TWI735606B - 有機薄膜電晶體、有機半導體膜、化合物、有機薄膜電晶體用組成物及有機薄膜電晶體的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種具備含有由特定式表示之化合物之有機半導體膜之有機薄膜電晶體、能夠較佳地使用於該有機薄膜電晶體之有機半導體膜、化合物及有機薄膜電晶體用組成物、以及具有將上述有機薄膜電晶體用組成物塗佈於基板上而形成有機半導體膜之製程之有機薄膜電晶體的製造方法。

Description

有機薄膜電晶體、有機半導體膜、化合物、有機薄膜電晶體用組成物及有機薄膜電晶體的製造方法

本發明是有關一種有機薄膜電晶體、有機半導體膜、化合物、有機薄膜電晶體用組成物及有機薄膜電晶體的製造方法。

液晶顯示器或有機電發光顯示器等顯示器、或者RFID（radio frequency identifier：RF標識）或記憶體等使用邏輯電路之裝置等中利用電晶體。其中，具有有機半導體膜之有機薄膜電晶體能夠輕質化或低成本化且可撓性亦優異，因此相對於具有無機半導體膜之無機電晶體，具備優越性。 作為形成上述有機半導體膜之有機化合物，例如可舉出將醯亞胺基中的羰基的至少1個轉換為硫羰基之苝雙醯亞胺（亦稱為硫酮化苝雙醯亞胺）（專利文獻1）。非專利文獻1中記載有作為硫酮化苝雙醯亞胺的合成原料的苝雙醯亞胺的合成方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]：國際公開第2011/082234號 [非專利文獻]

[非專利文獻1]：Chemical Communications, 2012, 48, p.7961-7963

上述顯示器等的高性能化急速發展，搭載於該顯示器之有機薄膜電晶體中要求初始性能（載子移動率）的提高。並且，上述顯示器等中，為了響應低成本化或撓性化的要求，期望即使不設置特殊的保護層或密封層，亦在大氣下穩定驅動，且維持高性能之特性（耐久性）。 然而，包含使用了專利文獻1中記載的化合物之有機薄膜電晶體在內，以往有機薄膜電晶體中具有在大氣下性能大幅下降之傾向，從兼顧初始性能與耐久性的點考慮，具有改善的餘地。

本發明的課題在於，提供一種即使在大氣下亦維持較高的載子移動率之有機薄膜電晶體、及其製造方法。並且，本發明的課題在於，提供一種能夠較佳地使用於顯示上述特性之有機薄膜電晶體之有機半導體膜、化合物及有機薄膜電晶體用組成物。

本發明人重複進行深入研究之結果發現，在有機薄膜電晶體中，能夠將後述之由特定式（1）表示之化合物較佳地用作有機半導體，而且藉由使該化合物含於有機半導體膜，從而能夠顯示較高的載子移動率，在大氣下亦能夠抑制其下降。本發明是依據該等見解，進一步重複研究而完成者。

本發明的上述課題藉由下述手段來解決。 ＜1＞一種有機薄膜電晶體，其具備含有由下述式（1）表示之化合物之有機半導體膜。 [化學式1]

式（1）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-。B¹¹ ～B¹⁸ 分別獨立地表示-N=或-C（R^M ）=，至少1個為-N=。R^N 及R^M 表示氫原子或取代基。 X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。

＜2＞如＜1＞所述之有機薄膜電晶體，其中上述化合物由下述式（2）表示。 [化學式2]

式（2）中， A¹¹ 及A¹² 與式（1）的A¹¹ 及A¹² 的定義相同。 X¹¹ ～X¹⁴ 與式（1）的X¹¹ ～X¹⁴ 的定義相同。 R²¹ ～R²⁶ 分別獨立地表示氫原子或取代基。

＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之有機薄膜電晶體，其中X¹¹ ～X¹⁴ 均為氧原子。 ＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一個所述之有機薄膜電晶體，其中A¹¹ 及A¹² 均為-N（R^N ）-，R^N 表示氫原子或取代基。 ＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一個所述之有機薄膜電晶體，其中R^N 為碳數1～20的烷基、碳數6～20的芳基、或包含3～20個碳原子而作為環構成原子之雜芳基。

＜6＞一種化合物，其由下述式（2）表示。 [化學式3]

式（2）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-。R^N 表示氫原子或取代基。R²¹ ～R²⁶ 分別獨立地表示氫原子或取代基。X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。

＜7＞如＜6＞所述之化合物，其中X¹¹ ～X¹⁴ 均為氧原子。 ＜8＞如＜6＞或＜7＞所述之化合物，其中A¹¹ 及A¹² 均為-N（R^N ）-，R^N 表示氫原子或取代基。 ＜9＞如＜6＞～＜8＞中任一個所述之化合物，其中R^N 為碳數1～20的烷基、碳數6～20的芳基、或包含3～20個碳原子而作為環構成原子之雜芳基。 ＜10＞一種有機薄膜電晶體用組成物，其含有上述＜6＞～＜9＞中任一個所述之化合物。 ＜11＞如＜10＞所述之有機薄膜電晶體用組成物，其含有黏合劑聚合物。

＜12＞一種有機半導體膜，其含有由下述式（1）表示之化合物。 [化學式4]

式（1）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-。B¹¹ ～B¹⁸ 分別獨立地表示-N=或-C（R^M ）=，至少1個為-N=。R^N 及R^M 表示氫原子或取代基。 X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。

＜13＞一種有機薄膜電晶體的製造方法，該方法具有將上述＜10＞或＜11＞所述之有機薄膜電晶體用組成物塗佈於基板上而形成有機半導體膜之製程。 [發明效果]

本發明能夠提供一種在大氣下亦維持較高的載子移動率之有機薄膜電晶體及其製造方法。並且，本發明能夠提供一種能夠較佳地使用於顯示上述特性之有機薄膜電晶體之有機半導體膜、化合物及有機薄膜電晶體用組成物。 關於本發明的上述及其他特徵及優點，適當參閱附圖，並依據下述記載變得更加明確。 【圖示簡單說明】

圖1是表示作為本發明的有機薄膜電晶體的一例的底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體之剖面示意圖。 圖2是表示作為本發明的有機薄膜電晶體的一例的底部閘極-頂部接觸型有機薄膜電晶體之剖面示意圖。 圖3是對本發明的有機薄膜電晶體的製造方法中的形成有機半導體膜之較佳方法進行說明之概要圖。 圖4是對本發明的有機薄膜電晶體的製造方法中的形成有機半導體膜之較佳方法進行說明之概要圖。 圖5是對本發明的有機薄膜電晶體的製造方法中的形成有機半導體膜之較佳方法進行說明之概要圖。 圖6是表示在本發明的有機薄膜電晶體的製造方法中較佳地使用之基板與部件的一例之概要圖。

本說明書中，使用「～」表示之數值範圍表示將記載於「～」前後之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。

本說明書中，關於化合物的表示，除了化合物本身以外，還包括其鹽、其離子。並且，在不損害作為目的之效果之範圍內，包含改變構造的一部分者。 並且，關於未明確記載取代或未取代之化合物，在不損害作為目的之效果之範圍內，包含具有任意取代基者。這對於取代基、連結基等（以下，稱為取代基等）亦相同。

本說明書中，存在複數個由特定符號表示之取代基等時，或同時規定複數個取代基等時，只要沒有特別說明，則各個取代基等可相互相同，亦可以不同。這對於取代基等的數量的規定亦相同。並且，複數個取代基等接近（尤其相鄰）時，只要沒有特別說明，則該等可相互連結而形成環。 本發明中，在基團的碳數被限定之情況下，該基團的碳數只要沒有特別說明，則表示包含了取代基之總碳數。 本發明中，在基團能夠形成非環狀骨架及環狀骨架之情況下，只要沒有特別說明，該基團包含非環狀骨架的基團和環狀骨架的基團。例如，烷基包含直鏈烷基、支鏈烷基及環狀（環）烷基。在基團能夠形成環狀骨架之情況下，形成環狀骨架之基團的原子數的下限與關於該基團具體記載之原子數的下限無關，為3以上，5以上為較佳。上述環烷基包含雙環烷基或三環烷基等。

以下對本發明的較佳實施形態進行說明，但本發明並不限定於此。

［由式（1）表示之化合物］ 首先，對本發明的由式（1）表示之化合物（以下，有時稱為本發明的化合物。）進行說明。 含有本發明的化合物之有機半導體膜能夠對有機薄膜電晶體賦予較高的載子移動率及在大氣下亦維持該載子移動率之耐久性。其理由的詳細內容尚不明確，但認為如下。本發明的化合物具有將形成3,4,9,10-苝雙醯亞胺骨架之碳原子的至少1個取代為氮原子之構造，即使不使芳香族環與苝雙醯亞胺骨架進一步進行縮環（即使不擴張π共軛系），最低未佔用分子軌域（LUMO）的軌域能亦小於-4.0eV。藉此，認為n型半導體性得到提高。並且，認為在大氣下，即使暴露於氧氣或水分，亦有效地抑制由該等引起之有機半導體膜的劣化（本發明的化合物的分解等）。因此，本發明的化合物在用於有機薄膜電晶體時，能夠將載子移動率提高到較高的水準，而且在大氣下亦能夠抑制隨著時間的經過產生之降低量。 關於具有上述特性或作用之本發明的化合物的用途，並無特別限定，例如能夠用於非發光性的有機半導體設備。非發光性的有機半導體設備是指不以發光為目的的設備。作為該種設備，可舉出控制電流量或電壓量之有機薄膜電晶體、將光能轉換為電力之有機光電轉換元件（光感測器用途的固體攝像元件、能量轉換用途的太陽能電池等）、將熱能轉換為電力之有機熱電轉換元件、氣體感測器、有機整流元件、有機反相器、資訊記錄元件等。本發明的化合物如後面敘述那樣較佳地用作有機薄膜電晶體的有機半導體材料。

[化學式5]

式（1）中，A¹¹ 及A¹² 分別表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-。A¹¹ 及A¹² 分別是-N（R^N ）-為較佳。A¹¹ 及A¹² 可相互相同，亦可以不同，但相同為較佳，均為-N（R^N ）-為更佳。

R^N 表示氫原子或取代基。 作為R^N 可採用之取代基，並無特別限定。例如，可舉出選自下述取代基群組Z之基團。

取代基群組Z 可舉出鹵素原子（可舉出氟原子、氯原子、溴原子或碘原子，氟原子或氯原子為較佳。）、烷基（碳數1（3）～40為較佳，1（3）～20為更佳，4～20尤為佳。括弧內的數字表示環烷基的情況下的碳數。作為烷基，例如甲基、乙基、丙基、2-甲基丙基、丁基、戊基（amyl）、戊基（pentyl）、2,2-二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、2,6-二甲基辛基、二十基、2-癸基十四基、2-己基十二基、2-乙基辛基、2-丁基癸基、1-辛基壬基、2-乙基辛基、2-辛基癸基、2-辛基十二基、7-己基十五基、2-辛基十四基、2-乙基己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、金剛烷基、苄基、對氯苄基、三氟甲基、全氟乙基、2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基、C₅ F₁₁ C₂ H₄ -、3-胺丙基、4-胺丁基、5-乙氧基戊基、（甲基）丙烯醯氧基丙基、（甲基）丙烯醯氧基戊基、4-羥基丁基、4-磺基丁基、10-膦醯癸基、2-羥基乙氧基甲基、2-咪唑基乙氧基甲基、4-（N,N-二甲胺）丁基）、烯基（碳數2～20為較佳，2～12為更佳，2～8尤為佳，例如包含乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、1-戊烯基、4-戊烯基等）、炔基（碳數2～20為較佳，2～12為更佳，2～8尤為佳，例如包含炔丙基、1-戊炔基、三甲矽基乙炔基、三乙矽基乙炔基、三-異丙矽基乙炔基、2-對丙基苯乙炔基等）、芳基（碳數6～20為較佳，6～12為更佳，例如苯基、萘基、2,4,6-三甲基苯基、對（第三丁基）苯基、4-甲基-2,6-二丙基苯基、4-氟苯基、4-三氟甲基苯基、對戊基苯基、3,4-二戊基苯基、對庚氧基苯基、3,4-二庚氧基苯基）、雜環基（亦稱為雜環基（heterocyclic）。作為環構成原子，包含至少1個以上的雜原子及1～30個碳原子。作為雜原子，例如可舉出氮原子、氧原子、硫原子，其數量並無特別限定，例如為1～2個。環構成碳原子的數量是3～20個為較佳，3～12個為進一步較佳。作為雜環基，5員環或6員環或者該等的縮合環的基團為較佳。雜環基包含芳香族雜環基（雜芳基）及脂肪族雜環基。例如可舉出噻吩基、噻唑基、咪唑基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、呋喃基、硒苯基（C₄ H₃ Se）、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、2-己基呋喃基、吡喃基等。）、

矽基（碳數3～40為較佳，3～30為更佳，3～24尤為佳，例如可舉出三甲矽基、三苯矽基、二甲基苯基矽基等）、烷氧基（碳數1～20為較佳，1～12為更佳，1～8尤為佳，例如包含甲氧基、乙氧基、丁氧基等）、胺基（碳數0～20為較佳，0～10為更佳，0～6尤為佳，例如可舉出胺基、甲基胺基、二甲胺基、二乙基胺基、二苄基胺基、苯胺基等。）、芳氧基（碳數6～20為較佳，6～16為更佳，6～12尤為佳，例如可舉出苯氧基、2-萘氧基等。）、醯基（碳數1～20為較佳，1～16為更佳，1～12尤為佳，例如可舉出乙醯基、己醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等。）、烷氧基羰基（碳數2～20為較佳，2～16為更佳，2～12尤為佳，例如可舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基等。）、芳氧基羰基（碳數7～20為較佳，7～16為更佳，7～10尤為佳，例如可舉出苯氧基羰基等。）、醯氧基（碳數2～20為較佳，2～16為更佳，2～10尤為佳，例如可舉出乙醯氧基、苯甲醯氧基或（甲基）丙烯醯氧基等。）、醯胺基（碳數2～20為較佳，2～16為更佳，2～10尤為佳，例如可舉出乙醯基胺基、苯甲醯基胺基等。）、胺基羰基胺基（碳數2～20為較佳，2～16為更佳，2～12尤為佳，包含脲基等。）、烷氧基或芳氧基羰基胺基（碳數2（7）～20為較佳，2（7）～16為更佳，2（7）～12尤為佳。括弧內的數字表示芳氧基羰基胺基的情況下的碳數。例如可舉出甲氧基羰基胺基或苯氧基羰基胺基等。）、烷基或芳基磺醯基胺基、烷硫基（碳數1～20為較佳，1～16為更佳，1～12尤為佳，例如可舉出甲硫基、乙硫基、辛硫基等。）、芳硫基（碳數6～20為較佳，6～16為更佳，6～12尤為佳，例如可舉出苯硫基等。）、烷基或芳基亞磺醯基、烷基或芳基磺醯基、矽氧基、雜環氧基、胺基甲醯基、胺基甲醯基氧基、雜環硫基、胺磺醯基、芳基或雜環偶氮基、醯亞胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基胺基、肼基、亞胺基、氰基、羥基、硝基、巰基、磺酸基、羧基、羥肟酸基、亞磺酸基、硼酸基（-B（OH）₂ ）、磷酸基（-OPO（OH）₂ ）、膦醯基（-PO（OH）₂ ）、硫醯基（-OSO₃ H）。

其中，作為R^N 可採用之選自上述取代基群組Z之基團，烷基、芳基、烯基、炔基、雜環基或矽基為較佳，烷基（碳數1～20為較佳）、芳基（碳數6～20為較佳）或雜芳基（作為環構成原子包含至少1個以上的上述雜原子。5員環或6員環或者該等的縮合環的基團為較佳。環構成碳原子數是3～20為較佳。）為更佳，烷基（碳數4～20尤為佳）為進一步較佳。

上述選自取代基群組Z之基團可進一步具有取代基。作為該種取代基，可舉出選自取代基群組Z之基團。 進一步具有取代基之基團（亦稱為組合而成之基團）中，可進一步具有之取代基數量並無特別限定，例如1～6個為較佳，1～3個為更佳。 作為組合而成之基團，並無特別限定，例如可舉出上述的作為選自取代基群組Z之基團較佳的上述各基團被選自取代基群組Z之其他基團取代之基團。具體而言，可舉出將選自包含鹵素原子、烷基、芳基、雜環基（雜芳基）、烷氧基（包含羥基烷氧基、鹵化烷氧基、雜芳基烷氧基）、胺基、醯氧基、羥基、硫醯基及膦醯基之群組之基團作為取代基具有之烷基、鹵化芳基或（氟化）烷基芳基、或者將矽基作為取代基具有之炔基等。而且，亦可舉出從由式（1）表示之化合物去除1個氫原子而得到之基團。 更具體而言，可舉出在上述取代基群組Z中所例示之基團、或者下述例示化合物或實施例中所使用之化合物中的基團。 作為組合而成之基團，上述中，將鹵素原子作為取代基具有之烷基（鹵化烷基）或將芳基作為取代基具有之烷基為較佳，將氟原子作為取代基具有之烷基（氟化烷基）或將芳基作為取代基具有之烷基為進一步較佳，將芳基作為取代基具有之烷基尤為佳。

作為R^N 可採用之取代基，（未取代的）烷基、鹵化烷基或將芳基作為取代基具有之烷基為更佳。

A¹¹ 及A¹² 分別具有R^N 時，2個R^N 可相互相同，亦可以不同。

式（1）中，B¹¹ ～B¹⁸ 分別表示-N=或-C（R^M ）=。其中，R^M 表示氫原子或取代基，氫原子為較佳。 作為R^M 可採用之取代基，並無特別限定，例如可舉出選自上述取代基群組Z之基團。選自取代基群組Z之基團可進一步具有取代基。作為該種取代基，可舉出選自取代基群組Z之基團。作為進一步具有取代基之基團，可舉出作為R^N 可採用之上述組合而成之基團，具體而言，可舉出上述中舉出之基團，進一步可舉出具有與由式（1）表示之化合物的碳原子鍵結之次甲基之基團。 其中，作為R^M 可採用之取代基，烷基、烯基、烷氧基羰基、芳基、烷氧基、雜環基（尤其雜芳基）、胺基、鹵素原子、氰基、羧基、硝基或巰基為較佳，烷基、烯基、芳基、烷氧基、雜環基（尤其雜芳基）、鹵素原子或氰基為更佳，烷基、芳基、雜環基（尤其雜芳基）、鹵素原子或氰基尤為佳。

作為R^M 可採用之取代基可形成環。作為該取代基形成環之態様，包含取代基彼此相互鍵結而形成環之態様、及藉由複數個取代基共享1個原子而形成環之態様。 作為取代基彼此相互鍵結而形成環之態様，例如可舉出2個乙烯基相互鍵結而與R^M 所鍵結之碳原子一起形成苯環之態様。並且，作為藉由複數個取代基共享1個原子而形成環之態様，例如可舉出2個取代基成為一體而成為硫原子（-S-基）之態様。

B¹¹ ～B¹⁸ 中至少1個為-N=，1～4個為-N=為較佳，1個或2個為-N=為更佳，2個為-N=尤為佳。 可採用-N=之B並無特別限定，B¹¹ ～B¹⁸ 中的任一個可以為-N=。例如，B¹² 、B¹³ 、B¹⁶ 及B¹⁷ 中至少1個為-N=為較佳，B¹² 及B¹⁶ 中的一者或兩者為-N=為更佳。 作為B¹¹ ～B¹⁸ 可採用之-N=，其氮原子可具有取代基。例如可舉出N-氧化物基（N→O基），具有抗衡陰離子之鹽等。

式（1）中，X¹¹ ～X¹⁴ 分別表示氧原子或硫原子，氧原子為較佳。X¹¹ ～X¹⁴ 均為氧原子為更佳。 在此，A¹¹ 及A¹² 與X¹¹ ～X¹⁴ 的組合並無特別限定，A¹¹ 及A¹² 為-N（R^N ）-，X¹¹ ～X¹⁴ 為氧原子之組合為較佳。

由式（1）表示之化合物由下述式（2）表示為較佳。

[化學式6]

式（2）中，A¹¹ 、A¹² 及X¹¹ ～X¹⁴ 分別與式（1）的A¹¹ 、A¹² 及X¹¹ ～X¹⁴ 的定義相同，較佳者亦相同。並且，A¹¹ 、A¹² 及X¹¹ ～X¹⁴ 的較佳組合亦如上所述。

R²¹ ～R²⁶ 分別表示氫原子或取代基。作為R²¹ ～R²⁶ 可採用之取代基，與作為上述R^M 可採用之取代基的定義相同，較佳者亦相同。R^M 可相互鍵結或與形成異喹啉并喹啉骨架之碳原子鍵結而形成環。

以下及實施例中示出由上述式（1）表示之化合物的具體例，但本發明並不限定於該些。 下述具體例中，示出了A¹¹ 及A¹² 均為-N（R^N ）-之化合物，下述具體例中，亦可舉出將A¹¹ 及A¹² （下述具體例中的N-R^N1 及N-R^N2 ）中的一者或兩者取代為-O-或-P（R^N ）-之化合物。其中，作為-P（R^N ）-中的R^N ，可舉出與下述具體例中的R^N1 或R^N2 相同的基團。 下述具體例中，TIPS表示三異丙基矽基，*表示鍵結部。

[化學式7]

[化學式8]

[化學式9]

[化學式10]

[化學式11]

[化學式12]

[化學式13]

[化學式14]

[化學式15]

[化學式16]

[化學式17]

[化學式18]

[化學式19]

[化學式20]

[化學式21]

關於本發明的化合物，從載子移動率的提高及耐久性、進而材料穩定性的點考慮，分子量是350以上為較佳，400以上為更佳，500以上為進一步較佳。並且，從溶解性的觀點考慮，分子量是3000以下為較佳，2000以下為更佳，1000以下為進一步較佳。

關於本發明的化合物的合成方法，並無特別限定，能夠參閱通常的方法來合成。例如，能夠參閱非專利文獻1中記載的合成方法、或後述實施例中的合成方法。

［有機薄膜電晶體用組成物］ 接著，對本發明的有機薄膜電晶體用組成物進行說明。 該有機薄膜電晶體用組成物（有機半導體膜用組成物）含有本發明的化合物，且較佳地使用於本發明的有機半導體膜的形成。

＜本發明的化合物＞ 本發明的化合物如上所述，可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 有機薄膜電晶體用組成物的上述化合物的含有率並無特別限定，例如，能夠由去除了後述之溶劑之固體成分中的含有率表示。作為固體成分中的含有率，例如設為與後述之有機半導體膜中的化合物的含有率相同的範圍為較佳。

＜黏合劑聚合物＞ 有機薄膜電晶體用組成物可含有黏合劑聚合物。若該組成物含有黏合劑聚合物，則可得到膜質較高的有機半導體膜。 作為該種黏合劑聚合物，並無特別限定，例如可舉出聚苯乙烯、聚（α-甲基苯乙烯）、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚胺甲酸乙酯、聚矽氧烷、聚碸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、纖維素、聚乙烯或聚丙烯等絕緣性聚合物、或它們的共聚物。除了該等以外，例如可舉出乙烯-丙烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、被氫化之腈橡膠、氟橡膠、全氟彈性體、四氟乙烯丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯橡膠、聚氯丁二烯橡膠、聚氯丁橡膠、丁基橡膠、甲基苯基矽酮樹脂、甲基苯基乙烯基矽酮樹脂、甲基乙烯基矽酮樹脂、氟矽酮樹脂、丙烯酸橡膠、乙烯丙烯酸橡膠、氯磺酸化聚乙烯、氯聚乙烯、環氧氯丙烷共聚物、聚異戊二烯-天然橡膠共聚物、聚異戊二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物、聚酯胺甲酸乙酯共聚物、聚醚胺甲酸乙酯共聚物、聚醚酯熱塑性彈性體或聚丁二烯橡膠等橡膠、或熱塑性彈性體聚合物。進而，例如可舉出聚乙烯基咔唑或聚矽烷等光電導性聚合物、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚對伸苯基伸乙烯等導電性聚合物、或Chemistry of Materials，2014，26，647.等中記載的半導體聚合物等。

若考慮電荷移動率，則黏合劑聚合物具有不包含極性基之構造為較佳。其中，極性基是指具有碳原子及氫原子以外的雜原子之官能基。作為具有不包含極性基之構造之黏合劑聚合物，上述中，聚苯乙烯或聚（α-甲基苯乙烯）為較佳。並且，半導體聚合物亦較佳。

關於黏合劑聚合物的玻璃轉變溫度，並無特別限定，可依據用途等適當地進行設定。例如，當對有機半導體膜賦予緊固的機械強度時，提高玻璃轉變溫度為較佳。另一方面，當對有機半導體膜賦予可撓性時，降低玻璃轉變溫度為較佳。

黏合劑聚合物可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 有機薄膜電晶體用組成物的黏合劑聚合物的含有率並無特別限定，例如，作為固體成分中的含有率，設為與後述之有機半導體膜中的黏合劑聚合物的含有率相同的範圍為較佳。若使用黏合劑聚合物的含有率在上述範圍內的有機薄膜電晶體用組成物來形成有機薄膜電晶體的有機半導體膜，則載子移動率及耐久性進一步得到提高。 黏合劑聚合物的重量平均分子量並無特別限定，但1,000～1,000萬為較佳，3,000～500萬為更佳，5,000～300萬為進一步較佳。

有機薄膜電晶體用組成物中，本發明的化合物相對於黏合劑聚合物，可均勻地進行混合，本發明的化合物的一部分或全部亦可以發生相分離。從塗佈容易性或塗佈均勻性的點考慮，至少塗佈時，均勻地混合本發明的化合物與黏合劑聚合物為較佳。

＜溶劑＞ 有機薄膜電晶體用組成物可含有溶劑。作為該種溶劑，只要是使上述化合物溶解或分散者，則並無特別限定，可舉出無機溶劑或有機溶劑。其中，有機溶劑為較佳。溶劑可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

作為有機溶劑，並無特別限定，可舉出己烷、辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、均三甲苯基、乙苯、戊苯、十氫萘、1-甲基萘、1-乙基萘、1,6-二甲基萘或四氫萘等烴溶劑、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環乙酮、苯乙酮、丙醯苯或丁醯苯等酮溶劑、二氯甲烷、氯仿、四氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷、四氯乙烷、氯苯、1,2-二氯苯、1,2,4-三氯苯、氯甲苯或1-氟萘等鹵化烴溶劑、吡啶、甲吡啶、喹啉、噻吩、3-丁基噻吩或噻吩并［2,3-b］噻吩等雜環溶劑、2-氯噻吩、3-氯噻吩、2,5-二氯噻吩、3,4-二氯噻吩、2-溴噻吩、3-溴噻吩、2,3-二溴噻吩、2,4-二溴噻吩、2,5-二溴噻吩、3,4-二溴噻吩或3,4-二氯-1,2,5-噻二唑等鹵化雜環溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸-2-乙基己酯、γ-丁內酯或酢酸苯酯等酯溶劑、甲醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、環己醇、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇或乙二醇等醇溶劑、二丁基醚、四氫呋喃、二噁烷、二甲氧基乙烷、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、異丙氧基苯、丁氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、4-乙基苯甲醚、二甲基苯甲醚（2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-、3,6-中的任一個）或1,4-苯并二噁烷等醚溶劑、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、1-甲基-2-咪唑啶酮或1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等醯胺或醯亞胺溶劑、二甲基亞碸等亞碸溶劑、磷酸三甲基等磷酸酯溶劑、乙腈或苄腈等腈溶劑、硝基甲烷或硝基苯等硝基溶劑。

其中，烴溶劑、酮溶劑、鹵化烴溶劑、雜環溶劑、鹵化雜環溶劑或醚溶劑為較佳，甲苯、二甲苯、均三甲苯基、戊基苯、四氫萘、苯乙酮、丙醯苯、丁醯苯、二氯苯、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、異丙氧基苯、丁氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、1-氟萘、3-氯噻吩或2,5-二溴噻吩為更佳，甲苯、二甲苯、四氫萘、苯乙酮、丙醯苯、丁醯苯、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、1-氟萘、3-氯噻吩或2,5-二溴噻吩尤為佳。

有機薄膜電晶體用組成物中，從膜質的點及能夠增大上述化合物的結晶之點考慮，上述溶劑中沸點為100℃以上的溶劑為較佳。 作為沸點為100℃以上的溶劑，可舉出甲苯、二甲苯、均三甲苯基、四氫萘、苯乙酮、丙醯苯、丁醯苯、二氯苯、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、異丙氧基苯、丁氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚或4-甲基苯甲醚。其中，甲苯、二甲苯、四氫萘、苯乙酮、丙醯苯、丁醯苯、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚或4-甲基苯甲醚為更佳。 並且，從環境負載或對人的毒性的點考慮，沸點為100℃以上的溶劑為非鹵素溶劑（分子中不具有鹵素原子之溶劑）尤為佳。

有機薄膜電晶體用組成物中的溶劑的含有率是90～99.9質量%為較佳，95～99.9質量%為更佳，96～99.5質量%為進一步較佳。

＜其他成分＞ 本發明的有機薄膜電晶體用組成物可含有本發明的化合物及溶劑以外的成分。 作為該種成分，可舉出各種添加劑等。 作為添加劑，能夠並無特別限制地使用在有機薄膜電晶體用組成物中通常使用者。例如，可舉出界面活性劑、抗氧化劑、結晶化控制劑或結晶取向控制劑等。作為界面活性劑及抗氧化劑，例如可舉出日本特開2015-195362號公報的段落號0136及0137的記載者，該段落的記載直接較佳地編入本說明書中。 有機薄膜電晶體用組成物的添加劑的含有率並無特別限定，例如，作為固體成分中的含有率，設為與後述之有機半導體膜中的添加劑的含有率相同的範圍為較佳。若使用添加劑的含有率在上述範圍內之有機薄膜電晶體用組成物來形成有機薄膜電晶體的有機半導體膜，則膜形成性優異，且載子移動率及耐熱性更加得到提高。

關於本發明的有機薄膜電晶體用組成物，從印刷適性的點考慮，黏度是10mPa・s以上為較佳。

＜製備方法＞ 作為有機薄膜電晶體用組成物的製備方法，並無特別限制，能夠採用通常的製備方法。例如，能夠藉由適當攪拌處理規定量的各成分來製備本發明的有機薄膜電晶體用組成物。 依據需要，亦能夠在適當攪拌處理各成分時或之後進行加熱。加熱溫度並無特別限定，例如，確定為150～40℃的範圍。當使用溶劑時，確定為上述範圍內且小於溶劑的沸點的溫度。

［有機薄膜電晶體］ 接著，對作為在使用了本發明的化合物之上述有機半導體設備中亦較佳的形態的本發明的有機薄膜電晶體（亦稱為有機TFT）進行說明。 本發明的有機TFT具備後述之本發明的有機半導體膜。藉此，本發明的有機TFT顯示較高的載子移動率，而且在大氣下亦有效抑制隨著時間的經過產生之降低，並進行穩定驅動。 本發明中，大氣下的周邊溫度或濕度只要是有機薄膜電晶體的使用環境下的溫度或濕度，則並無特別限定，例如作為溫度，可舉出室溫（20℃），作為濕度，可舉出10～90RH%。 本發明的有機TFT作為有機場效電晶體（Field Effect Transistor、FET）而使用為較佳，作為閘極-通道之間絕緣之絕緣閘極型FET而使用為更佳。 本發明的有機薄膜電晶體的厚度並無特別限定，但當設為比較薄的電晶體時，例如將電晶體整體的厚度設為0.1～0.5μm為較佳。

本發明的有機TFT具有本發明的有機半導體膜（亦稱為有機半導體層或半導體活性層），進而能夠具有源極電極、汲極電極、閘極電極及閘極絕緣膜。 本發明的有機TFT中，在基板上具有閘極電極、有機半導體膜、設置於閘極電極與有機半導體膜之間之閘極絕緣膜、及與有機半導體膜相鄰而設置，且經由有機半導體膜連結之源極電極及汲極電極。該有機TFT中，有機半導體膜與閘極絕緣膜相鄰設置。 本發明的有機薄膜電晶體只要具備上述各層，則關於其構造並無特別限定。例如，可具有底部接觸型（底部閘極-底部接觸型及頂部閘極-底部接觸型）、或頂部接觸型（底部閘極-頂部接觸型及頂部閘極-頂部接觸型）等中的任一構造。本發明的有機薄膜電晶體是底部閘極-底部接觸型或底部閘極-頂部接觸型（將它們總稱為底部閘極型）為更佳。 以下，參閱附圖，對本發明的有機薄膜電晶體的一例進行說明。

-底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體- 圖1是作為本發明的有機薄膜電晶體的一例的底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體10的剖面示意圖。 如圖1所示，該有機薄膜電晶體10依次具有基板（基材）1、閘極電極2、閘極絕緣膜3、源極電極4A及汲極電極4B、有機半導體膜5以及密封層6。 以下，對基板（基材）、閘極電極、閘極絕緣膜、源極電極、汲極電極、有機半導體膜及密封層、以及各自的製作方法進行詳細敘述。

（基板） 基板發揮支撐後述之閘極電極、源極電極及汲極電極等之作用。 關於基板的種類，並無特別限制，例如可舉出塑膠基板、矽基板、玻璃基板或陶瓷基板等。其中，從對各設備的適用性及成本的觀點考慮，玻璃基板或塑膠基板為較佳。 基板的厚度並無特別限定。例如，10mm以下為較佳，2mm以下為進一步較佳，1.5mm以下尤為佳。另一方面，0.01mm以上為較佳，0.05mm以上為進一步較佳。

（閘極電極） 閘極電極能夠並無特別限制地適用作為有機TFT的閘極電極而使用之通常的電極。 作為形成閘極電極之材料（電極材料），並無特別限定，例如，可舉出金、銀、鋁、銅、鉻、鎳、鈷、鈦、鉑、鎂、鈣、鋇或鈉等金屬、InO₂ 、SnO₂ 或銦錫氧化物（ITO）等導電性氧化物、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔或聚二乙炔等導電性高分子、矽、鍺或砷化鎵等半導體、或富勒烯、碳奈米管或石墨等碳材料等。其中，上述金屬為較佳，銀或鋁為更佳。 閘極電極的厚度並無特別限定，但20～200nm為較佳。 閘極電極可以是發揮上述基板的功能者，此時，可沒有上述基板。

關於形成閘極電極之方法，並無特別限定，例如，可舉出在基板上，對上述電極材料進行真空蒸鍍（以下亦簡稱為蒸鍍）或濺射之方法、塗佈或印刷含有上述電極材料之電極形成用組成物之方法等。並且，當對電極進行圖案化時，作為圖案化方法，例如，可舉出噴墨印刷、網版印刷、平版印刷或凸版印刷（柔版印刷）等印刷法、光微影法或遮罩蒸鍍法等。

（閘極絕緣膜） 閘極絕緣膜只要是具有絕緣性之層，則並無特別限定，可以是單層，亦可以是多層。 作為形成閘極絕緣膜之材料，並無特別限定，例如，可舉出聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯酚、三聚氰胺樹脂、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚酯、聚乙烯基醇、聚乙酸乙烯酯、聚胺甲酸乙酯、聚碸、聚苯并噁唑、聚倍半矽氧烷、環氧樹脂或酚醛樹脂等聚合物、二氧化矽、氧化鋁或氧化鈦等無機氧化物、或氮化矽等氮化物等。其中，在與有機半導體膜的相容性的點上，上述聚合物為較佳，在膜的均勻性的點上，上述無機氧化物、尤其是二氧化矽為較佳。 該等材料可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 閘極絕緣膜的膜厚並無特別限定，但100～1000nm為較佳。 關於形成閘極絕緣膜之方法，並無特別限定，例如，可舉出在形成有閘極電極之基板上，塗佈含有上述材料之閘極絕緣膜形成用組成物之方法、對上述材料進行蒸鍍或濺射之方法等。

（源極電極及汲極電極） 本發明的有機TFT中，源極電極是電流通過配線從外部流入之電極。並且，汲極電極是通過配線向外部送出電流之電極。 形成源極電極及汲極電極之材料能夠使用與上述之形成閘極電極之電極材料相同者。其中，金屬為較佳，金或銀為更佳。 源極電極及汲極電極的厚度並無特別限定，但分別是1nm以上為較佳，10nm以上為更佳。並且，500nm以下為較佳，300nm以下為更佳。 源極電極與汲極電極之間的間隔（閘極長度）能夠適當確定，例如，200μm以下為較佳，100μm以下尤為佳。並且，閘極寬度能夠適當確定，例如，5000μm以下為較佳，1000μm以下尤為佳。而且，閘極寬度W與閘極長度L之比並無特別限定，例如，比W/L是10以上為較佳，20以上為更佳。 關於形成源極電極及汲極電極之方法並無特別限定，例如，可舉出在形成有閘極電極與閘極絕緣膜之基板上，對電極材料進行真空蒸鍍或濺射之方法、塗佈或印刷電極形成用組成物之方法等。當進行圖案化時，圖案化之方法與上述之閘極電極的方法相同。

（有機半導體膜） 本發明的有機半導體膜中，對其用途並無特別限定，能夠舉出上述各有機半導體設備所具備之有機半導體膜。本發明的有機半導體膜中，作為有機薄膜電晶體的有機半導體膜而較佳地使用。以下，對將本發明的有機半導體膜用作有機薄膜電晶體的有機半導體膜之情況進行說明。 本發明的有機TFT中，作為有機半導體膜，使用含有上述本發明的化合物之本發明的有機半導體膜。在有機半導體膜中含有之本發明的化合物可以是1種，亦可以是2種以上。 若有機半導體膜含有本發明的化合物，則載子移動率較高，而且即使在大氣下使用或保存（放置）亦能夠維持載子移動率。其理由尚不明確，但如上所述，認為是因為本發明的化合物顯示較低的最低未佔用分子軌域的軌域能。

有機半導體膜中的本發明的化合物的含有率並無特別限定，能夠適當設定。例如，10質量%以上為較佳，30質量%以上為更佳，50質量%以上為進一步較佳。其上限能夠設為100質量%。關於該上限，當有機半導體膜含有黏合劑聚合物等時，例如90質量%以下為較佳，80質量%以下為進一步較佳。

除了本發明的化合物以外，有機半導體膜可含有上述之黏合劑聚合物。關於黏合劑聚合物，可含有1種，亦可以含有2種以上。 有機半導體膜中，本發明的化合物與黏合劑聚合物的含有狀態並無特別限定，但從載子移動率的點考慮，沿膜厚方向，本發明的化合物與黏合劑聚合物相互發生相分離為較佳。

有機半導體膜中的黏合劑聚合物的含有率並無特別限定，能夠適當地設定。例如，90質量%以下為較佳，70質量%以下為更佳。其下限能夠設為0質量%以上，例如，10質量%以上為較佳，20質量%以上為更佳。

除了本發明的化合物以外，有機半導體膜可含有上述添加劑。關於添加劑，可含有1種，亦可以含有2種以上。 有機半導體膜中的添加劑的含有率是10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳，1質量%以下為進一步較佳。

有機半導體膜的膜厚無法依據被應用之有機薄膜電晶體來唯一地進行確定，但例如10～500nm為較佳，20～200nm為更佳。

該有機半導體膜能夠塗佈上述之有機薄膜電晶體用組成物來形成。詳細內容將在後面進行敘述。

（密封層） 如上所述，本發明的有機薄膜電晶體在大氣下亦穩定驅動。因此，相對於大氣（氧氣）或水分可以不密封（遮斷）有機薄膜電晶體整體（可以不設置密封層）。以在更長期間使其穩定驅動為目的，能夠利用金屬性的密封罐或密封劑來密封有機薄膜電晶體整體。 密封層中，能夠使用有機TFT中通常使用之密封劑（密封層形成用組成物）。作為密封劑，例如可舉出玻璃或氮化矽等無機材料、聚對二甲苯等高分子材料、或低分子材料等。 密封層能夠藉由塗佈乾燥等通常的方法使用上述密封劑來形成。 密封層的膜厚並無特別限定，但0.2～10μm為較佳。

-底部閘極-頂部接觸型有機薄膜電晶體- 圖2是表示作為本發明的半導體元件的一例的底部閘極-頂部接觸型有機薄膜電晶體20之剖面示意圖。 如圖2所示，有機薄膜電晶體20依次具有基板1、閘極電極2、閘極絕緣膜3、有機半導體膜5、源極電極4A及汲極電極4B、以及密封層6。 有機薄膜電晶體20除了層構成（積層態様）不同以外與有機薄膜電晶體10相同。因此，關於基板、閘極電極、閘極絕緣膜、源極電極、汲極電極、有機半導體膜及密封層，與上述底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體中的者相同，因此省略其說明。

［有機薄膜電晶體的製造方法］ 關於本發明的有機薄膜電晶體的製造方法，只要是具有將本發明的有機薄膜電晶體用組成物塗佈於基板上而形成有機半導體膜之製程之方法，則並無特別限定。

閘極電極、閘極絕緣膜、源極電極及汲極電極、以及密封層均能夠以上述之方法製作或進行成膜。

以下，對形成有機半導體膜之製程進行說明。 該製程中，使用上述之本發明的有機薄膜電晶體用組成物。 本發明中，將有機薄膜電晶體用組成物塗佈於基板上是指，不僅包括將有機薄膜電晶體用組成物直接塗佈於基板之態様，還包括隔著設置於基板上之其他層在基板的上方塗佈有機薄膜電晶體用組成物之態様者。塗佈有有機薄膜電晶體用組成物之其他層（與有機半導體膜相接之成為有機半導體膜的基座之層）由有機薄膜電晶體的構造必然確定。例如，在底部閘極型的情況下，為閘極絕緣膜，在頂部閘極型（頂部閘極-底部接觸型及頂部閘極-頂部接觸型）的情況下，為源極電極或汲極電極。

形成有機半導體膜時，可對基板進行加熱或冷卻。藉由改變基板的溫度，能夠控制膜質或膜中的本發明的化合物的填密性。 作為基板的溫度，並無特別限定。例如，設定在0～200℃的範圍內為較佳，設定在15～100℃的範圍內為更佳，設定在20～95℃的範圍內尤為佳。

形成有機半導體膜之方法並無特別限定，可舉出真空製程或溶液製程，均較佳。本發明中溶液製程尤為佳。

作為真空製程，例如，可舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、或分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy；MBE）法等物理氣相沉積法、或者電漿聚合等化學氣相蒸鍍（Chemical Vapor Deposition；CVD）法。其中，真空蒸鍍法為較佳。

溶液製程中，使用含有上述溶劑之有機薄膜電晶體用組成物為較佳。 如上所述，本發明的化合物在大氣下亦穩定。因此，溶液製程能夠在大氣下進行，進而，能夠以大面積塗佈本發明的有機薄膜電晶體用組成物。 作為溶液製程中的有機薄膜電晶體用組成物的塗佈方法，能夠使用通常的方法。例如，可舉出滴鑄法、流延法、浸塗法、模塗法、輥塗法、棒塗法、或旋塗法等塗佈法、噴墨法、網版印刷法、凹版印刷法、膠版印刷法、平版印刷法、或微觸印刷法等各種印刷法、或者Langmuir-Blodgett（LB）法等方法。其中。滴鑄法、流延法、旋塗法、噴墨法、凹版印刷法、膠版印刷法、平版印刷法或微觸印刷法為較佳。後述之較佳的溶液製程中，噴墨法、凹版印刷法、膠版印刷法、平版印刷法或微觸印刷法為較佳，膠版印刷法、微觸印刷法或噴墨法為更佳。

溶液製程中，對塗佈於基板上之有機薄膜電晶體用組成物進行乾燥為較佳。乾燥慢慢進行為進一步較佳。 藉由對有機薄膜電晶體用組成物進行乾燥，析出本發明的化合物的結晶，從而能夠形成有機半導體膜。 關於有機薄膜電晶體用組成物的乾燥，從膜質的點考慮，在已加熱之基板上自然乾燥或加熱乾燥之後，進行減壓乾燥為較佳。自然乾燥或加熱乾燥時的基板的溫度是20～100℃為較佳，50～80℃為更佳。自然乾燥或加熱乾燥的時間是0.5～20小時為較佳，1～10小時為更佳。 減壓乾燥時的溫度是20～100℃為較佳，40～80℃為更佳。減壓乾燥時間是1～20小時為較佳，2～10小時為更佳。減壓乾燥時的壓力是10^-6 ～10^-2 Pa為較佳，10^-5 ～10^-3 Pa為更佳。 依據需要對如此乾燥之有機薄膜電晶體用組成物進行整形等，亦能夠設為規定形狀或圖案。

以下，參閱附圖，對較佳的溶液製程進行說明。 基於較佳的溶液製程之有機半導體膜的形成方法是將本發明的有機薄膜電晶體用組成物（該製程中亦稱為塗佈液）滴加（塗佈）於基板的面內的一部分，以使與配置在基板及基板上之部件相接，並使滴加之塗佈液乾燥之方法。對在較佳的溶液製程中使用之基板及部件，將在後面進行敘述。 在此，基板與配置在該基板上之部件維持如下狀態：將基板與未固定在該基板之部件的距離保持為一定距離之狀態；或使基板與部件接觸之狀態。 只要基板與部件維持上述狀態，則滴加或乾燥塗佈液時，可使基板與部件的位置關係靜止，亦可以改變上述位置關係。從生產效率的點考慮，改變位置關係為較佳，另一方面，從所得到之有機半導體膜的膜質及結晶尺寸的點考慮，使位置關係靜止為較佳。

較佳的溶液製程中塗佈液的滴加方法並無特別限定。例如，從在基板上容易產生塗佈液的膜厚較薄的部分，且從塗佈液的端部進行乾燥之點考慮，滴加塗佈液時，滴加一滴塗佈液，或者在滴加二滴以上時一滴一滴進行滴加為較佳。滴加塗佈液時，塗佈液一滴的容量是0.01～0.2mL為較佳，0.02～0.1mL為更佳。 藉由將塗佈液以與基板和部件這兩者相接之方式滴加於基板的面內的一部分，從而能夠使塗佈液的端部中的膜厚變薄。 塗佈液相對於基板之接觸角（25℃）並無特別限定，但0～90°為較佳，10～20°為更佳。關於接觸角的測定方法，滴加塗佈液（固體成分的濃度：0.1質量%、溶劑：苯甲醚）之後過1秒鐘後，測定液滴與基板的角度。具體而言，將液量設為1.0μL以上，並使用TEFLON（註冊商標）針藉由液滴法測定靜態接觸角。如此，對以同様的處理方法得到之不同的基板進行複數次（通常5次）測定，並計算其平均值，將該值設為接觸角。 塗佈液相對於部件形成彎月面為較佳，從膜質的點考慮，形成凹狀的彎月面為更佳。

作為在將基板與部件的距離保持為一定距離之狀態下塗佈塗佈液之方法，可舉出圖3所示之方法。在該方法中，首先，將基板42與部件43配置在規定的位置。具體而言，以表示將塗佈液41滴加於基板1上之前的狀態之圖3的（A）所示之狀態配置基板42及部件43。此時，將基板42與不接觸於基板42之部件43的距離保持為一定距離。作為距離，無法藉由塗佈液的塗佈量或黏度等來籠統地確定，能夠適當進行設定。 接著，如圖3的（B）所示，在基板42的面內的一部分（基板42與部件43的對向部附近）滴加塗佈液41，以使與基板42和部件43這兩者相接。 之後，在使基板42與部件43的位置關係靜止（固定）之狀態下，如上所述那樣使塗佈液41乾燥為較佳。在圖3的（C）中示出該狀態。塗佈液41在基板42上從膜厚較薄的兩端部（端邊）朝向內部進行乾燥，並進行結晶化。藉此，能夠將本發明的化合物作為尺寸較大的結晶而配置在規定的位置上。 使塗佈液41乾燥之後，將部件43從基板42拉開。例如，相對於基板42垂直地提拉部件43而拉開。藉此在所形成之結晶中不殘留部件43的痕跡，就能夠作成膜質良好的有機半導體膜。 如此，能夠形成包含本發明的化合物的結晶之有機半導體膜。

作為在使基板與部件接觸之狀態下塗佈塗佈液之方法，可舉出圖4所示之方法。在該方法中，首先，以接觸狀態配置基板42與部件43。具體而言，以表示將塗佈液41滴加於基板42上之前的狀態之圖4的（A）所示之狀態，在基板42上配置部件43。接著，如圖4的（B1）及（B2）所示，在基板42的面內的一部分（基板42與部件43的接觸部附近）滴加塗佈液41，以使與基板42和部件43這兩者相接。此時，如圖4的（B2）所示，塗佈液41圍繞接觸部為較佳。圖4的（B1）是塗佈了塗佈液之基板的主視圖，圖4的（B2）是塗佈了塗佈液之基板的平面圖。圖4的（B1）及（B2）中加入了3維坐標（X，Y，Z）。 之後，在使基板42與部件43的位置關係靜止（固定）之狀態下，如上所述那樣使塗佈液41乾燥為較佳。在圖4的（C）中示出該狀態。塗佈液41在基板42上從膜厚較薄的端邊朝向內部進行乾燥，並進行結晶化。藉此，能夠將本發明的化合物作為尺寸較大的結晶而配置在規定的位置。 使塗佈液41乾燥後，將部件43從基板42例如垂直地提拉而拉開。藉此，如圖4的（D）所示，在所形成之結晶中不殘留部件43的痕跡，就能夠作成膜質良好的有機半導體膜5。 如此，能夠形成包含本發明的化合物的結晶之有機半導體膜。 從膜質的點、及無需保持部件43之機構，而且能夠保持部件43相對於基板的距離（接觸狀態）之點考慮，相對於在將基板與部件的距離保持為一定距離之狀態下塗佈塗佈液之方法，在使基板與部件接觸之狀態下塗佈塗佈液之方法為較佳。

作為在使基板與部件接觸之狀態下塗佈塗佈液之另一方法，可舉出如圖5所示之方法。該方法在使部件43相對移動而促進本發明的化合物的結晶化之點上與圖4所示之方法不同。 圖5所示之方法中，首先，以接觸狀態配置基板42與部件43。具體而言，以表示將塗佈液41滴加於基板42上之前的狀態之圖5的（A）所示之狀態在基板42上配置部件43。 接著，如圖5的（B）所示，在基板42的面內的一部分（基板42與部件43的接觸部附近）滴加塗佈液41，以使與基板42和部件43這兩者相接。此時，如圖4的（B2）所示，塗佈液41圍繞接觸部為較佳。 之後，改變基板42與部件43的位置關係而使塗佈液41乾燥。例如，相對於基板42使部件43向圖中的箭頭（圖5的（C）中的-X軸）方向相對移動。在圖5的（C）中示出該狀態。塗佈液41從與部件43的移動方向相反側的端部（X軸方向）朝向移動方向（-X軸方向）進行乾燥，並進行結晶化。藉此，能夠將本發明的化合物作為尺寸較大的結晶而配置在規定位置。 使塗佈液41乾燥之後，將部件43從基板42例如垂直地提拉而拉開。藉此，在所形成之結晶中不殘留部件43的痕跡，就能夠作成膜質良好的有機半導體膜。 如此，能夠形成包含本發明的化合物的結晶之有機半導體膜。

上述較佳的溶液製程中所使用之基板相當於有機薄膜電晶體的基板，形成有閘極絕緣膜之基板為較佳。

作為上述較佳的溶液製程中所使用之部件43，並無特別限定，材質是玻璃、石英或矽等無機材料、或TEFLON（註冊商標）、聚乙烯或聚丙烯等塑膠為較佳，玻璃為更佳。

部件43的尺寸並無特別限定。例如，與基板42面對之面中的一邊的長度（圖6中的d或w）的下限值相對於基板42的一邊的長度，0.1%以上為較佳，1%以上為更佳，10%以上尤為佳，20%以上更尤為佳。並且，上述一邊的長度的上限值相對於基板42的一邊的長度，80%以下為較佳，70%以下為更佳，50%以下尤為佳。部件43的高度（圖6中的h）是1～50mm為較佳，5～20mm為更佳。而且，部件43中的長度比h/d是0.01～10為較佳，從部件43的配置穩定性的點考慮，0.1～5為更佳。並且，長度比w/d是1～1000為較佳，從能夠在廣範圍地對本發明的化合物進行結晶化之點考慮，5～100為更佳。

如此，析出本發明的化合物的結晶，能夠形成本發明的有機半導體膜。藉由使用偏光顯微鏡（商品名：Eclipse LV100N POL（透射・反射照明型）、Nikon Corporation製、目鏡：倍率10倍、物鏡：倍率5～20倍）來觀察有機半導體膜，能夠確認本發明的化合物的結晶是否析出。

［有機薄膜電晶體的用途］ 關於上述有機薄膜電晶體的用途並無特別限定，例如，能夠用於電子紙、顯示器設備、感測器、電子標識等。 [實施例]

基於實施例對本發明進一步進行詳細說明，但本發明並不限定於下述實施例。

［合成例］ 以下示出各例中使用之化合物1～5。 各化合物的鑑定是藉由以四甲基矽烷作為內部標準之¹ H-NMR（400MHz）而進行的。作為溶劑，使用了CDCl₃ 、二甲基亞碸（DMSO）-d6或四氯乙烷-d2。

[化學式22]

化合物1 化合物2 化合物3 化合物4 化合物5

＜合成例1：化合物1的合成＞ 按照下述方案，合成了化合物1。

（化合物1-2：二甲基-2,2’-（9,10-二側氧基-9,10-二氫蒽-1,5-二基）雙（2-氰乙酸酯）的合成）

[化學式23]

上述方案中，Me表示甲基，tBu表示第三丁基，DMSO表示二甲基亞碸。

室溫（20℃）下，在1,5-二硝蒽醌1-1（50g，168mmol）的二甲基亞碸（600mL）溶液中加入氰基乙酸甲酯（133g，1.34mol），進而一邊注意發熱一邊慢慢地加入了鉀-第三丁醇（150.6g，1.34mol）。將混合溶液加熱至50℃，並攪拌了3小時。將反應溶液冷卻至室溫之後，注入到冰水2L中，並停止了反應。藉由濾除析出物，並用矽膠管柱層析法進行純化（展開溶劑=chlroform:ethylacetate=98:2（體積比）），從而作為淡橙色固體，得到了化合物1-2（26.0g，64.6mmol，產率38%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：8.44（dd，J=7.8，1.3Hz，2H），7.98（brd，J=7.8Hz，2H），7.90（t，J=7.8，2H），6.02（brs，2H），3.88（s，6H）

（化合物1-3：二甲基-2,8-二羥基苯并［de］異喹啉并［1,8-gh］喹啉-3,9-二羧酸酯的合成）

[化學式24]

上述方案中，Me表示甲基。

在濃硫酸230mL中加入化合物1-2（23.0g，57.2mmol），並攪拌了30分鐘。將所得到之濃硫酸溶液注入到水1900mL中，加熱至50℃，並攪拌了20分鐘。在所得到之溶液中滴加50w/v%的氫氧化鈉水溶液710mL，進而在80℃下加熱攪拌了10分鐘。將反應溶液冷卻至室溫之後，用濃鹽酸進行了中和。濾除析出物，用水和丙酮進行清洗，從而作為茶色粉末得到了化合物1-3（20.0g，49.7mmol，產率87%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：8.97（d，J=7.6Hz，2H），8.88（d，J=8.6Hz，2H），7.87（dd，J=8.6Hz，7.6Hz，2H），4.18（s，6H）

（化合物1-4：二甲基-2,8-雙（（（三氟甲基）磺醯基）氧基）苯并［de］異喹啉并［1,8-gh］喹啉-3,9-二羧酸酯的合成）

[化學式25]

上述方案中，Me表示甲基，Et表示乙基，DMAP表示4-二甲胺基吡啶，Tf表示三氟甲烷磺醯基。

在反應容器中加入化合物1-3（17.0g，42.3mmol）、4-二甲胺基吡啶（516mg，4.23mmol）、三乙胺（12.8mL，93.1mmol）及二氯甲烷227mL，在氬氣氛下，冷卻至-20℃。向其中添加N-苯基雙（三氟甲烷磺醯亞胺）（31.7g，88.8mmol），並將混合液恢復到室溫之後，攪拌了2小時。藉由減壓乾燥而濃縮反應溶液，並從乙酸乙酯使其再結晶，從而作為黄色固體而得到了化合物1-4（20.0g，30.0mmol，產率71%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：8.97（d，J=7.6Hz，2H），8.88（d，J=8.6Hz，2H），8.93（dd，J=8.6Hz，7.6Hz，2H），4.18（s，6H）

（化合物1-5：二甲基苯并［de］異喹啉并［1,8-gh］喹啉-3,9-二羧酸酯的合成）

[化學式26]

上述方案中，Me表示甲基，Et表示乙基，Ph表示苯基，Tf表示三氟甲烷磺醯基，DMF表示二甲基甲醯胺。

在反應容器中加入化合物1-4（20.0g，30.0mmol）、四（三苯膦）鈀（0）（3.47g，3.00mmol）、三乙胺（25.1mL，180mmol）、甲酸（6.79mL，180mmol）及二甲基甲醯胺250mL，在氬氣氛下，加熱至80℃，並攪拌了2小時。將反應溶液冷卻至室溫之後，注入到水1L中，並停止了反應。濾除析出物，用水、丙酮進行清洗，從而作為茶色固體而得到化合物1-5（9.17g，24.8mmol，產率83%）。

¹ H-NMR（DMSO-d6） δ：9.30（s，2H），9.09（m，4H），7.96（dd，J=8.4Hz，7.6Hz，2H），4.06（s，6H）

（化合物1-6：二甲基-4,10-二溴苯并［de］異喹啉并［1,8-gh］喹啉-3,9-二羧酸酯的合成）

[化學式27]

上述方案中，Me表示甲基，NBS表示N-溴琥珀醯亞胺。

在反應容器中，加入化合物1-5（4.00g，10.8mmol）的濃硫酸50mL溶液與N-溴琥珀醯亞胺（14.4g，81.0mmol），加熱至50℃，並攪拌了2.5小時。之後，將反應溶液注入到冰水500mL中，停止了反應。滴加50w/v%的氫氧化鈉水溶液來進行中和之後，濾除析出物，用水、丙酮進行清洗，從而作為茶色固體而得到了化合物1-6（2.70g，5.11mmol，產率47%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：8.90（d，J=7.8Hz，2H），8.72（s，2H），8.18（d，J=8.4Hz，2H），4.04（s，6H）

（化合物1-7：3,9-二甲基-4,10-雙（2,4,6-三氯苯基）苯并［de］異喹啉并［1,8-gh］喹啉-3,4,9,10-四羧酸酯的合成）

[化學式28]

上述方案中，Me表示甲基，Et表示乙基，Ac表示乙醯基，Xantphos表示4,5-雙（二苯基膦基）-9,9-二甲基呫噸。

將化合物1-6（1.40g，2.65mmol）、甲酸2,4,6-三氯苯基（2.53g，10.6mmol）、乙酸鈀（II）（59.5mg，0.265mmol）、4,5-雙（二苯基膦基）-9,9-二甲基呫噸（307mg，0.530mmol）及甲苯13.7mL放入施蘭克管，進行了脫氣、氬氣體置換。在氬氣氛下，向所得到之溶液加入三乙胺（1.47mL，10.6mmol），加熱至100℃，並攪拌了12小時。並且，將反應溶液冷卻至室溫之後，加入水中。用乙酸乙酯提取有機層，用食鹽水進行清洗，在減壓下進行了濃縮。利用矽膠管柱層析法對濃縮殘渣進行純化（展開溶劑=CHCl₃ ），藉此作為淡黄色固體而得到了化合物1-7（410mg，0.502mmol，產率22%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：9.27（d，J=8Hz，2H），9.12（s，2H），8.93（d，J=8Hz，2H），7.46（s，4H），3.93（s，6H）

（化合物1-8的合成） [化學式29]

上述方案中，Me表示甲基。

在反應容器中加入化合物1-7（410mg，0.502mmol）、對甲苯磺酸一水合物（477mg，2.51mmol）及o-二氯苯40mL，在氬氣氛下，加熱至120℃，並攪拌了12小時。之後，對反應溶液進行減壓乾燥而蒸餾除去了溶劑。使固體成分分散於己烷之後進行濾除，並用己烷進行清洗，從而得到了化合物1-8（194mg，0.263mmol，產率52%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：9.73（s，2H），9.38（d，J=7.6Hz，2H），8.95（d，J=7.6Hz，2H），7.65（d，J=7.8Hz，4H），7.07（d，J=7.6Hz，4H），2.31（s，6H）

（化合物1的合成） [化學式30]

上述方案中，Ac表示乙醯基。

在反應容器中加入化合物1-8（110mg，0.149mmol）、環己胺（5.8μL，0.328mmol）、乙酐鋅（II）（37.6mg，0.149mmol）及喹啉8.8mL，在氬氣氛下，加熱至120℃，並攪拌了6小時。之後，利用矽膠管柱層析法對反應溶劑進行純化（展開溶劑=chlroform:ethylacetate=98:5（體積比）），進而進行再結晶純化（溶劑=氯仿），藉此作為橙色固體，得到了化合物1（1.0mg，1.8μmol，產率1.2%）。

¹ H-NMR（四氯乙烷-d2） δ：9.61（s，2H），9.24（d，J=7.8Hz，2H），8.81（d，J=7.8Hz，2H），5.00（tt，J=12.4Hz，4Hz，2H），2.52（qd，J=12.4Hz，3.6Hz，4H），1.91（brd，J=13.6HZ，4H），1.76（brd，J=13.2Hz，6H），1.50-1.23（m，6H）

＜合成例2：化合物2的合成＞ 按照下述方案，使用在合成例1中所得到之化合物1-8來合成了化合物2。

[化學式31]

在反應容器中加入化合物1-8（150mg，0.203mmol）、1H,1H-七氟丁胺（108μL，0.812mmol）、丙酸3mL及鄰二氯苯9mL，在氬氣氛下，加熱至140℃，攪拌了6小時。在減壓下，對反應溶劑進行蒸餾除去之後，利用矽膠管柱層析法對濃縮殘渣進行純化（展開溶劑=tetrachloroethane:butylacetate=90:10（體積比）），進而進行再結晶純化（溶劑=四氯乙烷），藉此作為橙色固體而得到了化合物2（97mg，0.128mmol，產率63%）。

¹ H-NMR（CDCl₃ ） δ：9.71（s，2H），9.35（d，J=8Hz，2H），8.92（d，J=8Hz，2H），5.00（t，J=15.2Hz，4H）

＜合成例3：化合物3的合成＞ 按照下述方案，使用在合成例1中所得到之化合物1-8來合成了化合物3。

[化學式32]

在反應容器中加入化合物1-8（30mg，0.0412mmol）、對氟苯胺（15.6μL，0.165mmol）、異戊酸0.6mL及鄰二氯苯3mL，在氬氣氛下，加熱至140℃，並攪拌了6小時。在減壓下，對反應溶劑進行蒸餾除去之後，利用矽膠管柱層析法對濃縮殘渣進行純化（展開溶劑=tetrachloroethane:butylacetate=90:10（體積比）），進而進行再結晶純化（溶劑=四氯乙烷），藉此作為橙色固體而得到了化合物3（4.0mg，6.89μmol，產率14%）。

¹ H-NMR（四氯乙烷-d2） δ：9.73（s，2H），9.39（d，J=8Hz，2H），8.92（d，J=8Hz，2H），7.39-7.26（m，8H）

＜合成例4：化合物4的合成＞ 按照下述方案，使用在合成例1中所得到之化合物1-8來合成了化合物4。

[化學式33]

在反應容器中加入化合物1-8（100mg，0.135mmol）、正辛胺（89.2μL，0.540mmol）及丙酸8mL，在氬氣氛下，加熱至140℃，並攪拌了6小時。在減壓下，對反應溶劑進行蒸餾除去之後，利用矽膠管柱層析法對濃縮殘渣進行純化（展開溶劑=chlroform:ethylacetate=98:3（體積比）），進而進行再結晶純化（溶劑=氯仿），藉此作為橙色固體而得到了化合物4（3.0mg，1.8μmol，產率3.6%）。

¹ H-NMR（四氯乙烷-d2） δ：9.64（s，2H），9.28（d，J=8Hz，2H），8.84（d，J=8Hz，2H），4.16（t，J=8Hz，4H），1.73（m，4H），1.44-1.20（m，20H），0.87（t，J=7.0Hz，6H）

＜合成例5：化合物5的合成＞ （化合物1-9的合成） 首先，按照下述方案，使用在合成例1中所得到之化合物1-8來合成了化合物1-9。 [化學式34]

上述方案中，EtOAc表示乙酸乙酯。

使化合物1-8（194mg、0.263mmol）分散於乙酸乙酯之後進行濾除，並利用乙酸乙酯進行清洗，從而得到了化合物1-9（95mg、0.240mmol、產率91%）。¹ H-NMR（四氯乙烷-d2） δ：9.73（s，2H），9.39（d，J=8.0Hz，2H），8.94（d，J=8.0Hz，2H）

（化合物5的合成） 按照下述方案，使用化合物1-9來合成了化合物5。

[化學式35]

在反應容器中加入化合物1-9（494mg，1.25mmol）、苯基乙基胺（350μL，2.77mmol）、丙酸10mL及鄰二氯苯40mL，在氬氣氛下，加熱至150℃，並攪拌了15小時。之後，在反應液中加入甲醇之後，濾除了析出物。利用矽膠管柱層析法對所得到之粗純化物進行純化（展開溶劑=鄰二氯苯:乙酸乙酯=98:2（體積比），進而利用四氯乙烷進行再結晶純化，藉此得到了化合物5（88mg，0.15μmol，產率12%）。¹ H-NMR（四氯乙烷-d2） δ：9.73（s，2H），9.36（d，J=7.2Hz，2H），8.92（d，J=7.2Hz，2H），7.43-7.24（m、10H），4.52（t，J=8.0Hz，4H），3.15（t，J=8.0Hz，4H）

＜用於比較之化合物＞ 準備了下述所示之比較化合物c1及c2。 參閱專利文獻1中記載的方法，合成了比較化合物c1。 參閱非專利文獻1中記載的方法，合成了比較化合物c2。

[化學式36]

比較化合物c1 比較化合物c2

＜最低未佔用分子軌域的軌域能＞ 如下計算出所製造之化合物1～5以及比較化合物c1及c2的最低未佔用分子軌域的軌域能。將其結果在下述中示出。 化合物1：-4.17eV 化合物2：-4.18eV 化合物3：-4.18eV 化合物4：-4.17eV 化合物5：-4.17eV 比較化合物c1：-3.77eV 比較化合物c2：-3.81eV 計算方法及條件：利用DFT法（密度泛函理論）計算出最低未佔用分子軌域的軌域能。基底函數、泛函數使用了以下。 B3LYP/6-31+G（d）//6-31G（d）

［實施例1］ 製造具有圖2所示之構造之底部閘極-頂部接觸型有機薄膜電晶體20（其中，不具有密封層6），並對其特性進行了評價。

＜有機薄膜電晶體用組成物的製備例＞ 以0.1質量%的濃度將表1所示之化合物或比較化合物溶解於作為溶劑的苯甲醚，並將其加熱至50℃，從而製備了有機薄膜電晶體用組成物（溶液、在各表中稱為組成物）S1-1～S1-5以及CS1-1及CS1-2。

＜有機薄膜電晶體的製造＞ 作為FET特性測定用基板，準備了在n型矽基板（厚度：0.4mm、相當於具備閘極電極2之基板1。）1的表面具有SiO₂ 的熱氧化膜（厚度：200nm）之基板（尺寸：25mm×25mm）。對該基板的熱氧化膜（閘極絕緣膜3）的表面進行紫外線（UV）-臭氧清洗之後，用β-苯乙基三甲氧基矽烷進行了處理。

準備了具有縱10mm×橫2mm×高度5mm的尺寸之玻璃製部件。作為圖4所示之部件43，將該部件如圖4的（A）所示以使其接觸於處理面之狀態配置在上述基板1的β-苯乙基三甲氧基矽烷處理面的中央部。

接著，將基板1（圖4中用符號42表示。）加熱至50℃，在此將利用上述方法製備之塗佈液S1-1～S1-5以及CS1-1及CS1-2各自的1滴（約0.05mL），使用吸液管，如圖4的（A）所示，從部件43的側部滴加於基板42與部件43的接觸部的附近，以使與基材42及部件43相接。塗佈液如圖4的（B1）及圖4的（B2）所示，圍繞上述接觸部，並在與部件43的界面中形成了凹狀的彎月面。塗佈液41相對於基板42之接觸角（25℃）為10°。

如圖4的（C）所示，維持使基板42與部件43接觸之狀態，並且在使基板42與部件43的位置關係靜止之狀態下，將塗佈液41自然乾燥或加熱乾燥（基板42的溫度：100℃、乾燥時間：8小時）。之後在60℃下於10^-3 Pa的壓力下使其減壓乾燥8小時，藉此析出了各化合物的結晶。接著，將部件43相對於基板42而垂直地提拉，從而從基板42拉開。藉此，形成了圖4的（D）所示之輪環狀的具有均勻的上述膜厚（膜厚：10～50nm）之有機半導體膜5。所得到之有機半導體膜5中的化合物的含有率均為100質量%。 藉由基於偏光顯微鏡（商品名：Eclipse LV100N POL（透射•反射照明型）、Nikon Corporation製、目鏡：倍率10倍、物鏡：倍率5～20倍）之觀察來確認了所得到之有機半導體膜5的結果，化合物1～5的結晶均得到析出。

在如此得到之有機半導體膜5上配置具有規定開口之遮罩，並蒸鍍金，藉此分別形成了源極電極4A及汲極電極4B（均為厚度：40nm、閘極寬度W=2mm、閘極長度L=50μm、比W/L=40）。如此，分別製造了FET特性測定用的有機薄膜電晶體（各表中稱為OTFT）T1-1～T1-5以及用於比較的有機薄膜電晶體CT1-1及CT1-2。

＜有機薄膜電晶體的評價＞ 關於所製造之各有機薄膜電晶體，使用連接了半自動探測器（Vector Semiconductor Co.,Ltd.製、AX-2000）之半導體參數分析儀（Agilent公司製、4156C），在1氣壓的常壓大氣下（溫度：室溫）對載子移動率進行了評價。表1中示出其結果。

（載子移動率的評價） 1．製造後的載子移動率μⁱⁿⁱ （初始載子移動率）的測定 在各有機薄膜電晶體的源極電極-汲極電極之間施加-80V的電壓，使閘極電壓在+20V～-100V的範圍發生變化，並使用表示汲極電流I_d 之下述式來計算出載子移動率μⁱⁿⁱ （cm² /Vs）。判定了所計算出之載子移動率μⁱⁿⁱ 包含於下述評價基準中的哪一個。 載子移動率μⁱⁿⁱ 越高越較佳，本試驗中，等級C以上為較佳，等級B以上為更佳，等級A為進一步較佳。

I_d =（w/2L）μC_i （V_g -V_th ）² 式中，L表示閘極長度，w表示閘極寬度，μ表示載子移動率，C_i 表示閘極絕緣膜的每單位面積的容量，V_g 表示閘極電壓，V_th 表示閾值電壓。

-評價基準- A：1×10^-1 cm² /Vs以上 B：1×10^-3 cm² /Vs以上且小於1×10^-1 cm² /Vs C：1×10^-4 cm² /Vs以上且小於1×10^-3 cm² /Vs D：作為電晶體未進行驅動（未觀測到電流）

2．在大氣下放置後的載子移動率μ^af 的測定 在常壓大氣下（溫度：室溫、濕度：50RH%）將所製造之各有機薄膜電晶體放置1週之後，以與上述1．製造後的載子移動率ⁱⁿⁱ 的測定相同的方法，測定放置後的載子移動率μ^af ，並進行了評價。

[表1]

依據表1的結果，得知以下內容。 有機薄膜電晶體CT1-1及CT1-2均是放置後的載子移動率μ^af 不充分，且不發揮有機薄膜電晶體的功能者。 亦即，有機薄膜電晶體CT1-1是初始載子移動率μⁱⁿⁱ 較小，且不發揮有機薄膜電晶體的功能者。並且，有機薄膜電晶體CT1-2若在大氣下放置1週則載子移動率下降，且不發揮有機薄膜電晶體的功能。

相對於此，本發明的有機薄膜電晶體T1-1～T1-5均具備含有本發明的化合物之有機半導體膜，且初始載子移動率μⁱⁿⁱ 較高，而且即使在大氣下放置亦維持較高的載子移動率μ^af 。如此，本發明的有機薄膜電晶體顯示載子移動率較高，且能夠在大氣下長時間穩定驅動。並且，本發明的化合物1～5的最低未佔用分子軌域（LUMO）的軌域能均小於-4.0eV，關於其用途並無特別限定，但能夠確認到能夠作為顯示上述優異的特性之有機薄膜電晶體的有機半導體材料而較佳地使用。 尤其，當式（1）中的A¹¹ 及A¹² 為-N（R^N ）-時，若R^N 為烷基（化合物1、4及5）及鹵化烷基（化合物2），則載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 均顯示較高的值（OTFTNo.T1-1、T1-2、T1-4及T1-5）。

［實施例2］ 製造具有圖1所示之構造之底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體10（其中，不具有密封層6），並對其特性進行了評價。

＜有機薄膜電晶體用組成物的製備例＞ 以0.1質量%的濃度將表2所示之化合物或比較化合物溶解於作為溶劑的苯甲醚，並將其加熱至100℃，從而製備了有機薄膜電晶體用組成物（溶液）S2-1～S2-5以及CS2-1及CS2-2。

＜有機薄膜電晶體的製造＞ 準備了FET特性測定用基板。關於該基板，在實施例1中所使用之n型矽基板1上具有作為閘極絕緣膜3的SiO₂ 膜（膜厚：200nm），進而在該閘極絕緣膜3上具有由鉻/金配置成梳子型之源極電極4A及汲極電極4B（兩電極的膜厚：40nm、閘極寬度W=100mm、閘極長度L=100μm）。 接著，將有機薄膜電晶體用組成物S2-1～S2-5以及CS2-1及CS2-2分別在氮氣氛下，在加熱至90℃之上述FET特性測定用基板上進行流延，從而在源極電極及汲極電極上形成了有機半導體膜5。所得到之有機半導體膜5中的化合物的含有率均為100質量%。並且，藉由偏光顯微鏡對所得到之有機半導體膜5進行了確認的結果，化合物1～5的結晶均得到了析出。 如此，分別製造了有機薄膜電晶體T2-1～T2-5以及用於比較的有機薄膜電晶體CT2-1及CT2-2。

＜有機薄膜電晶體的評價＞ 關於所製造之各有機薄膜電晶體，與實施例1同樣地，對載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 進行了評價。在表2中示出其結果。

[表2]

依據表2的結果，得知以下內容。 有機薄膜電晶體CT2-1及CT2-2均是載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 都較小，且不發揮有機薄膜電晶體的功能者。

相對於此，本發明的有機薄膜電晶體T2-1～T2-5均為有機半導體膜暴露於大氣的面積較大的底部閘極-底部接觸型，但該有機半導體膜含有本發明的化合物。因此，初始載子移動率μⁱⁿⁱ 較高，而且即使在大氣下放置亦維持較高的載子移動率μ^af 。如此，本發明的有機薄膜電晶體的載子移動率較高，且能夠在大氣下長時間穩定驅動。並且，本發明的化合物1～5能夠作為顯示上述優異的特性之有機薄膜電晶體的有機半導體材料而較佳地使用。 尤其，若式（1）中的A¹¹ 及A¹² 為具有烷基或鹵化烷基而作為R^N 的-N（R^N ）-（化合物1、2、4及5），則載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 均顯示較高的值。

［實施例3］ 製造具有圖1所示之構造之底部閘極-底部接觸型有機薄膜電晶體10（其中，不具有密封層6），並對其特性進行了評價。

＜有機薄膜電晶體用組成物的製備例＞ 以質量比1:1且合計濃度成為0.1質量%之方式，將表3所示之化合物或比較化合物與聚（α-甲基苯乙烯）溶解於作為溶劑的苯甲醚。將該液加熱至100℃，從而製備了有機薄膜電晶體用組成物（溶液）S3-1～S3-5以及CS3-1及CS3-2。 聚（α-甲基苯乙烯）的重量平均分子量為20000。

＜有機薄膜電晶體的製造＞ 在實施例2的有機薄膜電晶體的製造中，分別使用了有機薄膜電晶體用組成物S3-1～S3-5以及CS3-1及CS3-2來代替有機薄膜電晶體用組成物S2-1～S2-5以及CS2-1及CS2-2，除此以外，以與實施例2相同的方式，分別製造了有機薄膜電晶體T3-1～T3-5以及用於比較的有機薄膜電晶體CT3-1及CT3-2。 各有機薄膜電晶體的有機半導體膜中的本發明的化合物及聚α-甲基苯乙烯的含有率分別為50質量%。藉由偏光顯微鏡對所得到之有機半導體膜進行了確認的結果，化合物1～5的結晶均得到了析出。

＜有機薄膜電晶體的評價＞ 關於所製造之各有機薄膜電晶體，以與實施例1相同的方式，對載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 進行了評價。在表3中示出其結果。

[表3]

依據表3的結果，得知以下內容。 有機薄膜電晶體CT3-1及CT3-2均是載子移動率μⁱⁿⁱ 及μ^af 都較小，且不發揮有機薄膜電晶體的功能者。

相對於此，本發明的有機薄膜電晶體T3-1～T3-5均為底部閘極-底部接觸型，但該有機半導體膜含有本發明的化合物及黏合劑聚合物。因此，初始載子移動率μⁱⁿⁱ 較高，而且即使在大氣下放置亦維持較高的載子移動率μ^af 。如此，本發明的有機薄膜電晶體的載子移動率較高，且能夠在大氣下長時間穩定驅動。並且，本發明的化合物1～5能夠作為顯示上述優異的特性之有機薄膜電晶體的有機半導體材料而較佳地使用。 而且，關於式（1）中的A¹¹ 及A¹² ，確認到顯示與實施例2相同的傾向。

與該實施態様一起對本發明進行了說明，但我們認為，只要不特別指定，則不會在說明的任何細節部分限定本發明，且應該不違反添付的發明申請專利範圍中所示之發明的精神和範圍而作廣範圍的解釋。

本申請是主張基於2016年6月27日於日本專利申請之日本專利申請2016-126449及2017年6月23日於日本專利申請之日本專利申請2017-122786之優先權者，該等參閱於此，作為本說明書的記載的一部分而編入其內容。

1‧‧‧基板2‧‧‧閘極電極3‧‧‧閘極絕緣膜4A‧‧‧源極電極4B‧‧‧汲極電極5‧‧‧有機半導體膜6‧‧‧密封層10、20‧‧‧有機薄膜電晶體41‧‧‧塗佈液42‧‧‧基板43‧‧‧部件d、w‧‧‧長度h‧‧‧高度

1‧‧‧基板

2‧‧‧閘極電極

3‧‧‧閘極絕緣膜

4A‧‧‧源極電極

4B‧‧‧汲極電極

5‧‧‧有機半導體膜

6‧‧‧密封層

10‧‧‧有機薄膜電晶體

Claims (13)

1. 一種有機薄膜電晶體，其具備含有由下述式（1）表示之化合物之有機半導體膜，

   

   式（1）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-， B¹¹ ～B¹⁸ 分別獨立地表示-N=或-C（R^M ）=，至少1個為-N=， R^N 及R^M 表示氫原子或取代基， X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體，其中前述化合物由下述式（2）表示，

   

   式（2）中， A¹¹ 及A¹² 與前述式（1）的A¹¹ 及A¹² 的定義相同， X¹¹ ～X¹⁴ 與前述式（1）的X¹¹ ～X¹⁴ 的定義相同， R²¹ ～R²⁶ 分別獨立地表示氫原子或取代基。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體，其中前述X¹¹ ～X¹⁴ 均為氧原子。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體，其中前述A¹¹ 及A¹² 均為-N（R^N ）-，R^N 表示氫原子或取代基。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之有機薄膜電晶體，其中前述R^N 為碳數1～20的烷基、碳數6～20的芳基、或包含3～20個碳原子作為環構成原子之雜芳基。
6. 一種化合物，其由下述式（2）表示，

   

   式（2）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-， R^N 表示氫原子或取代基， R²¹ ～R²⁶ 分別獨立地表示氫原子或取代基， X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。
7. 如申請專利範圍第6項所述之化合物，其中前述X¹¹ ～X¹⁴ 均為氧原子。
8. 如申請專利範圍第6項所述之化合物，其中前述A¹¹ 及A¹² 均為-N（R^N ）-，R^N 表示氫原子或取代基。
9. 如申請專利範圍第6項所述之化合物，其中前述R^N 為碳數1～20的烷基、碳數6～20的芳基、或包含3～20個碳原子作為環構成原子之雜芳基。
10. 一種有機薄膜電晶體用組成物，其含有如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述之化合物。
11. 如申請專利範圍第10項所述之有機薄膜電晶體用組成物，其含有黏合劑聚合物。
12. 一種有機半導體膜，其含有由下述式（1）表示之化合物，

    

    式（1）中， A¹¹ 及A¹² 分別獨立地表示-O-、-N（R^N ）-或-P（R^N ）-， B¹¹ ～B¹⁸ 分別獨立地表示-N=或-C（R^M ）=，至少1個為-N=， R^N 及R^M 表示氫原子或取代基， X¹¹ ～X¹⁴ 分別獨立地表示氧原子或硫原子。
13. 一種有機薄膜電晶體的製造方法，其具有將如申請專利範圍第10項或第11項所述之有機薄膜電晶體用組成物塗佈於基板上而形成有機半導體膜之製程。

Images