TWI729444B - 光罩修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置用元件之製造方法 - Google Patents

光罩修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置用元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明即便利用相位偏移作用之光罩產生缺陷，亦可進行精密之修正。 本發明係一種光罩修正方法，其係對在透明基板1上具有將半透光膜2圖案化而成之轉印用圖案之光罩所產生之缺陷20進行修正者，且包含特定出缺陷20之步驟、及形成修正膜4之修正膜形成步驟。半透光部12具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)(其中，Tm＞25)、與相位偏移量
Figure 01_image001
m(度)(其中，160≦

Description

光罩修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置用元件之製造方法
本發明係關於一種修正光罩所產生之缺陷之方法，尤其關於一種適合於顯示裝置製造用光罩之修正(repair)方法、經修正之光罩、光罩之製造方法、及使用光罩之顯示裝置用元件之製造方法。
作為半導體積體電路所使用之光罩，已知有衰減型(或半色調型)之相位偏移遮罩。該相位偏移遮罩係藉由具有較低之透過率與180度相位偏移量之半色調膜形成相當於二元遮罩之遮光部的部分而成者。
於專利文獻1中記載有：於此種相位偏移遮罩所具有之移相器部產生缺陷之情形時，在移相器缺陷部配置具有與移相器部大致相同之透過率、及大致相同之相位偏移量之修正構件。
另一方面，已知於製造液晶顯示裝置時，為了提高其生產效率，會使用多階光罩(多色調遮罩)。有些多階光罩除具有遮光部、透光部以外，亦具有於透明基板上形成半透光膜而成之半透光部，於專利文獻2中記載有於該半透光部所產生之缺陷形成修正膜進行修正之方法。根據該專利文獻2，使露出透明基板之透光部、與於透明基板上形成修正膜而成之修正部之相位差成為80度以下。藉此，可抑制於鄰接之透光部與修正部之交界處，因相位差導致之透過率降低招致薄膜電晶體通道之短路等不良情況。
進而，於專利文獻3中提出有於顯示裝置之製造中使用具有高透過率(30%以上)之相位偏移膜之光罩。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平7-146544號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-198006號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-71059號公報
[發明所欲解決之問題]
例如，於半色調型相位偏移遮罩所具有之由半色調膜形成之圖案部分產生缺陷之情形時，該缺陷之修正未必容易。通常已知於光罩產生缺陷，欲藉由修正膜來修正該缺陷時，會使用FIB(聚焦離子束)裝置作為修正手段。
FIB裝置主要使用鎵離子，堆積碳系膜，但根據本發明人之研究，使用FIB裝置僅於光罩之缺陷部分堆積修正膜之方法存在無法恢復與未產生缺陷之光罩相同之功能之情況。若修正對象之光罩為所謂二元遮罩，則修正操作相對容易。另一方面，藉由本發明人之研究得知，於修正對象為半色調型相位偏移遮罩之情形時，即便使用上述FIB裝置於光罩之缺陷部分堆積修正膜，亦不容易形成針對曝光之光之相位偏移量為大致180度且具有對正常部分之半色調膜設定之期望透過率的修正膜。其原因亦在於：FIB裝置係為了修正遮光膜而設計者，未設想將相位偏移量與透過率分別單獨地調整為期望值之情況。即，存在如下問題：為了研究將FIB裝置應用於修正相位偏移遮罩之可能性，需要就修正膜之原料及形成條件進行探索，而由於透過率等光學性能因相位偏移遮罩而異，即便做出了該等努力，亦未必可實現上述光學性能。
再者，利用FIB裝置進行之缺陷修正雖對於針對微細缺陷之修正膜之堆積而言有利，但就迅速且均勻地藉由修正膜來覆蓋需要修正之區域之效率方面而言，下述雷射CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法更有利。因此，於針對通常尺寸較大之顯示裝置製造用(以下，稱為「FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用」)光罩之修正中，有時雷射CVD法較FIB裝置更有利。
於上述專利文獻2中，於形成半透光部之半透光膜之缺陷修正中使用雷射CVD法。根據該方法，可相對效率良好地於缺陷部分堆積修正膜，更容易應用於大型FPD用光罩。然而，藉由該方法形成之修正膜係針對不具有相位偏移作用之半透光膜者。
當前，顯示裝置隨著像素密度之增加，高精細化之動向明顯。又，對於移動終端尤其要求亮度及省電之性能。於是，為了實現該等，製造步驟中所使用之光罩亦包含微細部分，並且要求可確實地解析該微細部分之技術。關於解析性改良之傾向，認為其未必僅針對曝光裝置，亦期待光罩具備提高解析性之技術。因此，於上述專利文獻3中提出有於FPD用光罩中亦利用相位偏移作用之轉印用圖案。
然而，對於具有相位偏移作用之半透光膜所產生之缺陷，要獲得兼具與於光罩之製造步驟中原本成膜之半透光膜(以下，亦稱為「正常半透光膜」)相同之透過率與相位偏移量之修正膜，非常困難。尤其尚未對高透過率(例如25%以上)且具有相位偏移作用之半透光部確立修正膜之形成方法。
本發明之主要目的在於提供一種即便利用相位偏移作用之光罩產生缺陷，亦可進行精密之修正之技術。 [解決問題之技術手段]
(第1態樣) 本發明之第1態樣係一種光罩修正方法， 其係對在透明基板上具有轉印用圖案之光罩所產生之缺陷進行修正者，該轉印用圖案包含將半透光膜圖案化而成之半透光部， 該光罩修正方法之特徵在於包含： 特定出實施修正之上述缺陷之步驟；及 為了修正上述缺陷而形成修正膜之修正膜形成步驟；且 上述半透光部具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
m(度)(其中，160≦
Figure 02_image001
m≦200)， 於上述修正膜形成步驟中，將組成互不相同之第1膜與第2膜以任意順序積層， 上述第1膜包含Cr及O， 上述第2膜包含Cr、O及C， 上述第1膜不包含C、或包含含量較上述第2膜小之C， 上述第2膜包含含量較上述第1膜小之O。 (第2態樣) 本發明之第2態樣係如上述第1態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： Tm＞25。 (第3態樣) 本發明之第3態樣係如上述第1或第2態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述修正膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率Tr(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
r(度)滿足： 30＜Tr≦75、且160≦
Figure 02_image001
r≦200。 (第4態樣) 本發明之第4態樣係如上述第1至第3態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 於上述修正膜形成步驟中，應用雷射CVD法。 (第5態樣) 本發明之第5態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述第1膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T1(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
1(度)、及 上述第2膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T2(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
2(度) 分別滿足以下(1)～(4)之關係： (1) 100≦
Figure 02_image001
1＜200 (2)
Figure 02_image001
2＜100 (3) 55≦T1 (4) 25＜T2＜80。 (第6態樣) 本發明之第6態樣係如上述第1至第5態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述第2膜中所含之Cr含量大於上述第1膜中所含之Cr含量。 (第7態樣) 本發明之第7態樣係如上述第6態樣中所記載之光罩修正方法，其中 上述第1膜中所含之Cr與O之含量之合計以原子%計為上述第1膜之成分之80%以上。 (第8態樣) 本發明之第8態樣係如上述第1至第7態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述第1膜包含含有5～45原子%之Cr、及55～95原子%之O之材料， 上述第2膜包含含有20～70原子%之Cr、5～45原子%之O、及10～60原子%之C之材料。 (第9態樣) 本發明之第9態樣係如上述第1至第8態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 於上述第1膜上積層上述第2膜。 (第10態樣) 本發明之第10態樣係如上述第1至第9態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部。 (第11態樣) 本發明之第11態樣係如上述第1至第10態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部，且上述半透光部係由上述遮光部所夾而配置。 (第12態樣) 本發明之第12態樣係如上述第1至第11態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其 包含後續步驟，該步驟係藉由於上述修正膜形成步驟後形成具有遮光性之補充膜，而調整形成上述修正膜而成之修正半透光部之形狀。 (第13態樣) 本發明之第13態樣係如上述第1至第12態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其 進而具有前步驟，該步驟係於上述修正膜形成步驟之前，將上述缺陷部分、或上述缺陷周邊之膜去除，使上述透明基板露出。 (第14態樣) 本發明之第14態樣係如上述第1至第13態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法，其特徵在於： 上述光罩為用於製造顯示裝置用元件者。 (第15態樣) 本發明之第15態樣係一種光罩之製造方法，其 包含如上述第1至第14態樣中任一態樣中所記載之光罩修正方法。 (第16態樣) 本發明之第16態樣係一種光罩，其具有包含將形成於透明基板上之半透光膜圖案化而成之半透光部之轉印用圖案，且對上述半透光部所產生之缺陷部分形成有修正膜，且 上述半透光部具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)(其中，Tm＞25)、與相位偏移量
Figure 02_image001
m(度)(其中，160≦
Figure 02_image001
m≦200)， 上述修正膜 具有將包含Cr及O之第1膜、與包含Cr、C、及O之第2膜以任意順序積層而成之積層膜， 上述第1膜不包含C、或包含含量較上述第2膜小之C， 上述第2膜包含含量較上述第1膜小之O。 (第17態樣) 本發明之第17態樣係如上述第16態樣中所記載之光罩，其中 上述修正膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率Tr(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
r(度)滿足： 30＜Tr≦75、且160≦
Figure 02_image001
r≦200。 (第18態樣) 本發明之第18態樣係如上述第16或第17態樣中所記載之光罩，其中 上述修正膜為雷射CVD膜。 (第19態樣) 本發明之第19態樣係如上述第16至18態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 上述第1膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T1(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
1(度)、及 上述第2膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T2(%)、與相位偏移量
Figure 02_image001
2(度) 分別滿足以下(1)～(4)之關係： (1) 100≦
Figure 02_image001
1＜200 (2)
Figure 02_image001
2＜100 (3) 55≦T1 (4) 25＜T2＜80。 (第20態樣) 本發明之第20態樣係如上述第16至第19態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 上述第1膜與上述第2膜均包含Cr，且上述第2膜中所含之Cr含量大於上述第1膜中所含之Cr含量。 (第21態樣) 本發明之第21態樣係如上述第20態樣中所記載之光罩，其中 上述第1膜中所含之Cr與O之含量之合計以原子%計為上述第1膜之成分之80%以上。 (第22態樣) 本發明之第22態樣係如上述第16至第21態樣中任一態樣中所記載之光罩， 其特徵在於： 上述第1膜包含含有5～45原子%之Cr、及55～95原子%之O之材料， 上述第2膜包含含有20～70原子%之Cr、5～45原子%之O、及10～60原子%之C之材料。 (第23態樣) 本發明之第23態樣係如上述第16至第22態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 於上述第1膜上積層有上述第2膜。 (第24態樣) 本發明之第24態樣係如上述第16至第23態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 上述轉印用圖案具有將形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化而成之遮光部。 (第25態樣) 本發明之第25態樣係如上述第16至第23態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部，且上述半透光部包含由上述遮光部所夾而配置之部分。 (第26態樣) 本發明之第26態樣係如上述第16至第23態樣中任一態樣中所記載之光罩，其中 上述轉印用圖案具有將形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化而成之遮光部，且於形成上述修正膜而成之修正半透光部之邊緣附近形成有組成與上述遮光膜不同之遮光性之補充膜。 (第27態樣) 本發明之第27態樣係如上述第16至第26態樣中任一態樣中所記載之光罩，其特徵在於： 上述光罩為用於製造顯示裝置用元件者。 (第28態樣) 本發明之第28態樣係一種顯示裝置用元件之製造方法，其包含： 準備如上述第16至第27態樣中任一態樣中所記載之光罩之步驟；及 轉印步驟，其係藉由曝光裝置對上述光罩進行曝光，將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上之。 [發明之效果]
根據本發明，即便利用相位偏移作用之光罩產生缺陷，亦可進行精密之修正。
以下，對本發明之光罩修正方法、光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置用元件之製造方法之實施形態進行說明。
本發明之光罩修正方法可於形成於透明基板上之轉印用圖案產生缺陷時應用。
＜成為缺陷修正對象之光罩＞ 此處，對應用本發明之光罩修正方法之光罩進行說明。
作為應用本發明之光罩修正方法之光罩，具有形成於透明基板上之將一個或複數個光學膜分別圖案化而形成之轉印用圖案。並且，該光學膜之至少一個為具有針對曝光之光之特定透過率與相位偏移作用之半透光膜。該半透光膜係使所透過之曝光之光之相位偏移期望量之膜。
即，本發明之光罩修正方法之對象可為準備於透明基板上至少形成有上述半透光膜之空白光罩(或光罩中間體)，藉由光微影步驟而形成轉印用圖案之光罩、或光罩中間體。
轉印用圖案例如可列舉將形成於透明基板上之半透光膜圖案化而成之包含透光部及半透光部者、或將形成於透明基板上之半透光膜及遮光膜分別圖案化而成之具有透光部、遮光部、及半透光部者，亦可為進而具有追加膜圖案者。
該光罩為FPD用光罩時，有利地應用本發明。
FPD用光罩與半導體裝置製造用光罩不同，不僅通常尺寸較大(例如主表面之一條邊為200～2000 mm左右之四邊形，厚度為5～20 mm左右)，且較重，而且其尺寸多種多樣。
作為透明基板，只要對於光罩之曝光中所使用之曝光波長具有充分之透明性，便無特別限制。例如，可使用石英、及各種玻璃基板(鈉鈣玻璃、鋁矽酸鹽玻璃等)，但石英基板尤其較佳。
關於構成半透光部之半透光膜之光學特性，例示以下。
本發明之光罩修正方法之對象為對曝光之光之代表波長之光具有透過率Tm(%)之半透光部。於滿足25＜Tm之情形時，本發明之效果尤其明顯。例如25＜Tm≦80。 再者，於本案說明書中，透過率係將透明基板之透過率設為100%時之透過率。
此處，關於曝光之光，作為FPD用光罩之曝光裝置之光源，可使用主要具有300～500 nm之波長之光。例如可適宜地利用具有i射線、h射線、g射線中之任一者或包含該複數種射線之波長區域之光源，尤其多用包含該等波長之高壓水銀燈。 於該情形時，上述曝光之光之代表波長可設為i射線～g射線之波長區域中所含之任一波長。例如可將接近該等波長區域之中央值之h射線(405 nm)設為上述代表波長。以下，只要無特別記載，便以h射線作為代表波長進行說明。當然，亦可將較上述為短波長側之波長區域(例如300～365 nm)用作曝光之光。
又，上述半透光膜之相位偏移量
Figure 02_image001
m可設為相對於上述代表波長之光為大致180度。此處，所謂大致180度，係設為160～200度之範圍。更佳為可相對於曝光之光中所含之所有主要波長(例如i射線、h射線、g射線)具有160～200度之相位偏移量。
i射線～g射線之波長區域之相位偏移量之偏差較理想為40度以下。
再者，具備具有如上所述之透過率Tm、及相位偏移量
Figure 02_image001
m之半透光部之光罩與所謂之二元遮罩相比，可提高轉印用圖案之解析性。例如，已知有一種光罩，其係將透光部與半透光部鄰接配置，藉由該交界處產生之各透過光之繞射、干涉提高解析度。於此種所謂之相位偏移遮罩中，通常將半透光部之透過率設為10%以下。
另一方面，轉印用圖案可具有透光部、半透光部、以及遮光部。即，具有將形成於透明基板上之半透光膜、及遮光膜分別圖案化而成之轉印用圖案之光罩亦可設為本發明之光罩修正方法之對象。
例如，於如專利文獻3中所記載之光罩，透光部與半透光部不鄰接，於其等之間介置配置遮光部之情形時、進而使半透光部由介置之遮光部所夾之情形時，亦可藉由利用透過半透光部之與透光部處於反轉關係之相位之光，提高(增大)焦點深度，而且可獲得降低MEEF(遮罩誤差增強因子)、及曝光所需之光能之劑量(Dose量)等優點。
如此，有時將轉印用圖案設計為具有相位偏移作用之半透光部與透光部不直接鄰接，而介隔遮光部、或實質上不具有相位偏移作用之半透光部配置於附近之特定位置。於此種情形時，有用的是將具有相位偏移作用之半透光部之透過率Tm設計為相對於普通半色調型相位偏移遮罩之透過率(例如10%以下)而言相對較高(例如Tm＞25)，會對解析性能之提高起到明顯之效果。關於此種高透過率之相位偏移半透光部，上述透過率Tm之更佳之範圍為30＜Tm≦75，進而較佳為40＜Tm≦70。於該情形時，可使半透光部與隔開特定距離之透光部之透過光適當地干涉，從而可提昇透光部所形成之透過光之光強度分佈之曲線。
於如此高透過率且具有相位偏移作用之半透光部產生缺陷時，必須修正該缺陷。
為了修正該缺陷，應用本發明之光罩修正方法。
＜光罩修正方法之第1實施形態＞ 以下，參照圖1對本發明之光罩修正方法之第1實施形態進行說明。
於圖1(a)表示於第1實施形態中成為修正對象之光罩之正常圖案部分。第1實施形態中成為修正對象之轉印用圖案10具有露出透明基板1之透光部11、及於透明基板1上形成有具有相位偏移作用之半透光膜2之半透光部12。
首先，於特定出缺陷之步驟中，特定出半透光膜2所產生之缺陷，將其設為修正對象。對於欠缺應存在之半透光膜2之白缺陷，首先，決定要形成下述修正膜4之修正區域。可視需要進行將缺陷部分、或缺陷位置周邊之無用之膜(殘留之半透光膜2)及異物去除之步驟(前步驟)，調整要形成修正膜4之修正區域之形狀後，形成修正膜4。無用之殘留膜2之去除可使用利用雷射進行之蒸散(Laser Zap，雷射射擊)等進行。
另一方面，於對黑缺陷、即異物之附著、及殘留有應於圖案化步驟中去除之遮光膜之半透光部12等具有多餘缺陷之半透光部12實施本發明之修正之情形時，只要藉由與上述相同之方法將多餘物去除，於露出透明基板1之狀態下形成本發明之修正膜4即可。
圖1(a)表示將形成於透明基板1上之具有相位偏移作用之半透光膜2圖案化而成之轉印用圖案10。半透光部12具有針對曝光之光之代表波長(此處為h射線)之光的透過率Tm(%)，Tm＞25。具體而言，如上所述，例如可設為25＜Tm≦80。又，半透光部12具有針對上述代表波長之光之相位偏移量
Figure 02_image001
m。此處，
Figure 02_image001
m設為160≦
Figure 02_image001
m≦ 200(度)。
將該半透光部12產生白缺陷之情況示於圖1(b)。該白缺陷可為欠缺應存在之半透光膜2之白缺陷，或亦可為將具有多餘缺陷之半透光部12之多餘物去除而形成之人為白缺陷。於該白缺陷部分20，形成修正膜4進行修正，作為修正膜形成步驟，將於後文進行詳細敍述。修正膜4之形成方法可適宜地使用雷射CVD法。
雷射CVD法係導入膜原料，藉由雷射照射賦予熱、及/或光能，形成膜(亦稱為雷射CVD膜)。作為膜原料，可使用作為金屬羰基第6族元素之Cr(CO)6 (六羰基鉻)、Mo(CO)6 (六羰基鉬)、W(CO)6 (六羰基鎢)等。其中，若使用Cr(CO)6 作為光罩修正之膜原料，則對洗淨等之耐化學品性優異，故而較佳。於本第1實施形態中，對以Cr(CO)6 作為膜原料之情形進行說明。
作為進行照射之雷射，適宜地使用紫外線區域之雷射。向雷射照射區域導入原料氣體，藉由光CVD及/或熱CVD之作用堆積膜。例如，可使用波長355 nm之Nd YAG雷射等。作為載氣，可使用Ar(氬)，亦可包含N(氮)。
普通之雷射CVD裝置係設想使用雷射CVD形成遮光性之修正膜。然而，於本發明中，形成具有相位偏移作用之半透光性之修正膜4。因此，要選擇導入之氣體之流量及能量功率等條件。
如圖1(d)所示，本發明之修正膜4具有第1膜4a與第2膜4b之積層構成。該積層順序可為任一者在上方，又，不排除於不妨礙本發明之作用效果之範圍內進而具有追加膜之情況。於以下說明中，設為藉由於第1膜4a上積層第2膜4b而具有期望光學性能之修正膜4。
(第1膜) 圖1(c)表示形成第1膜4a之步驟。 第1膜4a藉由與積層於其上之第2膜4b之積層形成之修正膜4，為了使該修正膜4針對曝光之光之代表波長之光具有大致180度之相位偏移量
Figure 02_image001
r(度)，第1膜4a具有適當之相位偏移量
Figure 02_image001
1(度)。較佳為第1膜4a作為承擔上述相位偏移量
Figure 02_image001
r之50%以上之所謂「相位偏移控制膜」發揮功能。
即，關於第1膜4a之相位偏移量
Figure 02_image001
1及修正膜4之相位偏移量
Figure 02_image001
r，可設為： 160≦
Figure 02_image001
r≦200、 且 100≦
Figure 02_image001
1＜200。 相位偏移量
Figure 02_image001
1可更佳為 120≦
Figure 02_image001
1＜180， 進而較佳為 130≦
Figure 02_image001
1＜160。
第1膜4a所具有之針對上述代表波長之光之透過率T1較佳為 55≦T1， 更具體而言，可設為 55≦T1≦95、 更佳為 60≦T1≦80、 進而較佳為 60≦T1≦70。
再者，關於上述相位偏移量，例如 160≦
Figure 02_image001
r≦200 設為包含 160＋360M≦
Figure 02_image001
r≦200＋360M(M為非負數之整數)。以下，關於相位偏移量，設為相同含義。
第1膜4a之主要成分較佳為Cr(鉻)與O(氧)。即，將Cr與O之合計設為第1膜4a之總成分之80%以上。Cr與O之合計含量更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。
再者，膜成分之含量%意指原子%。以下同樣如此。
原料氣體中所含之C(碳)亦可不包含於第1膜4a中，於包含之情形時，較佳為20%以下，更佳為10%以下。又，較佳為第1膜4a之C含量設為小於下述第2膜4b之C含量，較佳為第2膜4b之C含量之2/3以下，更佳為1/3以下。
較佳為第1膜4a之最大成分(具有最大含量)為O，且O之含量為50%以上。 較佳之第1膜4a之組成為含有5～45%之Cr、及55～95%之O。 又，較佳為第1膜4a之Cr含量為5～30%。 第1膜4a更佳為含有20～30%之Cr、及70～80%之O。 第1膜4a之Cr含量較理想為較下述第2膜4b小。
藉由設為如上所述之組成，第1膜4a可製成具有較高之透過率，並且具有充分之相位偏移量之膜。並且，第1膜4a可藉由雷射CVD形成。
藉由以上組成形成第1膜4a，為了達成上述光學特性，第1膜4a之膜厚可設為1000～4000 Å、更佳為1300～2500 Å。
於圖4(a)中例示第1膜4a之光學特性。 圖4(a)將縱軸設為相位偏移量(度)，將橫軸設為透過率(%)，表示作為相位偏移控制膜之第1膜4a為單層時相位偏移量
Figure 02_image001
1與透過率之關係之一具體例。
(第2膜) 圖1(d)表示於第1膜4a上形成第2膜4b之步驟。 第2膜4b具有用以將藉由與第1膜4a之積層形成之修正膜4之透過率Tr(%)調整為期望值時所需之透過率T2(%)。即，第2膜4b可設為所謂「透過控制膜」。
第1膜4a之透過率T1與第2膜4b之透過率T2較佳為 T1＞T2。
第2膜4b所具有之較佳之透過率T2可設為 25＜T2＜80、 更佳為 30≦T2＜70、 進而較佳為 45≦T2＜65。
進而，第2膜4b之相位偏移量
Figure 02_image001
2小於第1膜4a之相位偏移量
Figure 02_image001
1， 設為
Figure 02_image001
2＜100。 具體而言， 可設為20≦
Figure 02_image001
2＜100、 更佳為 20≦
Figure 02_image001
2＜60、 進而較佳為 30≦
Figure 02_image001
2＜50。
第2膜4b之主要成分較佳為Cr、O及C。即，較佳為Cr、O及C成為第2膜4b之總成分之90%以上、更佳為95%以上。
第2膜4b中所含之C較佳為多於第1膜4a中所含之C。 又，第2膜4b較佳為Cr之含量比第1膜4a更大。
具體而言，第2膜4b之組成可設為含有20～70%之Cr、5～45%之O、及10～60%之C。 更佳為第2膜4b之組成可設為含有40～50%之Cr、15～25%之O、及25～35%之C。
於藉由雷射CVD法形成上述第1膜4a、第2膜4b時，可使用具有互不相同之成分及成分比之原料氣體，或者，亦可使用相同之原料氣體，但採用不同之形成條件，獲得互不相同之組成及物性。
於本第1實施形態中，將第1膜4a與第2膜4b之原料氣體設為相同(Cr(CO)6 )，但應用互不相同之形成條件。 即，於形成第1膜4a時，可使原料氣體之流量較第2膜4b小(例如為1/2以下，進而為1/8～1/6等)，又，使雷射之照射功率密度亦較第2膜4b之情形更小(例如1/2以下)。該等為限制原料氣體之分解反應，對於形成具備充分之相位偏移量並且透過率不會變得過小之第1膜4a而言有效之方法。 作為一例，原料氣體流量設為30 cc/min以下、較佳為10～20 cc/min，又，可將雷射照射功率密度設為3 mW/cm2 以下、較佳為1～2 mW/cm2 。又，可將雷射照射時間設為10 sec以上、較佳為20～30 sec。即，用以形成第1膜4a之原料氣體流量及雷射照射功率密度設為相對低流量且低能量，與下述第2膜4b相比，應用長時間之膜形成較為有用。 另一方面，於形成第2膜4b之情形時，較第1膜4a之情形而言，使原料氣體流量變大，使C之含量變多。又，用以形成第2膜4b之雷射照射功率密度亦較佳為較第1膜4a之情形更大。藉此，促進原料氣體之分解反應，形成即便膜厚較小，透過率亦小於第1膜4a之第2膜4b。 作為一例，用以形成第2膜4b之原料氣體流量設為60 cc/min以上、較佳為80～110 cc/min左右，又，亦可將雷射照射功率密度設為6 mW/cm2 以上、較佳為8～12 mW/cm2 。又，雷射照射時間設為較第1膜4a之情形更短，例如可設為1.0 sec以下、較佳為0.5～0.8 sec。即，用以形成第2膜4b之原料氣體流量及雷射照射功率密度可設為相對高流量且高能量而且短時間之條件。 此種第2膜4b之形成條件亦可稱為較使用雷射CVD應用於形成遮光性之修正膜(例如二元遮罩之修正時)時更大之高能量條件。 藉由應用此種條件，第2膜4b成為薄膜且相位偏移量
Figure 02_image001
2極小，又，由於膜密度較高故而耐化學品性亦優異之膜。
作為藉由上述組成滿足期望光學特性之膜，第2膜4b之膜厚可設為450～1450 Å、更佳為550～950 Å。較佳為使第2膜4b之膜厚小於第1膜之膜厚，使相位偏移量變小，藉此使作為修正膜之相位偏移量之調整變得容易。
於圖4(b)中例示第2膜4b之光學特性。 圖4(b)將縱軸設為相位偏移量(度)，將橫軸設為透過率(%)，表示作為透過控制膜之第2膜4b為單層時相位偏移量
Figure 02_image001
2與透過率T2之關係之一具體例。
(積層膜) 藉由將上述第1膜4a與第2膜4b積層，可形成針對上述代表波長之光具有以下相位偏移量
Figure 02_image001
r(度)、及透過率Tr(%)之修正膜4。即，由第1膜4a與第2膜4b積層而成之修正膜4可設為： 160≦
Figure 02_image001
r≦200、 Tr＞25。
修正膜4之透過率Tr較佳為與半透光部之透過率Tm相同之範圍， 可設為 30＜Tr≦75、 進而較佳為 40＜Tr≦70。
第1膜4a與第2膜4b之積層順序任意。然而，由於上述組成之不同，第2膜4b較第1膜4a耐化學品性更高，因此藉由將第2膜4b配置於上層側，可使洗淨耐受性等變高，故而較佳。
作為包含第1膜4a、第2膜4b之修正膜4， 可將Cr-C-O組成比設為Cr：30～70%、O：5～35%、C：20～60%、 更佳為 Cr:40～50%、O:5～25%、C:35～45%。
於圖4(c)例示由第1膜4a與第2膜4b積層而成之修正膜4之光學特性。 圖4(c)將縱軸設為相位偏移量(度)，將橫軸設為透過率(%)，表示第1膜4a與第2膜4b積層而成之修正膜4之相位偏移量與透過率之關係之一具體例。根據圖4，可知於第1膜4a與第2膜4b積層而成之修正膜4中，實現了第1膜4a為單層(參照圖4(a))或第2膜4b為單層(參照圖4(b))時均未能獲得之相位偏移量與透過率之關係、即針對曝光之光為高透過率且具有相位偏移作用之光學特性。
即，藉由應用以上所說明之順序之光罩修正方法，即便為特定透過率且具有相位偏移作用之半透光膜2產生缺陷，亦可進行精密之修正以使其恢復該光學特性。更詳細而言，根據本第1實施形態之光罩修正方法，藉由將修正膜4設為雙層構成，能以具有與高透過率之相位偏移膜大致相同之光學物性之方式實施修正，從而實現先前較為困難之修正。此處，由於第1膜4a、第2膜4b均可藉由相同之膜形成方法(此處為雷射CVD法)形成，故而無需使用複數種方式之修正裝置。上述內容例如於下述顯示裝置製造用光罩之修正中非常有利。
再者，於圖1所示之第1實施形態中，半透光部12與透光部11鄰接。對於此種轉印用圖案，亦可藉由上述步驟，形成所需面積以上之修正膜4後，將該修正膜4之外緣附近去除，調整與透光部11之交界處之修正膜4之邊緣形狀。其方法例如可使用雷射射擊(Laser Zap)。如此，即便於修正膜4之形成過程中側面產生傾斜之情形時，亦可調整膜之邊緣形狀，例如使其更接近與透明基板1垂直之側面等，從而可使該交界部分處產生之相位偏移效果更有利地發揮功能。
＜光罩修正方法之第2實施形態＞ 其次，參照圖2對本發明之光罩修正方法之第2實施形態進行說明。
圖2係對於具有轉印用圖案10'之光罩產生缺陷之情形表示其修正方法，該轉印用圖案10'係於透明基板1上將半透光膜2與遮光膜3分別圖案化而成者。
即，於本第2實施形態中成為修正對象之轉印用圖案10'具有：露出透明基板1之透光部、於透明基板1上至少形成有遮光膜3之遮光部13、及於透明基板1上形成有具有相位偏移作用之半透光膜2之半透光部12。於圖2(a)中，僅表示遮光部13與半透光部12之部分，透光部省略了圖示。亦可於遮光膜3之表層形成有防反射層。
於本第2實施形態中，半透光部12與遮光部13鄰接，於半透光部12與遮光部13排列之方向上由遮光部13所夾而配置。於圖2(a)中，半透光部12與透光部不鄰接。
此處，半透光部12係藉由具有與上述第1實施形態之情形相同之透過率Tm(%)與相位偏移量
Figure 02_image001
m(度)之相位偏移膜形成。遮光部13係實質上不使曝光之光透過之膜，較佳為OD(Optical Density，光學密度)≧3。
圖2(b)表示圖2(a)所示之光罩之半透光部12產生白缺陷20之情形。
圖2(c)表示將處於白缺陷20之周邊之半透光膜2與遮光膜3去除，露出透明基板1，調整用以形成修正膜4之區域(以下，亦稱為修正用區域)21之形狀之步驟(前步驟)。去除膜之方法可應用利用雷射進行之蒸散(Laser Zap)等。
圖2(d)表示於修正用區域21中，在所露出之透明基板1之表面形成與第1實施形態之情形相同之第1膜4a之步驟。進而，圖2(e)中，於所形成之第1膜4a上積層有第2膜4b。 第1膜4a、第2膜4b之光學物性、組成、及成膜條件可應用與第1實施形態相同者。因此，所形成之雙層構成之修正膜4亦與第1實施形態之情形相同。
於本第2實施形態中，修正用區域21與遮光部13及半透光部12鄰接。進而，此處表示修正用區域21由遮光部13及/或半透光部12包圍之例。此處，以形成修正用區域21之外緣之半透光膜2及/或遮光膜3之邊緣、與第1膜4a或第2膜4b之邊緣彼此不重疊方式形成修正膜。原因在於：若第1膜4a及/或第2膜4b與殘留之半透光膜2之邊緣重疊，則會產生該重疊部分之透過率較正常半透光膜2降低，從而無法轉印與設計一樣之圖案之不良情況。
進而，原因在於考慮到存在如下情況：若第1膜4a及/或第2膜4b與殘留之遮光部13之邊緣重疊，則在遮光膜3之邊緣部分，能量照射至遮光膜3之成分(例如Cr)，導致無用之膜開始生長，使附近之半透光部(包含修正後)12之透過率發生變化。
因此，期待進行如下修正步驟：以第1膜4a及/或第2膜4b之邊緣、與殘留於透明基板1上之半透光膜2、遮光膜3之邊緣不產生重疊之方式調整邊緣位置。或者，較佳為應用如下修正步驟：如圖2(c)、(d)所示，使第1膜4a及/或第2膜4b之邊緣、與殘留於透明基板1上之半透光膜2、遮光膜3之邊緣稍微分開。
第1膜4a及/或第2膜4b之邊緣、與半透光膜2、遮光膜3之邊緣之分開距離較佳為1 μm以下。例如分開距離可設為0.1 μm～1 μm。該分開距離小於使光罩曝光之曝光裝置之解析極限，因此實質上不會發生分開部被轉印至被轉印體上之情況。
再者，於本第2實施形態中，在圖2(c)中之前步驟中對遮光部13進行了膜去除，因此於修正膜4之形成結束之圖2(e)之時點，修正半透光部(亦將於半透光部之一部分或全部形成有修正膜之半透光部稱為修正半透光部)12a之形狀變得與正常圖案之半透光部12之形狀不同。具體而言，修正半透光部12a之寬度(CD)大於正常圖案中之半透光部12之寬度(CD)。
因此，於圖2(f)中進行用以使其成為與設計一樣之CD之後續步驟。 即，於圖2(f)中，以使修正半透光部12a變成正確之CD之方式，於其邊緣周邊形成有遮光性之補充膜5。補充膜5之形成方法例如可使用聚焦離子束法(Focused Ion Beam Deposition)，或者，亦可使用雷射CVD法。
補充膜5因成膜方法與正常圖案中之遮光膜3不同，可設為成分及成分比不同者、即組成與遮光膜3不同者。補充膜5例如可設為以碳作為主成分之膜。 就光學性而言，補充膜5較佳為實質上不使曝光之光透過，OD(Optical Density)為3以上。
於圖2(f)中，以修正半透光部12a之CD成為與修正前之正常半透光部12相同之方式形成有補充膜5。然而，於修正半透光部12a之透過率相對於目標值過大或不足之情形時，為了進行使該透過率接近目標值之微調整，可使修正半透光部12a之CD較正常半透光部12更大或更小。 即，亦可於修正膜4之形成步驟結束後且後續步驟之前，檢查修正膜4之光學性能，基於其結果，增減於後續步驟形成之補充膜5之之尺寸。於該情形時，所形成之修正半透光部12a與正常半透光部12相比，CD局部地更小或更大。
藉由應用以上所說明之順序之光罩修正方法，可與上述第1實施形態之情形同樣地，對特定透過率且具有相位偏移作用之半透光膜2所產生之缺陷進行精密之修正。
＜光罩修正方法之第3實施形態＞ 其次，參照圖3對本發明之光罩修正方法之第3實施形態進行說明。
圖3對於具有轉印用圖案10'之光罩產生缺陷之情形，表示另一修正方法，該轉印用圖案10'係於透明基板1上將半透光膜2與遮光膜3分別圖案化而成者。
於本第3實施形態中成為修正對象之轉印用圖案10'具有：露出透明基板1之透光部、於透明基板1上至少形成有遮光膜3之遮光部13、及於透明基板1上形成有具有相位偏移作用之半透光膜2之半透光部12。於圖3(a)中，僅表示遮光部13與半透光部12之部分，透光部省略了圖示。亦可於遮光膜3之表層形成有防反射層。
於本第3實施形態中，半透光部12與遮光部13鄰接，由遮光部13所夾，不與透光部鄰接。
此處，半透光部12係藉由具有與上述第1實施形態之情形相同之透過率Tm(%)與相位偏移量
Figure 02_image001
m(度)之相位偏移膜形成。遮光部13係實質上不使曝光之光透過之膜，較佳為OD≧3。
圖3(b)表示圖3(a)所示之光罩之半透光部12產生白缺陷20之情形。
圖3(c)表示將與產生白缺陷20之半透光部12相連之區域之半透光膜2全部去除，使透明基板1露出，並調整修正用區域22之形狀之前步驟。再者，此處，與去除半透光膜2同時地，亦去除鄰接之遮光膜3之一部分。去除膜之方法可應用利用雷射進行之蒸散(Laser Zap)等。
圖3(d)表示於修正用區域22中，在所露出之透明基板1之表面形成與第1實施形態之情形相同之第1膜4a作為相位調整膜之步驟。進而，圖3(e)中，於所形成之第1膜4a上積層有第2膜4b作為透過調整膜。 第1膜4a、第2膜4b之光學物性、組成、及成膜條件可應用與第1實施形態相同者。因此，所形成之雙層構成之修正膜4亦與第1實施形態之情形相同。 於本第3實施形態中，將與產生缺陷之半透光膜連續之半透光膜2全部去除，因此於修正後之光罩中，修正膜與正常半透光膜不鄰接。因此，修正膜與正常半透光膜之交界處不會產生兩膜之分離或重疊。分離或重疊若尺寸較大，則會產生被轉印至被轉印體上之風險，但於本第3實施形態中，無此種風險，於該方面而言有利。
再者，於本第3實施形態中，在圖3(c)中之前步驟中進行了遮光部13之膜去除，因此於修正膜4之形成結束之圖3(e)之時點，修正半透光部12a之尺寸變得與正常圖案之半透光部12之尺寸不同。具體而言，修正半透光部12a之寬度(CD)大於正常圖案中之半透光部12之寬度(CD)。
因此，於圖3(f)中進行用以使其成為與設計一樣之CD之後續步驟。該方面與第2實施形態之情形相同。 於後續步驟中形成之遮光性之補充膜5之成分、光學特性亦可設為與第2實施形態相同。又，亦可與第2實施形態同樣地視需要藉由補充膜5之形成尺寸來調整修正半透光部12a之透過率。
藉由應用以上所說明之順序之光罩修正方法，可與上述第1實施形態之情形同樣地，對為特定透過率且具有相位偏移作用之半透光膜2所產生之缺陷進行精密之修正。
＜光罩之製造方法＞ 再者，本發明包含含有上述光罩修正方法之光罩之製造方法。
本發明之光罩之製造方法可藉由以下步驟進行。 首先，準備於透明基板上包含具有相位偏移作用之半透光膜且成膜有所需光學膜之空白光罩。此處所述之空白光罩包含已具備一部分膜圖案之光罩中間體。然後，利用雷射描繪裝置等於形成於該空白光罩上之抗蝕膜(正型、或負型)描繪所期望之圖案，進行顯影，形成抗蝕圖案。進而，藉由以該抗蝕圖案作為遮罩，對上述光學膜進行蝕刻，形成轉印用圖案。蝕刻可應用乾式蝕刻、濕式蝕刻中之任一者，但作為顯示裝置用，濕式蝕刻較為有利，故而多應用濕式蝕刻。
對形成有轉印用圖案之光罩(或進而實施了成膜或圖案形成之光罩中間體)進行缺陷檢查。於發現白缺陷、或黑缺陷之情形時，應用上述本發明之光罩修正方法，進行光罩之修正。
藉由經由以上順序，即便利用相位偏移作用之轉印用圖案產生缺陷，亦可進行精密之修正，並且製造光罩。
＜光罩＞ 又，本發明包含經實施上述光罩修正方法之光罩。
該光罩具有轉印用圖案，該轉印用圖案包含將形成於透明基板上之半透光膜圖案化而成之半透光部。並且，該光罩進而包含修正半透光部，該修正半透光部局部地形成有包含與上述半透光膜不同之材料之修正膜。該光罩係藉由對半透光部所產生之缺陷形成修正膜而獲得。
該光罩之半透光部具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)(其中，Tm＞25)、與相位偏移量
Figure 02_image001
m(度)(其中，160≦
Figure 02_image001
m≦200)， 上述修正膜 具有將包含Cr及O之第1膜、與包含Cr、C及O之第2膜以任意順序積層而成之積層膜， 上述第1膜不包含C，或包含含量較上述第2膜小之C， 上述第2膜包含含量較上述第1膜小之O。
即，該光罩具有正常半透光部、與經實施修正之修正半透光部。
又，上述轉印用圖案可進而包含實質上不使曝光之光透過之遮光部。 於該情形時，遮光部係於透明基板上至少形成遮光膜而成者，亦可為於遮光膜之上層側、或下層側形成有半透光膜之積層構造。
關於修正膜所具備之第1膜、第2膜之積層順序、第1膜、第2膜各自之光學物性及組成、積層形成之修正膜之光學物性及組成等，與上述光罩修正方法之相關敍述相同。
如上所述之構成之光罩形成修正半透光部，該修正半透光部係對特定透過率且具有特定相位偏移作用之半透光膜2所產生之缺陷進行精密修正而成者，故而於實現利用相位偏移效果之高解析度化方面而言非常有用。
再者，關於正常半透光膜之材料，例示含有鉻(Cr)者、或含有過渡金屬及Si(矽)者。例如，可列舉包含Cr或Cr化合物(較佳為CrO、CrC、CrN、CrON等)、或者Zr(鋯)、Nb(鈮)、Hf(鉿)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Ti(鈦)中之至少一種、及Si之材料，或者，可使用包括包含該等材料之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、或氮氧碳化物之材料者。更具體而言，可列舉矽化鉬氮化物(MoSiN)、矽化鉬氮氧化物(MoSiON)、矽化鉬氧化物(MoSiO)、氮氧化矽(SiON)、鈦氮氧化物(TiON)等。
又，遮光膜之材料例如亦可為Cr或其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或氮氧碳化物)，或者，亦可為包含Mo、W(鎢)、Ta、Ti之金屬之矽化物、或者該矽化物之上述化合物。遮光膜之材料較佳為能夠進行濕式蝕刻。遮光膜之材料又較佳為對於半透光膜之材料具有蝕刻選擇性之材料。即，較理想為遮光膜對半透光膜之蝕刻劑具有耐受性，又，半透光膜對遮光膜之蝕刻劑具有耐受性。
本發明之光罩之用途並無特別限制。
本發明較佳用於作為利用相位偏移作用之光罩，包含微細之圖案寬度(CD)之顯示裝置製造用光罩。本發明例如有利地應用於在被轉印體上包含具有3 μm以下(對於更高精細之顯示元件，為1.0～2.5 μm、進而為1.0～2.0 μm)CD(直徑)之孔圖案等之相位偏移遮罩、且使用具有相位偏移作用之半透光膜之相位偏移遮罩。或，本發明亦可應用於具有上述CD(線寬度、或間隙寬度)之線與間隙圖案。尤其作為本發明視為對象之使用高透過相位偏移膜之光罩，為了使孤立圖案之解析變得有利，可列舉應用半透光膜之光罩。此處，將複數個圖案按照特定之規則性排列且彼此產生光學影響之圖案設為密集圖案時，將除此以外之圖案設為孤立圖案。
＜顯示裝置用元件之製造方法＞ 本發明包含使用上述構成之光罩的顯示裝置用元件之製造方法。該製造方法包含：藉由曝光裝置對上述光罩之轉印用圖案進行曝光，藉此將其轉印至被轉印體上。曝光裝置可為投影方式，亦可為近接方式。於製造藉由相位偏移作用精密解析微細圖案之高精細元件時，前者更為有利。
作為使用投影方式進行曝光時之光學條件，較理想為光學系統之NA(Numerical Aperture，數值孔徑)為0.08～0.15，曝光之光源較理想為包含i射線。當然，亦可使用包含i射線～g射線之波長區域進行曝光。
根據本發明之顯示裝置用元件之製造方法，將修正膜設為雙層構成對半透光部之缺陷進行修正，因此能以具有與高透過率之相位偏移膜大致相同之光學物性之方式實施修正，從而實現先前較為困難之修正。即，可對高透過率且具有相位偏移作用之半透光膜所產生之缺陷進行精密之修正。此處，構成修正膜之第1膜、第2膜均可藉由雷射CVD法形成，因此無需使用複數種方式之修正裝置，該方面尤其於尺寸較大之顯示裝置製造用光罩之修正中非常有利。
＜變化例＞ 本發明之光罩修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置用元件之製造方法只要不失去上述作用效果，便不限於上述實施形態中所揭示之態樣。
例如，如上所述，本發明應用於用於製造顯示裝置用元件之光罩非常有用，但光罩之用途並無特別限制，亦可應用於半導體裝置製造用光罩。
進而，適用本發明之光罩亦可於相位偏移膜或遮光膜之一部分，或於除該等以外之其他部分具備其他光學膜或功能膜。
1:透明基板 2:半透光膜 3:遮光膜 4:修正膜 4a:第1膜 4b:第2膜 5:補充膜 10:轉印用圖案 10':轉印用圖案 11:透光部 12:半透光部 12a:修正半透光部 13:遮光部 20:白缺陷 21:修正用區域 22:修正用區域
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態中之光罩修正方法之概要之說明圖，且(a)為表示正常圖案之例之圖，(b)為表示白缺陷之例之圖，(c)為表示第1膜形成之例之圖，(d)為表示第2膜形成之例之圖。 圖2係模式性地表示本發明之第2實施形態中之光罩修正方法之概要之說明圖，且(a)為表示正常圖案之例之圖，(b)為表示白缺陷之例之圖，(c)為表示缺陷周邊之膜去除之例之圖，(d)為表示第1膜形成之例之圖，(e)為表示第2膜形成之例之圖，(f)為表示遮光性補充膜形成之例之圖。 圖3係模式性地表示本發明之第3實施形態中之光罩修正方法之概要之說明圖，且(a)為表示正常圖案之例之圖，(b)為表示白缺陷之例之圖，(c)為表示缺陷周邊之膜去除之例之圖，(d)為表示第1膜形成之例之圖，(e)為表示第2膜形成之例之圖，(f)為表示遮光性補充膜形成之例之圖。 圖4係例示藉由本發明之光罩修正方法形成之修正膜之光學特性之說明圖，且(a)為表示作為相位偏移控制膜之第1膜為單層時相位偏移量與透過率之關係之一具體例的圖，(b)為表示作為透過控制膜之第2膜為單層時相位差與透過率之關係之一具體例的圖，(c)為將第1膜與第2膜積層而成之修正膜(積層膜)中之相位偏移量與透過率之關係之一具體例的圖。
1:透明基板
2:半透光膜
4:修正膜
4a:第1膜
4b:第2膜
10:轉印用圖案
11:透光部
12:半透光部
20:白缺陷

Claims (28)

  1. 一種光罩修正方法，其係對在透明基板上具有轉印用圖案之光罩所產生之缺陷進行修正者，該轉印用圖案包含將半透光膜圖案化而成之半透光部， 該光罩修正方法之特徵在於包含： 特定出實施修正之上述缺陷之步驟；及 為修正上述缺陷而形成修正膜之修正膜形成步驟；且 上述半透光部具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    m(度)(其中，160≦
    Figure 03_image001
    m≦200)， 於上述修正膜形成步驟中，將組成互不相同之第1膜與第2膜以任意順序積層， 上述第1膜包含Cr及O， 上述第2膜包含Cr、O及C， 上述第1膜不包含C、或包含含量較上述第2膜小之C， 上述第2膜包含含量較上述第1膜小之O。
  2. 如請求項1之光罩修正方法，其中Tm＞25。
  3. 如請求項1之光罩修正方法，其中 上述修正膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率Tr(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    r(度)滿足： 30＜Tr≦75、且160≦
    Figure 03_image001
    r＜200。
  4. 如請求項1之光罩修正方法，其中於上述修正膜形成步驟中，應用雷射CVD法。
  5. 如請求項1之光罩修正方法，其中上述第1膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T1(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    1(度)、及 上述第2膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T2(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    2(度) 分別滿足以下(1)～(4)之關係： (1) 100≦
    Figure 03_image001
    1＜200 (2)
    Figure 03_image001
    2＜100 (3) 55≦T1 (4) 25＜T2＜80。
  6. 如請求項5之光罩修正方法，其中上述第2膜中所含之Cr含量大於上述第1膜中所含之Cr含量。
  7. 如請求項5之光罩修正方法，其中上述第1膜中所含之Cr與O之含量之合計以原子%計為上述第1膜之成分之80%以上。
  8. 如請求項5之光罩修正方法，其中上述第1膜包含含有5～45原子%之Cr、及55～95原子%之O之材料， 上述第2膜包含含有20～70原子%之Cr、5～45原子%之O、及10～60原子%之C之材料。
  9. 如請求項5之光罩修正方法，其係於上述第1膜上積層上述第2膜。
  10. 如請求項1之光罩修正方法，其中上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部。
  11. 如請求項1之光罩修正方法，其中上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部，且上述半透光部係由上述遮光部所夾而配置。
  12. 如請求項1之光罩修正方法，其包含後續步驟，該步驟係藉由於上述修正膜形成步驟後形成具有遮光性之補充膜，而調整形成上述修正膜而成之修正半透光部之形狀。
  13. 如請求項1之光罩修正方法，其進而具有前步驟，該步驟係於上述修正膜形成步驟之前，將上述缺陷部分、或上述缺陷周邊之膜去除，使上述透明基板露出。
  14. 如請求項1之光罩修正方法，其中上述光罩為用於製造顯示裝置用元件者。
  15. 一種光罩之製造方法，其包含如請求項1至14中任一項之光罩修正方法。
  16. 一種光罩，其具有包含將形成於透明基板上之半透光膜圖案化而成之半透光部之轉印用圖案，且對上述半透光部所產生之缺陷部分形成有修正膜，且 上述半透光部具有針對曝光之光之代表波長之光的透過率Tm(%)(其中，Tm＞25)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    m(度)(其中，160≦
    Figure 03_image001
    m≦200)， 上述修正膜具有將包含Cr及O之第1膜、與包含Cr、C及O之第2膜以任意順序積層而成之積層膜， 上述第1膜不包含C、或包含含量較上述第2膜小之C， 上述第2膜包含含量較上述第1膜小之O。
  17. 如請求項16之光罩，其中 上述修正膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率Tr(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    r(度)滿足： 30＜Tr≦75、且160≦
    Figure 03_image001
    r＜200。
  18. 如請求項16之光罩，其中上述修正膜為雷射CVD膜。
  19. 如請求項16之光罩，其中上述第1膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T1(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    1(度)、及 上述第2膜所具有之針對上述代表波長之光之透過率T2(%)、與相位偏移量
    Figure 03_image001
    2(度) 分別滿足以下(1)～(4)之關係： (1) 100≦
    Figure 03_image001
    1＜200 (2)
    Figure 03_image001
    2＜100 (3) 55≦T1 (4) 25＜T2＜80。
  20. 如請求項19之光罩，其中上述第1膜與上述第2膜均包含Cr，且上述第2膜中所含之Cr含量大於上述第1膜中所含之Cr含量。
  21. 如請求項19之光罩，其中上述第1膜中所含之Cr與O之含量之合計以原子%計為上述第1膜之成分之80%以上。
  22. 如請求項19之光罩，其中上述第1膜包含含有5～45原子%之Cr、55～95原子%之O之材料， 上述第2膜包含含有20～70原子%之Cr、5～45原子%之O、及10～60原子%之C之材料。
  23. 如請求項16之光罩，其中於上述第1膜上積層有上述第2膜。
  24. 如請求項16之光罩，其中上述轉印用圖案具有將形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化而成之遮光部。
  25. 如請求項16之光罩，其中上述轉印用圖案包含實質上不使曝光之光透過之遮光部，且上述半透光部包含由上述遮光部所夾而配置之部分。
  26. 如請求項16之光罩，其中上述轉印用圖案具有將形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化而成之遮光部，且於形成上述修正膜而成之修正半透光部之邊緣附近形成有組成與上述遮光膜不同之遮光性之補充膜。
  27. 如請求項16至26中任一項之光罩，其中上述光罩為用於製造顯示裝置用元件者。
  28. 一種顯示裝置用元件之製造方法，其包含： 準備如請求項16至27中任一項之光罩之步驟；及 轉印步驟，其係藉由曝光裝置對上述光罩進行曝光，將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。
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