JP3817581B2 - 基板メッキ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板など（以下、単に基板と称する）に対して電解メッキによるメッキ処理を施す基板メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板メッキ装置として、例えば、基板の処理面を下向きにし、処理面の周辺部をマスク部材でマスクし、非処理面を押圧部材で押圧した状態でメッキ液を貯留したチャンバに対して基板を下降させ、マスク部材に配備された電極に通電することにより処理面にメッキを施すように構成されたものが挙げられる。
【０００３】
このような構成の基板メッキ装置では、基板を押圧している押圧部材と、基板の処理面周辺をマスクしているマスク部材とをチャンバに対して回転させながら、基板の処理面に対してメッキ処理を施すようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、マスク部材の内周側には、基板の処理面に当接してメッキ液が処理面周辺部に浸入することを防止する、基板の処理面側に突起したシール部分と、このシール部分よりも外側で処理面に当接して通電するための電極とがある。しかしながら、シール部分で漏れが生じると、メッキ液がマスク部材の電極側に浸入して拡がり、基板の周縁部を伝って非処理面側にまで回り込んで、基板を汚染するという問題がある。このような状態になると、一般的にシール部分の形状が凹凸を含む複雑な形状であることもあって、人手によらなければ漏れ拡がったメッキ液を除去することができないという問題がある。
【０００５】
上記のようにマスク部材に漏れたメッキ液を放置しておくと、マスク部分にメッキ液が溜まり、処理するために順次に基板メッキ装置に搬送されてくる基板の周縁部及び非処理面が次々と汚染されてしまうといった相互汚染を生じることになる。
【０００６】
なお、メッキ液がマスク部材側に漏れ出たか否かが判らないので、メッキ処理を終えた基板については、念のために非処理面の周縁部を洗浄するエッジ洗浄処理を行うのが一般的である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、マスク部材側に漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込まないように積極的に流体を供給することにより、マスク部材側に漏れ出たメッキ液による基板の汚染を防止することができる基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明のもう一つの目的は、流体が排出されるカップ内における基準流体の導電率を監視することにより、マスク部材側にメッキ液が漏れ出たこと知ることが可能な基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項２に記載の基板メッキ装置は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記第２流路に連通接続された気体供給源と、前記気体供給源からの供給と遮断とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の処理中に、前記流体として気体を供給することを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項３に記載の基板メッキ装置は、請求項２に記載の基板メッキ装置において、基板の処理中に、前記流体として液体を供給した後、前記流体として気体を供給することを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項４に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第２流路は、押圧部材の回転軸に形成された縦流路と、押圧部材の円板状を呈する当接部材の中央部から周縁部に向けて平面視放射状に複数本形成され、前記縦流路に連通した横流路とを備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項５に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第１流路は、電極付近と外部とを連通するように形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項６に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項７に記載の基板メッキ装置は、請求項６に記載の基板メッキ装置において、前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項８に記載の基板メッキ装置は、請求項７に記載の基板メッキ装置において、前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項９に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、かつ、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給し、前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備え、前記検出手段がメッキ液の混入を検知した場合に警報を発することを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項１０に記載の基板メッキ装置は、請求項９に記載の基板メッキ装置において、前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項１１に記載の基板メッキ装置は、請求項１０に記載の基板メッキ装置において、前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、マスク部材から基板の周縁部側にメッキ液が漏れ出たとしても、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体が供給されているので、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことがない。また、マスク部材に形成された第１流路と、押圧部材に形成された第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続することにより、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが可能となる。
【００２３】
また、請求項２に記載の発明によれば、気体を供給することで、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を経て非処理面側に伝うことがない。
【００２４】
また、請求項３に記載の発明によれば、液体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給によって乾燥させる。
【００２５】
また、請求項４に記載の発明によれば、押圧部材の回転軸に縦流路を形成し、押圧部材の円板状の部分に横流路を形成し、これらを連通接続させることで、処理中には回転されている押圧部材を介して基板の周縁部にまで流体を供給することができる。
【００２６】
また、請求項５に記載の発明によれば、マスク部材の第１流路を、電極付近と外部とを連通するように形成すると、漏れ出たメッキ液を流体に乗せて外部に排出できる。
【００２７】
また、請求項６に記載の発明によれば、検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができる。
【００２８】
また、請求項７に記載の発明によれば、カップの基準流体に、漏れ出たメッキ液が流体とともに混入すると導電率またはｐＨが変位するので、これを測定手段で測定することでメッキ液の漏れを検知できる。
【００２９】
また、請求項８に記載の発明によれば、測定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置にまで素早く流される。
【００３０】
また、請求項９に記載の発明によれば、マスク部材と基板の周縁部との隙間を、基板の非処理面側から処理面側に向かって流体が流通するので、漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込まない。さらに、メッキ液が漏れ出た場合には、検知手段により検知して警報を発する。
【００３１】
また、請求項１０に記載の発明によれば、上述した請求項７と同等の作用を生じる。
【００３２】
また、請求項１１に記載の発明によれば、上述した請求項８と同等の作用を生じる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１は、本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、マスク部材及び押圧部材の一部拡大図である。
【００３４】
基板Ｗは、図示しないシード層が形成された処理面Ｗｓを下方に向けてスピンベース１によって水平姿勢となるように保持されている。このスピンベース１は、平面視環状を呈するマスク部材３と、このマスク部材３の上部に連結された３本（図示の関係上２本だけを示す）の支柱５と、これら３本の支柱５が連結された中空の回転軸７とを備えている。
【００３５】
回転軸７は、図１に示すような高さの待機位置と、この待機位置よりも下方に位置する処理位置とにわたって図示しない昇降機構により昇降駆動される。また、図示しない回転駆動機構によって鉛直軸回りに回転駆動される。
【００３６】
マスク部材３は、内周側上部に、下向きに傾斜した当接面３ａと、内周面に開口したスリット状の電極取り付け穴３ｂと、この電極取り付け穴３ｂよりも内周側の位置で中心に向かって突出した内周凸部３ｃと、この内周凸部３ｃの上面に形成された凹部３ｄと、この凹部３ｄとマスク部材３の外周面とに連通した複数本の第１流路３ｅとを備えている。また、電極取り付け穴３ｂの中心部側（開口側）は、外周側よりも開口面積が大きく形成されている。
【００３７】
マスク部材３の電極取り付け穴３ｂには、処理面Ｗｓ側に形成されているシード層に当接して負電圧を印加するためのカソード電極１１が取り付けられている。このカソード電極１１は、シード層に確実に当接するように、内周側が僅かに上方に向けて傾斜するように成形されているとともに、内周側が櫛形に形成されている。なお、上述したように電極取り付け穴３ｂの内周側は奥側よりも開口面積が大きくされているので、カソード電極１１を取り付けると内周側が上方に傾斜し、基板Ｗのシード層に確実に当接するようになっている。
【００３８】
マスク部材３の凹部３ｄには弾性を有するシール部材１３が装着されている。このシール部材１３は、メッキ液が基板Ｗの周縁部に達することを防止するものであり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに当接するように平面視環状に形成されている。
【００３９】
スピンベース１の内部には、基板Ｗの非処理面にあたる裏面周辺部を押圧する押圧部材１５が配備されている。この押圧部材１５は、回転軸７に沿って昇降可能および回転自在に構成されており、スピンベース１内に搬入された基板Ｗをマスク部材３に対して押圧して基板Ｗを挟持する。
【００４０】
押圧部材１５は、円板状の当接部材１７と、この回転中心部に立設された回転軸１９とを備えている。回転軸１９には、縦流路１９ａが形成されている。また、当接部材１７は、その外周面上部が外方に突出した鍔部１７ａを備えるとともに、この鍔部１７ａの外周面は下方に向けられて当接面１７ｂが形成されている。当接部材１７の下面周辺部には、下方に突出した環状の押圧部１７ｃが形成されている。また、当接部材１７には、押圧部１７ｃの外周面に開口し、回転軸１９の直下まで連通した複数本の横流路１７ｄが放射状に形成されている。これらの複数本の横流路１７ｄは、縦流路１９ａに連通接続されている。
【００４１】
なお、上記の横流路１７ｄと縦流路１９ａが本発明における第２流路に相当するものである。
【００４２】
押圧部材１５は、図示しない回転機構によって、上述したスピンベース１と同様に鉛直軸回りに回転可能に構成されているとともに、図示しない昇降機構によってスピンベース１に対して昇降するようになっている。
【００４３】
押圧部材１５の縦流路１９には、開閉弁２１と、三方弁２３と、開閉弁２５，２７とを介して気体供給源２９と液体供給源３１とが連通接続されている。気体供給源２９は、例えば、窒素やドライエアーを供給するものであり、液体供給源３１は、例えば、純水を供給するものである。これらの供給・遮断は、図示しない制御部によって制御される。
【００４４】
スピンベース１の下方には、基板Ｗの直径よりもやや小径のメッキ槽３３が備えられ、このメッキ槽３３を囲うように回収槽３５が配備されている。メッキ槽３３の底面には開口部３３ａが形成されており、その周囲には正電圧を印加するためのアノード電極３７が配設されている。このアノード電極３７は、例えば、外観形状が環状になっている。回収槽３５からメッキ槽３３の開口部３３ａには配管３９が連通接続されており、配管３９に取り付けられたポンプ４１によって回収槽３５のメッキ液Ｌがメッキ槽３３の上方に向けて供給されるようになっている。
【００４５】
回収槽３５のさらに外側には、メッキ槽３３と回収槽３５よりも周縁部が高い排液槽４３が配備されている。この排液槽４３は、排気によって液体を排出する排液ラインに接続されている。
【００４６】
次に、図３を参照しながら、上述したように構成された基板メッキ装置について動作説明を行う。なお、この図３は、メッキ処理中の状態を説明するための図である。
【００４７】
まず、図２に示す待機位置にスピンベース１が位置している状態で、図示しない基板搬送機構がスピンベース１内に基板Ｗを搬入する。このとき、基板Ｗは、その処理面Ｗｓが下向きの姿勢である。スピンベース１内に基板Ｗが搬入されると、基板Ｗをマスク部材３に向けて下降させ、基板Ｗをカソード電極１１及びシール部材１３の上に載置する。
【００４８】
次に、押圧部材１５を基板Ｗの非処理面に向けて下降させ、当接部材１７の押圧部１７ｃが基板Ｗの非処理面に当接するまで下降させるとともに、一定圧力で基板Ｗを押圧するように付勢する。
【００４９】
さらに、開閉弁２１，２５を開放して気体供給源２９から気体（例えば、窒素）の供給を開始する。このようにして供給された気体ｇは、図３中に点線矢印で示すように、当接部材１７の横流路１７ｄを通り、基板Ｗの非処理面を伝って周縁部に達する。基板Ｗの周縁部は、当接部材１７の鍔部１７ａに形成された当接面１７ｂと、マスク部材３の当接面３ａとが当接して密着して形成された気密室４５内に位置しているが、基板Ｗの周縁部とマスク部材３の内周面とは僅かな隙間があるので、この隙間と、電極１１と、凹部３ｄとを経て、マスク部材３の第１流路３ｅを通って排液槽４３に排出される。
【００５０】
そして、スピンベース１を回転させつつ基板Ｗごと処理位置にまで下降させるとともに、ポンプ４１を作動させてメッキ槽３３のメッキ液Ｌを循環させる。さらに、カソード電極１１とアノード電極３７とに所定時間通電してメッキ処理を行う。このときメッキ液Ｌは、メッキ槽３３から溢れて回収槽３５に回収される。
【００５１】
本実施例のように構成された基板メッキ装置では、上記のようなメッキ処理中にメッキ液Ｌが処理面Ｗｓを伝ってシール部材１３より基板Ｗの周縁側に浸入しようとしても、図３中に点線矢印で示す気体ｇの流れによるセルフクリーニングにより、メッキ液Ｌが第１流路３ｅから排出される。したがって、メッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部を伝って非処理面側にまで浸入することが阻止され、マスク部材１３から漏れ出たメッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部及び非処理面を汚染することを防止できる。その結果、順次に搬入される基板Ｗ間で起きる相互汚染を防止できる。
【００５２】
上記のようにして気体ｇに乗せられて排出されたメッキ液Ｌは、ミストとなって排液槽４３に排出される。
【００５３】
また、上記の説明では、気体ｇだけを使って汚染防止を図ったが、開閉弁２１，２７を開放して液体供給源３１より液体を供給した後、開閉弁２７を閉止するとともに開閉弁２５を開放して気体ｇを流通させるようにしてもよい。これにより液体によりメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給により乾燥させることが可能であり、上述した効果と同等の効果を得ることができる。
【００５４】
なお、上記のように構成した基板メッキ装置を図４に示すように構成してもよい。
【００５５】
すなわち、上述した押圧部材１５のように当接部材１７内にトンネル状の横流路１７ｄを形成するのに代えて、当接部材１７Ａの下面を横流路１７Ａｄとして利用する。そして、当接部材１７の下面周辺に形成してあるリング状の押圧部１７ｃに代えて、櫛状に一部開口した押圧部流路１７Ａｅを形成して、これを押圧部１７Ａｃとする。また、マスク部材３Ａの下面に開口して外部に連通した第１流路３Ａｅを形成する。
【００５６】
このように構成することにより、基板Ｗの非処理面に対する押圧部材１５の接触面積を少なくすることができ、押圧部材１５の汚れなどによる非処理面の汚染が防止できる。また、横流路１７Ａｄは、トンネル状に横流路１７ｄを形成するのに比較して製作が容易であるので、当接部材１７Ａを簡単に製造することが可能となる。また、排液槽４３を省略して回収槽３５で兼用することができるので、装置の小型化を図ることができる。
【００５７】
＜第２実施例＞
図５及び図６を参照して本実施例装置について説明する。
なお、図５は本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図であり、図６は排液槽を示す平面図である。また、本実施例装置において上述した第１実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００５８】
本実施例装置は、上述した第１実施例の排液槽４３に代えて平面視環状の排液槽５１を備えている。本発明のカップに相当する排液槽５１は、その底面の一部位に一個の排液口５３が形成されているとともに、中心を挟んでその反対側に、基準流体に相当する純水を排液槽５１に供給するための注水口５５が形成されている。排液口５３には、１個の導電率測定器５７が、測定部５７ａをその中に挿入された状態で排液槽５１に取り付けられている。
【００５９】
導電率測定器５７の出力は、導電率測定部５９に与えられている。この導電率測定部５９では、導電率測定器５７の出力に基づき純水の導電率が求められ、変位量や基準値との比較等に基づき警報部６１に警報出力の指示を与える。この警報部６１は、警報やランプを作動させてオペレータにメッキ液漏れを報知するためのものである。
【００６０】
なお、上述した排液槽５１と、導電率測定器５７と、導電率測定部５９とが本発明における検知手段に相当する。また、導電率測定器５７が導電率の測定手段に相当する。
【００６１】
注水口５５には、純水を排液槽５１内に供給して流れを生じさせる注水ノズル６３が立設されている。この注水ノズル６３は、吐出口６３ａが二箇所に対向して形成されており、それぞれが排水槽５１の側壁に沿うように取り付けられている。また、注水ノズル６３には、開閉弁６５を介して純水供給源６７が連通接続されている。図示省略しているが、注水ノズル６３からの純水の供給量は、純水を排液槽５１内に満たすための「大流量」や、流れを付与するための「小流量」の少なくとも二段階に調節可能となっている。
【００６２】
注水ノズル６３から純水を排液槽５１内に供給することにより、図６に示すように純水に対して排水口５３に向かう流れを付与することができる。したがって、注水ノズル６３が本発明における流動付与手段に相当する。
【００６３】
次に、このように構成された装置における動作について説明する。
なお、既に注水ノズル６３から純水が供給されて、排液槽５１内には所要レベルの純水が貯留された状態にあり、貯留されている純水に対して排水口５３に向かう流れが与えられているものとする。
【００６４】
まず、導電率測定部５９が導電率を測定し、これと基準導電率とを比較する。その結果、基準導電率以下であることを確認した場合には、次の処理に進む。この時点で基準導電率を上回った場合でも、警報部６１に対して警報を出力するように指示を与えるとともに、注水ノズル６３から純水を大流量で供給し、導電率が基準導電率以下になるまで測定を繰り返す。
【００６５】
基準導電率以下であった場合には、注水ノズル６３の流量を小流量にした後、基板Ｗをスピンベース１に搬入してメッキ処理を開始する。この間も導電率の測定が繰り返し行われる。
【００６６】
シール部材１３に漏れがない場合には、導電率がほぼ一定であるので、警報が発せられることなくメッキ処理が終了する。しかしながら、シール部材１３からメッキ液が漏れた場合には、第１流路３ｅから気体あるいは液体とともにメッキ液が排液槽５１に排出される。すると、導電率が急激に大きくなるので、導電率測定部５９がこれを検知し、警報部６１に対して警報を発するように指示を与える。その結果、警報を知ったオペレータが装置を停止させるか、図示しない制御部が処理を自動的に停止させることにより、継続的に基板が汚染されることが防止できる。
【００６７】
その後、シール部材１３の確認を行い、必要ならばその交換を行った後、一旦、排液槽５１内の純水を排出する。そして、新たに純水を供給する等の処理を行い、導電率が基準導電率以下であることを確認してから次なる基板に対する処理を再開する。
【００６８】
このようにメッキ液がマスク部材１３から漏れたことを知ることができるので、処理を停止すれば汚染が継続することを防止できる。また、メンテナンスの要否を確実に知ることが可能となる。また、排水槽５１の純水の導電率を測定することでメッキ液の漏れを容易に検知することができる。
【００６９】
さらに、導電率測定器５７から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、注水ノズル６３の流れにより導電率測定器５７の位置にまで素早く流されるので、回転しているマスク部材１３から排液槽５１内のどの位置に流体が入った場合であっても導電率の変動を検知することが遅れないようにすることができる。
【００７０】
また、図７に示すように、排水槽５７に複数個の導電率測定器５７を配設して、上記のような注水ノズル６３を省略するとともに、単に排液槽５７に純水を供給するためだけの給水口を別途配備すればよい。このように構成しても、排液槽５１内のどの位置に流体が入った場合でも導電率検知に遅れが生じないようにすることができる。
【００７１】
なお、本実施例では、排液槽５１に貯留する基準流体として純水を挙げたが、その他に利用可能な液体であればこれを代えてもよい。
【００７２】
また、メッキ液漏れの検知に導電率を用いているが、例えば、ｐＨ測定器とｐＨ測定部等を用いて漏れを検知するようにしてもよい。
【００７３】
また、本実施例では、弾性を有するシール部材１３がマスク部材３に取り付けられている構成を例に挙げて説明したが、このような弾性を有するシール部材１３に代えて硬質部材を備えた構成のものであっても本発明を適用できる。
【００７４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体が供給されているので、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことがない。したがって、マスク部材から漏れ出たメッキ液が基板を汚染することを防止できる。その結果、相互汚染が防止できる。また、第１流路と第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続することにより、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが可能となるので、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことを阻止できる。
【００７６】
また、請求項２に記載の発明によれば、気体を供給することで、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部を経て非処理面側に伝うことを阻止できる。
【００７７】
また、請求項３に記載の発明によれば、液体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給により乾燥させることが可能である。
【００７８】
また、請求項４に記載の発明によれば、縦流路と横流路を連通接続させることにより、処理中に回転されている押圧部材を介して基板の周縁部にまで流体を供給することが可能である。
【００７９】
また、請求項５に記載の発明によれば、漏れ出たメッキ液を第１流路から流体に乗せて外部に排出できる。
【００８０】
また、請求項６に記載の発明によれば、検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができる。検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができるので、処理を停止すれば汚染が継続することを防止できる。また、メンテナンスの要否を確実に知ることが可能となる。
【００８１】
また、請求項７に記載の発明によれば、カップの基準流体の導電率またはｐＨを測定することでメッキ液の漏れを容易に検知することができる。
【００８２】
また、請求項８に記載の発明によれば、測定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置にまで素早く流されるので、回転しているマスク部材からカップ内のどの位置に流体が入った場合であっても導電率またはｐＨの変位検知が遅れることを防止できる。
【００８３】
また、請求項９に記載の発明によれば、マスク部材と基板の周縁部との隙間に流体を流通させるので、漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込むのを防止でき、メッキ液が漏れ出た場合には警報を発するので、容易にメッキ液漏れを知ることができる。
【００８４】
また、請求項１０に記載の発明によれば、上記の請求項７と同等の効果を奏する。
【００８５】
また、請求項１１に記載の発明によれば、上記の請求項８と同等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図である。
【図２】マスク部材及び押圧部材の一部拡大図である。
【図３】メッキ処理中の状態を説明するための図である。
【図４】第１実施例の変形例を示す縦断面図である。
【図５】第２実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図である。
【図６】カップの平面図である。
【図７】変形例を示す図である。
【符号の説明】
Ｗ … 基板
３ … マスク部材
３ｅ … 第１流路
１１ … カソード電極
１３ … シール部材
１５ … 押圧部材
１７ … 当接部材
１７ｃ … 押圧部
１７ｄ … 横流路（第２流路）
１９ … 回転軸
１９ａ … 縦流路（第２流路）
３３ … メッキ槽
３５ … 回収槽
５１ … 排液槽（カップ）
５７ … 導電率測定器
６３ … 注水ノズル（流動付与手段）
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板など（以下、単に基板と称する）に対して電解メッキによるメッキ処理を施す基板メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板メッキ装置として、例えば、基板の処理面を下向きにし、処理面の周辺部をマスク部材でマスクし、非処理面を押圧部材で押圧した状態でメッキ液を貯留したチャンバに対して基板を下降させ、マスク部材に配備された電極に通電することにより処理面にメッキを施すように構成されたものが挙げられる。
【０００３】
このような構成の基板メッキ装置では、基板を押圧している押圧部材と、基板の処理面周辺をマスクしているマスク部材とをチャンバに対して回転させながら、基板の処理面に対してメッキ処理を施すようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、マスク部材の内周側には、基板の処理面に当接してメッキ液が処理面周辺部に浸入することを防止する、基板の処理面側に突起したシール部分と、このシール部分よりも外側で処理面に当接して通電するための電極とがある。しかしながら、シール部分で漏れが生じると、メッキ液がマスク部材の電極側に浸入して拡がり、基板の周縁部を伝って非処理面側にまで回り込んで、基板を汚染するという問題がある。このような状態になると、一般的にシール部分の形状が凹凸を含む複雑な形状であることもあって、人手によらなければ漏れ拡がったメッキ液を除去することができないという問題がある。
【０００５】
上記のようにマスク部材に漏れたメッキ液を放置しておくと、マスク部分にメッキ液が溜まり、処理するために順次に基板メッキ装置に搬送されてくる基板の周縁部及び非処理面が次々と汚染されてしまうといった相互汚染を生じることになる。
【０００６】
なお、メッキ液がマスク部材側に漏れ出たか否かが判らないので、メッキ処理を終えた基板については、念のために非処理面の周縁部を洗浄するエッジ洗浄処理を行うのが一般的である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、マスク部材側に漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込まないように積極的に流体を供給することにより、マスク部材側に漏れ出たメッキ液による基板の汚染を防止することができる基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明のもう一つの目的は、流体が排出されるカップ内における基準流体の導電率を監視することにより、マスク部材側にメッキ液が漏れ出たこと知ることが可能な基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項２に記載の基板メッキ装置は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記第２流路に連通接続された気体供給源と、前記気体供給源からの供給と遮断とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の処理中に、前記流体として気体を供給することを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項３に記載の基板メッキ装置は、請求項２に記載の基板メッキ装置において、基板の処理中に、前記流体として液体を供給した後、前記流体として気体を供給することを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項４に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第２流路は、押圧部材の回転軸に形成された縦流路と、押圧部材の円板状を呈する当接部材の中央部から周縁部に向けて平面視放射状に複数本形成され、前記縦流路に連通した横流路とを備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項５に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第１流路は、電極付近と外部とを連通するように形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項６に記載の基板メッキ装置は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項７に記載の基板メッキ装置は、請求項６に記載の基板メッキ装置において、前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項８に記載の基板メッキ装置は、請求項７に記載の基板メッキ装置において、前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項９に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、かつ、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給し、前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備え、前記検出手段がメッキ液の混入を検知した場合に警報を発することを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項１０に記載の基板メッキ装置は、請求項９に記載の基板メッキ装置において、前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項１１に記載の基板メッキ装置は、請求項１０に記載の基板メッキ装置において、前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、マスク部材から基板の周縁部側にメッキ液が漏れ出たとしても、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体が供給されているので、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことがない。また、マスク部材に形成された第１流路と、押圧部材に形成された第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続することにより、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが可能となる。
【００２３】
また、請求項２に記載の発明によれば、気体を供給することで、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を経て非処理面側に伝うことがない。
【００２４】
また、請求項３に記載の発明によれば、液体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給によって乾燥させる。
【００２５】
また、請求項４に記載の発明によれば、押圧部材の回転軸に縦流路を形成し、押圧部材の円板状の部分に横流路を形成し、これらを連通接続させることで、処理中には回転されている押圧部材を介して基板の周縁部にまで流体を供給することができる。
【００２６】
また、請求項５に記載の発明によれば、マスク部材の第１流路を、電極付近と外部とを連通するように形成すると、漏れ出たメッキ液を流体に乗せて外部に排出できる。
【００２７】
また、請求項６に記載の発明によれば、検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができる。
【００２８】
また、請求項７に記載の発明によれば、カップの基準流体に、漏れ出たメッキ液が流体とともに混入すると導電率またはｐＨが変位するので、これを測定手段で測定することでメッキ液の漏れを検知できる。
【００２９】
また、請求項８に記載の発明によれば、測定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置にまで素早く流される。
【００３０】
また、請求項９に記載の発明によれば、マスク部材と基板の周縁部との隙間を、基板の非処理面側から処理面側に向かって流体が流通するので、漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込まない。さらに、メッキ液が漏れ出た場合には、検知手段により検知して警報を発する。
【００３１】
また、請求項１０に記載の発明によれば、上述した請求項７と同等の作用を生じる。
【００３２】
また、請求項１１に記載の発明によれば、上述した請求項８と同等の作用を生じる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１は、本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、マスク部材及び押圧部材の一部拡大図である。
【００３４】
基板Ｗは、図示しないシード層が形成された処理面Ｗｓを下方に向けてスピンベース１によって水平姿勢となるように保持されている。このスピンベース１は、平面視環状を呈するマスク部材３と、このマスク部材３の上部に連結された３本（図示の関係上２本だけを示す）の支柱５と、これら３本の支柱５が連結された中空の回転軸７とを備えている。
【００３５】
回転軸７は、図１に示すような高さの待機位置と、この待機位置よりも下方に位置する処理位置とにわたって図示しない昇降機構により昇降駆動される。また、図示しない回転駆動機構によって鉛直軸回りに回転駆動される。
【００３６】
マスク部材３は、内周側上部に、下向きに傾斜した当接面３ａと、内周面に開口したスリット状の電極取り付け穴３ｂと、この電極取り付け穴３ｂよりも内周側の位置で中心に向かって突出した内周凸部３ｃと、この内周凸部３ｃの上面に形成された凹部３ｄと、この凹部３ｄとマスク部材３の外周面とに連通した複数本の第１流路３ｅとを備えている。また、電極取り付け穴３ｂの中心部側（開口側）は、外周側よりも開口面積が大きく形成されている。
【００３７】
マスク部材３の電極取り付け穴３ｂには、処理面Ｗｓ側に形成されているシード層に当接して負電圧を印加するためのカソード電極１１が取り付けられている。このカソード電極１１は、シード層に確実に当接するように、内周側が僅かに上方に向けて傾斜するように成形されているとともに、内周側が櫛形に形成されている。なお、上述したように電極取り付け穴３ｂの内周側は奥側よりも開口面積が大きくされているので、カソード電極１１を取り付けると内周側が上方に傾斜し、基板Ｗのシード層に確実に当接するようになっている。
【００３８】
マスク部材３の凹部３ｄには弾性を有するシール部材１３が装着されている。このシール部材１３は、メッキ液が基板Ｗの周縁部に達することを防止するものであり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに当接するように平面視環状に形成されている。
【００３９】
スピンベース１の内部には、基板Ｗの非処理面にあたる裏面周辺部を押圧する押圧部材１５が配備されている。この押圧部材１５は、回転軸７に沿って昇降可能および回転自在に構成されており、スピンベース１内に搬入された基板Ｗをマスク部材３に対して押圧して基板Ｗを挟持する。
【００４０】
押圧部材１５は、円板状の当接部材１７と、この回転中心部に立設された回転軸１９とを備えている。回転軸１９には、縦流路１９ａが形成されている。また、当接部材１７は、その外周面上部が外方に突出した鍔部１７ａを備えるとともに、この鍔部１７ａの外周面は下方に向けられて当接面１７ｂが形成されている。当接部材１７の下面周辺部には、下方に突出した環状の押圧部１７ｃが形成されている。また、当接部材１７には、押圧部１７ｃの外周面に開口し、回転軸１９の直下まで連通した複数本の横流路１７ｄが放射状に形成されている。これらの複数本の横流路１７ｄは、縦流路１９ａに連通接続されている。
【００４１】
なお、上記の横流路１７ｄと縦流路１９ａが本発明における第２流路に相当するものである。
【００４２】
押圧部材１５は、図示しない回転機構によって、上述したスピンベース１と同様に鉛直軸回りに回転可能に構成されているとともに、図示しない昇降機構によってスピンベース１に対して昇降するようになっている。
【００４３】
押圧部材１５の縦流路１９には、開閉弁２１と、三方弁２３と、開閉弁２５，２７とを介して気体供給源２９と液体供給源３１とが連通接続されている。気体供給源２９は、例えば、窒素やドライエアーを供給するものであり、液体供給源３１は、例えば、純水を供給するものである。これらの供給・遮断は、図示しない制御部によって制御される。
【００４４】
スピンベース１の下方には、基板Ｗの直径よりもやや小径のメッキ槽３３が備えられ、このメッキ槽３３を囲うように回収槽３５が配備されている。メッキ槽３３の底面には開口部３３ａが形成されており、その周囲には正電圧を印加するためのアノード電極３７が配設されている。このアノード電極３７は、例えば、外観形状が環状になっている。回収槽３５からメッキ槽３３の開口部３３ａには配管３９が連通接続されており、配管３９に取り付けられたポンプ４１によって回収槽３５のメッキ液Ｌがメッキ槽３３の上方に向けて供給されるようになっている。
【００４５】
回収槽３５のさらに外側には、メッキ槽３３と回収槽３５よりも周縁部が高い排液槽４３が配備されている。この排液槽４３は、排気によって液体を排出する排液ラインに接続されている。
【００４６】
次に、図３を参照しながら、上述したように構成された基板メッキ装置について動作説明を行う。なお、この図３は、メッキ処理中の状態を説明するための図である。
【００４７】
まず、図２に示す待機位置にスピンベース１が位置している状態で、図示しない基板搬送機構がスピンベース１内に基板Ｗを搬入する。このとき、基板Ｗは、その処理面Ｗｓが下向きの姿勢である。スピンベース１内に基板Ｗが搬入されると、基板Ｗをマスク部材３に向けて下降させ、基板Ｗをカソード電極１１及びシール部材１３の上に載置する。
【００４８】
次に、押圧部材１５を基板Ｗの非処理面に向けて下降させ、当接部材１７の押圧部１７ｃが基板Ｗの非処理面に当接するまで下降させるとともに、一定圧力で基板Ｗを押圧するように付勢する。
【００４９】
さらに、開閉弁２１，２５を開放して気体供給源２９から気体（例えば、窒素）の供給を開始する。このようにして供給された気体ｇは、図３中に点線矢印で示すように、当接部材１７の横流路１７ｄを通り、基板Ｗの非処理面を伝って周縁部に達する。基板Ｗの周縁部は、当接部材１７の鍔部１７ａに形成された当接面１７ｂと、マスク部材３の当接面３ａとが当接して密着して形成された気密室４５内に位置しているが、基板Ｗの周縁部とマスク部材３の内周面とは僅かな隙間があるので、この隙間と、電極１１と、凹部３ｄとを経て、マスク部材３の第１流路３ｅを通って排液槽４３に排出される。
【００５０】
そして、スピンベース１を回転させつつ基板Ｗごと処理位置にまで下降させるとともに、ポンプ４１を作動させてメッキ槽３３のメッキ液Ｌを循環させる。さらに、カソード電極１１とアノード電極３７とに所定時間通電してメッキ処理を行う。このときメッキ液Ｌは、メッキ槽３３から溢れて回収槽３５に回収される。
【００５１】
本実施例のように構成された基板メッキ装置では、上記のようなメッキ処理中にメッキ液Ｌが処理面Ｗｓを伝ってシール部材１３より基板Ｗの周縁側に浸入しようとしても、図３中に点線矢印で示す気体ｇの流れによるセルフクリーニングにより、メッキ液Ｌが第１流路３ｅから排出される。したがって、メッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部を伝って非処理面側にまで浸入することが阻止され、マスク部材１３から漏れ出たメッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部及び非処理面を汚染することを防止できる。その結果、順次に搬入される基板Ｗ間で起きる相互汚染を防止できる。
【００５２】
上記のようにして気体ｇに乗せられて排出されたメッキ液Ｌは、ミストとなって排液槽４３に排出される。
【００５３】
また、上記の説明では、気体ｇだけを使って汚染防止を図ったが、開閉弁２１，２７を開放して液体供給源３１より液体を供給した後、開閉弁２７を閉止するとともに開閉弁２５を開放して気体ｇを流通させるようにしてもよい。これにより液体によりメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給により乾燥させることが可能であり、上述した効果と同等の効果を得ることができる。
【００５４】
なお、上記のように構成した基板メッキ装置を図４に示すように構成してもよい。
【００５５】
すなわち、上述した押圧部材１５のように当接部材１７内にトンネル状の横流路１７ｄを形成するのに代えて、当接部材１７Ａの下面を横流路１７Ａｄとして利用する。そして、当接部材１７の下面周辺に形成してあるリング状の押圧部１７ｃに代えて、櫛状に一部開口した押圧部流路１７Ａｅを形成して、これを押圧部１７Ａｃとする。また、マスク部材３Ａの下面に開口して外部に連通した第１流路３Ａｅを形成する。
【００５６】
このように構成することにより、基板Ｗの非処理面に対する押圧部材１５の接触面積を少なくすることができ、押圧部材１５の汚れなどによる非処理面の汚染が防止できる。また、横流路１７Ａｄは、トンネル状に横流路１７ｄを形成するのに比較して製作が容易であるので、当接部材１７Ａを簡単に製造することが可能となる。また、排液槽４３を省略して回収槽３５で兼用することができるので、装置の小型化を図ることができる。
【００５７】
＜第２実施例＞
図５及び図６を参照して本実施例装置について説明する。
なお、図５は本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図であり、図６は排液槽を示す平面図である。また、本実施例装置において上述した第１実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００５８】
本実施例装置は、上述した第１実施例の排液槽４３に代えて平面視環状の排液槽５１を備えている。本発明のカップに相当する排液槽５１は、その底面の一部位に一個の排液口５３が形成されているとともに、中心を挟んでその反対側に、基準流体に相当する純水を排液槽５１に供給するための注水口５５が形成されている。排液口５３には、１個の導電率測定器５７が、測定部５７ａをその中に挿入された状態で排液槽５１に取り付けられている。
【００５９】
導電率測定器５７の出力は、導電率測定部５９に与えられている。この導電率測定部５９では、導電率測定器５７の出力に基づき純水の導電率が求められ、変位量や基準値との比較等に基づき警報部６１に警報出力の指示を与える。この警報部６１は、警報やランプを作動させてオペレータにメッキ液漏れを報知するためのものである。
【００６０】
なお、上述した排液槽５１と、導電率測定器５７と、導電率測定部５９とが本発明における検知手段に相当する。また、導電率測定器５７が導電率の測定手段に相当する。
【００６１】
注水口５５には、純水を排液槽５１内に供給して流れを生じさせる注水ノズル６３が立設されている。この注水ノズル６３は、吐出口６３ａが二箇所に対向して形成されており、それぞれが排水槽５１の側壁に沿うように取り付けられている。また、注水ノズル６３には、開閉弁６５を介して純水供給源６７が連通接続されている。図示省略しているが、注水ノズル６３からの純水の供給量は、純水を排液槽５１内に満たすための「大流量」や、流れを付与するための「小流量」の少なくとも二段階に調節可能となっている。
【００６２】
注水ノズル６３から純水を排液槽５１内に供給することにより、図６に示すように純水に対して排水口５３に向かう流れを付与することができる。したがって、注水ノズル６３が本発明における流動付与手段に相当する。
【００６３】
次に、このように構成された装置における動作について説明する。
なお、既に注水ノズル６３から純水が供給されて、排液槽５１内には所要レベルの純水が貯留された状態にあり、貯留されている純水に対して排水口５３に向かう流れが与えられているものとする。
【００６４】
まず、導電率測定部５９が導電率を測定し、これと基準導電率とを比較する。その結果、基準導電率以下であることを確認した場合には、次の処理に進む。この時点で基準導電率を上回った場合でも、警報部６１に対して警報を出力するように指示を与えるとともに、注水ノズル６３から純水を大流量で供給し、導電率が基準導電率以下になるまで測定を繰り返す。
【００６５】
基準導電率以下であった場合には、注水ノズル６３の流量を小流量にした後、基板Ｗをスピンベース１に搬入してメッキ処理を開始する。この間も導電率の測定が繰り返し行われる。
【００６６】
シール部材１３に漏れがない場合には、導電率がほぼ一定であるので、警報が発せられることなくメッキ処理が終了する。しかしながら、シール部材１３からメッキ液が漏れた場合には、第１流路３ｅから気体あるいは液体とともにメッキ液が排液槽５１に排出される。すると、導電率が急激に大きくなるので、導電率測定部５９がこれを検知し、警報部６１に対して警報を発するように指示を与える。その結果、警報を知ったオペレータが装置を停止させるか、図示しない制御部が処理を自動的に停止させることにより、継続的に基板が汚染されることが防止できる。
【００６７】
その後、シール部材１３の確認を行い、必要ならばその交換を行った後、一旦、排液槽５１内の純水を排出する。そして、新たに純水を供給する等の処理を行い、導電率が基準導電率以下であることを確認してから次なる基板に対する処理を再開する。
【００６８】
このようにメッキ液がマスク部材１３から漏れたことを知ることができるので、処理を停止すれば汚染が継続することを防止できる。また、メンテナンスの要否を確実に知ることが可能となる。また、排水槽５１の純水の導電率を測定することでメッキ液の漏れを容易に検知することができる。
【００６９】
さらに、導電率測定器５７から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、注水ノズル６３の流れにより導電率測定器５７の位置にまで素早く流されるので、回転しているマスク部材１３から排液槽５１内のどの位置に流体が入った場合であっても導電率の変動を検知することが遅れないようにすることができる。
【００７０】
また、図７に示すように、排水槽５７に複数個の導電率測定器５７を配設して、上記のような注水ノズル６３を省略するとともに、単に排液槽５７に純水を供給するためだけの給水口を別途配備すればよい。このように構成しても、排液槽５１内のどの位置に流体が入った場合でも導電率検知に遅れが生じないようにすることができる。
【００７１】
なお、本実施例では、排液槽５１に貯留する基準流体として純水を挙げたが、その他に利用可能な液体であればこれを代えてもよい。
【００７２】
また、メッキ液漏れの検知に導電率を用いているが、例えば、ｐＨ測定器とｐＨ測定部等を用いて漏れを検知するようにしてもよい。
【００７３】
また、本実施例では、弾性を有するシール部材１３がマスク部材３に取り付けられている構成を例に挙げて説明したが、このような弾性を有するシール部材１３に代えて硬質部材を備えた構成のものであっても本発明を適用できる。
【００７４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体が供給されているので、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことがない。したがって、マスク部材から漏れ出たメッキ液が基板を汚染することを防止できる。その結果、相互汚染が防止できる。また、第１流路と第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続することにより、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが可能となるので、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部を伝って非処理面側に向かうことを阻止できる。
【００７６】
また、請求項２に記載の発明によれば、気体を供給することで、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部を経て非処理面側に伝うことを阻止できる。
【００７７】
また、請求項３に記載の発明によれば、液体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の気体供給により乾燥させることが可能である。
【００７８】
また、請求項４に記載の発明によれば、縦流路と横流路を連通接続させることにより、処理中に回転されている押圧部材を介して基板の周縁部にまで流体を供給することが可能である。
【００７９】
また、請求項５に記載の発明によれば、漏れ出たメッキ液を第１流路から流体に乗せて外部に排出できる。
【００８０】
また、請求項６に記載の発明によれば、検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができる。検知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知ることができるので、処理を停止すれば汚染が継続することを防止できる。また、メンテナンスの要否を確実に知ることが可能となる。
【００８１】
また、請求項７に記載の発明によれば、カップの基準流体の導電率またはｐＨを測定することでメッキ液の漏れを容易に検知することができる。
【００８２】
また、請求項８に記載の発明によれば、測定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置にまで素早く流されるので、回転しているマスク部材からカップ内のどの位置に流体が入った場合であっても導電率またはｐＨの変位検知が遅れることを防止できる。
【００８３】
また、請求項９に記載の発明によれば、マスク部材と基板の周縁部との隙間に流体を流通させるので、漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込むのを防止でき、メッキ液が漏れ出た場合には警報を発するので、容易にメッキ液漏れを知ることができる。
【００８４】
また、請求項１０に記載の発明によれば、上記の請求項７と同等の効果を奏する。
【００８５】
また、請求項１１に記載の発明によれば、上記の請求項８と同等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図である。
【図２】マスク部材及び押圧部材の一部拡大図である。
【図３】メッキ処理中の状態を説明するための図である。
【図４】第１実施例の変形例を示す縦断面図である。
【図５】第２実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図である。
【図６】カップの平面図である。
【図７】変形例を示す図である。
【符号の説明】
Ｗ … 基板
３ … マスク部材
３ｅ … 第１流路
１１ … カソード電極
１３ … シール部材
１５ … 押圧部材
１７ … 当接部材
１７ｃ … 押圧部
１７ｄ … 横流路（第２流路）
１９ … 回転軸
１９ａ … 縦流路（第２流路）
３３ … メッキ槽
３５ … 回収槽
５１ … 排液槽（カップ）
５７ … 導電率測定器
６３ … 注水ノズル（流動付与手段）
Claims (11)
- 基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、
前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、
基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給するようにしたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記第２流路に連通接続された気体供給源と、前記気体供給源からの供給と遮断とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、基板の処理中に、前記流体として気体を供給することを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項２に記載の基板メッキ装置において、
前記第２流路に連通接続された液体供給源を備え、
前記制御部は、基板の処理中に、前記流体として液体を供給した後、前記流体として気体を供給することを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記第２流路は、押圧部材の回転軸に形成された縦流路と、押圧部材の円板状を呈する当接部材の中央部から周縁部に向けて平面視放射状に複数本形成され、前記縦流路に連通した横流路とを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記第１流路は、電極付近と外部とを連通するように形成されていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備えていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項６に記載の基板メッキ装置において、
前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項７に記載の基板メッキ装置において、
前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、
前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介して連通接続し、かつ、基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給し、
前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検知する検知手段を備え、
前記検出手段がメッキ液の混入を検知した場合に警報を発することを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項９に記載の基板メッキ装置において、
前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定する測定手段とを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項１０に記載の基板メッキ装置において、
前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
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