TWI807143B - 從基板固持器的密封件除去液體的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種通過將液體從基板保持件的密封件除去，從而能夠防止液體與電觸點的接觸的方法。在本方法中，在使基板保持件（24）的密封件（48）以及電觸點（50）與基板W接觸的狀態下，使基板W浸漬於鍍覆液，在存在鍍覆液的情況下，在基板W與陽極（26）之間施加電壓對基板W進行鍍覆，將被鍍覆的基板W從鍍覆液中拉起，使密封件（48）與被鍍覆的基板W分離，在被鍍覆的基板W與密封件（48）之間的間隙G1形成從基板保持件（24）的內部朝向外部的氣流。

Description

從基板固持器的密封件除去液體的方法
本發明係關於對晶片等基板進行鍍覆時，將液體從所使用的基板保持件的密封件除去的方法。
作為鍍覆裝置的一個例子的電解鍍覆裝置，通過使由基板保持件保持的基板（例如晶片）浸漬於鍍覆液，在基板與陽極之間施加電壓，從而使導電膜析出於基板的表面。在基板的鍍覆中，基板保持件浸漬於鍍覆液，因此需要防止鍍覆液接觸到與基板的外周部接觸的電觸點。因此，基板保持件具備防止鍍覆液浸入至基板保持件的內部的無接頭狀的密封件。防止當基板保持件保持基板時，密封件與基板的外周部接觸，鍍覆液與基板保持件的電觸點接觸。
在基板的鍍覆結束後，從基板保持件取出基板，將新的基板安裝於基板保持件。而且，以相同的方式鍍覆新的基板。反復這樣的動作，使用基板保持件鍍覆多個基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本特開2003-277995號公報
然而，隨著反復使用基板保持件鍍覆多個基板，附著於基板保持件的密封件的鍍覆液會緩慢地向基板保持件的內部移動，最終與電觸點接觸。使鍍覆液腐蝕電觸點，結果，導致基板與電觸點的接觸阻力發生變化。這樣的接觸阻力的變化妨礙基板的均勻的鍍覆。
因此，本發明提供一種通過將液體從基板保持件的密封件除去，從而能夠防止液體與電觸點的接觸的方法。
在一個形態中，提供一種方法，該方法是使用基板保持件對基板進行鍍覆的方法，在使上述基板保持件的密封件以及電觸點與基板接觸的狀態下，使上述基板浸漬於鍍覆液，在存在上述鍍覆液的情況下，在上述基板與陽極之間施加電壓來對上述基板進行鍍覆，將上述鍍覆後的基板從上述鍍覆液中拉起，使上述密封件與上述鍍覆後的基板分離，在上述鍍覆後的基板與上述密封件之間的間隙形成從上述基板保持件的內部朝向外部的氣流。
在一個形態中，在將上述間隙維持在規定的範圍內的狀態下，在上述間隙形成上述氣流。在一個形態中，在將上述間隙維持在恒定的狀態下，在上述間隙形成上述氣流。在一個形態中，使上述密封件與上述被鍍覆的基板分離的工序是以下工序：在通過與上述被鍍覆的基板接觸的上述密封件而形成於上述基板保持件內的內部空間，並由比大氣壓高的壓力的上述氣體充滿時，使上述密封件與上述被鍍覆的基板分離。
在一個形態中，提供一種方法，該方法是使用基板保持件對基板進行鍍覆的方法，在應鍍覆的基板與上述基板保持件的密封件之間的間隙形成從上述基板保持件的內部朝向外部的氣流，在使上述密封件以及上述基板保持件的電觸點與上述基板接觸的狀態下，使上述基板浸漬於鍍覆液，在存在上述鍍覆液的情況下，在上述基板與陽極之間施加電壓對上述基板進行鍍覆。
在一個形態中，在將上述間隙維持在規定的範圍內的狀態下，在上述間隙形成上述氣流。在一個形態中，在將上述間隙維持在恒定的狀態下，在上述間隙形成上述氣流。在一個形態中，上述方法還包括以下工序：在上述間隙形成了上述氣流之後，使上述密封件與上述基板接觸從而在上述基板保持件內形成內部空間，用比大氣壓高的壓力的氣體充滿上述內部空間，對規定的監視時間的期間中上述內部空間內的上述氣體的壓力的降低量比規定的閾值小的情況進行檢測。
根據本發明，在密封件與基板之間的間隙形成氣流。該氣流能夠防止鍍覆液等液體浸入至基板保持件的內部。結果，能夠防止因與液體的接觸而導致的電觸點的腐蝕。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。 圖1是表示作為鍍覆裝置的一個例子的電解鍍覆裝置的一個實施方式的縱向主剖視圖。如圖1所示，電解鍍覆裝置具備鍍覆槽1。在鍍覆槽1的內部保持有鍍覆液。與鍍覆槽1鄰接設置有接住從鍍覆槽1的邊緣溢出的鍍覆液的溢流槽12。
在溢流槽12的底部連接有設置有泵14的鍍覆液迴圈管道16的一端，鍍覆液迴圈管道16的另一端與鍍覆槽1的底部連接。積存於溢流槽12內的鍍覆液伴隨泵14的驅動通過鍍覆液迴圈管道16返回到鍍覆槽1內。在鍍覆液迴圈管道16中夾設有位於泵14的下游側並調節鍍覆液的溫度的調溫單元20、和除去鍍覆液內的異物的篩檢程式22。
電解鍍覆裝置還具備以裝卸自如的方式保持晶片等基板（被鍍覆體）W的基板保持件24、和使保持於基板保持件24的基板W浸漬於鍍覆槽1內的鍍覆液的運送裝置3。運送裝置3具備保持基板保持件24的保持臂3A、使基板保持件24上下移動的上下移動裝置3B、以及使基板保持件24在水平方向上移動的水平移動裝置3C。保持臂3A與上下移動裝置3B連結，基板保持件24以及保持臂3A通過上下移動裝置3B一體地上下移動。上下移動裝置3B與水平移動裝置3C連結，基板保持件24、保持臂3A、以及上下移動裝置3B通過水平移動裝置3C一體地在水平方向上移動。上下移動裝置3B和水平移動裝置3C分別具備線性馬達等公知的致動器。
基板保持件24在保持於保持臂3A的狀態下，通過運送裝置3的水平移動裝置3C移動到鍍覆槽1的上方。而且，如圖1所示，基板保持件24在被保持於保持臂3A的狀態下，通過運送裝置3的上下移動裝置3B下降。保持於基板保持件24的基板W被浸漬於鍍覆槽1內的鍍覆液中。若基板W的鍍覆結束，則基板保持件24通過上下移動裝置3B上升，由此被保持於基板保持件24的基板W從鍍覆液中被拉起。在本實施方式中基板保持件24以鉛垂姿勢配置於鍍覆槽1內，但也可以在一個實施方式中以水平姿勢或傾斜姿勢配置於鍍覆槽1內。
電解鍍覆裝置還具備配置於鍍覆槽1內的陽極26、保持該陽極26的陽極支架28、以及鍍覆電源30。若保持了基板W的基板保持件24設置於鍍覆槽1，則基板W與陽極26在鍍覆槽1內彼此相對。在基板W的表面（被鍍覆面）預先形成有導電層（例如種子層）。陽極26與鍍覆電源30的正極電連接，基板W的導電層經由基板保持件24與鍍覆電源30的負極連接。若鍍覆電源30在陽極26與基板W之間施加電壓，則基板W在存在鍍覆液的情況下被鍍覆，在基板W的表面析出金屬（例如銅）。
在基板保持件24與陽極26之間配置有與基板W的表面平行地往復運動並攪拌鍍覆液的攪棒32。通過用攪棒32攪拌鍍覆液，從而能夠向基板W的表面均勻地供給充分的金屬離子。並且，在攪棒32與陽極26之間配置有調整板（regulation plate）34，該調整板34由用於使遍及基板W的整個面的電位分佈更均勻的電介質構成。
圖2是表示基板保持件24的示意主視圖，圖3是表示基板保持件24的示意剖視圖。基板保持件24在用於對晶片等基板W進行電解鍍覆的電解鍍覆裝置中被使用。基板保持件24具有保持基板W的第一保持部件38以及第二保持部件40。第二保持部件40通過連結機構41固定於第一保持部件38。
連結機構41具備固定於第一保持部件38的多個第一連結部件42、和固定於第二保持部件40的多個第二連結部件43。多個第二連結部件43安裝於第二保持部件40的外表面。第一連結部件42和第二連結部件43構成為能夠相互卡合。若使第一連結部件42與第二連結部件43相互卡合，則第二保持部件40固定於第一保持部件38（基板保持件24關閉）。若解除第一連結部件42與第二連結部件43的卡合，則第二保持部件40從第一保持部件38（基板保持件24打開）分離。圖4是表示基板保持件24打開的狀態的示意剖視圖。
第一保持部件38具有支承基板W的背面側的面的基板支承面38a。基板W被載置於基板支承面38a上。第二保持部件40具有比基板W的表面側的面小的開口部40a。在本實施方式中，開口部40a是圓形，開口部40a的直徑比基板W的直徑小。在基板保持件24中保持基板W時，基板W的表面側的面從該開口部40a露出。基板W的表面側的面是被鍍覆的面。
基板保持件24具備密封件45。具體而言，基板保持件24的第二保持部件40具有無接頭狀的第一密封件48和無接頭狀的第二密封件47，密封件45由第一密封件48和第二密封件47構成。第一密封件48和第二密封件47也可以是O型環等密封部件。在一個實施方式中，包括第一密封件48以及第二密封件47的第二保持部件40本身可以由具有密封功能的材料構成，也可以是第一密封件48和第二密封件47與第二保持部件40一體構成。在本實施方式中，第一密封件48和第二密封件47是環狀，配置為同心狀。第二密封件47配置於第一密封件48的徑向外側。第二密封件47的大小（直徑）比第一密封件48的大小（直徑）大。在基板的被鍍覆面朝向下方的狀態下，在與鍍覆槽水平地配置基板保持件的倒裝式的鍍覆裝置中，也可以省略第二密封件47。
在基板W的背面側的面支承於基板支承面38a的狀態下，若將第二保持部件40通過連結機構41固定於第一保持部件38，則第一密封件48會被按壓於基板W的表面側的面（被鍍覆的面）的外周部，第二密封件47會被按壓於第一保持部件38。第一密封件48將第二保持部件40與基板W的表面側的面之間的間隙密封，第二密封件47將第一保持部件38與第二保持部件40之間的間隙密封。其結果，在基板保持件24內形成內部空間R。
上述內部空間R由密封件45形成。具體而言，內部空間R由第一保持部件38、第二保持部件40、第一密封件48、第二密封件47、以及基板W形成。基板保持件24具有配置於該內部空間R內的多個第一電觸點54、和多個第二電觸點50。第一電觸點54固定於第一保持部件38，第二電觸點50固定於第二保持部件40。在基板W保持於基板保持件24時，第二電觸點50的一端配置為與基板W的周邊部接觸，在基板保持件24關閉時，第二電觸點50的另一端配置為與第一電觸點54的一端接觸。多個第一電觸點54的另一端分別與在第一保持部件38內延伸的多個電線（未圖示）連接。在基板保持件24設置於圖1所示的鍍覆槽1時，第一電觸點54經由上述電線與圖1所示的鍍覆電源30電連接。
電解鍍覆裝置具備圖5和圖6所示的固定裝置60。基板保持件24的開閉、即第二保持部件40向第一保持部件38的固定、以及第二保持部件40從第一保持部件38的斷開通過圖5和圖6所示的固定裝置60進行。圖5是表示固定裝置60將第二保持部件40從第一保持部件38斷開的情況的圖，圖6是表示固定裝置60將第二保持部件40固定於第一保持部件38的情況的圖。
基板保持件24通過圖1所示的運送裝置3在鍍覆槽1與固定裝置60之間移動。如圖5和圖6所示，固定裝置60具備具有供基板保持件24放置的水平面62a的工作臺62、保持工作臺62上的基板保持件24的第二保持部件40的保持頭64、使保持頭64向靠近第一保持部件38的方向和遠離第一保持部件38的方向移動的頭致動器66、以及使保持頭64以其軸心為中心旋轉的旋轉致動器67。旋轉致動器67通過連結軸68與保持頭64連結。
基板保持件24以第一保持部件38朝上的狀態放置在工作臺62的水平面62a上。保持頭64具有多個鉤70。這些鉤70具有能夠分別與固定於第二保持部件40的多個第二連結部件43卡合的形狀。
將基板W從基板保持件24取出的動作如下所述。頭致動器66使保持頭64下降，進而旋轉致動器67使保持頭64旋轉，從而使鉤70的下端位於第二連結部件43的下方。接下來，頭致動器66使保持頭64稍微上升，從而使鉤70與第二連結部件43卡合。若在鉤70與第二連結部件43卡合的狀態下，旋轉致動器67使保持頭64和第二保持部件40旋轉，則第一連結部件42與第二連結部件43的卡合被解除。頭致動器66通過使保持頭64與第二保持部件40一起上升，從而第二保持部件40與第一保持部件38分離。當第二保持部件40與第一保持部件38分離時，第一密封件48從基板W分離，第二電觸點50從基板W以及第一電觸點54分離，第二密封件47從第一保持部件38分離。基板W被未圖示的運送機器人從第一保持部件38取出。
將基板W安裝於基板保持件24的動作如下所述。當被保持於保持頭64的第二保持部件40從第一保持部件38分離時，基板W通過未圖示的運送機器人被放置在第一保持部件38的基板支承面38a上。頭致動器66使保持頭64與第二保持部件40一起下降。並且，旋轉致動器67使保持頭64旋轉，從而使第二連結部件43與第一連結部件42卡合。由此，第二保持部件40被固定於第一保持部件38。此時，第一密封件48與基板W接觸，第二電觸點50與基板W以及第一電觸點54接觸，第二密封件47與第一保持部件38接觸。其後，保持頭64通過頭致動器66而上升。
頭致動器66由未圖示的滾珠絲杠機構與伺服馬達的組合構成。旋轉致動器67也同樣地由未圖示的滾珠絲杠機構與伺服馬達的組合構成。頭致動器66以及旋轉致動器67與動作控制部109電連接，頭致動器66以及旋轉致動器67的動作由動作控制部109控制。
動作控制部109由至少一台計算機構成。動作控制部109在其內部具備存儲裝置109a和運算裝置109b。運算裝置109b包括根據儲存於存儲裝置109a的程式進行運算的CPU（中央處理裝置）或者GPU（圖形處理單元）等。存儲裝置109a具備運算裝置109b可訪問的主存儲裝置（例如隨機存取記憶體）、和儲存資料以及程式的輔助存儲裝置（例如，硬碟驅動器或者固態驅動器）。
如圖6所示，在第一保持部件38的內部形成有內部通路55，在第一保持部件38的外表面設置有向外側開口的氣體導入口57。內部通路55的一端與氣體導入口57連通，另一端與內部空間R連通。內部空間R通過內部通路55與氣體導入口57連通。
電解鍍覆裝置還具備用於從基板保持件24的第一密封件48和第二密封件47除去液體的液體除去裝置100。該液體除去裝置100具備從加壓氣體供給源112延伸的氣體供給管道114、控制氣體供給管道114內的氣體的壓力的壓力調整閥115、測量氣體供給管道114內的氣體的壓力的壓力測量器117、以及安裝於氣體供給管道114的開閉閥128。開閉閥128、壓力調整閥115、以及壓力測量器117與氣體供給管道114連接。列舉有壓縮空氣供給源或者惰性氣體供給源作為加壓氣體供給源112的例子。
氣體供給管道114的一端與加壓氣體供給源112連接，另一端與具備密封環104的流路接頭106連接。流路接頭106經由連結板110與氣缸等致動器108連結。如圖6所示，致動器108將流路接頭106的密封環104向基板保持件24的氣體導入口57按壓，能夠將流路接頭106與基板保持件24連接。若將流路接頭106與基板保持件24連接，則氣體供給管道114通過流路接頭106、氣體導入口57、以及內部通路55與內部空間R連通。致動器108根據來自動作控制部109的指示進行動作。
壓力測量器117配置於氣體供給管道114的基板保持件側端部與開閉閥128之間。壓力測量器117、開閉閥128、以及壓力調整閥115從基板保持件側端部開始按照壓力測量器117、開閉閥128、壓力調整閥115的順序沿著氣體供給管道114以串聯的方式排列。
壓力測量器117、開閉閥128、以及壓力調整閥115與動作控制部109電連接。動作控制部109構成為對開閉閥128進行開閉，開閉閥128的動作由動作控制部109控制。
動作控制部109將規定的設定壓力值向壓力調整閥115發送，壓力調整閥115構成為根據上述設定壓力值，控制氣體供給管道114內的氣體的壓力。列舉有電動氣壓調節器可作為壓力調整閥115的例子。壓力測量器117構成為將氣體供給管道114內的氣體的壓力的測量值向動作控制部109發送。
圖7和圖8是用於說明液體除去裝置100的動作的示意圖。在圖7和圖8中，特別示意性地示出了保持頭64和頭致動器66。液體除去裝置100為了除去附著於第一密封件48和第二密封件47的液體（例如鍍覆液），防止液體與電觸點50、54接觸而設置。
如圖7所示，在開閉閥128關閉的狀態下，動作控制部109將比大氣壓高的規定的設定壓力值向壓力調整閥115發送，壓力調整閥115以將氣體供給管道114內的氣體的壓力維持在上述設定壓力值的方式進行動作。
如圖8所示，動作控制部109向頭致動器66發出指令，使保持了第二保持部件40的保持頭64上升，從而使第二保持部件40與第一保持部件38分離。此時，第一密封件48和第二電觸點50遠離基板W，第二密封件47遠離第一保持部件38。在第一密封件48與基板W之間形成有間隙G1，在第二密封件47與第一保持部件38之間形成有間隙G2。
接下來，動作控制部109打開開閉閥128。空氣或者惰性氣體（例如氮氣）等氣體通過氣體供給管道114向基板保持件24的內部空間R注入。氣體通過第一密封件48與基板W之間的間隙G1，從基板保持件24的內部向外部流動。該氣流將附著於第一密封件48的液體吹向基板保持件24的外部，將液體從第一密封件48除去。同樣地氣體通過第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2，從基板保持件24的內部向外部流動。該氣流將附著於第二密封件47的液體吹向基板保持件24的外部，將液體從第二密封件47除去。
在本實施方式中，在第一密封件48與基板W之間的間隙G1、以及第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2處於設定值以下的期間，動作控制部109將開閉閥128維持在打開的狀態，在間隙G1、G2持續形成氣流。間隙G1、G2的上述設定值為使在間隙G1、G2流動的氣體的速度充分提高到使得從第一密封件48和第二密封件47除去液體那樣的值。在本實施方式中，在間隙G1、G2流動的氣體的流量為恒定的。在一個實施方式中，也可以使在間隙G1、G2流動的氣體的流量變化。
形成於間隙G1、G2的氣流能夠防止鍍覆液等液體浸入至基板保持件24的內部。特別是氣流能夠防止液體與電觸點50、54接觸，因此，能夠防止電觸點50、54的腐蝕，實現電觸點50、54的長壽命化。
在本實施方式中，為了可靠地從第一密封件48和第二密封件47除去液體，動作控制部109向頭致動器66發出指令，將間隙G1、G2在規定的時間期間保持恒定，並且將開閉閥128維持在打開的狀態，在間隙G1、G2形成氣流。在將間隙G1、G2維持在恒定期間，氣體在間隙G1、G2持續流動。間隙G1、G2的大小被設為使在間隙G1、G2流動的氣體的速度充分提高到使得從第一密封件48和第二密封件47除去液體那樣的值。在一個例子中，間隙G1、G2維持在從0.5mm~1.0mm的範圍內選擇的大小。動作控制部109能夠從頭致動器66的操作量來決定間隙G1、G2的當前大小。
在一個實施方式中，動作控制部109也可以向頭致動器66發出指令，將間隙G1、G2在規定的時間的期間中維持在規定的範圍內，並且將開閉閥128維持在打開的狀態，在間隙G1、G2形成氣流。在一個例子中，上述規定的範圍是0.5mm~1.0mm的範圍。
在本實施方式中，在形成了間隙G1、G2之後，開始向基板保持件24的內部空間R內供給氣體，但在一個實施方式中，也可以在形成間隙G1、G2之前，開始向基板保持件24的內部空間R內供給氣體。具體而言，動作控制部109也可以在使第一密封件48以及第二密封件47與基板W和第一保持部件38分離之前打開開閉閥128，向內部空間R內供給氣體。存在於內部空間R內的氣體具有比大氣壓高的壓力。因此，第一密封件48遠離基板W的同時，氣體通過第一密封件48與基板W之間的間隙G1，從基板保持件24的內部向外部流動。同樣地，第二密封件47遠離第一保持部件38的同時，氣體通過第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2，從基板保持件24的內部向外部流動。在使第一密封件48以及第二密封件47與基板W以及第一保持部件38分離之前，用比大氣壓高的壓力的氣體充滿內部空間R內的動作能夠可靠地防止液體浸入至基板保持件24的內部。
圖9是對使用液體除去裝置100在對基板W進行了鍍覆之後從第一密封件48和第二密封件47除去液體的工序的一個實施方式進行說明的流程圖。在步驟1中，在使基板保持件24的第一密封件48以及第二電觸點50與基板W接觸的狀態下，使基板W浸漬於鍍覆槽1內的鍍覆液（參照圖1和圖3）。基板保持件24的第二密封件47也同樣地與第一保持部件38接觸。在步驟2中，在存在鍍覆液的情況下，在基板W與陽極26之間施加電壓對基板W進行鍍覆。
在步驟3中，通過運送裝置3從鍍覆液中拉起鍍覆後的基板W。在步驟4中，保持了基板W的基板保持件24通過運送裝置3被運送到固定裝置60，水平地放置在固定裝置60的工作臺62上（參照圖6）。在步驟5中，使第一密封件48以及第二電觸點50與鍍覆後的基板W分離，同時使第二密封件47與第一保持部件38分離。
在步驟6中，動作控制部109打開開閉閥128，在鍍覆後的基板W與第一密封件48之間的間隙G1、以及第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2形成從基板保持件24的內部朝向外部的氣流，從第一密封件48以及第二密封件47除去液體。（參照圖8）在一個實施方式中，將間隙G1、G2保持為恒定、或者將間隙G1、G2保持在規定的範圍內，並且在間隙G1、G2形成氣流。在步驟7中，動作控制部109關閉開閉閥128，使在間隙G1、G2中的氣流停止。在步驟8中，基板W通過未圖示的運送機器人從基板保持件24被取出。
圖10是對使用液體除去裝置100在對基板W進行了鍍覆之後從第一密封件48以及第二密封件47除去液體的工序的其他的實施方式進行說明的流程圖。其步驟1~步驟4與圖9所示的步驟1~步驟4相同，因此省略其重複的說明。
在步驟5中，動作控制部109打開開閉閥128，向基板保持件24的內部空間R內注入氣體，並用比大氣壓高的壓力的氣體充滿內部空間R。在步驟6中，使第一密封件48與鍍覆後的基板W分離，同時使第二密封件47與第一保持部件38分離。此時，在鍍覆後的基板W與第一密封件48之間的間隙G1、以及第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2形成有從基板保持件24的內部朝向外部的氣流（參照圖8）。
在步驟7中，在間隙G1、G2持續形成氣流，從第一密封件48以及第二密封件47除去液體。在一個實施方式中，將間隙G1、G2保持為恒定、或者將間隙G1、G2保持在規定的範圍內，並且在間隙G1、G2形成氣流。在步驟8中，動作控制部109關閉開閉閥128，使在間隙G1、G2中的氣流停止。在步驟9中，基板W通過未圖示的運送機器人從基板保持件24被取出。
在一個實施方式中，也可以在對基板W進行鍍覆之前，從第一密封件48以及第二密封件47除去液體。
圖11是對使用液體除去裝置100，在對基板W進行鍍覆之前從第一密封件48和第二密封件47除去液體的工序的一個實施方式進行說明的流程圖。在步驟1中，基板保持件24通過運送裝置3被運送到固定裝置60，水平地放置在固定裝置60的工作臺62上。在步驟2中，應鍍覆的基板W通過未圖示的運送機器人被載置在基板保持件24的第一保持部件38的基板支承面38a上。在步驟3中，動作控制部109向頭致動器66發出指令，使第二保持部件40下降，在第一密封件48與基板W之間形成間隙G1，同時在第二密封件47與第一保持部件38之間形成間隙G2。
在步驟4中，動作控制部109打開開閉閥128，在基板W與第一密封件48之間的間隙G1、以及第二密封件47與第一保持部件38之間的間隙G2形成從基板保持件24的內部朝向外部的氣流，從第一密封件48和第二密封件47除去液體（參照圖8）。在一個實施方式中，將間隙G1、G2保持為恒定、或者將間隙G1、G2保持在規定的範圍內，並且在間隙G1、G2形成氣流。在步驟5中，動作控制部109關閉開閉閥128，使間隙G1、G2中的氣流停止。在步驟6中，使基板保持件24的第一密封件48以及第二電觸點50與基板W接觸，使第二密封件47與第一保持部件38接觸（參照圖7）。
在步驟7中，通過運送裝置3將保持了應鍍覆的基板W的基板保持件24運送到鍍覆槽1，並使基板W浸漬於鍍覆液中。在步驟8中，在存在鍍覆液的情況下，在基板W與陽極26之間施加電壓對基板W進行鍍覆。在步驟9中，通過運送裝置3從鍍覆液中拉起鍍覆後的基板W。
在基板W的鍍覆後，還可以實施參照圖9或圖10的流程圖所說明的液體除去工序。
圖5和圖6所示的液體除去裝置100也能夠作為用於檢查第一密封件48以及第二密封件47的密封狀態的洩漏檢查裝置而使用。第一密封件48以及第二密封件47的密封狀態的檢查是根據將比大氣壓高的壓力的氣體封入內部空間R內，檢查氣體是否通過第一密封件48以及第二密封件47從內部空間R洩漏而進行。該洩漏檢查在基板保持件24保持著基板W的狀態下進行。若第一密封件48和第二密封件47沒有正確發揮其密封功能，則氣體從內部空間R向大氣中洩漏，內部空間R的壓力發生變化。上述洩漏檢查通過檢測內部空間R的壓力變化而進行。
洩漏檢查如下進行。如圖6所示，使第一密封件48以及第二密封件47分別與基板W以及第一保持部件38接觸，形成內部空間R。動作控制部109通過打開開閉閥128從而向內部空間R供給氣體，用具有比大氣壓高的壓力的氣體充滿內部空間R內。動作控制部109關閉開閉閥128，而且，監視從壓力測量器117送來的壓力的測量值。該壓力的測量值是氣體供給管道114內的氣體的壓力。氣體供給管道114與內部空間R連通，因此從壓力測量器117送來的壓力的測量值表示內部空間R內的壓力。
動作控制部109判定在規定的監視時間的期間中，從壓力測量器117送來的壓力的測量值的降低量（即內部空間R內的壓力的降低量）是否超過了規定的閾值。在規定的監視時間的期間中，在壓力的測量值的降低量（即內部空間R內的壓力的降低量）超過了規定的閾值的情況下，動作控制部109判斷為第一密封件48以及／或者第二密封件47的密封狀態降低。在該情況下，基板保持件24被回收，不執行基板W的鍍覆。
另一方面，在規定的監視時間的期間中，在壓力的測量值的降低量（即內部空間R內的壓力的降低量）比規定的閾值小的情況下，動作控制部109判斷為第一密封件48以及第二密封件47的密封狀態為正常。在該情況下，執行基板W的鍍覆。
圖12是對使用液體除去裝置100，在對基板W進行鍍覆之前從第一密封件48和第二密封件47除去液體，並且實施第一密封件48和第二密封件47的洩漏檢查的一個實施方式進行說明的流程圖。其步驟1~步驟6與圖11所示的步驟1~步驟6相同，因此省略其重複的說明。
在步驟7中，用比大氣壓高的壓力的氣體充滿內部空間R。在步驟8中，動作控制部109檢測在規定的監視時間的期間中內部空間R內的氣體的壓力的降低量比規定的閾值小的情況。該步驟8是確認第一密封件48以及第二密封件47正常地發揮功能的步驟。在步驟9中，通過運送裝置3將保持了應鍍覆的基板W的基板保持件24運送到鍍覆槽1，並使基板W浸漬於鍍覆液中。在步驟10中，在存在鍍覆液的情況下，在基板W與陽極之間施加電壓對基板W進行鍍覆。在步驟11中，通過運送裝置3從鍍覆液中拉起鍍覆後的基板W。
在基板W的鍍覆後，還可以實施參照圖9或圖10的流程圖所說明的液體除去工序。
以上說明的各實施方式中的基板W是晶片等圓形的基板，但本發明也能夠應用於四邊形的基板。用於保持四邊形的基板的基板保持件24的各構成部件具有與其基板的形狀適合的形狀。例如，上述的開口部40a成為比四邊形的基板整體的尺寸小的四邊形的開口部。第二密封件47、第一密封件48等各種密封要素也成為與四邊形的基板的形狀適合的形狀。其他的各構成部件的形狀也能夠在不脫離上述的技術思想的範圍內適當地變更。
上述的實施方式是以本發明所屬的技術領域中的具有通常知識的人能夠實施本發明為目的而記載的。若是本領域技術人員當然能夠完成上述實施方式的各種變形例，本發明的技術思想也能夠應用於其他的實施方式。因此，本發明並不限定於所記載的實施方式，而是解釋為遵循由權利要求書所定義的技術思想的最廣泛的範圍。
1:鍍覆槽 3:運送裝置 3A:保持臂 3B:上下移動裝置 3C:水平移動裝置 12:溢流槽 14:泵 16:鍍覆液迴圈管道 20:調溫單元 22:篩檢程式 24:基板保持件 26:陽極 28:陽極支架 30:鍍覆電源 32:攪棒 34:調整板（regulation plate） 38:第一保持部件 38a:基板支承面 40:第二保持部件 40a:開口部 41:連結機構 42:第一連結部件 43:第二連結部件 45:密封件 47:第二密封件 48:第一密封件 50:第二電觸點 54:第一電觸點 55:內部通路 57:氣體導入口 62:工作臺 64:保持頭 66:頭致動器 67:旋轉致動器 68:連結軸 100:液體除去裝置 104:密封環 106:流路接頭 108:致動器 109:動作控制部 109a:存儲裝置 109b:運算裝置 110:連結板 112:加壓氣體供給源 114:氣體供給管道 115:壓力調整閥 117:壓力測量器 128:開閉閥 G1:間隙 G2:間隙 R:內部空間 W:基板
圖1是表示作為鍍覆裝置的一個例子的電解鍍覆裝置的一個實施方式的縱向主剖視圖。 圖2是表示基板保持件的示意主視圖。 圖3是表示基板保持件的示意剖視圖。 圖4是表示基板保持件打開的狀態的示意剖視圖。 圖5是表示固定裝置打開基板保持件的狀態的圖。 圖6是表示固定裝置關閉基板保持件的狀態的圖。 圖7是用於說明液體除去裝置的動作的示意圖。 圖8是用於說明液體除去裝置的動作的示意圖。 圖9是對使用液體除去裝置在對基板進行了鍍覆之後從第一密封件和第二密封件除去液體的工序的一個實施方式進行說明的流程圖。 圖10是對使用液體除去裝置在對基板進行了鍍覆之後從第一密封件和第二密封件除去液體的工序的其他的實施方式進行說明的流程圖。 圖11是對使用液體除去裝置在對基板進行鍍覆之前從第一密封件和第二密封件除去液體的工序的一個實施方式進行說明的流程圖。 圖12是對使用液體除去裝置在對基板進行鍍覆之前從第一密封件和第二密封件除去液體，並且實施第一密封件和第二密封件的洩漏檢查的一個實施方式進行說明的流程圖。
24:基板保持件
38:第一保持部件
38a:基板支承面
40:第二保持部件
47:第二密封件
48:第一密封件
50:第二電觸點
54:第一電觸點
64:保持頭
66:頭致動器
109:動作控制部
112:加壓氣體供給源
114:氣體供給管道
115:壓力調整閥
128:開閉閥
G1:間隙
G2:間隙
R:內部空間
W:基板

Claims (8)

  1. 一種使用基板保持件來對基板進行鍍覆的方法，包括： 在使所述基板保持件的密封件以及電觸點與基板接觸的狀態下，使所述基板浸漬於鍍覆液； 在存在所述鍍覆液的情況下，在所述基板與陽極之間施加電壓來對所述基板進行鍍覆； 將所述被鍍覆的基板從所述鍍覆液中拉起； 使所述密封件與所述被鍍覆的基板分離；以及 在所述被鍍覆的基板與所述密封件之間的間隙形成從所述基板保持件的內部朝向外部的氣流。
  2. 如請求項1所述的方法，其中： 將所述間隙維持在規定的範圍內的狀態下，在所述間隙形成所述氣流。
  3. 如請求項2所述的方法，其中： 將所述間隙維持為恒定的狀態下，在所述間隙形成所述氣流。
  4. 如請求項1至3中任一項所述的方法，其中，使所述密封件與所述被鍍覆的基板分離的工序為以下工序： 當通過與所述被鍍覆的基板接觸的所述密封件而形成於所述基板保持件內的內部空間，並由比大氣壓高的壓力的所述氣體充滿時，使所述密封件與所述被鍍覆的基板分離。
  5. 一種使用基板保持件來對基板進行鍍覆的方法，包括： 在應鍍覆的基板與所述基板保持件的密封件之間的間隙形成從所述基板保持件的內部朝向外部的氣流； 在使所述密封件以及所述基板保持件的電觸點與所述基板接觸的狀態下，使所述基板浸漬於鍍覆液； 在存在所述鍍覆液的情況下，在所述基板與陽極之間施加電壓來對所述基板進行鍍覆。
  6. 如請求項5所述的方法，其中： 將所述間隙維持在規定的範圍內的狀態下，在所述間隙形成所述氣流。
  7. 如請求項6所述的方法，其中： 將所述間隙維持為恒定的狀態下，在所述間隙形成所述氣流。
  8. 如請求項5~7中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括以下工序： 在所述間隙形成了所述氣流之後，使所述密封件與所述基板接觸從而在所述基板保持件內形成內部空間； 用比大氣壓高的壓力的氣體充滿所述內部空間； 對規定的監視時間的期間中所述內部空間內的所述氣體的壓力的降低量比規定的閾值小的情況進行檢測。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7097522B1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-07 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置、めっき方法、及び記憶媒体
KR102378307B1 (ko) * 2021-02-22 2022-03-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
US20240047235A1 (en) * 2021-05-31 2024-02-08 Ebara Corporation Prewet module and prewet method
KR102493634B1 (ko) * 2021-10-18 2023-02-06 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 방법 및 도금 장치
TWI803026B (zh) * 2021-10-25 2023-05-21 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆方法及鍍覆裝置
CN114908403A (zh) * 2022-04-13 2022-08-16 上海戴丰科技有限公司 一种晶圆装卸挂具设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003277995A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
TW201812096A (zh) * 2013-03-26 2018-04-01 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置
TW201817924A (zh) * 2016-11-14 2018-05-16 日商荏原製作所股份有限公司 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置
TW201821651A (zh) * 2016-12-14 2018-06-16 日商荏原製作所股份有限公司 電解鍍覆裝置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
JP2001303295A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Nec Corp メッキ装置
JP2002332597A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2004083932A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Ebara Corp 電解処理装置
JP4445932B2 (ja) * 2006-02-09 2010-04-07 日本ピラー工業株式会社 軸流型非接触シール
JP6018961B2 (ja) * 2013-03-26 2016-11-02 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき方法
JP6116317B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき方法
JP6370995B2 (ja) * 2015-04-17 2018-08-08 株式会社ハーモニック・ドライブ・システムズ 静圧シール付きモーター

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003277995A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
TW201812096A (zh) * 2013-03-26 2018-04-01 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置
TW201817924A (zh) * 2016-11-14 2018-05-16 日商荏原製作所股份有限公司 滲漏檢查方法、滲漏檢查裝置、電解鍍覆方法、及電解鍍覆裝置
TW201821651A (zh) * 2016-12-14 2018-06-16 日商荏原製作所股份有限公司 電解鍍覆裝置

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