JP2002220693A - 基板メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスク部材側に漏れ出たメッキ液による基板
の汚染を防止することができる基板メッキ装置を提供す
る。 【解決手段】 基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部をマス
ク部材３でマスクし、基板Ｗの非処理面を押圧部材１５
で押圧したまま、マスク部材３に配設された電極１１を
介して通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ
装置において、基板Ｗの非処理面側から周縁部を経て処
理面Ｗｓ側に向けて気体ｇを供給する。これにより漏れ
出たメッキ液が基板の周縁部を伝って非処理面側に向か
うのを阻止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して電解メッキによるメッキ処理を施す基板メ
ッキ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板メッキ装置として、
例えば、基板の処理面を下向きにし、処理面の周辺部を
マスク部材でマスクし、非処理面を押圧部材で押圧した
状態でメッキ液を貯留したチャンバに対して基板を下降
させ、マスク部材に配備された電極に通電することによ
り処理面にメッキを施すように構成されたものが挙げら
れる。

【０００３】このような構成の基板メッキ装置では、基
板を押圧している押圧部材と、基板の処理面周辺をマス
クしているマスク部材とをチャンバに対して回転させな
がら、基板の処理面に対してメッキ処理を施すようにな
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、マスク部材の内周側には、基板の処理
面に当接してメッキ液が処理面周辺部に浸入することを
防止する、基板の処理面側に突起したシール部分と、こ
のシール部分よりも外側で処理面に当接して通電するた
めの電極とがある。しかしながら、シール部分で漏れが
生じると、メッキ液がマスク部材の電極側に浸入して拡
がり、基板の周縁部を伝って非処理面側にまで回り込ん
で、基板を汚染するという問題がある。このような状態
になると、一般的にシール部分の形状が凹凸を含む複雑
な形状であることもあって、人手によらなければ漏れ拡
がったメッキ液を除去することができないという問題が
ある。

【０００５】上記のようにマスク部材に漏れたメッキ液
を放置しておくと、マスク部分にメッキ液が溜まり、処
理するために順次に基板メッキ装置に搬送されてくる基
板の周縁部及び非処理面が次々と汚染されてしまうとい
った相互汚染を生じることになる。

【０００６】なお、メッキ液がマスク部材側に漏れ出た
か否かが判らないので、メッキ処理を終えた基板につい
ては、念のために非処理面の周縁部を洗浄するエッジ洗
浄処理を行うのが一般的である。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、マスク部材側に漏れ出たメッキ液が基
板の非処理面側に回り込まないように積極的に流体を供
給することにより、マスク部材側に漏れ出たメッキ液に
よる基板の汚染を防止することができる基板メッキ装置
を提供することを目的とする。

【０００８】また、本発明のもう一つの目的は、流体が
排出されるカップ内における基準流体の導電率を監視す
ることにより、マスク部材側にメッキ液が漏れ出たこと
知ることが可能な基板メッキ装置を提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面
のうち周辺部をマスク部材でマスクし、基板の非処理面
を押圧部材で押圧したまま、前記マスク部材に配設され
た電極を介して基板の処理面に通電することによりメッ
キ処理を施す基板メッキ装置において、基板の非処理面
側から周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給するよ
うにしたことを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２に記載の基板メッキ装置
は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記マ
スク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部材に第
２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記第２流
路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間を介し
て連通接続したことを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項３に記載の基板メッキ装置
は、請求項１または２に記載の基板メッキ装置におい
て、基板の処理中に、前記流体として気体を供給するこ
とを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項４に記載の基板メッキ装置
は、請求項１または２に記載の基板メッキ装置におい
て、基板の処理中に、前記流体として液体を供給した
後、前記流体として気体を供給することを特徴とするも
のである。

【００１３】また、請求項５に記載の基板メッキ装置
は、請求項２ないし４のいずれかに記載の基板メッキ装
置において、前記第２流路は、押圧部材の回転軸に形成
された縦流路と、押圧部材の円板状を呈する当接部材の
中央部から周縁部に向けて平面視放射状に複数本形成さ
れ、前記縦流路に連通した横流路とを備えていることを
特徴とするものである。

【００１４】また、請求項６に記載の基板メッキ装置
は、請求項２ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装
置において、前記第１流路は、電極付近と外部とを連通
するように形成されていることを特徴とするものであ
る。

【００１５】また、請求項７に記載の基板メッキ装置
は、請求項２ないし６のいずれかに記載の基板メッキ装
置において、前記第１流路から排出された流体にメッキ
液が混入したことを検知する検知手段を備えていること
を特徴とするものである。

【００１６】また、請求項８に記載の基板メッキ装置
は、請求項７に記載の基板メッキ装置において、前記検
知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出さ
れた流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ内
の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定す
る測定手段とを備えていることを特徴とするものであ
る。

【００１７】また、請求項９に記載の基板メッキ装置
は、請求項８に記載の基板メッキ装置において、前記カ
ップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流れ
を付与する流動付与手段を備えていることを特徴とする
ものである。

【００１８】また、請求項１０に記載の基板メッキ装置
は、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスク
し、基板の非処理面を押圧部材で押圧したまま、前記マ
スク部材に配設された電極を介して基板の処理面に通電
することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置におい
て、前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押
圧部材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と
前記第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との
隙間を介して連通接続し、かつ、基板の非処理面側から
周縁部を経て処理面側に向けて流体を供給し、前記第１
流路から排出された流体にメッキ液が混入したことを検
知する検知手段を備え、前記検出手段がメッキ液の混入
を検知した場合に警報を発することを特徴とするもので
ある。

【００１９】また、請求項１１に記載の基板メッキ装置
は、請求項１０に記載の基板メッキ装置において、前記
検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から排出
された流体を受ける平面視環状のカップと、このカップ
内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを測定
する測定手段とを備えていることを特徴とするものであ
る。

【００２０】また、請求項１２に記載の基板メッキ装置
は、請求項１１に記載の基板メッキ装置において、前記
カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向かう流
れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴とす
るものである。

【００２１】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、マスク部材か
ら基板の周縁部側にメッキ液が漏れ出たとしても、基板
の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流体が
供給されているので、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部
を伝って非処理面側に向かうことがない。

【００２２】また、請求項２に記載の発明によれば、マ
スク部材に形成された第１流路と、押圧部材に形成され
た第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との隙間を
介して連通接続することにより、基板の非処理面側から
周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが可能と
なる。

【００２３】また、請求項３に記載の発明によれば、気
体を供給することで、漏れ出たメッキ液は基板の周縁部
を経て非処理面側に伝うことがない。

【００２４】また、請求項４に記載の発明によれば、液
体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これ
によって濡れた部分を、その後の気体供給によって乾燥
させる。

【００２５】また、請求項５に記載の発明によれば、押
圧部材の回転軸に縦流路を形成し、押圧部材の円板状の
部分に横流路を形成し、これらを連通接続させること
で、処理中には回転されている押圧部材を介して基板の
周縁部にまで流体を供給することができる。

【００２６】また、請求項６に記載の発明によれば、マ
スク部材の第１流路を、電極付近と外部とを連通するよ
うに形成すると、漏れ出たメッキ液を流体に乗せて外部
に排出できる。

【００２７】また、請求項７に記載の発明によれば、検
知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知
ることができる。

【００２８】また、請求項８に記載の発明によれば、カ
ップの基準流体に、漏れ出たメッキ液が流体とともに混
入すると導電率またはｐＨが変位するので、これを測定
手段で測定することでメッキ液の漏れを検知できる。

【００２９】また、請求項９に記載の発明によれば、測
定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入っ
た場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置
にまで素早く流される。

【００３０】また、請求項１０に記載の発明によれば、
マスク部材と基板の周縁部との隙間を、基板の非処理面
側から処理面側に向かって流体が流通するので、漏れ出
たメッキ液が基板の非処理面側に回り込まない。さら
に、メッキ液が漏れ出た場合には、検知手段により検知
して警報を発する。

【００３１】また、請求項１１に記載の発明によれば、
上述した請求項８と同等の作用を生じる。

【００３２】また、請求項１２に記載の発明によれば、
上述した請求項９と同等の作用を生じる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、本実施例に係る基板メッキ装置
の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、マスク部材
及び押圧部材の一部拡大図である。

【００３４】基板Ｗは、図示しないシード層が形成され
た処理面Ｗｓを下方に向けてスピンベース１によって水
平姿勢となるように保持されている。このスピンベース
１は、平面視環状を呈するマスク部材３と、このマスク
部材３の上部に連結された３本（図示の関係上２本だけ
を示す）の支柱５と、これら３本の支柱５が連結された
中空の回転軸７とを備えている。

【００３５】回転軸７は、図１に示すような高さの待機
位置と、この待機位置よりも下方に位置する処理位置と
にわたって図示しない昇降機構により昇降駆動される。
また、図示しない回転駆動機構によって鉛直軸回りに回
転駆動される。

【００３６】マスク部材３は、内周側上部に、下向きに
傾斜した当接面３ａと、内周面に開口したスリット状の
電極取り付け穴３ｂと、この電極取り付け穴３ｂよりも
内周側の位置で中心に向かって突出した内周凸部３ｃ
と、この内周凸部３ｃの上面に形成された凹部３ｄと、
この凹部３ｄとマスク部材３の外周面とに連通した複数
本の第１流路３ｅとを備えている。また、電極取り付け
穴３ｂの中心部側（開口側）は、外周側よりも開口面積
が大きく形成されている。

【００３７】マスク部材３の電極取り付け穴３ｂには、
処理面Ｗｓ側に形成されているシード層に当接して負電
圧を印加するためのカソード電極１１が取り付けられて
いる。このカソード電極１１は、シード層に確実に当接
するように、内周側が僅かに上方に向けて傾斜するよう
に成形されているとともに、内周側が櫛形に形成されて
いる。なお、上述したように電極取り付け穴３ｂの内周
側は奥側よりも開口面積が大きくされているので、カソ
ード電極１１を取り付けると内周側が上方に傾斜し、基
板Ｗのシード層に確実に当接するようになっている。

【００３８】マスク部材３の凹部３ｄには弾性を有する
シール部材１３が装着されている。このシール部材１３
は、メッキ液が基板Ｗの周縁部に達することを防止する
ものであり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに当
接するように平面視環状に形成されている。

【００３９】スピンベース１の内部には、基板Ｗの非処
理面にあたる裏面周辺部を押圧する押圧部材１５が配備
されている。この押圧部材１５は、回転軸７に沿って昇
降可能および回転自在に構成されており、スピンベース
１内に搬入された基板Ｗをマスク部材３に対して押圧し
て基板Ｗを挟持する。

【００４０】押圧部材１５は、円板状の当接部材１７
と、この回転中心部に立設された回転軸１９とを備えて
いる。回転軸１９には、縦流路１９ａが形成されてい
る。また、当接部材１７は、その外周面上部が外方に突
出した鍔部１７ａを備えるとともに、この鍔部１７ａの
外周面は下方に向けられて当接面１７ｂが形成されてい
る。当接部材１７の下面周辺部には、下方に突出した環
状の押圧部１７ｃが形成されている。また、当接部材１
７には、押圧部１７ｃの外周面に開口し、回転軸１９の
直下まで連通した複数本の横流路１７ｄが放射状に形成
されている。これらの複数本の横流路１７ｄは、縦流路
１９ａに連通接続されている。

【００４１】なお、上記の横流路１７ｄと縦流路１９ａ
が本発明における第２流路に相当するものである。

【００４２】押圧部材１５は、図示しない回転機構によ
って、上述したスピンベース１と同様に鉛直軸回りに回
転可能に構成されているとともに、図示しない昇降機構
によってスピンベース１に対して昇降するようになって
いる。

【００４３】押圧部材１５の縦流路１９には、開閉弁２
１と、三方弁２３と、開閉弁２５，２７とを介して気体
供給源２９と液体供給源３１とが連通接続されている。
気体供給源２９は、例えば、窒素やドライエアーを供給
するものであり、液体供給源３１は、例えば、純水を供
給するものである。これらの供給・遮断は、図示しない
制御部によって制御される。

【００４４】スピンベース１の下方には、基板Ｗの直径
よりもやや小径のメッキ槽３３が備えられ、このメッキ
槽３３を囲うように回収槽３５が配備されている。メッ
キ槽３３の底面には開口部３３ａが形成されており、そ
の周囲には正電圧を印加するためのアノード電極３７が
配設されている。このアノード電極３７は、例えば、外
観形状が環状になっている。回収槽３５からメッキ槽３
３の開口部３３ａには配管３９が連通接続されており、
配管３９に取り付けられたポンプ４１によって回収槽３
５のメッキ液Ｌがメッキ槽３３の上方に向けて供給され
るようになっている。

【００４５】回収槽３５のさらに外側には、メッキ槽３
３と回収槽３５よりも周縁部が高い排液槽４３が配備さ
れている。この排液槽４３は、排気によって液体を排出
する排液ラインに接続されている。

【００４６】次に、図３を参照しながら、上述したよう
に構成された基板メッキ装置について動作説明を行う。
なお、この図３は、メッキ処理中の状態を説明するため
の図である。

【００４７】まず、図２に示す待機位置にスピンベース
１が位置している状態で、図示しない基板搬送機構がス
ピンベース１内に基板Ｗを搬入する。このとき、基板Ｗ
は、その処理面Ｗｓが下向きの姿勢である。スピンベー
ス１内に基板Ｗが搬入されると、基板Ｗをマスク部材３
に向けて下降させ、基板Ｗをカソード電極１１及びシー
ル部材１３の上に載置する。

【００４８】次に、押圧部材１５を基板Ｗの非処理面に
向けて下降させ、当接部材１７の押圧部１７ｃが基板Ｗ
の非処理面に当接するまで下降させるとともに、一定圧
力で基板Ｗを押圧するように付勢する。

【００４９】さらに、開閉弁２１，２５を開放して気体
供給源２９から気体（例えば、窒素）の供給を開始す
る。このようにして供給された気体ｇは、図３中に点線
矢印で示すように、当接部材１７の横流路１７ｄを通
り、基板Ｗの非処理面を伝って周縁部に達する。基板Ｗ
の周縁部は、当接部材１７の鍔部１７ａに形成された当
接面１７ｂと、マスク部材３の当接面３ａとが当接して
密着して形成された気密室４５内に位置しているが、基
板Ｗの周縁部とマスク部材３の内周面とは僅かな隙間が
あるので、この隙間と、電極１１と、凹部３ｄとを経
て、マスク部材３の第１流路３ｅを通って排液槽４３に
排出される。

【００５０】そして、スピンベース１を回転させつつ基
板Ｗごと処理位置にまで下降させるとともに、ポンプ４
１を作動させてメッキ槽３３のメッキ液Ｌを循環させ
る。さらに、カソード電極１１とアノード電極３７とに
所定時間通電してメッキ処理を行う。このときメッキ液
Ｌは、メッキ槽３３から溢れて回収槽３５に回収され
る。

【００５１】本実施例のように構成された基板メッキ装
置では、上記のようなメッキ処理中にメッキ液Ｌが処理
面Ｗｓを伝ってシール部材１３より基板Ｗの周縁側に浸
入しようとしても、図３中に点線矢印で示す気体ｇの流
れによるセルフクリーニングにより、メッキ液Ｌが第１
流路３ｅから排出される。したがって、メッキ液Ｌが基
板Ｗの周縁部を伝って非処理面側にまで浸入することが
阻止され、マスク部材１３から漏れ出たメッキ液Ｌが基
板Ｗの周縁部及び非処理面を汚染することを防止でき
る。その結果、順次に搬入される基板Ｗ間で起きる相互
汚染を防止できる。

【００５２】上記のようにして気体ｇに乗せられて排出
されたメッキ液Ｌは、ミストとなって排液槽４３に排出
される。

【００５３】また、上記の説明では、気体ｇだけを使っ
て汚染防止を図ったが、開閉弁２１，２７を開放して液
体供給源３１より液体を供給した後、開閉弁２７を閉止
するとともに開閉弁２５を開放して気体ｇを流通させる
ようにしてもよい。これにより液体によりメッキ液の回
り込みを阻止し、これによって濡れた部分を、その後の
気体供給により乾燥させることが可能であり、上述した
効果と同等の効果を得ることができる。

【００５４】なお、上記のように構成した基板メッキ装
置を図４に示すように構成してもよい。

【００５５】すなわち、上述した押圧部材１５のように
当接部材１７内にトンネル状の横流路１７ｄを形成する
のに代えて、当接部材１７Ａの下面を横流路１７Ａｄと
して利用する。そして、当接部材１７の下面周辺に形成
してあるリング状の押圧部１７ｃに代えて、櫛状に一部
開口した押圧部流路１７Ａｅを形成して、これを押圧部
１７Ａｃとする。また、マスク部材３Ａの下面に開口し
て外部に連通した第１流路３Ａｅを形成する。

【００５６】このように構成することにより、基板Ｗの
非処理面に対する押圧部材１５の接触面積を少なくする
ことができ、押圧部材１５の汚れなどによる非処理面の
汚染が防止できる。また、横流路１７Ａｄは、トンネル
状に横流路１７ｄを形成するのに比較して製作が容易で
あるので、当接部材１７Ａを簡単に製造することが可能
となる。また、排液槽４３を省略して回収槽３５で兼用
することができるので、装置の小型化を図ることができ
る。

【００５７】＜第２実施例＞図５及び図６を参照して本
実施例装置について説明する。なお、図５は本実施例に
係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図であ
り、図６は排液槽を示す平面図である。また、本実施例
装置において上述した第１実施例と同じ構成については
同符号を付すことで詳細な説明については省略する。

【００５８】本実施例装置は、上述した第１実施例の排
液槽４３に代えて平面視環状の排液槽５１を備えてい
る。本発明のカップに相当する排液槽５１は、その底面
の一部位に一個の排液口５３が形成されているととも
に、中心を挟んでその反対側に、基準流体に相当する純
水を排液槽５１に供給するための注水口５５が形成され
ている。排液口５３には、１個の導電率測定器５７が、
測定部５７ａをその中に挿入された状態で排液槽５１に
取り付けられている。

【００５９】導電率測定器５７の出力は、導電率測定部
５９に与えられている。この導電率測定部５９では、導
電率測定器５７の出力に基づき純水の導電率が求めら
れ、変位量や基準値との比較等に基づき警報部６１に警
報出力の指示を与える。この警報部６１は、警報やラン
プを作動させてオペレータにメッキ液漏れを報知するた
めのものである。

【００６０】なお、上述した排液槽５１と、導電率測定
器５７と、導電率測定部５９とが本発明における検知手
段に相当する。また、導電率測定器５７が導電率の測定
手段に相当する。

【００６１】注水口５５には、純水を排液槽５１内に供
給して流れを生じさせる注水ノズル６３が立設されてい
る。この注水ノズル６３は、吐出口６３ａが二箇所に対
向して形成されており、それぞれが排水槽５１の側壁に
沿うように取り付けられている。また、注水ノズル６３
には、開閉弁６５を介して純水供給源６７が連通接続さ
れている。図示省略しているが、注水ノズル６３からの
純水の供給量は、純水を排液槽５１内に満たすための
「大流量」や、流れを付与するための「小流量」の少な
くとも二段階に調節可能となっている。

【００６２】注水ノズル６３から純水を排液槽５１内に
供給することにより、図６に示すように純水に対して排
水口５３に向かう流れを付与することができる。したが
って、注水ノズル６３が本発明における流動付与手段に
相当する。

【００６３】次に、このように構成された装置における
動作について説明する。なお、既に注水ノズル６３から
純水が供給されて、排液槽５１内には所要レベルの純水
が貯留された状態にあり、貯留されている純水に対して
排水口５３に向かう流れが与えられているものとする。

【００６４】まず、導電率測定部５９が導電率を測定
し、これと基準導電率とを比較する。その結果、基準導
電率以下であることを確認した場合には、次の処理に進
む。この時点で基準導電率を上回った場合でも、警報部
６１に対して警報を出力するように指示を与えるととも
に、注水ノズル６３から純水を大流量で供給し、導電率
が基準導電率以下になるまで測定を繰り返す。

【００６５】基準導電率以下であった場合には、注水ノ
ズル６３の流量を小流量にした後、基板Ｗをスピンベー
ス１に搬入してメッキ処理を開始する。この間も導電率
の測定が繰り返し行われる。

【００６６】シール部材１３に漏れがない場合には、導
電率がほぼ一定であるので、警報が発せられることなく
メッキ処理が終了する。しかしながら、シール部材１３
からメッキ液が漏れた場合には、第１流路３ｅから気体
あるいは液体とともにメッキ液が排液槽５１に排出され
る。すると、導電率が急激に大きくなるので、導電率測
定部５９がこれを検知し、警報部６１に対して警報を発
するように指示を与える。その結果、警報を知ったオペ
レータが装置を停止させるか、図示しない制御部が処理
を自動的に停止させることにより、継続的に基板が汚染
されることが防止できる。

【００６７】その後、シール部材１３の確認を行い、必
要ならばその交換を行った後、一旦、排液槽５１内の純
水を排出する。そして、新たに純水を供給する等の処理
を行い、導電率が基準導電率以下であることを確認して
から次なる基板に対する処理を再開する。

【００６８】このようにメッキ液がマスク部材１３から
漏れたことを知ることができるので、処理を停止すれば
汚染が継続することを防止できる。また、メンテナンス
の要否を確実に知ることが可能となる。また、排水槽５
１の純水の導電率を測定することでメッキ液の漏れを容
易に検知することができる。

【００６９】さらに、導電率測定器５７から離れた位置
にメッキ液が混入した流体が入った場合でも、注水ノズ
ル６３の流れにより導電率測定器５７の位置にまで素早
く流されるので、回転しているマスク部材１３から排液
槽５１内のどの位置に流体が入った場合であっても導電
率の変動を検知することが遅れないようにすることがで
きる。

【００７０】また、図７に示すように、排水槽５７に複
数個の導電率測定器５７を配設して、上記のような注水
ノズル６３を省略するとともに、単に排液槽５７に純水
を供給するためだけの給水口を別途配備すればよい。こ
のように構成しても、排液槽５１内のどの位置に流体が
入った場合でも導電率検知に遅れが生じないようにする
ことができる。

【００７１】なお、本実施例では、排液槽５１に貯留す
る基準流体として純水を挙げたが、その他に利用可能な
液体であればこれを代えてもよい。

【００７２】また、メッキ液漏れの検知に導電率を用い
ているが、例えば、ｐＨ測定器とｐＨ測定部等を用いて
漏れを検知するようにしてもよい。

【００７３】また、本実施例では、弾性を有するシール
部材１３がマスク部材３に取り付けられている構成を例
に挙げて説明したが、このような弾性を有するシール部
材１３に代えて硬質部材を備えた構成のものであっても
本発明を適用できる。

【００７４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板の非処理面側から周縁部
を経て処理面側に向けて流体が供給されているので、漏
れ出たメッキ液は基板の周縁部を伝って非処理面側に向
かうことがない。したがって、マスク部材から漏れ出た
メッキ液が基板を汚染することを防止できる。その結
果、相互汚染が防止できる。

【００７５】また、請求項２に記載の発明によれば、第
１流路と第２流路とを、マスク部材と基板の周縁部との
隙間を介して連通接続することにより、基板の非処理面
側から周縁部を経て処理面側に流体を流通させることが
可能となるので、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部を伝
って非処理面側に向かうことを阻止できる。

【００７６】また、請求項３に記載の発明によれば、気
体を供給することで、漏れ出たメッキ液が基板の周縁部
を経て非処理面側に伝うことを阻止できる。

【００７７】また、請求項４に記載の発明によれば、液
体を供給することでメッキ液の回り込みを阻止し、これ
によって濡れた部分を、その後の気体供給により乾燥さ
せることが可能である。

【００７８】また、請求項５に記載の発明によれば、縦
流路と横流路を連通接続させることにより、処理中に回
転されている押圧部材を介して基板の周縁部にまで流体
を供給することが可能である。

【００７９】また、請求項６に記載の発明によれば、漏
れ出たメッキ液を第１流路から流体に乗せて外部に排出
できる。

【００８０】また、請求項７に記載の発明によれば、検
知手段によりメッキ液がマスク部材から漏れたことを知
ることができるので、処理を停止すれば汚染が継続する
ことを防止できる。また、メンテナンスの要否を確実に
知ることが可能となる。

【００８１】また、請求項８に記載の発明によれば、カ
ップの基準流体の導電率またはｐＨを測定することでメ
ッキ液の漏れを容易に検知することができる。

【００８２】また、請求項９に記載の発明によれば、測
定手段から離れた位置にメッキ液が混入した流体が入っ
た場合でも、流動付与手段の流れにより測定手段の位置
にまで素早く流されるので、回転しているマスク部材か
らカップ内のどの位置に流体が入った場合であっても導
電率またはｐＨの変位検知が遅れることを防止できる。

【００８３】また、請求項１０に記載の発明によれば、
マスク部材と基板の周縁部との隙間に流体を流通させる
ので、漏れ出たメッキ液が基板の非処理面側に回り込む
のを防止でき、メッキ液が漏れ出た場合には警報を発す
るので、容易にメッキ液漏れを知ることができる。

【００８４】また、請求項１１に記載の発明によれば、
上記の請求項８と同等の効果を奏する。

【００８５】また、請求項１２に記載の発明によれば、
上記の請求項９と同等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示した縦断面図である。

【図２】マスク部材及び押圧部材の一部拡大図である。

【図３】メッキ処理中の状態を説明するための図であ
る。

【図４】第１実施例の変形例を示す縦断面図である。

【図５】第２実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示した縦断面図である。

【図６】カップの平面図である。

【図７】変形例を示す図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 ３ … マスク部材 ３ｅ … 第１流路 １１ … カソード電極 １３ … シール部材 １５ … 押圧部材 １７ … 当接部材 １７ｃ … 押圧部 １７ｄ … 横流路（第１流路） １９ … 回転軸 １９ａ … 縦流路（第１流路） ３３ … メッキ槽 ３５ … 回収槽 ５１ … 排液槽（カップ） ５７ … 導電率測定器 ６３ … 注水ノズル（流動付与手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 英明 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 4K024 BA15 BB11 BB12 CA03 CA06 CB12 CB15 CB19 CB24 FA00 GA16 4M104 DD52 HH20

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の処理面のうち周辺部をマスク部材
   でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したま
   ま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処
   理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ
   装置において、 基板の非処理面側から周縁部を経て処理面側に向けて流
   体を供給するようにしたことを特徴とする基板メッキ装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部
   材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記
   第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間
   を介して連通接続したことを特徴とする基板メッキ装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板メッキ装
   置において、 基板の処理中に、前記流体として気体を供給することを
   特徴とする基板メッキ装置。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の基板メッキ装
   置において、 基板の処理中に、前記流体として液体を供給した後、前
   記流体として気体を供給することを特徴とする基板メッ
   キ装置。
5. 【請求項５】 請求項２ないし４のいずれかに記載の基
   板メッキ装置において、 前記第２流路は、押圧部材の回転軸に形成された縦流路
   と、押圧部材の円板状を呈する当接部材の中央部から周
   縁部に向けて平面視放射状に複数本形成され、前記縦流
   路に連通した横流路とを備えていることを特徴とする基
   板メッキ装置。
6. 【請求項６】 請求項２ないし５のいずれかに記載の基
   板メッキ装置において、 前記第１流路は、電極付近と外部とを連通するように形
   成されていることを特徴とする基板メッキ装置。
7. 【請求項７】 請求項２ないし６のいずれかに記載の基
   板メッキ装置において、 前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入した
   ことを検知する検知手段を備えていることを特徴とする
   基板メッキ装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から
   排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカ
   ップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを
   測定する測定手段とを備えていることを特徴とする基板
   メッキ装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向か
   う流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴
   とする基板メッキ装置。
10. 【請求項１０】 基板の処理面のうち周辺部をマスク部
    材でマスクし、基板の非処理面を押圧部材で押圧したま
    ま、前記マスク部材に配設された電極を介して基板の処
    理面に通電することによりメッキ処理を施す基板メッキ
    装置において、 前記マスク部材に第１流路を形成し、かつ、前記押圧部
    材に第２流路を形成するとともに、前記第１流路と前記
    第２流路とを、前記マスク部材と基板の周縁部との隙間
    を介して連通接続し、かつ、基板の非処理面側から周縁
    部を経て処理面側に向けて流体を供給し、 前記第１流路から排出された流体にメッキ液が混入した
    ことを検知する検知手段を備え、 前記検出手段がメッキ液の混入を検知した場合に警報を
    発することを特徴とする基板メッキ装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板メッキ装置に
    おいて、 前記検知手段は、基準流体を貯留し、前記第１流路から
    排出された流体を受ける平面視環状のカップと、このカ
    ップ内の一部位において基準流体の導電率またはｐＨを
    測定する測定手段とを備えていることを特徴とする基板
    メッキ装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板メッキ装置に
    おいて、 前記カップ内の基準流体に対して、前記測定手段に向か
    う流れを付与する流動付与手段を備えていることを特徴
    とする基板メッキ装置。