TWI735708B

TWI735708B - 全芳香族液晶聚酯樹脂

Info

Publication number: TWI735708B
Application number: TW106142093A
Authority: TW
Inventors: 秋山希望; 松浦洋
Original assignee: 日商Ｊｘｔｇ能源股份有限公司
Priority date: 2016-12-01
Filing date: 2017-12-01
Publication date: 2021-08-11
Also published as: WO2018101214A1; CN110088166B; US20190300700A1; US10968347B2; KR102173693B1; JP6411702B1; CN110088166A; TW201829534A; JPWO2018101214A1; KR20190077004A

Abstract

本發明提供一種耐熱性及成形性優異之全芳香族液晶聚酯樹脂。本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂之特徵在於：其係包含下述式(I)～(V)所表示之結構單元作為必需之結構單元而成者，

Description

全芳香族液晶聚酯樹脂

本發明係關於一種全芳香族液晶聚酯樹脂。進而，本發明係關於一種包含該全芳香族液晶聚酯樹脂之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物、包含該組合物而成之成形品及電子零件。

由於全芳香族液晶聚酯樹脂之成形性或耐熱性優異，故而使用全芳香族液晶聚酯樹脂製造之成形品(例如射出成形品)用於各種電子零件。近年來，由於個人電腦或智慧型手機等之小型化，電子零件之高積體化、薄壁化、低高度化發展，具有非常薄之厚壁部之成形品之需求不斷提高。因此，對全芳香族液晶聚酯樹脂要求更優異之成形性(薄壁部填充性)或耐熱性。例如，專利文獻1中提出有以氧基苯甲醯基部分為主要構成部分之可熔融加工之全芳香族液晶聚酯樹脂。又，作為改善全芳香族液晶聚酯樹脂等液晶聚合物之填充性即流動性之方法，例如實施降低液晶聚合物之分子量，使低黏度化之方法。然而，因降低液晶聚合物之分子量，有除產生成形品之機械強度等物性降低以外，因於將成形品應用於連接器等電子零件時進行之回焊處理而於成形品表面產生鼓出(起泡)之情況。例如，專利文獻2中提出有可抑制起泡之產生之全芳香族液晶聚酯樹脂。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平4-225024號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-126842號公報

[發明所欲解決之問題] 於專利文獻1中，記載有一種樹脂作為較佳之態樣，其特徵在於：其係包含58～62莫耳%之氧基苯甲醯基部分、2～5莫耳%之6-氧基-2-萘甲醯基部分、1.5～11莫耳%之1,4-二氧基伸苯基部分、11.5～22莫耳%之4,4'-二氧基苯基部分、及16.5～20莫耳%之二羧基芳基部分之全芳香族液晶聚酯樹脂，且1,4-二氧基伸苯基部分之莫耳濃度不超過4,4'-二氧基苯基部分之莫耳濃度。然而，本發明者等人發現，專利文獻1中記載之組成比之全芳香族液晶聚酯樹脂於維持著耐熱性，並改善成形性之觀點上尚不充分。於專利文獻2中，記載有一種樹脂作為較佳之態樣，其特徵在於：其係包含30～45莫耳%之氧基苯甲醯基部分、3～9莫耳%之6-氧基-2-萘甲醯基部分、13～20莫耳%之1,4-二氧基伸苯基部分、10～17莫耳%之4,4'-二氧基苯基部分、及25～25莫耳%之二羧基芳基部分之全芳香族液晶聚酯樹脂，且1,4-二氧基伸苯基部分之莫耳濃度高於4,4'-二氧基苯基部分之莫耳濃度。然而，本發明者等人發現，專利文獻2中記載之組成比之全芳香族液晶聚酯樹脂係耐熱性及成形性均不充分，需要改善。本發明者等人為解決上述課題而努力研究，結果獲得如下見解：藉由將全芳香族液晶聚酯樹脂中所含之結構單元設為特定之結構單元及組成比，可解決上述問題。本發明係基於該見解者。因此，本發明之目的在於提供一種可兼具優異之成形性及耐熱性之全芳香族液晶聚酯樹脂。 [解決問題之技術手段] 本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂之特徵在於：其係包含下述式(I)～(V)所表示之結構單元作為必需之結構單元而成者， [化1]

結構單元(I) [化2]

結構單元(II) [化3]

結構單元(III) [化4]

結構單元(IV) [化5]

結構單元(V) 上述全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)～(V)之組成比(莫耳%)滿足下述條件： 50莫耳%≦結構單元(I)≦75莫耳% 6莫耳%≦結構單元(II)≦20莫耳% 1莫耳%≦結構單元(III)≦21.5莫耳% 0.5莫耳%≦結構單元(IV)≦10.5莫耳% 2.5莫耳%≦結構單元(V)≦22莫耳% 結構單元(III)＞結構單元(IV)。於上述態樣中，上述全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)～(V)之組成比(莫耳%)較佳為滿足下述條件： 55莫耳%≦結構單元(I)≦70莫耳% 7莫耳%≦結構單元(II)≦17莫耳% 3莫耳%≦結構單元(III)≦18莫耳% 1莫耳%≦結構單元(IV)≦9莫耳% 4莫耳%≦結構單元(V)≦19莫耳%。於上述態樣中，全芳香族液晶聚酯樹脂組合物之熔點較佳為320℃以上且355℃以下。於上述態樣中，全芳香族液晶聚酯樹脂組合物之過冷卻度較佳為35℃以上。本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂、及無機填充劑而成。於上述態樣中，無機填充劑較佳為纖維狀填充劑及/或板狀填充劑。於上述態樣中，無機填充劑之含量較佳為相對於全芳香族液晶聚酯樹脂組合物中所含之全芳香族液晶聚酯樹脂100重量份，為100重量份以下。本發明之成形品係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成。本發明之電子零件係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種可兼具優異之成形性及耐熱性之全芳香族液晶聚酯樹脂。又，藉由使用包含該全芳香族液晶聚酯樹脂之聚酯樹脂組合物，可製造具有非常薄之厚壁部之成形品，並可實現電子零件之高積體化、薄壁化、低高度化。因電子零件之薄壁化，於回焊步驟時變得容易產生翹曲，產生不良之情況成為問題，但本發明之成形品亦可抑制回焊步驟等於高溫下進行加熱之情形之翹曲之產生。而且，因薄壁化，於連接器等成形品之組裝步驟中，產生若對成形品之焊接部施加力，則於焊接部產生破裂之問題，但本發明之成形品之焊接部之強度變高，可抑制破裂之產生。

＜全芳香族液晶聚酯樹脂＞本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂係包含下述式(I)～(V)所表示之結構單元作為必需之結構單元而成者，且全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)～(V)之組成比(莫耳%)滿足下述條件。藉由此種全芳香族液晶聚酯樹脂，可兼具優異之成形性及耐熱性。進而，對使用該樹脂製造之成形品，可賦予較高之機械強度、及耐起泡性以及低翹曲性。 [化6]

結構單元(I) [化7]

結構單元(II) [化8]

結構單元(III) [化9]

結構單元(IV) [化10]

結構單元(V) 50莫耳%≦結構單元(I)≦75莫耳% 6莫耳%≦結構單元(II)≦20莫耳% 1莫耳%≦結構單元(III)≦21.5莫耳% 0.5莫耳%≦結構單元(IV)≦10.5莫耳% 2.5莫耳%≦結構單元(V)≦22莫耳% 結構單元(III)＞結構單元(IV) 於全芳香族液晶聚酯樹脂中，結構單元(III)及結構單元(IV)之合計之組成比成為與結構單元(V)之組成比實質上當量(結構單元(III)＋結構單元(IV)＝結構單元(V))。又，相對於全芳香族液晶聚酯樹脂全體之結構單元，結構單元(I)～(V)之合計較佳為95莫耳%以上且100莫耳%以下，更佳為99莫耳%以上且100莫耳%以下。全芳香族液晶聚酯樹脂之熔點較佳為320℃以上且355℃以下，更佳為325℃以上且350℃以下。若熔點為320℃以上，則可滿足電子零件等成形品之加熱加工時所要求之耐熱性。又，若熔點為355℃以下，則容易熔融，因此變得容易製造成形品。熔點係依據ISO11357-3、ASTM D3418者，例如，可藉由使用精工電子工業股份有限公司製造之示差掃描熱量計(DSC)而測定。再者，將以升溫速度20℃/分鐘自室溫升溫至370℃，使全芳香族液晶聚酯樹脂完全熔解之後，以速度10℃/分鐘降溫至50℃，進而以20℃/分鐘之速度升溫至420℃時所獲得之吸熱峰之頂點設為熔點(℃)。全芳香族液晶聚酯樹脂之過冷卻度較佳為35℃以上，更佳為35℃以上且60℃以下。若過冷卻度為上述範圍左右，則製造成形品時之全芳香族液晶聚酯樹脂之硬化速度緩慢，成形性優異。尤其是於藉由射出成形製造成形品時，模具之薄壁部之填充性優異。過冷卻度例如可藉由使用精工電子工業股份有限公司製造之示差掃描熱量計(DSC)而測定。再者，將以升溫速度20℃/分鐘自室溫升溫至370℃，使全芳香族液晶聚酯樹脂完全熔解之後，以速度10℃/分鐘降溫至50℃時所獲得之散熱峰之頂點設為結晶溫度Tc(℃)，進而將以20℃/分鐘之速度升溫至420℃時所獲得之吸熱峰之頂點設為熔點Tm(℃)，將「Tm(℃)－Tc(℃)」設為過冷卻度(℃)。以下對全芳香族液晶聚酯樹脂中所含之各結構單元進行說明。 (結構單元(I)) 全芳香族液晶聚酯樹脂係包含上述結構單元(I)而成者，全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)之組成比(莫耳%)為50莫耳%以上且75莫耳%以下。結構單元(I)之組成比較佳為55莫耳%以上且70莫耳%以下，更佳為57莫耳%以上且67莫耳%以下，進而較佳為60莫耳%以上且65莫耳%以下。作為提供結構單元(I)之單體，可列舉對羥基苯甲酸(HBA，下述式(1))、其醯化物、酯衍生物、醯鹵化物等。 [化11]

(結構單元(II)) 全芳香族液晶聚酯樹脂係包含上述結構單元(II)而成者，全芳香族液晶聚酯中之結構單元(II)之組成比(莫耳%)為6莫耳%以上且20莫耳%以下。結構單元(II)之組成比較佳為7莫耳%以上且17莫耳%以下，更佳為9莫耳%以上且16莫耳%以下，進而較佳為10莫耳%以上且15莫耳%以下。作為提供結構單元(II)之單體，可列舉6-羥基-2-萘甲酸(HNA，下述式(2))、其醯化物、酯衍生物、醯鹵化物等。 [化12]

(結構單元(III)) 全芳香族液晶聚酯樹脂係包含上述結構單元(III)而成者，全芳香族液晶聚酯中之結構單元(III)之組成比(莫耳%)為1莫耳%以上且21.5莫耳%以下。結構單元(III)之組成比較佳為3莫耳%以上且18莫耳%以下，更佳為5莫耳%以上且15莫耳%以下，進而較佳為7莫耳%以上且12莫耳%以下。作為提供結構單元(III)之單體，可列舉對苯二酚(HQ，下述式(3))、其醯化物等。 [化13]

(結構單元(IV)) 全芳香族液晶聚酯樹脂係包含上述結構單元(IV)而成者，全芳香族液晶聚酯中之結構單元(IV)之組成比(莫耳%)為0.5莫耳%以上且10.5莫耳%以下。結構單元(IV)之組成比較佳為1莫耳%以上且9莫耳%以下，更佳為2莫耳%以上且8莫耳%以下，進而較佳為3莫耳%以上且7莫耳%以下。作為提供結構單元(IV)之單體，可列舉4,4'-二羥基聯苯(BP，下述式(4))、其醯化物等。 [化14]

(結構單元(V)) 全芳香族液晶聚酯樹脂係包含上述結構單元(V)而成者，全芳香族液晶聚酯中之結構單元(V)之組成比(莫耳%)為2.5莫耳%以上且22莫耳%以下。結構單元(V)之組成比較佳為4莫耳%以上且19莫耳%以下，更佳為7莫耳%以上且17莫耳%以下，進而較佳為10莫耳%以上且15莫耳%以下。作為提供結構單元(V)之單體，可列舉對苯二甲酸(TPA，下述式(5))、其酯衍生物、醯鹵化物等。 [化15]

＜全芳香族液晶聚酯樹脂之製造方法＞本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂可藉由利用先前公知之方法，使上述式(1)～(5)所表示之單體聚合而製造。例如，本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂可僅藉由熔融聚合製造。又，亦可藉由利用熔融聚合製作預聚物，進而使其固相聚合而製造。就效率良好地獲得本發明之全芳香族聚酯化合物之觀點而言，熔融聚合較佳為將上述式(1)～(5)所表示之單體設為以特定之組成合計為100莫耳%，相對於上述式(1)～(4)所表示之單體具有之全部羥基，使存在1.05～1.15莫耳當量之乙酸酐，於乙酸回流下進行。於藉由熔融聚合與緊接其後之固相聚合之兩階段進行聚合反應之情形時，較佳為對藉由熔融聚合獲得之預聚物，於冷卻固化後進行粉碎而使之成為粉末狀或者片狀後，選擇公知之固相聚合方法，例如於氮氣等惰性氣氛下、或真空下，於200～350℃之溫度範圍，對預聚物樹脂進行1～30小時熱處理等方法。固相聚合可一面進行攪拌一面進行，又，亦可不進行攪拌而於靜置之狀態下進行。於聚合反應中，可使用觸媒，又，亦可不使用觸媒。作為使用之觸媒，作為聚酯之聚合用觸媒，可使用先前公知者，可列舉：乙酸鎂、乙酸錫(II)、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀、三氧化二銻等金屬鹽觸媒，N-甲咪唑等含氮雜環化合物等有機化合物觸媒等。觸媒之使用量並無特別限定，較佳為相對於單體之總量100重量份，為0.0001～0.1重量份。熔融聚合中之聚合反應裝置並無特別限定，較佳地使用用於通常之高黏度流體之反應之反應裝置。作為該等反應裝置之例，例如可列舉：具有攜帶錨型、多段型、螺旋帶型、螺旋軸型等、或者使該等變化而成之各種形狀之攪拌翼之攪拌裝置之攪拌槽型聚合反應裝置，或捏合機、輥磨機、班布里混合機等通常用於樹脂之混練之混合裝置等。＜全芳香族液晶聚酯樹脂組合物＞本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂、及無機填充劑而成。全芳香族液晶聚酯樹脂組合物中之無機填充劑之含量相對於全芳香族液晶聚酯樹脂組合物中所含之全芳香族液晶聚酯樹脂100重量份，較佳為100重量份以下，更佳為10～70重量份，進而較佳為20～55重量份。藉由將無機填充劑之含量設為上述數值範圍內，可不阻礙成形時之填充性，且防止成形品製造時之翹曲之產生。又，作為全芳香族液晶聚酯樹脂組合物中所含之無機填充劑，例如可使用纖維狀、板狀、粉末狀者，亦可一併使用該等。其中，較佳為一併使用纖維狀填充劑及板狀填充劑。作為無機填充劑，例如可列舉：玻璃纖維、磨碎玻璃、矽鋁纖維、氧化鋁纖維、碳纖維、芳香族聚醯胺纖維、鈦酸鉀鬚晶、硼酸鋁鬚晶、矽灰石、滑石、雲母、石墨、碳酸鈣、白雲石、黏土、玻璃片、玻璃珠、硫酸鋇及氧化鈦等，全芳香族液晶聚酯樹脂組合物亦可包含該等中之1種或2種以上。本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物亦可於無損本發明之效果之範圍內，包含全芳香族液晶聚酯樹脂以外之樹脂。例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚四氟乙烯等，全芳香族液晶聚酯樹脂組合物亦可包含該等中之1種或2種以上。本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物亦可於無損本發明之效果之範圍內，包含其他添加劑，例如著色劑、分散劑、塑化劑、抗氧化劑、阻燃劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、界面活性劑。＜全芳香族液晶聚酯樹脂組合物之製造方法＞全芳香族液晶聚酯樹脂組合物可藉由如下方法獲得：對於全芳香族液晶聚酯樹脂中調配填充劑等而成者，使用班布里混合機、捏合機、單軸或雙軸擠出機等，進行熔融混練。相對於上述全芳香族聚酯樹脂100重量份，亦可摻合1～100重量份之熔點為280℃～360℃，設為熔點＋20℃時之剪切速度為1000 sec-1時之熔融黏度為1×10² Pa・s以下之上述全芳香族液晶聚酯樹脂以外之液晶聚酯樹脂。藉由摻合上述全芳香族聚酯樹脂以外之液晶聚酯樹脂，可維持著耐熱性並控制成形性及機械強度之平衡。＜成形品＞本發明之成形品係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成者。本發明之成形品係形狀穩定性優異者，例如即便於在回焊步驟中施加熱之情形時，亦可抑制成形品之翹曲。本發明之成形品可藉由對上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物進行射出成形或擠出成形而製造。又，本發明之成形品可為膜狀或片狀、線狀、奈米纖維、及不織布。作為具體之膜化方法，可列舉：吹脹成形、熔融擠出成形、溶液澆鑄成形等。藉由此種方式獲得之膜可為包含全芳香族聚酯樹脂組合物之單層膜，亦可為與異種材料之多層膜。再者，對熔融擠出成形、溶液澆鑄成形之膜，亦可以改良形狀穩定性、機械特性為目的，利用單軸、或雙軸進行延伸處理。又，亦可以去除該等膜之各向異性為目的進行熱處理。＜電子零件＞本發明之電子零件係包含上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成。作為電子零件，例如可列舉：高速傳輸用連接器、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)插槽、Board to Board(板對板)連接器、電路基板、軟性電路基板、積層用電路基板、防碰撞雷達、RFID(Radio Frequency Identification，射頻識別)標籤、電容器、反相器零件、絕緣膜、鋰離子電池等二次電池之絕緣材料、揚聲器振動板、相機模組等。具體而言，該等電子零件係具備包含全芳香族液晶聚酯樹脂組合物之成形品(例如射出成形品)或膜等而成。 [實施例] 以下藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。＜全芳香族液晶聚酯樹脂之製造＞ [實施例1：全芳香族液晶聚酯樹脂A] 於具有攪拌翼之聚合容器內，加入對羥基苯甲酸(HBA)62莫耳%、6-羥基-2-萘甲酸(HNA)10莫耳%、對苯二酚(HQ)8莫耳%、4,4'-二羥基聯苯(BP)6莫耳%、對苯二甲酸(TPA)14莫耳%，添加乙酸鉀及乙酸鎂作為觸媒，進行3次聚合容器之減壓-氮氣注入而進行氮氣置換後，進而添加乙酸酐(相對於全部羥基為1.08莫耳當量)，並升溫至150℃，於回流狀態下進行2小時乙醯化反應。乙醯化結束後，對成為乙酸餾出狀態之聚合容器以0.5℃/分鐘進行升溫，於槽內之熔融體溫度變為310℃時抽出聚合物，並進行冷卻固化。粉碎所獲得之聚合物，粉碎為通過網眼1.0 mm之篩之大小，而獲得預聚物。繼而，將上述中獲得之預聚物填充至柴田科學製造之玻璃管爐內，一面使之旋轉一面花費12小時將加熱器溫度自室溫升溫至290℃之後，於290℃下保持溫度1小時而進行固相聚合。其後，一面旋轉槽一面於室溫下自然散熱，獲得全芳香族液晶聚酯樹脂A。使用具備Mettler製造之顯微鏡用高溫載台FP82HT之Olympus股份有限公司製造之偏光顯微鏡BH-2，於顯微鏡加熱台上，使聚酯試樣加熱熔融，根據光學各向異性之有無確認液晶性。 [實施例2：全芳香族液晶聚酯樹脂B] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 10莫耳%、HQ 10莫耳%、BP 4莫耳%、TPA 14莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂B，以與上述相同之方式確認液晶性。 [實施例3：全芳香族液晶聚酯樹脂C] 將單體添加量變更為HBA 60莫耳%、HNA 10莫耳%、HQ 8莫耳%、BP 7莫耳%、TPA 15莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂C，以與上述相同之方式確認液晶性。 [實施例4：全芳香族液晶聚酯樹脂D] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 10莫耳%、HQ 8.5莫耳%、BP 5.5莫耳%、TPA 14莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂D，以與上述相同之方式確認液晶性。 [實施例5：全芳香族液晶聚酯樹脂E] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 15莫耳%、HQ 10.5莫耳%、BP 1莫耳%、TPA 11.5莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂E，以與上述相同之方式確認液晶性。 [比較例1：全芳香族液晶聚酯樹脂F] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 4莫耳%、HQ 5莫耳%、BP 12莫耳%、TPA 17莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂F，以與上述相同之方式確認液晶性。 [比較例2：全芳香族液晶聚酯樹脂G] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 10莫耳%、HQ 7莫耳%、BP 7莫耳%、TPA 14莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂G，以與上述相同之方式確認液晶性。 [比較例3：全芳香族液晶聚酯樹脂H] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 10莫耳%、HQ 4莫耳%、BP 10莫耳%、TPA 14莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂H，以與上述相同之方式確認液晶性。 [比較例4：全芳香族液晶聚酯樹脂I] 將單體添加量變更為HBA 62莫耳%、HNA 4莫耳%、HQ 5莫耳%、BP 12莫耳%、TPA 17莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂I，以與上述相同之方式確認液晶性。 [參考例1：全芳香族液晶聚酯樹脂J] 將單體添加量變更為HBA 60莫耳%、BP 20莫耳%、TPA 15莫耳%、間苯二甲酸5莫耳%，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得液晶聚酯樹脂J，以與上述相同之方式確認液晶性。＜熔點及過冷卻度之測定＞於實施例及比較例中獲得之液晶聚酯樹脂之熔點係藉由精工電子工業股份有限公司製造之示差掃描熱量計(DSC)測定。此時，將以升溫速度20℃/分鐘自室溫升溫至370℃而使聚合物完全熔解之後，以速度10℃/分鐘降溫至50℃時獲得之散熱峰之頂點設為結晶溫度(Tc)，將進而以20℃/分鐘之速度升溫至420℃時獲得之吸熱峰之頂點設為熔點(Tm)，將「Tm(℃)－Tc(℃)」設為過冷卻度(℃)。將測定結果彙總於表1。 [表1]

＜全芳香族液晶聚酯樹脂組合物之製造＞於與實施例1相同之單體組成比之單體混合物中，添加乙酸鉀及乙酸鎂作為觸媒，並添加至以SUS316為材質，具有雙螺旋攪拌翼之內容積6 L之聚合槽內，於與實施例1相同之條件下獲得預聚物。繼而，將上述中獲得之預聚物填充至固相聚合裝置內，一面使氮氣流通，一面以旋轉速度5 rpm花費1小時將加熱器溫度自室溫升溫至150℃後，花費兩個半小時升溫至200℃，進而花費三個半小時升溫至250℃。於250℃下保持2小時後，進而花費六個半小時升溫至290℃，並於290℃下保持1小時，進行固相聚合。其結果為，獲得全芳香族液晶聚酯樹脂A。將相對於以上述方式獲得之全芳香族液晶聚酯樹脂A100重量份，調配纖維狀填充劑(Central Glass Fiber股份有限公司製造，商品名：EFH150-01)7重量份及板狀填充劑(雲母，YAMAGUCHI MICA股份有限公司製造，商品名：AB-25S)36重量份，並利用雙軸擠出機熔融混練而得者顆粒化，獲得全芳香族液晶聚酯樹脂組合物A。又，將全芳香族液晶聚酯樹脂A變更為參考例1中獲得之全芳香族液晶聚酯樹脂J，除此以外，以相同之方式獲得全芳香族液晶聚酯樹脂組合物J。＜機械強度試驗(撓曲強度之測定)＞使用射出成形機(住友重機械工業股份有限公司製造，商品名：SG-25)，將缸溫度設為熔點＋10℃，將模具溫度設為80℃，以射出速度100 mm/sec使以上述方式獲得之樹脂組合物A之顆粒射出成形，製作依據ASTM D790之彎曲試片(寬度13 mm、長度130 mm、厚度3 mm)，測定撓曲強度。又，使用樹脂組合物J，以相同之方式製作試片，並測定撓曲強度。將測定結果彙總於表2。＜耐起泡性試驗(耐起泡溫度之測定)＞利用射出成形機(Sodick製造，商品名：LD10EH2)，將缸溫度設為熔點＋10℃，將模具溫度設為80℃，以射出速度150 mm/sec使以上述方式獲得之樹脂組合物A之顆粒射出成形，製作依據JIS K7160 2形之試片(寬度10 mm、長度60 mm、厚度0.4 mm)。又，使用樹脂組合物J，以相同之方式製作試片。將以上述方式獲得之試片放置於保持為特定之溫度之空氣烘箱中30分鐘，將於試片表面不產生起泡及變形之最高溫度設為耐起泡溫度。將測定結果彙總於表2。＜翹曲量之測定＞對以上述方式獲得之樹脂組合物A之顆粒，利用射出成形機(Sodick製造，商品名：LP20)，將缸溫度設為熔點＋10℃，將模具溫度設為100℃，以射出速度150 mm/sec，藉由嵌入成形使樹脂與金屬部一體化，而獲得圖1及2所示之形狀之成形品。又，使用樹脂組合物J，以相同之方式獲得成形品。再者，圖1表示所獲得之成形品之俯視圖與側視圖，圖2表示仰視圖。尺寸之數值之單位係mm。將以上述方式獲得之成形品放置於保持為260℃之空氣烘箱中10分鐘，使用單觸發3D顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製造，商品名：VR-3100)測定加熱後之成形品之翹曲量。翹曲之測定係對使成形品之下表面(測定翹曲之面)朝上而放置時之圖2所示之箭頭部，利用3D顯微鏡自上方，測定最高之位置與最低之位置，將其差設為翹曲量。將測定結果彙總於表2。再者，形狀穩定性越良好翹曲量變得越小，翹曲量較佳為40 μm以下。 [表2]

＜焊接強度之測定＞利用射出成形機(住友重機械工業製造，商品名：SE30DU)，將缸溫度設為熔點＋10℃，將模具溫度設為100℃，以射出速度250 mm/sec使以上述方式獲得之樹脂組合物A之顆粒射出成形，製作圖3所示之試片(寬度14.6 mm、長度48.0 mm、厚度0.35 mm)。又，使用樹脂組合物J，以相同之方式製作試片。對以上述方式獲得之試片之焊接部，於下述三點彎曲試驗之條件下自上側按壓，測定焊接部斷裂時之應力。將測定結果彙總於表3。 (三點彎曲試驗之條件) ・跨距距離＝25 mm ・治具R＝10 mm ・降下速度＝1.27 mm/min [表3]

圖1係實施例中製造之翹曲量測定用成形品之俯視圖及側視圖。圖2係實施例中製造之翹曲量測定用成形品之仰視圖。圖3係實施例中製造之焊接強度測定用試片。

Claims

一種全芳香族液晶聚酯樹脂，其特徵在於：其係包含下述式(I)、下述式(II)、下述式(III)、下述式(IV)、下述式(V)所表示之結構單元作為必需之結構單元而成之全芳香族液晶聚酯樹脂，

[化5]
上述全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)~(V)之組成比(莫耳%)滿足下述條件：50莫耳%≦結構單元(I)≦75莫耳% 6莫耳%≦結構單元(II)≦20莫耳% 1莫耳%≦結構單元(III)≦21.5莫耳% 0.5莫耳%≦結構單元(IV)≦10.5莫耳% 2.5莫耳%≦結構單元(V)≦22莫耳%結構單元(III)>結構單元(IV)。
如請求項1之全芳香族液晶聚酯樹脂，其中上述全芳香族液晶聚酯中之結構單元(I)~(V)之組成比(莫耳%)滿足下述條件：55莫耳%≦結構單元(I)≦70莫耳% 7莫耳%≦結構單元(II)≦17莫耳% 3莫耳%≦結構單元(III)≦18莫耳% 1莫耳%≦結構單元(IV)≦9莫耳% 4莫耳%≦結構單元(V)≦19莫耳%。
如請求項1之全芳香族液晶聚酯樹脂，其熔點係320℃以上且355℃以下。
如請求項2之全芳香族液晶聚酯樹脂，其熔點係320℃以上且355℃以下。
如請求項1至4中任一項之全芳香族液晶聚酯樹脂，其過冷卻度係35℃以上。
一種全芳香族液晶聚酯樹脂組合物，其係包含如請求項1至5中任一項之全芳香族液晶聚酯樹脂、及無機填充劑而成。
如請求項6之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物，其中上述無機填充劑係纖維狀填充劑及/或板狀填充劑。
如請求項6或7之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物，其中上述無機填充劑之含量相對於上述全芳香族液晶聚酯樹脂組合物中所含之全芳香族液晶聚酯樹脂100重量份，為100重量份以下。
一種成形品，其係包含如請求項6至8中任一項之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成。
一種電子零件，其係包含如請求項6至8中任一項之全芳香族液晶聚酯樹脂組合物而成。