊緣部是否存在汙染物質。此情況中亦可設置構成下述態樣的感測器(分光光度計)：對基板W的邊緣部，從邊緣部的上方，照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm以作為激發光，進而測定邊緣部的吸光度；或是設置照射螢光區域的光線以監測其反射光強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。鍍覆裝置的控制部構成下述態樣：可藉由該感測器所測定之吸光度或螢光強度的值是否大於預先 設定的閾值，來判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分被去除。

第十八圖係海綿藥液洗淨裝置90的概略側視圖。如圖所示，海綿藥液洗淨裝置90具有：旋轉載台91、DIW噴嘴93、海綿洗淨部84、氧化膜去除裝置94(相當於邊緣部洗淨裝置的一例)、罩蓋98。旋轉載台91構成吸附基板W背面的態樣，其使基板W在圓周方向上旋轉。又，旋轉載台91係以靜電吸附式或真空吸附式吸附基板W。

氧化膜去除裝置94具有：藥液噴嘴95，係對基板供給藥液的藥液供給裝置，其構成供給藥液的態樣；手臂96，與藥液噴嘴95連接；及旋轉軸97，構成使手臂96旋轉的態樣。藥液噴嘴95的前端與基板W的距離，較佳為約1mm以上約10mm以下。該距離若未滿1mm，則基板可能與藥液噴嘴95物理性接觸。另外，若該距離超過10mm，則可能無法局部供給藥液。為了更確實地避免基板與藥液噴嘴95物理性接觸，並且為了可局部供給藥液，藥液噴嘴95的前端與基板的距離更佳為約2mm以上約5mm以下。

為了以海綿藥液洗淨裝置90局部去除存在基板W邊緣部的氧化膜，首先，氧化膜去除裝置94，使手臂96對應基板W的直徑旋轉，以使藥液噴嘴95位於基板W的邊緣部的上方。藥液噴嘴95位於基板W之邊緣部上方的狀態下，可從DIW噴嘴93對旋轉的基板W的略中央部供給DIW，並且對旋轉的基板W的邊緣部噴出藥液。藥液供給至基板W邊緣部的同時，因為基板W的旋轉而受到離心力，而往基板W的外周部流動。藉此，氧化膜去除裝置94可對基板W的邊緣部局部供給藥液。換言之，實際上基板W的邊緣部以外的區域並未曝露於藥液。藉由旋轉載台91使基板W旋轉，可有效率 地對基板W的整個邊緣部供給藥液。若對形成於基板W邊緣部之氧化膜供給藥液，則氧化膜因藥液溶解而被去除。以既定時間供給藥液之後，停止供給藥液，繼續供給DIW。藉此可洗淨供給至基板W之邊緣部的藥液。此處，基板W的邊緣部係指前述與電性接點72接觸之區域，或基板W被保持於基板載具60時，相對於基板W與密封構件70接觸部分，成為基板W之周緣部側的區域。然而，在對基板點狀供給藥液時，預先假設部分藥液會飛散，除了使用不易對光阻圖案造成不良影響的藥液成分、濃度以外，亦可構成以藥液28溶解、去除位於基板W邊緣部之周邊部的氧化膜的態樣。

另外，海綿藥液洗淨裝置90，可一邊藉由氧化膜去除裝置94去除基板W的邊緣部的氧化膜，一邊藉由海綿洗淨部84局部去除存在基板W邊緣部的粒子。又，本實施形態中，為了測定基板之邊緣部是否存在汙染物質，亦可在海綿藥液洗淨裝置90中設置構成下述態樣的感測器(分光光度計)：於基板W的邊緣部，從邊緣部的上方照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm以作為激發光，以測定邊緣部的吸光度；或是設置照射螢光區域的光線以監測其反射光強度的感測器(螢光反射膜厚計)(圖中未顯示)。鍍覆裝置的控制部構成下述態樣：可藉由該感測器所測定之吸光度或螢光強度的值是否大於預先設定的閾值，判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分被去除。此情況中，在邊緣部的洗淨中或洗淨後，使感測器位於基板W邊緣部的上方，在此狀態下使基板W旋轉，可判定邊緣部是否存在汙染物質。藉此，可在進行鍍覆處理之前判定基板W的邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的基板進行鍍覆處理，故可防止基板載具60所具有的電性接點的接觸電阻不均引起基板W的 鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。更進一步，欲在基板W的邊緣部的洗淨中，判定基板W的邊緣部是否尚存在汙染物質的情況，可根據該感測器的判定結果來決定洗淨的終點。更進一步，亦可根據感測器的測定結果來判定是否具有原本邊緣部即異常的基板W。

第十九圖係顯示第5實施形態之鍍覆方法的流程圖。第5實施形態之鍍覆方法，係在第1實施形態之第七圖所示之鍍覆方法之外，更具有步驟S901。以下部分省略與第七圖的鍍覆方法相同部分的說明。

步驟S603中，對準器40所具有的有機物脫離裝置45(參照第四圖至第六圖)，使存在基板W邊緣部的有機物脫離。接著，基板W被基板運送裝置122運送至海綿藥液洗淨裝置90。海綿藥液洗淨裝置90中，對基板W進行邊緣部的洗淨(步驟S901)。具體而言，海綿藥液洗淨裝置90中，去除存在基板W邊緣部的粒子及氧化膜。另外，第十九圖中雖未顯示，因為判定邊緣部經洗淨的基板W的邊緣部有無有機物、氧化膜、粒子等，故亦可判定邊緣部是否存在汙染物質。

邊緣部經洗淨的基板W被基板運送裝置122運送至固定單元120，而被設置於基板載具60(步驟S604)。此時，基板載具60的電性接點與經洗淨的基板W的邊緣部接觸。藉此可降低粒子引起基板載具60的電性接點的接觸電阻不均。設置於基板載具60的基板W在後段的步驟S605~步驟S609中進行處理。

如以上所說明，根據第5實施形態，可在設置於基板載具60之前，局部去除存在基板W邊緣部的有機物、氧化膜及粒子。因此，可抑制存在基板W邊緣部的有機物、氧化膜及粒子引起基板載具60之電性接點 72的接觸電阻不均，以防止鍍覆膜厚的均勻性變差。

<第6實施形態>

第二十圖係第6實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。第6實施形態的鍍覆裝置構成對矩形(角形)基板進行鍍覆的態樣，此點與第1實施形態至第5實施形態的鍍覆裝置大幅不同。以下的說明中，針對與第1實施形態的鍍覆裝置相同的構成，省略詳細的說明。

第6實施形態的鍍覆裝置具有晶圓匣盒102、固定單元120、基板運送裝置122。如後所述，第6實施形態之固定單元120具備有機物脫離裝置，其使設置於基板載具60前即存在於矩形基板之邊緣部的有機物局部脫離。第6實施形態的鍍覆裝置中係使用可保持矩形基板的基板載具60。固定單元120構成下述態樣：在有機物脫離裝置中使存在於矩形基板之邊緣部的有機物局部脫離之後，使矩形基板保持於基板載具60。

鍍覆裝置更具有：儲存區124、預濕槽126、活化槽129、吹淨槽132、鍍覆槽10。活化槽129中，以酸等洗淨預濕後的基板的表面以使其活化。儲存區124、預濕槽126、活化槽129、吹淨槽132及鍍覆槽10係依此順序配置。另外，鍍覆裝置具有用以將經鍍覆處理之矩形基板洗淨及乾燥的洗淨乾燥裝置135。

第二十一圖係顯示第6實施形態之鍍覆方法的流程圖。本鍍覆方法中，首先，在將矩形基板運送至第二十圖所示之鍍覆裝置之前，於矩形基板上形成光阻圖案(步驟S2101)。接著，對於已形成光阻圖案的矩形基板照射UV，去除矩形基板表面上的光阻殘渣(灰化處理)且進行光阻表面的親水化處理(去渣處理)(步驟S2102)。步驟S2101及步驟S2102的處理，係 在第二十圖所示之鍍覆裝置以外的任意裝置中進行。

接著，矩形基板從收納矩形基板的晶圓匣盒102被基板運送裝置122運送至固定單元120。固定單元120中對矩形基板之邊緣部進行洗淨(步驟S2103)。具體而言，在固定單元120中，藉由有機物脫離裝置對矩形基板之邊緣部局部施用UV或電漿，以使有機物脫離。

第二十一圖所示之流程中雖未記載，但固定單元120中設有感測器(圖中未顯示)的情況，在對存在於矩形基板之邊緣部的有機物施用UV或電漿以進行局部去除之後，可確認邊緣部有無汙染物質(包含有機物)。具體而言，首先使感測器(分光光度計或螢光反射膜厚計)位於被運送至固定單元120而配置於有機物脫離裝置的矩形基板表面上方。一邊使感測器從矩形基板中心部往邊緣部(或從邊緣部往基板中心部)掃描，一邊從感測器朝向矩形基板表面照射紫外區域(200nm~380nm)的光線，例如365nm的波長的光線，以作為激發光，而可測定吸光度或螢光強度。

矩形基板表面存在經UV或電漿處理的邊緣部及未經UV或電漿處理的被鍍覆面；種子層則形成於矩形基板的整個表面(被鍍覆面與邊緣部)。接著，使感測器掃描被鍍覆面與邊緣部，可雙方面測定被鍍覆面與邊緣部的吸光度或螢光強度。鍍覆裝置的圖中未顯示的控制部，例如，比較該被鍍覆面與邊緣部兩者的吸光度，藉由例如邊緣部的吸光度相對於被鍍覆面的吸光度的比值是否大於預先設定的閾值(例如50%以下)，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)是否已充分被去除。上述比值大於閾值的情況，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物及氧化膜)未充分被去除。另外，上述比值未大於閾值的情況，可判定邊緣部的汙染物質(包含有機物 及氧化膜)已被充分去除。測定螢光強度的情況，亦可相同地藉由比較既定的閾值與測定值，判定邊緣部的汙染物質是否已充分被去除。

根據該判定，判定邊緣部的汙染物質未被充分去除的情況，亦可重複實施對矩形基板之邊緣部局部放射UV或電漿的步驟。另外，判定邊緣部的汙染物質已充分被去除的情況，則視為有機物的脫離結束，而藉由基板載具運送裝置140被運送至各處理槽，以實施一連串的鍍覆處理。如此，可在鍍覆處理之前判定矩形基板之邊緣部是否存在汙染物質，之後針對邊緣部未殘存汙染物質的矩形基板進行鍍覆處理，藉此可更確實防止基板載具60所具有之電性接點的接觸電阻不均引起矩形基板的鍍覆膜厚的平面均勻性變差等。

邊緣部經洗淨的矩形基板，藉由固定單元120設置於基板載具60(步驟S2104)。此時，因為矩形基板之邊緣部的有機物已脫離，故基板載具60的電性接點與經洗淨的矩形基板之邊緣部接觸。藉此可降低有機物的附著引起基板載具60的電性接點的接觸電阻不均。

保持於基板載具60的矩形基板，首先被基板載具運送裝置140運送至預濕槽126，而使基板W浸漬於預濕槽126中所收納的純水(步驟S2105)。接著，矩形基板被運送至活化槽129，使基板W的表面被活化(步驟S2106)。

矩形基板被浸漬於鍍覆槽10的任一鍍覆組134，以進行鍍覆處理(步驟S2107)。表面形成有鍍覆膜的矩形基板，在吹淨槽132中進行吹乾(步驟S2108)。接著，被保持於基板載具60的矩形基板被運送至固定單元120，而矩形基板從基板載具60被取出。基板運送裝置122，從固定單元120 接收矩形基板，並將矩形基板運送至洗淨乾燥裝置135。矩形基板在洗淨乾燥裝置135中進行表面的洗淨及乾燥(步驟S2109)。

接著，詳細說明第二十一圖所示之步驟S2103中的處理。第二十二圖係設於固定單元120的有機物脫離裝置50之一例的概略側視圖。有機物脫離裝置50，構成UV照射裝置或電漿放射裝置。如第二十二圖所示，有機物脫離裝置50具有基板支持台55(相當於旋轉機構的一例)、第1致動器53(相當於致動器的一例)、第2致動器52(相當於致動器的一例)、頭部51、控制部54。基板支持台55構成吸附矩形基板S1背面的態樣，其使矩形基板S1在圓周方向上旋轉。又，基板支持台55係以靜電吸附式或真空吸附式吸附矩形基板S1。

頭部51構成下述態樣：從配置於基板支持台55的矩形基板S1的上方，對於矩形基板S1的邊緣部局部施用UV或電漿。亦即，頭部51構成照射UV之態樣的情況下，有機物脫離裝置50構成UV照射裝置；頭部51構成放射電漿之態樣的情況下，有機物脫離裝置50則構成電漿照射裝置。有機物脫離裝置50，可對於保持於基板載具60之前的矩形基板S1的邊緣部局部施用UV或電漿。換言之，矩形基板S1的邊緣部以外的區域未曝露於UV或電漿。

第1致動器53及第2致動器52，可使頭部51在水平方向上移動。具體而言，第1致動器53，可使頭部51在水平方向且在直線方向的第1方向上移動；第2致動器52，可使其在與第1方向垂直的第2方向上移動。圖示的例中，藉由第1致動器53，可使頭部51沿著矩形基板S1的邊緣部移動；藉由第2致動器52，可調節從矩形基板S1端部至施用UV或電漿之位置的距 離d2。本實施形態中，係以對「相對於與基板載具60的密封構件70的凸緣部70a抵接的部分更為外周側之區域」施用UV或電漿的方式，使距離d2為約5mm以下，更佳為約2mm以下，藉此調整頭部51的位置。又，本實施形態中第1方向或第2方向並非指單一方向，而是指例如X軸的正向及負向的雙向。

另外，頭部51係以可藉由圖中未顯示的升降機構在垂直方向上移動的方式所構成。頭部51的UV照射源或電漿放射口與矩形基板S1的距離d1，較佳為約1mm以上約10mm以下。若該距離未滿1mm，則矩形基板S1可能與UV照射源或電漿放射口物理性接觸。另外，若該距離d1超過10mm，則可能無法局部照射UV或電漿。為了更確實地避免矩形基板與UV照射源或電漿放射口物理性接觸，另外為了可局部照射，較佳係使該距離d1為約2mm以上約5mm以下。

有機物脫離裝置50更具有控制部54，用以控制頭部51，第1致動器53，及第2致動器，及圖中未顯示的升降機構。另外，為了不使頭部51放射之UV或電漿往矩形基板S1的中央側擴散，如第二十二圖所示，有機物脫離裝置50亦可具有遮罩57，其在頭部51的矩形基板S1的中央側遮蔽UV或電漿。

第二十三A圖至第二十三E圖係顯示第二十二圖所示之有機物脫離裝置50中，矩形基板S1邊緣部的有機物脫離之過程的有機物脫離裝置50的俯視圖。如第二十三A圖所示，首先，有機物脫離裝置50，藉由圖中未顯示的升降機構，將頭部51在垂直方向上定位，再藉由第2致動器52，將頭部51的位置定位於矩形基板S1的4個邊緣部中的一個。接著，有機物脫離 裝置50的控制部54，控制頭部51及第1致動器53，一邊從頭部51放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53沿著矩形基板S1的邊緣部使頭部51移動，以洗淨一個邊緣部。

一個邊緣部經洗淨後，有機物脫離裝置50使基板支持台55(參照第二十二圖)旋轉，使第二十三B圖所示矩形基板S1旋轉90度。此時，控制部54，以「使頭部51停止放射UV或電漿，並使基板支持台55旋轉」的方式，控制頭部51及基板支持台55。換言之，以不同時進行「從頭部51放射UV或電漿」與「以基板支持台55旋轉矩形基板S1」的方式，控制頭部51及基板支持台55。藉此，可防止對於矩形基板S1上未預期的區域放射UV或電漿。

如第二十三B圖所示，有機物脫離裝置50，使UV或電漿停止放射，藉由第2致動器52，使頭部51定位於矩形基板S1的邊緣部。本實施形態中因為具有第2致動器52，故即使是第二十三A圖至第二十三E圖所示矩形基板S1具有長邊與短邊的情況，亦可將頭部51定位於矩形基板S1的邊緣部。

接著，有機物脫離裝置50，一邊從頭部51放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使頭部51沿著矩形基板S1的邊緣部移動，以洗淨另一個邊緣部。相同地，如第二十三C圖及第二十三D圖所示，有機物脫離裝置50每洗淨一個邊緣部，就使矩形基板S1旋轉90度，以洗淨各邊緣部。

若矩形基板S1的4邊的邊緣部的洗淨結束，則有機物脫離裝置50更進一步使矩形基板S1旋轉90度，使矩形基板S1回到與第二十三A圖相同的位置(原點)(第二十三E圖)。如上所述，洗淨矩形基板S1的4邊的邊緣 部。第二十二圖至第二十三E圖所示之有機物脫離裝置50中，可具有一組的第1致動器53、第2致動器52及頭部51，亦可具有多組的該等構件。此情況下可減少洗淨邊緣部所需的時間。

第二十四圖係設於固定單元120的有機物脫離裝置50的另一例的概略側視圖。第二十四圖所示之有機物脫離裝置50中，與第二十二圖所示之有機物脫離裝置50不同，構成基板支持台55不旋轉的態樣。作為其替代，第二十四圖所示之有機物脫離裝置50，具有使頭部51、第1致動器53及第2致動器52旋轉的旋轉軸56。旋轉軸56，係藉由其中心軸通過矩形基板S1的略中心而決定位置。頭部51、第1致動器53及第2致動器52，如第二十四圖所示，頭部51可直接或間接與旋轉軸56連接，而形成可位於矩形基板S1的邊緣部上方的態樣。控制部54，除了頭部51、第1致動器53及第2致動器52以外，亦控制旋轉軸56的驅動。

第二十五A圖至第二十五E圖，係顯示第二十四圖所示之有機物脫離裝置50中，矩形基板S1的邊緣部的有機物脫離過程的有機物脫離裝置50的俯視圖。如第二十五A圖所示，首先，有機物脫離裝置50，藉由圖中未顯示的升降機構，進行頭部51在垂直方向上的定位；藉由旋轉軸56及第2致動器52，使頭部51的位置定位於矩形基板S1的4個邊緣部中的一個。接著，有機物脫離裝置50的控制部54，控制頭部51及第1致動器53，一邊從頭部51放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使頭部51沿著矩形基板S1的邊緣移動，以洗淨一個邊緣部。

洗淨一個邊緣部後，則有機物脫離裝置50使旋轉軸56旋轉，如第二十五B圖所示，使頭部51旋轉90度。此時，控制部54，以「停止從頭 部51放射UV或電漿後，使頭部51旋轉」的方式控制頭部51及旋轉軸56。換言之，以不同時進行「從頭部51放射UV或電漿的放射」與「以旋轉軸56使頭部51旋轉」的方式，控制頭部51及旋轉軸56。藉此，可防止對矩形基板S1上未預期的區域放射UV或電漿。

如第二十五B圖所示，有機物脫離裝置50使UV或電漿停止放射，藉由第2致動器52，將頭部51定位於矩形基板S1的邊緣部。接著，有機物脫離裝置50一邊從頭部51放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53沿著矩形基板S1的邊緣部使頭部51移動，以洗淨另一個邊緣部。相同地，如第二十五C圖及第二十五D圖所示，有機物脫離裝置50，每洗淨一個邊緣部即以旋轉軸56為中心使頭部51旋轉90度，以洗淨各邊緣部。

若矩形基板S1的4邊的邊緣部的洗淨結束，則有機物脫離裝置50，更進一步使頭部51旋轉90度，使頭部回到與第二十五A圖相同的位置(原點)(第二十五E圖)。如上所述，洗淨矩形基板S1的4邊的邊緣部。在第二十四圖至第二十五E圖所示之有機物脫離裝置50中，可具有一組的旋轉軸56、第1致動器53、第2致動器52及頭部51，亦可具有複數組該等構件。此情況中可減少洗淨邊緣部所需的時間。

第二十六圖係設於固定單元120的有機物脫離裝置50的另一例的概略側視圖。第二十六圖所示之有機物脫離裝置50中，與第二十二圖所示之有機物脫離裝置50不同，設有兩個頭部。亦即，有機物脫離裝置50，具有第1頭部51a、第2頭部51b以及與第1頭部51a及第2頭部51b對應的2個第2致動器52a、52b。如第二十六圖所示，第1頭部51a與第2頭部51b，係設於夾住第1致動器53而互相對向的位置。因此，第1頭部51a及第2頭部51b，可藉 由第2致動器52a、52b彼此在相同方向上來回移動。

第二十七A圖至第二十七C圖，係第二十六圖所示之有機物脫離裝置50中，矩形基板S1的邊緣部的有機物脫離過程的有機物脫離裝置50的俯視圖。如第二十七A圖所示，首先，有機物脫離裝置50，藉由圖中未顯示的升降機構，進行頭部51在垂直方向上的定位，並藉由第2致動器52a、52b，將第1頭部51a及第2頭部51b的位置定位於矩形基板S1的4個邊緣部中對向的兩個。接著，有機物脫離裝置50的控制部54，控制第1頭部51a及第2頭部51b，並且控制第1致動器53，以一邊從第1頭部51a及第2頭部51b放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使第1頭部51a及第2頭部51b沿著矩形基板S1的邊緣部移動，以洗淨對向的兩個邊緣部。

洗淨對向的兩個邊緣部之後，則有機物脫離裝置50使基板支持台55(參照第二十六圖)旋轉，如第二十七B圖所示，使矩形基板S1旋轉90度。此時，控制部54，以「在使第1頭部51a及第2頭部51b停止放射UV或電漿之後，使基板支持台55旋轉」的方式，控制第1頭部51a、第2頭部51b以及基板支持台55。藉此，可防止對矩形基板S1上未預期的區域放射UV或電漿。

如第二十七B圖所示，有機物脫離裝置50，在停止放射UV或電漿的狀態下，藉由第2致動器52a、52b，將第1頭部51a及第2頭部51b定位於矩形基板S1中對向的兩個邊緣部。接著，有機物脫離裝置50，一邊從第1頭部51a及第2頭部51b放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使第1頭部51a及第2頭部51b沿著矩形基板S1的邊緣部移動，以洗淨對向的兩個邊緣部。

若矩形基板S1的4邊的邊緣部的洗淨結束，則有機物脫離裝置50，更進一步使矩形基板S1旋轉270度，使矩形基板S1回到與第二十七A圖相同的位置(原點)(第二十七C圖)。如上所述，洗淨矩形基板S14邊的邊緣部。第二十六圖及第二十七A圖-第二十七C圖所示之有機物脫離裝置50，具有第1頭部51a及第2頭部51b。因此，相較於第二十二圖及第二十三A圖-第二十三E圖所示之有機物脫離裝置50，可減少對矩形基板S1照射UV或電漿的時間，及使矩形基板S1旋轉的時間。另外，從第二十六圖至第二十七C圖所示之有機物脫離裝置50中，可具有一組的第1致動器53、第2致動器52a、52b、第1頭部51a及第2頭部51b，亦可具有複數組該等構件。此情況下，可減少洗淨邊緣部所需的時間。

第二十八圖係設於固定單元120的有機物脫離裝置50的另一例的概略側視圖。第二十八圖所示之有機物脫離裝置50中，與第二十四圖所示之有機物脫離裝置50不同，設有兩個頭部。亦即，有機物脫離裝置50，具有第1頭部51a、第2頭部51b、與第1頭部51a及第2頭部51b對應的兩個第2致動器52a、52b。如第二十八圖所示，第1頭部51a與第2頭部51b，係設置於夾住第1致動器53而互相對向的位置。因此，第1頭部51a及第2頭部51b，可藉由第2致動器52a、52b彼此在同一方向上來回移動。

第二十九A圖至第二十九C圖，係顯示如第二十八圖所示之有機物脫離裝置50中，矩形基板S1的邊緣部的有機物脫離過程的有機物脫離裝置50的俯視圖。如第二十九A圖所示，首先，有機物脫離裝置50，藉由圖中未顯示的升降機構，進行第1頭部51a及第2頭部51b在垂直方向上的定位，藉由旋轉軸56及第2致動器52a、52b，使第1頭部51a及第2頭部51b的位 置定位於矩形基板S1中對向的兩個邊緣部。接著，有機物脫離裝置50的控制部54控制第1頭部51a、第2頭部51b以及第1致動器53，而可一邊從第1頭部51a及第2頭部51b放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使第1頭部51a及第2頭部51b沿著矩形基板S1的邊緣部移動，以洗淨一個邊緣部。

洗淨對向的兩個邊緣部之後，則有機物脫離裝置50使旋轉軸56旋轉，如第二十九B圖所示，使第1頭部51a及第2頭部51b旋轉90度。此時，控制部54，以「在使第1頭部51a及第2頭部51b停止放射UV或電漿之後，使第1頭部51a及第2頭部51b旋轉」的方式，控制第1頭部51a及第2頭部51b及旋轉軸56。藉此，可防止對矩形基板S1上未預期的區域放射UV或電漿。

如第二十九B圖所示，有機物脫離裝置50，在使UV或電漿的放射停止的狀態下，藉由第2致動器52a、52b，使第1頭部51a及第2頭部51b定位於矩形基板S1的邊緣部。接著，有機物脫離裝置50，一邊從第1頭部51a及第2頭部51b放射UV或電漿，一邊藉由第1致動器53使第1頭部51a及第2頭部51b沿著矩形基板S1的邊緣部移動，以洗淨對向的兩個邊緣部。

若矩形基板S14邊的邊緣部的洗淨結束，則有機物脫離裝置50，更進一步使第1頭部51a及第2頭部51b旋轉270度，以使第1頭部51a及第2頭部51b回到與第二十九A圖相同的位置(原點)(第二十九C圖)。如上所述，洗淨矩形基板S14邊的邊緣部。第二十八圖及第二十九A圖-第二十九C圖所示之有機物脫離裝置50，具有第1頭部51a及第2頭部51b。因此，相較於第二十四圖及第二十五A圖-第二十五E圖所示之有機物脫離裝置50，可降低對於矩形基板S1照射UV或電漿的時間，及使頭部旋轉的時間。另外，在第二十八圖至第二十九C圖所示之有機物脫離裝置50中，可具有一組的旋轉軸 56、第1致動器53、第2致動器52a、52b、第1頭部51a及第2頭部51b，亦可具有複數組該等構件。此情況下，可降低洗淨邊緣部所需的時間。

以上說明的第6實施形態的有機物脫離裝置50為UV照射裝置的情況中，作為UV光源，可使用例如，高壓水銀燈、低壓水銀燈、黑光燈或放射UV區域之光線的雷射光源等。因為高壓水銀燈、低壓水銀燈及黑光燈具有光源發散的傾向，故採用該等光源的情況，較佳係將光源設於基板W的附近，或使用光學系統僅對邊緣部照射UV。有機物脫離裝置50為電漿放射裝置的情況，可使用例如大氣遙控電漿裝置等。

第6實施形態中雖說明有機物脫離裝置50係設於固定單元120，但不限於此，亦可設於其他單元，亦可另外作為獨立裝置設於鍍覆裝置內。另外，有機物脫離裝置50雖為洗淨矩形基板4邊之邊緣部的裝置，但亦可為例如，僅洗淨對向2邊之邊緣部的態樣。此情況下，可減少矩形基板S1的旋轉次數或頭部51的旋轉次數。另外，第二十四圖至第二十九C圖所示之其他有機物脫離裝置50中，亦可採用如第二十二圖所示之遮罩57。

以上雖說明本發明之實施形態，但上述發明的實施形態，係用以容易理解本發明，並非限定本發明。本發明只要不脫離其主旨，則可進行變更、改良，同時，本發明當然亦包含其均等物。另外，可解決上述課題之至少一部分的範圍，或是可達到至少部分效果的範圍中，可任意組合或省略記載於申請專利範圍及說明書的各構成元素。例如，可任意組合第一圖至第十九圖中所說明的洗淨基板W邊緣部的有機物脫離裝置45、氧化膜去除裝置24及海綿洗淨裝置80。

S601~S609‧‧‧步驟

Claims (31)

1. 一種鍍覆裝置，係對基板進行鍍覆，其特徵為包含：邊緣部洗淨裝置，局部去除該基板被該基板載具保持時存在於與以密封構件密封之區域鄰接且到基板周緣部為止之區域的有機物及氧化膜的至少一者；及鍍覆槽，收納鍍覆液，用以在基板與陽極浸漬於該鍍覆液的狀態下，於該基板與該陽極間施加電壓，以進行鍍覆。
2. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置包含有機物脫離裝置，其使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離；該有機物脫離裝置包含對旋轉的該基板之邊緣部照射UV的UV照射裝置、或是對旋轉的該基板之邊緣部放射電漿的電漿放射裝置。
3. 如申請專利範圍第2項之鍍覆裝置，其中更包含：對準器，使該基板旋轉以整齊排列該基板的方向；該有機物脫離裝置設於該對準器。
4. 如申請專利範圍第2項之鍍覆裝置，其中，該UV照射裝置或該電漿放射裝置係配置於可從該基板的上方對該基板之邊緣部局部施用UV或電漿的位置。
5. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置包含氧化膜去除裝置，其局部去除存在於該基板之邊緣部的氧化膜；該氧化膜去除裝置包含藥液洗淨裝置，其具備對旋轉的該基板之邊 緣部供給藥液的藥液噴嘴。
6. 如申請專利範圍第5項之鍍覆裝置，其中，該藥液包含3wt%以上15wt%以下的稀硫酸或2wt%以上20wt%以下的檸檬酸。
7. 如申請專利範圍第5項之鍍覆裝置，其中更包含：旋轉潤濕乾燥裝置，其構成使該基板旋轉以使其乾燥的態樣；該氧化膜去除裝置設於該旋轉潤濕乾燥裝置。
8. 如申請專利範圍第5項之鍍覆裝置，其中，該藥液洗淨裝置配置於可從該基板上方對該基板邊緣部局部供給藥液的位置。
9. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中更包含：海綿洗淨裝置，其去除存在於該基板之邊緣部的粒子。
10. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中更包含：感測器，其構成下述態樣：對於存在於該邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者經局部去除之基板的該邊緣部照射光線的同時，測定反射之光強度或吸光度。
11. 一種鍍覆方法，其係對基板進行鍍覆，其特徵為包含：去除步驟，局部去除存在於該基板之邊緣部的有機物及氧化膜的至少一者；保持步驟，將該基板保持於基板載具；及鍍覆處理步驟，對保持於該基板載具的該基板進行鍍覆處理，該去除步驟包含局部去除在該基板被該基板載具保持時存在於與 以密封構件密封之區域鄰接且到基板周緣部為止之區域的有機物及氧化膜的至少一者的步驟。
12. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中更包含：光阻圖案形成步驟，於該基板上形成光阻圖案；及灰化步驟，將該光阻圖案灰化；該去除步驟係在該灰化步驟之後進行。
13. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中，該去除步驟包含對該基板之邊緣部局部放射UV或電漿的步驟。
14. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中，該去除步驟包含對該基板之邊緣部局部供給藥液的步驟。
15. 如申請專利範圍第14項之鍍覆方法，其中，該藥液包含3wt%以上15wt%以下的稀硫酸或2wt%以上20wt%以下的檸檬酸。
16. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中更包含：粒子去除步驟，使海綿頭接觸旋轉的該基板之邊緣部，以去除粒子。
17. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中，該去除步驟，包含在使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離之後，局部去除該氧化膜的步驟。
18. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中，該去除步驟包含局部去除存在於從該基板的周緣部往基板中心2mm的範圍內之有機物及氧化膜的至少一者的步驟。
19. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中更包含： 測定步驟，對於存在於該邊緣部的有機物或氧化膜的至少一者經局部去除的基板的該邊緣部照射光線，並測定反射之光強度或吸光度。
20. 一種鍍覆裝置，其係對基板進行鍍覆，其特徵為包含：鍍覆槽，用以對基板載具所保持之該基板施加電壓，以進行鍍覆；及邊緣部洗淨裝置，局部去除該基板被該基板載具保持時存在於與以密封構件密封之區域鄰接且到基板周緣部為止之區域的有機物、氧化膜及粒子的至少一者。
21. 一種鍍覆方法，其係對基板進行鍍覆，其特徵為包含：去除步驟，局部去除在保持於基板載具之前即存在於該基板之邊緣部的有機物、氧化膜及粒子的至少一者；保持步驟，將該基板保持於基板載具；及鍍覆處理步驟，對保持於該基板載具的該基板進行鍍覆處理，該去除步驟包含局部去除在該基板被該基板載具保持時存在於與以密封構件密封之區域鄰接且到基板周緣部為止之區域的有機物及氧化膜的至少一者的步驟。
22. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置包含有機物脫離裝置，其使存在於該基板之邊緣部的有機物局部脫離；該有機物脫離裝置，包含對該基板邊緣部照射UV的UV照射裝置或對該基板邊緣部放射電漿的電漿放射裝置。
23. 如申請專利範圍第22項之鍍覆裝置，其中， 該邊緣部洗淨裝置具有：頭部，其構成對該基板之邊緣部局部施用UV或電漿的態樣；及致動器，其使該頭部在水平方向上移動。
24. 如申請專利範圍第23項之鍍覆裝置，其中，該致動器具有：第1致動器，使該頭部在第1方向上移動；及第2致動器，使該頭部在與該第1方向垂直的第2方向上移動。
25. 如申請專利範圍第23項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置具有控制該頭部及該致動器的控制部；該致動器構成使該頭部沿著該基板之邊緣部移動的態樣；該控制部以同時進行「藉由該頭部放射UV或電漿」與「藉由該致動器使該頭部沿著該基板邊緣部移動」的方式，控制該頭部及該致動器。
26. 如申請專利範圍第25項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置具有使該頭部旋轉的旋轉機構；該控制部，以「該旋轉機構使該頭部旋轉時，使該頭部停止放射UV或電漿」的方式，控制該頭部及該旋轉機構。
27. 如申請專利範圍第25項之鍍覆裝置，其中，該邊緣部洗淨裝置具有：旋轉機構，其使該基板旋轉；及控制部，其控制該頭部、該旋轉機構及該致動器；該控制部，以「在該旋轉機構使該基板旋轉時，使該頭部停止放射 UV或電漿」的方式，控制該頭部及該旋轉機構。
28. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中，該去除步驟，具有一邊使放射UV或電漿的頭部沿著該矩形基板之邊緣部移動，一邊放射UV或電漿的步驟。
29. 如申請專利範圍第28項之鍍覆方法，其中，該去除步驟具有使該頭部在水平方向上移動，以使該頭部定位於該矩形基板之邊緣部的步驟。
30. 如申請專利範圍第28項之鍍覆方法，其中，該去除步驟，具有對該矩形基板的一個邊緣部放射UV或電漿之後，一方面停止放射UV或電漿，一方面使該頭部旋轉的步驟。
31. 如申請專利範圍第28項之鍍覆方法，其中，該去除步驟，具有對該矩形基板的一個邊緣部放射UV或電漿之後，一方面停止放射UV或電漿，一方面使該矩形基板旋轉的步驟。

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