JP2009179794A - ポリペリナフタレン系高分子製造方法及びポリペリナフタレン系誘導体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子薄膜製造方法。
【選択図】図2
Description
1.分子設計に基づいた化学修飾を施すことで様々な特性を有するポリペリナフタレン誘導体の製造ができる、
2.超短パルスレーザーで効率的に起こせる二光子吸収をターゲット分子に起こすことで、一光子吸収では到達できない励起状態にし、部位に特異的な重合反応を起こすことが可能となるとともに、ターゲット分子の熱分解を抑制して、高純度のポリペリナフタレン及びポリペリナフタレン誘導体の製造ができる、
3.超短パルスレーザーは繰返し周波数が高いのでポリペリナフタレン系高分子の生成スピードが速い、
という効果を奏する。
1)ターゲット:PTCDA(3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)、PTCDA/Co(1:4)、4Cl−PTCDA(1,6,7,12−テトラクロロ−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)、4Cl−PTCDA/Co(1:4)
上記のPTCDA/Co(1:4)はPTCDAとCoをモル比1:4で混合したターゲット、4Cl−PTCDA/Co(1:4)は4Cl−PTCDAとCoをモル比1:4で混合したターゲットを示している。
2)レーザー:再生増幅チタンサファイアレーザー(種光:エルビウムドープファイバーレーザー)
3)波長:780nm
4)繰返し周波数:1kHz
5)パルス幅:100fs
6)強度:100−600μJ/pulse(F80レンズの焦点で加工)
7)尖頭出力:6×109J/s
8)真空度:10−1Pa以下
9)基板:ガラス
10)基板温度:室温
11)照射時間:2分
1)ターゲット:
2)レーザー:Nd:YAGレーザー
3)波長:355nm(第三高調波)
4)繰り返し周波数:10Hz
5)パルス幅:4ns
6)強度:5mJ(F30レンズで加工)
7)尖頭出力1.25×106J/s
8)真空度:10−1Pa以下
9)基板:ガラス
10)照射時間30分
下記に、ペリレン誘導体としてPTCDA(3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)を重合させてPPN(ポリペリナフタレン)を合成する反応を示す。
下記に、ペリレン誘導体とし4Cl−PTCDA(1,6,7,12−テトラクロロ−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)を重合させて塩素置換PPN(塩素置換ポリペリナフタレン)を合成する反応を示す。
図14に、PTCDA(3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)のペレットのフェムト秒レーザーの照射跡のラマンスペクトルを示す。図14において、PTCDAをナノ秒レーザー照射跡は原料とほぼ同じピークを示している。これはポリペリナフタレン生成反応が進まなかったためである。PTCDA/Coのナノ秒レーザー照射跡は典型的なアモルファスカーボンのスペクトルを示しているが、これは触媒作用によって側基脱離反応とペリレン骨格分解反応の両方が進行したためである。一方、フェムト秒レーザーの照射跡はポリペリナフタレン生成反応が進んだにもかかわらずターゲット分子であるPTCDAのスペクトルを示しており、フェムト秒レーザーアブレーションではレーザー照射部周辺のターゲット分子の分解(アモルファスカーボン化)が起きていないことが分かる。これは側基脱離反応を選択的に起こす事ができたためである。
図15に、4Cl−PTCDA(1,6,7,12−テトラクロロ−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物)のペレットのフェムト秒レーザーの照射跡のラマンスペクトルを示す。図15において、4Cl−PTCDAをナノ秒レーザー照射跡は原料とほぼ同じピークを示している。これは塩素置換ポリペリナフタレン生成反応が進まなかったためである。4Cl−PTCDA/Coのナノ秒レーザー照射跡は典型的なアモルファスカーボンのスペクトルを示しているが、これは触媒作用によって側基脱離反応とペリレン骨格分解反応の両方が進行したためである。一方、フェムト秒レーザー照射跡は塩素置換ポリペリナフタレン生成反応が進んだにもかかわらずターゲット分子である4Cl−PTCDAのスペクトルを示しており、フェムト秒レーザーアブレーションではレーザー照射部周辺のターゲット分子の分解(アモルファスカーボン化)が起きていないことが分かる。これは側基脱離反応を選択的に起こす事ができたためである。
Claims (10)
- ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、パルス幅が10−11秒以下の超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、前記原料ターゲットに二光子吸収を起こし、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、前記原料ターゲットに多光子吸収を複数回起こし、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を多段階で化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- 前記超短パルスレーザーが、フェムト秒パルスレーザーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- 前記超短パルスレーザーの強度分布をトップハット形分布とすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- 前記超短パルスレーザーの強度分布をトップハット形分布とするとともに、レーザービームの焦光径を変えることで、多光子吸収を調整することを特徴とする請求項5に記載のポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- 前記ペリレン誘導体が、ペリレンテトラカルボン酸、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、及びペリレンテトラカルボン酸ジイミドから選択される1種以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のポリペリナフタレン系高分子製造方法。
- 前記ペリレン誘導体に、遷移金属触媒を混合することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のポリペリナフタレン系高分子製造方法。
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2008
- 2008-11-17 JP JP2008293863A patent/JP2009179794A/ja active Pending
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