JP3285007B2 - めっき装置用検出器 - Google Patents
めっき装置用検出器Info
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- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R27/20—Measuring earth resistance; Measuring contact resistance, e.g. of earth connections, e.g. plates
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カソード電極と被
めっき物のコンタクトポイントとを複数個有するめっき
装置のめっき装置用検出器に関し、特に、複数のカソー
ド電極の接触抵抗異常の測定に好適なめっき装置用検出
器に関する。
めっき物のコンタクトポイントとを複数個有するめっき
装置のめっき装置用検出器に関し、特に、複数のカソー
ド電極の接触抵抗異常の測定に好適なめっき装置用検出
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程におけるＣｕのダマシン
配線形成プロセスにおいては、めっき工程の後工程にあ
たるＣＭＰ工程において、同心円状のめっきの膜厚分布
が所望されており、この要求を満たすため、Ｃｕめっき
装置のカソード電極は多点化が進行している。
配線形成プロセスにおいては、めっき工程の後工程にあ
たるＣＭＰ工程において、同心円状のめっきの膜厚分布
が所望されており、この要求を満たすため、Ｃｕめっき
装置のカソード電極は多点化が進行している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｕめっきの
膜厚面内分布は、各カソード電極とウエハとの間の接触
抵抗のバラツキに大きく依存するため、カソード電極数
が増加するに伴い、めっきの膜厚面内分布の制御は困難
になるという問題点がある。
膜厚面内分布は、各カソード電極とウエハとの間の接触
抵抗のバラツキに大きく依存するため、カソード電極数
が増加するに伴い、めっきの膜厚面内分布の制御は困難
になるという問題点がある。
【０００４】この問題点を解決するためには、各カソー
ド電極とウエハとの間の接触抵抗を測定し、管理するこ
とが必要になる。
ド電極とウエハとの間の接触抵抗を測定し、管理するこ
とが必要になる。
【０００５】しかしながら、現状の測定方法では、金属
膜が全面に被覆されているウエハを使用しているため、
ウエハと全てのカソード電極との間の接触抵抗を１点の
みでしか測定することができず、不具合のあるカソード
電極の位置を特定することが不可能であるという問題点
がある。
膜が全面に被覆されているウエハを使用しているため、
ウエハと全てのカソード電極との間の接触抵抗を１点の
みでしか測定することができず、不具合のあるカソード
電極の位置を特定することが不可能であるという問題点
がある。
【０００６】このことから、多数のカソード電極を有す
るＣｕめっき装置において、コンタクト異常のカソード
電極を特定する方法及び装置の必要性が生じている。
るＣｕめっき装置において、コンタクト異常のカソード
電極を特定する方法及び装置の必要性が生じている。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、カソード電極を複数有する場合であって
も、コンタクト異常のカソード電極を特定することがで
き、所望のめっきの膜厚分布を得ることができるめっき
装置用検出器を提供することを目的とする。
のであって、カソード電極を複数有する場合であって
も、コンタクト異常のカソード電極を特定することがで
き、所望のめっきの膜厚分布を得ることができるめっき
装置用検出器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るめっき装置
用検出器は、被めっき物に負電位を印加する複数のカソ
ード電極と、ウエハと、前記ウエハ上に複数個に分離し
て形成された金属膜と、前記各金属膜とそれに対応する
各カソード電極との接触抵抗を測定する測定手段とを有
することを特徴とする。
用検出器は、被めっき物に負電位を印加する複数のカソ
ード電極と、ウエハと、前記ウエハ上に複数個に分離し
て形成された金属膜と、前記各金属膜とそれに対応する
各カソード電極との接触抵抗を測定する測定手段とを有
することを特徴とする。
【０００９】この場合、前記各金属膜はそれに対応する
各カソード電極に接触させる各コンタクトポイントと、
前記コンタクトポイントにおける前記各カソード電極の
接触抵抗を測定する各測定ポイントとを有することが好
ましい。
各カソード電極に接触させる各コンタクトポイントと、
前記コンタクトポイントにおける前記各カソード電極の
接触抵抗を測定する各測定ポイントとを有することが好
ましい。
【００１０】また、前記ウエハと前記金属膜との間には
１又は複数の膜が形成されていることが好ましい。
１又は複数の膜が形成されていることが好ましい。
【００１１】更に、前記金属膜は１又は複数層からなる
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１２】更にまた、前記ウエハはＳｉからなること
が好ましい。
が好ましい。
【００１３】また、前記金属膜はＴａ、ＴａＮ、Ｔｉ及
びＴｉＮからなる群から選択された少なくとも１種から
なることが好ましい。
びＴｉＮからなる群から選択された少なくとも１種から
なることが好ましい。
【００１４】更に、前記膜はＣｕ、Ａｌ、ＡｌＣｕ及び
Ｗからなる群から選択された少なくとも１種からなるこ
とが好ましい。
Ｗからなる群から選択された少なくとも１種からなるこ
とが好ましい。
【００１５】本発明においては、ウエハ上に複数に分離
して形成された金属膜と、各金属膜とそれに対応する各
カソード電極との接触抵抗を測定する測定手段とを有す
ることにより、被めっき物に負電位を印加させる複数の
カソード電極について、カソード電極毎に接触抵抗を測
定することができるため、コンタクト異常のカソード電
極を検出することができる。このため、めっきの膜厚面
内分布の制御性を向上させることができ、所望の膜厚分
布のめっき膜を得ることができる。
して形成された金属膜と、各金属膜とそれに対応する各
カソード電極との接触抵抗を測定する測定手段とを有す
ることにより、被めっき物に負電位を印加させる複数の
カソード電極について、カソード電極毎に接触抵抗を測
定することができるため、コンタクト異常のカソード電
極を検出することができる。このため、めっきの膜厚面
内分布の制御性を向上させることができ、所望の膜厚分
布のめっき膜を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るめっ
き装置用検出器について添付の図面を参照して詳細に説
明する。図１は本発明の第１実施例に係るめっき装置用
検出器を示す正面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線によ
る断面図である。
き装置用検出器について添付の図面を参照して詳細に説
明する。図１は本発明の第１実施例に係るめっき装置用
検出器を示す正面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線によ
る断面図である。
【００１７】本実施例では、図１に示すように、円板状
のウエハ１の上に金属膜２が直径方向に半径よりも短い
長さに形成され、この金属膜２が放射状に一定間隔でカ
ソード電極５と同数配置されている。また、この金属膜
２には、ウエハ１の中心方向の端部に測定ポイント４が
形成され、ウエハ１の外周方向側の端部（外縁部）にコ
ンタクトポイント３が形成されている。このコンタクト
ポイント３には、図２に示すように、カソード電極５が
接する。また、各金属膜２と各カソード電極５との接触
抵抗を測定する測定手段（図示せず）を有している。
のウエハ１の上に金属膜２が直径方向に半径よりも短い
長さに形成され、この金属膜２が放射状に一定間隔でカ
ソード電極５と同数配置されている。また、この金属膜
２には、ウエハ１の中心方向の端部に測定ポイント４が
形成され、ウエハ１の外周方向側の端部（外縁部）にコ
ンタクトポイント３が形成されている。このコンタクト
ポイント３には、図２に示すように、カソード電極５が
接する。また、各金属膜２と各カソード電極５との接触
抵抗を測定する測定手段（図示せず）を有している。
【００１８】本実施例においては、カソード電極５及び
金属膜２の抵抗値が既知のものであれば、各カソード電
極５とそれに対応する各測定ポイント４との間の抵抗を
測定手段により測定することにより、各コンタクトポイ
ント３の接触抵抗を算出することができる。即ち、本実
施例のめっき装置用検出器においては、複数のカソード
電極５のうち、コンタクト異常のカソード電極５を検出
することが可能となり、その結果、めっきの膜厚面内分
布の制御性を向上させることができる。
金属膜２の抵抗値が既知のものであれば、各カソード電
極５とそれに対応する各測定ポイント４との間の抵抗を
測定手段により測定することにより、各コンタクトポイ
ント３の接触抵抗を算出することができる。即ち、本実
施例のめっき装置用検出器においては、複数のカソード
電極５のうち、コンタクト異常のカソード電極５を検出
することが可能となり、その結果、めっきの膜厚面内分
布の制御性を向上させることができる。
【００１９】本発明の第２実施例について図３及び図４
を参照して詳細に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には同一符号を付しその詳細な
説明は省略する。図３は本発明の第２実施例に係るめっ
き装置用検出器を示す正面図であり、図４は図３のＢ−
Ｂ線による断面図である。
を参照して詳細に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には同一符号を付しその詳細な
説明は省略する。図３は本発明の第２実施例に係るめっ
き装置用検出器を示す正面図であり、図４は図３のＢ−
Ｂ線による断面図である。
【００２０】本実施例においては、第１実施例と比較し
て、ウエハ１に相当する部分及び金属膜２の上に膜が形
成されていることが異なり、それ以外の構成は第１実施
例と同様の構成である。本実施例においては、図３及び
図４に示すように、円板状のＳｉ基板６の上にＳｉＯ2
膜７が形成されている。このＳｉＯ2膜７の上にはＴａ
膜８が形成されている。このＴａ膜８の上にはＣｕシー
ド膜９が直径方向に半径よりも短く形成され、このＣｕ
シード膜９は放射状に一定間隔でカソード電極５と同数
配置されている。各Ｃｕシード膜９の上にはＣｕめっき
膜１０が形成されている。このＣｕめっき膜１０には、
Ｓｉ基板６の中心方向側の端部に測定ポイント４が形成
され、外周方向側の端部にはコンタクトポイント３が形
成されている。このコンタクトポイント３には図４に示
すように、カソード電極５が接続される。また、各金属
膜２と各カソード電極５との接触抵抗を測定する測定手
段（図示せず）を有している。
て、ウエハ１に相当する部分及び金属膜２の上に膜が形
成されていることが異なり、それ以外の構成は第１実施
例と同様の構成である。本実施例においては、図３及び
図４に示すように、円板状のＳｉ基板６の上にＳｉＯ2
膜７が形成されている。このＳｉＯ2膜７の上にはＴａ
膜８が形成されている。このＴａ膜８の上にはＣｕシー
ド膜９が直径方向に半径よりも短く形成され、このＣｕ
シード膜９は放射状に一定間隔でカソード電極５と同数
配置されている。各Ｃｕシード膜９の上にはＣｕめっき
膜１０が形成されている。このＣｕめっき膜１０には、
Ｓｉ基板６の中心方向側の端部に測定ポイント４が形成
され、外周方向側の端部にはコンタクトポイント３が形
成されている。このコンタクトポイント３には図４に示
すように、カソード電極５が接続される。また、各金属
膜２と各カソード電極５との接触抵抗を測定する測定手
段（図示せず）を有している。
【００２１】本実施例におけるコンタクト異常のカソー
ド電極の検出方法について説明する。先ず、各カソード
電極５の抵抗値Ｒ1及び各コンタクトポイント３とそれ
に対応する各測定ポイント４との間の抵抗値Ｒ2を個別
に測定する。次に、各カソード電極５とそれに対応する
各Ｃｕめっき膜１０とがコンタクトした状態で、各カソ
ード電極５とそれに対応する各測定ポイント４との間の
抵抗値Ｒ3を測定手段により測定する。各コンタクトポ
イント３の接触抵抗値をＲ4とするとき、接触抵抗値Ｒ4
は各々の抵抗値と下記数式１の関係を満足する。
ド電極の検出方法について説明する。先ず、各カソード
電極５の抵抗値Ｒ1及び各コンタクトポイント３とそれ
に対応する各測定ポイント４との間の抵抗値Ｒ2を個別
に測定する。次に、各カソード電極５とそれに対応する
各Ｃｕめっき膜１０とがコンタクトした状態で、各カソ
ード電極５とそれに対応する各測定ポイント４との間の
抵抗値Ｒ3を測定手段により測定する。各コンタクトポ
イント３の接触抵抗値をＲ4とするとき、接触抵抗値Ｒ4
は各々の抵抗値と下記数式１の関係を満足する。
【００２２】
【数１】Ｒ4＝Ｒ3−（Ｒ1＋Ｒ2）
【００２３】この数式１により、各コンタクトポイント
３の接触抵抗値Ｒ4を求めることができる。
３の接触抵抗値Ｒ4を求めることができる。
【００２４】夫々の抵抗値の測定を全てのカソード電極
５及び測定ポイント４について行い、コンタクトポイン
ト３の接触抵抗値Ｒ4が極端に大きい場所が、コンタク
ト異常のカソード電極５であると判定することができ
る。このコンタクト異常のカソード電極５の箇所を修正
することにより、めっきの膜厚面内分布の制御が可能と
なる。
５及び測定ポイント４について行い、コンタクトポイン
ト３の接触抵抗値Ｒ4が極端に大きい場所が、コンタク
ト異常のカソード電極５であると判定することができ
る。このコンタクト異常のカソード電極５の箇所を修正
することにより、めっきの膜厚面内分布の制御が可能と
なる。
【００２５】めっきの膜厚面内分布は、各カソード電極
５とそれに対応する各コンタクトポイント３との接触抵
抗のバラツキが支配的なものであり、コンタクト異常で
あるカソード電極５の検出がめっきの膜厚面内分布の制
御性に影響を与える。即ち、本実施例の複数のカソ−ド
電極５を有するめっき装置用検出器において、コンタク
ト異常のカソード電極５を検出することが可能となり、
めっきの膜厚面内分布の制御性を向上させることができ
る。
５とそれに対応する各コンタクトポイント３との接触抵
抗のバラツキが支配的なものであり、コンタクト異常で
あるカソード電極５の検出がめっきの膜厚面内分布の制
御性に影響を与える。即ち、本実施例の複数のカソ−ド
電極５を有するめっき装置用検出器において、コンタク
ト異常のカソード電極５を検出することが可能となり、
めっきの膜厚面内分布の制御性を向上させることができ
る。
【００２６】本実施例に係るめっき装置用検出器の製造
方法について図３及び４を参照して詳細に説明する。先
ず、図４に示すように、Ｓｉ基板６の表面上に、ＳｉＯ
2膜７を例えば、ＣＶＤ法により形成する。次に、この
ＳｉＯ2膜７上にＴａ膜８及びＣｕシード膜９を順次、
例えば、スパッタ法により成膜する。次に、このＣｕシ
ード膜９を下地膜として、この上に例えば、電界めっき
法により、Ｃｕめっき膜１０を成膜する。次に、図３に
示すように、Ｔａ膜８上に金属膜２を直径方向に半径よ
りも短い長さで放射状に一定間隔でカソード電極５と同
数配置される金属膜２の形成予定形状に耐酸性テープで
Ｃｕめっき膜１０表面をマスキングする。この耐酸性テ
ープは、めっき装置が保有するカソード電極５と同数で
あり、全て同一形状であることが望ましい。次に、例え
ば、過硫酸アンモニウム水溶液又は硝酸等のＣｕエッチ
ャントを使用してウエットエッチングを行う。次に、十
分に洗浄した後、耐酸性テープを剥離する。これらの工
程により図３に示される本実施例のめっき装置用検出器
を形成することができる。
方法について図３及び４を参照して詳細に説明する。先
ず、図４に示すように、Ｓｉ基板６の表面上に、ＳｉＯ
2膜７を例えば、ＣＶＤ法により形成する。次に、この
ＳｉＯ2膜７上にＴａ膜８及びＣｕシード膜９を順次、
例えば、スパッタ法により成膜する。次に、このＣｕシ
ード膜９を下地膜として、この上に例えば、電界めっき
法により、Ｃｕめっき膜１０を成膜する。次に、図３に
示すように、Ｔａ膜８上に金属膜２を直径方向に半径よ
りも短い長さで放射状に一定間隔でカソード電極５と同
数配置される金属膜２の形成予定形状に耐酸性テープで
Ｃｕめっき膜１０表面をマスキングする。この耐酸性テ
ープは、めっき装置が保有するカソード電極５と同数で
あり、全て同一形状であることが望ましい。次に、例え
ば、過硫酸アンモニウム水溶液又は硝酸等のＣｕエッチ
ャントを使用してウエットエッチングを行う。次に、十
分に洗浄した後、耐酸性テープを剥離する。これらの工
程により図３に示される本実施例のめっき装置用検出器
を形成することができる。
【００２７】本発明の第３実施例について図５及び図６
を参照して詳細に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には同一符号を付しその詳細な
説明は省略する。図５は本発明の第３実施例に係るめっ
き装置用検出器を示す正面図であり、図６は図５のＣ−
Ｃ線による断面図である。
を参照して詳細に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には同一符号を付しその詳細な
説明は省略する。図５は本発明の第３実施例に係るめっ
き装置用検出器を示す正面図であり、図６は図５のＣ−
Ｃ線による断面図である。
【００２８】本実施例においては、第２実施例と比較し
て、Ｔａ膜８がＴｉとＴｉＮとの積層膜であるＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜１１であり、Ｃｕシード膜９とＣｕめっき膜１０
とがＡｌ膜１２である点で異なり、それ以外は第２実施
例と同様の構成である。
て、Ｔａ膜８がＴｉとＴｉＮとの積層膜であるＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜１１であり、Ｃｕシード膜９とＣｕめっき膜１０
とがＡｌ膜１２である点で異なり、それ以外は第２実施
例と同様の構成である。
【００２９】本実施例に係るめっき装置用検出器の製造
方法について図５及び図６を参照して詳細に説明する。
先ず、Ｓｉ基板６の表面上に、ＳｉＯ2膜７を例えば、
ＣＶＤ法により形成する。次に、ＳｉＯ2膜７上にＴｉ
／ＴｉＮ膜１１を例えば、スパッタ法により成膜する。
次に、このＴｉ／ＴｉＮ膜１１の上にＡｌ膜１２を例え
ば、スパッタ法により成膜する。このＡｌ膜１２の表面
上に、図５に示すように、直径方向に半径よりも短い長
さで放射状に一定間隔で配置される形状のフォトレジス
トパターンを形成する。このフォトレジストパターンに
より形成されるものは、めっき装置が保有するカソード
電極５と同数であり、また全て同一形状であることが望
ましい。次に、Ａｌ膜１２のドライエッチによりフォト
レジストパターンをＡｌ膜１２に転写し、フォトレジス
トパターンを例えば、有機剥離液又はプラズマアッシン
グで除去する。これらの工程により図５に示される本実
施例のめっき装置用検出器を形成することができる。
方法について図５及び図６を参照して詳細に説明する。
先ず、Ｓｉ基板６の表面上に、ＳｉＯ2膜７を例えば、
ＣＶＤ法により形成する。次に、ＳｉＯ2膜７上にＴｉ
／ＴｉＮ膜１１を例えば、スパッタ法により成膜する。
次に、このＴｉ／ＴｉＮ膜１１の上にＡｌ膜１２を例え
ば、スパッタ法により成膜する。このＡｌ膜１２の表面
上に、図５に示すように、直径方向に半径よりも短い長
さで放射状に一定間隔で配置される形状のフォトレジス
トパターンを形成する。このフォトレジストパターンに
より形成されるものは、めっき装置が保有するカソード
電極５と同数であり、また全て同一形状であることが望
ましい。次に、Ａｌ膜１２のドライエッチによりフォト
レジストパターンをＡｌ膜１２に転写し、フォトレジス
トパターンを例えば、有機剥離液又はプラズマアッシン
グで除去する。これらの工程により図５に示される本実
施例のめっき装置用検出器を形成することができる。
【００３０】本実施例においては、第２実施例と同様
に、測定手段により各抵抗値の測定を全てのカソード電
極５及び測定ポイント４について行い、コンタクトポイ
ント３の接触抵抗値Ｒ4が極端に大きい場所が、コンタ
クト異常のカソード電極５であると判定することができ
る。このコンタクト異常のカソード電極５の箇所を修正
することにより、めっきの膜厚面内分布の制御が可能と
なる。
に、測定手段により各抵抗値の測定を全てのカソード電
極５及び測定ポイント４について行い、コンタクトポイ
ント３の接触抵抗値Ｒ4が極端に大きい場所が、コンタ
クト異常のカソード電極５であると判定することができ
る。このコンタクト異常のカソード電極５の箇所を修正
することにより、めっきの膜厚面内分布の制御が可能と
なる。
【００３１】上述の第２実施例及び第３実施例において
は、膜として、Ｔａ膜８又はＴｉ及びＴｉＮの積層膜で
あるＴｉ／ＴｉＮ膜１１としたが、ＴａＮ膜とすること
もできる。また、金属膜２として、Ｃｕ膜１０又はＡｌ
膜１２としたが、ＡｌＣｕ膜又はＷ膜とすることもでき
る。
は、膜として、Ｔａ膜８又はＴｉ及びＴｉＮの積層膜で
あるＴｉ／ＴｉＮ膜１１としたが、ＴａＮ膜とすること
もできる。また、金属膜２として、Ｃｕ膜１０又はＡｌ
膜１２としたが、ＡｌＣｕ膜又はＷ膜とすることもでき
る。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明においては、
ウエハ上に複数に分離して形成された金属膜と、各金属
膜とそれに対応する各カソード電極との接触抵抗を測定
する測定手段とを有することにより、被めっき物に負電
位を印加させる複数のカソード電極について、カソード
電極毎に接触抵抗を測定することができるため、コンタ
クト異常のカソード電極を検出することができる。この
ため、めっきの膜厚面内分布の制御性を向上させること
ができ、所望の膜厚分布のめっき膜を得ることができ
る。
ウエハ上に複数に分離して形成された金属膜と、各金属
膜とそれに対応する各カソード電極との接触抵抗を測定
する測定手段とを有することにより、被めっき物に負電
位を印加させる複数のカソード電極について、カソード
電極毎に接触抵抗を測定することができるため、コンタ
クト異常のカソード電極を検出することができる。この
ため、めっきの膜厚面内分布の制御性を向上させること
ができ、所望の膜厚分布のめっき膜を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１実施例に係るめっき装置用検出器
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係るめっき装置用検出器
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係るめっき装置用検出器
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線による断面図である。
１；ウエハ ２；金属膜 ３；コンタクトポイント ４；測定ポイント ５；カソード電極 ６；Ｓｉ基板 ７；ＳｉＯ2膜 ８；Ｔａ膜 ９；Ｃｕシード膜 １０；Ｃｕめっき膜 １１；Ｔｉ／ＴｉＮ膜 １２；Ａｌ膜
Claims (7)
- 【請求項１】 被めっき物に負電位を印加する複数のカ
ソード電極と、ウエハと、前記ウエハ上に複数個に分離
して形成された金属膜と、前記各金属膜とそれに対応す
る各カソード電極との接触抵抗を測定する測定手段とを
有することを特徴とするめっき装置用検出器。 - 【請求項２】 前記各金属膜はそれに対応する各カソー
ド電極に接触させる各コンタクトポイントと、前記コン
タクトポイントにおける前記各カソード電極の接触抵抗
を測定する各測定ポイントとを有することを特徴とする
請求項１に記載のめっき装置用検出器。 - 【請求項３】 前記ウエハと前記金属膜との間には１又
は複数の膜が形成されていることを特徴とする請求項１
又は２に記載のめっき装置用検出器。 - 【請求項４】 前記金属膜は１又は複数層からなること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のめ
っき装置用検出器。 - 【請求項５】 前記ウエハはＳｉからなることを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか１項に記載のめっき装置
用検出器。 - 【請求項６】 前記金属膜はＴａ、ＴａＮ、Ｔｉ及びＴ
ｉＮからなる群から選択された少なくとも１種からなる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
のめっき装置用検出器。 - 【請求項７】 前記膜はＣｕ、Ａｌ、ＡｌＣｕ及びＷか
らなる群から選択された少なくとも１種からなることを
特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載のめっ
き装置用検出器。
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