CN108344897A - 镀覆装置、基板架以及电阻测定模块 - Google Patents

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Abstract

为了能够检测基板架的原因而导致的电阻的异常，提供一种用于测定基板架的电阻的电阻测定模块，所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点，所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板，所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，所述电阻测定模块具有：能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器；以及用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的电阻测定器。根据该电阻测定模块，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。

Description

镀覆装置、基板架以及电阻测定模块
技术领域
本申请涉及一种镀覆装置、镀覆方法、基板架、电阻测定模块以及检查基板架的方法。
背景技术
公知的是利用基板架保持半导体晶片等基板，并将基板浸渍在镀覆槽内的镀覆液中的镀覆装置。如图18所示，基板架具有：与基板W的周缘部接触的多个内部接点100；分别连接于这些内部接点100的多个外部接点101。将多个内部接点100与多个外部接点101连接起来的配线104配置于基板架的内部。在将基板架配置在镀覆槽内的规定位置的时，外部接点101与连接于电源105的供电端子103接触。电流通过外部接点101以及内部接点100流向基板W，在镀覆液的存在下在基板W的表面形成金属膜。
在某内部接点100与基板W之间的电阻(以下，简单称作内部接点100的电阻)极高或者极低的情况下，流向多个内部接点100的电流不均匀，会在基板面内的膜厚的均匀性方面产生问题。在此，有在将镀覆对象物即基板保持在基板架的状态下，对相对于从基板架的内部接点向基板流动的电流的电阻值进行测定，从而进行基板以及基板架的检查的技术(例如专利文献1，2)。
专利文献1：日本特开2015-200017号公报
专利文献2：日本特开2005-146399号公报
在专利文献1中，在镀覆对象物即基板保持于基板架的状态下，测定相对于从基板架的一个电接点通过基板而向基板架的其他电接点流动的电流的电阻。将电阻在容许范围内时判断为正常状态，将电阻不在容许范围内时判断为在基板或基板架产生异常。电阻异常主要有两个原因。一是基板侧的原因。例如在基板的表面未均匀形成导电层(籽晶层)的情况，或者在基板涂布抗蚀剂时产生的杂质残留在基板上情况，基板的表面氧化的情况等时会产生电阻的异常。另一个是基板架侧的原因。在基板架的内部接点变形的情况，或者抗蚀剂等异物附着在基板架的内部接点的情况，或者镀覆液附着于基板架的内部接点的情况等时会产生电阻的异常。但是，在专利文献1公开的方法中，在电阻产生异常的情况下，不能判断其原因在基板还是在基板架。例如在基板架有异常，基板本身没有异常时，通过更换基板架，能够进行正常的镀覆处理。另外，在基板有异常，基板架没有异常的情况下，如果更换基板，其他基板就能够正常地进行镀覆处理。但是，对于如上所述的判断，需要了解电阻的异常的原因在基板侧还是在基板架侧。
发明内容
发明要解决的技术课题
在此，本申请的一个目的在于，能够检测由在基板架产生的原因所导致的电阻的异常。另外，本申请的一个目的在于，能够检测由在基板产生的原因所导致电阻的异常。
用于解决技术课题的技术方案
【方式1】根据方式1，提供一种用于测定基板架的电阻的电阻测定模块，所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点，所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板，所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，所述电阻测定模块具有：能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器；以及用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述检查探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的电阻测定器。根据方式1的电阻测定模块，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。
【方式2】根据方式2，在方式1的电阻测定模块中，所述电阻测定模块具有检查用基板，该检查用基板具有电绝缘的多个区域。
【方式3】根据方式3，在方式2的电阻测定模块中，所述电阻测定器构成为所述检查探测器能够与所述检查用基板的所述多个区域接触。
【方式4】根据方式4，在方式3的电阻测定模块中，所述电阻测定器的所述检查探测器构成为能够向所述检查用基板的面内方向移动。
【方式5】根据方式5，在方式3的电阻测定模块中，所述电阻测定器具有支承部件，所述检查探测器安装于所述支承部件，所述支承部件构成为能够以与所述检查用基板的面垂直的轴为中心旋转。
【方式6】根据方式6，在方式3至方式5中任一项所述的电阻测定模块中，所述电阻测定器具有多个检查探测器，所述多个检查探测器构成为能够与所述检查用基板的所述多个区域分别接触。
【方式7】根据方式7，提供一种基板架，该基板架具有：用于支承基板的基板支承部；用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点；以及配置在所述基板支承部之上的导电板；在基板架未保持基板的状态下，所述电接点、所述导电板构成为能够接触。根据方式7，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。另外，能够不使用检查用基板而检测基板架的电接点或电路径的异常。
【方式8】根据方式8，在方式7的基板架中，具有：用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的多个电接点；配置在所述基板支承部之上的多个导电板；在基板架未保持基板的状态下，所述多个电接点与所述多个导电板构成为能够分别接触。
【方式9】根据方式9，提供一种检查基板架的方法，该方法具有：使检查用基板保持于所述基板架的步骤；使用于向保持于所述基板架的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点与所述检查用基板接触的步骤；使检查探测器与所述检查用基板接触的步骤；对经由检查用基板而在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的步骤。根据方式9的方法，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。
【方式10】根据方式10，在方式9的方法中，具有基于测定的电阻值而判断基板架能否使用的步骤。
【方式11】根据方式11，提供一种检查基板架的方法，在该方法中，所述基板架具有：用于支承基板的基板支承部；用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点；以及配置在所述基板支承部之上的导电板；在基板架未保持基板的状态下，所述电接点、所述导电板构成为能够接触，所述方法具有：使所述电接点与所述导电板接触的步骤；使检查探测器与所述导电板接触的步骤；对经由所述导电板而在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的步骤。根据方式11，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。另外，能够不使用检查用基板而检测基板架的电接点或电路径的异常。
【方式12】根据方式12，在方式11的方法中，具有基于测定的电阻值而判断基板架能否使用的步骤。
【方式13】根据方式13，提供一种镀覆处理方法，在该方法中，具有：准备基板架、导电部件以及电阻测定模块的步骤，所述基板架具有能够与被保持的镀覆对象即基板接触的多个电接点，所述导电部件具有与所述多个电接点的数量相同数量的彼此电绝缘的通电区域，所述电阻测定模块具有探测器；在所述基板架未保持镀覆对象的基板的状态下，使所述多个电接点分别与所述多个通电区域分别接触的步骤；使所述探测器与所述多个通电区域分别接触，来测定在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的电阻值的步骤；基于测定的电阻值而判断基板架能否使用的步骤；使镀覆对象即基板保持于被判定为能使用的基板架的步骤；以及使保持镀覆对象的基板的基板架浸渍在镀覆液来进行电解镀覆的步骤。根据方式13的方法，能够测定基板架的电阻，能够检测基板架的电接点或电路径的异常。导电部件可以是检查用基板或者也可以是设于基板架的导电板。
【方式14】根据方式14，提供一种计算机可读取的记录介质，记录有如下的程序：在由用于控制镀覆处理装置的动作的控制装置执行时，所述控制装置控制所述镀覆处理装置执行方式13所记载的镀覆处理方法。记录介质能够是任意的记录介质，例如CD，DVD，硬盘，闪存等非易失性的记录介质。
【方式15】根据方式15，提供一种程序，使在包含计算机的控制装置中执行方式13所记载的方法。
【方式16】根据方式16，提供一种镀覆处理装置的维护方法，该维护方法具有：将镀覆装置切换为基板架的检查用的维护模式的步骤；按照以下的(1)～(4)的顺序进行的步骤：(1)使基板架配置在电阻测定模块来测定基板架的电阻，(2)将所测定的电阻传递到控制装置，并在控制装置进行判断测定的基板架的电阻是否在规定的范围内的检查，(3)将检查完成的基板架配置在存放装置，(4)对镀覆装置内的未检查的基板架继续进行上述(1)～(3)的处理，直至检查终止；以及对通过检查而判断为电阻未在规定的范围内的基板架进行维护的步骤。根据方式16的维护方法，能够对在镀覆处理装置使用的全部基板架进行检查。
【方式17】根据方式17，提供一种镀覆装置，该镀覆装置具有：对作为镀覆对象物的基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的电阻测定器；以及用于保持基板的基板架；在利用所述基板架保持基板之前，所述电阻测定器对基板的电阻进行测定。根据方式17的镀覆装置，通过在刚要开始镀覆处理时对基板的边缘部的导电层的电阻进行测定，能够发现基板的不良。由于经过一段时间，有时在基板的边缘部的导电层形成氧化膜，或者附着有从抗蚀剂挥发的有机物，因此通过在刚要开始镀覆处理时判定基板的状态，能够进行良好的镀覆处理。
【方式18】根据方式18，在方式17的镀覆装置中，所述电阻测定器构成为对基板的边缘部的导电层的多个位置的电阻进行测定。
【方式19】根据方式19，在方式17或方式18的镀覆装置中，所述电阻测定器具有接触针，该接触针构成为与基板的边缘部的导电层接触。
【方式20】根据方式20，在方式19的镀覆装置中，所述接触针构成为能够沿基板的周向移动。根据方式20，通过不使基板移动或旋转而使接触针移动，能够测定基板的边缘部的多个区域的电阻。
【方式21】根据方式21，在方式17至方式20中任一项所述的方式的镀覆装置中，还具有用于使基板的朝向与规定的方向一致的定位器，所述电阻测定器构成为对配置于所述定位器的基板的电阻进行测定。根据方式21，能够使用定位器的旋转机构来测定基板的多个区域的电阻。另外，由于不需要用于测定基板的电阻的专用的位置，因此能够防止镀覆装置的设置面积增大。
【方式22】根据方式22，在方式17至方式20中任一项所述的镀覆装置中，还具有用于将基板固定于所述基板架的固定单元，所述电阻测定器构成为对配置于所述固定单元的基板的电阻进行测定。根据方式22，由于不需要用于测定基板的电阻的专用的位置，因此能够防止镀覆装置的设置面积增大。
【方式23】根据方式23，在方式17至方式22中任一项所述的镀覆装置中，还具有接收由所述电阻测定器测定的电阻值的控制装置，所述控制装置构成为基于所接收的所述电阻值来判断基板的状态。根据方式23，能够利用控制装置自动地判定基板的良否。
【方式24】根据方式24，在方式17至方式23中任一项所述的镀覆装置中，还具有用于清洗基板的边缘部的边缘部清洗装置。根据方式24，通过对基于基板的边缘部的电阻的测定值而判断为不良的基板的边缘部进行清洗，能够除去形成于基板的边缘部的氧化膜、附着的异物，从而使基板成为良好的状态。
【方式25】根据方式25，提供一种计算机程序，使在具有：对镀覆对象物即基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的电阻测定器；用于保持基板的基板架；以及具有计算机的控制装置的镀覆装置中执行以下步骤：在将基板架保持于镀覆对象物即基板之前，对所述基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的步骤；以及基于测定的基板的电阻来判断所述基板的状态的步骤。
【方式26】根据方式26，在方式25的计算机程序中，测定电阻的步骤具有对所述基板的边缘部的导电层的多个位置的电阻进行测定的步骤。
【方式27】根据方式27，在方式25或方式26的计算机程序中，还执行对基板的边缘部进行清洗的步骤。根据方式11，通过对基于基板的边缘部的电阻的测定值而判断为不良的基板的边缘部进行清洗，能够除去形成于基板的边缘部的氧化膜、附着的异物，从而使基板成为良好的状态。
【方式28】根据方式28，在方式25至方式27中任一项所述的方式的计算机程序中，还执行在镀覆处理后，对镀覆处理后的基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的步骤。根据方式28，通过在镀覆处理的前后测定基板的边缘部的导电层的电阻，能够检测在镀覆处理中是否在基板架产生了泄漏。
【方式29】根据方式29，提供一种计算机可读取的非暂时性的记录介质，该记录介质记录方式25至方式28中任一项所述的方式的计算机程序。
【方式30】根据方式30，提供一种镀覆方法，该镀覆方法具有：在将镀覆对象物即基板保持于基板架之前，对所述基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的步骤；以及基于测定的基板的电阻来判断所述基板的状态的步骤。根据方式30，通过在刚要开始镀覆处理时测定基板的边缘部的导电层的电阻，能够发现基板的不良。由于经过一段时间，有时在基板的边缘部的导电层形成氧化膜，或者附着有从抗蚀剂挥发的有机物，因此通过在刚要开始镀覆处理时判定基板的状态，能够进行良好的镀覆处理。
【方式31】根据方式31，提供一种镀覆装置，该镀覆装置具有：对作为镀覆对象物的基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的第一电阻测定器；以及用于保持基板的基板架；所述第一电阻测定器构成为在利用所述基板架保持基板之前对基板的电阻进行测定，所述镀覆装置还具有用于测定基板架的电阻的架电阻测定模块，所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点，所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板，所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，所述架电阻测定模块具有：能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器；以及用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述检查探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的第二电阻测定器。
附图说明
图1是一实施方式的镀覆装置的整体配置图。
图2是在图1所示的镀覆装置中使用的、一实施方式的基板架的立体图。
图3是表示图2所示的基板架的电接点的剖视图。
图4是概略表示一实施方式的电阻测定模块的主视图。
图5是图4所示的电阻测定模块的侧视图。
图6是表示一实施方式的检查用基板的图。
图7是表示一实施方式的检查探测器的移动机构的概略图。
图8是表示一实施方式的检查探测器的概略图。
图9是表示一实施方式的、对保持检查用基板的基板架的电阻进行测定时的状态的剖视图。
图10是概略表示一实施方式的基板架的俯视图。
图11是表示图10所示的基板架的电接点的剖视图。
图12是表示在图10所示的基板架中，第二保持部件66关闭并测定电阻时的状态的剖视图。
图13是表示在图10所示的基板架中，保持镀覆对象物即基板的状态的剖视图。
图14是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。
图15是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。
图16是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。
图17是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。
图18是表示基板架的电路的概略图。
图19是一实施方式的镀覆装置的整体配置图。
图20是在图19所示的镀覆装置中使用的基板架的立体图。
图21是表示图20所示的基板架的电接点的剖视图。
图22是概略表示一实施方式的电阻测定器的侧视图。
图23是概略表示图22所示的电阻测定器的上表面图。
图24是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图25是表示作为一例，将厚度不同的铜作为籽晶层的基板的电阻的实测值的图表。
图26是表示一实施方式的具有边缘部清洗装置的定位器的概略上表面图。
图27是图26所示的向视27-27的定位器的概略剖视图。
图28是图26所示的向视28-28的定位器的概略剖视图。
图29是表示一实施方式的镀覆方法的流程图。
图30是表示一实施方式的镀覆方法的流程图。
图31是表示基板架的电路的概略图。
图32A是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图32B是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图32C是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图32D是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图33是图32A～图32D的电阻测定器的概略侧视图。
图34A是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图34B是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图35是图34A、图34B的电阻测定器的概略侧视图。
图36A是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图36B是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图36C是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图36D是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图37是图36A～图36D的电阻测定器的概略侧视图。
图38A是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图38B是概略表示一实施方式的电阻测定器的上表面图。
图39是图38A、图38B的电阻测定器的概略侧视图。
【附图标记说明】
40…定位器
60…基板架
71…外部接点
73…电接点
75…导电板
200…电阻测定模块
202…测定槽
204…架固定部
206…电阻测定器
208…检查探测器
210…支承部件
220…切换开关
500…控制装置
40-2…定位器
45-2…边缘部清洗装置
60-2…基板架
120-2…固定单元
122-2…基板搬运装置
200-2…电阻测定器
202-2…电阻测定头
204-2…接触针
500-2…控制装置
W…基板
WT…检查用基板
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的镀覆装置、基板架、电阻测定模块以及检查基板架的方法的实施方式进行说明。在附图中，对相同或类似的要素标注相同或类似的附图标记，在各实施方式的说明中，省略对于相同或类似的要素的重复说明。另外，各实施方式所表示的特征只要不彼此矛盾，则能够适用于其他实施方式。
图1是一实施方式的镀覆装置的整体配置图。如图1所示，该镀覆装置大体分为：在基板架60装载基板或从基板架60卸载基板的装载/卸载部170A、对基板进行处理的处理部170B。
在装载/卸载部170A设有3台前开式晶圆盒(Front-Opening Unified Pod：FOUP)102；使基板的取向平面(定向平面)或者凹口等位置与规定的方向一致的定位器40；使镀覆处理后的基板高速旋转而干燥的旋转冲洗干燥器20。前开式晶圆盒102将半导体晶片等多个基板多层地收纳。在旋转冲洗干燥器20的附近设置有固定单元120，该固定单元120载置基板架60而进行基板的装卸。在这些单元102、40、20、120的中央配置有由在这些单元间搬运基板的搬运用自动装置构成的基板搬运装置122。
固定单元120构成为能够载置两个基板架60。在固定单元120，在一方的基板架60与基板搬运装置122之间进行了基板的交接后，在另一方的基板架60与基板搬运装置122之间进行基板的交接。
镀覆装置的处理部170B具有：后述电阻测定模块200、存放装置124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、喷吹槽132、第二清洗槽130b、镀覆槽10。电阻测定模块200具体后述，是测定基板架60的电阻的模块。在存放装置124中，进行基板架60的保管以及暂时放置。在预湿槽126中，基板浸渍在纯水中。在预浸槽128中，将形成在基板的表面的籽晶层等导电层的表面所具有的氧化膜蚀刻除去。在第一清洗槽130a中，预浸后的基板与基板架60一起被清洗液(纯水等)清洗。在喷吹槽132中，进行清洗后的基板的除液。在第二清洗槽130b中，镀覆后的基板与基板架60一起被清洗液清洗。电阻测定模块200、存放装置124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、喷吹槽132、第二清洗槽130b以及镀覆槽10按照此顺序配置。
例如，镀覆槽10具有多个镀覆槽134，镀覆槽134具有溢流槽。各镀覆槽134在内部收纳有一个基板，使基板浸渍在保持于内部的镀覆液中。在镀覆槽134中，通过在基板与阳极之间施加电压，而在基板表面进行铜镀覆等镀覆。此外，例如，在TSV(Through SiliconVia：硅通孔)镀覆的情况下，也可以在镀覆前的基板的凹部形成阻挡层以及/或粘着层(例如，Ta、Ti、TiW、TiN、TaN、Ru、Co、Ni、W等)以及籽晶层(Cu、Ru、Ni、Co等)。
镀覆装置具有位于这些各设备的侧方，在这些各设备之间将基板架60与基板一起搬运的、例如采用线性马达方式的基板架搬运装置140。该基板架搬运装置140具有第一输送装置142、第二输送装置144。第一输送装置142构成为在电阻测定模块200、固定单元120、存放装置124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a以及喷吹槽132之间搬运基板。第二输送装置144构成为在第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、喷吹槽132以及镀覆槽10之间搬运基板。在其他实施方式中，镀覆装置也可以仅具有第一输送装置142以及第二输送装置144中的任一方，任一输送装置在电阻测定模块200、固定单元120、存放装置124、预湿槽126、预浸槽128、第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、喷吹槽132以及镀覆槽10之间搬运基板。
镀覆装置具有用于控制镀覆装置的整体的动作的控制装置500。另外，控制装置500构成为控制后述电阻测定模块200的动作。控制装置500能够由例如具有输入输出装置、显示装置、存储装置等的常用计算机或专用计算机等构成，能够是安装了用于控制镀覆装置的动作的程序的设备。另外，控制装置500能够使镀覆装置在镀覆处理模式、维护模式中进行动作。镀覆处理模式是进行基板的镀覆处理的模式，维护模式能够是用于进行镀覆装置的维护，例如基板架的维护的模式。
图2是图1所示的镀覆装置所使用的基板架60的立体图。如图2所示，基板架60具有：例如聚氯乙烯制的矩形平板状的第一保持部件65；经由铰链63开闭自如地安装在该第一保持部件65的第二保持部件66。在基板架60的第一保持部件65的大致中央部设置有用于保持基板的保持面68。另外，在第一保持部件65的保持面68的外侧，沿保持面68的圆周，等间隔地设置有倒L形的夹具67，该夹具67具有向内侧突出的突出部。
在基板架60的第一保持部件65的端部，连结有搬运或者悬挂支承基板架60时的作为支承部的一对大致T形的把手69。在图1所示的存放装置124内，通过将把手69挂在存放装置124的周壁上表面，使基板架60被垂直地悬挂支承。另外，利用第一输送装置142或第二输送装置144把持该悬挂支承的基板架60的把手69来搬运基板架60。此外，在电阻测定模块200、预湿槽126、预浸槽128、清洗槽130a，130b、喷吹槽132以及镀覆槽10内，基板架60也经由把手69悬挂支承于其周壁。
另外，在把手69设置有用于与外部的电力供给部连接的外部接点71(参照图4)。该外部接点71经由多个配线与设于保持面68的外周的多个电接点73(参照图3)电连接。
第二保持部件66具有固定于铰链63的基部61；固定于基部61的环状的密封架62。在第二保持部件66的密封架62，旋转自如地安装有用于将密封架62向第一保持部件65按压固定的压环64。压环64在其外周部具有向外侧突出的多个突条部64a。突条部64a的上表面与夹具67的内侧突出部的下表面具有沿着旋转方向向彼此相反方向倾斜的锥面。
在保持基板时，首先，在打开第二保持部件66的状态下，将基板载置于第一保持部件65的保持面68，关闭第二保持部件66。接下来，使压环64向顺时针方向旋转，使压环64的突条部64a滑入夹具67的内侧突出部的内部(下侧)。由此，经由分别设于压环64、夹具67的锥面，使第一保持部件65与第二保持部件66彼此紧固而锁定，基板被保持。在解除基板的保持时，在第一保持部件65与第二保持部件66被锁定的状态下，使压环64向逆时针旋转。由此，压环64的突条部64a从倒L形的夹具67脱离，基板的保持被解除。
图3是表示图2所示的基板架60的电接点的剖视图。如图3所示，在第一保持部件65的保持面68载置有基板W。在保持面68与第一保持部件65之间配置有多个(图示中一个)电接点73，该电接点73与从设于图2所示的把手69的外部接点71延伸的多个配线连接。电接点73以在将基板W载置到第一保持部件65的保持面68上时，该电接点73的端部与基板W的表面接触的方式多个配置于基板W的圆周外侧。此外，在基板W的表面形成有导电层(籽晶层)，在基板W保持于基板架60时，通过使电接点73与基板W的表面的导电膜接触，而能够使电流向基板W。
在密封架62的、与第一保持部件65相对的面(图中下表面)安装有在利用基板架60保持基板W时压接于基板W的表面外周部的密封部件70。另外，在利用基板架60保持基板W时，密封架62的端部如图3所示地压接于第一保持部件65。
在被密封部件70以及密封架62夹持的内部，电接点73沿着基板W的圆周配置多个。在图2所示的第一保持部件65与第二保持部件66被锁定时，如图3所示，密封架62被向第一保持部件65按压，密封部件70被向基板W的表面按压。由此，基板W的边缘部以及电接点73被从基板W的被镀覆面分离，在使保持基板W的基板架60浸渍于镀覆液而进行镀覆处理时，电接点73以及基板的边缘部不与镀覆液接触。
为了实现面内均匀性好的镀覆，需要电流向基板架60的多个电接点73均匀地流动。但是，在某电接点73的电阻大时，向该电接点73流动的电流减少，流经其周围的电接点73的电流值上升，其结果是，镀覆不均匀。电接点73的电阻由于电接点73附着有异物、氧化物，或者由于镀覆液的泄漏而在电接点73附着镀覆液，或者由于电接点73的变形、安装不良而使电接点73不能以足够的接触面积与基板W的籽晶层接触，或者由于电接点73的涂覆材料的剥离，而在大多数情况下变得比正常状态的电阻大。
因此，本发明的镀覆装置具有用于测定基板架60的电接点73的电阻的电阻测定模块200。图4是概略表示一实施方式的电阻测定模块200的主视图。图5是图4所示的电阻测定模块200的侧视图。如图4所示，电阻测定模块200具有基板架60的电阻测定用的测定槽202。在测定槽202的底部设置有用于固定基板架60的架固定部204。架固定部204能够是供基板架60插入的凹部。此外，图4表示将基板架60配置在测定槽202的途中的阶段，图5表示基板架60配置在测定槽202，基板架60固定于架固定部204的状态。在基板架60被设置在测定槽202时，设于基板架60的把手69的外部接点71与电阻测定器206的一端连接。
在电阻测定模块200中，为了测定基板架60的电阻值，在基板架60保持电阻测定用的检查用基板WT。图6是表示检查用基板WT的图。检查用基板WT与作为镀覆对象的基板W为相同尺寸。另外，在检查用基板WT的表面形成有导电层(籽晶层)，或者检查用基板WT构成为具有导电性。需要说明的是，图6所示检查用基板WT沿圆周方向电分离为多个区域。检查用基板WT的区域的数量能够与基板架60的电接点73的数量相同。在图6的示例中，检查用基板WT分割为12个区域。由于检查用基板WT的各区域分别电绝缘，因此电流能够从基板架60的各个电接点73向检查用基板WT的各区域独立地流动。
如图4、图5所示，电阻测定模块200具有电阻测定器206。电阻测定器206可以是通常的数字万用表。另外，电阻测定模块200具有能够与保持于基板架60的检查用基板WT接触的检查探测器208。检查探测器208与电阻测定器206连接。如图5所示，在将保持检查用基板WT的基板架60配置在测定槽202的状态下，使检查探测器208与检查用基板WT的各区域接触，由此，能够测定基板架60的电阻。通过使检查探测器208与检查用基板WT的各区域接触，能够测定从基板架60的各自的电接点73以及各电接点73到各外部接点71的配线的电阻。通过预先测定检查用基板WT的各区域的电阻值，其结果是，能够测定基板架60的电阻。如上所述，在基板架60的电接点73有异物的附着、变形等异常时，电接点73的电阻增大。因此，通过测定基板架60的电阻，能够检测基板架60的异常的有无。
在一实施方式中，电阻测定模块200的检查探测器208构成为能够沿着检查用基板WT的面内方向，特别是检查用基板WT的周向移动。另外，检查探测器208构成为能够向与检查用基板WT的面垂直的方向移动。图7是表示一实施方式的检查探测器208的移动机构的概略图。如图7所示，检查探测器208安装于环状的支承部件210。在图7的实施方式中，检查探测器208为一个。检查探测器208以顶端朝向检查用基板WT的方式安装于支承部件210。支承部件210经由轮辐212安装于中央的轴214。轴214与电动机216连接，能够利用电动机216旋转。因此，检查探测器208能够沿检查用基板WT的周向移动。另外，电动机216以及轴214与气压式或者液压式的移动机构218连接，从而使支承部件210以及检查探测器208能够沿与检查用基板WT的面垂直的方向移动。
图8是表示一实施方式的检查探测器208的概略图。如图8所示，检查探测器208安装于环状的支承部件210。在图8的实施方式中，检查探测器208等间隔地设置有12个，与检查用基板WT的分割区域的数量以及基板架60的电接点73的数量对应。在图8所示的实施方式中，12个各检查探测器208经由切换开关220与电阻测定器206连接。在图8中虽未图示，在图8的实施方式中与图7的实施方式同样地，具有使支承部件210沿着与检查用基板WT的面垂直的方向移动的移动机构218。在图8的实施方式的电阻测定模块200中，能够使12个各检查探测器208同时与检查用基板WT的各区域同时接触。利用切换开关220，能够一边切换配线的连接一边测定基板架60的各电接点73的电阻。此外，在图8的实施方式中，与图7的实施方式同样地，也可以具有使保持检查探测器208的支承部件210旋转的机构。
图9是表示测定保持检查用基板WT的基板架60的电阻时的状态的剖视图。如图9所示，电流从外部接点71向电接点73以及导电板75流动，能够经由检查探测器208而利用电阻测定器206测定电阻。
作为一实施方式，基板架60与上述实施方式不同，能够构成为不使用检查用基板WT而能够测定基板架60的电接点73的电阻。图10是概略表示一实施方式的基板架60的俯视图。在图10中，主要表示基板架60的第一保持部件65，第二保持部件66省略表示。图11是表示图10所示的基板架60的电接点的剖视图。图11表示具有密封架62的第二保持部件66打开的状态。图12是表示在图10所示的基板架60中，第二保持部件66关闭，而测定电阻时的状态的剖视图。图13是表示在图10所示的基板架60中，保持镀覆对象物即基板W的状态的剖视图。
图10～图13所示的基板架60基本是与图2、图3所示的基板架60同样的结构。但是，图10～图13所示的基板架60与图2、图3所示的基板架60不同，在保持面68之上设有导电板75。如图12所示，在没有基板W的状态且具有密封架62的第二保持部件66关闭的状态下，电接点73配置在与导电板75接触的位置。另外，如图10所示，导电板75设有12个，能够分别电独立地与12个电接点73接触。此外，本实施方式的基板架具有12个电接点，但只要能够相对于基板整面实际均匀地供电地配置多个即可，不限于12个。电接点的数量与导电板的数量彼此相同。在测定基板架60的电阻时，如图12所示，在没有基板W的状态且使第二保持部件66关闭的状态下，使检查探测器208与导电板75接触。在该状态下，电流从外部接点71向电接点73以及导电板75流动，能够经由检查探测器208而利用电阻测定器206测定电阻。检查探测器208及其支承结构以及移动机构能够与图4、图5、图7、图8所示的实施方式相同。利用图10～图13的基板架60，能够不使用检查用基板WT而测定基板架60的电阻。此外，导电板也可以不是多个，也可以整体地或局部地在一个导电板上彼此电绝缘，并且，也可以成为具有与电接点的数量相同的多个区域的导电板。
图14是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。图14表示在进行基板W的镀覆处理前进行基板架60的检查的情况下的检查方法。图14所示的检查方法能够使用上述实施方式的镀覆装置、基板架、检查用基板、电阻测定模块来进行。
首先，在开始镀覆对象物即基板W的镀覆之前，将检查用基板WT配置在定位器40。检查用基板WT向定位器40的配置能够利用基板搬运装置122进行。利用定位器40使检查用基板WT与规定的朝向一致(S100)。接着，在固定单元120，使检查用基板WT保持于基板架60(S102)。接着，将保持检查用基板WT的基板架60配置在电阻测定模块200(S104)。更具体而言，利用第一输送装置142，以使基板架60固定于架固定部204的方式配置在测定槽202。接着，在电阻测定模块200测定基板架60的电阻(S106)。更具体而言，使检查探测器208与检查用基板WT接触，测定从基板架60的外部接点71通过基板架60的内部的配线、电接点73到检查用基板WT的电路径的电阻。电阻被关于基板架60的各电接点73进行测定。换言之，使检查探测器208分别与检查用基板WT的各分割区域接触来测定基板架60的电阻。如图7所示，电阻测定模块200也可以使用具有一个检查探测器208的结构，或，如图8所示，也可以使用具有多个检查探测器208的结构。测定的电阻被向控制装置500传递。接着，在控制装置500，判断测定的基板架60的电阻是否在规定的范围内(S108)。在一实施方式中，规定的范围能够预先测定正常的基板架60的电阻，并基于实际测定的正常电阻值确定。例如能够将距离正常的基板架60的各电接点73的电阻的平均值20％以内的范围设定为规定的范围。作为判断的一例，在各电接点73的所有电阻值为规定的范围内的情况下，能够判断为正常的基板架60。另外，也可以在各电接点73的电阻值的偏差为10％以内时判断为正常的基板架60。例如，偏差能够根据最大值与最小值的差或者距离平均值的最大偏离来判断。另外，优选越是以更高电流密度进行镀覆的情况，各电接点73的电阻值的偏差越小。此外，在测定各电接点73的电阻值时，也可以对同一电接点73的电阻值进行多次测定，将平均值作为该各电接点73的电阻值。在S108中，在基板架60的电阻不在规定的范围的情况下，从基板架60卸下检查用基板WT(S110)。另外，此时，控制装置500也可以通过警报器、警告显示等，向使用者告知在基板架60发生异常。电阻不在规定范围的基板架60是有异常的基板架，因此在镀覆处理时不能使用，因此使基板架60返回存放装置124(S112)。不合格的基板架60也可以存储在控制装置500中，以不在之后的镀覆处理中使用。对于不合格的基板架60，也可以离线进行清洗处理等维护。在S112之后，使检查用基板WT被保持在新的基板架60(S102)，进行同样的检查。在S108，在基板架60的电阻为规定的范围的情况下，将检查用基板WT从基板架60卸下(S114)，使镀覆对象即基板W保持于同基板架60(S116)。然后，在将基板W保持在基板架60的状态下进行后续的镀覆处理(S118)。
这样，在进行基板W的镀覆处理前，能够进行所使用的基板架60的检查。因此，能够防止由于基板架60的不良而导致的镀覆处理的缺陷。另外，对于不合格的基板架60，能够离线进行维护，因此镀覆处理本身能够继续进行。
图15是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。图15表示不进行基板W的镀覆处理，而将镀覆装置切换为维护模式，并仅进行同基板架60的检查的情况的流程。图15所示的检查方法能够使用上述实施方式的镀覆装置、基板架、检查用基板、电阻测定模块进行。
首先，在控制装置500中，将镀覆装置切换为基板架60的检查用的维护模式。将检查用基板WT配置在定位器40，使检查用基板WT与规定的方向一致(S200)。接着，在固定单元120，使检查用基板WT保持于基板架60(S202)。接着，将保持检查用基板WT的基板架60配置在电阻测定模块200(S204)。更具体而言，利用第一输送装置142，使基板架60固定于架固定部204地配置在测定槽202。接着，在电阻测定模块200测定基板架60的电阻(S206)。更具体而言，使检查探测器208与检查用基板WT接触，测定从基板架60的外部接点71通过基板架60的内部的配线、电接点73到检查用基板WT的电路径的电阻。电阻关于基板架60的各电接点73进行测定。换言之，使检查探测器208分别与检查用基板WT的各分割区域接触来测定基板架60的电阻。如图7所示，电阻测定模块200可以使用具有一个检查探测器208的结构，或如图8所示，也可以使用具有多个检查探测器208的结构。测定的电阻被向控制装置500传递。接着，在控制装置500，判断测定的基板架60的电阻是否在规定的范围内(S208)。在一实施方式中，规定的范围能够预先测定正常的基板架60的电阻，并基于实际测定的正常电阻值来确定。例如能够将距离正常的基板架60的各电接点73的电阻的平均值20％以内的范围设定为规定的范围。作为判断的一例，在各电接点73的所有电阻值为规定的范围内的情况下，能够判断为正常的基板架60。另外，也可以在各电接点73的电阻值的偏差为10％以内时判断为正常的基板架60。例如，偏差能够根据最大值与最小值的差或者距离平均值的最大偏离来判断。另外，优选越是以更高电流密度进行镀覆的情况，各电接点73的电阻值的偏差越小。另外，在测定各电接点73的电阻值时，也可以对同一电接点73的电阻值进行多次测定，将平均值作为该各电接点73的电阻值。在控制装置500中，存储S208的检查结果。在S208，在基板架60的电阻不在规定的范围的情况下，控制装置500也可以通过警报器、警告显示等，向使用者告知在基板架60发生异常。在S208的判断结束时，将检查用基板WT从基板架60卸下(S210)，将检查完成的基板架60配置到存放装置124(S212)。然后，使检查用基板WT保持于下一个基板架60，重复同样的检查。如果所有的基板架60的检查终止，则使镀覆装置的维护模式终止。
在该检查方法中，能够进行镀覆装置内的所有基板架60的检查。对于在检查中有异常的基板架60，能够个别地进行清洗处理等维护。例如仅将在检查中没有异常的基板架60留在镀覆装置中，进行镀覆处理，而对于发现异常的基板架60，能够离线进行维护。
图16是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。图16表示在进行基板W的镀覆处理前进行基板架60的检查的情况下的检查方法。另外，图16表示不使用检查用基板WT，而进行例如图10～图13所示的基板架60的检查的流程。
首先，在开始镀覆对象物即基板W的镀覆前，将基板架60配置在电阻测定模块200(S300)。更具体而言，利用第一输送装置142，将基板架60固定在架固定部204地配置于测定槽202。接着，在电阻测定模块200中测定基板架60的电阻(S302)。更具体而言，使检查探测器208与基板架60的导电板75接触，测定从基板架60的外部接点71通过基板架60的内部的配线、电接点73到导电板75的电路径的电阻。电阻关于基板架60的各电接点73进行测定。电阻测定模块200如图7所示，可以使用具有一个检查探测器208的结构，或如图8所示，也可以使用具有多个检查探测器208的结构。所测定的电阻被传递到控制装置500。接着，在控制装置500中，判断测定的基板架60的电阻是否在规定的范围内(S304)。在一实施方式中，规定的范围能够预先测定正常的基板架60的电阻，并基于实际测定的正常电阻值确定。例如能够将距离正常的基板架60的各电接点73的电阻的平均值20％以内的范围设定为规定的范围。作为判断的一例，在各电接点73的所有电阻值为规定的范围内的情况下，能够判断为正常的基板架60。另外，也可以在各电接点73的电阻值的偏差为10％以内时判断为正常的基板架60。例如，偏差能够根据最大值与最小值的差或者距离平均值的最大偏离来判断。另外，优选越是以更高电流密度进行镀覆的情况，各电接点73的电阻值的偏差越小。另外，在测定各电接点73的电阻值时，也可以对同一电接点73的电阻值进行多次测定，将平均值作为该各电接点73的电阻值。在S304，在基板架60的电阻不在规定的范围的情况下，判断为发生异常的基板架，不能在镀覆处理中使用，因此使基板架60返回存放装置124(S306)。另外，此时，控制装置500也可以通过警报器、警告显示等，向使用者告知在基板架60发生异常。不合格的基板架60也可以存储于控制装置500，以不在之后的镀覆处理中使用。对于不合格的基板架60，也可以离线进行清洗处理等维护。在S306之后，将新的基板架60配置在电阻测定模块200，进行同样的检查。在S304中，在基板架60的电阻为规定的范围的情况下，使镀覆对象即基板W保持于同基板架60(S308)。然后，在将基板W保持于基板架60的状态下进行后续的镀覆处理(S310)。
这样，在进行基板W的镀覆处理之前，能够进行使用的基板架60的检查。因此，能够防止由于基板架60的不良导致的镀覆处理的缺陷。另外，对于不合格的基板架60，能够离线进行维护，因此镀覆处理本身能够继续进行。另外，由于不使用检查用基板WT，因此不需要用于保持/释放检查用基板WT的时间。
图17是表示一实施方式的基板架的检查方法的流程的图。图17表示不进行基板W的镀覆处理，而将镀覆装置切换为维护模式，仅进行同基板架60的检查的情况的流程。另外，图17表示不使用检查用基板WT，而进行例如图10～图13所示的基板架60的检查的流程。
首先，在控制装置500中，将镀覆装置切换为基板架60的检查用的维护模式。首先，将基板架60配置到电阻测定模块200(S400)。更具体而言，利用第一输送装置142，以使基板架60固定在架固定部204的方式配置在测定槽202。接着，在电阻测定模块200测定基板架60的电阻(S402)。更具体而言，使检查探测器208与基板架60的导电板75接触，测定从基板架60的外部接点71通过基板架60的内部的配线、电接点73到导电板75的电路径的电阻。电阻关于基板架60的各电接点73进行测定。电阻测定模块200如图7所示，可以使用具有一个检查探测器208的结构，或如图8所示，也可以使用具有多个检查探测器208的结构。所测定的电阻被传递到控制装置500。接着，在控制装置500中，判断测定的基板架60的电阻是否在规定的范围内(S404)。在一实施方式中，规定的范围能够预先测定正常的基板架60的电阻，并基于实际测定的正常电阻值确定。例如能够将距离正常的基板架60的各电接点73的电阻的平均值20％以内的范围设定为规定的范围。作为判断的一例，在各电接点73的所有电阻值为规定的范围内的情况下，能够判断为正常的基板架60。另外，也可以在各电接点73的电阻值的偏差为10％以内时判断为正常的基板架60。例如，偏差能够根据最大值与最小值的差或者距离平均值的最大偏离来判断。另外，优选越是以更高电流密度进行镀覆的情况，各电接点73的电阻值的偏差越小。另外，在测定各电接点73的电阻值时，也可以对同一电接点73的电阻值进行多次测定，将平均值作为该各电接点73的电阻值。在控制装置500中，存储S404的检查结果。在S404，在基板架60的电阻不在规定的范围的情况下，控制装置500也可以通过警报器、警告显示等，向使用者告知在基板架60发生异常。在S404的判断结束时，将检查完成的基板架60配置在存放装置124(S406)。然后，对于下一个基板架60，重复进行同样的检查。如果所有的基板架60的检查终止，则使镀覆装置的维护模式终止。
在该检查方法中，能够进行镀覆装置内的所有基板架60的检查。对于在检查中有异常的基板架60，能够个别地进行清洗处理等维护。例如仅将在检查中没有异常的基板架60留在镀覆装置中，进行镀覆处理，而对于发现异常的基板架60，能够离线进行维护。另外，由于不使用检查用基板WT，因此不需要用于保持/释放检查用基板WT的时间。
以下，参照附图对在本发明的镀覆装置以及镀覆装置中使用的基板架的实施方式进行说明。在附图中，对相同或类似的要素标注相同或类似的附图标记，在各实施方式的说明中，有时会省略相同或类似的要素的重复说明。另外，各实施方式所表示的特征只要不彼此矛盾，则能够适用于其他实施方式。
图19是一实施方式的镀覆装置的整体配置图。如图19所示，该镀覆装置大体分为：将基板装载在基板架60-2，或从基板架60-2卸载基板的装载/卸载部170A-2；对基板进行处理的处理部170B-2。
在装载/卸载部170A-2设有3台前开式晶圆盒(Front-Opening Unified Pod：FOUP)102-2；使基板的取向平面(定向平面)或者凹口等位置与规定的方向一致的定位器40-2；使镀覆处理后的基板高速旋转而干燥的旋转冲洗干燥器20-2。前开式晶圆盒102-2将半导体晶片等多个基板多层地收纳。在旋转冲洗干燥器20-2的附近设置有载置基板架60-2来进行基板的装卸的固定单元120-2。在这些单元102-2、40-2、20-2、120-2的中央配置有在这些单元间搬运基板的搬运用自动装置构成的基板搬运装置122。
固定单元120-2构成为能够载置两个基板架60-2。在固定单元120-2，在一方的基板架60-2与基板搬运装置122之间进行了基板的交接后，在另一方的基板架60-2与基板搬运装置122之间进行基板的交接。
镀覆装置的处理部170B-2具有：存放装置124-2、预湿槽126-2、预浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、喷吹槽132-2、第二清洗槽130b-2、镀覆槽10-2。在存放装置124-2中，进行基板架60-2的保管以及暂时放置。在预湿槽126-2中，基板浸渍在纯水中。在预浸槽128-2中，将形成在基板的表面的籽晶层等导电层的表面所具有的氧化膜蚀刻除去。在第一清洗槽130a-2中，预浸后的基板与基板架60-2一起被清洗液(纯水等)清洗。在喷吹槽132-2中，进行清洗后的基板的除液。在第二清洗槽130b-2中，镀覆后的基板与基板架60-2一起被清洗液清洗。存放装置124-2、预湿槽126-2、预浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、喷吹槽132-2、第二清洗槽130b-2以及镀覆槽10-2按照此顺序配置。
例如，镀覆槽10-2具有多个镀覆槽134-2，镀覆槽134-2具有溢流槽。各镀覆槽134-2在内部收纳有一个基板，使基板浸渍在保持于内部的镀覆液中。在镀覆槽134-2中，通过在基板与阳极之间施加电压，而在基板表面进行铜镀覆等镀覆。
镀覆装置具有位于这些各设备的侧方，在这些各设备之间将基板架60-2与基板一起搬运的、例如采用线性马达方式的基板架搬运装置140-2。该基板架搬运装置140-2具有第一输送装置142-2、第二输送装置144-2。第一输送装置142-2构成为在固定单元120-2、存放装置124-2、预湿槽126-2、预浸槽128-2、第一清洗槽130a-2以及喷吹槽132-2之间搬运基板。第二输送装置144-2构成为在第一清洗槽130a-2、第二清洗槽130b-2、喷吹槽132-2以及镀覆槽10-2之间搬运基板。在其他实施方式中，镀覆装置也可以仅具有第一输送装置142-2以及第二输送装置144-2中的任一方，任一输送装置在固定单元120-2、存放装置124-2、预湿槽126-2、预浸槽128-2、第一清洗槽130a-2、第二清洗槽130b-2、喷吹槽132-2以及镀覆槽10-2之间搬运基板。
图20是图19所示的镀覆装置所使用的基板架60-2的立体图。如图20所示，基板架60-2具有：例如聚氯乙烯制的矩形平板状的第一保持部件65-2；经由铰链63-2开闭自如地安装在该第一保持部件65-2的第二保持部件66-2。在基板架60-2的第一保持部件65-2的大致中央部设置有用于保持基板的保持面68-2。另外，在第一保持部件65-2的保持面68-2的外侧，沿保持面68-2的圆周，等间地隔设置有倒L形的夹具67-2，该夹具67-2具有向内侧突出的突出部。
在基板架60-2的第一保持部件65-2的端部，连结有搬运或者悬挂支承基板架60-2时的作为支承部的一对大致T形的把手69-2。在图19所示的存放装置124-2内，通过将把手69-2挂在存放装置124-2的周壁上表面，使基板架60-2被垂直地悬挂支承。另外，利用第一输送装置142-2或第二输送装置144-2把持该悬挂支承的基板架60-2的把手69-2来搬运基板架60-2。此外，在预湿槽126-2、预浸槽128-2、清洗槽130a-2，130b-2、喷吹槽132-2以及镀覆槽10-2内，基板架60-2也经由把手69-2悬挂支承于其周壁。
另外，在把手69-2设置有用于与外部的电力供给部连接的未图示的外部接点。该外部接点经由多个配线与设于保持面68-2的外周的多个导电体73-2(参照图21)电连接。
第二保持部件66-2具有固定于铰链63-2的基部61-2；固定于基部61-2的环状的密封架62-2。在第二保持部件66-2的密封架62-2，旋转自如地安装有用于将密封架62-2向第一保持部件65-2按压固定的压环64-2。压环64-2在其外周部具有向外侧突出的多个突条部64a-2。突条部64a-2的上表面与夹具67-2的内侧突出部的下表面具有沿着旋转方向向彼此相反方向倾斜的锥面。
在保持基板时，首先，在打开第二保持部件66-2的状态下，将基板载置于第一保持部件65-2的保持面68-2，关闭第二保持部件66-2。接下来，使压环64-2向顺时针方向旋转，使压环64-2的突条部64a-2滑入夹具67-2的内侧突出部的内部(下侧)。由此，经由分别设于压环64-2、夹具67-2的锥面，使第一保持部件65-2与第二保持部件66-2彼此紧固而锁定，基板被保持。在解除基板的保持时，在第一保持部件65-2与第二保持部件66-2被锁定的状态下，使压环64-2向逆时针旋转。由此，压环64-2的突条部64a-2从倒L形的夹具67-2脱离，基板的保持被解除。
图21是表示图20所示的基板架60-2的电接点的剖视图。如图21所示，在第一保持部件65-2的保持面68-2载置有基板W。在保持面68-2与第一保持部件65-2之间配置有多个(图示中一个)导电体73-2，该导电体73-2与从设于图20所示的把手69-2的外部接点延伸的多个配线连接。导电体73-2以在将基板W载置到第一保持部件65-2的保持面68-2上时，该导电体73-2的端部在基板W的侧方，在第一保持部件65-2的表面具有弹簧特性的状态下露出的方式多个配置于基板W的圆周外侧。
在密封架62-2的、与第一保持部件65-2相对的面(图中下表面)安装有在利用基板架60-2保持基板W时压接于基板W的表面外周部以及第一保持部件65-2的密封部件70-2。密封部件70-2具有：密封基板W的表面的唇部70a-2、密封第一保持部件65-2的表面的唇部70b-2。
在被密封部件70-2的一对唇部70a-2、70b-2夹持的内部安装有支承体71-2。构成为能够从导电体73-2向支承体71-2供电的电接点72-2利用例如螺栓等固定，并沿着基板W的圆周配置多个。电接点72-2具有：向保持面68-2的内侧延伸的电接点端部72a-2、构成为能够从导电体73-2供电的脚部72b-2。
在图20所示的第一保持部件65-2与第二保持部件66-2被锁定时，如图21所示，密封部件70-2的内周面侧的短的唇部70a-2向基板W的表面按压，外周面侧的长的唇部70b-2向第一保持部件65-2的表面按压。由此，唇部70a-2以及唇部70b-2之间被可靠地密封，基板W被保持。
在被密封部件70-2密封的区域，即被密封部件70-2的一对唇部70a-2、70b-2夹持的区域，导电体73-2与电接点72-2的脚部72b-2电连接，并且电接点端部72a-2与基板W的边缘部上的籽晶层接触。由此，在一边利用密封部件70-2密封一边利用基板架60-2保持基板W的状态下，能够经由电接点72-2向基板W供电。
如上所述，在形成有籽晶层的基板W，预先形成抗蚀剂图案。基板W在被搬运到图19所示的镀覆装置之前，进行UV的照射等，除去基板表面上的抗蚀剂残渣(灰化处理)并且进行抗蚀剂表面的亲水化处理(除渣(デスカム)处理)。进行了灰化处理以及除渣处理的基板W在之后被搬运到镀覆装置，被基板架60-2保持。在此，在基板W的未涂布有抗蚀剂的边缘部上的籽晶层，由于在灰化处理以及除渣处理之后经过时间，因此有时会形成氧化膜，或者附着从抗蚀剂挥发的有机物。由于如图21所示那样，电接点72-2与基板W的边缘部上接触，因此在基板W的边缘部上的籽晶层形成氧化膜，或者附着有机物时，有时在基板架60-2的多个电接点72-2彼此的接触电阻中产生偏差，使镀覆膜厚的均匀性恶化。
在一实施方式中，镀覆装置具有测定基板W的边缘部的籽晶层的电阻的电阻测定器200-2。此外，在本说明书中，基板W的边缘部为能够与电接点72-2接触的区域，或在利用基板架60-2保持基板W时，比密封部件70-2接触的部分更靠近基板W的周缘部侧的区域。例如，在本实施方式中，为比图21所示的密封部件70-2的唇部70a-2所抵接的部分更靠近外周侧的区域，从基板W的外周缘部朝向基板中心约5mm的范围内，更有选为约2mm的范围内。图22是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的侧视图。图23是概略表示图22所示的电阻测定器200-2的上表面图。在一实施方式中，电阻测定器200-2能够配置在定位器40-2或固定单元120-2。或者，电阻测定器200-2也可以设置在镀覆装置内的专用的电阻测定部位。电阻测定器200-2具有电阻测定头202-2。电阻测定头202-2能够是具有与测定对象即基板W大致相同的直径，或者比基板W的直径大的直径的圆板状的构造物。电阻测定头202-2构成为能够利用未图示的移动机构沿与基板W的面的垂直方向移动。另外，作为一实施方式，电阻测定头202-2也可以构成为能够沿着电阻测定头202-2的中心轴以及基板W的中心轴旋转。
如图22，23所示，电阻测定器200-2具有配置在电阻测定头202-2的下表面，即与基板W相对的面的接触针204-2。在电阻测定头202-2沿着基板W的方向移动时，接触针204-2在电阻测定头202-2上配置在接触针204-2与基板W的边缘部接触的位置。在图23的实施方式中，表示了四个接触针204-2，接触针204-2的数量能够任意设定，至少将一个接触针204-2设于电阻测定头202-2。在一实施方式中，接触针204-2能够是具有利用四探针法实现电阻测定的探测器的结构。
在一实施方式中，电阻测定器200-2能够测定基板W的边缘部的多个位置的电阻。当在定位器40-2配置有电阻测定器200-2时，由于定位器40-2具有旋转机构，因此能够使配置在定位器40-2的上方的基板W旋转，使接触针204-2与基板W的边缘部的多个位置接触，从而在各个位置测定电阻。在设置有多个接触针204-2的情况下，也可以使多个接触针204-2同时与基板W的不同位置接触，而同时测定基板W的多个位置的电阻。在将电阻测定器200-2配置在定位器40-2的情况下，电阻测定头202-2也可以不具有旋转机构。另外，在电阻测定器200-2设于固定单元120-2的情况下，使电阻测定头202-2适当旋转，能够测定基板W的多个位置的电阻。另外，在设置有多个接触针204-2的情况下，也可以使多个接触针204-2同时与基板W的不同位置接触，而同时测定基板W的多个位置的电阻。在设置多个接触针204-2的情况下，也可以没有电阻测定头202-2的旋转机构。
图24是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的上表面图。在图24的实施方式中，电阻测定头202-2具有一个接触针204-2。图24的实施方式中的电阻测定头202-2利用未图示的移动机构，能够沿基板W的半径方向或者周向移动，另外，能够沿与基板W的面垂直的方向移动。在电阻测定器200-2配置在定位器40-2的情况下，利用定位器40-2使基板W旋转，由此，能够测定基板W的多个边缘部的电阻。
图32A～图32D是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的上表面图。在图32A～图32D的实施方式中，基板W为多边形的基板，并是大致长方体的形状的基板。另外，在图32A～图32D中，为了图示的明确化，仅图示基板W、电阻测定器200-2，其他结构省略。图33是图32A～图32D的电阻测定器200-2的概略侧视图。如图33所示，电阻测定器200-2具有支承轴部件206-2。支承轴部件206-2构成为能够利用电动机等旋转。另外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面平行的两个正交方向(图32A～图32D中的上下左右方向)直线移动。此外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面垂直的方向(图33中的上下方向)移动。伸长部件208-2从支承轴部件206-2向与基板W的表面平行的方向延伸。伸长部件208-2构成为能够沿与基板W的表面平行的方向伸缩。在伸长部件208-2安装有电阻测定头202-2。在电阻测定头202-2安装有接触针204-2。接触针204-2能够是具有例如通过四探针法实现电阻测定的探测器的结构。接触针204-2通过与基板W的边缘部接触，而能够测定基板W的边缘部的电阻。
为了测定基板W的边缘部的电阻，电阻测定头202-2向接触针204-2与基板W的边缘部接触的位置移动。在图32A所示的状态下，支承轴部件206-2能够沿基板W的边缘部的方向移动。因此，能够测定基板W的一个边缘部的任意位置的电阻。在图32A所示的状态下，若测定了基板W的一个边缘部的电阻，则使支承轴部件206-2旋转90度并适当变更伸长部件208-2的长度，由此，如图32B所示，能够使接触针204-2的位置与下一个边缘部一致。在如图32B所示的状态下，通过使支承轴部件206-2沿基板W的边缘部移动，能够测定基板W的边缘部的任意位置的电阻。另外，使支承轴部件206-2旋转90度，能够测定基板W的下一个边缘部的电阻(图32C)，另外，使支承轴部件206-2再旋转90度，能够测定基板W的下一个边缘部的电阻(图32D)。这样，图32A～图32D以及图33所示的实施方式的电阻测定器200-2能够测定多边形基板的边缘部的电阻。该电阻测定器200-2能够配置在定位器40-2或固定单元120-2。或者，电阻测定器200-2也可以设于镀覆装置内的专用的电阻测定部位。图32A～图32D以及图33所示的实施方式的电阻测定器200-2在电阻测定器200-2具有移动机构，因此也可以不具有用于使基板W移动的机构。
图34A、图34B是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的上表面图。在图34A、图34B的实施方式中，基板W为多边形的基板，并是大致长方体的形状的基板。另外，在图34A、图34B中，为了图示的明确化，仅图示基板W、电阻测定器200-2，其他结构省略。图35是图34A、图34B的电阻测定器200-2的概略侧视图。如图35所示，电阻测定器200-2具有支承轴部件206-2。支承轴部件206-2构成为能够利用电动机等旋转。另外，支承轴部件206-2构成为能够在与基板W的表面平行的两个正交方向(图34A、图34B中的上下左右方向)直线移动。另外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面垂直的方向(图35中的上下方向)移动。两个伸长部件208-2从支承轴部件206-2沿与基板W的表面平行的方向向相反方向延伸。各个伸长部件208-2构成为能够沿与基板W的表面平行的方向伸缩。在各个伸长部件208-2分别安装有电阻测定头202-2。在电阻测定头202-2安装有接触针204-2。接触针204-2能够是具有例如通过四探针法实现电阻测定的探测器的结构。接触针204-2通过与基板W的边缘部接触，而能够测定基板W的边缘部的电阻。
为了测定基板W的边缘部的电阻，电阻测定头202-2向各个接触针204-2与基板W的边缘部接触的位置移动。在图34A所示的状态下，支承轴部件206-2能够沿基板W的边缘部的方向移动。因此，能够同时测定基板W的两个边缘部的任意位置的电阻。在图34A所示的状态下，在测定基板W的两个边缘部的电阻时，通过使支承轴部件206-2旋转90度，并适当变更伸长部件208-2的长度，如图34B所示，能够使接触针204-2的位置与下一个边缘部一致。在图34B所示的状态下，通过使支承轴部件206-2沿着基板W的边缘部移动，能够测定基板W的边缘部的任意位置的电阻。这样，由于图34A、图34B以及图35所示实施方式的电阻测定器200-2具有两个电阻测定头202-2，因此能够同时测定多边形基板的两个边缘部的电阻。该电阻测定器200-2能够配置在定位器40-2或固定单元120-2。或者，也可以将电阻测定器200-2设于镀覆装置内的专用的电阻测定部位。图34A、图34B以及图35所示实施方式的电阻测定器200-2在电阻测定器200-2具有移动机构，因此也可以没有用于使基板W移动的机构。
图36A～图36D是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的上表面图。在图36A～图36D的实施方式中，基板W为多边形的基板，并是大致长方体的形状的基板。另外，在图36A～图36D中，为了图示的明确化，仅图示基板W、电阻测定器200-2，其他结构省略。图37是图36A～图36D的电阻测定器200-2的概略侧视图。如图37所示，电阻测定器200-2具有支承轴部件206-2。支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面平行的方向(图36A～图36D中的左右方向)直线移动。另外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面垂直的方向(图37中的上下方向)移动。伸长部件208-2从支承轴部件206-2向与基板W的表面平行的方向延伸。伸长部件208-2构成为能够在与基板W的表面平行的方向上伸缩。在伸长部件208-2安装有电阻测定头202-2。在电阻测定头202-2安装有接触针204-2。接触针204-2能够是具有例如通过四探针法实现电阻测定的探测器的结构。接触针204-2通过与基板W的边缘部接触，而能够测定基板W的边缘部的电阻。在图37所示的实施方式中，在保持基板W的机构(例如定位器40-2或固定单元120-2等)具有旋转机构，能够使基板W旋转。
为了测定基板W的边缘部的电阻，向接触针204-2与基板W的边缘部接触的位置调整伸长部件208-2的长度。在图36A所示的状态下，支承轴部件206-2能够沿基板W的边缘部的方向移动。因此，能够测定基板W的一个边缘部的任意位置的电阻。在图36A所示的状态下，在测定基板W的一个边缘部的电阻时，通过使支承轴部件206-2旋转90度，并适当变更伸长部件208-2的长度，如图36B所示，能够使接触销204-2的位置与下一个边缘部一致。在如图36B所示的状态下，通过使支承轴部件206-2沿基板W的边缘部移动，能够测定基板W的边缘部的任意位置的电阻。另外，使支承轴部件206-2旋转90度，能够测定基板W的下一个边缘部的电阻(图36C)，另外，使支承轴部件206-2再旋转90度，能够测定基板W的下一个边缘部的电阻(图36D)。这样，图36A～图36D以及图37所示的实施方式的电阻测定器200-2能够测定多边形基板的边缘部的电阻。该电阻测定器200-2能够配置在定位器40-2或固定单元120-2。或者，电阻测定器200-2也可以设于镀覆装置内的专用的电阻测定部位。在如图36A～图36D以及图37所示的实施方式中，由于在基板W侧具有旋转机构，因此在电阻测定器200-2也可以不设置旋转机构。
图38A、图38B是概略表示一实施方式的电阻测定器200-2的上表面图。在图38A、图38B的实施方式中，基板W为多边形的基板，并是大致长方体的形状的基板。另外，在图38A、图38B中，为了图示的明确化，仅图示基板W、电阻测定器200-2，其他结构省略。图39是图38A、图38B的电阻测定器200-2的概略侧视图。如图39所示，电阻测定器200-2具有支承轴部件206-2。另外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面平行的方向(图34A、图34B的左右方向)直线移动。另外，支承轴部件206-2构成为能够沿与基板W的表面垂直的方向(图39的上下方向)移动。两个伸长部件208-2从支承轴部件206-2沿与基板W的表面平行的方向向相反方向延伸。各个伸长部件208-2构成为能够沿与基板W的表面平行的方向伸缩。在各个伸长部件208-2分别安装有电阻测定头202-2。在电阻测定头202-2安装有接触针204-2。接触针204-2能够是具有例如通过四探针法实现电阻测定的探测器的结构。接触针204-2通过与基板W的边缘部接触，而能够测定基板W的边缘部的电阻。在图39所示的实施方式中，在保持基板W的机构(例如定位器40-2或固定单元120-2等)上设置有旋转机构，能够使基板W旋转。
为了测定基板W的边缘部的电阻，电阻测定头202-2向各个接触针204-2与基板W的边缘部接触的位置移动。在图38A所示的状态下，支承轴部件206-2能够沿基板W的边缘部的方向移动。因此，能够同时测定基板W的两个边缘部的任意位置的电阻。在图38A所示的状态下，在测定基板W的两个边缘部的电阻时，通过使基板W旋转90度，并适当变更伸长部件208-2的长度，如图38B所示，能够使接触针204-2的位置与下一个边缘部一致。在图38B所示的状态下，通过使支承轴部件206-2沿基板W的边缘部移动，能够测定基板W的边缘部的任意位置的电阻。这样，图38A、图38B以及图39所示的实施方的电阻测定器200-2具有两个电阻测定头202-2，因此能够同时测定多边形基板的两个边缘部的电阻。该电阻测定器200-2能够配置在定位器40-2或固定单元120-2。或者，也可以将电阻测定器200-2设于镀覆装置内的专用的电阻测定部位。在图38A，图38B以及图39所示的实施方式中，由于在基板W侧具有旋转机构，因此在电阻测定器200-2也可以不具有旋转机构。
电阻测定器200-2与控制装置500-2(参照图19、图22)连接。利用电阻测定器200-2测定的基板W的边缘部的电阻值传递到控制装置500-2。在控制装置500-2，判断传递的基板W的边缘部的电阻值是否在规定的范围内。作为一实施方式，规定的范围能够是例如根据形成在基板W上的籽晶层的厚度等理论算出的值。或者，也可以根据预先测定形成籽晶层的作为基准的标准基板的电阻值的实际测定值来确定规定的范围。在该情况下，标准基板也可以是籽晶层的厚度不同的多个标准基板。电阻值的规定的范围保存在控制装置500-2。图25是表示作为一例，将厚度不同的铜作为籽晶层的基板的电阻的实际测定值的图表。
在利用电阻测定器200-2测定基板W的多个区域的边缘部的电阻值的情况下，在各区域的电阻值都在规定的范围内的情况下，判断为能够进行镀覆处理的基板。另外，也可以将各区域的电阻值的偏差在规定的范围内作为能够进行镀覆处理的判断基准。例如也可以在各区域的电阻值的偏差为+15％到-15％的范围内时判断为能够进行镀覆的基板。例如，电阻值的偏差能够根据最大值与最小值的差，或者距离平均值的最大偏离来判断。另外，在测定基板W的边缘部的电阻值时，也可以对同一区域的电阻值进行多次测定，将平均值作为该区域的电阻值。
在一实施方式中，镀覆装置能够具有边缘部清洗装置45-2。作为一例，边缘部清洗装置45-2能够是用于使形成在基板W的边缘部上的籽晶层的有机物脱离(除去)的结构。作为一实施方式，边缘部清洗装置45-2能够设于定位器40-2。或者，也可以在镀覆装置内设置用于边缘部清洗装置45-2的专用的部位。
图26是具有边缘部清洗装置45-2的定位器40-2的概略上表面图。图27是图26所示的向视27-27的定位器40-2的概略剖视图，图28是图26所示的向视28-28的定位器40-2的概略剖视图。如图26至图28所示，定位器40-2具有基部41-2、旋转台42-2、定位器光源43-2、光检测器44-2、边缘部清洗装置45-2。
旋转台42-2构成为吸附基板W的背面，使基板W沿周向旋转。此外，旋转台42-2通过静电吸附式或真空吸附式来吸附基板W。定位器光源43-2构成为向利用旋转台42-2旋转的基板W的边缘部附近照射光46-2。通过使基板W旋转，在基板W的凹口移动到照射有来自定位器光源43-2的光46-2的位置时，光46-2通过凹口到达光检测器44。在光检测器44-2检测到光46-2时，定位器40-2能够识别到基板W的凹口位于定位器光源43-2的正下方，从而能够校正基板W的朝向。
边缘部清洗装置45-2是UV照射装置或等离子体放射装置。在本实施方式中，构成为能够从基板W的上方向基板W的边缘部局部地使用UV或等离子体。边缘部清洗装置45-2能够对保持于基板架60-2之前的基板W的边缘部局部地使用UV或等离子体。换言之，基板W的除了边缘部以外的区域不暴露在UV或等离子体中。通过利用旋转台42-2使基板W旋转，能够遍及基板W的边缘部全周而高效地使用UV或等离子体。在向附着于基板W的边缘部的有机物照射UV或等离子体时，有机物被分解而生成挥发性物质，从而将成为挥发性物质的有机物挥发除去。UV照射装置的UV照射源或等离子体放射装置的等离子体放射口与基板W的距离优选为约1mm以上约10mm以下。在该距离不足1mm时，基板与UV照射源或等离子体放射装置的等离子体放射口可能物理接触。另外，在该距离超过10mm时，可能不能局部地照射UV或等离子体。为了使基板与UV照射源或等离子体放射装置的等离子体放射口更可靠地不进行物理接触，另外为了能够局部地照射，更有选该距离为约2mm以上约5mm以下。
在边缘部清洗装置45-2为UV照射装置的情况下，作为UV光源，例如，能够采用高压水银灯、低压水银灯、紫外线灯或能够发出UV区域的光的激光光源等。由于高压水银灯、低压水银灯以及紫外线灯具有使光发散的倾向，因此在采用这些光源的情况下，优选将光源设于基板W的附近，或者使用光学系统而仅对边缘部照射UV。在边缘部清洗装置45-2为等离子体放射装置的情况下，能够采用例如大气远程等离子体装置等。
另外，定位器40-2在基板W的边缘部也可以具有：从边缘部的上方，将紫外区域(200nm到380nm)的光，例如具有365nm的波长的光作为激发光而相对于基板W的边缘部照射，并通过观察来自边缘部的反射光来测定吸光度的传感器(分光光度计)，或者用于照射荧光区域的光而显示其反射光的强度的传感器(荧光反射膜厚计)。
该传感器(未图示)也可以设于边缘部清洗装置45-2，也可以在定位器40-2另外设置。本实施方式的镀覆装置的控制装置500-2根据由该传感器测定的吸光度或荧光强度的值是否是比预先设定的阈值大的值而能够判定判定边缘部的污染物质(包括有机物以及氧化膜)是否被充分除去。或者，也可以利用前述电阻测定器200-2测定基板W的边缘部的电阻，从而判断边缘部的污染物质是否被充分除去。例如，在判断为边缘部的污染物质未被充分除去的情况下，边缘部清洗装置45-2也可以重复实施对基板W的边缘部局部地放射UV或等离子体的工序。另外，在判定为边缘部的污染物质被充分除去的情况下，作为完成了有机物的脱离的基板，基板W通过基板搬运装置122-2而被搬运到固定单元120-2，并在此继续进行一系列的镀覆处理。这样，在镀覆处理前判定在基板W的边缘部是否存在污染物质，然后，对在边缘部不残存污染物质的基板进行镀覆处理，从而能够更可靠地防止由基板架60-2具有的电接点的接触电阻的偏差所导致的基板W的镀覆膜厚的面内均匀性的恶化等。
边缘部清洗装置45-2能够是与上述实施方式不同的结构。例如边缘部清洗装置45-2也可以构成为一边使基板W旋转一边供给用于除去形成在基板W的边缘部的氧化膜的药液。或者，边缘部清洗装置45-2能够构成为一边使基板W旋转，一边使海绵等与基板W的边缘部接触，从而物理地除去形成在基板W的边缘部的有机物、氧化膜等异物。
图29是表示一实施方式的镀覆方法的流程图。作为一实施方式，本镀覆方法能够使用上述镀覆装置来执行。首先，使进行镀覆处理的基板W利用装载/卸载部170A-2收入镀覆装置内(S102-2)。基板W通过基板搬运装置122-2而被向定位器40-2搬运，利用定位器40-2使基板的朝向与规定的方向一致(S104-2)。接着，测定基板W的边缘部的籽晶层的电阻(S106-2)。电阻的测定能够利用上述电阻测定器200-2进行。判断测定的电阻是否在规定的范围内(S108-2)。该判断例如通过控制装置500-2进行。在电阻不在规定的范围内的情况下，认为不能进行均匀的镀覆，因此使基板W返回前开式晶圆盒102-2。此外，电阻的测定(S106-2～S110-2)也可以在利用定位器40-2使基板的朝向一致(S104-2)前进行。在电阻为规定的范围内的情况下，使基板W保持于基板架60-2(S112-2)。在使基板W保持于基板架60-2时，进行电流是否从基板架60-2的电接点向基板W流动的导通检查(S114-2)。此外，导通检查也可以省略。然后，在使基板W保持在基板架60-2的状态下，进行后续的镀覆处理(S116-2)。
利用该镀覆方法，通过测定基板W的边缘部的导电层即籽晶层的电阻，能够检测基板W的异常，能够避免不必要的镀覆处理。在上述专利文献1的技术中，不能进行电阻的异常是基板侧的原因还是基板架侧的原因的判断，而在本发明的镀覆方法中，能够检测基板侧的原因导致的电阻的异常。此外，导电层即籽晶层能够是含有包括Cu(铜)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)以及钯(Pd)中的至少一种的金属的层。
图30是表示一实施方式的镀覆方法的流程图。作为一实施方式，本镀覆方法能够使用上述镀覆装置执行。首先，使进行镀覆处理的基板W利用装载/卸载部170A-2收入镀覆装置内(S202-2)。基板W通过基板搬运装置122-2而被向定位器40-2搬运，利用定位器40-2使基板的朝向与规定的方向一致(S204-2)。接着，测定基板W的边缘部的籽晶层的电阻(S206-2)。电阻的测定能够利用上述电阻测定器200-2进行。判断测定的电阻是否在规定的范围内(S208-2)。该判断例如利用控制装置500-2进行。在电阻不在规定的范围内的情况下，考虑是在基板的表面未均匀形成导电层(籽晶层)的情况，或者在基板凸部抗蚀剂时产生的杂质残留在基板上的情况、基板的表面氧化的情况等。因此，进行基板W的边缘部的清洗(S210-2)。基板W的边缘部的清洗例如能够利用上述边缘部清洗装置45-2进行。在进行了基板W的边缘部的清洗之后，再次利用定位器40-2使基板W的朝向一致(S204-2)，以及进行基板W的边缘部的电阻的测定和判断(S206-2、S208-2)。此外，电阻的测定(S106-2～S110-2)也可以在利用定位器40-2使基板的朝向一致(S104-2)前进行。在电阻在规定的范围内的情况下，使基板W保持于基板架60-2(S212-2)。在使基板W保持与基板架60-2时，进行电流是否从基板架60-2的电接点向基板W流动的导通检查(S214-2)。此外，导通检查也可以省略。然后，在基板W保持于基板架60-2的状态下，进行后续的镀覆处理(S216-2)。此外，即便进行了基板W的边缘部的清洗，在基板W的边缘部的电阻不在规定的范围的情况下，也可以使基板W返回前开式晶圆盒102-2，而不对该基板W进行镀覆处理。
利用该镀覆方法，在基板的边缘部有异常的情况下，通过清洗基板的边缘部，使基板的边缘部成为适当的状态，而成为能够进行适当的镀覆处理的状态。通过测定基板W的边缘部的导电层即籽晶层的电阻，能够检测基板侧的异常，因此能够进行这样处理。
作为一实施方式，电阻测定器200-2能够作为基板架60-2的泄漏检测机构使用。如与图21一起说明的那样，在基板W保持于基板架60-2时，基板W的边缘部利用密封部件70-2从基板W的被镀覆面隔离。因此，在恰当地进行密封的状态下，在镀覆处理时，镀覆液不与基板W的边缘部接触。但是，在不恰当地进行密封的情况下，在镀覆处理中，镀覆液有时会浸入基板W的边缘部的区域。在镀覆液附着于基板W的边缘部分时，考虑基板W的边缘部的电阻增大。在此，如上所述，在将基板W保持于基板架60-2之前测定基板W的边缘部的电阻，并且在镀覆处理后(S116-2、S216-2之后)测定基板W的边缘部的电阻，能够检测在基板架60-2是否发生泄漏。在镀覆处理的前后，如果基板W的边缘部的电阻增大，则可能在基板架60-2发生泄漏。
上述镀覆方法以及基板架的泄漏检测方法也可以利用计算机程序实施。该程序也可以记录在计算机(例如控制装置500-2)可读的非暂时性的记录介质。非暂时性的记录介质例如也可以是存储装置。非暂时性的记录介质例如也可以是CD-ROM、DVD-ROM等。
以上，基于几个示例对本发明的实施方式进行了说明，上述发明的实施方式仅是为了容易理解本发明，而不限定本发明。对本发明而言，在不脱离其要旨的范围内能够进行变更、改良，并且本发明当然包括其等同物。另外，在能够解决上述课题的至少一部分的范围或能够达到效果的至少一部分的范围内，能够对权利要求的范围以及说明书所记载的各结构要素进行任意的组合或省略。

Claims (17)

1.一种电阻测定模块，所述电阻测定模块用于测定基板架的电阻，其特征在于，
所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点，
所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板，所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，
所述电阻测定模块具有：
能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器；以及
用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述检查探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的电阻测定器。
2.如权利要求1所述的电阻测定模块，其特征在于，
所述电阻测定模块具有检查用基板，该检查用基板具有电绝缘的多个区域。
3.如权利要求2所述的电阻测定模块，其特征在于，
所述电阻测定器构成为所述检查探测器能够与所述检查用基板的所述多个区域接触。
4.如权利要求3所述的电阻测定模块，其特征在于，
所述电阻测定器的所述检查探测器构成为能够向所述检查用基板的面内方向移动。
5.如权利要求3所述的电阻测定模块，其特征在于，
所述电阻测定器具有支承部件，
所述检查探测器安装于所述支承部件，
所述支承部件构成为能够以与所述检查用基板的面垂直的轴为中心旋转。
6.如权利要求3至5中任一项所述的电阻测定模块，其特征在于，
所述电阻测定器具有多个检查探测器，
所述多个检查探测器构成为能够与所述检查用基板的所述多个区域分别接触。
7.一种基板架，其特征在于，具有：
用于支承基板的基板支承部；
用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点；以及
配置在所述基板支承部之上的导电板；
在基板架未保持基板的状态下，所述电接点、所述导电板构成为能够接触。
8.如权利要求7所述的基板架，其特征在于，具有：
用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的多个电接点；
配置在所述基板支承部之上的多个导电板；
在基板架未保持基板的状态下，所述多个电接点与所述多个导电板构成为能够分别接触。
9.一种镀覆装置，其特征在于，具有：
对作为镀覆对象物的基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的电阻测定器；以及
用于保持基板的基板架；
在利用所述基板架保持基板之前，所述电阻测定器对基板的电阻进行测定。
10.如权利要求9所述的镀覆装置，其特征在于，
所述电阻测定器构成为对基板的边缘部的导电层的多个位置的电阻进行测定。
11.如权利要求9或10所述的镀覆装置，其特征在于，
所述电阻测定器具有接触针，该接触针构成为与基板的边缘部的导电层接触。
12.如权利要求11所述的镀覆装置，其特征在于，
所述接触针构成为能够沿基板的周向移动。
13.如权利要求9至12中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，
还具有用于使基板的朝向与规定的方向一致的定位器，
所述电阻测定器构成为对配置于所述定位器的基板的电阻进行测定。
14.如权利要求9至12中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，
还具有用于将基板固定于所述基板架的固定单元，
所述电阻测定器构成为对配置于所述固定单元的基板的电阻进行测定。
15.如权利要求9至14中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，
还具有接收由所述电阻测定器测定的电阻值的控制装置，
所述控制装置构成为基于所接收的所述电阻值来判断基板的状态。
16.如权利要求9至15中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，
还具有用于清洗基板的边缘部的边缘部清洗装置。
17.一种镀覆装置，其特征在于，具有：
对作为镀覆对象物的基板的边缘部的导电层的电阻进行测定的第一电阻测定器；以及
用于保持基板的基板架；
所述第一电阻测定器构成为在利用所述基板架保持基板之前对基板的电阻进行测定，
所述镀覆装置还具有用于测定基板架的电阻的架电阻测定模块，
所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点，
所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板，所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，
所述架电阻测定模块具有：
能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器；以及
用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述检查探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的第二电阻测定器。
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