TW201817924A - 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置 - Google Patents

滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201817924A
TW201817924A TW106138970A TW106138970A TW201817924A TW 201817924 A TW201817924 A TW 201817924A TW 106138970 A TW106138970 A TW 106138970A TW 106138970 A TW106138970 A TW 106138970A TW 201817924 A TW201817924 A TW 201817924A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
pressure
pressurized gas
substrate holder
holding member
Prior art date
Application number
TW106138970A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI732968B (zh
Inventor
尾形奨一郎
木村誠章
矢作光敏
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201817924A publication Critical patent/TW201817924A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI732968B publication Critical patent/TWI732968B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/004Sealing devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12Shape or form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • C25D7/123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • G01M3/32Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators
    • G01M3/3209Details, e.g. container closure devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • G01M3/32Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators
    • G01M3/3236Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators by monitoring the interior space of the containers
    • G01M3/3263Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators by monitoring the interior space of the containers using a differential pressure detector
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • G01M3/32Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators
    • G01M3/3281Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for containers, e.g. radiators removably mounted in a test cell
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/06Filtering particles other than ions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)

Abstract

[課題] 本發明提供一種可比過去滲漏檢查正確檢查基板固持器之密封性能而經過改良的滲漏檢查方法。 [解決手段] 滲漏檢查方法以具備第一保持構件38、及具有使基板W表面露出之開口部40a的第二保持構件40之基板固持器24保持基板W,以基板固持器24保持基板時,將第二保持構件40之密封突起48按壓於基板W表面,以密封帽61覆蓋從開口部40a露出之基板W表面及密封突起48,在密封帽61與基板固持器24之間形成密閉空間S,將加壓氣體導入密閉空間S內,檢測密閉空間S內之加壓氣體的壓力降低。

Description

滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置
本發明係關於一種檢查保持晶圓等基板之基板固持器的密封性能之滲漏檢查方法及滲漏檢查裝置。此外,本發明係關於一種包含此種滲漏檢查方法及滲漏檢查裝置之電解鍍覆方法及電解鍍覆裝置。
在鍍覆晶圓等基板之電解鍍覆裝置會使用可裝卸地保持基板的基板固持器。保持於基板固持器之基板會被浸漬於鍍覆液中。在陽極與基板之間施加電壓時,電流通過鍍覆液而從陽極流入基板,在鍍覆液存在下鍍覆基板表面。
電解鍍覆時使用之上述基板固持器具有與基板之被鍍覆面接觸的電接點。基板鍍覆中,因為基板固持器浸漬於鍍覆液中,基板固持器具有防止鍍覆液侵入之密封功能,來避免鍍覆液接觸到電接點。基板固持器保持基板時,在基板固持器內部形成密閉空間,電接點配置於該密閉空間內。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2003-277995號公報 [專利文獻2] 日本專利第5782398號公報
[發明所欲解決之問題]
基板固持器之密封性能降低時,鍍覆液會侵入基板固持器之密閉空間內而與電接點接觸。因此,如專利文獻1及專利文獻2所揭示,習知有用於檢查基板固持器之密封性能的技術。
本發明之目的為提供可比過去的滲漏檢查更正確地檢查基板固持器之密封性能且經改良的滲漏檢查裝置及滲漏檢查方法。此外,本發明之目的為提供包含如此滲漏檢查裝置及滲漏檢查方法之電解鍍覆裝置及電解鍍覆方法。 [解決問題之手段]
本發明一種樣態之滲漏檢查方法的特徵為:以基板固持器保持基板,該基板固持器具備:第一保持構件;及第二保持構件,其係具有使基板表面露出之開口部;以前述基板固持器保持基板時,將前述第二保持構件之密封突起按壓於前述基板表面,以密封帽覆蓋從前述開口部露出之前述基板表面及前述密封突起,在前述密封帽與前述基板固持器之間形成密閉空間,將加壓氣體導入前述密閉空間內,檢測前述密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
本發明之適合樣態進一步包含從預設之壓力範圍選擇壓力指示值,將前述選擇之壓力指示值傳送至壓力調節器,依據前述壓力指示值以前述壓力調節器調節前述密閉空間內之前述加壓氣體的壓力之工序。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍包含使保持於前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之前述鍍覆液的壓力。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍之下限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之最上部的前述鍍覆液之壓力值。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍之上限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之最下部的前述鍍覆液之壓力值乘上係數的值。
本發明之適合樣態,在前述密封帽與前述基板固持器之間形成前述密閉空間的工序,係將前述密封帽按壓於前述基板固持器,而在前述密封帽與前述基板固持器之間形成密閉空間的工序。 本發明之適合樣態進一步包含將前述密封帽之分隔壁密封按壓於前述基板固持器,而將前述密閉空間區分成第一密閉空間與第二密閉空間之工序,將前述加壓氣體導入前述密閉空間內之工序,係在前述第一密閉空間或前述第二密閉空間之其中一個供給前述加壓氣體的工序,且前述密封突起係第一密封突起,前述第二保持構件進一步具備與前述第一保持構件接觸之第二密封突起,前述第一密封突起及前述第二密封突起分別面對前述第一密閉空間及前述第二密閉空間。
本發明一種樣態之滲漏檢查方法的特徵為:以基板固持器保持基板,該基板固持器具備:第一保持構件,其係具有第一開口部及背側密封突起;及第二保持構件,其係具有第二開口部及表側密封突起;以前述基板固持器保持基板時,將前述表側密封突起與前述背側密封突起分別按壓於前述基板表側之面及背側之面,以表側密封帽覆蓋從前述第二開口部露出之前述基板表側之面及前述表側密封突起,在前述表側密封帽與前述基板固持器之間形成表側密閉空間,以背側密封帽覆蓋從前述第一開口部露出之前述基板背側之面及前述背側密封突起,在前述背側密封帽與前述基板固持器之間形成背側密閉空間,將加壓氣體導入前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內,檢測前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
本發明之適合樣態進一步包含從預設之壓力範圍選擇壓力指示值,將前述選擇之壓力指示值傳送至壓力調節器,依據前述壓力指示值以前述壓力調節器調節前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內之前述加壓氣體的壓力之工序。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍包含使保持於前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起及前述背側密封突起的前述鍍覆液之壓力。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍之下限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起或前述背側密封突起之最上部的前述鍍覆液之壓力值。 本發明之適合樣態,前述壓力範圍之上限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起或前述背側密封突起之最下部的前述鍍覆液之壓力值乘上係數的值。
本發明一種樣態之電解鍍覆方法的特徵為:將須鍍覆之基板以基板裝卸部裝設於基板固持器,執行上述滲漏檢查方法,使保持於基板固持器之基板浸漬於鍍覆液中來鍍覆該基板。 本發明之適合樣態,前述滲漏檢查方法係在前述基板裝卸部執行。
本發明一種樣態之滲漏檢查裝置,係以基板固持器,其具備:第一保持構件及具有使基板表面露出之開口部第二保持構件,來保持基板時,檢查來自按壓於前述基板表面之前述第二保持構件的密封突起之流體洩漏,其特徵為具備:密封帽,其係具有覆蓋前述開口部及前述密封突起之形狀;加壓氣體供給系統,其係將加壓氣體導入形成於前述密封帽與前述基板固持器之間的密閉空間內;及壓力降低檢測器,其係檢測前述密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。 本發明之適合樣態進一步具備:壓力調節器,其係依據壓力指示值調節前述加壓氣體之壓力;及動作控制部,其係記憶預設之壓力範圍;前述動作控制部將從前述壓力範圍所選擇之前述壓力指示值傳送至前述壓力調節器。
本發明一種樣態之電解鍍覆裝置的特徵為具備:基板裝卸部,其係用於將須鍍覆之基板裝設於基板固持器;鍍覆槽,其係可在內部保持鍍覆液;及上述滲漏檢查裝置。 本發明之適合樣態,前述滲漏檢查裝置係被結合於前述基板裝卸部。
本發明一種樣態之滲漏檢查裝置,係以基板固持器,其具備:具有第一開口部及背側密封突起第一保持構件,及具有第二開口部及表側密封突起的第二保持構件,來保持基板時,檢查來自分別按壓於前述基板表側之面及背側之面的前述表側密封突起與前述背側密封突起的流體洩漏,其特徵為具備:表側密封帽,其係具有覆蓋前述第二開口部及前述表側密封突起之形狀;背側密封帽,其係具有覆蓋前述第一開口部及前述背側密封突起之形狀;加壓氣體供給系統,其係將加壓氣體導入形成於前述表側密封帽與前述基板固持器之間的表側密閉空間、及形成於前述背側密封帽與前述基板固持器之間的背側密閉空間內;及壓力降低檢測器,其係檢測前述表側密閉空間及前述背側密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。 本發明之適合樣態進一步具備:壓力調節器,其係依據壓力指示值調節前述加壓氣體之壓力;及動作控制部,其係記憶預設之壓力範圍;前述動作控制部將從前述壓力範圍所選擇之前述壓力指示值傳送至前述壓力調節器。
本發明一種樣態之電解鍍覆裝置的特徵為具備:基板裝卸部,其係用於將須鍍覆之基板裝設於基板固持器;鍍覆槽,其係可在內部保持鍍覆液;及上述滲漏檢查裝置。 本發明之適合樣態,前述滲漏檢查裝置係被結合於前述基板裝卸部。 [發明之效果]
滲漏檢查係在密閉空間內供給了加壓氣體之狀態下進行。滲漏檢查中,對基板施加加壓氣體之壓力,並在從密封突起離開之方向推基板。基板鍍覆中,仍對基板施加鍍覆液之壓力,並在從密封突起離開之方向推基板。換言之,使用加壓氣體之滲漏檢查係在接近使基板浸漬於鍍覆液時之條件的條件下進行。因此,採用本發明可比使用真空壓力之過去滲漏檢查正確地檢查基板固持器的密封性能。
以下,參照圖式說明本發明一種實施形態。 第一圖係顯示電解鍍覆裝置所具備之鍍覆槽的一種實施形態之縱剖前視圖。如第一圖所示,在鍍覆槽10內部保持鍍覆液。鄰接於鍍覆槽10設有接住從鍍覆槽10邊緣溢出之鍍覆液的溢流槽12。
溢流槽12之底部連接設有泵14之鍍覆液循環管線16的一端,鍍覆液循環管線16之另一端連接於鍍覆槽10的底部。積存於溢流槽12內之鍍覆液伴隨泵14之驅動,通過鍍覆液循環管線16而返回鍍覆槽10內。鍍覆液循環管線16中位於泵14之下游側裝插有:調節鍍覆液之溫度的調溫單元20、及除去鍍覆液內之異物的過濾器22。
電解鍍覆裝置具備基板固持器24,其裝卸自如地保持晶圓等的基板(被鍍覆體)W,並使基板W以垂直狀態浸漬於鍍覆槽10內的鍍覆液。進一步,電解鍍覆裝置具備:配置於鍍覆槽10內之陽極26;及保持該陽極26之陽極固持器28。將保持基板W之基板固持器24設置於鍍覆槽10時,基板W與陽極26在鍍覆槽10內彼此相對。另外,在基板W中事先形成有導電層(例如種層)。陽極26電性連接於電源30之正極,基板W之導電層經由基板固持器24連接於電源30的負極。電源30在陽極26與基板W之間施加電壓時,基板W在鍍覆液存在下被鍍覆而於基板W表面析出金屬(例如銅)。
在基板固持器24與陽極26之間配置有與基板W表面平行地往返運動來攪拌鍍覆液的槳葉32。藉由以槳葉32攪拌鍍覆液,可將足夠之金屬離子均勻地供給基板W表面。再者,在槳葉32與陽極26之間配置有用來使整個基板W之電位分布更均勻,而由電介質構成之調整板(Regulation plate)34。
第二圖係顯示基板固持器24之模式剖面圖。基板固持器24使用用於電解鍍覆晶圓等基板W之電解鍍覆裝置。如第二圖所示,基板固持器24具有保持基板W之第一保持構件38及第二保持構件40。第二保持構件40藉由連結機構41而固定於第一保持構件38。
連結機構41具備:固定於第一保持構件38之第一連結構件42、及固定於第二保持構件40之第二連結構件43。第二連結構件43安裝於第二保持構件40之外面。第一連結構件42與第二連結構件43構成彼此可嚙合。將第一連結構件42與第二連結構件43彼此嚙合時,第二保持構件40即固定於第一保持構件38。解除第一連結構件42與第二連結構件43之嚙合時,第二保持構件40可從第一保持構件38離開。
第一保持構件38具有支撐基板W背側之面的基板支撐面38a。基板W裝載於基板支撐面38a上。第二保持構件40具有比基板W表側之面小的開口部40a。本實施形態之開口部40a係圓形,且開口部40a之直徑比基板W的直徑小。以基板固持器24保持基板W時,基板W表側之面從該開口部40a露出。基板W表側之面係被鍍覆面。
第二保持構件40具有無端狀之第一密封突起48及第二密封突起47。第一密封突起48及第二密封突起47亦可係O型環等密封構件。一種實施形態包含第一密封突起48及第二密封突起47的第二保持構件40本身亦可由具有密封功能之材料構成。本實施形態之第一密封突起48及第二密封突起47係環狀,且同心狀配置。第二密封突起47配置於第一密封突起48之半徑方向外側。第二密封突起47之大小(直徑)比第一密封突起48的大小(直徑)大。在基板之被鍍覆面朝下的狀態下,將基板固持器水平配置於鍍覆槽之面朝下型鍍覆裝置中,亦可省略第二密封突起47。
將基板W背側之面支撐於基板支撐面38a的狀態下,以連結機構41將第二保持構件40固定於第一保持構件38時,第一密封突起48按壓於基板W表側之面(被鍍覆面)的外周部,第二密封突起47按壓於第一保持構件38。第一密封突起48密封第二保持構件40與基板W表側之面間的間隙,第二密封突起47密封第一保持構件38與第二保持構件40之間的間隙。結果在基板固持器24內形成內部空間R。
上述內部空間R藉由第一保持構件38、第二保持構件40、及基板W而形成。基板固持器24具有配置於該內部空間R內之複數個電接點50。此等電接點50在基板W保持於基板固持器24時,係以接觸於基板W周緣部之方式配置。電接點50分別連接於在第一保持構件38內延伸之複數條電線54。電線54配置於形成在第一保持構件38之配線通路55內。電線54之一端連接於電接點50,電線54之另一端連接於固定在第一保持構件38的外部端子59。將基板固持器24設置於第一圖所示之鍍覆槽10時,外部端子59電性連接於第一圖所示之電源30。
配線通路55之一端在第一保持構件38之外面開口,配線通路55之另一端連通於內部空間R。內部空間R通過配線通路55而與大氣連通。因此,在內部空間R內形成大氣壓。
第三圖係顯示用於檢查基板固持器24之第一密封突起48及第二密封突起47的密封性能的滲漏檢查裝置60之一種實施形態的模式圖。第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能檢查,係藉由檢查加壓氣體是否通過此等密封突起47、48而滲漏來進行。該滲漏檢查係在基板固持器24保持基板W之狀態下進行。
如第三圖所示,滲漏檢查裝置60具備:具有覆蓋基板固持器24之第二保持構件40的形狀之密封帽61;將該密封帽61按壓於基板固持器24之第一保持構件38的按壓機構62;及連接於密封帽61之加壓氣體供給系統63。按壓機構62例如係空氣氣缸或電動致動器。密封帽61係不允許氣體通過之剛體,且尺寸比基板W及第二保持構件40大。密封帽61具有覆蓋第二保持構件40之開口部40a、第一密封突起48、及第二密封突起47的形狀。密封帽61具有固定在其開口端上之無端狀的氣密66。本實施形態之氣密66係環狀。
在氣密66接觸於基板固持器24之第一保持構件38的狀態下,密封帽61藉由按壓機構62按壓於基板固持器24。氣密66按壓於基板固持器24之第一保持構件38,而密封密封帽61與第一保持構件38之間的間隙。藉此,在密封帽61與基板固持器24之間形成密閉空間S。密閉空間S藉由密封帽61、基板固持器24之第一保持構件38及第二保持構件40、從第二保持構件40之開口部40a露出的基板W表側之面而形成。從第二保持構件40之開口部40a露出的基板W表側之面、第一密封突起48及第二密封突起47藉由密封帽61覆蓋。
加壓氣體供給系統63具備:連接於密封帽61之加壓氣體導入管線70;從加壓氣體導入管線70分岔之壓差檢查管線75;及連接於加壓氣體導入管線70與壓差檢查管線75兩者之橋接管線88。滲漏檢查裝置60具備:連接於壓差檢查管線75之主容器80;及測定上述密閉空間S內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體間之壓力差的壓差測定器85。主容器80係保證不產生滲漏之容器。壓差測定器85安裝於橋接管線88,並連通於密閉空間S與主容器80兩者。壓差測定器85之一端經由橋接管線88連結於加壓氣體導入管線70,壓差測定器85之另一端經由橋接管線88及壓差檢查管線75而連結於主容器80。
加壓氣體導入管線70之一端連接於加壓氣體供給源90,加壓氣體導入管線70之另一端連通於形成在密封帽61與基板固持器24之間的密閉空間S。因此,加壓氣體通過加壓氣體導入管線70而供給至密閉空間S內。再者,加壓氣體通過加壓氣體導入管線70及壓差檢查管線75而供給至主容器80內。加壓氣體之例如為氮氣、氦氣、氬氣、二氧化碳等。
在加壓氣體導入管線70中安裝有壓力調節器93,壓力調節器93之動作藉由動作控制部95控制。壓力調節器93係可依據從動作控制部95傳送之壓力指令值,調節加壓氣體導入管線70內之加壓氣體壓力的裝置。此種壓力調節器93可使用電動氣動調節器。壓力調節器93具有測定加壓氣體導入管線70內之加壓氣體壓力的壓力感測器(無圖示)。動作控制部95將壓力指令值傳送至壓力調節器93,壓力調節器93以加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式動作。
加壓氣體導入管線70與壓差檢查管線75上分別連接有固持器側排氣管線97與主側排氣管線98。加壓氣體供給系統63具備:安裝於加壓氣體導入管線70之固持器側閥門101;安裝於壓差檢查管線75之主側閥門102;安裝於固持器側排氣管線97之第一通氣閥門103;及安裝於主側排氣管線98之第二通氣閥門104。固持器側閥門101及主側閥門102位於橋接管線88之上游側。固持器側排氣管線97、第一通氣閥門103、主側排氣管線98、及第二通氣閥門104位於橋接管線88之下游側。固持器側閥門101、主側閥門102、第一通氣閥門103、及第二通氣閥門104之動作藉由動作控制部95來控制。
關閉第一通氣閥門103及第二通氣閥門104狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101及主側閥門102時,加壓氣體通過加壓氣體導入管線70及壓差檢查管線75而導入密閉空間S及主容器80內。密閉空間S及主容器80內之加壓氣體壓力藉由壓力調節器93調節,壓力調節器93之動作藉由動作控制部95來控制。
關閉固持器側閥門101及主側閥門102時,密閉空間S及主容器80被密封,加壓氣體被封入密閉空間S及主容器80內部。被密封之密閉空間S內的加壓氣體壓力與被密封之主容器80內的加壓氣體壓力相同。但是,當基板固持器24之第一密封突起48及/或第二密封突起47的密封性能降低時,密閉空間S內之加壓氣體會通過第一密封突起48及/或第二密封突起47而洩漏至基板固持器24的內部空間R。結果密閉空間S內之壓力降低。
因此,為了檢查從密閉空間S洩漏加壓氣體,滲漏檢查裝置60具備檢測密閉空間S內之加壓氣體壓力降低的壓力降低檢測器81。更具體而言,壓力降低檢測器81測定被密封之密閉空間S內的加壓氣體壓力降低量,決定降低之壓力量在設定時間內是否超過臨限值。本實施形態之壓力降低檢測器81至少具備主容器80與壓差測定器85。由於主容器80係保證不產生滲漏之容器,因此儘管時間經過,主容器80內之壓力不致降低。
壓差測定器85係以測定密閉空間S內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體間之壓力差的方式構成。該壓力差相當於密閉空間S內之加壓氣體壓力降低的量。再者,壓差測定器85將壓力差與臨限值比較,判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值。壓差測定器85係以在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,發送表示加壓氣體無滲漏(亦即第一密封突起48及第二密封突起47功能正常)的信號;在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,第一密封突起48及/或第二密封突起47產生瑕疵)之信號的方式構成。設定時間為1秒至30秒,並宜為2秒至10秒之範圍內。一種實施形態亦可壓力降低檢測器81以壓力感測器(無圖示)測定密閉空間S內之加壓氣體壓力,檢測該測定之壓力在設定時間內低於臨限值。
採用本實施形態時,在滲漏檢查中對基板W及基板固持器24施加加壓氣體之壓力。即使在基板W鍍覆中,同樣地仍對基板W及基板固持器24施加鍍覆液之壓力。特別是,藉由鍍覆液從第一密封突起48離開之方向推基板W。使用加壓氣體之滲漏檢查是在接近使基板W浸漬於鍍覆液時之條件的條件下進行。因此,採用本實施形態時,可比使用真空壓力之過去滲漏檢查更正確檢查第一密封突起48及第二密封突起47的密封性能。
為了在接近使基板W浸漬於鍍覆液時之條件的條件下進行滲漏檢查,加壓氣體之壓力宜相當於基板W鍍覆時施加於第一密封突起48及第二密封突起47的鍍覆液之壓力。加壓氣體之壓力從此種觀點而預先決定,動作控制部95係以加壓氣體保持上述決定之壓力的方式控制壓力調節器93之動作。
如第一圖所示,基板固持器24及基板W係以垂直姿態浸漬於鍍覆液中。因而,基板固持器24之上部與下部的鍍覆液壓力有差。本實施形態在第一密封突起48及第二密封突起47中,最低鍍覆液壓力作用之部位係第二密封突起47的最上部,而最高鍍覆液壓力作用之部位係第二密封突起47的最下部。第一密封突起48之直徑比第二密封突起47的直徑大情況下,最低鍍覆液壓力作用之部位係第一密封突起48的最上部,而最高鍍覆液壓力作用之部位係第一密封突起48的最下部。
以下之說明,係將施加於第二密封突起47最上部之鍍覆液的壓力稱為壓力P1,並將施加於第二密封突起47最下部之鍍覆液的壓力稱為壓力P2。一種實施形態中,施加於第一密封突起48最上部之鍍覆液的壓力亦可為壓力P1,施加於第一密封突起48之最下部的鍍覆液之壓力亦可為壓力P2。
壓力P1、P2取決於基板固持器24之大小、基板W之直徑、第二密封突起47(或第一密封突起48)之直徑、積存於鍍覆槽10內之鍍覆液的液面位置。因為鍍覆液會越過鍍覆槽10之側壁而流入溢流槽12,所以鍍覆液之液面位置相當於鍍覆槽10側壁的上端位置。
使用於滲漏檢查之加壓氣體的壓力,係依據在基板W鍍覆中可從鍍覆液施加於第二密封突起47(或第一密封突起48)的壓力P1及壓力P2而決定。一種實施形態係加壓氣體之壓力為壓力P1以上,且壓力P2以下。加壓氣體之壓力亦可比壓力P2高。動作控制部95中預先記憶有預設之壓力範圍。該壓力範圍係包含使保持於基板固持器24之基板W浸漬於鍍覆液時,預期施加於第一密封突起48及第二密封突起47之鍍覆液的壓力範圍。一種實施形態係壓力範圍之下限值為壓力P1,上限值為壓力P2之值乘上係數而獲得的數值。係數係1以上,且預先設定。
動作控制部95將從壓力範圍選擇之壓力指令值傳送至壓力調節器93,壓力調節器93以加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值之壓力的方式動作。一種實施形態之壓力指令值係壓力P2之值。此時,供給至密閉空間S之加壓氣體具有相當於可從鍍覆液施加於第二密封突起47之最大壓力的壓力P2。因而,滲漏檢查係在實際且不利條件下進行。換言之,具備滲漏檢查合格之第一密封突起48及第二密封突起47的基板固持器24之可靠性高。因此,根據本實施形態時可使用可靠性高之基板固持器24鍍覆基板W。
其次,參照第四圖說明使用上述滲漏檢查裝置60執行之滲漏檢查方法。首先,在使基板W表側之面從第二保持構件40的開口部40a露出狀態下,以第一保持構件38及第二保持構件40夾著基板W而以基板固持器24保持基板W(步驟1)。以基板固持器24保持基板W時,藉由以第二保持構件40之第一密封突起48密封基板W表側之面的外周部與第二保持構件40之間的間隙,並以第二保持構件40之第二密封突起47密封第一保持構件38與第二保持構件40間的間隙,而以第一保持構件38、第二保持構件40與基板W在基板固持器24內形成內部空間R。
其次,以覆蓋從開口部40a露出的基板W表側之面及整個第二保持構件40的方式,將密封帽61配置於基板固持器24之第一保持構件38上(步驟2)。接著,以按壓機構62將密封帽61之氣密66按壓於第一保持構件38,而以氣密66密封第一保持構件38與密封帽61間之間隙,藉此,在密封帽61與基板固持器24之間形成密閉空間S(步驟3)。
動作控制部95從記憶於其內部之壓力範圍選擇壓力指令值,將該壓力指示值傳送至壓力調節器93(步驟4)。在關閉第一通氣閥門103及第二通氣閥門104狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101及主側閥門102。加壓氣體通過加壓氣體導入管線70及壓差檢查管線75而導入密閉空間S及主容器80內(步驟5)。密閉空間S及主容器80內之加壓氣體壓力藉由壓力調節器93調節,而壓力調節器93之動作則藉由動作控制部95控制。更具體而言,壓力調節器93係以加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式動作。
打開固持器側閥門101及主側閥門102後,經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。密閉空間S及主容器80分別藉由固持器側閥門101及主側閥門102密封,密閉空間S及主容器80充滿具有相同壓力之加壓氣體(步驟6)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102之狀態下,如上述,壓差測定器85測定密閉空間S內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體間之壓力差(步驟7)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟8)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示密閉空間S內之加壓氣體無滲漏(亦即,第一密封突起48及第二密封突起47功能正常)的信號(步驟9)。設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示密閉空間S內之加壓氣體有滲漏(亦即,第一密封突起48及/或第二密封突起47產生瑕疵)的信號(步驟10)。
動作控制部95打開第一通氣閥門103及第二通氣閥門104,密閉空間S及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98而排出。如此進行滲漏檢查,來檢查第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能。
關於以構成基板支撐面38a來與基板W周緣部之背側接觸而支撐基板W,並在基板W背側之面設置空間來使在該背側之面的空間與內部空間R連通之方式而成之基板固持器,亦有進行滲漏檢查。關於此種基板固持器進行滲漏檢查情況下,若不在基板W背側之面的空間供給加壓氣體,而僅在基板W表側之空間S供給加壓氣體時,也擔心基板W撓曲。因此,最好係以內部空間R之壓力形成比大氣壓高之壓力,且為比基板W表側之空間S的壓力低,或與空間S之壓力實質地相同的壓力之方式,在內部空間R供給加壓氣體。如此構成在進行滲漏檢查時,可防止或抑制基板W撓曲。
第五圖係顯示滲漏檢查裝置60之其他實施形態的模式圖。由於不特別說明之本實施形態的構成,與參照第三圖說明之上述實施形態的構成同樣,因此省略其重複說明。
本實施形態係密封帽61進一步具有當氣密66接觸於基板固持器24之第一保持構件38時,與第二保持構件40接觸之無端狀的分隔壁密封109。本實施形態之分隔壁密封109與氣密66同樣係環狀。分隔壁密封109配置於氣密66之半徑方向內側,分隔壁密封109之大小(直徑)比氣密66的大小(直徑)小。本實施形態之分隔壁密封109的大小(直徑)比第一密封突起48大且比第二密封突起47小。
按壓機構62將密封帽61按壓於基板固持器24時,密封帽61之氣密66按壓於第一保持構件38,密封帽61之分隔壁密封109則按壓於第二保持構件40。結果,形成於基板固持器24與密封帽61之間的密閉空間S藉由分隔壁密封109而區分成第一密閉空間S1與第二密閉空間S2。第一密閉空間S1位於第二密閉空間S2之內側。
第一密閉空間S1之一部分藉由分隔壁密封109及第一密封突起48形成,第二密閉空間S2之一部分藉由氣密66、分隔壁密封109及第二密封突起47而形成。換言之,基板固持器24之第一密封突起48面對第一密閉空間S1,基板固持器24之第二密封突起47面對第二密閉空間S2。因此,當第一密封突起48有任何瑕疵時,第一密閉空間S1內之加壓氣體會洩漏至內部空間R內,第二密封突起47有任何瑕疵時,第二密閉空間S2內之加壓氣體會洩漏至內部空間R內。
加壓氣體導入管線70分岔成第一分岔管線111及第二分岔管線112。第一分岔管線111及第二分岔管線112位於橋接管線88之下游側。此等2條分岔管線111、112皆連接於密封帽61。第一分岔管線111連通於第一密閉空間S1,第二分岔管線112連通於第二密閉空間S2。第一分岔管線111中安裝有第一分岔閥門113,第二分岔管線112中安裝有第二分岔閥門114。藉由打開第一分岔閥門113或第二分岔閥門114的其中一個,可對第一密閉空間S1或第二密閉空間S2選擇性供給加壓氣體。第一分岔閥門113及第二分岔閥門114之動作藉由動作控制部95來控制。特別是動作控制部95構成可獨立操作第一分岔閥門113及第二分岔閥門114。
其次,參照第六圖及第七圖說明使用第五圖所示之滲漏檢查裝置60執行的滲漏檢查方法之一種實施形態。首先,在使基板W表側之面從第二保持構件40的開口部40a露出狀態下,藉由第一保持構件38及第二保持構件40夾著基板W,而以基板固持器24保持基板W(步驟1)。基板固持器24保持基板W時,藉由以第二保持構件40之第一密封突起48密封基板W表側之面的外周部與第二保持構件40間之間隙,並以第二保持構件40之第二密封突起47密封第一保持構件38與第二保持構件40間的間隙,而以第一保持構件38、第二保持構件40及基板W在基板固持器24內形成內部空間R。
其次,以覆蓋從開口部40a露出之基板W表側的面及整個第二保持構件40之方式,將密封帽61配置於基板固持器24之第一保持構件38上(步驟2)。接著,以按壓機構62將密封帽61之氣密66按壓於第一保持構件38,以氣密66密封第一保持構件38與密封帽61之間的間隙,藉此,在密封帽61與基板固持器24之間形成密閉空間(步驟3)。同時,以按壓機構62將密封帽61之分隔壁密封109按壓於第二保持構件40,藉由分隔壁密封109將密閉空間區分為第一密閉空間S1與第二密閉空間S2(步驟4)。
動作控制部95從記憶於其內部之壓力範圍選擇壓力指令值,並將該壓力指令值傳送至壓力調節器93(步驟5)。在關閉第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及第二分岔閥門114之狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101、主側閥門102、及第一分岔閥門113。加壓氣體通過加壓氣體導入管線70及壓差檢查管線75而導入第一密閉空間S1及主容器80內(步驟6)。壓力調節器93以將第一密閉空間S1及主容器80內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式動作。
近年來,隨著3D封裝技術或WLP(晶圓級封裝(Wafer-Level Packaging))技術的進展,而有在檢討關於薄膜基板進行電解鍍覆,基板W例如亦考慮使用最大厚度為400μm之薄膜基板。為求即使在此種情況下仍可對應,宜把用於將加壓氣體供給至第一密閉空間S1之第一分岔閥門113的位置置於與基板W離開之位置,而不在基板W之附近位置,來避免因加壓氣體施加於第一密閉空間S1時之流體壓造成此種基板W撓曲或損傷。如此一來,即使在將薄膜基板保持於基板固持器24狀態下仍可進行滲漏檢查。
打開固持器側閥門101、主側閥門102、及第一分岔閥門113後經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。第一密閉空間S1及主容器80分別藉由固持器側閥門101及主側閥門102密封,第一密閉空間S1及主容器80以具有相同壓力之加壓氣體充滿(步驟7)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102狀態下,壓差測定器85測定第一密閉空間S1內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體間之壓力差(步驟8)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟9)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示第一密閉空間S1內之加壓氣體無滲漏(亦即,第一密封突起48功能正常)的信號(步驟10)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示第一密閉空間S1內之加壓氣體有滲漏(亦即,第一密封突起48產生瑕疵)的信號(步驟11)。
動作控制部95打開第一通氣閥門103及第二通氣閥門104,將第一密閉空間S1及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98排出。如此進行第一滲漏檢查,來檢查第一密封突起48之密封性能。
繼續,進行用於檢查第二密封突起47之密封性能的第二滲漏檢查。具體而言,係在關閉第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及第一分岔閥門113之狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101、主側閥門102、及第二分岔閥門114。加壓氣體通過加壓氣體導入管線70及壓差檢查管線75而導入第二密閉空間S2及主容器80內(步驟12,參照第七圖)。壓力調節器93以將第二密閉空間S2及主容器80內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式動作。
打開固持器側閥門101、主側閥門102、及第二分岔閥門114後經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。第二密閉空間S2及主容器80藉由固持器側閥門101及主側閥門102分別密封,第二密閉空間S2及主容器80以具有相同壓力之加壓氣體充滿(步驟13)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102之狀態下,壓差測定器85測定第二密閉空間S2內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體間之壓力差(步驟14)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟15)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示第二密閉空間S2內之加壓氣體無滲漏(亦即,第二密封突起47功能正常)的信號(步驟16)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示第二密閉空間S2內之加壓氣體有滲漏(亦即,第二密封突起47產生瑕疵)的信號(步驟17)。
動作控制部95打開第一通氣閥門103及第二通氣閥門104,將第二密閉空間S2及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98排出。如此一來,進行第二滲漏檢查,來檢查第二密封突起47之密封性能。
本實施形態係按照第一密閉空間S1、第二密閉空間S2之順序導入加壓氣體,不過亦可按照第二密閉空間S2、第一密閉空間S1之順序導入加壓氣體。任何情況下皆可確定第一密封突起48或第二密封突起47是否有瑕疵。
其次,參照第八圖說明基板固持器24之其他實施形態。由於未特別說明之本實施形態的構造與第二圖所示之基板固持器24相同,因此省略其重複說明。如第八圖所示,基板固持器24之第一保持構件38具有比基板W背側之面小的開口部38b。本實施形態之開口部38b係圓形,且開口部38b之直徑比基板W的直徑小。第一保持構件38之開口部38b的大小(直徑)與第二保持構件40之開口部40a的大小(直徑)相同。再者,第一保持構件38具有可接觸於基板W背側之面的外周部之無端狀的背側密封突起49。背側密封突起49亦可係O型環等密封構件。一種實施形態中,包含背側密封突起49之第一保持構件38的一部分本身亦可由具有密封功能之材料構成。本實施形態中,背側密封突起49係環狀。背側密封突起49具有與第二保持構件40之第一密封突起48相同大小(直徑),且與第一密封突起48同心狀配置。
以基板固持器24保持基板W時,基板W背側之面從第一保持構件38的開口部38b露出,基板W表側之面(被鍍覆面)從第二保持構件40的開口部40a露出。再者,背側密封突起49、第二密封突起47、及第一密封突起48分別按壓於基板W背側之面的外周部、第一保持構件38、及基板W表側之面的外周部。背側密封突起49密封第一保持構件38與基板W背側之面間的間隙,第二密封突起47密封第一保持構件38與第二保持構件40之間的間隙,第一密封突起48密封第二保持構件40與基板W表側之面間的間隙。結果,在基板固持器24內形成內部空間R。背側密封突起49、第一密封突起48、及第二密封突起47面對內部空間R。該內部空間R通過配線通路55連通於大氣。因此在內部空間R內形成大氣壓。
一種實施形態中,係使用第三圖所示之滲漏檢查裝置60檢查第八圖所示之基板固持器24的第一密封突起48、第二密封突起47、及背側密封突起49之密封性能。第九圖係顯示使用第三圖所示之滲漏檢查裝置60檢查第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能的情形圖。第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能檢查係按照第四圖所示的流程圖執行。亦即,係以覆蓋從開口部40a露出之基板W表側之面及整個第二保持構件40的方式,將密封帽61配置於基板固持器24的第一保持構件38上,藉由按壓機構62將密封帽61之氣密66按壓於第一保持構件38,而在密封帽61與基板固持器24之間形成表側密閉空間S。該表側密閉空間S相當於之前說明的實施形態中之密閉空間S。
第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能的檢查,係藉由檢查表側密閉空間S內之加壓氣體是否通過此等密封突起47、48而滲漏來進行。加壓氣體供給系統63將相同壓力之加壓氣體供給至表側密閉空間S與主容器80。表側密閉空間S內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體之間的壓力差在設定時間內不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示加壓氣體無滲漏(亦即,第一密封突起48及第二密封突起47功能正常)的信號。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,第一密封突起48及/或第二密封突起47產生瑕疵)的信號。
第十圖係顯示使用第三圖所示之滲漏檢查裝置60檢查背側密封突起49之密封性能的情形圖。背側密封突起49之密封性能係將基板固持器24反轉狀態下進行。如第十圖所示,以覆蓋從開口部38b露出的基板W背側之面的方式,將密封帽61配置於基板固持器24之第一保持構件38上。在氣密66接觸於第一保持構件38背側之面的狀態下,密封帽61藉由按壓機構62按壓於基板固持器24。氣密66按壓於第一保持構件38背側之面,而密封密封帽61與第一保持構件38之間的間隙。藉此,在密封帽61與基板固持器24之間形成背側密閉空間U。
背側密閉空間U藉由密封帽61、基板固持器24之第一保持構件38、及從第一保持構件38之開口部38b露出的基板W背側之面而形成。露出的基板W背側之面及背側密封突起49藉由密封帽61覆蓋,並面對背側密閉空間U。背側密封突起49之密封性能的檢查與密封突起47、48同樣地,藉由檢查背側密閉空間U內之加壓氣體是否通過背側密封突起49而滲漏來進行。
背側密封突起49之密封性能的檢查按照第四圖所示之流程圖(除步驟1)來執行。亦即,係以覆蓋從開口部38b露出之基板W整個背側之面的方式,將密封帽61配置於基板固持器24之第一保持構件38上。藉由將密封帽61之氣密66以按壓機構62按壓於第一保持構件38的背側之面,而在密封帽61與基板固持器24之間形成背側密閉空間U。加壓氣體供給系統63將相同壓力之加壓氣體供給至背側密閉空間U與主容器80。背側密閉空間U內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體之間的壓力差在設定時間內不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示加壓氣體無滲漏(亦即,背側密封突起49功能正常)的信號,在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,背側密封突起49產生瑕疵)的信號。
第十一圖係第九圖及第十圖所示之基板固持器24的第二密封突起47、第一密封突起48、及背側密封突起49之滲漏檢查的流程圖。首先,按照第四圖所示之流程圖執行第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能的檢查(步驟1)。該步驟1係在第九圖所示之狀態下進行。其次,將基板固持器24反轉(步驟2)。接著,按照第四圖所示之流程圖(不過,除了第四圖之步驟1)執行背側密封突起49之密封性能的檢查(步驟3)。該步驟3係在第十圖所示之狀態下進行。
其次,說明使用第五圖所示之滲漏檢查裝置60執行第八圖所示之基板固持器24的第一密封突起48、第二密封突起47、及背側密封突起49之滲漏檢查的實施形態。第十二圖係顯示使用第五圖所示之滲漏檢查裝置60檢查第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能的情形圖。加壓氣體是否通過第一密封突起48及第二密封突起47而滲漏之檢查係按照第六圖及第七圖所示之流程圖來執行。亦即,係以覆蓋從開口部40a露出之基板W表側之面及整個第二保持構件40的方式,將密封帽61配置於基板固持器24的第一保持構件38上。按壓機構62藉由將氣密66及分隔壁密封109分別按壓於第一保持構件38及第二保持構件40,而在密封帽61與基板固持器24之間形成第一密閉空間S1及第二密閉空間S2。此等第一密閉空間S1及第二密閉空間S2相當於之前說明的實施形態中之第一密閉空間S1及第二密閉空間S2。
加壓氣體供給系統63將相同壓力之加壓氣體供給至第一密閉空間S1與主容器80。第一密閉空間S1內之加壓氣體與主容器80內之加壓氣體間的壓力差在設定時間內不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示加壓氣體無滲漏(亦即,第一密封突起48功能正常)的信號,在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,則發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,第一密封突起48產生瑕疵)的信號。
其次,加壓氣體供給系統63將相同壓力之加壓氣體供給至第二密閉空間S2與主容器80。第二密閉空間S2內之加壓氣體與主容器80內之加壓氣體間的壓力差在設定時間內不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示加壓氣體無滲漏(亦即,第二密封突起47功能正常)的信號,在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,則發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,第二密封突起47產生瑕疵)的信號。
第十三圖係顯示使用第五圖所示之滲漏檢查裝置60檢查背側密封突起49的密封性能之情形圖。加壓氣體是否通過背側密封突起49而滲漏之檢查係按照第四圖所示之流程圖(不過,除了步驟1)來執行。亦即係以覆蓋從開口部38b露出的基板W整個背側之面的方式,將密封帽61配置於基板固持器24之第一保持構件38上,藉由將密封帽61之氣密66以按壓機構62按壓於第一保持構件38的背側之面,而在密封帽61與基板固持器24之間形成背側密閉空間U。
加壓氣體供給系統63將相同壓力之加壓氣體供給至背側密閉空間U與主容器80。背側密閉空間U內之加壓氣體與主容器80內的加壓氣體之間的壓力差在設定時間內不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示加壓氣體無滲漏(亦即,背側密封突起49功能正常)的信號,在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,發送表示加壓氣體有滲漏(亦即,背側密封突起49產生瑕疵)的信號。該檢查中亦可使用第一分岔管線111及第二分岔管線112之一者或兩者。另外,提高主容器80內之加壓氣體本身的壓力時,可以更短時間進行滲漏檢查。
第十四圖係顯示第十二圖及第十三圖所示之基板固持器24的第一密封突起48、第二密封突起47、及背側密封突起49之滲漏檢查的流程圖。首先,按照第六圖及第七圖所示之流程圖執行第一密封突起48及第二密封突起47之密封性能的檢查(步驟1及步驟2)。該步驟1、2係在第十二圖所示之狀態下進行。亦可按照第二密封突起47、第一密封突起48之順序檢查密封性能。其次,將基板固持器24反轉(步驟3)。接著,按照第四圖所示之流程圖(不過,除了第四圖之步驟1)執行背側密封突起49之密封性能的檢查(步驟4)。該步驟4係在第十三圖所示之狀態下進行。另外,在步驟3中,亦可不反轉基板固持器,而是使移動滲漏檢查裝置60移動或反轉。
其次,參照第十五圖說明基板固持器24之其他實施形態。由於不特別說明之本實施形態的構造與第八圖所示之基板固持器24相同,因此省略其重複之說明。第十五圖所示之基板固持器24具有相同大小之第一保持構件38及第二保持構件40。在第一保持構件38及第二保持構件40之外面安裝有連結機構41。在基板W夾在第一保持構件38與第二保持構件40之間的狀態下,藉由連結機構41將第一保持構件38及第二保持構件40彼此固定,而將基板W保持於基板固持器24。
第一保持構件38具有可接觸於基板W背側之面的外周部之無端狀的背側密封突起49。本實施形態之背側密封突起49係環狀。第一保持構件38進一步具有密封第一保持構件38與第二保持構件40間之間隙的無端狀中間密封構件116。該中間密封構件116相當於上述實施形態中之第二密封突起47。一種實施形態之中間密封構件116亦可設於第二保持構件40。
第二保持構件40具有可接觸於基板W表側之面的外周部之無端狀的表側密封突起117。表側密封突起117相當於上述實施形態中之第一密封突起48。本實施形態中,表側密封突起117係環狀。背側密封突起49具有與表側密封突起117相同大小(直徑),且與表側密封突起117同心狀配置。表側密封突起117亦可係O型環等密封構件。一種實施形態中,包含表側密封突起117的第二保持構件40本身亦可由具有密封功能之材料構成。
以基板固持器24保持基板W時,基板W背側之面從第一保持構件38的開口部38b露出,基板W表側之面(被鍍覆面)從第二保持構件40的開口部40a露出。再者,背側密封突起49、表側密封突起117、及中間密封構件116分別按壓於基板W背側之面的外周部、基板W表側之面的外周部、及第二保持構件40。背側密封突起49密封第一保持構件38與基板W背側之面間的間隙,表側密封突起117密封第二保持構件40與基板W表側之面間的間隙,中間密封構件116密封第一保持構件38與第二保持構件40之間的間隙。結果,在基板固持器24內形成內部空間R。背側密封突起49及表側密封突起117面對內部空間R。該內部空間R通過配線通路55而連通於大氣。因此,在內部空間R內形成大氣壓。
第一保持構件38具備與基板W之邊緣部接觸的複數個定位構件115。基板W對基板固持器24之相對位置係藉由定位構件115來固定。一種實施形態中,第二保持構件40亦可具備定位構件115。
第十六圖係顯示用於進行第十五圖所示之基板固持器24的表側密封突起117及背側密封突起49之滲漏檢查的滲漏檢查裝置60一種實施形態之圖。由於不特別說明之本實施形態的滲漏檢查裝置60之構成與第三圖所示的滲漏檢查裝置60之構成相同,因此省略其重複之說明。本實施形態之滲漏檢查裝置60具備:配置於基板固持器24之表側的表側密封帽119;及配置於基板固持器24之背側的背側密封帽120。
表側密封帽119及背側密封帽120係不允許氣體通過之剛體,且尺寸比基板W大。表側密封帽119比第二保持構件40之開口部40a大,且具有可覆蓋開口部40a及表側密封突起117之形狀。背側密封帽120比第一保持構件38之開口部38b大,且具有可覆蓋開口部38b及背側密封突起49之形狀。
表側密封帽119具備無端狀之表側氣密121。本實施形態中,表側氣密121係環狀。表側氣密121比第二保持構件40之開口部40a大。亦即,表側氣密121具有比第二保持構件40之開口部40a的直徑大之直徑。表側密封帽119連結於由空氣氣缸或電動致動器等構成之按壓機構62。按壓機構62係以將表側密封帽119之表側氣密121按壓於第二保持構件40的表側之面的方式構成。表側密封帽119與第二保持構件40之間的間隙藉由表側氣密121密封,而在表側密封帽119與基板固持器24的表側之間形成表側密閉空間S。該表側密閉空間S相當於之前說明的實施形態中之密閉空間S。
背側密封帽120具備無端狀之背側氣密122。本實施形態中,背側氣密122係環狀。背側氣密122比第一保持構件38之開口部38b大。亦即,背側氣密122具有比第一保持構件38之開口部38b的直徑大之直徑。背側密封帽120連結於由空氣氣缸或電動致動器等構成之按壓機構130。按壓機構130係以將背側密封帽120之背側氣密122按壓於第一保持構件38的背側之面的方式構成。背側密封帽120與第一保持構件38間之間隙藉由背側氣密122密封,而在背側密封帽120與基板固持器24的背側之間形成背側密閉空間U。
加壓氣體導入管線70分岔成表側分岔管線125及背側分岔管線128。表側分岔管線125及背側分岔管線128位於橋接管線88之下游側。表側分岔管線125連接於表側密封帽119,背側分岔管線128連接於背側密封帽120。表側分岔管線125連通於表側密閉空間S,背側分岔管線128連通於背側密閉空間U。
表側分岔管線125中安裝有表側分岔閥門126,背側分岔管線128中安裝有背側分岔閥門129。藉由打開表側分岔閥門126及/或背側分岔閥門129,可供給加壓氣體至表側密閉空間S及/或背側密閉空間U。表側分岔閥門126及背側分岔閥門129之動作藉由動作控制部95來控制。特別是動作控制部95係構成可獨立操作表側分岔閥門126及背側分岔閥門129。
表側密閉空間S藉由表側密封帽119、基板固持器24之第二保持構件40、及從第二保持構件40之開口部40a露出的基板W表側之面而形成。露出的基板W表側之面及表側密封突起117藉由表側密封帽119覆蓋,且面對表側密閉空間S。表側密封突起117之密封性能的檢查,係藉由檢查表側密閉空間S內之加壓氣體是否通過表側密封突起117而滲漏來進行。
背側密閉空間U藉由背側密封帽120、基板固持器24之第一保持構件38、及從第一保持構件38之開口部38b露出的基板W背側之面而形成。露出的基板W背側之面及背側密封突起49藉由背側密封帽120覆蓋,且面對背側密閉空間U。背側密封突起49之密封性能的檢查,係藉由檢查背側密閉空間U內之加壓氣體是否通過背側密封突起49而滲漏來進行。
其次,參照第十七圖之流程圖說明使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置60執行的滲漏檢查方法之一種實施形態。首先,在使基板W背側之面及表側之面分別從第一保持構件38之開口部38b及第二保持構件40之開口部40a露出狀態下,藉由以第一保持構件38及第二保持構件40夾著基板W,而以基板固持器24保持基板W(步驟1)。以基板固持器24保持基板W時,藉由以第二保持構件40之表側密封突起117密封基板W表側之面的外周部與第二保持構件40之間的間隙,以第一保持構件38之背側密封突起49密封基板W背側之面的外周部與第一保持構件38之間的間隙,並以中間密封構件116密封第一保持構件38與第二保持構件40之間的間隙,而以第一保持構件38、第二保持構件40及基板W在基板固持器24內形成內部空間R。
其次,以覆蓋從開口部40a露出之基板W表側之面及第二保持構件40的方式,將表側密封帽119配置於基板固持器24之第二保持構件40上。並以覆蓋從開口部38b露出之基板W背側之面及第一保持構件38的方式,將背側密封帽120配置於基板固持器24之第一保持構件38上(步驟2)。表側密封帽119及背側密封帽120亦可同時配置於基板固持器24上,或是亦可在不同時間點配置。
以按壓機構62將表側密封帽119之表側氣密121按壓於第二保持構件40,並以表側氣密121密封第二保持構件40與表側密封帽119之間的間隙,藉此,在表側密封帽119與基板固持器24之間形成表側密閉空間S。以按壓機構130將背側密封帽120之背側氣密122按壓於第一保持構件38,並以背側氣密122密封第一保持構件38與背側密封帽120之間的間隙,藉此,在背側密封帽120與基板固持器24之間形成背側密閉空間U(步驟3)。
動作控制部95從記憶於其內部之壓力範圍選擇壓力指令值,並將該壓力指令值傳送至壓力調節器93(步驟4)。在關閉第一通氣閥門103及第二通氣閥門104狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101、主側閥門102、表側分岔閥門126、及背側分岔閥門129。加壓氣體通過表側分岔管線125、背側分岔管線128、及壓差檢查管線75而導入表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80內(步驟5)。表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80內之加壓氣體的壓力藉由壓力調節器93來調節,壓力調節器93之動作則藉由動作控制部95來控制。更具體而言,壓力調節器93係以將加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式而動作。
打開固持器側閥門101、主側閥門102、表側分岔閥門126、及背側分岔閥門129後經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80分別藉由固持器側閥門101及主側閥門102密封,表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80以具有相同壓力之加壓氣體充滿(步驟6)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102之狀態下,壓差測定器85測定主容器80內之加壓氣體、與2個密閉空間S、U內的加壓氣體間之壓力差(步驟7)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟8)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S及背側密閉空間U內之加壓氣體無滲漏(亦即,表側密封突起117及背側密封突起49功能正常)的信號(步驟9)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S及/或背側密閉空間U內之加壓氣體有滲漏(亦即,表側密封突起117及/或背側密封突起49產生瑕疵)的信號(步驟10)。
動作控制部95打開第一通氣閥門103及第二通氣閥門104,表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98而排出。如此進行滲漏檢查,來檢查表側密封突起117及背側密封突起49之密封性能。
第十八圖係顯示使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置60執行的滲漏檢查方法之一種實施形態的流程圖。由於步驟1~步驟6與第十七圖所示之步驟1~步驟6相同,因此省略其重複說明。步驟6之後,動作控制部95關閉背側分岔閥門129,藉此遮斷壓差測定器85與背側密閉空間U之間的連通(步驟7)。壓差測定器85測定主容器80內之加壓氣體與表側密閉空間S內的加壓氣體間之壓力差(步驟8)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟9)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S內之加壓氣體無滲漏(亦即,表側密封突起117功能正常)的信號(步驟10)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S內之加壓氣體有滲漏(亦即,表側密封突起117產生瑕疵)的信號(步驟11)。
其次,動作控制部95打開背側分岔閥門129,並且關閉表側分岔閥門126,藉此,使壓差測定器85與背側密閉空間U之間連通,並遮斷壓差測定器85與表側密閉空間S之間的連通(第十九圖之步驟12)。壓差測定器85測定主容器80內之加壓氣體與背側密閉空間U內的加壓氣體間之壓力差(步驟13)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟14)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示背側密閉空間U內之加壓氣體無滲漏(亦即,背側密封突起49功能正常)的信號(步驟15)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示背側密閉空間U內之加壓氣體有滲漏(亦即,背側密封突起49產生瑕疵)的信號(步驟16)。
動作控制部95打開表側分岔閥門126、第一通氣閥門103、及第二通氣閥門104,表側密閉空間S、背側密閉空間U、及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98而排出。如此進行滲漏檢查,來檢查表側密封突起117及背側密封突起49之密封性能。
第二十圖係顯示使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置60執行的滲漏檢查方法之一種實施形態的流程圖。由於步驟1~步驟4與第十七圖所示之步驟1~步驟4相同,因此省略其重複說明。在關閉第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及背側分岔閥門129狀態下,動作控制部95打開固持器側閥門101、主側閥門102、及表側分岔閥門126。加壓氣體通過表側分岔管線125及壓差檢查管線75而導入表側密閉空間S及主容器80內(步驟5)。表側密閉空間S及主容器80內之加壓氣體的壓力藉由壓力調節器93來調節,壓力調節器93之動作則藉由動作控制部95來控制。更具體而言,壓力調節器93係以將加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式而動作。
打開固持器側閥門101、主側閥門102、及表側分岔閥門126後經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。表側密閉空間S及主容器80分別藉由固持器側閥門101及主側閥門102密封,表側密閉空間S及主容器80以具有相同壓力之加壓氣體充滿(步驟6)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102之狀態下,壓差測定器85測定主容器80內之加壓氣體與表側密閉空間S內的加壓氣體間之壓力差(步驟7)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟8)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S內之加壓氣體無滲漏(亦即,表側密封突起117功能正常)的信號(步驟9)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示表側密閉空間S內之加壓氣體有滲漏(亦即,表側密封突起117產生瑕疵)的信號(步驟10)。動作控制部95打開第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及表側分岔閥門126,表側密閉空間S及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98而排出(步驟11)。
其次,動作控制部95關閉第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及表側分岔閥門126,繼續,打開固持器側閥門101、主側閥門102、及背側分岔閥門129。加壓氣體通過背側分岔管線128及壓差檢查管線75而導入背側密閉空間U及主容器80內(第二十一圖之步驟12)。背側密閉空間U及主容器80內之加壓氣體的壓力藉由壓力調節器93來調節,壓力調節器93之動作則藉由動作控制部95來控制。更具體而言,壓力調節器93係以將加壓氣體導入管線70內之加壓氣體維持在相當於壓力指令值的壓力之方式而動作。
打開固持器側閥門101、主側閥門102、及背側分岔閥門129後經過指定時間時,動作控制部95關閉固持器側閥門101及主側閥門102。背側密閉空間U及主容器80分別藉由固持器側閥門101及主側閥門102密封,背側密閉空間U及主容器80以具有相同壓力之加壓氣體充滿(步驟13)。
在關閉固持器側閥門101及主側閥門102狀態下,壓差測定器85測定主容器80內之加壓氣體與背側密閉空間U內的加壓氣體間之壓力差(步驟14)。壓差測定器85判斷在設定時間內壓力差是否超過臨限值(步驟15)。在設定時間內壓力差不超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示背側密閉空間U內之加壓氣體無滲漏(亦即,背側密封突起49功能正常)的信號(步驟16)。在設定時間內壓力差超過臨限值情況下,壓差測定器85發送表示背側密閉空間U內之加壓氣體有滲漏(亦即,背側密封突起49產生瑕疵)的信號(步驟17)。
動作控制部95打開第一通氣閥門103、第二通氣閥門104、及背側分岔閥門129,背側密閉空間U及主容器80內之加壓氣體通過固持器側排氣管線97及主側排氣管線98而排出。如此進行滲漏檢查,來檢查表側密封突起117及背側密封突起49之密封性能。上述實施形態係先檢查接觸基板W表側之面的表側密封突起117之密封性能,其次檢查接觸基板W背側之面的背側密封突起49之密封性能。一種實施形態亦可先檢查背側密封突起49之密封性能,其次檢查表側密封突起117之密封性能。
其次,說明具備上述之鍍覆槽10、基板固持器24、及滲漏檢查裝置60的電解鍍覆裝置之一種實施形態。第二十二圖顯示電解鍍覆裝置之一種實施形態的整體配置圖。如第二十二圖所示,該電解鍍覆裝置具備:搭載收納晶圓等基板之匣盒210的2台匣盒台212;將基板之定向平面或凹槽等位置對準指定方向的對準器214;及使鍍覆後之基板高速旋轉而乾燥的自旋沖洗乾燥機216。進一步設有將基板裝設於基板固持器24,並從基板固持器24取出基板之基板裝卸部220。為了在匣盒台212、對準器214、自旋沖洗乾燥機216、及基板裝卸部220之間搬送基板,而配置由搬送機器人構成之基板搬送裝置222。另外,電解鍍覆裝置中除了滲漏檢查裝置60之外,還設有具有亦可控制整個裝置之功能而無圖示的動作控制部95。
進一步,依序配置有:進行基板固持器24之保管及暫放的暫存盒224;使基板浸漬於純水之預濕槽226;將形成於基板表面之種層等的表面氧化膜蝕刻除去的預浸槽228;洗淨預浸後之基板的第一水洗槽230a、進行洗淨後之基板的排液之噴吹槽232;洗淨鍍覆後之基板的第二水洗槽230b;及複數個鍍覆槽10。複數個鍍覆槽10包圍於溢流槽12。鄰接於溢流槽12配置有驅動槳葉32(參照第一圖)之槳葉驅動裝置246。
進一步,具備將基板固持器24與基板一起搬送之基板固持器搬送裝置240。該基板固持器搬送裝置240具有:在基板裝卸部220與暫存盒224之間搬送基板之第一傳輸機242;及在暫存盒224、預濕槽226、預浸槽228、水洗槽230a、230b、噴吹槽232及鍍覆槽10之間搬送基板的第二傳輸機244。亦可僅具備第一傳輸機242而不具備第二傳輸機244。
基板裝卸部220具備沿著軌道250在橫方向滑動自如之平板狀的裝載板252。2個基板固持器24以水平狀態並列裝載於該裝載板252上。在一方基板固持器24與基板搬送裝置222之間進行基板交接後,使裝載板252橫方向滑動,而在另一方基板固持器24與基板搬送裝置222之間進行基板之交接。
說明上述構成之鍍覆裝置的一連串鍍覆處理。首先,以基板搬送裝置222從搭載於匣盒台212之匣盒210取出1片基板,放置在對準器214上並將定向平面或凹槽等位置對準指定方向。以該對準器214對準方向後之基板藉由基板搬送裝置222搬送至基板裝卸部220。
以基板固持器搬送裝置240之第一傳輸機242同時握持2具收容於暫存盒224內之基板固持器24,並搬送至基板裝卸部220。接著,使基板固持器24下降成水平狀態,藉此,將2具基板固持器24同時裝載於基板裝卸部220之裝載板252上。
基板藉由基板搬送裝置222搬送至裝載板252上的基板固持器24,在被鍍覆面向上狀態下,將基板放置於基板固持器24之第一保持構件38的基板支撐面38a(參照第二圖)上。基板藉由基板裝卸部220裝設於基板固持器24。更具體而言,基板裝卸部220操作連結機構41(參照第二圖)將基板固持器24之第二保持構件40固定於第一保持構件38。基板在使其被鍍覆面從基板固持器24之開口部40a(參照第二圖)露出的狀態下保持於基板固持器24。接著,對一方基板固持器24裝設基板完成後,使裝載板252橫方向滑動,同樣地在另一方基板固持器24上裝設基板。之後,將裝載板252送回原來位置。
雖無圖示,亦可具備垂直地(或是從垂直少許傾斜的角度)支撐第一傳輸機242所搬送之2具基板固持器24的固定台,來取代水平裝載2具基板固持器24之基板裝卸部220。藉由使垂直保持基板固持器24之固定台旋轉90°,基板固持器24成為水平狀態。
上述之滲漏檢查裝置60係插入基板裝卸部220。滲漏檢查係在基板固持器24保持基板狀態下執行。對滲漏檢查合格之基板固持器24所保持的基板實施鍍覆處理。關於滲漏檢查不合格之基板固持器24,則打開基板固持器24從基板固持器24取出基板,並將基板送回匣盒台212之匣盒210。接著,以基板固持器搬送裝置240之第一傳輸機242握持該基板固持器24,送回暫存盒224,就此不再使用。接著,例如在運轉結束後等等,從暫存盒224取出基板固持器24,並實施適切的處置。
以下說明對滲漏檢查合格之基板固持器24所保持的基板之鍍覆處理。藉由基板固持器搬送裝置240將保持基板之基板固持器24搬送至預濕槽226並使其下降,藉此,使基板按各基板固持器24浸漬於預濕槽226內的預濕液中。
其次,藉由基板固持器搬送裝置240將保持了基板之基板固持器24搬送至預浸槽228,以預浸槽228蝕刻基板表面之氧化膜,使潔淨之金屬面露出。再者,將該保持了基板之基板固持器24藉由基板固持器搬送裝置240搬送至第一水洗槽230a,以倒入該第一水洗槽230a中之純水洗淨基板表面。
以基板固持器搬送裝置240之第二傳輸機244握持保持了洗淨後之基板的基板固持器24並搬送至鍍覆槽10,使其浸漬於鍍覆槽10內的鍍覆液中。在陽極26(參照第一圖)與基板之間施加電壓,同時藉由槳葉驅動裝置246使槳葉32(參照第一圖)與基板表面平行地往返移動同時,在基板表面實施鍍覆。
鍍覆結束後,停止施加電壓及槳葉32之往返運動,以基板固持器搬送裝置240之第二傳輸機244握持裝設了鍍覆後之基板的基板固持器24,並搬送至第二水洗槽230b,以倒入該第二水洗槽230b之純水洗淨基板表面。
其次,以基板固持器搬送裝置240之第二傳輸機244將裝設洗淨後之基板的基板固持器24搬送至噴吹槽232,在此藉由吹送空氣或氮氣(N2 ),除去附著在基板固持器24及基板表面之水滴使其乾燥。基板固持器搬送裝置240之第一傳輸機242握持乾燥後之基板固持器24而裝載於基板裝卸部220的裝載板252上。
基板裝卸部220解除2具基板固持器24中之一方連結機構41,從第一保持構件38拆卸第二保持構件40。之後,以基板搬送裝置222從基板固持器24取出鍍覆後之基板而搬運至自旋沖洗乾燥機216。自旋沖洗乾燥機216以純水洗淨基板後,藉由高速旋轉而自旋乾燥基板。接著,以基板搬送裝置222將自旋乾燥後之基板送回匣盒210。
接著,將裝設於一方基板固持器24之基板送回匣盒210後,或與之並行使裝載板252橫方向滑動,同樣地,將裝設於另一方基板固持器24之基板自旋沖洗乾燥後送回匣盒210。
以上說明之各種實施形態中的基板W係晶圓等圓形基板,不過本發明亦可適用於四方形基板。用於保持四方形基板之基板固持器的各構成構件具有適合其基板形狀之形狀。例如,上述之開口部38b成為比整個四方形基板之尺寸小的四方形開口部。第二密封突起47、第一密封突起48等各種密封元件亦為適合四方形基板形狀之形狀。其他各構成構件的形狀亦在不脫離上述技術思想範圍內適切變更。
上述實施形態係以具有本發明所屬技術領域之一般知識者可實施本發明為目的而記載者。熟悉本技術之業者當然可形成上述實施形態的各種變形例,本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此,本發明不限定於所記載之實施形態,應按照藉由申請專利範圍而定義之技術性思想作最廣範圍的解釋。
10‧‧‧鍍覆槽
12‧‧‧溢流槽
14‧‧‧泵
16‧‧‧鍍覆液循環管線
20‧‧‧調溫單元
22‧‧‧過濾器
24‧‧‧基板固持器
26‧‧‧陽極
28‧‧‧陽極固持器
30‧‧‧電源
32‧‧‧槳葉
34‧‧‧調整板
38‧‧‧第一保持構件
38a‧‧‧基板支撐面
38b‧‧‧開口部
40‧‧‧第二保持構件
40a‧‧‧開口部
41‧‧‧連結機構
42‧‧‧第一連結構件
43‧‧‧第二連結構件
47‧‧‧第二密封突起
48‧‧‧第一密封突起
49‧‧‧背側密封突起
50‧‧‧電接點
54‧‧‧電線
55‧‧‧配線通路
59‧‧‧外部端子
60‧‧‧滲漏檢查裝置
61‧‧‧密封帽
62‧‧‧按壓機構
63‧‧‧加壓氣體供給系統
66‧‧‧氣密
70‧‧‧加壓氣體導入管線
75‧‧‧壓差檢查管線
80‧‧‧主容器
81‧‧‧壓力降低檢測器
85‧‧‧壓差測定器
88‧‧‧橋接管線
90‧‧‧加壓氣體供給源
93‧‧‧壓力調節器
95‧‧‧動作控制部
97‧‧‧固持器側排氣管線
98‧‧‧主側排氣管線
101‧‧‧固持器側閥門
102‧‧‧主側閥門
103‧‧‧第一通氣閥門
104‧‧‧第二通氣閥門
109‧‧‧分隔壁密封
111‧‧‧第一分岔管線
112‧‧‧第二分岔管線
113‧‧‧第一分岔閥門
114‧‧‧第二分岔閥門
116‧‧‧中間密封構件
117‧‧‧表側密封突起
119‧‧‧表側密封帽
120‧‧‧背側密封帽
121‧‧‧表側氣密
122‧‧‧背側氣密
125‧‧‧表側分岔管線
126‧‧‧表側分岔閥門
128‧‧‧背側分岔管線
129‧‧‧背側分岔閥門
130‧‧‧按壓機構
210‧‧‧匣盒
212‧‧‧匣盒台
214‧‧‧對準器
216‧‧‧自旋沖洗乾燥機
220‧‧‧基板裝卸部
222‧‧‧基板搬送裝置
224‧‧‧暫存盒
226‧‧‧預濕槽
228‧‧‧預浸槽
230a‧‧‧第一水洗槽
230b‧‧‧第二水洗槽
232‧‧‧噴吹槽
240‧‧‧基板固持器搬送裝置
242‧‧‧第一傳輸機
244‧‧‧第二傳輸機
246‧‧‧槳葉驅動裝置
250‧‧‧軌道
252‧‧‧裝載板
R‧‧‧內部空間
S‧‧‧密閉空間
S1‧‧‧第一密閉空間
S2‧‧‧第二密閉空間
U‧‧‧背側密閉空間
W‧‧‧基板
第一圖係顯示電解鍍覆裝置所具備之鍍覆槽的一種實施形態之縱剖前視圖。 第二圖係顯示基板固持器之模式剖面圖。 第三圖係係顯示用於檢查基板固持器之第一密封突起及第二密封突起的密封性能之滲漏檢查裝置的一種實施形態模式圖。 第四圖係說明使用第三圖所示之滲漏檢查裝置執行的滲漏檢查方法之流程圖。 第五圖係顯示滲漏檢查裝置之其他實施形態的模式圖。 第六圖係說明使用第五圖所示之滲漏檢查裝置執行的滲漏檢查方法之流程圖。 第七圖係第六圖中記載之流程圖的其他部分。 第八圖係顯示基板固持器之其他實施形態的剖面圖。 第九圖係顯示使用第三圖所示之滲漏檢查裝置檢查第一密封突起及第二密封突起的密封性能之情形圖。 第十圖係顯示使用第三圖所示之滲漏檢查裝置檢查背側密封突起的密封性能之情形圖。 第十一圖係第九圖及第十圖所示之基板固持器的第一密封突起、第二密封突起、及背側密封突起的滲漏檢查流程圖。 第十二圖係顯示使用第五圖所示之滲漏檢查裝置檢查第一密封突起及第二密封突起的密封性能之情形圖。 第十三圖係顯示使用第五圖所示之滲漏檢查裝置檢查背側密封突起的密封性能之情形圖。 第十四圖係顯示第十二圖及第十三圖所示之基板固持器的第一密封突起、第二密封突起、及背側密封突起之滲漏檢查流程圖。 第十五圖係顯示基板固持器之再一其他實施形態的剖面圖。 第十六圖係顯示用於進行第十五圖所示之基板固持器的表側密封突起及背側密封突起之滲漏檢查的滲漏檢查裝置之一種實施形態圖。 第十七圖係顯示使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置執行的滲漏檢查方法之一種實施形態的流程圖。 第十八圖係顯示使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置執行的滲漏檢查方法之一種實施形態的流程圖之一部分。 第十九圖係第十八圖中記載之流程圖的其他部分。 第二十圖係顯示使用第十六圖所示之滲漏檢查裝置執行的滲漏檢查方法之一種實施形態的流程圖之一部分。 第二十一圖係第二十圖中記載之流程圖的其他部分。 第二十二圖係顯示電解鍍覆裝置之一種實施形態的整體配置圖。

Claims (22)

  1. 一種滲漏檢查方法,其特徵為: 以基板固持器保持基板,該基板固持器具備:第一保持構件;及第二保持構件,其係具有使基板表面露出之開口部; 以前述基板固持器保持基板時,將前述第二保持構件之密封突起按壓於前述基板表面, 以密封帽覆蓋從前述開口部露出之前述基板表面及前述密封突起, 在前述密封帽與前述基板固持器之間形成密閉空間, 將加壓氣體導入前述密閉空間內, 檢測前述密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
  2. 如申請專利範圍第1項之滲漏檢查方法,其中進一步包含從預設之壓力範圍選擇壓力指示值,將前述選擇之壓力指示值傳送至壓力調節器,依據前述壓力指示值以前述壓力調節器調節前述密閉空間內之前述加壓氣體的壓力之工序。
  3. 如申請專利範圍第2項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍包含使保持於前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之前述鍍覆液的壓力。
  4. 如申請專利範圍第3項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍之下限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之最上部的前述鍍覆液之壓力值。
  5. 如申請專利範圍第3項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍之上限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述密封突起之最下部的前述鍍覆液之壓力值乘上係數的值。
  6. 如申請專利範圍第1項之滲漏檢查方法,其中在前述密封帽與前述基板固持器之間形成前述密閉空間的工序,係將前述密封帽按壓於前述基板固持器,而在前述密封帽與前述基板固持器之間形成密閉空間的工序。
  7. 如申請專利範圍第1項之滲漏檢查方法,其中進一步包含將前述密封帽之分隔壁密封按壓於前述基板固持器,而將前述密閉空間區分成第一密閉空間與第二密閉空間之工序, 將前述加壓氣體導入前述密閉空間內之工序,係在前述第一密閉空間或前述第二密閉空間之其中一個供給前述加壓氣體的工序, 且前述密封突起係第一密封突起,前述第二保持構件進一步具備與前述第一保持構件接觸之第二密封突起, 前述第一密封突起及前述第二密封突起分別面對前述第一密閉空間及前述第二密閉空間。
  8. 一種滲漏檢查方法,其特徵為: 以基板固持器保持基板,該基板固持器具備:第一保持構件,其係具有第一開口部及背側密封突起;及第二保持構件,其係具有第二開口部及表側密封突起; 以前述基板固持器保持基板時,將前述表側密封突起與前述背側密封突起分別按壓於前述基板表側之面及背側之面, 以表側密封帽覆蓋從前述第二開口部露出之前述基板表側之面及前述表側密封突起, 在前述表側密封帽與前述基板固持器之間形成表側密閉空間, 以背側密封帽覆蓋從前述第一開口部露出之前述基板背側之面及前述背側密封突起, 在前述背側密封帽與前述基板固持器之間形成背側密閉空間, 將加壓氣體導入前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內, 檢測前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
  9. 如申請專利範圍第8項之滲漏檢查方法,其中進一步包含從預設之壓力範圍選擇壓力指示值,將前述選擇之壓力指示值傳送至壓力調節器,依據前述壓力指示值以前述壓力調節器調節前述表側密閉空間及/或前述背側密閉空間內之前述加壓氣體的壓力之工序。
  10. 如申請專利範圍第9項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍包含使保持於前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起及前述背側密封突起的前述鍍覆液之壓力。
  11. 如申請專利範圍第10項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍之下限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起或前述背側密封突起之最上部的前述鍍覆液之壓力值。
  12. 如申請專利範圍第10項之滲漏檢查方法,其中前述壓力範圍之上限值係使保持於垂直姿態的前述基板固持器之基板浸漬於鍍覆液時,預期施加於前述表側密封突起或前述背側密封突起之最下部的前述鍍覆液之壓力值乘上係數的值。
  13. 一種電解鍍覆方法,其特徵為:將須鍍覆之基板以基板裝卸部裝設於基板固持器, 執行申請專利範圍第1項至第12項中任一項之滲漏檢查方法, 使保持於基板固持器之基板浸漬於鍍覆液中來鍍覆該基板。
  14. 如申請專利範圍第13項之電解鍍覆方法,其中前述滲漏檢查方法係在前述基板裝卸部執行。
  15. 一種滲漏檢查裝置,係以基板固持器,其具備:第一保持構件及具有使基板表面露出之開口部的第二保持構件,來保持基板時,檢查來自按壓於前述基板表面之前述第二保持構件的密封突起之流體洩漏,其特徵為具備: 密封帽,其係具有覆蓋前述開口部及前述密封突起之形狀; 加壓氣體供給系統,其係將加壓氣體導入形成於前述密封帽與前述基板固持器之間的密閉空間內;及 壓力降低檢測器,其係檢測前述密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
  16. 如申請專利範圍第15項之滲漏檢查裝置,其中進一步具備: 壓力調節器,其係依據壓力指示值調節前述加壓氣體之壓力;及 動作控制部,其係記憶預設之壓力範圍; 前述動作控制部將從前述壓力範圍所選擇之前述壓力指示值傳送至前述壓力調節器。
  17. 一種電解鍍覆裝置,其特徵為具備: 基板裝卸部,其係用於將須鍍覆之基板裝設於基板固持器; 鍍覆槽,其係可在內部保持鍍覆液;及 申請專利範圍第15項或第16項之滲漏檢查裝置。
  18. 如申請專利範圍第17項之電解鍍覆裝置,其中前述滲漏檢查裝置係被結合於前述基板裝卸部。
  19. 一種滲漏檢查裝置,係以基板固持器,其具備:具有第一開口部及背側密封突起的第一保持構件及具有第二開口部及表側密封突起的第二保持構件,來保持基板時,檢查來自分別按壓於前述基板表側之面及背側之面的前述表側密封突起與前述背側密封突起的流體洩漏,其特徵為具備: 表側密封帽,其係具有覆蓋前述第二開口部及前述表側密封突起之形狀; 背側密封帽,其係具有覆蓋前述第一開口部及前述背側密封突起之形狀; 加壓氣體供給系統,其係將加壓氣體導入形成於前述表側密封帽與前述基板固持器之間的表側密閉空間、及形成於前述背側密封帽與前述基板固持器之間的背側密閉空間內;及 壓力降低檢測器,其係檢測前述表側密閉空間及前述背側密閉空間內之加壓氣體的壓力降低。
  20. 如申請專利範圍第19項之滲漏檢查裝置,其中進一步具備: 壓力調節器,其係依據壓力指示值調節前述加壓氣體之壓力;及 動作控制部,其係記憶預設之壓力範圍; 前述動作控制部將從前述壓力範圍所選擇之前述壓力指示值傳送至前述壓力調節器。
  21. 一種電解鍍覆裝置,其特徵為具備: 基板裝卸部,其係用於將須鍍覆之基板裝設於基板固持器; 鍍覆槽,其係可在內部保持鍍覆液;及 申請專利範圍第19項或第20項中任一項之滲漏檢查裝置。
  22. 如申請專利範圍第21項之電解鍍覆裝置,其中前述滲漏檢查裝置係被結合於前述基板裝卸部。
TW106138970A 2016-11-14 2017-11-10 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置 TWI732968B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-221906 2016-11-14
JP2016221906A JP6746474B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 漏れ検査方法、漏れ検査装置、電解めっき方法、および電解めっき装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201817924A true TW201817924A (zh) 2018-05-16
TWI732968B TWI732968B (zh) 2021-07-11

Family

ID=62107289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106138970A TWI732968B (zh) 2016-11-14 2017-11-10 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10458036B2 (zh)
JP (1) JP6746474B2 (zh)
KR (1) KR102491862B1 (zh)
TW (1) TWI732968B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807143B (zh) * 2018-12-21 2023-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 從基板固持器的密封件除去液體的方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114262920A (zh) * 2020-09-16 2022-04-01 长鑫存储技术有限公司 晶圆电镀设备、漏气检测装置和方法、晶圆电镀方法
EP3998374A4 (en) * 2020-09-16 2022-08-03 Changxin Memory Technologies, Inc. DEVICE AND METHOD FOR AIR LEAK DETECTION AND METHOD FOR ELECTROPLATING WAFER
KR102565731B1 (ko) * 2020-11-16 2023-08-17 (주)에스티아이 포드 세정챔버
KR20220135184A (ko) * 2021-03-26 2022-10-06 주식회사 제우스 기판처리장치 및 이의 제어방법
TWI809937B (zh) * 2022-06-17 2023-07-21 日商荏原製作所股份有限公司 漏液判定方法及鍍覆裝置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3104612B2 (ja) * 1996-03-22 2000-10-30 三菱自動車工業株式会社 リークテスタ及びリークテスト方法
JP2992616B2 (ja) * 1998-03-25 1999-12-20 鹿島建設株式会社 気密試験装置
US6610189B2 (en) * 2001-01-03 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus to mechanically enhance the deposition of a metal film within a feature
JP3778281B2 (ja) 2002-03-26 2006-05-24 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
JP2009092585A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Aisin Seiki Co Ltd リーク検査装置
JP5782398B2 (ja) * 2012-03-27 2015-09-24 株式会社荏原製作所 めっき方法及びめっき装置
DE102012019389B4 (de) * 2012-10-02 2018-03-29 Atotech Deutschland Gmbh Haltevorrichtung für eine Ware und Behandlungsverfahren

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807143B (zh) * 2018-12-21 2023-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 從基板固持器的密封件除去液體的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10982347B2 (en) 2021-04-20
KR102491862B1 (ko) 2023-01-26
US10458036B2 (en) 2019-10-29
JP2018080945A (ja) 2018-05-24
US20210198800A1 (en) 2021-07-01
JP6746474B2 (ja) 2020-08-26
TWI732968B (zh) 2021-07-11
US20200010972A1 (en) 2020-01-09
US20180135198A1 (en) 2018-05-17
KR20180054456A (ko) 2018-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI732968B (zh) 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置
JP5894254B2 (ja) めっき方法及びめっき装置
US11371155B2 (en) Method and apparatus for processing a substrate
TWI663684B (zh) 具有夾頭組件維護模組的晶圓處理系統
JP2020059868A (ja) 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
JP6254307B2 (ja) めっき装置に使用される基板ホルダの漏れ検査方法
JP6078186B2 (ja) めっき装置